KR102181841B1 - 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR102181841B1
KR102181841B1 KR1020180147707A KR20180147707A KR102181841B1 KR 102181841 B1 KR102181841 B1 KR 102181841B1 KR 1020180147707 A KR1020180147707 A KR 1020180147707A KR 20180147707 A KR20180147707 A KR 20180147707A KR 102181841 B1 KR102181841 B1 KR 102181841B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
compound
substituted
present specification
formula
Prior art date
Application number
KR1020180147707A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190062253A (ko
Inventor
홍완표
윤준
서상덕
강유진
김동헌
한시현
Original Assignee
주식회사 엘지화학
성균관대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학, 성균관대학교산학협력단 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to PCT/KR2018/014859 priority Critical patent/WO2019107932A1/ko
Priority to CN201880041595.1A priority patent/CN110785406A/zh
Publication of KR20190062253A publication Critical patent/KR20190062253A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102181841B1 publication Critical patent/KR102181841B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/0072—
    • H01L51/5024—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom

Abstract

본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{COMPOUND AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 출원은 2017년 11월 28일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2017-0160620호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자가 상용화되기 위해서는 발광재료의 효율 향상이 필요하고, 이를 위해 인광 및 지연 형광 재료에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만, 상기 인광 재료의 경우, 높은 효율을 달성할 수 있음에도 불구하고 인광을 구현하기 위해 필요한 금속착화물의 가격이 높고 수명이 짧은 문제가 있다.
지연 형광 재료의 경우, 최근 열활성화지연형광(TADF: Thermally Activated Delayed Fluorescence)의 개념을 도입하여 형광재료이면서도 외부양자효율이 높은 고효율 녹색 형광 재료를 발표하였다. 열활성화지연형광(TADF) 개념은 여기 삼중항 상태로부터 여기 단일항 상태로의 역 에너지 이동을 열 활성화에 의해서 생기게 하여 형광 발광에 이르는 현상을 나타내고, 삼중항 경유로 발광이 생기기 때문에 일반적으로 수명이 긴 발광이 생기는 점에서 지연 형광으로 부른다. 지연 형광 재료는 형광발광과 인광발광을 모두 사용할 수 있으므로, 기존의 형광재료가 가지는 외부양자효율의 문제점을 해결할 수 있고 금속 착화물을 포함하지 않아도 된다는 점에서 인광 재료의 가격 문제를 해결할 수 있다.
국제 공개 공보 제2016-015810호
Nature, 492, pp 234-238 J. Am. Chem. Soc., 2012, 134 (36), pp 14706-14709
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112018117889939-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
A1 내지 A5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 시아노기; 할로알킬기; 알킬기; 알케닐기; 할로알콕시기; 할로겐기, 시아노기, 할로알킬기, 알킬기, 또는 할로알콕시기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 헤테로아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하며,
R1 내지 R8 및 R11 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
n은 1 또는 2이며,
n이 2인 경우, 복수 개의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
n이 1이고, 상기 A1 내지 A5 중 어느 하나가 헤테로아릴기인 경우, 나머지는 수소이다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성의 향상이 가능하다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 발광 소자를 도시한 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 벤젠코어를 중심으로 2개의 시아노기가 파라(para)위치로 결합하므로, 특정 파장 영역의 빛을 발광하며 이를 포함하는 유기 발광 소자는 고효율의 특성이 있다.
또한, 본원 화학식 1의 벤젠 코어를 중심으로 2개의 카바졸 유도체 및 1개 또는 2개의 아릴기가 결합되므로, 발광층에 주입되는 전하 밸런스가 조절되어, 이를 포함하는 유기 발광 소자는 낮은 구동 전압, 효율 및 수명의 향상이 가능하다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 카르보닐기; 에스테르기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112018117889939-pat00002
본 명세서에 있어서, 아미드기는 아미드기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 30의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112018117889939-pat00003
본 명세서에서 카르보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112018117889939-pat00004
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112018117889939-pat00005
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐바이페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, N-바이페닐나프틸아민기, N-나프틸플루오레닐아민기, N-페닐페난트레닐아민기, N-바이페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기, N-페닐터페닐아민기, N-페난트레닐플루오레닐아민기, N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기, N-아릴알킬아민기, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, N-알킬헤테로아릴아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기, 에틸티옥시기, tert－부틸티옥시기, 헥실티옥시기, 옥틸티옥시기 등이 있고, 알킬술폭시기로는 메틸술폭시기, 에틸술폭시기, 프로필술폭시기, 부틸술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BR100R101일 수 있으며, 상기 R100 및 R101은 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다.
