KR102176581B1 - 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자 - Google Patents
나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102176581B1 KR102176581B1 KR1020130134987A KR20130134987A KR102176581B1 KR 102176581 B1 KR102176581 B1 KR 102176581B1 KR 1020130134987 A KR1020130134987 A KR 1020130134987A KR 20130134987 A KR20130134987 A KR 20130134987A KR 102176581 B1 KR102176581 B1 KR 102176581B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal
- layer
- nanostructure
- nano
- carbon nanomaterial
- Prior art date
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 94
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 94
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- -1 poly(4-vinylpyridine) Polymers 0.000 description 46
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 25
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 24
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 23
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910020486 P2VP Inorganic materials 0.000 description 9
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920003228 poly(4-vinyl pyridine) Polymers 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 5
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000885 poly(2-vinylpyridine) Polymers 0.000 description 3
- 229920000075 poly(4-vinylpyridine) Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000004476 mid-IR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000420 Poly(styrene)-block-poly(acrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000361 Poly(styrene)-block-poly(ethylene glycol) Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
- Y10T428/218—Aperture containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Abstract
나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자가 개시된다. 개시된 나노 구조체는 그래핀과 같은 탄소나노물질층 상에 금속으로 형성된 나노 패턴을 포함할 수 있으며, 상기 나노 패턴 표면에 형성된 금속층을 포함할 수 있다. 나노 구조체는 링형상으로 형성될 수 있으며, 상기 금속층은 서로 다른 금속들로 형성된 다수의 금속층들로 형성된 것일 수 있다.
Description
본 개시는 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 탄소 나노물질층 상에 형성되며 플라즈모닉 구조를 지닌 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자에 관한 것이다.
그래핀(graphene)의 합성 방법이 발표된 이래로 그래핀을 전자 소자 및 광학 소자에 적용하기 위한 다양한 연구가 진행되었다. 그래핀은 전기적/기계적/화학적인 특성이 매우 안정적이고 뛰어날 뿐만 아니라 우수한 전도성을 가져 그래핀을 이용한 나노 소자에 많은 연구가 진행되고 있다.
그래핀은 탄소 원자가 평면에 6각형으로 연결되어 있는 단원자층 구조의 탄소 나노물질층이다. 그래핀은 반도체 소자에 주로 사용되는 단결정 실리콘보다 100배 이상 빠르게 전기를 통하며 이론적으로 이동도가 200,000 cm2/Vs 이다. 구리보다 100배 많은 전기를 흘려도 문제가 없는 것으로 알려져 있어 전자 회로의 기초 소재로 관심을 받고 있다.
이러한 그래핀의 다양한 장점 때문에, 그래핀을 다양한 전자소자(electronic device) 및 광전소자(optoelectronic device)에 적용하려는 연구가 진행되고 있다. 이와 관련해서, 그래핀에서 발생하는 광전류(photocurrent)를 이용한 광학소자에 대한 연구도 진행되고 있다. 그러나 그래핀 상에 다양한 나노구조 패턴을 형성하는 것이 용이하지 않기 때문에, 이을 적용한 다양한 소자의 제조가 어려운 문제가 있다.
본 발명의 일 측면에서는 탄소 나노물질층 상에 형성된 나노 구조체 및 나노 구조체를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 측면에서는 탄소 나노물질층 상에 형성된 나노 구조체를 포함하는 광학 소자를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면,
탄소나노물질층;
상기 탄소나노물질층 상에 형성된 나노 패턴; 및
상기 나노 패턴 표면에 코팅된 금속층;을 포함하는 나노 구조체를 제공할 수 있다.
상기 나노 구조체는 링형상으로 형성된 것일 수 있다.
상기 나노 패턴은 도트 형상의 금속 입자들이 링 형상으로 불연속적으로 배열되어 형성된 것일 수 있다.
상기 금속층은 상기 금속 입자들을 연결하여 상기 나노 구조체를 연속적인 구조로 형성한 것일 수 있다.
상기 나노 패턴은 제 1금속으로 형성되며, 상기 제 1금속은 Au, Ag, Cu, Cr, Pt, Pd 또는 이들의 합금(alloy)일 수 있다.
상기 금속층은 제 2금속으로 형성되며, 상기 제 1금속은 Au, Ag, Cu, Cr, Pt, Pd 또는 이들의 합금(alloy)일 수 있다.
상기 금속층은 복수개의 금속으로 형성된 것일 수 있다.
