KR101430744B1

KR101430744B1 - Thin film deposition apparatus

Info

Publication number: KR101430744B1
Application number: KR1020100058786A
Authority: KR
Inventors: 오현택; 성보람찬
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2010-06-21
Filing date: 2010-06-21
Publication date: 2014-08-18
Also published as: KR20110138730A

Abstract

본 발명은 박막 증착 장치를 개시한 것으로서, 처리실; 상기 처리실 내에 배치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되며, 상기 기판에 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드를 포함하되, 상기 샤워 헤드는, 상기 공정 가스가 유입되는 유입 홀이 형성되고, 상기 공정 가스가 여기되어 플라즈마가 발생하도록 고주파 전류가 인가되는 전극; 상기 전극의 하면에 결합되고, 상기 유입 홀을 통해 공급되는 상기 공정 가스의 유로를 제공하도록 복수 개의 가스 채널들이 형성된 배플 플레이트; 및 상기 배플 플레이트의 하부에 배치되며, 상기 가스 채널들에 형성된 홀들을 통해 공급되는 상기 공정 가스를 상기 기판상에 분사하는 분사 플레이트를 포함한다.The present invention discloses a thin film deposition apparatus comprising: a processing chamber; A substrate supporting unit disposed in the processing chamber and supporting the substrate; And a showerhead disposed above the substrate support unit and supplying a process gas to the substrate, wherein the showerhead is formed with an inlet hole through which the process gas is introduced, An electrode to which a high-frequency current is applied; A baffle plate coupled to a lower surface of the electrode and having a plurality of gas channels formed therein to provide a flow path of the process gas supplied through the inlet hole; And an injection plate disposed below the baffle plate for injecting the process gas supplied through the holes formed in the gas channels onto the substrate.

Description

[0001] THIN FILM DEPOSITION APPARATUS [0002]

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판상에 박막을 증착하는 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a plasma chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for depositing a thin film on a substrate using plasma.

태양 전지(Solar Cell)는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다. 이러한 태양 전지는 그 종류에 따라 단결정 실리콘 태양 전지, 다결정 실리콘 태양 전지, 박막 태양 전지(thin-film solar cells) 등으로 분류된다.Solar cell is a device that converts light energy into electrical energy using the properties of semiconductor. Such solar cells are classified into monocrystalline silicon solar cells, polycrystalline silicon solar cells, and thin-film solar cells depending on their types.

박막계 태양 전지는 유리나 플라스틱 재질의 투명 기판에 p 막, i 막, n 막을 증착하여 제조되고, 결정계 태양 전지는 실리콘 기판상에 반사 방지막을 증착하여 제조되며, 이러한 막들은 플라즈마를 이용한 화학 기상 증착(PECVD) 공정에 의해 기판상에 증착될 수 있다. Thin film solar cells are fabricated by depositing p, i, and n films on a glass or plastic transparent substrate. Crystalline solar cells are fabricated by depositing an antireflection film on a silicon substrate. These films are deposited by chemical vapor deposition RTI ID = 0.0 > (PECVD) < / RTI > process.

본 발명은 증착 박막의 균일도를 향상시킬 있는 박막 증착 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a thin film deposition apparatus capable of improving the uniformity of deposited thin films.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 박막 증착 장치는, 처리실; 상기 처리실 내에 배치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되며, 상기 기판에 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드를 포함하되, 상기 샤워 헤드는, 상기 공정 가스가 유입되는 유입 홀이 형성되고, 상기 공정 가스가 여기되어 플라즈마가 발생하도록 고주파 전류가 인가되는 전극; 상기 전극의 하면에 결합되고, 상기 유입 홀을 통해 공급되는 상기 공정 가스의 유로를 제공하도록 복수 개의 가스 채널들이 형성된 배플 플레이트; 및 상기 배플 플레이트의 하부에 배치되며, 상기 가스 채널들에 형성된 홀들을 통해 공급되는 상기 공정 가스를 상기 기판상에 분사하는 분사 플레이트를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a thin film deposition apparatus including: a processing chamber; A substrate supporting unit disposed in the processing chamber and supporting the substrate; And a showerhead disposed above the substrate support unit and supplying a process gas to the substrate, wherein the showerhead is formed with an inlet hole through which the process gas is introduced, An electrode to which a high-frequency current is applied; A baffle plate coupled to a lower surface of the electrode and having a plurality of gas channels formed therein to provide a flow path of the process gas supplied through the inlet hole; And an injection plate disposed below the baffle plate for injecting the process gas supplied through the holes formed in the gas channels onto the substrate.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 샤워 헤드는, 상기 가스 채널들을 흐르는 상기 공정 가스의 유량을 조절하는 유량 조절 밸브를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the showerhead may further include a flow control valve for regulating a flow rate of the process gas flowing through the gas channels.

본 발명에 의하면, 기판상에 보다 균일하게 공정 가스를 공급하여 기판상에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the uniformity of the thin film deposited on the substrate can be improved by supplying the process gas more uniformly on the substrate.

이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 공정 모듈의 정-단면도다.
도 3은 도 2의 공정 모듈의 평-단면도이다.
도 4는 도 2의 공정 모듈(30)의 측면도이다
도 5는 도 2의 구동 축과 연결 축의 사시도이다
도 6은 도 2의 구동 부재의 동작을 보여주는 도면이다.
도 7은 기판 언로딩 유닛의 구성을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 이송 부재들의 구성을 보여주는 도면이다.
도 9는 샤워 헤드의 단면도이다.
도 10은 도 9의 배플 플레이트의 평면도이다.
도 11은 도 10의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 12a 및 도 12b는 도 9의 유량 조절 밸브의 동작을 보여주는 도면이다.
도 13은 샤워 헤드의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 14는 도 13의 요부를 확대한 사시도이다.
도 15는 전극의 상면 구조를 보여주는 도면이다.
도 16은 도 2의 처리실의 하부벽의 평면도이다.
도 17은 도 16의 B-B' 선에 따른 단면도이다.The drawings described below are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the invention.
1 is a view illustrating a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a front-sectional view of the process module of Figure 1;
Figure 3 is a plain-section view of the process module of Figure 2;
Figure 4 is a side view of the process module 30 of Figure 2
5 is a perspective view of the driving shaft and the connecting shaft of Fig. 2
Fig. 6 is a view showing the operation of the driving member of Fig. 2;
7 is a view showing the configuration of the substrate unloading unit.
FIG. 8 is a view showing the configuration of the conveying members of FIG. 7; FIG.
9 is a sectional view of the shower head.
10 is a plan view of the baffle plate of Fig.
11 is a sectional view taken along the line AA 'in Fig.
12A and 12B are views showing the operation of the flow control valve of FIG.
13 is a cross-sectional view showing another example of the shower head.
14 is an enlarged perspective view of the main part of Fig.
15 is a top view of the electrode.
16 is a plan view of the lower wall of the treatment chamber of Fig. 2;
17 is a cross-sectional view taken along line BB 'of Fig.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, a thin film deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

( 실시 예 )(Example)

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 증착 장치(1)를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a thin film deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 박막 증착 장치(1)는 로딩/언로딩 모듈(10), 로드락 모듈(20), 그리고 공정 모듈(30)를 포함한다. 로딩/언로딩 모듈(10), 로드락 모듈(20), 그리고 공정 모듈(30)은 제 1 방향(Ⅰ)으로 나란하게 배치될 수 있다. 로딩/언로딩 모듈(10)은 로드락 모듈(20)의 전단부에 인접하게 배치되고, 공정 모듈(30)은 로드락 모듈(20)의 후단부에 인접하게 배치된다. 로드락 모듈(20)은 제 1 방향(Ⅰ)에 수직한 제 2 방향(Ⅱ), 즉 상하 방향으로 적층 배치된 복층 구조를 가진다. 상층에는 제 1 로드락 모듈(20a)이 배치되고, 하층에는 제 2 로드락 모듈(20b)이 배치된다.Referring to FIG. 1, a thin film deposition apparatus 1 includes a loading / unloading module 10, a loadlock module 20, and a process module 30. The loading / unloading module 10, the load lock module 20, and the process module 30 may be arranged in parallel in the first direction I. The loading / unloading module 10 is disposed adjacent to the front end of the loadlock module 20 and the processing module 30 is disposed adjacent to the rear end of the loadlock module 20. The load lock module 20 has a multilayer structure in which the first direction I and the second direction II are vertically stacked. The first load lock module 20a is disposed on the upper layer and the second load lock module 20b is disposed on the lower layer.

