KR102108296B1 - Bake apparatus of substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 적어도 하나 이상의 핀홀이 형성된 핫플레이트; 상기 핀홀에 승강 가능하게 삽입되는 승강핀; 상기 승강핀의 상측에 구비되며, 기판을 지지하는 지지볼(Proximity Ball);을 포함하며, 상기 핀홀의 상측에는 상기 지지볼이 안착되도록 안착홈이 구비되는 기판의 열처리 장치를 제공한다.One embodiment of the present invention, at least one or more pinhole formed hot plate; An elevating pin inserted into the pinhole to be elevable; It is provided on the upper side of the lifting pin, and includes a support ball (Proximity Ball) for supporting the substrate, the upper side of the pinhole provides a heat treatment device for a substrate having a seating groove so that the support ball is seated.

Description

기판의 열처리 장치{BAKE APPARATUS OF SUBSTRATE}Substrate heat treatment device {BAKE APPARATUS OF SUBSTRATE}

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 가열하기 위한 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment device for heating a substrate such as a semiconductor wafer.

반도체 제조 공정의 포토리소그래피 공정에서, 기판 상에 레지스트막을 도포한 후 레지스트막을 경화시키거나 세척된 기판을 건조시키는 등의 목적으로 열처리 장치(베이크 장치)에 의한 가열 처리가 진행된다.In the photolithography process of the semiconductor manufacturing process, after applying a resist film on the substrate, heat treatment by a heat treatment device (baking device) is performed for the purpose of curing the resist film or drying the washed substrate.

열처리 장치는 가열원으로서 기능하는 히터를 구비하며, 히터 상에 기판 재치대가 마련된다. 따라서, 기판 재치대 상에 가열 처리의 대상이 되는 기판을 탑재해 히터로부터의 열을 기판에 부여하도록 하고 있다.The heat treatment apparatus has a heater functioning as a heating source, and a substrate mounting table is provided on the heater. Therefore, the substrate to be subjected to the heat treatment is mounted on the substrate mounting table so that heat from the heater is applied to the substrate.

그러나 상기한 방식의 열처리 장치는 기판 재치대 상면에 기판이 밀착된 상태에서 공정을 진행하게 되므로 레지스트막에 기판 재치대의 흔적이 남는 문제나 열처리 후에 기판을 기판 재치대에서 반출할 때 박리 대전이 발생하는 등의 문제가 있었다.However, since the heat treatment device of the above-described method proceeds with the substrate in close contact with the upper surface of the substrate mounting table, there is a problem that a trace of the substrate mounting plate is left on the resist film or peeling electrification occurs when the substrate is removed from the substrate mounting table after heat treatment. There was such a problem.

이러한 문제를 해소하기 위해, 프록시미티(Proximity) 방식의 열처리 장치가 제안되어 있다.To solve this problem, a proximity type heat treatment apparatus has been proposed.

도 1에 도시된 바와 같이, 프록시미티 방식의 열처리 장치는 기판 재치대의 상면에 복수의 핀홀(12)이 형성되어 있고, 핀홀(12)에는 기판의 승강을 위한 승강핀이 승강 가능하도록 구비되어 있다. 또한, 승강핀과 간섭되지 않는 위치에 복수의 프록시미티 볼(13)이 배치되어 있다.As shown in FIG. 1, in the proximity heat treatment apparatus, a plurality of pinholes 12 are formed on the upper surface of the substrate mounting table, and the pinholes 12 are provided with lifting pins for lifting the substrate. . In addition, a plurality of proximity balls 13 are disposed at positions not to interfere with the lifting pins.

따라서, 승강핀에 의해 하강된 기판은 프록시미티 볼(13)에 안착되고, 승강핀은 핫플레이트의 하측으로 하강하게 된다. 이때, 프록시미티 볼(13)은 기판 재치대의 상면에서 상방으로 일부분이 돌출된 상태로 구성되며, 이에 따라 기판은 기판 재치대에서 소정 간격만큼 상측에 위치하게 된다.Therefore, the substrate lowered by the lifting pin is seated on the proximity ball 13, and the lifting pin descends to the lower side of the hot plate. At this time, the proximity ball 13 is configured to protrude partially upward from the upper surface of the substrate mounting table, and accordingly, the substrate is positioned upward by a predetermined distance from the substrate mounting table.

이 상태에서 히터가 발열하면 그 열이 기판 재치대를 가열하고, 기판 재치대와 기판 사이의 공간을 통해 기판으로 제공됨으로써 기판은 간접적으로 가열 처리된다.When the heater heats up in this state, the heat heats the substrate mounting table and is provided to the substrate through the space between the substrate mounting table and the substrate, whereby the substrate is indirectly heated.

