KR102084444B1 - Organic Light Emitting diode Display - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- 101000885321 Homo sapiens Serine/threonine-protein kinase DCLK1 Proteins 0.000 description 1
- 102100039758 Serine/threonine-protein kinase DCLK1 Human genes 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
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- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
- G09G3/3241—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror
- G09G3/325—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror the data current flowing through the driving transistor during a setting phase, e.g. by using a switch for connecting the driving transistor to the data driver
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/043—Compensation electrodes or other additional electrodes in matrix displays related to distortions or compensation signals, e.g. for modifying TFT threshold voltage in column driver
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Control Of El Displays (AREA)
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Abstract
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 드레인전극을 통해서 구동전원을 공급받고 게이트-소스 전극 간의 전위차에 따라서 상기 유기발광다이오드를 제어하는 구동트랜지스터를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치에서, 스캔신호에 응답하여, 상기 구동트랜지스터의 게이트전극에 데이터전압을 공급하는 제1 트랜지스터; 게이트전극에 공급되는 센스신호에 응답하여, 상기 구동트랜지스터의 소스전극에 초기화전압을 공급하는 제2 트랜지스터; 및 상기 스캔신호에 응답하여 상기 센스신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트전극에 공급하는 제3 트랜지스터;를 구비하고, 상기 구동트랜지스터의 이동도 편차를 내부적으로 보상하기 위하여, 상기 제1 트랜지스터를 턴-온하고 상기 제3 트랜지스터를 턴-오프하여, 상기 구동트랜지스터의 소스전극의 전위를 상승시키는 센싱 기간을 포함한다.The present invention relates to an organic light emitting diode display.
The organic light emitting diode display according to the present invention includes a driving transistor supplied with driving power through a drain electrode and controlling the organic light emitting diode according to a potential difference between a gate and a source electrode, wherein the organic light emitting diode display includes a response to a scan signal. A first transistor supplying a data voltage to a gate electrode of the driving transistor; A second transistor supplying an initialization voltage to a source electrode of the driving transistor in response to a sense signal supplied to a gate electrode; And a third transistor configured to supply the sense signal to the gate electrode of the second transistor in response to the scan signal, and to turn off the first transistor to internally compensate for the mobility variation of the driving transistor. And a sensing period for turning on the third transistor and turning off the third transistor to raise the potential of the source electrode of the driving transistor.
Description
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting diode display.
평판 표시장치(FPD; Flat Panel Display)는 소형화 및 경량화에 유리한 장점으로 인해서 데스크탑 컴퓨터의 모니터 뿐만 아니라, 노트북컴퓨터, PDA 등의 휴대용 컴퓨터나 휴대 전화 단말기 등에 폭넓게 이용되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정표시장치{Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; PDP), 전계 방출표시장치{Field Emission Display; FED) 및 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting diode Display; 이하, OLED) 등이 있다. Flat panel displays (FPDs) are widely used not only for monitors of desktop computers but also for portable computers such as notebook computers and PDAs and mobile phone terminals due to advantages of miniaturization and light weight. Such flat panel displays include liquid crystal displays; LCD), plasma display panel (PDP), field emission display device (Field Emission Display; FED) and an organic light emitting diode display (OLED).
이 중에서 유기발광다이오드 표시장치는 응답속도가 빠르고, 발광효율이 높은 휘도를 표현할 수 있으며 시야각이 큰 장점이 있다. 일반적으로 유기발광다이오드 표시장치는 스캔신호에 의해서 턴-온 되는 스위치 트랜지스터를 이용하여 데이터전압을 구동트랜지스터의 게이트전극에 인가하고, 이처럼 구동트랜지스터에 공급되는 데이터전압을 이용하여 유기발광다이오드를 발광시킨다. 즉, 유기발광다이오드에 공급되는 전류는 구동트랜지스터의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 의해서 조절된다. 그런데, 제조공정의 특성상 화소들에 형성되는 각각의 구동트랜지스터는 문턱전압(Vth)에 대한 편차가 발생한다. 구동트랜지스터의 문턱전압의 편차에 의해서 유기발광다이오드에 공급되는 전류는 설계된 값과 다른 값이 제공될 수 있고, 이에 따라서 발광하는 휘도가 원하는 값과 달라질 수 있다. Among them, the organic light emitting diode display has a fast response speed, high luminance, high luminance, and a large viewing angle. In general, an organic light emitting diode display device applies a data voltage to a gate electrode of a driving transistor by using a switch transistor turned on by a scan signal, and emits an organic light emitting diode using the data voltage supplied to the driving transistor. . That is, the current supplied to the organic light emitting diode is controlled by the data voltage applied to the gate electrode of the driving transistor. However, due to the characteristics of the manufacturing process, each driving transistor formed in the pixels may have a deviation with respect to the threshold voltage Vth. Due to the deviation of the threshold voltage of the driving transistor, the current supplied to the organic light emitting diode may be provided with a value different from the designed value, and thus the luminance to emit light may be different from the desired value.