상기 금속층은 상기 나노 패턴 표면에 서로 다른 금속들로 형성된 다수의 금속층들을 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에서는,
탄소나노물질층;
상기 탄소나노물질층 상에 형성된 다수의 나노 구조체;
상기 나노 구조체가 형성된 상기 탄소나노물질층과 접촉하며 형성된 제 1전극 및 제 2전극;들을 포함하는 광학 소자를 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면 그래핀과 같은 탄소 나노물질층 상에 다양한 구조, 예를 들어 플라즈모닉 형태의 나노 구조체를 형성할 수 있다. 그리고, 그래핀 상에 다양한 구조의 나노 구조체를 형성하는 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 탄소 나노물질층 상에 형성된 나노 구조체를 포함하는 광학 소자, 예를 들어 초광대역 광 검출기를 제공할 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조체 및 그 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 2a는 나노 구조체로 Au층을 형성한 나노 구조체의 AFM(atomic force microscope) 이미지이다.
도 2b는 도 2a의 L 방향으로의 나노 구조체의 깊이 프로파일(depth profile)을 나타낸 그래프이다.
도 3은 나노 구조체로 Au층을 형성하는 과정에서의 표면 플라즈몬 밴드(surface plasmon band)를 나타내는 그래프이다.
도 4는 나노 구조체로 Ag층을 형성하는 과정에서의 표면 플라즈몬 밴드를 나타내는 그래프이다.
도 5는 나노 구조체로 Au 및 Ag층을 형성하는 과정에서의 나노 구조체의 표면 플라즈몬 밴드를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 소자의 흡수 스펙트럼(absorbance spectrum) 및 광전류 특성을 나타낸 그래프이다.
도 2a는 나노 구조체로 Au층을 형성한 나노 구조체의 AFM(atomic force microscope) 이미지이다.
도 2b는 도 2a의 L 방향으로의 나노 구조체의 깊이 프로파일(depth profile)을 나타낸 그래프이다.
도 3은 나노 구조체로 Au층을 형성하는 과정에서의 표면 플라즈몬 밴드(surface plasmon band)를 나타내는 그래프이다.
도 4는 나노 구조체로 Ag층을 형성하는 과정에서의 표면 플라즈몬 밴드를 나타내는 그래프이다.
도 5는 나노 구조체로 Au 및 Ag층을 형성하는 과정에서의 나노 구조체의 표면 플라즈몬 밴드를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 소자의 흡수 스펙트럼(absorbance spectrum) 및 광전류 특성을 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 참고로 첨부된 도면에 도시된 층이나 영역들의 폭 및 두께는 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시된 것이다. 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
본 발명의 실시예에 따른 나노 구조체는 탄소 나노물질층 상에 형성된 것으로 링 형상을 지닐 수 있다. 탄소 나노물질층은 그래핀층을 포함할 수 있으며, 그래핀층은 하부 구조체 상에 형성된 것일 수 있다. 하부 구조체는 기판일 수 있으며, 기판은 다양한 물질로 형성된 것일 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조체의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 1a를 참조하면, 나노 구조체 형성을 위하여, 용기(10) 내에 블록공중합체(block copolymer)를 포함하는 고분자 용액(12)을 마련할 수 있다. 고분자 용액(12)은 용매 내에 블록공중합체가 용해된 상태일 수 있다.
블록공중합체는 블록공중합체는 소수성의 제 1폴리머와 친수성의 제 2폴리머를 포함할 수 있다. 블록공중합체는 다음과 같은 물질들 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
PS-b-P4VP: polystyrene-block-poly(4-vinylpyridine), PS-b-P2VP: polystyrene-block-poly(2-vinylpyridine), PS-b-PEO: polystyrene-block-poly(ethylene oxide), PS-b-PAA: polystyrene-block-poly(acrylic acid), PI-b-P4VP: polyisoprene-block-poly(4-vinylpyridine), PI-b-P2VP: polyisoprene-block-poly(2-vinylpyridine), PI-b-PEO: polyisoprene-block-poly(ethylene oxide), PI-b-PAA: polyisoprene-block-poly(acrylic acid), PMMA-b-P4VP: poly(methyl methacrylate)-block-poly(4-vinylpyridine), PMMA-b-P2VP: poly(methyl methacrylate)-block-poly(2-vinylpyridine), PMMA-b-PEO: poly(methyl methacrylate)-block-poly(ethylene oxide), PMMA-b-PAA: poly(methyl methacrylate)-block-poly(acrylic acid), PS-b-PMA: polystyrene-block-poly(methacrylic acid), PS-b-PMMA: polystyrene-block-poly(methyl methacrylate), PI-b-PMA: polyisoprene-block-poly(mechacrylic acid), PI-b-PMMA: polyisoprene-block-poly(methyl methacrylate), PMMA-b-PMA: poly(methyl methacrylate)-block-poly(methacrylic acid), PS-b-PS-OH: polystyrene-block-poly(hydroxylstyrene), PI-b-PS-OH: polyisoprene-block-poly(hydroxylstyrene).
