KR102078079B1 - Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method - Google Patents
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Abstract
기판상의 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 방법은, 기판의 기준 높이를 나타내는 제1기준정보를 취득하는 단계와, 상기 복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역의 높이를 계측하는 단계와, 상기 계측 단계에서의 계측 결과에 근거하여, 상기 기판의 임시 높이를 나타내는 임시 높이 정보를 취득하는 단계와, 상기 복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 기준 높이를 나타내는 제2기준정보와, 상기 제1기준정보와 상기 임시 높이 정보간의 차분에 근거하여, 상기 기판을 이동시킨 후에, 상기 1개의 노광 영역을 노광하는 단계를 포함한다.An exposure method for exposing a plurality of exposure areas on a substrate includes obtaining first reference information indicating a reference height of the substrate, measuring a height of a part of the exposure areas of the plurality of exposure areas, and measuring the steps Acquiring temporary height information indicating a temporary height of the substrate, second reference information indicating a reference height of one exposure area among the plurality of exposure areas, and the first reference information based on a measurement result in And exposing the one exposure area after moving the substrate based on the difference between the temporary height information and the temporary height information.
Description
본 발명은, 노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a method for producing an article.
반도체 디바이스 등을 제조할 때에, 원판(레티클 등)에 형성된 패턴을, 투영 광학계를 거쳐 기판(표면에 레지스트층이 형성된 웨이퍼 등)에 전사하는 투영 노광 장치가 사용된다. 일반적인 방식의 투영 노광 장치는, 스텝 앤 리피트 방식의 축소 투영 노광 장치(스테퍼)나 스텝 앤 스캐너 방식의 주사형 투영 노광 장치(스캐너)를 포함한다. 예를 들면, 스테퍼는, 원판 패턴을 축소하고, 축소한 패턴을 기판상의 복수의 노광 영역(숏 영역)에 각각 투영한다. 그렇지만, 기판이 경사져 있거나, 기판의 두께가 똑같지 않거나 하면, 숏 영역의 Z축방향(투영 광학계의 광축방향)의 위치(높이)와 노광 초점간의 편차(디포커스)가 생긴다. 디포커싱에 기인하는 노광 불량을 막기 위해서는, 숏 영역마다 포커스 구동을 행할 필요가 있지만, 포커스 구동에 요하는 기간이 길어지면 스루풋이 저하해버린다.When manufacturing a semiconductor device, the projection exposure apparatus which transfers the pattern formed in the original plate (reticle etc.) to a board | substrate (a wafer in which the resist layer was formed on the surface) via a projection optical system is used. The general type projection exposure apparatus includes a step-and-repeat type reduction projection exposure apparatus (stepper) and a step-and-scanner scanning type projection exposure apparatus (scanner). For example, the stepper reduces the original pattern and projects the reduced pattern onto a plurality of exposure areas (shot areas) on the substrate, respectively. However, if the substrate is inclined or the thickness of the substrate is not the same, the deviation (defocus) between the position (height) of the Z-axis direction (the optical axis direction of the projection optical system) of the shot area and the exposure focus occurs. In order to prevent exposure failure due to defocusing, it is necessary to perform focus driving for each shot region, but throughput decreases as the period required for focus driving becomes long.
따라서, 일본 특허공개 2001-93813호 공보에는, 포커스 구동의 기간을 단축하는 노광 방법이 개시되어 있다. 일본 특허공개 2001-93813호 공보의 노광 방법에서, 샘플 숏 영역의 얼라인먼트 마크를 계측할 때에 숏 영역의 높이도 계측하고, 노광 숏 영역간의 X-Y이동과 동시에, 계측된 값에 근거해서 얼라인먼트 조정과 동시에 기판의 높이를 조정한다. 또한, 일본 특개평 8-227854호 공보에는, 글로벌 레벨링(leveling)과 칩 레벨링을 따로 따로 행하고, 다음 숏 영역의 칩 레벨링 전에 이전 숏 영역의 레벨링 보정량에 따라서 기판의 높이를 조정해서 글로벌 레벨링 후의 자세로 되돌아가는 노광 방법을 개시하고 있다. 일본 특허공개 2014-99562호 공보에는, 제2 기판의 복수의 숏 영역의 각각에 대한 포커스 조정의 보정값을 산출하는 노광 방법을 개시하고 있다. 일본 특허공개 2014-99562호 공보에 있어서, 포커스 조정의 보정값은, 제1 기판의 복수의 숏 영역의 각각에서 계측된 높이의 계측 값과, 제1 및 제2 기판의 소정(단일)의 숏 영역에서 계측된 높이 계측 값의 차분을 사용하여, 산출된다.Therefore, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-93813 discloses an exposure method for shortening the period of focus driving. In the exposure method of Japanese Patent Laid-Open No. 2001-93813, when measuring the alignment mark of the sample shot region, the height of the shot region is also measured, and the alignment adjustment is performed based on the measured value at the same time as the X-Y movement between the exposure shot regions. At the same time adjust the height of the substrate. In addition, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 8-227854 discloses global leveling and chip leveling separately, and adjusts the height of the substrate in accordance with the leveling correction amount of the previous shot region before the chip leveling of the next shot region, and then postures after global leveling. The exposure method to return to is disclosed. Japanese Patent Laid-Open No. 2014-99562 discloses an exposure method for calculating a correction value of focus adjustment for each of a plurality of shot regions of a second substrate. In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-99562, the correction value of the focus adjustment is a measurement value of the height measured in each of the plurality of shot regions of the first substrate, and a predetermined (single) shot of the first and second substrates. It calculates using the difference of the height measurement value measured in the area | region.
그렇지만, 일본 특허공개 2001-93813호 공보의 노광 방법에서는, 각 숏 영역의 정확한 높이를 계측하려고 하면, 얼라인먼트 공정에 있어서의 샘플 숏 영역수를 증가시킬 필요가 있어, 계측 기간이 길어져서 스루풋이 저하한다. 또한, 일본 특개평 8-227854호 공보에서, 기판면의 요철이 증가하면, 숏 영역마다 글로벌 레벨링 후의 자세에 되돌아가기 위한 구동량이 증가하고, 스루풋이 저하될 가능성이 있다. 한편, 일본 특허공개 2014-99562호 공보의 노광 방법에서는, 제1 기판과 제2 기판의 소정의 숏 영역에 있어서의 높이 계측 값간의 차분을 사용해서 보정값을 산출하기 때문에, 기판면의 요철이나 경사로 인해 보정오차가 커져버릴 수도 있다.However, in the exposure method of Japanese Patent Laid-Open No. 2001-93813, when attempting to measure the exact height of each shot region, it is necessary to increase the number of sample shot regions in the alignment step, and the measurement period becomes long, thereby reducing the throughput. do. In addition, in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 8-227854, when the unevenness of the substrate surface increases, the driving amount for returning to the post-global leveling posture for each shot region may increase, and throughput may decrease. On the other hand, in the exposure method of JP 2014-99562 A, since a correction value is calculated using the difference between the height measurement values in the predetermined | prescribed shot area | region of a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate, the unevenness | corrugation of a board | substrate surface, The inclination may increase the correction error.
본 발명은, 예를 들면, 포커싱 정밀도 및 스루풋에 관해서는 유리한 노광 장치를 제공한다.The present invention provides an exposure apparatus that is advantageous in terms of focusing accuracy and throughput, for example.
본 발명은, 기판상의 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 방법으로서, 대상 기판보다 먼저 노광된 기판에 대해 기준 높이를 나타내는 제1 높이 정보를 취득하는 단계; 상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역의 높이를 계측하는 단계; 상기 계측 단계에서의 계측 결과에 근거하여, 상기 대상 기판의 높이를 나타내는 제2 높이 정보를 취득하는 단계; 상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 높이를, 상기 1개의 노광 영역에 대해 기준 높이를 나타내는 제3 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여 산출하는 단계; 및 상기 산출 단계에서 산출된 상기 1개의 노광 영역의 높이에 근거하여, 상기 대상 기판을 이동시킨 후에, 상기 대상 기판상의 상기 1개의 노광 영역을 노광하는 단계를 포함한다.The present invention provides an exposure method for exposing a plurality of exposure areas on a substrate, comprising: acquiring first height information indicating a reference height with respect to a substrate exposed before the target substrate; Measuring a height of an exposure area of a part of the plurality of exposure areas on the target substrate; Acquiring second height information indicating the height of the target substrate based on the measurement result in the measurement step; Calculating the height of one exposure area among the plurality of exposure areas on the target substrate based on the third height information indicating the reference height, the first height information, and the second height information with respect to the one exposure area; ; And exposing the one exposure region on the target substrate after moving the target substrate based on the height of the one exposure region calculated in the calculating step.
