KR102095080B1 - 광학 크로스토크의 억제를 위한 인터리빙된 음향-광학 디바이스 스캐닝 - Google Patents

광학 크로스토크의 억제를 위한 인터리빙된 음향-광학 디바이스 스캐닝 Download PDF

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카이 카오
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Abstract

샘플을 스캐닝하는 방법은 복수의 동일 선상의 스캔들을 동시에 형성하는 것을 포함한다. 각 스캔은 음향-광학 디바이스(AOD)에 의한 스팟의 스위프에 의해 형성된다. 동일 선상의 스캔들은 미리 결정된 간격에 의해 분리된다. 제 1 복수의 스와스들은 동일 선상의 스캔들에 수직인 방향으로 복수의 동일 선상의 스캔들의 동시 형성을 반복함으로써 형성된다. 제 1 복수의 스와스들은 미리 결정된 간격과 동일한 스와스간 간격을 갖는다. 제 2 복수의 스와스들은 제 1 복수의 스와스들에 인접하게 형성될 수 있다. 제 2 복수의 스와스들의 형성은 제 1 복수의 스와스들의 방향과 반대 방향 또는 동일 방향으로 형성될 수 있다. 검사 시스템은 배율 변경기 뒤에 회절 광학 요소(DOE)를 포함함으로써 이 방법을 구현할 수 있다.

Description

광학 크로스토크의 억제를 위한 인터리빙된 음향-광학 디바이스 스캐닝{INTERLEAVED ACOUSTO-OPTICAL DEVICE SCANNING FOR SUPPRESSION OF OPTICAL CROSSTALK}
광학 크로스토크(crosstalk)를 억제하는 음향-광학 디바이스 스캐닝 기술들 및 시스템들이 기재된다.
반도체 제조 동안, 격리된 및/또는 시스템적 결함들이 웨이퍼 상에 형성될 수 있다. 웨이퍼 상에서의 낮은 백분율의 칩들에 존재하는 격리된 결함들은, 제조 환경에서의 미립자 오염물의 증가 또는 칩들의 제조에 사용된 프로세스 화학 물질들에서의 오염물의 증가와 같은 무작위 사건들에 의해 야기될 수 있다. 웨이퍼 상에서의 높은 백분율의 칩들에 일반적으로 존재하는 시스템적 결함들은 레티클(reticle) 상의 결함들에 의해 야기될 수 있다. 레티클은 포토리소그래피 기술을 이용하여, 집적 회로 층을 위한 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는데 사용된다. 그러므로, 레티클 상의 임의의 결함은 패턴과 함께 웨이퍼의 각 칩에 전사될 수 있다.
자동화 검사 시스템들은 웨이퍼 표면(패터닝되지 않은 것 및 패터닝된 것 모두)을 검사하도록 개발되었다. 검사 시스템은 일반적으로 조명 시스템 및 검출 시스템을 포함한다. 조명 시스템은 광 빔을 생성하기 위한 광원(예를 들어, 레이저) 및 광빔을 집속시키고 스캐닝하기 위한 장치를 포함할 수 있다. 웨이퍼 표면 상에 존재하는 결함들은 조명 시스템(또한 조명기로 불림)에 의해 제공된 입사광을 산란시킬 수 있다. 검출 시스템은, 산란된 광을 검출하고, 검출된 광을, 측정, 카운트, 및 디스플레이될 수 있는 전기 신호로 변환하도록 구성된다. 검출된 신호는 웨이퍼 상의 결함들을 찾아서 식별하기 위해 컴퓨터 프로그램에 의해 분석될 수 있다. 예시적인 검사 시스템들은 Steigmeier 등에게 1983년 7월 5일에 허여된 미국 특허 4,391,524와, Heener 등에게 1984년 4월 3일에 허여된 미국 특허 4,441,124와, Koizumi 등에게 1986년 9월 30일에 허여된 미국 특허 4,614,427과, Hayano 등에게 1989년 12월 26일에 허여된 미국 특허 4,889,998과, Allemand에게 1994년 5월 31일에 허여된 미국 특허 5,317,380에 기재되어 있으며, 이들 특허 모두는 본 명세서에 참고용으로 포함된다.
종래 기술의 조명 시스템에 사용된 하나 이상의 구성요소들은 음향-광학 기기(acousto-optics)를 이용할 수 있다. 예를 들어, 도 1a는 음향-광학 디바이스(AOD, acousto-optical device)(100)의 개략적인 구성을 도시한다. AOD(100)는 사운드 트랜스듀서(121), 석영판(122), 및 음향 흡수기(123)를 포함한다. 진동 전기 신호는 사운드 트랜스듀서(121)를 구동할 수 있고, 이것을 진동시킬 수 있다. 이어서, 이러한 진동은 석영판(122)에서 음파를 생성한다. 음향 흡수기(123)는 석영판(122)의 에지에 도달하는 임의의 음파를 흡수하도록 구성된다. 음파의 결과로서, 석영판(122)로의 인입 광(124)은 복수의 방향들(128, 129 및 130)로 회절된다.
회절된 빔은 사운드의 파장에 대해 광의 파장에 의존하는 각도로 석영판(122)으로부터 나온다. 주파수를 높은 것에서 낮은 것으로 램핑(ramping)함으로써 부분(126)은 부분(127)보다 높은 주파수를 가질 수 있다. 부분(126)이 높은 주파수를 가지기 때문에, 그 부분은 회절된 빔(128)이 나타내는 바와 같이 더 가파른 각도를 통해 입사 광의 일부를 회절시킨다. 부분(127)이 비교적 낮은 주파수를 가지기 때문에, 그 부분은 회절된 광 빔(130)이 나타내는 바와 같이 더 얕은 각도를 통해 입사 광 빔의 일부를 회절시킨다. 부분들(126 및 127) 사이의 중간-섹션 부분이 높은 주파수와 상대적으로 낮은 주파수 사이의 주파수를 갖기 때문에, 그 부분은 회절된 광 빔(129)이 나타내는 바와 같이 중간 각도를 통해 입사 광 빔의 일부를 회절시킨다. 이것은, AOD가 위치(125)에서 인입 빔(124)을 집속시키기 위해 어떻게 사용될 수 있는 지에 대한 예이다.
특히, AOD들은 미러들(mirrors)과 같은 기계적 디바이스들보다 상당히 더 빠르게 동작할 수 있다. 특히, AOD들은, 음파가 인입 광 빔을 교차하는데 걸리는 대략적인 시간(예를 들어, 5-100 ns)에 인입 광을 회절시킬 수 있다. 따라서, 예를 들어 웨이퍼 또는 레티클의 샘플의 스캔은 예를 들어 6.32mm/μsec의 레이트로 수행될 수 있다.
도 1b는 웨이퍼와 같은 샘플(109)을 가로질러 빔을 생성하고 스캐닝하도록 구성된 예시적인 이중 AOD 조명 시스템(110)을 도시한다. 사전 스캔 AOD(101)는 광원(100)으로부터의 입사 광을 일정 각도로 편향시키는데 사용되고, 여기서 각도는 무선 주파수(RF) 구동 소스의 주파수에 비례한다. 망원(telephoto) 렌즈(102)는 사전 스캔 AOD(101)로부터의 각도 스캔을 선형 스캔으로 변환하는데 사용된다.
처프(chirp) AOD(104)는 음향 전파의 평면 내의 입사 빔을 스캔면(105) 상에 집속시키는데 사용된다. 이것은, 무선 주파수들이 처프 AOD(104)를 통해 모두 전파할 수 있는 것보다 더 빠르게 트랜스듀서(104A)에 의해 모든 RF 주파수를 램핑함으로써 달성된다. 이러한 빠른 램핑은 처프 패킷(104B)을 형성한다. 처프 패킷(104B)은 사운드 속도에서 처프 AOD(104)를 통해 전파된다. 도 1b는 스팟 스위프(spot sweep)의 시작에서 처프 패킷(104B)의 위치를 도시하는 반면, 도 1c는 그 스팟 스위프의 마지막에서 처프 패킷(104B)의 위치를 도시한다. 이러한 전파 동안, 사전 스캔 AOD(101)는 처프 패킷(104B) 상에 입사하는 광 빔을 유지하기 위해 AOD(104)에서의 처프 패킷을 추적하도록 RF 주파수를 조정하는 것에 유의해야 한다.
원통형 렌즈(103)는 음향 전파의 평면에 수직인 평면에 빔을 집속시키는데 사용된다. 릴레이 렌즈(106)는 동공면(pupil plane)(106A)에서 실제 동공을 생성하는데 사용된다. 배율 변경기(107)는 스팟의 크기 및 스위프의 길이를 조정하는데 사용된다. 대물 렌즈(108)는 웨이퍼와 같은 샘플(109) 상에 스팟을 집속시키는데 사용된다.
도 2는 단일 AOD를 이용하는 다른 예시적인 조명 시스템(200)을 도시한다. 시스템(200)에서, 사전 스캔 AOD는 빔 확장기(201)로 대체된다. 그러므로, 이러한 유형의 조명 시스템은 "풀러드(flood) AOD" 시스템이라 불린다. 이 구성에서, 다수의 처프 패킷들(203A 및 203B)이 AOD(104)에서 생성된다. 본 명세서의 동일한 도면 부호들을 갖는 구성요소들이 실질적으로 유사한 구성요소들이므로, 그 설명들은 반복되지 않는다는 것을 유의해야 한다. 각 처프 패킷들(203A 및 203B)은 자체 스팟을 생성한다. 그러므로, 대물 렌즈(108)는 동시에 샘플(109) 상으로 2개의 스팟들을 집속한다. 2개의 칩 패킷들이 도 2에 도시되지만, 다른 실시예들에서, 추가 처프 패킷들은 샘플(109) 상에 입사하는 대응하는 수의 스팟들을 통해 생성될 수 있다.
