KR102137750B1

KR102137750B1 - Light emitting device

Info

Publication number: KR102137750B1
Application number: KR1020160096031A
Authority: KR
Inventors: 이상열; 김회준; 정성호
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2016-07-28
Filing date: 2016-07-28
Publication date: 2020-07-24
Also published as: KR20160115868A

Abstract

실시 예의 발광 소자는 기판과, 기판에 배치되며 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 연결되는 제1 및 제2 전극과, 제1 및 제2 전극과 각각 연결된 제1 및 제2 본딩 패드 및 제1 본딩 패드와 제2 전극의 사이 및 제2 본딩 패드와 제1 전극의 사이에 각각 배치된 절연층을 포함하고, 제1 전극의 제1 두께는 제2 본딩 패드와 제1 전극 사이에 배치된 절연층의 제2 두께의 1/3 이하이고, 제1 전극에서 절연층과 대향하며 제2 본딩 패드 아래에 배치된 제1 상면은 절연층이 채워지는 적어도 하나의 제1 리세스를 포함한다.The light emitting device of the embodiment is disposed on the substrate, the first conductive semiconductor layer, the light emitting structure including the active layer and the second conductive semiconductor layer, and the first and second conductive type semiconductor layers are respectively connected to the first and The second electrode, the first and second bonding pads connected to the first and second electrodes, and the insulating layers disposed between the first bonding pad and the second electrode and between the second bonding pad and the first electrode, respectively. Including, the first thickness of the first electrode is less than 1/3 of the second thickness of the insulating layer disposed between the second bonding pad and the first electrode, facing the insulating layer at the first electrode, and under the second bonding pad The first upper surface disposed in includes at least one first recess filled with an insulating layer.

Description

Light emitting device

실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device.

발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.A light emitting diode (LED) is a type of semiconductor device used as a light source or a signal by converting electricity into infrared rays or light using characteristics of a compound semiconductor.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.Group III-V nitride semiconductors are spotlighted as core materials for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties.

이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.These light emitting diodes do not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in existing lighting fixtures such as incandescent lamps and fluorescent lamps, and thus have excellent eco-friendliness, and have advantages such as long life and low power consumption characteristics. Is replacing them.

플립칩 본딩 구조를 갖는 기존의 발광 소자 패키지의 경우, 수직 방향으로 중첩되는 p형 본딩 패드와 n형 전극을 서로 전기적으로 이격시키는 절연층이 두꺼운 n형 전극으로 인해 제대로 형성될 수 없어 전기적인 특성이 악화될 수 있는 문제점이 있다.In the case of a conventional light emitting device package having a flip-chip bonding structure, an insulating layer that electrically spaces the p-type bonding pad and the n-type electrode overlapping each other in a vertical direction cannot be properly formed due to the thick n-type electrode, and thus electrical characteristics. There are problems that can make this worse.

실시 예는 우수한 전기적 특성을 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having excellent electrical properties.

일 실시 예에 의한 발광 소자는, 기판; 상기 기판에 배치되며 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 연결되는 제1 및 제2 전극; 상기 제1 및 제2 전극과 각각 연결된 제1 및 제2 본딩 패드; 및 상기 제1 본딩 패드와 상기 제2 전극의 사이 및 상기 제2 본딩 패드와 상기 제1 전극의 사이에 각각 배치된 절연층을 포함하고, 상기 제1 전극의 제1 두께는 상기 제2 본딩 패드와 상기 제1 전극 사이에 배치된 상기 절연층의 제2 두께의 1/3 이하일 수 있다.A light emitting device according to an embodiment includes a substrate; A light emitting structure disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer and a second conductivity type semiconductor layer; First and second electrodes connected to the first and second conductivity-type semiconductor layers, respectively; First and second bonding pads respectively connected to the first and second electrodes; And an insulating layer disposed between the first bonding pad and the second electrode and between the second bonding pad and the first electrode, wherein a first thickness of the first electrode is the second bonding pad. It may be less than 1/3 of the second thickness of the insulating layer disposed between and the first electrode.

예를 들어, 상기 제1 전극은 상기 제1 및 제2 본딩 패드 아래에 배치된 가지 전극; 및 상기 제1 본딩 패드 아래에 배치된 콘택 전극을 포함하고, 상기 제1 두께는 상기 가지 전극의 두께일 수 있다. 상기 가지 전극은 상기 제2 본딩 패드 아래에 배치된 제1 세그먼트; 및 상기 제1 본딩 패드 아래에 배치된 제2 세그먼트를 포함하고, 상기 제1 두께는 상기 제1 세그먼트의 두께일 수 있다. 제1 방향으로 상기 기판의 제1 길이와 상기 가지 전극의 제2 길이는 아래와 같은 관계를 가지고, 상기 제1 및 제2 본딩 패드는 상기 발광 구조물의 두께 방향과 수직인 상기 제1 방향으로 서로 이격될 수 있다.For example, the first electrode may include a branch electrode disposed under the first and second bonding pads; And a contact electrode disposed under the first bonding pad, wherein the first thickness may be the thickness of the branch electrode. The branch electrode may include a first segment disposed under the second bonding pad; And a second segment disposed under the first bonding pad, and the first thickness may be the thickness of the first segment. The first length of the substrate in the first direction and the second length of the branch electrode have the following relationship, and the first and second bonding pads are spaced apart from each other in the first direction perpendicular to the thickness direction of the light emitting structure. Can be.

여기서, L1은 상기 제1 길이를 나타내고, L2는 상기 제2 길이를 나타낸다.Here, L1 represents the first length, and L2 represents the second length.

예를 들어, 상기 가지 전극의 상기 제1 세그먼트의 일부는 상기 제1 도전형 반도체층에 매립될 수 있다. 상기 제1 전극의 상기 제1 두께는 상기 제1 도전형 반도체층에 매립되지 않고 노출된 부분의 두께일 수 있다.For example, a part of the first segment of the branch electrode may be embedded in the first conductivity type semiconductor layer. The first thickness of the first electrode may be the thickness of a portion exposed without being buried in the first conductivity type semiconductor layer.

예를 들어, 상기 제1 두께는 1 ㎛ 이하이고, 상기 제2 두께는 3.3 ㎛ 이하일 수 있다.For example, the first thickness may be 1 μm or less, and the second thickness may be 3.3 μm or less.

예를 들어, 상기 제1 전극은 상기 절연층과 대향하는 상면을 포함하고, 상기 제1 전극의 상기 상면은 적어도 하나의 리세스를 가질 수 있다.For example, the first electrode may include an upper surface facing the insulating layer, and the upper surface of the first electrode may have at least one recess.

예를 들어, 상기 제1 전극은 상기 발광 구조물의 두께 방향과 수직한 방향으로 서로 이격되어 배치된 복수의 서브 전극을 포함할 수 있다.For example, the first electrode may include a plurality of sub-electrodes spaced apart from each other in a direction perpendicular to the thickness direction of the light emitting structure.

다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지는, 상기 발광 소자; 상기 제1 및 제2 본딩 패드와 각각 연결된 제1 및 제2 솔더부; 및 상기 제1 및 제2 솔더부와 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 리드 프레임을 더 포함할 수 있다.A light emitting device package according to another embodiment includes the light emitting device; First and second solder portions respectively connected to the first and second bonding pads; And first and second lead frames electrically connected to the first and second solder portions, respectively.

또 다른 실시 예에 의한 발광 소자는, 기판, 상기 기판에 배치되며 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 연결되는 제1 및 제2 전극; 상기 제1 및 제2 전극과 각각 연결된 제1 및 제2 본딩 패드; 및 상기 제1 본딩 패드와 상기 제2 전극의 사이 및 상기 제2 본딩 패드와 상기 제1 전극의 사이에 각각 배치된 절연층을 포함하고, 상기 제1 전극의 제1 두께는 상기 제2 본딩 패드와 상기 제1 전극 사이에 배치된 상기 절연층의 제2 두께의 1/3 이하이고, 상기 제1 전극에서 상기 절연층과 대향하며 상기 제2 본딩 패드 아래에 배치된 제1 상면은 상기 절연층이 채워지는 적어도 하나의 제1 리세스를 포함할 수 있다.A light emitting device according to another embodiment includes a substrate, a light emitting structure disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer; First and second electrodes connected to the first and second conductivity-type semiconductor layers, respectively; First and second bonding pads respectively connected to the first and second electrodes; And an insulating layer disposed between the first bonding pad and the second electrode and between the second bonding pad and the first electrode, wherein a first thickness of the first electrode is the second bonding pad. And a third thickness of a second thickness of the insulating layer disposed between the first electrode and opposite the insulating layer at the first electrode, and a first upper surface disposed under the second bonding pad is the insulating layer. The filling may include at least one first recess.

예를 들어, 상기 제1 전극은 상기 제1 및 제2 본딩 패드 아래에 배치된 가지 전극; 및 상기 제1 본딩 패드 아래에 배치된 콘택 전극을 포함하고, 상기 제1 두께는 상기 가지 전극의 두께일 수 있다.For example, the first electrode may include a branch electrode disposed under the first and second bonding pads; And a contact electrode disposed under the first bonding pad, wherein the first thickness may be the thickness of the branch electrode.

예를 들어, 상기 절연층을 사이에 두고 상기 제2 본딩 패드와 전기적으로 분리된 상기 가지 전극은 상기 제1 리세스를 포함할 수 있다.For example, the branch electrode electrically separated from the second bonding pad with the insulating layer therebetween may include the first recess.

예를 들어, 상기 가지 전극은 상기 제2 본딩 패드 아래에 배치된 제1 세그먼트; 및 상기 제1 본딩 패드 아래에 배치된 제2 세그먼트를 포함하고, 상기 제1 두께는 상기 제1 세그먼트의 두께일 수 있다.For example, the branch electrode may include a first segment disposed under the second bonding pad; And a second segment disposed under the first bonding pad, and the first thickness may be the thickness of the first segment.

예를 들어, 상기 절연층을 사이에 두고 상기 제2 본딩 패드와 전기적으로 분리된 상기 제1 세그먼트는 상기 제1 리세스를 포함할 수 있다.For example, the first segment electrically separated from the second bonding pad with the insulating layer therebetween may include the first recess.