로딩/언로딩 모듈(10)은 로드락 모듈(20)의 전단부에 배치된다. 로딩/언로딩 모듈(10)은 내부가 빈 대체로 직육면체 형상을 가질 수 있다. 로딩/언로딩 모듈(10)의 내부에는 제 1 기판 이송 유닛(12)과 제 2 기판 이송 유닛(14)이 제공된다. 제 1 기판 이송 유닛(12)은 제 1 로드락 모듈(20a)에 대응하는 높이에 제 1 방향(Ⅰ)으로 나란하게 배치된 이송 샤프트들(미도시)과, 이송 샤프트들에 설치된 롤러들(13)을 포함한다. 로딩/언로딩 모듈(10)로 반입되는 기판들(S)이 적재된 트레이(T)는 이송 샤프트들과 롤러들(13)의 회전에 의해 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동되어 제 1 로드락 모듈(20a)로 전달된다. 제 2 기판 이송 유닛(14)은 제 2 로드락 모듈(20b)에 대응하는 높이에 제 1 방향(Ⅰ)으로 나란하게 배치된 이송 샤프트들(미도시)과, 이송 샤프트들에 설치된 롤러들(15)을 포함한다. 제 2 로드락 모듈(20b)로부터 전달되는 기판들(S)이 적재된 트레이(T)는 이송 샤프트들과 롤러들(15)의 회전에 의해 제 1 방향(Ⅰ)의 반대 방향으로 직선 이동되어 로딩/언로딩 모듈(10)로부터 반출된다.The loading / unloading module 10 is disposed at the front end of the load lock module 20. The loading / unloading module 10 may have a substantially rectangular parallelepiped shape inside. The first substrate transfer unit 12 and the second substrate transfer unit 14 are provided inside the loading / unloading module 10. The first substrate transfer unit 12 includes transfer shafts (not shown) arranged in the first direction I in parallel with the first load lock module 20a and rollers 13). The tray T loaded with the substrates S loaded into the loading / unloading module 10 is linearly moved in the first direction I by the rotation of the conveying shafts and the rollers 13, Lock module 20a. The second substrate transfer unit 14 includes transfer shafts (not shown) arranged in parallel in the first direction I at a height corresponding to the second load lock module 20b and rollers 15). The tray T loaded with the substrates S transferred from the second load lock module 20b is linearly moved in the direction opposite to the first direction I by the rotation of the conveying shafts and the rollers 15 And is carried out from the loading / unloading module 10.

로드락 모듈(20)은 상층에 배치된 제 1 로드락 모듈(20a)과, 하층에 배치된 제 2 로드락 모듈(20b)을 포함한다. 제 1 로드락 모듈(20a)과 로딩/언로딩 모듈(10)의 사이, 그리고 제 1 로드락 모듈(20a)과 공정 모듈(30)의 사이에는 기판들(S)의 이동 통로(미도시)가 제공되고, 기판들(S)의 이동 통로는 게이트 밸브(21a,22a)에 의해 개폐된다. 제 2 로드락 모듈(20b)과 로딩/언로딩 모듈(10)의 사이, 그리고 제 2 로드락 모듈(20b)과 공정 모듈(30)의 사이에는 기판들(S)의 이동 통로(미도시)가 제공되고, 기판들(S)의 이동 통로는 게이트 밸브(21b,22b)에 의해 개폐된다. 제 1 로드락 모듈(20a)의 내부에는 기판 이송 유닛(23a)이 제공되고, 기판 이송 유닛(23a)의 상부에는 기판들(S)을 가열하는 히터(24)가 배치된다. 제 2 로드락 모듈(20b)의 내부에는 기판 이송 유닛(23b)이 제공된다. 기판 이송 유닛들(23a,23b)은 로딩/언로딩 모듈(10)에 제공된 제 1 및 제 2 기판 이송 유닛들(12,14)과 동일한 구성을 가질 수 있다.The load lock module 20 includes a first load lock module 20a disposed on the upper layer and a second load lock module 20b disposed on the lower layer. (Not shown) of the substrates S is disposed between the first load lock module 20a and the loading / unloading module 10 and between the first load lock module 20a and the process module 30. [ And the moving path of the substrates S is opened and closed by the gate valves 21a and 22a. (Not shown) of the substrates S is provided between the second load lock module 20b and the loading / unloading module 10, and between the second load lock module 20b and the process module 30. [ And the moving path of the substrates S is opened and closed by the gate valves 21b and 22b. A substrate transfer unit 23a is provided inside the first load lock module 20a and a heater 24 for heating the substrates S is disposed on the substrate transfer unit 23a. A substrate transfer unit 23b is provided inside the second load lock module 20b. The substrate transfer units 23a and 23b may have the same configuration as the first and second substrate transfer units 12 and 14 provided in the loading / unloading module 10.

제 1 로드락 모듈(20a)은 로딩/언로딩 모듈(10)로부터 기판들(S)을 전달받고, 기판들(S) 주변의 온도 및 압력을 공정 모듈(30) 내의 공정 온도 및 공정 압력과 동일한 조건으로 전환한 후 공정 모듈(30)로 기판들(S)을 전달한다. 제 2 로드락 모듈(20b)은 공정 모듈(30)로부터 기판들(S)을 전달받고, 기판들(S) 주변의 온도 및 압력을 로딩/언로딩 모듈(10) 내의 온도(상온) 및 압력(대기압)과 동일한 조건으로 전환한 후 로딩/언로딩 모듈(10)로 기판들(S)을 전달한다.The first load lock module 20a receives the substrates S from the loading / unloading module 10 and receives the temperature and pressure around the substrates S from the process temperature and process pressure in the process module 30 The substrates S are transferred to the process module 30 after switching to the same conditions. The second load lock module 20b receives the substrates S from the process module 30 and receives the temperature and pressure around the substrates S from the temperature (room temperature) and pressure (Atmospheric pressure), and transfers the substrates S to the loading / unloading module 10.

공정 모듈(30)은 로드락 모듈(20)의 후단부에 배치된다. 공정 모듈(30)은 플라즈마를 이용하여 기판상에 박막을 증착하는 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 공정을 진행한다. 박막 증착 공정에 사용되는 기판은, 예를 들어 박막계 태양 전지(Solar Cell)의 제조에 사용되는 유리나 플라스틱 재질의 투명 기판, 또는 결정계 태양 전지(Solar Cell)의 제조에 사용되는 실리콘 기판 등일 수 있다. 공정 모듈(30)은 박막계 태양 전지의 투명 기판상에 p 막, i 막, n 막을 증착할 수 있으며, 또한 결정계 태양 전지의 실리콘 기판상에 반사 방지막을 증착할 수 있다. 이외에도, 공정 모듈(30)은 평판 디스플레이(Flat Panel Display) 장치의 제조에 사용되는 유리 기판상에 박막을 증착할 수도 있다.The process module 30 is disposed at the rear end of the load lock module 20. The process module 30 performs a plasma chemical vapor deposition (PECVD) process for depositing a thin film on a substrate using plasma. The substrate used in the thin film deposition process may be, for example, a transparent substrate made of glass or plastic used for manufacturing a thin film solar cell, or a silicon substrate used for manufacturing a crystal solar cell (solar cell) . The process module 30 can deposit a p-layer, an i-layer and an n-layer on a transparent substrate of a thin-film solar cell or an anti-reflection layer on a silicon substrate of a crystalline solar cell. In addition, the process module 30 may deposit a thin film on a glass substrate used for manufacturing a flat panel display device.

공정 모듈(30)의 내부에는 기판 로딩 유닛(300)과 기판 언로딩 유닛(400)이 제공된다. 기판 로딩 유닛(300)은 제 1 로드락 모듈(20a)에 대응하는 높이에 제공되고, 기판 언로딩 유닛(400)은 제 2 로드락 모듈(20b)에 대응하는 높이에 제공된다. 기판 로딩 유닛(300)은 제 1 로드락 모듈(20a)로부터 증착 공정이 진행될 기판들(S)을 전달받는다. 기판들(S)에 대한 증착 공정은 기판 로딩 유닛(300) 상부의 공정 위치에서 진행된다. 공정 위치에서 증착 공정이 진행된 기판들(S)은 기판 로딩 유닛(300)의 아래에 제공된 기판 언로딩 유닛(400)으로 전달되며, 이때 기판 로딩 유닛(300)은 기판(S)과의 간섭이 일어나지 않는 위치로 이동된다. 기판 언로딩 유닛(400)은 증착 공정이 완료된 기판들(S)을 제 2 로드락 챔버(20b)로 전달한다.
Inside the processing module 30, a substrate loading unit 300 and a substrate unloading unit 400 are provided. The substrate loading unit 300 is provided at a height corresponding to the first load lock module 20a and the substrate unloading unit 400 is provided at a height corresponding to the second load lock module 20b. The substrate loading unit 300 receives the substrates S to be subjected to the deposition process from the first load lock module 20a. The deposition process for the substrates S proceeds at the process position above the substrate loading unit 300. [ Substrates S having undergone the deposition process in the process position are transferred to a substrate unloading unit 400 provided below the substrate loading unit 300 where the substrate loading unit 300 is capable of interfering with the substrate S It is moved to a position where it does not happen. The substrate unloading unit 400 transfers the substrates S on which the deposition process has been completed to the second load lock chamber 20b.

도 2는 도 1의 공정 모듈(30)의 정-단면도이고, 도 3은 도 2의 공정 모듈(30)의 평-단면도이며, 도 4는 도 2의 공정 모듈(30)의 측면도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 공정 모듈(30)은 처리실(100), 기판 지지 유닛(200), 기판 로딩 유닛(300), 기판 언로딩 유닛(400), 샤워 헤드(500), 그리고 배기 유닛(600)을 포함한다. Sectional view of the process module 30 of FIG. 1, FIG. 3 is a plan-sectional view of the process module 30 of FIG. 2, and FIG. 4 is a side view of the process module 30 of FIG. 2 to 4, the processing module 30 includes a processing chamber 100, a substrate supporting unit 200, a substrate loading unit 300, a substrate unloading unit 400, a showerhead 500, Unit 600 shown in FIG.