이 샘플(109)이 일반적으로 양방향 이동을 할 수 있는 XY 병진 이동 스테이지 상에 배치되는 것에 유의해야 한다. 이 구성에서, 스테이지는, 샘플(109)에 충돌하는 집속된 스팟들(회절된 광 빔을 이용하여 집속 광학 기기들에 의해 형성됨)이 동일한 폭의 인접한 연속적인 스트립들(즉, 래스터 스캔 라인들)을 따라 스캐닝될 수 있도록 이동될 수 있다. Porter 등에게 1990년 3월 27일에 허여되고 본 명세서에 참고용으로 포함된 미국 특허 4,912,487은 래스터 스캐닝을 제공하도록 구성된 병진 이동 스테이지를 포함하는 예시적인 조명 시스템들을 기재한다.
도 3은 다수의 스팟들을 위한 산란된 광의 격리를 제공하는 알려진 예시적인 AOD 스캐닝 기술을 도시한다. 이 실시예에서, 4개의 스팟들은 4개의 시간(301, 302, 303, 및 304)(각 스팟은 도 3에서 참조의 용이함을 위해 동일한 충전 패턴(fill pattern)을 갖는다) 동안 스캐닝된다. 이들 4개의 스팟들은 AOD를 포함하는 조명 시스템에 의해 생성될 수 있다. 도 3에서, AOD는 처프 패킷 간격(306)(또한 스팟 간격 및 스캔 라인 세그먼트 길이에 상관됨)을 제공한다.
도 4는 도 3에서 설명하는 기술을 위한 예시적인 검사 시스템(400)을 도시한다. 시스템(400)에서, 예를 들어, 도 2에 도시된 것과 유사한 AOD 광학 경로는 AOD에 의해 생성된 스팟들을 샘플(401) 상으로 집속시키기 위한 대물 렌즈(404)를 포함할 수 있다. 시스템(400)은 샘플(401) 상의 스캐닝된 스팟들로부터의 산란된 광(402)의 2개의 복사본들을 2개의 검출기 어레이들(408 및 409)에 지향시킬 수 있다. 제 1 수집 경로 및 마스크 세트(406)는 스팟들의 제 1 세트로부터 산란된 광을 격리하고, 그 출력을 검출기 어레이(408)에 제공하도록 구성될 수 있는 반면, 제 2 수집 경로 및 마스크 세트(407)는 스팟들의 제 2 세트로부터 산란된 광을 격리하고 그 출력을 검출기 어레이(408)에 제공하도록 구성될 수 있다. 각 마스크가 윈도우들의 세트를 갖고, 각 윈도우는 주어진 PMT(photomultiplier tube) 또는 다른 센서에 대해 미리 결정된 폭을 갖는다는 것에 유의애햐 한다.
다시 도 3을 참조하면, 스팟들의 제 1 세트는 실선을 갖는 박스들에 의해 표시되는 반면, 스팟들의 제 2 세트는 점선을 갖는 박스들에 의해 표시된다. 박스들의 길이는 도 4에서 마스크들에 사용된 윈도우 폭(305)에 대응한다. 따라서, 예를 들어, 시간(301)에서, 스팟들(310 및 312)로부터의 산란된 광[수집 경로 및 마스크 세트(406)를 이용하여]은 스팟(311)으로부터 격리될 수 있다[수집 경로 및 마스크 세트(407)를 이용하여]. 완전한 커버리지(coverage)를 보장하기 위해, 마스크 중첩부(307)가 제공된다.
도 3의 스캐닝 기술에서, 2개의 요건이 충족되어야 한다. 먼저, PMT 윈도우 폭(305)은 306에 의해 도시된 AOD 처프 패킷의 간격인 원하는 라인의 세그먼트 길이보다 작아야 한다. 두 번째로, PMT 윈도우들은 중첩(307)에 의해 도시된 바와 같이 중첩해야 하지만, 원하는 세그먼트 길이를 지나 연장되지 않아야 한다. 이러한 요건은, 단 하나의 스팟이 언제라도 주어진 마스크 내에 있다는 것을 보장한다. 양쪽 요건들이 충족된다고 가정하면, 도 3의 스캐닝 기술은 단일 박스에 2개의 스팟들이 존재하는 시간이 없기 때문에 산란된 광에 대한 적절한 격리를 제공할 수 있다.
하지만, 이러한 마스크 중첩은, 종종 시간(301)에서의 스팟(313)에 의해 도시된 바와 같이 동일한 스팟으로부터 산란된 광을 캡처하는 검출기들의 어레이들 모두에서 초래될 수 있다. 유사한 상태는 스팟(314)에 대한 시간(304) 동안 발생한다. 이러한 복제된 정보는 분석 동안 인식되고 고려되어야 하여, 이를 통해 수집 시스템 복잡도를 증가시킨다. 또한 시간(302)에 대한 영역(315) 및 시간(303)에 대한 영역(316)에 의해 도시된 바와 같이, 마스크에 대해 지정된 영역 내에 종종 스팟이 존재하지 않는다는 것에 유의해야 한다. 이들 경우에서, 정보는 여전히 어떠한 스팟도 존재하지 않더라도 캡처되어야 하고, 이를 통해 자원들이 낭비된다.
더욱이, 50/50 빔 분할기(405)는 바람직하지 않게, 검출에 대해 이용 가능한 광을 절반씩 감소시킨다. 이 단점을 해결하기 위해, 2x 높은 출력인 레이저(광원)가 필요하고, 이를 통해 검사 시스템의 비용을 증가시킨다. 최대 전력 레이저가 이미 사용되고 있다고 가정하면, 50/50 빔 분할기를 이용하는 검사 시스템은 대형 레이저를 요구한다. 도 2에 도시된 바와 같이 동시에 AOD에서의 다수의 처프 패킷들을 갖는 것은, 서로에 대해 스팟들의 비교적 가까운 근접성으로 인해 높은 스팟간 크로스토크를 갖는다. 더욱이, PMT 윈도우가 원하는 라인 세그먼트 길이보다 더 작기 때문에, 더 많은 PMT가 필요하고, 이를 통해 검사 시스템의 비용을 추가로 증가시킨다.
도 5a는 플러드 조명 없이 다수의 스팟들을 생성할 수 있는 다른 예시적인 AOD 조명 시스템(500)을 도시한다. 이 실시예에서, 회절 광학 요소(DOE, diffractive optical element)(501)는 복수의 스팟들을 생성하기 위해 배율 변경기(107) 앞에 배치될 수 있다. 도 5a가 생성되는 3개의 스팟들(이들 스팟들과 연관된 상이한 빔들을 나타내는 상이한 라인 컬러들)을 도시하지만, 다른 실시예들은 상이한 수의 스팟들을 생성할 수 있다. 도 5b는 조명 시스템(500)에 대한 샘플(109) 상에서 스팟 크기, 스팟 간격 및 스캔 길이에 대한 배율 변경기(107)의 배율을 변경하는 효과를 도시한다. 상이한 충전 컬러들이 상이한 스팟들을 나타내는 것(그리고 도 5a의 상이한 라인 컬러들에 대응하는 것)에 유의해야 한다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 대형 스팟(520)은 3개의 위치들(1, 3 및 5)과 연관된 간격을 갖는 반면, 소형 스팟(521)은 3개의 위치들(2, 3 및 4)과 연관된 간격을 갖는다. 위치(1)에서의 대형 스팟은 위치(3)에 대해 스캔하고, 위치(3)에서의 대형 스팟은 위치(5)에 대해 스캔하고, 위치(5)에서의 대형 스팟은 위치(7)에 대해 스캔한다. 이와 대조적으로, 위치(2)에서의 소형 스팟은 위치(3)에 대해 스캔하고, 위치(3)에서의 소형 스팟은 위치(4)에 대해 스캔하고, 위치(4)에서의 소형 스팟은 위치(5)에 대해 스캔한다.
소형의 스팟 크기(높은 배율)를 갖는 것은 다수의 스팟들로부터 산란된 광에 대한 적절한 격리를 더 어렵게 만든다. 예를 들어, 도 6a 및 도 6b는 시간(T1 및 T4) 사이에서 3개의 소형 스팟(601, 602 및 603)(도 5b에 도시된 것에 대응)의 예시적인 스위프를 도시한다. 도 6b는 동일한 컬러의 박스들로서 스팟들(601, 602 및 603)의 스캔들을 도시하고, 박스들은 처프 AOD를 통한 전파의 결과로서 스팟들의 경로들을 나타낸다. 도 6b는 상이한 스팟들(대형 스팟 및 소형 스팟 모두에 대해 발생함)의 동일 선상의 스캔들(co-linear scans)의 중첩이 있다는 것을 도시한다. 이 중첩은 바람직하지 않은 스팟 크로스토크를 초래할 것이다.
스팟들 사이의 적절한 격리를 제공하여, 이를 통해 크로스토크를 최소화하기 위해, 추가 광학 기기 및 기술이 필요하다. 일 실시예에서, 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 프리즘(705)은 스팟들 사이의 적절한 간격을 생성하기 위해 조명 시스템에 사용될 수 있다: Kvamme에게 2006년 7월 11일에 허여되고 본 명세서에 참고용으로 포함된 미국 특허 7,075,638는 그러한 조명 시스템을 기재한다. 이 시스템에서, 프리즘(705), 및 구면 수차 보정 및 투과 렌즈와 같은 추가 광학 기기는, 샘플 상에서 복수의 스팟들로부터의 산란된 광, 예를 들어 스팟(701, 702, 및 703)과 연관된 빔이 도 7a에 도시된 바와 같이 프리즘(705)의 특정 각면(facet)으로 지향되게 배치된다. 그리고, 프리즘(705)은 각 빔을 개별적인 검출기로 지향시킨다. 도 7b는 연관된 검사 시스템의 동작 동안 스팟들(701, 702, 및 703)의 스캔 스위프를 도시한다. 프리즘(705)(수집기의 부분임)은 스팟 격리를 바람직하게 증가시키기 위해 도 7a 및 도 7b에 도시된 오프셋(오프셋은 조명 시스템의 부분인 격자에 의해 생성된다)을 이용한다. 따라서, 다시 도 6b를 참조하면, 격자를 회전시키는 것은 스팟들(701, 702 및 703)(및 이와 연관된 스캔들)이 x-축을 따라 더이상 동일 선상이 아니게 할 것이다(즉, 이들 스팟은 그 대신 수평면 내의 오프셋 스캔들과 대각선을 형성할 것이다). 공교롭게도, 프리즘(705)은 특정 배율에 맞게 설계된다. 그러므로, 배율이 변경되면, 다른 프리즘이 사용되어야 하므로, 이에 비용 및 설계 복잡도를 검사 시스템에 추가한다.
