KR102114504B1 - Laser machining apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 척 테이블에 유지된 피가공물의 상면 높이 위치 정보에 추종하여 집광점 위치 조정 수단이 작동하고 있는지의 여부를 확인하는 기능을 구비한 레이저 가공 장치를 제공한다.
척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 집광하여 조사하는 대물 집광 렌즈를 구비한 레이저 광선 조사 수단과, 척 테이블에 유지된 피가공물의 상면 높이 위치를 검출하는 높이 위치 검출 수단과, 대물 집광 렌즈를 척 테이블의 유지면에 대하여 수직인 Z축 방향으로 이동시키는 집광점 위치 조정 수단과, 척 테이블을 X축 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단과, 척 테이블의 X축 방향 위치를 검출하기 위한 X축 방향 위치 검출 수단과, 제어 수단을 포함하는 레이저 가공 장치로서, 제어 수단은, 가공 이송 수단을 작동시켜 척 테이블에 유지된 피가공물을 X축 방향으로 이동시키면서 높이 위치 검출 수단을 작동시켜 피가공물의 높이 위치를 계측하여 얻은 높이 계측값과 X축 방향 위치 검출 수단으로부터의 검출 신호에 기초한 X 좌표를 기억하는 기억 수단을 구비하고 있고, 가공 이송 수단을 작동시켜 척 테이블에 유지된 피가공물을 X축 방향으로 이동시키면서 기억 수단에 기억된 X 좌표에 대응하는 높이 계측값에 기초하여 집광점 위치 조정 수단을 제어하며 높이 위치 검출 수단이 검출하는 높이 정보를 X 좌표와 대응시켜 표시 수단에 표시한다.
The present invention provides a laser processing apparatus having a function of confirming whether or not the focusing point position adjusting means is operating by following the positional information of the top surface height of the workpiece held on the chuck table.
A laser beam irradiation means having an objective condensing lens for condensing and irradiating a laser beam onto a work piece held in the chuck table, a height position detecting means for detecting an upper surface height position of the work piece held in the chuck table, and an objective condenser lens A condensing point position adjusting means for moving the chuck table in the Z-axis direction perpendicular to the holding surface of the chuck table, machining feed means for machining-feeding the chuck table in the X-axis direction, and X for detecting the X-axis position of the chuck table A laser processing apparatus comprising an axial position detection means and a control means, the control means actuating the processing transfer means to move the workpiece held in the chuck table in the X-axis direction while operating the height position detecting means to operate the workpiece. Equipped with a storage means for storing the X coordinate based on the height measurement value obtained by measuring the height position of X and the detection signal from the X-axis direction position detection means, and actuate the machining transfer means to operate the workpiece held in the chuck table X. While moving in the axial direction, the focusing point position adjusting means is controlled based on the height measurement value corresponding to the X coordinate stored in the storage means, and the height information detected by the height position detecting means is displayed on the display means in association with the X coordinate.

Description

레이저 가공 장치{LASER MACHINING APPARATUS}Laser processing equipment {LASER MACHINING APPARATUS}

본 발명은 피가공물을 유지하는 척 테이블에 유지된 피가공물의 상면 높이 위치를 검출하는 기능을 구비한 레이저 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing apparatus having a function of detecting a position of an upper surface height of a workpiece held on a chuck table holding a workpiece.

반도체 디바이스 제조 공정에 있어서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 배열된 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라 절단함으로써 디바이스가 형성된 영역을 분할하여 개개의 반도체 디바이스를 제조하고 있다. 또한, 대략 원판 형상인 사파이어 기판, 탄화규소 기판, 질화갈륨 기판 등의 표면에 n형 반도체층 및 p형 반도체층으로 이루어지는 발광층이 적층되어 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 발광 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광 디바이스를 형성하여 광 디바이스 웨이퍼를 구성한다. 그리고, 광 디바이스 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 분할함으로써 개개의 광 디바이스를 제조하고 있다.In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by division scheduled lines arranged in a lattice shape on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and devices such as ICs and LSIs are formed in the divided regions. Then, by cutting the semiconductor wafer along the street, an area where the device is formed is divided to manufacture individual semiconductor devices. In addition, a plurality of light-emitting layers comprising an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are laminated on surfaces such as a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, and a gallium nitride substrate, which are roughly disk-shaped, and are partitioned by a plurality of division scheduled lines formed in a lattice shape. An optical device such as a light emitting diode or a laser diode is formed in a region to form an optical device wafer. Then, each optical device is manufactured by dividing the optical device wafer along a line to be divided.

전술한 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼 등의 분할 예정 라인을 따라 분할하는 방법으로서, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 펄스 레이저 광선을 이용하여, 분할하여야 하는 영역의 내부에 집광점을 위치시켜 펄스 레이저 광선을 조사하는 레이저 가공 방법이 시도되고 있다. 이 레이저 가공 방법을 이용한 분할 방법은, 웨이퍼의 한쪽의 면측으로부터 내부에 집광점을 맞추어 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하고, 웨이퍼의 내부에 분할 예정 라인을 따라 개질층을 연속적으로 형성하며, 이 개질층이 형성됨으로써 강도가 저하한 분할 예정 라인을 따라 외력을 가함으로써, 피가공물을 분할하는 것이다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이와 같이 피가공물에 형성된 분할 예정 라인을 따라 내부에 개질층을 형성하는 경우, 피가공물의 상면으로부터 정해진 깊이 위치에 레이저 광선의 집광점을 위치시키는 것이 중요하다.As a method of dividing along a line to be divided, such as a semiconductor wafer or an optical device wafer, the pulse laser beam is irradiated by placing a condensing point inside an area to be divided using a pulse laser beam having transparency to the wafer. A laser processing method has been tried. In the division method using this laser processing method, a pulsed laser beam having a transmittance wavelength is irradiated to a wafer by aligning a condensing point from one side side of the wafer to the inside, and the modified layer is continuously disposed along the line to be divided inside the wafer. It is formed by, and by applying the external force along the line to be divided in which the strength is lowered by forming the modified layer, the workpiece is divided (for example, see Patent Document 1). When the modified layer is formed inside along the line to be divided formed in the workpiece, it is important to position the converging point of the laser beam at a predetermined depth from the upper surface of the workpiece.

그런데, 반도체 웨이퍼 등의 판형의 피가공물에는 굴곡이 있어, 그 두께에 변동이 있기 때문에, 균일한 레이저 가공을 실시하는 것이 어렵다. 즉, 웨이퍼의 내부에 집광점을 위치시켜 레이저 광선을 분할 예정 라인을 따라 조사함으로써 개질층을 형성하는 기술에 있어서는, 레이저 광선의 피크 파워 밀도를 높이기 위해 개구수(NA)가 0.8 정도로 높은 집광 렌즈가 이용되고 있으며, 레이저 광선을 조사하는 웨이퍼의 조사면(상면)에 굴곡(요철)이 있어 상면 높이 위치가 변화하면, 레이저 광선의 집광점이 적정한 위치에 위치되지 않아 정해진 깊이 위치에 균일하게 개질층을 형성할 수 없다.However, since plate-like workpieces, such as semiconductor wafers, have curvature and fluctuations in their thickness, it is difficult to perform uniform laser processing. That is, in the technique of forming a modified layer by placing the light-converging point inside the wafer and irradiating the laser beam along the line to be divided, the light-converging lens having a numerical aperture (NA) of about 0.8 to increase the peak power density of the laser beam Is used, and when the position of the height of the top surface changes because there is a bend (unevenness) on the irradiation surface (upper surface) of the wafer irradiating the laser beam, the light-condensing point of the laser beam is not positioned at an appropriate position, and thus a uniformly modified layer at a predetermined depth position Cannot form.

전술한 문제를 해소하기 위해, 피가공물을 유지하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인의 상면 높이 위치를 계측하여 각 분할 예정 라인의 상면 높이 위치 정보를 작성하고, 웨이퍼의 내부에 집광점을 위치시켜 레이저 광선을 분할 예정 라인을 따라 조사함으로써 개질층을 형성할 때에는, 상기 상면 높이 위치 정보에 기초하여 집광 렌즈에 의한 집광점을 조정하는 집광점 위치 조정 수단을 상면 높이 위치에 대응하여 제어하도록 한 기술이 하기 특허문헌 2, 특허문헌 3, 특허문헌 4에 개시되어 있다.In order to solve the above-mentioned problem, the position of the top surface height of the line to be divided formed on the wafer held on the chuck table holding the work piece is measured to create the position information of the top surface height of each line to be divided, and a condensing point inside the wafer When a modified layer is formed by irradiating a laser beam along a line to be divided by positioning, condensing point position adjusting means for adjusting a condensing point by the condensing lens based on the image height position information is controlled in correspondence to the top surface height position. The technology so made is disclosed in Patent Document 2, Patent Document 3, and Patent Document 4 below.

특허문헌 1: 일본 특허 제3408805호 공보Patent Document 1: Japanese Patent No. 3408805 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2011-122894호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 2011-122894 특허문헌 3: 일본 특허 공개 제2012-2604호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Publication No. 2012-2604 특허문헌 4: 일본 특허 공개 제2009-63446호 공보Patent Document 4: Japanese Patent Publication No. 2009-63446

그리하여, 척 테이블에 유지된 피가공물의 상면 높이 위치 정보에 기초하여 집광점 위치 조정 수단을 작동시켜도 높이 위치 정보에 추종하지 않고 약간 지연되어 작동하는 경우가 있으며, 적정한 위치에 레이저 광선의 집광점을 위치시킬 수 없어 가공 정밀도가 악화한다고 하는 문제가 있다.Therefore, even if the light-converging position adjusting means is operated based on the positional information on the top surface of the workpiece held on the chuck table, there is a case that it operates without delay following the positional information on the height. There is a problem that processing accuracy deteriorates because it cannot be positioned.

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 주된 기술적 과제는, 척 테이블에 유지된 피가공물의 상면 높이 위치 정보에 추종하여 집광점 위치 조정 수단이 작동하고 있는지의 여부를 확인하는 기능을 구비한 레이저 가공 장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is to provide a function of confirming whether or not the focusing point position adjusting means is operating by following the positional information on the height of the upper surface of the workpiece held in the chuck table. It is to provide a laser processing apparatus.

상기 주된 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 집광하여 조사하는 대물 집광 렌즈를 구비한 레이저 광선 조사 수단과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물의 상면 높이 위치를 검출하는 높이 위치 검출 수단과, 상기 대물 집광 렌즈를 상기 척 테이블의 유지면에 대하여 수직인 방향(Z축 방향)으로 이동시키는 집광점 위치 조정 수단과, 상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 수단을 가공 이송 방향(X축 방향)으로 상대적으로 가공 이송하는 가공 이송 수단과, 상기 척 테이블의 X축 방향 위치를 검출하기 위한 X축 방향 위치 검출 수단과, 상기 집광점 위치 조정 수단과 상기 가공 이송 수단 및 표시 수단에 제어 신호를 출력하는 제어 수단을 구비하는 레이저 가공 장치에 있어서,In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a laser having a chuck table having a holding surface for holding a workpiece, and an objective condensing lens for condensing and irradiating laser beams on the workpiece held on the chuck table Light irradiation means, height position detecting means for detecting the height position of the top surface of the workpiece held on the chuck table, and moving the objective condensing lens in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table (Z-axis direction) Condensing point position adjustment means, processing feed means for relatively processing and processing the chuck table and the laser beam irradiation means in the machining feed direction (X-axis direction), and X-axis for detecting the position of the chuck table in the X-axis direction A laser processing apparatus comprising a direction position detecting means, a control means for outputting a control signal to the condensing point position adjusting means, the processing transfer means and the display means,

상기 제어 수단은, 상기 가공 이송 수단을 작동시켜 상기 척 테이블에 유지된 피가공물을 X축 방향으로 이동시키면서 상기 높이 위치 검출 수단을 작동시켜 피가공물의 높이 위치를 계측하여 얻은 높이 계측값과 상기 X축 방향 위치 검출 수단으로부터의 검출 신호에 기초한 X 좌표를 기억하는 기억 수단을 구비하고 있고, 상기 가공 이송 수단을 작동시켜 상기 척 테이블에 유지된 피가공물을 X축 방향으로 이동시키면서 상기 기억 수단에 기억된 X 좌표에 대응하는 높이 계측값에 기초하여 상기 집광점 위치 조정 수단을 제어하며 상기 높이 위치 검출 수단이 검출하는 높이 정보를 X 좌표와 대응시켜 표시 수단에 표시하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치가 제공된다.The control means operates the processing transfer means to move the workpiece held in the chuck table in the X-axis direction while operating the height position detecting means to measure the height position of the workpiece and the height measurement value obtained by X And storage means for storing X coordinates based on the detection signal from the axial position detecting means, and moving the work conveying means to move the workpiece held in the chuck table in the X-axis direction to be stored in the storage means. A laser processing apparatus characterized by controlling the condensing point position adjusting means based on the height measurement value corresponding to the calculated X coordinate, and displaying the height information detected by the height position detecting means in correspondence with the X coordinate on the display means. Is provided.