예를 들어, 상기 제1 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 마주하며 상기 제1 상면의 반대측인 하면을 더 포함하고, 상기 제1 전극의 상기 제1 두께는 상기 제1 전극의 상기 하면으로부터 상기 제1 리세스가 형성되지 않은 상기 제1 상면까지의 높이에 해당할 수 있다.For example, the first electrode further includes a lower surface facing the first conductive type semiconductor layer and opposite to the first upper surface, and the first thickness of the first electrode is from the lower surface of the first electrode. It may correspond to the height to the first upper surface where the first recess is not formed.

예를 들어, 상기 가지 전극의 상기 제1 세그먼트의 일부는 상기 제1 도전형 반도체층에 매립될 수 있다.For example, a part of the first segment of the branch electrode may be embedded in the first conductivity type semiconductor layer.

예를 들어, 상기 제1 전극의 상기 제1 두께는 상기 제1 도전형 반도체층에 매립되지 않고 노출된 부분의 두께일 수 있다. 상기 제1 두께는 1 ㎛ 이하이고, 상기 제2 두께는 3.3 ㎛ 이하일 수 있다.For example, the first thickness of the first electrode may be a thickness of a portion exposed without being buried in the first conductivity type semiconductor layer. The first thickness may be 1 μm or less, and the second thickness may be 3.3 μm or less.

예를 들어, 상기 가지 전극은 상기 제1 세그먼트와 상기 제2 세그먼트 사이에 배치된 제3 세그먼트를 더 포함할 수 있다.For example, the branch electrode may further include a third segment disposed between the first segment and the second segment.

예를 들어, 상기 제1 전극의 상기 제1 상면 및 상기 제2 본딩 패드와 상기 발광 구조물의 두께 방향으로 중첩되는 상기 절연층은 상기 제2 본딩 패드와 마주하는 제2 상면을 포함하고, 상기 절연층의 상기 제2 상면은 적어도 하나의 제2 리세스를 포함할 수 있다.For example, the first upper surface of the first electrode and the second bonding pad and the insulating layer overlapping in the thickness direction of the light emitting structure include a second upper surface facing the second bonding pad, and the insulation The second top surface of the layer can include at least one second recess.

예를 들어, 상기 제1 전극의 상기 제1 두께는 상기 제1 전극이 상기 제1 리세스를 갖지 않을 때보다 상기 제1 리세스를 가질 때 더 두꺼울 수 있다.For example, the first thickness of the first electrode may be thicker when the first electrode has the first recess than when the first electrode does not have the first recess.

예를 들어, 상기 제1 본딩 패드와 상기 제2 본딩 패드는 제1 방향으로 서로 대향하고, 상기 제1 본딩 패드의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 기판의 상기 제1 방향으로의 길이보다 작고, 상기 제2 본딩 패드의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 기판의 상기 제1 방향으로의 길이보다 작을 수 있다.For example, the first bonding pad and the second bonding pad face each other in a first direction, and a length of the first bonding pad in the first direction is smaller than a length of the substrate in the first direction. , The length of the second bonding pad in the first direction may be smaller than the length of the substrate in the first direction.

예를 들어, 상기 제1 본딩 패드와 상기 제2 본딩 패드는 제1 방향으로 서로 대향하고, 상기 제1 본딩 패드의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 가지 전극의 상기 제1 방향으로의 길이보다 작고, 상기 제2 본딩 패드의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 가지 전극의 상기 제1 방향으로의 길이보다 작을 수 있다.For example, the first bonding pad and the second bonding pad face each other in a first direction, and a length of the first bonding pad in the first direction is greater than a length of the branch electrode in the first direction. The length of the second bonding pad in the first direction may be smaller than the length of the branch electrode in the first direction.

예를 들어, 상기 제1 전극의 제1 두께는 상기 제1 전극이 상기 복수의 서브 전극을 포함하지 않을 때보다 상기 복수의 서브 전극을 포함할 때 더 두꺼울 수 있다.For example, the first thickness of the first electrode may be thicker when the first electrode includes the plurality of sub-electrodes than when the first electrode does not include the plurality of sub-electrodes.

예를 들어, 상기 절연층은 상기 복수의 서브 전극 사이에 매립될 수 있다.For example, the insulating layer may be embedded between the plurality of sub-electrodes.

예를 들어, 상기 복수의 서브 전극의 두께는 서로 다를 수도 있고 서로 동일할 수도 있다.For example, the thicknesses of the plurality of sub-electrodes may be different from each other or may be the same.

예를 들어, 상기 복수의 서브 전극이 이격된 거리는 상기 절연층이 매립 가능한 공정 오차를 고려하여 결정될 수 있다.For example, a distance between the plurality of sub-electrodes may be determined in consideration of a process error in which the insulating layer can be embedded.

또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지는 상기 발광 소자; 상기 제1 및 제2 본딩 패드와 각각 연결된 제1 및 제2 솔더부; 및 상기 제1 및 제2 솔더부와 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 리드 프레임을 포함할 수 있다.The light emitting device package according to another embodiment includes the light emitting device; First and second solder portions respectively connected to the first and second bonding pads; And first and second lead frames electrically connected to the first and second solder portions, respectively.

또 다른 실시 예에 의한 조명 장치는, 상기 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device according to another embodiment may include the light emitting device package.

실시 예에 따른 발광 소자, 이 소자를 포함하는 발광 소자 패키지, 및 이 패키지를 포함하는 조명 장치는 제1 전극이 적정한 제1 두께 예를 들어, 절연층의 제2 두께의 1/3 이하의 두께를 가짐으로써 제2 본딩 패드와 제1 전극 사이에서 절연층이 제대로 형성될 수 있도록 하고, 제1 전극의 스롭을 개선시켜 제1 전극에서의 불량 발생이 방지되어 우수한 전기적 특성을 갖는다.The light emitting device according to the embodiment, the light emitting device package including the device, and the lighting device including the package, the first electrode has an appropriate first thickness, for example, a thickness of 1/3 or less of the second thickness of the insulating layer By having an insulating layer between the second bonding pad and the first electrode can be properly formed, the first electrode is improved by preventing the occurrence of defects in the first electrode, thereby having excellent electrical properties.

도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자를 I-I'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 3a는 도 1에 도시된 발광 소자를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 일 실시 예의 단면도를 나타내고, 도 3b는 도 3a에 도시된 'A' 부분을 확대하여 도시한 단면도를 나타낸다.
도 4a는 도 1에 도시된 발광 소자를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 다른 실시 예의 단면도를 나타내고, 도 4b는 도 4a에 도시된 'B' 부분을 확대하여 도시한 단면도를 나타낸다.
도 5a는 도 1에 도시된 발광 소자를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 또 다른 실시 예의 단면도를 나타내고, 도 5b는 도 5a에 도시된 'C' 부분을 확대하여 도시한 단면도를 나타낸다.
도 6a는 도 1에 도시된 발광 소자를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 또 다른 실시 예의 단면도를 나타내고, 도 6b는 도 6a에 도시된 'D' 부분을 확대하여 도시한 단면도를 나타낸다.
도 7a 내지 도 7f는 도 3a에 도시된 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 8은 도 7d에 도시된 'E' 부분을 확대하여 도시한 공정 단면도이다.
도 9는 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 10a는 비교 례에 의한 발광 소자의 평면 사진을 나타내고, 도 10b는 도 10a에 도시된 비교 례에 의한 발광 소자의 단면 사진을 나타내고, 도 10c는 도 10b에 도시된 비교 례에 의한 발광 소자의 확대 단면 사진을 나타낸다.
도 11은 도 3b에 도시된 'A' 부분의 실시 예에 의한 발광 소자의 단면 사진을 나타낸다.1 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 1 taken along line I-I'.
3A is a cross-sectional view of one embodiment of the light emitting device shown in FIG. 1 taken along the line II-II, and FIG. 3B is a cross-sectional view showing an enlarged portion'A' shown in FIG. 3A.
4A is a cross-sectional view of another embodiment of the light emitting device shown in FIG. 1 taken along line II-II, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing an enlarged portion'B' shown in FIG. 4A.
5A is a cross-sectional view of another embodiment of the light emitting device shown in FIG. 1 taken along line II-II, and FIG. 5B is a cross-sectional view showing an enlarged portion'C' shown in FIG. 5A.
6A is a cross-sectional view of another embodiment of the light emitting device shown in FIG. 1 taken along line II-II, and FIG. 6B is a cross-sectional view showing an enlarged portion'D' shown in FIG. 6A.
7A to 7F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting device shown in FIG. 3A.
8 is a process cross-sectional view showing an enlarged portion'E' shown in FIG. 7D.
9 is a sectional view showing a light emitting device package according to an embodiment.
10A shows a planar photo of the light emitting device according to the comparative example, FIG. 10B shows a cross-sectional picture of the light emitting device according to the comparative example shown in FIG. 10A, and FIG. 10C shows the light emitting device according to the comparative example shown in FIG. 10B. Shows an enlarged cross-section photograph.
11 is a cross-sectional photograph of a light emitting device according to an embodiment of the'A' portion shown in FIG. 3B.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be described to specifically describe the present invention, and the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed on "top (top)" or "bottom (bottom)" of each element, the top (top) or bottom (bottom) (on or under) includes both two elements directly contacting each other or one or more other elements formed indirectly between the two elements. In addition, when expressed as “up (up)” or “down (down)” (on or under), it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.In addition, relational terms such as "first" and "second," "top/top/top" and "bottom/bottom/bottom", as used hereinafter, may include any physical or logical relationship between such entities or elements, or It may be used only to distinguish one entity or element from another, without necessarily requiring or implying order.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자(100)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자(100)를 I-I'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.1 is a plan view of a light emitting device 100 according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device 100 shown in FIG. 1 taken along line I-I'.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시 예에 의한 발광 소자(100)는 기판(110). 발광 구조물(120), 제1 및 제2 전극(132, 134), 절연층(140) 및 제1 및 제2 본딩 패드(152, 154)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 본딩 패드(152, 154)는 발광 소자(100)의 구성 요소로서 분류될 수도 있고 후술되는 발광 소자 패키지(200)의 구성 요소로서 분류될 수도 있다.1 and 2, the light emitting device 100 according to the embodiment is a substrate 110. The light emitting structure 120, the first and second electrodes 132 and 134, the insulating layer 140 and the first and second bonding pads 152 and 154 may be included. Here, the first and second bonding pads 152 and 154 may be classified as components of the light emitting device 100 or may be classified as components of the light emitting device package 200 described later.