샘플 표면 상에서의 결함들의 정밀한 검출은 스캔에서의 각 스팟의 정확한 측정 및 분석에 의존한다. 그러므로, 이들 스팟의 격리를 보장하는 AOD들을 이용한 기술 및 시스템을 최적화하여, 시스템 복잡도 및 비용을 최소화하면서, 크로스토크를 최소화하는 필요성이 발생한다.
샘플을 스캐닝하는 방법이 기재된다. 이 방법에서, 복수의 동일 선상의 스캔들은 동시에 형성된다. 각 스캔은 음향-광학 디바이스(AOD)에 의한 스팟의 스위프에 의해 형성된다. 동일 선상의 스캔들은 미리 결정된 간격만큼 분리된다. 제 1 복수의 스와스들(swaths)은 동일 선상의 스캔들에 수직인 방향으로 복수의 동일 선상의 스캔들의 동시 형성을 반복함으로써 형성된다. 제 1 복수의 스와스들은 미리 결정된 간격과 동일한 스와스간 간격을 갖는다.
일 실시예에서, 미리 결정된 간격은 스캔 길이이다. 다른 실시예에서, 미리 결정된 간격은 스캔 길이의 진정수(integral number)이다. 또 다른 실시예에서, AOD 파라미터는 미리 결정된 간격으로서 스캔 길이의 진정수를 제공하도록 조정될 수 있다.
방법은 제 1 복수의 스와스들에 인접한 제 2 복수의 스와스들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 복수의 스와스들은 제 1 복수의 스와스들의 하부 절반을 제외한, 제 1 복수의 스와스 모두에 인접해 있다. 제 2 복수의 스와스들의 형성은 제 1 복수의 스와스의 방향과 반대 방향으로, 또는 제 1 복수의 스와스들의 방향과 동일한 방향으로 수행될 수 있다.
샘플의 스캔을 수행하는 다른 방법이 기재된다. 이 방법에서, 스팟 크기 및 제 1 스팟 길이는 조정 가능한 배율 변경기를 이용하여 제공되고, 스팟 분리는 회절 광학 요소(DOE) 경로에 의해 제공되고, 제 2 스캔 길이는 제 1 스캔 길이에 기초하여 프로그래밍 가능한 음향-광학 디바이스(AOD)에 의해 제공된다. 스캔은 스팟 크기, 스팟 분리, 및 제 2 스캔 길이를 이용하여 수행될 수 있다.
검사 시스템이 또한 기재된다. 이 검사 시스템은 제 1 및 제 2 AOD들, 렌즈, 배율 변경기, 제 1 회절 광학 요소(DOE) 경로, 및 이동 가능 플랫폼을 포함한다. 제 1 AOD는 레이저로부터의 광 빔을 수광하고, 각도 스캔을 따라 다양한 각도로 광 빔을 지향시키도록 구성된다. 렌즈는 각도 스캔을 선형 스캔으로 변환하도록 구성된다. 제 2 AOD는 선형 스캔에서의 광 빔을 수광하고 스캔을 생성하도록 구성되고, 스캔이 스팟의 스위프이어서, 복수의 동일 선상의 스팟들을 생성한다. 배율 변경기는 복수의 동일 선상의 스팟들의 배율을 조정하도록 구성되어, 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 생성한다. 제 1 DOE 경로는 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 복제하도록 구성되어, 그 사이의 미리 결정된 간격을 갖는 동일 선상의 스캔들의 세트를 생성한다. 이동 가능 플랫폼 시스템은, 제 1 DOE 경로가 동일 선상의 스캔들의 복수의 세트들을 생성할 때 동일 선상의 스캔들에 수직인 방향으로 이동함으로써 제 1 복수의 스와스들을 형성하고, 샘플을 고정하도록 구성된다. 이러한 이동은 동일 선상의 스캔들의 인접한 세트들을 형성한다. 제 1 복수의 스와스들은 미리 결정된 간격과 동일한 스와스간의 간격을 갖는다.
이동 가능 플랫폼 시스템은 또한, 동일 선상의 스캔들에 평행한 방향으로 스테핑(step)하고, 제 1 DOE 경로를 통해, 제 2 복수의 스와스들을 생성하도록 구성된다. 일 실시예에서, 제 2 복수의 스와스들은 제 1 복수의 스와스들에 인접하게 형성된다. 다른 실시예에서, 제 2 복수의 스와스들은 제 1 복수의 스와스들의 하부 절반을 제외한, 제 1 복수의 스와스들에 인접하게 형성된다.
미리 결정된 간격은 하나의 스캔 길이, 스캔 길이의 진정수(integral number), 또는 스캔의 비진정수(non-integral number)일 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 AOD는 제 2 복수의 스와스들에 대해 조정 가능한 스캔 길이를 제공하도록 프로그래밍 가능하다.
제 2 복수의 스와스들은 제 1 복수의 스와스들의 방향과 반대 방향으로 또는 제 1 복수의 스와스들의 방향과 동일한 방향으로 형성될 수 있다.
제 1 DOE 경로는 수직 입사 조명 또는 경사 입사 조명 중 어느 하나를 위한 것이다. 일 실시예에서, 검사 시스템은 제 2 DOE 경로와, 복수의 동일 선상의 스팟들을 제 1 DOE 경로와 제 2 DOE 경로 중 하나로 지향시키도록 구성된 스위칭 구성요소를 더 포함한다.
검사 시스템은, 레이저로부터의 광 빔을 수광하도록 구성되고 2개의 독립적인 축에 대해 조정할 수 있도록 구성된 왜상 웨이스트 릴레이(anamorphic waist relay)를 더 포함할 수 있다.
레이저가 붕산바륨 레이저 2배 결정을 포함할 때, 검사 시스템은 슬릿을 갖는 빔 성형기(beam shaper)를 더 포함할 수 있다. 검사 시스템은 동공과, 동공에 대해 동작 가능한 관계로 배치되고 복수의 동일 선상의 스팟들에 미리 결정된 투과 프로파일을 (예를 들어, x-축 및 y-축으로) 제공하도록 구성된 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트(apodization plate)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 동공은 제 1 DOE 경로의 대물 렌즈에 대해 편심화된다(decentered). 검사 시스템은 또한 배율 변경기와 제 1 DOE 경로 사이에 배치된 입사각 미러를 포함할 수 있다. 입사각 미러는 샘플에 대한 입사각을 조정하도록 구성될 수 있다.
도 1a는 음향-광학 디바이스(AOD)의 개략적인 구성을 도시한 도면.
도 1b는 웨이퍼와 같은 샘플을 가로질러 빔을 생성하고 스캐닝하도록 구성된 예시적인 이중 AOD 조명 시스템을 도시한 도면.
도 1c는 도 1b에 도시된 이중 AOD 조명 시스템의 스팟 스위프의 단부에서 칩 패킷의 위치를 도시한 도면.
도 2는 단일 AOD를 이용하는 다른 예시적인 조명 시스템을 도시한 도면.
도 3은 다수의 스팟들에 대한 산란된 광의 격리를 제공하는 알려진 예시적인 AOD 스캐닝 기술을 도시한 도면.
도 4는 도 3에 기재된 기술에 대한 예시적인 검사 시스템을 도시한 도면.
도 5a는 플러드 조명 없이 다수의 스팟들을 생성할 수 있는 다른 예시적인 AOD 조명 시스템을 도시한 도면.
도 5b는 도 5a에 도시된 조명 시스템에 대해 샘플 상의 스팟 크기, 스팟 간격 및 스팟 길이에 대한 배율 변경기의 배율을 변경하는 효과를 도시한 도면.
도 6a 및 도 6b는 3개의 소형 스팟의 예시적인 스위프를 도시한 도면.
도 7a 및 도 7b는, 프리즘이 수집기 광학 기기에서 스팟들의 적절한 격리를 생성하기 위해 조명 시스템과 연계하여 어떻게 사용될 수 있는지를 도시한 도면.
도 8a는 샘플을 가로질러 다수의 스팟들을 생성하고 스캐닝하도록 구성된 개선된 이중 AOD 조명 시스템을 도시한 도면.
도 8b는 도 8a에 도시된 조명 시스템에 대한 샘플 상의 스팟 크기 및 스팟 간격에 대한 배율 변경기의 배율을 변경하는 효과를 도시한 도면.
도 9a 및 도 9b는 도 8a에 도시된 조명 시스템에 의해 생성된 3개의 대형 스팟 및 3개의 소형 스팟의 예시적인 스캔들을 도시한 도면.
도 9c는 도 9a 및 도 9b에 도시된 대형 및 소형 스팟의 스캔들의 중첩을 도시한 도면.
도 10a 및 도 10b는 조명 시스템에서의 다양한 지점들에서 대형 스팟 및 소형 스팟에 대한 스팟 크기 및 스캔 크기 비교를 도시한 도면.
도 11a 내지 도 11d는 도 10b의 소형 스팟을 이용하여 스캐닝하기 위한 기술을 도시한 도면.
도 12a 내지 도 12c는 다른 조명 시스템에서의 다양한 지점들에서 대형 스팟 및 소형 스팟에 대한 스팟 크기 및 스캔 크기 비교를 도시한 도면.
도 13a 내지 도 13d는 도 12b의 소형 스팟을 이용하여 스캐닝하기 위한 기술을 도시한 도면.
도 14는 다수의 스팟들로부터의 산란된 광을 격리할 수 있는 예시적인 검사 시스템을 도시한 도면.
도 15a 및 도 15b는 경사 조명 시스템에서 입사각이 어떻게 변경될 수 있는 지를 도시한 도면.
도 8a는 웨이퍼와 같은 샘플(810)을 가로질러 다수의 스팟들을 생성하고 스캐닝하도록 구성된 개선된 이중 AOD 조명 시스템(800)을 도시한다. 사전 스캔 AOD(801)는 광원(800)으로부터의 입사 광을 일정 각도로 편향시키는데 사용되고, 각도는 무선 주파수(RF) 구동 소스의 주파수에 비례한다. 망원 렌즈(802)는 사전 스캔 AOD(801)으로부터의 각도 스캔을 선형 스캔으로 변환하는데 사용된다.
