KR102265415B1 - Curable polymer stripping composition - Google Patents

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KR102265415B1
KR102265415B1 KR1020150024214A KR20150024214A KR102265415B1 KR 102265415 B1 KR102265415 B1 KR 102265415B1 KR 1020150024214 A KR1020150024214 A KR 1020150024214A KR 20150024214 A KR20150024214 A KR 20150024214A KR 102265415 B1 KR102265415 B1 KR 102265415B1
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권기진
김성민
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 양이온안정제 0.01 내지 10중량% 불소화합물 0.1 내지 30중량%; 및 극성 비양성자성 용매를 잔부로 포함하는 경화 고분자 박리액 조성물에 관한 것으로, 양이온 안정제를 첨가함으로써 세정속도를 향상시킬 수 있다.The present invention is a cation stabilizer 0.01 to 10% by weight of a fluorine compound 0.1 to 30% by weight; And it relates to a cured polymer stripper composition comprising a polar aprotic solvent as the balance, and the cleaning rate can be improved by adding a cationic stabilizer.

Description

경화 고분자 박리액 조성물 {Curable polymer stripping composition}Curable polymer stripping composition {Curable polymer stripping composition}

본 발명은 경화 고분자 박리액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a cured polymer stripper composition.

반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고도 함)의 표면에 전자 회로 등을 형성한 후, 웨이퍼의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭(소위, 백 그라인딩)을 행하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼 회로면의 보호, 웨이퍼의 고정 등을 위하여 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 실리콘계 수지를 개재하여 지지체를 부착한다. 지지체를 웨이퍼의 회로면에 부착하면, 웨이퍼의 이면 연삭 후 두께가 얇아진 웨이퍼를 보강할 수 있고, 웨이퍼의 연삭면에 이면 전극 등을 형성할 수도 있다. In the manufacturing process of a semiconductor device, after forming an electronic circuit on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer"), the back surface grinding (so-called back grinding) of the wafer is performed in order to reduce the thickness of the wafer. There are cases. In this case, in order to protect the wafer circuit surface, fix the wafer, and the like, a support is usually attached to the circuit surface of the wafer via a silicon-based resin. If the support is attached to the circuit surface of the wafer, the wafer, which has become thinner after grinding the back surface of the wafer, can be reinforced, and a back electrode or the like can be formed on the ground surface of the wafer.

상기 웨이퍼의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정이 완료되면, 웨이퍼의 회로면으로부터 지지체를 제거하고 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 박리하여 제거하고, 웨이퍼를 절단하여 칩을 제작한다.When the process of grinding the back surface of the wafer, forming the back electrode, etc. is completed, the support is removed from the circuit surface of the wafer, the silicon-based resin attached to the electronic component is peeled off and removed, and the wafer is cut to manufacture a chip.

한편, 최근에는 웨이퍼를 관통하여 설치하는 관통 전극(예를 들어, 실리콘 관통 전극)을 이용한 칩 적층 기술이 개발되어 있다. 이 칩 적층 기술에 따르면, 종래의 와이어 대신 관통 전극을 이용하여 복수의 칩의 전자 회로를 전기적으로 접속하므로, 칩의 고집적화, 동작의 고속화를 도모할 수 있다. 이 칩 적층 기술을 이용하는 경우, 복수의 칩이 적층된 집합체의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭을 행하는 경우가 많으며, 그로 인해, 지지체나 전자부품에 실리콘계 수지를 이용할 경우가 증가한다.Meanwhile, in recent years, a chip stacking technique using a through electrode (eg, a silicon through electrode) installed through a wafer has been developed. According to this chip stacking technique, since the electronic circuits of a plurality of chips are electrically connected using through-electrodes instead of conventional wires, high-integration of chips and high-speed operation can be achieved. When this chip stacking technique is used, the back surface of the wafer is often ground in order to reduce the thickness of the aggregate on which a plurality of chips are stacked, and therefore, the case of using a silicon-based resin for a support or an electronic component increases.

그런데, 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 개재하여 지지체를 부착한 후, 상기 웨이퍼와 지지체의 견고한 부착을 위하여 열경화를 실시한다. 그렇기 때문에 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 박리하는 경우, 경화된 전자부품에 부착된 실리콘계 수지가 지지체 및 웨이퍼의 회로면에 잔존하는 경우가 발생한다. 그러므로, 상기 지지체 및 웨이퍼 회로면에 잔존하는 경화된 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 효율적으로 제거하는 수단이 필요하다.However, in general, after attaching a support to the circuit surface of the wafer via a silicon-based resin attached to an electronic component, thermosetting is performed to firmly attach the wafer to the support. Therefore, when the silicone-based resin adhered to the electronic component is peeled off, the silicone-based resin adhered to the cured electronic component may remain on the circuit surface of the support and the wafer. Therefore, there is a need for a means for efficiently removing the silicone-based resin adhering to the cured electronic component remaining on the support and the wafer circuit surface.