상기 제어 수단은, 표시 수단에 표시하는 X 좌표와 대응한 높이 정보의 변동폭이 허용 범위이면 레이저 광선 조사 수단의 작동을 가능으로 하고, X 좌표와 대응한 높이 정보의 변동폭이 허용 범위 밖인 경우에는 레이저 광선 조사 수단의 작동을 불가로 한다.The control means enables operation of the laser beam irradiating means if the fluctuation width of the height information corresponding to the X coordinate displayed on the display means is an allowable range, and the laser if the fluctuation width of the height information corresponding to the X coordinate is outside the allowable range. The operation of the light irradiation means is disabled.

또한, 상기 제어 수단은, 가공 이송 수단과 높이 위치 검출 수단 및 제1 집광점 위치 조정 수단을 작동시키면서, 기억 수단에 기억된 X 좌표와 대응한 높이 정보에 있어서의 X 좌표와, 척 테이블의 X 좌표 사이에 어긋남을 생기게 하여 높이 정보의 변동폭이 허용 범위가 되도록 조정하여, 높이 정보의 변동폭이 허용 범위 내가 되었을 때의 X 좌표의 어긋남량을 보정값으로서 결정한다.Further, the control means, while operating the machining feed means, the height position detecting means and the first condensing point position adjusting means, the X coordinate in the height information corresponding to the X coordinate stored in the storage means and the X of the chuck table. A deviation is generated between the coordinates so that the fluctuation width of the height information becomes an allowable range, and the amount of displacement of the X coordinate when the fluctuation width of the height information is within the allowable range is determined as a correction value.

본 발명에 따른 레이저 가공 장치에 있어서는, 제어 수단은, 가공 이송 수단을 작동시켜 척 테이블에 유지된 피가공물을 X축 방향으로 이동시키면서 높이 위치 검출 수단을 작동시켜 피가공물의 높이 위치를 계측하여 얻은 높이 계측값과 X축 방향 위치 검출 수단으로부터의 검출 신호에 기초한 X 좌표를 기억하는 기억 수단을 구비하고 있고, 가공 이송 수단을 작동시켜 척 테이블에 유지된 피가공물을 X축 방향으로 이동시키면서 기억 수단에 기억된 X 좌표에 대응하는 높이 계측값에 기초하여 집광점 위치 조정 수단을 제어하며 높이 위치 검출 수단이 검출하는 높이 정보를 X 좌표와 대응시켜 표시 수단에 표시하기 때문에, 척 테이블에 유지된 피가공물의 상면 높이 위치 정보에 추종하여 집광점 위치 조정 수단이 작동하고 있는지의 여부를 확인할 수 있기 때문에, 적정한 위치에 레이저 광선의 집광점을 위치시킬 수 있어 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다.In the laser processing apparatus according to the present invention, the control means is obtained by measuring the height position of the work piece by operating the height position detecting means while moving the work piece held in the chuck table by operating the work feed means. And storage means for storing the X coordinates based on the height measurement value and the detection signal from the X-axis direction position detecting means, and moving the work conveying means to move the workpiece held in the chuck table in the X-axis direction. Because the height convergence position adjusting means is controlled on the basis of the height measurement value corresponding to the X coordinate stored in, and the height information detected by the height position detecting means is displayed on the display means in correspondence with the X coordinate, the blood held in the chuck table is avoided. Since it is possible to confirm whether or not the focusing point position adjusting means is operating by following the positional information on the top surface height of the workpiece, it is possible to position the focusing point of the laser beam at an appropriate position, thereby improving processing precision.

도 1은 본 발명에 따라 구성된 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 레이저 가공 장치에 장비되는 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛을 구성하는 위치 검출 장치 및 레이저 광선 조사 수단의 블록 구성도이다.
도 3은 도 1에 도시된 레이저 가공 장치에 장비되는 제어 수단의 블록 구성도이다.
도 4는 피가공물로서의 반도체 웨이퍼의 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 반도체 웨이퍼를 환형 프레임에 장착된 보호 테이프의 표면에 접착된 상태를 도시하는 사시도이다.
도 6은 도 4에 도시된 반도체 웨이퍼가 도 1에 도시된 레이저 가공 장치의 척 테이블의 정해진 위치에 유지된 상태에 있어서의 좌표 위치와의 관계를 도시하는 설명도이다.
도 7은 도 1에 도시된 레이저 가공 장치에 장비된 높이 위치 검출 수단에 의해 실시되는 높이 위치 검출 공정의 설명도이다.
도 8은 도 1에 도시된 레이저 가공 장치에 장비된 높이 위치 검출 수단에 의해 실시된 높이 위치 검출 공정에서 작성된 높이 위치 변위 맵이다.
도 9는 도 1에 도시된 레이저 가공 장치에 의해 실시된 집광점 위치 조정 수단의 작동 확인 공정의 설명도이다.
도 10은 도 9에 도시된 집광점 위치 조정 수단의 작동 확인 공정에 있어서 피가공물로부터의 반사광을 수광한 수광 소자가 출력하는 X 좌표에 대응하는 전압값을 도시하는 설명도이다.
도 11은 도 1에 도시된 레이저 가공 장치에 의해 실시하는 개질층 형성 공정의 설명도이다.
1 is a perspective view of a laser processing apparatus constructed in accordance with the present invention.
FIG. 2 is a block diagram of a position detection device and laser beam irradiation means constituting a position detection and laser irradiation unit equipped in the laser processing device shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a block diagram of control means provided in the laser processing apparatus shown in FIG. 1.
4 is a perspective view of a semiconductor wafer as a workpiece.
5 is a perspective view showing a state in which the semiconductor wafer shown in FIG. 4 is adhered to the surface of a protective tape mounted on an annular frame.
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a relationship with a coordinate position in a state where the semiconductor wafer shown in FIG. 4 is held at a predetermined position of the chuck table of the laser processing device shown in FIG. 1.
7 is an explanatory view of a height position detection process performed by the height position detection means provided in the laser processing apparatus shown in FIG. 1.
8 is a height position displacement map created in the height position detection process performed by the height position detection means provided in the laser processing apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 9 is an explanatory view of an operation confirmation process of the light-converging position adjusting means performed by the laser processing apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a voltage value corresponding to the X coordinate output by the light receiving element receiving the reflected light from the workpiece in the operation confirmation process of the condensing point position adjusting means shown in FIG. 9.
11 is an explanatory view of a modified layer forming process performed by the laser processing apparatus shown in FIG. 1.

이하, 본 발명에 따라 구성된 레이저 가공 장치의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the laser processing apparatus constructed in accordance with the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에는, 본 발명에 따라 구성된 레이저 가공 장치의 사시도가 도시되어 있다. 도 1에 도시된 레이저 가공 장치(1)는, 정지 베이스(2)와, 상기 정지 베이스(2)에 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동 가능하게 설치되어 피가공물을 유지하는 척 테이블 기구(3)와, 정지 베이스(2)에 상기 X축 방향과 직교하는 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동 가능하게 설치된 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)와, 상기 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)에 화살표 Z로 나타내는 집광점 위치 조정 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하게 설치된 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)을 구비하고 있다.1 is a perspective view of a laser processing apparatus constructed in accordance with the present invention. The laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1 is installed on the stationary base 2 and the stationary base 2 so as to be movable in the machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X to hold the workpiece. The chuck table mechanism 3 and the laser beam irradiation unit support mechanism 4 movably provided in the indexing feed direction (Y-axis direction) indicated by the arrow Y orthogonal to the X-axis direction to the stop base 2, and The laser beam irradiation unit support mechanism 4 is provided with a position detection / laser irradiation unit 5 that is movably installed in a direction of focusing point (Z-axis direction) indicated by an arrow Z.

상기 척 테이블 기구(3)는, 정지 베이스(2) 상에 X축 방향을 따라 평행하게 설치된 한쌍의 안내 레일(31, 31)과, 상기 안내 레일(31, 31) 상에 X축 방향으로 이동 가능하게 설치된 제1 슬라이딩 블록(32)과, 상기 제1 슬라이딩 블록(32) 상에 Y축 방향으로 이동 가능하게 설치된 제2 슬라이딩 블록(33)과, 상기 제2 슬라이딩 블록(33) 상에 원통 부재(34)에 의해 지지된 지지 테이블(35)과, 피가공물 유지 수단으로서의 척 테이블(36)을 구비하고 있다. 이 척 테이블(36)은 다공성 재료로 형성된 흡착 척(361)을 구비하고 있고, 흡착 척(361)의 상면인 유지면 상에 피가공물인 예컨대 원형 형상의 반도체 웨이퍼를 도시하지 않은 흡인 수단에 의해 유지하도록 되어 있다. 이와 같이 구성된 척 테이블(36)은, 원통 부재(34) 내에 설치된 도시하지 않은 펄스 모터에 의해 회전된다. 또한, 척 테이블(36)에는, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 보호 테이프를 통해 지지하는 환형 프레임을 고정하기 위한 클램프(362)가 설치되어 있다.The chuck table mechanism (3), a pair of guide rails (31, 31) installed in parallel along the X-axis direction on the stop base (2), and the guide rails (31, 31) moved in the X-axis direction Cylindrical on the first sliding block 32 and the second sliding block 33 and the second sliding block 33, which is installed to be movable in the Y-axis direction on the first sliding block 32. A support table 35 supported by the member 34 and a chuck table 36 as a workpiece holding means are provided. This chuck table 36 is provided with an adsorption chuck 361 formed of a porous material, and is drawn on a holding surface, which is an upper surface of the adsorption chuck 361, by a suction means (not shown), for example, a semiconductor wafer of circular shape. It is supposed to be maintained. The chuck table 36 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) provided in the cylindrical member 34. In addition, a clamp 362 for fixing an annular frame for supporting a workpiece such as a semiconductor wafer through a protective tape is provided on the chuck table 36.

