KR102162884B1 - 영상표시장치의 제조방법 - Google Patents
영상표시장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102162884B1 KR102162884B1 KR1020130144883A KR20130144883A KR102162884B1 KR 102162884 B1 KR102162884 B1 KR 102162884B1 KR 1020130144883 A KR1020130144883 A KR 1020130144883A KR 20130144883 A KR20130144883 A KR 20130144883A KR 102162884 B1 KR102162884 B1 KR 102162884B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- display device
- array substrate
- sih4
- silane
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 50
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 37
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 12
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 claims 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 영상표시장치의 제조방법에 있어서, 기판 하부에 무기막층을 형성하는 단계와; 상기 기판 상부에 박막트랜지스터 및 패드를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상부에 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 기판 하부의 무기막층을 패터닝하여 베젤패턴을 형성하는 단계를 포함하는 영상표시장치의 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 영상표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 영상표시장치를 제조하기 위한 포토 공정 시 CD(Critical Dimension) 편차에 의한 화면 얼룩을 방지할 수 있는 영상표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 유기발광 다이오드 디스플레이장치(Organic Light Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.
이 중 액정표시장치는 상하부의 투명 절연 기판인 컬러 필터 기판과 어레이 기판 사이에 이방성 유전율을 갖는 액정층을 형성하고, 액정 물질에 형성되는 전계의 세기를 조정하여 액정 물질의 분자 배열을 변경시키고, 이를 통하여 컬러 필터 기판에 투과되는 빛의 양을 조절함으로써 원하는 화상을 표현하는 표시 장치로, 응답속도가 빠른 장점이 있다.
이와 같은 액정표시장치는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 스위칭 소자로 이용한다.
일반적인 액정 표시 장치는 영상이 표시되는 표시영역과 표시영역을 감싸는 비표시영역을 포함하는 표시패널과, 상기 표시패널 상부에 서로 교차하며 화소영역을 정의하는 게이트 및 데이터 배선을 포함한다.
그리고, 비표시영역 일면에 다수의 게이트 집적회로가 본딩되어 부착되고, 게이트 집적회로와 수직방향으로 비표시영역의 다른 일면에 데이터 집적회로가 본딩되어 부착된다.
이때, 게이트 집적회로와 전기적으로 연결되는 인쇄회로기판은 게이트 집적회로 및 데이터 집적회로에 제어신호 및 데이터 신호를 인가하며, 어레이 기판 배면으로 젖혀진다.
따라서, 일반적인 액정표시장치는 일면에 부착된 인쇄회로기판이 배면으로 젖혀짐에 따라 베젤부를 축소하는데 제한이 생기는 문제가 발생한다.
이때, 화소영역에는 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와 어레이 기판 상부로 표시영역 전면에 화소전극이 형성된다.
이때, 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속으로 형성된다.
그리고, 게이트 및 데이터 배선은 게이트 전극 및 소스 전극과 연결되고, 다수의 화소전극은 드레인 전극과 연결된다.
이와 같은 일반적인 액정표시장치용 어레이 기판은 대면적에 다수개가 동시에 형성된다.
그리고, 어레이 기판의 제조 과정에서 다수의 증착 공정과, 포토 공정, 식각 공정을 거치게 되는데, 포토 공정은 세부적으로 감광막 도포, 노광, 현상 및 식각 단계를 거쳐 진행된다.
여기서, 포토 공정은 포토레지스트(Photoresist: PR)가 빛을 받으면 화학 반응을 일으켜서 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 얻고자 하는 패턴(pattern)의 마스크(mask)를 사용하여 빛을 선택적으로 포토레지스트에 조사함으로써 마스크의 패턴과 동일한 패턴을 형성시키는 공정을 말한다.
그런데, 액정 표시 장치의 하부 기판인 어레이 기판은, 포토공정 중 박막을 증착하고 마스크를 이용하여 노광하는 노광공정을 여러 번 반복하기 때문에, 노광공정에 따른 CD(Critical Dimension) 편차가 발생되어 어레이 기판 상에서 얼룩으로 보이게 되는 문제점이 빈번히 발생한다.
이하 도면을 참조하여, 일반적인 액정표시장치용 어레이 기판을 제조하는 과정에서, 노광기에서 반사되는 빛의 단차에 의해 얼룩이 발생하는 것을 설명한다.
