KR102141093B1 - 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치 - Google Patents

적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체 면진 장치에 관한 것으로써, 상기 자력발생체를 상기 자기유변탄성체의 변형에 대응되게 서로 미끄러지며 이동 가능하도록 적층 형성되는 복수의 단위 전자석판들로 구성하여 자기유변탄성체의 변형을 고려해서 확보해야 하는 자기유변탄성체와 전자석 사이의　넓은 빈 공간을 획기적으로 줄여줄 수가 있어 소형화가 가능하고, 전자석 제작과정에 사용되는 코일 부분의 부피를 줄일 수 있어 전자석을 제작하는데 소요되는 비용을 절감할 수 있도록 함과 아울러 동일 같은 전력을 사용하더라도 인가되는 자기장의 자속 밀도를 키울 수 있기 때문에 자기유변탄성체의 강성 변화 폭을 크게 함으로써 면진 장치를 좀더 효과적으로 제어할 수 있는 효과를 갖는다.

Description

적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치{Magneto-rheological Elastomer Vibration Isolation Device with Laminated electromagnet construction}
본 발명은 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 적층형 전자석 구조를 통해 장치의 소형화 및 강성 제어 효율을 높일 수 있도록 하는 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치에 관한 것이다.
주지된 바와 같이, 면진 장치는 낮은 수평 강성을 가지는 구조 부재를 구조물과 기초 지반 사이에 삽입함으로써 구조물을 지반의 예기치 않은 진동으로부터 격리시키는 것이다.
면진 장치를 구조물과 지반 사이에 삽입하면, 면진 장치를 포함한 전체 구조물의 수평 강성이 감소되고, 이에 따라 구조물의 고유주기가 단주기 대역으로부터 장주기 대역으로 이동한다. 따라서, 구조물의 가속도 응답을 감소시켜 지진으로 인한 피해를 효과적으로 줄이게 된다.
최근 들어 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치들의 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
자기유변탄성체는 폴리머나 실리콘 기반의 고무 재료에 마이크로사이즈의 철 입자가 포함된 지능재료로서, 자기유변탄성체에 가해지는 자기장에 따라 강성 즉, 전단 에너지 감쇠력, 표면마찰계수, 및 수직방향 수축력 등을 제어할 수 있기 때문이다.
이처럼, 자기유변탄성체를 면진 장치에 적용하기 위해서는 자기유변탄성체의 강성 변화를 유도하기 위해 자기장을 인가하기 위한 자력발생장치 즉, 전자석 시스템의 구성이 필수적이다.
도 12는 종래 면진 장치에 대한 측단면도이고, 도 13은 도 12의 종래 면진 장치에 수평 하중이 인가되어 자기유변탄성체가 변형된 상태를 도시한 측단면도이다.
도 12 및 도 13을 참조하여 설명하면, 종래 자기유변탄성체(10)를 이용한 면진 장치(5)에 적용되는 일체형 전자석(520)의 경우 자기유변탄성체(10)의 변형량을 고려하여 제작되어야 하기 때문에 기설정된 크기 이상의 내경을 가져야 하는 구조적 한계를 가지고 있다.
이처럼, 전자석(520)의 내경 사이즈가 커지게 되는 경우 이를 제작하는데 소요되는 제작비가 증가하게 될 뿐만 아니라, 동일 자속 밀도를 갖게 하기 위한 전력 소비량을 커지게 되는 단점을 가지게 된다.
대한민국 등록특허공보 제10-1536715호(등록일자 2015년07월08일) 대한민국 공개특허공보 제10-2018-0114610호(공개일자 2018년10월19일)
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 자기유변탄성체 주위에 설치되는 자력발생체를 상기 자기유변탄성체의 변형에 대응되게 서로 미끄러지며 이동 가능하도록 적층 형성되는 복수의 단위 전자석판들로 구성하여, 자력발생기를 이루는 전자석들의 내경 축소에 따른 장치의 소형화 및 제어 효율을 높일 수 있도록 하는 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치를 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체 면진 장치는, 자기장에 의해 강성이 변하는 자기유변탄성체; 및 상기 자기유변탄성체로부터 이격된 상태로 주위를 감싸며 상기 자기유변탄성체에 자기장을 인가하는 자력발생체;를 포함하고, 상기 자력발생체는 상기 자기유변탄성체의 변형에 대응되게 서로 미끄러지며 이동 가능하도록 적층 형성되는 복수의 단위 전자석판들로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 단위 전자석판들은 중공 판형 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 단위 전자석판들 사이에서 구름 접촉되게 복수의 강구가 개재되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 단위 전자석판들의 미끄러짐 가동 범위를 제한하는 변형 제한 수단이 구비될 수 있다.
여기서, 상기 변형 제한 수단은 상기 단위 전자석판들의 측면에 연장 형성되어 상측 또는 하측에 적층되는 단위 전자석판들의 미끄러짐 변형 범위를 제한하도록 단부에 걸림부가 절곡 형성되는 복수의 걸림바로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 변형 제한 수단은 상기 단위 전자석판들의 측면에 걸림턱을 가지고 연장 형성되어 상측 또는 하측에 적층되는 단위 전차석판들의 미끄러짐 가동 범위를 제한하도록 연장 단부에 걸림턱이 형성되는 걸림판으로 이루어질 수 있다.
상기한 본 발명의 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체 면진 장치에 따르면, 상기 자력발생체는 상기 자기유변탄성체의 변형에 대응되게 서로 미끄러지며 이동 가능하도록 적층 형성되는 복수의 단위 전자석판들로 구성하여 자기유변탄성체의 변형을 고려해서 확보해야 하는 자기유변탄성체와 전자석 사이의　넓은 빈 공간을 획기적으로 줄여줄 수가 있어 소형화가 가능하고, 전자석 제작과정에 사용되는 코일 부분의 부피를 줄일 수 있어 전자석을 제작하는데 소요되는 비용을 절감할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 전술한 바와 같이 자기유변탄성체와 전자석 사이의 거리를 줄일 수 있도록 함으로써 같은 전력을 사용하더라도 인가되는 자기장의 자속 밀도를 키울 수 있기 때문에 자기유변탄성체의 강성 변화 폭을 크게 함으로써 면진 장치를 좀더 효과적으로 제어할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 면진 장치에 대한 측단면도이다.
도 3은 도 2의 면진 장치에 수평 하중이 가해져 변형된 상태를 도시한 측단면도이다.
도 4는 도 3의 면진 장치에 수평 하중이 가해져 변형시 자력 분포를 시뮬레이션한 결과를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 면진 장치와 종래 면진 장치의 자속 밀도를 비교하여 도시한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 적층형 전자석 구조를 가지를 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치의 측단면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 적층형 전자석 구조를 가지를 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치의 사시도이다.
도 8은 도 7의 면진 장치를 도시한 측단면도이다.
도 9은 도 8의 면진 장치가 수평 하중에 의해 변형된 상태를 도시한 측단면도이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 적층형 전자석 구조를 가지를 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치를 도시한 측단면도이다.
도 11은 도 10의 면진 장치가 수평 하중에 의해 변형된 상태를 도시한 측단면도이다.
도 12는 종래 면진 장치에 대한 측단면도이다.
도 13은 도 12의 종래 면진 장치에 수평 하중이 인가되어 자기유변탄성체가 변형된 상태를 도시한 측단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 면진 장치에 대한 측단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 설명하며, 본 발명의 일실시예에 따른 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치(이하, 면진 장치라 함)는 기본적으로 자기장에 의해 강성이 변하는 자기유변탄성체(10) 및 상기 자기유변탄성체(10)로부터 이격된 상태로 주위를 감싸며 상기 자기유변탄성체(10)에 자기장을 인가하는 자력발생체(20)를 포함하여 구성된다.
여기서, 자기유변탄성체(10)는 폴리머나 실리콘 기반의 고무 재료 내에 마이크로사이즈의 자성 금속 입자를 포함하도록 구성되어, 자력발생체(20)를 통해 인가된 자기장의 세기에 따라 강성이 가변되도록 한다.
본 실시예의 면진 장치(1) 내에서 자기유변탄성체(10)는 수직하중이 인가되는 것을 배제한 상태로 수평하중만이 받아 지지하도록 하는 예시하나, 본 발명이 이에 반드시 한정되는 것이 아니면 인가되는 수직하중의 크기에 따라 수직 하중이 직접적으로 인가될 수 있게 구성될 수 있은 당연하다.
그리고, 자력발생체(20)는 상기 자기유변탄성체(10)로부터 이격된 상태로 주위를 감싸며 상기 자기유변탄성체(10)에 자기장을 인가하도록 한다.
여기서, 자력발생체(20)는 인가된 자기장의 세기를 가변시켜서 요구되는 자기유변탄성체의 강성을 조절할 수 있는 전자석으로 구성되는 것이 바람직하다.
특히, 본 실시예의 자력발생체(21)를 이루는 전자석은 상기 자기유변탄성체(10)의 변형에 대응되게 서로 미끄러지며 이동 가능하도록 적층 형성되는 복수의 단위 전자석판들(21)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 단위 전자석판들(21)은 상기한 원기둥 형태의 자기유변탄성체(10)를 내부에 수납하기 위한 수납 공간을 형성하도록 중공 판형 형상으로 이루어지는 것을 예시하나, 여기서 중공 원판 형상의 의미는 종래 자력발생체(520)를 이루는 중공 원통형 전자석의 높이를 복수개로 분절해서 형성하는 것을 의미한다.
한편, 단위 전자석판들(21)은 도면에 상세하게 도시하고 있지는 않지만 원판 형상을 이루는 보빈 형태의 몸체부(21a) 내부에 전력을 인가하여 자기장을 발생시키도록 자기 유도 코일(21b)들이 권취되어 구성된다.
도 3은 도 2의 면진 장치에 수평 하중이 가해져 변형된 상태를 도시한 측단면도이다.
도 3를 참조하여 설명하면, 자력발생체(20)를 이루는 단위 전자석판들(21)을 통해 인가된 자기장의 세기에 따라 면진 장치(1)에 작용하는 수평 하중을 지지하는 자기유변탄성체(10)의 강성을 조절하도록 한다.
그러나, 자기유변탄성체(10)를 통해 수평 하중을 지지하는 과정에서 자기유변탄성체(10)에 가해지는 수평 하중이 인가되 자기장에 의해 조절된 자기유변탄성체(10)의 강도보다 큰 경우, 자기유변탄성체(10)가 수평 하중이 인가되는 방향으로 탄성 변형되며 기울어지게 된다.
이처럼, 자기유변탄성체(10)가 수평 하중이 작용하는 어느 한쪽으로 기울어지며 탄성 변형되면, 자력발생체(20)를 이루도록 적층되는 복수의 단위 전자석판들(21)이 상기 자기유변탄성체(10)의 변형에 대응되게 서로 미끄러지며 이동하여 자기유변탄성체(10)와 대략 동일한 기울기를 가지고 변형하게 된다.
이때, 서로 적층되는 단위 전자석판들(21)의 상면과 하면은 자기유변탄성체(10)의 변형에 대응되게 서로 미끄러지며 이동 가능하도록 하되, 단위 전자석판들(21)의 자체 하중에 의해 이들이 적층 구조를 유지할 수 있는 최대 가동 범위 이상을 벗어나지 않을 무게 중심을 유지할 수 있는 정도의 마찰력을 갖는 표면 거칠기로 형성되는 것이 바람직하다.
도 4는 도 3의 면진 장치에 수평 하중이 가해져 변형시 자력 분포를 시뮬레이션한 결과를 도시한 도면이다.
도 4를 참조하여 설명하면, 도 3에서와 같이 자력발생체(20)를 이루도록 적층되는 복수의 단위 전자석판들(21)이 자기유변탄성체(10)와 동일한 기울기를 가지고 변형되면, 복수의 단위 전자석판들(21)에 의해 유도되는 자기력선들의 방향 역시 자기유변탄성체(10)와 동일한 기울기를 가지고 형성된다.
따라서, 자기유변탄성체(10)에 작용하는 수평 하중이 제거되거나 또는 인가된 자기장의 세기에 의해 조절된 자기유변탄성체(10)의 강성보다 작은 경우, 자기유변탄성체(10)는 수직 형태로 탄성 복원되고 이와 동시에 서로 적층되는 단위 전자석판들(21) 역시 유도된 전자기력에 의해 수직 적층된 상태로 미끄럼 이동되며 복원된다.
도 5는 본 발명의 면진 장치와 종래 면진 장치의 자속 밀도를 비교하여 도시한 그래프이다.
도 5를 참조하여 설명하면, 도 5의 (a)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 면진 장치(1)의 적층형 전자석 구조와 이를 통해 발생한 자속 밀도를 도시한 그래프이고, 도 5의 (b)는 도 12 및 도 13에 도시한 종래 면진 장치(5)의 일체형 전자석 구조와 이를 통해 발생한 자속 밀도를 도시한 그래프이다.
이처럼 본 발명의 제1 실시예에 따른 자기유변탄성체(10)를 이용한 면진 장치(1)는 종래 면진 장치(5)와 비교해, 전자석 부분을 적층된 단위 전자석판들(21)을 이용해 일정한 높이로 분절해서 자기유변탄성체(10)의 수평 방향 변형을 수용해 주도록 함으로써 자기유변탄성체(10)의 변형을 고려해서 확보해야 하는 자기유변탄성체(10)와 자력발생체(20) 사이의 넓은 빈 공간을 획기적으로 줄여줄 수가 있다.
이처럼, 자기유변탄성체(10)와 자력발생체(20) 사이의 거리가 줄어 듦으로써 같은 전력을 사용했을 때 자속 밀도가 더 커지는 장점을 가지게 되고, 사용되는 전자석의 크기를 줄일 수 있기 때문에 전자석 제작 과정에 사용되는 자기 유도 코일 부분의 부피를 대략 2배 이상 절감할 수 있어 전자석을 제작하는데 소요되는 비용을 절감할 수 있다.
또한, 같은 세기의 전자석 즉, 코일의 권취수가 같을 경우 1.5배 이상 자기장 세기를 증가시킬 수 있다. 따라서 같은 자기장의 세기를 만들기 위해서 본 발명의 경우 전자석을 조금 더 작고 가볍게 만들 수 있고, 자기유변탄성체(10)의 강성 변화의 폭을 크게 함으로써 면진 장치(1) 등에 들어갔을 때 조금 더 효율적으로 구조물 제어 가능하도록 한다.
이하, 도 6 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치에 대한 다른 실시예를 설명하되, 전술한 제1 실시예와 비교해 동일 및 유사한 구성에 대해서는 동일 참조부호를 사용하고 이에 대한 반복적이 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 적층형 전자석 구조를 가지를 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치의 측단면도이다.
도 6을 참조하여 설명하면, 본 실시예의 면진 장치(1)는, 전술한 제1 실시예와 비교하여, 상기 단위 전자석판들(120) 사이에서 구름 접촉되게 복수의 강구(130)가 개재되는 구성의 차이를 갖는다.
한편, 서로 적층되는 단위 전자석판들(120)의 마주하는 상면과 하면에는 강구들(130)을 수용하기 위한 강구 수용홈들(131, 132)이 각각 형성될 수 있다.
여기서, 강구 수용홈들(131, 132)의 깊이는 강구(31)의 1/2 직경보다 작도록 하여 서로 적층되는 단위 전자석판들(121)이 서로 미세 간격을 이루며 이격되도록 하는 것이 바람직하다.
따라서, 서로 적층되는 단위 전자석판들(120) 강구 수용홈(131, 132)에 수용된 강구들(130)의 구름 접촉에 의해 평면상 모든 방향으로 자유롭게 이동하며 상기 자기유변탄성체(10)의 변형에 대응되게 변형 가능하다.
또한, 서로 적층되는 단위 전자석판들(121)이 강구들(130)에 의해 이동 가능한 상태로 지지하기 때문에 면진 장치(1)에 작용하는 수직 하중을 적층형 전자석판들(121)이 받아 지지하도록 구성할 수도 있다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 적층형 전자석 구조를 가지를 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치의 사시도이고, 도 8은 도 7의 면진 장치를 도시한 측단면도이며, 도 9은 도 8의 면진 장치가 수평 하중에 의해 변형된 상태를 도시한 측단면도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 면진 장치(1)는, 전술한 제1 실시예와 비교하여, 상기 단위 전자석판들(220)의 미끄러짐 가동 범위를 제한하는 변형 제한 수단이 구비되는 구성의 차이를 갖는다.
본 실시예에서 변형 제한 수단은 상기 단위 전자석판들의 측면에 연장 형성되어 상측에 적층되는 단위 전자석판들(220)의 미끄러짐 변형 범위를 제한하도록 연장부(241)의 단부에 걸림부(242)가 절곡 형성되는 복수의 걸림바들(240)로 이루어지는 것을 예시한다.
걸림바들(240)은 단위 전자석판(220)의 원주 상의 사분점 측벽면에 돌출 형성되는 것을 예시하고 있으나, 본 발명이 이에 반드시 한정되는 것을 아니며 단위 전자석판들(220)의 단면 형상에 따라 적어도 3개 이상으로 형성될 수 있고, 하측 단위 전자석판(220에 형성된 걸림바(240)가 상측 단위 전자석판들(220)의 미끄러짐 변형 범위를 제한하는 것뿐만 아니라 걸림부(242)의 절곡 방향에 따라 하측 단위 전자석판들(220)로부터 스스로의 미끄러짐 변형 범위를 제한하도록 구성될 수 있음은 당연하다.
여기서, 걸림바(240)의 수평 연장부(241) 길이는 단위 전자석판들의 미끄러짐 변형 범위에 상당하게 형성될 수 있으면, 걸림부(242)의 연장 높이는 상측 단위 전자석판(220)의 높이의 1/2 이하게 되도록 하는 것이 바람직하다.
이처럼, 단위 전자석판들(220)의 외주면 상에 연장 형성된 걸림바(240)를 상기 단위 전자석판들(220)의 미끄러짐 가동 범위를 제한하도록 함으로써, 수평 하중에 의한 변형 범위를 제한하여 장치의 파손을 방지할 수 있도록 한다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 적층형 전자석 구조를 가지를 자기유변탄성체를 이용한 면진 장치를 도시한 측단면도이고, 도 11은 도 10의 면진 장치가 수평 하중에 의해 변형된 상태를 도시한 측단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하여 설명하면, 본 실시예의 면진 장치(1)는, 전술한 제3 실시예와 비교하여, 변형 제한 수단이 상기 단위 전자석판들(320)의 측면에 연장 형성되어 상측 또는 하측에 적층되는 단위 전자석판들(320)의 미끄러짐 가동 범위를 제한하도록 단부에 걸림턱(351)이 형성되는 하나의 단일 걸림판(350)으로 이루어지는 구성의 차이를 갖는다.
이처럼, 변형 제한 수단을 상기 단위 전자석판들(320)의 측면에 연장 형성되는 하나의 걸림판(350)으로 형성함으로써, 변형 제한 수단의 구성을 단순화시킬 수 있고 평면상 모든 방향으로 동일 거리의 미끄럼 이동 가능 거리를 제한할 수 있도록 한다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형 또는 변경하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
1, 5: 면진 장치 10, 510: 자기유변탄성체
20, 120, 220, 320, 520: 자기발생체(전자석)
21, 121, 221, 321: 단위 전자석판 21a: 몸체부
21b: 자기 유도 코일 130: 강구
131, 132: 강구 수용홈 240: 걸림바
241: 연장부 242: 걸림부
350: 걸림판 351: 걸림부

Claims (6)

  1. 자기장에 의해 수평방향으로 강성이 변하는 원기둥 형태의 자기유변탄성체; 및
    상기 자기유변탄성체로부터 이격된 상태로 주위를 감싸며 상기 자기유변탄성체에 자기장을 인가하는 자력발생체;를 포함하고,
    상기 자력발생체는,
    상기 자기유변탄성체에 수평하중이 작용하여 수평방향으로 변형되어 기울어지게 될 때, 이에 대응되는 기울기를 가지도록 서로 미끄러지며 수평방향으로 이동 가능하도록 적층 형성되는 중공 판형 형상의 복수의 단위 전자석판들로 이루어지는 적층형 전자석 구조를 가지도록 구성하되, 상기 자력발생체는 상기 자기유변탄성체의 수평방향의 최대 변형량을 고려한 최소 내경을 가지도록 설계됨으로써 상기 자기유변탄성체와 자력발생체 사이에 형성되는 빈 공간을 최소로 줄여 자력발생체의 크기를 줄이고 자속밀도를 높이도록 구성한 것을 특징으로 하는 자기유변탄성체 면진 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 단위 전자석판들 사이에서 구름 접촉되게 복수의 강구가 개재되어 형성되는 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체 면진 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 단위 전자석판들의 미끄러짐 가동 범위를 제한하는 변형 제한 수단이 구비되는 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체 면진 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 변형 제한 수단은,
    상기 단위 전자석판들의 측면에 연장 형성되어 상측 또는 하측에 적층되는 단위 전자석판들의 미끄러짐 변형 범위를 제한하도록 단부에 걸림부가 절곡 형성되는 복수의 걸림바로 이루어지는 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체 면진 장치.
  6. 제4항에서,
    상기 변형 제한 수단은,
    상기 단위 전자석판들의 측면에 걸림턱을 가지고 연장 형성되어 상측 또는 하측에 적층되는 단위 전차석판들의 미끄러짐 가동 범위를 제한하도록 단부에 걸림턱이 형성되는 걸림판으로 이루어지는 적층형 전자석 구조를 가지는 자기유변탄성체 면진 장치.
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