한국공개특허 제10-2014-0060389호에는 불화알킬암모늄, 극성 비양자성 유기용매를 포함하는 접착 폴리머 제거용 조성물이 개시되어 있다. 상기 종래 특허는 접착 폴리머를 매우 효과적으로 제거하고, 웨이퍼 회로면에 회로를 부식시키지 않는 기술을 제시하고 있으나, 새로운 조성을 적용하여 세정속도를 향상시키는 특징은 만족하지 못하고 있다. Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2014-0060389 discloses a composition for removing an adhesive polymer including alkylammonium fluoride and a polar aprotic organic solvent. Although the prior patent presents a technology that removes the adhesive polymer very effectively and does not corrode the circuit on the wafer circuit surface, the feature of improving the cleaning speed by applying a new composition is not satisfied.

한국공개특허 제10-2014-0060389호Korean Patent Publication No. 10-2014-0060389

본 발명은 양이온 안정제를 첨가함으로써 세정속도를 향상시킬 수 있는 경화 고분자 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a cured polymer stripper composition capable of improving the cleaning rate by adding a cationic stabilizer.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 경화 고분자 박리액 조성물은 양이온안정제 0.01 내지 10중량%, 불소화합물 0.1 내지 30중량% 및 극성 비양성자성 용매를 잔부로 포함하는 것을 특징으로 한다.The cured polymer stripper composition of the present invention for achieving the above object is characterized in that it contains 0.01 to 10% by weight of a cation stabilizer, 0.1 to 30% by weight of a fluorine compound, and a polar aprotic solvent as the balance.

본 발명에 따른 경화 고분자 박리액 조성물은 상기와 같은 조합으로 인하여, 양이온을 안정화시킴으로써 세정속도를 향상시킬 수 있다.The cured polymer stripper composition according to the present invention can improve the cleaning rate by stabilizing the cations due to the above combination.

본 발명에 따른 경화 고분자 박리액 조성물은 양이온 안정제, 불소화합물 및 극성 비양자성 용매를 포함한다.The cured polymer stripper composition according to the present invention includes a cationic stabilizer, a fluorine compound, and a polar aprotic solvent.

이하 각 조성을 자세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, each composition will be described in detail.

본 발명의 경화 고분자 박리액 조성물에서 양이온 안정제는 양이온을 안정화 시켜 세정속도를 향상시키는 역할을 한다. 양이온 안정제는 크라운 구조를 형성하며, 고리의 안쪽은 전자가 풍부하여 강한 음전하를 띤다. 이러한 음전하 때문에 크라운 에테르(Crown Ether)는 쉽게 루이스 염기(전자를 주는 물질)로 작용하여, 전자가 부족한 금속 이온과 배위 결합을 할 수 있다. 보다 상세하게는, 큰 고리 모양의 중앙에 적당한 크기의 공간이 있어 알칼리 금속 이온과 아미노산, 아민 등의 유기 양이온을 도입하여 산소원자와의 사이에 포접 화합물을 형성함으로써 양이온을 안정화 시키게 된다.In the cured polymer stripper composition of the present invention, the cation stabilizer serves to stabilize the cation to improve the cleaning rate. The cation stabilizer forms a crown structure, and the inside of the ring is electron-rich and has a strong negative charge. Because of this negative charge, Crown Ether can easily act as a Lewis base (a substance that donates electrons), and can form a coordination bond with an electron-deficient metal ion. More specifically, since there is a space of a suitable size in the center of the large ring shape, alkali metal ions and organic cations such as amino acids and amines are introduced to form a clathrate compound between the oxygen atoms, thereby stabilizing the cations.

이러한 양이온 안정제는 크라운 에테르(Crown Ether)인 것이 바람직하며, 일예로, 상기 양이온 안정제는 12-Crown 4-Ether, 15-Crown 5-Ether, 18-Crown 6-Ether, 24-Crown 8-Ether, Benzo-12-crown 4-Ether, Benzo-15-crown 5-Ether, Dibenzo-15-crown 5-Ether 및 Dibenzo-18-crown 6-Ether 중 선택된 1종일 수 있다.The cation stabilizer is preferably a crown ether (Crown Ether), for example, the cation stabilizer is 12-Crown 4-Ether, 15-Crown 5-Ether, 18-Crown 6-Ether, 24-Crown 8-Ether, It may be one selected from Benzo-12-crown 4-Ether, Benzo-15-crown 5-Ether, Dibenzo-15-crown 5-Ether, and Dibenzo-18-crown 6-Ether.

본 발명에서 양이온 안정제는 전체 조성물 100중량% 내에서 0.01 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.1 내지 5중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 양이온 안정제가 상기 범위 미만으로 포함되는 경우에는 세정속도가 느려질 수 있으며, 반대로 상기 범위를 초과하여 포함되는 경우에는 전체 조성물의 물성이 저하될 수 있다.
In the present invention, the cation stabilizer is preferably included in an amount of 0.01 to 10% by weight within 100% by weight of the total composition, more preferably 0.1 to 5% by weight. When the cation stabilizer is included in less than the above range, the cleaning rate may be slow, and on the contrary, when included in excess of the above range, the physical properties of the entire composition may be reduced.