본 발명의 또 다른 특징들은, (첨부도면을 참조하여) 이하의 실시예들의 설명으로부터 명백해질 것이다.Further features of the present invention will become apparent from the description of the following embodiments (with reference to the attached drawings).
본 발명의 노광 방법은, 다수의 숏 영역에 순차로 포커스 구동을 행하는 장치에 있어서, 포커싱 정밀도를 저하시키지 않고 포커스 구동을 단축하고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.The exposure method of the present invention can shorten the focus drive and improve the throughput without deteriorating the focusing accuracy in the apparatus which sequentially performs a plurality of shot regions in focus.
또한, 본 발명은 포커싱 정밀도 및 스루풋에 관해서 유리한 노광 장치를 제공할 수 있다.Further, the present invention can provide an exposure apparatus that is advantageous in terms of focusing accuracy and throughput.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 축소 투영 노광 장치의 구성을 도시한 개략도다.
도 2는, 노광 위치 계측점의 배치를 도시한 도면이다.
도 3은, 콘솔부의 각종 설정 화면을 도시한 도면이다.
도 4는, 처리 공정 전체의 시퀀스를 나타내는 흐름도다.
도 5는, 노광 단계의 흐름을 나타내는 흐름도다.
도 6은, 기억부가 기억하는 내용을 도시한 도면이다.
도 7은, 도 6의 기억 내용의 상세를 도시한 도면이다.
도 8은, 얼라인먼트 계측에 있어서의 샘플 숏 영역의 일례를 도시한 도면이다.
도 9는, 근사면 정보의 차분을 산출하는 공정의 흐름을 나타내는 흐름도다.
도 10은, 예측 노광 위치 산출 공정의 흐름을 나타내는 흐름도다.
도 11은, 기준 노광 위치와 실제의 노광 위치를 비교하는 그래프다.
도 12는, 예측 노광 위치와 실제의 노광 위치를 비교하는 그래프다.
도 13은, 로트(lot) 선두의 기판의 노광 순번을 도시한 도면이다.
도 14는, 도 13의 숏 영역S2와 계측점간의 배치 관계를 도시한 도면이다.
도 15는, 로트의 제2 이후의 기판의 노광 순번을 도시한 도면이다.1 is a schematic diagram showing a configuration of a reduced projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating an arrangement of exposure position measurement points.
3 is a diagram illustrating various setting screens of the console unit.
4 is a flowchart showing a sequence of the entire processing step.
5 is a flowchart showing the flow of the exposure step.
6 is a diagram showing the contents stored in the storage unit.
FIG. 7 is a diagram showing details of the storage contents of FIG. 6.
8 is a diagram illustrating an example of a sample shot area in alignment measurement.
9 is a flowchart showing the flow of a process of calculating the difference of the approximate surface information.
10 is a flowchart showing the flow of the predictive exposure position calculation process.
11 is a graph comparing the reference exposure position with the actual exposure position.
12 is a graph comparing the predicted exposure position with the actual exposure position.
It is a figure which shows the exposure sequence of the board of a lot head.
FIG. 14 is a diagram showing an arrangement relationship between the shot region S2 and the measurement point in FIG. 13.
FIG. 15 is a diagram showing an exposure sequence of the substrate after the second lot. FIG.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면들을 참조하여 설명한다. 본 발명은, 다수의 숏 영역에 순차로 포커스 구동을 행하는 장치, 순차노광을 행하는 장치 등(주사형 투영 노광 장치, 위치결정 장치 등)에 적용가능하고, 이하, 축소 투영 노광 장치(스테퍼)의 예를 사용해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated with reference to drawings. Industrial Applicability The present invention is applicable to an apparatus for sequentially focus driving to a plurality of shot regions, an apparatus for sequentially exposing (scanning projection exposure apparatus, positioning apparatus, etc.), and hereinafter, a reduction projection exposure apparatus (stepper) Explain using an example.
도 1은, 본 실시예에 따른 축소 투영 노광 장치의 구성을 도시한 개략도다. 축소 투영 노광 장치는, 축소 투영 렌즈계(1)와, 조명 광학계와, 검출 광학계와, 기판 스테이지(3)를 구비한다. 축소 투영 렌즈계(1)는, (도시되지 않은) 레티클의 회로 패턴을 축소해서 투영하고, 그 초점면에 회로 패턴상을 형성한다. 축소 투영 렌즈계(1)의 광축AX는, 도 1의 Z축방향(기판 2의 면에 수직한 방향)에 평행하다.1 is a schematic diagram showing the configuration of a reduced projection exposure apparatus according to the present embodiment. The reduced projection exposure apparatus includes a reduced
조명 광학계는, 조명용 광원(4)과, 조명용 렌즈(5)와, 마스크(6)와, 결상 렌즈(7)와, 절곡 미러(8)를 구비한다. 조명용 광원(4)은, 예를 들면, 발광 다이오드나 반도체 레이저다. 마스크(6)는, 복수개의 핀홀을 가진다. 조명용 광원(4)으로부터 사출된 광은, 조명용 렌즈(5)를 경과해서 평행한 광속이 되고, 마스크(6)를 경과해서 복수개의 광속이 된다. 그 광이 결상 렌즈(7)를 경과해서 절곡 미러(8)에 입사하고, 절곡 미러(8)로 방향을 전환하고 나서, 기판(2)의 표면에 입사한다. 이때, 기판(2)위(기판상)에는 마스크(6)가 가지는 복수개의 핀홀의 상이 형성된다.The illumination optical system includes an
검출 광학계(계측부)는, 절곡 미러(9)와, 검출 렌즈(10)와, 위치 검출 소자(11)를 구비한다. 도 2는, 기판(2)위의 노광 영역(100)에 있어서의 노광 위치 계측점의 배치를 도시한 도면이다. 마스크(6)가 가지는 복수개의 핀홀을, 5개로 1조의 핀홀이라고 하면, 핀홀을 통과하는 광속은, 노광 영역(100)의 중앙부를 포함하는 5개의 위치의 계측점 21∼25를 조사하고, 각각의 위치에서 반사된다. 그 중앙부의 계측점(21)은, 그 밖의 계측점으로부터 X축방향으로의 스팬X와 Y축방향으로의 스팬Y의 거리에서 일 위치에 배치된다. 반사한 광속의 방향이 절곡 미러(9)에 의해 변화된 후, 검출 렌즈(10)를 통하여, 전하결합소자(CCD)등의 소자를 2차원적으로 배치한 위치 검출 소자(11) 위에 입사한다. 즉, 마스크(6), 기판(2) 및 위치 검출 소자(11)는, 서로 광학적으로 공역 위치에 있다. 또한, 광학배치상 곤란할 경우에는, 복수의 위치 검출 소자(11)를 각 핀홀에 대응해서 배치해도 좋다. 위치 검출 소자(11)는, 수광면에 있어서, 복수개의 핀홀을 통해 복수의 광속의 입사 위치를 독립적으로 검지하여도 좋다. 축소 투영 렌즈계(1)에 대한 기판(2)의 광축AX방향의 위치 및 기울기는, 위치 검출 소자(11) 위에 있어서의 복수의 광속의 입사 위치간의 편차로서 검출될 수 있다.The detection optical system (measurement section) includes a
기판 스테이지(3)는, 기판(2)을 흡착 유지하고, X축방향, Y축방향, Z축방향 및 이들 축을 중심으로 하는 회전 방향(Qx, Qy 및 Qz)으로 이동 가능하다. 여기에서, 기판(2)의 면에 따른(예를 들면, 평행한) 면을 XY평면이라고 하고, 그 XY평면에 수직한 방향(광축AX방향)을 Z축방향이라고 한다. 기판 스테이지(3)(기판2)의 높이는, Z축방향의 위치 좌표를 가리킨다. 또한, 그 회전 방향Qx, Qy 및 Qz의 크기(rad)는, 기판 스테이지(3)의 기울기의 정도를 가리킨다. 기판 스테이지(3)의 이동은, 스테이지 구동부(12)에 의해 행해지고, 기판 스테이지(3)의 이동에 따라 기판(2)의 위치 및 기울기를 조정할 수 있다. 여기에서, 기판(2)은, 표면에 감광 재료가 도포된 피처리 기판이며, 다수개의 노광 영역(숏 영역)이 배열되어 있다.The
검출 광학계에 의해 검출된 기판(2)의 Z축방향의 위치, X축 및 Y축에 대한 기울기는, 위치 검출 소자(11)로부터의 출력 신호(계측결과)로서 면 위치 검출부(14)를 거쳐 제어부(13)에 입력된다. 제어부(작성부)(13)는, 입력된 신호(계측 값)에 근거하여, 소정의 지령 신호(구동 지령)를 작성하고 그 소정의 지령 신호(구동 지령)를 스테이지 구동부(12)에 보낸다. 스테이지 구동부(12)는, 수신된 지령 신호에 응답하고, 기판 스테이지(3)를 서보 구동해서 기판(2)의 높이 및 기울기를 조정한다. 기판(2)의 X축/Y축방향의 위치 및 Z축에 대한 기울기는, 기판 스테이지(3) 위에 설치된 기준 미러(15)와 레이저 간섭계(17)를 사용해서 계측된다. 마찬가지로, 스테이지 구동부(12)는, 기판(2)의 XY평면상의 위치 및 기울기를 조정한다.The position of the