처프 AOD(804)는 음향 전파의 평면에서의 입사 빔을 스캔면(805) 상에 집속시키는데 사용된다. 이것은, 무선 주파수들이 처프 AOD(804)를 통해 모두 전파될 수 있는 것보다 더 빠르게 트랜스듀서(804A)에 의해 모든 RF 주파수를 램핑함으로써 달성된다. 이러한 빠른 램핑은 처프 패킷(804B)을 형성한다. 처프 패킷(804B)은 사운드 속도에서 처프 AOD(804)를 통해 전파된다. 처프 패킷(804B)의 위치는 스팟 스위프(예를 들어, 유사한 이동에 대해 도 1b 및 도 1c를 참조) 동안 처프 AOD(804)를 가로질러 전파된다. 이러한 전파 동안, 사전 스캔 AOD(801)가 처프 패킷(804B) 상에 입사하는 광 빔을 유지하기 위해 AOD(804)에서의 처프 패킷을 추적하도록 RF 주파수를 조정하는 것에 유의해야 한다.
원통형 렌즈(803)는 음향 전파의 평면에 수직인 평면에 빔을 집속시키는데 사용된다. 릴레이 렌즈(806)는 동공면(806A)에서 실제 동공을 생성하는데 사용된다. 배율 변경기(807)는 스팟의 크기 및 스위프의 길이를 조정하는데 사용된다. 특히, 회절 광학 요소(DOE)(808)는 배율 변경기(807) 뒤에 그리고 대물 렌즈(809) 앞에 배치된다. DOE(808)는 아래에 설명되는 바와 같이, 스팟 간격을 변경하지 않고도 배율 변경기(807)에 의해 스팟 출력을 복사한다. 도 8a가 DOE(808)에 의해 생성되는 3개의 스팟들을 도시하지만, 다른 실시예들은 상이한 수의 스팟들을 가질 수 있다. 대물 렌즈(809)는 다수의 스팟들을 샘플(810) 상으로 동시에 집속시키는데 사용된다.
도 8b는 조명 시스템(800)에 대한 샘플(810) 상의 스팟 크기 및 스팟 간격에 대한 배율 변경기(807)의 배율을 변경하는 효과를 도시한다. 상이한 충전 컬러들이 상이한 스팟들을 나타내는 것(그리고 도 8a의 상이한 라인 컬러들에 대응하는 것)에 유의해야 한다. 도 8b에 도시된 바와 같이, 대형 스팟(820) 및 소형 스팟(821) 모두는 3개의 위치들(1, 3, 및 5)과 연관된 동일한 간격을 가질 수 있다.
도 9a는 시간(T1 및 T4) 사이에서 3개의 대형 스팟(901, 902 및 903[도 8b에 도시된 스팟들(820)에 대응]의 예시적인 스캔들을 도시한다. 도 9a는 각각 박스들(911, 912, 및 913)로서 스팟(901, 902 및 903)의 스위프를 나타낸다. 도 9b는 시간(T1 및 T4) 사이에서 3개의 소형 스팟(921, 922 및 923)[도 8b에 도시된 스팟들(821)에 대응]의 예시적인 스캔들을 도시한다. 도 9b는 박스들(931, 932 및 933)로서 스팟들(921, 922, 및 923)의 스캔들을 나타낸다. 도 9c는, 위치(1)에서의 대형 스팟(901)이 위치(5)에 대해 스캔하되고, 위치(9)에서의 대형 스팟(903)은 위치(13)에 대해 스캔하고, 위치(17)에서의 대형 스팟(903)은 위치(21)에 대해 스캔하는 것을 도시한다. 이와 대조적으로, 위치(2)에서의 소형 스팟(921)은 위치(4)에 대해 스캔하고, 위치(10)에서의 소형 스팟(922)은 위치(12)에 대해 스캔하고, 위치(18)에서의 소형 스팟(923)은 위치(20)에 대해 스캔한다. 그러므로, 3개의 소형 스팟의 스캔들은 3개의 대형 스팟의 스캔들에 "포함(nested)"될 수 있다. 즉, 스캔들(931, 932, 933)은 각각 스캔들(911, 912, 및 913)에 포함될 수 있다. 도 9c에 도시된 바와 같이, 수집 광학 기기가 낮은 배율의 구성(대형 스팟)으로부터의 광을 수집하도록 설계될 때, 이들은 높은 배율의 구성(소형 스팟)으로부터의 광을 디폴트(default)로 수집할 것이다.
도 10a 및 도 10b는 조명 시스템에서의 다양한 지점들에서 대형 스팟 및 소형 스팟에 대한 스팟 크기 및 스캔 크기 비교를 도시한다. 도시된 바와 같이, 칩 AOD(804)(도 8을 참조)은 동일한 스팟 크기 및 스캔 크기를 갖는 스팟들을 생성하지만, 배율 변경기(807)는 스팟 크기 및 스캔 크기 모두를 변경한다. 일 실시예에서, 대형 및 소형 스팟 모두가 크기가 감소되지만, 배율 변경기(807)는 이 스테이지에서 대형 스팟과 소형 스팟 사이의 크기 차분을 생성한다. 배율이 또한 일반적으로 확대기에 대한 이미지 방위(스캔에서 한 쪽으로부터 다른 쪽으로의 스팟 위치 전환에 의해 나타냄)를 변경하는 것에 유의해야 한다. DOE(808)는 스팟들을 복사하고, 전술한 바와 같이, 대형 및 소형 스팟 사이의 스캔 위치들은 동일하지만, 대형 및 소형 스팟에 대한 스캔들 사이의 간격은 상이하다. 특히, 대형 스팟 스캔들에 대한 것보다 소형 스팟 스캔들 사이의 간격이 더 크다.
도 11a 내지 도 11d는 도 10b의 소형 스팟을 이용하는 스캐닝 기술을 도시한다. 특히, 이 기술은 수직 입사 조명 및 경사 입사 조명 모두에 사용될 수 있다. 이 실시예에서, 완료된 스캔들(간략함을 위해 2개의 스팟들이 도시됨)은 점선의 동일 선상의 라인을 형성한다. 즉, 도 11a를 참조하면, 스캔들(1101 및 1102)(이 경우에 하부로부터 상부로 형성됨)은 그 사이에 간격(S1)을 갖는다. 그러므로, 빔들의 큰 공간 분리가 보장된다. 일 실시예에서, 스캔들은 수직으로(도시된 바와 같이) 형성되고, 스와스(swath)들은 수평으로 형성된다. 예를 들어, 도 11b를 참조하면, 스와스들(1111 및 1112)은 각각 좌측에서 우측 이동으로 스캔들(1101 및 1102)을 반복함으로써 형성될 수 있다. 스와스들이 형성된 후에[그 사이의 대응하는 간격(S), 이것은 또한 본 명세서에서 블랭크로 언급됨], 스와스들의 다른 세트는 스와스들의 이전 세트들을 형성하는데 사용된 것과 반대 방향으로 공간들/블랭크들에 형성될 수 있다. 예를 들어, 스와스들(1120 및 1121)은 우측에서 좌측으로(명백함을 위해 부분 스와스들로서 도시됨) 형성되는 반면, 스와스들(1101 및 1102)(도 11a의 화살표를 참조, 그리고 도 11b에서의 결과적인 스와스들을 참조)은 좌측에서 우측으로 형성된다. 일 실시예에서, 웨이퍼를 위치시키는 스테이지는 예를 들어, 하나의 스캐닝 빔에 의해 각 새로운 스캔(즉, 스팟들의 컬럼)을 형성하도록 스테핑될 수 있다. 스와스 인터리빙이 완료된 후에, 초기 인터리빙된 스와스들은 도 11d(3-스팟 DOE를 가정)에 도시된 바와 같이, 샘플의 완전한 스캔을 제공하기 위해 도 11a 내지 도 11c에 기재된 것과 유사한 방식으로 형성될 수 있다.
간격(S1)이 스캔들의 진정수에 맞게 설계될 수 있어서, 복제 정보 없이 웨이퍼의 완전한 스캔을 보장한다. 일 실시예에서, 이러한 스와스간 간격은 프로그래밍 가능 AOD의 처프 파라미터를 아용하여 조정될 수 있고, 이것은 도 14를 참조하여 아래에 설명된다. 간격(S1)이 하나의 스캔 길이보다 더 크기 때문에, 몇몇 작은 수직 조정(예를 들어, 하나의 스캔 길이)은 큰 수직 조정이 이루어지기 전에 필요한 충전(fill-in) 스와스들을 생성하도록 이루어질 수 있다.
도 12a 및 도 12b는 다른 조명 시스템에서의 다양한 지점들에서 대형 스팟 및 소형 스팟에 대한 스팟 크기 및 스캔 크기를 도시한다. 이 실시예에서, 소프트웨어 제어를 갖는 프로그래밍 가능 AOD(804A)가 사용될 수 있다. 이러한 소프트웨어 제어는, 필요하다면 더 긴 스캔이 선택적으로 생성되도록 한다. 하지만, 배율 변경기(807) 및 DOE(808)의 기능은 전술한 것과 동일하다. 즉, 칩 AOD(804)(도 8을 참조)는 동일한 스팟 크기 및 스캔 크기를 갖는 스팟들을 생성하지만, 배율 변경기(807)는 스팟 크기 및 스캔 크기 모두를 변경한다. DOE(808)는 스팟들을 복사한다. 특히, 프로그래밍 가능한 AOD(804A)를 이용함으로써, 스캔 크기(스팟 크기뿐 아니라)는 증가될 수 있다. 그러므로, DOE(808)는 그 사이의 더 작은 간격을 갖는 스캔들을 생성할 수 있다. 도 12c는, 위치(1)에서의 소형 스팟(1201)이 위치(5)에 대해 스캔하고, 위치(9)에서의 소형 스팟(1202)이 위치(13)에 대해 스캔하고, 위치(17)에서의 소형 스팟(1203)이 위치(21)에 대해 스캔하는 것을 도시한다. 특히, 스캔들(1210(스팟(1201)을 포함), 1211(스팟(1202)을 포함), 및 1212(스팟(1203)을 포함))은 그 사이에 정확히 하나의 스캔 길이를 허용하는 간격을 갖는다. 이 간격은 아래에 설명되는 바와 같이, 평균화될 수 있다.