처리실(100)은 내부가 빈 직육면체 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 처리실(100)은 상하 방향으로 이격된 사각형 형상의 상부 벽(110) 및 하부 벽(120), 그리고 상부 벽(110)의 가장자리 둘레로부터 하부 벽(120)의 가장자리 둘레로 연장된 측벽(130a,130b,130c,130d)을 포함한다. 제 1 측벽(130a)과 제 2 측벽(130b)은 제 3 방향(Ⅲ)으로 평행하게 이격 배치되고, 제 3 측벽(130c)과 제 4 측벽(130d)은 제 1 방향(Ⅰ)으로 평행하게 이격 배치된다.The processing chamber 100 may have a hollow rectangular parallelepiped shape. Specifically, the processing chamber 100 includes a rectangular upper wall 110 and a lower wall 120 spaced apart from each other in the vertical direction, and a side wall extending from the periphery of the upper wall 110 to the periphery of the lower wall 120 (130a, 130b, 130c, 130d). The first sidewall 130a and the second sidewall 130b are spaced apart in parallel in the third direction III and the third sidewall 130c and the fourth sidewall 130d are parallel to each other in the first direction I Are spaced apart.

기판들(S)이 적재된 트레이(T)를 지지하는 기판 지지 유닛(200)은 처리실(100)의 내측에 제공되고, 샤워 헤드(500)는 기판 지지 유닛(200)과 마주보도록 처리실(100)의 상부 벽(110)에 설치된다. 샤워 헤드(500)는 기판상으로 공정 가스를 분사한다. 처리실(100) 내로 기판을 로딩하는 기판 로딩 유닛(300)과, 처리실(100)로부터 기판을 언로딩하는 기판 언로딩 유닛(400)은 처리실(100)의 제 1 및 제 2 측벽(130a,130b)에 설치된다. 배기 유닛(600)은 처리실(100)의 하부 벽(120)에 제공되며, 처리실(100) 내부의 미반응 가스 및 반응 부산물을 외부로 배출한다.The substrate supporting unit 200 supporting the tray T on which the substrates S are loaded is provided inside the processing chamber 100 and the showerhead 500 is provided in the processing chamber 100 (Not shown). The showerhead 500 injects the process gas onto the substrate. A substrate loading unit 300 for loading a substrate into the processing chamber 100 and a substrate unloading unit 400 for unloading the substrate from the processing chamber 100 are provided on the first and second side walls 130a and 130b ). The exhaust unit 600 is provided in the lower wall 120 of the process chamber 100 and discharges unreacted gas and reaction by-products inside the process chamber 100 to the outside.

기판 지지 유닛(200)은 기판들(S)이 적재된 트레이(T)를 지지하는 지지판(210), 지지판(210)의 하면에 결합된 구동 축(220), 그리고 구동 축(220)을 상하 방향으로 상승 및 하강시키는 구동 부재(230)를 포함한다. 기판 로딩 유닛(300)에 로딩된 기판들(S)이 적재된 트레이(T)는 구동 부재(230)에 의한 구동 축(220)의 상승에 의해 지지판(210)에 지지되고, 기판 로딩 유닛(300) 상부의 공정 위치로 이동된다. 공정 위치에서 박막 증착 공정이 완료된 기판들(S)이 적재된 트레이(T)는 구동 축(220)의 하강에 의해 공정 위치로부터 기판 언로딩 유닛(400) 상의 언로딩 위치로 이동된다. 이때, 기판 로딩 유닛(130)은 트레이(T)와의 간섭이 일어나지 않는 위치로 이동된다.The substrate support unit 200 includes a support plate 210 for supporting a tray T on which the substrates S are mounted, a drive shaft 220 coupled to a lower surface of the support plate 210, And a driving member 230 for raising and lowering the driving member 230 in the direction of FIG. The tray T loaded with the substrates S loaded in the substrate loading unit 300 is supported on the support plate 210 by the lift of the drive shaft 220 by the drive member 230, 300). The tray T loaded with the substrates S having completed the thin film deposition process at the process position is moved from the process position to the unloading position on the substrate unloading unit 400 by the descent of the drive shaft 220. [ At this time, the substrate loading unit 130 is moved to a position where interference with the tray T does not occur.

지지판(210)에는 기판을 공정 온도로 가열하는 히터(미도시)가 제공되고, 지지판(210)은 전기적으로 접지된다. 한편, 샤워 헤드(500)에는 고주파 전류를 인가하는 고주파 전원(700)이 연결되고, 샤워 헤드(500)가 분사한 공정 가스는 여기되어 플라즈마가 발생된다. 발생된 플라즈마에 의해 기판(S)상에는 박막이 증착된다.The support plate 210 is provided with a heater (not shown) for heating the substrate to a process temperature, and the support plate 210 is electrically grounded. Meanwhile, a high frequency power source 700 for applying a high frequency current is connected to the showerhead 500, and the process gas injected by the showerhead 500 is excited to generate plasma. A thin film is deposited on the substrate S by the generated plasma.

기판 로딩 유닛(300)은 제 1 로드락 모듈(20a)로부터 전달되는 기판들(S)이 적재된 트레이(T)를 로딩한다. 기판 로딩 유닛(300)은 이송 부재(320a, 320b)와 구동 부재(340)를 포함한다. 이송 부재(320a, 320b)는 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 처리실(100)의 양 측벽(130a,130b)에 복수 개 제공되며, 트레이(T) 하면의 양측 가장자리를 지지하고 트레이(T)를 제 1 방향(Ⅰ)으로 이송한다. 구동 부재(340)는 이송 부재(320a, 320b)에 구동력을 제공한다.The substrate loading unit 300 loads the tray T on which the substrates S transferred from the first load lock module 20a are loaded. The substrate loading unit 300 includes transfer members 320a and 320b and a driving member 340. [ A plurality of transfer members 320a and 320b are provided on both side walls 130a and 130b of the process chamber 100 along the first direction I to support both side edges of the lower surface of the tray T, In the first direction (I). The driving member 340 provides a driving force to the conveying members 320a and 320b.

이송 부재(320a, 320b)는 제 1 이송 부재(320a)와 제 2 이송 부재(320b)를 포함한다. 제 1 이송 부재(320a)는 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 처리실(100)의 일 측벽(130a)에 복수 개 제공되고, 제 2 이송 부재(320b)는 제 1 이송 부재(320a)와 마주보도록 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 처리실(100)의 타 측벽(130b)에 복수 개 제공된다. 제 1 및 제 2 이송 부재(320a,320b)는 제 1 로드락 모듈(20a)의 높이에 대응하는 제 1 높이에 제공된다.The conveying members 320a and 320b include a first conveying member 320a and a second conveying member 320b. A plurality of first transfer members 320a are provided on the one side wall 130a of the process chamber 100 along the first direction I and a second transfer member 320b is provided to face the first transfer member 320a Are provided in the other side wall 130b of the processing chamber 100 along the first direction I. The first and second transfer members 320a and 320b are provided at a first height corresponding to the height of the first load lock module 20a.

각각의 제 1 이송 부재(320a)는 반송 롤러(321a), 구동축(322a), 종동 풀리(323a), 그리고 실링 기구(324a)를 포함한다. 반송 롤러(321a)는 처리실(100)의 내측에 위치하고, 회전 중심 축이 제 3 방향(Ⅲ)을 향하도록 제공된다. 종동 풀리(323a)는 처리실(100)의 외측에 위치하고, 회전 중심 축이 반송 롤러(321a)의 회전 중심 축에 정렬되도록 제공된다. 구동축(322a)은 반송 롤러(321a) 및 종동 풀리(323a)의 회전 중심에 정렬되고, 처리실(100)의 측벽(130a)에 관통 삽입된다. 구동축(322a)의 일단은 반송 롤러(321a)에 결합되고, 구동축(322a)의 타단은 종동 풀리(323a)에 결합된다. 실링 기구(324a)는 플랜지 형상을 가지고, 구동축(322a)에 삽입된 상태로 처리실(100)의 측벽(130a)의 외측면에 밀착 결합된다. 실링 기구(324a)의 내측면에는 자성체가 제공되고, 자성체와 구동축(322a)의 외측면 사이에는 자성 유체가 제공된다. 자성체에서 발생하는 자기력에 의해 자성 유체가 자기 유도되어 자성체와 구동축(322a)사이의 공간이 실링된다. 구동축(322a)은 실링 기구(324a) 내측의 자성 유체에 의해 실링되므로, 회전 가능할 뿐만 아니라, 축 방향을 따라 직선 이동 가능하다.Each of the first conveying members 320a includes a conveying roller 321a, a driving shaft 322a, a driven pulley 323a, and a sealing mechanism 324a. The conveying roller 321a is located inside the process chamber 100 and is provided so that its rotation center axis is directed in the third direction III. The driven pulley 323a is located outside the processing chamber 100 and is provided so that the rotational center axis is aligned with the rotational center axis of the conveying roller 321a. The drive shaft 322a is aligned with the center of rotation of the conveying roller 321a and the driven pulley 323a and is inserted into the side wall 130a of the processing chamber 100. One end of the drive shaft 322a is coupled to the conveying roller 321a and the other end of the drive shaft 322a is coupled to the driven pulley 323a. The sealing mechanism 324a has a flange shape and is tightly coupled to the outer surface of the side wall 130a of the processing chamber 100 while being inserted into the drive shaft 322a. A magnetic body is provided on the inner surface of the sealing mechanism 324a, and a magnetic fluid is provided between the magnetic body and the outer surface of the drive shaft 322a. The magnetic fluid is magnetically induced by the magnetic force generated by the magnetic body, and the space between the magnetic body and the drive shaft 322a is sealed. Since the drive shaft 322a is sealed by the magnetic fluid inside the sealing mechanism 324a, the drive shaft 322a is not only rotatable but also linearly movable along the axial direction.

