KR102161763B1 - 초점 거리 조절을 포함하는 광학 모듈 및 광학 모듈의 제조 - Google Patents

초점 거리 조절을 포함하는 광학 모듈 및 광학 모듈의 제조 Download PDF

Info

Publication number
KR102161763B1
KR102161763B1 KR1020157014452A KR20157014452A KR102161763B1 KR 102161763 B1 KR102161763 B1 KR 102161763B1 KR 1020157014452 A KR1020157014452 A KR 1020157014452A KR 20157014452 A KR20157014452 A KR 20157014452A KR 102161763 B1 KR102161763 B1 KR 102161763B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
optical
lens
lens systems
systems
Prior art date
Application number
KR1020157014452A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150082416A (ko
Inventor
스테판 하임가트너
빌 케투넨
니콜라 스프링
알렉산더 비에트쉬
마리오 세사나
하르트무트 루드만
주카 알라시르니오
로버트 레나트
Original Assignee
헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 filed Critical 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드
Publication of KR20150082416A publication Critical patent/KR20150082416A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102161763B1 publication Critical patent/KR102161763B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0025—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
    • B29D11/00278—Lenticular sheets
    • B29D11/00307—Producing lens wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
    • B29D11/00403—Producing compound lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • H04N5/2254—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Abstract

광학 디바이스들의 제조는 복수의 개별화된 렌즈 시스템을 기판 위에 탑재하는 것, 렌즈 시스템들에 대해 각각의 초점 거리 교정들을 제공하기 위해 렌즈 시스템들 중 적어도 일부 아래의 기판의 두께를 조절하는 것, 및 후속적으로 기판을 복수의 광학 모듈로 분리하는 것을 포함할 수 있고, 광학 모듈들 각각은 기판의 일부 위에 탑재된 렌즈 시스템들 중 하나를 포함한다. 기판의 두께를 조절하는 것은 렌즈 시스템들의 초점 거리들의 변동들을 보정하기 위해, 렌즈 시스템들의 적어도 일부 아래에 각각의 홀들을 형성하도록 기판을 미세가공하는 것, 또는 렌즈 시스템들의 적어도 일부 아래에 하나 이상의 층을 추가하는 것을 포함할 수 있다.

