KR102180284B1 - Composition for removing silicone polymer and manufacturing method of thin film substrate using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘계 수지 제거용 조성물 및 이를 이용한 박막 기판 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 극성 비양성자성 용매 및 불소 화합물을 포함하는 실리콘계 수지 제거용 조성물 및 이를 이용한 박막 기판 제조 방법에 관한 것으로, 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물은 세정 능력이 우수하며, 상기 박막 기판 제조 방법은 박막 기판의 파손을 방지할 수 있다.The present invention relates to a composition for removing a silicone resin and a method of manufacturing a thin film substrate using the same, and more particularly, to a composition for removing a silicone resin containing a polar aprotic solvent and a fluorine compound, and a method of manufacturing a thin film substrate using the same, The silicone resin removal composition has excellent cleaning ability, and the method of manufacturing the thin film substrate can prevent damage to the thin film substrate.
Description
본 발명은 실리콘계 수지 제거용 조성물 및 이를 이용한 박막 기판 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 극성 비양성자성 용매 및 불소 화합물을 포함하는 실리콘계 수지 제거용 조성물 및 이를 이용한 박막 기판 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a composition for removing a silicone resin and a method of manufacturing a thin film substrate using the same, and more particularly, to a composition for removing a silicone resin including a polar aprotic solvent and a fluorine compound, and a method of manufacturing a thin film substrate using the same.
반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고도 함)의 표면에 전자 회로 등을 형성한 후, 웨이퍼의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭(소위, 백 그라인딩)을 행하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼 회로면의 보호, 웨이퍼의 고정 등을 위하여 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 실리콘계 수지를 개재하여 지지체를 부착한다. 지지체를 웨이퍼의 회로면에 부착하면, 웨이퍼의 이면 연삭 후 두께가 얇아진 웨이퍼를 보강할 수 있고, 웨이퍼의 연삭면에 이면 전극 등을 형성할 수도 있다. In the semiconductor device manufacturing process, after forming an electronic circuit or the like on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as ``wafer''), back grinding (so-called back grinding) of the wafer is performed to reduce the thickness of the wafer. There are cases. In this case, in order to protect the circuit surface of the wafer, fix the wafer, and the like, a support is usually attached to the circuit surface of the wafer through a silicon resin. When the support is attached to the circuit surface of the wafer, a wafer having a thinner thickness after grinding the back surface of the wafer can be reinforced, and a back electrode or the like can be formed on the grinding surface of the wafer.
상기 웨이퍼의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정이 완료되면, 웨이퍼의 회로면으로부터 지지체를 제거하고 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 박리하여 제거하고, 웨이퍼를 절단하여 칩을 제작한다.When the processes such as grinding the back surface of the wafer and forming the back electrode are completed, the support is removed from the circuit surface of the wafer, the silicon resin attached to the electronic component is peeled off and removed, and the wafer is cut to produce a chip.
한편, 최근에는 웨이퍼를 관통하여 설치하는 관통 전극(예를 들어, 실리콘 관통 전극)을 이용한 칩 적층 기술이 개발되어 있다. 이 칩 적층 기술에 따르면, 종래의 와이어 대신 관통 전극을 이용하여 복수의 칩의 전자 회로를 전기적으로 접속하므로, 칩의 고집적화, 동작의 고속화를 도모할 수 있다. 이 칩 적층 기술을 이용하는 경우, 복수의 칩이 적층된 집합체의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭을 행하는 경우가 많으며, 그로 인해, 지지체나 전자부품에 실리콘계 수지를 이용할 경우가 증가한다.On the other hand, recently, a chip stacking technology using a through electrode (for example, a silicon through electrode) installed through a wafer has been developed. According to this chip stacking technique, since electronic circuits of a plurality of chips are electrically connected by using through electrodes instead of conventional wires, high integration of chips and high speed operation can be achieved. In the case of using this chip lamination technique, the back side grinding of the wafer is often performed in order to reduce the thickness of an assembly in which a plurality of chips are stacked, and therefore, the case of using a silicone resin for a support or an electronic component increases.
그런데, 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 개재하여 지지체를 부착한 후, 상기 웨이퍼와 지지체의 견고한 부착을 위하여 열경화를 실시하기 때문에 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 박리하는 경우, 경화된 전자부품에 부착된 실리콘계 수지가 지지체 및 웨이퍼의 회로면에 잔존하는 경우가 발생한다. 그러므로, 상기 지지체 및 웨이퍼 회로면에 잔존하는 경화된 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 효율적으로 제거하는 수단이 필요하다.However, since the support is usually attached to the circuit surface of the wafer through the silicon resin attached to the electronic component, and then thermally cured to securely attach the wafer and the support, the silicon resin attached to the electronic component is peeled off. In this case, there occurs a case where the silicone resin adhered to the cured electronic component remains on the circuit surface of the support and the wafer. Therefore, there is a need for a means for efficiently removing the silicone resin adhered to the cured electronic component remaining on the support and the wafer circuit surface.
대한민국 공개특허 제10-2014-0060389호는 전자부품에 부착된 실리콘계 수지 제거용 조성물을 개시하고 있으나, 상기 선행기술은 실리콘계 수지의 제거속도 면에서 개선의 여지가 있는 것으로 보인다.Korean Patent Laid-Open No. 10-2014-0060389 discloses a composition for removing a silicone-based resin attached to an electronic component, but the prior art seems to have room for improvement in terms of removal speed of the silicone-based resin.