이를 개선하기 위해서, 각 화소로부터 구동트랜지스터의 특성 파라미터(문턱전압, 이동도)를 센싱하고, 센싱 결과에 따라 입력 데이터를 적절히 보정함으로써 휘도 불균일을 감소시키는 화질 보상방법을 이용하고 있다. In order to improve this, the image quality compensation method of reducing the luminance unevenness by sensing characteristic parameters (threshold voltage, mobility) of the driving transistor from each pixel and appropriately correcting the input data according to the sensing result is used.
일례로, 국내공개특허 제10-2013-0036659호(명칭:유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법)에 개시된 바와 같은 외부보상방법은 화소 바깥에 전류원을 위치시키고, 이 전류원을 통해 유기발광다이오드에 일정한 전류를 인가한 후 그에 따른 전압을 측정하여 유기발광다이오드의 열화 편차를 보상한다. For example, the external compensation method disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2013-0036659 (name: method for measuring transistor characteristics of an organic light emitting display device) places a current source outside a pixel, and the organic light emitting diode is connected to the organic light emitting diode through the current source. After applying a constant current, the voltage is measured accordingly to compensate for the deterioration deviation of the organic light emitting diode.
일반적으로 알려진 화질 보상기술들은 구동트랜지스터의 문턱전압 특성과 이동도 특성을 검출하기 위해서 고유의 방법을 이용하고, 각각의 센싱방법은 다른 방법을 채용하고, 옵셋값 저장을 위한 추가적인 메모리를 필요로 한다.Commonly known image quality compensation techniques use a unique method to detect threshold voltage characteristics and mobility characteristics of a driving transistor, and each sensing method employs a different method and requires additional memory for storing offset values. .
따라서, 구동트랜지스터의 문턱전압 특성과 이동도 특성을 좀 더 효율적으로 검출하면서, 메모리를 절감할 수 있는 새로운 방안이 모색되고 있다.
Therefore, a new method for reducing memory while detecting threshold voltage characteristics and mobility characteristics of the driving transistor has been sought.
본 발명은 구동트랜지스터의 문턱전압 특성과 이동도 특성을 효율적으로 검출하여 데이터보상을 할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention provides an organic light emitting diode display device capable of efficiently compensating data by detecting threshold voltage characteristics and mobility characteristics of a driving transistor.
본 발명은 메모리를 줄이면서 구동트랜지스터의 특성을 검출하는 시간을 단축할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하기 위한 것이다.
The present invention is to provide an organic light emitting diode display that can reduce the time to detect the characteristics of the driving transistor while reducing the memory.
본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 드레인전극을 통해서 구동전원을 공급받고 게이트-소스 전극 간의 전위차에 따라서 상기 유기발광다이오드를 제어하는 구동트랜지스터를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치에서, 스캔신호에 응답하여, 상기 구동트랜지스터의 게이트전극에 데이터전압을 공급하는 제1 트랜지스터; 게이트전극에 공급되는 센스신호에 응답하여, 상기 구동트랜지스터의 소스전극에 초기화전압을 공급하는 제2 트랜지스터; 및 상기 스캔신호에 응답하여 상기 센스신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트전극에 공급하는 제3 트랜지스터;를 구비하고, 상기 구동트랜지스터의 이동도 편차를 내부적으로 보상하기 위하여, 상기 제1 트랜지스터를 턴-온하고 상기 제3 트랜지스터를 턴-오프하여, 상기 구동트랜지스터의 소스전극의 전위를 상승시키는 센싱 기간을 포함한다.
The organic light emitting diode display according to the present invention includes a driving transistor supplied with driving power through a drain electrode and controlling the organic light emitting diode according to a potential difference between a gate and a source electrode, wherein the organic light emitting diode display includes a response to a scan signal. A first transistor supplying a data voltage to a gate electrode of the driving transistor; A second transistor supplying an initialization voltage to a source electrode of the driving transistor in response to a sense signal supplied to a gate electrode; And a third transistor configured to supply the sense signal to the gate electrode of the second transistor in response to the scan signal, and to turn off the first transistor to internally compensate for the mobility variation of the driving transistor. And a sensing period for turning on the third transistor and turning off the third transistor to raise the potential of the source electrode of the driving transistor.
본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 구동트랜지스터의 문턱전압을 외부보상 방식으로 보상하기 때문에 화소의 구조를 간단하게 할 수 있어서 개구율이 저하되는 것을 개선할 수 있다. The organic light emitting diode display according to the present invention compensates the threshold voltage of the driving transistor by an external compensation method, thereby simplifying the structure of the pixel and improving the aperture ratio.
그리고 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 구동트랜지스터의 이동도를 별도의 프로세스를 추가하지 않고, 화소 구조 내에서 보상하기 때문에 추가적인 프로세스나 메모리가 요구하지 않으면서 실시간으로 이동도 편차를 보상할 수 있다.
