KR102127059B1 - 작업 표면 세정 시스템 및 방법 - Google Patents

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앨런 이. 험프리
제리 제이. 브로즈
제임스 에이치. 듀발
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인터내셔널 테스트 솔루션즈, 인코포레이티드
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Abstract

세정용 필름이 반도체 공정에 사용되는 세정용 웨이퍼의 작업 표면으로부터 이물질 및 미립자를 제거하도록 설계된다. 이들 공정은 웨이퍼 취급 장비 및 웨이퍼 척을 세정하는 동안에 탐침 카드 핀 및 FEOL 툴을 세정하기 위한 웨이퍼 유형 테스트를 포함한다. 세정용 웨이퍼 작업 표면에 수집된 파편은 미립자 제거 필름에 의해 제거되어서 파편과 이물질이 폐기될 수 있게 한다. 세정용 필름의 사용은 작업자가 외부 제조업체의 사용 없이 세정용 웨이퍼를 재생할 수 있게 하며 세정 공정에서 습식 세척 및 용제의 사용을 제거한다.

Description

작업 표면 세정 시스템 및 방법 {WORKING SURFACE CLEANING SYSTEM AND METHOD}
본 출원은 발명의 명칭이 "작업 표면 세정 시스템 및 방법(Working Surface Cleaning System And Method)"인 2013년 6월 7일자 출원된 미국 특허출원 번호 13/912,840호의 일부 연속 출원이고 이를 35 USC 120 하에서 우선권으로 주장하며, 이는 차례로 발명의 명칭이 "세정 방법(Cleaning Method)"인 2005년 9월 27일자 출원된 미국 특허 출원 번호 11/237,596호의 연속 출원이고 이를 35 USC 120 하에서 우선권으로 주장하며, 이는 차례로 2004년 9월 28일자 출원된 미국 가 출원 번호 60/614,073호를 USC 119(e) 하에서 그 이득을 주장하며, 이들 모두는 참조로 본 출원에 포함된다.
본 개시는 일반적으로, 반도체 제조 및 테스팅 중에 사용되는 세정 장치의 작업 표면으로부터 미립자 및 다른 이물질을 제거하기 위한 재료, 장치, 및 방법에 관한 것이다.
(로봇 암 및 엔드 이펙터(end effector)와 같은) 웨이퍼 취급 장비 및 (웨이퍼 척, 웨이퍼 테이블 및/또는 예비-정렬 척과 같은) 웨이퍼 스테이지로부터 파편(debris)을 제거하기 위해 사용되는 탐침 카드(probe card) 세정용 웨이퍼 및 반도체 하드웨어 세정용 웨이퍼에 사용되는 장치의 작업 표면을 세정할 수 있는 것이 바람직하다. 탐침 카드 세정용 웨이퍼 및 반도체 하드웨어 세정용 웨이퍼 상에 수집된 이물질 및 미립자는 탐침 카드 또는 웨이퍼 취급 하드웨어로부터 수집되고 제거된 표면 파편이 수집되어 폐기될 수 있게 하는 미립자 제거 장치에 의해 제거된다.
외부 제조업체의 이용 없이 또는 세정 공정의 일부로서 습식 세척 단계의 이용 없이 미립자 제거 장치의 이용으로 작업 표면을 재생시킬 수 있는 세정 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
따라서, 이와 같은 세정 방법 및 시스템을 제공하는 것이 바람직하며, 이것이 본 개시가 지향하는 목적이다.
도 1은 보호 라이너 및 필름 배면(backing)을 갖는 세정용 필름 폴리머의 사시도이다.
도 2는 탐침 세정용 웨이퍼 또는 척 세정용 웨이퍼에 사용되는 것과 같은 세정용 필름을 위한 처리 단계를 보여주는 흐름도이다.
도 3a 내지 도 3d는 세정용 필름의 도포 및 제거에 대한 사진 묘사도이다.