Description

초점 거리 조절을 포함하는 광학 모듈 및 광학 모듈의 제조{OPTICAL MODULES INCLUDING FOCAL LENGTH ADJUSTMENT AND FABRICATION OF THE OPTICAL MODULES}
본 개시는 카메라들과 다른 디바이스들을 위한 광학 모듈들에 관한 것이다. 본 개시는 또한 웨이퍼-규모 제조 단계들을 이용하여 그러한 모듈들을 제조하는 방법들에 관한 것이다.
디바이스들, 특히 광학 디바이스들의 제조 동안, 예를 들어, 공정 단계들 중 하나 이상에서 다소의 불가피한 변동들 또는 부정확성들 때문에, 제조 불규칙성들 또는 제조 편차들이 발생할 수 있다. 예를 들어, 광학 디바이스가 하나 이상의 렌즈 소자를 포함할 때, 웨이퍼(광학 웨이퍼라고 지칭됨) 상의 다수의 그러한 렌즈 소자들은 동일한 공칭 초점 거리를 가짐에도 불구하고 일반적으로 약간 변화하는 초점 거리들을 가질 것이다. 어떤 경우들에서, 초점 거리는 플랜지 초점 거리(FFL)에 해당할 수 있고, 이것은 디바이스의 마지막 물리적 평면(즉, 센서에 가장 근접한 디바이스의 물리적 평면)과 디바이스의 렌즈 시스템의 초점 평면 사이의 거리를 지칭한다. 보다 일반적으로, 초점 거리는 임의의 초점 거리 파라미터(예를 들어, 유효 초점 거리(EFL))를 지칭할 수 있다. 어쨌든, 초점 거리들의 변동들은 이미지 센서 평면 밖에 놓이는 렌즈 시스템의 초점 평면을 야기할 수 있어서, 화질을 저하시킬 수 있다.
본 개시는 광학 디바이스들 및 광학 디바이스들의 제조 방법들을 기술한다. 렌즈 시스템들의 초점 거리들의 변동들을 보정하기 위해 렌즈 시스템들에 대한 초점 거리 조절들을 제공하는 다양한 접근법들이 기술된다.
예를 들어, 일 양태에서, 광학 디바이스들의 제조 방법은 복수의 개별화된 렌즈 시스템들을 기판 위에 탑재하는 단계, 상기 렌즈 시스템들에 대해 각각의 초점 거리 교정들을 제공하기 위해 상기 렌즈 시스템들 중 적어도 일부 아래의 상기 기판의 두께를 조절하는 단계, 및 후속적으로 상기 기판을 복수의 광학 모듈로 분리하는 단계 - 상기 광학 모듈들 각각은 상기 기판의 일부 위에 탑재된 렌즈 시스템들 중 하나를 포함한다. 어떤 구현들에서, 상기 기판의 두께를 조절하는 단계는, 상기 렌즈 시스템들의 초점 거리들의 변동들을 보정하기 위해 상기 렌즈 시스템들의 적어도 일부 아래에 각각의 홀들을 형성하기 위해 미세가공하는 단계를 포함할 수 있다. 어떤 구현들에서, 상기 기판의 두께를 조절하는 단계는, 상기 렌즈 시스템들의 초점 거리들의 변동들을 보정하기 위해 상기 렌즈 시스템들의 적어도 일부 아래에 하나 이상의 층을 추가하는 단계를 포함할 수 있다.
다른 양태에 있어서, 광학 디바이스들의 제조 방법은 복수의 개별적인 렌즈 스택들을 기판 위에 배치하는 단계, 상기 렌즈 스택들에 대한 초점 거리들을 조절하기 위해 상기 렌즈 스택들 중 하나 이상의 아래의 위치들에서 상기 기판을 미세가공하는 단계, 및 후속적으로 상기 기판을 복수의 광학 모듈로 다이싱하는 단계를 포함하고, 상기 광학 모듈들 각각은 상기 기판의 각각의 부분들 위에 상기 렌즈 스택들 중 하나 이상을 포함한다.
전술한 제조 기법들은 개별적인 렌즈 시스템들이 플랜지 초점 거리(FFL) 교정 기판 상에 탑재되기 전에 테스트되도록 허용하기 때문에, 어떤 구현들에서 유리할 수 있다. 이러한 테스팅은 특정 요건들을 충족시키는(예를 들어, 광학적 또는 다른 테스트들을 통과하는) 렌즈 스택들만이 후속의 제조 단계들에 사용되도록 선택되고 그리고 FFL 교정 기판 상에 탑재되는 것을 허용한다.
또 다른 양태들에 따르면, 광학 디바이스들의 제조 방법은 특정 파장 또는 파장들의 범위의 광에 실질적으로 투명한 물질로 구성된 기판의 제1 측(즉, 렌즈 스택 측)에 복수의 렌즈 시스템을 부착하는 단계, 상기 기판의 제2 측(즉, 센서 측) 상에 채널 FFL 교정 층을 제공하는 단계, 및 상기 렌즈 시스템들 중 적어도 일부에 대한 각각의 초점 거리 변동들을 조절하기 위해 상기 채널 FFL 교정 층의 선택된 부분들을 제거하는 단계를 포함한다. 어떤 구현들에서는, 초점 거리 변동들을 조절하기 위해 상기 채널 FFL 교정 층의 선택된 부분들을 제거하는 단계 대신에, 초점 거리 변동들을 교정하기 위해 필요한 경우 하나 이상의 채널 FFL 교정 층들이 제공된다.
다른 양태들에 따르면, 장치는 기판의 하나의 영역으로부터 다른 영역으로 변화하는 두께를 갖는 기판을 포함한다. 상기 장치는 상기 기판 위에 탑재된 복수의 개별화된 광학 시스템을 포함하고, 상기 광학 시스템들 각각은 상기 광학 시스템들 중 적어도 일부에 초점 거리 교정들을 제공하기 위해 상기 기판의 상이한 영역들 위에 배치된다. 상기 기판의 상이한 영역들의 두께들은 예를 들어, 렌즈 시스템들의 초점 거리들의 변동들을 교정하기 위해 제공될 수 있다.
다른 양태에 있어서, 광학 모듈은 특정 파장 또는 파장들의 범위의 광에 투명한 물질로 구성된 기판, 및 상기 기판의 제1 측 위에 부착된 복수의 렌즈 시스템을 포함하고, 각각의 상기 렌즈 시스템은, 상기 기판과 교차하고 상기 모듈 내의 각각의 광학 채널에 대응하는 각각의 광 축을 가진다. 상기 모듈은 상기 기판의 상이한 영역들 위에 배치되는 복수의 컬러 필터 층들을 포함하고, 각각의 상기 렌즈 시스템의 광 축은 각각의 상기 컬러 필터 층들과 교차한다. 상기 스페이서는 각각의 쌍의 상기 컬러 필터 층들 사이의 상기 기판 위에 배치되고, 특정 파장의 또는 파장들의 범위의 광에 대해 실질적으로 불투명하다. 불투명(예를 들어, 블랙) 코팅이 또한 상기 기판의 바닥 표면 상에 제공될 수 있다. 상기 모듈은 채널 FFL 교정 층을 포함하고, 상기 렌즈 시스템들 중 적어도 하나의 상기 광 축은 상기 채널 FFL 교정 층과 교차한다. 모듈 FFL 교정 층도 제공될 수 있다. 상기 기판의 제2 측 위에 이미지 센서가 부착된다.
다중 광학 채널을 포함하는 모듈뿐만 아니라 단일 채널 모듈들이 기술된다. 어떤 경우들에서, 필요에 따라, 다중 채널 모듈의 개별적인 채널들에 대한 FFL 교정을 제공하기 위해, FFL 교정 기판의 두께가 조절될 수 있고, 모듈에 대해 전체적으로 FFL 교정을 제공하기 위해 스페이서들이 추가될 수 있다. 모듈이 단일 광학 채널만을 포함하는 상황들에서, 스페이서들이 제공될 수 있고, 그들의 높이는 광학 채널들에 대한 바람직한 FFL 교정을 제공하기 위해 조절될 수 있다.
어떤 경우들에서, 개별화된 렌즈 시스템들을 FFL 교정 기판 상에 탑재하는 것 대신에, 다중 렌즈 스택들을 포함하는 광학/스페이서 스택이 FFL 교정 기판에 부착된다.
하기의 상세한 설명, 첨부 도면, 및 청구범위로부터 다른 양태들, 특징들, 및 장점들이 명백해질 것이다.
[도면의 간단한 설명]
도 1은 본 발명에 따른 방법의 흐름도이다.
도 2 내지 도 5는 제1 제조 공정에 따른 단계들을 도시한다.
도 6은 제1 제조 공정로부터 생성되는 광학 모듈의 예이다.
도 7 내지 도 9는 제2 제조 공정에 따른 단계들을 도시한다.
도 10 및 도 11은 FFL 교정 층상의 렌즈 스택 어레이들의 예들을 도시한다.
도 12 및 도 13은 다수의 FFL 교정 층들을 포함하는 FFL 교정 기판들의 예들을 도시한다.
도 14 및 도 15는 FFL 다층 기판들상의 렌즈 스택 어레이들의 예들을 도시한다.
도 16 및 도 17은 추가의 피처들을 갖는 FFL 교정 기판들의 예들을 도시한다.
도 18 내지 도 24, 도 24a 내지 도 24b, 도 25, 25a, 및 도 26 내지 도 29는 FFL 교정 구조체 상에 탑재된 렌즈 스택들의 어레이를 포함하는 센서 모듈을 만들기 위한 예시의 제조 공정들을 도시한다.
도 30 내지 도 32는 FFL 교정 구조체와 함께 렌즈 스택들의 어레이를 포함하는 모듈들의 다른 예들을 도시한다.
도 33은 본 발명에 따른 단일 채널 모듈의 예를 도시한다.
도 34는 단일 채널 모듈들을 제조하기 위한 웨이퍼-수준 기법을 도시한다.
도 35 내지 도 38은 다중 렌즈 스택들을 포함하는 광학/스페이서 스택을 형성하기 위한 웨이퍼-수준 기법을 도시한다.