도 10b와 도 12b를 비교할 때, 도 12b의 구성을 포함하는 검사 시스템의 처리량이 더 커진다는 것에 유의해야 한다. 특히, 실제 스캔 레이트는 동일할 것이다. 스캔 레이트는 스캐닝 스팟의 크기 및 스캐닝 스팟의 속도에 비례한다. 도 10b 및 도 12b에서, 스팟 및 속도의 크기는 동일하다. 하지만, XY 스테이지는 도 12b의 구성에 비해 더 느린데, 즉 마무리하기 위해 더 긴 스캔을 여전히 대기해야 하기 때문에 설정(set-up)은 더 길 필요가 있다. 더욱이, 스와스의 높이는, 스캔당 1950개 픽셀들인 도 12b의 구성을 제외하고, 이 실시예에서 스캔당 모두 650개 픽셀인 도 10a, 도 10b, 도 12a 및 도 12b에 도시된 세그먼트당 픽셀들의 수로 표시된 바와 같이 도 12b에 대해 더 크다. 더 대형 스팟 크기가 제공될 때, 대응하여 더 빠른 속도가 초래되고, 소형 스팟 크기가 더 느린 속도에 대응한다는 것에 유의해야 한다. 따라서, 도 10a 및 도 10b에서 스캔을 진행하기 위해 대형 스팟이 소형 스팟으로서 스캔을 진행시키는데 동일한 시간의 양이 걸린다. 하지만, 도 12a 및 도 12b를 참조하면, 스캔 크기가 더 크기 때문에(즉, 스캔 길이가 더 길다), 스캔을 진행하기 위한 대형 스팟에 비해 소형 스팟의 스캔을 진행하는데 더 오래 걸린다(1950 픽셀 대 650 픽셀). 처리량은 웨이퍼의 특정 영역이 어떻게 스캐닝되는 지에 기초하고, 이것은 스캔의 속도 및 스팟 크기에 의해 결정될 것이다. 스와스들을 형성하기 위해 XY 스테이지를 시작 및 정지시키는 것은 오버헤드(overhead)가 드는데, 이는 스팟 스캐닝이 이들 기간 동안 이루어지지 않기 때문이다. 그러므로, 스와스들의 수, 이에 따라 XT 스테이지가 정지 및 시작해야 하는 시간을 감소시킴으로써 오버헤드를 감소시키는 것은 도 12b에 도시된 바와 같이 검사 시스템의 처리량을 개선한다. 더욱이, 사전 스캔 AOD와, 스캔들 사이의 다른 다양한 전자기기를 설정하는데 시간이 걸린다. 따라서, 예를 들어, 도 12b에 도시된 것과 같이 스캔을 연장시킴으로써 더 많은 오버헤드가 회피될 수 있다. 피크 데이터 레이트는 스팟이 이동할 때 항상 픽셀들을 디지털화하기 위한 비율이다. 따라서, 피크 데이터 레이트는 도 10a, 도 10b, 도 12a, 및 도 12b에 도시된 임의의 구성들에 대해 동일하다. 하지만, 평균 데이터 레이트(항상 피크 데이터 레이트보다 더 낮다)는 오버헤드에 기초하여 변할 것이다. 따라서, 도 12b에 도시된 구성은 도 10a, 도 10b, 도 12a 및 도 12b에 도시된 구성들의 가장 빠른 평균 데이터 레이트(그리고 피크 데이터 레이트에 가장 가까운 것)를 제공한다.
도 13a 내지 도 13d는 도 12b의 소형 스팟을 이용하여 스캐닝하는 기술을 도시한다. 이 실시예에서, 완료된 스캔들(명백함을 위해 3개의 스팟들이 도시됨)은 또한 스캔들 사이의 작은 공간들을 갖는 점선의 동일 선상의 라인을 형성한다. 즉, 도 13a를 참조하면, 스캔들(1301 및 1302)(이 경우에 하부로부터 상부로 형성됨)은 그 사이의 간격(S2)을 갖는다. 간격(S2)은 간격(S1)보다 작지만, 간격(S2)을 이용한 빔의 충분한 공간 분리가 여전히 보장된다. 간격(S1) 및 간격(S2)은 처프 AOD에서의 스캔의 길이에 의해 제어되고, 간격이 스캔의 길이(스캔 크기)와 동일할 때 최적화된다.
일 실시예에서, 스캔들은 수직으로(도시된 바와 같이) 형성되고, 스와스들은 수평으로 형성된다. 예를 들어, 도 13b를 참조하면, 스와스들(1310, 1311 및 1312)은 각각 좌측에서 우측 이동으로 스캔들(1301, 1302 및 1303)을 반복함으로써 형성될 수 있다. 스와스들이 형성된 후에[그 사이에 대응하는 간격(S)이 있음], 스와스들의 다른 세트는 스와스들의 이전 세트들을 형성하는데 사용된 것과 반대 방향으로 공간들/블랭크들에 형성될 수 있다. 예를 들어, 스와스들(1320, 1321 및 1322)은 우측에서 좌측으로(명백함을 위해 부분 스와스들로서만 도시됨) 형성되는 반면, 스와스들(1310, 1311, 및 1312)(도 13a의 화살표를 참조, 그리고 도 13b에서의 결과적인 스와스들을 참조)은 좌측에서 우측으로 형성된다. 또 다시, 샘플을 위치시키는 스테이지는 예를 들어, 하나의 스캐닝 빔에 의해 스테핑될 수 있다. 스와스 인터리빙이 완료된 후에, 추가 인터리빙된 스와스들은 샘플의 완료 스캔을 제공하기 위해 도 13a 내지 도 13c에 기재된 것과 유사한 방식으로 형성될 수 있다. 간격(S2)이 하나의 스캔 길이와 동일하기 때문에, 하나의 작은 수직 조정(즉, 하나의 스캔 길이 또는 스캐닝 빔)은 큰 수직 조정이 이루어지기 전에 필요한 충전 스와스를 생성하도록 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 도 13d에 도시된 바와 같이, 스테이지는 5개의 스캐닝 빔[예를 들어, 시야(FOV)의 1 2/3]을 스테핑할 수 있다. 다른 실시예에서, 그리고 도 13b를 참조하면, 스와스들(1310, 1311, 및 1312)을 마무리한 후에 하나의 스캔 길이를 이동시키는 대신에, 다음의 그리고 모든 후속 수직 조정이 이루어질 수 있고, 이것은 화살표(1350)로 도시된다. 이 충전 패턴이 스팟들의 수에 의존하는데, 예를 들어 5 스팟 패턴의 경우 2개의 블랭크가 남게 되고, 7 스팟 패턴의 경우 3개의 블랭크가 남게 되는 것에 유의해야 한다. 따라서, 일반적으로, 제 2 복수의 스와스들은 제 1 복수의 스와스들의 하부 절반을 제외한, 모든 제 1 복수의 스와스들에 인접하게 형성된다. 제 1 충전 패턴은 스와스들(1310 및 1311) 사이의 공간을 제외하고 완전한 커버리지를 제공한다. 이 구성에서, 스와스(1311)는 웨이퍼 상의 관심 있는 제 1 영역을 지정한다. 이 기술은 더 많은 스팟들을 이용하는 다른 구성들에 적용될 수 있다.
도 14는 다수의 스팟들로부터의 산란된 광을 격리시킬 수 있는 예시적인 검사 시스템(1400)을 도시한다. 특히, 시스템(1400)은 수직 입사 조명 또는 경사 입사 조명 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 당업자에게 알려진 바와 같이, 몇몇 결함들은 수직 입사 조명을 이용하여 최적으로 조명되고, 다른 결함들은 경사 입사 조명을 이용하여 최적으로 조명된다. 특히, 다수의 수집기들(1430a, 1430b, 1430c)은 재구성 없이 수직 입사 조명 또는 경사 입사 조명을 이용하여, 웨이퍼와 같은 샘플(1421)로부터의 산란된 광을 수집할 수 있다. 특히, 아래에 더 구체적으로 기재된 바와 같이, 수집기들(1430a, 1430b)에서는 배율 변경이 필요하지 않은데, 이는 조명 광학 기기가 모든 스팟들을 중첩하기 위해 도 9c에 기재된 바와 같이 구성되기 때문이다.
검사 시스템(1400)에서, 레이저(1401)로부터의 광은 왜상 웨이스트 릴레이(AWR)(1402)로 지향될 수 있다. 원통형 렌즈, 프리즘, 격자 또는 구형 구성요소(모터형 또는 비-모터형)을 포함할 수 있는 AWR(1402)은 레이저 웨이스트 파라미터들 및 시스템 제조 및 얼라인먼트 허용오차에서의 변동을 고려하기 위해 스팟 크기를 조정할 수 있는 능력을 제공한다. 하나의 바람직한 실시예는 2개의 독립적인 축들을 조정할 수 있는 왜상 구성요소들을 이용한다. AWR(1402)은 시준 렌즈(1403)에 출력을 제공한다.
시준 렌즈(1403)는 빔 성형기(1405)에 출력을 제공한다. 빔 성형기(1405)는 사전 스캔 AOD(1406)의 입구에서 빔의 크기를 조정하는데 사용된다. 더욱이, 레이저(1401)가 레이저 BBO(붕산바륨) 2배 결정(BBO (barium borate) doubling crystal)을 포함하면, 빔 성형기(1405)는 또한 BBO 결정의 결과에 따라 빔을 조절하기 위한 슬릿을 포함할 수 있다. 빔 성형기(1405)에서의 이 슬릿은 표준 슬릿으로서 구현될 수 있거나, 기능을 개선하기 위해 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트(apodization plate) 또는 톱니형 슬릿(serrated slit)을 포함할 수 있다.