기억부(18)는, 기판의 위치와 노광 위치를 기억한다. 또한, 이후에 기억된다고 한 모든 값을, 기억부(18) 또는 대체 장치에 기억되는 것으로 한다. 콘솔부(19)는, 파라미터 설정을 행한다. 또한, 본 실시예에 따른 축소 투영 노광 장치가 콘솔부(19)에 나타내는 것 같은 유저 인터페이스를 구비하지 않은 경우에는, 제어부(13)는, 각 파라미터를 고정 값으로서 실행할 수 있다. 또한, 본 실시예는, 후술하는 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기억한 기억 매체를 노광 장치에 공급하고, 컴퓨터(또는 중앙처리장치(CPU)나 주 처리장치(MPU))가 기억 매체에 기억된 그 프로그램 코드를 판독해 실행함으로써 달성된다.The
도 3은, 콘솔부(19)에 있어서의 각종 설정 화면을 도시한 도면이다. 파라미터91은, 기판의 높이에 관한 값의 산출 방법을 결정하기 위한 파라미터다. 파라미터92는, 제2 이후의 기판의 처리의 즈음에 기준이 되는 정보와, 기준 노광 위치의 산출 방법을, 결정하기 위한 파라미터다. 역치 93 및 94(소정의 역치)는, 예측 노광 위치(예측의 위치를 나타내는 예측 위치)에의 구동을 실행할 것인가 아닌가를 판단하기 위한 기준이 되는 기판의 높이와 기울기의 역치다. 역치 95 및 96은, 예측 노광 위치에 있어서의 포커스 계측 값의 Z축방향의 위치 및 기울기의 오차의 허용 범위를 결정하는 역치다. 상기 예측 노광 위치는, 상기 노광 대상의 기판의 높이 방향의 예측 위치를 나타낸다.3 is a diagram illustrating various setting screens in the
도 4는, 본 실시예에 따른 축소 투영 노광 장치를 통해 기판의 복수의 숏 영역을 순차로 노광하는 처리 공정 전체의 시퀀스를 나타내는 흐름도다. 먼저, 로트의 선두의 기판(기판 처리 매수가 1이다)을 처리 대상으로 삼을 경우의 시퀀스에 대해서 설명한다. 또한, 로트내에서의 기판의 두께의 변화는 최대로 20μm정도이며, (반도체 제조 장비 재료 협회(SEMI)규격) 기판의 두께간의 차분이 20μm이하이면, 그 기판이 동일한 로트에 속한다고 간주된다. 하기의 시퀀스는 로트마다 행한다고 상정하고 있다. 예를 들면, 동일한 패턴은 동일한 로트에 속하는 기판에 형성되고, 각종 공정(열처리, 에칭 등)은 노광 후 동일한 조건에서 행해진다. 우선, (도시되지 않은) 기판 반입 장치에 의해 기판(2)을 기판 스테이지(3)에 반입한다(S101). S102에서는, 기판 처리 매수가 1보다 큰 것인가 아닌가가 판단된다. 그 기판이 로트의 선두의 기판이기 때문에, 크지 않다고 판단되어, S104의 처리에 진행된다. S104에서는, 각 샘플 숏 영역에 있어서 얼라인먼트 계측과 함께 기판(2)의 높이 및 기울기를 계측하고, 각 계측 값을 바탕으로 제어부(13)가 기판(2)의 높이에 관한 값(근사면 정보)을 산출하고, 산출 결과를 기억부(18)에 기억한다. 샘플 숏 영역으로서, 상기 기판(2)의 숏 영역 모두의 총수미만의 수의 복수의 숏 영역이 선택된다. 상기 근사면 정보는, 상기 샘플 숏 영역이외의 높이 위치를 보완하기 위한 산출을 각 샘플 숏 영역의 상기 높이 방향의 위치에 근거하여 행함으로써 얻어진 상기 기판(2)의 각 영역의 높이를 가리키는 정보다. 즉, 상기 근사면 정보는, 높이의 분포를 가리키는 정보다.4 is a flowchart showing an entire sequence of processing steps for sequentially exposing a plurality of shot regions of a substrate through the reduced projection exposure apparatus according to the present embodiment. First, the sequence in the case where the board | substrate (the number of substrate processing sheets is 1) of a lot is made into processing object is demonstrated. In addition, the change of the thickness of the board | substrate in a lot is about 20 micrometers at maximum, and when the difference between the thickness of a board | substrate is 20 micrometers or less, it is considered that the board | substrate belongs to the same lot. The following sequence is assumed to be performed for each lot. For example, the same pattern is formed on a substrate belonging to the same lot, and various processes (heat treatment, etching, etc.) are performed under the same conditions after exposure. First, the board |
도 6은, 기억부(18)에 기억된 각 기판의 근사면 정보나 숏 영역의 노광 위치 등을 격납하는 테이블이다. 동일 로트내의, 제1, 2, 3, ... , 제n의 기판(Wafer1∼WaferN)에 대응하는 테이블은, 각각 참조부호 60, 61, 62 및 63으로 나타내어진다. 도 7은, 예를 들면, 테이블(60)에 격납된 데이터를 도시한 도면이다.FIG. 6 is a table which stores the approximate surface information of each substrate, the exposure position of a shot area, etc. stored in the memory |
도 8은, 얼라인먼트 계측시 샘플 숏 영역의 일례를 도시하는 평면도다. 이 예에서는, 복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역인 S6, S9, S24 및 S27의 숏 영역이, 얼라인먼트 계측에 있어서의 샘플 숏 영역(샘플 영역)이다. 샘플 숏 영역의 개수나 위치는 적절하게 설정될 수 있다. 이 경우, 도 6의 테이블(60)에는, S6, S9, S24 및 S27이 Sample Shot(70)으로서 기억되고, 각 샘플 숏 영역에 있어서의 계측 값(복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역의 높이)으로부터 산출된 기판의 높이(근사면 정보)가 Wafer Hight(71)로서 기억된다.8 is a plan view illustrating an example of a sample shot area during alignment measurement. In this example, the shot areas of S6, S9, S24, and S27 which are some of the exposure areas of the plurality of exposure areas are sample shot areas (sample areas) in alignment measurement. The number or position of sample shot regions may be appropriately set. In this case, in the table 60 of FIG. 6, S6, S9, S24, and S27 are memorize | stored as the
기판의 높이의 산출 방법으로서는, 예를 들면, 최소제곱평면을 사용하는 방법이 있다. 기판의 표면을 z=ax+by+c의 식으로 표현하면, 그 최소제곱평면은, 최소 제곱법으로부터 구한 a, b 및 c를 상기 평면의 방정식에 대입할 수 있는 평면이다. 근사면 정보로서의 기판의 높이는, 상기 식의 우변의 c로 나타내어지고, 그 기판의 기울기는, 상기 식의 a 및 b로 나타내어진다. 이것들은, 도 6에 나타낸 각 기판에 대응하는 테이블에 격납된다. 또한, 이들은, 최소제곱평면에 상관없이 평균값을 구하여서 산출되어도 좋다. 산출 방법은, 콘솔부(19)의 파라미터(91)에 따라 선택될 수 있다.As a method of calculating the height of the substrate, there is a method of using a least square plane, for example. If the surface of a board | substrate is represented by the formula of z = a ++ xy + c, the least square plane is a plane which can substitute a, b, and c calculated | required from the least square method to the equation of the said plane. The height of the substrate as the approximate surface information is represented by c on the right side of the equation, and the inclination of the substrate is represented by a and b in the equation. These are stored in the table corresponding to each board | substrate shown in FIG. In addition, these may be calculated by calculating the average value regardless of the least square plane. The calculation method may be selected according to the
이하, 최소 제곱법에 따른 a, b 및 c의 산출 방법을 설명한다. 샘플 숏 영역수를 n, 계측된 각 샘플 숏 영역의 좌표를 (xi, yi, zi)이라고 하면, 상기 식에 의해 구해진 각 샘플 숏 영역의 높이와 계측된 각 샘플 숏 영역의 높이간의 차분ri는 다음식으로 나타낼 수 있다.Hereinafter, the calculation methods of a, b and c according to the least squares method will be described. If the number of sample shot regions is n and the coordinates of the measured sample shot regions are (xi, yi, zi), the difference between the heights of the heights of the sample shot regions and the heights of the measured sample shot regions obtained by the above equation is It can be represented by the following equation.
ri=axi+byi+c-ziri = axi + byi + c-zi
ri의 제곱의 합의 평균V는 다음과 같이 나타낸다.The average V of the sum of the squares of r i is expressed as follows.