고분자 용액(12)에 포함되는 용매는 소수성 용매일 수 있다. 예를 들어, 용매로는 톨루엔(toluene), 톨루엔/THF(tetrahydrofuran) 혼합액, 자일렌(xylene) 또는 에틸벤젠(ethlybenzene) 등을 사용할 수 있다. 블록공중합체는 용매 내에 예를 들어, 0.3 내지 1.0 wt%의 농도로 첨가될 수 있다. 구체적으로 블록공중합체로 PS-b-P4VP를 사용하는 경우, PS-b-P4VP를 0.3 내지 1.0wt%의 농도로 톨루엔 또는 톨루엔/THF 혼합액에 녹일 수 있다. 톨루엔/THF 혼합액 내에서의 톨루엔의 함량은 50 내지 100 vol%일 수 있다. 블록공중합체로 PS-b-P2VP를 사용하는 경우에는 톨루엔 또는 자일렌 용매를 사용할 수 있다.
블록공중합체는 소수성의 제 1폴리머와 친수성의 제 2폴리머를 포함할 수 있다. 예를 들어 블록공중합체 중 PS-b-P4VP의 경우, "PS"는 소수성을 지닌 제 1폴리머일 수 있으며, "P4VP"는 친수성을 지닌 제 2폴리머일 수 있다. 그리고, PS-b-P2VP의 경우, "PS"는 소수성을 지닌 제 1폴리머일 수 있고, "P2VP"는 친수성을 지닌 제 2폴리머일 수 있다. 제 1폴리머 및 제 2폴리머를 포함하는 블록공중합체를 소수성 용매에 녹이면, 블록공중합체의 마이셀(micelle)(14)이 형성될 수 있다. 마이셀(14)은 상기 제 2폴리머(예를 들어, P4VP 또는 P2VP)를 포함하는 코어부(core) 및 제 1폴리머(예를 들어, PS)를 포함하는 쉘부(shell)을 포함할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 하부 구조체(100) 상에 탄소나노물질층(110)을 형성하고, 탄소나노물질층(110) 상에 도 1a에서 제조한 고분자 용액(12)을 이용하여 나노 패턴(120)을 형성할 수 있다. 하부 구조체(100)는 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조체를 형성하고자 하는 대상물을 나타내는 것으로 기판일 수 있다. 기판은 글래스 기판, 폴리머 기판일 수 있다. 그리고, 기판은 실리콘 등의 반도체 기판일 수 있으며, 금속, 전도성 금속 화합물 등의 전도성 기판일 수 있고 또한 실리콘 산화물이나 실리콘 질화물 등의 절연체 기판일 수 있다. 그리고 기판은 투명하거나 불투명할 수 있으며, 반투명할 수도 있다.
탄소나노물질층(110)은 그래핀을 포함하여 형성된 것일 수 있다. 그래핀은 탄소 원자들이 6각형을 이루며 연결된 평면상의 시트(sheet) 구조를 지닐 수 있다. 탄소나노물질층(110)은 그래핀층 1층 내지 다층이 포함된 것일 수 있다. 그래핀은 다른 기판상에서 CVD(chemical vapor deposition)나 열분해법(pyrolysis) 등으로 형성된 후, 하부 구조체(100) 상으로 전사(transfer)된 것일 수 있으며, 하부 구조체(100) 상에서 직접 형성된 것일 수 있으며 제한은 없다.
나노 패턴(120)을 형성하기 위하여, 도 1a의 고분자 용액(12)을 탄소나노물질층(110) 상에 코팅할 수 있다. 예를 들어 고분자 용액(12)은 탄소나노물질층(110) 상에 스핀 코팅(spin coating)을 이용하여 코팅될 수 있으며, 스핀 코팅 공정은 예를 들어 2000∼5000 rpm의 속도로 이루어질 수 있다. 탄소나노물질층(110) 상에 고분자 용액(12)을 코팅하게 되면, 탄소나노물질층(110) 상에 블록공중합체의 마이셀층이 형성될 수 있다. 마이셀층을 형성한 뒤, 선택적으로 건조 공정을 실시할 수 있다. 건조 공정은 수초 내지 수십 분의 시간 동안 질소(N2), 아르곤(Ar) 또는 공기(air) 분위기 하에서 이루어질 수 있다. 건조 공정을 실시하기 전에 에탄올 또는 메탄올에 수분 내지 수십분 동안 담그어 둘 수 있다. 건조 공정을 거치게 되면 마이셀층은 다공성(porous) 구조를 지닐 수 있다. 블록공중합체의 마이셀층에 다공성 구조가 형성되는 이유로, 마이셀을 용매 내에 담그어 두는 과정에서 코어 영역의 폴리머와 용액 사이의 친화력에 의하여 코어 영역에서 쉘 영역 밖으로 이동하기 때문인 것으로 판단될 수 있다.
