KR102134033B1 - Wafer sensing apparatus, wafer carrier loard port comprising the same and apparatus for semiconductor process comprising the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 감지 장치에 관한 것으로, 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 몸체; 상기 제1 면으로부터 돌출하고, 상기 몸체의 상부에 배치된 제1 센서부; 및 상기 제1 면으로부터 돌출하고, 상기 몸체의 상부에 배치되고, 상기 제1 센서부로부터 이격하여 배치된 제2 센서부;를 포함하고, 상기 제1 센서부는 일 단에 광원을 송신하는 송신부 및 반사된 광원을 수신하는 수신부를 포함하고, 상기 제2 센서부는 일 단에 광원을 송신하는 송신부 및 반사된 광원을 수신하는 수신부를 포함하고, 상기 제1 센서부 및 제2 센서부 사이의 거리는 125 내지 145 mm 인 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a wafer sensing device, the body including a first surface and a second surface opposite to the first surface; A first sensor unit protruding from the first surface and disposed on an upper portion of the body; And a second sensor part protruding from the first surface, disposed on an upper portion of the body, and spaced apart from the first sensor part, wherein the first sensor part includes a transmitter for transmitting a light source to one end, and A receiving unit for receiving the reflected light source, the second sensor unit includes a transmitting unit for transmitting a light source at one end and a receiving unit for receiving a reflected light source, and the distance between the first sensor unit and the second sensor unit is 125 It characterized in that it is from 145 mm.
Description
본 발명은 웨이퍼 감지 장치, 이를 포함하는 웨이퍼 캐리어 로드 포트 및 이를 포함하는 반도체 공정 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a wafer sensing device, a wafer carrier load port including the same, and a semiconductor processing device including the same.
일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼 표면 상부에 여러 가지 기능을 수행하는 박막을 증착하고 이를 패터닝하여 다양한 회로 기하구조를 형성함으로써 제조하게 된다. 이러한 반도체 디바이스를 제조하기 위한 단위 공정으로는, 크게 반도체 웨이퍼 내부로 불순물 이온을 주입하는 불순물 이온주입 공정, 반도체 기판 상에 물질막을 형성하는 박막 증착(deposition)공정, 상기 물질막을 소정의 패턴으로 형성하는 식각 공정, 그리고 웨이퍼 상부에 층간절연막등을 증착한 후에 일괄적으로 웨이퍼 표면을 연마하여 단차를 없애는 평탄화(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 공정을 비롯하여 불 순물 제거를 위한 웨이퍼 세정공정등과 같은 여러 단위 공정들로 구분할 수 있다.In general, a semiconductor device is manufactured by depositing a thin film that performs various functions on a wafer surface and patterning it to form various circuit geometries. As a unit process for manufacturing such a semiconductor device, an impurity ion implantation process in which impurity ions are implanted into a semiconductor wafer is largely performed, a thin film deposition process for forming a material film on a semiconductor substrate, and the material film is formed in a predetermined pattern. Etching process and several units such as wafer cleaning process for removing impurities, including flattening (CMP: Chemical Mechanical Polishing) process by removing the step by polishing the wafer surface in bulk after depositing an interlayer insulating film on the top of the wafer It can be divided into processes.
따라서, 반도체 디바이스는 상기와 같은 여러 단위 공정들을 반복 실시함으로써 제조하게 되는데, 이러한 각각의 단위 공정들은 통상적으로 25매 또는 50매의 웨이퍼가 수용되는 웨이퍼 수납 용기에 의해 이동되면서 웨이퍼 단위로 진행된다.Accordingly, the semiconductor device is manufactured by repeatedly performing the above-described various unit processes, and each of these unit processes is generally performed in a wafer unit while being moved by a wafer storage container in which 25 or 50 wafers are accommodated.
한편, 상기 웨이퍼 수납 용기로는 웨이퍼 사이즈가 8인치(inch)인 경우에는 개방형 웨이퍼 카세트가 많이 사용되었으나, 최근 웨이퍼의 이동 과정에서 발생할 수 있는 오염을 방지하기 위해 밀폐형 용기인 풉(Front Open Unified Pod, FOUP)이 주로 사용되고 있다.On the other hand, as the wafer storage container, when the wafer size is 8 inches (inch), an open wafer cassette has been frequently used, but in order to prevent contamination that may occur in the process of moving the wafer recently, a closed container (Front Open Unified Pod) , FOUP).
한편, 상기와 같은 카세트 또는 풉에 수납된 웨이퍼들은 이온주입 공정, 증착공정 또는 평탄화 공정등을 수행하기 위한 공정 장치들에 로딩되면, 상기 풉에 수납된 웨이퍼들의 위치 및 웨이퍼들의 수납 상태를 확인하기 위한 맵핑 과정이 수행된다.On the other hand, when the wafers accommodated in the cassette or the pull are loaded into process devices for performing an ion implantation process, a deposition process or a planarization process, the position of the wafers stored in the pull and the storage state of the wafers are checked. The mapping process is performed.
로드 포트는 반도체 제조 설비가 반도체 제조 팹과 연결되는 수단으로, 상기 로드 포트의 선반에 배치된 카세트 또는 풉의 웨이퍼는 웨이퍼 맵핑(mapping) 작업 후 웨이퍼 핸들링 로봇 등에 의해 장치 내부의 공정 챔버로 투입될 수 있다. The load port is a means by which a semiconductor manufacturing facility is connected to a semiconductor manufacturing fab, and a wafer of a cassette or a pull placed on a shelf of the load port is to be introduced into a process chamber inside the device by a wafer handling robot or the like after a wafer mapping operation. Can.
상기 카세트 또는 풉은 25매의 웨이퍼에 대응되는 적어도 25개의 슬롯(slot)을 포함하고 있다. 예를 들어, 1번 웨이퍼는 상기 카세트 또는 풉의 1번 슬롯에 삽입되어 있고, 5번 웨이퍼는 상기 카세트 또는 풉의 5번 슬롯에 삽입되어 있다. 하지만, 상기 웨이퍼는 공정 중 불량에 의한 웨이퍼 분석, 반도체 공정 중 오염 또는 파손, 장치간 웨이퍼 이송 중 오염 또는 파손에 의해 25매의 웨이퍼 중 특정 웨이퍼의 손실이 발생할 수 있다. 예를 들어, 포토리쏘그래피 단계에서는 1번 웨이퍼 내지 25번 웨이퍼 모두 온전한 상태인데, 금속 증착 단계에서는 앞선 단계에서 3번 웨이퍼의 소실, 7번 웨이퍼의 분석 작업을 목적으로 빈 슬롯 상태일 수 있고, 25매보다 적은 상태로 로드 포트로 전달될 수 있다. The cassette or pull contains at least 25 slots corresponding to 25 wafers. For example, wafer 1 is inserted into slot 1 of the cassette or pull, and wafer 5 is inserted into slot 5 of the cassette or pull. However, the wafer may have a loss of a specific wafer among 25 wafers due to wafer analysis due to defects in the process, contamination or damage during semiconductor processing, or contamination or damage during wafer transfer between devices. For example, in the photolithography step, wafers 1 to 25 are all intact, and in the metal deposition step, the wafer may be lost in the previous step and the empty slot may be used for analysis of the 7th wafer. Less than 25 sheets can be delivered to the load port.