본 개시는 반도체 장치 테스팅 중에 탐침 카드를 세정하기 위해 사용되는 세정 장치의 작업 표면으로부터 이물질과 미립자를 비-파괴적으로 그리고 비-침습적으로 제거하도록 설계되는 장치, 재료, 및 방법에 관한 것이다. 세정 장치 및 방법은 또한, 반도체 장치 제조 중에 전단 공정(front end of line; FEOL) 장비의 웨이퍼 취급 하드웨어 및 웨이퍼 스테이지를 세정하기 위해 사용되는 세정용 장치 및 세정용 웨이퍼의 작업 표면으로부터 이물질과 미립자를 제거하는데 사용될 수 있다.
종래 기술에 설명된 바와 같은 탐침 카드 세정용 재료는 파편 제거를 위한 연마 특성 및 축출된 파편을 수집하기 위한 표면 점착 특성을 제공하기 위해서 미충전 및 미립자 충전 탄성 중합체로 구성될 수 있다.
파편은 탐침 카드 세정용 재료와의 접촉을 통해서 웨이퍼 테스트 탐침 핀으로부터 제거된다. 탐침 카드 세정용 재료의 반복된 사용 이후에, 축출된 파편은 세정용 장치의 작업 표면에 쌓이게 되어서 세정될 탐침과의 접촉을 감소시키고 따라서 재료의 효과를 약화시킨다. 쌓인 파편을 제거하기 위한 종래의 방법은 이소프로필 알코올과 같은 용제에 의해서 세정용 재료의 작업 표면으로부터 이물질과 미립자를 제거하기 위한 습식 세척 공정으로 구성되었다.
미립자 제거 장치 및 방법은 스테퍼(stepper), 포토리소그래피(photolithography), PVD, CVD 및 에칭 툴(Etch tool)과 같은 다른 전단 공정(FEOL) 프로세스에 사용되는 세정용 웨이퍼의 세정 및 세정용 웨이퍼로부터의 파편 수집까지 확대 적용된다. 전단 공정(FEOL) 반도체 장치 제조 툴의 웨이퍼 취급 하드웨어 및 웨이퍼 척으로부터 이물질과 미립자를 제거하는데 사용되는 세정용 장치 및 세정용 웨이퍼의 경우에, 세정 공정 중에 파편들이 세정용 장치 또는 세정용 웨이퍼의 작업 표면에 쌓이게 될 것이다. 일단 미립자와 오염물이 쌓이고 세정용 웨이퍼에 의해서 FEOL 반도체 제조 툴로부터 제거되면, 수집된 파편의 툴로의 재유입 위험성으로 인해 표면 세정 없이 FEOL 툴을 통해 재활용되어서는 안 된다. 예를 들어, FEOL 세정용 웨이퍼는 리소그래피 툴의 초점 불량(de-focus spot)의 원인인 미립자를 제거하는데 사용되며 미립자가 툴로부터 제거되면 미립자에 의한 초점 불량 재발생의 기회가 줄어든다. 미립자는 세정용 웨이퍼에서 툴로 재유입되어서는 안 된다. 미립자 제거 장치는 FEOL 세정용 웨이퍼 표면으로부터 파편을 들어올리는 데 사용되며, 사용 이후에 미립자 제거된 장치는 그 후에 폐기된다. 탐침 세정용 웨이퍼와 유사하게, 쌓인 파편을 제거하기 위한 종래의 방법은 이소프로필 알코올에 의해서 세정용 재료 표면을 습식으로 세척하는 단계로 구성되었다.
본 개시는 세정용 재료 표면에 수집된 파편을 효과적으로 제거하기 위한 비-파괴 무용제 방법에 관한 것이다. 본 개시의 장치 및 방법은 탐침 카드 핀 및 웨이퍼 척의 적절한 세정에 요구되는 표면 점성 및 연마 특성을 유지하면서 세정용 재료 표면의 수명을 효과적으로 연장시킨다.