도 1은 일반적인 액정표시장치 어레이 기판의 노광공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 노광기는 기판(10)을 고정하는 척(20)과, 기판(10) 상부에 형성되는 포토레지스트(13)과, 척(20) 상부로 기판(10)에 조사되는 빛과, 척(20)과 빛 사이에 위치하는 마스크(30)로 구성된다.
이때, 척(20)은 기판(10)을 상/하로 옮기는 핀(22)과, 상기 핀(22)의 이동경로가 되는 핀홀(24)과, 기판(10)을 진공으로 흡착하는 진공홀(26)과, 기판을 지지하는 지지대(28)를 포함한다.
이와 같은 구성에 따른 노광공정은 기판(10) 상부에 금속(미도시)과 유기물(미도시) 및 무기물(미도시)를 증착하고 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트(13)에 빛을 노광하여 현상함으로 다수의 패턴(미도시)를 형성한다.
그런데, 기판(10) 상부로 조사되는 빛은 화소전극(미도시)과 같이 빛이 투과되는 층과, 척의 진공홀(26)과, 핀홀(24)에서 반사되는 반사율이 각각 다르기 때문에 조사되는 빛의 에너지 변화가 일어나 사용자가 원하는 대로 노광되지 않고, 얼룩과 같은 문제가 발생하여 미세한 패턴을 형성하기 어렵다.
좀 더 상세하게 설명하면, 기판(10) 상부에 조사되는 빛은 기판(10) 상부의 투명 도전층(13)에서 제1 반사율에 의해 반사되는 제1 반사(A)와, 척(20)에서 제2 반사율에 의해 반사되는 제2 반사(B)와, 척(20)의 진공홀(26)에서 제3 반사율에 의해 반사되는 제3 반사(C)로 나뉜다.
이에 따라, 기판(10) 상부에 조사되는 빛의 에너지 변화로 인해 사용자가 원하는 대로 노광되지 않고, 기판(10) 상부에서 얼룩으로 보이게 되는 문제가 발생하여 미세한 패턴을 형성하기 어렵다.
그리고, 얼룩은 화소 전극과 공통 전극간의 CD(Critical Dimension) 편차를 유발한다.
전극간의 CD 편차는 액정 표시 장치의 구동 중 화소 전극과 공통 전극 사이의 필드(fileld) 차이를 발생시켜 휘도가 불균일해지는 문제가 발생한다.
본 발명에서는 위와 같이 투명한 금속층과, 노광기 척의 반사율 때문에 얼룩이 발생하여 미세패턴을 형성하기 어려운 문제와, 얼룩으로 인해 발생하는 전극간의 CD 편차로 인해 휘도가 불균일해지는 문제를 해결하고자 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 영상표시장치의 제조방법에 있어서, 기판 하부에 무기막층을 형성하는 단계와; 상기 기판 상부에 박막트랜지스터 및 패드를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상부에 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 기판 하부의 무기막층을 패터닝하여 베젤패턴을 형성하는 단계를 포함하는 영상표시장치의 제조방법을 제공한다.
이때, 상기 무기막층을 형성하는 단계는 실란(SiH4) 중 어느 하나를 포함하는 무기물질을 암모니아(NH3) 가스, 인화수소(PH3) 가스, 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스 중 하나 이상을 반응가스로 하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 반응가스는, 상기 실란(SiH4)과 상기 암모니아(NH3) 가스의 혼합비를 1:2로 하고, 상기 실란(SiH4)과 상기 질소(N2) 가스의 혼합비를 1:2로 한다.
그리고, 상기 반응가스는, 상기 실란(SiH4)과 상기 암모니아(NH3) 가스의 혼합비를 1:4로 하고, 상기 실란(SiH4)과 상기 질소(N2) 가스의 혼합비를 1:4로 한다.
그리고, 상기 반응가스는, 상기 실란(SiH4)과 상기 인화수소(PH3) 가스의 혼합비를 1:2이고 상기 실란(SiH4)과 상기 암모니아(NH3) 가스의 혼합비를 1:2로 하고, 상기 실란(SiH4)과 상기 질소(N2) 가스의 혼합비를 1:2로 한다.
그리고, 상기 베젤패턴을 형성하는 단계는, 상기 무기막층을 상기 표시영역을 노출하도록 패터닝하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 기판 상부에 공통전극과, 액정층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
그리고, 상기 기판 상부에 구동 박막트랜지스터와, 스토리지 캐패시터와, 유기발광 다이오드를 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명은 영상표시장치의 기판 하부에, 무기막을 증착함으로써, 노광기 척에서 발생하는 반사를 방지하는 효과가 있다.