또한, 대한민국 공개특허 제10-2013-0008695호 및 제10-2013-0008692호는 웨이퍼의 두께를 얇게하는 기판 가공 방법을 개시하고 있으나, 공정이 복잡하며, 기판에 잔존하는 실리콘계 수지를 제거하는 것이 용이하지 못한 문제점이 있다.In addition, Korean Patent Laid-Open Nos. 10-2013-0008695 and 10-2013-0008692 disclose a substrate processing method for thinning the thickness of a wafer, but the process is complicated, and it is necessary to remove the silicon-based resin remaining on the substrate. There is a problem that is not easy.
본 발명은 실리콘계 수지의 제거 속도가 우수한 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a composition for removing a silicone resin having an excellent removal rate of the silicone resin.
또한, 본 발명은 기판 및 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 도포하여 기판을 얇게 제조할 수 있는 박막 기판 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thin film substrate capable of thinning a substrate by applying a silicon release layer and a silicon adhesive between a substrate and a carrier wafer.
또한, 본 발명은 상기 박막 기판 제조 단계 중 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리한 후, 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물을 사용하여 기판 및 캐리어 웨이퍼에 남아있는 실리콘계 잔류물을 제거하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to remove the silicon-based residue remaining on the substrate and the carrier wafer by using the silicon-based resin removal composition after separating the substrate and the carrier wafer during the thin film substrate manufacturing step.
상기 목적을 달성하기 위하여, To achieve the above object,
본 발명은 극성 비양성자성 용매 및 불소 화합물을 포함하는 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제공한다.The present invention provides a composition for removing a silicone-based resin comprising a polar aprotic solvent and a fluorine compound.
또한, 본 발명은 (1)기판과 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 도포하여 상기 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착하는 단계;In addition, the present invention comprises the steps of: (1) bonding the substrate and the carrier wafer by applying a silicon release layer and a silicon adhesive between the substrate and the carrier wafer;
(2)상기 기판을 박형화하는 단계;(2) thinning the substrate;
(3)상기 박형화된 기판에 보호 테이프를 부착하는 단계;(3) attaching a protective tape to the thinned substrate;
(4)상기 보호 테이프가 부착된 박형화된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리하는 단계; 및(4) separating the thinned substrate and the carrier wafer to which the protective tape is attached; And
(5)상기 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물로 세정하는 단계를 포함하는 박막 기판 제조 방법을 제공한다.(5) It provides a thin film substrate manufacturing method comprising the step of cleaning the separated substrate and the carrier wafer with the silicone-based resin removal composition.
본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 실리콘계 수지의 분해 속도가 우수하여 반도체 기판의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정에서 캐리어 웨이퍼 및 기판에 잔존하는 실리콘계 수지를 효과적으로 제거할 수 있다.The silicone-based resin removal composition of the present invention has an excellent decomposition rate of the silicone-based resin, and thus can effectively remove the silicone-based resin remaining on the carrier wafer and the substrate in processes such as grinding the back surface of a semiconductor substrate and forming a back electrode.
또한, 본 발명의 박막 기판 제조 방법은 기판 및 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 형성함으로써, 기판을 박막화할 수 있으며, 기판의 파손을 방지할 수 있다.In addition, in the method of manufacturing a thin film substrate of the present invention, by forming a silicon release layer and a silicon adhesive between the substrate and the carrier wafer, the substrate can be thinned and damage to the substrate can be prevented.
도 1은 본 발명의 박막 기판 제조 방법을 나타낸 모식도이다.
도 2는 실험예 1-1의 방법으로 제조된 박막 기판의 단면을 나타낸 모식도이다.
도 3은 실험예 1-2의 방법으로 제조된 박막 기판의 단면을 나타낸 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a method of manufacturing a thin film substrate of the present invention.
2 is a schematic diagram showing a cross section of a thin film substrate manufactured by the method of Experimental Example 1-1.
3 is a schematic diagram showing a cross section of a thin film substrate manufactured by the method of Experimental Example 1-2.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명은 극성 비양성자성 용매 및 불소 화합물을 포함하는 실리콘계 수지 제거용 조성물에 관한 것이다.
The present invention relates to a composition for removing a silicone-based resin comprising a polar aprotic solvent and a fluorine compound.
상기 극성 비양성자성 용매는 경화 실리콘계 수지를 팽창시키고, 불소 화합물을 용해시키는 역할을 한다. 또한, 극성이어서 불소 화합물 및 실리콘계 수지를 잘 용해시키며, 비양성자성이므로 불소 이온과 실리콘계 수지의 반응 중간체를 잘 안정화시켜서 실리콘계 수지의 분해반응을 촉진시킬 수 있다.The polar aprotic solvent expands the cured silicone resin and dissolves the fluorine compound. In addition, since it is polar, it dissolves a fluorine compound and a silicone resin well, and because it is aprotic, it stabilizes the reaction intermediate between a fluorine ion and a silicone resin well, thereby promoting the decomposition reaction of the silicone resin.
본 발명에서 상기 극성 비양성자성 용매는 케톤계, 아세테이트계, 아마이드계, 피리딘계, 몰폴린계, 피페라진계, 피롤리돈계, 우레아계, 옥사졸리디논계, 포스페이트계, 설폭사이드계, 나이트릴계 및 카보네이트계 용매로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용한다.
In the present invention, the polar aprotic solvent is ketone, acetate, amide, pyridine, morpholine, piperazine, pyrrolidone, urea, oxazolidinone, phosphate, sulfoxide, nitrate. At least one selected from the group consisting of reel-based and carbonate-based solvents is used.
상기 케톤계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 하기 화학식 1을 포함하는 것이 바람직하다.The kind of the ketone-based solvent is not particularly limited, but it is preferable to include the following Chemical Formula 1.
[화학식 1][Formula 1]
상기 R1 및 R2는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 18의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소이며,The R 1 and R 2 are each the same or different, and a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 18 carbon atoms,
상기 R1 및 R2의 탄소수의 합은 2 이상 30 미만이다.