본 발명의 경화 고분자 박리액 조성물에서 극성 비양자성 용매는 불소 화합물을 용해시키는 역할을 한다. 특히, 극성 용매가 사용되는데 이는 SN2 반응에서 중간체를 안정화시키기 때문이다.In the cured polymer stripper composition of the present invention, the polar aprotic solvent serves to dissolve the fluorine compound. In particular, polar solvents are used because they stabilize the intermediate in the SN2 reaction.

본 발명에서 상기 극성 비양성자성 용매는 케톤계, 아세테이트계, 아마이드계, 피리딘계, 몰폴린계, 피페라진계, 피롤리돈계, 우레아계, 옥사졸리디논계, 포스페이트계, 설폭사이드계, 나이트릴계 및 카보네이트계 용매로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용한다.In the present invention, the polar aprotic solvent is a ketone-based, acetate-based, amide-based, pyridine-based, morpholine-based, piperazine-based, pyrrolidone-based, urea-based, oxazolidinone-based, phosphate-based, sulfoxide-based, nitrate-based solvent. At least one selected from the group consisting of reel-based and carbonate-based solvents is used.

상기 케톤계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 하기 화학식 1을 포함하는 것이 바람직하다.The type of the ketone-based solvent is not particularly limited, but preferably includes the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112015016865590-pat00001
Figure 112015016865590-pat00001

(상기 화학식 1에서, (In Formula 1,

R1 및 R2는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 18의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소이며, 상기 R1 및 R2의 탄소수의 합은 2 이상 30 미만이다.)R 1 and R 2 are each the same or different, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 18 carbon atoms, and the sum of carbon atoms of R 1 and R 2 is 2 or more and less than 30.)

상기 아세테이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 프로필아세테이트, 이소프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, sec-부틸아세테이트, 아밀아세테이트, 펜틸아세테이트, 이소펜틸아세테이트, 옥틸아세테이트, 벤질아세테이트, 페닐아세테이트, 에톡시에틸아세테이트, 메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 비닐아세테이트 및 에틸에톡시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.The type of the acetate-based solvent is not particularly limited, but methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, sec-butyl acetate, amyl acetate, pentyl acetate, isopentyl acetate, octyl acetate, It is preferable to use at least one selected from the group consisting of benzyl acetate, phenyl acetate, ethoxyethyl acetate, methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, vinyl acetate and ethyl ethoxy propionate.

상기 아마이드계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 디메틸포름아마이드, 디메틸프로판아마이드 및 디메틸부탄아마이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.The type of the amide-based solvent is not particularly limited, but at least one selected from the group consisting of dimethylformamide, dimethylpropanamide and dimethylbutanamide is preferably used.

상기 피리딘계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 하기 화학식 2를 포함하는 것이 바람직하다.The type of the pyridine-based solvent is not particularly limited, but preferably includes the following formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112015016865590-pat00002
Figure 112015016865590-pat00002

(상기 화학식 2에서, (In Formula 2,

R3 내지 R5는 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 알데히드기, 아세트알데히드기, 시아나이드기 또는 메틸설파이드기이다.)R 3 to R 5 are each the same or different, hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, halogen, an aldehyde group, an acetaldehyde group, a cyanide group or a methylsulfide group .)

따라서, 상기 피리딘계 용매는 피리딘, 2-메틸피리딘, 3-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 4-에틸피리딘, 4-프로필피리딘, 4-이소프로필피리딘, 4-아밀피리딘, 2,3-루티딘, 2,4-루티딘, 2,5-루티딘, 3,4-루티딘, 3,5-루티딘 및 2,4,6-트리메틸피리딘으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.Accordingly, the pyridine-based solvent is pyridine, 2-methylpyridine, 3-methylpyridine, 4-methylpyridine, 4-ethylpyridine, 4-propylpyridine, 4-isopropylpyridine, 4-amylpyridine, 2,3-ruti. It may be at least one selected from the group consisting of din, 2,4-lutidine, 2,5-lutidine, 3,4-lutidine, 3,5-lutidine and 2,4,6-trimethylpyridine.

상기 몰폴린계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 3을 포함하는 것이 바람직하다.The type of the morpholine-based solvent is not particularly limited, but preferably includes the following formula (3).

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112015016865590-pat00003
Figure 112015016865590-pat00003

(상기 화학식 3에서, (In Formula 3,

R6은 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.)R 6 is hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, a tertiary amine including an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group, or phenyl substituted with an aldehyde group, or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, halogen, pyridine substituted with a cyanide group or an aldehyde group.)

상기 피페라진계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 4를 포함하는 것이 바람직하다.The type of the piperazine-based solvent is not particularly limited, but preferably includes the following formula (4).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112015016865590-pat00004
Figure 112015016865590-pat00004

(상기 화학식 4에서, (In Formula 4,

R7 및 R8은 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.)R 7 and R 8 are each the same or different, hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, a tertiary amine including an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, and 1 to 4 carbon atoms aliphatic hydrocarbon, halogen, phenyl substituted with a cyanide group or an aldehyde group, or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, halogen, pyridine substituted with a cyanide group or an aldehyde group.)

