KR102173114B1 - 서셉터 - Google Patents

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Abstract

실시예는 적어도 하나의 포켓(pocket)이 배치된 서셉터 몸체; 및 상기 포켓의 바닥에 배치되어 기판을 지지하는 지지면을 포함하고, 상기 지지면 상에 배치되어 상기 기판을 지지하는 라인 형상의 돌출부를 포함하는 서셉터를 제공한다.

Description

서셉터{SUSCEPTOR}
실시예는 서셉터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학 기상 증착 장치 등에서 기판 상에 GaN 등 반도체 구조물을 증착할 때 사용되는 서셉터에 관한 것이다.
반도체 장치는 기판 위에 반도체 재료의 에피택셜 성장에 의해 형성된다. 기판은 통상적으로 디스크 형태의 결정 재료이며, 흔히 "웨이퍼"라고 한다. 3-5족 반도체와 같은 화합물 반도체로 형성된 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화학 기상 증착 장치 등을 사용하여 화합물 반도체의 층을 연속으로 성장시켜 형성된다.
발광다이오드나 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 같은 발광 소자는 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 포함하고, 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
이러한 3-5족 질화물 반도체를 이용한 발광소자를 구성하는 질화물 반도체 단결정은 실리콘 기판 또는 사파이어 기판 등의 위에 성장되며, 이러한 반도체 단결정을 성장시키기 위하여 일반적으로 가스 상태인 다수의 소스를 기판 상에 증착시키는 기상 증착 공정을 이용한다. 반도체 발광소자의 발광 성능이나 신뢰성은 이를 구성하는 반도체층의 품질(결정성 등)에 큰 영향을 받으며, 이 경우, 반도체층의 품질은 반도체 박막을 성장시키는 데에 사용되는 기상 증착 장치의 구조, 내부 환경, 사용 조건 등에 의하여 좌우될 수 있다.
도 1은 종래의 서셉터와 웨이퍼를 나타낸 도면이고, 도 2는 기판에서 성장되는 반도체 구조물을 나타낸 도면이다.
서셉터(10)에 형성된 포켓(pocket)에 반도체 구조물(20)을 성장시키는데, 반도체 구조물(20)은 기판 상에 GaN 등의 질화물 반도체가 증착된다. 이때, 기판으로 실리콘이나 사파이어 등이 사용되는데, 성장 온도가 높아질수록 이종 물질 사이의 열팽창 계수(thermal expansion coefficient) 및 격자 상수의 차이(lattice constant mismatch)로 인하여 기판을 포함한 반도체 구조물 전체의 휨이 발행할 수 있다.
도시된 바와 같이 포켓 내의 바닥면(15)은 플랫(flat)하나 반도체 구조물(20)이 도 2와 같이 윗 방향으로 볼록(convex)한 형상으로 휘게 되면, 반도체 구조물(20)의 가장 자리가 포켓 내의 바닥면(15)과 접촉하게 된다.
포켓 내에 반도체 구조물(20)을 배치하고 하부에서 열을 가하는데, 반도체 구조물(20)이 휘게 되면 반도체 구조물(20)의 각 영역에서 온도 분포가 달라질 수 있다. 이러한 열 분포의 차이는 반도체 구조물(20) 위에 증착되는 GaN을 포함하는 반도체 화합물의 온도 분포의 불균일을 초래할 수 있다.
특히 반도체 화합물에 인듐(In)이 포함될 경우, 도 1에서 'D'로 표시된 영역은 서셉터(20)의 바닥면(15)과 반도체 구조물(20)이 접촉하여 반도체 화합물에 전달되는 열이 상대적으로 많으며, 상대적으로 고온인 영역에서 인듐의 양이 감소할 수 있다.
상술한 바와 같이 반도체 구조물(20)이 휘어 성장하면 질화물 반도체층 내에서 인듐 분포가 불균일 할 수 있고, 이러한 인듐 분포의 불균일은 활성층 내에서 방출되는 빛의 파장의 불균일을 초래할 수 있으며, 휘어진 반도체 구조물(20) 내에서 크랙(crack) 등의 결함이 발생할 수도 있다.