카세트에 정렬된 웨이퍼는 로봇에 의해 각각 한 장씩, 다음 공정을 진행하기 위한 반응 챔버로 이송된다. 로봇에 의해 웨이퍼를 각각의 반응 챔버로 이송하기 전에, 카세트 또는 풉 내에 정렬된 웨이퍼의 위치 및 정렬 순서를 확인하여, 웨이퍼의 정렬 상태가 설비에 인식된다.The wafers arranged in the cassette are transferred to the reaction chamber for the next process, one sheet each by a robot. Before transferring the wafers to the respective reaction chambers by the robot, the position and alignment order of the wafers aligned in the cassette or pull are checked, and the alignment status of the wafers is recognized by the facility.
종래의 웨이퍼 감지 장치는 광원의 통과거리가 길어서 사용시간에 따라 틀어짐 및 변화가 발생할 수 있고, 광량의 변화폭이 증가하는 문제점이 있다. Conventional wafer sensing apparatuses have a problem in that, due to a long passing distance of a light source, distortion and change may occur according to the use time, and the variation width of the amount of light increases.
본 발명은 제1 센서부 및 제2 센서부의 폭을 조절하여, 시간의 경과함에 따라 광량의 감소가 현저히 낮아지고, 맵핑 감지의 정확성 및 수명이 증대될 수 있는 웨이퍼 감지 장치를 제공함을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a wafer sensing device capable of adjusting the width of the first sensor unit and the second sensor unit to significantly reduce the amount of light as time passes, and increase the accuracy and lifetime of mapping detection. .
또한, 본 발명은 웨이퍼의 이탈로 인한 파손을 감지할 수 있는 웨이퍼 감지 장치를 포함하는 웨이퍼 캐리어 로드 포트를 제공함을 목적으로 한다. In addition, it is an object of the present invention to provide a wafer carrier load port including a wafer sensing device capable of detecting damage due to wafer detachment.
본 발명의 실시 예를 따르는 200 mm 및 300 mm 지름의 웨이퍼를 대상으로 하는 웨이퍼 감지 장치(100)는, 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하며, 제1 센서로부터 연결된 전선이 배치되는 제1 전선 홈(123);과, 제2 센서로부터 연결된 전선이 배치되는 제2 전선 홈(133);을 포함하는 몸체(110); 상기 제1 면으로부터 돌출하고, 상기 몸체(110)의 상에 배치되고, 일 단에 광원을 송신하는 송신부 및 반사된 광원을 수신하는 수신부가 배치되는 제1 센서 홈(121)을 포함하는 제1 센서부(120); 상기 제1 면으로부터 돌출하고, 상기 몸체(110)의 상에 상기 제1 센서부(120)로부터 일정 간격 이격하여 배치되고, 일 단에 광원을 송신하는 송신부 및 반사된 광원을 수신하는 수신부가 배치되는 제2 센서 홈(131)을 포함하는 제2 센서부(130); 상기 몸체(110)의 일단에 배치되고, 상기 제1 전선 홈(123)이 상기 제1 센서 홈(121)으로부터 연장되어 배치되며, 상기 제1 센서로부터 연결된 전선을 외부의 전선과 연결하는 단자가 배치되는 제1 단자 홈(141)을 포함하되, 상기 제1 전선 홈(123)은 상기 제1 단자 홈(141)과 연통되도록 배치되는 제1 로드 포트 결착부(140); 및 상기 몸체(110)의 타단에 배치되며, 상기 제2 전선 홈(133)이 상기 제2 센서 홈(131)으로부터 연장되어 배치되며, 상기 제2 센서로부터 연결된 전선을 외부의 전선과 연결하는 단자가 배치되는 제2 단자 홈(151)을 포함하되, 상기 제2 전선 홈(133)은 상기 제2 단자 홈(151)과 연통되도록 배치되는 제2 로드 포트 결착부(150);를 포함하고,
상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 상기 몸체부(110)의 폭은, 나머지 몸체부(110)의 폭에 비하여 얇되, 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 상기 몸체(110)부의 폭은 나머지 몸체(110)부의 폭에 비하여 1 내지 5 mm 얇고, 상기 제1 센서 홈(121)에 배치된 제1 센서에서 송신하는 광원 및 웨이퍼에 반사되어 수신하는 광원이 이동하는 통로인 제1 송수광 홈(122);과, 상기 제2 센서 홈(131)에 배치된 제2 센서에서 송신하는 광원 및 웨이퍼에 반사되어 수신하는 광원이 이동하는 통로인 제2 송수광 홈(132);를 포함하며,
상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리는 125 내지 145 mm 이며, 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)의 폭은 15 내지 25 mm 이고,
상기 제1 센서 및 제2 센서는 직접 송수신 모드 또는 반사 모드에 의해 웨이퍼의 유무 또는 웨이퍼의 이상 상태를 감지하되, 상기 직접 송수신 모드는 상기 제1 센서의 송신부에서 제2 센서의 수신부로 광원을 송출하고, 상기 제1 센서의 송신부 및 제2 센서의 수신부의 일직선상에 웨이퍼의 유무에 따른 광원 검출신호의 차이로 웨이퍼의 유무를 체크하고, 상기 반사 모드는 상기 제1 센서 또는 제2 센서의 송신부에서 광원을 상기 웨이퍼의 측면 모서리에서 반사된 광원을 검출하는 경우, 상기 제1 센서에서 송출된 광원은 제1 센서의 수신부 또는 제2 센서의 수신부에서 웨이퍼 측면 모서리에서 반사된 광원을 검출하는 것을 특징으로 한다. The
The width of the
The distance between the
The first sensor and the second sensor detect the presence or absence of a wafer or an abnormal state of the wafer by a direct transmission/reception mode or a reflection mode, wherein the direct transmission/reception mode transmits a light source from the transmitter of the first sensor to the receiver of the second sensor. Then, the presence or absence of the wafer is checked by the difference in the light source detection signal according to the presence or absence of the wafer on a straight line between the transmitter of the first sensor and the receiver of the second sensor, and the reflection mode is the transmitter of the first sensor or the second sensor In the case of detecting the light source reflected from the side edge of the wafer, the light source emitted from the first sensor detects the light source reflected from the side edge of the wafer at the receiver of the first sensor or the receiver of the second sensor. Is done.