이제, 도 1의 장치를 더 상세히 참조하면, 하나 이상의 중간층(30)으로 구성되는 플라스틱 필름 배면에 부착되고 릴리즈 표면 코팅된 라이너 필름(20)과의 접촉에 의해 보호되는 세정용 폴리머 또는 미립자 제거 필름(10)이 도시된다. 도 1에서, 플라스틱 필름 배면(20)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 제조 중 세정용 폴리머의 도포를 허용하고 또한 세정용 재료 표면에의 도포 및 그로부터의 제거 중에 휨 또는 굽힘을 허용하는 다른 재료의 하나 이상의 중간층으로 형성된다. 제거 가능한 보호층(20)은 테스트와 무관한 오염물로부터 표면 세정용 패드 층을 격리시키기 위해서 접촉 소자 세정을 위한 의도된 사용에 앞서 설치된다. 제거 가능한 보호층(20)은 세정 장치가 청정실에서 테스터 인터페이스(tester interface)를 세정하기 위해 사용될 준비가 될 때까지 파편/오염물로부터 세정용 패드 층(10)의 작업 표면을 보호한다. 세정 장치가 청정실에서 테스터 인터페이스를 세정하기 위해 사용될 준비가 되면, 제거 가능한 보호층(20)은 세정용 패드 층(10)의 작업 표면을 노출시키도록 제거될 수 있다. 보호층은 공지된 비-반응성 중합체 필름 재료로 형성되며 바람직하게는 폴리에스터(PET) 필름으로 형성될 수 있다. 보호층은 테스팅 장비에 의한 세정 장치의 광학적 검출을 개선하고/하거나 세정 효율을 개선하기 위해서 무광택 처리(matte finish) 또는 다른 "텍스쳐 피쳐(textured feature)"를 가질 수 있다.
미리 결정된 특성을 갖는 추가의 중간 재료 층이 세정용 폴리머 층, 또는 미립자 제거 층을 지지하기 위한 플라스틱 필름 배면용으로 사용될 수 있다. 세정용 폴리머 층(10)은 아크릴 폴리머와 같은 탄성 폴리머, 부타디엔 탄성중합체, 스티렌 코폴리머 탄성중합체, 실리콘 탄성 중합체 또는 접착 특성을 갖고, 제어된 표면 점성 또는 표면 점착성을 갖는 다른 폴리머로 구성되며, 재료를 변질시키지 않는다. 탄성의 접착성 폴리머가 연속적이고 가요성을 갖는 평탄한 필름을 생성하기 위해서 플라스틱 배면의 표면에 형성된다. 폴리머 재료는 바람직하게는 아크릴 탄성중합체이나, 8.0 내지 50.0 psi의 표면 점착 특성을 갖도록 형성될 수 있는 실리콘, 고무 기반(based) 또는 임의의 다른 탄성 폴리머일 수 있다. 탄성 폴리머 재료는 표면 점성 또는 표면 점착성의 감소 없이 반복된 취급 하에서 내구성을 갖도록 처리된다. 재료는 미립자 제거 필름으로부터 세정용 재료 표면으로의 전이가 발생하지 않도록 충분히 처리되고/되거나 교차-결합되어야 한다. 미립자 제거 폴리머 층의 두께는 바람직하게, 0.0005 인치 내지 0.010 인치이다. 폴리머의 두께는 세정용 재료 표면에의 탐침 카드 핀의 접촉 중에 쌓이는 파편을 수집하기 위해서 세정용 재료 표면 위의 미립자 주위에서 재료가 변형되게 하기에 충분하다. 실리콘 또는 플루오로실리콘과 같은 낮은 표면 에너지 코팅이 재료의 변질 없이 세정용 폴리머 층으로부터 보호 라이너의 편리한 제거를 허용하도록 도포된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 유사한 플라스틱 재료와 같은 플라스틱 필름으로 구성될 보호 방출 필름 층 또는 라이너(30)가 도시된다.