실시예는 반도체 구조물의 휨과 품질 하락을 방지하여, 발광 구조물에서 방출되는 빛의 파장 편차를 개선하고자 한다.
실시예는 적어도 하나의 포켓(pocket)이 배치된 서셉터 몸체; 및 상기 포켓의 바닥에 배치되어 기판을 지지하는 지지면을 포함하고, 상기 지지면 상에 배치되어 상기 기판을 지지하는 라인 형상의 돌출부를 포함하는 서셉터를 제공한다.
돌출부는 상기 지지면의 가장자리로부터 (1/4)R 내지 (3/4)R의 거리에 배치될 수 있다.
돌출부는 상기 지지면의 중심에 대하여 동심원을 이루며 배치될 수 있다.
돌출부의 높이는 20 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터일 수 있다.
돌출부의 폭은 20 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터일 수 있다.
돌출부의 상면의 가장 자리가 라운드 가공될 수 있다.
지지면과 접촉하는 상기 돌출부의 가장 자리가 라운드 가공될 수 있다.
돌출부는 상기 서셉터 몸체와 일체로 형성될 수 있다.
돌출부의 내측 지지면은 아래로 오목할 수 있다.
돌출부의 외측 지지면은 아래로 오목할 수 있다.
돌출부는, 상기 내측 지지면과 외측 지지면의 사이에서 변곡점을 이룰 수 있다.
실시예에 따른 서셉터는 포켓 내의 지지면 상에 라인 형상으로 돌출부가 형성되어 기판을 안정적으로 지지하고, 기판의 휘어진 방향에 따라 포켓 내의 지지면이 곡률을 이루어 반응 기체의 흐름이 원활하고 기판의 온도 균일도가 향상되어, 기판에서 성장되는 반도체 구조물의 품질이 우수하고 파장 범위가 고를 수 있다.
도 1은 종래의 서셉터와 웨이퍼를 나타낸 도면이고,
도 2는 기판에서 성장되는 반도체 구조물을 나타낸 도면이고,
도 3은 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 3의 화학 기상 증착 장치의 서셉터의 평면도이고,
도 5a는 도 4의 서셉터의 포켓의 일실시예의 단면도이고,
도 5b는 도 5a의 평면도이고,
도 6a는 도 5a의 돌출부의 일시시예를 상세히 나타낸 도면이고,
도 6b는 도 5a의 돌출부의 다른 실시예를 상세히 나타낸 도면이고,
도 7은 도 4의 서셉터의 포켓의 다른 실시예의 단면도이고,
도 8a 내지 도 8d는 상술한 서셉터의 포켓에 기판이 배치된 상태를 나타낸 도면이다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하 상기의 목적을 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치를 나타낸 도면이다.
화학 기상 증착 장치(Chemical vapor deposition) 반응기(100)는 공정 챔버(110)와 가스 공급 라인(120)과 샤워 헤드(130)와 회전 축(140) 및 배기 라인(150)를 포함하고, 공정 챔버(110)의 내부에 반도체 구조물(20)이 안착된 서셉터(200)가 배치된다.
공정 챔버(110)는 적어도 하나의 가스 공급 라인(120)으로 통해 원료 물질 등 각종 가스를 공급받고, 질화물 반도체의 성장 후에 배기 라인(150)을 통하여 반응 부산물을 배출할 수 있다.
샤워 헤드(130)는 상기 공정 챔버(110)의 상단에 형성되어, 공정 챔버(110)의 하단에 형성된 서셉터(200) 또는 반도체 구조물(20)의 표면에 가스를 분사시켜 준다. 이때의 온도 제어는 내부 히터에 의해 제어될 수 있다.
서셉터(200)는 회전 축(140)에 결합되어 회전하게 되며, 내부의 히터로부터 발생된 일부 열을 반도체 구조물(20)로 전달할 수 있다.
도 4는 도 3의 화학 기상 증착 장치의 서셉터의 평면도이다. 도 4에 도시된 서셉터는, 도 3에 도시된 화학 기상 증착 장치 외에 사파이어 등의 기판 상에 질화물 반도체 등을 증착시키는 다른 장치에서도 사용될 수 있다.