상기 제1 슬라이딩 블록(32)은, 그 하면에 상기 한쌍의 안내 레일(31, 31)과 감합하는 한쌍의 피안내홈(321, 321)이 형성되어 있으며, 그 상면에 Y축 방향을 따라 평행하게 형성된 한쌍의 안내 레일(322, 322)이 설치되어 있다. 이와 같이 구성된 제1 슬라이딩 블록(32)은, 피안내홈(321, 321)이 한쌍의 안내 레일(31, 31)에 감합함으로써, 한쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 도시된 실시형태에 있어서의 척 테이블 기구(3)는, 제1 슬라이딩 블록(32)을 한쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동시키기 위한 가공 이송 수단(37)을 구비하고 있다. 가공 이송 수단(37)은, 상기 한쌍의 안내 레일(31과 31) 사이에 평행하게 설치된 수나사 로드(371)와, 상기 수나사 로드(371)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(372) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(371)는, 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 베어링 블록(373)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(372)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로드(371)는, 제1 슬라이딩 블록(32)의 중앙부 하면에 돌출하여 설치된 도시하지 않은 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(372)에 의해 수나사 로드(371)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 제1 슬라이딩 블록(32)은 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동된다.The first sliding block 32 has a pair of guide grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on its lower surface, and is parallel to the upper surface along the Y-axis direction. A pair of guide rails 322 and 322 are formed. In the first sliding block 32 configured as described above, the guide grooves 321 and 321 fit in the pair of guide rails 31 and 31, and thus move in the X-axis direction along the pair of guide rails 31 and 31. It is made possible. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment is provided with machining transfer means 37 for moving the first sliding block 32 in the X-axis direction along the pair of guide rails 31 and 31. have. The machining transfer means 37 includes a driving source such as a male screw rod 371 installed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31 and a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. It contains. The male rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 having one end fixed to the stop base 2, and the other end thereof is electrically connected to the output shaft of the pulse motor 372. Further, the male screw rod 371 is screwed to a through female screw hole formed in a female screw block (not shown) protruding from a lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, by driving the male screw rod 371 forward and reverse by a pulse motor 372, the first sliding block 32 is moved along the guide rails 31 and 31 in the X-axis direction.

도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치(1)는, 상기 척 테이블(36)의 X축 방향 위치를 검출하기 위한 X축 방향 위치 검출 수단(374)을 구비하고 있다. X축 방향 위치 검출 수단(374)은, 안내 레일(31)을 따라 설치된 리니어 스케일(374a)과, 제1 슬라이딩 블록(32)에 설치되어 제1 슬라이딩 블록(32)과 함께 리니어 스케일(374a)을 따라 이동하는 판독 헤드(374b)로 이루어져 있다. 이 X축 방향 위치 검출 수단(374)의 판독 헤드(374b)는, 도시된 실시형태에 있어서는 1 ㎛마다 1 펄스의 펄스 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다. 그리고 후술하는 제어 수단은, 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 가공 이송량을 검출함으로써 척 테이블(36)의 X축 방향 위치를 구한다. 한편, 상기 가공 이송 수단(37)의 구동원으로서 펄스 모터(372)를 이용한 경우에는, 펄스 모터(372)에 구동 신호를 출력하는 후술하는 제어 수단의 구동 펄스를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 가공 이송량을 검출할 수도 있다. 또한, 상기 가공 이송 수단(37)의 구동원으로서 서보 모터를 이용한 경우에는, 서보 모터의 회전수를 검출하는 로터리 인코더가 출력하는 펄스 신호를 후술하는 제어 수단에 보내고, 제어 수단이 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 가공 이송량을 검출할 수도 있다.The laser processing apparatus 1 in the illustrated embodiment is provided with X-axis direction position detection means 374 for detecting the X-axis direction position of the chuck table 36. The X-axis direction position detecting means 374 is a linear scale 374a installed along the guide rail 31 and a linear scale 374a installed in the first sliding block 32 together with the first sliding block 32 It consists of a read head 374b moving along. In the illustrated embodiment, the read head 374b of the X-axis direction position detecting means 374 sends a pulse signal of 1 pulse every 1 µm to control means described later. And the control means mentioned later calculates the machining feed amount of the chuck table 36 by counting the input pulse signal, and finds the position of the chuck table 36 in the X-axis direction. On the other hand, when the pulse motor 372 is used as the driving source of the machining transfer means 37, the driving pulses of the control means, which will be described later, which output the driving signal to the pulse motor 372 are counted, thereby releasing the chuck table 36. It is also possible to detect the machining feed amount. Further, when a servo motor is used as a driving source of the machining transfer means 37, a pulse signal output by a rotary encoder that detects the rotational speed of the servo motor is sent to control means described later, and the pulse signal input by the control means is transmitted. By counting, the machining feed amount of the chuck table 36 can also be detected.

상기 제2 슬라이딩 블록(33)은, 그 하면에 상기 제1 슬라이딩 블록(32)의 상면에 설치된 한쌍의 안내 레일(322, 322)과 감합하는 한쌍의 피안내홈(331, 331)이 형성되어 있고, 이 피안내홈(331, 331)을 한쌍의 안내 레일(322, 322)에 감합함으로써, Y축 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 도시된 실시형태에 있어서의 척 테이블 기구(3)는, 제2 슬라이딩 블록(33)을 제1 슬라이딩 블록(32)에 설치된 한쌍의 안내 레일(322, 322)을 따라 Y축 방향으로 이동시키기 위한 제1 인덱싱 이송 수단(38)을 구비하고 있다. 제1 인덱싱 이송 수단(38)은, 상기 한쌍의 안내 레일(322와 322) 사이에 평행하게 설치된 수나사 로드(381)와, 상기 수나사 로드(381)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(382) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(381)는, 그 일단이 상기 제1 슬라이딩 블록(32)의 상면에 고정된 베어링 블록(383)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(382)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 한편, 수나사 로드(381)는, 제2 슬라이딩 블록(33)의 중앙부 하면에 돌출하여 설치된 도시하지 않은 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(382)에 의해 수나사 로드(381)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 제2 슬라이딩 블록(33)은 안내 레일(322, 322)을 따라 Y축 방향으로 이동된다.The second sliding block 33 is formed with a pair of guide grooves 331 and 331 fitted to a pair of guide rails 322 and 322 installed on an upper surface of the first sliding block 32 on its lower surface. Thereby, the guide grooves 331 and 331 are configured to be movable in the Y-axis direction by fitting the pair of guide rails 322 and 322. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment is for moving the second sliding block 33 in the Y-axis direction along a pair of guide rails 322 and 322 provided on the first sliding block 32. A first indexing transfer means 38 is provided. The first indexing transfer means 38 includes a male screw rod 381 installed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381, and the like. It contains a driving source. The male rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 whose one end is fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is electrically connected to the output shaft of the pulse motor 382. It is. On the other hand, the male screw rod 381 is screwed into a through female screw hole formed in a female screw block (not shown) protruding from the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Accordingly, the second sliding block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the Y-axis direction by driving the male screw rod 381 forward and reverse by a pulse motor 382.

도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치(1)는, 척 테이블(36)의 Y축 방향 위치를 검출하기 위한 Y축 방향 위치 검출 수단(384)을 구비하고 있다. 이 Y축 방향 위치 검출 수단(384)은, 척 테이블(36)이 설치된 제2 슬라이딩 블록(33)의 Y축 방향 위치를 검출한다. 도시된 실시형태에 있어서의 Y축 방향 위치 검출 수단(384)은, 안내 레일(322)을 따라 설치된 리니어 스케일(384a)과, 제2 슬라이딩 블록(33)에 설치되어 제2 슬라이딩 블록(33)과 함께 리니어 스케일(384a)을 따라 이동하는 판독 헤드(384b)로 이루어져 있다. 이 Y축 방향 위치 검출 수단(384)의 판독 헤드(384b)는, 도시된 실시형태에 있어서는 1 ㎛마다 1 펄스의 펄스 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다. 그리고 후술하는 제어 수단은, 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 인덱싱 이송량을 검출함으로써 척 테이블(36)의 Y축 방향 위치를 구한다. 한편, 상기 Y축 방향 위치 검출 수단(384)의 구동원으로서 펄스 모터(382)를 이용한 경우에는, 펄스 모터(382)에 구동 신호를 출력하는 후술하는 제어 수단의 구동 펄스를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 인덱싱 이송량을 검출할 수도 있다. 또한, 상기 가공 이송 수단(37)의 구동원으로서 서보 모터를 이용한 경우에는, 서보 모터의 회전수를 검출하는 로터리 인코더가 출력하는 펄스 신호를 후술하는 제어 수단에 보내고, 제어 수단이 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 인덱싱 이송량을 검출할 수도 있다.The laser processing apparatus 1 in the illustrated embodiment is provided with Y-axis direction position detecting means 384 for detecting the Y-axis direction position of the chuck table 36. The Y-axis direction position detecting means 384 detects the Y-axis direction position of the second sliding block 33 provided with the chuck table 36. The Y-axis direction position detecting means 384 in the illustrated embodiment is provided on the linear scale 384a and the second sliding block 33 provided along the guide rail 322, and the second sliding block 33 It consists of a read head 384b moving along the linear scale 384a. In the illustrated embodiment, the read head 384b of the Y-axis direction position detecting means 384 sends a pulse signal of 1 pulse every 1 μm to control means described later. Then, the control means, which will be described later, calculates the indexing feed amount of the chuck table 36 by counting the input pulse signal to obtain the Y-axis position of the chuck table 36. On the other hand, when the pulse motor 382 is used as the driving source of the Y-axis direction position detecting means 384, the chuck table ( The indexing transfer amount of 36) can also be detected. Further, when a servo motor is used as a driving source of the machining transfer means 37, a pulse signal output by a rotary encoder that detects the rotational speed of the servo motor is sent to control means described later, and the pulse signal input by the control means is transmitted. By counting, the indexing feed amount of the chuck table 36 can also be detected.

상기 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)는, 정지 베이스(2) 상에 Y축 방향을 따라 평행하게 설치된 한쌍의 안내 레일(41, 41)과, 상기 안내 레일(41, 41) 상에 화살표 Y로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 설치된 가동 지지 베이스(42)를 구비하고 있다. 이 가동 지지 베이스(42)는, 안내 레일(41, 41) 상에 이동 가능하게 설치된 이동 지지부(421)와, 상기 이동 지지부(421)에 부착된 장착부(422)로 이루어져 있다. 장착부(422)는, 일측면에 Z축 방향으로 연장되는 한쌍의 안내 레일(423, 423)이 평행하게 설치되어 있다. 도시된 실시형태에 있어서의 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)는, 가동 지지 베이스(42)를 한쌍의 안내 레일(41, 41)을 따라 Y축 방향으로 이동시키기 위한 제2 인덱싱 이송 수단(43)을 구비하고 있다. 제2 인덱싱 이송 수단(43)은, 상기 한쌍의 안내 레일(41, 41) 사이에 평행하게 설치된 수나사 로드(431)와, 상기 수나사 로드(431)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(432) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(431)는, 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 도시하지 않은 베어링 블록에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(432)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로드(431)는, 가동 지지 베이스(42)를 구성하는 이동 지지부(421)의 중앙부 하면에 돌출하여 설치된 도시하지 않은 암나사 블록에 형성된 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 이 때문에, 펄스 모터(432)에 의해 수나사 로드(431)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 가동 지지 베이스(42)는 안내 레일(41, 41)을 따라 Y축 방향으로 이동된다.The laser beam irradiation unit support mechanism 4 has a pair of guide rails 41 and 41 provided parallel to the stationary base 2 along the Y-axis direction, and an arrow Y on the guide rails 41 and 41. The movable support base 42 is provided so as to be movable in the direction indicated by. The movable support base 42 is composed of a movable support portion 421 movably installed on the guide rails 41 and 41, and a mounting portion 422 attached to the movable support portion 421. In the mounting portion 422, a pair of guide rails 423 and 423 extending in the Z-axis direction is provided in parallel on one side. The laser beam irradiation unit support mechanism 4 in the illustrated embodiment has second indexing transfer means 43 for moving the movable support base 42 along the pair of guide rails 41 and 41 in the Y-axis direction. ). The second indexing transfer means 43 includes a male screw rod 431 installed in parallel between the pair of guide rails 41 and 41, and a pulse motor 432 for rotationally driving the male screw rod 431. It contains a driving source. The male rod 431 is rotatably supported by a bearing block (not shown), one end of which is fixed to the stop base 2, and the other end thereof is electrically connected to the output shaft of the pulse motor 432. Further, the male screw rod 431 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) protruding from the lower surface of the central portion of the movable support part 421 constituting the movable support base 42. For this reason, the movable support base 42 is moved along the guide rails 41 and 41 in the Y-axis direction by driving the male screw rod 431 forward and reverse by the pulse motor 432.