빔 성형기(1405)는 사전 스캔 AOD(1406)에 출력을 제공한다. 사전 스캔 AOD(1406)는 편향 모드로 사용되고, 처프 AOD(1409)에 관해 빔을 위치시키고 스캐닝하기 위해 망원 렌즈(1407) 및 왜상 빔 확장기(1408)와 연계하여 사용된다. 사전 스캔 AOD(1406)는 일정 각도를 통해 레이저 빔을 스캐닝한다. 렌즈(1407)는 사전 스캔(1406)으로부터 각도 스캔을 선형 병진 이동 스캔(linearly translation scan)으로 변환한다. 렌즈(1407)는 망원경, 빔 확장기, 릴레이 렌즈, 집속 렌즈, 대물 렌즈, 또는 종래 기술에 알려진 임의의 다른 적절한 광학 구성요소로서 구현될 수 있다. 왜상 빔 확장기(1408)는 사전 스캔(1406) 및 망원 렌즈(1407)로부터의 원형 출력을 타원형 형태로 변환하는데 사용된다. 왜상 빔 확장기(1408)는 원통형 렌즈, 프리즘, 격자, 또는 구형 구성요소를 포함할 수 있다. 왜상 빔 확장기(1408)에 의해 제공된 타원형 형태의 빔이 처프 AOD(1409)의 제조시의 제한들, 특히 회절 사운드 컬럼의 높이를 수용하는데 필요할 수 있다는 것에 유의해야 한다.
처프 AOD(1409)는 음향 전파 방향으로 레이저 빔을 집속시키고, 그 레이저 빔을 스캐닝하는데 사용된다. 처프 AOD(1409)의 트랜스듀서는 처프 패킷을 생성하는 신호를 생성하도록 구성될 수 있고, 이것은 처프 AOD(1409)의 길이에 걸쳐 시작 위치로부터 종료 위치로 전파된다. 하나의 바람직한 실시예에서, 처프 AOD(1409) 및 사전 스캔 AOD(1406)는 도 12a 및 도 12b에서 전술한 바와 같이, 시스템 처리량을 개선하기 위해 소프트웨어로 프로그래밍 가능하다.
처프 AOD(1409)의 출력은 원통형 렌즈, 릴레이 렌즈, 다수의 시야 조리개(field stop)/슬릿 및 편광 구성요소와 같은 구성요소(1410)에 제공될 수 있다. 원통형 렌즈는 처프 AOD(1409)의 스캐닝 이동에 수직인 축에서 스캐닝 빔을 집속시키는데 사용된다. 릴레이 렌즈는 하류 구성요소들(1414 및 1413)(아래에 설명됨)의 위치에서 실제 동공을 형성하는데 사용된다. 시야 조리개 및 슬릿은 처프 AOD(1409) 및 사전 스캔 AOD(1406)로부터 원치 않는 회절 차수를 필터링하여 없애는데 사용되고, 또한 다른 구성요소들[구성요소들(1410)을 통과하는 레이저(1401)]로부터 임의의 원치 않는 산란된 광을 필터링하여 없애는데 사용된다. 더욱이, 슬릿은 요구된 라인 길이에서의 변경을 수용하기 위해 시야 조리개로서 사용된다. 편광 구성요소들은 브루스터 플레이트 편광기(Brewster plate polarizer), 와이어 그리드 편광기, 프리즘, 또는 유사한 기능을 제공하는 임의의 다른 구성요소들과 같은 특정한 편광을 필터링하고 생성하기 위한 구성요소들을 포함할 수 있다. 편광 구성요소들은 또한 반(半) 파장 플레이트, 1/4 파장 플레이트, 또는 유사한 기능을 제공하는 다른 플레이트들과 같이 편광을 변경시키기 위한 구성요소들을 포함할 수 있다. 이들 편광 구성요소들은 기판을 검사하기 위해 다수의 편광 옵션들을 제공하는데 사용된다.
구성요소들(1410)은 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트(1413)에 출력을 제공한다. 아포다이제이션 플레이트(1413)는 검사되는 샘플에 의해 제공된 과제에 응답하여 시스템 광학 지점 확산 기능의 형태를 변경하는데 사용된다. 아포다이제이션 기능은 톱니형 시트 금속 구성요소들, 도트 밀도 구성요소들, 코팅들, 또는 종래 기술에 알려진 다른 방법들의 이용을 통해 달성될 수 있다. 일 실시예에서, 아포다이제이션 플레이트(1413)는 X 및 Y 축에서 지점 확산 기능의 독립적인 제어를 가질 수 있다.
아포다이제이션 플레이트(1413)는 제로 차수의 필터 슬릿(1414)에 출력을 제공한다. 슬릿(1414)은 광학 경로로부터 제로 차수를 제거하는데 사용된다. 제로 차수 슬릿(1414)은 배율 변경기(1415)에 출력을 제공한다. 배율 변경기(1415)는 전체 조명 광학 시스템 배율을 조정하는데 사용된다. 이를 행할 때, 이것은 샘플(1421)에서 스팟 크기, 스팟 속도, 및 스캔 길이를 변경한다.
입사각 미러(1416)는 웨이퍼에 대한 입사각을 변경하는데 사용된 조정 가능한 미러이다. 시스템 배율이 작고 스팟 크기가 클 때, 동공의 결과적인 개구수(NA)는 작다. 그러므로, 입사각 미러(1416)는 검사 빔에 대한 입사각(웨이퍼 법선으로부터)을 증가시키도록 조정될 수 있다. 시스템 배율이 크고 스팟 크기가 작을 때, 입사각 미러는 검사 빔에 대한 입사각(웨이퍼 법선으로부터)을 감소시키도록 배치된다. 이러한 조정 능력은 반복 구조 필터링, 검사 속도 및 잡음에 대한 결함 신호에 이점을 제공한다.
입사각 미러(1416)는 빔 디버터(diverter)(1417)에 출력을 제공한다. 빔 디버터(1417)는 경사 입사 조명 경로, 수직 입사 조명 경로, 또는 경사 및 수직 양 입사 경로를 선택하는데 사용된다.
경사 입사 경로에서, 빔 디버터(1417)는 DOE(1418)에 출력을 제공한다. DOE(1418)는 전술한 스캐닝 빔을 다중 복사하는데 사용된다.
DOE(1418)는 경사 고정된 배율부(1419)에 출력을 제공한다. 경사 고정된 배율부(1419)는 대물 렌즈(1420)의 입사 동공에 대한 DOE(1418)의 위치에서 실제 동공을 촬상하는데 사용된다. 대물 렌즈(1420)는 검사되는 기판 상에 빔을 집속시키는데 사용된다.
수직 입사 경로에서, 빔 디버터(1417)는 회전 미러(1425)에 출력을 제공한다. 회전 미러(1425)는 수직 입사 왜상 빔 확장기(1426)에 출력을 제공한다. 왜상 빔 확장기(1426)는 원통형 렌즈, 프리즘, 격자 또는 구형 구성요소들을 포함할 수 있다. 왜상 빔 확장기(1426)는 한 축에서 빔을 확장하거나 한 축에서 빔을 반대로 감소시키는데 사용된다. 이러한 확장/감소 융통성은 반복 구조 필터링, 검사 속도, 및 잡음에 대한 결함 신호에 이점을 제공한다.
왜상 빔 확장기(1426)는 수직 입사 DOE(1427)에 출력을 제공한다. 수직 입사 DOE(1427)는 전술한 스캐닝 빔을 다중 복사하는데 사용된다.
수직 입사 DOE(1427)는 수직 입사 고정된 배율부(1428)에 출력을 제공한다. 수직 입사 고정된 배율부(1428)는 대물 렌즈(1422)의 입사 동공에 대한 DOE(1427)의 위치에서 실제 동공을 촬상하는데 사용된다. 대물 렌즈(1422)는 수직 입사 채널에 대해 샘플 상에 스팟을 집속하는데 사용된다.
수직 입사 고정된 배율부(1428)는 회전 미러를 통해 출력을 NI(수직 입사) 빔 성형 변경기(1429)에 제공한다. NI 빔 성형 변경기(1429)는 다중 기능을 제공한다. 이것은 개구들, 미러들 및 빔 분할기들로서 작용하는 다수의 플레이트들을 갖는다. 이들 빔 분할기는 투과 및 반사에 대한 다수의 비율들(예 50/50, 100/0, 80/20, 등)을 갖도록 구성될 수 있다. 이들 빔 분할기는 또한 수집 채널(1430A)의 다양한 구성들을 가능하게 하기 위해 공간감에 있어서 다수의 투과 및 반사 프로파일들을 가질 수 있다. 산란된 광의 수집은 수직 입사 대물 렌즈(1422)를 통과하는 광에 한정되지 않는다. 웨이퍼로부터의 광의 수집은 추가 수집 채널들(1430B 및 1430C)을 통해 달성될 수 있다.
샘플(1421)은 이동 가능 플랫폼(3421)에 의해 고정될 수 있다. 일 실시예에서, 이동 가능 플랫폼(1431)은 청크(chunk), 적어도 선형 모터(x-y 이동을 제공), 스핀들 모터(회전을 제공)(선택적)를 포함할 수 있다. 이동 가능 플랫폼(1431)은 모터 제어 케이블(1433)을 통해 중앙 제어 및 데이터 획득 컴퓨터(1432)에 의해 제어될 수 있다. 이동 가능 플랫폼(1431)이 스캔 방향(즉, 스팟의 스위프)에 수직으로 이동하고 있다는 것을 유의해야 한다. 하나의 바람직한 실시예에서, 이동 가능 플랫폼(1431)은 플랫폼의 속도에 대해 더 빠르기 때문에(예를 들어, 대략, 스캔의 경우 μsec 대 플랫폼의 경우 second) 연속적으로 이동할 수 있다. 중앙 제어 및 데이터 획득 컴퓨터(1432)는 수집기들(1430A, 1430B, 및 1430C)로부터 입력을 수신할 수 있다.