In addition, the organic light emitting diode display according to the present invention compensates the mobility of the driving transistor in the pixel structure without adding a separate process, thereby compensating for the mobility deviation in real time without requiring an additional process or memory. have.
도 1은 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 의한 화소 구조를 나타내는 도면.
도 3은 외부보상기간과 내부보상기간을 나타내는 도면.
도 4는 내부보상을 위한 게이트신호들의 파형을 나타내는 도면.
도 5a 내지 도 5c는 내부보상기간 동안 화소의 등가회로를 나타내는 도면.
도 6은 외부보상을 위한 게이트신호들의 파형을 나타내는 도면.
도 7a 및 도 7b는 문턱전압 검출과정에서 화소의 등가회로를 나타내는 도면.1 is a view showing an organic light emitting display device according to the present invention.
2 is a diagram showing a pixel structure according to the present invention.
3 is a diagram illustrating an external compensation period and an internal compensation period.
4 is a diagram illustrating waveforms of gate signals for internal compensation.
5A to 5C are diagrams showing equivalent circuits of pixels during an internal compensation period.
6 is a diagram illustrating waveforms of gate signals for external compensation.
7A and 7B illustrate an equivalent circuit of a pixel in a threshold voltage detection process.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that a detailed description of known functions or configurations related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 보여준다.1 shows an organic light emitting diode display according to the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 화소들(P)이 매트릭스 형태로 배열되는 표시패널(10), 데이터 구동부(12), 게이트 구동부(13) 및 타이밍 콘트롤러(11)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the organic light emitting diode display according to the present invention includes a
표시패널(10)은 복수 개의 화소(P)를 포함하고, 각각의 화소(P)들이 표시하는 계조를 기반으로 영상을 표시하기 위한 것이다. 화소(P)들은 제1 내지 제m 수평라인들 각각에 복수 개가 일정한 간격으로 배열됨으로써 표시패널(10) 내에서 매트릭스 형태로 배치된다.The
각각의 화소(P)들은 서로 직교하는 데이터라인부(14)와 게이트라인부(15)가 교차되는 영역에 배치된다. 각 화소(P)에 접속하는 데이터라인부(14)는 데이터라인(14a), 기준전압라인(14b) 및 구동전원라인(14c)을 포함하고, 게이트라인부(15)는 스캔라인(15) 및 센스라인(15b)을 포함한다. 이때, 인접하는 수평라인들은 하나의 센스라인(15a)을 공유한다. 즉, 제1 및 제2 수평라인(HL1,HL2)은 제1 센스라인(15a-1)을 공유한다. Each pixel P is disposed in an area where the data line 14 and the
화소(P)들 각각은 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DT) 및 제1 내지 제2 트랜지스터(T1,T2,T3) 및 스토리지 커패시터(Cs)를 포함한다. 구동트랜지스터(DT), 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2)는 산화물 반도체층을 포함한 산화물 박막트랜지스터(Thin Film Transitor;TFT)로 구현될 수 있다. 산화물 TFT는 전자 이동도, 공정 편차 등을 모두 고려할 때 표시패널(10)의 대면적화에 유리하다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 TFT의 반도체층을 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 등으로 형성할 수도 있다.Each of the pixels P includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DT, first to second transistors T1, T2, and T3, and a storage capacitor Cs. The driving transistor DT, the first and second transistors T1 and T2 may be implemented as an oxide thin film transistor (TFT) including an oxide semiconductor layer. The oxide TFT is advantageous for the large area of the
타이밍 콘트롤러(11)는 데이터 구동부(12) 및 게이트 구동부(13)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 것이다. 이를 위해서 타이밍 콘트롤러(11)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(10)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 구동부(12)에 공급한다. 그리고 타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동부(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동부(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다. The
데이터 구동부(12)는 데이터라인부(14)를 구동하기 위한 것이다. 이를 위해서 데이터 구동부(12)는 데이터 제어신호(DDC)를 기반으로 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압으로 변환하여 데이터라인(14)들에 공급한다. 또한 데이터 구동부(12)는 각 화소(P)로부터 피드백되는 센싱전압을 센싱데이터로 변환하기 위한 아날로그-디지털-변환기(Analog-Digital-Converter;이하, ADC)를 포함한다. The
게이트 구동부(13)는 게이트라인부(15)를 구동하기 위한 것으로, 타이밍 콘트롤러(11)로부터 제공받는 게이트 제어신호(GDC)를 이용하여 게이트신호를 생성한다. 게이트 제어신호(GDC)는 스캔이 시작되는 시작 스캔라인을 지시하는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse;GSP), 게이트 스타트 펄스(GSP)를 순차적으로 쉬프트시키기 위한 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock;GSC) 및 게이트 구동부의 출력을 지시하는 게이트 출력 인에이블(Gate Output Enable;GOE)를 포함한다. The
도 2는 도 1에 도시된 화소(P)의 일 예를 나타내는 것이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DT), 제1 내지 제3 트랜지스터(T1,T2,T3), 스토리지 커패시터(Cs) 및 보조 커패시터(C1)를 구비한다. FIG. 2 illustrates an example of the pixel P shown in FIG. 1. Referring to FIG. 2, a pixel P according to an exemplary embodiment may include an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DT, first to third transistors T1, T2, and T3, and a storage capacitor Cs. ) And an auxiliary capacitor C1.