The sum of carbon atoms of R 1 and R 2 is 2 or more and less than 30.
상기 아세테이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 프로필아세테이트, 이소프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, sec-부틸아세테이트, 아밀아세테이트, 펜틸아세테이트, 이소펜틸아세테이트, 옥틸아세테이트, 벤질아세테이트, 페닐아세테이트, 에톡시에틸아세테이트, 메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 비닐아세테이트 및 에틸에톡시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The acetate-based solvent is not particularly limited in kind, but methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, sec-butyl acetate, amyl acetate, pentyl acetate, isopentyl acetate, It is preferable to use at least one selected from the group consisting of benzyl acetate, phenyl acetate, ethoxyethyl acetate, methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, vinyl acetate and ethyl ethoxypropionate.
상기 아마이드계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 디메틸포름아마이드, 디메틸프로판아마이드 및 디메틸부탄아마이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The type of the amide-based solvent is not particularly limited, but it is preferable to use at least one selected from the group consisting of dimethylformamide, dimethylpropanamide, and dimethylbutanamide.
상기 피리단계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 하기 화학식 2를 포함하는 것이 바람직하다.The type of the pyri-step solvent is not particularly limited, but it is preferable to include the following Chemical Formula 2.
[화학식 2][Formula 2]
상기 R3 내지 R5는 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 알데히드기, 아세트알데히드기, 시아나이드기 또는 메틸설파이드기이다.The R 3 to R 5 are each the same or different, hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, an aldehyde group, an acetaldehyde group, a cyanide group, or a methyl sulfide group to be.
따라서, 상기 피리딘계 용매는 피리딘, 2-메틸피리딘, 3-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 4-에틸피리딘, 4-프로필피리딘, 4-이소프로필피리딘, 4-아밀피리딘, 2,3-루티딘, 2,4-루티딘, 2,5-루티딘, 3,4-루티딘, 3,5-루티딘 및 2,4,6-트리메틸피리딘으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
Therefore, the pyridine solvent is pyridine, 2-methylpyridine, 3-methylpyridine, 4-methylpyridine, 4-ethylpyridine, 4-propylpyridine, 4-isopropylpyridine, 4-amylpyridine, 2,3-ruti Din, 2,4-lutidine, 2,5-lutidine, 3,4-lutidine, 3,5-lutidine, and 2,4,6-trimethylpyridine may be one or more selected from the group consisting of pyridine.
상기 몰폴린계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 3을 포함하는 것이 바람직하다.The type of the morpholine-based solvent is not particularly limited, but it is preferable to include the following Chemical Formula 3.
[화학식 3][Formula 3]
상기 R6은 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, R 6 is hydrogen, a tertiary amine including a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, and an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms,
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는Phenyl substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group or an aldehyde group, or
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.
It is a pyridine substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group, or an aldehyde group.
상기 피페라진계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 4를 포함하는 것이 바람직하다.The type of the piperazine-based solvent is not particularly limited, but it is preferable to include the following Chemical Formula 4.
[화학식 4][Formula 4]
상기 R7 및 R8은 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, Above R 7 And R 8 is each the same or differently, a tertiary amine containing hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms,
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는Phenyl substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group or an aldehyde group, or
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.
It is a pyridine substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group, or an aldehyde group.
상기 피롤리돈계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 메틸피롤리돈, 에틸피롤리돈 및 비닐피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The type of the pyrrolidone-based solvent is not particularly limited, but at least one selected from the group consisting of methylpyrrolidone, ethylpyrrolidone and vinylpyrrolidone is preferably used.
상기 우레아계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 5를 포함하는 것이 바람직하다.The type of the urea-based solvent is not particularly limited, but it is preferable to include the following Chemical Formula 5.
[화학식 5][Formula 5]
상기 R9 및 R10은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는R 9 above And R 10 is the same as or different from each other, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or
메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.
It is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms in which a methoxy group or a dimethylamino group is substituted.
상기 옥사졸리디논계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 6을 포함하는 것이 바람직하다.The type of the oxazolidinone-based solvent is not particularly limited, but it is preferable to include the following Chemical Formula 6.
[화학식 6][Formula 6]
상기 R11은 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는R 11 is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or
메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.
It is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms in which a methoxy group or a dimethylamino group is substituted.
상기 포스페이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 7을 포함하는 것이 바람직하다.The type of the phosphate-based solvent is not particularly limited, but it is preferable to include the following Formula 7.
[화학식 7][Formula 7]
상기 R12 내지 R14는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 8의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 3 내지 8의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소로 치환된 페닐기 또는 할로겐으로 치환된 탄소수 2 내지 4의 지방족 탄화수소이다.
The R 12 to R 14 are each the same or differently, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 3 to 8 carbon atoms, a phenyl group, a phenyl group or halogen substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms It is a substituted C2-4 aliphatic hydrocarbon.
상기 설폭사이드계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 디메틸설폭사이드, 디부틸설폭사이드, 디페닐설폭사이드, 디벤질설폭사이드 및 메틸페닐설폭사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The type of the sulfoxide-based solvent is not particularly limited, but it is preferable to use at least one selected from the group consisting of dimethyl sulfoxide, dibutyl sulfoxide, diphenyl sulfoxide, dibenzyl sulfoxide and methylphenyl sulfoxide. .
상기 나이트릴계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 프로피오나이트릴, 부티로나이트릴, 이소부티로나이트릴, 아세토나이트릴, 트리메틸아세토나이트릴 및 페닐아세토나이트릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The type of the nitrile solvent is not particularly limited, but at least one selected from the group consisting of propionitryl, butyronitryl, isobutyronitryl, acetonitrile, trimethylacetonitrile, and phenylacetonitrile is used. It is desirable to do.