V=(1/n)Σ(ri2)V = (1 / n) Σ (ri 2 )
=(1/n)Σ(axi+byi+c-zi)2 = (1 / n) Σ (axi + byi + c-zi) 2
이 V가 최소가 되는 a, b 및 c를 구하기 때문에, a, b 및 c에 대해서 편미분해서 0이 되는 극치를 구한다. 편미분의 결과는 아래와 같다.Since a, b, and c at which this X becomes the minimum are found, an extreme value that is partial divided by a, b, and c is zero. The result of partial derivatives is as follows.
(δV/δa)=(2/n)Σ(axi+byi+c-zi)xi(δV / δa) = (2 / n) Σ (axi + byi + c-zi) xi
=(2/n)(aΣ(xi)2+bΣxiyi+cΣxi-Σxizi)= (2 / n) (aΣ (xi) 2 + bΣxiyi + cΣxi-Σxizi)
=0= 0
(δV/δb)=(2/n)Σ(axi+byi+c-zi)yi(δV / δb) = (2 / n) Σ (axi + byi + c-zi) yi
=(2/n)(aΣxiyi+bΣ(yi)2+cΣyi-Σyizi)= (2 / n) (aΣxiyi + bΣ (yi) 2 + cΣyi-Σyizi)
=0= 0
(δV/δc)=(2/n)Σ(axi+byi+c-zi)(δV / δc) = (2 / n) Σ (axi + byi + c-zi)
=(2/n)(aΣxi+bΣyi+nc-Σzi)= (2 / n) (aΣxi + bΣyi + nc-Σzi)
=0= 0
여기에서, 상기 연립방정식을 풀기 위해서 다음과 같이 각 항을 치환한다.In this case, each term is substituted as follows to solve the system of equations.
(1/n)Σ(xi)2=X=A(1 / n) Σ (xi) 2 = X = A
(1/n)Σ(yi)2=Y=B(1 / n) Σ (yi) 2 = Y = B
(1/n)Σxiyi=Z=C(1 / n) Σxiyi = Z = C
(1/n)Σxi=x=D(1 / n) Σxi = x = D
(1/n)Σyi=y=E(1 / n) Σyi = y = E
(1/n)Σxizi=α=F(1 / n) Σxizi = α = F
(1/n)Σyizi=β=G(1 / n) Σyizi = β = G
(1/n)Σzi=γ=H(1 / n) Σzi = γ = H
이에 따라, 상기 연립방정식을 다음의 행렬식으로 치환한다.Accordingly, the system of equations is replaced by the following determinant.
이 행렬식을 풀면, a, b 및 c는 다음식과 같이 구해진다.Solving this determinant, a, b and c are obtained as follows.
a=(VyF+VzG+UyH)/Ia = (xxxy ++ xxxy) / I
b=(VzF+VxG+UxH)/Ib = (ff + w + wh) / I
c=(UyF+UxG+UzH)/Ic = (xxxy +++ sh) / I
여기서, 각 식의 우변은 다음의 치환을 사용한다.Here, the right side of each formula uses the following substitution.
Vx=X-x2=A-D2 Vx = Xx 2 = AD 2
Vy=Y-y2=B-E2 Xy = Yy 2 = BE 2
Vz=xy-Z=DE-CVz = xy-Z = DE-C
Ux=xZ-yX=DC-EAUx = xZ-yX = DC-EA
Uy=yZ-xY=EC-DBUy = yZ-xY = EC-DB
Uz=XY-Z2=AB-C2 Uz = XY-Z 2 = AB-C 2
I=VxVy-Vz2 I = VxVy-Vz 2
S104에서 제1 기판의 근사면 정보(기판의 기준 높이를 나타내는 제1기준정보)를 기억부(18)에 기억시킨 후, 노광 공정(노광 시퀀스)이 실행된다(S107). 도 5는, S107의 노광 공정의 흐름을 나타내는 흐름도다. 우선, S201에서는, 기판 처리 매수가 1보다 큰 것인가 아닌가가 판단된다. 그 기판이 로트의 선두의 기판이기 때문에, 크지 않다고 판단되어, 단계 S211의 처리에 진행된다. S211에서는, 기판(2)을 XY평면의 노광 위치까지 이동시킨다. 도 8에 도시된 예에서, 얼라인먼트 계측의 최종 숏 영역S27로부터 숏 영역S1에 이동시킨다. 다음에, S212에서 포커스 계측을 행한다. 숏 영역S1의 Z축방향의 위치나 기울기가 계측된다. S213에서는, 계측 값에 근거하여 포커싱 구동을 행한다. S214에서 노광을 실행함과 동시에, 노광 위치를 기억부(18)에 기억한다. 여기에서, 노광 위치란, 도 7의 참조부호 72에 나타낸 각 노광 영역(숏 영역)의 노광시의 기판 스테이지(3)(기판2)의 위치 좌표이며, 구체적으로는 (XS1, YS1, ZS1, QxS1, QyS1, QzS1)등이다. 또한, 노광장치는, 예측 구동위치로 기판을 이동시킨 후와 노광 대상인 숏 영역(1개의 노광 영역)을 노광하기 전에 1개의 숏 영역의 포커스를 계측해서 얻어진 포커스 얼라인먼트 오차를 반영하여도 된다. 다음에, S208에서 모든 노광 영역의 처리가 완료한 것인가 아닌가를 판단한다. 그 처리가 완료하지 않았다고 판단했을 경우에는 처리가 S201에 되돌아가고, 노광 공정을 재실행한다. 도 8에 나타낸 예에서는, 숏 영역S1으로부터 숏 영역S2에 이동하고, 숏 영역S2에 대한 노광 공정을 실행한다. 한편, 모든 노광 영역의 처리가 완료했다고 판단했을 경우에는, 도 4의 S108의 처리에 진행된다.In S104, after the approximate surface information (first reference information indicating the reference height of the substrate) of the first substrate is stored in the
S108에서는, (도시되지 않은) 기판 반출 장치에, 기판 스테이지(3)로부터 기판(2)을 반출시킨다. S109에서 모든 로트가 완료한 것인가 아닌가를 판단하고, 모든 로트가 완료했다고 판단했을 경우에는, 처리 공정 전체를 종료한다. 한편, 모든 로트가 완료하지 않았다고 판단했을 경우에는, S101로부터 상기 공정을 반복한다.In S108, the board |
이상의 공정에서 기억된 정보, 즉, 제1 기판의 근사면 정보 및 각 숏 영역의 노광 위치는, 제2 이후의 기판(제2 기판)을 노광 대상의 기판이라고 할 경우에 사용한다. 그 노광 위치는, 적어도 높이 방향의 위치를 포함한다. 또한, 기판의 근사면 정보 및 각 숏 영역의 노광 위치를 기억부(18)에 미리 기억시켜 둘 경우, 이상의 공정을 행하지 않고, 제1 기판으로부터 하기에서 나타낸 제2 기판을 처리 대상으로 삼는 시퀀스를 실행해도 좋다.The information stored in the above steps, that is, the approximate surface information of the first substrate and the exposure position of each shot region are used when the second and subsequent substrates (second substrate) are referred to as substrates to be exposed. The exposure position includes at least the position in the height direction. In addition, when the approximation surface information of a board | substrate and the exposure position of each shot area | region are previously memorize | stored in the memory |
다음에, 로트의 제2 기판(기판 처리 매수가 2이다)을 처리 대상으로 삼을 경우의 시퀀스에 대해서 설명한다. 우선, (도시되지 않은) 기판 반입 장치는, 기판 스테이지(3)에 다음 처리 대상인 기판(2)을 반입한다(S101). 다음에, S102에서는, 기판 처리 매수가 1보다 큰 것인가 아닌가가 판단된다. 기판이 로트의 제2 기판이기 때문에, 크다고 판단되어, 단계 S103의 처리에 진행된다. S103에서는, 제2 기판의 근사면 정보(기판의 임시 높이를 나타내는 임시 높이 정보)를 제1 기판의 근사면 정보와 비교하고, 근사면 정보(기판의 높이)의 (제1기준정보와 임시 높이 정보간의) 차분을 산출한다. 또한, 해당 근사면 정보간의 차분은, 제1 기판의 두께와 제2 기판의 두께간의 차분의 분포를 나타내는 정보이기도 하다. 도 9에 있어서, 이 공정의 상세를 설명한다. 우선, S104와 같이, 제2 기판의 각 샘플 숏 영역에 있어서 얼라인먼트 계측과 병행하여 기판의 높이를 계측하고, 각 계측 값에 근거하여 기판의 높이에 관한 값(근사면 정보)을 산출하고, 산출 결과를 기억부(18)에 기억한다(S301). 다음에, 제어부(13)가 기억부(18)에 기억된 제1 기판의 근사면 정보 및 제2 기판의 근사면 정보를 취득한다(S304). 제어부(13)는, 제1 기판의 근사면 정보와 제2 기판의 근사면 정보를 비교해서 근사면 정보의 차분을 산출한다(S305). 또한, 동일한 로트의 제3 이후의 기판을 처리할 경우는, S304에 앞서, 비교 기준이 되는 근사면 정보(기준값)의 산출 방법을 결정한다(S302). 또한, 결정된 산출 방법에 근거해서 산출된 근사면 정보(기준값)를 기억부(18)에 기억한다(S303).Next, the sequence in the case where the lot 2nd board | substrate (the number of substrate processes is 2) is made into process object is demonstrated. First, the board | substrate loading apparatus (not shown) carries in the board |
S302의 산출 방법의 결정은, 콘솔부(19)의 파라미터(92)의 입력 내용에 따라 행해진다. 산출 방법으로서는, 예를 들면, 동일한 로트의 처리가 완료한 복수의 기판의 근사면 정보(높이)의 평균값 또는 중간값을 사용하거나, 동일한 로트에 있어서 1매전에 처리가 완료한 기판의 근사면 정보를 사용하거나 하는 방법이 생각된다. 또한, 처리된 기판의 근사면 정보는, S301이나 S104에서 산출하고, 기억부(18)에 기억한 값이다.The determination method of the calculation method of S302 is performed according to the input content of the
S103에서 산출된 근사면 정보간의 차분은, S105에서, 콘솔부(19)에 입력된 역치 93(높이) 및 역치 94(기울기)와 비교된다. 즉, 제1 기판의 근사면 정보와 제2 기판의 근사면 정보간의 차분이 허용 범위내인가 아닌가를 판단한다. 판단 결과에 근거하여, 예측 노광 위치에의 구동을 중지하는 것을 나타내는 플래그(이하, 간단히 "중지 플래그"라고 한다.)의 ON/OFF가 결정된다. 그 차분이 역치를 초과한다(허용 범위외다)고 판단되었을 경우에는, 기억부(18)에 기억된 기판(2)의 노광 위치를 사용할 수 없다고 판단하고, S106에서 중지 플래그를 ON으로 한다.The difference between the approximate surface information calculated in S103 is compared with the threshold 93 (height) and the threshold 94 (tilt) input to the
S105에서 상기 차분이 역치를 초과하지 않는다(허용 범위내다)고 판단되었을 경우는, S106에 계속되어서 S107에서 도 5에 나타낸 노광 시퀀스가 실행된다. S105에서 상기 차분이 역치미만이라고 판단되었을 경우는, S105에 계속되어서 S107에서 도 5에 나타낸 노광 시퀀스가 실행된다. 우선, S201에서 기판 처리 매수가 1보다 큰가 아닌가를 판단한다. 여기에서는, 로트의 제2 기판을 처리하기 때문에, 1보다 크다고 판단되어, 처리가 S202에 이행한다. S202에서는, 중지 플래그가 OFF인가 아닌가가 판단된다. 중지 플래그가 ON이라고 판단되었을 경우에는, 로트의 제1 기판을 노광할 경우와 동등한 시퀀스를 실행한다. 한편, 중지 플래그가 OFF라고 판단했을 경우에는, 처리가 S203에 이행한다.When it is determined in S105 that the difference does not exceed the threshold (within the allowable range), the exposure sequence shown in FIG. 5 is executed in S107 following S106. When it is determined in S105 that the difference is less than the threshold, the exposure sequence shown in FIG. 5 is executed in S107 following S105. First, in S201, it is determined whether or not the number of substrate processing sheets is greater than one. In this case, since the second substrate of the lot is processed, it is determined to be larger than 1, and the process proceeds to S202. In S202, it is determined whether or not the stop flag is OFF. If it is determined that the stop flag is ON, the same sequence as in the case of exposing the first substrate of the lot is executed. On the other hand, when determining that the stop flag is OFF, the process shifts to S203.
S203에서는, S214에서 기억부(18)에 기억한 제1 기판의 숏 영역의 노광 위치 및 S103에서 구한 근사면 정보간의 차분에 근거하여, 제2 기판의 숏 영역의 예측 노광 위치를 산출한다. 도 10에 있어서, 이 공정의 상세를 설명한다. 제2 기판의 퍼스트 숏 영역(예를 들면, 도 8에서 나타낸 숏 영역S1)을 노광할 경우를 생각한다. S401에서는, S214에서 기억부(18)에 보존된 제1 기판의 숏 영역S1의 노광 위치를 판독한다. S404에서는, 판독한 제1 기판의 숏 영역S1의 노광 위치를 기준 노광 위치(복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 기준 높이를 나타내는 제2기준정보)로 하고 해당 기준 노광 위치로부터 S103에서 구한 근사면 정보간의 차분을 빼서 예측 노광 위치를 산출한다.In S203, the predicted exposure position of the shot region of the second substrate is calculated based on the difference between the exposure position of the shot region of the first substrate stored in the
제3 기판부터, 다음의 S402 및 S403의 공정이 필요하다. S402에서는, 기준 노광 위치(기준값)의 산출 방법을 결정한다. S403에서는, 그 결정된 산출 방법에 근거하여, S401에서 기억부(18)로부터 취득한 노광 위치부터 기준 노광 위치(기준값)를 산출한다. 여기에서, 판독하는 노광 위치는, S214에서 기억된 제1 기판의 노광 위치뿐만 아니라, S207과 S210에서 기억된 제2 이후의 기판의 노광 위치도 포함된다. 또한, S402의 산출 방법의 결정은, S302와 같이 콘솔부(19)의 파라미터(92)의 입력 내용에 따라 행해진다. 여기에서, S302에서 평균 또는 중간값을 사용할 경우, S402에서 선택된 산출 방법은 같은 것이 바람직하다.From the third substrate, the following steps S402 and S403 are required. In S402, a calculation method of the reference exposure position (reference value) is determined. In S403, the reference exposure position (reference value) is calculated from the exposure position acquired from the
도 11은, 기준 노광 위치(점선)와, S103에서 구한 차분을 고려하지 않았을 경우, 즉, 예측 노광 위치에의 구동을 행하지 않았을 경우의 실제의 노광 위치(실선)를 비교하는 그래프다. 도 11에 있어서, 종축은 노광 위치의 Z축 좌표를 나타내고, 횡축은 노광 영역(숏 영역)의 번호를 나타내고 있다. 도 11로부터, 기준 노광 위치와 실제의 노광 위치간에 오차가 있는 것을 알 수 있다.FIG. 11 is a graph comparing the actual exposure position (solid line) when the reference exposure position (dotted line) and the difference obtained in S103 are not taken into account, that is, when driving to the predicted exposure position is not performed. In FIG. 11, the vertical axis | shaft has shown the Z-axis coordinate of an exposure position, and the horizontal axis has shown the number of exposure area | region (shot area). It can be seen from FIG. 11 that there is an error between the reference exposure position and the actual exposure position.