상기 피롤리돈계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 메틸피롤리돈,에틸피롤리돈 및 비닐피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.The type of the pyrrolidone-based solvent is not particularly limited, but at least one selected from the group consisting of methylpyrrolidone, ethylpyrrolidone and vinylpyrrolidone is preferably used.

상기 우레아계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 5를 포함하는 것이 바람직하다.The type of the urea-based solvent is not particularly limited, but preferably includes the following formula (5).

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112015016865590-pat00005
Figure 112015016865590-pat00005

(상기 화학식 5에서,(In Formula 5,

R9 및 R10은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는 메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)R 9 and R 10 are the same or different, respectively, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms substituted with a methoxy group or a dimethylamino group.)

상기 옥사졸리디논계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 6을 포함하는 것이 바람직하다.The type of the oxazolidinone-based solvent is not particularly limited, but preferably includes the following formula (6).

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112015016865590-pat00006
Figure 112015016865590-pat00006

(상기 화학식 6에서,(In Formula 6,

R11은 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는 메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)R 11 is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms substituted with a methoxy group or dimethylamino group.)

상기 포스페이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 7을 포함하는 것이 바람직하다.The type of the phosphate-based solvent is not particularly limited, but preferably includes the following formula (7).

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112015016865590-pat00007
Figure 112015016865590-pat00007

(상기 화학식 7에서,(In Formula 7,

R12 내지 R14는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 8의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 3 내지 8의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소로 치환된 페닐기 또는 할로겐으로 치환된 탄소수 2 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)R 12 to R 14 are the same or different, each of which is a phenyl group substituted with a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 3 to 8 carbon atoms, a phenyl group, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, or halogen It is an aliphatic hydrocarbon having 2 to 4 carbon atoms.)

상기 설폭사이드계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 디메틸설폭사이드, 디부틸설폭사이드, 디페닐설폭사이드, 디벤질설폭사이드 및 메틸페닐설폭사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.Although the type of the sulfoxide-based solvent is not particularly limited, it is preferable to use at least one selected from the group consisting of dimethyl sulfoxide, dibutyl sulfoxide, diphenyl sulfoxide, dibenzyl sulfoxide and methylphenyl sulfoxide. .

상기 나이트릴계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 프로피오나이트릴, 부티로나이트릴, 이소부티로나이트릴, 아세토나이트릴, 트리메틸아세토나이트릴 및 페닐아세토나이트릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.Although the type of the nitrile-based solvent is not particularly limited, at least one selected from the group consisting of propionitrile, butyronitrile, isobutyronitrile, acetonitrile, trimethylacetonitrile and phenylacetonitrile is used. It is preferable to do

또한, 상기 카보네이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디페닐카보네이트, 디벤질카보네이트, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 및 비닐렌카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the carbonate-based solvent is not particularly limited in kind, but at least one selected from the group consisting of dimethyl carbonate, diethyl carbonate, diphenyl carbonate, dibenzyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate and vinylene carbonate is used. it is preferable

상기 극성 비양성자성 용매는 상기 고분자 박리액 조성물 100중량%에 대하여 잔부로 포함되며, 70 내지 99.9 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 극성 비양성자성 용매가 상기 함량범위 미만으로 포함되면 기판 회로면의 금속 부위가 부식되는 문제가 발생될 수 있으며, 상기 함량범위를 초과하는 경우는 전체 조성물의 물성이 저하될 수 있다.
The polar aprotic solvent is included in the balance based on 100% by weight of the polymer stripper composition, and is preferably included in an amount of 70 to 99.9% by weight. If the polar aprotic solvent is included below the content range, there may be a problem in that the metal portion of the circuit surface of the substrate is corroded, and if it exceeds the content range, the physical properties of the entire composition may be reduced.

본 발명의 경화 고분자 박리액 조성물에서 불소화합물은 실리콘 고분자의 고리를 끊어, 분자량을 감소시키는 역할을 한다.In the cured polymer stripper composition of the present invention, the fluorine compound breaks the ring of the silicone polymer, thereby reducing the molecular weight.