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본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)는, 200 mm 및 300 mm 지름의 웨이퍼를 내부에 보관하는 웨이퍼 캐리어를 상부에 지지하는 플레이트 및 상기 웨이퍼 캐리어를 고정하는 고정부를 포함하는 웨이퍼 캐리어 포트부(1100); 및 상기 웨이퍼 캐리어의 캐리어 커버와 결합하는 커버부(1200);를 포함하고,
상기 커버부(1200)는, 상기 웨이퍼 캐리어의 캐리어 커버와 결합하여 상기 캐리어 커버를 분리하는 커버 플레이트, 및 상기 커버 플레이트에 배치되어 상기 웨이퍼 캐리어 내부의 웨이퍼를 감지하며, 상술한 웨이퍼 감지 장치(100)를 포함한다. Wafer
The
본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 공정 장치는, 웨이퍼에 대한 공정을 진행하는 공정부; 및A semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a processing unit that performs a process for a wafer; And
상기 웨이퍼를 상기 공정부에 공급하는 웨이퍼 캐리어 로드 포트;를 포함한다. 상기 웨이퍼 캐리어 로드 포트는, 웨이퍼를 내부에 보관하는 웨이퍼 캐리어를 상부에 지지하는 플레이트 및 상기 웨이퍼 캐리어를 고정하는 고정부를 포함하는 웨이퍼 캐리어 포트부; 및 상기 웨이퍼 캐리어의 캐리어 커버와 결합하여 상기 캐리어 커버를 분리하는 커버부;를 포함한다. 상기 커버부는, 상기 웨이퍼 캐리어 커버와 결합하여 상기 캐리어 커버를 분리하는 커버 플레이트, 및 상기 커버 플레이트에 배치되어 상기 웨이퍼 캐리어 내부의 웨이퍼를 감지하는 웨이퍼 감지 장치,를 포함한다. 상기 웨이퍼 감지장치는, 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 몸체, 상기 제1 면으로부터 돌출하고 상기 몸체의 상에 배치되고 일 단에 센서가 배치되는 제1 센서 홈을 포함하는 제1 센서부, 상기 제1 면으로부터 돌출하고 상기 몸체의 상에 상기 제1 센서부로부터 이격하여 배치되고 일 단에 센서가 배치되는 제2 센서 홈을 포함하는 제2 센서부, 상기 몸체의 일단에 배치되고 상기 커버 플레이트와 상기 몸체를 결합하는 제1 로드 포트 결착부, 및 상기 몸체의 타단에 배치되고 상기 커버 플레이트와 상기 몸체를 결합하는 제2 로드 포트 결착부를 포함하고, 상기 제1 센서부 및 제2 센서부 사이의 거리는 125 내지 145 mm 이다.It includes; a wafer carrier load port for supplying the wafer to the process unit. The wafer carrier load port includes: a wafer carrier port portion including a plate for supporting a wafer carrier for storing wafers therein and a fixing portion for fixing the wafer carrier; And a cover portion coupled to the carrier cover of the wafer carrier to separate the carrier cover. The cover part includes a cover plate that is coupled to the wafer carrier cover to separate the carrier cover, and a wafer sensing device disposed on the cover plate to sense a wafer inside the wafer carrier. The wafer sensing device includes a body including a first surface and a second surface opposite to the first surface, a first sensor groove protruding from the first surface and disposed on the body and having a sensor on one end A first sensor unit comprising a, a second sensor unit that includes a second sensor groove that protrudes from the first surface and is disposed spaced apart from the first sensor unit on the body and the sensor is disposed at one end. And a first load port binding part disposed at one end of the body and coupling the cover plate and the body, and a second load port binding part disposed at the other end of the body and coupling the cover plate and the body. The distance between the first sensor portion and the second sensor portion is 125 to 145 mm.
본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치는 제1 센서부 및 제2센서부의 이격된 거리가 짧아지므로 시간의 경과함에 따라 광량의 감소가 현저히 낮아질 수 있고, 맵핑 감지의 정확성 및 장치의 수명이 증대될 수 있다. In the wafer sensing apparatus according to an embodiment of the present invention, since the distance between the first sensor unit and the second sensor unit is shortened, a decrease in the amount of light may be significantly reduced over time, and the accuracy of mapping detection and the life of the device are increased. Can be.
본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치는 장치의 교환없이 200mm 웨이퍼 및 300mm 웨이퍼의 맵핑이 가능하고, 웨이퍼 감지 장치 관리의 편의성이 증대될 수 있다. The wafer sensing apparatus according to an embodiment of the present invention can map a 200 mm wafer and a 300 mm wafer without exchanging the apparatus, and the convenience of managing the wafer sensing apparatus may be increased.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치를 도시한 것이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(load port)를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치의 센서부가 200mm 웨이퍼를 스캔하는 것을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치의 센서부가 300mm 웨이퍼를 스캔하는 것을 도시한 것이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 공정 장치를 도시한 것이다.1 and 2 illustrate a wafer sensing device according to an embodiment of the present invention.
3 to 5 show a wafer carrier load port according to an embodiment of the present invention.
6 illustrates that the sensor unit of the wafer sensing apparatus according to the embodiment scans a 200 mm wafer.
7 illustrates that the sensor unit of the wafer sensing apparatus according to the embodiment scans a 300 mm wafer.
8 and 9 illustrate a semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치(100)를 도시한 것이다. 1 and 2 illustrate a wafer sensing
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치(100)는, 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 몸체(110); 상기 제1 면으로부터 돌출하고, 상기 몸체(110)의 상에 배치되고, 일 단에 센서가 배치되는 제1 센서 홈을 포함하는 제1 센서부(120); 상기 제1 면으로부터 돌출하고, 상기 몸체(110)의 상에 상기 제1 센서부(120)로부터 이격하여 배치되고, 일 단에 센서가 배치되는 제2 센서 홈을 포함하는 제2 센서부(130); 상기 몸체(110)의 일단에 배치된 제1 로드 포트 결착부(140); 및 상기 몸체(110)의 타단에 배치된 제2 로드 포트 결착부(150);를 포함하고, 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리는 125 내지 145 mm 이다. Referring to FIG. 1, a