유기발광다이오드(OLED)는 구동트랜지스터(DT)로부터 공급되는 구동 전류에 의해 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 구동트랜지스터(DT)의 소스전극에 연결되고, 캐소드전극은 저전위구동전압(VSS)에 연결된다.The organic light emitting diode OLED emits light by the driving current supplied from the driving transistor DT. A multilayer organic compound layer is formed between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron Injection layer, EIL). The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the source electrode of the driving transistor DT, and the cathode electrode is connected to the low potential driving voltage VSS.
구동트랜지스터(DT)는 자신의 게이트-소스 간의 전압으로 유기발광다이오드(OLED)에 인가되는 구동전류를 제어한다. 이를 위해서 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극은 데이터전압(Vdata)의 입력단에 연결되고, 드레인전극은 구동전압(EVDD)의 입력단에 연결되며, 소스전극은 저전압구동전압(VSS)과 연결된다.The driving transistor DT controls the driving current applied to the organic light emitting diode OLED with its gate-source voltage. For this purpose, the gate electrode of the driving transistor DT is connected to the input terminal of the data voltage Vdata, the drain electrode is connected to the input terminal of the driving voltage EVDD, and the source electrode is connected to the low voltage driving voltage VSS.
제1 트랜지스터(T1)는 스캔신호(Scan)에 응답하여, 데이터라인(14a)과 구동트랜지스터(DT) 간의 전류 경로를 제어한다. 이를 위해서 제1 트랜지스터(ST1)의 게이트전극은 스캔라인(15a)에, 드레인전극은 데이터라인(14a)에, 소스전극은 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극에 접속하는 제1 노드(N1)에 연결된다.The first transistor T1 controls the current path between the
제2 트랜지스터(T2)는 기준전압라인(14b)과 제2 노드(N2) 사이에 위치하여, 기준전압라인(14b)으로부터 초기화전압을 제공받아서 제2 노드(N2)로 제공한다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트전극은 스캔신호에 응답하는 제3 트랜지스터(T3)의 소스전극과 연결된다. 그리고 제3 트랜지스터(T3)의 드레인전극은 센스라인에 연결된다. 즉, 제2 트랜지스터(T2)는 스캔신호(SCAN) 및 센스신호(SENSE)가 동시에 턴-온 될 때에 한해서 동작한다. The second transistor T2 is positioned between the
스토리지 커패시터(Cst)는 데이터라인(14a)으로부터 제공받는 데이터전압(Vdata)을 한 프레임 동안 유지하여 구동트랜지스터(DT)가 일정한 전압을 유지하도록 한다. 이를 위해서 스토리지 커패시터(Cs)는 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극과 소스 전극에 연결된다.The storage capacitor Cst maintains the data voltage Vdata provided from the
데이터 구동부(12)는 데이터라인(14a) 및 기준전압라인(14b)을 통해서 화소(P)에 연결된다. 데이터 구동부(12)는 제1 및 제2 디지털-아날로그 컨버터(Digital-Analog-Converter;이하, DAC), 아날로그-디지털 컨버터(Analog-Digital Converter;이하, ADC) 및 제1 스위치(SW1)를 포함한다. 제1 DAC는 데이터라인(14a)를 통해서 디지털 비디오 데이터(RGB)가 보상된 보상데이터(MVdata)를 화소에 제공하며, 제2 DAC는 초기화전압(Vref)을 기준전압라인(14b)을 통해서 화소에 제공한다. ADC는 외부보상방식을 이용한 센싱 구동시에 아날로그 센싱전압을 디지털 센싱값으로 변환한다.The
도 3은 외부 보상 방식으로 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압 변화가 보상되는 기간과 내부 보상 방식으로 구동트랜지스터(DT)의 이동도 변화가 보상되는 기간을 나타내는 도면이다. FIG. 3 is a diagram illustrating a period in which the threshold voltage change of the driving transistor DT is compensated by an external compensation scheme and a period in which the mobility change of the drive transistor DT is compensated by an internal compensation scheme.