자세히 설명하면, Si-F의 결합력이 Si-O의 결합력보다 강해, 실리콘 수지의 Si-O 결합을 절단하기 위해 불화암모늄 화합물이 사용된다. 이 화합물에서 불소 음이온은 Si를 공격하는 SN2 반응을 수행하고 암모늄 양이온은 불소 음이온을 안정화시키는 양이온으로서 작용한다. 그러나 불화암모늄 화합물은 수화물(nH2O) 형태로 존재하고, 암모늄 양이온의 질소 원자가 갖는 높은 친수성으로 인해 시간이 지남에 따라 상기 수화물의 수가 증가하게 되며, 포함된 수분은 불소 음이온과 강한 수소결합을 형성하여, 불소 음이온의 친핵성을 저하시키는 부작용을 보이게 된다. 따라서 암모늄염 대신 보다 강한 소수성을 띄는 설포늄염 또는 포스포늄염을 포함하는 불소화합물을 사용하여 실리콘계 수지 세정용 조성물 내 수분 함량을 줄일수 있다. 그 결과 수소결합에 의한 HO-H-F 결합이 적게 형성되어, 불소 음이온의 친핵성 감소가 억제되어, 불소 음이온에 의한 Si-O의 결합의 절단 반응을 보다 효과적으로 진행할 수 있다.More specifically, since the bonding strength of Si-F is stronger than that of Si-O, an ammonium fluoride compound is used to break the Si-O bond of the silicone resin. In this compound, the fluorine anion performs a S N 2 reaction attacking Si and the ammonium cation acts as a cation stabilizing the fluorine anion. However, the ammonium fluoride compound exists in the form of a hydrate (nH 2 O), and the number of the hydrates increases over time due to the high hydrophilicity of the nitrogen atom of the ammonium cation, and the moisture contained therein forms a strong hydrogen bond with the fluorine anion. By forming, the side effect of reducing the nucleophilicity of the fluorine anion is shown. Therefore, it is possible to reduce the moisture content in the silicone-based resin cleaning composition by using a fluorine compound including a sulfonium salt or a phosphonium salt having a stronger hydrophobicity instead of an ammonium salt. As a result, fewer HO-HF bonds are formed due to hydrogen bonding, and reduction in the nucleophilicity of the fluorine anion is suppressed, so that the cleavage reaction of the Si-O bond by the fluorine anion can proceed more effectively.

전술한 특성을 만족시키기 위해 본 발명의 불소 화합물은 불화알킬암모늄, 불화알킬포스포늄 및 불화알킬설포늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.In order to satisfy the above-described characteristics, the fluorine compound of the present invention is preferably at least one selected from the group consisting of alkylammonium fluoride, alkylphosphonium fluoride and alkylsulfonium fluoride.

상기 불화알킬암모늄은 하기 화학식 8을 포함하는 것이 바람직하다.The alkylammonium fluoride preferably includes the following formula (8).

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112015016865590-pat00008
Figure 112015016865590-pat00008

(상기 화학식 8에서, (In Formula 8,

상기 m은 0 내지 15의 정수이고, 상기 n은 2 내지 21의 정수이다.)Wherein m is an integer from 0 to 15, and n is an integer from 2 to 21.)

또한, 상기 화학식 8은 바람직하게는 하기 화학식 9 내지 14로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이다.In addition, Chemical Formula 8 is preferably at least one selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 9 to 14.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112015016865590-pat00009
Figure 112015016865590-pat00009

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112015016865590-pat00010
Figure 112015016865590-pat00010

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112015016865590-pat00011
Figure 112015016865590-pat00011

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112015016865590-pat00012
Figure 112015016865590-pat00012

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112015016865590-pat00013
Figure 112015016865590-pat00013

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112015016865590-pat00014
Figure 112015016865590-pat00014

상기 화학식 9 내지 14에서 상기 p 및 q는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있다.In Formulas 9 to 14, p and q may each be an integer of 0 to 4.

상기 불화알킬암모늄은 구체적으로 예를 들어, 테트라부틸암모늄플루오라이드, 테트라부틸암모늄바이플루오라이드, 테트라메틸암모늄플루오라이드, 테트라에틸암모늄플루오라이드, 벤질트리메틸암모늄플루오라이드 및 테트라옥틸암모늄플루오라이드일 수 있다.The alkylammonium fluoride may be specifically, for example, tetrabutylammonium fluoride, tetrabutylammonium bifluoride, tetramethylammonium fluoride, tetraethylammonium fluoride, benzyltrimethylammonium fluoride, and tetraoctylammonium fluoride. .

상기 불화알킬포스포늄은 하기 화학식 15를 포함하는 것이 바람직하다.The alkyl phosphonium fluoride preferably includes the following formula (15).

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112015016865590-pat00015
Figure 112015016865590-pat00015

(상기 화학식 15에서,(In Formula 15,

R15 내지 R18은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.)R 15 to R 18 are the same or different, respectively, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.)

또한, 상기 불화알킬설포늄은 하기 화학식 16을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the alkylsulfonium fluoride preferably includes the following formula (16).

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112015016865590-pat00016
Figure 112015016865590-pat00016

(상기 화학식 16에서,(In Formula 16,

R19 내지 R21은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.)R 19 to R 21 are the same or different, respectively, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.)

상기 불소 화합물은 상기 경화 고분자 박리액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 30 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 1 내지 20 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 불소 화합물이 상기 함량범위 미만으로 포함되는 경우, 경화 고분자의 세정이 불가능한 문제가 발생될 수 있으며, 상기 함량범위를 초과하는 경우는, 기판 회로면의 금속 부위가 부식되는 문제가 발생될 수 있다.
The fluorine compound is preferably included in an amount of 0.1 to 30 wt%, more preferably 1 to 20 wt%, based on the total weight of the cured polymer stripper composition. When the fluorine compound is included below the content range, a problem may occur that the cured polymer cannot be cleaned, and if the content exceeds the content range, a problem of corrosion of the metal part of the circuit surface of the substrate may occur. .