그리고, 금속 전구체 용액을 마련하여, 마이셀층이 형성된 탄소나노물질층(110)을 금속 전구체 용액 내부에 담그어 둘 수 있다. 금속 전구체 용액은 소정의 금속 전구체를 용매에 투입한 것이다. 금속은 예를 들어 Au, Ag, Cu, Cr, Pt, Pd 또는 이들의 합금(alloy)일 수 있다. 금속이 Au 인 경우, 예를 들어 HAuCl4 또는 LiAuCl4 등을 전구체로 사용할 수 있다. 금속이 Ag 인 경우, 예를 들어 Ag(ClO4)를 전구체로 사용할 수 있다. 그리고 금속이 Cu 인 경우, 예를 들어 Cu(NO3)2를 전구체로 사용할 수 있다.
금속 전구체 용액에 사용되는 용매는, 알콜계 용매 또는 물일 수 있으며, 알콜계 용매로는 예를 들어 에탄올(ethanol) 또는 메탄올(methanol) 등이 사용될 수 있다. 금속 전구체는 용매 내에 0.01∼1 wt%의 농도로 포함될 수 있다. 금속 전구체 용액 내에 마이셀층이 형성된 탄소나노물질층(110)을 담그어두게 되면, 금속 전구체가 블록공중합체의 마이셀에 결합될 수 있다. 금속 전구체 물질은 블록공중합체 마이셀의 코어부에 결합될 수 있다. 마이셀의 코어부는 금속 전구체 물질이 결합될 수 있는 기능기(functional group)가 존재할수 있으며, 따라서 금속 전구체 물질은 블록공중합체 마이셀의 코어부와 결합될 수 있다. 결과적으로 금속 전구체 물질은 블록공중합체 마이셀의 코어부와 동일한 배열 및 형태의 패턴을 지니며 탄소나노물질층(110) 상에 형성될 수 있다.
다음으로, 탄소나노물질층(110) 상의 블록공중합체 마이셀 필름 및 금속 전구체 물질에 대해 플라즈마 처리를 실시함으로써 금속 패턴을 형성할 수 있다. 플라즈마는 수소(H2) 플라즈마 또는 산소(O2) 플라즈마일 수 있다. 플라즈마 처리는 수십초 내지 수십분 동안 실시할 수 있다. 플라즈마 처리를 통하여, 블록공중합체 마이셀층을 제거할 수 있으며, 금속 전구체 패턴을 환원시킬 수 있다. 이에 따라 탄소나노물질층(110) 상의 블록공중합체 마이셀층을 제거할 수 있으며, 금속 전구체는 금속으로 환원됨으로써 나노 패턴(120)이 형성될 수 있다. 나노 패턴(120)은 도트 형상의 금속 입자들이 링 형상으로 배열된 금속나노입자 패턴일 수 있다. 나노 패턴(120)의 각각의 금속 도트는 수십 내지 수백 nm의 직경을 지닐 수 있다. 나노 패턴(120)은 탄소나노물질층(110) 상에서 링 형상을 지닐 수 있다. 여기서 링 형상은 탄소나노물질층(110) 상에서 금속 나노 도트들이 배열된 모양을 지칭하는 것으로 타원 형상을 포함할 수 있다.
도 1b 및 도 1c를 참조하면, 탄소나노물질층(110) 상의 나노 패턴(120)들에 금속 물질을 코팅시켜 링 형상의 나노 구조체(130)를 형성할 수 있다. 도 1b의 나노 패턴(120)들은 도트 형상의 나노 입자상이 추가적인 금속 물질의 코팅에 의하여 서로 연결되어 나노 구조체(130)를 형성할 수 있다. 나노 패턴(120)은 도트 형상의 금속 입자들이 링 형상으로 배열된 것일 수 있으며, 금속 입자들은 서로 불연속적으로 배열된 것일 수 있다. 나노 패턴(120)들에 추가적인 금속 물질이 코팅됨으로써 나노 패턴(120)을 구성하는 도트 형상의 금속 입자들은 서로 연결되어 연속적인 구조가 될 수 있다.
나노 패턴(120)에 추가적인 금속 물질을 코팅시키기 위하여 다양한 공정이 이용될 수 있다. 예를 들어, 금속 구조체(130)를 형성하기 위하여 도금(plating) 공정을 사용할 수 있으며, 도금 공정은 환원 반응을 이용한 것일 수 있다. 그리고 도금 공정 중 무전해 도금(electroless plating, chemical plating) 공정을 이용할 수 있다. 나노 패턴(120)에 코팅되는 금속은 예를 들어 Au, Ag, Cu, Cr, Pt, Pd 또는 이들의 합금(alloy)일 수 있다. 이들 금속들의 전구체들을 도금 용액에 투입하여 나노 패턴(120)을 코팅하는 공정을 실시할 수 있다. 금속이 Au 인 경우, 예를 들어 HAuCl4 또는 LiAuCl4 등을 전구체로 사용할 수 있다. 금속이 Ag 인 경우, 예를 들어 Ag(ClO4)를 전구체로 사용할 수 있다. 그리고 금속이 Cu 인 경우, 예를 들어 Cu(NO3)2를 전구체로 사용할 수 있다. 나노 패턴(120)을 형성하는 금속을 제 1금속이라 할 수 있으며, 나노 패턴(120)에 코팅되어 나노 구조체(130)를 형성하는 금속을 제 2금속이라 할 수 있다. 제 2금속은 광 흡수도를 확인하고자 하는 파장 영역에 따라 선택될 수 있다. 예를 들어, 중적외선(mid-infrared rays: Mid-IR) 영역의 경우, 제 2금속으로 Au, Cu 도는 Pt를 선택할 수 있다. 그리고, 자외선(ultraviolet rays) 영역의 경우 제 2금속으로 Ag를 선택할 수 있다. 또한, 제 2금속은 하나의 금속이 아닌 복수개의 금속을 사용할 수 있으며, 다양한 금속을 사용하는 경우, 자외선 내지 적외선에 걸친 초광대역 파장 범위의 경우 다양한 금속을 조합할 수 있다. 나노 패턴(120)에 코팅되는 제 2금속이 복수개인 경우, 이들은 합금 형태로 나노 패턴(120) 표면에 코팅될 수 있으며, 나노 패턴(120) 표면에 각각의 금속들로 형성된 다수의 금속층들이 형성될 수 있다. 이에 따라 나노 구조체는 내부의 나노 패턴(120)과 나노 패턴 상에 코팅된 다수의 금속층들을 포함할 수 있다. 나노 패턴(120)을 코어라고 한다면, 나노 패턴(120)에 코팅된 금속층은 셀이라 할 수 있으며, 또한, 나노 패턴 상에 코팅된 다수의 금속층들을 포함하는 경우, 내부의 금속층은 나노 패턴과 함께 코어라고 할 수 있으며, 외부에 코팅된 금속층은 셀이라 할 수 있다.
도 2a는 나노 구조체로 Au를 형성하는 과정에서 측정한 AFM(atomic force microscope) 이미지이다. 여기서 측정 대상 시편은 그래핀층 상에 나노 패턴으로 도트 형상의 Au를 형성하고, 상온에서 약 5분동안 전구체로 0.2% HAuCl4를 사용하여 무전해 도금 공정을 실시하여 형성한 것이다. 그래핀으로 형성된 탄소나노물질층(110) 상에 나노 구조체(130)가 링 형상으로 형성된 것을 확인할 수 있다.
도 2b는 도 2a의 L 방향으로의 나노 구조체의 깊이 프로파일(depth profile)을 나타낸 그래프이다. 도 2b를 참조하면, 나노 구조체(130)의 높이는 평균적으로 대략 20nm로 형성된 것을 알 수 있으며, 나노 구조체(130)가 비교적 균일한 높이를 지니며 형성된 것을 알 수 있다.
도 3은 나노 구조체로 Au를 형성하는 과정에서의 측정한 표면 플라즈몬 밴드(surface plasmon band)를 나타내는 그래프이다. 여기서는 그래핀층 상에 나노 패턴으로 도트 형상의 Au가 형성된 경우(Au Seed), 나노 패턴 표면에 무전해 도금으로 Au를 코팅하는 시간(3min, 4min 및 5min)에 따라 UV-VIS(ultraviolet-visible) 스펙트럼(spectrum)을 이용해서 측정한 것이다.
도 3을 참조하면, Au 나노 패턴에 대해 제 2금속으로 Au를 코팅하는 시간이 3분, 4분 및 5분씩 증가할 때, 광흡수의 정도가 증가하는 것을 알 수 있다. 특히 800 내지 900nm 영역인 중적외선(mid-IR) 영역에서의 흡수도가 뚜렷하게 증가하는 것을 확인할 수 있다.