도 3에서와 같이, 구동트랜지스터(DT)의 이동도(μ) 변화는 내부 보상 방식에 따라 화상 표시 구간(DP)에서 보상될 수 있다. 그리고 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 변화는 화상 표시 구간(DP)의 전단에 배치된 제1 비표시 구간(X1) 및/또는 화상 표시 구간(X0)의 후단에 배치된 제2 비표시 구간(X2)에서 외부 보상 방식에 따라 보상될 수 있다. 여기서, 제1 비표시 구간(X1)은 구동전원이 인가된 직후부터 화상이 표시되기 전까지의 구간으로 정의되며, 제2 비표시 구간(X2)은 화상 표시가 종료된 직후부터 구동전원(EVDD)이 차단될 때까지의 구간으로 정의될 수 있다.As shown in FIG. 3, the change in mobility μ of the driving transistor DT may be compensated for in the image display period DP according to an internal compensation scheme. The change in the threshold voltage Vth of the driving transistor DT may include a second ratio disposed at a rear end of the first non-display period X1 and / or the image display period X0 disposed in front of the image display period DP. In the display period X2, the compensation may be performed according to an external compensation scheme. Here, the first non-display section X1 is defined as a section immediately after the driving power is applied and before the image is displayed, and the second non-display section X2 is the driving power EVDD immediately after the image display is finished. It can be defined as the interval until it is blocked.
도 4는 본 발명의 화소(P)를 내부보상방식으로 이동도 보상을 수행하기 위한 구동파형의 타이밍을 나타내는 도면이고, 도 5a 내지 도 5c는 구동파형에 의한 화소(P)의 등가회로를 나타내는 도면이다. 이때, 도 5a 내지 도 5c는 소자들이 활성화된 것을 실선으로, 반대로 소자들이 비활성화된 것을 점선으로 표시하고 있다.4 is a diagram illustrating a timing of a driving waveform for performing mobility compensation on the pixel P according to the present invention, and FIGS. 5A to 5C illustrate an equivalent circuit of the pixel P using the driving waveform. Drawing. In this case, FIGS. 5A to 5C show solid lines indicating that the devices are activated, and dotted lines indicating that the devices are inactive.
도 4를 참조하면, 구동트랜지스터(DT)의 이동도(μ)를 보상하기 위한 내부 보상 방법은 초기화 기간(Ti), 센싱 기간(Ts) 및 발광 기간(Te)을 포함한다.Referring to FIG. 4, an internal compensation method for compensating the mobility μ of the driving transistor DT includes an initialization period Ti, a sensing period Ts, and a light emission period Te.
도 4 및 도 5a를 참조하면, 초기화 기간(Ti) 동안 스캔라인(15a)을 통해서 하이레벨의 스캔신호(SCAN)가 제공되며, 센스라인(15b)을 통해서 하이레벨의 센스신호(SENSE)가 제공된다. 따라서, 제1 내지 제3 트랜지스터(T3)는 모두 턴-온된다. 제1 트랜지스터(T1)는 스캔신호(SCAN)에 응답하여 턴-온되고, 데이터라인(14a)으로부터 제공받은 보상데이터(MVdata)를 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극에 공급한다. 스캔신호(SCAN) 및 센스신호(SENSE)가 동시에 하이레벨로 유지됨에 따라서 제3 트랜지스터(T3)는 턴-온되고, 제3 트랜지스터(T3)의 소스전극과 연결되는 제2 트랜지스터(T2)도 턴-온된다. 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온되는 동안 기준전압라인(14b)으로부터 제공받는 초기화전압을 구동트랜지스터(DT)의 소스전극에 공급한다. 이에 따라서, 구동트랜지스터(DT)의 게이트-소스 전극 간의 전위는 일정하게 초기화된다. 4 and 5A, during the initialization period Ti, a high level scan signal SCAN is provided through the
도 4 및 도 5b를 참조하면, 센싱 기간(Ts) 동안 스캔신호(SCAN)는 하이레벨을 유지하고, 센스신호(SENSE)는 로우레벨이 된다. 4 and 5B, the scan signal SCAN maintains a high level and the sense signal SENSE becomes a low level during the sensing period Ts.
이에 따라서, 제1 트랜지스터(T1)는 턴-온 상태를 유지하여, 구동트랜지스터(DT)의 게이트전위(Vg)를 보상데이터전압(MVdata)으로 유지시킨다.Accordingly, the first transistor T1 maintains the turn-on state to maintain the gate potential Vg of the driving transistor DT as the compensation data voltage MVdata.
제3 트랜지스터(T3)는 게이트전극에 하이레벨의 스캔신호가 제공되어도, 드레인전극이 센스신호(SENSE)에 의해서 저전압이 되기 때문에 동작하지 않는다. 따라서 게이트전극이 제3 트랜지스터의 소스전극에 연결되는 제2 트랜지스터(T2) 역시 동작하지 않는다. 그리고 구동트랜지스터(DT)에는 초기화기간(Ti)에서 세팅된 게이트-소스 간 전위차(Vgs)에 상당하는 전류가 흐른다. 따라서, 구동트랜지스터(DT)의 소스전위(Vs)는 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극에 인가된 데이터전압(MVdata)을 향해 상승하여 원하는 계조 레벨에 맞게 구동트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간 전위차(Vgs)를 프로그래밍한다.The third transistor T3 does not operate even when the high level scan signal is provided to the gate electrode, since the drain electrode becomes low voltage by the sense signal SENSE. Therefore, the second transistor T2, in which the gate electrode is connected to the source electrode of the third transistor, also does not operate. In the driving transistor DT, a current corresponding to the potential difference Vgs between the gate and the source set in the initialization period Ti flows. Therefore, the source potential Vs of the driving transistor DT rises toward the data voltage MVdata applied to the gate electrode of the driving transistor DT, and thus the potential difference between the gate and the source of the driving transistor DT according to the desired gray level. Program (Vgs).