서셉터(200)는 그라파이트(graphite)나 금속 또는 SiC 등으로 이루어진 서셉터 몸체(210)에 적어도 하나의 포켓(220)이 배치될 수 있으며, 도 3에서는 5개의 포켓(pocket)이 배치되고 있다. 각각의 포켓(220)의 내부에는 기판이 삽입되어 화학 기상 증착 공정 등을 진행할 수 있다.
도 5a는 도 4의 서셉터의 포켓의 일실시예의 단면도이고, 도 5b는 도 5a의 평면도이다.
상술한 서셉터 내의 하나의 포켓(220)은 서셉터 몸체(210)가 측벽과 바닥면을 이루고, 포켓(220)의 바닥에 지지면(215a, 215b)이 배치되어 기판(미도시)을 지지할 수 있다. 그리고, 서셉터 몸체(210) 내지 지지면 상에는 돌출부(250)가 형성될 수 있다.
돌출부(250)는 포켓(220)의 바닥면에 라인(line)형으로 배치될 수 있고, 서셉터 몸체(210)와 동일한 재료로 일체형으로 형성될 수 있는데, 포켓(220)의 바닥면의 중심에 대하여 동심원 형상으로 배치될 수 있다.
돌출부(250)가 도트(dot) 형상이 아닌 라인 형상일 때 기판(미도시) 전체를 안정적으로 지지할 수 있다. 포켓(220)의 바닥에 배치된 지지면을, 상술한 돌출부(250)을 기준으로 내측의 제1 지지면(215a)과 외측의 제2 지지면(215b)으로 구분할 수 있다.
돌출부(250)의 높이(h1)는 20 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터일 수 있다. 돌출부(250)의 높이(h1)가 상술한 범위 이내일 때 서셉터의 포켓(220)에서 배치되는 기판과 지지면 사이의 거리가 적절히 유지되어, 기판에서 성장되는 반도체 구조물의 품질이 우수하고 파장 범위가 고를 수 있다. 또한, 돌출부(250)의 내측과 외측의 제1 지지면(215a)과 제2 지지면(215b)은 후술하는 도 7 등과 같이 오목한 형상으로 배치될 수도 있다.
돌출부(250)의 폭(w)은 20 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터일 수 있다. 돌출부(250)의 폭(250)이 상술한 20 마이크로 미터보다 작으면 기판과 점 접촉하여 기판에 손상이 발생할 수 있고, 상술한 70 마이크로 미터보다 크면 기판의 배면과 지지면 사이의 공간이 줄어들어서 반응기체 등의 흐름이 원활하지 않을 수 있다.
돌출부(250)는 지지면의 가장자리로부터 (1/4)R 내지 (3/4)R의 거리에 배치될 수 있으며, 'R'은 지지면의 반경이다. 즉, 서섭터 몸체(210)로부터 돌출부(250)까지의 거리(b)는 반경 R의 1/4보다 크고 3/4보다 작을 수 있다. 만약 돌출부(250)가 상술한 영역보다 내측으로 치우치면 기판을 제대로 지지하지 못할 수 있고, 외측으로 치우치면 기판의 중앙 영역이 아래로 기울어질 수 있다.
도 6a는 도 5a의 돌출부의 일시시예를 상세히 나타낸 도면이고, 도 6b는 도 5a의 돌출부의 다른 실시예를 상세히 나타낸 도면이다.
도 6a에 도시된 실시예에서 돌출부(250)의 일부 영역(A) 즉, 상면의 가장 자리가 라운드 가공되고 있다. 만약, 상술한 영역(A)에서 돌출부의 가장 자리가 각을 이루며 형성되면, 돌출부(250)와 접촉하는 기판의 표면에 손상이 발생할 수 있다.
도 6b에 도시된 실시예에서 돌출부(250)의 일부 영역(B) 즉, 지지면(215a, 215b)과 접촉하는 돌출부의 가장 자리가 라운드 가공되고 있다. 만약, 상술한 영역(B)에서 돌출부의 가장 자리가 각을 이루며 형성되면, 돌출부(250)와 지지면(215a, 215b)의 접촉 영역에서 반응 기체 등의 흐름이 원활하지 않거나, 와류가 발생하여 기판 상에 반도체 구조물의 성장이 균일하지 않을 수 있다.