실링 기구들(324a)과 종동 풀리들(323a)의 사이에는 가동 플레이트(330a)가 배치되고, 구동축들(322a)은 가동 플레이트(330a)에 제공된 베어링들(325a)에 의해 회전 가능하게 지지된다. 가동 플레이트(330a)는 실린더 기구(336a)에 의해 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동될 수 있다. 이때, 반송 롤러(321a), 구동축(322a), 그리고 종동 풀리(323a)는 가동 플레이트(330a)와 함께 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동될 수 있다. 이를 통해, 트레이(T)가 공정 위치로부터 기판 언로딩 유닛(400)으로 전달될 때, 기판 로딩 유닛(300)의 제 1 이송 부재(320a)가 트레이(T)와의 간섭이 일어나지 않는 위치로 후퇴할 수 있다.A movable plate 330a is disposed between the sealing mechanisms 324a and the driven pulleys 323a and the drive shafts 322a are rotatably supported by the bearings 325a provided in the movable plate 330a . The movable plate 330a can be linearly moved in the third direction III by the cylinder mechanism 336a. At this time, the conveying roller 321a, the driving shaft 322a, and the driven pulley 323a can be linearly moved together with the movable plate 330a in the third direction III. Thereby, when the tray T is transferred from the process position to the substrate unloading unit 400, the first transfer member 320a of the substrate loading unit 300 retracts to a position where interference with the tray T does not occur can do.

서로 이웃한 종동 풀리들(323a)의 사이에는 가이드 핀들(332a)이 제공된다. 가이드 핀들(332a)은 회전 중심 축이 제 3 방향(Ⅲ)으로 정렬되도록 배치되고, 가이드 핀들(332a)의 일단은 가동 플레이트(330a)에 결합된다. 종동 풀리들(323a) 및 가이드 핀들(332a)에는 종동 풀리들(323a) 간에 회전력이 전달되도록 벨트(334a)가 감긴다. 그리고, 제 1 이송 부재들 중 가장 앞단에 배치된 제 1 이송 부재의 구동축에는 구동 부재(340)의 구동 풀리(345a)와 벨트에 의해 연결되어 회전 구동력을 전달받는 전달 풀리(326a)가 결합된다.Guide pins 332a are provided between adjacent driven pulleys 323a. The guide pins 332a are arranged so that the rotation center axis is aligned in the third direction III and one end of the guide pins 332a is coupled to the movable plate 330a. The belt 334a is wound around the driven pulleys 323a and the guide pins 332a so that rotational force is transmitted between the driven pulleys 323a. A drive pulley 326a connected to the drive pulley 345a of the driving member 340 by a belt and receiving a rotational drive force is coupled to a drive shaft of the first transfer member disposed at the front end of the first transfer members .

각각의 제 2 이송 부재(320b)는 각각의 제 1 이송 부재(320a)와 마주보도록 처리실(100)의 타 측벽(130b)에 설치된다. 제 2 이송 부재들(320b)은 제 1 이송 부재들(320a)의 구성과 동일하므로, 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 다만, 설명되지 않은 도면 번호 321b는 반송 롤러, 322b는 구동 축, 323b는 종동 풀리, 324b는 실링 기구, 325b는 베어링, 326b는 전달 풀리, 330b는 가동 플레이트, 332b는 가이드 핀, 334b는 벨트, 336b는 실린더 기구이다.Each of the second transfer members 320b is installed on the other side wall 130b of the processing chamber 100 so as to face each of the first transfer members 320a. Since the second conveying members 320b are the same as the first conveying members 320a, detailed description thereof will be omitted. Reference numeral 321b denotes a conveying roller, 322b a driving shaft, 323b a driven pulley, 324b a sealing mechanism, 325b a bearing, 326b a transfer pulley, 330b a movable plate, 332b a guide pin, 334b a belt, 336b is a cylinder mechanism.

구동 부재(340)는 기판들(S)이 적재된 트레이(T)의 반송을 위한 회전 구동력을 제 1 및 제 2 이송 부재들(320a, 320b)에 제공한다. 구동 부재(340)는 처리실(100)의 하부 벽(120) 전방의 중심 아래에 배치된 구동 모터(341)를 가진다. 구동 모터(341)의 제 3 방향(Ⅲ)을 따르는 양 측면에는 구동 축(342a, 342b)이 각각 결합된다. 구동 축(342a)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 원통 형상의 제 1 축부(342a-1)와, 제 1 축부(342a-1)의 일단의 중심으로부터 길이 방향을 따라 연장된 다각형 단면 형상의 제 2 축부(342a-2)를 포함한다. 제 2 축부(342a-2)는 구동 축(342a)에 정렬된 연결 축(343a)의 다각형 단면 형상의 홀(343a-1)에 삽입된다. 연결 축(343a)의 타단에는 연결 축(343a)의 길이 방향으로 정렬된 동력 전달 축(344a)이 연결되고, 동력 전달 축(344a)의 타단에는 구동 풀리(345a)가 결합된다. 구동 풀리(345a)는 벨트(346a)에 의해 전달 풀리(326a)에 연결된다.The driving member 340 provides a rotational driving force to the first and second conveying members 320a and 320b for conveying the tray T on which the substrates S are loaded. The driving member 340 has a driving motor 341 disposed under the center of the front of the lower wall 120 of the processing chamber 100. Driving shafts 342a and 342b are coupled to both sides of the driving motor 341 along the third direction III. As shown in Fig. 5, the drive shaft 342a has a cylindrical first shaft portion 342a-1 and a polygonal cross-sectional shape extending along the longitudinal direction from the center of one end of the first shaft portion 342a-1 And a second shaft portion 342a-2 of the second shaft portion 342a. The second shaft portion 342a-2 is inserted into the hole 343a-1 of the polygonal cross-sectional shape of the connecting shaft 343a aligned with the driving shaft 342a. A power transmission shaft 344a aligned in the longitudinal direction of the connection shaft 343a is connected to the other end of the connection shaft 343a and a driving pulley 345a is coupled to the other end of the power transmission shaft 344a. Drive pulley 345a is connected to transmission pulley 326a by belt 346a.

연결 축(343a)은 지지 플레이트(347a)에 제공된 베어링에 의해 회전 가능하게 지지되고, 지지 플레이트(347a)는 실린더 기구(348a)에 의해 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 지지 플레이트(347a)가 실린더 기구(348a)에 의해 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동되면, 연결 축(343a), 동력 전달 축(344a), 그리고 구동 풀리(345a)가 지지 플레이트(347a)와 함께 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동된다. 여기서, 설명되지 않은 도면 번호 343b는 연결 축, 344b는 동력 전달 축, 345b는 구동 풀리, 346b는 벨트, 347b는 지지 플레이트, 348b는 실린더 기구이다.The connection shaft 343a is rotatably supported by a bearing provided in the support plate 347a and the support plate 347a can be linearly moved in the third direction III by the cylinder mechanism 348a. 6, when the support plate 347a is linearly moved in the third direction III by the cylinder mechanism 348a, the connection shaft 343a, the power transmission shaft 344a, and the drive pulley 345a Is linearly moved in the third direction III together with the support plate 347a. Reference numeral 343b denotes a connection shaft, 344b a power transmission shaft, 345b a drive pulley, 346b a belt, 347b a support plate, and 348b a cylinder mechanism.

구동 모터(341)의 회전력은 축 부재들(342a, 343a, 344a)에 의해 구동 풀리(345a)에 전달되고, 축 부재들(342b, 343b, 344b)에 의해 구동 풀리(345b)에 전달된다. 구동 풀리들(345a,345b)의 회전력은 벨트(346a,346b)에 의해 제 1 및 제 2 이송 부재(320a,320b)의 전달 풀리들(326a, 326b)에 각각 전달된다. 전달 풀리(326a)의 회전력은 벨트(334a)에 의해 종동 풀리들(323a)에 전달되고, 종동 풀리들(323a)이 회전함에 따라 반송 롤러들(321a)이 회전하고, 반송 롤러들(321a)의 회전에 의해 반송 롤러들(321a)에 의해 지지된 트레이(T)가 제 1 방향(Ⅰ)으로 이송되어 기판들(S)이 적재된 트레이(T)가 처리실(100) 내로 로딩된다.The rotational force of the drive motor 341 is transmitted to the drive pulley 345a by the shaft members 342a, 343a and 344a and is transmitted to the drive pulley 345b by the shaft members 342b, 343b and 344b. The rotational force of the drive pulleys 345a and 345b is transmitted to the transfer pulleys 326a and 326b of the first and second transfer members 320a and 320b by the belts 346a and 346b. The rotational force of the transfer pulley 326a is transmitted to the driven pulleys 323a by the belt 334a and the conveying rollers 321a rotate as the driven pulleys 323a rotate, The tray T supported by the conveying rollers 321a is conveyed in the first direction I and the tray T on which the substrates S are loaded is loaded into the processing chamber 100 by the rotation of the conveying rollers 321a.