본 발명의 경화 고분자 박리액 조성물은 상기 성분 이외에 이 분야에서 통상적으로 사용되는 부식방지제, 계면활성제 등의 성분들을 더 포함할 수 있다.The cured polymer stripper composition of the present invention may further include components such as corrosion inhibitors and surfactants commonly used in this field in addition to the above components.

상기 부식방지제는 수지 제거시 금속 함유 하부막의 부식을 효과적으로 억제하기 위해 사용되며 예를 들면, 카테콜; (C1-6)알킬카테콜, 이를테면 메틸카테콜, 에틸카테콜 및 tert-부틸카테콜; 벤조트리아졸; 히드록시아니솔; (C1-10)알킬벤조트리아졸; 히드록시(C1-10)알킬벤조트리아졸; 2-머캅토벤조이미다졸; 갈산; 갈산 에스테르, 이를테면 메틸 갈레이트 및 프로필 갈레이트; 및 테트라(C1-4)알킬암모늄 실리케이트, 이를테면 테트라메틸암모늄 실리케이트 등을 사용할 수 있다. 이러한 부식 억제제는 일반적으로 각종 공급원, 예를 들어 Aldrich Chemical Company(Milwaukee, Wisconsin)으로부터 상업적으로 입수가능하며 추가 정제없이 사용될 수 있다.The corrosion inhibitor is used to effectively inhibit corrosion of the metal-containing lower layer when the resin is removed, and for example, catechol; (C 1-6 )alkylcatechol, such as methylcatechol, ethylcatechol and tert-butylcatechol; benzotriazole; hydroxyanisole; (C 1-10 )alkylbenzotriazole; hydroxy(C 1-10 )alkylbenzotriazole; 2-mercaptobenzoimidazole; gallic acid; gallic acid esters such as methyl gallate and propyl gallate; and tetra(C 1-4 )alkylammonium silicate, such as tetramethylammonium silicate, and the like. Such corrosion inhibitors are generally commercially available from a variety of sources, for example, Aldrich Chemical Company (Milwaukee, Wisconsin) and can be used without further purification.

상기 계면활성제는 세정 특성 강화를 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 음이온 계면활성제, 양이온계면활성제, 비이온계면활성제를 이용할 수 있지만, 그 중에서도 특히, 습윤성이 우수하고 기포 발생이 보다 적은 비이온성 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다.The surfactant may be used to enhance cleaning properties. For example, anionic surfactants, cationic surfactants, and nonionic surfactants can be used. Among them, it is particularly preferable to use a nonionic surfactant having excellent wettability and less foaming.

상기 비이온성 계면활성제는 구체적으로, 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬페닐 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시부틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미노 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미도 에테르형, 폴리에틸렌 글리콜 지방산 에스테르형, 솔비탄 지방산 에스테르형, 글리세린 지방산 에스테르형, 알킬올아미드형 및 글리세린에스테르형 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
The nonionic surfactant is specifically, polyoxyethylene alkyl ether type, polyoxyethylene alkylphenyl ether type, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether type, polyoxyethylene polyoxybutylene alkyl ether type, polyoxyethylene alkylamino ether type, polyoxyethylene alkylamido ether type, polyethylene glycol fatty acid ester type, sorbitan fatty acid ester type, glycerin fatty acid ester type, alkylolamide type and glycerin ester type, etc., and these are one type or two or more types. can be mixed and used.

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. However, the following examples are provided to explain the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.

실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 4Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4

하기 표 1의 성분 및 조성(중량%)를 첨가하여, 경화 고분자 박리액 조성물을 제조하였다.A cured polymer stripper composition was prepared by adding the components and compositions (wt%) of Table 1 below.

조성
(중량%)
Furtherance
(weight%)
15-Crown 5-Ether15-Crown 5-Ether 18-Crown 6-Ether18-Crown 6-Ether DMFDMF PyridinePyridine NMMNMM n-BAn-BA MEKMEK DMAcDMAc DBUDBU TBAFTBAF
실시예1Example 1 1One 9696 33 실시예2Example 2 1One 9696 33 실시예3Example 3 1One 9696 33 실시예4Example 4 1One 9696 33 실시예5Example 5 1One 9292 44 33 비교예1Comparative Example 1 9393 44 33 비교예2Comparative Example 2 9393 44 33 비교예3Comparative Example 3 9797 33 비교예4Comparative Example 4 9797 33 - DMF: Dimethylformamide
- NMM: N-methylmorpholine
- n-BA: n-Butylacetate
- MEK: Methylethyl Ketone
- DMAc: N,N-Dimethylacetamide
- DBU: 1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene
- TBAF: Tetrabutylammonium Fluoride
- DMF: Dimethylformamide
-NMM: N-methylmorpholine
- n-BA: n-Butylacetate
- MEK: Methylethyl Ketone
- DMAc: N,N-Dimethylacetamide
- DBU: 1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene
- TBAF: Tetrabutylammonium Fluoride

(1) 경화실리콘 세정속도 평가(1) Cured silicone cleaning speed evaluation

경화된 실리콘 고분자가 80㎛의 두께로 코팅된 웨이퍼를 2X2㎠의 크기로 잘라서 사용하였으며, 25℃의 조성액을 350rpm으로 회전시키면서 준비된 샘플을 1분간 침지하고, IPA 세정 후 건조하였다. 그리고, 평가 후 SEM으로 경화된 실리콘 고분자의 막두께 측정하였다.
A wafer coated with a cured silicone polymer having a thickness of 80 μm was cut into a size of 2X2 cm 2 , and the prepared sample was immersed for 1 minute while rotating the composition solution at 25° C. at 350 rpm, followed by IPA cleaning and drying. Then, after evaluation, the film thickness of the cured silicone polymer was measured by SEM.