도 7은 도 4의 서셉터의 포켓의 다른 실시예의 단면도이고,
본 실시예에 따른 서셉터는 포켓(320) 내의 돌출부(350)가 제1 지지면(315a)와 제2 지지면(315b)의 사이에서 변곡점을 이루며 배치되고 있다. 돌출부(350)의 가장 윗 부분은 라운드 형상일 수 있는데, 변곡점의 일부가 라운드를 이룰 때 기판(미도시)을 안정적으로 지지할 수 있다. 제1 지지면(315a)은 돌출부(350)의 내측에서 아래로 오목하게 배치되고, 제2 지지면(315b)은 돌출부(350)의 외측에서 아래로 오목하게 배치되고 있다.
돌출부(350)의 높이(h2)는 20 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터일 수 있고, 상술한 높이(h2)는 제1 지지면(315a) 또는 제2 지지면(315b)의 최저점으로부터 돌출부(350)의 상면까지의 거리이다. 돌출부(350)의 높이(h2)가 상술한 범위 이내일 때 서셉터의 포켓(320)에서 배치되는 기판과 지지면 사이의 거리가 적절히 유지되어, 기판에서 성장되는 반도체 구조물의 품질이 우수하고 파장 범위가 고를 수 있다.
도 8a 내지 도 8d는 상술한 서셉터의 포켓에 기판이 배치된 상태를 나타낸 도면이다.
도 8a에서 도 5a 등의 돌출부가 형성된 포켓에서 기판이 컨벡스(convex) 타입으로 휘어지고 있고, 도 8b에서 도 7의 돌출부가 형성된 포켓에서 기판이 컨벡스 타입으로 휘어지고 있고, 도 8c에서 도 5a 등의 돌출부가 형성된 포켓에서 기판이 컨케이브(concave) 타입으로 휘어지고 있고, 도 8d에서 도 7의 돌출부가 형성된 포켓에서 기판이 컨케이브 타입으로 휘어지고 있다.
기판이 컨벡스 타입으로 휘어질 때 도 8b보다 도 8a에 도시된 서셉터가 지지면과 기판 사이의 공간이 비교적 균일하며, 기판이 컨케이브 타입으로 휘어질 때 도 8c보다 도 8d에 도시된 서셉터가 지지면과 기판 사이의 공간이 비교적 균일할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10, 200: 서셉터 20: 반도체 구조물
100: CVD 반응기 110: 공정 챔버
120: 가스 공급 라인 130: 샤워 헤드
140: 회전 축 150: 배기 라인
210, 310: 서셉터 몸체 215a, 315a: 제1 지지면
215b, 315b: 제2 지지면 220, 320: 포켓
250, 350: 돌출부

Claims (12)

  1. 그라파이트(graphite), 금속 또는 SiC 중 하나로 이루어지고, 적어도 하나의 포켓(pocket)이 배치된 서셉터 몸체; 및
    상기 포켓의 바닥에 배치되어 기판을 지지하는 지지면을 포함하고,
    상기 지지면 상에 배치되어 상기 기판을 지지하는 라인 형상의 돌출부를 포함하고,
    상기 돌출부는 상기 지지면의 가장 자리로부터 (1/4)R 내지 (3/4)R의 거리에 배치되고, 여기서 상기 R은 상기 지지면의 반경이고,
    상기 지지면으로부터 상기 돌출부의 높이는 20 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터이고,
    상기 돌출부의 폭은 20 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터이고,상기 돌출부의 상면의 가장 자리가 라운드 가공되고, 상기 지지면과 접촉하는 상기 돌출부의 가장 자리가 라운드 가공되고,
    상기 돌출부는 상기 지지면의 중심에 대하여 동심원을 이루며 배치되는 서셉터.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 돌출부의 상면의 높이는 상기 서셉터 몸체의 가장 자리의 상면의 높이보다 낮고, 상기 돌출부는 상기 서셉터 몸체와 동일한 재료로 이루어지는 서셉터.
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JPH05238882A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長用サセプタ
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