도 12는, S103에서 구한 차분Zdiff를 고려했을 경우, 즉 예측 노광 위치에의 구동을 위해 S404에서 산출한 예측 노광 위치(점선)와 실제의 노광 위치(실선)를 비교하는 그래프다. 도 12로부터, 그 오차가 작은 것을 알 수 있다. 즉, 포커싱 정밀도가 향상한다.12 is a graph comparing the predicted exposure position (dotted line) calculated in S404 with the actual exposure position (solid line) when the difference ZiZ obtained in S103 is taken into consideration, that is, for driving to the predicted exposure position. It can be seen from FIG. 12 that the error is small. In other words, the focusing accuracy is improved.
S204에서는, 기판 스테이지(3)(기판2)를 S203에서 산출된 예측 노광 위치에 이동시킨다. 예측 노광 위치는, X, Y, Z, Qx, Qy, Qz의 6자유도에 대해서 얻어진다. 따라서, 기판(2)에 대해서, XY평면(기판(2)의 표면에 따르는 평면방향, 일부의 노광 영역의 높이 방향과 교차하는 평면방향)에서의 이동, Z축방향으로의 이동 및 각 축의 회전 방향으로의 이동을 동시에 실행할 수 있다. S205에서는, 포커스 계측을 실행한다. 포커스 계측 값과, 콘솔부(19)의 역치 95(Z축방향의 역치), 96(기울기의 역치)에 입력된 각 값과를 비교하고, 비교 결과에 근거하여, S207 및 S209의 어느쪽으로 이행할지를 판단한다(S206). 그 포커스 계측 값이 역치이내라고 판단되었을 경우에, S207에서 노광 처리를 실행함과 동시에, 노광 위치를 기억부(18)에 기억한다. 한편, 그 포커스 계측 값이 역치를 초과한다고 판단했을 경우에는, S209에서 포커싱 구동을 행하고, S210에서 노광 처리를 실행함과 동시에, 노광 위치를 기억부(18)에 기억한다. 또한, S207 또는 S210에서 기억된 값은, S214와 같은 위치 좌표이며, 노광시에 포커스 계측을 해서 얻어진 포커스 오차를 반영시킨 값이어도 된다. 최후에, S208에 있어서, 모든 노광 영역의 처리가 완료했는지를 판단한다. 모든 노광 영역의 처리가 완료하지 않았다고 판단되었을 경우에는, 처리가 S201에 되돌아가고, 노광 공정을 재실행한다. 도 8에 나타낸 예에서는, 숏 영역S1부터 숏 영역S2에 이동하고, 숏 영역S2에 대한 노광 공정을 실행한다. 한편, 모든 노광 영역의 처리가 완료했다고 판단했을 경우에는, 도 4의 S108의 처리로 진행한다. 또한, S108이후의 공정은, 상술한 대로다.In S204, the substrate stage 3 (substrate 2) is moved to the predicted exposure position calculated in S203. The predicted exposure position is obtained for six degrees of freedom of X, Y, Z, X, Y, and X. Therefore, with respect to the board |
다음에, 기판의 숏 영역을 노광하는 순번에 대해서 설명한다. 도 13은, 로트의 제1 기판의 노광 순번을 도시한 도면이다. 로트의 선두의 기판에 있어서는, 도 13의 숏 영역S1, S2, ...의 순서대로 노광을 행한다. 도 14에 도시한 바와 같이, 배열 방향의 끝에 위치하는 숏 영역S2에 있어서, 5개의 계측점(도 2의 참조부호 21∼25) 중 2개의 계측점에서만 계측할 수 있다. 그 때문에, 소정의 방향의 기울기를 계측할 수 없다. 그러므로, 3개 이상의 계측점에서 높이를 계측 가능, 즉 기울기 계측이 가능한 숏 영역S1을 먼저 노광하고, 노광시에 얻어진 계측 값을 사용해서 포커스 구동을 해서 숏 영역S2을 노광하고 나서, 숏 영역S3, S4의 순서로 노광을 행한다.Next, the order of exposing the shot region of the substrate will be described. It is a figure which shows the exposure order of the 1st board | substrate of a lot. In the board | substrate of the head of a lot, exposure is performed in order of shot area | region S1, S2, ... of FIG. As shown in Fig. 14, in the shot area S2 located at the end of the arrangement direction, measurement can be made only at two measurement points among the five measurement points (
도 15는, 로트의 제2 이후의 기판의 노광 순번을 도시한 도면이다. 상기 제2 이후의 기판에 있어서는, 도 15의 숏 영역S1, S2, ...의 순서로 노광을 행한다. 도 15에 있어서, 배열 방향의 끝에 위치된 숏 영역으로부터 순번으로 노광을 행하는 것으로, 도 13의 노광 순번보다 더 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 상술한 대로 예측 노광 위치를 산출해서 보정구동에 사용하기 때문에, 스루풋과 포커스 정밀도의 양쪽을 만족시킬 수 있다.FIG. 15 is a diagram showing an exposure sequence of the substrate after the second lot. FIG. In the second and subsequent substrates, exposure is performed in the order of the shot regions S1, S2, ... in FIG. In FIG. 15, the exposure can be sequentially performed from the shot regions located at the ends of the arrangement direction, thereby improving throughput more than the exposure sequence of FIG. 13. In addition, since the predicted exposure position is calculated and used for the correction driving as described above, both throughput and focus accuracy can be satisfied.
(물품 제조 방법)(Article manufacturing method)
본 발명의 실시예에 따른 물품 제조 방법은, 반도체 소자 등과 같은 마이크로 소자나, 마이크로구조를 갖는 구성요소 등과 같은 물품을 제조할 때 바람직하다. 그 물품 제조법은, 상술한 노광장치를 사용하여 피사체의 잠상 패턴을 형성하는 단계(예를 들면, 노광 처리); 및 그 잠상 패턴을 이전의 단계에서 형성한 상기 피사체를 현상하는 단계를 포함하여도 된다. 또한, 상기 물품 제조법은, 그 밖의 공지의 단계들(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함하여도 된다. 본 실시예의 소자 제조 방법은, 종래의 소자 제조 방법과 비교하여, 소자의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 이점이 있다.The article manufacturing method according to the embodiment of the present invention is preferable when manufacturing an article such as a micro device such as a semiconductor device or a component having a microstructure. The article manufacturing method includes the steps of forming a latent image pattern of a subject using the above-described exposure apparatus (for example, exposure processing); And developing the subject in which the latent image pattern is formed in the previous step. The article manufacturing method may also include other known steps (oxidation, film formation, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The device manufacturing method of this embodiment has an advantage in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the device, as compared with the conventional device manufacturing method.
본 발명을 실시예들을 참조하여 기재하였지만, 본 발명은 상기 개시된 실시예들에 한정되지 않는다는 것을 알 것이다. 아래의 청구항의 범위는, 모든 변형예와, 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 폭 넓게 해석해야 한다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments, it will be understood that the invention is not limited to the embodiments disclosed above. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all modifications and equivalent structures and functions.
본 출원은, 여기서 전체적으로 참고로 포함된, 2015년 4월 15일에 출원된 일본국 특허출원번호 2015-083484와, 2016년 3월 30일에 출원된 일본국 특허출원번호 2016-067408의 이점을 청구한다.This application claims the advantages of Japanese Patent Application No. 2015-083484, filed April 15, 2015, and Japanese Patent Application No. 2016-067408, filed March 30, 2016, which is hereby incorporated by reference in its entirety. To claim.
1:축소 투영 렌즈계 2:기판 3:기판 스테이지 4:조명용 광원 5:조명용 렌즈 6:마스크 7:결상 렌즈 8:절곡 미러 9:절곡 미러 10:검출 렌즈 11:위치 검출 소자 21~25:계측점 100: 노광 영역 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1: Zoom-out projection lens system 2: Board | substrate 3: Board | substrate stage 4: Light source for illumination 5: Light lens 6: Mask 7: Image forming lens 8: Bending mirror 9: Bending mirror 10: Detection lens 11: Position detecting element 21-25: Measuring point 100 : Exposure area
Claims (23)
대상 기판보다 먼저 노광된 기판에 대해 기준 높이를 나타내는 제1 높이 정보를 취득하는 단계;
상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역의 높이를 계측하는 단계;
상기 계측 단계에서의 계측 결과에 근거하여, 상기 대상 기판의 높이를 나타내는 제2 높이 정보를 취득하는 단계;
상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 높이를, 상기 1개의 노광 영역에 대해 기준 높이를 나타내는 제3 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여 산출하는 단계; 및
상기 산출 단계에서 산출된 상기 1개의 노광 영역의 높이에 근거하여, 상기 대상 기판을 이동시킨 후에, 상기 대상 기판상의 상기 1개의 노광 영역을 노광하는 단계를 포함하는, 노광 방법.
An exposure method for exposing a plurality of exposure areas on a substrate,
Acquiring first height information indicating a reference height of the substrate exposed before the target substrate;
Measuring a height of an exposure area of a part of the plurality of exposure areas on the target substrate;
Acquiring second height information indicating the height of the target substrate based on the measurement result in the measurement step;
Calculating the height of one exposure area among the plurality of exposure areas on the target substrate based on the third height information indicating the reference height, the first height information, and the second height information with respect to the one exposure area; ; And
And exposing said one exposure region on said target substrate after moving said target substrate based on the height of said one exposure region calculated in said calculating step.
상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보간의 차분이 허용 범위내인가 아닌가를 판단하는 단계를 포함하고,
상기 산출 단계는, 상기 차분이 상기 허용 범위내일 경우 행해지는, 노광 방법.
The method of claim 1,
Determining whether a difference between the first height information and the second height information is within an allowable range,
The calculating step is performed when the difference is within the allowable range.
상기 계측 단계는, 일부의 노광 영역의 높이 방향과 교차하는 평면방향의 위치의 계측과 병행하여 행해지는, 노광 방법.
The method of claim 1,
The said measuring step is performed in parallel with the measurement of the position of the planar direction which cross | intersects the height direction of some exposure area | region.
상기 제1 높이 정보는, 상기 대상 기판보다 먼저 노광된 복수의 기판의 높이들의 평균값 또는 중간값을 사용해서 산출된 정보인, 노광 방법.
The method of claim 1,
And the first height information is information calculated using an average value or a median value of heights of a plurality of substrates exposed before the target substrate.
상기 제3 높이 정보는, 상기 대상 기판상의 상기 1개의 노광 영역에 대응하는 위치에서 상기 대상 기판보다 먼저 노광된 상기 기판상의 1개의 노광 영역의 높이에 근거하여 산출된 정보인, 노광 방법.
The method of claim 1,
And the third height information is information calculated based on a height of one exposure area on the substrate exposed before the target substrate at a position corresponding to the one exposure area on the target substrate.
상기 제3 높이 정보는, 복수의 기판 중 상기 대상 기판상의 1개의 노광 영역에 대응하는 위치에서 상기 대상 기판보다 먼저 노광된 각 기판의 1개의 노광 영역의 높이를 나타내는, 복수의 값의 평균값이나 그 복수의 값 중 하나를 사용하여 산출되는, 노광 방법.
The method of claim 1,
The third height information is an average value of a plurality of values indicating the height of one exposure region of each substrate exposed before the target substrate at a position corresponding to one exposure region on the target substrate among the plurality of substrates, or An exposure method, calculated using one of a plurality of values.
상기 복수의 기판은 동일한 로트에 포함되는, 노광 방법.
The method of claim 4, wherein
And the plurality of substrates are included in the same lot.
상기 로트의 제1 기판에 있어서 소정의 배열 방향의 끝에 위치한 노광 영역의 3개 이상의 계측점에서 높이를 계측할 수 없을 경우, 상기 끝의 상기 노광 영역과 다르고 3개 이상의 계측점에서 높이를 계측 가능한 노광 영역은, 먼저 노광되며, 상기 끝에 위치한 상기 노광 영역이 상기 로트의 제2 기판에서 먼저 노광되도록 노광 순번을 결정하는, 노광 방법.
The method of claim 7, wherein
When the height cannot be measured at three or more measurement points of the exposure area located at the end of the predetermined array direction in the first substrate of the lot, the exposure area is different from the exposure area at the end and can measure the height at three or more measurement points. Is exposed first and determines an exposure order such that the exposure area located at the end is exposed first on the second substrate of the lot.
상기 노광 단계는,
상기 산출 단계에서 산출된 상기 1개의 노광 영역의 상기 높이로 상기 대상 기판을 이동시킨 후에 상기 1개의 노광 영역의 높이를 계측하는 단계; 및
상기 1개의 노광 영역을 노광하기 전에 상기 1개의 노광 영역의 높이를 계측하는 단계의 계측 결과에 근거하여 다시 상기 대상 기판을 이동시킬 것인가 아닌가를 판단하는 단계를 포함하는, 노광 방법.
The method of claim 1,
The exposure step,
Measuring the height of the one exposure region after moving the target substrate to the height of the one exposure region calculated in the calculating step; And
And determining whether to move the target substrate again based on the measurement result of measuring the height of the one exposure area before exposing the one exposure area.
제1기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제1기판과 다른 제2기판보다 먼저 노광된, 상기 제1기판의 제1 높이 정보를 취득하는 단계;
상기 제2기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제2기판의 제2 높이 정보를 취득하는 단계;
제1노광 영역의 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여, 상기 제1기판상의 상기 복수의 노광 영역 중 상기 제1노광 영역에 대응하는 위치에서, 상기 제2기판상의 상기 복수의 노광 영역 중, 제2노광 영역의 예측 높이를 산출하는 단계; 및
상기 산출 단계에서 산출한 상기 예측 높이로 상기 제2기판을 이동시킨 후에, 상기 제2노광 영역을 노광하는 단계를 포함하는, 노광 방법.An exposure method for exposing a plurality of exposure areas on a substrate,
Acquiring first height information of the first substrate that is exposed before the second substrate different from the first substrate, based on the height information of at least some of the exposure regions on the first substrate;
Acquiring second height information of the second substrate based on height information of at least some of the exposure regions of the plurality of exposure regions on the second substrate;
On the second substrate, at a position corresponding to the first exposure region among the plurality of exposure regions on the first substrate, based on the height information of the first exposure region, the first height information, and the second height information. Calculating a predicted height of a second exposure area among the plurality of exposure areas; And
Exposing the second exposure area after moving the second substrate to the predicted height calculated in the calculating step.
상기 1개의 노광 영역의 상기 높이는, 상기 산출 단계에서의 상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보간의 차분과, 상기 제3 높이 정보에 근거하여, 산출되는, 노광 방법.
The method of claim 1,
And said height of said one exposure area is calculated based on the difference between said first height information and said second height information in said calculating step and said third height information.
상기 예측 높이는, 상기 산출 단계에서의 상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보간의 차분과, 상기 제1노광 영역의 상기 높이 정보에 근거하여, 산출되는, 노광 방법.
The method of claim 10,
And the predicted height is calculated based on the difference between the first height information and the second height information in the calculating step and the height information of the first exposure area.
상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보간의 차분이 허용 범위내인가 아닌가를 판단하는 단계를 포함하고,
상기 산출 단계는, 상기 차분이 상기 허용 범위내일 경우 행해지는, 노광 방법.
The method of claim 10,
Determining whether a difference between the first height information and the second height information is within an allowable range,
The calculating step is performed when the difference is within the allowable range.
상기 제1기판과 상기 제2기판은, 동일한 로트에 포함되는, 노광 방법.
The method of claim 10,
And the first substrate and the second substrate are included in the same lot.
상기 노광 단계는,
상기 제2기판을 상기 예측 높이로 이동시킨 후에 상기 제2노광 영역의 높이를 계측하는 단계; 및
상기 제2노광 영역을 노광하기 전에 상기 계측 단계의 계측 결과에 근거하여 다시 상기 제2기판을 이동시킬 것인가 아닌가를 판단하는 단계를 포함하는, 노광 방법.
The method of claim 10,
The exposure step,
Measuring the height of the second exposure area after moving the second substrate to the predicted height; And
And determining whether to move the second substrate again based on the measurement result of the measuring step before exposing the second exposure area.
상기 기판을 유지 및 이동시키는 스테이지;
상기 스테이지를 구동하는 구동부;
상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 생성부; 및
대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 일부 노광 영역의 높이를 계측하는 계측부를 구비하고,
상기 생성부는,
상기 대상 기판보다 먼저 노광된 기판에 대해 기준 높이를 나타내는 제1 높이 정보와, 상기 계측부에 의한 계측 결과에 근거하여 상기 대상 기판의 높이를 나타내는 제2 높이 정보를 취득하고,
상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 높이를, 상기 1개의 노광 영역에 대해 기준 높이를 나타내는 제3 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여 산출하고,
상기 1개의 노광 영역의 상기 산출된 높이에 근거하여 상기 구동부의 구동 지령을 생성하도록 구성되고,
상기 1개의 노광 영역은, 상기 구동부가 상기 생성부에 의해 생성된 상기 구동 지령에 근거하여 상기 기판을 이동시킨 후에 노광되는, 노광장치.