처리실(100)에 로딩된 트레이(T)는 지지판(210)의 상승에 의해 공정 위치로 이동된다. 공정 위치에서 기판들(S) 상에 박막 증착 공정이 완료된 후 트레이(T)는 언로딩 위치, 즉 기판 언로딩 유닛(400)의 위치로 하강된다. 이때, 반송 롤러들(321a, 321b)은 하강하는 트레이(T)와의 간섭을 방지하기 위해 트레이(T)를 중심으로 제 3 방향(Ⅲ)을 따라 멀어지는 방향으로 이동되어야 한다. 실린더 기구(336a, 336b)에 의해 가동 플레이트(330a,330b)가 처리실(100)을 중심으로 제 3 방향(Ⅲ)을 따라 멀어지는 방향으로 이동되면, 가동 플레이트(330a,330b)의 베어링(325a,325b)에 의해 지지된 구동 축(322a,322b)이 이동하고, 이에 따라 구동 축(322a,322b)의 단부에 결합된 반송 롤러(321a,321b)가 트레이(T)와 간섭되지 않도록 이동된다. 구동 축(322a,322b)의 이동에 의해 전달 풀리(326a,326b) 또한 이동되므로, 벨트(346a,346b)에 의해 전달 풀리(326a,326b)에 연결된 구동 풀리(345a,345b)도 제 3 방향(Ⅲ)으로 이동되어야 한다. 구동 풀리(345a,345b)는 도 6을 참조하여 앞서 설명한 바와 같은 과정을 통해 제 3 방향(Ⅲ)으로 이동될 수 있다.
The tray T loaded in the processing chamber 100 is moved to the process position by the rising of the support plate 210. [ After the thin film deposition process is completed on the substrates S in the process position, the tray T is lowered to the unloading position, i.e., the position of the substrate unloading unit 400. At this time, the conveying rollers 321a and 321b should be moved in the direction away from the tray T in the third direction III to prevent interference with the tray T descending. When the movable plates 330a and 330b are moved in the direction away from the processing chamber 100 in the third direction III by the cylinder mechanisms 336a and 336b, the bearings 325a and 330b of the movable plates 330a and 330b, The drive shafts 322a and 322b supported by the drive shafts 322a and 325b move so that the conveying rollers 321a and 321b coupled to the ends of the drive shafts 322a and 322b are moved so as not to interfere with the tray T. The drive pulleys 326a and 326b are also moved by the movement of the drive shafts 322a and 322b so that the drive pulleys 345a and 345b connected to the transmission pulleys 326a and 326b by the belts 346a and 346b also rotate in the third direction (III). The drive pulleys 345a and 345b may be moved in the third direction III through the process described above with reference to FIG.

도 7은 기판 언로딩 유닛(400)의 구성을 보여주는 도면이고, 도 8은 도 7의 이송 부재들의 구성을 보여주는 도면이다. 도 4와, 도 7 및 도 8을 참조하면, 기판 언로딩 유닛(400)은 기판들(S)이 적재된 트레이(T)를 제 2 로드락 모듈(20b)로 언로딩한다. 기판 언로딩 유닛(400)은 이송 부재(420a, 420b)와 구동 부재(440)를 포함한다. 이송 부재(420a, 420b)는 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 처리실(100)의 양 측벽(130a,130b)에 복수 개 제공되며, 기판 로딩 유닛(300)의 이송 부재(320a,320b)의 아래에 배치된다. 이송 부재(420a, 420b)는 트레이(T) 하면의 양측 가장자리를 지지하고 트레이(T)를 제 1 방향(Ⅰ)으로 이송하여, 기판들(S)이 적재된 트레이(T)를 처리실(100)로부터 제 2 로드락 모듈(20b)로 언로딩한다. 구동 부재(440)는 이송 부재(420a, 420b)에 구동력을 제공한다.FIG. 7 is a view showing the configuration of the substrate unloading unit 400, and FIG. 8 is a view showing the configuration of the conveying members in FIG. Referring to FIGS. 4 and 7 and 8, the substrate unloading unit 400 unloads the tray T on which the substrates S are loaded, to the second load lock module 20b. The substrate unloading unit 400 includes the conveying members 420a and 420b and the driving member 440. [ A plurality of transfer members 420a and 420b are provided on both side walls 130a and 130b of the process chamber 100 along the first direction I and are provided under the transfer members 320a and 320b of the substrate loading unit 300 . The transfer members 420a and 420b support both side edges of the lower surface of the tray T and transfer the tray T in the first direction I to transfer the tray T on which the substrates S are loaded to the processing chamber 100 To the second load lock module 20b. The driving member 440 provides a driving force to the conveying members 420a and 420b.

이송 부재(420a, 420b)는 제 1 이송 부재(420a)와 제 2 이송 부재(420b)를 포함한다. 제 1 이송 부재(420a)는 기판 로딩 유닛(300)의 제 1 이송 부재(320a)의 아래에 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 복수 개 제공되고, 제 2 이송 부재(420b)는 제 1 이송 부재(420a)와 마주보도록 제 1 방향(Ⅰ)을 따라 처리실(100)의 타 측벽(130b)에 복수 개 제공된다. 제 1 및 제 2 이송 부재(420a,420b)는 제 2 로드락 모듈(20b)의 높이에 대응하는 제 2 높이에 제공된다. The transfer members 420a and 420b include a first transfer member 420a and a second transfer member 420b. A plurality of first transfer members 420a are provided along the first direction I under the first transfer member 320a of the substrate loading unit 300 and the second transfer members 420b are provided along the first direction I, (I) of the processing chamber 100 so as to face the first side wall 420a. The first and second transfer members 420a and 420b are provided at a second height corresponding to the height of the second load lock module 20b.

각각의 제 1 이송 부재(420a)는 반송 롤러(421a), 구동축(422a), 그리고 종동 풀리(423a)를 포함한다. 반송 롤러(421a)는 처리실(100)의 내측에 위치하고, 회전 중심 축이 제 3 방향(Ⅲ)을 향하도록 제공된다. 종동 풀리(423a)는 처리실(100)의 외측에 위치하고, 회전 중심 축이 반송 롤러(421a)의 회전 중심 축에 정렬되도록 제공된다. 구동축(422a)은 반송 롤러(421a) 및 종동 풀리(423a)의 회전 중심에 정렬되고, 처리실(100)의 측벽(130a)에 제공된 베어링(424a)에 의해 회전 가능하게 지지된다. 구동축(422a)의 일단은 반송 롤러(421a)에 결합되고, 구동축(422a)의 타단은 종동 풀리(423a)에 결합된다.Each of the first conveying members 420a includes a conveying roller 421a, a driving shaft 422a, and a driven pulley 423a. The conveying roller 421a is located inside the process chamber 100 and is provided so that its rotation center axis is directed in the third direction III. The driven pulley 423a is located outside the processing chamber 100 and is provided so that the rotational center axis is aligned with the rotational center axis of the conveying roller 421a. The drive shaft 422a is aligned with the center of rotation of the conveying roller 421a and the driven pulley 423a and is rotatably supported by a bearing 424a provided in the side wall 130a of the process chamber 100. [ One end of the drive shaft 422a is coupled to the conveying roller 421a and the other end of the drive shaft 422a is coupled to the driven pulley 423a.

서로 이웃한 종동 풀리들(423a)의 사이에는 가이드 핀들(425a)이 제공된다. 가이드 핀들(425a)은 회전 중심 축이 제 3 방향(Ⅲ)으로 정렬되도록 배치되고, 가이드 핀들(425a)의 일단은 처리실(100)의 측벽(130)에 결합된다. 종동 풀리들(423a) 및 가이드 핀들(425a)에는 종동 풀리들(423a) 간에 회전력이 전달되도록 벨트(426a)가 감긴다. 그리고, 제 1 이송 부재들 중 가장 뒤에 배치된 제 1 이송 부재의 구동축에는 구동 부재(440)의 구동 풀리(443a)와 벨트에 의해 연결되어 회전 구동력을 전달받는 전달 풀리(427a)가 결합된다.Guide pins 425a are provided between adjacent driven pulleys 423a. The guide pins 425a are arranged so that the rotational center axis is aligned in the third direction III and one end of the guide pins 425a is coupled to the side wall 130 of the process chamber 100. [ A belt 426a is wound around the driven pulleys 423a and the guide pins 425a so that rotational force is transmitted between the driven pulleys 423a. The driving shaft of the first conveying member disposed at the rear of the first conveying members is coupled with the driving pulley 443a of the driving member 440 and the conveying pulley 427a connected to the driving conveying member 440 by a belt to receive the rotational driving force.

각각의 제 2 이송 부재(420b)는 각각의 제 1 이송 부재(420a)와 마주보도록 처리실(100)의 타 측벽(130b)에 설치된다. 제 2 이송 부재들(420b)은 제 1 이송 부재들(420a)의 구성과 동일하므로, 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 다만, 설명되지 않은 도면 번호 421b는 반송 롤러, 422b는 구동 축, 423b는 종동 풀리, 424b는 베어링, 425b는 가이드 핀, 426b는 벨트, 427b는 전달 풀리이다.Each of the second transfer members 420b is installed on the other side wall 130b of the process chamber 100 so as to face the first transfer member 420a. The second conveying members 420b are the same as those of the first conveying members 420a, and a detailed description thereof will be omitted. Reference numeral 421b denotes a conveying roller, 422b denotes a drive shaft, 423b denotes a driven pulley, 424b denotes a bearing, 425b denotes a guide pin, 426b denotes a belt, and 427b denotes a transmission pulley.

구동 부재(440)는 기판들(S)이 적재된 트레이(T)의 반송을 위한 회전 구동력을 제 1 및 제 2 이송 부재들(420a, 420b)에 제공한다. 구동 부재(440)는 처리실(100)의 하부 벽(120) 후방의 중심 아래에 배치된 구동 모터(441)를 가진다. 구동 모터(441)의 제 3 방향(Ⅲ)을 따르는 양 측면에는 구동 축(442a, 442b)이 각각 결합된다. 구동 축(442a, 442b)의 끝단에는 구동 풀리(443a, 443b)가 각각 결합된다. 구동 풀리(443a, 443b)는 벨트(444a,444b)에 의해 전달 풀리(427a,427b)에 연결된다.The driving member 440 provides rotational driving force to the first and second conveying members 420a and 420b for conveying the tray T on which the substrates S are loaded. The driving member 440 has a driving motor 441 disposed under the center of the rear of the lower wall 120 of the processing chamber 100. Driving shafts 442a and 442b are coupled to both sides of the driving motor 441 along the third direction III. Drive pulleys 443a and 443b are coupled to the ends of the drive shafts 442a and 442b, respectively. Drive pulleys 443a and 443b are connected to transmission pulleys 427a and 427b by belts 444a and 444b.

구동 모터(441)의 회전력은 구동 축(442a,442b)에 의해 구동 풀리(443a, 443b)에 전달되고, 구동 풀리(443a, 443b)의 회전력은 벨트(444a,444b)에 의해 제 1 및 제 2 이송 부재(420a,420b)의 전달 풀리(427a,427b)에 각각 전달된다. 전달 풀리(427a,427b)의 회전력은 벨트(426a,426b)에 의해 종동 풀리들(423a,423b)에 전달되고, 종동 풀리들(423a,423b)이 회전함에 따라 반송 롤러들(421a,421b)이 회전한다. 반송 롤러들(421a,421b)의 회전에 의해 반송 롤러들(421a,421b)에 의해 지지된 트레이(T)가 제 1 방향(Ⅰ)으로 이송되어, 기판들(S)이 적재된 트레이(T)가 처리실(100)로부터 제 2 로드락 모듈(20b)로 언로딩된다.
The rotational force of the drive motor 441 is transmitted to the drive pulleys 443a and 443b by the drive shafts 442a and 442b and the rotational force of the drive pulleys 443a and 443b is transmitted by the belts 444a and 444b to the first and Are respectively transmitted to the transmission pulleys 427a and 427b of the two conveying members 420a and 420b. The rotational force of the transfer pulleys 427a and 427b is transmitted to the driven pulleys 423a and 423b by the belts 426a and 426b and is transmitted to the conveying rollers 421a and 421b as the driven pulleys 423a and 423b rotate, . The tray T supported by the conveying rollers 421a and 421b by the rotation of the conveying rollers 421a and 421b is conveyed in the first direction I so that the tray S Is unloaded from the process chamber 100 to the second load lock module 20b.

도 9는 샤워 헤드(500)의 단면도이고, 도 10은 도 9의 배플 플레이트(540)의 평면도이며, 도 11은 도 10의 A-A' 선에 따른 단면도이다. 도 9 내지 도 11을 참조하면, 샤워 헤드(500)는 전극(520), 유량 조절 밸브(530a,530b), 배플 플레이트(540), 그리고 분사 플레이트(560)를 포함한다.Fig. 9 is a sectional view of the showerhead 500, Fig. 10 is a plan view of the baffle plate 540 of Fig. 9, and Fig. 11 is a sectional view taken along the line A-A 'of Fig. 9-11, the showerhead 500 includes an electrode 520, flow control valves 530a and 530b, a baffle plate 540, and a spray plate 560. The showerhead 500 includes an electrode 520, flow control valves 530a and 530b,

샤워 헤드(500)로 공급되는 가스는 원료 가스와 반응 가스의 혼합 가스일 수 있다. 원료 가스는 기판상에 형성하고자 하는 박막의 주성분을 포함하는 가스이고, 반응 가스는 플라즈마의 형성을 위한 가스이다. 일 예를 들면, 기판상에 실리콘 산화막을 증착하는 경우, 원료 가스로는 SiH₄가 사용되고, 반응 가스로는 O₂가 사용될 수 있다. 다른 예에 의하면, 기판상에 실리콘 질화막을 증착하는 경우, 원료 가스로는 SiH₄가 사용되고, 반응 가스로는 NH₃, N₂가 사용될 수 있다. 또 다른 예에 의하면 기판상에 비정질 실리콘막을 증착하는 원료 가스로는 SiH₄가 사용되고, 반응 가스로는 H₂가 사용될 수 있다.The gas supplied to the showerhead 500 may be a mixed gas of the raw material gas and the reactive gas. The raw material gas is a gas containing a main component of a thin film to be formed on a substrate, and the reactive gas is a gas for forming a plasma. For example, when a silicon oxide film is deposited on a substrate, SiH ₄ may be used as a source gas, and O ₂ may be used as a reaction gas. According to another example, when a silicon nitride film is deposited on a substrate, SiH ₄ is used as a raw material gas, and NH ₃ and N ₂ can be used as a reaction gas. According to another example, SiH ₄ may be used as a source gas for depositing an amorphous silicon film on a substrate, and H ₂ may be used as a reaction gas.

전극(520)은 대체로 사각형 형상의 플레이트로 제공될 수 있으며, 전극(520)의 중심에는 가스가 유입되는 가스 유입 홀(522)이 관통 형성된다. 전극(520)에는 플라즈마의 생성을 위한 고주파 전류를 인가하는 고주파 전원(도 2의 도면 번호 700)이 연결된다. 전극(520)의 하면에는 배플 플레이트(540)의 상면이 밀착 결합되고, 배플 플레이트(540)의 상면에는 전극(520)의 가스 유입 홀(522)을 통해 공급되는 가스의 흐름을 안내하는 복수 개의 가스 채널이 형성된다.The electrode 520 may be provided in a substantially rectangular plate, and a gas inflow hole 522 through which the gas flows may be formed at the center of the electrode 520. The electrode 520 is connected to a high-frequency power supply (reference numeral 700 in FIG. 2) for applying a high-frequency current for generating plasma. The upper surface of the baffle plate 540 is tightly coupled to the upper surface of the baffle plate 540 at the lower surface of the electrode 520 and a plurality of gas guides 524 for guiding the flow of gas supplied through the gas inlet hole 522 of the electrode 520 A gas channel is formed.

배플 플레이트(540)의 상면 중심에는 전극(520)의 가스 유입 홀(522)에 연통되는 가스 공급 홈(541)이 형성되고, 가스 공급 홈(541)을 중심으로 사각형의 배치 구조를 가지도록 "I"자 형상의 제 1 채널들(542a,542b,542c,542d)이 형성된다. "I"자 형상의 제 1 채널들(542a,542b,542c,542d)의 수평부의 끝단에는 가스가 통과하도록 홀들(545)이 형성된다. 제 1 채널들(542a,542b,542c,542d) 중, 제 3 방향(Ⅲ)을 기준으로 가스 공급 홈(541)의 위에 형성된 채널들(542a,542b)은 "T"자 형상의 제 1 연결 채널(543a)에 의해 가스 공급 홈(541)에 연결된다. 제 1 연결 채널(543a)의 수평부(543a-1)의 양단은 채널들(542a,542b)의 수직부의 중심에 연결되고, 제 1 연결 채널(543a)의 수직부(543a-2)의 하단은 가스 공급 홈(541)에 연결된다. 제 1 채널들(542a,542b,542c,542d) 중, 제 3 방향(Ⅲ)을 기준으로 가스 공급 홈(541)의 아래에 형성된 채널들(542c,542d)은 거꾸로 선 "T"자 형상의 제 2 연결 채널(543b)에 의해 가스 공급 홈(541)에 연결된다. 제 2 연결 채널(543b)의 수평부(543b-1)의 양단은 채널들(542c,542d)의 수직부의 중심에 연결되고, 제 2 연결 채널(543b)의 수직부(543b-2)의 상단은 가스 공급 홈(541)에 연결된다.A gas supply groove 541 communicating with the gas inlet hole 522 of the electrode 520 is formed in the center of the upper surface of the baffle plate 540 and a gas supply groove 541 is formed in the center of the gas supply groove 541, Shaped first channels 542a, 542b, 542c and 542d are formed. Holes 545 are formed at the ends of the horizontal portions of the first channels 542a, 542b, 542c, and 542d of the "I" The channels 542a and 542b formed on the gas supply groove 541 of the first channels 542a, 542b, 542c and 542d with respect to the third direction III are connected to the first connection And is connected to the gas supply groove 541 by a channel 543a. Both ends of the horizontal portion 543a-1 of the first connection channel 543a are connected to the centers of the vertical portions of the channels 542a and 542b and the lower ends of the vertical portions 543a-2 of the first connection channel 543a Is connected to the gas supply groove (541). The channels 542c and 542d formed below the gas supply grooves 541 in the third direction (III) of the first channels 542a, 542b, 542c and 542d are arranged in an inverted "T" And is connected to the gas supply groove 541 by the second connection channel 543b. Both ends of the horizontal portion 543b-1 of the second connection channel 543b are connected to the centers of the vertical portions of the channels 542c and 542d and the upper ends of the vertical portions 543b- Is connected to the gas supply groove (541).

제 1 방향(Ⅰ)을 기준으로, 제 1 채널들(542a,542d) 외측과 제 1 채널들(542b,542c) 외측의 배플 플레이트(540) 양측 가장자리에는, 제 2 채널들(544a-2,544b-2)이 제 3 방향(Ⅲ)을 따라 길게 형성된다. 제 2 채널들(544a-2,544b-2)의 양단에는 가스가 통과하도록 홀들(546)이 형성된다. 제 2 채널들(544a-2,544b-2)은 제 1 방향(Ⅰ)으로 길게 형성된 제 2 연결 채널들(544a-1,544b-1)에 의해 가스 공급 홈(541)에 연결된다. 제 2 연결 채널들(544a-1,544b-1)의 일단은 제 2 채널들(544a-2,544b-2)의 중심에 연결되고, 제 2 연결 채널들(544a-1,544b-1)의 타단은 가스 공급 홈(541)에 연결된다. On both sides of the baffle plate 540 outside the first channels 542a and 542d and outside the first channels 542b and 542c on the basis of the first direction I are provided second channels 544a-2,544b -2 are formed along the third direction III. At both ends of the second channels 544a-2 and 544b-2, holes 546 are formed to allow gas to pass therethrough. The second channels 544a-2,544b-2 are connected to the gas supply grooves 541 by second connection channels 544a-1 and 544b-1 formed in the first direction I. One end of the second connection channels 544a-1 and 444b-1 is connected to the center of the second channels 544a-2 and 544b-2, and the other end of the second connection channels 544a-1 and 444b- And is connected to the gas supply groove 541.

제 1 및 제 2 유량 조절 밸브(530a,530b)는 제 2 연결 채널들(544a-1,544b-1)을 통해 흐르는 가스의 유량을 조절한다. 제 2 연결 채널들(544a-1,544b-1) 상부의 전극(520) 영역에는 일정 깊이의 홈이 각각 형성되고, 홈의 바닥 면에는 홈보다 작은 면적을 가지는 전극홀이 전극(520)을 관통하도록 형성된다. 홈에는 제 1 및 제 2 유량 조절 밸브(530a)의 연결부(532a,532b)가 삽입 설치되며, 연결부(532a,532b)의 내측에는 암나사가 형성된다. 조절부(534a,534b)는 로드 형상을 가지고, 조절부(534a,534b)의 외주면에는 수나사가 형성된다. 조절부(534a,534b)는 연결부(532a,532b)에 나사 결합되고, 연결부(532a,532b)를 통과한 조절부(534a,534b)의 단부는 전극(520)의 전극홀을 관통하여 제 2 연결 채널들(544a-1,544b-1) 내의 공간에 수용된다. The first and second flow control valves 530a and 530b regulate the flow rate of the gas flowing through the second connection channels 544a-1 and 444b-1. Grooves having a predetermined depth are formed in the area of the electrode 520 above the second connection channels 544a-1 and 444b-1, and electrode holes having a smaller area than the grooves are formed in the bottom surface of the groove, . The connecting portions 532a and 532b of the first and second flow control valves 530a are inserted into the groove and the female thread is formed inside the connecting portions 532a and 532b. The adjusting portions 534a and 534b have a rod shape, and male threads are formed on the outer peripheral surfaces of the adjusting portions 534a and 534b. The adjusting portions 534a and 534b are screwed to the connecting portions 532a and 532b and the ends of the adjusting portions 534a and 534b passing through the connecting portions 532a and 532b pass through the electrode holes of the electrode 520, Is accommodated in the space within the connection channels 544a-1 and 444b-1.

제 2 연결 채널들(544a-1,544b-1)을 통해 흐르는 가스의 유량은 조절부(534a,534b)의 단부와 제 2 연결 채널들(544a-1,544b-1)의 바닥 면 사이의 간극 조절에 의해 조절된다. 도 12a에 도시된 바와 같이, 조절부(534a)를 시계 방향으로 회전시키면, 조절부(534a)는 아래 방향으로 이동하여 조절부(534a)의 단부와 제 2 채널(544b-1)의 바닥면 사이의 간극이 좁아진다. 따라서, 제 2 채널(544b-1)을 통해 흐르는 가스의 유량이 작아진다. 이와 반대로, 도 12b에 도시된 바와 같이, 조절부(534a)를 반시계 방향으로 회전시키면, 조절부(534a)는 위 방향으로 이동하여 조절부(534a)의 단부와 제 2 채널(544b-1)의 바닥면 사이의 간극이 넓어진다. 따라서, 제 2 채널(544b-1)을 통해 흐르는 가스의 유량이 많아진다.The flow rate of the gas flowing through the second connection channels 544a-1 and 444b-1 is controlled by adjusting the gap between the ends of the control portions 534a and 534b and the bottom surfaces of the second connection channels 544a-1 and 444b- Lt; / RTI > 12A, when the adjusting portion 534a is rotated in the clockwise direction, the adjusting portion 534a moves downward so that the end portion of the adjusting portion 534a and the bottom portion of the second channel 544b- Is narrowed. Therefore, the flow rate of the gas flowing through the second channel 544b-1 is reduced. 12B, when the regulating portion 534a is rotated in the counterclockwise direction, the regulating portion 534a moves upward, and the end of the regulating portion 534a and the end of the second channel 544b-1 The gap between the bottom surfaces of the wafers is widened. Accordingly, the flow rate of the gas flowing through the second channel 544b-1 increases.

분사 플레이트(560)는 배플 플레이트(540)의 아래에 배치되며, 분사 플레이트(560)에는 복수 개의 분사 홀들(562)이 형성된다. 배플 플레이트(540)의 홀들(545,546)을 통과한 가스는 분사 플레이트(560)의 분사 홀들(562)을 통해 트레이(T) 상의 기판들(S)에 분사된다.
The injection plate 560 is disposed under the baffle plate 540 and the injection plate 560 is formed with a plurality of injection holes 562. The gas that has passed through the holes 545 and 546 of the baffle plate 540 is injected onto the substrates S on the tray T through the ejection holes 562 of the ejection plate 560.

도 13은 샤워 헤드(500')의 다른 예를 보여주는 단면도이고, 도 14는 도 13의 요부를 확대한 사시도이며, 도 15는 전극의 상면 구조를 보여주는 도면이다.FIG. 13 is a cross-sectional view showing another example of the showerhead 500 ', FIG. 14 is a perspective view enlarging the main part of FIG. 13, and FIG.

도 13 내지 도 15를 참조하면, 샤워 헤드(500')는 전극(520'), 배플 플레이트(540'), 그리고 분사 플레이트(560')를 포함한다. 전극(520')은 대체로 사각형 형상의 플레이트로 제공된다. 전극(520')의 하부에는 전극(520')과의 사이에 일정한 공간이 형성되도록 배플 플레이트(540')가 결합되고, 배플 플레이트(540')에는 복수 개의 가스 홀들(542')이 형성된다. 배플 플레이트(540')의 하부에는 분사 플레이트(560')가 제공되고, 분사 플레이트(560')에는 복수 개의 분사 홀들(562')이 형성된다. 전극(520')을 통해 공급되는 가스는 배플 플레이트(540')의 분사 홀들(542')을 통과한 후, 분사 플레이트(560')의 분사 홀들(562')을 통해 트레이(T) 상의 기판들(S)로 분사된다.Referring to FIGS. 13 to 15, the showerhead 500 'includes an electrode 520', a baffle plate 540 ', and an injection plate 560'. The electrode 520 'is provided in a generally rectangular plate. A baffle plate 540 'is coupled to a lower portion of the electrode 520' to form a constant space between the electrode 520 'and a plurality of gas holes 542' are formed in the baffle plate 540 ' . A spray plate 560 'is provided below the baffle plate 540' and a plurality of spray holes 562 'are formed in the spray plate 560'. The gas supplied through the electrode 520 'passes through the ejection holes 542' of the baffle plate 540 'and then flows through the ejection holes 562' of the ejection plate 560 ' (S).

전극(520')의 상면에는 전극(520')으로 공급된 가스가 균일하게 흐르도록 복수 개의 가스 채널이 형성된다. 전극(520')의 상면 중심에는 "ㄷ" 자 형상의 제 1 채널(521')이 형성되고, 제 1 채널(521')의 수직부 중심에는 전극(520')으로 가스가 유입되는 유입 홈(522')이 수평 방향으로 연장된다. 복수 개의 채널들은 "ㄷ" 자 형상의 제 1 채널(521')을 중심으로 대칭을 이루도록 사각형 모양의 배치 구조로 형성되므로, 이하에서는 대칭을 이루는 일 부분의 채널들에 대해서만 설명한다.A plurality of gas channels are formed on the upper surface of the electrode 520 'so that the gas supplied to the electrode 520' flows uniformly. A first channel 521 'is formed in the center of the upper surface of the electrode 520' and a center of the vertical part of the first channel 521 ' (522 ') extend in the horizontal direction. Since the plurality of channels are formed in a rectangular arrangement structure so as to be symmetrical with respect to the first channel 521 'shaped like a letter' C ', only a part of symmetrical channels will be described below.

"ㄷ" 자 형상의 제 1 채널(521')의 어느 하나의 수평부의 끝단에는 "T" 자 형상의 제 2 채널(523')이 연결되고, "T" 자 형상의 제 2 채널(523')의 수평부의 어느 하나의 끝단에는 제 3 채널(524')이 수직하게 연결된다. 제 3 채널(524')의 양 끝단에는 "ㄷ" 자 형상의 제 4 채널들(525'a,525'b)이 연결된다. 제 4 채널들(525'a,525'b)의 양 끝단에는 "H" 자 형상의 제 5 채널들(526'a, 526'b,526'c,526'd)이 연결된다. 제 5 채널들(526'a, 526'b,526'c,526'd)의 수직부의 양단에는 가스가 통과하도록 홀들(527')이 관통 형성된다. 제 1 내지 제 5 채널들은 단차부를 가지도록 형성되고, 제 1 내지 제 5 채널의 단차부에는 커버 플레이트(528')가 결합된다. 따라서, 커버 플레이트(528')의 하면과 제 1 내지 제 5 채널의 바닥면 사이에는 가스가 흐르는 공간이 형성된다.A "T" -shaped second channel 523 'is connected to one end of the horizontal portion of the first channel 521', and a second channel 523 ' The third channel 524 'is vertically connected to one end of the horizontal portion of the second channel 524'. And fourth channels 525'a and 525'b of 'C' shape are connected to both ends of the third channel 524 '. H "shaped fifth channels 526'a, 526'b, 526'c, 526'd are connected to both ends of the fourth channels 525'a, 525'b. Holes 527 'are formed through both ends of the vertical portions of the fifth channels 526'a, 526'b, 526'c, and 526'd to allow gas to pass therethrough. The first to fifth channels are formed to have a stepped portion, and the cover plate 528 'is coupled to the stepped portion of the first to fifth channels. Therefore, a space through which gas flows is formed between the lower surface of the cover plate 528 'and the bottom surface of the first to fifth channels.

유입 홈(522')을 통해 전극(520')으로 유입된 가스는 제 1 내지 제 5 채널들을 통해 흐른 후, 홀들(527')을 통해 전극(520')과 배플 플레이트(540') 사이의 공간으로 유입된다. 이후 가스는 배플 플레이트(540')의 가스 홀들(542')을 통해 배플 플레이트(540')와 분사 플레이트(560') 사이의 공간으로 유입되고, 분사 플레이트(560')의 분사 홀들(562')을 통해 트레이(T) 상의 기판들(S)로 분사된다.
The gas flowing into the electrode 520 'through the inlet groove 522' flows through the first to fifth channels and then flows through the holes 527 'to the gap between the electrode 520' and the baffle plate 540 'Lt; / RTI > The gas then flows into the space between the baffle plate 540 'and the injection plate 560' through the gas holes 542 'of the baffle plate 540' and the injection holes 562 'of the injection plate 560' To the substrates (S) on the tray (T).

도 16은 도 2의 처리실의 하부벽의 평면도이고, 도 17은 도 16의 B-B' 선에 따른 단면도이다.FIG. 16 is a plan view of the lower wall of the treatment chamber of FIG. 2, and FIG. 17 is a sectional view taken along line B-B 'of FIG.

도 16 및 도 17을 참조하면, 배기 유닛(600)은 배기 홀(610), 배기 플레이트(620), 그리고 배기 부재(630)를 포함한다. 배기 홀(610)은 처리실(100) 하부 벽(120)의 상면에 네 변의 가장자리를 따라 형성된 제 1 홈부(612), 제 1 홈부(612)를 따라가며 바닥 면에 단차지게 형성된 제 2 홈부(614), 그리고 기판 지지 유닛(200)의 구동 축(220)이 삽입되도록 하부 벽(120)의 중심에 형성된 홀(121)을 중심으로 좌우 대칭을 이루도록 제 2 홈부(614)에 관통 형성된 홀들(616a,616b)을 포함한다. 제 1 홈부(612)에는 속이 빈 사각형 모양의 배기 플레이트(620)가 삽입되고, 배기 플레이트(620)의 네 모서리에는 모서리를 따라 2열로 가스가 배기되도록 홀들(622)이 형성된다. 배기 부재(630)는 펌프(632)와, 펌프(632)에 연결된 메인 배기 라인(634), 그리고 배기 라인(634)으로부터 분기된 분기 라인들(636a,636b)을 포함한다. 분기 라인들(636a,636b)은 메인 배기 라인(634)을 중심으로 대칭을 이루도록 분기되고, 분기 라인들(636a,636b)의 단부는 처리실(100)의 하부 벽(120)에 대칭을 이루도록 형성된 홀들(616a,616b)에 연결된다.
16 and 17, the exhaust unit 600 includes an exhaust hole 610, an exhaust plate 620, and an exhaust member 630. The exhaust hole 610 is formed in the upper surface of the lower wall 120 of the processing chamber 100 by a first groove portion 612 formed along the edges of the four sides and a second groove portion 620 formed along the first groove portion 612, Holes 614 formed in the second grooves 614 so as to be symmetrical about the holes 121 formed at the center of the lower wall 120 so that the driving shaft 220 of the substrate supporting unit 200 is inserted 616a, 616b. A hollow square exhaust plate 620 is inserted into the first groove portion 612 and holes 622 are formed at four corners of the exhaust plate 620 so as to exhaust gas in two rows along corners. The exhaust member 630 includes a pump 632 and a main exhaust line 634 connected to the pump 632 and branch lines 636a and 636b branching from the exhaust line 634. The end portions of the branch lines 636a and 636b are formed symmetrically with respect to the main exhaust line 634 and the end portions of the branch lines 636a and 636b are formed symmetrically with respect to the lower wall 120 of the process chamber 100. [ Holes 616a and 616b.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas falling within the scope of the same shall be construed as falling within the scope of the present invention.

10: 로딩/언로딩 모듈 20: 로드락 모듈
30: 공정 모듈 100: 처리실
200: 기판 지지 유닛 300: 기판 로딩 유닛
400: 기판 언로딩 유닛 500, 500': 샤워 헤드
600: 배기 유닛10: Loading / unloading module 20: Loadlock module
30: Process module 100: Process chamber
200: substrate holding unit 300: substrate loading unit
400: Substrate unloading unit 500, 500 ': Shower head
600: Exhaust unit

Claims

Treatment room;
A substrate supporting unit disposed in the processing chamber and supporting the substrate; And
A showerhead disposed above the substrate support unit and supplying a process gas to the substrate,
The shower head includes:
An electrode through which the process gas is introduced, an electrode through which the process gas is excited to apply a high-frequency current so as to generate plasma;
A baffle plate coupled to a lower surface of the electrode and having a plurality of gas channels formed therein to provide a flow path of the process gas supplied through the inlet hole;
An injection plate disposed below the baffle plate for injecting the process gas supplied through the holes formed in the gas channels onto the substrate; And
And a flow control valve for regulating a flow rate of the process gas flowing through the gas channels,
The flow control valve
A connection portion inserted into the electrode hole formed through the electrode and having a female thread portion formed on the same line as the electrode hole; And
And an adjusting unit screwed to the female threaded portion of the connecting portion and having an end passing through the electrode hole and being accommodated in the space of the gas channel.

delete

The method according to claim 1,
The baffle plate
A gas supply groove communicating with the inlet hole at the center of the upper surface;
First connection channels positioned symmetrically with respect to the center of the gas supply groove and connected to the gas supply grooves and branched to both sides of the gas supply groove;
I "shaped first channels formed to have a rectangular arrangement structure around the gas supply grooves and connected to both ends of the first connection channels;
Second channels formed on both side edges of the baffle plate located outside the first channels;
And second connection channels connecting the center of the second channel and the gas supply groove.

5. The method of claim 4,
Wherein the flow control valve adjusts a flow rate of gas flowing through the second connection channels.