도시된 실시형태에 있어서의 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)은, 유닛 홀더(51)와, 상기 유닛 홀더(51)에 부착된 원통 형상의 유닛 하우징(52)을 구비하고 있으며, 유닛 홀더(51)가 상기 가동 지지 베이스(42)의 장착부(422)에 한쌍의 안내 레일(423, 423)을 따라 이동 가능하게 설치되어 있다. 유닛 홀더(51)에 부착된 유닛 하우징(52)에는, 상기 척 테이블(36)에 유지된 피가공물의 높이 위치를 검출하는 높이 위치 검출 수단 및 척 테이블(36)에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단이 설치되어 있다. 이 높이 위치 검출 수단 및 레이저 광선 조사 수단에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다.The position detection and laser irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a unit holder 51 and a cylindrical unit housing 52 attached to the unit holder 51. 51) is movably installed along the pair of guide rails 423 and 423 to the mounting portion 422 of the movable support base 42. In the unit housing 52 attached to the unit holder 51, a laser beam is applied to the workpiece held in the chuck table 36 and height position detecting means for detecting the height position of the workpiece held in the chuck table 36. A laser beam irradiation means for irradiating is provided. The height position detecting means and the laser beam irradiation means will be described with reference to FIG. 2.

도 2에는, 간섭식 높이 위치 검출 수단의 일례가 도시되어 있다. 도시된 실시형태에 있어서의 높이 위치 검출 수단(6)은, 정해진 파장 영역을 갖는 광을 발하는 발광원(61)과, 상기 발광원(61)으로부터의 광을 제1 경로(6a)에 유도하며 상기 제1 경로(6a)를 역행하는 반사광을 제2 경로(6b)에 유도하는 제1 광 분기 수단(62)과, 제1 경로(6a)에 유도된 광을 평행광으로 형성하는 커리메이션 렌즈(63)와, 상기 커리메이션 렌즈(63)에 의해 평행광으로 형성된 광을 제3 경로(6c)와 제4 경로(6d)에 나누는 제2 광 분기 수단(64)을 구비하고 있다.2, an example of the interference-type height position detection means is shown. The height position detecting means 6 in the illustrated embodiment induces a light-emitting source 61 emitting light having a predetermined wavelength range and light from the light-emitting source 61 to the first path 6a. A first light diverging means 62 for guiding the reflected light that reverses the first path 6a to the second path 6b, and a correction lens for forming the light induced in the first path 6a into parallel light. (63) and second light diverging means (64) for dividing the light formed by the parallel light by the calibration lens (63) into the third path (6c) and the fourth path (6d).

발광원(61)은, 예컨대 파장이 820 ㎚∼870 ㎚ 영역의 광을 발광하는 LED, SLD, LD, 할로겐 전원, ASE 전원, 슈퍼컨티뉴엄 전원을 이용할 수 있다. 상기 제1 광 분기 수단(62)은, 편파 유지 파이버 커플러, 편파 유지 파이버 서큐레이터, 싱글 모드 파이버 커플러, 싱글 모드 파이버 커플러 서큐레이터 등을 이용할 수 있다. 상기 제2 광 분기 수단(64)은, 도시된 실시형태에 있어서는 빔 스플리터(641)와, 방향 변환 미러(642)에 의해 구성되어 있다. 한편, 상기 발광원(61)으로부터 제1 광 분기 수단(62)까지의 경로 및 제1 경로(6a)는, 광 파이버에 의해 구성되어 있다.For the light emitting source 61, for example, an LED, SLD, LD, halogen power source, ASE power source, or supercontinuum power source that emits light in a wavelength range of 820 nm to 870 nm can be used. As the first optical branching means 62, a polarization-maintaining fiber coupler, a polarization-maintaining fiber circulator, a single-mode fiber coupler, a single-mode fiber coupler circulator, or the like can be used. In the illustrated embodiment, the second light diverging means 64 is composed of a beam splitter 641 and a direction changing mirror 642. On the other hand, the path from the light-emitting source 61 to the first light diverging means 62 and the first path 6a are constituted by optical fibers.

상기 제3 경로(6c)에는, 제3 경로(6c)에 유도된 광을 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)에 유도하는 대물 집광 렌즈(65)와, 상기 대물 집광 렌즈(65)와 상기 제2 광 분기 수단(64) 사이에 집광 렌즈(66)가 설치되어 있다. 이 집광 렌즈(66)는, 제2 광 분기 수단(64)으로부터 제3 경로(6c)에 유도된 평행광을 집광하여 대물 집광 렌즈(65) 내에 집광점을 위치시켜 대물 집광 렌즈(65)로부터의 광을 의사 평행광으로 생성한다. 이와 같이 대물 집광 렌즈(65)와 제2 광 분기 수단(64) 사이에 집광 렌즈(66)를 설치하여 대물 집광 렌즈(65)로부터의 광을 의사 평행광으로 생성함으로써, 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)에서 반사한 반사광이 대물 집광 렌즈(65)와 집광 렌즈(66)와 제2 광 분기 수단(64) 및 커리메이션 렌즈(63)를 통해 역행할 때에 제1 경로(6a)를 구성하는 광 파이버에 수속시킬 수 있다. 한편, 대물 집광 렌즈(65)는 렌즈 케이스(651)에 장착되어 있고, 이 렌즈 케이스(651)는 보이스 코일 모터나 리니어 모터 등으로 이루어지는 집광점 위치 조정 수단(650)에 의해 도 2에 있어서 상하 방향, 즉 척 테이블(36)의 유지면에 대하여 수직인 집광점 위치 조정 방향(Z축 방향)으로 이동되도록 되어 있다. 이 집광점 위치 조정 수단(650)은, 후술하는 제어 수단에 의해 제어된다.In the third path 6c, an objective condensing lens 65 for guiding light induced in the third path 6c to a workpiece W held in the chuck table 36, and the objective condensing lens 65 ) And the second light diverging means 64 are provided with a condensing lens 66. The condensing lens 66 converges the parallel light induced in the third path 6c from the second light diverging means 64 to locate the condensing point in the objective condensing lens 65, and from the objective condensing lens 65 Produces light of pseudo as pseudo-parallel light. Thus, by providing a condenser lens 66 between the objective condenser lens 65 and the second light diverging means 64 to generate light from the objective condenser lens 65 as pseudo-parallel light, to the chuck table 36 The first path 6a when the reflected light reflected from the retained workpiece W is reversed through the objective condenser lens 65, the condenser lens 66, the second light diverging means 64 and the calibration lens 63 ) Can be converged to the optical fiber constituting. On the other hand, the objective condenser lens 65 is attached to the lens case 651, and the lens case 651 is vertically illustrated in FIG. 2 by a condensing point position adjusting means 650 made of a voice coil motor or a linear motor. It is to be moved in the direction, i.e., in the direction of the focusing point position adjustment (Z-axis direction) perpendicular to the holding surface of the chuck table 36. The condensing point position adjusting means 650 is controlled by control means described later.

상기 제4 경로(6d)에는, 제4 경로(6d)에 유도된 평행광을 반사하여 제4 경로(6d)에 반사광을 역행시키는 반사 미러(67)가 설치되어 있다. 이 반사 미러(67)는, 도시된 실시형태에 있어서는 상기 대물 집광 렌즈(65)의 렌즈 케이스(651)에 장착되어 있다.The fourth path 6d is provided with a reflection mirror 67 that reflects the parallel light induced in the fourth path 6d and reverses the reflected light in the fourth path 6d. The reflection mirror 67 is attached to the lens case 651 of the objective condenser lens 65 in the illustrated embodiment.

상기 제2 경로(6b)에는, 커리메이션 렌즈(68)와 회절 격자(69)와 집광 렌즈(70) 및 라인 이미지 센서(71)가 설치되어 있다. 커리메이션 렌즈(68)는, 반사 미러(67)에 의해 반사하여 제4 경로(6d)와 제2 광 분기 수단(64)과 커리메이션 렌즈(63) 및 제1 경로(6a)를 역행하여 제1 광 분기 수단(62)으로부터 제2 경로(6b)에 유도된 반사광과, 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)에서 반사하여 대물 집광 렌즈(65)와 집광 렌즈(66)와 제2 광 분기 수단(64)과 커리메이션 렌즈(63) 및 제1 경로(6a)를 역행하여 제1 광 분기 수단(62)으로부터 제2 경로(6b)에 유도된 반사광을 평행광으로 형성한다. 상기 회절 격자(69)는, 커리메이션 렌즈(68)에 의해 평행광으로 형성된 상기 양 반사광의 간섭을 회절하고, 각 파장에 대응하는 회절 신호를 집광 렌즈(70)를 통해 라인 이미지 센서(71)에 보낸다. 상기 라인 이미지 센서(71)는, 회절 격자(69)에 의해 회절된 반사광의 각 파장에 있어서의 광 강도를 검출하고, 검출 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다.In the second path 6b, a correction lens 68, a diffraction grating 69, a condensing lens 70, and a line image sensor 71 are provided. The correction lens 68 is reflected by the reflection mirror 67 to reverse the fourth path 6d, the second light diverging means 64, the correction lens 63, and the first path 6a. The reflected light guided from the first light diverging means 62 to the second path 6b, and the objective condensing lens 65 and the condensing lens 66 and the reflection light reflected from the workpiece W held in the chuck table 36 The two light diverging means 64 and the correction lens 63 and the first path 6a are reversed to form reflected light guided from the first light diverging means 62 to the second path 6b as parallel light. The diffraction grating 69 diffracts the interference of the two reflected light formed as parallel light by the calibration lens 68, and the line image sensor 71 through the condensing lens 70 to diffraction signals corresponding to each wavelength Sends to The line image sensor 71 detects the light intensity at each wavelength of the reflected light diffracted by the diffraction grating 69, and sends the detection signal to control means described later.

후술하는 제어 수단은, 라인 이미지 센서(71)에 의한 검출 신호로부터 분광 간섭 파형을 구하고, 상기 분광 간섭 파형과 이론상의 파형 함수에 기초하여 파형 해석을 실행하며, 제3 경로(6c)에 있어서의 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)까지의 광로 길이와 제4 경로(6d)에 있어서의 반사 미러(67)까지의 광로 길이의 광로 길이차를 구하고, 상기 광로 길이차에 기초하여 척 테이블(36)의 표면으로부터 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)의 상면까지의 거리, 즉 피가공물(W)의 상면 높이 위치를 구한다. 한편, 분광 간섭 파형과 이론상의 파형 함수에 기초하여 실행하는 푸리에 변환 이론에 기초한 파형 해석에 대해서는, 예컨대 일본 특허 공개 제2011-122894호 공보에 기재되어 있고, 상세한 설명은 생략한다.The control means, which will be described later, obtains a spectral interference waveform from the detection signal by the line image sensor 71, performs waveform analysis based on the spectral interference waveform and the theoretical waveform function, in the third path 6c. The optical path length difference between the optical path length to the workpiece W held in the chuck table 36 and the optical path length to the reflection mirror 67 in the fourth path 6d is determined, and based on the optical path length difference The distance from the surface of the chuck table 36 to the top surface of the workpiece W held on the chuck table 36, that is, the position of the top surface height of the workpiece W is obtained. On the other hand, waveform analysis based on the Fourier transform theory performed based on the spectral interference waveform and the theoretical waveform function is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2011-122894, and detailed description is omitted.

도 2에 기초하여 설명을 계속하면, 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)의 유닛 하우징(52)(도 1 참조)에 설치된 레이저 광선 조사 수단(8)은, 펄스 레이저 광선 발진 수단(81)과, 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단(81)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 상기 대물 집광 렌즈(65)를 향하여 방향 변환하는 다이크로익 미러(82)를 구비하고 있다. 펄스 레이저 광선 발진 수단(81)은, YAG 레이저 발진기 혹은 YVO4 레이저 발진기로 이루어지는 펄스 레이저 광선 발진기(811)와, 이것에 부설된 반복 주파수 설정 수단(812)으로 구성되어 있고, 예컨대 파장이 1064 ㎚인 펄스 레이저 광선을 발진한다. 다이크로익 미러(82)는, 상기 집광 렌즈(66)와 대물 집광 렌즈(65) 사이에 설치되고, 집광 렌즈(66)로부터의 광은 통과시키지만, 펄스 레이저 광선 발진 수단(81)으로부터 발진된, 예컨대 파장이 1064 ㎚인 펄스 레이저 광선을 대물 집광 렌즈(65)를 향하여 방향 변환시킨다. 따라서, 펄스 레이저 광선 발진 수단(81)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선(LB)은, 다이크로익 미러(82)에 의해 90도 방향 변환되어 대물 집광 렌즈(65)에 입광하고, 대물 집광 렌즈(65)에 의해 집광되어 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)에 조사된다. 따라서, 대물 집광 렌즈(65)는, 레이저 광선 조사 수단(8)을 구성하는 대물 집광 렌즈로서의 기능을 갖는다.Continuing the explanation based on FIG. 2, the laser beam irradiation means 8 provided in the unit housing 52 (see FIG. 1) of the position detection and laser irradiation unit 5 includes pulse laser beam oscillation means 81. , A dichroic mirror 82 that converts the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillation means 81 toward the objective condenser lens 65. The pulse laser beam oscillation means 81 is composed of a pulse laser beam oscillator 811 composed of a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator, and a repetition frequency setting means 812 attached thereto, for example, having a wavelength of 1064 nm. Pulsed laser light is oscillated. The dichroic mirror 82 is provided between the condensing lens 66 and the objective condensing lens 65 and passes light from the condensing lens 66, but oscillated from the pulse laser beam oscillation means 81 For example, a pulse laser beam having a wavelength of 1064 nm is redirected toward the objective condenser lens 65. Therefore, the pulse laser beam LB oscillated from the pulse laser beam oscillation means 81 is 90-degree-directed converted by the dichroic mirror 82, incident on the objective condenser lens 65, and the objective condenser lens 65 ), And irradiated to the workpiece W held on the chuck table 36. Therefore, the objective condenser lens 65 has a function as an objective condenser lens constituting the laser beam irradiation means 8.

도 1로 되돌아가 설명을 계속하면, 도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치(1)는, 유닛 홀더(51)를 가동 지지 베이스(42)의 장착부(422)에 설치된 한쌍의 안내 레일(423, 423)을 따라 화살표 Z로 나타내는 집광점 위치 조정 방향(Z축 방향) 즉 척 테이블(36)의 유지면에 대하여 수직인 방향으로 이동시키기 위한 집광점 위치 결정 수단(53)을 구비하고 있다. 집광점 위치 결정 수단(53)은, 한쌍의 안내 레일(423, 423) 사이에 설치된 수나사 로드(도시하지 않음)와, 상기 수나사 로드를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(532) 등의 구동원을 포함하고 있고, 펄스 모터(532)에 의해 도시하지 않은 수나사 로드를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 상기 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)을 안내 레일(423, 423)을 따라 Z축 방향으로 이동시킨다. 한편, 도시된 실시형태에 있어서는 펄스 모터(532)를 정회전 구동시킴으로써 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)을 위쪽으로 이동시키며, 펄스 모터(532)를 역회전 구동시킴으로써 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)을 아래쪽으로 이동시키도록 되어 있다.Returning to FIG. 1 and continuing the explanation, the laser processing apparatus 1 in the illustrated embodiment includes a pair of guide rails 423 in which the unit holder 51 is installed in the mounting portion 422 of the movable support base 42. A light collecting point positioning means 53 for moving in the direction perpendicular to the holding surface of the chuck table 36, that is, the light collecting point position adjusting direction (Z axis direction) indicated by the arrow Z along 423 is provided. The condensing point positioning means 53 includes a driving source such as a male screw rod (not shown) provided between a pair of guide rails 423 and 423, and a pulse motor 532 for rotationally driving the male screw rod. Thereafter, the male and female rods (not shown) are driven by the pulse motor 532 to be rotated forward and reverse to move the position detection and laser irradiation unit 5 along the guide rails 423 and 423 in the Z-axis direction. On the other hand, in the illustrated embodiment, the position detection and laser irradiation unit 5 is moved upward by driving the pulse motor 532 forward rotation, and the position detection and laser irradiation unit is driven by driving the pulse motor 532 reverse rotation ( 5) is to be moved downward.

도시된 실시형태에 있어서의 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)은, 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)을 구성하는 유닛 하우징(52)의 집광점 위치 조정 방향(Z축 방향) 위치를 검출하기 위한 Z축 방향 위치 검출 수단(54)을 구비하고 있다. Z축 방향 위치 검출 수단(54)은, 상기 안내 레일(423, 423)과 평행하게 설치된 리니어 스케일(54a)과, 상기 유닛 홀더(51)에 부착되어 유닛 홀더(51)와 함께 리니어 스케일(54a)을 따라 이동하는 판독 헤드(54b)로 이루어져 있다. 이 Z축 방향 위치 검출 수단(54)의 판독 헤드(54b)는, 도시된 실시형태에 있어서는 0.1 ㎛마다 1 펄스의 펄스 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다.The position detection and laser irradiation unit 5 in the illustrated embodiment detects the position of the light collecting point position adjustment direction (Z-axis direction) of the unit housing 52 constituting the position detection and laser irradiation unit 5. A Z-axis position detection means 54 is provided. The Z-axis direction position detecting means 54 is attached to the unit holder 51 and the linear scale 54a installed parallel to the guide rails 423 and 423, and the linear scale 54a together with the unit holder 51 It consists of a read head (54b) moving along the. In the illustrated embodiment, the read head 54b of the Z-axis direction position detecting means 54 sends a pulse signal of 1 pulse every 0.1 μm to control means described later.

상기 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)을 구성하는 유닛 하우징(52)의 전단부에는, 촬상 수단(85)이 설치되어 있다. 이 촬상 수단(85)은, 가시 광선에 의해 촬상하는 통상의 촬상 소자(CCD) 외에, 피가공물에 적외선을 조사하는 적외선 조명 수단과, 상기 적외선 조명 수단에 의해 조사된 적외선을 포착하는 광학계와, 상기 광학계에 의해 포착된 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 촬상 소자(적외선 CCD) 등으로 구성되어 있고, 촬상한 화상 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다.The imaging means 85 is provided at the front end of the unit housing 52 constituting the position detection and laser irradiation unit 5. The imaging means 85 includes, in addition to a normal imaging element (CCD) for imaging with visible light, an infrared illumination means for irradiating infrared light to a workpiece, and an optical system for capturing infrared rays emitted by the infrared illumination means, It consists of an imaging element (infrared CCD) or the like that outputs an electrical signal corresponding to infrared rays captured by the optical system, and sends the captured image signal to control means described later.

도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치(1)는, 도 3에 도시된 제어 수단(9)을 구비하고 있다. 제어 수단(9)은 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 제어 프로그램에 따라 연산 처리하는 중앙 처리 장치(CPU)(91)와, 제어 프로그램 등을 저장하는 리드 온리 메모리(ROM)(92)와, 후술하는 제어 맵이나 피가공물의 설계값의 데이터나 연산 결과 등을 저장하는 기록 및 판독 가능한 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)와, 카운터(94)와, 입력 인터페이스(95) 및 출력 인터페이스(96)를 구비하고 있다. 이와 같이 구성된 제어 수단(9)의 입력 인터페이스(95)에는, 상기 X축 방향 위치 검출 수단(374), Y축 방향 위치 검출 수단(384), Z축 방향 위치 검출 수단(54), 높이 위치 검출 수단(6)의 라인 이미지 센서(71), 촬상 수단(85), 입력 수단(90) 등으로부터의 검출 신호가 입력된다. 그리고, 제어 수단(9)의 출력 인터페이스(96)로부터는, 상기 펄스 모터(372), 펄스 모터(382), 펄스 모터(432), 펄스 모터(532), 집광점 위치 조정 수단(650), 레이저 광선 조사 수단(8)의 펄스 레이저 광선 발진기(811) 및 반복 주파수 설정 수단(812), 표시 수단(900) 등에 제어 신호를 출력한다.The laser processing apparatus 1 in the illustrated embodiment is provided with the control means 9 shown in FIG. 3. The control means 9 is constituted by a computer, a central processing unit (CPU) 91 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 92 that stores a control program and the like, which will be described later. A recordable and readable random access memory (RAM) 93, a counter 94, an input interface 95, and an output interface 96 that store data or calculation results of the control map or work piece design values, etc. I have it. In the input interface 95 of the control means 9 configured as described above, the X-axis direction position detection means 374, Y-axis direction position detection means 384, Z-axis direction position detection means 54, and height position detection The detection signal from the line image sensor 71, the imaging means 85, the input means 90, etc. of the means 6 is input. Then, from the output interface 96 of the control means 9, the pulse motor 372, the pulse motor 382, the pulse motor 432, the pulse motor 532, the condensing point position adjustment means 650, The control signal is output to the pulse laser beam oscillator 811 of the laser beam irradiation means 8, the repetition frequency setting means 812, the display means 900, and the like.

도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하 그 작용에 대해서 설명한다.The laser processing apparatus 1 in the illustrated embodiment is configured as described above, and its operation will be described below.

도 4에는, 피가공물로서의 반도체 웨이퍼의 사시도가 도시되어 있다. 도 4에 도시된 반도체 웨이퍼(10)는, 예컨대 두께가 200 ㎛인 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(10a)에는 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(101)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(102)가 형성되어 있다. 이와 같이 형성된 반도체 웨이퍼(10)는, 도 5에 도시하는 바와 같이 환형 프레임(F)에 장착된 폴리올레핀 등의 합성 수지 시트로 이루어지는, 예컨대 두께가 100 ㎛인 보호 테이프(T)에 표면(10a)측을 접착한다(보호 테이프 접착 공정). 따라서, 반도체 웨이퍼(10)는, 이면(10b)이 상측이 된다.4, a perspective view of a semiconductor wafer as a workpiece is shown. The semiconductor wafer 10 shown in FIG. 4 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 200 µm, and the surface 10a has ICs in a plurality of regions partitioned by a plurality of division scheduled lines 101 formed in a lattice shape. , LSI, and other devices 102 are formed. The semiconductor wafer 10 thus formed is made of a synthetic resin sheet such as polyolefin mounted on an annular frame F as shown in Fig. 5, for example, a surface 10a on a protective tape T having a thickness of 100 µm. The side is adhered (protective tape adhesion process). Therefore, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is on the upper side.

전술한 레이저 가공 장치를 이용하여, 상기 반도체 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(101)을 따라 레이저 광선을 조사하고, 반도체 웨이퍼(10)의 내부에 분할 예정 라인(101)을 따라 개질층을 형성하는 레이저 가공의 실시형태에 대해서 설명한다. 한편, 반도체 웨이퍼(10)의 내부에 개질층을 형성할 때에, 반도체 웨이퍼의 두께에 변동이 있으면, 정해진 깊이로 균일하게 개질층을 형성할 수 없다. 그래서, 레이저 가공을 실시하기 전에, 전술한 높이 위치 검출 수단(6)에 의해 척 테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 상면 높이 위치를 계측한다.Using the laser processing apparatus described above, the laser beam is irradiated along the line 101 to be divided of the semiconductor wafer 10, and a modified layer is formed along the line 101 to be divided inside the semiconductor wafer 10. The embodiment of the laser processing to be described will be described. On the other hand, when the modifying layer is formed inside the semiconductor wafer 10, if the thickness of the semiconductor wafer fluctuates, the modifying layer cannot be uniformly formed at a predetermined depth. Therefore, before performing laser processing, the height position of the upper surface of the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 is measured by the height position detecting means 6 described above.

척 테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 상면 높이 위치를 계측하기 위해서는, 우선 전술한 도 1에 도시된 레이저 가공 장치(1)의 척 테이블(36) 상에 반도체 웨이퍼(10)의 보호 테이프(T)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시킴으로써, 보호 테이프(T)를 통해 반도체 웨이퍼(10)를 척 테이블(36) 상에 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(36) 상에 보호 테이프(T)를 통해 유지된 반도체 웨이퍼(10)는, 이면(10b)이 상측이 된다. 이와 같이 하여, 웨이퍼 유지 공정을 실시하였다면, 가공 이송 수단(37)을 작동하시켜 반도체 웨이퍼(10)를 흡인 유지한 척 테이블(36)을 촬상 수단(85)의 바로 아래에 위치시킨다.In order to measure the position of the height of the top surface of the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36, first, of the semiconductor wafer 10 on the chuck table 36 of the laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1 described above. The protective tape T is disposed. Then, by operating the suction means (not shown), the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36 through the protective tape T (wafer holding process). Therefore, in the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 via the protective tape T, the back surface 10b is on the upper side. In this way, if the wafer holding process is performed, the chuck table 36 holding the semiconductor wafer 10 by suction is placed under the imaging means 85 by operating the machining transfer means 37.

척 테이블(36)이 촬상 수단(85)의 바로 아래에 위치되면, 촬상 수단(85) 및 제어 수단(9)에 의해 반도체 웨이퍼(10)의 레이저 가공하여야 하는 가공 영역을 검출하는 얼라이먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(85) 및 제어 수단(9)은, 반도체 웨이퍼(10)의 정해진 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(101)과, 상기 분할 예정 라인(101)을 따라 반도체 웨이퍼(10)의 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)을 구성하는 높이 위치 검출 수단(6)의 대물 집광 렌즈(65)의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하고, 검출 위치의 얼라이먼트를 수행한다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)에 형성되어 있는 정해진 방향과 직교하는 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(101)에 대해서도, 마찬가지로 검출 위치의 얼라이먼트가 수행된다. 이때, 반도체 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(101)이 형성되어 있는 표면(10a)은 하측에 위치하고 있지만, 촬상 수단(85)이 전술한 바와 같이 적외선 조명 수단과 적외선을 포착하는 광학계 및 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 촬상 소자(적외선 CCD) 등으로 구성된 촬상 수단을 구비하고 있기 때문에, 이면(10b)으로부터 투과하여 분할 예정 라인(101)을 촬상할 수 있다.When the chuck table 36 is located directly under the imaging means 85, an alignment operation is performed by the imaging means 85 and the control means 9 to detect the processing area to be laser-processed on the semiconductor wafer 10. do. That is, the imaging means 85 and the control means 9 are formed of a division scheduled line 101 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 10 and a semiconductor wafer 10 along the division scheduled line 101. Image processing such as pattern matching for aligning the objective condenser lens 65 of the height position detecting means 6 constituting the position detecting / laser irradiation unit 5 is performed, and alignment of the detection position is performed. . In addition, alignment of the detection position is similarly performed for the division scheduled line 101 formed in a direction orthogonal to a predetermined direction formed on the semiconductor wafer 10. At this time, the surface 10a on which the division scheduled line 101 of the semiconductor wafer 10 is formed is located at the lower side, but as described above, the imaging means 85 uses infrared illumination means and infrared and optical systems for capturing infrared rays. Since an imaging means composed of an imaging element (infrared CCD) or the like for outputting a corresponding electric signal is provided, the division scheduled line 101 can be imaged by transmitting from the back surface 10b.

전술한 바와 같이 얼라이먼트가 행해지면, 척 테이블(36) 상의 반도체 웨이퍼(10)는, 도 6의 (a)에 도시된 좌표 위치에 위치된 상태가 된다. 또한, 도 6의 (b)는 척 테이블(36), 즉 분할 예정 라인을 도 6의 (a)에 도시된 상태로부터 90도 회전한 상태를 도시하고 있다.When alignment is performed as described above, the semiconductor wafer 10 on the chuck table 36 is in a position located at the coordinate position shown in Fig. 6A. 6 (b) shows a state in which the chuck table 36, that is, the line to be divided is rotated 90 degrees from the state shown in FIG. 6 (a).

한편, 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에 도시된 좌표 위치에 위치된 상태에 있어서의 광 디바이스 웨이퍼(10)에 형성된 각 분할 예정 라인(101)의 이송 개시 위치 좌표값(A1, A2, A3···An)과 이송 종료 위치 좌표값(B1, B2, B3···Bn) 및 이송 개시 위치 좌표값(C1, C2, C3···Cn)과 이송 종료 위치 좌표값(D1, D2, D3···Dn)은, 그 설계값의 데이터가 제어 수단(9)의 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)에 저장되어 있다.On the other hand, the transfer start position coordinate value A1 of each division scheduled line 101 formed on the optical device wafer 10 in the state located at the coordinate positions shown in Figs. 6A and 6B. , A2, A3 ... An) and the feed end position coordinate values (B1, B2, B3 ... Bn) and feed start position coordinate values (C1, C2, C3 ... Cn) and feed end position coordinate values ( In D1, D2, D3 ... Dn, the data of the design value is stored in the random access memory (RAM) 93 of the control means 9.

전술한 바와 같이 척 테이블(36) 상에 유지되어 있는 반도체 웨이퍼(10)에 형성된 스트리트(101)를 검출하고, 검출 위치의 얼라이먼트가 행하여졌다면, 척 테이블(36)을 이동시켜 도 6의 (a)에 있어서 최상위의 스트리트(101)를 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)을 구성하는 높이 위치 검출 수단(6)의 대물 렌즈(65)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 또한 도 7에 도시하는 바와 같이 반도체 웨이퍼(10)의 스트리트(101)의 일단(도 7에 있어서 좌단)인 이송 개시 위치 좌표값(A1)[도 6의 (a) 참조]을 대물 렌즈(65)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 높이 위치 검출 수단(6)을 작동시키며, 척 테이블(36)을 도 7에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 정해진 이송 속도(예컨대, 200 ㎜/초)로 이동시키고, X축 방향 위치 검출 수단(374)으로부터의 검출 신호에 기초하여 이송 종료 위치 좌표값(B1)까지 이동시킨다(높이 위치 검출 공정). 이 결과, 반도체 웨이퍼(10)의 도 6의 (a)에 있어서 최상위의 스트리트(101)를 따라 상면의 높이 위치가 높이 위치 검출 수단(6)에 의해 전술한 바와 같이 계측된다. 이 계측된 높이 위치는, 상기 제어 수단(9)의 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)에 저장된다. 그리고, 제어 수단(9)은, 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)에 저장된 도 6의 (a)에 있어서 최상위의 스트리트(101)에 있어서의 개시 위치 좌표값(A1)부터 이송 종료 위치 좌표값(B1)까지의 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량을 구하고, 도 8에 도시하는 높이 위치 변위 맵을 작성하여 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)에 저장한다. 이 높이 위치 검출 공정을 반도체 웨이퍼(10)에 형성된 모든 스트리트(101)를 따라 실시하고, 상기 높이 위치 변위 맵을 작성하여 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)에 저장한다.As described above, when the street 101 formed on the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 is detected and alignment of the detection position is performed, the chuck table 36 is moved to move the FIG. In), the uppermost street 101 is positioned directly below the objective lens 65 of the height position detecting means 6 constituting the position detecting and laser irradiation unit 5. Further, as shown in Fig. 7, the objective lens is the transfer starting position coordinate value A1 (see Fig. 6 (a)), which is one end (left end in Fig. 7) of the street 101 of the semiconductor wafer 10. It is located beneath (65). Then, the height position detecting means 6 is operated, and the chuck table 36 is moved at a feed rate (for example, 200 mm / sec) determined in the direction indicated by the arrow X1 in Fig. 7, and the X-axis direction position detecting means Based on the detection signal from 374, it is moved to the transfer end position coordinate value B1 (height position detection process). As a result, the height position of the upper surface along the uppermost street 101 in FIG. 6 (a) of the semiconductor wafer 10 is measured as described above by the height position detection means 6. This measured height position is stored in the random access memory (RAM) 93 of the control means 9. Then, the control means 9 moves from the start position coordinate value A1 on the top street 101 in the top street 101 in Fig. 6 (a) stored in the random access memory (RAM) 93 to the end position coordinate value. The displacement amount with respect to the reference height position of the height position up to (B1) is obtained, and a height position displacement map shown in Fig. 8 is created and stored in the random access memory (RAM) 93. This height position detection process is performed along all the streets 101 formed on the semiconductor wafer 10, and the height position displacement map is created and stored in a random access memory (RAM) 93.

전술한 높이 위치 검출 공정을 실시하였다면, 계측된 반도체 웨이퍼(10)의 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량을 구한 높이 위치 변위 맵에 따라, 상기 집광점 위치 조정 수단(650)이 추종하여 작동하는지의 여부를 확인하는 집광점 위치 조정 수단의 작동 확인 공정을 실시한다. 이 집광점 위치 조정 수단의 작동 확인 공정은, 상기 높이 위치 변위 맵을 작성할 때에 있어서의, 제어 수단(9)에 입력된 X축 방향 위치 검출 수단(374)으로부터의 검출 신호와 높이 위치 검출 수단(6)으로부터의 높이 위치 신호가 신호 전달 경로 등의 관계로 반드시 동시각에 검출된 신호가 아닌 경우가 있으며, 이 신호의 어긋남을 확인하고, 집광점 위치 조정 수단(650)의 응답 지연을 확인하기 위해 실시한다.If the above-described height position detection process has been carried out, according to the height position displacement map obtained the amount of displacement of the measured height position of the semiconductor wafer 10 relative to the reference height position, the condensing point position adjustment means 650 follows and operates. A process of confirming the operation of the condensing point position adjusting means to confirm whether or not is performed. In the operation confirmation step of the condensing point position adjusting means, the detection signal from the X-axis direction position detecting means 374 input to the control means 9 and the height position detecting means when creating the height position displacement map ( In some cases, the height position signal from 6) is not necessarily the signal detected at the same time due to the signal transmission path, etc., and confirm the deviation of this signal, and the response delay of the condensing point position adjusting means 650 To conduct.

집광점 위치 조정 수단(650)의 작동 확인 공정은, 우선, 높이 위치 검출 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(10)를 유지한 척 테이블(36)을 이동시켜, 예컨대 도 6의 (a)에 있어서 최상위의 스트리트(101)를 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛(5)을 구성하는 높이 위치 검출 수단(6)의 대물 렌즈(65)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 또한 도 9에 도시하는 바와 같이 반도체 웨이퍼(10)의 스트리트(101)의 일단(도 9에 있어서 좌단)인 이송 개시 위치 좌표값(A1)[도 6의 (a) 참조]을 대물 렌즈(65)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 제어 수단(9)은, 집광점 위치 결정 수단(53)을 작동시켜 대물 렌즈(65)의 집광점 위치를 기준 높이 위치에 위치시킨다. 다음에, 제어 수단(9)은, 가공 이송 수단(37)을 작동시켜 척 테이블(36)을 도 9에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 정해진 이송 속도(예컨대, 200 ㎜/초)로 이동시키면서, 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)에 저장된 높이 위치 변위 맵의 X 좌표에 있어서의 기준 높이 위치에 대한 변위량에 대응하여 집광점 위치 조정 수단(650)을 제어하며, 높이 위치 검출 수단(6)을 작동시켜 높이 위치 검출 수단(6)이 검출하는 높이 정보를 X축 방향 위치 검출 수단(374)으로부터의 검출 신호에 기초한 X 좌표와 대응시켜 구한다. 그리고, 제어 수단(9)은 X 좌표에 대응하는 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량을 구하여, 도 10의 (a) 또는 (b)에 도시하는 바와 같이 표시 수단(900)에 표시한다.The operation confirmation process of the condensing point position adjusting means 650 first moves the chuck table 36 holding the semiconductor wafer 10 on which the height position detection process has been performed, for example in FIG. 6 (a). The street 101 of is placed directly under the objective lens 65 of the height position detecting means 6 constituting the position detecting and laser irradiation unit 5. Then, as shown in Fig. 9, the objective lens is a transfer starting position coordinate value A1 (see Fig. 6 (a)), which is one end (left end in Fig. 9) of the street 101 of the semiconductor wafer 10. It is located beneath (65). Then, the control means 9 operates the focusing point positioning means 53 to position the focusing point position of the objective lens 65 at the reference height position. Next, the control means 9 moves the machining feed means 37 to move the chuck table 36 at a feed speed (for example, 200 mm / sec) determined in the direction indicated by arrow X1 in FIG. 9, The converging point position adjusting means 650 is controlled in response to the displacement amount with respect to the reference height position in the X coordinate of the height position displacement map stored in the random access memory (RAM) 93, and the height position detecting means 6 is used. In operation, the height information detected by the height position detecting means 6 is obtained by correlating with the X coordinate based on the detection signal from the X-axis direction position detecting means 374. Then, the control means 9 obtains the displacement amount with respect to the reference height position of the height position corresponding to the X coordinate, and displays it on the display means 900 as shown in Fig. 10A or 10B.

전술한 집광점 위치 조정 수단의 작동 확인 공정에 있어서 표시 수단(900)에 표시된 X 좌표에 대응하는 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량은, 높이 위치 변위 맵이 제어 수단(9)에 입력된 X축 방향 위치 검출 수단(374)으로부터의 검출 신호와 높이 위치 검출 수단(6)으로부터의 높이 위치 신호가 동시각에 검출된 신호에 기초하여 작성되고, 또한, 집광점 위치 조정 수단(650)의 작동 지연이 없는 경우에는, 집광점 위치 조정 수단(650)의 작동이 반도체 웨이퍼(10)의 높이 위치에 적정하게 추종하여, 도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이, X축을 따라 대략 직선이 된다. 한편, 높이 위치 변위 맵이 제어 수단(9)에 입력된 X축 방향 위치 검출 수단(374)으로부터의 검출 신호와 높이 위치 검출 수단(6)으로부터의 높이 위치 신호가 시간적으로 어긋난 신호에 기초하여 작성된 것이며, 또는 집광점 위치 조정 수단(650)의 작동 지연이 있는 경우에는, 집광점 위치 조정 수단(650)의 작동이 반도체 웨이퍼(10)의 높이 위치에 적정하게 추종하지 않고, 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, X 좌표에 대응하는 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량이 크게 변동한다. 이 X 좌표에 대응하는 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량의 변동폭이 허용 범위이면, 제어 수단(9)은 높이 위치 변위 맵에 기초한 제어는 적정하다고 판단하여 표시 수단(900)에 적정 표시를 한다. 한편, X 좌표에 대응하는 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량의 변동폭이 허용 범위 밖인 경우에는, 제어 수단(9)은 높이 위치 변위 맵 및/또는 집광점 위치 조정 수단(650)의 응답성은 적정하지 않다고 판단하여 표시 수단(900)에 불가 표시를 한다.In the operation confirmation process of the above-mentioned focusing point position adjusting means, the displacement amount with respect to the reference height position of the height position corresponding to the X coordinate displayed on the display means 900 is X in which the height position displacement map is input to the control means 9 The detection signal from the axial position detection means 374 and the height position signal from the height position detection means 6 are created based on the signals detected at the same time, and the operation of the condensing point position adjustment means 650 is also performed. When there is no delay, the operation of the light-converging point position adjusting means 650 properly follows the height position of the semiconductor wafer 10, and as shown in Fig. 10 (a), becomes substantially straight along the X axis. . On the other hand, the height position displacement map is generated based on a signal in which the detection signal from the X-axis direction position detection means 374 input to the control means 9 and the height position signal from the height position detection means 6 are shifted in time. Or, when there is a delay in the operation of the light-converging point position adjusting means 650, the operation of the light-converging point position adjusting means 650 does not properly follow the height position of the semiconductor wafer 10, and is shown in FIG. As shown in), the displacement amount with respect to the reference height position of the height position corresponding to the X coordinate varies greatly. If the fluctuation range of the displacement amount with respect to the reference height position of the height position corresponding to this X coordinate is an allowable range, the control means 9 judges that the control based on the height position displacement map is appropriate and displays it appropriately on the display means 900 . On the other hand, when the fluctuation range of the displacement amount with respect to the reference height position of the height position corresponding to the X coordinate is outside the allowable range, the control means 9 is suitable for the responsiveness of the height position displacement map and / or the converging point position adjustment means 650. It is judged that it is not, and the display means 900 is marked as impossible.

전술한 바와 같이 표시 수단(900)에 불가 표시되면 오퍼레이터는, 상기 X 좌표에 대응하는 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량의 변동폭에 대응하는 보정값을 구하여 보정값 검출 공정을 실시한다. 즉, 오퍼레이터가 입력 수단(90)으로부터 보정값 검출 지시 신호를 입력하면, 제어 수단(9)은, 상기 작동 확인 공정과 마찬가지로 가공 이송 수단(37), 높이 위치 검출 수단(6), 집광점 위치 조정 수단(650)을 작동시키면서, 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)에 저장된 높이 위치 변위 맵에 있어서의 X 좌표와, 척 테이블의 X 좌표 사이에 어긋남을 생기게 하여 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량의 변동폭이 허용 범위가 되도록 조정해 간다. 그리고, 제어 수단(9)은, 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량의 변동폭이 허용 범위 내가 되었을 때의 X 좌표의 어긋남량(x ㎛)을 보정값으로서 결정하여, 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)에 저장하며, 표시 수단(900)에 표시한다.As described above, when it is impossible to display on the display means 900, the operator obtains a correction value corresponding to the fluctuation width of the displacement amount with respect to the reference height position of the height position corresponding to the X coordinate, and performs a correction value detection process. That is, when the operator inputs the correction value detection instruction signal from the input means 90, the control means 9, like the above operation confirmation process, the processing transfer means 37, the height position detection means 6, the condensing point position While operating the adjusting means 650, a shift is generated between the X coordinate in the height position displacement map stored in the random access memory (RAM) 93 and the X coordinate of the chuck table, so that the reference position of the height position is relative to the reference position. The displacement amount of the displacement amount is adjusted to be within the allowable range. Then, the control means 9 determines the amount of displacement (x µm) of the X coordinate when the variation width of the displacement amount with respect to the reference height position of the height position is within the allowable range, as a correction value, and the random access memory (RAM) ( 93) and display on the display means 900.

이상과 같이 하여 집광점 위치 조정 수단의 작동 확인 공정 및 보정값 검출 공정을 실시하였다면, 반도체 웨이퍼(10)의 내부에 분할 예정 라인(101)을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 실시한다.If the operation confirmation process and the correction value detection process of the condensing point position adjusting means are performed as described above, a modification layer forming process is performed to form a modification layer along the line 101 to be divided inside the semiconductor wafer 10. .

이 개질층 형성 공정을 실시하기 위해서는, 우선 척 테이블(36)을 이동시켜 도 6의 (a)에서 최상위의 분할 예정 라인(101)을 대물 집광 렌즈(65)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 또한 도 11의 (a)에서 도시하는 바와 같이 분할 예정 라인(101)의 일단[도 11의 (a)에 있어서 좌단]인 이송 개시 위치 좌표값(A1)[도 6의 (a) 참조]을 대물 집광 렌즈(65)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 레이저 광선 조사 수단(8)을 구성하는 대물 집광 렌즈(65)로부터 조사되는 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 분할 예정 라인(101)의 이면(10b)(상면)으로부터 정해진 깊이 위치에 위치시킨다. 다음에, 레이저 광선 조사 수단(8)을 작동시켜, 대물 렌즈(65)로부터 반도체 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척 테이블(36)을 화살표 X1로 나타내는 방향으로 정해진 가공 이송 속도(예컨대, 200 ㎜/초)로 이동시킨다(개질층 형성 공정). 그리고, 도 11의 (b)에서 도시하는 바와 같이, 대물 집광 렌즈(65)의 조사 위치가 분할 예정 라인(101)의 타단[도 11의 (b)에 있어서 우단]에 도달하였다면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지하며, 척 테이블(36)의 이동을 정지한다. 이 개질층 형성 공정에 있어서는, 제어 수단(9)은 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)에 저장된 반도체 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(101)에 있어서의 높이 위치 변위 맵에 기초하여, 집광점 위치 조정 수단(650)을 제어하고, 대물 집광 렌즈(65)를 Z축 방향(집광점 위치 조정 방향)으로 이동시켜 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이 반도체 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(101)에 있어서의 이면(10b)(상면)의 높이 위치에 대응하여 상하 방향으로 이동시킨다. 이때, 상기 보정값 검출 공정에 구한 어긋남량(x ㎛)(보정값)이 설정되어 있는 경우에는, X축 방향 위치 검출 수단(374)으로부터의 검출 신호를 어긋남량(x ㎛)(보정값)에 따라 보정한 값을 척 테이블의 X 좌표로 한다. 이 결과, 광 디바이스 웨이퍼(10)의 내부에는, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 이면(10b)(상면)으로부터 정해진 깊이 위치에 이면(10b)(상면)과 평행하게 개질층(110)이 형성된다.In order to carry out this modified layer formation process, first, the chuck table 36 is moved, and the top line to be divided 101 in FIG. 6 (a) is positioned immediately below the objective condenser lens 65. Then, as shown in Fig. 11 (a), the transfer starting position coordinate value A1 (see Fig. 6 (a)) which is one end of the division scheduled line 101 (the left end in Fig. 11 (a)). ] Is placed directly under the objective condenser lens 65. Then, the converging point P of the pulsed laser beam irradiated from the objective condensing lens 65 constituting the laser beam irradiating means 8 is located at a predetermined depth position from the back surface 10b (upper surface) of the division scheduled line 101. Position it. Next, the laser beam irradiation means 8 is operated to irradiate the semiconductor wafer 10 from the objective lens 65 while irradiating a pulsed laser beam having a transmittance to the semiconductor wafer 10 in the direction indicated by the arrow X1. It moves at a fixed processing feed rate (for example, 200 mm / sec) (modified layer formation process). Then, as shown in Fig. 11B, if the irradiation position of the objective condenser lens 65 reaches the other end of the division scheduled line 101 (the right end in Fig. 11B), the pulse laser beam Is stopped, and movement of the chuck table 36 is stopped. In this modified layer forming process, the control means 9 is based on the height position displacement map in the division scheduled line 101 of the semiconductor wafer 10 stored in the random access memory (RAM) 93, and the light collecting point. By controlling the position adjusting means 650 and moving the objective condensing lens 65 in the Z-axis direction (condensing point position adjusting direction), the line to be divided of the semiconductor wafer 10 as shown in Fig. 11B. It moves in the vertical direction corresponding to the height position of the back surface 10b (top surface) in (101). At this time, when the deviation amount (x µm) (correction value) obtained in the correction value detection step is set, the detection signal from the X-axis direction position detection means 374 is the deviation amount (x µm) (correction value) The corrected value is set as the X coordinate of the chuck table. As a result, inside the optical device wafer 10, as shown in Fig. 11 (b), a modified layer (parallel to the back surface 10b (top surface) at a predetermined depth position from the back surface 10b (top surface)) 110) is formed.

상기 개질층 형성 공정에 있어서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.The processing conditions in the modified layer forming step are set as follows, for example.

광원: LD 여기 Q 스위치 Nd: YVO4 펄스 레이저Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO4 pulse laser

파장: 1064 ㎚Wavelength: 1064 nm

반복 주파수: 100 ㎑Repetition frequency: 100 kHz

평균 출력: 0.5 WAverage power: 0.5 W

펄스 폭: 120 nsPulse width: 120 ns

집광 스폿 직경: φ1 ㎛Condensing spot diameter: φ1 μm

가공 이송 속도: 200 ㎜/초Processing feed rate: 200 mm / sec

이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼(10)의 정해진 방향으로 연장하는 모든 분할 예정 라인(101)을 따라 상기 개질층 형성 공정을 실행하였다면, 척 테이블(36)을 90도 회동시켜, 상기 정해진 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는 각 분할 예정 라인(101)을 따라 상기 개질층 형성 공정을 실행한다. 이와 같이 하여, 반도체 웨이퍼(10)에 형성된 모든 분할 예정 라인(101)을 따라 상기 개질층 형성 공정을 실행하였다면, 반도체 웨이퍼(10)를 유지하고 있는 척 테이블(36)은, 최초에 반도체 웨이퍼(10)를 흡인 유지한 위치로 복귀되고, 여기서 반도체 웨이퍼(10)의 흡인 유지를 해제한다. 그리고, 반도체 웨이퍼(10)는, 도시하지 않은 반송 수단에 의해 분할 공정에 반송된다.As described above, if the modification layer forming process was performed along all the division scheduled lines 101 extending in the predetermined direction of the semiconductor wafer 10, the chuck table 36 was rotated 90 degrees, with respect to the predetermined direction. The modified layer forming process is performed along each division scheduled line 101 extending in an orthogonal direction. In this way, if the above-described modified layer forming process was performed along all the division scheduled lines 101 formed on the semiconductor wafer 10, the chuck table 36 holding the semiconductor wafer 10 is initially a semiconductor wafer ( 10) is returned to the position where suction is maintained, where suction holding of the semiconductor wafer 10 is released. And the semiconductor wafer 10 is conveyed to the division process by conveying means not shown.

이상과 같이, 도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치(1)에 있어서는, 제어 수단(9)은, 가공 이송 수단(37)을 작동시켜 척 테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)를 X축 방향으로 이동시키면서 높이 위치 검출 수단(6)을 작동시켜 반도체 웨이퍼(10)의 높이 위치를 계측하여 얻은 높이 계측값과 X축 방향 위치 검출 수단(374)으로부터의 검출 신호에 기초한 X 좌표를 기억하는 기억 수단으로서의 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)를 구비하고 있어, 랜덤 액세스 메모리(RAM)(93)에 기억되어 있는 높이 위치 변위 맵에 따라 가공 이송 수단(37)을 작동시켜 척 테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)를 X 좌표를 따라 이동시키면서 X 좌표에 대응하는 높이 계측값에 기초하여 집광점 위치 조정 수단(650)을 제어하여 X 좌표에서의 높이 위치 검출 수단(6)이 검출하는 높이 정보를 표시 수단(900)에 표시함으로써, 척 테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 상면 높이 위치 정보에 추종하여 집광점 위치 조정 수단(650)이 작동하고 있는지의 여부를 확인할 수 있기 때문에, 적정한 위치에 레이저 광선의 집광점을 위치시킬 수 있어 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다.As described above, in the laser processing apparatus 1 in the illustrated embodiment, the control means 9 operates the processing transfer means 37 to move the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36. The X coordinate based on the height measurement value obtained by measuring the height position of the semiconductor wafer 10 by operating the height position detection means 6 while moving in the X-axis direction and the detection signal from the X-axis direction position detection means 374 A random access memory (RAM) 93 serving as a storage means for storing is provided, and the machining transfer means 37 is operated in accordance with a height position displacement map stored in the random access memory (RAM) 93 to operate the chuck table ( 36. The height position detecting means 6 in the X coordinate by controlling the condensing point position adjusting means 650 based on the height measurement value corresponding to the X coordinate while moving the semiconductor wafer 10 held at 36 along the X coordinate By displaying the detected height information on the display means 900, whether or not the light-converging point position adjusting means 650 is operating in accordance with the top surface height position information of the semiconductor wafer 10 held in the chuck table 36. Since it can be confirmed, it is possible to position the light-converging point of the laser beam at an appropriate position, thereby improving processing precision.

이상, 본 발명을 도시된 실시형태에 기초하여 설명하였지만, 본 발명은 실시형태에만 한정되는 것이 아니며 본 발명의 취지의 범위에서 여러가지의 변형은 가능하다. 예컨대, 전술한 실시형태에 있어서는 높이 위치 검출 수단으로서 간섭식의 높이 위치 검출 수단을 예시하여 설명하였지만, 높이 위치 검출 수단으로서는 공초점 광학계 검출 수단, 비초점 수차 검출 수단, 레이저 변위계(3각법) 검출 수단 등을 이용할 수 있다.As described above, the present invention has been described based on the illustrated embodiment, but the present invention is not limited only to the embodiment, and various modifications are possible within the scope of the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the interference type height position detection means has been exemplified and described as the height position detection means, but the height position detection means is a confocal optical system detection means, a non-focus aberration detection means, a laser displacement meter (triangle method) detection. Sudan and the like can be used.

1 : 레이저 가공 장치 2 : 정지 베이스
3 : 척 테이블 기구 36 : 척 테이블
37 : 가공 이송 수단 374 : X축 방향 위치 검출 수단
38 : 제1 인덱싱 이송 수단 4 : 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구
42 : 가동 지지 베이스 43 : 제2 인덱싱 이송 수단
5 : 위치 검출 겸 레이저 조사 유닛 6 : 높이 위치 검출 수단
61 : 발광원 62 : 제1 광 분기 수단
63 : 커리메이션 렌즈 64 : 제2 광 분기 수단
65 : 대물 집광 렌즈 650 : 집광점 위치 조정 수단
66 : 집광 렌즈 67 : 반사 미러
68 : 커리메이션 렌즈 69 : 회절 격자
70 : 집광 렌즈 71 : 라인 이미지 센서
8 : 레이저 광선 조사 수단 81 : 펄스 레이저 광선 발진 수단
82 : 다이크로익 미러 9 : 제어 수단
10 : 반도체 웨이퍼
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser processing apparatus 2 Stop base
3: Chuck table mechanism 36: Chuck table
37: machining feed means 374: X-axis position detection means
38: first indexing transfer means 4: laser beam irradiation unit support mechanism
42: movable support base 43: second indexing transfer means
5: position detection and laser irradiation unit 6: height position detection means
61: light emitting source 62: first light diverging means
63: correction lens 64: second light diverging means
65: objective condenser lens 650: condensing point position adjustment means
66: condensing lens 67: reflective mirror
68: correction lens 69: diffraction grating
70: condensing lens 71: line image sensor
8: Laser beam irradiation means 81: Pulsed laser beam oscillation means
82: dichroic mirror 9: control means
10: semiconductor wafer

Claims (3)

피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 집광하여 조사하는 대물 집광 렌즈를 구비한 레이저 광선 조사 수단과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물의 상면 높이 위치를 검출하는 높이 위치 검출 수단과, 상기 대물 집광 렌즈를 상기 척 테이블의 유지면에 대하여 수직인 방향(Z축 방향)으로 이동시키는 집광점 위치 조정 수단과, 상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 수단을 가공 이송 방향(X축 방향)으로 상대적으로 가공 이송하는 가공 이송 수단과, 상기 척 테이블의 X축 방향 위치를 검출하기 위한 X축 방향 위치 검출 수단, 그리고 상기 집광점 위치 조정 수단과 상기 가공 이송 수단 및 표시 수단에 제어 신호를 출력하는 제어 수단을 포함하는 레이저 가공 장치에 있어서,
상기 제어 수단은, 상기 가공 이송 수단을 작동시켜 상기 척 테이블에 유지된 피가공물을 X축 방향으로 이동시키면서 상기 높이 위치 검출 수단을 작동시켜 피가공물의 높이 위치를 계측하여 얻은 높이 계측값과 상기 X축 방향 위치 검출 수단으로부터의 검출 신호에 기초한 X 좌표를 기억하는 기억 수단을 구비하고, 상기 가공 이송 수단을 작동시켜 상기 척 테이블에 유지된 피가공물을 X축 방향으로 이동시키면서 상기 기억 수단에 기억된 X 좌표에 대응하는 높이 계측값에 기초하여 상기 집광점 위치 조정 수단을 제어하면서 X 좌표에 대응하는 높이 위치의 기준 높이 위치에 대한 변위량을 X 좌표와 대응시켜 표시 수단에 표시하고, 상기 표시 수단에 표시하는 X 좌표와 대응한 상기 변위량의 변동폭이 허용 범위인 경우에는 상기 레이저 광선 조사 수단의 작동을 가능으로 하고, X 좌표와 대응한 상기 변위량의 변동폭이 허용 범위 밖인 경우에는 상기 레이저 광선 조사 수단의 작동을 불가로 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
A laser beam irradiation means having a chuck table having a holding surface for holding a work piece, an objective condensing lens for condensing and irradiating a laser beam onto the work piece held on the chuck table, and a work piece held in the chuck table Height position detecting means for detecting an image height position, condensing point position adjusting means for moving the objective condensing lens in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table (Z-axis direction), the chuck table and the laser beam A machining feed means for relatively machining feed the irradiation means in the machining feed direction (X-axis direction), an X-axis direction position detecting means for detecting the X-axis direction position of the chuck table, and the condensing point position adjusting means and the In the laser processing apparatus including a control means for outputting a control signal to the processing transfer means and the display means,
The control means operates the processing transfer means to move the workpiece held in the chuck table in the X-axis direction while operating the height position detecting means to measure the height position of the workpiece and the height measurement value obtained by X And storage means for storing X coordinates based on the detection signal from the axial position detection means, and operating the machining transfer means to move the workpiece held in the chuck table in the X-axis direction and stored in the storage means. Based on the height measurement value corresponding to the X coordinate, while controlling the condensing point position adjusting means, the displacement amount with respect to the reference height position of the height position corresponding to the X coordinate is displayed on the display means in association with the X coordinate, and the display means When the fluctuation range of the displacement amount corresponding to the displayed X coordinate is within the allowable range, the operation of the laser beam irradiation means is enabled, and when the fluctuation range of the displacement amount corresponding to the X coordinate is outside the allowable range, the laser beam irradiation means Laser processing device characterized in that the operation is disabled.
제1항에 있어서, 상기 제어 수단은, 상기 가공 이송 수단과 상기 높이 위치 검출 수단 및 상기 집광점 위치 조정 수단을 작동시키면서, 상기 기억 수단에 기억된 X 좌표와 대응한 상기 변위량에 있어서의 X 좌표와, 상기 척 테이블의 X 좌표 사이에 어긋남을 생기게 하여 상기 변위량의 변동폭이 허용 범위가 되도록 조정하여, 상기 변위량의 변동폭이 허용 범위 내가 되었을 때의 X 좌표의 어긋남량을 보정값으로서 결정하는 것인 레이저 가공 장치.The X coordinate in the displacement amount according to claim 1, wherein the control means operates the processing feed means, the height position detecting means, and the condensing point position adjusting means while the X coordinate stored in the storage means corresponds to the X coordinate stored in the storage means. And, by making a shift between the X coordinates of the chuck table so that the fluctuation range of the displacement amount is within the allowable range, the displacement amount of the X coordinate when the fluctuation range of the displacement amount is within the allowable range is determined as a correction value. Laser processing equipment. 삭제delete
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