도 1에 의해 나타내어진 바와 같이, 다중 광학 모듈들을 제조하는 방법은 웨이퍼-수준에서 다양한 단계들을 수행하는 것을 포함할 수 있고, 각각의 디바이스 내의 광학 소자들의 초점거리 변동들을 교정하거나 달리 조절하기 위한 피처들을 통합한다. 현재 정황에서, 웨이퍼는 예를 들어, 폴리머 물질(예를 들어, 열적으로 또는 UV로 경화 가능한 폴리머 등과 같은 경화 가능한 물질), 유리 물질, 반도체 물질, 또는 금속들과 폴리머들 또는 폴리머들과 유리 물질들을 포함하는 복합 물질로 구성될 수 있다. 일반적으로, 웨이퍼는 실질적으로 디스크 또는 플레이트 같은 형상의 아이템을 일컬으며, 그것의 일 방향(z-방향 또는 종 방향)에서의 치수가 그것의 다른 두 방향들(x- 및 y-방향 또는 횡 방향들)에서의 그것의 연장에 비해 작다. (블랭크가 아닌) 웨이퍼 상에 또는 웨이퍼 내에 예를 들어, 직사각형 그리드 상에 복수의 유사한 구조체 또는 아이템이 배치될 수 있거나 또는 제공될 수 있다. 웨이퍼는 개구들(즉, 구멍들)을 가질 수 있고, 웨이퍼는 심지어 그의 횡 방향 영역의 주된 부분에 재료가 없을 수 있다.
도 1에 의해 나타내어진 바와 같이, 다중 렌즈 스택들은 예를 들어 웨이퍼 수준 공정(블록 20)의 일부로서 제조될 수 있다. 렌즈 스택들은 다이싱 또는 다른 기법들을 이용하여 개별적인 렌즈 스택들로 서로 분리된다(블록 22). 그 후, 개별적인 렌즈 스택들의 일부 또는 모두가 FFL 교정 기판 상에 탑재(예를 들어, 부착)되고(블록 24), 이 교정 기판은 후술하는 바와 같이 하나 이상의 FFL 교정 층을 포함할 수 있다. 렌즈 스택들은 예를 들어, 접착제 또는 에폭시 수지 등과 같은 결합 재료를 이용하여 FFL 교정 기판 상에 탑재될 수 있다. 초점 거리 변동 교정 또는 조절의 일부로서, 각각의 렌즈 스택의 초점 거리가 개별적으로 측정될 수 있다. 렌즈 스택들의 초점 거리 변동들은 예를 들어, FFL 교정 기판을 미세가공함(micromachining)으로써 조절 또는 교정된다(블록 26). 미세가공 단계는 예를 들어, 밀링, 드릴링, 레이저 용발(laser ablation), 에칭 및/또는 포토리소그래피뿐만 아니라 다른 기법들을 포함할 수 있다. 그 후 다이싱 또는 몇몇 다른 공정에 의해 개별적인 렌즈 스택들이 분리될 수 있다(블록 28).
전술한 단계들 중 일부는 웨이퍼 수준에서 수행되지만, FFL 교정 기판 상에 개별적인 렌즈 스택들을 탑재하는 것(즉, 블록 24)은 개별적인(즉, 개별화된) 렌즈 스택들을 FFL 교정 기판 상에 배치함으로써 바람직하게 수행된다. 이러한 방법은 개별적인 렌즈 스택들이 FFL 교정 기판 상에 탑재되기 전에 테스트되도록 허용하기 때문에, 유리할 수 있다. 이러한 테스팅은 특정 요건들을 충족시키는(예를 들어, 광학적 또는 다른 테스트들을 통과하는) 렌즈 스택들만이 후속의 제조 단계들에 사용되도록 선택되고 그리고 FFL 교정 기판 상에 탑재되는 것을 허용한다. 그럼에도 불구하고, 한 개, 두 개, 또는 그보다 많은 렌즈 스택들이 FFL 교정 기판 상에 동시에 배치될 수 있다.
도 2 내지 도 5는 다중 광학 모듈들을 제조하기 위한 방법의 예를 도시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 스택을 형성하도록 다중 웨이퍼들을 부착시킴으로써 다중 렌즈 스택들(40)을 형성하기 위해 웨이퍼-수준 공정이 사용된다. 이 예에서, 각각의 렌즈 스택(40)은 서로 겹쳐서 수직적으로 배열된, 예컨대 플라스틱 렌즈들(42A 내지 42C 및 44A 내지 44C)과 같은 수동 광 부품들의 쌍들을 포함한다. 스페이서 웨이퍼들(48A, 48B)에 의해 서로 부착될 수 있는 광학 웨이퍼들(46A, 46B)의 각각의 표면들 상에 렌즈들을 형성하기 위해 복제 또는 다른 기법들이 사용될 수 있다. 렌즈들은 예를 들어, 굴절 및/또는 회절에 의해 광의 방향을 바꿀 수 있다. 따라서, 렌즈들은 일반적으로 볼록한 형상일 수 있거나, 또는 다르게 예를 들어, 대략적으로 또는 부분적으로 오목하게 성형될 수 있다. 렌즈들(42A 내지 42C 및 44A 내지 44C) 각각은 공칭 초점 거리를 가질 수 있다; 예를 들어, 렌즈들(42A 내지 42C)은 동일한 제1 공칭 초점 거리를 가질 수 있고, 렌즈들(44A 내지 44C)은 동일한 제2 공칭 초점 거리를 가질 수 있어서, 각각의 렌즈 스택에 대한 전체적인 초점 거리가 대략 동일할 수 있다. 그러나, 실제 응용들에서, 렌즈들의 초점 거리들은 그들 각각의 공칭 초점 거리들로부터 벗어날 수 있다(예를 들어, 제조 한계들의 결과로서).
예시된 예에서, 배플들(50)은 각각의 렌즈 스택(40)의 상부의 개구 주위에 제공된다. 배플들(50)은 바람직하지 않은 광이 특정 각도들에서 렌즈 스택(40)에 입사하거나 또는 그로부터 출사하는 것을 방지할 수 있다. 배플들(50)은 예를 들어, 특정 파장 또는 파장 범위의 광을 실질적으로 감쇄시키거나 또는 차단하는 물질로 구성될 수 있다.
도 2의 웨이퍼 스택은 그 후 개별적인 렌즈 스택들(40)로 다이싱되고, 그 예가 도 3에 도시된다. 그 후 개별적인 렌즈 스택들(40)이 테스트될 수 있고, 임의의 테스팅 요건들 또는 다른 규격들을 충족시키는 렌즈 스택들이 도 4에 도시된 바와 같이, FFL 교정 기판(52) 상에 탑재된다. 광학 채널들에 대한 광 축들은 파선들(41)에 의해 지시된다. FFL 교정 기판(52)은 예를 들어, (예를 들어, 특정 파장의 또는 특정 파장 범위 내의 광이 거의 또는 전혀 감쇄 없이 통과하게 해주는) 특정 성질들을 갖는 투명 물질(예를 들어, 유리)로 구성될 수 있다.
FFL 교정 기판(52) 상에 탑재된 각각의 렌즈 스택(40)의 초점 거리가 측정되고, 센서의 이미지 평면과 관련된 오프셋이 결정된다. 결과적인 측정들에 기초하여, FFL 교정 기판(52)은 각각의 렌즈 스택(40)에 대한 초점 거리 변동을 교정하기 위해 미세가공된다(필요하다면). 미세가공은 특정 렌즈 스택(40) 아래의 FFL 교정 기판(52)의 센서 측에 홀 또는 다른 개구(54)를 형성하는 것을 포함할 수 있다. 홀들(54)의 깊이는 다를 수 있고, 어떤 경우들에서는, 렌즈 스택들(40) 중 하나 이상에 대해 홀이 필요하지 않을 수 있다(예를 들어, 초점 거리에 대한 교정 또는 조절이 필요하지 않다면). 홀들은 에어 공간들을 제공하고, 이 에어 공간들은 결과적으로 렌즈 스택들에 대한 각각의 초점 거리 변동들을 조절한다. 기판(52)의 물질의 굴절률은 홀들(54) 내의 진공 또는 에어의 굴절률과 다르다(예를 들어, 그보다 더 큼). 따라서, 연관된 광학 부품들의 초점 거리의 각각의 공칭 초점 거리로부터의 편차에 의존하여 각각의 홀(54)의 깊이들을 조절함으로써, 편차들이 적어도 어느 정도는 보상될 수 있다. 홀들의 깊이들이 선택될 수 있어서, 예를 들어, 모든 렌즈 스택들의 결과적인 초점 거리들이 실질적으로 서로 동일할 수 있다. 대안적으로, FFL 교정 층은 여러 층들의 FFL 교정 층들이 이용될 때(도 26 및 도 27을 참조) 특히 도움이 될 수 있는 포토리소그래피 기법들에 의해 조절될 수 있다. 이것은 예를 들어, 렌즈들의 어레이를 포함하는 광학 디바이스들의 제조를 위해 특히 유용할 수 있다.
렌즈 스택들(40)을 FFL 교정 기판(52) 상에 탑재한 후, 후속되는 사용 동안 미광이 렌즈 스택에 입사하는 것을 방지하도록 돕는 불투명 벽들에 의해 각각의 렌즈 스택이 둘러싸이게 하기 위해, 인접 렌즈 스택들 사이의 갭들이 불투명 물질(56)(예를 들어, 블랙 에폭시)로 충전(또는 부분적으로 충전)될 수 있다. 그 후 FFL 교정 기판(52)(및 불투명 물질(56)(존재한다면))은 FFL 교정을 갖는 렌즈 스택(40)을 각각이 포함하는 개별적인 광학 모듈들을 형성하기 위해, 다이싱되거나 또는 달리 분리된다. 그러한 광학 모듈(60)의 예가 도 6에 도시된다.
도 2 내지 도 6의 예에서, 각각의 렌즈 스택(40)은 서로 수직적으로 정렬된 렌즈들의 어레이를 포함한다. 다른 구현들에서, 렌즈 스택은 상이한 개수의 렌즈들, 상이한 타입들의 렌즈들, 또는 상이한 구성들의 렌즈들을 포함할 수 있다. 그러므로, 렌즈 스택(40)은 광학 모듈(60)에 통합될 수 있는 렌즈 시스템의 예이다. 렌즈 시스템은 하나 이상의 렌즈들 또는 다른 수동적인 광학 소자들을 포함할 수 있고, 이것들은 포커싱될 수 있거나 또는 포커싱되지 않을 수 있다.