(또한, 1 내지 N 개의 유연한(compliant) 지지층일 수 있는) 하나 이상의 중간층(30)이 세정용 패드 층(10)에 그리고 그 층 아래에 부착될 수 있다. 하나 이상의 중간층(30)들에서 층들의 조합은 개개의 구성성분 재료로부터 이용할 수 없는 재료 특성을 생성하지만, 매우 다양한 기질, 연마 미립자, 및 기하학 구조가 세정 성능을 최대화하기 위해서 최적 조합을 선택해야 하는 제품 또는 구조물에 고려되어야 한다. 유연한 또는 미세다공성 폼 하부층을 경질 세정 층 아래에 추가함으로써, 세정용 재료의 전체 연마 마모 특징이 감소되고/되거나 접촉 기하학 구조의 형상 또는 기능을 약화시킴이 없이 탐침 소자의 전체 사용 수명을 연장하기 위해서 선단부 성형 성능이 개선된다. 예를 들어, 경질 폴리에스터 필름에 연마 미립자 층의 도포는 평탄한 접촉 면적 기하학 구조를 갖는 탐침 접촉 소자를 생성하고 유지하는데 사용되는 스톡 제거 특징을 갖는 랩핑 필름 형태(lapping film type)의 세정용 재료를 생성한다. 유연한 미충전 폴리머의 표면 또는 미세다공성 폼의 "외피(skin)" 쪽에 동일한 연마 미립자 층의 도포는 반경 또는 세미-반경 접촉 면적 기하학 구조를 갖는 탐침 접촉 소자를 생성하고 유지하기 위한 우선적인 스톡 제거 특징을 갖는 다층 재료를 초래한다. 하부층(들)의 전체 유연성이 대칭적으로 증가되기(또는 강성이 감소되기) 때문에, 평탄한 선단부 접촉 면적 기하학 구조를 생성하고 유지하는 것으로부터 반경 또는 세미-반경 접촉 면적 기하학 구조를 생성하고 유지하는 것으로 세정용 재료의 전체 연마 마모 특징이 변화한다.
(위에서 설명한 대로 유연한 층일 있을 수 있거나 아래에서 설명되는 대로 경질 층일 수 있거나 또는 아래에서 설명되는 대로 유연한 층과 경질 층의 조합 층일 수 있는)하나 이상의 중간층이 미리 결정된 기계적, 재료적, 및 치수적 특징을 세정용 재료에 제공할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 중간층은 (아래에서 더 상세히 설명되는) 마멸성, (예를 들어, 0.75 내지 2.27 범위의) 비중, (예를 들어, 40-MPa 내지 600-MPa 범위의) 탄성, (예를 들어, 20 내지 800 그램 범위의) 점성, 평탄성, (예를 들어, 25-㎛ 내지 300-㎛ 범위의) 두께, 및/또는 30 쇼어 A(Shore A) 내지 90 쇼어 A 범위의 경도를 제공할 수 있으며, 여기서, 비중은 특정 온도에서 물의 밀도에 대한 하나 이상의 중간층의 밀도의 비율이다.