기판(110) 위에 발광 구조물(120)이 배치된다. 기판(110)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 사파이어(Al₂0₃), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga₂0₃, GaAs 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 활성층(124)에서 방출된 광이 발광 소자(100)로부터 탈출함을 도울 수 있도록 예를 들어, 기판(110)은 패턴을 갖는 PSS(Patterned Sapphire Substrate)일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The light emitting structure 120 is disposed on the substrate 110. The substrate 110 may include a conductive material or a non-conductive material. For example, the substrate 110 may include at least one of sapphire (Al ₂ 0 ₃ ), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga ₂ 0 ₃ , GaAs, and Si. Further, for example, the substrate 110 may be a patterned sapphire substrate (PSS) having a pattern so as to help light emitted from the active layer 124 escape from the light emitting device 100, but embodiments are limited thereto. Does not work.

기판(110)과 발광 구조물(120) 간의 열 팽창 계수의 차이 및 격자 부정합을 개선하기 위해, 이들(110, 120) 사이에 버퍼층(또는, 전이층)(미도시)이 배치될 수 있다. 버퍼층은 예를 들어 Al, In, N 및 Ga로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다. 또한, 버퍼층은 단층 또는 다층 구조를 가질 수도 있다.To improve the difference in thermal expansion coefficient and lattice mismatch between the substrate 110 and the light emitting structure 120, a buffer layer (or a transition layer) (not shown) may be disposed between them 110 and 120. The buffer layer may include, for example, at least one material selected from the group consisting of Al, In, N, and Ga, but is not limited thereto. Further, the buffer layer may have a single-layer or multi-layer structure.

발광 구조물(120)은 기판(110) 위에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 120 may include a first conductivity type semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductivity type semiconductor layer 126 sequentially disposed on the substrate 110.

제1 도전형 반도체층(122)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductivity-type semiconductor layer 122 may be formed of a compound semiconductor such as a III-V group or a II-VI group doped with a first conductivity-type dopant. When the first conductivity-type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant is an n-type dopant, and may include, but is not limited to, Si, Ge, Sn, Se, Te.

예를 들어, 제1 도전형 반도체층(122)은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 122 has a composition formula of Al _x In _y Ga _(1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may include a semiconductor material. The first conductive semiconductor layer 122 may include any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP.

활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(122)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(126)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(124)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 활성층(124)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The active layer 124 is disposed between the first conductivity-type semiconductor layer 122 and the second conductivity-type semiconductor layer 126, and electrons (or holes) injected through the first conductivity-type semiconductor layer 122 are formed. The hole (or electron) injected through the two-conductivity-type semiconductor layer 126 meets each other, and is a layer that emits light having energy determined by an energy band unique to the material constituting the active layer 124. The active layer 124 may have at least one of a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. It can be formed as one.

활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer/barrier layer of the active layer 124 may be formed of any one or more pair structures of InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP However, it is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap energy lower than that of the barrier layer.

활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(124)의 장벽층의 밴드갭 에너지보다 더 높은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed above or/or below the active layer 124. The conductive clad layer may be formed of a semiconductor having a band gap energy higher than that of the barrier layer of the active layer 124. For example, the conductive clad layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, or superlattice structures. In addition, the conductive clad layer may be doped with n-type or p-type.

제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124) 위에 배치되며, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126)은 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 126 is disposed on the active layer 124 and may be formed of a semiconductor compound. It may be implemented with a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI. For example, the second conductive semiconductor layer 126 is a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga ₁ _-x- _y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may include. A second conductivity type dopant may be doped into the second conductivity type semiconductor layer 126. When the second conductivity-type semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant is a p-type dopant, and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

제1 도전형 반도체층(122)은 n형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(126)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(122)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(126)은 n형 반도체층으로 구현할 수도 있다.The first conductivity type semiconductor layer 122 may be an n-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 126 may be implemented as a p-type semiconductor layer. Alternatively, the first conductivity type semiconductor layer 122 may be implemented as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 126 may be implemented as an n-type semiconductor layer.

발광 구조물(120)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.The light emitting structure 120 may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자(100)가 플립 칩 본딩 구조일 경우, 활성층(124)에서 방출된 광은 기판(110) 및 제1 도전형 반도체층(122)을 통해 출사된다. 이를 위해, 기판(110) 및 제1 도전형 반도체층(122)은 투광성을 갖는 물질로 이루어지고, 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전극(134)은 투광성이나 비투광성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting device 100 illustrated in FIGS. 1 and 2 has a flip chip bonding structure, light emitted from the active layer 124 is emitted through the substrate 110 and the first conductivity type semiconductor layer 122. To this end, the substrate 110 and the first conductivity type semiconductor layer 122 are made of a light-transmitting material, and the second conductivity type semiconductor layer 126 and the second electrode 134 are light-transmitting or non-transmissive materials. It can be made of.

제1 전극(132)은 제1 도전형 반도체층(122)과 연결되고, 제2 전극(134)은 제2 도전형 반도체층(126)과 연결될 수 있다.The first electrode 132 may be connected to the first conductivity type semiconductor layer 122, and the second electrode 134 may be connected to the second conductivity type semiconductor layer 126.

도 1을 참조하면, 제1 전극(132)은 가지(branch) 전극(132-1) 및 콘택(contact) 전극(132-2)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the first electrode 132 may include a branch electrode 132-1 and a contact electrode 132-2.

가지 전극(132-1)은 제1 본딩 패드(152)의 아래 뿐만 아니라 제2 본딩 패드(154)의 아래에도 배치될 수 있다. 가지 전극(132-1)은 제1 내지 제3 세그먼트(S1, S2, S3)를 포함할 수 있다. 가지 전극(132-1)에서 제1 세그먼트(S1)는 제2 본딩 패드(154) 아래에 배치된 부분을 의미하고, 가지 전극(132-1)에서 제2 세그먼트(S2)는 제1 본딩 패드(152) 아래에 배치된 부분을 의미하고, 제3 세그먼트(S3)는 제1 세그먼트(S1)와 제2 세그먼트(S2)의 사이의 부분을 의미할 수 있다.The branch electrode 132-1 may be disposed under the first bonding pad 152 as well as under the second bonding pad 154. The branch electrode 132-1 may include first to third segments S1, S2, and S3. The first segment S1 in the branch electrode 132-1 means a portion disposed under the second bonding pad 154, and the second segment S2 in the branch electrode 132-1 is the first bonding pad (152) means a portion disposed below, and the third segment S3 may mean a portion between the first segment S1 and the second segment S2.

콘택 전극(132-2)은 제2 본딩 패드(154)의 아래에 배치되지 않고 제1 본딩 패드(152) 아래에만 배치될 수 있다.The contact electrode 132-2 may not be disposed under the second bonding pad 154 but may be disposed only under the first bonding pad 152.

가지 전극(132-1) 및 콘택 전극(132-2) 각각은 제1 본딩 패드(152)와 전기적으로 연결되고, 절연층(140)에 의해 제2 본딩 패드(154)와 전기적으로 이격될 수 있다.Each of the branch electrode 132-1 and the contact electrode 132-2 may be electrically connected to the first bonding pad 152, and electrically separated from the second bonding pad 154 by the insulating layer 140. have.

제1 전극(132)은 오믹 접촉하는 물질을 포함하여 오믹 역할을 수행하여 별도의 오믹층(미도시)이 배치될 필요가 없을 수도 있고, 별도의 오믹층이 제1 전극(132)과 제1 도전형 반도체층(122) 사이에 배치될 수도 있다.The first electrode 132 may include an ohmic-contacting material to perform an ohmic role, so that a separate ohmic layer (not shown) may not need to be disposed, and a separate ohmic layer may be the first electrode 132 and the first electrode 132. It may be disposed between the conductive semiconductor layer 122.

또한, 제1 전극(132)은 활성층(124)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제1 도전형 반도체층(122)에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(132)은 금속으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, Cr 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.In addition, the first electrode 132 may be formed of any material that can reflect or transmit light emitted from the active layer 124 without absorbing it, and can be grown with good quality on the first conductivity type semiconductor layer 122. Can. For example, the first electrode 132 may be formed of a metal, Ag, Ni, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, Cr and their optional It can be made in combination.

제2 전극(134)은 발광 구조물(120)에서 제2 도전형 반도체층(126) 위에 배치되어, 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(134)은 투광 전극층(미도시) 및 반사층(미도시)을 포함할 수 있다.The second electrode 134 is disposed on the second conductive type semiconductor layer 126 in the light emitting structure 120, and may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 126. The second electrode 134 may include a transparent electrode layer (not shown) and a reflective layer (not shown).

투광 전극층은 절연층(140)에 의해 노출된 제2 도전형 반도체층(126) 위에 배치되며, 오믹층의 역할을 수행할 수 있다. 투광 전극층은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수도 있다. 예를 들어, 투광 전극층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.The transparent electrode layer is disposed on the second conductive semiconductor layer 126 exposed by the insulating layer 140 and may serve as an ohmic layer. The transparent electrode layer may be a transparent conductive oxide (TCO). For example, the transparent electrode layer includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin (IGTO) oxide), at least one of aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO It may include, but is not limited to these materials.

반사층은 투광 전극층 위에 배치될 수 있으며, 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다.The reflective layer may be disposed on the light-transmitting electrode layer, aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), titanium (Ti), chromium (Cr) or It may be made of a metal layer containing an alloy containing Al or Ag or Pt or Rh.

제1 본딩 패드(152)는 제2 도전형 반도체층(126)과 활성층(124)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(122)을 노출시키는 콘택홀(CH)에 매립되어, 제1 전극(132)을 통해 제1 도전형 반도체층(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 본딩 패드(154)는 제2 전극(134)을 통해 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first bonding pad 152 is buried in the contact hole CH exposing the first conductivity type semiconductor layer 122 through the second conductivity type semiconductor layer 126 and the active layer 124, so that the first electrode ( 132) may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 122. The second bonding pad 154 may be electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer 126 through the second electrode 134.

제1 본딩 패드(152)와 제2 본딩 패드(154)는 발광 구조물(120)의 두께 방향(예를 들어 x축 방향)과 수직인 방향(예를 들어 y축 방향)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 설명의 편의상, y축 방향을 '제1 방향'이라 하고, x 방향을 '제2 방향'이라 한다.The first bonding pad 152 and the second bonding pad 154 are spaced apart from each other in the direction perpendicular to the thickness direction (for example, the x-axis direction) of the light emitting structure 120 (for example, the y-axis direction). Can. For convenience of description, the y-axis direction is referred to as a'first direction' and the x direction is referred to as a'second direction'.

제1 및 제2 본딩 패드(152, 154) 각각은 전기적 전도성을 갖는 금속 물질을 포함할 수 있으며, 제1 및 제2 전극(132, 134) 각각의 물질과 동일하거나 다른 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 본딩 패드(152, 154) 각각은 Ti, Ni, Au 또는 Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Each of the first and second bonding pads 152 and 154 may include a metal material having electrical conductivity, and may include a material that is the same as or different from the material of each of the first and second electrodes 132 and 134. . Each of the first and second bonding pads 152 and 154 may include at least one of Ti, Ni, Au, or Sn, but embodiments are not limited thereto.

절연층(140)은 제1 본딩 패드(152)와 제2 전극(134) 사이에 배치되어 이들(152, 134)을 서로 전기적으로 분리하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 절연층(140)은 제2 본딩 패드(154)와 제1 전극(132) 사이에 배치되어 이들(154, 132)을 서로 전기적으로 분리하는 역할을 수행할 수 있다. 절연층(140)이 제2 본딩 패드(154)와 제1 전극(132) 사이에 배치되는 모습은 후술되는 도 3a 내지 도 6b에서 예시된다.The insulating layer 140 may be disposed between the first bonding pad 152 and the second electrode 134 to electrically separate them 152 and 134 from each other. In addition, the insulating layer 140 may be disposed between the second bonding pad 154 and the first electrode 132 to serve to electrically separate them 154 and 132 from each other. The state in which the insulating layer 140 is disposed between the second bonding pad 154 and the first electrode 132 is illustrated in FIGS. 3A to 6B described later.

절연층(140)은 SiO₂, TiO₂, ZrO₂, Si₃N₄, Al₂O₃, 또는 MgF₂ 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또는, 절연층(140)은 분산 브래그 반사층(DBR:Distributed Bragg Reflector)일 수도 있다.The insulating layer 140 may include at least one of SiO ₂ , TiO ₂ , ZrO ₂ , Si ₃ N ₄ , Al ₂ O ₃ , or MgF ₂ . Alternatively, the insulating layer 140 may be a distributed Bragg Reflector (DBR).

또한, 도 1을 참조하면, 제1 방향(예를 들어 y축 방향)으로 기판(110)의 제1 길이(L1)는 가지 전극(132-1)의 제2 길이(L2)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 길이(L1)와 제2 길이(L2)는 다음 수학식 1과 같은 관계를 가질 수 있다.In addition, referring to FIG. 1, the first length L1 of the substrate 110 in the first direction (eg, the y-axis direction) may be greater than the second length L2 of the branch electrode 132-1. . For example, the first length L1 and the second length L2 may have a relationship as in Equation 1 below.

예를 들어, 제1 길이(L1)는 1000 ㎛이고 제2 길이(L2)는 600 ㎛일 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.For example, the first length L1 may be 1000 μm and the second length L2 may be 600 μm, but embodiments are not limited thereto.

또한, 제1 본딩 패드(152)의 제1 방향으로의 제3 길이(L3)는 제1 길이(L1)보다 작고 제2 길이(L2)보다 작을 수 있고, 제2 본딩 패드(154)의 제1 방향으로의 제4 길이(L4)는 제1 길이(L1)보다 작고 제2 길이(L2)보다 작을 수 있다.Further, the third length L3 of the first bonding pad 152 in the first direction may be smaller than the first length L1 and smaller than the second length L2, and the second length of the second bonding pad 154 may be reduced. The fourth length L4 in one direction may be smaller than the first length L1 and smaller than the second length L2.

도 3a는 도 1에 도시된 발광 소자(100)를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 일 실시 예(100A)의 단면도를 나타내고, 도 3b는 도 3a에 도시된 'A' 부분을 확대하여 도시한 단면도를 나타낸다.3A is a cross-sectional view of one embodiment 100A of the light emitting device 100 shown in FIG. 1 taken along line II-II, and FIG. 3B is an enlarged view of a portion'A' shown in FIG. 3A One cross section is shown.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 발광 소자(100A)는 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132A), 제2 전극(134), 절연층(140A) 및 제2 본딩 패드(154)를 포함한다. 여기서, 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132A), 제2 전극(134), 절연층(140A) 및 제2 본딩 패드(154)는 도 2에 도시된 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132), 제2 전극(134), 절연층(140) 및 제2 본딩 패드(154)와 각각 동일한 기능을 수행하므로 중복되는 설명을 생략한다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 제1 전극(132A) 및 절연층(140A)은 도 2에 도시된 제1 전극(132) 및 절연층(140)의 일 실시 예에 해당한다.3A and 3B, the light emitting device 100A includes a substrate 110, a light emitting structure 120, a first electrode 132A, a second electrode 134, an insulating layer 140A, and a second bonding pad. 154. Here, the substrate 110, the light emitting structure 120, the first electrode 132A, the second electrode 134, the insulating layer 140A and the second bonding pad 154 are the substrate 110 shown in FIG. , Since the light emitting structure 120, the first electrode 132, the second electrode 134, the insulating layer 140 and the second bonding pad 154 each perform the same function, a redundant description is omitted. The first electrode 132A and the insulating layer 140A illustrated in FIGS. 3A and 3B correspond to an embodiment of the first electrode 132 and the insulating layer 140 illustrated in FIG. 2.

만일, 제1 전극(132A)의 가지 전극(132-1)에서 제1 세그먼트(S1)의 제1 두께(T1)가 두꺼울 경우, 예를 들어 제1 두께(T1)가 제2 본딩 패드(154)와 제1 전극(132A) 사이에 배치된 절연층(140A)의 제2 두께(T2)의 1/3 보다 클 경우, 절연층(140A)이 제대로 형성되지 않거나, 절연층(140A)에 크랙(crack)이 생기거나 수분이 침투할 수 있고 제1 전극(132A)의 스롭(slope)이 악화되어 단차지게 형성될 수도 있다. 따라서, 제1 및 제2 길이(L1, L2)가 전술한 수학식 1과 같은 관계를 가질 때, 제1 두께(T1)는 제2 두께(T2)의 1/3 이하일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.If the first thickness T1 of the first segment S1 is thick at the branch electrode 132-1 of the first electrode 132A, for example, the first thickness T1 is the second bonding pad 154 ) And the first thickness of the insulating layer 140A disposed between the first electrode 132A is greater than 1/3 of the second thickness T2, the insulating layer 140A is not properly formed or cracks in the insulating layer 140A (Crack) may occur or moisture may penetrate, and the slope of the first electrode 132A may be deteriorated to be formed stepwise. Accordingly, when the first and second lengths L1 and L2 have the same relationship as in Equation 1 described above, the first thickness T1 may be less than 1/3 of the second thickness T2, but the embodiment is It is not limited to this.

또한, 콘택홀(CH)의 깊이에 해당하는 제3 두께(T3)는 700 ㎚이고, 제2 전극(134)의 제4 두께(T4)는 300 ㎚일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, the third thickness T3 corresponding to the depth of the contact hole CH is 700 nm, and the fourth thickness T4 of the second electrode 134 may be 300 nm, but embodiments are not limited thereto. .

도 4a는 도 1에 도시된 발광 소자(100)를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 다른 실시 예(100B)의 단면도를 나타내고, 도 4b는 도 4a에 도시된 'B' 부분을 확대하여 도시한 단면도를 나타낸다.4A is a cross-sectional view of another embodiment 100B taken along line II-II' of the light emitting device 100 shown in FIG. 1, and FIG. 4B is an enlarged view of a portion'B' shown in FIG. 4A One cross section is shown.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 발광 소자(100B)는 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132B), 제2 전극(134), 절연층(140B) 및 제2 본딩 패드(154)를 포함한다. 여기서, 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132B), 제2 전극(134), 절연층(140B) 및 제2 본딩 패드(154)는 도 2에 도시된 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132), 제2 전극(134), 절연층(140) 및 제2 본딩 패드(154)와 각각 동일한 기능을 수행하므로 중복되는 설명을 생략한다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 제1 전극(132B) 및 절연층(140B)은 도 2에 도시된 제1 전극(132) 및 절연층(140)의 다른 실시 예에 해당한다.4A and 4B, the light emitting device 100B includes a substrate 110, a light emitting structure 120, a first electrode 132B, a second electrode 134, an insulating layer 140B, and a second bonding pad 154. Here, the substrate 110, the light emitting structure 120, the first electrode 132B, the second electrode 134, the insulating layer 140B and the second bonding pad 154 are the substrate 110 shown in FIG. , Since the light emitting structure 120, the first electrode 132, the second electrode 134, the insulating layer 140 and the second bonding pad 154 each perform the same function, a redundant description is omitted. The first electrode 132B and the insulating layer 140B illustrated in FIGS. 4A and 4B correspond to other embodiments of the first electrode 132 and the insulating layer 140 illustrated in FIG. 2.

도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1 전극(132B)에서 가지 전극(132-1)의 제1 세그먼트(S1)의 일부는 제1 도전형 반도체층(122)에 매립될 수도 있다. 제1 전극(132B)에서 제1 도전형 반도체층(122)에 매립되지 않고 노출된 부분의 두께가 전술한 제1 두께(T1)에 해당한다. 따라서, 제1 및 제2 길이(L1, L2)가 전술한 수학식 1과 같은 관계를 가질 때, 도 4b에 도시된 제1 두께(T1)는 제2 두께(T2)의 1/3 이하일 수 있다.4A and 4B, a portion of the first segment S1 of the branch electrode 132-1 in the first electrode 132B may be embedded in the first conductive semiconductor layer 122. The thickness of the exposed portion of the first electrode 132B without being buried in the first conductive semiconductor layer 122 corresponds to the aforementioned first thickness T1. Accordingly, when the first and second lengths L1 and L2 have the same relationship as in Equation 1 described above, the first thickness T1 illustrated in FIG. 4B may be 1/3 or less of the second thickness T2. have.

제1 전극(132B)의 전체 두께(TT)가 제2 두께(T2)의 1/3보다 클 경우에도, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 제1 전극(132B)의 일부를 제1 도전형 반도체층(122)에 매립하여, 제1 두께(T1)가 제2 두께(T2)의 1/3 이하가 되도록 할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(132)의 제1 두께(T1)를 두껍게 하여 발광 소자(100B)의 전류 확산 능력을 개선시킬 수 있을 뿐만 아니라, 절연층(140B)을 제대로 형성할 수 있다. 따라서, 절연층(140B)에 크랙(crack)이 생기거나 수분이 침투함이 방지될 수 있고 제1 전극(132B)의 스롭이 악화되지 않을 수 있다.Even when the total thickness TT of the first electrode 132B is greater than 1/3 of the second thickness T2, a portion of the first electrode 132B is first conductive as shown in FIGS. 4A and 4B. It can be buried in the mold semiconductor layer 122 so that the first thickness T1 is less than 1/3 of the second thickness T2. In this case, not only can the current diffusion capability of the light emitting device 100B be improved by thickening the first thickness T1 of the first electrode 132, but also the insulating layer 140B can be formed properly. Accordingly, cracks or moisture infiltration into the insulating layer 140B may be prevented, and the drop of the first electrode 132B may not be deteriorated.

도 5a는 도 1에 도시된 발광 소자(100)를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 또 다른 실시 예(100C)의 단면도를 나타내고, 도 5b는 도 5a에 도시된 'C' 부분을 확대하여 도시한 단면도를 나타낸다.FIG. 5A shows a cross-sectional view of another embodiment 100C taken along line II-II' of the light emitting device 100 shown in FIG. 1, and FIG. 5B enlarges the portion'C' shown in FIG. 5A The sectional view shown is shown.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 발광 소자(100C)는 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132C), 제2 전극(134), 절연층(140C) 및 제2 본딩 패드(154)를 포함한다. 여기서, 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132C), 제2 전극(134), 절연층(140C) 및 제2 본딩 패드(154)는 도 2에 도시된 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132), 제2 전극(134), 절연층(140) 및 제2 본딩 패드(154)와 각각 동일한 기능을 수행하므로 중복되는 설명을 생략한다. 도 5a 및 도 5b에 도시된 제1 전극(132C) 및 절연층(140C)은 도 2에 도시된 제1 전극(132) 및 절연층(140)의 또 다른 실시 예에 해당한다.5A and 5B, the light emitting device 100C includes a substrate 110, a light emitting structure 120, a first electrode 132C, a second electrode 134, an insulating layer 140C, and a second bonding pad 154. Here, the substrate 110, the light emitting structure 120, the first electrode 132C, the second electrode 134, the insulating layer 140C and the second bonding pad 154 are the substrate 110 shown in FIG. , Since the light emitting structure 120, the first electrode 132, the second electrode 134, the insulating layer 140 and the second bonding pad 154 each perform the same function, a redundant description is omitted. The first electrode 132C and the insulating layer 140C illustrated in FIGS. 5A and 5B correspond to another embodiment of the first electrode 132 and the insulating layer 140 illustrated in FIG. 2.

제1 및 제2 길이(L1, L2)가 전술한 수학식 1과 같은 관계를 가질 때, 제1 두께(T1)는 제2 두께(T2)의 1/3 이하일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.When the first and second lengths L1 and L2 have the same relationship as in Equation 1 described above, the first thickness T1 may be 1/3 or less of the second thickness T2, but embodiments are limited thereto. Does not work.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 제1 전극(132C)은 절연층(140C)과 대향하는 상면(132C-1)을 포함한다. 이때, 제1 전극(132C)의 상면(132C-1)은 적어도 하나의 제1 리세스(recess)(R1)를 가질 수 있다. 이와 같이, 제1 전극(132C)의 상면(132C-1)이 제1 리세스를 가질 경우, 제1 전극(132C) 위에 배치되는 절연층(140C)의 상면(140C-1)은 적어도 하나의 제2 리세스(R2)를 가질 수 있다. 이 경우, 제1 두께(T1)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 제1 전극(132A)의 제1 두께(T1)보다 더 클 수 있다. 왜냐하면, 도 5a 및 도 5b에 도시된 제1 전극(132C)의 제1 두께(T1)가 비록 도 3a 및 도 3b에 도시된 제1 전극(132A)의 제1 두께(T1)보다 두껍더라도, 제1 리세스(R1)에 절연층(140C)이 채워짐으로써 절연층(140C)이 제대로 형성되어, 절연층(140C)에 크랙이 생기거나 수분이 침투함이 방지될 수 있기 때문이다.5A and 5B, the first electrode 132C includes an upper surface 132C-1 facing the insulating layer 140C. At this time, the top surface 132C-1 of the first electrode 132C may have at least one first recess R1. As such, when the upper surface 132C-1 of the first electrode 132C has the first recess, the upper surface 140C-1 of the insulating layer 140C disposed on the first electrode 132C has at least one. It may have a second recess (R2). In this case, the first thickness T1 may be greater than the first thickness T1 of the first electrode 132A illustrated in FIGS. 3A and 3B. Because, although the first thickness T1 of the first electrode 132C shown in FIGS. 5A and 5B is thicker than the first thickness T1 of the first electrode 132A shown in FIGS. 3A and 3B, This is because the insulating layer 140C is properly formed by filling the first recess R1 with the insulating layer 140C, thereby preventing cracks or moisture from penetrating the insulating layer 140C.

도 6a는 도 1에 도시된 발광 소자(100)를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 또 다른 실시 예(100D)의 단면도를 나타내고, 도 6b는 도 6a에 도시된 'D' 부분을 확대하여 도시한 단면도를 나타낸다.6A is a cross-sectional view of another embodiment 100D of the light emitting device 100 shown in FIG. 1 taken along line II-II', and FIG. 6B is an enlarged portion of'D' shown in FIG. 6A The sectional view shown is shown.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 발광 소자(100D)는 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132D), 제2 전극(134), 절연층(140D) 및 제2 본딩 패드(154)를 포함한다. 여기서, 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132D), 제2 전극(134), 절연층(140D) 및 제2 본딩 패드(154)는 도 2에 도시된 기판(110), 발광 구조물(120), 제1 전극(132), 제2 전극(134), 절연층(140) 및 제2 본딩 패드(154)와 각각 동일한 기능을 수행하므로 중복되는 설명을 생략한다. 도 6a 및 도 6b에 도시된 제1 전극(132D) 및 절연층(140D)은 도 2에 도시된 제1 전극(132) 및 절연층(140)의 또 다른 실시 예에 해당한다.6A and 6B, the light emitting device 100D includes a substrate 110, a light emitting structure 120, a first electrode 132D, a second electrode 134, an insulating layer 140D, and a second bonding pad 154. Here, the substrate 110, the light emitting structure 120, the first electrode 132D, the second electrode 134, the insulating layer 140D and the second bonding pad 154 are the substrate 110 shown in FIG. , Since the light emitting structure 120, the first electrode 132, the second electrode 134, the insulating layer 140 and the second bonding pad 154 each perform the same function, a redundant description is omitted. The first electrode 132D and the insulating layer 140D illustrated in FIGS. 6A and 6B correspond to another embodiment of the first electrode 132 and the insulating layer 140 illustrated in FIG. 2.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 제1 전극(132D)은 복수 개의 서브 전극(132D-1, 132D-2)을 포함할 수 있다. 도 6a 및 도 6b의 경우 2개의 서브 전극(132D-1, 132D-2)만이 도시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 제1 전극(132D)은 3개 이상의 서브 전극을 포함할 수도 있다.6A and 6B, the first electrode 132D may include a plurality of sub-electrodes 132D-1 and 132D-2. 6A and 6B, only two sub-electrodes 132D-1 and 132D-2 are illustrated, but the embodiment is not limited thereto. That is, according to another embodiment, the first electrode 132D may include three or more sub-electrodes.

서브 전극(132D-1, 132D-2)은 제1 및 제2 방향과 각각 다른 제3 방향으로 서로 일정 거리(d)만큼 이격되어 배치될 수 있다. 여기서, 제3 방향은 제1 및 제2 방향에 수직한 방향으로써, z축 방향일 수 있다. 또한, 일정 거리(d)는 절연층(140D)이 매립될 수 있도록 공정 오차를 고려하여 설정될 수 있다.The sub-electrodes 132D-1 and 132D-2 may be disposed to be spaced apart by a predetermined distance d from each other in a third direction different from the first and second directions. Here, the third direction is a direction perpendicular to the first and second directions, and may be a z-axis direction. In addition, a predetermined distance d may be set in consideration of process errors so that the insulating layer 140D may be buried.

제1 서브 전극(132D-1)은 제1-1 두께(T11)를 갖고 제2 서브 전극(132D-2)은 제1-2 두께(T12)를 가질 수 있다. 여기서, 제1-1 및 제1-2 두께(T11, T12)는 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다.The first sub-electrode 132D-1 may have a first-first thickness T11 and the second sub-electrode 132D-2 may have a first-second thickness T12. Here, the first-first and first-second thicknesses T11 and T12 may be the same or different from each other.

제1 및 제2 길이(L1, L2)가 전술한 수학식 1과 같은 관계를 가질 때, 제1-1 및 제1-2 두께(T11, T12) 각각은 제2 두께(T2)의 1/3 이하일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.When the first and second lengths L1 and L2 have the same relationship as in Equation 1 described above, each of the 1-1 and 1-2th thicknesses T11 and T12 is 1/ of the second thickness T2. It may be 3 or less, but the embodiment is not limited thereto.

도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 제1 전극(132D)이 복수 개의 서브 전극(132D-1, 132D-2)으로 나뉘어질 경우, 도 3a 및 도 3b에 도시된 제1 전극(132A)의 제1 두께(T1)보다 제1-1 및 제1-2 두께(T11, T12) 각각은 더 클 수 있다. 왜냐하면, 서브 전극(132D-1, 132D-2) 사이의 공간으로 절연층(140D)이 매립됨으로써, 절연층(140D)이 제대로 형성되어, 절연층(140D)에 크랙이 생기거나 수분이 침투함이 방지될 수 있기 때문이다.6A and 6B, when the first electrode 132D is divided into a plurality of sub-electrodes 132D-1 and 132D-2, the first electrode 132A shown in FIGS. 3A and 3B Each of the first-first and first-second thicknesses T11 and T12 may be greater than the first thickness T1 of. Because, as the insulating layer 140D is buried into the space between the sub-electrodes 132D-1 and 132D-2, the insulating layer 140D is properly formed, and cracks or moisture penetrates the insulating layer 140D. This is because it can be prevented.

한편, 전술한 실시 예에 의한 발광 소자(100A 내지 100D)에서, 제1 두께(T1, T11, T12)는 1 ㎛ 이하일 수 있고, 제2 두께(T2)는 3.3 ㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제1 두께(T1, T11, T12)는 0.5 ㎛이고, 제2 두께(T2)는 3.3 ㎛ 일 수 있다.Meanwhile, in the light emitting devices 100A to 100D according to the above-described embodiment, the first thicknesses T1, T11, and T12 may be 1 μm or less, and the second thickness T2 may be 3.3 μm or less. For example, the first thicknesses T1, T11, and T12 may be 0.5 μm, and the second thickness T2 may be 3.3 μm.

이하, 도 3a에 도시된 발광 소자(100A)의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 도 3a에 도시된 발광 소자(100A)는 다른 제조 방법에 의해서도 제조될 수 있음은 물론이다. 또한, 도 4a, 도 5a 및 도 6a에 도시된 발광 소자(100B, 100C, 100D)는 도 7a 내지 도 7f에 도시된 공정 단면도를 변형하여 제조될 수 있다.Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting device 100A illustrated in FIG. 3A will be described as follows with reference to the accompanying drawings, but the embodiment is not limited thereto. That is, it goes without saying that the light emitting device 100A shown in FIG. 3A can be manufactured by other manufacturing methods. In addition, the light emitting devices 100B, 100C, and 100D shown in FIGS. 4A, 5A, and 6A may be manufactured by modifying the process cross-sectional views shown in FIGS. 7A to 7F.

도 7a 내지 도 7f는 도 3a에 도시된 발광 소자(100A)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.7A to 7F are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting device 100A shown in FIG. 3A.

도 7a를 참조하면, 기판(110) 위에 발광 구조물(120)을 형성한다. 기판(110)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 사파이어(Al₂0₃), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga₂0₃, GaAs 및 Si 중 적어도 하나에 의해 형성될 수 있다. 또한, 활성층(124)에서 방출된 광이 발광 소자(100)로부터 탈출함을 도울 수 있도록 예를 들어, 기판(110)은 패턴을 갖는 PSS(Patterned Sapphire Substrate)의 형태로 형성될 수도 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Referring to FIG. 7A, the light emitting structure 120 is formed on the substrate 110. The substrate 110 may be formed of a conductive material or a non-conductive material. For example, the substrate 110 may be formed of at least one of sapphire (Al ₂ 0 ₃ ), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga ₂ 0 ₃ , GaAs, and Si. In addition, for example, the substrate 110 may be formed in the form of a patterned sapphire substrate (PSS) having a pattern so as to help light emitted from the active layer 124 escape from the light emitting device 100. Examples are not limited to this.

기판(110) 위에 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 순차적으로 적층하여 발광 구조물(120)을 형성할 수 있다.The light emitting structure 120 may be formed by sequentially stacking the first conductive semiconductor layer 122, the active layer 124, and the second conductive semiconductor layer 126 on the substrate 110.

제1 도전형 반도체층(122)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체에 의해 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductivity-type semiconductor layer 122 may be formed of a compound semiconductor such as a III-V group or a II-VI group doped with a first conductivity-type dopant. When the first conductivity-type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant is an n-type dopant, and may include, but is not limited to, Si, Ge, Sn, Se, Te.

예를 들어, 제1 도전형 반도체층(122)은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 122 has a composition formula of Al _x In _y Ga _(1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may be formed using a semiconductor material. The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP.

활성층(124)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The active layer 124 has at least any one of a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. It can be formed as one.

제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124) 위에 형성될 수 있으며, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126)은 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 126 may be formed on the active layer 124 and may be formed of a semiconductor compound. It may be implemented with a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI. For example, the second conductive semiconductor layer 126 is a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga ₁ _-x- _y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It can be formed using. A second conductivity type dopant may be doped into the second conductivity type semiconductor layer 126. When the second conductivity-type semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant is a p-type dopant, and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

이후, 도 7b를 참조하면, 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124) 및 제1 도전형 반도체층(122)의 일부를 메사(MESA) 식각하여 복수 개의 콘텍 홀(CH)을 형성할 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 7B, a part of the second conductive semiconductor layer 126, the active layer 124, and the first conductive semiconductor layer 122 of the light emitting structure 120 is mesa (MESA) etched to etch a plurality of contacts A hole CH may be formed.

이후, 도 7c를 참조하면, 제2 도전형 반도체층(126) 위에 제2 전극(134)을 형성할 수 있다. 제2 전극(134)은 발광 구조물(120)에서 제2 도전형 반도체층(126) 위에 형성될 수 있다. 제2 전극(134)은 투광 전극층(미도시) 및 반사층(미도시)을 포함하도록 형성될 수 있다.Thereafter, referring to FIG. 7C, the second electrode 134 may be formed on the second conductivity-type semiconductor layer 126. The second electrode 134 may be formed on the second conductive type semiconductor layer 126 in the light emitting structure 120. The second electrode 134 may be formed to include a transparent electrode layer (not shown) and a reflective layer (not shown).

투광 전극층은 절연층(140A)에 의해 노출된 제2 도전형 반도체층(126) 위에 형성될 수 있으며, 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수도 있다. 예를 들어, 투광 전극층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.The transparent electrode layer may be formed on the second conductive semiconductor layer 126 exposed by the insulating layer 140A, or may be a transparent conductive oxide (TCO). For example, the transparent electrode layer includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin (IGTO) oxide), at least one of aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO It may be formed using, but is not limited to such a material.

반사층은 투광 전극층 위에 형성될 수 있으며, 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다.The reflective layer may be formed on the transparent electrode layer, aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), titanium (Ti), chromium (Cr) or It may be made of a metal layer containing an alloy containing Al or Ag or Pt or Rh.

이후, 도 7d를 참조하면, 제1 전극(132A)이 형성될 영역을 노출하고 그 밖에 발광 구조물(120)과 제2 전극(134)을 덮는 금속 마스크(MM)를 형성한다.Thereafter, referring to FIG. 7D, a region in which the first electrode 132A is to be formed is exposed, and a metal mask MM covering the light emitting structure 120 and the second electrode 134 is formed.

도 8은 도 7d에 도시된 'E' 부분을 확대하여 도시한 공정 단면도이다.8 is a process cross-sectional view showing an enlarged portion'E' shown in FIG. 7D.

도 7d 및 도 8을 참조하면, 금속 마스크(MM)에 의해 노출된 부분에 금속 물질을 채워서 제1 전극(132A)을 형성한다. 이후, 도 7e에 도시된 바와 같이, 금속 마스크(MM)를 제거하여 제1 전극(132A)을 완성한다. 도 8을 참조하면, 제1 전극(132A)을 두껍게 형성하고자 할 경우, 제1 전극(132A)이 가파르게 형성되고, 보이드(void)가 생성될 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIGS. 7D and 8, a first electrode 132A is formed by filling a metal material in a portion exposed by the metal mask MM. Thereafter, as illustrated in FIG. 7E, the first electrode 132A is completed by removing the metal mask MM. Referring to FIG. 8, when it is desired to form the first electrode 132A thickly, it can be seen that the first electrode 132A is formed steeply and voids may be generated.

전술한 바와 같이, 제2 전극(132)을 형성한 후 제1 전극(132A)을 형성할 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면 제1 전극(132A)을 형성한 이후에 제2 전극(134)을 형성할 수도 있고, 제1 및 제2 전극(132A, 134)을 동시에 형성할 수도 있다.As described above, the first electrode 132A may be formed after the second electrode 132 is formed, but the embodiment is not limited thereto. That is, according to another embodiment, after the first electrode 132A is formed, the second electrode 134 may be formed, or the first and second electrodes 132A, 134 may be simultaneously formed.

또한, 제1 전극(132A)은 활성층(124)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제1 도전형 반도체층(122)에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(132A)은 금속으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, Cr 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.In addition, the first electrode 132A may be formed of any material that can reflect or transmit light emitted from the active layer 124 without absorbing it, and can be grown in good quality on the first conductive semiconductor layer 122. Can. For example, the first electrode 132A may be formed of a metal, Ag, Ni, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, Cr, and optionals thereof It can be made in combination.

이후, 도 7f를 참조하면, 제2 전극(134)을 노출시키면서 그 밖에 제1 전극(132)과 발광 구조물(120)을 덮도록 절연층(140A)을 형성한다. 예를 들어, 절연층(140A)은 물리적 기상 증착(PVD:Physical Vapor Deposition)법으로 형성될 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 절연층(140A)은 SiO₂, TiO₂, ZrO₂, Si₃N₄, Al₂O₃, 또는 MgF₂ 중 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있으며 또는, 분산 브래그 반사층(DBR)의 구조로 형성될 수도 있다.Thereafter, referring to FIG. 7F, the insulating layer 140A is formed to cover the first electrode 132 and the light emitting structure 120 while exposing the second electrode 134. For example, the insulating layer 140A may be formed by a physical vapor deposition (PVD) method, but embodiments are not limited thereto. The insulating layer 140A may be formed using at least one of SiO ₂ , TiO ₂ , ZrO ₂ , Si ₃ N ₄ , Al ₂ O ₃ , or MgF ₂ , or formed in the structure of a distributed Bragg reflective layer (DBR) It may be.

이후, 도 3a를 참조하면, 절연층(140A)에 의해 노출된 제2 전극(134)과 전기적으로 연결되도록 제2 본딩 패드(154)를 형성한다. 이때, 비록 도시되지는 않았지만, 제2 본딩 패드(154)가 형성될 때 도 2에 도시된 제1 본딩 패드(152)도 함께 형성될 수 있다.Thereafter, referring to FIG. 3A, a second bonding pad 154 is formed to be electrically connected to the second electrode 134 exposed by the insulating layer 140A. At this time, although not shown, when the second bonding pad 154 is formed, the first bonding pad 152 illustrated in FIG. 2 may also be formed.

제1 및 제2 본딩 패드(152, 154) 각각은 전기적 전도성을 갖는 금속 물질로 형성될 수 있으며, 제1 및 제2 전극(132A, 134) 각각의 물질과 동일하거나 다른 물질로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 본딩 패드(152, 154) 각각은 Ti, Ni, Au 또는 Sn 중 적어도 하나에 의해 형성될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Each of the first and second bonding pads 152 and 154 may be formed of a metal material having electrical conductivity, and may be formed of the same or different material from each of the first and second electrodes 132A and 134. . Each of the first and second bonding pads 152 and 154 may be formed of at least one of Ti, Ni, Au, or Sn, but embodiments are not limited thereto.

도 9는 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(200)의 단면도를 나타낸다.9 is a sectional view showing a light emitting device package 200 according to an embodiment.

도 9에 도시된 발광 소자 패키지(200)는 발광 소자(100), 제1 및 제2 리드 프레임(212, 214), 절연부(216), 패키지 몸체(220), 몰딩 부재(230), 제1 및 제2 솔더부(242, 244)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 200 illustrated in FIG. 9 includes a light emitting device 100, first and second lead frames 212 and 214, an insulating portion 216, a package body 220, a molding member 230, and The first and second solder portions 242 and 244 may be included.

도 9에 도시된 발광 소자(100)는 도 2에 도시된 발광 소자에 해당하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The light emitting device 100 illustrated in FIG. 9 corresponds to the light emitting device illustrated in FIG. 2, but embodiments are not limited thereto.

제1 솔더부(242)는 제1 본딩 패드(152)와 제1 리드 프레임(212) 사이에 배치되어, 이들(152, 212)을 전기적으로 연결하는 역할을 한다. 제2 솔더부(244)는 제2 본딩 패드(154)와 제2 리드 프레임(214) 사이에 배치되어 이들(154, 214)을 전기적으로 연결하는 역할을 한다.The first solder portion 242 is disposed between the first bonding pad 152 and the first lead frame 212, and serves to electrically connect these 152 and 212. The second solder portion 244 is disposed between the second bonding pad 154 and the second lead frame 214 to serve to electrically connect them 154 and 214.

제1 및 제2 솔더부(242, 244) 각각은 솔더 페이스트(solder paste) 또는 솔더 볼(solder ball)일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Each of the first and second solder portions 242 and 244 may be a solder paste or a solder ball, but embodiments are not limited thereto.

전술한 제1 솔더부(242)는 제1 본딩 패드(152)를 통해 제1 도전형 반도체층(122)을 제1 리드 프레임(212)에 전기적으로 연결시키고, 제2 솔더부(244)는 제2 본딩 패드(154)를 통해 제2 도전형 반도체층(126)을 제2 리드 프레임(214)에 전기적으로 연결시킬 수 있다.The first solder part 242 described above electrically connects the first conductive type semiconductor layer 122 to the first lead frame 212 through the first bonding pad 152, and the second solder part 244 is The second conductive type semiconductor layer 126 may be electrically connected to the second lead frame 214 through the second bonding pad 154.

또한, 제1 솔더부(242) 및 제2 솔더부(244)는 생략될 수도 있다. 이 경우, 제1 본딩 패드(152)가 제1 솔더부(242)의 역할을 수행하고, 제2 본딩 패드(154)가 제2 솔더부(244)의 역할을 수행할 수 있다. 즉, 제1 솔더부(242)와 제2 솔더부(244)가 생략될 경우, 제1 본딩 패드(152)는 제1 리드 프레임(212)과 직접 연결되고, 제2 본딩 패드(154)는 제2 리드 프레임(214)과 직접 연결될 수 있다.Also, the first solder portion 242 and the second solder portion 244 may be omitted. In this case, the first bonding pad 152 may serve as the first solder portion 242, and the second bonding pad 154 may serve as the second solder portion 244. That is, when the first solder portion 242 and the second solder portion 244 are omitted, the first bonding pad 152 is directly connected to the first lead frame 212, and the second bonding pad 154 is The second lead frame 214 may be directly connected.

제1 리드 프레임(212)은 제1 솔더부(242)를 통해 제1 본딩 패드(152)와 전기적으로 연결되고, 제2 리드 프레임(214)은 제2 솔더부(244)를 통해 제2 본딩 패드(154)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 및 제2 리드 프레임(212, 214)은 절연부(216)에 의해 서로 전기적으로 이격될 수 있다. 제1 및 제2 리드 프레임(212, 214) 각각은 도전형 물질 예를 들면 금속으로 이루어질 수 있으며, 실시 예는 제1 및 제2 리드 프레임(212, 214) 각각의 물질의 종류에 국한되지 않는다.The first lead frame 212 is electrically connected to the first bonding pad 152 through the first solder portion 242, and the second lead frame 214 is second bonded through the second solder portion 244. It may be electrically connected to the pad 154. The first and second lead frames 212 and 214 may be electrically separated from each other by the insulating portion 216. Each of the first and second lead frames 212 and 214 may be made of a conductive material, for example, metal, and the embodiment is not limited to the type of material of each of the first and second lead frames 212 and 214. .

절연부(216)는 제1 및 제2 리드 프레임(212, 214) 사이에 배치되어, 제1 및 제2 리드 프레임(212, 214)을 전기적으로 절연시킨다. 이를 위해, 절연부(216)는 SiO₂, TiO₂, ZrO₂, Si₃N₄, Al₂O₃, 또는 MgF₂ 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The insulating portion 216 is disposed between the first and second lead frames 212 and 214 to electrically insulate the first and second lead frames 212 and 214. To this end, the insulating portion 216 may include at least one of SiO ₂ , TiO ₂ , ZrO ₂ , Si ₃ N ₄ , Al ₂ O ₃ , or MgF ₂ , but embodiments are not limited thereto.

또한, 패키지 몸체(220)는 제1 및 제2 리드 프레임(212, 214)과 함께 캐비티(CV)를 형성할 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 다른 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(220)만으로 캐비티(CV)를 형성할 수도 있다. 또는, 상부면이 평평한 패키지 몸체(220) 위에 격벽(barrier wall)(미도시)이 배치되고, 격벽과 패키지 몸체(220)의 상부면에 의해 캐비티(CV)가 정의될 수도 있다.Further, the package body 220 may form a cavity CV together with the first and second lead frames 212 and 214, but embodiments are not limited thereto. According to another embodiment, the cavity CV may be formed only by the package body 220. Alternatively, a barrier wall (not shown) is disposed on the package body 220 having a flat upper surface, and a cavity CV may be defined by the partition wall and the upper surface of the package body 220.

캐비티(CV) 내에 도 2에 도시된 바와 같이 발광 소자(100)가 배치될 수 있다. 패키지 몸체(220)는 실리콘, 합성수지, 또는 금속을 포함하여 형성될 수 있다. 만일, 패키지 몸체(220)가 도전형 물질 예를 들면 금속 물질로 이루어질 경우, 제1 및 제2 리드 프레임(212, 214)은 패키지 몸체(220)의 일부일 수도 있다. 이 경우에도, 제1 및 제2 리드 프레임(212, 214)을 형성하는 패키지 몸체(220)는 절연부(216)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed in the cavity CV as shown in FIG. 2. The package body 220 may be formed of silicon, synthetic resin, or metal. If the package body 220 is made of a conductive material, for example, a metal material, the first and second lead frames 212 and 214 may be part of the package body 220. Even in this case, the package bodies 220 forming the first and second lead frames 212 and 214 may be electrically separated from each other by the insulating portion 216.

또한, 몰딩 부재(230)는 캐비티(CV) 내에 배치된 발광 소자(100)를 포위하여 보호하도록 배치될 수 있다. 몰딩 부재(230)는 예를 들어 실리콘(Si)으로 구현될 수 있으며, 형광체를 포함하므로 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 형광체로는 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 백색광으로 변환시킬 수 있는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 파장변환수단인 형광물질이 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 국한되지 않는다.In addition, the molding member 230 may be disposed to surround and protect the light emitting device 100 disposed in the cavity CV. The molding member 230 may be formed of, for example, silicon (Si), and includes a phosphor, so that the wavelength of light emitted from the light emitting device 100 can be changed. The phosphor may include a YAG-based, TAG-based, Silicate-based, Sulfide-based, or Nitride-based fluorescent material that converts light generated from the light emitting device 100 into white light. Is not limited to the type of phosphor.

YAG 및 TAG계 형광물질에는 (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서 선택하여 사용가능하며, Silicate계 형광물질에는 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl) 중에서 선택 사용 가능하다.For YAG and TAG-based fluorescent materials, (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm) 3 (Al, Ga, In, Si, Fe) 5 (O, S) 12:Ce can be selected and used. Silicate-based fluorescent materials may be selected from (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl).

또한, Sulfide계 형광물질에는 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중에서 선택하여 사용가능하며, Nitride계 형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu (예, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) 또는 Ca-α SiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16, 여기서 M 은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중 적어도 하나의 물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3, 형광체 성분 중에서 선택하여 사용 할 수 있다.In addition, the sulfide-based fluorescent material can be selected from (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, and Nitride-based phosphors are (Sr, Ca, Si, Al , O)N:Eu (e.g. CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) or Ca-α SiAlON:Eu (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16, where M is Eu, Tb , Yb or Er, and may be selected from 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3, phosphor components.

적색 형광체로는, N(예,CaAlSiN3:Eu)을 포함하는 질화물(Nitride)계 형광체를 사용할 수 있다. 이러한 질화물계 적색 형광체는 황화물(Sulfide)계 형광체보다 열, 수분 등의 외부 환경에 대한 신뢰성이 우수할 뿐만 아니라 변색 위험이 작다.As the red phosphor, a nitride-based phosphor containing N (eg, CaAlSiN 3 :Eu) can be used. Such a nitride-based red phosphor has superior reliability to an external environment such as heat and moisture, and a low risk of discoloration, than a sulfide-based phosphor.

도 10a는 비교 례에 의한 발광 소자의 평면 사진을 나타내고, 도 10b는 도 10a에 도시된 비교 례에 의한 발광 소자의 단면 사진을 나타내고, 도 10c는 도 10b에 도시된 비교 례에 의한 발광 소자의 확대 단면 사진을 나타낸다.10A shows a planar photo of the light emitting device according to the comparative example, FIG. 10B shows a cross-sectional picture of the light emitting device according to the comparative example shown in FIG. 10A, and FIG. 10C shows the light emitting device according to the comparative example shown in FIG. 10B. Shows an enlarged cross-section photograph.

도 11은 도 3b에 도시된 'A' 부분의 실시 예에 의한 발광 소자(100)의 단면 사진을 나타낸다.11 shows a cross-sectional photograph of the light emitting device 100 according to the embodiment of the'A' portion shown in FIG. 3B.

도 10a에 도시된 비교 례에 의한 발광 소자의 가지 전극(132-1) 및 콘택 전극(132-2)은 도 1에 도시된 실시 예에 의한 발광 소자(100)의 가지 전극(132-1) 및 콘택 전극(132-2)과 각각 동일한 역할을 수행할 수 있다.The branch electrode 132-1 and the contact electrode 132-2 of the light emitting device according to the comparative example shown in FIG. 10A are branch electrodes 132-1 of the light emitting device 100 according to the embodiment shown in FIG. And each of the contact electrodes 132-2.

제1 전극(132)의 제1 두께(T1)를 두껍게 할 경우 발광 소자(100)의 전류 확산 능력이 개선될 수 있다. 그러나, 제1 두께(T1)가 너무 두꺼울 경우 절연층(140)이 제대로 형성되지 않아, 제1 전극(132)에서 불량이 발생할 수 있다. When the first thickness T1 of the first electrode 132 is thickened, the current spreading capability of the light emitting device 100 may be improved. However, when the first thickness T1 is too thick, the insulating layer 140 is not properly formed, so that a defect may occur in the first electrode 132.

예를 들어, 비교 례에 의한 발광 소자에서 제1 전극(132)의 제1 두께(T1)가 1.5 ㎛일 경우 절연층(140)에 크랙에 의한 리키지(leakage)(302, 304)나 도 10c에 도시된 바와 같이 공극(306)이 생겨 수분이 침투할 수 있고, 제1 전극(132)의 스롭이 악화되어 제1 전극(132)이 단차지게 형성될 수도 있다. 결국 비교 례에 의한 발광 소자의 경우 제1 전극의 두께가 두꺼워 전기적인 특성이 악화될 수 있다.For example, when the first thickness T1 of the first electrode 132 in the light emitting device according to the comparative example is 1.5 μm, leakage to the insulating layer 140 due to cracks (302, 304) or degree As shown in 10c, pores 306 may be formed and moisture may penetrate, and the first electrode 132 may be formed stepwise because the drop of the first electrode 132 is deteriorated. As a result, in the case of the light emitting device according to the comparative example, the thickness of the first electrode may be thick, thereby deteriorating electrical characteristics.

이를 해소하기 위해, 전술한 실시 예에 의한 발광 소자(100, 100A 내지 100D) 및 발광 소자 패키지(200)에서 제1 전극(132, 132A 내지 132D)의 제1 두께(T1, T11, T12)는 절연층(140, 140A 내지 140D)의 제2 두께(T2)의 1/3 이하로서 비교 례에 의한 발광 소자에서 제1 전극의 두께보다 얇다. 예를 들어, 제1 전극(132, 132A 내지 132D)의 제1 두께(T1, T11, T12)가 0.5 ㎛일 때 도 11에 도시된 바와 같이, 절연층(140, 140A 내지 140D)이 제대로 형성될 수 있고 제1 전극(132, 132A 내지 132D)의 스롭이 개선될 수도 있어, 제1 전극(132, 132A 내지 132D)에서의 불량 발생이 방지될 수 있다. 결국, 실시 예에 의한 발광 소자는 비교 례에 의한 발광 소자보다 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다.To solve this, the first thicknesses T1, T11, and T12 of the first electrodes 132, 132A, and 132D in the light emitting devices 100, 100A to 100D and the light emitting device package 200 according to the above-described embodiment are It is 1/3 or less of the second thickness T2 of the insulating layers 140, 140A to 140D, which is thinner than the thickness of the first electrode in the light emitting device according to the comparative example. For example, when the first thicknesses T1, T11, and T12 of the first electrodes 132, 132A to 132D are 0.5 µm, the insulating layers 140, 140A to 140D are properly formed. It may be and the throttle of the first electrodes 132, 132A to 132D may be improved, so that the occurrence of defects in the first electrodes 132, 132A to 132D can be prevented. After all, the light emitting device according to the embodiment may have superior electrical characteristics than the light emitting device according to the comparative example.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to an embodiment may be arrayed on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, etc., which are optical members, may be disposed on an optical path of the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit.

또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.In addition, the display device including the light emitting device package according to the embodiment, the indicator device, may be implemented as a lighting device.

여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.Here, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light, a light guide plate disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module to the front, and in front of the light guide plate An optical sheet including prism sheets disposed, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, and a color filter disposed in front of the display panel It can contain. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.In addition, the lighting device includes a light source module including a substrate and a light emitting device package according to an embodiment, a heat radiator for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit that processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module It can contain. For example, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street light.

헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.The head lamp includes a light emitting module including light emitting device packages disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, a lens that refracts light reflected by the reflector forward. And a shade that blocks or reflects a portion of light reflected by the reflector and directed to the lens to achieve a desired light distribution pattern by the designer.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been mainly described above, but this is merely an example, and the present invention is not limited thereto, and those skilled in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

100, 100A 내지 100D: 발광 소자 110: 기판
120: 발광 구조물 132, 132A 내지 132D: 제1 전극
132-1: 가지 전극 132-2: 콘택 전극
1334: 제2 전극 140, 140A 내지 140D: 절연층
152, 154: 본딩 패드 200: 발광 소자 패키지
212, 214: 리드 프레임 216: 절연부
220: 패키지 몸체 230: 몰딩 부재
242, 244: 솔더부100, 100A to 100D: light-emitting element 110: substrate
120: light emitting structure 132, 132A to 132D: first electrode
132-1: branch electrode 132-2: contact electrode
1334: second electrode 140, 140A to 140D: insulating layer
152, 154: bonding pad 200: light emitting device package
212, 214: lead frame 216: insulation
220: package body 230: molding member
242, 244: solder section

Claims

Board;
A contact hole disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer, and penetrating through the second conductivity type semiconductor layer and the active layer to expose the first conductivity type semiconductor layer A light emitting structure comprising;
A first electrode buried in the contact hole and electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer;
A second electrode connected to the second conductivity type semiconductor layer;
First and second bonding pads respectively connected to the first and second electrodes; And
And an insulating layer disposed between the first bonding pad and the second electrode and between the second bonding pad and the first electrode, respectively.
The first electrode
Branch electrodes disposed under the first and second bonding pads; And
A contact electrode disposed under the first bonding pad and connected to the first bonding pad,
The branch electrode
A first segment disposed under the second bonding pad and electrically spaced from the second bonding pad by the insulating layer; And
And a second segment disposed under the first bonding pad,
The first segment of the first electrode includes a first upper surface facing the insulating layer buried in the contact hole and facing the second bonding pad,
The first segment of the first electrode faces the insulating layer embedded in the contact hole and includes a first upper surface disposed under the second bonding pad,
The first upper surface of the first electrode includes at least one first recess filled with the insulating layer,
In the thickness direction of the light emitting structure, the first thickness of the first electrode between the portion where the first recess is not formed on the first upper surface and the bottom surface of the contact hole is the bottom surface of the second bonding pad and the A light emitting device that is less than 1/3 of the second thickness of the insulating layer disposed between portions where the first recess is not formed on the first upper surface of the first electrode.

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The method of claim 1, wherein a portion of the first segment of the branch electrode is embedded in the first conductivity type semiconductor layer,
The first thickness of the first electrode is a light emitting device having a thickness of an exposed portion without being buried in the first conductive semiconductor layer.

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According to claim 1,
The first upper surface of the first electrode and the second bonding pad and the insulating layer overlapping in the thickness direction of the light emitting structure include a second upper surface facing the second bonding pad,
The second upper surface of the insulating layer includes at least one second recess,
The first thickness of the first electrode is thicker when the first electrode has the first recess than when the first electrode does not have the first recess.

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According to claim 1, The first bonding pad and the second bonding pad are opposed to each other in a first direction perpendicular to the thickness direction of the light emitting structure,
The length of the first bonding pad in the first direction is less than the length of the substrate in the first direction and less than the length of the branch electrode in the first direction,
The length of the second bonding pad in the first direction is smaller than the length of the substrate in the first direction and less than the length of the branch electrode in the first direction.

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The method of claim 1, wherein the first electrode
It includes a plurality of sub-electrodes spaced apart from each other in a direction perpendicular to the thickness direction of the light emitting structure,
The first thickness of the first electrode is thicker when the first electrode includes the plurality of sub-electrodes than when the first electrode does not include the plurality of sub-electrodes,
The insulating layer is embedded between the plurality of sub-electrodes,
A distance between the plurality of sub-electrodes is determined by considering process errors in which the insulating layer can be embedded.

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