상기 웨이퍼 감지 장치(100)는 반도체 공정 장치(2000)의 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)에 배치되어 웨이퍼 카세트 또는 풉(FOUP) 내의 웨이퍼의 유무 및 이상 상태를 감지할 수 있다. 일반적으로 웨이퍼 캐리어 또는 풉에는 다수의 웨이퍼가 일정한 간격으로 층을 이루어 배치된다. 반도체 제조 시 웨이퍼는 수백 가지 공정을 거치게 되고, 일부 웨이퍼는 파손되어 소실될 수 있으므로, 웨이퍼 카세트 또는 풉에 일부 웨이퍼가 없을 수 있다. 이 경우, 웨이퍼 유무를 파악함으로써 반도체 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.The
제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)는 웨이퍼를 감지하는 센서가 배치되는 곳이다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)는 일정 간격 이격되어 배치된다. 웨이퍼 캐리어 또는 풉 안에 배치된 웨이퍼가 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이에 배치됨으로써 상기 센서를 통해 웨이퍼의 유무를 파악할 수 있다. The
상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)는 각각 제1 센서 및 제2 센서가 배치되는 제1 센서 홈(121) 및 제2 센서 홈(131)을 포함할 수 있다. 상기 제1 센서 및 제2 센서는 각각 제1 센서 홈(121) 및 제2 센서 홈(131) 내에 배치됨으로써 고정되고 외부의 물리적 충격으로부터 안정적으로 웨이퍼 유무를 감지할 수 있다. 상기 제1 센서 및 제2 센서는 감지된 신호를 외부로 전달하고 외부로부터 전원을 공급받는 전선이 연결될 수 있다. 이 때, 몸체(110)에는 상기 전선을 안정적으로 고정하기 위한 전선 홈을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 센서로부터 연결된 전선이 배치되는 제1 전선 홈(123) 및 상기 제2 센서로부터 연결된 전선이 배치되는 제2 전선 홈(133)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전선 홈(123)은 상기 제1 센서 홈(121)으로부터 제1 로드 포트 결착부(140)로 연장되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 로드 포트 결착부(140)에는 상기 제1 센서로부터 연결된 전선을 외부의 전선과 연결하는 단자가 배치되는 제1 단자 홈(141)을 포함할 수 있으며, 상기 제1 전선 홈(123)은 상기 제1 단자 홈(141)과 연통되도록 배치될 수 있다. 상기 제2 전선 홈(133)은 상기 제2 센서 홈(131)으로부터 제2 로드 포트 결착부(150)로 연장되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 로드 포트 결착부(150)에는 상기 제2 센서로부터 연결된 전선을 외부의 전선과 연결하는 단자가 배치되는 제2 단자 홈(151)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전선 홈(133)은 상기 제2 단자 홈(151)과 연통되도록 배치될 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 전선 홈(121) 및 제2 전선 홈(131)은 L형상을 가짐으로써 전선을 위한 최적의 경로를 제공할 수 있으며, 웨이퍼 감지 장치(100)가 안정적이고 효율적으로 로드 포트에 결합할 수 있다. The
상기 제1 센서 홈(121) 및 제2 센서 홈(131)은 각 센서의 형상 및 크기에 대응하여 형성될 수 있고, 상기 제1 전선 홈(123) 및 제2 전선 홈(133)은 각 전선의 형상 및 크기에 대응하여 형성될 수 있고, 상기 제1 단자 홈(141) 및 제2 단자 홈(151)은 각 단자의 형상 및 크기에 대응하여 형성될 수 있다.The
상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)의 측면에는 각각 제1 센서 홈(121) 및 제2 센서 홈(131)까지 연통된 나사선 및 상기 나사선을 따라 회전하여 결합 가능한 나사를 더 포함할 수 있다. 상기 나사를 통해 상기 제1 센서 홈(121) 및 제2 센서 홈(131) 내부에 배치된 제1 센서 및 제2 센서를 안정적으로 고정할 수 있다. On the side surfaces of the
상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)는 상기 제1 센서 홈(121) 및 제2 센서 홈(131)으로부터 각각의 일 단으로 개방된 제1 송수광 홈(122) 및 제2 송수광 홈(132)을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 송수광 홈(122) 및 제2 송수광 홈(132)은 상기 제1 센서 홈(121) 및 제2 센서 홈(131)에 배치된 센서에서 송신하는 광원 및 웨이퍼에 반사되어 수신하는 광원이 이동하는 통로이다. 상기 제1 송수광 홈(122) 및 제2 송수광 홈(132)은 몸체(110)의 길이 방향, 즉 감지되는 웨이퍼의 면 방향에 평행하게 형성될 수 있다. 이를 통해 특정 위치에 웨이퍼가 존재하는 지 여부를 보다 정확하게 측정할 수 있고, 외부의 간섭을 방지할 수 있다. 상기 제1 송수광 홈(122) 및 제2 송수광 홈(132)은 각각 복수 개가 위 아래로 이격하여 배치할 수 있다.The
본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치(100)는 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리는 125 내지 145 mm 이다. 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)의 거리가 145mm를 초과할 때는 웨이퍼 감지 장치(100)의 오랜 사용에 따라 광량의 저하가 발생할 수 있고, 이에 따라 카세트에 위치한 웨이퍼를 감지하는 문제가 발생할 수 있다. 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)의 거리가 125mm 미만일 때는 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)의 거리가 너무 근접하여, 200mm 웨이퍼 또는 300mm 웨이퍼를 감지하기 어려울 수 있다. In the
도 6은 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치(100)의 센서부가 200mm 웨이퍼를 스캔하는 것을 도시한 것이고, 도 7은 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치(100)의 센서부가 300mm 웨이퍼를 스캔하는 것을 도시한 것이다. 도6 및 도7을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치(100)의 제1 센서부(120)는 상기 제1 면으로부터 돌출하고, 상기 제2 센서부(130)는 상기 제1 면으로부터 돌출하고, 상기 제1 센서부(120)로부터 이격하여 배치될 수 있다.6 illustrates that the sensor portion of the
본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치(100)는 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리를 125 내지 145 mm로 배치함으로써 200mm 웨이퍼 및 300mm 웨이퍼 모두를 안정적으로 감지할 수 있다. The
아래의 표 1은 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리를 변경하여 웨이퍼 감지여부에 대하여 테스트를 진행한 것이다. 실시 예는 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리를 125mm, 130mm 및 145m로 제작하였고, 비교 예는 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리를 120mm 및 150mm로 제작하였다. 상기 웨이퍼 감지 장치(100)를 각각 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)의 커버부(1200) 상부에 장착하고 지름이 200mm 및 300mm인 웨이퍼를 각각 100회씩 감지하여 감지 오류 횟수를 측정하였다. 센서는 파나소닉 사의 FX-100을 사용하였으며, 하기 표 1에서 입광량은 상기 센서에 표시된 표시값에 해당한다. Table 1 below is a test of whether the wafer is detected by changing the distance between the
division
(mm) Distance between sensor parts
(mm)
(회) 200mm wafer detection error count
(time)
(회)
300mm wafer detection error count
(time)
상기 표 1을 참조하면, 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리를 125mm, 130mm 및 145m로 제작함으로써, 200mm 및 300mm 사이즈의 웨이퍼에서 모두 안정적인 웨이퍼 감지가 가능함을 알 수 있다.Referring to Table 1, the distance between the
상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)의 폭은 15 내지 25 mm 일 수 있다. 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)의 폭이 15mm 미만이면 반사된 광원을 수신하는 신호가 약해져 웨이퍼 감지 에러가 발생할 수 있고, 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)의 폭이 25mm를 초과하면, 상기 센서부의 폭이 두꺼워져 200mm 웨이퍼를 감지하기 어려울 수 있다. The width of the
상기 제1 로드 포트 결착부(140)는 상기 몸체(110)의 일단으로부터 상기 제1 면에 수직한 방향으로 구부러진 형태로 배치될 수 있다. 웨이퍼 감지 장치(100)는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)의 웨이퍼 캐리어의 캐리어 커버와 결합하여 상기 캐리어 커버를 분리하는 커버부(1200)에 배치될 수 있다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 웨이퍼 감지 장치(100)는 상기 커버부(1200)의 상부에 배치됨으로써 커버부(1200)가 이동함에 따라 웨이퍼 캐리어 또는 풉 내부의 웨이퍼를 감지할 수 있다. 상기 제1 로드 포트 결착부(140) 및 제2 로드 포트 결착부(150)는 상기 커버부(1200)의 일 면의 형상에 대응하도록 형성됨으로써, 웨이퍼 감지 장치(100)가 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)에 안정적으로 고정되도록 할 수 있다. 상기 제1 로드 포트 결착부(140) 및 제2 로드 포트 결착부(150)는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)와 결합하기 위한 나사가 삽입되는 나사선을 더 포함할 수 있다.The first load
앞서 설명한 바와 같이, 상기 제1 센서부(120)에 배치된 센서로부터 연결된 단자가 배치되는 제1 단자 홈(141)을 포함하고, 상기 제2 로드 포트 결착부(150)는 상기 몸체(110)의 타탄으로부터 상기 제1 면에 수직한 방향으로 연장되어 배치되고, 상기 제2 센서부(130)에 배치된 센서로부터 연결된 단자가 배치되는 제2 단자 홈(151)을 포함할 수 있다.As described above, a first
몸체(110)는 일정한 폭을 가짐으로써 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)를 안정적으로 지지할 수 있다. 상기 몸체(110)의 폭이란, 몸체(110)의 제1 면 및 제2 면 사이의 길이를 의미한다. 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 몸체(110)의 폭은 나머지 몸체(110)부의 폭에 비하여 얇을 수 있다. 이를 통해 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)에 배치된 웨이퍼 슬립 아웃 센서(1500)(Wafer slip out sensor)에 몸체(110)부가 감지되어 잘못된 알람이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 도 5를 참조하면, 웨이퍼 캐리어 또는 풉으로부터 웨이퍼가 이동하는 통로인 웨이퍼 캐리어 열결구 의 상부 및 하부에 웨이퍼 슬립 아웃 센서(1500)(Wafer slip out sensor)가 배치될 수 있다. 상기 웨이퍼 슬립 아웃 센서(1500)는 웨이퍼 캐리어 또는 풉으로부터 웨이퍼가 바깥쪽으로 미끄러져 배치된 경우를 감지하여 알람을 울리도록 하는 기능을 한다. 커버 플레이트에 배치된 웨이퍼 감지 장치(100)는 상기 웨이퍼 슬립 아웃 센서(1500)가 배치된 상하 축을 따라 웨이퍼의 유무를 감지하기 때문에 웨이퍼 감지 장치(100)의 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 폭이 두꺼운 경우 상기 웨이퍼 슬립 아웃 센서(1500)에 의해 감지될 수 있다. 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치(100)는 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 몸체(110)부의 폭은 나머지 몸체(110)부의 폭에 비하여 얇게 형성함으로써 이러한 문제점을 방지할 수 있다. 바람직하게, 상기 제1 센서부 및 제2 센서부 사이의 몸체부의 폭은 7 내지 12 mm, 바람직하게는 10mm이고, 상기 제1 센서부 및 제2 센서부 바깥쪽의 몸체부의 폭은 10 내지 17 mm, 바람직하게는 14.5 mm일 수 있다. 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 몸체(110)부의 폭은 나머지 몸체(110)부의 폭에 비하여 1 내지 5 mm 얇을 수 있다. The
본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 감지 장치(100)는 금속, 세라믹 및 수지 등으로 제작될 수 있으며, 알루미늄을 절삭 가공한 후 아노다이징 처리를 함으로써 제작될 수 있다. 웨이퍼 감지 장치(100)의 재료 및 제작 방법은 특별히 한정하지 않는다.The
상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)에 배치되는 제1 센서 및 제2 센서는 일 단에 광원을 송신하는 송신부 및 반사된 광원을 수신하는 수신부를 포함할 수 있다. 상기 제1 센서 및 제2 센서는 비접촉으로 웨이퍼의 유무 또는 웨이퍼의 이상 상태를 검출하는 광학식의 센서일 수 있다. 상기 제1 센서 및 제2 센서는 직접 송수신 모드 또는 반사 모드에 의해 웨이퍼의 유무 또는 웨이퍼의 이상상태를 감지할 수 있다. The first sensor and the second sensor disposed on the
상기 직접 송수신 모드는 상기 제1 센서 및 제2 센서의 송수신부의 동일선상에 웨이퍼의 적어도 일부를 위치시키고, 웨이퍼를 감지하는 모드이다. 상기 직접 송수신 모드는 상기 제1 센서의 송신부에서 제2 센서의 수신부로 광원을 송출하고, 상기 제1 센서의 송신부 및 제2 센서의 수신부의 일직선상에 웨이퍼의 유무에 따른 광원 검출신호의 차이로 웨이퍼의 유무를 체크할 수 있다. 또는, 상기 제2 센서의 송신부에서 제1 센서의 수신부로 광원을 송출하고, 상기 제2 센서의 송신부 및 제1 센서의 수신부의 일직선상에 웨이퍼의 유무에 따른 광원 검출신호의 차이로 웨이퍼의 유무를 체크할 수 있다.The direct transmission/reception mode is a mode in which at least a portion of the wafer is positioned on the same line of the transmission/reception portions of the first sensor and the second sensor, and the wafer is sensed. In the direct transmission/reception mode, a light source is transmitted from the transmitter of the first sensor to the receiver of the second sensor, and the difference between the light source detection signals according to the presence or absence of a wafer is in a straight line with the transmitter of the first sensor and the receiver of the second sensor. The presence or absence of a wafer can be checked. Alternatively, a light source is transmitted from the transmitter of the second sensor to the receiver of the first sensor, and the presence or absence of the wafer is caused by the difference in the light source detection signal according to the presence or absence of the wafer on the straight line of the transmitter of the second sensor and the receiver of the first sensor. You can check
상기 반사 모드는 상기 제1 센서 또는 제2 센서의 송신부에서 광원을 상기 웨이퍼의 측면 모서리 또는 상기 웨이퍼 카세트 또는 풉의 후방에 위치한 반사부(reflective member)에서 반사된 광원을 제1 센서 또는 제2 센서의 수신부에서 변화된 광원을 검출하는 방법이다. 상기 반사 모드는 상기 제1 센서 또는 제2 센서의 송신부에서 광원을 상기 웨이퍼의 측면 모서리에서 반사된 광원을 검출하는 경우, 상기 제1 센서에서 송출된 광원은 제1 센서의 수신부 또는 제2 센서의 수신부에서 웨이퍼 측면 모서리에서 반사된 광원을 검출할 수 있다. 또는 상기 상기 제2 센서에서 송출된 광원은 제1 센서의 수신부 또는 제2 센서의 수신부에서 웨이퍼 측면 모서리에서 반사된 광원을 검출할 수 있다. 상기 반사 모드는 상기 제1 센서 또는 제2 센서의 송신부에서 상기 카세트 또는 풉의 후방에 위치한 반사부(reflective member)에서 반사된 광원을 검출하는 경우, 이를 위해 웨이퍼를 수납하고 있는 카세트 또는 풉의 후방에는 반사부를 포함할 수 있고, 웨이퍼가 없을 때는 제1 센서 또는 제2 센서의 송신부에서 송출된 광원의 신호 변화가 거의 없는 상태로 반사되어 제1 센서 또는 제2 센서의 수신부에서 신호가 검출될 수 있다. In the reflection mode, a light source reflected by a light source reflected from a side edge of the wafer or a reflective member located at the rear of the wafer cassette or the pull is transmitted from the transmitter of the first sensor or the second sensor to the first sensor or the second sensor. It is a method of detecting the changed light source in the receiver. In the reflection mode, when the light source reflected from the side edge of the wafer is detected by the light source from the transmission unit of the first sensor or the second sensor, the light source transmitted from the first sensor is the receiving unit of the first sensor or the second sensor. The light source reflected from the wafer side edge may be detected by the receiver. Alternatively, the light source transmitted from the second sensor may detect the light source reflected from the edge of the wafer side at the receiver of the first sensor or the receiver of the second sensor. In the reflection mode, when the light source reflected from the reflective member located behind the cassette or the pull is detected by the transmitting unit of the first sensor or the second sensor, the rear of the cassette or pull storing the wafer for this purpose is detected. The sensor may include a reflector, and when there is no wafer, the signal may be detected at the receiver of the first sensor or the second sensor by being reflected in a state where there is little signal change of the light source transmitted from the transmitter of the first sensor or the second sensor. have.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)를 도시한 것이다. 3 to 5 show a wafer
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)는, 웨이퍼를 내부에 보관하는 웨이퍼 캐리어를 상부에 지지하는 플레이트 및 상기 웨이퍼 캐리어를 고정하는 고정부를 포함하는 웨이퍼 캐리어 포트부(1100); 및 상기 웨이퍼 캐리어의 캐리어 커버와 결합하여 상기 캐리어 커버를 분리하는 커버부(1200);를 포함한다. 상기 커버부(1200)는, 상기 웨이퍼 캐리어 커버와 결합하여 상기 캐리어 커버를 분리하는 커버 플레이트, 및 상기 커버 플레이트에 배치되어 상기 웨이퍼 캐리어 내부의 웨이퍼를 감지하는 웨이퍼 감지 장치(100),를 포함한다. 상기 웨이퍼 감지장치는, 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 몸체(110), 상기 제1 면으로부터 돌출하고 상기 몸체(110)의 상에 배치되고 일 단에 센서가 배치되는 제1 센서 홈을 포함하는 제1 센서부(120), 상기 제1 면으로부터 돌출하고 상기 몸체(110)의 상에 상기 제1 센서부(120)로부터 이격하여 배치되고 일 단에 센서가 배치되는 제2 센서 홈을 포함하는 제2 센서부(130), 상기 몸체(110)의 일단에 배치되고 상기 커버 플레이트와 상기 몸체(110)를 결합하는 제1 로드 포트 결착부(140), 및 상기 몸체(110)의 타단에 배치되고 상기 커버 플레이트와 상기 몸체(110)를 결합하는 제2 로드 포트 결착부(150)를 포함하고, 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리는 125 내지 145 mm 이다.3 to 5, the wafer
상기 웨이퍼 감지 장치(100)는 앞서 설명한 것일 수 있다. The
웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)는 반도체 공정 장치(2000)에 일체로 배치될 수 있으며, 별도로 배치되어, 웨이퍼 캐리어 또는 풉의 웨이퍼를 상기 반도체 공정 장치(2000)의 공정부(2100)로 이동하는 역할을 수행한다. The wafer
웨이퍼 캐리어 포트부(1100)는 웨이퍼를 내부에 보관하는 웨이퍼 캐리어를 상부에 지지하는 플레이트 및 상기 플레이트 상부에 배치되고 웨이퍼 캐리어를 안정적으로 공정하는 부재인 고정부를 포함할 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼 캐리어의 유무 또는 정위치 여부를 감지하는 센서를 포함할 수 있다. The wafer
상기 커버부(1200)는 웨이퍼 캐리어의 캐리어 커버를 분리하고, 분리된 상기 캐리어 커버를 다시 결합하는 역할을 한다. 상기 커버부(1200)는 상기 캐리어 커버의 일면에 배치된 홈에 결합하여 상기 캐리어 커버를 상기 웨이퍼 캐리어로부터 탈착할 수 있는 걸쇠를 포함할 수 있다. The
웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)는 웨이퍼 캐리어 내부의 웨이퍼가 이동하는 통로인 웨이퍼 캐리어 연결구를 포함하며, 상기 커버부(1200)는 상기 웨이퍼 캐리어 연결구를 개폐할 수 있다. 웨이퍼 캐리어가 웨이퍼 캐리어 포트부(1100) 상부에 배치되면 상기 커버부(1200)가 웨이퍼 캐리어의 캐리어 커버에 결합하여 상기 캐리어 커버를 분리하고, 상기 캐리어 커버와 함께 상기 웨이퍼 캐리어 연결구의 아래로 이동함으로써 상기 웨이퍼 캐리어 연결구를 개방할 수 있다. 상기 커버부(1200)가 아래로 이동하는 동안 상기 커버부(1200)에 배치된 웨이퍼 감지 장치(100)가 상기 웨이퍼 캐리어 내부의 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 웨이퍼 캐리어 내부의 웨이퍼 유무를 감지할 수 있다. 반도체 공정 장치(2000)의 반도체 제조 공정이 완료되고 웨이퍼가 웨이퍼 캐리어 내부로 복귀한 경우, 상기 커버부(1200)가 위로 이동하여 상기 캐리어 커버를 웨이퍼 캐리어에 결합시킬 수 있다. 상기 커버부(1200)가 위로 이동하는 동안 상기 커버부(1200)에 배치된 웨이퍼 감지 장치(100)가 상기 웨이퍼 캐리어 내부의 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 웨이퍼 캐리어 내부의 웨이퍼 유무를 감지할 수 있다. 상기 웨이퍼의 유무 또는 이상 상태의 감지 정보는 반도체 공정 장치(2000)로 전달되어, 정상 상태면 후속 작업을 진행할 수 있고, 이상 상태라면 장치의 후속 작업이 진행되지 않고 알람이 울릴 수 있다. The wafer
웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)는 상기 커버부(1200)를 상하로 이동하는 제1 구동부(1300)를 더 포함할 수 있다. 상기 이동부는 유압 또는 공압식 액츄에이터 또는, 리니어 모터를 포함할 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. The wafer
또한, 상기 커버부(1200) 및 웨이퍼 감지 장치(100)를 구동시키는 제2구동부를 더 포함할 수 있다. 상기 제1구동부는 상기 커버부(1200) 및 웨이퍼 감지 장치(100)의 제1방향, 즉 상하 방향의 위치 및 이동을 제어할 수 있고, 상기 제2구동부는 상기 커버부(1200) 및 웨이퍼 감지 장치(100)의 제2방향, 즉 수평 방향의 위치 및 이동을 제어할 수 있다. In addition, a second driving unit driving the
상기 제1구동부 및 제2구동부는 서로 연동하여 제1방향의 위치 및 이동 또는 제2방향의 위치 및 이동을 제어할 수 있다. The first driving part and the second driving part may control the position and movement of the first direction or the position and movement of the second direction in cooperation with each other.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)는 미작동시에 웨이퍼 이동 웨이퍼 캐리어 연결구에 밀착한 상태로 반도체 제조 팹(fab)의 대기가 장치 내부로 유입되지 않도록 하여 반도체 공정 장치(2000)의 밀폐 상태를 유지할 수 있다. As described above, the wafer
웨이퍼 카세트 또는 풉이 반도체 공정의 진행을 위해 로드 포트의 웨이퍼 캐리어 포트부(1100)에 배치되면, 상기 커버부(1200) 및 웨이퍼 감지 장치(100)는 상기 반도체 공정 장치(2000)로부터 제2방향, 즉 수평방향으로 적어도 일부 이격하도록 구동할 수 있다. 다음으로, 상기 커버부(1200) 및 웨이퍼 감지 장치(100)는 제1방향으로, 즉 지면에 수직한 방향으로 구동할 수 있다. When the wafer cassette or the unpacking is disposed in the wafer
도 5는 본 발명의 다른 실시예를 따르는 웨이퍼 로딩 감지 장치의 상부 센서부 및 하부 센서부를 포함하는 캐리어 연결구를 도시한 것이다.5 illustrates a carrier connector including an upper sensor portion and a lower sensor portion of a wafer loading sensing device according to another embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 상기 웨이퍼 캐리어 연결구의 상부 및 하부의 동일 선상에 배치된 웨이퍼 슬립 아웃 센서(1500)는 웨이퍼 캐리어 또는 풉 내부에 위치한 웨이퍼가 상기 웨이퍼 캐리어 또는 풉으로 부터 지정된 위치로부터 벗어났는지를 감지할 수 있다. Referring to FIG. 5, the wafer slip-
상기 웨이퍼 캐리어 또는 풉의 내부에 위치한 웨이퍼가 지정된 위치로부터 벗어날 경우 상기 웨이퍼를 이동하는 로봇(2210)과의 원치 않는 충돌이 발생할 수 있다. 또는, 상기 웨이퍼가 웨이퍼 캐리어 또는 풉으로부터 돌출된 상태로 커버부(1200)가 열린 상태에서 닫힌 상태로 전환되는 과정에서 웨이퍼의 파손이 발생할 수 있다. 본 발명의 실시 예를 따르는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)에 포함된 웨이퍼 감지 장치(100)는 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 몸체(110)부의 폭은 나머지 몸체(110)부의 폭에 비하여 얇게 형성함으로써 이러한 문제점을 방지할 수 있다.When the wafer located inside the wafer carrier or the pull deviates from the designated position, an unwanted collision with the
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 공정 장치(2000)를 도시한 것이다.8 and 9 illustrate a
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 공정 장치(2000)는, 웨이퍼에 대한 공정을 진행하는 공정부(2100); 및 상기 웨이퍼를 상기 공정부(2100)에 공급하는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000);를 포함한다. 상기 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)는, 웨이퍼를 내부에 보관하는 웨이퍼 캐리어를 상부에 지지하는 플레이트 및 상기 웨이퍼 캐리어를 고정하는 고정부를 포함하는 웨이퍼 캐리어 포트부(1100); 및 상기 웨이퍼 캐리어의 캐리어 커버와 결합하여 상기 캐리어 커버를 분리하는 커버부(1200);를 포함한다. 상기 커버부(1200)는, 상기 웨이퍼 캐리어 커버와 결합하여 상기 캐리어 커버를 분리하는 커버 플레이트, 및 상기 커버 플레이트에 배치되어 상기 웨이퍼 캐리어 내부의 웨이퍼를 감지하는 웨이퍼 감지 장치(100),를 포함한다. 상기 웨이퍼 감지장치는, 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 몸체(110), 상기 제1 면으로부터 돌출하고 상기 몸체(110)의 상에 배치되고 일 단에 센서가 배치되는 제1 센서 홈을 포함하는 제1 센서부(120), 상기 제1 면으로부터 돌출하고 상기 몸체(110)의 상에 상기 제1 센서부(120)로부터 이격하여 배치되고 일 단에 센서가 배치되는 제2 센서 홈을 포함하는 제2 센서부(130), 상기 몸체(110)의 일단에 배치되고 상기 커버 플레이트와 상기 몸체(110)를 결합하는 제1 로드 포트 결착부(140), 및 상기 몸체(110)의 타단에 배치되고 상기 커버 플레이트와 상기 몸체(110)를 결합하는 제2 로드 포트 결착부(150)를 포함하고, 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리는 125 내지 145 mm 이다.8 and 9, a
상기 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000) 및 웨이퍼 감지 장치(100)는 앞서 설명한 것과 동일한 것일 수 있다. The wafer
상기 반도체 공정 장치(2000)는 웨이퍼를 이용하여 반도체를 제조하는 장치로서, CVD 장치, PVD 장치, 식각 장치, CMP 장치 등일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다. 상기 공정부(2100)에서 상기 CVD 공정, PVD 공정, 식각 공정 및 CMP 공정 등이 수행된다. The
상기 반도체 공정 장치(2000)는 상기 공정부(2100) 및 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000) 상이에 배치되어 상기 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)로부터 웨이퍼를 상기 공정부(2100)로 이동하는 이송부(2200)(EFEM)을 더 포함할 수 있다. 상기 이송부(2200)에는 로봇(2210)이 배치되어 상기 웨이퍼를 이송할 수 있다. The
일반적으로 반도체 공정은 외부와 밀폐된 환경에서 진행하기 때문에 웨이퍼 캐리어 또는 풉 내부의 웨이퍼를 공정부(2100) 내부로 이동하는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000)를 포함한다. In general, the semiconductor process includes a wafer
10: 200mm 웨이퍼
20: 300mm 웨이퍼
100: 웨이퍼 감지 장치
110: 몸체
120: 제1 센서부
121: 제1 센서 홈
122: 제1 송수광 홈
123: 제1 전선 홈
130: 제2 센서부
131: 제2 센서 홈
132: 제2 송수광 홈
133: 제2 전선 홈
140: 제1 로드 포트 결착부
141: 제1 단자 홈
150: 제2 로드 포트 결착부
151: 제2 단자 홈
1000: 웨이퍼 캐리어 로드 포트
1100: 웨이퍼 캐리어 포트부
1200: 커버부
1300: 제1 구동부
1400: 제2 구동부
1500: 웨이퍼 슬립 아웃 센서
2000: 반도체 공정 장치
2100: 공정부
2200: 이송부
2210: 로봇10: 200mm wafer
20: 300mm wafer
100: wafer sensing device
110: body
120: first sensor unit
121: first sensor groove
122: 1st Soo-gwang Home
123: first front groove
130: second sensor unit
131: second sensor groove
132: the second transmission and reception home
133: second front groove
140: first load port connection
141: first terminal groove
150: second load port connection
151: second terminal groove
1000: wafer carrier load port
1100: wafer carrier port
1200: cover
1300: first driving unit
1400: second drive unit
1500: wafer slip-out sensor
2000: semiconductor processing equipment
2100: process unit
2200: transfer unit
2210: robot
Claims (5)
상기 제1 면으로부터 돌출하고, 상기 몸체(110)의 상에 배치되고, 일 단에 광원을 송신하는 송신부 및 반사된 광원을 수신하는 수신부가 배치되는 제1 센서 홈(121)을 포함하는 제1 센서부(120);
상기 제1 면으로부터 돌출하고, 상기 몸체(110)의 상에 상기 제1 센서부(120)로부터 일정 간격 이격하여 배치되고, 일 단에 광원을 송신하는 송신부 및 반사된 광원을 수신하는 수신부가 배치되는 제2 센서 홈(131)을 포함하는 제2 센서부(130);
상기 몸체(110)의 일단에 배치되고, 상기 제1 전선 홈(123)이 상기 제1 센서 홈(121)으로부터 연장되어 배치되며, 상기 제1 센서로부터 연결된 전선을 외부의 전선과 연결하는 단자가 배치되는 제1 단자 홈(141)을 포함하되, 상기 제1 전선 홈(123)은 상기 제1 단자 홈(141)과 연통되도록 배치되는 제1 로드 포트 결착부(140); 및
상기 몸체(110)의 타단에 배치되며, 상기 제2 전선 홈(133)이 상기 제2 센서 홈(131)으로부터 연장되어 배치되며, 상기 제2 센서로부터 연결된 전선을 외부의 전선과 연결하는 단자가 배치되는 제2 단자 홈(151)을 포함하되, 상기 제2 전선 홈(133)은 상기 제2 단자 홈(151)과 연통되도록 배치되는 제2 로드 포트 결착부(150);를 포함하고,
상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 상기 몸체부(110)의 폭은, 나머지 몸체부(110)의 폭에 비하여 얇되, 상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 상기 몸체(110)부의 폭은 나머지 몸체(110)부의 폭에 비하여 1 내지 5 mm 얇고,
상기 제1 센서 홈(121)에 배치된 제1 센서에서 송신하는 광원 및 웨이퍼에 반사되어 수신하는 광원이 이동하는 통로인 제1 송수광 홈(122);과, 상기 제2 센서 홈(131)에 배치된 제2 센서에서 송신하는 광원 및 웨이퍼에 반사되어 수신하는 광원이 이동하는 통로인 제2 송수광 홈(132);를 포함하며,
상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130) 사이의 거리는 125 내지 145 mm 이며,
상기 제1 센서부(120) 및 제2 센서부(130)의 폭은 15 내지 25 mm 이고,
상기 제1 센서 및 제2 센서는 직접 송수신 모드 또는 반사 모드에 의해 웨이퍼의 유무 또는 웨이퍼의 이상 상태를 감지하되,
상기 직접 송수신 모드는 상기 제1 센서의 송신부에서 제2 센서의 수신부로 광원을 송출하고, 상기 제1 센서의 송신부 및 제2 센서의 수신부의 일직선상에 웨이퍼의 유무에 따른 광원 검출신호의 차이로 웨이퍼의 유무를 체크하고,
상기 반사 모드는 상기 제1 센서 또는 제2 센서의 송신부에서 광원을 상기 웨이퍼의 측면 모서리에서 반사된 광원을 검출하는 경우, 상기 제1 센서에서 송출된 광원은 제1 센서의 수신부 또는 제2 센서의 수신부에서 웨이퍼 측면 모서리에서 반사된 광원을 검출하는 것을 특징으로 하는,
200 mm 및 300 mm 지름의 웨이퍼를 대상으로 하는 웨이퍼 감지 장치(100).
A first wire groove 123 including a first surface and a second surface facing the first surface, and on which wires connected from the first sensor are disposed; and second wire grooves on which the wires connected from the second sensor are disposed. (133); Body 110 including;
A first sensor groove 121 that protrudes from the first surface, is disposed on the body 110, and has a transmitter for transmitting a light source and a receiver for receiving a reflected light source at one end. Sensor unit 120;
Protruding from the first surface, and is spaced apart from the first sensor unit 120 by a predetermined interval on the body 110, a transmitter for transmitting a light source at one end and a receiver for receiving the reflected light source are arranged A second sensor unit 130 including a second sensor groove 131;
Is disposed on one end of the body 110, the first wire groove 123 is disposed extending from the first sensor groove 121, a terminal connecting the wire connected from the first sensor with an external wire It includes a first terminal groove 141 is disposed, the first wire groove 123 is a first load port binding portion 140 disposed to communicate with the first terminal groove 141; And
Is disposed on the other end of the body 110, the second wire groove 133 is disposed extending from the second sensor groove 131, the terminal connecting the wire connected from the second sensor with an external wire It includes a second terminal groove 151 is disposed, the second wire groove 133 is a second load port binding portion 150 disposed to communicate with the second terminal groove 151; includes,
The width of the body portion 110 between the first sensor portion 120 and the second sensor portion 130 is thinner than the width of the rest of the body portion 110, the first sensor portion 120 and the first 2 The width of the body 110 between the sensor parts 130 is 1 to 5 mm thinner than the width of the rest of the body 110,
The first light-receiving groove 122 is a passage through which the light source transmitted from the first sensor disposed in the first sensor groove 121 and the light source reflected and received by the wafer move, and the second sensor groove 131 It includes; a second light receiving groove 132, which is a passage through which the light source transmitted from the second sensor disposed in the light source and the light source reflected by the wafer is moved, and includes,
The distance between the first sensor unit 120 and the second sensor unit 130 is 125 to 145 mm,
The width of the first sensor unit 120 and the second sensor unit 130 is 15 to 25 mm,
The first sensor and the second sensor detect the presence or absence of a wafer or an abnormal state of the wafer by a direct transmission/reception mode or a reflection mode,
In the direct transmission/reception mode, a light source is transmitted from the transmitter of the first sensor to the receiver of the second sensor, and the difference between the light source detection signals according to the presence or absence of a wafer is in a straight line with the transmitter of the first sensor and the receiver of the second sensor. Check the presence or absence of the wafer,
In the reflection mode, when the light source reflected from the side edge of the wafer is detected by the light source from the transmission unit of the first sensor or the second sensor, the light source transmitted from the first sensor is the receiving unit of the first sensor or the second sensor. Characterized in that the receiver detects the light source reflected from the edge of the wafer side,
Wafer sensing device 100 for 200 mm and 300 mm diameter wafers.
상기 웨이퍼 캐리어의 캐리어 커버와 결합하는 커버부(1200);를 포함하고,
상기 커버부(1200)는,
상기 웨이퍼 캐리어의 캐리어 커버와 결합하여 상기 캐리어 커버를 분리하는 커버 플레이트, 및
상기 커버 플레이트에 배치되어 상기 웨이퍼 캐리어 내부의 웨이퍼를 감지하며, 제 1항에 따른 웨이퍼 감지 장치(100)를 포함하는 웨이퍼 캐리어 로드 포트(1000).
A wafer carrier port part 1100 including a plate supporting a wafer carrier therein for storing 200 mm and 300 mm diameter wafers therein and a fixing part for fixing the wafer carrier; And
It includes; a cover portion 1200 for engaging with the carrier cover of the wafer carrier,
The cover portion 1200,
A cover plate that is combined with the carrier cover of the wafer carrier to separate the carrier cover, and
A wafer carrier load port 1000 disposed on the cover plate to sense a wafer inside the wafer carrier, and including the wafer sensing device 100 according to claim 1.
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