도 4는 나노 구조체로 Ag층을 형성하는 과정에서의 표면 플라즈몬 밴드를 나타내는 그래프이다. 여기서 측정 대상 시편은 블록공중합체로 PS-b-P2VP를 O-xylene에 0.5%녹인 고분자 용액을 그래핀 상에 3000 rpm으로 스핀 코팅하여, 마이셀 필름을 형성하고, 에탄올 또는 메탄올에 약 10분 정도 담근 후 건조 과정을 거쳐 마이셀 필름에 다공성 구조의 필름을 형성하였다. 그리고, Au 전구체로 HAuCl4가 0.1% 포함된 에탄올 용액에 약 3분간 다음 후 수소 플라즈마 공정을 실시하여 도트 형상의 Au 나노 패턴을 형성하였다. 그리고, 나노 구조체를 형성하기 위하여, 은거울 반응(silver mirror reaction: SMR)을 약 20초, 40초 및 60초 간 실시하였다. 도 4의 그래프는 UV-VIS(ultraviolet-visible) 스펙트럼(spectrum)을 이용해서 측정한 것이다.
도 4를 참조하면, 그래핀 상에 도트 형상의 Au 나노 패턴만이 형성된 경우 픽(peak)이 매우 약하거나 잘 관찰되지 않는다. Ag를 Au 나노 패턴 표면에 코팅하는 경우, 코팅 시간이 증가할수록 약 400nm의 파장 범위에서 흡수도가 증가하는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 나노 구조체로 Au 및 Ag층을 형성하는 과정에서의 나노 구조체의 표면 플라즈몬 밴드를 나타내는 그래프이다. 여기서 측정 대상 시편의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. 블록공중합체로 PS-b-P2VP를 O-xylene에 0.5%녹인 고분자 용액을 그래핀 상에 3000 rpm으로 스핀 코팅하여, 마이셀 필름을 형성하고, 에탄올 또는 메탄올에 약 10분 정도 담근 후 건조 과정을 거쳐 마이셀 필름에 다공성 구조의 필름을 형성하였다. 그리고, Au 전구체로 HAuCl4가 0.1% 포함된 에탄올 용액에 약 3분간 다음 후 수소 플라즈마 공정을 실시하여 직경 약 100nm인 도트 형상의 Au 나노 패턴을 형성하였다. 그리고, 상온에서 약 5분동안 Au 전구체인 0.2% HAuCl4 0.4ml/0.2M TEA 0.2ml 용액 속에 넣어 Au 도금을 실시하여 Au 나노 패턴 상에 Au 코팅층이 형성된 나노 구조체를 형성하였다. 그리고, Au 코팅층 상에 약 50초 동안 은거울 반응을 실시하여 Ag 코팅층을 형성하였다. 도 5를 참조하면, 자외선으로부터 근적외선 영역까지 균일한 광 흡수도를 나타내는 것을 확인할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자를 나타낸 단면도이다. 광학 소자는 광검출기(photodetector)일 수 있으며, 광학 소자는 단일 밴드(single band) 또는 멀티 밴드(munti band) 플라즈모닉 광검출기일 수 있다.
도 6을 참조하면, 하부 구조체(40) 상에 탄소나노물질층(42)이 형성될 수 있으며, 탄소나노물질층(42) 상에는 다수의 나노 구조체(44)들이 형성될 수 있다. 그리고, 나노 구조체(44)가 형성된 탄소나노물질층(42)과 접촉하는 제 1전극(46) 및 제 2전극(48)들이 포함될 수 있다. 여기서, 하부 구조체(40)는 기판일 수 있다. 탄소나노물질층(42)은 그래핀일 수 있다. 제 1전극(46)은 소스일 수 있으며, 제 2전극(48)은 드레인일 수 있다. 제 1전극(46) 및 제 2전극(48)을 통하여 탄소나노물질층(42) 및 나노 구조체(44)에 조사되는 빛에 의해 발생되는 광전류(photocurrent)를 검출할 수 있다. 나노 구조체(44)는 도 1b 및 도 1c에 나타낸 바와 같이, 나노 구조체(44) 내부에는 도트 형상의 금속으로 형성된 나노 패턴을 포함할 수 있으며, 나노 패턴 표면에는 하나 또는 그 이상의 금속으로 형성된 금속층이 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 소자의 흡수 스펙트럼(absorbance spectrum) 및 광전류 특성을 나타낸 그래프이다. 본 발명의 실시예에 따른 광학 소자의 그래핀과 전극 접합부에 대해 1mW보다 작은 레이저를 조사하여 광전류를 측정하였다. 그리고, 레이저 파워로 나눈 단위 에너지당 광전류를 계산하였다. 도 7을 참조하면, 파장에 따른 단위 에너지당 광전류의 경향성이 흡수 스펙트럼(absorbance)의 경향성과 유사한 것을 확인할 수 있다. 결과적으로 도 6에 나타낸 광전 소자에서 표면 플라즈몬 흡수에 의해 광전류가 발생하는 것을 알 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 다대역(multi-band)/초광대역(ultra-broadband) 플라즈모닉 광학 소자를 제조할 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 구체적인 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본원의 실시예를 다양하게 변화될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 나노 패턴 물질로 금속이 아닌 다른 물질을 사용할 수도 있음을 알 수 있을 것이다. 본 발명의 실시예들에 따른 나노 구조체는 광검출기 이외의 다른 전자 소자에도 적용될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
10: 용기 12: 고분자용액
14: 블록공중합체의 마이셀 100, 40: 하부 구조체
110, 42: 탄소나노물질층 120: 나노 패턴
130, 44: 나노 구조체 46: 제 1전극
48: 제 2전극
14: 블록공중합체의 마이셀 100, 40: 하부 구조체
110, 42: 탄소나노물질층 120: 나노 패턴
130, 44: 나노 구조체 46: 제 1전극
48: 제 2전극
Claims (17)
- 탄소나노물질층;
상기 탄소나노물질층 상에 형성된 나노 패턴; 및
상기 나노 패턴 표면에 코팅된 금속층;을 포함하고,
상기 나노 패턴은 도트 형상의 금속 입자들이 링 형상으로 불연속적으로 배열되고, 상기 금속층은 상기 금속 입자들을 연결하여 상기 나노 구조체를 연속적인 구조로 형성한 나노 구조체. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 나노 패턴은 제 1금속으로 형성되며,