또한, 상기 카보네이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디페닐카보네이트, 디벤질카보네이트, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 및 비닐렌카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
In addition, the type of the carbonate-based solvent is not particularly limited, but at least one selected from the group consisting of dimethyl carbonate, diethyl carbonate, diphenyl carbonate, dibenzyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate and vinylene carbonate is used. It is desirable.
상기 극성 비양성자성 용매는 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물 총 중량에 대하여 70 내지 99.9 중량%로 포함되며, 바람직하게는 80 내지 99 중량%로 포함된다. 상기 극성 비양성자성 용매가 70 중량% 미만으로 포함되면 기판 회로면의 금속 부위가 부식되는 문제가 발생될 수 있으며, 99.9 중량%를 초과하는 경우는 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 효과적으로 제거하지 못하는 문제가 발생될 수 있다.
The polar aprotic solvent is included in an amount of 70 to 99.9% by weight, preferably 80 to 99% by weight, based on the total weight of the silicone-based resin removal composition. If the polar aprotic solvent is contained in an amount of less than 70% by weight, the metal part of the circuit surface of the substrate may be corroded. If it exceeds 99.9% by weight, the silicone resin attached to the electronic component cannot be effectively removed. Problems can arise.
또한, 상기 불소 화합물은 전자부품 등에 부착된 실리콘계 수지의 분자량을 감소시키는 역할을 한다.In addition, the fluorine compound serves to reduce the molecular weight of the silicone resin attached to electronic parts.
상기 불소 화합물은 불화알킬암모늄, 불화알킬포스포늄 및 불화알킬설포늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The fluorine compound is preferably at least one selected from the group consisting of alkyl ammonium fluoride, alkyl phosphonium fluoride, and alkyl sulfonium fluoride.
상기 불화알킬암모늄은 하기 화학식 8을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the alkyl ammonium fluoride includes the following Formula 8.
[화학식 8][Formula 8]
상기 m은 0 내지 15의 정수이고,M is an integer of 0 to 15,
상기 n은 2 내지 21의 정수이다.N is an integer of 2 to 21.
또한, 상기 화학식 8은 바람직하게는 하기 화학식 9 내지 14로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이다.In addition, Formula 8 is preferably at least one selected from the group consisting of the following Formulas 9 to 14.
[화학식 9][Formula 9]
[화학식 10][Formula 10]
[화학식 11][Formula 11]
[화학식 12][Formula 12]
[화학식 13][Formula 13]
[화학식 14][Formula 14]
상기 화학식 9 내지 14에서 상기 p 및 q는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있다.In Formulas 9 to 14, p and q may be integers of 0 to 4, respectively.
상기 불화알킬암모늄은 구체적으로 예를 들어, 테트라부틸암모늄플루오라이드, 테트라부틸암모늄바이플루오라이드, 테트라메틸암모늄플루오라이드, 테트라에틸암모늄플루오라이드, 벤질트리메틸암모늄플루오라이드 및 테트라옥틸암모늄플루오라이드일 수 있다.
The alkyl ammonium fluoride may be specifically, for example, tetrabutylammonium fluoride, tetrabutylammonium bifluoride, tetramethylammonium fluoride, tetraethylammonium fluoride, benzyltrimethylammonium fluoride, and tetraoctylammonium fluoride. .
상기 불화알킬포스포늄은 하기 화학식 15을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the alkyl phosphonium fluoride includes the following formula (15).
[화학식 15][Formula 15]
상기 R15 내지 R18은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.
Each of R 15 to R 18 is the same or different, and is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.
또한, 상기 불화알킬설포늄은 하기 화학식 16을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the alkylsulfonium fluoride includes the following formula (16).
[화학식 16][Formula 16]
상기 R19 내지 R21은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.
Each of R 19 to R 21 is the same or different, and is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.
상기 불소 화합물은 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 30 중량%로 포함되며, 바람직하게는 1 내지 20 중량%로 포함된다. 상기 불소 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우, 전자부품 등에 부착된 실리콘계 수지를 효과적으로 제거하지 못하는 문제가 발생될 수 있으며, 30 중량%를 초과하는 경우는, 가격이 비싸지며, 경시에 따른 수분함량이 증가되어, 오히려 실리콘 수지의 제거성능의 저하가 우려되며, 기판 회로면의 금속 부위가 부식되는 문제가 발생될 수 있다.
The fluorine compound is included in an amount of 0.1 to 30% by weight, preferably 1 to 20% by weight, based on the total weight of the silicone-based resin removal composition. When the fluorine compound is contained in an amount of less than 0.1% by weight, a problem of not effectively removing the silicone resin attached to electronic parts may occur, and when it exceeds 30% by weight, the price becomes expensive and moisture As the content is increased, there is a concern that the removal performance of the silicone resin may be lowered, and a problem of corrosion of a metal part on the circuit surface of the substrate may occur.
본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 상기 성분 이외에 이 분야에서 통상적으로 사용되는 부식방지제, 계면활성제 등의 성분들을 더 포함할 수 있다.
In addition to the above components, the composition for removing silicone resins of the present invention may further include components such as corrosion inhibitors and surfactants commonly used in this field.
또한, 본 발명은 박막 기판 제조 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing a thin film substrate.
본 발명의 박막 기판 제조 방법은 기판을 박막화하여 얇은 두께의 박막 기판을 제조하는 방법으로, 상기 기판을 얇게 만들기 위하여 지지층 역할을 하는 캐리어 웨이퍼를 사용하며, 상기 캐리어 웨이퍼와 기판 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 형성하여 박막 기판을 제조할 수 있다.The method of manufacturing a thin film substrate of the present invention is a method of manufacturing a thin film substrate with a thin thickness by thinning the substrate, and uses a carrier wafer serving as a support layer to make the substrate thin, and a silicon release layer and a silicon release layer between the carrier wafer and the substrate A thin film substrate can be manufactured by forming a silicone adhesive.