도 2를 참조하면, 사용된 탐침 세정용 웨이퍼 또는 척 세정용 웨이퍼로부터 파편을 제거하기 위해서 미립자 제거 필름을 사용하기 위한 방법(100)을 요약하는 흐름도가 도시된다. 도 2에서, 파편을 제거하는데 사용되었던 탐침 카드 세정용 웨이퍼 또는 FEOL 툴 세정용 웨이퍼가 설비로부터 꺼내지며(즉, 프로버(prober) 또는 리소그래피 툴로부터 제거되며) 척을 제 위치에 고정하기 위해서 진공 척에 놓여진다(102). 미립자 제거 필름 보호 라이너가 제거되며(104), 바람직하게는 동시에, 미립자 제거 필름 층이 세정용 웨이퍼의 작업 표면에 적층된다. 정상적인 처리를 통해서 세정용 웨이퍼 작업 표면에 수집되어 온 파편 또는 이물질은 이제, 우선적으로 세정용 필름 표면에 부착된다. 미립자 파편 및 이물질은 미립자 제거 폴리머 재료의 더 큰 크기의 표면 점성(surface tack) 및 점착력(adhesion force)으로 인해 미립자 제거 필름 표면에 부착되게 된다. 미립자 제거 필름 표면의 표면 점성 및 점착 특성은 예를 들어, 20 내지 800 그램 범위일 수 있는 세정용 폴리머의 표면 점성 및 점착 특성을 초과하는 40 내지 1600 그램 범위로 미리 결정된다. 미립자 제거 필름 표면의 점성 또는 표면 점착력 레벨은 세정용 폴리머의 그것보다 최대 50 psi 또는 그 초과이며, 따라서 세정용 폴리머의 작업 표면의 그것보다 실질적으로 더 크다. 도 2에 도시된 바와 같이, 세정용 필름은 또한, 수동 롤러에 의해 웨이퍼 표면에 도포될 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 통상적으로 탐침 카드 세정을 위해 또는 FEOL 툴로부터 파편 제거를 위해 사용되는 세정용 웨이퍼의 표면을 세정하기 위한 미립자 제거 필름의 사용에 대한 사진 묘사도이다. 도 3a에서, 세정용 웨이퍼(40)는 미립자 제거 필름의 도포하기 위해 웨이퍼를 고정하도록 진공 척(50) 위에 놓인다. 도 1에 도시된 제거 필름의 보호 라이너가 미립자 제거 필름 폴리머(70)가 도 3b에 도시된 바와 같이 세정용 웨이퍼의 작업 표면에 도포될 때 제거된다(60). 작업 표면으로부터 파편은 일단 완전한 접촉이 도 3c에 도시된 바와 같이 웨이퍼 표면에 의해 달성되면 미립자 제거 필름에 우선적으로 부착된다. 세정용 필름이 도 3d에 도시된 바와 같이 제거될 때(80), 파편은 세정용 웨이퍼 표면으로부터 들어 올려져서 필름과 함께 폐기된다.
세정용 필름의 제거시, 점착된 미립자 파편 및 이물질은 세정용 웨이퍼 표면으로부터 들어 올려져서(106) 세정용 필름과 함께 적절히 폐기된다(108). 일 경우에, 세정용 웨이퍼 표면으로부터 세정용 필름의 제거는 세정용 웨이퍼의 표면 에너지가 대략 10 내지 30 dyne/㎝이고 세정용 필름 폴리머 표면 에너지가 대략 40 내지 60 dyne/㎝이기 때문에 표면 에너지 레벨의 차이에 의해 용이해진다. 이러한 차이는 재료들 사이의 접착 및 물리적 접촉(즉, 표면 적심(wetting))을 방해하고 미립자 제거 필름의 편리한 수동 제거를 허용한다. 작업 표면으로 미립자의 제거 이후에, 미립자 제거 필름은 수집된 파편 및 이물질과 함께 폐기된다. 세정용 웨이퍼의 작업 표면은 이제 산개된 파편이 없게 되며 세정 탐침 카드 핀 또는 반도체 제조 공정용 척을 세정하도록 복귀될 수 있다.
일 실시예에서, 장치는 반도체 공정 세정용 웨이퍼의 작업 표면을 세정(즉, 탐침 카드 세정 또는 리소그래피 웨이퍼 척 세정)한다. 장치는 정상적인 사용 중에 세정용 웨이퍼의 작업 표면에 쌓인 파편과 이물질을 수집한다. 파편은 제거 및 폐기를 가능하게 하는 세정 장치에 우선적으로 부착된다. 장치는 외부 제조업체에 재생작업을 위한 웨이퍼의 수송 요구 없이 세정용 웨이퍼 작업 표면의 세정 및 재생을 가능하게 한다. 장치는 또한, 웨이퍼 세정 공정에서 습식 세척의 사용 및 용제의 사용을 없앤다.
본 발명의 방법에서, (위에서 설명된 탐침 카드 장치 또는 FEOL 장치와 같은) 반도체 처리 장비의 일부가 탐침 카드의 탐침과 같은 반도체 처리 장비의 일부를 세정하기 위한 세정용 웨이퍼를 사용할 수 있다. 복수의 세정 이후에, 세정용 웨이퍼가 그 위에 파편을 가질 때 세정용 웨이퍼는 반도체 처리 장비의 일부로부터 제거되며 그 후에 위에서 설명된 대로 세정된다. 일단 세정용 웨이퍼가 세정용 필름을 사용하여 세정되면, 세정용 웨이퍼는 반도체 처리 장비의 일부를 세정하는데 사용될 반도체 처리 장치의 일부에서의 작업설비로 복귀된다.
본 발명의 전술한 설명이 통상의 기술자로 하여금 현재 본 발명의 가장 양호한 형태로 간주되는 것을 만들어 사용할 수 있게 하지만, 통상의 기술자는 여기에, 특정 실시예, 방법 및 예의 변경, 조합 및 등가물이 본 발명에 존재함을 이해하고 인정할 것이다. 따라서, 본 발명은 위에서 설명된 실시예, 방법 및 예에 의해 한정되는 것이 아니라, 청구된 바와 같은 본 발명의 범주와 사상 내에 있는 모든 실시예와 방법에 의해서만 한정되는 것이다.
10 세정용 패드 층
20 보호층
30 중간층

Claims (12)

  1. 탐침 카드와 전단 공정(FEOL) 툴 웨이퍼 스테이지, 엔드-이펙터, 또는 웨이퍼 척을 세정하는데 사용되는 세정용 웨이퍼의 표면을 세정하기 위한 점성의 세정용 필름으로서,
    세정용 필름과 세정용 웨이퍼 사이의 표면 점성(tack) 및 점착력(adhesion force)이, 용제의 사용 없이 탐침 카드 세정용 웨이퍼와 전단 공정(FEOL) 툴 세정용 웨이퍼로부터 세정용 필름 상으로 파편을 방출할 수 있게 하며,
    상기 세정용 필름이,
    점성의 세정용 패드 층; 및
    상기 세정용 필름을 지지하고, 미리 결정된 특징 세트를 가지는 하나 이상의 중간층을 포함하며,
    상기 중간층은 40-MPa 초과 내지 600-MPa 범위의 탄성률을 가지며, 각각의 중간층은 25-㎛ 내지 300-㎛ 범위의 두께를 가지며. 각각의 중간층은 30 쇼어(Shore) A 내지 90 쇼어 A 범위의 경도를 가지며,
    상기 점성의 세정용 패드 층과 세정용 웨이퍼의 표면 사이의 표면 점성 및 점착력 중 하나의 차이가 세정용 웨이퍼의 표면으로부터 파편을 방출할 수 있게 하는 세정용 필름.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 하나 이상의 중간층은 하나 이상의 유연한 층(compliant layer)을 더 포함하는 세정용 필름.
  3. 청구항 1에 있어서,
    오염물로부터 상기 세정용 패드 층을 보호하고 격리시키기 위한 희생 상부 보호층을 더 포함하는 세정용 필름.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 세정용 필름의 표면 층을 노출시키도록 제거되는 제거 가능한 릴리즈 라이너(release liner)를 더 포함하고,
    상기 릴리즈 라이너는 상기 점성의 세정용 패드 층을 덮고 있는 세정용 필름.
  5. 세정용 필름을 사용하여 장비의 반도체 처리 부분을 세정하면서 장비의 반도체 처리 부분을 작동시키는 세정 및 작동 방법으로서,
    세정용 폴리머를 가지는 세정용 웨이퍼를 사용하여 장비의 반도체 처리 부분을 세정하는 단계로서, 파편이 세정용 폴리머의 상부 표면에 달라붙게 되는 단계;
    장비의 반도체 처리 부분으로부터 세정용 웨이퍼를 제거하는 단계;
    상기 세정용 폴리머의 상부 표면에 달라붙은 파편을 제거하기 위해서 세정용 필름을 세정용 웨이퍼에 도포하는 단계로서, 상기 세정용 필름과 상기 세정용 웨이퍼의 세정용 폴리머 사이의 표면 점성 및 점착력 중 하나에서의 차이가, 용제의 사용 없이 세정용 웨이퍼의 세정용 폴리머의 상부 표면으로부터 세정용 필름 상으로 파편을 방출할 수 있게 하는 단계; 및
    장비의 반도체 처리 부분이 세정용 웨이퍼를 사용하여 세정되도록 세정용 웨이퍼를 장비의 반도체 처리 부분으로 복귀시키는 단계를 포함하는 세정 및 작동 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 세정용 웨이퍼를 제거하는 단계는, 세정용 웨이퍼를 진공 척 상에 배치하는 단계를 더 포함하는 세정 및 작동 방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 세정용 필름을 세정용 웨이퍼에 도포하는 단계는, 세정용 필름을 세정용 웨이퍼에 도포하기 이전에 세정용 필름의 점성의 세정용 패드 층을 덮고 있는 보호 라이너를 제거하는 단계를 더 포함하는 세정 및 작동 방법.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 세정용 필름을 세정용 웨이퍼에 도포하는 단계는, 세정용 필름을 세정용 웨이퍼에 도포하기 위해 수동 롤러를 사용하는 단계를 더 포함하는 세정 및 작동 방법.
  9. 청구항 5에 있어서,
    달라붙은 파편을 갖는 세정용 필름을 폐기하는 단계를 더 포함하는 세정 및 작동 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    세정용 필름을 사용하여 세정된 이후에 세정용 웨이퍼를 작업설비로 복귀시키는 단계를 더 포함하는 세정 및 작동 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 세정용 웨이퍼를 작업설비로 복귀시키는 단계는, 세정용 웨이퍼를 장비의 전단 공정(FEOL)에 다시 설치하는 단계를 더 포함하는 세정 및 작동 방법.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 세정용 웨이퍼를 작업설비로 복귀시키는 단계는, 세정용 웨이퍼를 탐침 카드 머신에 다시 설치하는 단계를 더 포함하는 세정 및 작동 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825000B1 (en) * 2017-04-24 2017-11-21 International Test Solutions, Inc. Semiconductor wire bonding machine cleaning device and method
CN109309026B (zh) * 2017-07-28 2021-03-23 无锡华润华晶微电子有限公司 晶圆贴膜方法及治具
CN108941061B (zh) * 2018-05-18 2021-02-05 中国人民解放军国防科技大学 光学元件的定量化清洁装置及方法
US11756811B2 (en) 2019-07-02 2023-09-12 International Test Solutions, Llc Pick and place machine cleaning system and method
US11318550B2 (en) * 2019-11-14 2022-05-03 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63204728A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Fukuoka Nippon Denki Kk 半導体装置のゴミ除去装置
US5690749A (en) 1996-03-18 1997-11-25 Motorola, Inc. Method for removing sub-micron particles from a semiconductor wafer surface by exposing the wafer surface to clean room adhesive tape material
US6019663A (en) 1998-02-20 2000-02-01 Micron Technology Inc System for cleaning semiconductor device probe
US7202683B2 (en) * 1999-07-30 2007-04-10 International Test Solutions Cleaning system, device and method
JP2006013185A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Nitto Denko Corp 半導体装置用クリーニング部材の再生方法
US20060065290A1 (en) 2004-09-28 2006-03-30 Jerry Broz Working surface cleaning system and method
WO2007049462A1 (ja) * 2005-10-25 2007-05-03 Nitto Denko Corporation クリーニングシート、クリーニング機能付搬送部材および基板処理装置のクリーニング方法
SG175129A1 (en) * 2009-04-14 2011-11-28 Internat Test Solutions Wafer manufacturing cleaning apparatus, process and method of use
US8371316B2 (en) * 2009-12-03 2013-02-12 International Test Solutions, Inc. Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware

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