이때, 핀홀을 통해 열 손실이 발생하여 핀홀 부분과 그 외 부분의 기판 온도에 차이가 발생하고, 이는 기판의 가공 균일도를 저해하는 원인이 된다.At this time, heat loss occurs through the pinhole, and a difference occurs in the temperature of the substrate between the pinhole portion and the other portion, which causes the processing uniformity of the substrate to be inhibited.

한국공개특허 10-2003-0055903Korea Patent Publication 10-2003-0055903

본 발명은 열처리 공정 시 기판의 가공 균일도를 향상시킬 수 있는 기판의 열처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate heat treatment apparatus that can improve the processing uniformity of the substrate during the heat treatment process.

본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.The object of the present invention is not limited to the above, and other objects and advantages of the present invention not mentioned can be understood by the following description.

본 발명의 실시예에 의한 기판의 열처리 장치는, 적어도 하나 이상의 핀홀이 형성된 핫플레이트; 상기 핀홀에 승강 가능하게 삽입되는 승강핀; 상기 승강핀의 상측에 구비되며, 기판을 지지하는 지지볼(Proximity Ball);을 포함하며, 상기 핀홀의 상측에는 상기 지지볼이 안착되도록 안착홈이 구비될 수 있다. 상기 안착홈의 직경은 상기 핀홀의 직경보다 크게 형성될 수 있다.The apparatus for heat treatment of a substrate according to an embodiment of the present invention includes: a hot plate having at least one pinhole formed thereon; An elevating pin inserted into the pinhole to be elevable; It is provided on the upper side of the lifting pin, and includes a support ball (Proximity Ball) for supporting the substrate, the upper side of the pinhole may be provided with a seating groove so that the support ball is seated. The seating groove may have a diameter larger than that of the pinhole.

본 발명의 실시예에서, 상기 지지볼은, 상기 핀홀에 삽입되는 몸체부; 상기 몸체부의 상측에 구비되어 기판을 지지하며, 상기 안착홈에 안착되는 머리부;를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the support ball, the body portion is inserted into the pinhole; It is provided on the upper side of the body portion to support the substrate, the head portion is seated in the seating groove; may include.

또한, 상기 지지볼은, 상기 안착홈에 안착되는 몸체부; 상기 몸체부의 상측에 구비되어 기판을 지지하는 머리부;를 포함할 수 있다.In addition, the support ball, the body portion seated in the seating groove; It is provided on the upper side of the body portion to support the substrate; may include.

이때, 상기 머리부는 기판과 접촉하는 방향으로 갈수록 직경이 감소할 수 있다.At this time, the diameter of the head portion may decrease as it goes in a direction in contact with the substrate.

본 발명의 실시예에서, 상기 머리부와 상기 몸체부의 경계 부분을 기준으로, 상기 머리부와 상기 몸체부의 직경이 동일하게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the diameter of the head portion and the body portion may be the same based on the boundary portion of the head portion and the body portion.

또한, 상기 머리부와 상기 몸체부의 경계 부분을 기준으로, 상기 머리부의 직경은 몸체부의 직경보다 작게 형성될 수 있다.In addition, based on the boundary between the head and the body, the diameter of the head may be smaller than the diameter of the body.

또한, 상기 머리부와 상기 몸체부의 경계 부분을 기준으로, 상기 머리부의 직경은 몸체부의 직경보다 크게 형성될 수 있다.In addition, based on the boundary between the head and the body, the diameter of the head may be formed larger than the diameter of the body.

본 발명의 실시예에서, 상기 승강핀과 상기 지지볼은 일체화하여 상승 및 하강할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the lifting pin and the support ball may be integrally raised and lowered.

또는 상기 승강핀과 상기 지지볼은 별개로 구성되며, 상기 승강핀은 상승 동작 시 상기 지지볼을 지지한 상태로 상승하고 하강 동작 시 상기 지지볼과 분리될 수 있다. 이때, 상기 승강핀과 상기 지지볼의 대향면에는 서로 삽입되는 가이드부 및 돌출부 중 어느 하나가 형성될 수 있고, 상기 가이드부 및 돌출부 중 적어도 어느 하나는 테이퍼부를 포함할 수 있다.Alternatively, the lifting pin and the support ball may be configured separately, and the lifting pin may be lifted to a state in which the support ball is supported during a rising operation and may be separated from the support ball during a falling operation. At this time, any one of the guide portion and the protruding portion inserted into each other may be formed on opposite surfaces of the lifting pin and the support ball, and at least one of the guide portion and the protruding portion may include a tapered portion.

본 발명의 실시예에 따르면, 지지볼의 하측에 승강핀이 배치되며, 지지볼과 승강핀의 기능을 일체화할 수 있다. 이에 따라, 승강핀의 승강을 안내하는 핀홀을 통해 열 손실이 발생하는 것을 방지하여 기판의 가공 균일도를 높일 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the lifting pin is disposed on the lower side of the support ball, and the functions of the support ball and the lifting pin can be integrated. Accordingly, it is possible to prevent heat loss from being generated through a pinhole that guides the elevating of the elevating pin, thereby increasing the processing uniformity of the substrate.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and include all effects that can be deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 종래 기술에 의한 기판의 열처리 장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 기판의 열처리 장치를 도시한 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2의 “A-A”선을 절취한 단면도로서, 본 발명의 제1실시예에 의한 기판의 열처리 장치를 도시한 것이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판의 열처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 5의 (a) 내지 (f)는 본 발명의 실시예에 의한 지지볼의 다양한 형상을 도시한 개략도이다.1 is a plan view showing a heat treatment apparatus for a substrate according to the prior art.
2 is a plan view showing a heat treatment apparatus for a substrate according to an embodiment of the present invention.
3A and 3B are cross-sectional views taken along the line “AA” in FIG. 2 and illustrate a heat treatment apparatus for a substrate according to a first embodiment of the present invention.
4A and 4B are cross-sectional views showing a heat treatment apparatus for a substrate according to a second embodiment of the present invention.
5 (a) to (f) are schematic diagrams showing various shapes of a support ball according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 본 발명의 본질과 관계없는 부분은 그에 대한 상세한 설명을 생략할 수 있으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여할 수 있다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the essence of the present invention may be omitted, and the same reference numerals may be assigned to the same or similar elements throughout the specification.

또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시 예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.Also, when a part is said to "include" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components, unless otherwise stated. The terminology used herein is only for referring to specific embodiments, and is not intended to limit the present invention, and is understood by those skilled in the art to which the present invention pertains unless otherwise defined herein. It can be interpreted as a concept.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 기판의 열처리 장치를 도시한 것이다.2 shows a heat treatment apparatus for a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참고하면, 포토리소그래피 등의 공정을 위한 핫플레이트(110)의 상면에서 상측 방향으로 지지볼(130)이 돌출된다. 따라서, 지지볼(130) 상에 기판을 탑재하면, 기판은 핫플레이트(110)에서 소정 간격만큼 상측에 위치 결정된다. 이 상태에서 히터 등의 가열수단(도시 생략)을 작동시키면, 그 열이 핫플레이트(110)와 기판 사이의 공간을 통해 기판에 제공되어 기판은 간접적으로 가열 처리될 수 있다.Referring to FIG. 2, the support ball 130 protrudes upward from the top surface of the hot plate 110 for processes such as photolithography. Therefore, when the substrate is mounted on the support ball 130, the substrate is positioned above the hot plate 110 by a predetermined distance. In this state, when a heating means (not shown) such as a heater is operated, the heat is provided to the substrate through the space between the hot plate 110 and the substrate so that the substrate can be indirectly heat-treated.

이때, 본 발명의 실시예에서는, 지지볼(130)의 하측에 승강핀(120, 도 3a 참고)이 배치되며, 지지볼(130)과 승강핀(120)의 기능을 일체화할 수 있다.At this time, in an embodiment of the present invention, the lifting pin 120 (see FIG. 3A) is disposed under the support ball 130, and the functions of the support ball 130 and the lifting pin 120 can be integrated.

이에 따라, 포토리소그래피 공정 시 승강핀(120)이 상승 및 하강하도록 안내하는 핀홀(111)을 통해 열 손실이 발생하는 것을 방지하여 기판의 가공 균일도를 높일 수 있다.Accordingly, during the photolithography process, heat loss is prevented through the pinhole 111 guiding the lifting pin 120 to rise and fall, thereby improving the processing uniformity of the substrate.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판의 열처리 장치를 도시한 것이다.3A and 3B show a heat treatment apparatus for a substrate according to a first embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b를 참고하면, 제1실시예에 의한 기판의 열처리 장치(100)는 핫플레이트(Hot Plate, 110), 승강핀(120), 지지볼(Proximity Ball, 130)을 포함한다.3A and 3B, the heat treatment apparatus 100 of the substrate according to the first embodiment includes a hot plate (110), a lifting pin 120, and a support ball (Proximity Ball) 130.

핫플레이트(110)는 기판(W)의 형상에 대응되는 평판 형태로 형성되며, 기판(W)에 열을 제공한다. 핫플레이트(110)는 상면(110a)과 이에 대향하는 하면(110b)을 갖는다. 핫플레이트(110)의 상면(110a)에는 지지볼(130)에 의해 기판(W)이 이격 배치될 수 있다.The hot plate 110 is formed in a flat plate shape corresponding to the shape of the substrate W, and provides heat to the substrate W. The hot plate 110 has an upper surface 110a and a lower surface 110b facing it. The substrate W may be spaced apart from the upper surface 110a of the hot plate 110 by the support ball 130.

핫플레이트(110)에는 적어도 하나 이상의 핀홀(111)이 형성된다. 핀홀(111)은 핫플레이트(110)의 상면(110a)과 하면(110b)을 관통하여 형성된다. 핀홀(111)이 형성된 위치의 핫플레이트(110) 상면(110a)에는 지지볼(130)이 안착되도록 안착홈(112)이 하측으로 함몰 형성된다. 안착홈(112)의 직경은 핀홀(111)의 직경보다 크게 형성된다.At least one pinhole 111 is formed on the hot plate 110. The pinhole 111 is formed through the upper surface 110a and the lower surface 110b of the hot plate 110. The seating groove 112 is recessed to the lower side so that the support ball 130 is seated on the top surface 110a of the hot plate 110 at the position where the pinhole 111 is formed. The diameter of the seating groove 112 is formed larger than the diameter of the pinhole 111.

승강핀(120)은 핀홀(111)에 승강 가능하게 삽입된다. 승강핀(120)의 직경은 핀홀(111)의 직경에 대응되거나 그보다 작게 형성될 수 있다.The lifting pin 120 is inserted into the pinhole 111 so as to be elevated. The diameter of the lifting pin 120 may correspond to the diameter of the pinhole 111 or may be formed smaller than that.

지지볼(130)은 승강핀(120)의 상측에 구비된다. 지지볼(130)은 핫플레이트(110)의 상면(110a)보다 상측으로 소정 높이 돌출되어 기판(W)을 지지한다.The support ball 130 is provided on the upper side of the lifting pin 120. The support ball 130 protrudes a predetermined height above the top surface 110a of the hot plate 110 to support the substrate W.

지지볼(130)은 핀홀(111)에 삽입되는 몸체부(131), 안착홈(112)에 안착되는 머리부(132)를 포함할 수 있다.The support ball 130 may include a body portion 131 inserted into the pinhole 111 and a head portion 132 mounted on the seating groove 112.

몸체부(131)는 핀홀(111)에 삽입되도록 핀홀(111)의 직경과 대응되는 직경을 가질 수 있다.The body portion 131 may have a diameter corresponding to the diameter of the pinhole 111 to be inserted into the pinhole 111.

머리부(132)는 몸체부(131)의 상측에 구비되어 기판(W)을 지지한다. 머리부(132)는 안착홈(112)의 직경과 대응되는 직경을 가질 수 있다. 머리부(132)는 기판(W)과 접촉하는 방향으로 갈수록 직경이 감소하도록 형성될 수 있다. 이에 따라 머리부(132)와 기판(W)과의 접촉 면적을 최소화할 수 있다. 지지볼(130)과 기판(W)과의 접촉 면적이 최소화 됨으로써 열처리 공정 진행 시 지지볼(130)과 기판(W) 사이의 열전도가 최소화될 수 있다.The head portion 132 is provided on the upper side of the body portion 131 to support the substrate (W). The head 132 may have a diameter corresponding to the diameter of the seating groove 112. The head 132 may be formed to decrease in diameter toward the direction in contact with the substrate W. Accordingly, the contact area between the head 132 and the substrate W can be minimized. Since the contact area between the support ball 130 and the substrate W is minimized, heat conduction between the support ball 130 and the substrate W may be minimized during the heat treatment process.

제1실시예에서, 승강핀(120)과 지지볼(130)은 일체화하여 승강하도록 구성될 수 있다.In the first embodiment, the lifting pin 120 and the support ball 130 may be configured to be integrally elevated.

예컨대, 승강핀(120)과 지지볼(130)의 몸체부(131)는 일체로 형성될 수 있다. 승강핀(120)과 지지볼(130)이 일체로 형성될 경우 제조가 용이한 장점이 있다.For example, the lifting pin 120 and the body portion 131 of the support ball 130 may be integrally formed. When the lifting pin 120 and the support ball 130 are integrally formed, there is an advantage of easy manufacturing.

또는, 승강핀(120)과 지지볼(130)은 별개로 제작된 후 상호 착탈 가능하게 결합될 수 있다. 예컨대, 승강핀(120)과 지지볼(130) 중 어느 하나에는 나사돌기가 돌출되고 다른 하나에는 탭 가공을 함으로써 상호 나사 결합되도록 구성될 수 있다. 승강핀(120)과 지지볼(130)을 착탈 가능하게 구성할 경우 지지볼(130)의 교체 작업이 용이한 장점이 있다. 즉, 지지볼(130)의 교체가 필요할 때 승강핀(120)과 지지볼(130) 전체를 교체할 필요 없이 지지볼(130)을 승강핀(120)으로부터 분리한 후 교체하는 것이 가능하다.Alternatively, the lifting pin 120 and the support ball 130 may be separately manufactured and then detachably coupled to each other. For example, one of the lifting pin 120 and the support ball 130 may be configured to be screwed to each other by protruding a screw protrusion and tapping the other. When the lifting pin 120 and the support ball 130 are configured to be detachable, there is an advantage of easy replacement of the support ball 130. That is, when it is necessary to replace the support ball 130, it is possible to remove the support ball 130 from the lifting pin 120 and replace it without having to replace the entire lifting pin 120 and the support ball 130.

이와 같이 승강핀(120)과 지지볼(130)이 일체화하여 승강하도록 구성된 상태에서 공정을 진행하게 되면, 도 3a와 같이 승강핀(120)은 승강수단(도시 생략)에 의해 핀홀(111) 내에서 상승하고, 승강핀(120)의 상측에 구비된 지지볼(130) 역시 상승하여 공정을 진행하기 위한 기판(W)의 저면에 접촉하게 된다.As such, when the process is performed in a state in which the lifting pin 120 and the support ball 130 are configured to elevate, the lifting pin 120 as shown in FIG. 3A is moved into the pinhole 111 by the lifting means (not shown). Rising from, the support ball 130 provided on the upper side of the lifting pin 120 also rises to contact the bottom surface of the substrate W for processing.

그 후, 도 3b와 같이 승강핀(120) 및 지지볼(130)은 승강수단에 의해 하강하게 되고, 지지볼(130)은 안착홈(112)에 안착되며, 기판(W)은 지지볼(130)의 상면에 지지된 상태로 핫플레이트(110)의 상면과 소정의 간격을 두고 이격 배치될 수 있다.Then, as shown in Figure 3b, the lifting pin 120 and the support ball 130 is lowered by the lifting means, the support ball 130 is seated in the seating groove 112, the substrate (W) is a support ball ( 130 may be spaced apart from the top surface of the hot plate 110 at a predetermined distance while being supported on the top surface.

이후, 기판(W)에 열을 제공하는 열처리 공정이 진행된다. 이때, 지지볼(130)의 몸체부(131)는 핀홀(111)에 삽입되고 머리부(132)는 안착홈(112)에 안착되어 핀홀(111)을 폐쇄하게 된다. 이에 따라, 공정 진행 시 핀홀(111)을 통해 열이 손실되는 것을 방지할 수 있다.Thereafter, a heat treatment process for providing heat to the substrate W is performed. At this time, the body portion 131 of the support ball 130 is inserted into the pinhole 111 and the head portion 132 is seated in the seating groove 112 to close the pinhole 111. Accordingly, it is possible to prevent heat loss through the pinhole 111 during the process.

도 3a 및 도 3b에서는 지지볼(130)의 몸체부(131) 및 머리부(132)가 각각 핀홀(111) 및 안착홈(112)에 대응되는 직경을 가지는 것으로 도시하였으나, 원활한 승강 동작을 위해서 어느 정도의 공차를 두고 더 작은 직경으로 형성되어도 무방하다. 이 경우에도 머리부(132)의 저면이 안착홈(112)에 밀착되어 핀홀(111)을 폐색하므로, 핀홀(111)을 통한 열손실을 방지할 수 있다.3A and 3B, the body portion 131 and the head portion 132 of the support ball 130 are shown to have diameters corresponding to the pinhole 111 and the seating groove 112, respectively, for smooth lifting operation It may be formed to a smaller diameter with a certain tolerance. Even in this case, since the bottom surface of the head portion 132 is in close contact with the seating groove 112 to close the pinhole 111, heat loss through the pinhole 111 can be prevented.

또한, 지지볼(130)이 몸체부(131)없이 머리부(132)로만 구성될 수도 있다. 이 경우 승강핀(120)이 지지볼(130)의 머리부(132)에 직접 연결되고, 승강핀(120) 하강 동작 시 지지볼(130)의 머리부(132)가 안착홈(112)에 안착되어 핀홀(111)을 폐색할 수 있다.In addition, the support ball 130 may be composed of only the head 132 without the body 131. In this case, the lifting pin 120 is directly connected to the head 132 of the support ball 130, and when the lifting pin 120 descends, the head 132 of the support ball 130 is connected to the seating groove 112. The seating may occlude the pinhole 111.

지지볼(130) 재질이 ?은 두께에서도 충분한 강도를 가지는 재질인 경우에는 안착홈(112)을 함몰 형성하지 않고 지지볼(130)이 핀홀(111)이 형성된 위치의 핫플레이트(110) 상면(110a)에 바로 안착되도록 구성할 수도 있다.If the material of the support ball 130 is a material having sufficient strength even in a small thickness, the top surface of the hot plate 110 of the position where the support ball 130 is formed with the pinhole 111 without recessing the seating groove 112 ( It may be configured to seat directly on 110a).

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판의 열처리 장치를 도시한 것이다.4A and 4B show a heat treatment apparatus for a substrate according to a second embodiment of the present invention.

도 4a 및 도 4b를 참고하면, 제2실시예에 의한 기판의 열처리 장치(100)는 핫플레이트(110), 승강핀(120), 지지볼(130)을 포함하며, 승강핀(120)과 지지볼(130)은 별개로 구성될 수 있다.Referring to Figure 4a and 4b, the heat treatment apparatus 100 of the substrate according to the second embodiment includes a hot plate 110, the lifting pin 120, the support ball 130, the lifting pin 120 and The support ball 130 may be configured separately.

도 4a와 같이 승강핀(120)은 승강수단(도시 생략)에 의해 핀홀(111) 내에서 상승하고, 승강핀(120)의 상측에 구비된 지지볼(130) 역시 상승하여 공정을 진행하기 위한 기판(W)의 저면에 접촉하게 된다.As shown in Figure 4a, the lifting pin 120 rises in the pinhole 111 by the lifting means (not shown), and the support ball 130 provided on the upper side of the lifting pin 120 also rises to proceed with the process. It comes into contact with the bottom surface of the substrate W.

그 후, 도 4b와 같이 승강핀(120) 및 지지볼(130)은 승강수단에 의해 하강하게 되고, 지지볼(130)은 안착홈(112)에 안착된 상태에서 기판(W)을 지지하게 되며, 승강핀(120)은 지지볼(130) 및 핫플레이트(110)로부터 분리될 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 4B, the lifting pin 120 and the support ball 130 are lowered by the lifting means, and the support ball 130 supports the substrate W in a state seated in the seating groove 112. The lifting pin 120 may be separated from the support ball 130 and the hot plate 110.

승강핀(120)이 지지볼(130) 및 핫플레이트(110)로부터 분리된 상태로 열처리 공정을 진행하게 되면, 핫플레이트(110)에 제공된 열이 승강핀(120)을 통해 외부로 전달되는 것을 방지하여 기판의 가공 균일도 향상에 보다 기여할 수 있다.When the lifting pin 120 is subjected to a heat treatment process in a state of being separated from the support ball 130 and the hot plate 110, the heat provided to the hot plate 110 is transmitted to the outside through the lifting pin 120 By preventing it, it can further contribute to improving the processing uniformity of the substrate.

도 4a 및 도 4b에는 도시하지 않았으나, 지지볼(130)의 몸체부(131) 하면에 내부로 함몰 형성되는 가이드부를 형성하여 승강핀(120)의 단부가 가이드부에 삽입될 수 있도록 함으로써, 승강핀(120)의 승강 동작 시 승강핀(120)이 지지볼(130)을 안정적으로 지지하여 승강시킬 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 이때 승강핀(120)의 단부에는 가이드부의 형상에 대응되는 돌출부를 형성할 수 있다. 또한, 승강핀(120)에 가이드부가 형성되고 지지볼(130)의 몸체부(131)에 돌출부를 형성할 수도 있다. 또한, 승강핀(120)과 지지볼(130)이 정확히 중심 맞춤되어 승하강 동작이 이루어질 수 있도록, 가이드부와 돌출부는 서로 대응되는 테이퍼 형상으로 형성할 수 있다. Although not shown in Figures 4a and 4b, by forming a guide portion that is recessed in the lower portion of the body portion 131 of the support ball 130, so that the end of the lifting pin 120 can be inserted into the guide portion, lifting When the lifting operation of the pin 120, it is preferable to allow the lifting pin 120 to stably support and support the support ball 130. At this time, a protruding portion corresponding to the shape of the guide portion may be formed at an end portion of the lifting pin 120. In addition, a guide portion is formed on the lifting pin 120 and a protrusion portion may be formed on the body portion 131 of the support ball 130. In addition, the guide pin and the protrusion may be formed in a tapered shape corresponding to each other so that the lifting pin 120 and the support ball 130 are precisely centered so that the lifting operation can be performed.

도 5는 본 발명의 제3실시예에 의한 기판의 열처리 장치를 도시한 것이다.5 illustrates a heat treatment apparatus for a substrate according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참고하면, 제3실시예에 의한 기판의 열처리 장치(100)는 제1실시예 및 제2실시예에 의한 기판의 열처리 장치의 구성과 유사하다.5, the substrate heat treatment apparatus 100 according to the third embodiment is similar to the configuration of the substrate heat treatment apparatus according to the first and second embodiments.

다만, 제3실시예에 의한 지지볼은 안착홈(112)에 안착되는 몸체부(131a~131f), 몸체부(131a~131f)의 상측에 구비된 머리부(132a~132f)를 포함할 수 있다.However, the support ball according to the third embodiment may include body parts 131a to 131f seated in the seating groove 112 and head parts 132a to 132f provided above the body parts 131a to 131f. have.

몸체부(131a~131f)는 안착홈(112)의 직경과 대응되는 직경을 가질 수 있다. 머리부(132a~132f)는 핫플레이트(110)의 상면보다 상측으로 돌출되어 기판(W)을 지지하며, 기판(W)과 접촉하는 방향으로 갈수록 직경이 감소하도록 형성될 수 있다.The body parts 131a to 131f may have a diameter corresponding to the diameter of the seating groove 112. The heads 132a to 132f protrude upward from the top surface of the hot plate 110 to support the substrate W, and may be formed to decrease in diameter toward the direction in contact with the substrate W.

한편, 지지볼은 필요에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다.On the other hand, the support ball may be formed in various shapes as needed.

예컨대, 도 5의 (a) 및 (b)와 같이, 머리부(132a)(132b)와 몸체부(131a)(131b)의 경계 부분을 기준으로 머리부(132a)(132b)의 직경과 몸체부(131a)(131b)의 직경은 동일하게 형성될 수 있다.For example, as shown in (a) and (b) of FIG. 5, the diameter and body of the head 132a, 132b based on the boundary between the head 132a, 132b and the body 131a, 131b The diameters of the portions 131a and 131b may be formed identically.

또한, 도 5의 (c) 및 (d)와 같이, 머리부(132c)(132d)와 몸체부(131c)(131d)의 경계 부분을 기준으로 머리부(132c)(132d)의 직경은 몸체부(131c)(131d)의 직경보다 작게 형성될 수 있다.In addition, as shown in (c) and (d) of FIG. 5, the diameter of the head portion 132c and 132d is based on the boundary between the head portion 132c and 132d and the body portion 131c and 131d. It may be formed smaller than the diameter of the portion (131c) (131d).

또한, 도 5의 (e) 및 (f)와 같이, 머리부(132e)(132f)와 몸체부(131e)(131f)의 경계 부분을 기준으로 머리부(132e)(132f)의 직경은 몸체부(131e)(131f)의 직경보다 크게 형성될 수 있다. 이 경우, 몸체부(131e)(131f)는 핀홀(111)의 상측에 위치되어 핀홀(111)을 폐쇄하고 안착홈(112)보다 큰 직경을 갖는 머리부(132e)(132f)의 저면은 핫플레이트(110)의 상면에 위치되어 안착홈(112)을 폐쇄할 수 있다. 즉, 핀홀(111)과 안착홈(112)을 이중으로 폐쇄함으로써 열 손실을 보다 확실하게 감소시킬 수 있다. In addition, as shown in (e) and (f) of Figure 5, the diameter of the head 132e, 132f based on the boundary between the head 132e, 132f and the body 131e, 131f is the body It may be formed larger than the diameter of the portion (131e) (131f). In this case, the body portion (131e) (131f) is located on the upper side of the pinhole 111 to close the pinhole 111 and the bottom surface of the head portion (132e) (132f) having a larger diameter than the seating groove 112 is hot Located on the upper surface of the plate 110 may close the seating groove 112. That is, the heat loss can be more reliably reduced by double closing the pinhole 111 and the seating groove 112.

본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.Since those skilled in the art to which the present invention pertains can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention, the embodiments described above are illustrative in all respects and should be understood as non-limiting. Only.

본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be interpreted to be included in the scope of the present invention. .

110; 핫플레이트 111; 핀홀
112; 안착홈 120; 승강핀
130; 지지볼 131; 몸체부
132; 머리부110; Hot plate 111; Pinhole
112; Seating groove 120; Lifting pin
130; Support ball 131; Body
132; Head

Claims (14)

적어도 하나 이상의 핀홀이 형성된 핫플레이트;
상기 핀홀에 승강 가능하게 삽입되는 승강핀;
상기 승강핀의 상측에 구비되며, 기판을 지지하는 지지볼(Proximity Ball);을 포함하고,
상기 핀홀의 상측에는 상기 지지볼이 안착되도록 안착홈이 구비되며,
상기 안착홈의 직경은 상기 핀홀의 직경보다 크고,
상기 지지볼은,
상기 안착홈에 안착되는 몸체부;
상기 몸체부의 상측에 구비되어 기판을 지지하는 머리부;를 포함하고,
상기 머리부와 상기 몸체부의 경계 부분을 기준으로, 상기 머리부의 직경은 몸체부의 직경보다 큰 기판의 열처리 장치.
A hot plate in which at least one pinhole is formed;
An elevating pin inserted into the pinhole to be elevable;
It is provided on the upper side of the lifting pin, a support ball (Proximity Ball) for supporting the substrate; includes,
A seating groove is provided on the upper side of the pinhole so that the support ball is seated,
The diameter of the seating groove is larger than the diameter of the pinhole,
The support ball,
A body part seated in the seating groove;
Includes a head portion provided on the upper side of the body portion to support the substrate;
Based on the boundary between the head and the body, the diameter of the head is greater than the diameter of the body, the heat treatment apparatus of the substrate.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 머리부는 기판과 접촉하는 방향으로 갈수록 직경이 감소하는 기판의 열처리 장치.
According to claim 1,
The head portion heat treatment device of the substrate that decreases in diameter in the direction of contact with the substrate.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 승강핀과 상기 지지볼은 일체화하여 상승 및 하강하는 기판의 열처리 장치.
According to claim 1,
The lifting pin and the support ball are integrated to heat and lower the substrate heat treatment device.
제1항에 있어서,
상기 승강핀과 상기 지지볼은 별개로 구성되며, 상기 승강핀은 상승 동작 시 상기 지지볼을 지지한 상태로 상승하고, 하강 동작 시 상기 지지볼과 분리되는 기판의 열처리 장치.
According to claim 1,
The lifting pin and the support ball are configured separately, and the lifting pin rises to a state in which the support ball is supported during a rising operation, and a heat treatment apparatus for a substrate separated from the support ball during a falling operation.
제12항에 있어서,
상기 승강핀과 상기 지지볼의 대향면에는 서로 삽입되는 가이드부 및 돌출부 중 어느 하나가 형성되는 기판의 열처리 장치.
The method of claim 12,
A device for heat treatment of a substrate in which any one of a guide part and a protrusion part inserted into each other on opposite surfaces of the lifting pin and the support ball are formed.
제13항에 있어서,
상기 가이드부와 돌출부 중 적어도 어느 하나는 테이퍼부를 포함하는 기판의 열처리 장치.The method of claim 13,
At least one of the guide portion and the projection portion heat treatment device of the substrate including a tapered portion.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323556A (en) * 1999-05-13 2000-11-24 Komatsu Electronic Metals Co Ltd Epitaxial wafer manufacturing apparatus
JP2008160056A (en) * 2006-12-22 2008-07-10 Semes Co Ltd Lift pin, device for processing substrate having the lift pin and processing of substrate using the lift pin

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100482377B1 (en) * 2001-11-29 2005-04-13 주성엔지니어링(주) manufacturing apparatus of semiconductor device
KR20030055903A (en) 2001-12-27 2003-07-04 삼성전자주식회사 Bake apparatus in semiconductor photo process
KR100877129B1 (en) * 2003-03-26 2009-01-07 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 Heat treatment-purpose wafer support tool, and heat treatment device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323556A (en) * 1999-05-13 2000-11-24 Komatsu Electronic Metals Co Ltd Epitaxial wafer manufacturing apparatus
JP2008160056A (en) * 2006-12-22 2008-07-10 Semes Co Ltd Lift pin, device for processing substrate having the lift pin and processing of substrate using the lift pin

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