상기 제 1금속은 Au, Ag, Cu, Cr, Pt, Pd 또는 이들의 합금(alloy)인 나노 구조체. - 제 1항에 있어서,
상기 금속층은 제 2금속으로 형성되며,
상기 제 2금속은 Au, Ag, Cu, Cr, Pt, Pd 또는 이들의 합금(alloy)인 나노 구조체. - 제 1항에 있어서,
상기 금속층은 복수개의 금속으로 형성된 나노 구조체. - 제 1항에 있어서,
상기 금속층은 상기 나노 패턴 표면에 서로 다른 금속들로 형성된 다수의 금속층들을 포함하는 나노 구조체. - 탄소나노물질층;
상기 탄소나노물질층 상에 형성된 다수의 나노 구조체;
상기 나노 구조체가 형성된 상기 탄소나노물질층과 접촉하며 형성된 제 1전극 및 제 2전극;들을 포함하고,
상기 나노 구조체가, 상기 탄소나노물질층 상에 형성된 나노 패턴 및 상기 나노 패턴 표면에 코팅된 금속층을 포함하고, 상기 나노 패턴은 도트 형상의 금속 입자들이 링 형상으로 불연속적으로 배열되고, 상기 금속층은 상기 금속 입자들을 연결하여 상기 나노 구조체를 연속적인 구조로 형성한 광학 소자. - 제 9항에 있어서,
상기 탄소나노물질층은 그래핀을 포함하는 광학 소자. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 9항에 있어서,
상기 나노 패턴은 제 1금속으로 형성되며,
상기 제 1금속은 Au, Ag, Cu, Cr, Pt, Pd 또는 이들의 합금(alloy)인 광학 소자. - 제 9항에 있어서,
상기 금속층은 제 2금속으로 형성되며,
상기 제 2금속은 Au, Ag, Cu, Cr, Pt, Pd 또는 이들의 합금(alloy)인 광학 소자. - 제 9항에 있어서,
상기 금속층은 상기 나노 패턴 표면에 서로 다른 금속들로 형성된 다수의 금속층들을 포함하는 광학 소자.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130134987A KR102176581B1 (ko) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자 |
US14/535,952 US9577123B2 (en) | 2013-11-07 | 2014-11-07 | Nanostructure and optical device having nanostructure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130134987A KR102176581B1 (ko) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150053157A KR20150053157A (ko) | 2015-05-15 |
KR102176581B1 true KR102176581B1 (ko) | 2020-11-09 |
Family
ID=53006349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130134987A KR102176581B1 (ko) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9577123B2 (ko) |
KR (1) | KR102176581B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102224717B1 (ko) | 2014-06-19 | 2021-03-08 | 삼성전자주식회사 | 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자 |
US9927706B2 (en) * | 2015-07-20 | 2018-03-27 | The University Of Chicago | Atomic layer chemical patterns for block copolymer assembly |
KR102446410B1 (ko) | 2015-09-17 | 2022-09-22 | 삼성전자주식회사 | 광전소자 및 이를 포함하는 전자장치 |
KR102610832B1 (ko) | 2016-08-03 | 2023-12-06 | 삼성전자주식회사 | 메타 광학 소자 및 이의 설계방법 |
WO2018148424A1 (en) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | Northwestern University | Electronically abrupt borophene/organic lateral heterostructures and preparation thereof |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101100414B1 (ko) * | 2010-10-25 | 2011-12-30 | 서울대학교산학협력단 | 태양전지 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8217381B2 (en) * | 2004-06-04 | 2012-07-10 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics |
KR20090016918A (ko) | 2007-08-13 | 2009-02-18 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 블록공중합체 마이셀을 이용한 금속 나노입자 부착방법 |
US20100126567A1 (en) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Lightwave Power, Inc. | Surface plasmon energy conversion device |
KR101154347B1 (ko) | 2009-08-24 | 2012-06-13 | 한양대학교 산학협력단 | 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법 |
KR101264256B1 (ko) * | 2010-05-26 | 2013-05-22 | 이화여자대학교 산학협력단 | 나노 링 어레이 및 금속 나노입자 어레이의 제조방법 |
KR101227600B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2013-01-29 | 서울대학교산학협력단 | 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서 및 이의 제조방법 |
KR101335616B1 (ko) | 2011-02-17 | 2013-12-02 | 이화여자대학교 산학협력단 | 국부 표면 플라즈몬 공명 결합 현상을 가지는 금 나노입자 패턴의 제조 방법 및 이에 의한 금 나노입자 패턴 |
KR20130014249A (ko) | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 한국전자통신연구원 | 광검출기 |
KR102059130B1 (ko) * | 2013-02-14 | 2019-12-24 | 삼성전자주식회사 | 나노구조체와 이를 포함하는 광학소자 및 이들의 제조방법 |
-
2013
- 2013-11-07 KR KR1020130134987A patent/KR102176581B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-11-07 US US14/535,952 patent/US9577123B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101100414B1 (ko) * | 2010-10-25 | 2011-12-30 | 서울대학교산학협력단 | 태양전지 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9577123B2 (en) | 2017-02-21 |
KR20150053157A (ko) | 2015-05-15 |
US20150123079A1 (en) | 2015-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102059130B1 (ko) | 나노구조체와 이를 포함하는 광학소자 및 이들의 제조방법 | |
KR102176581B1 (ko) | 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자 | |
Altomare et al. | Templated dewetting: designing entirely self-organized platforms for photocatalysis | |
Sakir et al. | Solid substrates decorated with Ag nanostructures for the catalytic degradation of methyl orange | |
US20130293884A1 (en) | Nanoparticle array with tunable nanoparticle size and separation | |
Hsiao et al. | ZnO/Cu 2 O/Si nanowire arrays as ternary heterostructure-based photocatalysts with enhanced photodegradation performances | |
Modaresialam et al. | Nanoimprint lithography processing of inorganic-based materials | |
Ghosh et al. | Effect of Ag/Au bilayer assisted etching on the strongly enhanced photoluminescence and visible light photocatalysis by Si nanowire arrays | |
KR101990194B1 (ko) | 복합패턴구조체 및 그의 제조방법 | |
Liu et al. | Nanoscale plasmonic stamp lithography on silicon | |
KR102224717B1 (ko) | 나노 구조체 및 이를 포함하는 광학 소자 | |
Nichkalo et al. | Silicon nanostructures produced by modified MacEtch method for antireflective Si surface | |
Pudasaini et al. | Nanostructured plasmonics silicon solar cells | |
Ke et al. | Unpacking the toolbox of two-dimensional nanostructures derived from nanosphere templates | |
Salem et al. | Novel Si nanostructures via Ag-assisted chemical etching route on single and polycrystalline substrates | |
Moran et al. | Benchtop fabrication of submicrometer metal line and island arrays using passivative microcontact printing and electroless plating | |
Mohabir et al. | Bottom-up masking of Si/Ge surfaces and nanowire heterostructures via surface-initiated polymerization and selective etching | |
US20160079452A1 (en) | Photodetector with plasmonic structure and method for fabricating the same | |
WO2020010233A1 (en) | Plasmonic metal/graphene heterostructures and related methods | |
KR101773951B1 (ko) | 반도체 기판의 텍스쳐링 방법, 이 방법에 의해 제조된 반도체 기판 및 이를 포함하는 디바이스 | |
Khatri et al. | UV induced covalent assembly of gold nanoparticles in linear patterns on oxide free silicon surface | |
Rao | Noble Metal Nanoparticles for Surface/Gas-phase Reactions | |
KR20190067579A (ko) | 핫전자 기반의 산화물-금속 하이브리드 역촉매 | |
KR20200121417A (ko) | 계면반응에 의해 기능성 물질이 코팅된 패턴 필름의 제조방법, 이에 의해 제조된 패턴화 필름 및 이의 용도 | |
Liu et al. | Superior antireflection coating for a silicon cell with a micronanohybrid structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |