KR102134313B1 - 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는, 금속 소재에 미세홀을 짧은 시간 내에 가공 가능하도록 하여 생산성을 월등히 증가시킬 수 있고, 미세홀 내부에 잔존하는 소재 찌꺼기들을 효과적으로 외부로 배출시켜 미세홀의 가공품질을 향상시킬 수 있으며, 가공 형성된 미세홀 내측면의 표면 조도가 향상되어 정밀 부품 가공에 활용가능한 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 관한 것으로,
본발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법은, 전자빔(Electron Beam)을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 미세홀을 가공하고자 하는 소재를 소정 두께로 형성하고, 상기 소재 하측면의 이물질을 제거하는 소재 준비단계; 실리콘 및 경화제를 포함하는 혼합 재료를 소정 비율로 혼합하여 도포 재료를 준비하는 도포 재료 준비단계; 상기 소재 준비단계에서 이물질을 제거한 상기 소재의 하측면에, 상기 도포 재료 준비단계를 통해 준비된 상기 도포 재료를 소정 두께로 도포한 후, 소정 시간 동안 경화시키는 소재 하측면 도포단계; 상기 소재 하측면 도포단계를 통해 하측면에 상기 도포 재료를 도포한 상기 소재를 지그에 고정 설치하고, 상기 소재의 상측면에 전자빔(Electron Beam)을 조사하여 상기 소재에 미세홀을 관통 형성시키는 전자빔 조사단계; 및, 상기 전자빔 조사단계를 통해 미세홀이 관통 형성된 상기 소재를 상기 지그에서 분리한 후, 상기 소재의 하측면에 도포된 상기 도포 재료를 제거하는 도포 재료 제거단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

전자빔을 이용한 미세홀 가공방법{The method of drilling micro-hole using electron beam}

본 발명은 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는, 금속 소재에 미세홀을 짧은 시간 내에 가공 가능하도록 하여 생산성을 월등히 증가시킬 수 있고, 미세홀 내부에 잔존하는 소재 찌꺼기들을 효과적으로 외부로 배출시켜 미세홀의 가공품질을 향상시킬 수 있으며, 가공 형성된 미세홀 내측면의 표면 조도가 향상되어 정밀 부품 가공에 활용가능한 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 관한 것이다.

최근들어 산업 제품의 소형화 추세에 따라 미세 형상 가공 기술에 관심이 높아지고 있다. 특히, 미세홀(Micro-hole)은 1960년대 말 디젤 엔진의 연료분사 노즐홀에 이용하기 위해 미세홀 가공의 필요성이 제기된 이후, 요즘 미세홀의 용도는 잉크젯 프린터 헤드 노즐, 광전자 섬유 컨넥터, 방사노즐, 가스배출 오리피서, 미세 섬유 사출 노즐 및, 반도체 검사용 조리개 등의 일반 용도 외에도 서보 제어용 밸브, 계측장비 요소부품, 의료장치, 합성섬유 가공, 위성통신 부분에 이르기 까지 광범위하게 확대되고 있다.

이러한 미세홀 가공의 경우, 일반적으로 범용 가공방법으로 MCT(Machining center)가공을 이용하였으나, 가공하여야 할 미세홀의 크기가 현저히 작아지면서 현재에는 레이저 가공법 또는 마이크로 방전가공 등이 이용되고 있다. 레이저 가공법의 경우, 정밀하고 가공 품질이 높은 미세홀을 가공하기 편리한 장점이 있는 반면에, 미세홀을 가공하여야 할 소재의 두께가 두꺼운 경우에는 여러 번의 가공단계를 거치면서 서서히 미세홀을 가공하여야 하므로, 미세홀 가공에 많은 시간이 소요되는 문제점이 있고, 천공 깊이가 깊은 미세홀의 경우, 내측면에 소재 찌꺼기들이 미세홀 외부로 완전히 배출되지 못하고 일부 잔존하여 미세홀 내측면의 표면 조도 및 가공 품질을 저하시킬 우려가 있다.

이에, 국내 공개특허공보 제10-2012-0073901호(발명의 명칭 : '초음파진동을 부가한 마이크로 방전가공용 하이브리드 공정 장치 및 방법')에서는 미세홀 가공에 있어서 많은 장점을 가지고 있는 마이크로 방전가공을 이용해 직경 300μm이하의 전도성 세라믹 소재의 미세홀을 가공하는 경우에 있어서, 데브리스(Debris)와 같은 미세한 부스러기의 배출을 효과적으로 제거하고, 가공시간을 효율적으로 감소시키기 위하여 마이크로 방전가공을 위한 수조 탱크 내부에 초음파 진동자를 삽입하고, 방전액을 초음파 가진 함으로써, 마이크로 방전 가공이 간접적인 에너지의 전달에 의하여 효율적으로 이뤄지도록 한 마이크로 방전 가공 기술이 개시되어 있다.

그러나, 상기와 같은 마이크로 방전가공의 경우, 미세홀의 표면 조도 등 가공 정밀도는 개선시킬 수 있으나, 다량의 소재에 다수의 미세홀을 가공하는데에는 많은 시간이 소요되는 문제점이 있으며, 미세홀 가공에 소요되는 장비 등이 고가로 가공 비용이 높은 문제점이 있다.

공개특허공보 제10-2012-0073901호(발명의 명칭 : '초음파진동을 부가한 마이크로 방전가공용 하이브리드 공정 장치 및 방법')

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로, 알루미늄 합금 등의 금속 소재에 다수의 미세홀을 짧은 시간 내에 가공 형성시켜 생산성을 증가시킬 수 있도록 하고,

또한, 두께가 두꺼운 금속 소재에 미세홀을 형성시키는 경우에도, 미세홀 내부에 잔존하는 소재 찌꺼기들을 효과적으로 외부로 배출시켜 미세홀의 가공 품질을 향상시킬 수 있도록 하며, 가공 형성된 미세홀 내측면의 표면 조도뿐만 아니라, 내구성 및 내부식성을 향상시킬 수 있도록 한다.

상기 전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 형태에서는, 전자빔(Electron Beam)을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 미세홀을 가공하고자 하는 소재를 소정 두께로 형성하고, 상기 소재 하측면의 이물질을 제거하는 소재 준비단계; 실리콘 및 경화제를 포함하는 혼합 재료를 소정 비율로 혼합하여 도포 재료를 준비하는 도포 재료 준비단계; 상기 소재 준비단계에서 이물질을 제거한 상기 소재의 하측면에, 상기 도포 재료 준비단계를 통해 준비된 상기 도포 재료를 소정 두께로 도포한 후, 소정 시간 동안 경화시키는 소재 하측면 도포단계; 상기 소재 하측면 도포단계를 통해 하측면에 상기 도포 재료를 도포한 상기 소재를 지그에 고정 설치하고, 상기 소재의 상측면에 전자빔(Electron Beam)을 조사하여 상기 소재에 미세홀을 관통 형성시키는 전자빔 조사단계; 및, 상기 전자빔 조사단계를 통해 미세홀이 관통 형성된 상기 소재를 상기 지그에서 분리한 후, 상기 소재의 하측면에 도포된 상기 도포 재료를 제거하는 도포 재료 제거단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법을 제공한다.

본 발명의 일 형태에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 상기 도포 재료 준비단계에서, 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)의 각 파우더(Powder)를 더 포함하는 혼합 재료를 소정 비율로 혼합하여 도포 재료를 준비할 수 있고,

바람직하게는, 상기 도포 재료 준비단계를 거친 후, 소정시간 동안 도포 재료 내에 포함된 기포를 제거하는 도포 재료 탈포단계;를 더 포함하여 구성될 수 있다.

본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법은, 금속 소재에 다수의 미세홀을 짧은 시간 내에 가공 형성시켜 생산성을 증가시킬 수 있고,

특히, 두께가 두꺼운 금속 소재에 미세홀을 형성시키는 경우에도, 미세홀 내부에 잔존하는 소재 찌꺼기들을 효과적으로 외부로 배출시킬 수 있어 미세홀의 가공 품질을 향상시킬 수 있으며, 가공 형성된 미세홀 내측면의 표면 조도뿐만 아니라, 내마모성 및 내부식성을 향상시킬 수 있게 된다.

도 1은 본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법의 단계를 나타내는 가공 순서도;
도 2는 본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 미세홀 형성 과정을 나타내는 가공 상태도;
도 3은 본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 금속 소재의 하측면에 실리콘 및 경화제를 포함하여 형성되는 도포 재료를 도포 한 후, 전자빔을 조사하여 미세홀을 형성시킨 금속 소재 및 금속 소재의 하측면에서 분리해 낸 도포 재료 사진;
도 4는 본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 실리콘 및 경화제에, 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni)의 각 파우더를 더 포함하여 혼합 형성되는 도포 재료를 금속 소재의 하측면에 도포 한 후, 전자빔을 조사하여 미세홀을 형성시킨 금속 소재 및 금속 소재의 하측면에서 분리해 낸 도포 재료 사진; 및,
도 5는 금속 소재의 하측면에에 도포 재료를 도포하지 않은 상태에서 전자빔을 조사하여 미세홀을 형성시킨 금속 소재 사진;이다.

이하 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예들을 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 부호가 사용되며, 이에 따른 부가적인 설명은 하기에서 생략된다.

도 1은 본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법의 단계를 나타내는 가공 순서도이고, 도 2는 본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 미세홀 형성 과정을 나타내는 가공 상태도이다.

본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법은, 도 1에 도시된 바와 같이, 크게, 미세홀을 가공하고자 하는 금속 소재를 가공 준비하는 소재 준비단계와, 상기 금속 소재의 하측면에 소정 두께로 도포할 도포 재료를 준비하는 도포 재료 준비단계와, 준비된 도포 재료를 상가 소재의 하측면에 소정 두께로 도포하는 소재 하측면 도포단계와, 하측면에 도포 재료가 도포된 금속 소재의 상측면에 전자빔을 조사하여 미세홀을 천공하는 전자빔 조사단계 및, 미세홀이 형성된 금속 소재의 하측면에 도포된 도포 재료를 제거하는 도포 재료 제거단계를 포함하여 구성된다.

상기 소재 준비단계는, 미세홀을 가공할 금속 소재를 준비하는 단계로, 통상 전자빔의 조사를 통해 융용시킬 수 있는 금속 소재를 그 대상으로 할 수 있으며, 일반적으로 여러 산업분야에서 사용되는 스테인레스강(SUS304 등)이나 인버(INVAR) 등의 금속 소재를 소정 두께의 판상 형상으로 형성하고, 상기 도포 재료 준비단계를 통해 준비되는 도포 재료가 잘 부착될 수 있도록, 판상으로 형성된 상기 금속 소재의 하측면을 알코올 등으로 세척하여 이물질을 제거하고 자연 건조시킨다. 상기 금속 소재 하측면의 이물질 제거를 통해 도포 재료와 상기 금속 소재 하측면과의 접착력을 향상시킬 수 있고, 향상된 접착력에 의해 도포재료의 기화압력 및 폭발력도 증가되어 용융된 금속 소재가 미세홀의 표면에 남는 것을 최소화시키면서 미세홀의 가공 품질을 향상시킬 수 있게 된다.

상기 도포 재료 준비단계는, 상기 소재 준비단계를 통해 이물질을 제거한 금속 소재의 하측면에 소정 재료들을 혼합할 도포 재료를 준비하는 단계로, 실리콘 및 경화제를 포함하는 혼합 재료를 소정 비율로 혼합하게 된다. 상기 경화제는 상기 금속 소재의 하측면에 도포된 도포 재료가 자연 건조로 경화되면서 소정 접착력으로 부착될 수 있게 하며, 상기 실리콘은 상기 도포 재료의 베이스 원료로 사용되고, 상기 도포 재료가 상기 금속 소재의 하측면에 경화되어 부착된 상태에서, 전자빔이 조사되는 경우, 강한 기화 압력으로 상기 전자빔에 의해 용융된 상기 금속 소재를 홀 외부로 배출시키는 기능을 하게 된다. 혼합비율은, 베이스 원료로 사용되는 상기 실리콘 100 중량부에 대해 상기 경화제를 5 ~ 10 중량부로 혼합하여 상기 도포 재료를 준비할 수 있다.

상기 소재 하측면 도포단계는, 상기 소재 준비단계에서 이물질을 제거한 상기 금속 소재의 하측면에 상기 도포 재료 준비단계를 통해 준비된 상기 도포 재료를 소정 두께로 도포한 후, 소정 시간 동안 자연 건조 및 경화시키게 된다.

상기 전자빔 조사단계는, 상기 소재 하측면 도포단계를 통해 하측면에 상기 도포 재료를 도포한 상기 금속 소재를 지그에 고정 설치하고, 상기 소재의 상측면에 전자빔(Electron Beam)을 조사하여 상기 금속 소재에 미세홀을 관통 형성시키게 된다. 상기 전자빔을 통해 상기 금속 소재에 조사된 운동에너지가 열에너지로 변환되면서 국부적인 용융이 일어남과 동시에, 상기 변환된 열에너지는 상기 금속 소재의 열전달을 통해 하측면에 도포된 상기 도포 재료에 고온의 열을 전달하게 된다. 전달 받은 고온의 열 및 상기 금속 소재를 용융시키면서 하측면에 도포된 도포 재료에 닿은 전자빔은 상기 도포 재료에 기화열로 작용하게 되고, 상기 도포 재료가 점차 기화되면서 기화 압력이 상승하게 되며, 상기 전자빔이 조사된 부위의 상기 금속 소재 하측면에 축적된 기화압력은 상기 전자빔 조사로 용융되어 약해진 상기 금속 소재의 전자빔 조사 부위를 통해 폭발하면서 융용된 금속 소재를 외부로 방출시키게 되고, 용융되어 기화압력과 함께 외부로 방출된 금속 소재의 부위에 미세홀이 관통 형성되게 된다.

본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 전자빔의 조사에 의한 미세홀의 형성과정을 설명하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 먼저 미세홀을 천공하고자 하는 금속 소재의 상측면에 전자빔을 조사하게 되면 조사된 전자빔의 운동에너지가 금속 소재에 부딪혀 열에너지로 변환되고, 변환된 열에너지는 금속 소재를 높은 온도로 용융시킴과 동시에, 상기 금속 소재의 열전달을 통해 하측면에 도포된 상기 도포 재료에 고온의 열을 전달하게 된다. 전자빔의 운동에너지가 변환되어 발생되는 열에너지로 상기 금속 소재가 녹으면서 가공 영역에서 증기화가 발생되고, 조사된 상기 전자빔의 도달 깊이도 점차 깊어지면서 상기 도포 재료에 전자빔이 닿게 되면 상기 도포 재료의 기화열로 작용하여 상기 도포 재료가 기화하게 되고, 기화하면서 발생되는 기화 압력이 점차 축적되다가 소정 기화압력에 도달하게 되면 상기 전자빔 조사로 용융되어 약해진 상기 금속 소재의 전자빔 조사 부위를 통해 강하게 폭발하면서 융용된 금속 소재를 외부로 방출시키게 되고, 용융되어 기화압력과 함께 외부로 방출된 금속 소재의 부위에 미세홀이 형성된다.

바람직하게는, 상기 도포 재료 준비단계에서, 실리콘 및 경화제와 함께, 혼합재료로 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및, 니켈(Ni)을 더 포함시켜 형성하고, 소정비율로 혼합하여 상기 도포 재료를 준비할 수도 있으며, 상기 구리, 알루미늄 및 니켈은 소정 크기로 분쇄시켜 금속 파우더로 형성한 후, 상기 실리콘 및 경화제와 함께 혼합하여 도포 재료로 형성시킬 수 있다. 상기 구리는 상기 금속 소재의 하측면에 도포되는 도포 재료의 열전달율을 향상시켜 기화 압력 및 폭발력을 증가시킬 수 있으며, 증가된 폭발력 만큼이나 전자빔에 의해 용융된 금속 소재를 효과적으로 외부로 배출시킬 수 있어 미세홀의 표면 조도 및 가공품질을 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 알루미늄은 도포 재료의 열전달율을 향상시킴과 함께, 도포 재료 내의 상기 금속 파우더들이 높은 비중으로 가라앉는 것을 최소화 할 수 있고, 균일하게 도포 재료 내에 금속 파우더들이 분포하도록 하며, 기화압력으로 폭발하는 경우, 용융된 금속 소재를 외부로 배출시키는 과정에서 미세홀의 표면에 코팅되어 내부식성을 향상시킬 수 있게 되고, 상기 니켈은 미세홀의 표면에 코팅되어 내마모성을 향상시킬 수 있게 된다.

상기 금속 파우더의 혼합 비율은, 실리콘 100 중량부에 대해 경화제 5 ~ 10 중량부와 함께, 구리 10 ~ 20 중량부, 알루미늄 5 ~ 15 중량부 및, 니켈 5 ~ 15 중량부로 혼합될 수 있다.

상기 도포 재료의 혼합과정에서 발생되는 기포가 도포 재료가 잔존하는 경우에는, 전자빔 조사에 따른 도포 재료 내의 열전달율을 감소시켜 기화 압력 및 폭발력을 감소시키며, 감소된 기화 압력 및 폭발력은 용융된 금속 소재의 외부 배출을 저감시켜 미세홀 내측 표면 조도가 나빠지고, 미세홀 가공 품질을 저하시키게 된다. 따라서, 바람직하게는, 상기 도포 재료 준비단계를 거친 후, 소정시간 동안 도포 재료 내에 포함된 기포를 제거하는 도포 재료 탈포단계를 더 포함시켜 도포 재료의 혼합과정에서 발생되는 기포를 제거할 수 있도록 한다.

상기 전자빔 조사단계를 통해 미세홀이 관통 형성된 상기 금속 소재를 상기 지그에서 분리한 후, 상기 금속 소재의 하측면에 도포된 상기 도포 재료를 제거하여 미세홀이 형성된 금속 소재를 가공 완성하게 된다.

도 3은 본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 금속 소재의 하측면에 실리콘 및 경화제를 포함하여 형성되는 도포 재료를 도포 한 후, 전자빔을 조사하여 미세홀을 형성시킨 금속 소재 및 금속 소재의 하측면에서 분리해 낸 도포 재료 사진이며, 조사된 전자빔의 세기는 30kV, 25mA이고, 금속 소재는 두께 0.5mm인 SUS304를 사용하였다. 실리콘 및 경화제를 혼합시켜 상기 도포 재료를 형성하는 경우에는, 도 3에 나타난 바와 같이, 도포 재료 내부의 열전달율이 낮고, 그에 따른 기화압력 및 폭발력이 낮아 상기 금속 소재는 전자빔에 의해 조사된 영역만 녹고, 상기 도포 재료는 전자빔에 의해 발생된 높은 열을 상기 금속 소재를 통해 열전달 받아 검게 그을린 것을 확인할 수 있으며, 전자빔의 조사 세기를 증가시키면 미세홀이 형성될 수 있으나, 도포 재료의 폭발력이 약해 미세홀 내부면에 융융된 금속 소재의 일부가 남아 미세홀의 가공 품질이 나빠짐을 알 수 있다.

도 4는 본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 실리콘 및 경화제에, 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni)의 각 금속 파우더를 더 포함하여 혼합 형성되는 도포 재료를 금속 소재의 하측면에 도포 한 후, 전자빔을 조사하여 미세홀을 형성시킨 금속 소재 및 금속 소재의 하측면에서 분리해 낸 도포 재료 사진이며, 조사된 전자빔의 세기는 30kV, 25mA이고, 금속 소재는 두께 0.5mm인 SUS304를 사용하였다. 실리콘 및 경화제와 함께 구리, 알루미늄 및 니켈을 소정 크기로 분쇄한 각 금속 파우더를 혼합하여 도포 재료를 형성하는 경우에는, 도 4에 나타난 바와 같이, 도포 재료 내부의 열전달율이 향상되고, 그에 따른 기화 압력 및 폭발력도 함께 증가되어 강한 기화 압력과 폭발력을 통해 전자빔의 조사로 용융된 금속 소재를 외부로 배출시키면서 미세홀을 형성시킨 것을 알 수 있다.

도 5는 금속 소재의 하측면에에 도포 재료를 도포하지 않은 상태에서 전자빔을 조사하여 미세홀을 형성시킨 금속 소재 사진으로, 상기 앞의 경우와 동일하게, 조사된 전자빔의 세기는 30kV, 25mA이고, 금속 소재는 두께 0.1mm인 INVAR를 사용하였다. 도포 재료를 금속 소재의 하측면에 도포하지 않고 전자빔을 조사한 경우에도 전자빔의 조사에 따른 금속 소재의 용융 및 흘러내림으로 미세홀 가공이 될 수 있음을 알 수 있으나, 금속 소재의 용융 및 흘러내림으로 미세홀이 형성될 때까지 지속적으로 전자빔을 조사하게 되어 전자빔 조사시간이 길어지고, 길어진 전자빔의 조사시간 만큼이나 높아진 열에 의해 금속 소재에 휨 현상이 나타난 것을 알 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서, 미세홀을 천공할 금속 소재의 하측면에 도포되는 상기 도포 재료는, 금속 소재의 상측면을 전자빔으로 조사할 경우, 융융되는 금속 소재의 기화열을 전달받게 되고, 전자빔의 조사를 통해 용융되는 금속 소재가 거의 도포 재료의 상측면에 도달될 쯤에는 상기 기화열이 상기 금속 소재의 하측면에 소정 접착력으로 접착된 도포 재료에 강한 기화압력을 발생시키고, 상기 도포 재료에 축적된 기화압력이, 전자빔의 조사를 통해 용융된 상기 금속 소재의 용융부위를 통해 강하게 폭발하면서 용융된 금속 소재을 미세홀 외부로 방출하고, 용융된 금속 소재의 홀 외부 방출을 통해 상기 금속 소재에 미세홀을 형성시킴을 알 수 있다.

상기 전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법은, 알루미늄 합금 등의 금속 소재에 다수의 미세홀을 짧은 시간 내에 가공 형성시켜 생산성을 증가시킬 수 있고, 특히, 두께가 두꺼운 금속 소재에 미세홀을 형성시키는 경우에도, 미세홀 내부에 잔존하는 소재 찌꺼기들을 효과적으로 외부로 배출시킬 수 있어 미세홀의 가공 품질을 향상시킬 수 있으며, 가공 형성된 미세홀 내측면의 표면 조도뿐만 아니라, 내마모성 및 내부식성을 향상시킬 수 있게 된다.

위에서 몇몇의 실시예가 예시적으로 설명되었음에도 불구하고, 본 발명이 이의 취지 및 범주에서 벗어남 없이 여러 다른 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다.

따라서, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아닌 예시적인 것으로 여겨져야 하며, 첨부된 청구항 및 이의 동등 범위 내의 모든 실시예는 본 발명의 범주 내에 포함된다.

Claims (3)

1. 전자빔(Electron Beam)을 이용한 미세홀 가공방법에 있어서,
   미세홀을 가공하고자 하는 소재를 소정 두께로 형성하고, 상기 소재 하측면의 이물질을 제거하는 소재 준비단계;
   실리콘 및 경화제를 포함하는 혼합 재료를 소정 비율로 혼합하여 도포 재료를 준비하는 도포 재료 준비단계;
   상기 소재 준비단계에서 이물질을 제거한 상기 소재의 하측면에, 상기 도포 재료 준비단계를 통해 준비된 상기 도포 재료를 소정 두께로 도포한 후, 소정 시간 동안 경화시키는 소재 하측면 도포단계;
   상기 소재 하측면 도포단계를 통해 하측면에 상기 도포 재료를 도포한 상기 소재를 지그에 고정 설치하고, 상기 소재의 상측면에 전자빔(Electron Beam)을 조사하여 상기 소재에 미세홀을 관통 형성시키는 전자빔 조사단계; 및,
   상기 전자빔 조사단계를 통해 미세홀이 관통 형성된 상기 소재를 상기 지그에서 분리한 후, 상기 소재의 하측면에 도포된 상기 도포 재료를 제거하는 도포 재료 제거단계;를 포함하여 구성되고,
   
   상기 도포 재료 준비단계에서,
   구리(Cu), 알루미늄(Al) 및, 니켈(Ni)의 각 파우더(Powder)를 더 포함하는 혼합 재료를 소정 비율로 혼합하여 도포 재료를 준비하며,
   
   상기 도포 재료 준비단계를 거친 후, 소정시간 동안 도포 재료 내에 포함된 기포를 제거하는 도포 재료 탈포단계;를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 미세홀 가공방법.
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