보다 자세하게는, In more detail,
(1)기판과 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 도포하여 상기 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착하는 단계;(1) bonding the substrate and the carrier wafer by applying a silicon release layer and a silicon adhesive between the substrate and the carrier wafer;
(2)상기 기판을 박형화하는 단계;(2) thinning the substrate;
(3)상기 박형화된 기판에 보호 테이프를 부착하는 단계;(3) attaching a protective tape to the thinned substrate;
(4)상기 보호 테이프가 부착된 박형화된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리하는 단계; 및(4) separating the thinned substrate and the carrier wafer to which the protective tape is attached; And
(5)상기 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 상기 본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물로 세정하는 단계를 포함하여 박막 기판을 제조할 수 있다.
(5) A thin-film substrate may be manufactured, including the step of cleaning the separated substrate and the carrier wafer with the silicone-based resin removal composition of the present invention.
본 발명에서 상기 실리콘 이형층은 실리콘 고분자라면 그 종류를 특별히 한정하지 않는다.In the present invention, if the silicone release layer is a silicone polymer, its kind is not particularly limited.
또한, 실리콘 접착제는 실리콘 모노머 또는 올리고머로 이루어져 있는 접착용도로 사용되는 고분자를 의미하며, 그 종류를 특별히 한정하지 않는다. In addition, the silicone adhesive refers to a polymer used for adhesive purposes composed of a silicone monomer or oligomer, and the type is not particularly limited.
상기 실리콘 접착제는 도포 및 경화 후에 접착 성능을 가지므로, 상기 실리콘 접착제를 경화 후, 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착시킬 수 있다.
Since the silicone adhesive has adhesive properties after application and curing, the substrate and the carrier wafer may be bonded after the silicone adhesive is cured.
상기 (1)단계는 기판과 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 도포하여 상기 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착하는 단계이다.The step (1) is a step of bonding the substrate and the carrier wafer by applying a silicon release layer and a silicon adhesive between the substrate and the carrier wafer.
구체적으로, 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착하는 방법은 두 가지 방법으로 나뉠 수 있다.Specifically, the method of bonding the substrate and the carrier wafer can be divided into two methods.
첫 번째 방법은 기판 상부에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제를 순차적으로 도포한 후, 캐리어 웨이퍼를 접착하는 방법이다.The first method is a method of sequentially applying a silicon release layer and a silicon adhesive on the substrate, and then bonding a carrier wafer.
상기 방법은 기판, 실리콘 이형층, 실리콘 접착제 및 캐리어 웨이퍼 순으로 순차적으로 적층이 되며, 상기 (4)단계에서 기판과 캐리어 웨이퍼를 분리할 때, 기판 상부에 소량의 실리콘 잔류물이 남아있어 세정에 용이한 장점을 지니고 있다.In the above method, a substrate, a silicon release layer, a silicon adhesive, and a carrier wafer are sequentially stacked, and when separating the substrate and the carrier wafer in step (4), a small amount of silicon residue remains on the upper portion of the substrate, which is useful for cleaning. It has the advantage of being easy.
두 번째 방법은 기판 상부에 실리콘 접착제를 도포하고, 캐리어 웨이퍼 일면에 실리콘 이형층을 도포한 후, 상기 기판 상부에 도포된 실리콘 접착제에 캐리어 웨이퍼 일면에 도포된 실리콘 이형층을 접착시켜 기판과 캐리어 웨이퍼를 접착시키는 방법이다. The second method is to apply a silicon adhesive on the top of the substrate, apply a silicon release layer on one side of the carrier wafer, and then attach the silicon release layer applied on one side of the carrier wafer to the silicon adhesive applied on the substrate. This is how to bond.
상기 방법은 상기 (2)단계의 기판을 박형화하는 과정과 상기 (4)단계의 기판과 캐리어 웨이퍼를 분리하는 과정에서 발생할 수 있는 기판의 파손을 최소화할 수 있는 장점을 지니고 있다.
The method has the advantage of minimizing damage to the substrate that may occur in the process of thinning the substrate in step (2) and separating the substrate from the carrier wafer in step (4).
상기 (2)단계는 캐리어 웨이퍼가 접착된 기판을 박형화하는 단계로, 화학 기계적 연마, 습식 에칭, 건식 에칭, 스핀 에칭 또는 그라인딩 휠 등을 이용하여 기판을 원하는 두께로 얇게 박형화할 수 있다. The step (2) is a step of thinning the substrate to which the carrier wafer is adhered, and the substrate may be thinned to a desired thickness using chemical mechanical polishing, wet etching, dry etching, spin etching, or a grinding wheel.
본 발명에서는 상기 기판은 최대한 얇게 박형화하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 50μm 이하의 두께로 박형화한다.
In the present invention, the substrate is preferably thinned as thin as possible, and more preferably thinned to a thickness of 50 μm or less.
상기 (3)단계는 박형화된 기판에 보호 테이프를 부착하는 단계로, 기판에 보호 테이프를 부착함으로써, 박막 기판 제조 후, 상기 박막 기판을 칩 단위로 절단하는 과정을 용이하게 진행할 수 있다.
The step (3) is a step of attaching the protective tape to the thinned substrate. By attaching the protective tape to the substrate, after manufacturing the thin film substrate, the process of cutting the thin film substrate into chips can be easily performed.
상기 (4)단계는 보호 테이프가 부착된 박형화된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리하는 단계로, 캐리어 웨이퍼를 분리하여 박형화된 박막 기판을 얻을 수 있다.The step (4) is a step of separating the thinned substrate and the carrier wafer to which the protective tape is attached, and the thin film substrate may be obtained by separating the carrier wafer.