도 15a 및 도 15b에 도시된 바와 같이, 입사각 조정기(1501)는 기판(1504)에 다중 경사 입사 각도를 제공하는 배율 변경기와 연계하여 사용된다. 도 15a는 낮은 배율, 대형 스팟, 낮은 NA(1502A로 표시됨) 구성에 대한 광학 구성을 도시한다. 이 경우에, 조정기(1501)는 기판(1504)에 더 높은 입사각을 제공하기 위해 이동한다[대물 렌즈(1503)에 근접하게 낮아지게 도시됨]. 도 15b는 수직 위치에서의 조정기(1501)를 갖는 높은 배율, 소형 스팟, 높은 NA(1502B로 표시됨) 구성을 도시한다. 이 위치는 모든 배율 광학 기기에 이용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 배율 변경기 이후에 배치되는 DOE 및 프로그래밍 가능 처프 AOD는 제 1 방향(이 경우에 수직)으로 스캔들을 형성하는 반면, 이동 가능 플랫폼(1431) 및 중앙 제어 및 데이터 획득 컴퓨터(1432)는 제 1 방향에 수직인 제 2 방향(이 경우에, 수평 방향)으로 스캔들의 스와스들을 형성한다. 스캐닝 스팟들의 수는 스와스들의 수와 동일하다. 이 구성을 포함하는 검사 시스템은 스팟 크로스토크를 제거하기 위해 인접한 동일 선상의 스캔들 사이의 유연한 공간을 제공할 수 있다. 더욱이, DOE가 스팟들 사이의 간격을 제공하기 때문에, 저렴한 비촬상 수집기들이 사용될 수 있다.
전술한 본 발명의 구조 및 방법의 다양한 실시예들은 본 발명의 원리만을 예시하고, 본 발명의 범주를 기재된 특정 실시예들에 한정하도록 의도되지 않는다. 예를 들어, 실시예들이 미리 결정된 개수의 스팟들로 기재되지만, 조명 시스템 또는 검사 시스템의 다른 실시예들은 상이한 개수의 스팟들을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명은 다음의 청구범위 및 그 균등물에 의해서만 제한된다.

Claims (52)

  1. 샘플을 스캐닝하는 방법에 있어서,
    동일 선상의 스캔 라인을 따라 정렬(align)되는 복수의 동일 선상의 스캔들(co-linear scans)을 동시에 형성하는 단계로서, 각 스캔은 상기 동일 선상의 스캔 라인을 따라 음향-광학 디바이스(AOD, acousto-optical device)에 의한 스팟의 스위프(sweep)에 의해 형성되고, 상기 복수의 동일 선상의 스캔들은 미리 결정된 간격만큼 분리되는, 상기 복수의 동일 선상의 스캔들을 동시에 형성하는 단계와;
    상기 동일 선상의 스캔 라인에 수직인 방향으로 상기 복수의 동일 선상의 스캔들을 동시에 형성하는 단계를 반복함으로써 제 1 복수의 스와스(swath)들 - 상기 제 1 복수의 스와스들은 상기 미리 결정된 간격의 스와스간 간격(inter-swath spacing)을 가짐 - 을 형성하는 단계와;
    상기 미리 결정된 간격으로서 스캔 길이의 진정수(integral number)를 제공하기 위해 AOD 파라미터를 조정하는 단계를 포함하는, 샘플 스캐닝 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 복수의 스와스들에 인접한 제 2 복수의 스와스들을 형성하는 단계를 더 포함하는, 샘플 스캐닝 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 복수의 스와스들의 하부 절반을 제외한, 상기 제 1 복수의 스와스들 모두에 인접한 제 2 복수의 스와스들을 형성하는 단계를 더 포함하는, 샘플 스캐닝 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 복수의 스와스들을 형성하는 단계는, 상기 제 1 복수의 스와스들의 방향과는 반대 방향으로 수행되는, 샘플 스캐닝 방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 복수의 스와스들을 형성하는 단계는, 상기 제 1 복수의 스와스들의 방향과 동일 방향으로 수행되는, 샘플 스캐닝 방법.
  9. 검사 시스템에 있어서,
    레이저로부터의 광 빔을 수광하고, 상기 광 빔을 각도 스캔(angular scan)을 따라 다양한 각도들로 지향시키도록 구성된 제 1 음향-광학 디바이스(AOD)와;
    상기 각도 스캔을 선형 스캔으로 변환하도록 구성된 렌즈와;
    상기 선형 스캔에서의 광 빔을 수광하고 스캔―상기 스캔은 스팟의 스위프임―을 생성하여, 복수의 동일 선상의 스팟들을 생성하도록 구성된 제 2 AOD와;
    상기 복수의 동일 선상의 스팟들의 배율을 조정하여, 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 생성하도록 구성된 배율 변경기(magnification changer)와;
    상기 동일 선상의 스팟들의 각각의 인접한 쌍이 미리 결정된 스팟 간격만큼 분리되도록, 상기 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 복제하고, 이로써 동일 선상의 스캔 라인을 따라 정렬(align)되는 동일 선상의 스캔들의 세트를 동시에 생성하며 이들 사이에 미리 결정된 스캔 간격을 갖게 하도록 구성된 제 1 회절 광학 요소(DOE)와;
    샘플을 고정시키도록 구성된 이동 가능 플랫폼 시스템으로서, 상기 제 1 DOE 경로가 상기 동일 선상의 스캔들의 복수의 세트들을 생성할 때 상기 동일 선상의 스캔 라인에 수직인 방향으로 상기 샘플을 이동시킴으로써 제 1 복수의 스와스들을 형성하고, 상기 샘플을 이동시키면, 상기 동일 선상의 스캔들의 복수의 세트들이 상기 동일 선상의 스캔들의 인접한 세트들을 형성하게 되고, 상기 제 1 복수의 스와스들은 상기 미리 결정된 스캔 간격과 동일한 스와스간 간격을 갖는, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템
    을 포함하고,
    상기 배율 변경기와 상기 이동 가능 플랫폼 시스템 사이에 상기 제 1 DOE 경로를 배치시킴으로써, 상기 동일 선상 스팟들의 각각의 인접한 쌍 사이에서 상기 미리 결정된 스팟 간격을 변경하지 않고서 상기 복수의 동일 선상 스팟들의 사이즈를 변경하도록 상기 배율 변경기를 제어할 수 있는, 검사 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템은 또한, 동일 선상의 스캔들의 세트에 평행한 방향으로 스테핑(step)하고, 상기 제 1 DOE 경로를 통해, 제 2 복수의 스와스들을 생성하도록 구성되고, 상기 제 2 복수의 스와스들은 상기 제 1 복수의 스와스들에 인접하게 형성되고, 상기 미리 결정된 스캔 간격은 스캔 길이인, 검사 시스템.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템은 또한, 동일 선상의 스캔들의 세트에 평행한 방향으로 스테핑하고, 상기 제 1 DOE 경로를 통해, 제 2 복수의 스와스들을 생성하도록 구성되고, 상기 제 2 복수의 스와스들은 상기 제 1 복수의 스와스들에 인접하게 형성되고, 상기 미리 결정된 스캔 간격은 스캔 길이의 진정수인, 검사 시스템.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템은, 또한 동일 선상의 스캔들의 세트에 평행한 방향으로 스테핑하고, 상기 제 1 DOE 경로를 통해, 제 2 복수의 스와스들을 생성하도록 구성되고, 상기 제 2 복수의 스와스들은 상기 제 1 복수의 스와스들에 인접하게 형성되고, 상기 제 2 AOD는 상기 제 2 복수의 스와스들에 대해 조정 가능한 스캔 길이를 제공하도록 프로그래밍 가능한, 검사 시스템.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템은 또한, 동일 선상의 스캔들의 세트에 평행한 방향으로 스테핑하고, 상기 제 1 DOE 경로를 통해, 제 2 복수의 스와스들을 생성하도록 구성되고, 상기 제 2 복수의 스와스들은 상기 제 1 복수의 스와스들의 하부 절반을 제외한, 상기 제 1 복수의 스와스들에 인접하게 형성되는, 검사 시스템.
  14. 제 9 항에 있어서, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템은 또한, 동일 선상의 스캔들의 세트에 평행한 방향으로 스테핑하고, 상기 제 1 DOE 경로를 통해, 제 2 복수의 스와스들을 생성하도록 구성되고, 상기 제 2 복수의 스와스들은 상기 제 1 복수의 스와스들의 방향과는 반대 방향으로 형성되는, 검사 시스템.
  15. 제 9 항에 있어서, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템은 또한, 동일 선상의 스캔들의 세트에 평행한 방향으로 스테핑하고, 상기 제 1 DOE 경로를 통해, 제 2 복수의 스와스들을 생성하도록 구성되고, 상기 제 2 복수의 스와스들은 상기 제 1 복수의 스와스들의 방향과 동일한 방향으로 형성되는, 검사 시스템.
  16. 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 DOE 경로는 수직 입사 조명 또는 경사 입사 조명 중 어느 하나를 위한 것인, 검사 시스템.
  17. 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 DOE 경로는 경사 입사 조명을 위한 것인, 검사 시스템.
  18. 제 9 항에 있어서,
    제 2 DOE 경로와;
    상기 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 상기 제 1 DOE 경로 및 상기 제 2 DOE 경로 중 하나로 지향시키도록 구성된 스위칭 구성요소
    를 더 포함하는, 검사 시스템.
  19. 제 9 항에 있어서, 상기 레이저로부터의 광 빔을 수광하도록 배치되고, 2개의 독립적인 축들에 대해 조정할 수 있도록 구성된 왜상 웨이스트 릴레이(anamorphic waist relay)를 더 포함하는, 검사 시스템.
  20. 제 9 항에 있어서, 상기 레이저는 붕산바륨 레이저 2배 결정(barium borate laser doubling crystal)을 포함하고, 상기 검사 시스템은 슬릿을 갖는 빔 성형기를 더 포함하는, 검사 시스템.
  21. 제 9 항에 있어서,
    동공과;
    상기 동공에 대해 동작 가능한 관계로 배치되고, 상기 복수의 동일 선상의 스팟들에 대해 미리 결정된 투과 프로파일을 제공하도록 구성된 하나 이상의 아포다이제이션(apodization) 플레이트
    를 더 포함하는, 검사 시스템.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트는 x 축 및 y 축에서 동일한 투과 프로파일을 제공하도록 구성되는, 검사 시스템.
  23. 제 21 항에 있어서, 상기 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트는 x 축 및 y 축에서 상이한 투과 프로파일을 제공하도록 구성되는, 검사 시스템.
  24. 제 21 항에 있어서, 상기 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트는 프로그래밍 가능한 투과 프로파일을 제공하도록 구성되는, 검사 시스템.