상기와 같은 조건으로 실험한 경화 경화 실리콘 용해속도 평가 결과를 하기 표 2에 기재하였다.Table 2 below shows the evaluation results of the dissolution rate of the cured cured silicone tested under the same conditions as described above.

경화실리콘 용해속도 (㎛/min)Cured silicone dissolution rate (㎛/min) 실시예 1Example 1 19.019.0 실시예 2Example 2 18.718.7 실시예 3Example 3 21.221.2 실시예 4Example 4 21.021.0 실시예 5Example 5 21.521.5 비교예 1Comparative Example 1 17.317.3 비교예 2Comparative Example 2 16.816.8 비교예 3Comparative Example 3 16.016.0 비교예 4Comparative Example 4 15.215.2

표 2를 참조하면, 본 발명에서 제시하는 Crown Ether를 첨가제로 사용한 실시예 1 내지 5는 경화실리콘의 용해속도가 평균 20.28㎛/min로 경화 실리콘의 용해 속도가 증가한 것을 볼 수 있다.Referring to Table 2, it can be seen that in Examples 1 to 5 using Crown Ether as an additive, the dissolution rate of cured silicone increased to an average of 20.28 μm/min.

그러나, 아민계 첨가제를 사용한 비교예 1 내지 2와, Crown Ether를 사용하지 않은 비교예 3 내지 4의 경우에는 용해속도가 매우 느린 것을 볼 수 있다.However, it can be seen that the dissolution rate is very slow in Comparative Examples 1 to 2 using the amine-based additive and Comparative Examples 3 to 4 in which the Crown Ether is not used.

Claims (14)

양이온안정제 0.01 내지 10중량%
불소화합물 0.1 내지 30중량%; 및
극성 비양성자성 용매를 잔부로 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물.
Cationic stabilizer 0.01 to 10% by weight
0.1 to 30% by weight of a fluorine compound; and
A cured polymer stripper composition comprising the balance of a polar aprotic solvent.
제1항에 있어서,
상기 극성 비양성자성 용매는
케톤계, 아세테이트계, 아마이드계, 피리딘계, 몰폴린계, 피롤리돈계, 우레아계, 포스페이트계, 설폭사이드계, 나이트릴계, 피페라진계, 옥사졸리디논계 및 카보네이트계 중 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물.
According to claim 1,
The polar aprotic solvent is
Characterized in that it is one selected from ketone-based, acetate-based, amide-based, pyridine-based, morpholine-based, pyrrolidone-based, urea-based, phosphate-based, sulfoxide-based, nitrile-based, piperazine-based, oxazolidinone-based and carbonate-based types A cured polymer stripper composition comprising
제2항에 있어서,
상기 케톤계 용매는 하기 화학식 1을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 1]
Figure 112015016865590-pat00017

(상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 18의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소이며, 상기 R1 및 R2의 탄소수의 합은 2 이상 30 미만이다.)
3. The method of claim 2,
The ketone-based solvent is a cured polymer stripper composition comprising the following formula (1):
[Formula 1]
Figure 112015016865590-pat00017

(In Formula 1,
R 1 and R 2 are each the same or different, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 18 carbon atoms, and the sum of carbon atoms of R 1 and R 2 is 2 or more and less than 30.)
제2항에 있어서,
상기 피리딘계 용매는 하기 화학식 2를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 2]
Figure 112015016865590-pat00018

(상기 화학식 2에서,
R3 내지 R5는 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 알데히드기, 아세트알데히드기, 시아나이드기 또는 메틸설파이드기이다.)
3. The method of claim 2,
The pyridine-based solvent is a cured polymer stripper composition, characterized in that it comprises the following formula 2:
[Formula 2]
Figure 112015016865590-pat00018

(In Formula 2,
R 3 to R 5 are each the same or different, hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, halogen, an aldehyde group, an acetaldehyde group, a cyanide group or a methylsulfide group .)
청구항 2에 있어서,
상기 몰폴린계 용매는 하기 화학식 3을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 3]
Figure 112015016865590-pat00019

(상기 화학식 3에서,
R6은 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.)
3. The method according to claim 2,
The morpholine-based solvent is a cured polymer stripper composition comprising the following formula (3):
[Formula 3]
Figure 112015016865590-pat00019

(In Formula 3,
R 6 is hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, a tertiary amine including an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, a halogen, a cyanide group, or phenyl substituted with an aldehyde group, or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, halogen, pyridine substituted with a cyanide group or an aldehyde group.)
청구항 2에 있어서,
상기 피페라진계 용매는 하기 화학식 4를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 4]
Figure 112015016865590-pat00020

(상기 화학식 4에서,
R7 및 R8은 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.)
3. The method according to claim 2,
The piperazine-based solvent is a cured polymer stripper composition, characterized in that it comprises the following formula (4):
[Formula 4]
Figure 112015016865590-pat00020

(In Formula 4,
R 7 and R 8 are each the same or different, hydrogen, a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a cyanide group, a tertiary amine including an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, and 1 to 4 carbon atoms aliphatic hydrocarbon, halogen, phenyl substituted with a cyanide group or an aldehyde group, or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, halogen, pyridine substituted with a cyanide group or an aldehyde group.)
청구항 2에 있어서,
상기 우레아계 용매는 하기 화학식 5를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 5]
Figure 112015016865590-pat00021

(상기 화학식 5에서,
R9 및 R10은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는 메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)
3. The method according to claim 2,
The urea-based solvent is a cured polymer stripper composition comprising the following formula (5):
[Formula 5]
Figure 112015016865590-pat00021

(In Formula 5,
R 9 and R 10 are the same or different, respectively, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms substituted with a methoxy group or a dimethylamino group.)
청구항 2에 있어서,
상기 옥사졸리디논계 용매는 하기 화학식 6을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 6]
Figure 112015016865590-pat00022

(상기 화학식 6에서,
R11은 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는 메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)
3. The method according to claim 2,
The cured polymer stripper composition, characterized in that the oxazolidinone-based solvent comprises the following formula (6):
[Formula 6]
Figure 112015016865590-pat00022

(In Formula 6,
R 11 is an aliphatic hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms substituted with a methoxy group or dimethylamino group.)
청구항 2에 있어서,
상기 포스페이트계 용매는 하기 화학식 7을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 7]
Figure 112015016865590-pat00023

(상기 화학식 7에서,
R12 내지 R14는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 8의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 3 내지 8의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소로 치환된 페닐기 또는 할로겐으로 치환된 탄소수 2 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)
3. The method according to claim 2,
The phosphate-based solvent is a cured polymer stripper composition comprising the following Chemical Formula 7:
[Formula 7]
Figure 112015016865590-pat00023

(In Formula 7,
R 12 to R 14 are the same or different, each of which is a phenyl group substituted with a linear or branched aliphatic hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 3 to 8 carbon atoms, a phenyl group, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 4 carbon atoms, or halogen It is an aliphatic hydrocarbon having 2 to 4 carbon atoms.)
제1항에 있어서,
상기 불소화합물은
불화알킬암모늄, 불화알킬포스포늄 및 불화알킬설포늄 중 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물.
According to claim 1,
The fluorine compound is
A cured polymer stripper composition comprising one selected from alkylammonium fluoride, alkylphosphonium fluoride, and alkylsulfonium fluoride.
제10항에 있어서,
상기 불화알킬암모늄은 하기 화학식 8을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 8]
Figure 112015016865590-pat00024

(상기 화학식 8에서,
m은 0 내지 15의 정수이고,
n은 2 내지 21의 정수이다.)
11. The method of claim 10,
The alkylammonium fluoride is a cured polymer stripper composition comprising the following formula (8):
[Formula 8]
Figure 112015016865590-pat00024

(In Formula 8,
m is an integer from 0 to 15,
n is an integer from 2 to 21.)
청구항 10에 있어서,
상기 불화알킬포스포늄은 하기 화학식 15를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 15]
Figure 112015016865590-pat00025

(상기 화학식 15에서,
R15 내지 R18은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.)
11. The method of claim 10,
The alkylphosphonium fluoride is a cured polymer stripper composition comprising the following formula (15):
[Formula 15]
Figure 112015016865590-pat00025

(In Formula 15,
R 15 to R 18 are the same or different, respectively, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.)
청구항 10에 있어서,
상기 불화알킬설포늄은 하기 화학식 16을 포함하는 것을 특징으로 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 16]
Figure 112015016865590-pat00026

(상기 화학식 16에서,
R19 내지 R21는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.)
11. The method of claim 10,
The cured polymer stripper composition, characterized in that the alkylsulfonium fluoride comprises the following formula (16):
[Formula 16]
Figure 112015016865590-pat00026

(In Formula 16,
R 19 to R 21 are the same or different, respectively, an aliphatic hydrocarbon having 1 to 22 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms.)
제1항에 있어서,
상기 양이온 안정제는
12-Crown 4-Ether, 15-Crown 5-Ether, 18-Crown 6-Ether, 24-Crown 8-Ether, Benzo-12-crown 4-Ether, Benzo-15-crown 5-Ether, Dibenzo-15-crown 5-Ether 및 Dibenzo-18-crown 6-Ether 중 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물.
According to claim 1,
The cation stabilizer is
12-Crown 4-Ether, 15-Crown 5-Ether, 18-Crown 6-Ether, 24-Crown 8-Ether, Benzo-12-crown 4-Ether, Benzo-15-crown 5-Ether, Dibenzo-15- A cured polymer stripper composition comprising one selected from crown 5-Ether and Dibenzo-18-crown 6-Ether.
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