상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 트리페닐기, 파이레닐기, 페날레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 플루오란테닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure 112018117889939-pat00006
,
Figure 112018117889939-pat00007
,
Figure 112018117889939-pat00008
,
Figure 112018117889939-pat00009
,
Figure 112018117889939-pat00010
및
Figure 112018117889939-pat00011
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, N-아릴알킬아민기, N-아릴헤테로아릴아민기 및 아릴포스핀기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시기, p-토릴옥시기, m-토릴옥시기, 3,5-디메틸-페녹시기, 2,4,6-트리메틸페녹시기, p-tert-부틸페녹시기, 3-바이페닐옥시기, 4-바이페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 4-메틸-1-나프틸옥시기, 5-메틸-2-나프틸옥시기, 1-안트릴옥시기, 2-안트릴옥시기, 9-안트릴옥시기, 1-페난트릴옥시기, 3-페난트릴옥시기, 9-페난트릴옥시기 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2－메틸페닐티옥시기, 4－tert－부틸페닐티옥시기 등이 있으며, 아릴술폭시기로는 벤젠술폭시기, p－톨루엔술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 디아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 헤테로아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨라닐기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 피리딜기, 바이피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀릴기, 퀴나졸릴기, 퀴녹살릴기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미딜기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀릴기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴기가 2 이상을 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 전술한 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기 및 N-알킬헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기의 예시는 전술한 헤테로아릴기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 인접한 기가 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리에서, "고리"는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 의미한다.
명세서에 있어서, 탄화수소고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 방향족고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 상기 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 헤테로아릴기 또는 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시된다.
[화학식 1-1]
Figure 112018117889939-pat00012
[화학식 1-2]
Figure 112018117889939-pat00013
상기 화학식 1-1 및 1-2에 있어서,
A1 내지 A5, R1 내지 R8 및 R11 내지 R18의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
A11 내지 A15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 시아노기; 할로알킬기; 알킬기; 알케닐기; 할로알콕시기; 할로겐기, 시아노기, 할로알킬기, 알킬기, 또는 할로알콕시기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 헤테로아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R8 및 R11 내지 R18는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R8 및 R11 내지 R18는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R8 및 R11 내지 R18는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R8 및 R11 내지 R18 중 인접한 기는 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R8 및 R11 내지 R18 중 인접한 기는 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R8 및 R11 내지 R18 중 인접한 기는 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R8 및 R11 내지 R18 중 인접한 기는 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R8 및 R11 내지 R18 중 인접한 기는 서로 결합하여, 1 이상의 메틸기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R2 및 R3은 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R2 및 R3은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R2 및 R3은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R2 및 R3은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R2 및 R3은 서로 결합하여, 1 이상의 메틸기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R2 및 R3 중 어느 하나가 치환 또는 비치환된 아릴기이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R2 및 R3이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R2 및 R3 중 어느 하나가 치환 또는 비치환된 페닐기이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R2 및 R3이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R3은 치환 또는 비치환된 페닐기이고, R2는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R2 및 R3이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R3은 페닐기이고, R2는 이소프로필기이며, R2 및 R3이 서로 결합하여 2개의 메틸기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6 및 R7은 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6 및 R7은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6 및 R7은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6 및 R7은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6 및 R7은 서로 결합하여, 1 이상의 메틸기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6 및 R7 중 어느 하나가 치환 또는 비치환된 아릴기이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R6 및 R7이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6 및 R7 중 어느 하나가 치환 또는 비치환된 페닐기이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R6 및 R7이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6은 치환 또는 비치환된 페닐기이고, R7은 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R6 및 R7이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6은 페닐기이고, R7은 이소프로필기이며, R6 및 R7이 서로 결합하여 2개의 메틸기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R12 및 R13은 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R12 및 R13은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R12 및 R13은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R12 및 R13은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R12 및 R13은 서로 결합하여, 1 이상의 메틸기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R12 및 R13 중 어느 하나가 치환 또는 비치환된 아릴기이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R12 및 R13이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R12 및 R13 중 어느 하나가 치환 또는 비치환된 페닐기이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R12 및 R13이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R13은 치환 또는 비치환된 페닐기이고, R12는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R12 및 R13이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R13은 페닐기이고, R12는 이소프로필기이며, R12 및 R13이 서로 결합하여 2개의 메틸기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R16 및 R17은 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R16 및 R17은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R16 및 R17은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R16 및 R17은 서로 결합하여, 1 이상의 알킬기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R16 및 R17은 서로 결합하여, 1 이상의 메틸기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R16 및 R17 중 어느 하나가 치환 또는 비치환된 아릴기이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R16 및 R17이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R16 및 R17 중 어느 하나가 치환 또는 비치환된 페닐기이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R16 및 R17이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R16은 치환 또는 비치환된 페닐기이고, R17은 치환 또는 비치환된 알킬기이며, R16 및 R17이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R16은 페닐기이고, R17은 이소프로필기이며, R16 및 R17이 서로 결합하여 2개의 메틸기로 치환된 인덴고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A1 내지 A5 및 A11 내지 A15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 시아노기; 할로알킬기; 알킬기; 알케닐기; 할로알콕시기; 할로겐기, 시아노기, 할로알킬기, 알킬기, 또는 할로알콕시기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A1 내지 A5 및 A11 내지 A15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 불소; 시아노기; 트리플루오로메틸기; 메틸기; 이소프로필기; t-부틸기; 트리플루오로메톡시기; 불소, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 메틸기, 또는 트리플루오로메톡시기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 다환의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A1 내지 A5 및 A11 내지 A15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 불소; 시아노기; 트리플루오로메틸기; 메틸기; 이소프로필기; t-부틸기; 트리플루오로메톡시기; 불소, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 메틸기, 또는 트리플루오로메톡시기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 카바졸릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A1 내지 A5 중 인접한 기는 서로 결합하여, 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A1 내지 A5 중 인접한 기는 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A11 내지 A15 중 인접한 기는 서로 결합하여, 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A11 내지 A15 중 인접한 기는 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A1 및 A5는 서로 결합하여, 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A1 및 A5는 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A1 및 A5는 각각 치환 또는 비치환된 알케닐기이고, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A1 및 A5는 각각 에테닐기(ethenyl)이고, 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A2 및 A3는 서로 결합하여, 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A2 및 A3는 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A2 및 A3은 각각 치환 또는 비치환된 알케닐기이고, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A2 및 A3은 각각 에테닐기(ethenyl)이고, 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A3 및 A4는 서로 결합하여, 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A3 및 A4는 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A3 및 A4는 각각 치환 또는 비치환된 알케닐기이고, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A3 및 A4는 각각 에테닐기(ethenyl)이고, 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A4 및 A5는 서로 결합하여, 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A4 및 A5는 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A4 및 A5는 각각 치환 또는 비치환된 알케닐기이고, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A4 및 A5는 각각 에테닐기(ethenyl)이고, 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A11 및 A12는 서로 결합하여, 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A11 및 A12는 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A11 및 A12는 각각 치환 또는 비치환된 알케닐기이고, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A11 및 A12는 각각 에테닐기(ethenyl)이고, 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A12 및 A13는 서로 결합하여, 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A12 및 A13는 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A12 및 A13은 각각 치환 또는 비치환된 알케닐기이고, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A12 및 A13은 각각 에테닐기(ethenyl)이고, 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A13 및 A14는 서로 결합하여, 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A13 및 A14는 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A13 및 A14는 각각 치환 또는 비치환된 알케닐기이고, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A13 및 A14는 각각 에테닐기(ethenyl)이고, 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A14 및 A15는 서로 결합하여, 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A14 및 A15는 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A14 및 A15는 각각 치환 또는 비치환된 알케닐기이고, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, A14 및 A15는 각각 에테닐기(ethenyl)이고, 서로 결합하여, 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, n이 1이고, A1 내지 A5 중 어느 하나가 다환의 헤테로아릴기인 경우, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, n이 1이고, A1 내지 A5 중 어느 하나가 카바졸릴기인 경우, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택된다.
Figure 112018117889939-pat00014
Figure 112018117889939-pat00015
Figure 112018117889939-pat00016
Figure 112018117889939-pat00017
Figure 112018117889939-pat00018
Figure 112018117889939-pat00019
Figure 112018117889939-pat00020
Figure 112018117889939-pat00021
Figure 112018117889939-pat00022
Figure 112018117889939-pat00023
Figure 112018117889939-pat00024
Figure 112018117889939-pat00025
Figure 112018117889939-pat00026
Figure 112018117889939-pat00027
Figure 112018117889939-pat00028
Figure 112018117889939-pat00029
Figure 112018117889939-pat00030
Figure 112018117889939-pat00031
Figure 112018117889939-pat00032
Figure 112018117889939-pat00033
Figure 112018117889939-pat00034
Figure 112018117889939-pat00035
Figure 112018117889939-pat00036
Figure 112018117889939-pat00037
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 지연 형광 화합물이다.
일반적인 유기발광소자에서 일중항과 삼중항에서 생성되는 엑시톤의 수가 25:75(일중항: 삼중항)의 비율로 생성되며, 엑시톤 이동에 따른 발광 형태에 따라 형광 발광, 인광 발광 및 열활성화 지연형광 발광으로 나눌 수 있다. 상기 인광 발광의 경우 삼중항 여기 상태(excited state)의 엑시톤이 바닥 상태(ground state)로 이동하여 발광하는 것을 의미하고, 상기 형광 발광의 경우 일중항 여기 상태(excited state)의 엑시톤이 바닥 상태(ground state)로 이동하여 발광하게 되는 것을 의미하며, 상기 열활성화 지연형광 발광은 삼중항 여기 상태(excited state)로부터 일중항 여기 상태(excited state)로 역계간전이가 유도되고, 일중항 여기 상태의 엑시톤이 바닥 상태(Ground State)로 이동하여 형광 발광을 일으키는 것을 의미한다.
상기 열활성화 지연형광 발광은 발광스펙트럼의 피크 위치가 형광과 같지만 감쇠시간(decay time)이 길다는 점에서 형광 발광과 구분되며, 감쇠시간은 길지만 발광스펙트럼의 피크 위치가 인광 스펙트럼과 S1-T1 에너지의 차이만큼 다르다는 점에서 인광과 구별된다. 이때, S1은 일중항(singlet) 에너지 준위이며, T1는 삼중항(triplet) 에너지 준위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 발광층, 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적거나 많은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타난 것과 같은 구조를 가질 수 있으나 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(20) 위에 제1 전극(30), 발광층(40) 및 제2 전극(50)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자(10)의 구조가 예시 되어 있다. 상기 도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 도펀트의 최대 발광 파장은 480nm 내지 570nm이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 도펀트는 녹색 도펀트이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층의 발광 물질은 정공 수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 상기 발광층은 전술한 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함하고, 여기 홑겹항에너지 및 여기 삼중항 에너지의 적어도 어느 하나가 상기 화합물의 발광 재료보다 높은 값을 가지고, 정공 수송능, 전자 수송능을 가지며, 또한 발광의 장파장화를 방지하고, 높은 유리전이 온도를 가지는 유기 화합물을 호스트로서 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 축합 방향족환 유도체 및 헤테로고리 함유 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 발광층의 호스트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 플루오렌 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로고리 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 호스트는 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
Figure 112018117889939-pat00038
Figure 112018117889939-pat00039
Figure 112018117889939-pat00040
Figure 112018117889939-pat00041
Figure 112018117889939-pat00042
Figure 112018117889939-pat00043
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함하고, 축합 방향족환 유도체 및 헤테로고리 함유 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 발광층의 호스트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 상기 도펀트 및 상기 호스트를 1:99 내지 50:50의 중량비로 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 및 상기 축합 방향족환 유도체 및 헤테로고리 함유 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 호스트를 1:99 내지 50:50의 중량비로 포함한다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 발광층의 도펀트로 본 명세서의 상기 화합물, 즉, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 물리 증착 방법(PVD: Physical Vapor Deposition)을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 제1 전극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 제2 전극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 제2 전극 물질부터 유기물층, 제1 전극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al, Mg/Ag과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이며, 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
[실시예]
[제조예 1]
Figure 112018117889939-pat00044
가. 화합물 P2의 제조
질소 조건에서 1,4-디브로모-2,5-디플루오로벤젠(P1) 27.2g 및 트리메틸실릴클로라이드(TMSCl) 24g을 테트라하이드로퓨란(THF) 200ml와 혼합하고, -78℃로 냉각하였다. 다음으로, 리튬 다이아이소프로필아마이드(LDA, 2M) 220ml를 천천히 적가하고, -78℃에서 1시간 교반한 뒤 상온으로 천천히 승온하였다. 반응 종료 후, 3%의 묽은 염산과 디클로로메탄으로 추출하고, 무수황산나트륨으로 건조 및 여과하였다. 디클로로메탄을 감압증류한 후, 차가운 메탄올로 세척하여, 33.3g의 흰색 고체를 얻었다.
다음으로, 상기 반응에서 얻은 화합물 33g을 클로로포름 1320ml에 혼합한 후 질소 상태 하에서 30분간 교반 시키고 반응물의 온도를 -78℃까지 냉각하였다. 1mol 아이오딘 모노클로라이드(ICl) 317ml를 천천히 적가하고 동일한 온도에서 1시간 동안 교반한 후, 실온으로 온도를 올려 2시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 소듐싸이오설파이트(Na2S2O3) 수용액으로 반응을 종결시키고, 추출한 뒤 무수황산나트륨으로 건조 및 여과하였다. 에탄올로 재결정을 실시하고 건조하여, 36.5g의 화합물 P2를 얻었다.
나. 화합물 P3의 제조
상기 화합물 P2(1,4-디브로모-2,5-디플루오로-3,6-디아이오도벤젠)(26.18g, 50mmol) 및 페닐 보론산(12.2g, 100mmol)를 테트라하이드로퓨란(THF) 800ml에 녹였다. 여기에 탄산나트륨(Na2CO3) 2M 용액(500mL) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(Pd(PPh3)4, 4.6g, 4mmol)을 넣고 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고, 생성된 혼합물을 물과 톨루엔으로 3회 추출하였다. 톨루엔 층을 분리한 뒤 황산마그네슘(magnesium sulfate)으로 건조하여 여과한 여과액을 감압 증류하였다. 농축된 화합물을 헥산과 에틸아세테이트를 4:1의 부피비로 혼합한 용액으로 컬럼크로마토그래피 분리하여 20.2g의 화합물 P3를 얻었다. 진공 오븐에서 24시간 건조한 후, 얻어진 고체(P3)는 질량스펙트럼 측정으로 M/Z=422에서 피크가 확인되었다.
다. 화합물 P4의 제조
상기 화합물 P3(14.0g, 33.1mmol)을 N,N-디메틸포름아미드 600ml에 녹였다. 여기에, 시안화구리(CuCN, 6g, 67mmol)를 넣고 질소 조건에서 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고, 생성된 혼합물을 물과 에틸아세테이트로 추출하였다. 에틸아세테이트층을 분리한 뒤 감압증류하여, 화합물을 농축하였다. 다음으로, 테트라하이드로퓨란으로 재결정하여, 화합물 P4 10.4g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=316에서 피크가 확인되었다.
라. 화합물 1의 제조
9H-카바졸(2.8g, 17mmol), 포타슘카보네이트(2.4g, 17mmol) 및 디메틸설폭사이드 40ml를 혼합하고 상온 및 질소 조건에서 1시간 교반하였다. 반응 혼합물에 화합물 P4(2.6g, 8.3mmol)를 첨가하고 16시간 동안 50℃에서 교반하였다. 상온으로 식히고 증류수를 적가하여 여과하였다. 증류수로 세정하고 얻어진 고체를 디클로로메탄에 녹이고 유기층을 분리한 후, 황산마그네슘(magnesium sulfate)으로 건조하고, 실리카젤로 여과한 후 농축하였다. 디클로로메탄과 에탄올로 재결정하여 2g의 화합물 1을 제조하였다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=610에서 피크가 확인되었다.
[제조예 2]
Figure 112018117889939-pat00045
화합물 2의 제조
9H-카바졸 대신 3,6-디메틸-9H-카바졸을 3.3g, 17mmol을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1과 동일한 방법으로 제조하여, 1.6g의 화합물 2를 제조하였다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=666에서 피크가 확인되었다.
[제조예 3]
Figure 112018117889939-pat00046
Figure 112018117889939-pat00047
화합물 3의 제조
9H-카바졸 대신 7,7-디메틸-5,7-다이하이드로인데노[2,1-b]카바졸 4.8g, 17mmol을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1과 동일한 방법으로 제조하여, 1.8g의 화합물 3을 제조하였다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=842에서 피크가 확인되었다.
[제조예 4]
Figure 112018117889939-pat00048
가. 화합물 P5의 제조
페닐 보론산을 대신 [1,1'-바이페닐]-2-일 보론산 (19.8g, 100mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 P3 합성과 동일한 방법으로 제조하여 22.8g의 화합물 P5를 제조하였다. 얻어진 고체는 질량스펙트럼 측정으로 M/Z=574에서 피크가 확인되었다.
나. 화합물 P6의 제조
화합물 P3 대신 화합물 P5 (19.1g, 33.1mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 화합물 P4 합성과 동일한 방법으로 제조하여 11.8g의 화합물 P6을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=468에서 피크가 확인되었다.
다. 화합물 4의 제조
P4 대신 P6 (3.9g, 8.3mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1의 합성과 동일한 방법으로 제조하여 1.6g의 화합물 4를 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=762에서 피크가 확인되었다.
[제조예 5]
Figure 112018117889939-pat00049
화합물 5의 제조
9H-카바졸 대신 3,6-디메틸-9H-카바졸을 3.3g, 17mmol을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 4과 동일한 방법으로 제조하여, 2.2g의 화합물 5를 제조하였다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=818에서 피크가 확인되었다.
[제조예 6]
Figure 112018117889939-pat00050
화합물 6의 제조
9H-카바졸 대신 7,7-디메틸-5,7-다이하이드로인데노[2,1-b]카바졸 4.8g, 17mmol을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 4와 동일한 방법으로 제조하여, 2.2g의 화합물 6을 제조하였다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=994에서 피크가 확인되었다.
[제조예 7]
Figure 112018117889939-pat00051
가. 화합물 P7의 제조
페닐 보론산을 대신 (4-플루오로페닐)보론산 (14.0g, 100mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 P3 합성과 동일한 방법으로 제조하여 20.6g의 화합물 P7을 제조하였다. 얻어진 고체는 질량스펙트럼 측정으로 M/Z=458에서 피크가 확인되었다.
나. 화합물 P8의 제조
화합물 P3 대신 화합물 P7 (15.2g, 33.1mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 P4 합성과 동일한 방법으로 제조하여 9.6g의 화합물 P8을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=352에서 피크가 확인되었다.
다. 화합물 7의 제조
화합물 P4 대신 화합물 P8 (2.9g, 8.3mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1의 합성과 동일한 방법으로 제조하여 1.2g의 화합물 7을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=646에서 피크가 확인되었다.
[제조예 8]
Figure 112018117889939-pat00052
화합물 8의 제조
9H-카바졸 대신 3,6-디메틸-9H-카바졸(3.3g, 17mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 7과 동일한 방법으로 제조하여, 2.2g의 화합물 8을 제조하였다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=702에서 피크가 확인되었다.
[제조예 9]
Figure 112018117889939-pat00053
화합물 9의 제조
9H-카바졸 대신 7,7-디메틸-5,7-다이하이드로인데노[2,1-b]카바졸 4.8g, 17mmol을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 7과 동일한 방법으로 제조하여, 2.2g의 화합물 9를 제조하였다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=878에서 피크가 확인되었다.
[제조예 10]
Figure 112018117889939-pat00054
가. 화합물 P9의 제조
페닐 보론산을 대신 (4-사이아노페닐)보론산 (14.7g, 100mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 P3 합성과 동일한 방법으로 제조하여 20.0g의 화합물 P9을 제조하였다. 얻어진 고체는 질량스펙트럼 측정으로 M/Z=472에서 피크가 확인되었다.
나. 화합물 P10의 제조
P3 대신 P9 (15.7g, 33.1mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 P4 합성과 동일한 방법으로 제조하여 10.2g의 화합물 P10을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=366에서 피크가 확인되었다.
다. 화합물 10의 제조
P4 대신 P10 (3.0g, 8.3mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1의 합성과 동일한 방법으로 제조하여 1.4g의 화합물 8을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=660에서 피크가 확인되었다.
[제조예 11]
Figure 112018117889939-pat00055
화합물 11의 제조
9H-카바졸 대신 3,6-디메틸-9H-카바졸을 3.3g, 17mmol을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 10과 동일한 방법으로 제조하여, 2.0g의 화합물 11을 제조하였다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=716에서 피크가 확인되었다.
[제조예 12]
Figure 112018117889939-pat00056
화합물 12의 제조
9H-카바졸 대신 7,7-디메틸-5,7-다이하이드로인데노[2,1-b]카바졸 4.8g, 17mmol을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 10과 동일한 방법으로 제조하여, 2.4g의 화합물 12를 제조하였다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=892에서 피크가 확인되었다.
[제조예 13]
Figure 112018117889939-pat00057
가. 화합물 P11의 제조
페닐 보론산을 대신 (4-(털트-부틸)페닐)보론산 (17.8g, 100mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 P3 합성과 동일한 방법으로 제조하여 화합물 P11 20.4g을 제조하였다. 얻어진 고체는 질량스펙트럼 측정으로 M/Z=534에서 피크가 확인되었다.
나. 화합물 P12의 제조
P3 대신 P11 (15.7g, 33.1mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 P4 합성과 동일한 방법으로 제조하여 10.4g의 화합물 P12를 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=428에서 피크가 확인되었다.
다. 화합물 13의 제조
P4 대신 P12 (3.6g, 8.3mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 1의 합성과 동일한 방법으로 제조하여 화합물 13 1.4g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=722에서 피크가 확인되었다.
[제조예 14]
Figure 112018117889939-pat00058
화합물 14의 제조
9H-카바졸 대신 3,6-디메틸-9H-카바졸을 3.3g, 17mmol을 사용한 것을 제외하고는, 화합물 13과 동일한 방법으로 제조하여, 화합물 14 2.0g을 제조하였다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정에 의해 M/Z=778에서 피크가 확인되었다.
[실시예 1]
유기 발광 소자 제조
먼저 40mm × 40mm × 두께 0.5mm의 ITO 전극 부착 유리 기판을 이소프로필알코올, 아세톤 및 탈이온수(DI Water)로 5분 동안 초음파 세정을 진행한 후 100℃ 오븐에 건조하였다. 기판 세정 후 진공 상태에서 2분 동안 O2 플라즈마 처리하고 상부에 다른 층들을 증착하기 위하여 증착 챔버로 이송하였다. 약 10-7Torr 진공 하에 가열 보트로부터 증발에 의해, 유리 기판의 ITO 상에 다음과 같은 순서로 유기물층을 증착하였다. 이때, 유기물의 증착 속도는 10nm/s로 설정하였다.
1. 정공주입층(HIL): HAT-CN, 두께 10nm
Figure 112018117889939-pat00059
2. 정공수송층(HTL): NPB, 두께 75nm
Figure 112018117889939-pat00060
3. 전자차단층(EBL): mCBP, 두께 15nm
Figure 112018117889939-pat00061
4. 발광물질층(EML): TH1 90중량%, 화합물 1 10중량%, 두께 35nm
Figure 112018117889939-pat00062
5. 정공차단층(HBL): B3PYMPM, 두께 10nm
Figure 112018117889939-pat00063
6. 전자수송층(ETL): TPBi, 두께 25nm
Figure 112018117889939-pat00064
7. 전자주입층(EIL): LiF, 두께 80nm
8. 음극: Al, 두께 100nm
CPL(capping layer)을 성막한 뒤에 유리로 인캡슐레이션하였다. 이러한 층들의 증착 후 피막 형성을 위해 증착 챔버에서 건조 박스 내로 옮기고 후속적으로 UV 경화 에폭시 및 수분 게터(getter)를 사용하여 인캡슐레이션하였다.
[실시예 2]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 화합물 2를 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[실시예 3]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 화합물 3을 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[실시예 4]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 화합물 4를 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[실시예 5]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 화합물 5를 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[실시예 6]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 화합물 6을 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[실시예 7]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 화합물 8을 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[실시예 8]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 화합물 9를 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[실시예 9]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 화합물 10을 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[실시예 10]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 화합물 13을 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[실시예 11]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 화합물 14를 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[비교예 1]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 하기 화합물 D1을 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[비교예 2]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 하기 화합물 D2를 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[비교예 3]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 하기 화합물 D3를 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[비교예 4]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 하기 화합물 D4를 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[비교예 5]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 하기 화합물 D5를 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
[비교예 6]
발광층의 도펀트로 화합물 1 대신 하기 화합물 D6을 사용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
Figure 112018117889939-pat00065
Figure 112018117889939-pat00066
[실험예 1]
지연 형광 도펀트가 10 중량%로 도핑된 발광층의 두께를 35nm로 하여 제조된 실시예 1 내지 실시예 11과 비교예 1 내지 6에서 각각 제조된 유기 발광 소자를 대상으로 물성을 측정하였다. 전류 공급원(KEITHLEY) 및 광도계(PR 650)를 사용하여 실온에서 소자 특성을 평가하였다. 각각의 유기 발광 소자에 대하여 10㎃/㎠의 전류밀도에서 측정한 구동 전압(V), 전류효율(cd/A), 전력효율(lm/W), 휘도(cd/m2), 3000 nit에서 밝기가 95%로 감소될 때까지의 시간(T95)을 측정하였다. 측정 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
화합물 구동 전압(V) 전류효율
(cd/A) 		전력효율
(lm/W) 		휘도(cd/m 2 ) T 95
실시예 1 1 4 60.2 47.3 6020 420
실시예 2 2 4 61.8 48.5 6180 440
실시예 3 3 4.5 55.3 38.6 5530 280
실시예 4 4 4.5 55.6 38.8 5560 310
실시예 5 5 4.6 52 35.5 5200 240
실시예 6 6 4.5 52.8 36.9 5280 230
실시예 7 8 4.7 60 40.1 6000 230
실시예 8 9 4.1 60 46.0 6000 420
실시예 9 10 4.5 56.4 39.4 5640 360
실시예 10 13 4.6 54.8 37.4 5480 140
실시예 11 14 4.6 53.2 36.3 5320 160
비교예 1 D1 6.8 46 21.3 4600 110
비교예 2 D2 6.2 40 20.3 4000 120
비교예 3 D3 6 41.8 21.9 4180 120
비교예 4 D4 8.0 32.2 12.6 3200 80
비교예 5 D5 5.4 44.8 26.1 4480 120
비교예 6 D6 5.6 45.0 25.2 4500 120
본 발명의 헤테로고리 화합물을 사용한 실시예 1 내지 11의 소자는 비교예 1 내지 6의 소자와 비교해서, 구동 전압이 낮고, 전류 효율이 높고, 전력 효율이 높고, 휘도가 높으며, 수명 특성이 높다.
10: 유기 발광 소자
20: 기판
30: 제1 전극
40: 발광층
50: 제2 전극

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112020056606896-pat00067

    상기 화학식 1에 있어서,
    A1 내지 A5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 시아노기; 할로알킬기; 알킬기; 할로알콕시기; 또는 할로겐기, 시아노기, 할로알킬기, 알킬기, 또는 할로알콕시기로 치환 또는 비치환된 페닐기이고,
    R1 내지 R8 및 R11 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 알킬기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 인덴고리를 형성하고,
    n은 1 또는 2이며,
    n이 2인 경우, 복수 개의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure 112020056606896-pat00068

    [화학식 1-2]
    Figure 112020056606896-pat00069

    상기 화학식 1-1 및 1-2에 있어서,
    A1 내지 A5, R1 내지 R8 및 R11 내지 R18의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    A11 내지 A15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 시아노기; 할로알킬기; 알킬기; 할로알콕시기; 또는 할로겐기, 시아노기, 할로알킬기, 알킬기, 또는 할로알콕시기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 R1 내지 R8 및 R11 내지 R18는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 알킬기인 것인 화합물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 R1 내지 R8 및 R11 내지 R18 중 인접한 기는 서로 결합하여, 알킬기로 치환된 인덴고리를 형성하는 것인 화합물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 것인 화합물:
    Figure 112020056606896-pat00070

    Figure 112020056606896-pat00071

    Figure 112020056606896-pat00072

    Figure 112020056606896-pat00073

    Figure 112020056606896-pat00074

    Figure 112020056606896-pat00075

    Figure 112020056606896-pat00076

    Figure 112020056606896-pat00077

    Figure 112020056606896-pat00078

    Figure 112020056606896-pat00079

    Figure 112020056606896-pat00080

    Figure 112020056606896-pat00081

    Figure 112020056606896-pat00082

    Figure 112020056606896-pat00083

    Figure 112020056606896-pat00084

    Figure 112020056606896-pat00085

    Figure 112020056606896-pat00086

    Figure 112020056606896-pat00087

    Figure 112020056606896-pat00088

    Figure 112020056606896-pat00089

    Figure 112020056606896-pat00090

    Figure 112020056606896-pat00091

    Figure 112020056606896-pat00101

    Figure 112020056606896-pat00093
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 지연 형광 화합물인 것인 화합물.
  7. 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 도펀트의 최대 발광 파장은 480nm 내지 570nm인 것인 유기 발광 소자.
  11. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 축합 방향족환 유도체 및 헤테로고리 함유 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 발광층의 호스트로서 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 호스트는 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
    Figure 112018117889939-pat00094

    Figure 112018117889939-pat00095

    Figure 112018117889939-pat00096

    Figure 112018117889939-pat00097

    Figure 112018117889939-pat00098

    Figure 112018117889939-pat00099
  13. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함하고, 축합 방향족환 유도체 및 헤테로고리 함유 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 발광층의 호스트로서 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 발광층은 상기 도펀트 및 상기 호스트를 1: 99 내지 50: 50의 중량비로 포함하는 것인 유기 발광 소자.
KR1020180147707A 2017-11-28 2018-11-26 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 KR102181841B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2018/014859 WO2019107932A1 (ko) 2017-11-28 2018-11-28 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN201880041595.1A CN110785406A (zh) 2017-11-28 2018-11-28 化合物及包含其的有机发光器件

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20170160620 2017-11-28
KR1020170160620 2017-11-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190062253A KR20190062253A (ko) 2019-06-05
KR102181841B1 true KR102181841B1 (ko) 2020-11-23

Family

ID=66845102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180147707A KR102181841B1 (ko) 2017-11-28 2018-11-26 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102181841B1 (ko)
CN (1) CN110785406A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019164341A1 (ko) * 2018-02-23 2019-08-29 주식회사 엘지화학 스피로 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN111440159B (zh) * 2020-04-16 2023-12-15 烟台显华化工科技有限公司 一种化合物、光提取材料和有机电致发光器件
CN114685517B (zh) * 2022-05-05 2023-10-24 武汉天马微电子有限公司 一种含氮杂芳香环的有机化合物及其电致发光的应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017103440A (ja) 2015-12-04 2017-06-08 東洋紡株式会社 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014135466A (ja) * 2012-04-09 2014-07-24 Kyushu Univ 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物
JP2015072889A (ja) * 2013-05-02 2015-04-16 国立大学法人九州大学 発光素子
KR102474330B1 (ko) 2014-07-29 2022-12-05 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 소자용 재료
CN105418486A (zh) * 2015-12-25 2016-03-23 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机电致发光化合物及其有机光电装置
JP6668152B2 (ja) * 2015-12-28 2020-03-18 株式会社Ｋｙｕｌｕｘ 化合物、発光材料および有機発光素子
JP7267563B2 (ja) * 2017-06-27 2023-05-02 株式会社Kyulux 発光材料、化合物、遅延蛍光体および発光素子
KR102072922B1 (ko) * 2017-10-30 2020-02-10 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017103440A (ja) 2015-12-04 2017-06-08 東洋紡株式会社 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物

Also Published As

Publication number Publication date
CN110785406A (zh) 2020-02-11
KR20190062253A (ko) 2019-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102225908B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102030309B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102148056B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102160860B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP6290381B2 (ja) ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
KR102352349B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102172580B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102402732B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20200145762A (ko) 유기 발광 소자
KR20200101298A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20210031396A (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20190063821A (ko) 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102181841B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102230988B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102342444B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102274797B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102162607B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20190103997A (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102123745B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102413260B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102405389B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102262696B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102072923B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102200026B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102207385B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant