KR102098071B1 - Gas distribution unit and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 기판처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 기판지지유닛과, 상기 기판지지유닛과 대향 배치되는 가스분사유닛을 포함하고, 상기 가스분사유닛은 가스 분사부와, 상기 가스 분사부의 내부에 배치되어 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 일측에 배치되어 상기 다수의 홀을 선택적으로 개폐하는 개폐 플레이트를 포함한다.
실시예는 배플 플레이트에 형성된 홀을 개폐하는 개폐 플레이트를 구비함으로써, 신규 제작 없이 배플 플레이트에 형성된 홀의 개구율을 제어할 수 있는 효과가 있다.The substrate processing apparatus according to the embodiment includes a chamber, a substrate support unit disposed in the chamber to support a substrate, and a gas injection unit disposed opposite to the substrate support unit, wherein the gas injection unit includes a gas injection unit, It includes a baffle plate which is disposed inside the gas injection portion and has a plurality of holes, and an opening and closing plate that is disposed on one side of the baffle plate to selectively open and close the plurality of holes.
The embodiment has an effect of controlling the aperture ratio of the hole formed in the baffle plate without new production by providing an opening and closing plate for opening and closing the hole formed in the baffle plate.

Description

가스분사유닛 및 이를 구비하는 기판처리장치{GAS DISTRIBUTION UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}Gas injection unit and substrate processing device having same {GAS DISTRIBUTION UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}

실시예는 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 균일한 가스를 공급하기 위한 가스분사유닛 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a gas injection unit for supplying a uniform gas and a substrate processing apparatus having the same.

일반적으로, 액정표시소자나 반도체 웨이퍼를 제조하기 위해서는 기판 상에 유전체 물질 등을 박막으로 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피(Photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝(Patterning)하는 식각공정, 잔류물을 제거하기 위한 세정공정 등을 수차라 반복하여야 하는데, 이들 각 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 챔버 내부에서 진행된다.In general, in order to manufacture a liquid crystal display device or a semiconductor wafer, a thin film deposition process of depositing a dielectric material or the like on a substrate as a thin film, a photolithography process of exposing or concealing a selected region of the thin film using a photosensitive material, The etching process for patterning by removing the thin film in the selected area, and the cleaning process for removing residues, etc. must be repeated several times. Each of these processes is performed in a chamber in which an optimal environment is created for the process. .

챔버 내부에는 기판을 처리하기 위한 가스가 분사되는 가스분사유닛이 배치되며, 가스분사유닛에는 챔버로 유입된 가스를 균일하게 공급하기 위해 배플(Baffle) 플레이트가 배치된다.A gas injection unit in which gas for processing a substrate is injected is disposed inside the chamber, and a baffle plate is disposed in the gas injection unit to uniformly supply the gas introduced into the chamber.

종래에는 홀의 크기 및 홀들 사이의 간격을 조절하여 배플 플레이트를 제작하여 챔버 내부에 가스를 균일하게 공급하고 있으나, 가스의 특성에 따라 배플 플레이트에 형성된 홀의 크기 및 홀들 사이의 간격이 다르게 형성되어야 하는 문제점이 발생된다.Conventionally, a baffle plate is manufactured by adjusting the size of the hole and the space between the holes to uniformly supply gas inside the chamber, but the size of the hole formed in the baffle plate and the space between the holes must be formed differently according to the characteristics of the gas. This happens.

이로 인해 가스 특성에 맞는 배플 플레이트를 신규로 제작해야 하기 때문에 신규 배플 플레이트를 제작하는데 상당한 비용이 소요되고, 또한, 신규 제작된 배플 플레이트의 신뢰성 검증을 위해 소요되는 시간이 상당히 소요되는 문제점이 발생된다.Due to this, since it is necessary to newly manufacture a baffle plate suitable for gas characteristics, it takes a considerable cost to manufacture a new baffle plate, and also a problem that it takes a considerable amount of time to verify the reliability of the newly manufactured baffle plate. .

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예는 신규 배플 플레이트의 제작 없이 가스의 특징에 따라 가스를 균일하게 공급하기 위한 가스분사유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, an embodiment is intended to provide a gas injection unit and a substrate processing apparatus including the same for uniformly supplying gas according to the characteristics of the gas without fabricating a new baffle plate.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 실시예에 따른 기판처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 기판지지유닛과, 상기 기판지지유닛과 대향 배치되는 가스분사유닛을 포함하고, 상기 가스분사유닛은 가스 분사부와, 상기 가스 분사부의 내부에 배치되어 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 일측에 배치되어 상기 다수의 홀을 선택적으로 개폐하는 개폐 플레이트를 포함한다.In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the embodiment includes a chamber, a substrate support unit disposed in the chamber to support a substrate, and a gas injection unit disposed opposite to the substrate support unit, the gas The injection unit includes a gas injection unit, a baffle plate disposed inside the gas injection unit and having a plurality of holes, and an opening / closing plate disposed on one side of the baffle plate to selectively open and close the plurality of holes.

실시예는 배플 플레이트에 형성된 홀을 개폐하는 개폐 플레이트를 구비함으로써, 신규 제작 없이 배플 플레이트에 형성된 홀의 개구율을 제어할 수 있는 효과가 있다.The embodiment has an effect of controlling the aperture ratio of the hole formed in the baffle plate without new production by providing an opening and closing plate for opening and closing the hole formed in the baffle plate.

또한, 실시예는 개폐 플레이트에 의해 배플 플레이트에 형성된 홀의 개구율을 제어함으로써, 신규 배플 플레이트 제작에 드는 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, the embodiment has an effect of reducing the cost of manufacturing a new baffle plate by controlling the aperture ratio of the hole formed in the baffle plate by the opening and closing plate.

도 1은 제1 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 가스분사유닛의 배플 플레이트와 개폐 플레이트를 나타낸 평면도이다.
도 3 내지 도 5는 제1 실시예에 따른 가스분사유닛의 개폐 플레이트의 동작을 나타낸 평면도이다.
도 6 및 도 7은 제1 실시예에 따른 개폐 플레이트의 변형 예를 나타낸 평면도이다.
도 8은 제2 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.
도 9는 제3 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided with a gas injection unit according to a first embodiment.
2 is a plan view showing the baffle plate and the opening and closing plate of the gas injection unit according to the first embodiment.
3 to 5 are plan views showing the operation of the opening and closing plate of the gas injection unit according to the first embodiment.
6 and 7 are plan views showing a modification of the opening and closing plate according to the first embodiment.
8 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided with a gas injection unit according to a second embodiment.
9 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided with a gas injection unit according to a third embodiment.

이하, 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 제1 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 가스분사유닛의 배플 플레이트와 개폐 플레이트를 나타낸 평면도이고, 도 3 내지 도 5는 제1 실시예에 따른 가스분사유닛의 개폐 플레이트의 동작을 나타낸 평면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided with a gas injection unit according to a first embodiment, and FIG. 2 is a plan view showing a baffle plate and an opening / closing plate of the gas injection unit according to the first embodiment. 5 is a plan view showing the operation of the opening and closing plate of the gas injection unit according to the first embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 기판처리장치는 챔버(200)와, 상기 챔버(200) 내에 배치되어 기판(100)을 지지하는 기판지지유닛(400)과, 상기 기판지지유닛(400)과 대향 배치되는 가스분사유닛(300)을 포함한다.1 and 2, the substrate processing apparatus according to the first embodiment includes a chamber 200, a substrate support unit 400 disposed in the chamber 200 to support the substrate 100, and the substrate It includes a gas injection unit 300 disposed opposite to the support unit 400.

챔버(200)는 내부에 일정 공간이 형성되며, 사각 박스 형상으로 형성될 수 있다. 챔버(200)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 원통형, 다각 박스 형상으로 형성될 수 있다. 챔버(200)의 내부는 진공 상태를 유지된 상태에서 기판(100)이 처리될 수 있도록 일정 공간을 제공한다. The chamber 200 has a certain space formed therein, and may be formed in a square box shape. The shape of the chamber 200 is not limited thereto, and may be formed in a cylindrical shape or a polygonal box shape. The interior of the chamber 200 provides a predetermined space so that the substrate 100 can be processed while maintaining a vacuum state.

챔버(200)의 일측에는 챔버(200) 내부를 진공 상태로 유지하기 위해 진공 펌프(500)가 연결될 수 있다. 이에, 챔버(200)의 내부는 일정 진공 상태를 유지하게 된다. 챔버(200)의 일측에는 기판(100)을 인입 및 인출하는 인입부(미도시) 및 인출부(미도시)가 형성될 수 있다. 상기 인입부 및 인출부는 챔버(200)의 측벽에 각각 형성되거나 또는 하나의 출입부로 형성될 수 있다.A vacuum pump 500 may be connected to one side of the chamber 200 to maintain the inside of the chamber 200 in a vacuum state. Accordingly, the inside of the chamber 200 maintains a constant vacuum state. On one side of the chamber 200, a lead-in part (not shown) and a lead-out part (not shown) for introducing and withdrawing the substrate 100 may be formed. The inlet part and the inlet part may be formed on the sidewalls of the chamber 200, respectively, or may be formed as one entry part.

챔버(200)는 제1 챔버(210), 제2 챔버(220), 제3 챔버(230)로 형성될 수 있다. 제1 챔버(210)는 상부가 개방된 박스 형상으로 형성될 수 있으며, 제2 챔버(220)는 제1 챔버(210)의 상부에 배치된다. 제2 챔버(220)는 상하 관통된 박스 형상으로 형성될 수 있다. 제3 챔버(230)는 제2 챔버(220)의 상부를 덮도록 형성될 수 있다. 제1 챔버(210), 제2 챔버(220), 제3 챔버(230)는 일체로 형성될 수 있다.The chamber 200 may be formed of a first chamber 210, a second chamber 220, and a third chamber 230. The first chamber 210 may be formed in a box shape with an open top, and the second chamber 220 is disposed on the top of the first chamber 210. The second chamber 220 may be formed in a box shape penetrated up and down. The third chamber 230 may be formed to cover the upper portion of the second chamber 220. The first chamber 210, the second chamber 220, and the third chamber 230 may be integrally formed.

챔버(200) 내의 바닥에는 기판지지유닛(400)이 배치될 수 있다. 기판지지유닛(400)은 기판(100)이 안착되는 기판지지부(410)와, 기판(100)을 지지하는 새도우(Shadow) 프레임(420)을 포함할 수 있다.The substrate support unit 400 may be disposed on the floor in the chamber 200. The substrate support unit 400 may include a substrate support 410 on which the substrate 100 is seated, and a shadow frame 420 supporting the substrate 100.

기판(100)은 사각 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 기판지지부(410)는 기판(100)과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 기판지지부(410)는 기판(100)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 기판지지부(410)는 챔버(200) 하부에 고정될 수 있다. 이와 다르게, 기판지지부(410)는 기판(100)을 지지된 상태에서 승하강하도록 형성될 수 있다.The substrate 100 may be formed in a square plate shape. The substrate support part 410 may be formed in a shape corresponding to the substrate 100. The substrate support part 410 may be formed larger than the size of the substrate 100. The substrate support part 410 may be fixed under the chamber 200. Alternatively, the substrate support unit 410 may be formed to elevate the substrate 100 in a supported state.

기판지지부(410)에는 기판(100)을 보다 안정적으로 지지하기 위한 척(미도시)이 배치될 수 있다. 이러한 척은 정전력을 이용한 정전척, 기계력을 이용한 기계척, 진공력을 이용한 진공척이 사용될 수 있다.A chuck (not shown) for more stably supporting the substrate 100 may be disposed on the substrate support part 410. As the chuck, an electrostatic chuck using constant power, a mechanical chuck using mechanical force, and a vacuum chuck using vacuum force may be used.

기판지지부(410)에는 기판지지부(410)를 접지시키기 위한 접지부(미도시)가 더 배치될 수 있으며, 접지부는 기판지지부(410)와 챔버(200) 사이에 연결될 수 있다.A ground portion (not shown) for grounding the substrate support portion 410 may be further disposed on the substrate support portion 410, and the ground portion may be connected between the substrate support portion 410 and the chamber 200.

새도우 프레임(420)은 중심부가 상하 개방된 사각 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 새도우 프레임(420)은 기판(100)의 형상에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 새도우 프레임(420)은 기판(100)의 상부 가장자리를 따라 덮도록 형성될 수 있다.The shadow frame 420 may be formed in a square frame shape in which the center is opened up and down. The shadow frame 420 may be formed in a shape corresponding to the shape of the substrate 100. The shadow frame 420 may be formed to cover the upper edge of the substrate 100.

가스분사유닛(300)은 기판지지유닛(400)과 대향 배치될 수 있다. 가스분사유닛(300)은 기판(100)에 증착, 식각을 수행하기 위해 공정 가스를 공급하는 역할을 한다. 이러한 가스분사유닛(300)은 베이킹(Baking) 플레이트(310)와, 상기 베이킹 플레이트(310)의 하부에 배치된 가스 분사부(330)와, 상기 가스 분사부(330)의 내부에 배치되어 다수의 홀(322)이 형성된 배플 플레이트(320)와, 상기 배플 플레이트(320)의 일측에 배치되어 상기 다수의 홀(322)을 선택적으로 개폐하는 개폐 플레이트(340)를 포함할 수 있다.The gas injection unit 300 may be disposed to face the substrate support unit 400. The gas injection unit 300 serves to supply a process gas to perform deposition and etching on the substrate 100. The gas injection unit 300 has a baking plate 310, a gas injection unit 330 disposed under the baking plate 310, and a plurality of gas injection units 330. The hole 322 of the baffle plate 320 is formed, and may be disposed on one side of the baffle plate 320, and may include an opening / closing plate 340 to selectively open and close the plurality of holes 322.

베이킹 플레이트(310)는 챔버(200)의 측벽에 고정될 수 있으며, 보다 상세하게는 제2 챔버(220)의 측벽에 형성된 단턱에 지지되어 고정될 수 있다. 베이킹 플레이트(310)는 챔버(200) 내부로 인입되는 공정 가스를 가열하는 역할을 한다. 베이킹 플레이트(310)에는 가스가 통과하기 위한 홀이 형성될 수 있다.The baking plate 310 may be fixed to the sidewall of the chamber 200, and more specifically, supported and fixed to a stepped step formed on the sidewall of the second chamber 220. The baking plate 310 serves to heat the process gas introduced into the chamber 200. A hole for gas to pass through may be formed in the baking plate 310.

상기 베이킹 플레이트(310)에 형성된 홀에 대응되도록 챔버(200)의 외측에는 가스공급부(350)가 연결되며, 가스공급부(350)를 통해 인입된 가스는 베이킹 플레이트(310)에 형성된 홀을 통과하게 된다.A gas supply unit 350 is connected to the outside of the chamber 200 so as to correspond to the hole formed in the baking plate 310, and the gas introduced through the gas supply unit 350 passes through the hole formed in the baking plate 310. do.

베이킹 플레이트(310)의 하부면에는 가스분사부(330)가 배치될 수 있다. 가스분사부(330)는 내부에 일정 공간이 형성되도록 박스 형상으로 형성될 수 있다. 가스분사부(330)의 하부면에는 가스가 기판(100)의 상부로 균일하게 공급되도록 다수의 홀이 형성될 수 있다.A gas injection unit 330 may be disposed on the lower surface of the baking plate 310. The gas injection unit 330 may be formed in a box shape so that a certain space is formed therein. A plurality of holes may be formed on the lower surface of the gas injection unit 330 to uniformly supply gas to the upper portion of the substrate 100.

가스분사부(330)의 내부에는 배플 플레이트(320)가 배치될 수 있다. 배플 플레이트(320)는 사각 플레이트 형상으로 형성될 수 있으며, 배플 플레이트(320)는 별도의 지지부재에 의해 베이킹 플레이트(310)의 하부에 고정될 수 있다. 지지부재는 배플 플레이트(320)의 상부에 일정 공간을 제공하도록 박스 형상으로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 배플 플레이트(320)는 가스분사부(330)의 내부 양측에 고정될 수도 있다.A baffle plate 320 may be disposed inside the gas injection unit 330. The baffle plate 320 may be formed in a square plate shape, and the baffle plate 320 may be fixed to the lower portion of the baking plate 310 by a separate support member. The support member may be formed in a box shape to provide a predetermined space on the top of the baffle plate 320. Alternatively, the baffle plate 320 may be fixed to both inner sides of the gas injection unit 330.

배플 플레이트(320)에는 다수의 홀(322)이 형성될 수 있다. 상기 홀(322)은 배플 플레이트(320)의 상하부를 관통하도록 형성될 수 있다. 홀(322)은 배플 플레이트(320)에 규칙적으로 배치될 수 있다. 이와 다르게, 홀(322)은 배플 플레이트(320)에 불규칙적으로 배치될 수도 있다.A plurality of holes 322 may be formed in the baffle plate 320. The hole 322 may be formed to penetrate the upper and lower portions of the baffle plate 320. The hole 322 may be regularly arranged in the baffle plate 320. Alternatively, the hole 322 may be irregularly disposed on the baffle plate 320.

배플 플레이트(320)의 일측에는 개폐 플레이트(340)가 배치될 수 있다.An opening / closing plate 340 may be disposed on one side of the baffle plate 320.

개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 상부에 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320) 상부의 일정 공간 내에 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 바(Bar) 형상으로 형성될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)을 개폐시키는 역할을 한다.The opening / closing plate 340 may be disposed on the baffle plate 320. The opening / closing plate 340 may be disposed in a predetermined space above the baffle plate 320. The opening / closing plate 340 may be formed in a bar shape. The opening and closing plate 340 serves to open and close the hole 322 formed in the baffle plate 320.

개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)들 사이에 다수개가 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)의 폭(w)은 배플 플레이트(320)에 형성된 홀들 사이의 거리(d)보다 작게 형성될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 중심 영역, 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 이와 다르게, 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 중심 영역, 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역에만 배치될 수 있다.A plurality of opening and closing plates 340 may be disposed between the holes 322 formed in the baffle plate 320. The width w of the opening / closing plate 340 may be formed smaller than the distance d between the holes formed in the baffle plate 320. The opening / closing plate 340 may be disposed in the center region and the edge region of the baffle plate 320. Alternatively, the opening / closing plate 340 may be disposed only in one of the center region and the edge region of the baffle plate 320.

개폐 플레이트(340)의 양측면은 챔버(200)의 외부로 돌출되도록 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 홀(322)들을 덮도록 수평 이동할 수 있다. 이를 위해 개폐 플레이트(340)에는 구동부(미도시)가 형성될 수 있다. 구동부는 챔버(200)의 외부에서 개폐 플레이트(340)와 연결될 수 있다. 구동부는 다수의 개폐 플레이트(340)에 각각 연결되어 각각의 개폐 플레이트(340)의 수평 이동을 제어할 수 있다. 여기서, 구동부는 개폐 플레이트(340)를 수평 이동시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있다.Both sides of the opening / closing plate 340 may be disposed to protrude outside the chamber 200. The opening / closing plate 340 may be horizontally moved to cover the holes 322 of the baffle plate 320. To this end, a driver (not shown) may be formed in the opening / closing plate 340. The driving unit may be connected to the opening / closing plate 340 outside the chamber 200. The driving unit may be connected to a plurality of opening and closing plates 340 to control horizontal movement of each opening and closing plate 340. Here, the driving unit may be formed of various structures capable of horizontally moving the opening / closing plate 340.

도 3에 도시된 바와 같이, 개폐 플레이트(340)가 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)들 사이에 배치된 상태에서 외부 구동부에 의해 구동력을 제공하게 되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 개폐 플레이트(340)가 일측 방향으로 수평 이동하게 된다. 수평 이동된 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 일측에 형성된 홀(322)들의 일부를 가리게 되며, 이로 인해 홀(322)들의 개구율을 조절할 수 있게 된다.As shown in FIG. 3, when the opening / closing plate 340 is provided between the holes 322 formed in the baffle plate 320 and the driving force is provided by the external driving unit, as shown in FIG. 4, The opening and closing plate 340 is horizontally moved in one direction. The horizontally moved opening / closing plate 340 covers a part of the holes 322 formed on one side of the baffle plate 320, and thereby, the aperture ratio of the holes 322 can be adjusted.

이와 반대로, 도 5에 도시된 바와 같이, 개폐 플레이트(340)가 타측 방향으로 수평 이동하게 되면, 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 타측에 배치된 홀(322)들의 일부를 가리게 된다. 이로 인해 배플 플레이트(320)의 타측에 배치된 홀(322)들의 개구율을 조절할 수 있게 된다.Conversely, as shown in FIG. 5, when the opening / closing plate 340 is horizontally moved in the other direction, the opening / closing plate 340 covers a part of the holes 322 disposed on the other side of the baffle plate 320. . Due to this, the aperture ratio of the holes 322 disposed on the other side of the baffle plate 320 can be adjusted.

상기와 같이, 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)들을 개폐시킴으로써, 특정 영역에서 홀(322)들의 개구율을 조절할 수 있게 된다. 이로 인해 배플 플레이트(320)를 통과하는 가스의 공급량은 서로 다르게 설정할 수 있게 된다. As described above, the opening / closing plate 340 opens / closes the holes 322 formed in the baffle plate 320, thereby controlling the opening ratio of the holes 322 in a specific area. Due to this, the amount of gas supplied through the baffle plate 320 can be set differently.

예컨대, 가스가 베이킹 플레이트(310)의 중심부에서 공급되면, 개폐 플레이트(340)는 홀(322)들의 개폐율을 조절하여 중심 영역에 공급되는 가스의 공급량이 적도록 조절할 수 있게 된다. 이와 다르게, 가스가 베이킹 플레이트(310)의 가장자리에서 공급되면, 개폐 플레이트(340)는 가스가 공급되는 위치의 영역은 가스의 공급이 줄어들도록 홀(322)의 개폐율을 조절할 수 있게 된다.
For example, when the gas is supplied from the central portion of the baking plate 310, the opening / closing plate 340 may adjust the opening / closing ratio of the holes 322 so that the supply amount of the gas supplied to the central region is small. Alternatively, when the gas is supplied from the edge of the baking plate 310, the opening / closing plate 340 can adjust the opening / closing rate of the hole 322 so that the supply of gas is reduced in the region where the gas is supplied.

도 6 및 도 7은 제1 실시예에 따른 개폐 플레이트의 변형 예를 나타낸 평면도이다.6 and 7 are plan views showing a modification of the opening and closing plate according to the first embodiment.

도 6에 도시된 바와 같이, 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)들 사이에 다수개가 배치될 수 있다. 다수의 개폐 플레이트(340)의 일측 및 타측에는 고정부재(342)가 배치될 수 있다. 고정부재(342)는 다수의 개폐 플레이트(340)를 고정시키게 된다. 이때, 개폐 플레이트(340)를 수평 이동시키는 구동부는 고정부재(342)에 연결될 수 있다. 구동부는 고정부재(342)에 연결된 다수의 개폐 플레이트(340)를 동시에 제어할 수 있게 된다.As shown in FIG. 6, a plurality of opening and closing plates 340 may be disposed between holes 322 formed in the baffle plate 320. A fixing member 342 may be disposed on one side and the other side of the plurality of opening and closing plates 340. The fixing member 342 fixes a plurality of opening and closing plates 340. At this time, the driving unit for horizontally moving the opening / closing plate 340 may be connected to the fixing member 342. The driving unit can simultaneously control the plurality of opening and closing plates 340 connected to the fixing member 342.

도 7에 도시된 바와 같이, 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)들 사이에 다수개가 배치될 수 있다. 다수의 개폐 플레이트(340)의 일측 및 타측에는 레일부재(344)가 배치될 수 있다. 레일 부재(344)는 다수의 개폐 플레이트(340)가 수평 이동을 용이하게 수행할 수 있도록 경로를 제공해준다. 이때, 개폐 플레이트(340)를 수평 이동시키는 구동부는 개폐 플레이트(340)의 각각에 연결될 수 있다.
As shown in FIG. 7, a plurality of opening and closing plates 340 may be disposed between holes 322 formed in the baffle plate 320. Rail members 344 may be disposed on one side and the other side of the plurality of opening and closing plates 340. The rail member 344 provides a path so that the plurality of opening and closing plates 340 can easily perform horizontal movement. At this time, the driving unit for horizontally moving the opening and closing plate 340 may be connected to each of the opening and closing plates 340.

도 8은 제2 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided with a gas injection unit according to a second embodiment.

제2 실시예에 따른 기판처리장치는 챔버(220)와, 상기 챔버(200) 내에 배치되어 기판(100)을 지지하는 기판지지유닛(400)과, 상기 기판지지유닛(400)과 대향 배치되는 가스분사유닛(300)을 포함한다. 여기서, 가스분사유닛(300)을 제외한 구성은 제1 실시예에 따른 기판처리장치와 동일하므로 생략한다.The substrate processing apparatus according to the second embodiment is disposed in the chamber 220, the substrate support unit 400 disposed in the chamber 200 to support the substrate 100, and the substrate support unit 400. It includes a gas injection unit 300. Here, the configuration except for the gas injection unit 300 is the same as the substrate processing apparatus according to the first embodiment, and thus is omitted.

도 8에 도시된 바와 같이, 가스분사유닛(300)은 베이킹 플레이트(310)와, 상기 베이킹 플레이트(310)의 하부에 배치된 가스 분사부(330)와, 상기 가스 분사부(330)의 내부에 배치되어 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트(320)와, 상기 배플 플레이트(320)의 일측에 배치되어 상기 다수의 홀을 선택적으로 개폐하는 개폐 플레이트(340)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 8, the gas injection unit 300 includes a baking plate 310, a gas injection unit 330 disposed under the baking plate 310, and an interior of the gas injection unit 330. It may be disposed in the plurality of holes formed baffle plate 320 and the opening and closing plate 340 is disposed on one side of the baffle plate 320 to selectively open and close the plurality of holes.

개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 하부에 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 바 형상으로 형성될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀을 개폐시키는 역할을 한다.The opening / closing plate 340 may be disposed under the baffle plate 320. The opening / closing plate 340 may be formed in a bar shape. The opening and closing plate 340 serves to open and close the holes formed in the baffle plate 320.

개폐 플레이트(340)의 양측면은 챔버(200), 즉, 제2 챔버(220)의 외부로 돌출되도록 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 홀들을 덮도록 수평 이동할 수 있다. 이를 위해 개폐 플레이트(340)에는 구동부가 연결될 수 있다. 구동부(340)는 챔버(200)의 외부에서 개폐 플레이트와 연결될 수 있다. 구동부는 다수의 개폐 플레이트(340)에 각각 연결되어 각각의 개폐 플레이트(340)의 수평 이동을 제어할 수 있다.
Both sides of the opening and closing plate 340 may be arranged to protrude outside the chamber 200, that is, the second chamber 220. The opening / closing plate 340 may be horizontally moved to cover the holes of the baffle plate 320. To this end, a driving unit may be connected to the opening / closing plate 340. The driving unit 340 may be connected to the opening / closing plate outside the chamber 200. The driving unit may be connected to a plurality of opening and closing plates 340 to control horizontal movement of each opening and closing plate 340.

도 9는 제3 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.9 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided with a gas injection unit according to a third embodiment.

제3 실시예에 따른 기판처리장치는 챔버(200)와, 상기 챔버(200) 내에 배치되어 기판(100)을 지지하는 기판지지유닛(400)과, 상기 기판지지유닛(400)과 대향 배치되는 가스분사유닛(300)을 포함한다. 여기서, 가스분사유닛(300)을 제외한 구성은 제1 실시예에 따른 기판처리장치와 동일하므로 생략한다.The substrate processing apparatus according to the third embodiment is disposed in the chamber 200, the substrate support unit 400 disposed in the chamber 200 to support the substrate 100, and the substrate support unit 400. It includes a gas injection unit 300. Here, the configuration except for the gas injection unit 300 is the same as the substrate processing apparatus according to the first embodiment, and thus is omitted.

도 9에 도시된 바와 같이, 가스분사유닛(300)은 베이킹 플레이트(310)와, 상기 베이킹 플레이트(310)의 하부에 배치된 가스 분사부(330)와, 상기 가스 분사부(330)의 내부에 배치되어 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트(320)와, 상기 배플 플레이트(320)의 일측에 배치되어 상기 다수의 홀을 선택적으로 개폐하는 개폐 플레이트(340)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 9, the gas injection unit 300 includes a baking plate 310, a gas injection unit 330 disposed under the baking plate 310, and an interior of the gas injection unit 330. It may be disposed in the plurality of holes formed baffle plate 320 and the opening and closing plate 340 is disposed on one side of the baffle plate 320 to selectively open and close the plurality of holes.

배플 플레이트(320)는 제1 배플 플레이트(320a)와 제2 배플 플레이트(320b)를 포함할 수 있다. 제1 배플 플레이트(320a)와 제2 배플 플레이트(320b)는 상하로 배치될 수 있다.The baffle plate 320 may include a first baffle plate 320a and a second baffle plate 320b. The first baffle plate 320a and the second baffle plate 320b may be disposed vertically.

개폐 플레이트(340)는 제1 배플 플레이트(320a)와 제2 배플 플레이트(320b) 사이에 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 바 형상으로 형성될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀을 개폐시키는 역할을 한다.The opening / closing plate 340 may be disposed between the first baffle plate 320a and the second baffle plate 320b. The opening / closing plate 340 may be formed in a bar shape. The opening and closing plate 340 serves to open and close the holes formed in the baffle plate 320.

개폐 플레이트(340)의 양측면은 챔버(200), 즉 제2 챔버(220)의 외부로 돌출되도록 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 홀들을 덮도록 수평 이동할 수 있다. 이를 위해 개폐 플레이트(340)에는 구동부가 연결될 수 있다. 구동부는 챔버(200)의 외부에서 개폐 플레이트와 연결될 수 있다. 구동부는 다수의 개폐 플레이트(340)에 각각 연결되어 각각의 개폐 플레이트(340)의 수평 이동을 제어할 수 있다.Both sides of the opening and closing plate 340 may be disposed to protrude outside the chamber 200, that is, the second chamber 220. The opening / closing plate 340 may be horizontally moved to cover the holes of the baffle plate 320. To this end, a driving unit may be connected to the opening / closing plate 340. The driving unit may be connected to the opening / closing plate outside the chamber 200. The driving unit may be connected to a plurality of opening and closing plates 340 to control horizontal movement of each opening and closing plate 340.

상기에서는 개폐 플레이트가 배플 플레이트의 상부, 하부 또는 다수의 배플 플레이트의 사이에 배치된 것을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 개폐 플레이트가 배플 플레이트의 상부 및 하부에 동시에 배치될 수 있다. 이와 같은 경우, 개폐 플레이트는 배플 플레이트의 x축, y축에 대해 홀을 동시에 개폐시킬 수 있게 된다.In the above, although the opening / closing plate is shown disposed between the top, bottom, or multiple baffle plates of the baffle plate, the present invention is not limited thereto, and the opening / closing plate may be simultaneously disposed on the top and bottom of the baffle plate. In this case, the opening / closing plate can open and close the holes simultaneously with respect to the x-axis and y-axis of the baffle plate.

또한, 배플 플레이트가 다수개로 이루어질 경우, 배플 플레이트의 x,y,z축에 대해 홀들을 동시에 개폐시킬 수 있게 된다.
In addition, when a plurality of baffle plates is made, it is possible to simultaneously open and close the holes with respect to the x, y, and z axes of the baffle plate.

상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 실시예의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 실시예는 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and examples, those skilled in the art understand that the embodiments can be variously modified and changed within the scope not departing from the technical spirit of the embodiments described in the claims below. Will be able to.

100: 기판 200: 챔버
310: 베이킹 플레이트 320: 배플 플레이트
330: 가스 분사부 340: 개폐 플레이트
350: 가스 공급부 410: 기판 지지부
420: 새도우 프레임 500: 진공 펌프100: substrate 200: chamber
310: baking plate 320: baffle plate
330: gas injection portion 340: opening and closing plate
350: gas supply unit 410: substrate support
420: shadow frame 500: vacuum pump

Claims (15)

챔버;
상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 기판지지유닛; 및
상기 기판지지유닛과 대향 배치되는 가스분사유닛을 포함하고,
상기 가스분사유닛은,
가스공급부로부터 공급받은 가스를 공정 온도로 가열하는 베이킹 플레이트와,
상기 베이킹 플레이트 하부에 배치되어 챔버 내로 가스를 분사하는 가스 분사부와,
상기 베이킹 플레이트와 가스 분사부 사이에 배치되고 상기 가스 분사부에 균일하게 가스를 공급하도록 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트와,
상기 배플 플레이트와 가스 분사부 사이에 배치되어 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들의 개구율을 제어하는 개폐 플레이트를 포함하며,
상기 개폐 플레이트는 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들 사이 영역과 대응되는 다수의 바(bar)와, 상기 다수의 바(bar)의 일측에 배치된 고정부재와, 상기 고정부재와 연결되어 상기 다수의 바(bar)를 수평 방향으로 이동시켜 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들의 개구율을 조절하는 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.chamber;
A substrate support unit disposed in the chamber to support a substrate; And
It includes a gas injection unit disposed opposite to the substrate support unit,
The gas injection unit,
Baking plate for heating the gas supplied from the gas supply to the process temperature,
A gas injection unit disposed under the baking plate to inject gas into the chamber;
A baffle plate disposed between the baking plate and the gas injection portion and having a plurality of holes formed to uniformly supply gas to the gas injection portion;
It is disposed between the baffle plate and the gas injection portion includes an opening and closing plate for controlling the opening ratio of the plurality of holes formed in the baffle plate,
The opening and closing plate includes a plurality of bars corresponding to an area between a plurality of holes formed in the baffle plate, a fixing member disposed at one side of the plurality of bars, and connected to the fixing member to connect the plurality of bars. A substrate processing apparatus comprising a driving unit that adjusts an aperture ratio of a plurality of holes formed in the baffle plate by moving a bar in a horizontal direction. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 개폐 플레이트를 구성하는 다수의 바(bar) 각각의 폭은 상기 배플 플레이트에 형성된 홀들 사이의 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The width of each of the plurality of bars constituting the opening / closing plate is smaller than the distance between the holes formed in the baffle plate. 제 1 항에 있어서,
상기 개폐 플레이트의 양측은 상기 챔버의 외측으로 관통되어 배치되는 기판 처리장치.According to claim 1,
Both sides of the opening and closing plate is a substrate processing apparatus disposed through the outside of the chamber. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 배플 플레이트는 제1 배플 플레이트와 제2 배플 플레이트를 포함하고, 상기 개폐 플레이트는 제1 배플 플레이트와 제2 배플 플레이트 사이에 배치되는 기판처리장치.According to claim 1,
The baffle plate includes a first baffle plate and a second baffle plate, and the opening / closing plate is a substrate processing apparatus disposed between the first baffle plate and the second baffle plate. 삭제delete 챔버;
상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 기판지지유닛; 및
상기 기판지지유닛과 대향 배치되는 가스분사유닛을 포함하고,
상기 가스분사유닛은,
가스공급부로부터 공급받은 가스를 공정 온도로 가열하는 베이킹 플레이트와,
상기 베이킹 플레이트 하부에 배치되어 챔버 내로 가스를 분사하는 가스 분사부와,
상기 베이킹 플레이트와 가스 분사부 사이에 배치되고 상기 가스 분사부에 균일하게 가스를 공급하도록 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트와,
상기 배플 플레이트와 가스 분사부 사이에 배치되어 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들의 개구율을 제어하는 개폐 플레이트를 포함하며,
상기 개폐 플레이트는 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들 사이 영역과 대응되는 다수의 바(bar)와, 상기 다수의 바(bar)의 양측에 배치된 레일부재와, 상기 다수의 바(bar) 각각에 연결되어 상기 다수의 바(bar)를 수평 방향으로 이동시켜 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들의 개구율을 조절하는 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.chamber;
A substrate support unit disposed in the chamber to support a substrate; And
It includes a gas injection unit disposed opposite to the substrate support unit,
The gas injection unit,
Baking plate for heating the gas supplied from the gas supply to the process temperature,
A gas injection unit disposed under the baking plate to inject gas into the chamber;
A baffle plate disposed between the baking plate and the gas injection portion and having a plurality of holes formed to uniformly supply gas to the gas injection portion;
It is disposed between the baffle plate and the gas injection portion includes an opening and closing plate for controlling the opening ratio of the plurality of holes formed in the baffle plate,
The opening and closing plate includes a plurality of bars corresponding to an area between a plurality of holes formed in the baffle plate, a rail member disposed on both sides of the plurality of bars, and each of the plurality of bars. And a driving unit connected to move the plurality of bars in a horizontal direction to adjust the aperture ratio of the plurality of holes formed in the baffle plate. 삭제delete 제 9 항에 있어서,
상기 개폐 플레이트를 구성하는 다수의 바(bar) 각각의 폭은 상기 배플 플레이트에 형성된 홀들 사이의 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
The width of each of the plurality of bars constituting the opening / closing plate is smaller than the distance between the holes formed in the baffle plate. 제 9 항에 있어서,
상기 배플 플레이트는 제1 배플 플레이트와 제2 배플 플레이트를 포함하고, 상기 개폐 플레이트는 제1 배플 플레이트와 제2 배플 플레이트 사이에 배치되는 기판처리장치.The method of claim 9,
The baffle plate includes a first baffle plate and a second baffle plate, and the opening / closing plate is a substrate processing apparatus disposed between the first baffle plate and the second baffle plate. 제 9 항에 있어서,
상기 개폐 플레이트의 양측은 챔버의 외측으로 관통되어 배치되는 기판처리장치.The method of claim 9,
Both sides of the opening and closing plate is a substrate processing apparatus disposed through the outside of the chamber. 삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697158B1 (en) * 1999-06-30 2007-03-21 램 리서치 코포레이션 Gas distribution apparatus for semiconductor processing and method of processing a substrate
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990034613U (en) * 1998-01-31 1999-08-25 구본준 Wafer contamination prevention device for semiconductor chemical vapor deposition equipment
KR101430744B1 (en) * 2010-06-21 2014-08-18 세메스 주식회사 Thin film deposition apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697158B1 (en) * 1999-06-30 2007-03-21 램 리서치 코포레이션 Gas distribution apparatus for semiconductor processing and method of processing a substrate
JP2011171541A (en) * 2010-02-19 2011-09-01 Toray Eng Co Ltd Cvd apparatus

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