도 4 및 도 5c를 참조하면, 발광 기간(Te)동안 스캔신호(SCAN) 및 센스신호(SENSE)는 모두 로우레벨로 유지된다. 구동트랜지스터(DT)의 게이트전위(Vg) 및 소스전위(Vs)는 센싱 기간(Ts)에서 프로그래밍 된 전위차(Vgs)를 유지하면서 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 이상의 전압레벨까지 상승한 후 유지된다. 프로그래밍된 구동트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간 전위차(Vgs)에 상당하는 구동전류가 유기발광다이오드(OLED)를 통해 흐르며, 그 결과 유기발광다이오드(OLED)가 발광하여 원하는 계조가 구현된다.4 and 5C, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE are both maintained at a low level during the light emission period Te. The gate potential Vg and the source potential Vs of the driving transistor DT are maintained after rising to a voltage level above the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED while maintaining the programmed potential difference Vgs in the sensing period Ts. . A driving current corresponding to the gate-source potential difference Vgs of the programmed driving transistor DT flows through the organic light emitting diode OLED, and as a result, the organic light emitting diode OLED emits light to implement a desired gray scale.
위와 같이 본 발명에 의한 내부 보상 방식은 센싱 기간(Ts) 동안 구동트랜지스터(DT)의 게이트 전위(Vg)를 보상데이터(MVdata)로 고정한 상태에서 구동트랜지스터(DT)의 소스 전위(Vs)를 증가시킨다. 즉, 이동도 차이에 따라서 유기발광다이오드(OLED)가 동작점을 따라가는 과정에서 소스 전위(Vs)를 증가시키는 정도를 다르게 하여 구동트랜지스터(DT)들 간의 이동도 차이를 보상한다. As described above, the internal compensation scheme according to the present invention increases the source potential Vs of the driving transistor DT while the gate potential Vg of the driving transistor DT is fixed as the compensation data MVdata during the sensing period Ts. Let's do it. That is, the mobility difference between the driving transistors DT is compensated by varying the degree of increasing the source potential Vs in the process of the organic light emitting diode OLED along the operating point according to the mobility difference.
화소의 발광량(휘도)을 결정하는 구동전류는 구동트랜지스터(DT)의 이동도(μ)(수학식의 K 또는 K'에 포함됨), 및 센싱 기간(Ts)에서 프로그래밍 된 구동트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간 전위차(Vgs)에 비례한다. 이동도(K)가 큰 화소에서는 센싱 기간(Ts) 동안 구동트랜지스터(DT)의 소스 전위(Vs)가 그보다 높은 게이트 전위(Vg)를 향해 빠르게 상승함으로써 구동트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간 전위차(Vgs)가 작게 프로그래밍 되고, 반대로 이동도(K')가 작은 화소에서는 센싱 기간(Ts) 동안 구동트랜지스터(DT)의 소스 전위(Vs)가 그보다 높은 게이트 전위(Vg)를 향해 느리게 상승함으로써 구동트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간 전위차(Vgs)가 크게 프로그래밍된다. 그 결과 화소간 이동도(μ) 차이에 따른 휘도 편차가 보상되는 것이다.The driving current that determines the amount of light emission (luminance) of the pixel is determined by the mobility μ of the driving transistor DT (included in K or K ′ of the equation) and the driving transistor DT programmed in the sensing period Ts. It is proportional to the gate-source potential difference (Vgs). In the pixel with large mobility K, the source potential Vs of the driving transistor DT rises rapidly toward the higher gate potential Vg during the sensing period Ts so that the gate-source potential difference of the driving transistor DT is increased. In the case where the pixel Vgs is small and the mobility K 'is small, the source potential Vs of the driving transistor DT rises slowly toward the higher gate potential Vg during the sensing period Ts during the sensing period Ts. The gate-source potential difference Vgs of the transistor DT is largely programmed. As a result, the luminance deviation caused by the difference in the mobility μ is compensated.
도 6은 본 발명의 화소(P)를 외부보상방식으로 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 보상을 수행하기 위한 구동파형의 타이밍을 나타내는 도면이고, 도 7a 내지 도 7b는 구동파형에 의한 화소(P)의 등가회로를 나타내는 도면이다. 이때, 도 7a 내지 도 7b는 소자들이 활성화된 것을 실선으로, 반대로 소자들이 비활성화된 것을 점선으로 표시하고 있다.6 is a diagram illustrating a timing of a driving waveform for performing the compensation of the threshold voltage Vth of the driving transistor DT of the pixel P of the present invention using an external compensation scheme, and FIGS. 7A to 7B illustrate the driving waveform. It is a figure which shows the equivalent circuit of the pixel P. FIG. 7A to 7B show solid lines indicating that the devices are activated, and dotted lines indicating that the devices are inactive.
이하, 도 6 및 도 7a를 참조하면, 초기화기간(Ti) 동안 스캔라인(15a)을 통해서 하이레벨의 스캔신호(SCAN)가 제공되며, 센스라인(15b)을 통해서 하이레벨의 센스신호(SENSE)가 제공된다. 따라서, 제1 내지 제3 트랜지스터(T3)는 모두 턴-온된다. 제1 트랜지스터(T1)는 스캔신호(SCAN)에 응답하여 턴-온되고, 데이터라인(14a)으로부터 제공받은 보상데이터(MVdata)를 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극에 공급한다. 스캔신호(SCAN) 및 센스신호(SENSE)가 동시에 하이레벨로 유지됨에 따라서 제3 트랜지스터(T3)는 턴-온되고, 제3 트랜지스터(T3)의 소스전극과 연결되는 제2 트랜지스터(T2)도 턴-온된다. 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온되는 동안 기준전압라인(14b)으로부터 제공받는 초기화전압을 구동트랜지스터(DT)의 소스전극에 공급한다. 이에 따라서, 구동트랜지스터(DT)의 게이트-소스 전극 간의 전위는 일정하게 초기화된다. 6 and 7A, during the initialization period Ti, a high level scan signal SCAN is provided through the
도 6 및 도 7b를 참조하면, 센싱기간(Ts) 동안 스캔신호(SCAN) 및 센스신호(SENSE)는 하이레벨을 유지한다. 그리고 제1 스위치(SW1)를 턴-오프하여 기준전압라인(14b)을 ADC에 연결한다. 제1 스위치(SW1)가 턴-오프됨에 따라서 구동트랜지스터(DT)의 소스전극은 플로팅된다. 구동트랜지스터(DT)의 소스전극이 플로팅 된 상태에서 초기화기간(Ti)의 동작에 의해서 구동트랜지스터(DT)는 동작하기 때문에 구동전원(EVDD)으로부터 구동트랜지스터(DT)의 드레인전극을 경유하여 소스전극으로 전류가 흐른다. 따라서 소스전극에는 데이터전압(Vdata)과 문턱전압(Vth) 간의 차이에 해당하는 전위로 포화(Saturation)된다. 이처럼 구동트랜지스터(DT)의 소스전극에 축적되는 전위를 ADC를 통해서 센싱하고, 센싱된 전압을 바탕으로 문턱전압 변화를 보상한다.6 and 7B, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE maintain the high level during the sensing period Ts. Then, the first switch SW1 is turned off to connect the
이러한 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 특성을 보상하기 위한 방법은 센싱 기간이 길게 소요되기 때문에 도 3에 도시된 비표시 구간들(X1,X2) 중에서 수행될 수 있다. 또한, 문턱전압(Vth)을 센싱하기 위해서 별도의 구간을 설정할 수도 있다.The method for compensating the threshold voltage Vth characteristic of the driving transistor DT may be performed among the non-display periods X1 and X2 illustrated in FIG. 3 because the sensing period takes a long time. In addition, a separate section may be set to sense the threshold voltage Vth.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 구동부 13 : 게이트 구동부
14 : 데이터라인부 15 : 게이트라인부10: display panel 11: timing controller
12: data driver 13: gate driver
14: data line portion 15: gate line portion
Claims (8)
데이터전압이 공급되는 데이터라인과 상기 구동트랜지스터의 게이트전극에 연결된 제1 노드 사이에 접속되고, 스캔라인으로부터 공급되는 스캔신호에 따라 턴 온 되어 상기 구동트랜지스터의 게이트전극에 데이터전압을 공급하는 제1 트랜지스터;
초기화전압이 공급되는 기준전압라인과 상기 구동트랜지스터의 소스전극에 연결된 제2 노드 사이에 접속되고, 센스라인으로부터 공급되는 센스신호에 따라 턴 온 되어, 상기 구동트랜지스터의 소스전극에 상기 초기화전압을 공급하는 제2 트랜지스터; 및
상기 제2 트랜지스터의 게이트전극과 상기 센스라인 사이에 접속되고, 상기 스캔신호에 따라 턴 온 되어 상기 센스신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트전극에 공급하는 제3 트랜지스터;를 구비하고,
이웃한 수평 라인들에 배치되어 수직으로 이웃한 2개의 화소들은 상기 센스라인을 공유하고,
상기 구동트랜지스터의 이동도 편차를 내부적으로 보상하기 위한 센싱 기간에서, 상기 제1 트랜지스터가 턴-온 되고 상기 제3 트랜지스터가 턴-오프 되어, 상기 구동트랜지스터의 소스전극의 전위를 상기 구동트랜지스터의 이동도에 따라 다르게 상승시키는 유기발광다이오드 표시장치.
In the organic light emitting diode display device comprising a plurality of pixels, each of the pixels is supplied with a driving power through a drain electrode and a driving transistor for controlling the organic light emitting diode according to the potential difference between the gate and the source electrode,
A first node connected between a data line to which a data voltage is supplied and a first node connected to a gate electrode of the driving transistor, and turned on according to a scan signal supplied from a scan line to supply a data voltage to the gate electrode of the driving transistor; transistor;
It is connected between a reference voltage line to which an initialization voltage is supplied and a second node connected to a source electrode of the driving transistor, and is turned on according to a sense signal supplied from a sense line to supply the initialization voltage to the source electrode of the driving transistor. A second transistor; And
And a third transistor connected between the gate electrode of the second transistor and the sense line and turned on according to the scan signal to supply the sense signal to the gate electrode of the second transistor.
Two pixels disposed in adjacent horizontal lines and vertically adjacent to each other share the sense line,
In the sensing period for compensating for the variation in mobility of the driving transistor internally, the first transistor is turned on and the third transistor is turned off, thereby shifting the potential of the source electrode of the driving transistor to the movement of the driving transistor. An organic light emitting diode display which rises differently according to FIG.
상기 구동트랜지스터의 센싱 기간은 상기 유기발광다이오드가 영상표시를 하는 표시기간에 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
And a sensing period of the driving transistor is performed in a display period in which the organic light emitting diode displays an image.
상기 센싱 기간 이전에, 상기 스캔신호 및 상기 센스신호를 모두 하이레벨로 유지하여 상기 구동트랜지스터의 게이트-소스 전극 간의 전위를 초기화하여, 상기 구동트랜지스터를 동작시키는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
And operating the driving transistor by initializing a potential between the gate and source electrodes of the driving transistor by maintaining both the scan signal and the sense signal at a high level before the sensing period.
상기 스캔신호 및 센스신호를 턴-오프함으로써, 상기 센싱 기간에서 프로그래밍 된 구동전류에 따라서 상기 유기발광다이오드를 발광시키는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
And turning off the scan signal and the sense signal to emit the organic light emitting diode according to a driving current programmed in the sensing period.
상기 구동트랜지스터의 소스전극을 플로팅한 상태에서 상기 구동전원을 공급하여 상기 소스전극을 포화시키고, 포화된 상기 소스전극의 전위를 검출하여 상기 구동트랜지스터의 문턱전압 특성을 검출하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The organic light emitting diode may be characterized by supplying the driving power in a state in which the source electrode of the driving transistor is floated, saturating the source electrode, and detecting a threshold voltage characteristic of the driving transistor by detecting a potential of the saturated source electrode. Diode display.
상기 구동트랜지스터의 문턱전압 특성을 검출하는 과정은 비표시 구간에 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 6,
And detecting the threshold voltage characteristic of the driving transistor in a non-display period.
상기 구동트랜지스터의 이동도가 상대적으로 큰 화소에서는 상기 센싱 기간 내에서 상기 구동트랜지스터의 게이트-소스 간 전압이 제1 값으로 프로그래밍되고, 상기 구동트랜지스터의 이동도가 상대적으로 작은 화소에서는 상기 센싱 기간 내에서 상기 구동트랜지스터의 게이트-소스 간 전압이 상기 제1 값보다 큰 제2 값으로 프로그래밍되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
In the pixel where the mobility of the driving transistor is relatively high, the gate-source voltage of the driving transistor is programmed to a first value within the sensing period, and in the pixel where the mobility of the driving transistor is relatively small, within the sensing period. Wherein the gate-source voltage of the driving transistor is programmed to a second value greater than the first value.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130169084A KR102084444B1 (en) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | Organic Light Emitting diode Display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130169084A KR102084444B1 (en) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | Organic Light Emitting diode Display |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150079090A KR20150079090A (en) | 2015-07-08 |
KR102084444B1 true KR102084444B1 (en) | 2020-03-04 |
Family
ID=53791514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130169084A KR102084444B1 (en) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | Organic Light Emitting diode Display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102084444B1 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102526484B1 (en) * | 2015-12-30 | 2023-04-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Diode Display Device and Driving Method of the same |
KR102552298B1 (en) | 2016-08-31 | 2023-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and driving method thereof |
KR102644016B1 (en) * | 2016-09-30 | 2024-03-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method for driving the same |
KR102636515B1 (en) * | 2017-01-06 | 2024-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus |
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---|---|
KR20150079090A (en) | 2015-07-08 |
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