  25. 제 21 항에 있어서, 상기 동공은 상기 제 1 DOE 경로의 대물 렌즈에 대해 편심화되는(decentered), 검사 시스템.
  26. 제 9 항에 있어서, 상기 배율 변경기와 상기 제 1 DOE 경로 사이에 배치된 입사각 미러를 더 포함하고, 상기 입사각 미러는 상기 샘플에 대한 입사각을 조정하도록 구성되는, 검사 시스템.
  27. 샘플을 검사하는 검사 시스템에 있어서,
    상기 샘플을 고정시키도록 구성된 이동 가능 플랫폼 시스템과;
    동일 선상의 스캔 라인을 따라 정렬(align)되는 복수의 동일 선상의 스캔들을 동시에 생성하도록 구성된 조명 시스템으로서, 각각의 스캔은 상기 동일 선상의 스캔 라인을 따라 음향-광학 디바이스(AOD)에 의한 스팟의 스위프에 의해 형성되고, 상기 복수의 동일 선상의 스캔들은 상기 고정된 샘플 상에 지향되며 미리 결정된 간격만큼 분리되는, 상기 조명 시스템과;
    상기 동일 선상의 스캔 라인에 수직인 방향으로 상기 복수의 동일 선상의 스캔들을 반복해서 생성함으로써 제 1 복수의 스와스들이 형성되는, 상기 복수의 동일 선상의 스캔들의 생성과 함께, 그리고 상기 고정된 샘플이 상기 동일 선상의 스캔 라인에 수직인 방향으로 상기 조명 시스템에 대해 반복해서 스테핑되도록, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템을 제어하게 구성된 컨트롤러(controller)를 포함하고,
    상기 제 1 복수의 스와스들은 상기 미리 결정된 간격의 스와스간 간격을 갖고,
    상기 미리 결정된 간격은 스캔 길이의 진정수와 동일하고,
    상기 AOD는, 프로그래밍 가능하고, 상기 프로그래밍 가능한 AOD의 처프(chirp)를 조정함으로써 상기 스캔 길이의 진정수가 조정 가능하도록 구성되는, 샘플을 검사하는 검사 시스템.
  28. 삭제
  29. 제 27 항에 있어서, 상기 조명 시스템은 또한, 각각의 스캔이 스캔 길이를 갖도록, 상기 복수의 동일 선상의 스캔들을 동시에 생성하게 구성되는, 검사 시스템.
  30. 삭제
  31. 제 27 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 또한, 상기 복수의 동일 선상의 스캔들이 상기 제 1 복수의 스와스들에 인접한 제 2 복수의 스와스들을 형성하도록, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템을 제어하게 구성되는, 검사 시스템.
  32. 제 27 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 또한, 상기 복수의 동일 선상의 스캔들이 상기 제 1 복수의 스와스들의 하부 절반을 제외한, 상기 제 1 복수의 스와스들 모두에 인접한 제 2 복수의 스와스들을 형성하도록, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템을 제어하게 구성되는, 검사 시스템.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 또한, 상기 제 1 복수의 스와스들의 형성 중에 사용하는 방향과는 반대 방향으로 상기 샘플을 이동시킴으로써 상기 제 2 복수의 스와스들이 형성되도록, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템을 제어하게 구성되는, 검사 시스템.
  34. 제 32 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 또한, 상기 제 1 복수의 스와스들의 형성 중에 사용하는 방향과 동일 방향으로 상기 샘플을 이동시킴으로써 상기 제 2 복수의 스와스들이 형성되도록, 상기 이동 가능 플랫폼 시스템을 제어하게 구성되는, 검사 시스템.
  35. 방법에 있어서,
    레이저로부터의 광 빔을 수광하고, 상기 광 빔을 각도 스캔을 따라 다양한 각도들로 지향시키는 단계와;
    상기 각도 스캔을 선형 스캔으로 변환하는 단계와;
    상기 선형 스캔에서의 광 빔을 수광하고 스캔―상기 스캔은 스팟의 스위프임―을 생성하여, 복수의 동일 선상의 스팟들을 생성하는 단계와;
    상기 복수의 동일 선상의 스팟들의 배율을 조정하여, 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 생성하는 단계와;
    상기 동일 선상의 스팟들의 각각의 인접한 쌍이 미리 결정된 스팟 간격만큼 분리되도록, 상기 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 복제하고, 이로써 동일 선상의 스캔 라인을 따라 정렬(align)되는 동일 선상의 스캔들의 세트를 동시에 생성하며 이들 사이에 미리 결정된 스캔 간격을 갖게 하는 단계와;
    상기 동일 선상의 스캔 라인에 수직인 방향으로 샘플을 이동시킴으로써 제1 복수의 스와스들을 형성하는 단계로서, 상기 샘플을 이동시키면, 상기 동일 선상의 스캔들의 복수의 세트들이 상기 동일 선상의 스캔들의 인접한 세트들을 형성하게 되고, 상기 제 1 복수의 스와스들은 미리 결정된 스캔 간격과 동일한 스와스간 간격을 갖는, 상기 제 1 복수의 스와스들을 형성하는 단계
    을 포함하고,
    상기 조정 후에 상기 복제를 수행함으로써, 상기 동일 선상 스팟들의 각각의 인접한 쌍 사이에서 상기 미리 결정된 스팟 간격을 변경하지 않고서 상기 복수의 동일 선상 스팟들의 사이즈를 제어할 수 있는, 방법.
  36. 제 35 항에 있어서, 상기 샘플을 이동시키는 것은, 동일 선상의 스캔들의 세트에 평행한 방향으로 상기 샘플을 스테핑시킨 다음, 상기 동일 선상의 스캔들의 세트가 상기 제 1 복수의 스와스들에 인접한 제 2 복수의 스와스들을 형성하도록, 상기 동일 선상의 스캔 라인에 수직인 방향으로 상기 샘플을 이동시키는 것을 포함하는, 방법.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 동일 선상의 스캔들의 세트를 동시에 생성하는 것은, 상기 제1 및 제2 복수의 스와스들이 스캔 길이를 갖도록, 그리고 상기 미리 결정된 스캔 간격이 상기 스캔 길이의 진정수이도록, 상기 동일 선상의 스팟들을 스위핑(sweeping)하는 것을 포함하는, 방법.
  38. 제 37 항에 있어서, 상기 샘플을 스테핑시키는 것은, 상기 제 2 복수의 스와스들이 상기 제 1 복수의 스와스들의 하부 절반을 제외한, 상기 제 1 복수의 스와스들에 인접하게 형성되도록, 상기 동일 선상의 스캔들의 세트에 평행한 방향으로 조정 거리(distance)만큼 상기 샘플을 이동시키는 것을 포함하는, 방법.
  39. 제 36 항에 있어서, 상기 동일 선상의 스캔들의 세트를 동시에 생성하는 것은, 상기 제1 복수의 스와스들이 제1 스캔 길이를 갖고 상기 제 2 복수의 스와스들이 상기 제1 스캔 길이와는 상이한 제2 스캔 길이를 갖도록, 상기 동일 선상의 스팟들을 스위핑(sweeping)하는 것을 포함하는, 방법.
  40. 제 36 항에 있어서, 상기 제 2 복수의 스와스들을 형성하는 것은, 상기 제1 복수의 스와스들을 형성하는 중에 사용된 방향과는 반대 방향으로 상기 샘플을 이동시키는 것을 포함하는, 방법.
  41. 제 36 항에 있어서, 상기 제 2 복수의 스와스들을 형성하는 것은, 상기 제1 복수의 스와스들을 형성하는 중에 사용된 방향과 동일한 방향으로 상기 샘플을 이동시키는 것을 포함하는, 방법.
  42. 제 35 항에 있어서, 상기 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 복제하는 것은, 상기 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 수직 입사 조명 경로 또는 경사 입사 조명 경로 중 어느 한쪽으로 디버팅(diverting)하는 것을 포함하는, 방법.
  43. 제 35 항에 있어서, 상기 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 복제하는 것은, 상기 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 경사 입사 조명 경로로 디버팅(diverting)하는 것을 포함하는, 방법.
  44. 제 35 항에 있어서, 상기 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 복제하는 것은, 상기 조정된 복수의 동일 선상의 스팟들을 수직 입사 조명 경로와 경사 입사 조명 경로 중 하나로 지향시키도록 스위칭 구성요소를 제어하는 것을 포함하는, 방법.
  45. 제 35 항에 있어서, 상기 다양한 각도들로 광 빔을 지향시키기 전에 상기 레이저로부터 수광된 광 빔의 2개의 독립적인 축들에 대해 조정을 하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  46. 제 35 항에 있어서, 붕산바륨 레이저 2배 결정을 사용하여 광 빔을 생성하고, 상기 광 빔을, 슬릿을 갖는 빔 성형기를 통과시키는 단계를 포함하는, 방법.
  47. 제 35 항에 있어서,
    동공과, 상기 동공에 대해 동작 가능한 관계로 배치되어, 상기 복수의 동일 선상의 스팟들에 대해 미리 결정된 투과 프로파일을 제공하는 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트를 사용하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  48. 제 47 항에 있어서, 상기 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트를 사용하는 것은, x 축 및 y 축에서 동일한 투과 프로파일을 제공하도록 상기 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트를 구성하는 것을 포함하는, 방법.
  49. 제 47 항에 있어서, 상기 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트를 사용하는 것은, x 축 및 y 축에서 상이한 투과 프로파일을 제공하도록 상기 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트를 구성하는 것을 포함하는, 방법.
  50. 제 47 항에 있어서, 상기 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트를 사용하는 것은, 프로그래밍 가능한 투과 프로파일을 제공하도록 상기 하나 이상의 아포다이제이션 플레이트를 구성하는 것을 포함하는, 방법.
  51. 제 47 항에 있어서, 상기 동공을 사용하는 것은, 상기 동공을, 회절 광학 요소(DOE) 경로의 대물 렌즈에 대해 편심화시키는 것을 포함하는, 방법
  52. 제 35 항에 있어서, 상기 샘플에 대한 입사각을 조정하기 위해 입사각 미러를 사용하는 단계를 더 포함하는, 방법.
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