An exposure apparatus that exposes a plurality of exposure regions on a substrate,
A stage for holding and moving the substrate;
A driving unit driving the stage;
A generating unit generating a driving command of the driving unit; And
It has a measuring part which measures the height of some exposure area among the some exposure area on a target substrate,
The generation unit,
First height information indicating a reference height and second height information indicating a height of the target substrate based on a measurement result by the measurement unit, with respect to the substrate exposed before the target substrate;
The height of one exposure area among the plurality of exposure areas on the target substrate is calculated based on the third height information indicating the reference height, the first height information, and the second height information with respect to the one exposure area,
Generate a driving command of the driving unit based on the calculated height of the one exposure area,
And the one exposure area is exposed after the drive portion moves the substrate based on the drive instruction generated by the generation portion.
상기 제 1 높이 정보는, 상기 대상 기판보다 먼저 노광된 복수의 기판의 높이들의 평균값 또는 중간값을 사용해서 산출된 정보인, 노광장치.
The method of claim 16,
And the first height information is information calculated using an average value or a median value of heights of a plurality of substrates exposed before the target substrate.
기판상의 복수의 노광 영역을 순차 노광하는 노광 장치를 사용해서 기판을 노광하는 단계; 및
상기 노광 단계에서 노광된 상기 기판을 현상하는 단계를 포함하고,
상기 노광 장치는,
상기 기판을 유지 및 이동시키는 스테이지;
상기 스테이지를 구동하는 구동부;
상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 생성부; 및
대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역의 높이를 계측하는 계측부를 구비하고,
상기 생성부는,
상기 대상 기판보다 먼저 노광된 기판에 대해 기준 높이를 나타내는 제1 높이 정보와, 상기 계측부에 의한 계측 결과에 근거하여 상기 대상 기판의 높이를 나타내는 제2 높이 정보를 취득하고,
상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 높이를, 상기 1개의 노광 영역에 대해 기준 높이를 나타내는 제3 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여 산출하고,
상기 1개의 노광 영역의 상기 산출된 높이에 근거하여 상기 구동부의 구동 지령을 생성하도록 구성되고,
상기 1개의 노광 영역은, 상기 구동부가 상기 생성부에 의해 생성된 상기 구동 지령에 근거하여 상기 기판을 이동시킨 후에 노광되는, 물품의 제조방법.
As a method of manufacturing an article,
Exposing a substrate using an exposure apparatus that sequentially exposes a plurality of exposure regions on the substrate; And
Developing the substrate exposed in the exposing step,
The exposure apparatus,
A stage for holding and moving the substrate;
A driving unit driving the stage;
A generating unit generating a driving command of the driving unit; And
It is provided with the measuring part which measures the height of the exposure area of some of the some exposure area on the target substrate,
The generation unit,
First height information indicating a reference height and second height information indicating a height of the target substrate based on a measurement result by the measurement unit, with respect to the substrate exposed before the target substrate;
The height of one exposure area among the plurality of exposure areas on the target substrate is calculated based on the third height information indicating the reference height, the first height information, and the second height information with respect to the one exposure area,
Generate a driving command of the driving unit based on the calculated height of the one exposure area,
The one exposure area is exposed after the drive unit moves the substrate based on the drive command generated by the generation unit.
상기 제1 높이 정보는, 상기 대상 기판보다 먼저 노광된 복수의 기판의 높이들의 평균값 또는 중간값을 사용해서 산출된 정보인, 물품의 제조방법,
The method of claim 18,
Wherein the first height information is information calculated using an average value or a median value of heights of a plurality of substrates exposed before the target substrate;
상기 기판을 유지 및 이동시키는 스테이지;
상기 스테이지를 구동하는 구동부; 및
상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 생성부를 구비하고,
상기 생성부는,
제1 기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제1 기판과 다른 제2 기판보다 먼저 노광된, 상기 제1 기판의 제1 높이 정보를 취득하고,
상기 제2 기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제2 기판의 제2 높이 정보를 취득하고,
제1 노광 영역의 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여, 상기 제1 기판상의 상기 복수의 노광 영역 중 상기 제1 노광 영역에 대응하는 위치에서, 상기 제2 기판상의 상기 복수의 노광 영역 중, 제2 노광 영역의 예측 높이를 산출하고,
상기 제2 노광 영역의 상기 산출된 예측 높이에 근거하여 상기 구동부의 구동 지령을 생성하도록 구성되고,
상기 제2 노광 영역은, 상기 구동부가 상기 생성부에 의해 생성된 상기 구동 지령에 근거하여 상기 제2 기판을 이동시킨 후에 노광되는, 노광장치.
An exposure apparatus that exposes a plurality of exposure regions on a substrate,
A stage for holding and moving the substrate;
A driving unit driving the stage; And
A generation unit for generating a driving instruction of the drive unit;
The generation unit,
Based on height information of at least some of the exposure regions on the first substrate, first height information of the first substrate, which is exposed before the second substrate different from the first substrate, is obtained;
Based on height information of at least some of the exposure regions of the plurality of exposure regions on the second substrate, second height information of the second substrate is obtained;
On the second substrate, at a position corresponding to the first exposure region among the plurality of exposure regions on the first substrate, based on the height information of the first exposure region, the first height information, and the second height information. A predicted height of a second exposure region is calculated among the plurality of exposure regions,
Driving the driver based on the calculated estimated height of the second exposure area; Configured to generate instructions,
And the second exposure area is exposed after the drive part moves the second substrate based on the drive command generated by the generation part.
상기 예측 높이는, 상기 제1 노광 영역의 높이 정보와, 상기 산출 단계에서의 상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보의 차분에 근거하여 산출되는, 노광장치.
The method of claim 20,
And the predicted height is calculated based on the height information of the first exposure area and the difference between the first height information and the second height information in the calculating step.
기판상의 복수의 노광 영역을 순차 노광하는 노광 장치를 사용해서 기판을 노광하는 단계; 및
상기 노광 단계에서 노광된 상기 기판을 현상하는 단계를 포함하고,
상기 노광 장치는,
상기 기판을 유지 및 이동시키는 스테이지;
상기 스테이지를 구동하는 구동부; 및
상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 생성부를 구비하고,
상기 생성부는,
제1 기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제1 기판과 다른 제2 기판보다 먼저 노광된, 상기 제1 기판의 제1 높이 정보를 취득하고,
상기 제2 기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제2 기판의 제2 높이 정보를 취득하고,
제1 노광 영역의 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여, 상기 제1 기판상의 상기 복수의 노광 영역 중 상기 제1 노광 영역에 대응하는 위치에서, 상기 제2 기판상의 상기 복수의 노광 영역 중, 제2 노광 영역의 예측 높이를 산출하고,
상기 제2 노광 영역의 상기 산출된 예측 높이에 근거하여, 상기 구동부의 구동 지령을 생성하도록 구성되고,
상기 제2 노광 영역은, 상기 구동부가 상기 생성부에 의해 생성된 상기 구동 지령에 근거하여 상기 제2 기판을 이동시킨 후에 노광되는, 물품의 제조방법.
As a method of manufacturing an article,
Exposing a substrate using an exposure apparatus that sequentially exposes a plurality of exposure regions on the substrate; And
Developing the substrate exposed in the exposing step,
The exposure apparatus,
A stage for holding and moving the substrate;
A driving unit driving the stage; And
A generation unit for generating a driving instruction of the drive unit;
The generation unit,
Obtaining first height information of the first substrate, which is exposed before the second substrate different from the first substrate, based on height information of at least some of the exposure regions on the first substrate,
Based on height information of at least part of the exposure area of the plurality of exposure areas on the second substrate, second height information of the second substrate is obtained;
On the second substrate, at a position corresponding to the first exposure region among the plurality of exposure regions on the first substrate, based on the height information of the first exposure region, the first height information, and the second height information. A predicted height of a second exposure region is calculated among the plurality of exposure regions,
Generate a driving command of the driving unit based on the calculated estimated height of the second exposure area,
And the second exposure region is exposed after the drive portion moves the second substrate based on the drive instruction generated by the generation portion.
상기 예측 높이는, 상기 제1 노광 영역의 높이 정보와, 상기 산출 단계에서의 상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보 사이의 차분에 근거하여 산출되는, 물품의 제조방법.
The method of claim 22,
And the predicted height is calculated based on the height information of the first exposure area and the difference between the first height information and the second height information in the calculating step.
Applications Claiming Priority (4)
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