그리고, 무기막 증착 시 가스혼합비율을 변경하여 무기막의 색상을 변경하고, 노광공정이 완료된 기판 하부의 무기막을 패터닝하여 베젤부 미감을 향상시키는 효과가 있다.
그리고, 액정표시장치의 베젤부를 축소할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 액정표시장치를 노광공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치 어레이 기판을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치 어레이 기판의 노광공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a 내지 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 단계별로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치 어레이 기판을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치 어레이 기판의 노광공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a 내지 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 단계별로 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 영상표시장치에 대해 자세히 설명한다.
이하, 설명하는 본 발명 일 실시예에 따른 액정표시장치는, 다른 실시예에서 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 유기발광 다이오드 디스플레이장치(Organic Light Emitting Diode Display device) 중 어느 하나를 포함하는 영상표시장치로 변경될 수 있으며, 동일한 효과를 가질 수 있다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판(110) 상부에는, 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(T)가 형성되며, 박막 트랜지스터(T) 상부에는 각 화소 영역(P)에 화소 전극(152)이 형성된다.
도시하지 않았지만, 어레이 기판(110)은 상부 또는 하부에 광원을 포함하는 백라이트 유닛(back light unit)과 컬러필터(color filter) 기판이 부착되어 화상을 표시할 수 있다.
이때, 화상이 표시되는 영역을 표시영역이라 하며, 표시영역은 비표시영역으로 둘러싸여 있다.
한편, 박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(115)과, 게이트 전극(115) 상부의 게이트 절연막(120), 액티브층(123), 액티브층(123) 상부에 서로 이격된 소스 전극(125)과 드레인 전극(126), 보호막(130)으로 형성된다.
그리고, 보호막(130) 상부로 평탄화막(140)이 형성되고, 평탄화막(140) 상부에는 화소전극(150)이 형성된다.
이때, 화소 전극(150)과 박막 트랜지스터(T)는 드레인 콘택홀(127)을 통해 전기적으로 접촉한다.
그리고, 화소 전극(150) 은, 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO), 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO) 또는 투명산화전도막(TCO) 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속 중 하나로 형성될 수 있다.
한편, 어레이 기판(110)의 패드부(pad)에는, 어레이 기판(110) 일단으로 게이트 전극(115)과 동일층에 동일 물질로 형성되는 패드 하부 전극(116)과, 패드 하부 전극(116) 상부로 패드 콘택홀(129)를 통해 패드 하부 전극(116)과 전기적으로 접촉하는 패드 상부 전극(151)이 형성된다.
이때, 화소영역(P) 및 패드부(pad)의 외각으로 화소영역(P)을 감싸는 베젤부(B)에는 어레이 기판(110) 하부로 베젤패턴(212)이 형성된다.
이와 같은 베젤패턴(212)는 실란(SiH4), 무기막으로 형성된다.
이때, 베젤패턴(212)은 형성 시 암모니아(NH3) 가스, 인화수소(PH3) 가스, 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스 중 하나를 반응가스로 사용하며, 반응가스의 혼합비에 따라 다양한 색상으로 형성될 수 있다. 반응가스에 대한 설명은 추후에 다시 설명하도록 하겠다.
이와 같이 액정표시장치의 하부에 다양한 색상의 무기막으로 베젤패턴(212)을 형성하면, 베젤부(B)의 미감을 향상시킬 수 있다.
또한, 패드부(pad)에 부착되는 구동회로(미도시)가 배면으로 젖혀지지 않고, 액정표시장치의 상부에 위치하는 액정표시장치에 있어서, 베젤패턴(212)을 형성함으로 인해 다른 공정을 거치지 않고 베젤부(B)를 효과적으로 가릴 수 있는 장점이 있다.
그리고, 비표시영역 일면에는 다수의 게이트 집적회로가 본딩되어 부착되고, 게이트 집적회로와 수직방향으로 비표시영역의 다른 일면에 데이터 집적회로가 본딩되어 부착된다.
이때, 게이트 집적회로는 내부에 구동회로가 실장된 인쇄회로기판과 전기적으로 연결되는데, 인쇄회로기판은 게이트 집적회로 및 데이터 집적회로에 제어신호 및 데이터 신호를 인가한다.
이와 같은 인쇄회로기판은 패드부(pad)에 부착되어 어레이 기판(110) 상부에 위치한다.
따라서, 인쇄회로기판이 액정표시장치 배면으로 젖혀지는 종래의 액정표시장치에 비해 베젤부(B)를 축소할 수 있는 효과가 있다.
이와 같은 본 발명의 액정표시장치용 어레이 기판은 대면적에 다수개가 동시에 형성된다.
그리고, 어레이 기판의 제조 과정에서 다수의 증착 공정과, 포토 공정, 식각 공정을 거치게 되는데, 포토 공정은 세부적으로 감광막 도포, 노광, 현상 및 식각 단계를 거쳐 진행된다.
이때, 베젤패턴(212)을 이루는 무기막이 노광단계에서 어레이 기판(110)에 노광되는 빛을 흡수할 수 있다.
이하 노광 공정을 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치 어레이 기판의 노광공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 노광기는 하부에 무기막층(112)이 형성된 어레이 기판(110)을 고정하는 척(120)과, 어레이 기판(110) 상부에 형성되는 포토레지스트(113)과, 척(120) 상부로 어레이 기판(110)에 조사되는 빛과, 척(120)과 빛 사이에 위치하는 마스크(130)로 구성된다.
이때, 척(120)은 어레이 기판(110)을 상/하로 옮기는 핀(122)과, 상기 핀(122)의 이동경로가 되는 핀홀(124)과, 어레이 기판(110)을 진공으로 흡착하는 진공홀(126)과, 어레이 기판을 지지하는 지지대(128)를 포함한다.
이때, 어레이 기판(110) 하부의 무기막층(112)이 척(120)과 마주보며 위치한다.
한편, 무기막층(112)은 수소 또는 질소와 결합된 실리콘을 함유하는 무기물질로 형성되며, 예를들어, 실란(SiH4)암모니아(NH3) 가스, 인화수소(PH3) 가스, 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스 중 하나를 포함 하는 가스 플라즈마(plasma) 처리 또는 가스 분위기에서 열처리를 통해 형성된다.
이때, 가스의 혼합 비에 따라 무기막층(112)의 색이 달라진다. 암모니아(NH3) 가스와 질소(N2) 가스의 비율이 증가할수록 노란색에서 금색으로 색상이 변하고, 인화수소(PH3) 가스의 비율이 증가하면 보라색으로 변한다.
예를들어, 암모니아(NH3) 가스와 질소(N2) 가스를 혼합하여 사용하는 경우, 실란(SiH4)과 암모니아(NH3) 가스의 혼합비가 1:2이고, 실란(SiH4)과 질소(N2) 가스의 혼합비가 1:2이면 무기막층(112)은 노란색으로 형성된다.
그리고, 실란(SiH4)과 암모니아(NH3) 가스의 혼합비가 1:4이고, 실란(SiH4)과 질소(N2) 가스의 혼합비가 1:4이면 무기막층(112)은 금색으로 형성된다.
또한, 인화수소(PH3) 가스와, 암모니아(NH3) 가스 및 질소(N2) 가스를 혼합하여 사용하는 경우, 실란(SiH4)과 인화수소(PH3) 가스의 혼합비가 1:2이고, 실란(SiH4)과 암모니아(NH3) 가스의 혼합비가 1:2이고, 실란(SiH4)과 질소(N2) 가스의 혼합비가 1:2이면 무기막층(112)은 보라색으로 형성된다.
이와 같이 무기막층(112)의 색상은 반응가스와, 반응가스의 혼합비율에 의해 다양하게 변경될 수 있다.
이하 전술한 노광공정을 이용한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법을 도면을 참조하여 설명한다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법을 단계별로 도시한 도면이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 어레이 기판(110) 하부에 무기막층(112)을 형성한다.
이때, 무기막층(112)은 수소 또는 질소와 결합된 실리콘을 함유하는 무기물질로 형성되며, 예를들어, 실란(SiH4)그 다음 도 4b에 도시한 바와 같이, 어레이 기판(110) 상부의 화소영역(P)에 게이트 전극(115)과, 게이트 전극(115) 상부의 게이트 절연막(120), 액티브층(123), 액티브층(123) 상부에 서로 이격된 소스 전극(125)과 드레인 전극(126), 보호막(130)을 포함하는 박막트랜지스터(T)와, 박막트랜지스터(T) 상부에 드레인 콘택홀(127)을 통해 박막트랜지스터(T)와 전기적으로 접촉하는 화소 전극(152)이 형성된다.
그리고, 어레이 기판(110)의 패드부(pad)에는, 어레이 기판(110) 일단으로 게이트 전극과 동일층에 동일 물질로 형성된 패드 하부 전극(116)과, 패드 하부 전극(116) 상부로 패드 콘택홀(129)를 통해 패드 하부 전극(116)과 전기적으로 접촉하는 패드 상부 전극(151)이 형성된다.
이때, 박막트랜지스터(T) 및 패드부(pad)는 포토공정을 통해 형성되며, 다수의 증착 공정과, 포토 공정, 식각 공정으로 형성된다.
그리고, 포토 공정은 세부적으로 감광막 도포, 노광, 현상 및 식각 단계를 거쳐 진행된다.
이와 같은, 포토공정을 진행할 때, 어레이 기판(110) 상부에 (미도시)과 유기물(미도시) 및 무기물(미도시)를 증착하고 포토레지스트(미도시)를 도포한다.
그리고, 어레이 기판(110)을 노광기(도 3의 120) 상부에 위치시키고, 상부의 마스크(도 3의 130)를 통해 노광되는 빛으로 포토레지스트를 노광하여 현상함으로 박막트랜지스터(T) 및 패드부(pad)를 형성한다.
이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치 상부에서 노광되는 빛은 어레이 기판(110) 하부에 위치한 무기막층(112)에서 흡수되어 빛의 반사를 방지할 수 있다.
따라서, 한편, 도시하지 않았지만, 기판 상부로 공통전극과 액정층을 형성하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판을 완성할 수 있다.
그리고, 도 4c에 도시한 바와 같이, 박막트랜지스터(T) 및 패드부(pad)가 형성된 어레이 기판(110)을 뒤집어 어레이 기판(110) 하부에 형성된 무기막층(112)를 패터닝 하여 베젤패턴(212)을 형성한다.
이와 같이, 베젤패턴(212)을 형성하면, 어레이 기판(110)에서 비표시영역을 베젤패턴(212)으로 가릴 수 있다.
따라서, 어레이 기판(110) 하부에 다양한 색상의 무기막으로 베젤패턴(212)을 형성하면, 베젤부(B)의 미감을 향상시킬 수 있다.
그리고, 도시하지 않았지만 어레이 기판(110)은 상부 또는 하부에 광원을 포함하는 백라이트 유닛(back light unit)과 컬러필터(color filter) 기판이 부착되어 화상을 표시할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는, 어레이 기판 하부에, 무기막층을 증착함으로써, 노광기 척에서 발생하는 반사를 방지하는 효과가 있다.
그리고, 무기막층 증착 시 가스혼합비율을 변경하여 무기막층의 색상을 다양한 색상으로 형성하면, 노광공정이 완료된 기판 하부의 무기막을 패터닝하여 형성되는 베젤패턴으로 인해 베젤부의 미감이 향상되는 효과가 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110 : 어레이 기판 112 : 무기막층
115 : 게이트 전극 116 : 패드하부전극
120 : 게이트 절연막 123 : 액티브층
125 : 소스전극 126 : 드레인 전극
130 : 보호막 140 : 평탄화막
150 : 화소전극 151 : 패드상부전극
115 : 게이트 전극 116 : 패드하부전극
120 : 게이트 절연막 123 : 액티브층
125 : 소스전극 126 : 드레인 전극
130 : 보호막 140 : 평탄화막
150 : 화소전극 151 : 패드상부전극
Claims (9)
- 표시영역과, 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 영상표시장치의 제조방법에 있어서,
어레이 기판 하부에 무기막층을 형성하는 단계와;
상기 어레이 기판 상부에 박막트랜지스터 및 패드를 형성하는 단계와;
상기 박막트랜지스터 상부에 화소전극을 형성하는 단계와;
상기 어레이 기판 하부의 무기막층을 패터닝하여 베젤패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 베젤패턴을 형성하는 단계에서, 상기 무기막층은 상기 표시영역을 노출하도록 패터닝되고 상기 베젤패턴은 화소영역 및 패드부 외각의 베젤부에 형성되는 것을 특징으로 하는 영상표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 무기막층을 형성하는 단계는 실란(SiH4)인 무기물질과 암모니아(NH3) 가스, 인화수소(PH3) 가스, 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스 중 하나 이상인 반응가스를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 영상표시장치의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 반응가스는, 상기 실란(SiH4)과 상기 암모니아(NH3) 가스의 혼합비를 1:2로 하고, 상기 실란(SiH4)과 상기 질소(N2) 가스의 혼합비를 1:2로 하는 영상표시장치의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 반응가스는, 상기 실란(SiH4)과 상기 암모니아(NH3) 가스의 혼합비를 1:4로 하고, 상기 실란(SiH4)과 상기 질소(N2) 가스의 혼합비를 1:4로 하는 영상표시장치의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 반응가스는, 상기 실란(SiH4)과 상기 인화수소(PH3) 가스의 혼합비를 1:2이고 상기 실란(SiH4)과 상기 암모니아(NH3) 가스의 혼합비를 1:2로 하고, 상기 실란(SiH4)과 상기 질소(N2) 가스의 혼합비를 1:2로 하는 영상표시장치의 제조방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 어레이 기판 상부에 공통전극과, 액정층을 형성하는 단계를 더 포함하는 영상표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 어레이 기판 상부에 구동 박막트랜지스터와, 스토리지 캐패시터와, 유기발광 다이오드를 형성하는 단계를 더 포함하는 영상표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
컬러필터 기판을 상기 어레이 기판과 부착하는 단계를 더 포함하는 영상표시장치의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130144883A KR102162884B1 (ko) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 영상표시장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130144883A KR102162884B1 (ko) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 영상표시장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150061175A KR20150061175A (ko) | 2015-06-04 |
KR102162884B1 true KR102162884B1 (ko) | 2020-10-08 |
Family
ID=53499215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130144883A KR102162884B1 (ko) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 영상표시장치의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102162884B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102465384B1 (ko) * | 2015-07-23 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006243580A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 液晶マスク、露光装置及び電気光学装置の製造方法 |
JP2008083581A (ja) | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 表示媒体、書込装置、及び書込方法 |
KR101037089B1 (ko) | 2009-05-27 | 2011-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
JP2013142727A (ja) | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Arisawa Mfg Co Ltd | 光学フィルム製造装置、光学フィルムの製造方法、および光学フィルム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020008799A1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-24 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display unit |
JP2000056323A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002148659A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
KR20080068240A (ko) * | 2007-01-18 | 2008-07-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
KR101663563B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2016-10-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
KR101898118B1 (ko) * | 2011-11-24 | 2018-09-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
-
2013
- 2013-11-26 KR KR1020130144883A patent/KR102162884B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006243580A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 液晶マスク、露光装置及び電気光学装置の製造方法 |
JP2008083581A (ja) | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 表示媒体、書込装置、及び書込方法 |
KR101037089B1 (ko) | 2009-05-27 | 2011-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
JP2013142727A (ja) | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Arisawa Mfg Co Ltd | 光学フィルム製造装置、光学フィルムの製造方法、および光学フィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150061175A (ko) | 2015-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11237421B2 (en) | Display device | |
US9570473B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and display device | |
JP5302460B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
US20210223654A1 (en) | Array substrate, method for manufacturing the same, and display apparatus | |
US9240149B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
US8120028B2 (en) | Active device array substrate, color filter substrate and manufacturing methods thereof | |
WO2017012164A1 (zh) | Boa型液晶显示面板及其制作方法 | |
US20080123044A1 (en) | Method for fabricating a liquid crystal display device and an LCD device thereby | |
US9274388B2 (en) | Array substrate having common electrode driving interface pattern with slits, and manufacturing method thereof, and liquid crystal display | |
US9564459B2 (en) | Liquid crystal display panel and method for manufacturing liquid crystal display panel | |
CN103091912A (zh) | 阵列基板与具有该阵列基板的液晶面板及其制造方法 | |
CN107367875B (zh) | 显示装置 | |
KR102299630B1 (ko) | Tft 기판의 제조 방법 및 그 구조 | |
JP2004198845A (ja) | 液晶表示セルおよび液晶ディスプレイ | |
KR102162884B1 (ko) | 영상표시장치의 제조방법 | |
US8263447B2 (en) | Pixel structure and manufacturing method thereof and display panel | |
US20070097282A1 (en) | Thin film multilayer substrate, manufacturing method thereof, and liquid crystal display having thin film multilayer substrate | |
KR101674208B1 (ko) | 배선 형성 방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 | |
KR101887931B1 (ko) | 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법 | |
US10497725B2 (en) | Method of producing display panel board | |
CN106292109B (zh) | 阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置 | |
KR100569262B1 (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
JP4615358B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
KR102508235B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
KR101192048B1 (ko) | 액정표시장치의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |