KR102154486B1 - Gas supply unit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스공급유닛에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 대면적 기판에 대한 각종 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 있어서 증착공정 또는 세정공정에 따라 기판처리장치의 내부로 각종 가스를 공급하는 경우에 가스를 균일하게 기판처리장치의 내부에서 분산시킬 수 있는 가스공급유닛에 대한 것이다. The present invention relates to a gas supply unit, and more particularly, in the case of supplying various gases into a substrate processing apparatus according to a deposition process or a cleaning process in a substrate processing apparatus that performs various processing processes on a large-area substrate. The present invention relates to a gas supply unit capable of uniformly dispersing gas inside a substrate processing apparatus.

Description

가스공급유닛 {Gas supply unit}Gas supply unit}

본 발명은 가스공급유닛에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 대면적 기판에 대한 각종 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 있어서 증착공정 또는 세정공정에 따라 기판처리장치의 내부로 각종 가스를 공급하는 경우에 가스를 균일하게 기판처리장치의 내부에서 분산시킬 수 있는 가스공급유닛에 대한 것이다.The present invention relates to a gas supply unit, and more particularly, in the case of supplying various gases into a substrate processing apparatus according to a deposition process or a cleaning process in a substrate processing apparatus that performs various processing processes on a large-area substrate. The present invention relates to a gas supply unit capable of uniformly dispersing gas inside a substrate processing apparatus.

일반적으로 기판처리장치의 경우 챔버 내측에 배치되어 기판을 지지하며 상하로 이동하는 서셉터와, 상기 기판을 향해 공정가스 등을 공급하는 가스공급부를 구비하게 된다. In general, a substrate processing apparatus includes a susceptor disposed inside a chamber to support a substrate and moving up and down, and a gas supply unit supplying a process gas or the like toward the substrate.

이 경우, 상기 챔버에서 수행되는 처리공정에 따라 가스공급부를 통해 공급되는 가스의 종류가 달라지게 된다. 예를 들어 기판에 대한 증착공정을 수행하는 경우에 가스공급부를 통해 공정가스를 공급할 수 있으며, 챔버 내부의 세정공정을 수행하는 경우에 세정가스를 공급할 수 있다.In this case, the type of gas supplied through the gas supply unit varies according to the processing process performed in the chamber. For example, when performing a deposition process on a substrate, a process gas can be supplied through a gas supply unit, and when a cleaning process inside a chamber is performed, a cleaning gas can be supplied.

이때, 공정가스는 기판의 상면에 균일하게 분산되어 공급되는 것이 필요하며, 세정가스의 경우 챔버 내부를 세정하기 위하여 챔버의 내측의 가장자리까지 공급되는 것이 필요하다.At this time, the process gas needs to be uniformly distributed and supplied on the upper surface of the substrate, and the cleaning gas needs to be supplied to the inner edge of the chamber in order to clean the inside of the chamber.

그런데, 최근 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등의 평면디스플레이는 점차로 대형화, 대면적화되고 있으며, 이에 따라 기판에 대해 가스를 공급하는 가스공급부와 챔버도 마찬가지로 대면적화 또는 대형화되고 있다.However, recently, flat displays such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), and OLED (Organic Light Emitting Diodes) are gradually increasing in size and area. Accordingly, the gas supply unit and chamber supplying gas to the substrate Likewise, the area is becoming larger or larger.

이러한 경향을 볼 때, 각종 가스를 대형화된 챔버의 내측에서 균일하게 분산시키는 것이 어려워지고 있다.In view of this tendency, it is becoming difficult to uniformly disperse various gases inside a larger chamber.

일반적으로 세정가스의 라디칼(radical) 반응 메커니즘, 라이프-타임(lift-time) 등을 고려할 때 상기 세정가스의 느린 반응속도 및 시간지연으로 인해 상기 세정가스를 챔버의 중앙에서 공급하게 되면 대면적, 대형화된 기판처리장치의 챔버의 최외곽 가장자리까지 세정을 하는 경우에 어려움을 겪고 있다.In general, considering the radical reaction mechanism and lift-time of the cleaning gas, if the cleaning gas is supplied from the center of the chamber due to the slow reaction rate and time delay of the cleaning gas, a large area, It is difficult to clean up to the outermost edge of the chamber of the large-sized substrate processing apparatus.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 대면적 기판에 대한 공정을 수행하는 대형 챔버의 내측에 각종 가스를 공급하는 경우에 가스를 균일하게 분산시킬 수 있는 가스공급유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a gas supply unit capable of uniformly dispersing gases when supplying various gases to the inside of a large chamber that performs a process on a large-area substrate. do.

또한, 본 발명은 챔버의 처리공정에 따라 또는 공급되는 가스의 종류에 따라 배플유닛에서 가스가 분사되는 영역을 달리할 수 있는 가스공급유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a gas supply unit capable of varying a region in which a gas is injected from a baffle unit according to a processing process of a chamber or a type of gas supplied.

나아가, 본 발명은 증착공정의 경우 배플유닛의 중앙부 영역 또는 주변 영역을 통해서 증착가스를 공급하고, 세정공정의 경우 배플유닛의 주변 영역을 통해서 세정가스를 공급할 수 있는 가스공급유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다.Further, it is an object of the present invention to provide a gas supply unit capable of supplying a deposition gas through a central area or a peripheral area of a baffle unit in the case of a deposition process, and supplying a cleaning gas through a peripheral area of the baffle unit in the case of a cleaning process To do.

상기와 같은 본 발명의 목적은 챔버 내부에 마련되는 백킹플레이트, 상기 백킹플레이트의 하부에 이격되어 구비되어 상기 챔버 내부를 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 샤워헤드, 상기 백킹플레이트와 상기 샤워헤드 사이에 구비되어, 중앙부 영역을 통해 공정가스를 공급하고 주변 영역을 통해 상기 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 배플유닛 및 상기 배플유닛을 향해 상기 공정가스를 공급하는 공정가스 공급원 및 상기 세정가스를 공급하는 세정가스 공급원을 구비하는 것을 특징으로 하는 가스공급유닛에 의해 달성된다.An object of the present invention as described above is a backing plate provided inside a chamber, a showerhead provided to be spaced apart from the lower portion of the backing plate to supply a process gas or a cleaning gas toward the interior of the chamber, and between the backing plate and the showerhead And a baffle unit that supplies a process gas through a central region and supplies the process gas or cleaning gas through a peripheral region, a process gas supply source that supplies the process gas to the baffle unit, and supplies the cleaning gas. It is achieved by a gas supply unit, characterized in that it has a cleaning gas supply source.

여기서, 상기 배플유닛에는 상기 샤워헤드를 향해 공정가스를 공급하는 중앙분사홀과, 상기 샤워헤드를 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하며, 상기 중앙분사홀에서 이격되는 적어도 하나의 주변분사홀이 형성될 수 있다.Here, the baffle unit has a central injection hole for supplying a process gas toward the shower head, and at least one peripheral injection hole that supplies a process gas or a cleaning gas toward the shower head, and is spaced apart from the central injection hole. Can be.

또한, 상기 배플유닛에는 상기 공정가스가 공급되는 공정가스공급라인 및 상기 세정가스가 공급되는 세정가스공급라인과 상기 주변분사홀을 연결시키는 주변분사유로와, 상기 공정가스공급라인과 상기 중앙분사홀을 연결시키는 중앙분사유로가 더 형성될 수 있다.In addition, the baffle unit includes a process gas supply line supplied with the process gas, a peripheral injection passage connecting the cleaning gas supply line supplied with the cleaning gas and the peripheral injection hole, and the process gas supply line and the central injection hole. The central injection channel connecting the can be further formed.

나아가, 상기 배플유닛은 제1 배플플레이트, 제2 배플플레이트 및 제3 배플플레이트가 적층되어 배치되고, 상기 공정가스공급라인 및 세정가스공급라인과 연결되어 상기 주변분사유로로 상기 공정가스 또는 세정가스를 전달하는 공급유로가 상기 제1 배플플레이트에 형성되고, 상기 제2 배플플레이트에 상기 공급유로와 연결되는 상기 주변분사유로가 형성되고, 상기 제3 배플플레이트에 상기 중앙분사홀과, 상기 중앙분사홀과 연결되는 중앙분사유로와, 상기 주변분사유로와 연결되는 주변분사홀이 형성될 수 있다.Further, the baffle unit is arranged by stacking a first baffle plate, a second baffle plate, and a third baffle plate, and is connected to the process gas supply line and the cleaning gas supply line, and the process gas or cleaning gas is passed through the peripheral injection channel. A supply flow path for transmitting the signal is formed in the first baffle plate, the peripheral injection flow path connected to the supply flow path is formed in the second baffle plate, and the central injection hole and the central injection flow in the third baffle plate A central injection passage connected to the hole and a peripheral injection hole connected to the peripheral injection passage may be formed.

한편, 상기 주변분사유로는 상기 공급유로에서 방사상으로 연장되어 형성될 수 있다.Meanwhile, the peripheral injection passage may be formed to extend radially from the supply passage.

이 경우, 상기 제3 배플플레이트에는 상기 중앙분사홀과 격벽에 의해 구획되어 상기 중앙분사홀을 감싸며, 관통홀에 의해 상기 중앙분사홀과 연통되는 확산공간이 더 형성될 수 있으며, 상기 중앙분사유로는 상기 확산공간과 연결되어 상기 공정가스를 공급할 수 있다.In this case, the third baffle plate may further include a diffusion space divided by the central injection hole and the partition wall to surround the central injection hole and communicated with the central injection hole by a through hole, and the central injection passage Is connected to the diffusion space to supply the process gas.

한편, 상기 백킹플레이트와 배플유닛은 하나의 부재로 구성될 수 있다.Meanwhile, the backing plate and the baffle unit may be configured as one member.

전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 대면적 기판에 대한 공정을 수행하는 대형 챔버의 내측에 각종 가스를 공급하는 경우에 균일하게 분산시킬 수 있다.According to the present invention having the above-described configuration, it is possible to uniformly disperse various gases when supplying various gases to the inside of a large chamber that performs a process on a large-area substrate.

또한, 본 발명에 따르면 챔버의 처리공정에 따라 또는 공급되는 가스의 종류에 따라 배플유닛에서 가스가 분사되는 영역을 달리할 수 있다. 예를 들어, 증착공정의 경우 배플유닛의 중앙부 영역 또는 주변 영역을 통해서 증착가스를 공급하고, 세정공정의 경우 배플유닛의 주변 영역을 통해서 세정가스를 공급할 수 있게 된다. In addition, according to the present invention, the area in which the gas is injected from the baffle unit may be changed according to the processing process of the chamber or the type of gas supplied. For example, in the case of the deposition process, the deposition gas can be supplied through the central region or the peripheral area of the baffle unit, and in the case of the cleaning process, the cleaning gas can be supplied through the peripheral area of the baffle unit.

따라서, 세정공정의 경우에도 세정가스가 챔버의 내측의 가장자리 영역까지 충분히 공급되도록 하여 챔버의 세정효율을 현저히 향상시킬 수 있다.Therefore, even in the case of the cleaning process, the cleaning efficiency of the chamber can be significantly improved by sufficiently supplying the cleaning gas to the inner edge region of the chamber.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급유닛을 구비한 기판처리장치의 단면도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배플유닛의 결합 사시도,
도 3은 상기 배플유닛의 분해 사시도,
도 4는 도 3의 'Ⅳ-Ⅳ'선에 다른 단면도,
도 5는 도 3의 'Ⅴ-Ⅴ'선에 따른 단면도,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제3 배플플레이트의 일부 평면도,
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제3 배플플레이트의 일부 평면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus having a gas supply unit according to an embodiment of the present invention;
2 is a perspective view of a baffle unit in combination according to an embodiment of the present invention,
3 is an exploded perspective view of the baffle unit,
4 is a cross-sectional view taken along line'IV-IV' of FIG. 3;
5 is a cross-sectional view taken along line'V-V' of FIG. 3;
6 is a partial plan view of a third baffle plate according to an embodiment of the present invention;
7 is a partial plan view of a third baffle plate according to another embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 가스공급유닛의 구조에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, a structure of a gas supply unit according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명에 따른 가스공급유닛(200)이 구비되는 기판처리장치(1000)의 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view of a substrate processing apparatus 1000 provided with a gas supply unit 200 according to the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 기판처리장치(1000)는 기판(W)에 대한 처리공간(123)을 제공하는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내측에 구비되어 상기 기판(W)을 지지하는 기판지지유닛(900)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 100 providing a processing space 123 for a substrate W, and is provided inside the chamber 100 to support the substrate W. The substrate support unit 900 may be provided.

또한, 상기 기판처리장치(1000)는 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 가스공급유닛(200)을 구비할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus 1000 may include a gas supply unit 200 that supplies a process gas or a cleaning gas.

먼저, 상기 기판처리장치(1000)는 상기 기판(W)이 처리되는 처리공간(123)을 제공하는 챔버(100)를 구비할 수 있다.First, the substrate processing apparatus 1000 may include a chamber 100 providing a processing space 123 in which the substrate W is processed.

상기 챔버(100)는 챔버몸체(120)와 상기 챔버몸체(120)의 개구된 상부를 밀폐하는 챔버리드(110)를 구비할 수 있다.The chamber 100 may include a chamber body 120 and a chamber lid 110 sealing the opened upper portion of the chamber body 120.

상기 챔버(100)의 내부의 처리공간(123)의 하부에는 상기 기판(W)을 지지하는 기판지지유닛(900)을 구비할 수 있다.A substrate support unit 900 for supporting the substrate W may be provided below the processing space 123 in the chamber 100.

상기 기판지지유닛(900)은 상기 기판(W)이 안착되며, 하면 중앙부에 연결된 구동바(320)에 의해 상하로 이동하는 서셉터(310)와, 상기 서셉터(310)의 하면에서 상기 구동바(320)에서 소정거리 이격되어 상기 서셉터(310)를 지지하는 서셉터 지지부(460)를 구비할 수 있다.The substrate support unit 900 has a susceptor 310 that moves up and down by a driving bar 320 connected to a central part of the lower surface on which the substrate W is mounted, and the driving at the lower surface of the susceptor 310 A susceptor support part 460 may be provided that is spaced apart from the bar 320 by a predetermined distance to support the susceptor 310.

상기 기판(W)에 대한 공정을 수행하는 중에 플라즈마를 사용하는 경우 상기 백킹플레이트(210)에 고주파 전원을 인가할 수 있으며, 이 경우 상기 기판지지유닛(900)을 접지시키는 접지부(미도시)를 구비할 수 있다. When plasma is used while performing the process on the substrate W, a high frequency power may be applied to the backing plate 210, and in this case, a ground part (not shown) for grounding the substrate support unit 900 It can be provided.

상기 접지부는 상기 서셉터(310)와 챔버(100)를 연결시키는 스트랩 등으로 구성될 수 있다. 상기 챔버(100)는 접지된 상태를 유지하므로 상기 스트랩을 이용하여 서셉터(310)와 챔버(100)를 전기적으로 연결시켜 서셉터(310)를 접지시키게 된다.The grounding part may be formed of a strap connecting the susceptor 310 and the chamber 100. Since the chamber 100 maintains a grounded state, the susceptor 310 is grounded by electrically connecting the susceptor 310 and the chamber 100 using the strap.

한편, 상기 기판(W)은 상기 서셉터(310)의 상면에 안착될 수 있다. 이 경우, 상기 서셉터(310)의 하면 중앙부에는 상기 서셉터(310)를 상하로 미리 결정된 거리만큼 이동시키는 구동바(320)가 연결된다.Meanwhile, the substrate W may be mounted on the upper surface of the susceptor 310. In this case, a driving bar 320 for moving the susceptor 310 up and down by a predetermined distance is connected to the central portion of the lower surface of the susceptor 310.

상기 구동바(320)는 상기 챔버(100)의 베이스(121)를 관통하여 연장되며, 상기 챔버(100)의 외측에서 제1 벨로우즈(330)에 의해 둘러싸이게 배치된다. 예를 들어, 상기 구동바(320)의 하단부와 제1 벨로우즈(330)의 하단부는 구동플레이트(340)와 연결될 수 있으며, 이에 의해 상기 챔버(100) 내부의 진공 상태를 유지할 수 있다.The driving bar 320 extends through the base 121 of the chamber 100 and is disposed outside the chamber 100 to be surrounded by a first bellows 330. For example, the lower end of the driving bar 320 and the lower end of the first bellows 330 may be connected to the driving plate 340, thereby maintaining a vacuum state inside the chamber 100.

상기 구동바(320)는 하단부의 상기 구동플레이트(340)가 모터 등과 같은 구동원(미도시)에 연결되어 상하로 이동하게 되며, 이에 따라 상기 서셉터(310)도 상하로 이동하게 된다.In the driving bar 320, the driving plate 340 at the lower end is connected to a driving source (not shown) such as a motor to move up and down, and accordingly, the susceptor 310 also moves up and down.

증착공정 등과 같이 상기 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하는 경우에 상기 서셉터(310)는 전술한 샤워헤드(220)를 향해 상승하게 되며, 이때 상기 서셉터(310)와 전술한 샤워헤드(220) 사이의 거리는 미리 정해질 수 있으며, 이에 따라 상기 서셉터(310)의 상승높이가 결정된다. In the case of performing a processing process on the substrate W such as a deposition process, the susceptor 310 rises toward the above-described showerhead 220, and at this time, the susceptor 310 and the above-described showerhead The distance between 220 may be determined in advance, and accordingly, the elevation height of the susceptor 310 is determined.

그런데, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등의 평면디스플레이는 점차로 대형화, 대면적화되고 있으며, 이에 따라 챔버(100)에 위치한 백킹플레이트(210), 샤워헤드(220) 및 서셉터(310)가 대면적화되고 있다.However, flat displays such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), and OLED (Organic Light Emitting Diodes) are gradually becoming larger and larger. Accordingly, the backing plate 210 located in the chamber 100, The shower head 220 and the susceptor 310 are becoming larger in area.

이와 같이 평면디스플레이의 대형화, 대면적화에 따라 상기 서셉터(310)의 크기도 대형화, 대면적화 되는 경우에 상기 서셉터(310)의 하중도 증가하게 된다.In this way, when the size of the susceptor 310 increases and the area of the susceptor 310 increases according to the increase in size and area of the flat display, the load of the susceptor 310 increases.

따라서, 상기 서셉터(310)의 중앙부 하면에 위치한 구동바(320)에 의해 전술한 바와 같이 대면적화된 서셉터를 지지하게 되면, 상기 서셉터(310)의 가장자리 영역이 아래를 향해 처지게 될 수 있다. 이 경우, 상기 서셉터(310)에 안착된 상기 기판(W)와 상기 샤워헤드(220) 사이의 거리가 변화하게 되어 상기 기판(W)에 증착되는 박막의 품질이 저하될 수 있다.Therefore, when the susceptor having a large area as described above is supported by the driving bar 320 located on the lower surface of the central portion of the susceptor 310, the edge region of the susceptor 310 will droop downward. I can. In this case, the distance between the substrate W mounted on the susceptor 310 and the shower head 220 may change, so that the quality of the thin film deposited on the substrate W may be deteriorated.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 상기 서셉터(310)의 하면을 지지하는 서셉터 지지부(460)를 구비할 수 있다.In order to solve this problem, a susceptor support portion 460 for supporting the lower surface of the susceptor 310 may be provided.

상기 서셉터 지지부(460)는 상기 서셉터(310)의 하면을 지지하는 복수개의 지지바(400A, 400B)와, 상기 지지바(400A, 400B)의 하단부에 연결되어 상하로 이동하는 지지플레이트(440)를 구비할 수 있다.The susceptor support part 460 includes a plurality of support bars 400A and 400B supporting the lower surface of the susceptor 310 and a support plate that is connected to the lower end of the support bars 400A and 400B to move up and down ( 440) may be provided.

상기 복수개의 지지바(400A, 400B)의 상단부가 상기 서셉터(310)의 하면을 지지하게 되며, 이때 상기 구동바(320)에서 미리 결정된 거리만큼 이격되어 상기 서셉터(310)의 하면을 지지하게 된다.The upper ends of the plurality of support bars 400A and 400B support the lower surface of the susceptor 310, and are spaced apart from the driving bar 320 by a predetermined distance to support the lower surface of the susceptor 310 Is done.

또한, 상기 서셉터(310)가 어느 한쪽 방향으로 기울어지는 것을 방지하기 위하여 상기 복수개의 지지바(400A, 400B)는 상기 구동바(320)를 중심으로 대칭적으로 배치되어 상기 서셉터(310)를 지지하는 것이 바람직하다.In addition, in order to prevent the susceptor 310 from being inclined in either direction, the plurality of support bars 400A and 400B are symmetrically disposed around the driving bar 320 so that the susceptor 310 It is desirable to support.

예를 들어, 상기 복수개의 지지바(400A, 400B)의 하단부는 상기 챔버(100)의 베이스(121)를 관통하여 연장되며, 상기 챔버(100)의 외측에서 제2 벨로우즈(420A, 420B)에 의해 둘러싸이게 배치된다. 예를 들어, 상기 지지바(400A, 400B)의 하단부와 상기 제2 벨로우즈(420A, 420B)의 하단부는 지지플레이트(440)와 연결될 수 있으며, 이에 의해 상기 챔버(100) 내부의 진공 상태를 유지할 수 있다.For example, the lower ends of the plurality of support bars 400A and 400B extend through the base 121 of the chamber 100, and from the outside of the chamber 100 to the second bellows 420A and 420B. It is arranged to be surrounded by. For example, the lower ends of the support bars 400A and 400B and the lower ends of the second bellows 420A and 420B may be connected to the support plate 440, thereby maintaining the vacuum state inside the chamber 100. I can.

상기 지지플레이트(440)가 모터 등과 같은 구동원(미도시)에 연결되어 상하로 이동하게 되며, 이에 따라 상기 지지바(400A, 400B)도 상하로 이동하게 된다. The support plate 440 is connected to a driving source (not shown) such as a motor to move up and down, and accordingly, the support bars 400A and 400B are also moved up and down.

이 경우, 상기 지지플레이트(440)는 상기 챔버(100)의 외부에 배치되어 상하로 이동할 수 있다.In this case, the support plate 440 is disposed outside the chamber 100 and can move up and down.

한편, 상기 챔버(100)의 내부에는 증착공정 또는 세정공정과 같은 처리공정에 따라 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 가스공급유닛(200)을 구비할 수 있다.Meanwhile, a gas supply unit 200 for supplying a process gas or a cleaning gas according to a processing process such as a deposition process or a cleaning process may be provided inside the chamber 100.

상기 가스공급유닛(200)은 상기 챔버(100) 내부에 마련되는 백킹플레이트(210)와, 상기 백킹플레이트(210)의 하부에 이격되어 구비되어 상기 챔버(100) 내부를 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 샤워헤드(220)와, 상기 백킹플레이트(210)와 상기 샤워헤드(220) 사이에 구비되어, 중앙부를 통해 공정가스를 공급하고 주변부를 통해 상기 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 배플유닛(700) 및 상기 배플유닛(700)을 향해 상기 공정가스를 공급하는 공정가스 공급원(500) 및 상기 세정가스를 공급하는 세정가스 공급원(550)을 구비할 수 있다.The gas supply unit 200 is provided with a backing plate 210 provided inside the chamber 100 and spaced apart from the lower portion of the backing plate 210 to provide process gas or cleaning gas toward the inside of the chamber 100. A baffle unit that is provided between the shower head 220 and the backing plate 210 and the shower head 220 to supply the process gas and supplies the process gas through the central part and the process gas or the cleaning gas through the peripheral part. A process gas supply source 500 for supplying the process gas to 700 and the baffle unit 700 and a cleaning gas supply source 550 for supplying the cleaning gas may be provided.

상기 샤워헤드(220)는 상기 백킹플레이트(210)의 하부에 상기 백킹플레이트(210)와 미리 결정된 거리만큼 이격되어 배치된다. 따라서, 상기 샤워헤드(220)와 상기 백킹플레이트(210) 사이에 이격공간부(230)가 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 배플유닛(700)에서 공급되는 공정가스 및 세정가스는 상기 이격공간부(230)를 거쳐 상기 샤워헤드(210)를 통해 상기 기판(W)을 향해 공급된다. The shower head 220 is disposed below the backing plate 210 to be spaced apart from the backing plate 210 by a predetermined distance. Accordingly, a spaced space 230 may be formed between the shower head 220 and the backing plate 210. In this case, the process gas and the cleaning gas supplied from the baffle unit 700 are supplied toward the substrate W through the shower head 210 through the spacing part 230.

한편, 상기 샤워헤드(220)에는 미세한 크기의 복수개의 관통공(222)이 형성될 수 있다. 상기 이격공간부(230)로 공급된 공정가스 및 세정가스는 상기 관통공(222)을 통해 상기 기판(W)을 향해 공급된다. Meanwhile, a plurality of fine-sized through holes 222 may be formed in the shower head 220. The process gas and cleaning gas supplied to the separation space 230 are supplied toward the substrate W through the through hole 222.

한편, 상기 샤워헤드(220)는 기판(W) 상에 증착되는 증착막의 균일도 유지를 위해 상기 기판(W)이 로딩된 서셉터(310)와 실질적으로 나란하게 평행하게 배치되며, 상기 기판(W)과의 간격 역시 적절하게 조절될 수 있다.Meanwhile, the showerhead 220 is disposed substantially parallel to the susceptor 310 on which the substrate W is loaded to maintain the uniformity of the deposition film deposited on the substrate W, and the substrate W ) And the distance can also be adjusted appropriately.

본 발명에 따른 기판처리장치(1000)에서 상기 기판(W)에 대한 각종 공정, 예를 들어 증착공정 등을 수행하는 경우에 외부의 고주파 인가부(600)에 의해 고주파 전원을 인가하여 공정가스를 활성화하여 상기 기판(W)으로 공급할 수 있다.In the case of performing various processes on the substrate W in the substrate processing apparatus 1000 according to the present invention, for example, a deposition process, a high frequency power is applied by an external high frequency application unit 600 to generate a process gas. It can be activated and supplied to the substrate W.

이 경우, 전술한 백킹플레이트(210)에 상기 고주파 인가부(600)가 연결되어 상부 전극의 역할을 할 수 있으며, 기판지지유닛(900)의 서셉터(310)가 접지되어 하부 전극의 역할을 할 수 있다. In this case, the high frequency application unit 600 is connected to the above-described backing plate 210 to serve as an upper electrode, and the susceptor 310 of the substrate support unit 900 is grounded to serve as a lower electrode. can do.

그런데, 전술한 바와 같이 평면디스플레이가 대형화 및 대면적화됨에 따라, 대면적화된 백킹플레이트(210)와 샤워헤드(220)를 안정적으로 지지하는 것이 필요하다. 이를 위하여, 상기 백킹플레이트(210)는 상기 챔버몸체(120)의 내벽에 연결되어 지지될 수 있다. However, as the flat display becomes larger and larger as described above, it is necessary to stably support the large-area backing plate 210 and the shower head 220. To this end, the backing plate 210 may be connected to and supported on the inner wall of the chamber body 120.

예를 들어, 상기 챔버몸체(120)의 내벽에서 돌출 형성된 돌출부(122)에 의해 상기 백킹플레이트(210)의 가장자리가 지지되고, 상기 백킹플레이트(210)의 하면에 상기 샤워헤드(220)가 미리 결정된 거리만큼 이격되어 연결될 수 있다.For example, the edge of the backing plate 210 is supported by a protrusion 122 protruding from the inner wall of the chamber body 120, and the shower head 220 is preliminarily placed on the lower surface of the backing plate 210. It can be connected by being separated by a determined distance.

한편, 평면디스플레이가 대형화 및 대면적화됨에 따라, 상기 백킹플레이트(210)와 샤워헤드(220)도 마찬가지로 대면적화되고 있다. 이 경우, 상기 기판처리장치(1000)를 이용한 처리공정에 따라 상기 챔버(100)의 내부로 각종 가스를 공급하는 경우에 균일하게 공급하는 것이 필요하다.On the other hand, as the flat panel display becomes larger and larger, the backing plate 210 and the shower head 220 are similarly larger. In this case, in the case of supplying various gases into the chamber 100 according to a processing process using the substrate processing apparatus 1000, it is necessary to uniformly supply various gases.

예를 들어, 상기 챔버(100) 내측에 기판(W)을 배치하고 상기 기판(W)에 대한 증착공정을 수행하는 경우 상기 기판(W)을 향해 공정가스를 균일하게 공급하는 것이 필요하다.For example, when a substrate W is disposed inside the chamber 100 and a deposition process is performed on the substrate W, it is necessary to uniformly supply a process gas toward the substrate W.

또한, 상기 챔버(100) 내벽 또는 서셉터(310)의 외벽의 파티클 등을 제거하기 위하여 세정공정을 수행하는 경우에 상기 챔버(100)의 내측으로 세정가스를 공급하게 되며, 이때 상기 세정가스가 상기 챔버(100)의 내측에서 가장자리 또는 모서리까지 단시간에 균일하게 분산되어 공급되는 것이 필요하다.In addition, when a cleaning process is performed to remove particles from the inner wall of the chamber 100 or the outer wall of the susceptor 310, a cleaning gas is supplied to the inside of the chamber 100, and the cleaning gas is It is necessary to be uniformly distributed and supplied from the inside of the chamber 100 to the edges or corners in a short time.

그런데, 일반적으로 세정가스의 라디칼(radical) 반응 메커니즘, 라이프-타임(lift-time) 등을 고려할 때 상기 세정가스의 느린 반응속도 및 시간지연으로 인해 상기 세정가스를 챔버의 중앙에서 공급하게 되면 대면적, 대형화된 기판처리장치의 챔버의 내측 가장자리까지 세정을 하는 경우에 어려움을 겪고 있다.However, in general, when the cleaning gas is supplied from the center of the chamber due to the slow reaction rate and time delay of the cleaning gas when considering the radical reaction mechanism and the lift-time of the cleaning gas, Difficulties are encountered in the case of cleaning up to the inner edge of the chamber of the larger-sized substrate processing apparatus.

따라서, 상기 세정가스의 경우 상기 샤워헤드(220)의 중앙부를 통해서만 공급하게 되면 상기 챔버(100)의 내측의 외곽 또는 가장자리까지 공급되지 않거나 상대적으로 많은 시간이 걸릴 수 있다.Therefore, if the cleaning gas is supplied only through the central portion of the shower head 220, it may not be supplied to the outer periphery or edge of the chamber 100, or it may take a relatively long time.

따라서, 본 발명에 따른 가스공급유닛(200)의 경우 이러한 문제점을 해결하기 위하여 상기 챔버(100)의 처리공정에 따라, 또는 상기 가스공급유닛(200)을 통해 공급하려는 가스의 종류에 따라 상기 배플유닛(700)에서 가스를 공급하는 영역을 달리할 수 있다. Accordingly, in the case of the gas supply unit 200 according to the present invention, in order to solve this problem, the baffle is applied according to the processing process of the chamber 100 or according to the type of gas to be supplied through the gas supply unit 200. The area in which the gas is supplied from the unit 700 may be different.

즉, 상기 챔버(100)의 내측에 배치된 기판(W)에 증착공정을 수행하는 경우 상기 배플유닛(700)의 하면 중앙부 영역 또는 주변 영역을 통해서 상기 샤워헤드(220)를 향해 상기 공정가스를 공급하게 된다.That is, when the deposition process is performed on the substrate W disposed inside the chamber 100, the process gas is directed toward the shower head 220 through a central region or a peripheral region of the lower surface of the baffle unit 700. Will be supplied.

반면에 상기 챔버(100)를 세정하기 위한 세정공정을 수행하는 경우에 상기 배플유닛(700)의 하면 주변 영역을 통해 상기 세정가스를 상기 샤워헤드(220)를 향해 공급하게 된다.On the other hand, when a cleaning process for cleaning the chamber 100 is performed, the cleaning gas is supplied toward the showerhead 220 through a region around the lower surface of the baffle unit 700.

상기 세정가스를 공급하는 경우에는 상기 배플유닛(700)의 하면 주변 영역을 통해 상기 세정가스를 공급하여 상기 세정가스가 상기 샤워헤드(220)를 통해 상기 챔버(100)의 내측에서 가장자리까지 균일하게 분산되도록 한다. When the cleaning gas is supplied, the cleaning gas is supplied through the area around the lower surface of the baffle unit 700 so that the cleaning gas is uniformly distributed from the inside to the edge of the chamber 100 through the shower head 220. To be distributed.

한편, 상기 배플유닛(700)은 상기 백킹플레이트(210)와 상기 샤워헤드(220) 사이에 구비될 수 있는데, 상기 샤워헤드(220)와 미리 결정된 거리만큼 이격되어 구비된다. 예를 들어 도면에 도시된 바와 같이 상기 백킹플레이트(210)의 하면에 매립되어 배치될 수 있다.On the other hand, the baffle unit 700 may be provided between the backing plate 210 and the shower head 220, and is spaced apart from the shower head 220 by a predetermined distance. For example, as shown in the drawing, it may be buried and disposed on the lower surface of the backing plate 210.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배플유닛(700)의 결합 사시도이고, 도 3은 상기 배플유닛(700)의 분해 사시도이다.2 is a combined perspective view of the baffle unit 700 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an exploded perspective view of the baffle unit 700.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 배플유닛(700)에는 상기 샤워헤드(220)를 향해 공정가스를 공급하는 중앙분사홀(760)과, 상기 샤워헤드(220)를 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하며 상기 중앙분사홀(760)에서 이격되는 적어도 하나의 주변분사홀(754)이 형성될 수 있다.2 and 3, the baffle unit 700 includes a central injection hole 760 for supplying a process gas toward the shower head 220, and a process gas or cleaning gas toward the shower head 220. And at least one peripheral injection hole 754 spaced apart from the central injection hole 760 may be formed.

즉, 공정가스는 상기 배플유닛(700)의 하면 중앙부에 형성된 상기 중앙분사홀(760)을 통해 상기 샤워헤드(220)를 향해 공급된다. 또한, 상기 공정가스 또는 세정가스가 상기 배플유닛(700)의 상기 중앙분사홀(760)에서 이격되어 형성되는 적어도 하나의 주변분사홀(754)을 통해 공급될 수 있다.That is, the process gas is supplied toward the shower head 220 through the central injection hole 760 formed in the center of the lower surface of the baffle unit 700. In addition, the process gas or the cleaning gas may be supplied through at least one peripheral injection hole 754 formed to be spaced apart from the central injection hole 760 of the baffle unit 700.

이 경우, 상기 주변분사홀(754)은 상기 중앙분사홀(760)에서 소정거리 이격되어 상기 챔버(100)의 내측 가장자리에 상기 중앙분사홀(760)보다 인접하여 배치될 수 있다. 따라서, 상기 세정가스를 공급하는 경우에는 상기 배플유닛(700)의 하면 주변분사홀(754)을 통해 상기 세정가스를 공급하여 상기 세정가스가 상기 샤워헤드(220)를 통해 상기 챔버(100)의 내측에서 가장자리까지 균일하게 분산될 수 있다.In this case, the peripheral injection hole 754 may be spaced apart from the central injection hole 760 by a predetermined distance and disposed adjacent to the central injection hole 760 at an inner edge of the chamber 100. Therefore, in the case of supplying the cleaning gas, the cleaning gas is supplied through the peripheral injection hole 754 of the lower surface of the baffle unit 700 so that the cleaning gas flows into the chamber 100 through the shower head 220. It can be evenly distributed from the inside to the edge.

한편, 상기 공정가스는 전술한 중앙분사홀(754)을 통해 공급되거나 또는 주변분사홀(754)을 통해 공급될 수 있다. Meanwhile, the process gas may be supplied through the above-described central injection hole 754 or may be supplied through the peripheral injection hole 754.

예를 들어, 상기 공정가스가 기체 상태로 공급되거나 또는 상기 공정가스의 확산속도가 상대적으로 빠른 경우에는 상기 중앙분사홀(760)을 통해서만 공급될 수 있다. 이 경우에는 상기 중앙분사홀(760)을 통해서만 상기 공정가스를 공급하여도 빠른 시간 내에 상기 공정가스가 상기 기판(W)의 전면적으로 충분히 공급될 수 있기 때문이다.For example, when the process gas is supplied in a gaseous state or the diffusion rate of the process gas is relatively fast, it may be supplied only through the central injection hole 760. In this case, even if the process gas is supplied only through the central injection hole 760, the process gas can be sufficiently supplied to the entire surface of the substrate W within a short time.

이와 같이 상기 공정가스가 상기 중앙분사홀(754)을 통해서만 공급되는 경우, 상기 공정가스를 중앙영역으로만 공급하고 세정가스를 중앙부를 제외한 주변영역에서 공급하게 된다. 따라서, 공정가스가 공급되는 유로와 세정가스가 공급되는 유로가 완전히 분리된다. 종래기술에 따르면 공정가스와 세정가스가 유로를 공유하여 파티클이 발생하는 문제점이 발생되지만, 본원발명에서는 공정가스와 세정가스의 혼합에 의한 파티클 발생을 방지할 수 있다. In this way, when the process gas is supplied only through the central injection hole 754, the process gas is supplied only to the central region and the cleaning gas is supplied from the peripheral region excluding the central portion. Accordingly, the flow path through which the process gas is supplied and the flow path through which the cleaning gas is supplied are completely separated. According to the prior art, a problem occurs in that the process gas and the cleaning gas share a flow path to generate particles, but in the present invention, it is possible to prevent the generation of particles by mixing the process gas and the cleaning gas.

반면에 상기 공정가스가 액체 상태로 공급되거나 또는 상기 공정가스의 확산속도가 상대적으로 느린 경우에 상기 중앙분사홀(760)을 통해 공급한다면 상기 기판(W)의 전면적으로 공급되기에 상당한 시간이 소요될 수 있다. 따라서, 이 경우에는 상기 주변분사홀(754)을 통해 상기 공정가스를 공급하여 상기 공정가스가 상기 기판(W)의 전면적에 공급되는 시간을 줄일 수 있다. On the other hand, if the process gas is supplied in a liquid state or if the process gas is supplied through the central injection hole 760 when the diffusion rate of the process gas is relatively slow, it may take a considerable time to supply the entire substrate W. I can. Accordingly, in this case, by supplying the process gas through the peripheral injection hole 754, the time for supplying the process gas to the entire area of the substrate W can be reduced.

나아가, 상기 공정가스의 확산속도가 극히 느린 경우와 같이 필요한 경우에는 상기 중앙분사홀(760) 및 주변분사홀(754) 모두를 통해 상기 공정가스가 공급될 수 있다. 이 경우에는 상기 공정가스가 상기 기판(W)의 전면적에 공급되는 시간을 현저히 줄일 수 있다. Further, when necessary, such as when the diffusion rate of the process gas is extremely slow, the process gas may be supplied through both the central injection hole 760 and the peripheral injection hole 754. In this case, the time for supplying the process gas to the entire area of the substrate W can be significantly reduced.

한편, 상기 배플유닛(700)에는 상기 공정가스가 공급되는 공정가스공급라인(510) 및 상기 세정가스가 공급되는 세정가스공급라인(552)과 상기 주변분사홀(754)을 연결시키는 주변분사유로(731)와, 상기 공정가스공급라인(510)과 상기 중앙분사홀(760)을 연결시키는 중앙분사유로(758)가 형성될 수 있다.Meanwhile, in the baffle unit 700, a process gas supply line 510 to which the process gas is supplied, and a peripheral injection passage connecting the cleaning gas supply line 552 to which the cleaning gas is supplied and the peripheral injection hole 754 A central injection passage 758 connecting the process gas supply line 510 and the central injection hole 760 to 731 may be formed.

구체적으로, 상기 공정가스를 공급하는 공정가스공급원(500)에서 연장된 공정가스공급라인(510)은 상기 배플유닛(700)을 향해 공정가스를 공급하게 된다.Specifically, the process gas supply line 510 extending from the process gas supply source 500 that supplies the process gas supplies the process gas toward the baffle unit 700.

이 경우, 상기 공정가스공급라인(510)은 제1 공급라인(512)(도 1 참조)과 제2 공급라인(520)(도 1 참조)으로 분기될 수 있다.In this case, the process gas supply line 510 may be branched into a first supply line 512 (see FIG. 1) and a second supply line 520 (see FIG. 1 ).

상기 제1 공급라인(512)은 상기 배플유닛(700)의 상면 중앙부를 통해 상기 주변분사유로(731)와 연결되어, 상기 주변분사홀(754)을 통해 상기 공정가스를 공급하게 된다.The first supply line 512 is connected to the peripheral injection passage 731 through a central portion of the upper surface of the baffle unit 700, and supplies the process gas through the peripheral injection hole 754.

한편, 상기 제2 공급라인(520)은 상기 배플유닛(700)의 측면부를 통해 상기 중앙분사유로(758)와 연결되어 상기 중앙분사홀(760)을 통해 상기 공정가스를 공급할 수 있다.Meanwhile, the second supply line 520 may be connected to the central injection passage 758 through a side portion of the baffle unit 700 to supply the process gas through the central injection hole 760.

이 경우, 상기 제1 공급라인(512)과 제2 공급라인(520)에는 상기 공정가스의 공급을 조절할 수 있는 밸브(미도시)를 각각 구비할 수 있다. 따라서, 상기 밸브 조작에 의해 상기 제1 공급라인(512) 및 상기 제2 공급라인(520) 중에 어느 한 쪽으로 공정가스를 공급하거나, 또는 상기 제1 공급라인(512)과 제2 공급라인(520)의 양쪽으로 모두 공정가스를 공급할 수 있다.In this case, the first supply line 512 and the second supply line 520 may be provided with valves (not shown) capable of controlling the supply of the process gas, respectively. Accordingly, the process gas is supplied to either of the first supply line 512 and the second supply line 520 by the valve operation, or the first supply line 512 and the second supply line 520 Process gas can be supplied to both sides of ).

또한, 상기 세정가스를 공급하는 세정가스공급원(550)에서 연장된 세정가스공급라인(552)은 상기 배플유닛(700)의 상면 중앙부를 통해 상기 주변분사유로(731)와 연결되어, 상기 주변분사홀(754)을 통해 상기 세정가스를 공급하게 된다.In addition, the cleaning gas supply line 552 extending from the cleaning gas supply source 550 for supplying the cleaning gas is connected to the peripheral injection passage 731 through the center of the upper surface of the baffle unit 700, and the peripheral injection The cleaning gas is supplied through the hole 754.

이때, 상기 세정가스공급원(550)은 RPS(Remote Plasma Source)(미도시)를 구비하여 상기 세정가스를 공급하는 경우에 활성화시켜 공급할 수 있다.In this case, when the cleaning gas supply source 550 is provided with a remote plasma source (RPS) (not shown), the cleaning gas may be activated and supplied.

한편, 상기 배플유닛(700)은 하나의 부재로 형성될 수도 있다. 나아가, 상기 백킹플레이트(210)와 배플유닛(700)이 하나의 부재로 형성될 수도 있다. 상기 백킹플레이트(210)와 배플유닛(700)이 하나의 부재로 형성되는 경우 상기 가스공급유닛(200)은 백킹플레이트(210)와 샤워헤드(220)로 구성되어 단순한 구성을 유지할 수 있다.Meanwhile, the baffle unit 700 may be formed as a single member. Furthermore, the backing plate 210 and the baffle unit 700 may be formed as one member. When the backing plate 210 and the baffle unit 700 are formed as one member, the gas supply unit 200 may be configured with a backing plate 210 and a shower head 220 to maintain a simple configuration.

하지만, 이 경우 전술한 주변분사유로(731)과 중앙분사유로(758)를 주변분사홀(754) 및 중앙분사홀(760)과 각각 연결시키는 작업공정이 매우 어렵고 힘들 수 있다.However, in this case, a work process of connecting the above-described peripheral injection passage 731 and the central injection passage 758 to the peripheral injection hole 754 and the central injection hole 760 may be very difficult and difficult.

따라서, 본 실시예에 따른 상기 가스공급유닛(200)의 경우 상기 백킹플레이트(210)와 배플유닛(700)이 착탈 가능하게 연결될 수 있다. 또한, 상기 배플유닛(700)의 경우 복수개의 배플플레이트(710, 730, 750)를 구비하고, 상기 복수개의 배플플레이트(710, 730, 750)가 수직방향으로 적층되어 배치될 수 있다.Accordingly, in the case of the gas supply unit 200 according to the present embodiment, the backing plate 210 and the baffle unit 700 may be detachably connected. In addition, in the case of the baffle unit 700, a plurality of baffle plates 710, 730, and 750 may be provided, and the plurality of baffle plates 710, 730, and 750 may be vertically stacked and disposed.

예를 들어, 상기 배플유닛(700)은 제1 배플플레이트(710), 제2 배플플레이트(730) 및 제3 배플플레이트(750)가 수직방향으로 적층되어 배치된 조립체(assembly) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 배플유닛(700)을 구성하는 배플플레이트의 개수는 일예를 들어 설명한 것에 불과하며, 적절하게 변형되어 조절될 수 있다.For example, the baffle unit 700 may have an assembly structure in which a first baffle plate 710, a second baffle plate 730, and a third baffle plate 750 are stacked in a vertical direction. have. In this case, the number of baffle plates constituting the baffle unit 700 is only described as an example, and may be appropriately modified and adjusted.

구체적으로, 상기 제1 배플플레이트(710)가 제일 상부에 위치하며, 상기 제3 배플플레이트(750)가 제일 하부에 위치하여 상기 샤워헤드(220)와 마주보게 된다. 상기 제2 배플플레이트(730)는 상기 제1 배플플레이트(710)와 제3 배플플레이트(750)의 사이에 위치한다.Specifically, the first baffle plate 710 is positioned at the top, and the third baffle plate 750 is positioned at the bottom to face the shower head 220. The second baffle plate 730 is positioned between the first baffle plate 710 and the third baffle plate 750.

이와 같이, 상기 배플유닛(700)을 복수개의 배플플레이트(710, 730, 750)가 적층되어 배치된 조립체 구조로 구성하는 경우에 전술한 주변분사유로(731)와 중앙분사유로(758)를 주변분사홀(754) 및 중앙분사홀(760)과 각각 연결시키는 작업공정이 용이하게 수행될 수 있다.In this way, when the baffle unit 700 is configured in an assembly structure in which a plurality of baffle plates 710, 730, and 750 are stacked and arranged, the above-described peripheral injection passage 731 and the central injection passage 758 are surrounded. A work process of connecting the injection hole 754 and the central injection hole 760, respectively, can be easily performed.

도 4는 도 3의 'Ⅳ-Ⅳ'선에 따른 상기 배플유닛(700)의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the baffle unit 700 taken along the line'IV-IV' of FIG. 3.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제1 공급라인(512) 및 세정가스공급라인(552)과 연결되어 상기 주변분사유로(731)로 상기 공정가스 또는 세정가스를 전달하는 공급유로(712)가 상기 제1 배플플레이트(710)에 형성될 수 있다.3 and 4, a supply channel 712 connected to the first supply line 512 and the cleaning gas supply line 552 to deliver the process gas or cleaning gas to the peripheral injection channel 731 May be formed on the first baffle plate 710.

상기 공급유로(712)는 상기 제1 배플플레이트(710)의 중앙부에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 공급유로(712)는 상기 제1 배플플레이트(710)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 공급유로(712)는 상기 제1 배플플레이트(710)의 아래에 위치한 제2 배플플레이트(730)의 상기 주변분사유로(731)와 연결될 수 있다.The supply passage 712 may be formed in the central portion of the first baffle plate 710. In this case, the supply passage 712 may be formed through the first baffle plate 710. The supply passage 712 may be connected to the peripheral injection passage 731 of the second baffle plate 730 located below the first baffle plate 710.

한편, 상기 주변분사유로(731)는 상기 제2 배플플레이트(730)에 형성된다. 상기 주변분사유로(731)는 상기 공급유로(712)와 연결되어, 상기 공급유로(712)에서 공급된 공정가스 또는 세정가스를 상기 제3 배플플레이트(750)의 주변분사홀(754)로 전달하게 된다.Meanwhile, the peripheral injection passage 731 is formed in the second baffle plate 730. The peripheral injection passage 731 is connected to the supply passage 712 and transfers the process gas or cleaning gas supplied from the supply passage 712 to the peripheral injection hole 754 of the third baffle plate 750 Is done.

이 경우, 상기 주변분사유로(731)는 상기 공급유로(712)와 연결되어 상기 공급유로(712)에서 방사상으로 연장 형성되는 적어도 하나의 연장분사유로(732)와, 상기 연장분사유로(732)의 단부에서 상기 제3 배플플레이트(750)의 주변분사홀(754)과 연결되는 연결분사유로(734)로 형성될 수 있다.In this case, the peripheral injection passage 731 is connected to the supply passage 712 and at least one extended injection passage 732 extending radially from the supply passage 712, and the extended injection passage 732 It may be formed as a connection injection passage 734 connected to the peripheral injection hole 754 of the third baffle plate 750.

상기 적어도 하나의 연장분사유로(732)는 상기 제2 배플플레이트(730)에서 중앙부를 중심으로 방사상으로 연장되어 형성될 수 있다. 도면에는 상기 연장분사유로(732)가 4개로 도시되지만 이에 한정되지는 않으며 적절하게 변형될 수 있다.The at least one extended injection passage 732 may be formed to extend radially around a central portion of the second baffle plate 730. In the drawing, four extended injection passages 732 are shown, but the present invention is not limited thereto and may be appropriately modified.

상기 적어도 하나의 연장분사유로(732)는 상기 제2 배플플레이트(730)의 상면에 오목부를 형성하여 제작될 수 있다. 즉, 상기 제1 배플플레이트(710)의 하면과 상기 제2 배플플레이트(730) 상면의 오목부 사이의 공간이 상기 연장분사유로(732)를 형성할 수 있다.The at least one extended injection passage 732 may be manufactured by forming a concave portion on the upper surface of the second baffle plate 730. That is, a space between the lower surface of the first baffle plate 710 and the concave portion of the upper surface of the second baffle plate 730 may form the extended injection passage 732.

도 4에서 상기 연장분사유로(732)는 수평한 방향으로 연장되어 형성되지만, 이에 한정되지는 않으며 미리 결정된 기울기를 가지도록 경사져서 형성될 수도 있다.In FIG. 4, the extended injection passage 732 is formed to extend in a horizontal direction, but is not limited thereto and may be formed to be inclined to have a predetermined inclination.

예를 들어, 상기 연장분사유로(732)의 베이스는 상기 연결분사유로(734)를 향해 미리 결정된 기울기를 가지도록 아래로 경사져서 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 연장분사유로(732)를 통해 상기 연결분사유로(734)로 상기 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 경우에 유동저항을 줄여 보다 원활하게 공급할 수 있다.For example, the base of the extended injection passage 732 may be formed to be inclined downward to have a predetermined inclination toward the connection injection passage 734. In this case, when the process gas or the cleaning gas is supplied to the connection injection passage 734 through the extended injection passage 732, the flow resistance may be reduced and the supply may be more smoothly supplied.

한편, 상기 연결분사유로(734)는 상기 연장분사유로(732)의 단부에서 상기 제3 배플플레이트(750)의 주변분사홀(754)과 연결되도록 형성된다.Meanwhile, the connection injection passage 734 is formed to be connected to the peripheral injection hole 754 of the third baffle plate 750 at an end of the extended injection passage 732.

도 4에서 상기 연결분사유로(734)는 수직한 방향으로 형성되지만, 이에 한정되지는 않으며 미리 결정된 기울기를 가지도록 경사져서 상기 주변분사홀(754)과 연결될 수도 있다.In FIG. 4, the connection injection passage 734 is formed in a vertical direction, but is not limited thereto and may be connected to the peripheral injection hole 754 by being inclined to have a predetermined inclination.

한편, 상기 제3 배플플레이트(750)에는 상기 중앙분사홀(760), 주변분사홀(754) 및 중앙분사유로(758)가 형성될 수 있다.Meanwhile, the central injection hole 760, the peripheral injection hole 754, and the central injection passage 758 may be formed in the third baffle plate 750.

도 5는 도 3의 'Ⅴ-Ⅴ'선에 따른 상기 배플유닛(700)의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of the baffle unit 700 taken along line'V-V' of FIG. 3.

도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 제3 배플플레이트(750)의 중앙부에 상기 중앙분사홀(760)이 형성되고, 상기 중앙분사홀(760)에서 미리 결정된 거리만큼 이격되어 복수개의 주변분사홀(754)이 형성된다.3 and 5, the central injection hole 760 is formed at the center of the third baffle plate 750, and a plurality of peripheral injection holes are spaced apart from the central injection hole 760 by a predetermined distance. 754 is formed.

상기 주변분사홀(754)은 전술한 바와 같이 상기 제2 배플플레이트(730)의 상기 주변분사유로(731)와 연결되며, 보다 구체적으로 상기 연결분사유로(734)와 연결된다.The peripheral injection hole 754 is connected to the peripheral injection passage 731 of the second baffle plate 730 as described above, and more specifically, is connected to the connection injection passage 734.

한편, 상기 중앙분사홀(760)로 공정가스를 공급하는 상기 중앙분사유로(758)가 상기 제3 배플플레이트(750)에 형성된다.Meanwhile, the central injection passage 758 for supplying the process gas to the central injection hole 760 is formed in the third baffle plate 750.

이 경우, 상기 중앙분사유로(758)는 상기 제3 배플플레이트(750)의 측면부에서 내측으로 연장 형성되어 상기 중앙분사홀(760)로 공정가스를 공급한다.In this case, the central injection passage 758 is formed extending inward from the side of the third baffle plate 750 to supply the process gas to the central injection hole 760.

이때, 상기 중앙분사유로(758)가 상기 중앙분사홀(760)과 직접 연결된다면, 상기 중앙분사유로(758)에서 공급되는 공정가스가 상기 중앙분사홀(760)의 내부에서 일측으로 치우쳐서 공급될 수 있다. 이는 상기 기판(W)에 증착되는 박막 두께의 균일도를 떨어뜨릴 수 있다.At this time, if the central injection passage 758 is directly connected to the central injection hole 760, the process gas supplied from the central injection passage 758 may be supplied from the inside of the central injection hole 760 to one side. I can. This may lower the uniformity of the thickness of the thin film deposited on the substrate W.

따라서, 본 실시예의 경우 상기 중앙분사유로(758)가 상기 중앙분사홀(760)과 직접 연결되지 않고 확산공간을 거쳐 연결된다.Accordingly, in the present embodiment, the central injection passage 758 is not directly connected to the central injection hole 760 but is connected through a diffusion space.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제3 배플플레이트(750)의 일부 평면도이다.6 is a partial plan view of a third baffle plate 750 according to an embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제3 배플플레이트(750)에는 상기 중앙분사홀(760)과 격벽(763)에 의해 구획되어 상기 중앙분사홀(760)을 감싸며, 관통홀(766)에 의해 상기 중앙분사홀(760)과 연통되는 확산공간(762)이 형성될 수 있다.5 and 6, the third baffle plate 750 is divided by the central injection hole 760 and the partition wall 763 to surround the central injection hole 760, and the through hole 766 Accordingly, a diffusion space 762 communicating with the central injection hole 760 may be formed.

상기 확산공간(762)은 상기 중앙분사홀(760)을 감싸도록 원형 또는 환형으로 형성된다. 이때, 상기 확산공간(762)은 상기 격벽(763)에 의해 상기 중앙분사홀(760)과 구획될 수 있다. 상기 격벽(763)에는 복수개의 관통홀(766)이 형성되며, 상기 관통홀(766)에 의해 상기 확산공간(762)과 상기 중앙분사홀(760)이 서로 연통된다.The diffusion space 762 is formed in a circular or annular shape to surround the central injection hole 760. In this case, the diffusion space 762 may be partitioned from the central injection hole 760 by the partition wall 763. A plurality of through holes 766 are formed in the partition wall 763, and the diffusion space 762 and the central injection hole 760 communicate with each other by the through holes 766.

따라서, 상기 중앙분사유로(758)를 통해 공급된 공정가스는 상기 확산공간(762)으로 먼저 공급되어 상기 확산공간(762)의 내측으로 퍼지게 된다. 상기 확산공간(762)의 내측으로 분산된 공정가스는 상기 관통홀(766)을 통해 상기 중앙분사홀(760)로 유입된다. Accordingly, the process gas supplied through the central injection passage 758 is first supplied to the diffusion space 762 and spreads inside the diffusion space 762. The process gas dispersed into the diffusion space 762 flows into the central injection hole 760 through the through hole 766.

이때, 상기 확산공간(762)은 원형으로 형성되어 상기 중앙분사홀(760)을 감싸도록 배치된다. 따라서, 상기 관통홀(766)을 통해 상기 중앙분사홀(760)로 공급되는 공정가스는 상기 중앙분사홀(760)의 내부에서 일측으로 치우쳐서 공급되지 않고 균일하게 분산되어 유입될 수 있다.At this time, the diffusion space 762 is formed in a circular shape and is arranged to surround the central injection hole 760. Accordingly, the process gas supplied to the central injection hole 760 through the through hole 766 may not be supplied to one side inside the central injection hole 760 but may be uniformly distributed and introduced.

한편, 도 6의 실시예에서 상기 중앙분사유로(758)는 상기 확산공간(762) 또는 상기 중앙분사홀(760)의 중앙부를 향해 직경 방향을 따라 상기 확산공간(762)과 연결된다.Meanwhile, in the embodiment of FIG. 6, the central injection passage 758 is connected to the diffusion space 762 along a radial direction toward the diffusion space 762 or a central portion of the central injection hole 760.

이 경우, 상기 중앙분사유로(758)를 통해 공급된 공정가스는 상기 격벽(763)과 수직방향으로 만나게 되어 상기 공정가스의 분사속도가 줄어들게 된다. 이 경우, 상기 확산공간(762)의 내측에서 상기 공정가스의 분산정도가 줄어들 수 있다.In this case, the process gas supplied through the central injection passage 758 meets the partition wall 763 in a vertical direction, so that the injection speed of the process gas decreases. In this case, the degree of dispersion of the process gas inside the diffusion space 762 may be reduced.

도 7은 전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 제3 배플플레이트(750)의 일부 평면도이다.7 is a partial plan view of a third baffle plate 750 according to another embodiment of the present invention for solving the above-described problem.

도 7을 참조하면, 본 실시예의 경우 상기 중앙분사유로(758)가 상기 확산공간(762)과 연결되는 경우에 원형의 확산공간(762)의 접선방향을 따라 상기 중앙분사유로(758)가 연결될 수 있다.Referring to FIG. 7, in this embodiment, when the central injection passage 758 is connected to the diffusion space 762, the central injection passage 758 is connected along the tangential direction of the circular diffusion space 762. I can.

이 경우, 상기 중앙분사유로(758)를 통해 공급되는 공정가스는 상기 격벽(763)과 수직방향으로 만나지 않게 되어, 상기 공정가스의 분사속도가 줄어들지 않은 상태에서 상기 확산공간(762)으로 상기 공정가스가 분산될 수 있다. 이 경우, 상기 확산공간(762)의 내측에서 상기 공정가스가 보다 균일하게 분산될 수 있어 상기 중앙분사홀(760)로 상기 공정가스를 균일하게 공급할 수 있다.In this case, the process gas supplied through the central injection passage 758 does not meet the partition wall 763 in a vertical direction, so that the process gas is transferred to the diffusion space 762 while the injection speed of the process gas is not reduced. Gas can be dispersed. In this case, the process gas may be more evenly distributed inside the diffusion space 762, so that the process gas may be uniformly supplied to the central injection hole 760.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will variously modify and change the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims described below. I will be able to do it. Therefore, if the modified implementation basically includes the elements of the claims of the present invention, all should be considered to be included in the technical scope of the present invention.

100 : 챔버
200 : 가스공급유닛
210 : 백킹플레이트
220 : 샤워헤드
310 : 서셉터
500 : 공정가스공급원
550 : 세정가스공급원
700 : 배플유닛
710 : 제1 배플플레이트
730 : 제2 배플플레이트
750 : 제3 배플플레이트100: chamber
200: gas supply unit
210: backing plate
220: shower head
310: susceptor
500: process gas supply source
550: cleaning gas supply source
700: baffle unit
710: first baffle plate
730: second baffle plate
750: third baffle plate

Claims (7)

대면적기판을 처리하는 챔버의 내측에 구비되는 가스공급유닛에 있어서,
챔버 내부에 마련되는 백킹플레이트;
상기 백킹플레이트의 하부에 이격되어 구비되어 상기 챔버 내부를 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 샤워헤드;
상기 백킹플레이트와 상기 샤워헤드 사이에 구비되어, 상기 백킹플레이트에 착탈 가능하게 연결되어 중앙부 영역을 통해 공정가스를 공급하고 주변 영역을 통해 상기 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 배플유닛; 및
상기 배플유닛을 향해 상기 공정가스를 공급하는 공정가스 공급원 및 상기 세정가스를 공급하는 세정가스 공급원;을 구비하고,
상기 배플유닛에는 상기 샤워헤드를 향해 공정가스를 공급하는 중앙분사홀과, 상기 샤워헤드를 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하며, 상기 중앙분사홀에서 이격되는 적어도 하나의 주변분사홀과, 상기 공정가스가 공급되는 공정가스공급라인 및 상기 세정가스가 공급되는 세정가스공급라인과 상기 주변분사홀을 연결시키는 주변분사유로와, 상기 공정가스공급라인과 상기 중앙분사홀을 연결시키는 중앙분사유로가 형성되고,
상기 배플유닛은 제1 배플플레이트, 제2 배플플레이트 및 제3 배플플레이트가 적층되어 배치되고,
상기 공정가스공급라인 및 세정가스공급라인과 연결되어 상기 주변분사유로로 상기 공정가스 또는 세정가스를 전달하는 공급유로가 상기 제1 배플플레이트에 형성되고, 상기 제2 배플플레이트에 상기 공급유로와 연결되는 상기 주변분사유로가 형성되고, 상기 제3 배플플레이트에 상기 중앙분사홀과, 상기 중앙분사홀과 연결되는 중앙분사유로와, 상기 주변분사유로와 연결되는 주변분사홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급유닛.In the gas supply unit provided inside the chamber for processing a large area substrate,
A backing plate provided inside the chamber;
A showerhead provided to be spaced apart from a lower portion of the backing plate to supply a process gas or a cleaning gas toward the interior of the chamber;
A baffle unit provided between the backing plate and the shower head, detachably connected to the backing plate, supplying a process gas through a central region and supplying the process gas or cleaning gas through a peripheral region; And
A process gas supply source for supplying the process gas toward the baffle unit and a cleaning gas supply source for supplying the cleaning gas; and
The baffle unit includes a central injection hole for supplying a process gas toward the showerhead, a process gas or cleaning gas toward the showerhead, at least one peripheral injection hole spaced apart from the central injection hole, and the process A process gas supply line to which gas is supplied, a peripheral injection channel connecting the cleaning gas supply line to which the cleaning gas is supplied and the peripheral injection hole, and a central injection channel connecting the process gas supply line and the central injection hole are formed. Become,
The baffle unit is arranged by stacking a first baffle plate, a second baffle plate, and a third baffle plate,
A supply channel connected to the process gas supply line and the cleaning gas supply line to deliver the process gas or cleaning gas to the peripheral injection channel is formed in the first baffle plate, and connected to the supply channel in the second baffle plate Wherein the peripheral injection passage is formed, and the central injection hole, the central injection passage connected to the central injection hole, and the peripheral injection hole connected to the peripheral injection passage are formed in the third baffle plate. Gas supply unit. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 주변분사유로는 상기 공급유로에서 방사상으로 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급유닛.The method of claim 1,
The gas supply unit, characterized in that the peripheral injection flow path is formed to extend radially from the supply flow path. 제1항에 있어서,
상기 제3 배플플레이트에는 상기 중앙분사홀과 격벽에 의해 구획되어 상기 중앙분사홀을 감싸며, 관통홀에 의해 상기 중앙분사홀과 연통되는 확산공간이 더 형성되고,
상기 중앙분사유로는 상기 확산공간과 연결되어 상기 공정가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 가스공급유닛.The method of claim 1,
The third baffle plate further includes a diffusion space divided by the central injection hole and the partition wall to surround the central injection hole and communicated with the central injection hole by a through hole,
The gas supply unit, characterized in that the central injection passage is connected to the diffusion space to supply the process gas. 삭제delete
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