상기 분리 방법은 특별히 한정되어 있는 것은 아니며, 물리적인 방법 또는 열을 가하는 방법 등 다양한 방법을 이용할 수 있다.The separation method is not particularly limited, and various methods such as a physical method or a method of applying heat may be used.
물리적인 방법으로 예를 들어, 기판 및 캐리어 웨이퍼 사이에 형성된 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제 사이에 크랙(crack)을 가하여 분리할 수 있으며, 크랙은 블레이드 또는 이니시에이터 등으로 충격을 가하여 형성할 수 있다.
In a physical method, for example, a silicon release layer formed between a substrate and a carrier wafer and a silicon adhesive may be separated by applying a crack, and the crack may be formed by applying an impact with a blade or an initiator.
상기 (5)단계는 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물로 세정하여 최종적으로 박막 기판을 얻는 단계이다.Step (5) is a step of cleaning the separated substrate and the carrier wafer with the silicone resin removal composition of the present invention to finally obtain a thin film substrate.
상기 (1) 내지 (3)단계에서는 기판 및 캐리어 웨이퍼 사이에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제가 형성되어 있으므로, 기판 및 캐리어 웨이퍼 분리 과정에서 상기 표면에 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제, 즉 실리콘계 수지가 잔존할 수 있다. 따라서, 상기 실리콘계 수지를 세정하는 단계가 필요하며, 본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물을 사용하여 세정할 수 있다. In the above steps (1) to (3), since the silicon release layer and the silicone adhesive are formed between the substrate and the carrier wafer, a silicon release layer and a silicone adhesive, that is, a silicone resin, may remain on the surface during the separation of the substrate and the carrier wafer. I can. Therefore, a step of cleaning the silicone resin is required, and it can be cleaned using the silicone resin removal composition of the present invention.
상기 세정은 상기 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 실리콘계 수지 제거용 조성물에 침치하여 세정할 수 있으며, 또 다른 방법으로는 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼에 실리콘계 수지 제거용 조성물을 토출하여 세정할 수 있다.The cleaning may be performed by immersing the separated substrate and carrier wafer in a silicone resin removal composition, and as another method, cleaning may be performed by discharging the silicone resin removal composition onto the separated substrate and carrier wafer.
세정 완료 후, 얇아진 박막 기판을 얻을 수 있으며, 상기 박막 기판에는 실리콘계 수지가 잔존해 있지 않으며, 제조 과정에서 기판의 파손이 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다.
After the cleaning is completed, a thinned thin film substrate can be obtained, and it can be seen that no silicon resin remains on the thin film substrate, and no damage to the substrate occurs during the manufacturing process.
또한, 상기 기판은 반도체 기판이며, 구체적으로 상기 기판 위에 반도체 장치들이 형성된 반도체 기판이다.Further, the substrate is a semiconductor substrate, specifically a semiconductor substrate on which semiconductor devices are formed.
또한, 상기 캐리어 웨이퍼는 유리 기판 또는 실리콘 기판일 수 있다.
In addition, the carrier wafer may be a glass substrate or a silicon substrate.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. However, the following examples are for explaining the present invention more specifically, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.
<실리콘계 수지 제거용 조성물 제조><Preparation of composition for removing silicone resin>
실시예Example 1 내지 8 및 1 to 8 and 비교예Comparative example 1 내지 6. 1 to 6.
하기 표 1에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 실시예 1 내지 8의 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제조하였다.
Compositions for removing silicone resins of Examples 1 to 8 were prepared by mixing the components shown in Table 1 at the corresponding composition ratio.
암모늄Alkyl fluoride
ammonium
포스포늄Alkyl fluoride
Phosphonium
불화알킬암모늄 : 테트라부틸암모늄플루오라이드(TCI)Alkyl ammonium fluoride: tetrabutylammonium fluoride (TCI)
불화알킬포스포늄 : 테트라부틸포스포늄플루오라이드(합성품)Alkylphosphonium fluoride: tetrabutylphosphonium fluoride (synthetic product)
케톤계 용매 : 2-헵타논 (TCI)Ketone solvent: 2-heptanone (TCI)
피리딘계 용매 : 4-메틸피리딘 (TCI)Pyridine solvent: 4-methylpyridine (TCI)
몰폴린계 용매 : N-에틸몰폴린 (TCI)Morpholine solvent: N-ethylmorpholine (TCI)
피롤리돈계 용매 : N-에틸피롤리돈 (TCI)Pyrrolidone solvent: N-ethylpyrrolidone (TCI)
우레아계 용매 : 1,1,3,3-테트라메틸우레아 (TCI)Urea solvent: 1,1,3,3-tetramethylurea (TCI)
알코올계 용매 : 이소프로필알코올 (TCI)
Alcohol solvent: isopropyl alcohol (TCI)
또한, 하기 표 2에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 비교예 1 내지 6의 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제조하였다.In addition, the components shown in Table 2 below were mixed at the corresponding composition ratio to prepare a silicone resin removal composition of Comparative Examples 1 to 6.
비교예 1 내지 4의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 극성 비양성자성 용매를 단독으로 사용한 것이며, 비교예 5 내지 6의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 극성 양성자성 용매(알코올계) 및 불소 화합물을 함께 사용한 것이다.The silicone-based resin removal compositions of Comparative Examples 1 to 4 used a polar aprotic solvent alone, and the silicone-based resin removal compositions of Comparative Examples 5 to 6 were used together with a polar protic solvent (alcohol-based) and a fluorine compound. .
암모늄Alkyl fluoride
ammonium
실험예Experimental example 1. 박막 기판의 제조 및 실리콘계 수지 제거용 조성물의 성능 테스트 1. Fabrication of thin film substrates and performance test of silicone resin removal composition
1-1. 박막 기판 제조1-1. Thin film substrate manufacturing
반도체 공정을 진행하여 디바이스가 형성된 반도체 기판 상부에 실리콘 이형층인 폴리실록산을 도포하였다. 그 후, 실리콘 접착제인 실록산 모노머와 개시제의 조성물을 도포 후, 200℃의 온도로 열경화시켜 접착 성능을 갖게 하였다. 상기 실리콘 이형층 및 실리콘 접착 수지의 두께의 합은 80μm가 되게 하였다. 상기 실리콘 접착제 위에 캐리어 웨이퍼인 실리콘 웨이퍼를 부착하여 기판과 실리콘 웨이퍼를 접착하였다.A semiconductor process was carried out, and polysiloxane, which is a silicon release layer, was coated on the semiconductor substrate on which the device was formed. Thereafter, a composition of a siloxane monomer and an initiator, which is a silicone adhesive, was applied and then thermally cured at a temperature of 200° C. to have adhesive performance. The sum of the thicknesses of the silicone release layer and the silicone adhesive resin was 80 μm. A silicon wafer, which is a carrier wafer, was attached on the silicon adhesive to bond the substrate to the silicon wafer.
그 후, 상기 기판을 그라인딩 휠을 이용하여 50μm의 두께로 가공하였으며, 상기 기판에 다이싱 테이프를 부착하여 기판을 보호하였다.Thereafter, the substrate was processed to a thickness of 50 μm using a grinding wheel, and a dicing tape was attached to the substrate to protect the substrate.
블레이드를 사용하여 상기 실리콘 이형층 및 실리콘 접착제 사이에 물리적 힘을 가하여 크랙이 발생하게 하여, 반도체 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리하여 박막 기판을 제조하였다(도 2).Using a blade, a physical force was applied between the silicon release layer and the silicon adhesive to cause cracks, thereby separating the semiconductor substrate and the carrier wafer to prepare a thin film substrate (FIG. 2).
분리된 반도체 기판을 2 X 2㎠의 크기로 잘라서 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 6의 실리콘계 수지 제거용 조성물에 1분간 침지시켰다. 상기 침지시 상기 조성물의 온도는 25℃로 조절하였으며, 교반기를 350rpm의 속도로 회전시켜 교반하였다. 상기 침지시킨 반도체 기판을 꺼내어 IPA로 세정하고 건조시킨 후, SEM으로 반도체 기판에 잔존하는 실리콘계 수지의 막두께를 측정하여 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다. 또한, 상기 조성물을 상온에서 30일 보관한 후, 동일하게 반도체 기판에 잔존하는 실리콘계 수지의 제거 속도를 측정하여 경시 변화를 확인하여 하기 표 3에 기재하였다.
The separated semiconductor substrate was cut into a size of 2 X 2 cm 2 and immersed in the silicone resin removal compositions of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 6 for 1 minute. During the immersion, the temperature of the composition was adjusted to 25°C, and the stirrer was stirred by rotating at a speed of 350 rpm. The immersed semiconductor substrate was taken out, washed with IPA, dried, and then the film thickness of the silicone resin remaining on the semiconductor substrate was measured by SEM, and the results are shown in Table 3 below. In addition, after the composition was stored at room temperature for 30 days, the removal rate of the silicone resin remaining on the semiconductor substrate was measured to check the change over time, and the changes are shown in Table 3 below.
1-2. 박막 기판 제조1-2. Thin film substrate manufacturing
반도체 공정을 진행하여 디바이스가 형성된 반도체 기판 상부에 실리콘 접착제인 실록산 모노머와 개시제의 조성물을 도포 후, 200℃의 온도로 열경화시켜 접착 성능을 갖게 하였다.After the semiconductor process was carried out, a composition of a siloxane monomer and an initiator as a silicone adhesive was applied on the semiconductor substrate on which the device was formed, and then thermally cured at a temperature of 200° C. to provide adhesion.
또한, 캐리어 웨이퍼인 실리콘 웨이퍼 일면에 실리콘 이형층인 폴리실록산을 도포하였다.In addition, polysiloxane as a silicon release layer was coated on one surface of a silicon wafer as a carrier wafer.
상기 실리콘 접착제와 실리콘 이형층을 부착하여 반도체 기판 및 캐리어 웨이퍼를 접착시켰다.The silicon adhesive and the silicon release layer were attached to bond the semiconductor substrate and the carrier wafer.
그 후의 과정은 상기 1-1과 동일하게 진행하여 박막 기판을 제조(도 3)하였으며, 실험 결과를 하기 표 3에 기재하였다.
The subsequent process was carried out in the same manner as in 1-1 to prepare a thin film substrate (Fig. 3), and the experimental results are shown in Table 3 below.
제거시간
(sec)Hardened silicon remaining on the substrate
Removal time
(sec)
상기 표 2의 결과에서, 본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 우수한 세정 능력을 가진 것을 알 수 있었다.From the results of Table 2, it was found that the silicone-based resin removal composition of the present invention has excellent cleaning ability.
반면, 극성 비양성자성 용매만을 포함한 비교예 1 내지 4 및 극성 양성자성 용매와 불소 화합물을 포함한 비교예 5 내지 6의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 기판에 잔존하는 실리콘계 수지가 제거되지 않아 측정이 불가하였다.On the other hand, the silicone resin removal compositions of Comparative Examples 1 to 4 including only a polar aprotic solvent and Comparative Examples 5 to 6 including a polar protic solvent and a fluorine compound were not able to be measured because the silicone resin remaining on the substrate was not removed. .
또한, 1-1의 방법으로 제조된 박막 기판은 1-2의 방법으로 제조된 박막 기판보다 경화 실리콘을 제거하는 시간이 짧아 세정에 더욱 유리한 것을 알 수 있었다. 그러나 1-2의 방법으로 제조된 박막 기판은 1-1의 방법으로 제조된 박막 기판보다 제조 과정에서 발생할 수 있는 기판의 파손을 최소화할 수 있는 장점이 있다.In addition, it was found that the thin film substrate prepared by the method 1-1 has a shorter time to remove the cured silicon than the thin film substrate prepared by the method 1-1 and thus is more advantageous for cleaning. However, the thin film substrate manufactured by the method 1-2 has the advantage of minimizing the damage of the substrate that may occur during the manufacturing process than the thin film substrate manufactured by the method 1-1.
Claims (21)
상기 극성 비양성자성 용매는 피리딘계, 몰폴린계, 피페라진계, 우레아계, 옥사졸리디논계 및 포스페이트계 용매로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고,
상기 불소 화합물은 불화알킬암모늄, 불화알킬포스포늄 및 불화알킬설포늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘계 수지 제거용 조성물.
As a composition for removing a silicone-based resin comprising a polar aprotic solvent and a fluorine compound,
The polar aprotic solvent includes at least one selected from the group consisting of pyridine, morpholine, piperazine, urea, oxazolidinone and phosphate solvents,
The fluorine compound is at least one selected from the group consisting of alkyl ammonium fluoride, alkyl phosphonium fluoride, and alkyl sulfonium fluoride.
[화학식 2]
상기 R3 내지 R5는 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 알데히드기, 아세트알데히드기, 시아나이드기 또는 메틸설파이드기이다.The composition for removing a silicone-based resin according to claim 1, wherein the pyridine-based solvent comprises the following Chemical Formula 2.
[Formula 2]
The R 3 to R 5 are each the same or different, hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, an aldehyde group, an acetaldehyde group, a cyanide group, or a methyl sulfide group to be.
[화학식 3]
상기 R6은 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민,
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.The composition for removing a silicone-based resin according to claim 1, wherein the morpholine-based solvent comprises the following Chemical Formula 3.
[Formula 3]
R 6 is hydrogen, a tertiary amine including a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, and an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms,
Phenyl substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group or an aldehyde group, or
It is a pyridine substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group, or an aldehyde group.
[화학식 4]
상기 R7 및 R8은 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민,
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는
탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.The composition for removing a silicone-based resin according to claim 1, wherein the piperazine-based solvent comprises the following Chemical Formula 4.
[Formula 4]
The R 7 and R 8 are each the same or differently, a tertiary amine containing hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms
Phenyl substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group or an aldehyde group, or
It is a pyridine substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group, or an aldehyde group.
[화학식 5]
상기 R9 및 R10은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는
메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.The composition for removing a silicone-based resin according to claim 1, wherein the urea-based solvent comprises the following Chemical Formula 5.
[Formula 5]
The R 9 and R 10 are each the same or different, and an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or
It is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms in which a methoxy group or a dimethylamino group is substituted.
[화학식 6]
상기 R11은 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는
메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.The composition for removing a silicone-based resin according to claim 1, wherein the oxazolidinone-based solvent comprises the following formula (6).
[Formula 6]
R 11 is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or
It is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms in which a methoxy group or a dimethylamino group is substituted.
[화학식 7]
상기 R12 내지 R14는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 8의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 3 내지 8의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소로 치환된 페닐기 또는 할로겐으로 치환된 탄소수 2 내지 4의 지방족 탄화수소이다.The composition for removing a silicone-based resin according to claim 1, wherein the phosphate-based solvent comprises the following Chemical Formula 7.
[Formula 7]
The R 12 to R 14 are each the same or differently, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 3 to 8 carbon atoms, a phenyl group, a phenyl group or halogen substituted with an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms It is a substituted C2-4 aliphatic hydrocarbon.
[화학식 8]
상기 m은 0 내지 15의 정수이고,
상기 n은 2 내지 21의 정수이다.The composition for removing a silicone-based resin according to claim 1, wherein the alkyl ammonium fluoride comprises the following Chemical Formula 8.
[Formula 8]
M is an integer of 0 to 15,
N is an integer of 2 to 21.
[화학식 15]
상기 R15 내지 R18은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.The composition for removing a silicone-based resin according to claim 1, wherein the alkyl phosphonium fluoride comprises the following Chemical Formula 15.
[Formula 15]
Each of R 15 to R 18 is the same or different, and is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.
[화학식 16]
상기 R19 내지 R21는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.The composition for removing a silicone-based resin according to claim 1, wherein the alkylsulfonium fluoride comprises the following Chemical Formula 16.
[Formula 16]
Each of R 19 to R 21 is the same or different, and is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.
(2)상기 기판을 박형화하는 단계;
(3)상기 박형화된 기판에 보호 테이프를 부착하는 단계;
(4)상기 보호 테이프가 부착된 박형화된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 분리하는 단계; 및
(5)상기 분리된 기판 및 캐리어 웨이퍼를 청구항 1, 2, 5 내지 10, 12 내지 15 중 어느 한 항의 실리콘계 수지 제거용 조성물로 세정하는 단계를 포함하는 박막 기판 제조 방법.(1) bonding the substrate and the carrier wafer by applying a silicon release layer and a silicon adhesive between the substrate and the carrier wafer;
(2) thinning the substrate;
(3) attaching a protective tape to the thinned substrate;
(4) separating the thinned substrate and the carrier wafer to which the protective tape is attached; And
(5) A method of manufacturing a thin film substrate comprising the step of cleaning the separated substrate and the carrier wafer with the silicone resin removal composition of any one of claims 1, 2, 5 to 10, 12 to 15.
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