도 2 내지 도 6의 예에서, 개별적인 렌즈 스택들을 제공하기 위해 후속적으로 다이싱되는 웨이퍼 스택을 형성하기 위해 다중 기판 웨이퍼들을 서로의 위에 적층시키는 것을 포함하는 웨이퍼-수준 공정을 이용하여 렌즈 스택들(40)이 제조된다. 다른 구현들에서, 렌즈 스택들은 주입 몰딩 기법을 이용하여 만들어질 수 있다. 예를 들어, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 주입 몰딩에 의해 만들어진 하나 이상의 플라스틱 렌즈(70, 72)가 렌즈 경통 또는 다른 렌즈 홀더(74)에 도입되어 렌즈 시스템을, 이 경우에는 렌즈 스택(80)을 형성한다. 렌즈 경통(74)은 예를 들어, 열가소성 물질(예를 들어, 충전제들을 가진 폴리카보네이트, 또는 유리 섬유들을 가진 액정 폴리머) 등과 같은 불투명 물질로 형성될 수 있고, 광의 입사 또는 출사를 허용하기 위해 그의 상단에 개구(76)를 포함한다.
그 후 렌즈 스택들(80)은 도 4와 관련하여 전술한 것과 유사한 방식으로 FFL 교정 기판(52) 상에 탑재될 수 있다(즉, 개별적으로 개별화된 렌즈 스택들(80)이 FFL 교정 기판(52) 상에 탑재된다). FFL 교정 기판(52) 상에 탑재된 각각의 렌즈 스택(80)의 초점 거리가 측정되고, 결과적인 측정들에 기초하여, FFL 교정 기판(52)이 각각의 렌즈 스택(80)에 대한 초점 거리 변동을 조절하기 위해 미세가공된다(필요하다면). 도 5와 관련하여 전술한 바와 같이, 미세가공은 특정 렌즈 스택(80) 아래에 FFL 교정 기판(52)의 센서-측 표면에 홀(54)을 형성하는 것을 포함할 수 있다(도 9를 참조). 홀들(54)의 깊이는 다를 수 있고, 어떤 경우들에서는, 렌즈 스택들(80) 중 하나 이상에 대해 홀이 필요하지 않을 수 있다(예를 들어, 초점 거리에 대한 교정 또는 조절이 필요하지 않다면). 그 후 FFL 교정 기판(52)은 FFL이 교정된 렌즈 스택(80)을 각각이 포함하는 개별적인 광학 모듈들을 형성하기 위해 다이싱될 수 있거나 또는 달리 분리될 수 있다.
전술한 예시된 예들에서, 각각의 모듈은 단일 렌즈 스택을 포함한다. 그러나, 다른 구현들에서, 각각의 모듈은 두 개 이상의 렌즈 스택을 포함할 수 있다. 어떤 경우들에서, 각각의 모듈은 렌즈 스택들의 어레이를 포함한다(예를 들어, 2x2 어레이, 3x3 어레이, 4x4 어레이, 또는 MxN 어레이, 여기서 M과 N은 서로 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 양의 정수들임). 그러한 구현들에서, 렌즈 스택들의 MxN 어레이들은 예를 들어, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, FFL 교정 기판(52)에 부착될 수 있다. 도 10은, 예를 들어, 웨이퍼-수준 기법으로 제조되었던 렌즈 스택들(40)의 MxN 어레이들을 도시하는 반면에, 도 11은 주입 몰딩 기법에 의해 형성된 렌즈 스택들(40)의 MxN 어레이들을 도시한다. FFL 교정 층(52)을 다이싱한 후, 각각의 모듈은 나란히 정렬된 다중 렌즈 스택들을 포함할 것이다.
FFL 교정 기판(52)은 도 5 및 도 9의 예들에서와 같이 단일 층으로 구성될 수 있다. 그러나, 다른 구현들에서, FFL 교정 기판(52)은 결과적인 광학 모듈들에 대한 바람직한 광학적 속성들에 의존하여 상이한 물질들의 다중 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 12는 FFL 교정 기판이 바닥 층(52A)과 최상 층(52B)으로 구성된 예를 도시한다. 도시된 예에서, FFL 교정을 위한 홀들은 바닥 층(52A)에 형성된다. 도 13은 FFL 교정 층이 바닥 층(52C), 중간 층(52D), 및 최상 층(52E)을 포함하는 예를 도시한다. 도시된 예에서, FFL 교정을 위한 홀들(54)이 바닥 층(52C)에 형성된다. 다양한 FFL 층들이 예를 들어, 유리 물질들 및/또는 폴리머 물질들로 구성될 수 있다. 렌즈 스택들의 MxN 어레이들은 또한 다층 FFL 교정 기판들 상에 탑재될 수 있다. 예들이 도 14 및 도 15에 도시되고, 이들은 상이한 물질들의 다중 층들(52A, 52B)로 구성된 FFL 교정 기판(52) 상의 렌즈 스택들(40)의 MxN 어레이들을 각각 도시한다. 어떤 구현들에서, FFL 교정 기판은 두 개 초과의 상이한 층들로 구성될 수 있다.
어떤 구현들에서, 결과적인 광학 모듈들에 대한 바람직한 광학적 특성들을 얻기 위해 하나 이상의 컬러 필터들 및/또는 적외선(IR) 필터들이 FFL 교정 기판(52) 상에 제공될 수 있다. 컬러 필터들은 예를 들어, 단색의 적색, 녹색, 및 청색 컬러 필터들, 또는 베이어 패턴 필터들(Bayer pattern filters)을 포함할 수 있다. 또한, 어떤 구현들에서, IR 필터들 또는 중성 밀도 필터들이 제공될 수 있다. 예가 도 16에 도시되며, 이것은 FFL 교정 기판(52)의 렌즈 스택 측 상의 IR 필터 층(90)과, IR 필터 층 상의 컬러 필터들(92)을 포함한다. 컬러 필터들은 각각의 렌즈 스택들(예를 들어, 렌즈 스택들(40 또는 80))에 대한 광학 채널들에 해당하는 위치들에 배치된다. 따라서, 렌즈 스택(40)(또는 80)은 예를 들어, 컬러 필터들(92) 각각 상에 또는 위에 탑재될 수 있다.
또한, 어떤 구현들에서, 각각의 광학 모듈은 다중 렌즈 스택들을 포함한다. 예를 들어, 제1 렌즈 스택에는 발광 소자(예를 들어, LED)가 정렬되어 있을 수 있고, 제2 렌즈 스택에는 광 검출 소자(예를 들어, 포토다이오드)가 정렬되어 있을 수 있다. 그러한 경우에, FFL 교정 기판(52) 상의 컬러 필터들(92)은 서로 상이한 광학 특성을 가질 수 있고, 교차 채널 미광 감소 피처가 두 개의 채널 사이에 제공될 수 있다. 도 16에 도시된 바와 같이, 교차 채널 미광 감소는 블랙 코팅 층(94) 위의 블랙 스페이서(96)에 의해 구현될 수 있다. 어떤 구현들에서, 블랙 스페이서(96)는 FFL 교정 기판(52) 또는 IR 필터 층(90)에 직접 도포된다(즉, 블랙 코팅 층(94) 없이). 블랙 스페이서(96)와 블랙 코팅 층(94)은 소정의 파장 범위(예를 들어, 스펙트럼의 가시 부분, 스펙트럼의 IR 부분, 및/또는 스펙트럼의 UV 부분)에 걸친 광에 실질적으로 불투명하다. 적합한 코팅 기법들은 예를 들어, 스핀 코팅, 분무, 및 스퍼터링을 포함한다. 그러한 코팅 기법들은 블랙 코팅 층(94), IR 필터 층(90), 및/또는 컬러 필터 코팅(92)을 제공하기 위해 이용될 수 있다. 다중 렌즈 스택들(40)(또는 80)은 단일 FFL 교정 기판(52) 상에 탑재될 수 있고, 이 교정 기판은 그 후 각각의 초점 거리 변동들을 조절하기 위해 미세가공될 수 있다. 그 후 FFL 교정 기판(52)은, 각각의 모듈이 단지 단일 렌즈 스택보다는 오히려 한 쌍의 렌즈 스택들을 포함하도록 적절한 위치들에서 다이싱될 수 있다.
어떤 구현들에서, 블랙 (즉, 불투명성) 코팅은 FFL 교정 기판의 바닥 (즉, 센서-측) 표면에, FFL 교정 층들 중 하나 이상의 바닥 표면에, 그리고/또는 인접한 FFL 교정 층들 사이에 부가될 수 있다. 도 17은 IR 필터(90), 컬러 필터들(92), 및 FFL 교정 기판(52)의 렌즈 스택 측 상의 교차 채널 미광 감소를 위한 블랙 코팅 층(94) 상의 블랙 스페이서(96)를 갖는 유리 FFL 교정 기판(52)의 예를 도시한다. 기판(52)의 센서 측은 채널 FFL 교정 층(100)과 모듈 FFL 교정 층(102)을 포함한다. 채널 FFL 교정 층(100)은 두 개의 채널(즉, C1 및 C2)에 대해 상이한 FFL 교정 또는 조절을 제공할 수 있다. 모듈 FFL 교정 층(102)은 모든 광학 채널들에 동등하게 적용되는 추가적 FFL 교정 또는 다른 조절을 제공할 수 있다. 블랙 코팅 층들(104)은 광학 모듈에서 미광을 감소시키는 것을 돕기 위해 제공될 수 있다. 블랙 코팅 층들(104) 및/또는 채널 FFL 교정 층(100)을 제공하기 위해 코팅 기법들(예를 들어, 스핀 코팅, 분무, 및 스퍼터링)이 이용될 수 있다. 특정 구현에서, FFL 교정 층들의 두께는 대략 다음과 같다: FFL 교정 기판(52) 400㎛, FFL 교정 층(100) 25㎛, 및 FFL 교정 층(102) 150㎛.
도 18 내지 도 29는 도 17의 것들과 유사한 다양한 특징들을 갖는 FFL 교정 구조체 상에 탑재된 렌즈 스택들의 어레이를 포함하는 센서 모듈을 만들기 위한 예시적인 제조 공정을 도시한다. 도 18에 도시된 바와 같이, 유리 또는 다른 기판(202)은 제1 FFL 교정 기판으로서 역할을 한다. 수직 파선들(204)은 광학 채널들에 대한 광 축들의 위치들을 지시한다. IR 필터 층(206)은 기판(202)의 렌즈 스택 측(즉, 렌즈 스택들이 탑재될 측) 상에 코팅될 수 있다. 도 19에 도시된 바와 같이, FFL 기판(202)의 전체 센서 측(즉, 센서가 부착될 측)은 블랙 코팅(208)(즉, 그것의 표면에 부딪히는 광의 모든 또는 상당한 양을 흡수하는, 또는 특정 파장 또는 파장들의 범위에 대해 실질적으로 불투명한 물질)으로 코팅된다. 코팅(208)은 미광에 의해 유발된 광학적 크로스-토크 또는 간섭을 감소시키는 것을 도울 수 있다. 도 20에 도시된 바와 같이 광학 채널들의 부근에 개구들(210)을 제공하기 위해 코팅(208)의 일부들을 제거하도록 포토리소그래피 기법들이 이용될 수 있다.
도 21에 도시된 바와 같이, FFL 기판(202)의 렌즈 스택 측은 제1 컬러 필터 층(212)으로 코팅된다. 다음에, 제1 컬러 필터 층(212)의 일부들이 채널 개구부들(210) 중 선택된 것들 위의 영역들을 제외하고(도 22를 참조), 예를 들어, 포토리소그래피 기법들에 의해 제거된다. 전술한 단계들이 제2 컬러 필터 층(214)에 대해 반복되어, 도 23에 도시된 바와 같이, 각각의 채널 개구(210)가 제1 또는 제2 컬러 필터 층들(212, 214) 중 하나에 의해 덮어진다. 도시된 예에서, 채널 개구들(210) 위의 영역들은 제1 컬러 필터 층(212) 또는 제2 컬러 필터 층(214)에 의해 교대로 덮어진다. 제1 및 제2 컬러 필터 층들은 선택된 파장들 또는 파장 범위들(예를 들어, 적색, 녹색, 또는 청색)이 통과하게 해준다. 어떤 구현들에서, 두 개 초과의 상이한 컬러 필터들이 도포된다. 예를 들어, 어떤 경우들에서는, 적색, 녹색, 및 청색 채널들을 획득하기 위해 세 개의 컬러 필터들이 도포된다.
도 24에 도시된 바와 같이, 블랙 스페이서들(216)(즉, 그들의 표면에 부딪히는 광의 모든 또는 상당한 양을 흡수하는, 또는 특정 파장의 또는 파장들의 범위의 모든 광에 대해 실질적으로 불투명한 물질로 구성됨)은 인접 컬러 필터들(212, 214)의 쌍들 사이의 FFL 기판(202)의 렌즈 스택 측에 제공된다. 예를 들어 진공 주입 기법들에 의해 형성될 수 있는 블랙 스페이서들(216)은 교차 채널 미광을 감소시키는 것을 도울 수 있다. 이 경우에, FFL 교정 웨이퍼는 진공 척 상에 배치될 수 있고, 스페이서 섹션들을 가진 PDMS 도구가 FFL 교정 웨이퍼와 접촉하게 된다. 진공이 적용되고, FFL 교정 웨이퍼 상에 스페이서들을 형성하기 위해 불투명성의, 경화가능한 에폭시 물질이 그 도구 내에 주입된다. 에폭시 물질은 UV 복사를 인가함으로써 경화될 수 있다. 대안적으로, 엠보싱 기법들이 블랙 스페이서들(216)을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 어떤 구현들에서, 부가적인 블랙 스페이서들(216A)이 컬러 필터(212, 214)의 측들에 제공될 수 있어서, 블랙 스페이서들(216A)이 도 24a 및 도 24b에 도시된 바와 같이 격자-유사 방식으로 컬러 필터들을 둘러싼다. 블랙 스페이서들(216)의 크기와 위치는 FFL 기판(202) 상에 배치될 가로놓이는 렌즈 스택들의 치수들에 의존할 수 있다.
도 25에 도시된 바와 같이, 개별적인 렌즈 스택들 또는 렌즈 스택들의 MxN 어레이들(218)이 FFL 기판(202)의 렌즈 스택 측 위에 부착된다. IR 필터 층(206)이 존재하지 않는다면, MxN 어레이들(218)은 FFL 기판(202)의 렌즈 스택 측에 직접 부착될 수 있다. 달리, MxN 어레이들(218)은 IR 필터 층(206)의 상부 표면에 부착될 수 있다. 블랙 스페이서들(216)이 도 24a에서와 같이 컬러 필터들을 둘러싼다면, 렌즈 스택은 도 25a에 도시된 바와 같이 블랙 스페이서들(216) 상에 직접 탑재될 수 있다.
다음에, MxN 어레이들(218) 내의 각각의 렌즈 스택에 대해 FFL이 측정된다. 그 후 채널 FFL 교정 층(220)이 도 26에 도시된 바와 같이, FFL 기판(202)의 센서 측에 부착 또는 도포된다(예를 들어, 스핀 코팅, 분무, 또는 스퍼터링 등과 같은 코팅 기법들에 의해). 채널 FFL 층(220)은 예를 들어, 유리 물질 및/또는 폴리머 물질로 구성될 수 있다. 각각의 렌즈 스택에 대한 FFL 측정에 기초하여, 렌즈 스택들에 대한 바람직한 FFL 값들을 달성하기 위해, 다양한 렌즈 스택들 아래의 채널 FFL 교정 층(220)의 일부들을 제거하도록 포토리소그래피 기법들이 이용된다. 렌즈 스택들이 상이한 FFL 값들을 가질 수 있기 때문에, 다양한 렌즈 스택들에 대한 교정된 FFL 값들을 달성하기 위해 채널 FFL 교정 층(220)의 상이한 양들이 필요할 수 있다(도 27을 참조). 어떤 렌즈 스택들에 대해, FFL 교정이 필요하지 않을 수 있으며, 이 경우에 채널 FFL 교정 층(220)이 그 특정 렌즈 스택들 아래의 영역들에서 완전히 제거될 수 있다. 다른 경우들에서, 채널 FFL 교정 층(220)의 일부는 특정 렌즈 스택 아래의 영역에서 제거될 수 있다. 또 다른 경우들에서, 특정 렌즈 스택 아래에서 채널 FFL 교정 층(220)의 어떤 부분도 제거되지 않을 수 있다. 그러므로, 구현에 따라서, 채널 FFL 교정 층(220)은 렌즈 시스템 모두에 대해 또는 렌즈 시스템들의 단지 일부에 대해서만 존재할 수 있다. 또한, 최종 채널 FFL 교정 층(220)의 두께는 각각의 렌즈 시스템에 대해 필요한 FFL 교정의 양에 따라서, 렌즈 시스템마다 변화할 수 있다.
다음에, 도 28에 도시된 바와 같이, 예를 들어, FFL 기판(202)의 센서 측에(예를 들어, 블랙 코팅(208)의 하부 표면에) 스페이서들(222)이 부착될 수 있고, 스페이서들은 모듈의 안정성을 증가시킬 수 있다. 어떤 구현들에서, 스페이서들(222)은 진공 주입 기법으로 제공된다. 스페이서들(222)은 모듈 FFL 교정 층으로서 역할을 할 수 있다. 스페이서들(222)의 높이는 FFL 변동을 보상하기 위해 각각의 모듈(예를 들어, 렌즈 스택들의 2x2 어레이 각각)에 대해 개별적으로 조절될 수 있다. 예를 들어, 미세가공 기법들을 이용하여, 그러한 조절들이 수행될 수 있다. 예를 들어, 다이싱 라인들(224)을 따라 다이싱함으로써, 개별적인 모듈들이 분리될 수 있다.
그 후 이미지 센서(226)는 도 29에 도시된 바와 같이, 스페이서들(222)의 하부 측에 부착될 수 있다. 이미지 센서(226)는 예를 들어, 모듈 내에 상이한 광학 채널들(204)과 각각 정렬된 다중 발광 및/또는 광 감지 소자들을 포함할 수 있다. 상기의 각각의 렌즈 시스템은 렌즈 시스템들 중 특별한 하나의 광 축(204)과 실질적으로 정렬되는, 그리고 광이 모듈에 입사 또는 그로부터 출사하게 허용하는 각각의 개구(228)이다. 전술한 기법들은 FFL 교정 구조체를 이용하여 유효한 바람직한 값들을 얻기 위해 조절되는 FFL 값들을 갖는 하나 이상의 렌즈 스택들을 갖는 모듈들을 제공할 수 있다.
어떤 구현들에서, 도 18 내지 도 29의 다양한 단계들이 상이한 순서로 수행될 수 있다. 예를 들어, 블랙 코팅(208)을 도포하기 전에 컬러 필터들(212, 214) 및 블랙 스페이서들(216)을 처리하는 것이 가능하다. 렌즈 스택들이 FFL 교정 기판에 부착되기 전에 렌즈 스택들의 FFL을 개별적으로 측정하고, 렌즈 스택을 부착하지 않고 (예를 들어, 도 26, 도 27, 도 28, 도 30, 또는 도 31에서와 같은) 후속 공정 단계들을 진행하는 것도 또한 가능하다. 어떤 경우들에서, 단계들 중 일부는 생략될 수 있거나 또는 부가적인 단계들이 추가될 수 있다. 구현에 따라서는, 코팅들(206, 208, 212, 214)이 채널 FFL 교정 층(220) 또는 FFL 교정 기판(202)의 렌즈 측 또는 센서 측에 도포될 수 있다.
특정 렌즈 스택에 대해 요구되는 FFL 보상의 양에 의존하여, 다중 채널 FFL 교정 층들(220A, 220B)이 제공될 수 있다. 예가 도 30에 도시되며, 이것은 렌즈 스택들 중 일부에 대한 제1 채널 FFL 교정 층의 사용, 및 렌즈 스택들 중 다른 것들에 대한 제1 및 제2 채널 FFL 교정 층들(220A, 220B)의 사용을 도시한다.
채널 FFL 교정 층(220)의 일부들을 제거하기 위해 포토리소그래피 기법들을 이용하는 것(도 26 및 도 27과 관련된 상기의 설명을 참조) 대신에, 미세가공 기법들이 채널 FFL 교정 층(220)의 일부들을 제거하기 위해 이용될 수 있다(도 31을 참조). 그러한 경우에, 모듈들을 위한 FFL 교정 스페이서들(222)은 블랙 코팅(208)에 부착되는 것 대신에 채널 FFL 교정 층(220)에 부착될 수 있다(도 31을 참조).
전술한 예들에서, 채널 FFL 교정 층(220)은 FFL 교정 기판(202)의 센서 측에(즉, 이미지 센서 측에) 부착된다. 어떤 구현들에서, 채널 FFL 교정 층(220)은 FFL 교정 기판(202)의 렌즈 스택 측에 부착될 수 있다. 예를 들어, 도 32에 도시된 바와 같이, 채널 FFL 교정 층(220)은 FFL 교정을 필요로 하는 그 렌즈 스택들에 대한 특정 광학 채널들 내의 컬러 필터 층들(212, 214) 위에 제공될 수 있다. 채널 FFL 교정 층(220)이 예를 들어, 렌즈 스택들을 탑재하기 전에 추가될 수 있다. 채널 FFL 교정 층(220)을 형성하기 위해 포토리소그래피 기법들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 렌즈 스택들이 상대적으로 균일한 그리고 재생 가능한 FFL 변동을 나타낸다면, 그러한 기법들이 특히 유용할 수 있다.
다중 광학 채널들을 포함하는 모듈들에 대해 도 28과 관련하여 전술한 바와 같이, 필요에 따라, 개별적인 채널들에 대한 FFL 교정을 제공하기 위해 FFL 교정 층들(220)이 추가될 수 있고, 모듈에 대해 전체적으로 FFL 교정을 제공하기 위해 스페이서들(222)이 추가될 수 있다. 모듈이 (다중 채널들이 아니라) 단지 하나의 광학 채널만을 포함하는 상황들에서, 스페이서들은 투명한 기판(202)에 부착될 수 있고, 그들의 높이는 광학 채널에 대한 바람직한 FFL 교정을 제공하기 위해 조절될 수 있다. 모듈이 단일 광학 채널만을 포함하기 때문에, 별도의 FFL 교정 층들(220)을 포함할 필요가 없다. 그러한 모듈의 예는 도 33에 도시되며, 이것은 제1 스페이서(216A)를 경유하여 투명 커버(202)에 부착된 렌즈 스택(40)을 도시한다. 투명 커버(202)의 센서 측은 광 검출 소자(예를 들어, 포토다이오드)(240)를 포함하는 이미지 센서(238)에, 제2 스페이서(222)를 경유하여 부착된다. 이것 및 전술한 다른 구현들에서, 스페이서들(216A, 222)은 예를 들어, 링 형상으로 형성될 수 있고, 예를 들어, 진공 주입에 의해 형성될 수 있다. 이미지 센서(238)는 기판(242) 상에 탑재된다.
도 33의 단일 채널 모듈은 예를 들어, 웨이퍼-수준 기법을 이용하여 제조될 수 있다. 도 34에 도시된 바와 같이, 제1 스페이서들(352)은 투명한 웨이퍼(354)의 일 측에 부착되고, 제2 스페이서들(356)은 투명한 웨이퍼(404)의 제2 측에 부착된다. 스페이서들 웨이퍼들은 제1 및 제2 스페이서들(352, 356)을 제공하기 위해 이용될 수 있다. 어떤 구현들에서, 스페이서들(352, 356)은 진공 주입 기법에 의해 투명한 웨이퍼(354) 위에 형성된다. 투명한 웨이퍼(354)는 예를 들어, 유리 또는 폴리머 물질로 구성될 수 있는 반면에, 스페이서들(352, 356)은 예를 들어, 불투명 물질로 구성될 수 있다. 개별화된 주입 몰딩된 렌즈 스택들(40)은 제1 스페이서들(352)에 부착된다. 그 후 각각의 렌즈 스택(40)의 FFL이 측정되고, 필요하다면, 렌즈 스택(40)이 부착되는 스페이서들(356)의 높이가 광학 채널에 대해 FFL 교정을 제공하기 위해 조절될 수 있다. 스페이서들(356)의 높이는 예를 들어, 미세가공 또는 다른 기법들을 이용하여 조절될 수 있다. 그 후 기판 웨이퍼(예를 들어, 인쇄 회로 보드 웨이퍼)(358) 상에 탑재된 각각의 이미지 센서들(238)에 센서 측 스페이서 웨이퍼(356)가 부착된다. 결과적인 스택은 단일 채널 모듈들을 획득하기 위해 (예를 들어, 다이싱에 의해) 분리될 수 있다.
전술한 예들에서, 렌즈 스택들을 FFL 교정 기판 상에 탑재하는 것은 개별적인 (즉, 개별화된) 렌즈 스택들을 FFL 교정 기판 위에 배치함으로써 바람직하게 수행된다. 그러나, 어떤 구현들에서는, 개별화된 렌즈 스택들을 FFL 교정 기판 상에 배치하는 것 대신에, 각각이 다중 렌즈들(306)을 갖는 투명한 광학 웨이퍼들(304)의 스택(302)이 FFL 교정 기판(308) 위에 배치될 수 있다(도 35를 참조). 광학 웨이퍼들(304)의 스택(302)은 광학 웨이퍼들(304)을 서로로부터 분리시키고 FFL 교정 기판(308)으로부터 분리시키는 불투명 스페이서들(310A, 310B)을 포함할 수 있다.
스페이서/광학 스택(302)은 예를 들어, 열적으로 안정한 접착제를 이용하여 FFL 교정 기판(308)에 부착될 수 있다. 미광을 방지하기 위해, 트렌치들(312) 등과 같은 개구들이 렌즈 스택들 사이에 형성되고, 후속적으로 불투명한 물질로 채워진다(도 36을 참조). 트렌치들(312)은 양쪽 웨이퍼들(304)의 두께를 완전히 관통하여 연장되어야 하고, 바람직하게는 하위 스페이서들(310B) 내로 적어도 부분적으로 연장되어야 한다. 어떤 경우들에는, 트렌치들(312)이 FFL 교정 기판(308)의 상부 표면까지 연장될 수 있다. 트렌치들(312)은 예를 들어, 다이싱, 미세가공, 또는 레이저 절단 기법들에 의해 형성될 수 있다. 후술하는 바와 같이, 트렌치들(312)은 투명한 웨이퍼들(304)의 다양한 부분들의 측벽들 상에 불투명한 층을 제공하기 위해 불투명한 물질로 채워질 수 있다.
도 37에 도시된 바와 같이, 트렌치들(312)을 불투명한 물질(예를 들어, 카본 블랙을 갖는 에폭시)로 충전하는 것을 용이하게 하기 위해, 진공 주입 PDMS 도구(314)가 스페이서/광학 스택(302) 위에 배치된다. 진공 주입 도구(314)와 FFL 교정 기판(308) 사이에 진공을 적용하기 위해 스페이서/광학 스택(302) 아래 및 둘레에 진공 척(316)이 제공된다. 불투명한 물질이 진공 척(316) 내의 입구(318)에 주입될 수 있다. 진공 척(316)의 출구 근방의 진공 펌프(320)는 주입되는 불투명 물질의 흐름을 용이하게 한다. 불투명 물질의 예들은 카본 블랙(또는 다른 어두운 색소) 또는 무기물 충전제 또는 염료를 함유하는 UV 또는 열 경화성 에폭시들(또는 다른 폴리머들)을 포함한다. 어떤 구현들에서, 에폭시(또는 다른 폴리머)에 다른 첨가제가 내포된다.
진공에서 불투명한 물질로 트렌치들(312)을 충전한 후에, (예를 들어, UV 또는 열 경화에 의해) 그 물질이 경화되고, 도구(314)가 스페이서/광학 스택(302)으로부터 제거된다. 도 38에 도시된 바와 같이, 결과로서, 불투명 영역들(322)(예를 들어, 카본 블랙을 갖는 에폭시)이 투명한 광학 웨이퍼들(304)의 인접 부분들 사이에 형성된다. 불투명 영역들(322)의 상부는 투명한 광학 웨이퍼들(304)의 다양한 부분들의 외측 표면과 실질적으로 같은 높이일 수 있고, 스페이서들(310A, 310B)과 동일한 불투명 물질 또는 상이한 불투명 물질로 구성될 수 있다. 어떤 구현들에서, 불투명 물질로 구성되는 배플 웨이퍼가 광학/스페이서 스택(302) 위에 부착된다. 다른 구현들에서, 배플 웨이퍼는 생략될 수 있다.
불투명 영역들(322)을 형성하고 진공 주입 도구(314)를 제거한 후, FFL 교정 기판(308)이 전술한 바와 같이 처리될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 광학 디바이스들의 제조 방법은 투명한 FFL 교정 기판 위에, 복수의 렌즈 시스템을 포함하는 광학/스페이서 스택을 부착하는 것을 포함할 수 있다. 어떤 경우들에서, 렌즈 시스템들을 서로로부터 분리시키는 트렌치들 등과 같은 개구들이 광학/스페이서 스택의 일부들을 통해 형성되고, 그 후 개구들은 불투명 물질로 충전된다. 렌즈 시스템들에 대한 각각의 초점 거리 교정들을 제공하기 위해 적어도 렌즈 시스템들의 일부 아래에서 기판의 두께가 조절될 수 있다. 기판의 두께를 조절하는 것은 렌즈 시스템들의 초점 거리들의 변동들을 교정하기 위해, FFL 교정 기판의 선택된 부분들을 제거하는 것, 또는 렌즈 시스템들 중 적어도 일부 아래에 하나 이상의 층을 추가하는 것을 포함할 수 있다. 후속적으로, FFL 교정 기판은 복수의 광학 모듈들로 분리될 수 있고, 이 광학 모듈들 각각은 FFL 교정 기판의 일부 위에 탑재된 하나 이상의 렌즈 시스템을 포함한다. 렌즈들이 형성되는 투명한 기판들의 측면들을 포함한, 결과적인 모듈들의 측면들은 불투명한 물질로 덮어지고, 이것은 모듈들에의 미광의 입사를 감소시키는 것을 도울 수 있다.
다른 구현들이 다음의 청구항들의 범위 내에 포함된다.

Claims (56)

  1. 광학 디바이스들의 제조 방법으로서,
    복수의 개별화된 렌즈 시스템을 기판 위에 탑재하는 단계;
    상기 렌즈 시스템들에 대해 각각의 초점 거리 교정들을 제공하기 위해 상기 렌즈 시스템들 중 적어도 일부 아래의 상기 기판의 두께를 조절하는 단계 - 상기 렌즈 시스템들 중 적어도 일부 아래의 상기 기판의 두께를 조절하는 단계는 상기 렌즈 시스템들의 초점 거리들에서의 변동들에 대해 보정하기 위해 상기 기판의 선택된 부분들을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 기판의 두께를 조절하는 단계는, 상기 렌즈 시스템들의 초점 거리들에서의 변동들에 대해 보정하기 위해 상기 렌즈 시스템들의 적어도 일부 아래에 하나 이상의 층을 추가하는 단계를 더 포함함 - ; 및
    후속적으로 상기 기판을 복수의 광학 모듈로 분리하는 단계
    를 포함하고,
    상기 광학 모듈들 각각은 상기 기판의 일부 위에 탑재된 상기 렌즈 시스템들 중 하나를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 두께를 조절하는 단계는, 상기 렌즈 시스템들의 초점 거리들의 변동들에 대해 보정하기 위해 미세가공을 이용하여 상기 렌즈 시스템들의 적어도 일부 아래에 각각의 홀들을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈 시스템들 각각은 렌즈 스택을 포함하는, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상이한 물질들의 복수의 층을 포함하는, 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판의 두께를 조절하는 단계는, 상기 렌즈 시스템들로부터 가장 멀리 떨어져 있는 상기 기판의 층에 각각의 홀들을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    웨이퍼-수준 공정에서 상기 렌즈 시스템들을 제조하는 단계, 및 상기 개별화된 렌즈 시스템들을 상기 기판 상에 탑재하기 전에 웨이퍼-스택을 분리하여 상기 복수의 개별화된 렌즈 시스템을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    각각의 렌즈 시스템이 불투명 벽들에 의해 둘러싸이도록 인접 렌즈 시스템들 사이의 갭들을 불투명 물질로 적어도 부분적으로 충전하는 단계를 포함하는, 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 미리 정해진 파장 또는 파장들의 범위의 광에 대해 실질적으로 투명한 물질로 구성되는, 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판은 하나 이상의 유리 또는 폴리머 물질로 구성되는, 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 표면은 하나 이상의 광학 필터 층을 포함하고, 상기 방법은 상기 하나 이상의 광학 필터가 배치되는 위치들에 상기 렌즈 시스템들을 탑재하는 단계를 포함하는, 방법.
  11. 광학 디바이스들의 제조 방법으로서,
    복수의 개별적인 렌즈 스택을 기판 위에 배치하는 단계,
    상기 렌즈 스택들 중 적어도 일부에 대한 초점 거리들을 조절하기 위해 상기 렌즈 스택들 중 하나 이상의 렌즈 스택의 아래의 위치들에서 상기 기판을 미세가공하는 단계,
    상기 렌즈 스택들의 적어도 일부에 대한 초점 거리들을 더 조절하기 위해 상기 렌즈 스택들 중 하나 이상의 렌즈 스택의 아래의 위치들에서 상기 기판에 하나 이상의 층을 추가하는 단계, 및
    후속적으로 상기 기판을 복수의 광학 모듈로 다이싱하는 단계
    를 포함하고,
    상기 광학 모듈들 각각은 상기 기판의 각각의 부분들 상에 상기 렌즈 스택들 중 하나 이상을 포함하는, 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 렌즈 스택들 중 인접 렌즈 스택들 사이의 상기 기판 상에 교차 채널 미광 감소 소자를 제공하는 단계, 및
    상기 기판을 복수의 광학 모듈로 다이싱하는 단계
    를 포함하고,
    상기 광학 모듈들 각각은 상기 교차 채널 미광 감소 소자에 의해 분리된 상기 렌즈 스택들 중 두 개를 포함하는, 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 교차 채널 미광 감소 소자는 블랙 코팅 층 상의 블랙 스페이서를 포함하는, 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 기판의 표면은 하나 이상의 광학 필터 층을 포함하고, 상기 방법은 상기 하나 이상의 광학 필터 상에 상기 렌즈 스택들을 탑재하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 하나 이상의 광학 필터는 컬러 필터를 포함하는, 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 하나 이상의 광학 필터는 적외선 필터를 포함하는, 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 기판을 복수의 광학 모듈로 다이싱하는 단계를 포함하고, 상기 광학 모듈들 각각은 상이한 광학 특성들을 갖는 필터 상에 각각 탑재되는 상기 렌즈 스택들 중 두 개를 포함하는, 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 기판을 복수의 광학 모듈로 다이싱하는 단계를 포함하고, 상기 광학 모듈들 각각은 상기 렌즈 스택들 중 두 개를 포함하고, 상기 모듈 내의 상기 렌즈 스택들 각각의 아래에서 상기 기판의 미세가공량이 서로 상이한, 방법.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 기판은 상이한 물질들의 복수의 층을 포함하는, 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 기판의 바닥 표면에, 상기 기판의 상기 층들 중 하나 이상의 층의 바닥 표면에, 그리고/또는 상기 기판의 인접 층들 사이에 블랙 코팅을 제공하는 단계를 포함하는, 방법.
  21. 장치로서,
    기판의 하나의 영역으로부터 다른 영역까지 변화하는 두께를 갖는 기판 - 상기 두께 변동은 상기 기판의 선택된 부분들을 제거하기 위해 상기 기판 상의 하나 이상의 위치들에서 상기 기판을 미세가공하는 것과, 상기 기판 상의 하나 이상의 위치들에서 상기 기판에 하나 이상의 층을 추가하는 것의 조합에 의해 생성됨 - ; 및
    상기 기판 위에 탑재된 복수의 개별화된 광학 시스템
    을 포함하고,
    상기 광학 시스템들 각각은 상기 광학 시스템들 중 적어도 일부에 초점 거리 교정들을 제공하기 위해 상기 기판의 상이한 영역들 위에 배치되는, 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 기판 위에 탑재된 모든 광학 시스템들의 교정된 초점 거리들은 실질적으로 서로 동일한, 장치.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 광학 시스템들 각각은 렌즈 스택을 포함하는, 장치.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 기판은 상이한 물질들의 복수의 층을 포함하는, 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 기판의 제1 표면 상에, 상기 기판의 상기 층들 중 하나 이상의 층의 표면 상에, 그리고/또는 상기 기판의 인접 층들 사이에 블랙 코팅을 포함하는, 장치.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 렌즈 스택들 중 인접 렌즈 스택들 사이의 상기 기판 상에 교차 채널 미광 감소 소자를 포함하는, 장치.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 교차 채널 미광 감소 소자는 블랙 코팅 층 상의 블랙 스페이서를 포함하는, 장치.
  28. 제26항에 있어서,
    서로 상이한 광학 특성들을 갖는 각각의 필터들 상에 인접 광학 모듈들이 탑재되는, 장치.
  29. 제21항에 있어서,
    상기 기판의 제2 표면은 하나 이상의 광학 필터 층을 포함하고, 상기 광학 시스템들은 상기 하나 이상의 광학 필터 상에 탑재되는, 장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 하나 이상의 광학 필터는 컬러 필터를 포함하는, 장치.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 하나 이상의 광학 필터는 적외선 필터를 포함하는, 장치.
  32. 광학 디바이스들의 제조 방법으로서,
    특정 파장 또는 파장들의 범위의 광에 대해 실질적으로 투명한 물질로 구성된 기판의 제1 측에 복수의 렌즈 시스템을 부착하는 단계,
    상기 기판의 제2 측 상에 채널 FFL 교정 층을 제공하는 단계,
    상기 렌즈 시스템들 중 적어도 일부에 대한 각각의 초점 거리 변동들을 조절하기 위해 상기 채널 FFL 교정 층의 선택된 부분들을 제거하는 단계;
    상기 기판의 제2 측에 스페이서들을 부착하는 단계, 및
    상기 렌즈 시스템들의 FFL 변동들을 보상하기 위해 상기 스페이서들 중 적어도 일부의 각각의 높이들을 조절하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 채널 FFL 교정 층의 상기 선택된 부분들이 포토리소그래피 기법에 의해 제거되는, 방법.
  34. 제32항에 있어서,
    상기 채널 FFL 교정 층의 상기 선택된 부분들이 미세가공에 의해 제거되는, 방법.
  35. 제32항에 있어서,
    각각의 렌즈 시스템에 대한 각각의 초점 거리를 측정하는 단계, 및
    상기 렌즈 시스템들에 대한 측정된 초점 거리들에 기초하여 상기 채널 FFL 교정 층의 상이한 위치들에서의 각각의 양들을 제거하는 단계
    를 더 포함하는, 방법.
  36. 제32항에 있어서,
    상기 기판을 다이싱하여 복수의 모듈을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 모듈 각각은 복수의 렌즈 스택을 포함하는, 방법.
  37. 제32항에 있어서,
    상기 기판을 다이싱하여 복수의 모듈을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 모듈 각각은 복수의 렌즈 스택을 포함하고, 각각의 렌즈 스택은 각각의 컬러 필터 층에 의해 교차되는 광 축을 갖는, 방법.
  38. 광학 모듈로서,
    특정 파장 또는 파장들의 범위의 광에 대해 투명한 물질로 구성된 기판,
    상기 기판의 제1 측 위에 부착된 복수의 렌즈 시스템 - 각각의 상기 렌즈 시스템은, 상기 기판과 교차하고 상기 모듈 내의 각각의 광학 채널에 대응하는 각각의 광 축을 가짐 -,
    복수의 광학 필터 - 상기 복수의 광학 필터 각각은 상기 광 축들 중 각각의 광축과 교차함 -,
    상기 기판 위에 배치된 스페이서 - 상기 스페이서는 특정 파장의 또는 파장들의 범위의 광에 대해 실질적으로 불투명함 -,
    채널 FFL 교정 층 - 상기 렌즈 시스템들 중 적어도 하나의 렌즈 시스템의 상기 광 축은 상기 채널 FFL 교정 층과 교차하고, 상기 각각의 광 축들에 의해 교차된 상기 채널 FFL 교정 층의 각각의 부분들은 서로 상이한 두께를 가짐 -,
    상기 기판의 제2 측 위에 부착된 이미지 센서, 및
    상기 기판의 상기 제2 측을 상기 이미지 센서로부터 분리하는 하나 이상의 스페이서 - 각각의 스페이서의 높이는 상기 하나 이상의 스페이서가 상기 각각의 모듈에 대해 모듈 FFL 교정 층으로서 기능하도록 선택됨 -
    를 포함하는, 광학 모듈.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 채널 FFL 교정 층은 유리 또는 폴리머 물질로 구성되는, 광학 모듈.
  40. 제38항에 있어서,
    상기 렌즈 시스템들 모두보다 적은 렌즈 시스템들의 상기 광 축들은 상기 채널 FFL 교정 층과 교차하는, 광학 모듈.
  41. 제38항에 있어서,
    복수의 상기 렌즈 시스템의 상기 광 축들은 상기 채널 FFL 교정 층과 교차하고, 상기 광 축들에 의해 교차되는 상기 채널 FFL 교정 층의 각각의 부분들은 서로 상이한 두께들을 갖는, 광학 모듈.
  42. 제38항에 있어서,
    상기 채널 FFL 교정 층은 상기 기판의 상기 제2 측 위에 배치되는, 광학 모듈.
  43. 제38항에 있어서,
    상기 채널 FFL 교정 층은 상기 기판의 상기 제1 측 위에 배치되는, 광학 모듈.
  44. 제38항에 있어서,
    상기 기판의 상기 제1 측 위의 IR 필터 층을 더 포함하는, 광학 모듈.
  45. 제44항에 있어서,
    복수의 컬러 필터 층이 상기 IR 필터 층 위에 배치되는, 광학 모듈.
  46. 제38항에 있어서,
    제1 컬러 필터 층 및 제2 컬러 필터 층을 포함하고, 상기 제1 컬러 필터 층 및 제2 컬러 필터 층 각각은 상이한 파장 또는 파장들의 범위가 투과하도록 허용하고, 상기 렌즈 시스템들 중 제1 렌즈 시스템의 상기 광 축은 상기 제1 컬러 필터 층과 교차하고, 상기 렌즈 시스템들 중 제2 렌즈 시스템의 상기 광 축은 상기 제2 컬러 필터 층과 교차하는, 광학 모듈.
  47. 제38항에 있어서,
    상기 기판의 상기 제2 측 상에 코팅을 더 포함하고, 상기 코팅은 상기 특정 파장 또는 파장들의 범위의 광에 대해 실질적으로 불투명하고, 한 쌍의 상기 광학 채널 사이에 배치되는, 광학 모듈.
  48. 광학 디바이스들의 제조 방법으로서,
    복수의 개별화된 렌즈 시스템을 기판 상에 탑재하는 단계,
    상기 렌즈 시스템들에 대한 각각의 초점 거리 조절들을 제공하기 위해 상기 렌즈 시스템들 중 적어도 일부 렌즈 시스템 아래의 상기 기판에 각각의 홀을 형성하는 단계,
    상기 렌즈 시스템들에 대한 각각의 초점 거리 조절들을 더 제공하기 위해 상기 렌즈 시스템들 중 적어도 일부 렌즈 시스템 아래에 하나 이상의 층을 추가하는 단계, 및
    후속적으로 상기 기판을 복수의 광학 모듈로 분리하는 단계
    를 포함하고,
    상기 광학 모듈들 각각은 상기 기판의 일부 상에 탑재된 상기 렌즈 시스템들 중 하나를 포함하는, 방법.
  49. 장치로서,
    표면들 중 제1 표면에 홀들을 갖는 기판,
    상기 기판의 상기 표면들 중 제2 표면에 탑재된 복수의 개별화된 광학 시스템 - 상기 제2 표면은 상기 기판의 상기 제1 표면에 대해 대향 측에 있고, 상기 광학 시스템들의 초점 거리들에 대한 조절들을 제공하기 위해 상기 광학 시스템들 각각은 상기 홀들 각각 위의 상기 기판의 영역들 상에 배치됨 - , 및
    상기 광학 시스템들의 초점 거리들에 대한 추가의 조절들을 제공하기 위해 상기 제1 표면 상에 배치되는 복수의 스페이서
    을 포함하는, 장치.
  50. 제38항에 있어서,
    상기 광학 필터들은 IR 필터를 포함하는, 광학 모듈.
  51. 제38항에 있어서,
    상기 복수의 광학 필터는 컬러 필터를 포ㄹ함하는, 광학 모듈.
  52. 제38항에 있어서,
    상기 복수의 광학 필터는 상이한 컬러들에 대한 복수의 컬러 필터를 포함하는, 광학 모듈.
  53. 제38항에 있어서,
    상기 복수의 광학 필터는 IR 필터들 및 컬러 필터들을 포함하는, 광학 모듈.
  54. 삭제
  55. 삭제
  56. 삭제
KR1020157014452A 2012-11-02 2013-10-31 초점 거리 조절을 포함하는 광학 모듈 및 광학 모듈의 제조 KR102161763B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261721747P 2012-11-02 2012-11-02
US61/721,747 2012-11-02
US201361772073P 2013-03-04 2013-03-04
US61/772,073 2013-03-04
PCT/SG2013/000470 WO2014070115A1 (en) 2012-11-02 2013-10-31 Optical modules including focal length adjustment and fabrication of the optical modules

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150082416A KR20150082416A (ko) 2015-07-15
KR102161763B1 true KR102161763B1 (ko) 2020-10-06

Family

ID=50622014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157014452A KR102161763B1 (ko) 2012-11-02 2013-10-31 초점 거리 조절을 포함하는 광학 모듈 및 광학 모듈의 제조

Country Status (8)

Country Link
US (3) US9595553B2 (ko)
EP (1) EP2914997B1 (ko)
JP (1) JP6507098B2 (ko)
KR (1) KR102161763B1 (ko)
CN (1) CN104781721B (ko)
SG (3) SG10201710450WA (ko)
TW (1) TWI629525B (ko)
WO (1) WO2014070115A1 (ko)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10298834B2 (en) 2006-12-01 2019-05-21 Google Llc Video refocusing
EP2850654B1 (en) * 2012-05-17 2016-10-26 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Assembly of wafer stacks
US9858649B2 (en) 2015-09-30 2018-01-02 Lytro, Inc. Depth-based image blurring
US10334151B2 (en) 2013-04-22 2019-06-25 Google Llc Phase detection autofocus using subaperture images
US9543354B2 (en) * 2013-07-30 2017-01-10 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules
WO2015126328A1 (en) 2014-02-18 2015-08-27 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
US20150244904A1 (en) * 2014-02-27 2015-08-27 Genius Electronic Optical Co., Ltd. Lens with combined barrel and holder
US20150281601A1 (en) * 2014-03-25 2015-10-01 INVIS Technologies Corporation Modular Packaging and Optical System for Multi-Aperture and Multi-Spectral Camera Core
KR102282827B1 (ko) * 2014-07-23 2021-07-28 에이엠에스 센서스 싱가포르 피티이. 리미티드. 수직 정렬 피처들을 포함하는 광 방출기 및 광 검출기 모듈들
US9711552B2 (en) * 2014-08-19 2017-07-18 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules having a silicon substrate, and fabrication methods for such modules
WO2016140855A1 (en) 2015-03-05 2016-09-09 Corning Optical Communications LLC A connector device for connecting at least one optical fiber end piece to an electric terminal
US9627559B2 (en) 2015-03-16 2017-04-18 Omnivision Technologies, Inc. Optical assemblies including dry adhesive layers and associated methods
US11328446B2 (en) 2015-04-15 2022-05-10 Google Llc Combining light-field data with active depth data for depth map generation
US10419737B2 (en) 2015-04-15 2019-09-17 Google Llc Data structures and delivery methods for expediting virtual reality playback
US10412373B2 (en) 2015-04-15 2019-09-10 Google Llc Image capture for virtual reality displays
US10540818B2 (en) 2015-04-15 2020-01-21 Google Llc Stereo image generation and interactive playback
US10565734B2 (en) 2015-04-15 2020-02-18 Google Llc Video capture, processing, calibration, computational fiber artifact removal, and light-field pipeline
US10469873B2 (en) 2015-04-15 2019-11-05 Google Llc Encoding and decoding virtual reality video
US10275898B1 (en) 2015-04-15 2019-04-30 Google Llc Wedge-based light-field video capture
US10341632B2 (en) 2015-04-15 2019-07-02 Google Llc. Spatial random access enabled video system with a three-dimensional viewing volume
US10567464B2 (en) 2015-04-15 2020-02-18 Google Llc Video compression with adaptive view-dependent lighting removal
US10440407B2 (en) 2017-05-09 2019-10-08 Google Llc Adaptive control for immersive experience delivery
US10546424B2 (en) 2015-04-15 2020-01-28 Google Llc Layered content delivery for virtual and augmented reality experiences
US10444931B2 (en) 2017-05-09 2019-10-15 Google Llc Vantage generation and interactive playback
US20160309065A1 (en) * 2015-04-15 2016-10-20 Lytro, Inc. Light guided image plane tiled arrays with dense fiber optic bundles for light-field and high resolution image acquisition
US10085005B2 (en) 2015-04-15 2018-09-25 Lytro, Inc. Capturing light-field volume image and video data using tiled light-field cameras
US9979909B2 (en) 2015-07-24 2018-05-22 Lytro, Inc. Automatic lens flare detection and correction for light-field images
JP6670565B2 (ja) * 2015-07-31 2020-03-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 積層レンズ構造体の製造方法及び型
US10475830B2 (en) * 2015-08-06 2019-11-12 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
US20170047362A1 (en) * 2015-08-13 2017-02-16 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic module with customizable spacers
CN108076671B (zh) * 2015-08-27 2022-04-22 赫普塔冈微光有限公司 包括直接粘附到衬底的间隔件的光学组件
CN105223756B (zh) * 2015-10-06 2018-03-09 瑞声光电科技(常州)有限公司 阵列式镜头模组
CN108700721B (zh) * 2015-11-12 2021-12-31 赫普塔冈微光有限公司 光学元件堆叠组件
CN109709747B (zh) * 2015-12-02 2021-08-10 宁波舜宇光电信息有限公司 采用分体式镜头的摄像模组及其组装方法
US10732376B2 (en) 2015-12-02 2020-08-04 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera lens module and manufacturing method thereof
WO2017123151A1 (en) * 2016-01-11 2017-07-20 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules having features for improved alignment and reduced tilt
US10353167B2 (en) * 2016-02-29 2019-07-16 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera lens module with one or more optical lens modules and manufacturing method thereof
US10466501B2 (en) 2016-05-26 2019-11-05 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic modules including an optical system tilted with respect to a focal plane
US10275892B2 (en) 2016-06-09 2019-04-30 Google Llc Multi-view scene segmentation and propagation
US10679361B2 (en) 2016-12-05 2020-06-09 Google Llc Multi-view rotoscope contour propagation
JP6976688B2 (ja) * 2017-01-26 2021-12-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 カメラモジュールおよびその製造方法、並びに電子機器
US10594945B2 (en) 2017-04-03 2020-03-17 Google Llc Generating dolly zoom effect using light field image data
US10474227B2 (en) 2017-05-09 2019-11-12 Google Llc Generation of virtual reality with 6 degrees of freedom from limited viewer data
US10354399B2 (en) 2017-05-25 2019-07-16 Google Llc Multi-view back-projection to a light-field
US10545215B2 (en) 2017-09-13 2020-01-28 Google Llc 4D camera tracking and optical stabilization
US10965862B2 (en) 2018-01-18 2021-03-30 Google Llc Multi-camera navigation interface
KR20200045737A (ko) 2018-10-23 2020-05-06 삼성전자주식회사 소형 분광 유닛 및 생체 신호 측정 장치
TWI722528B (zh) * 2019-08-08 2021-03-21 巴奇尼資本私人有限公司 光學模組及其製造方法與焊接光學模組於電路板的方法
CN112394426A (zh) * 2019-08-13 2021-02-23 巴奇尼资本私人有限公司 光学模组及其制造方法与焊接光学模组于电路板的方法
US11586099B2 (en) * 2020-09-21 2023-02-21 Aptiv Technologies Limited Automotive camera with integrated induction heater

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165823A1 (en) * 2001-02-09 2004-08-26 Morris James E. Compensation and/or variation of wafer level produced lenses and resultant structures
JP2010056170A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Sharp Corp 電子素子ウエハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040012698A1 (en) * 2001-03-05 2004-01-22 Yasuo Suda Image pickup model and image pickup device
JP2004096079A (ja) * 2002-07-11 2004-03-25 Sharp Corp 光電変換装置、画像読取装置および光電変換装置の製造方法
US7388714B2 (en) 2002-09-18 2008-06-17 Dmetrix, Inc. Independent focus compensation for a multi-axis imaging system
KR101227544B1 (ko) * 2004-01-26 2013-01-31 디지털옵틱스 코포레이션 이스트 서브 픽셀 해상도를 가진 박형 카메라
US8953087B2 (en) 2004-04-08 2015-02-10 Flir Systems Trading Belgium Bvba Camera system and associated methods
US8049806B2 (en) 2004-09-27 2011-11-01 Digitaloptics Corporation East Thin camera and associated methods
JP2006259657A (ja) * 2004-06-11 2006-09-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及びその製造方法、並びに電気光学装置を用いた電子機器
US20070001094A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Micron Technology, Inc. Infrared filter for imagers
US20070052050A1 (en) 2005-09-07 2007-03-08 Bart Dierickx Backside thinned image sensor with integrated lens stack
CN101600976B (zh) 2006-10-11 2011-11-09 珀莱特公司 紧凑型可调节透镜的设计
US7446385B2 (en) * 2007-03-02 2008-11-04 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating optical packages, systems comprising the same, and their uses
US7692256B2 (en) 2007-03-23 2010-04-06 Heptagon Oy Method of producing a wafer scale package
TWI484237B (zh) 2007-12-19 2015-05-11 Heptagon Micro Optics Pte Ltd 用於攝影裝置的光學模組、擋板基板、晶圓級封裝、及其製造方法
JP5293614B2 (ja) * 2008-02-20 2013-09-18 コニカミノルタ株式会社 撮像レンズ、撮像装置、携帯端末、および撮像レンズの製造方法
JP5009209B2 (ja) * 2008-03-21 2012-08-22 シャープ株式会社 ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器
US8300329B2 (en) 2008-03-31 2012-10-30 Konica Minolta Opto, Inc. Optical element assembly and method of manufacturing optical unit
WO2009125654A1 (ja) * 2008-04-08 2009-10-15 コニカミノルタオプト株式会社 レンズブロックの製造方法、レンズブロック、撮像レンズ、撮像装置及び携帯端末
EP2109143B1 (en) * 2008-04-09 2013-05-29 Sony Corporation Solid-state imaging device, production method thereof, and electronic device
US8237832B2 (en) * 2008-05-30 2012-08-07 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with focusing interconnections
WO2010002784A2 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 The University Of Utah Research Foundation Lens actuator
US7813043B2 (en) * 2008-08-15 2010-10-12 Ether Precision, Inc. Lens assembly and method of manufacture
WO2010074743A1 (en) 2008-12-22 2010-07-01 Tessera North America, Inc. Focus compensation for thin cameras
US8450821B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing combined spacer and optical lens element
US8184195B2 (en) * 2009-04-01 2012-05-22 Aptina Imaging Corporation Lens shielding structures for digital image sensors
TWI495919B (zh) 2009-10-20 2015-08-11 Flir Systems Trading Belgium Bvba 光學裝置及其生產方法
WO2011063347A2 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Pelican Imaging Corporation Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers
TWI404406B (zh) 2009-12-15 2013-08-01 Lite On Technology Corp 影像擷取裝置
TWI425597B (zh) 2009-12-31 2014-02-01 Kingpak Tech Inc 具有黑色膠體之影像感測器封裝結構
JP2011180292A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Fujifilm Corp レンズアレイ
WO2011156926A1 (en) 2010-06-14 2011-12-22 Heptagon Oy Method of manufacturing a plurality of optical devices
JP5977745B2 (ja) 2010-08-17 2016-08-24 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドＨｅｐｔａｇｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ Ｐｔｅ． Ｌｔｄ． カメラ用の複数の光学装置を製造する方法
US9075182B2 (en) 2011-06-03 2015-07-07 VisEra Technology Company Limited Camera module and spacer of a lens structure in the camera module
US9184199B2 (en) * 2011-08-01 2015-11-10 Lytro, Inc. Optical assembly including plenoptic microlens array
CN103890949B (zh) 2011-08-25 2017-10-03 新加坡恒立私人有限公司 光学器件、特别是用于计算式摄像机的模块的晶片级制造
US20130160832A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 Andreas Krause Marking of a substrate of a solar cell
US8804032B2 (en) * 2012-03-30 2014-08-12 Omnivision Technologies, Inc. Wafer level camera module with snap-in latch
US20130286282A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Toppan Printing Co., Ltd. Camera Module and Manufacturing Method Thereof
US20130314583A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Himax Technologies Limited Wafer level camera module array

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165823A1 (en) * 2001-02-09 2004-08-26 Morris James E. Compensation and/or variation of wafer level produced lenses and resultant structures
JP2010056170A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Sharp Corp 電子素子ウエハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014070115A1 (en) 2014-05-08
EP2914997B1 (en) 2018-10-03
US9595553B2 (en) 2017-03-14
KR20150082416A (ko) 2015-07-15
SG10201706358TA (en) 2017-09-28
JP2015535097A (ja) 2015-12-07
US20140167196A1 (en) 2014-06-19
TWI629525B (zh) 2018-07-11
US20170317126A1 (en) 2017-11-02
US10373996B2 (en) 2019-08-06
CN104781721A (zh) 2015-07-15
JP6507098B2 (ja) 2019-04-24
US9748297B2 (en) 2017-08-29
TW201423198A (zh) 2014-06-16
US20140125849A1 (en) 2014-05-08
SG11201502994XA (en) 2015-05-28
CN104781721B (zh) 2019-01-22
SG10201710450WA (en) 2018-02-27
EP2914997A1 (en) 2015-09-09
EP2914997A4 (en) 2016-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102161763B1 (ko) 초점 거리 조절을 포함하는 광학 모듈 및 광학 모듈의 제조
TWI661241B (zh) 包括用於焦距長度調整和／或減少傾斜的自訂間隔物之光學模組及光學模組的製造
KR102280613B1 (ko) 광 누설 또는 미광을 감소시키는 차폐를 갖는 광전자 모듈들, 및 이러한 모듈들의 제조 방법들
KR101966480B1 (ko) 광학 장치, 특히 계산 카메라를 위한 모듈의 웨이퍼-레벨 제조
US9094593B2 (en) Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules
KR101966478B1 (ko) 수동 광학 부품을 제조하기 위한 방법 및 그것을 포함하는 장치
TWI695200B (zh) 光學模組及其製造方法
EP3341974B1 (en) Optical assemblies including a spacer adhering directly to a substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant