JP2014099562A - Exposure device, exposure method and manufacturing method of device - Google Patents
Exposure device, exposure method and manufacturing method of device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014099562A JP2014099562A JP2012251498A JP2012251498A JP2014099562A JP 2014099562 A JP2014099562 A JP 2014099562A JP 2012251498 A JP2012251498 A JP 2012251498A JP 2012251498 A JP2012251498 A JP 2012251498A JP 2014099562 A JP2014099562 A JP 2014099562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- exposure
- shot
- measurement
- measurement value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method.
フォトリソグラフィ技術を用いて半導体デバイスなどを製造する際に、レチクルと基板とを走査(スキャン)しながらレチクルのパターンを転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(スキャナー)が使用されている。スキャナーでは、基板上のショット領域(露光領域)をベストフォーカス面に合わせるために必要なオフセットを、基板の露光処理中に位置計測センサから取得する情報を用いて補正している(特許文献1参照)。但し、特許文献1のように、露光処理中にベストフォーカス面を求め、かかるベストフォーカス面にショット領域を送り込む(即ち、リアルタイムオートフォーカスを用いる)場合、露光装置の処理速度(スループット)の低下を招くことになる。これは、位置計測センサで基板上のショット領域を予め計測(先読み)する分だけ基板ステージを余分に移動させてから露光処理を行わなければならないからである。
When manufacturing a semiconductor device or the like using photolithography technology, a step-and-scan type exposure apparatus (scanner) that transfers a reticle pattern while scanning the reticle and the substrate is used. The scanner corrects an offset necessary for aligning the shot area (exposure area) on the substrate with the best focus surface using information acquired from the position measurement sensor during the exposure process of the substrate (see Patent Document 1). ). However, as in
そこで、焦点深度が深い工程において、露光装置のスループットの低下を抑制する技術が提案されている(特許文献2参照)。特許文献2では、同一のプロセスで処理する複数の基板(ロット)のうち、1枚目の基板については全てのショット領域の高さを計測し、2枚目以降の基板については第1ショット領域の高さのみを計測する。そして、2枚目以降の基板の第2ショット領域以降については、1枚目の基板の第1ショット領域の高さと2枚目の基板の第1ショット領域の高さとの差分(補正値)を用いて、フォーカスの補正を行っている。特許文献2では、同一のプロセスで処理するロットにおいて、基板の表面形状がほぼ同一であることが必要な条件となる。 Therefore, a technique for suppressing a reduction in throughput of the exposure apparatus in a process with a deep focal depth has been proposed (see Patent Document 2). In Patent Document 2, among a plurality of substrates (lots) processed in the same process, the height of all shot regions is measured for the first substrate, and the first shot region is used for the second and subsequent substrates. Measure only the height. For the second and subsequent shot areas of the second and subsequent substrates, the difference (correction value) between the height of the first shot area of the first substrate and the height of the first shot area of the second substrate is calculated. It is used to correct the focus. In Patent Document 2, it is a necessary condition that the surface shapes of the substrates are substantially the same in lots processed in the same process.
しかしながら、同一のプロセスで処理するロットにおいても、実際には、複数の基板間で表面形状にばらつきがあるため、そのばらつきがフォーカス許容量よりも大きい場合には、デフォーカスを引き起こしてしまう。 However, even in a lot processed in the same process, since the surface shape actually varies among a plurality of substrates, defocusing occurs if the variation is larger than the focus allowable amount.
また、基板は基板ステージに保持され、基板の表面形状は基板ステージの基板保持面の形状(面形状)にならうことになるが、基板保持面は自重などによって経時変化することが知られている。例えば、2枚目以降の基板の第1ショット領域の高さの計測値が1枚目の基板の第1ショット領域の高さの計測値と同一であるが、基板保持面の経時変化による基板の表面形状の変形がフォーカス許容量よりも大きい場合がある。従来技術では、このような基板の表面形状の変形を検出することができず、他のショット領域に対して適正な補正値を反映させることができない。従って、実際の基板(ショット領域)の傾き成分が考慮されないまま露光処理が行われることになり、デフォーカスを引き起こしてしまう。 In addition, the substrate is held on the substrate stage, and the surface shape of the substrate follows the shape (surface shape) of the substrate holding surface of the substrate stage, but the substrate holding surface is known to change over time due to its own weight and the like. Yes. For example, the measurement value of the height of the first shot region of the second and subsequent substrates is the same as the measurement value of the height of the first shot region of the first substrate, but the substrate due to the change over time of the substrate holding surface In some cases, the deformation of the surface shape is larger than the focus tolerance. In the prior art, such a deformation of the surface shape of the substrate cannot be detected, and an appropriate correction value cannot be reflected to other shot areas. Therefore, exposure processing is performed without considering the tilt component of the actual substrate (shot region), which causes defocusing.
これらの問題は、全ての基板において全てのショット領域の高さを計測し、その結果を用いて露光処理中にフォーカスの補正を行うことで回避することができるが、露光装置のスループットは低下してしまう。 These problems can be avoided by measuring the height of all shot areas on all substrates and using that result to correct the focus during the exposure process, but the throughput of the exposure apparatus decreases. End up.
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、スループットの低下を抑えながらデフォーカスの低減に有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that is advantageous in reducing defocus while suppressing a decrease in throughput.
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、 複数の基板を連続して露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記基板のショット領域の高さを計測する計測部と、前記複数の基板のそれぞれの露光を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の基板のうち先頭からn枚目(nは自然数)までの基板を露光する場合には、予め取得した前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さの第1計測値に基づいて前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光すると共に、当該露光において当該複数のショット領域のそれぞれの高さを前記計測部で計測して第2計測値を取得し、前記複数の基板のうちn+1枚目以降の基板を露光する場合には、前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第3計測値を取得し、前記第1計測値に含まれる前記1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第3計測値との差分、前記第1計測値、及び、前記第2計測値に基づいて前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光することを特徴とする。 In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to one aspect of the present invention is an exposure apparatus that continuously exposes a plurality of substrates, a stage that holds and moves the substrate, and a shot area of the substrate A measurement unit that measures the height of the plurality of substrates, and a control unit that controls exposure of each of the plurality of substrates, wherein the control unit is the nth (n is a natural number) from the top of the plurality of substrates. In the case of exposing up to the substrate, each of the plurality of shot regions of the n-th substrate based on the first measurement value of the height of each of the plurality of shot regions of the n-th substrate obtained in advance. In the exposure, the height of each of the plurality of shot areas is measured by the measurement unit to obtain a second measurement value, and n + 1 of the plurality of substrates is obtained. After the first When exposing the substrate, the measurement unit measures the height of one shot region among a plurality of shot regions of the (n + 1) th and subsequent substrates to obtain a third measurement value, and the first measurement value The n + 1st and subsequent sheets based on the difference between the measurement value of the shot area corresponding to the one shot area included in the image and the third measurement value, the first measurement value, and the second measurement value Each of the plurality of shot areas of the substrate is exposed while adjusting the focus on the stage.
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.
本発明によれば、例えば、スループットの低下を抑えながらデフォーカスの低減に有利な露光装置を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide an exposure apparatus that is advantageous in reducing defocus while suppressing a decrease in throughput.
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member and the overlapping description is abbreviate | omitted.
図1は、本発明の一側面としての露光装置1の構成を示す概略図である。但し、図1では、露光装置1を構成する部材のうち一部の部材、即ち、本発明に関連する部材のみを示している。露光装置1は、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクルのパターンを基板に転写するリソグラフィー装置であって、本実施形態では、同一のプロセスで処理する複数の基板(ロット)を連続して露光する。
FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of an
露光装置1は、レチクルを照明する照明光学系(不図示)と、レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系(不図示)と、基板SBを保持して移動する基板ステージ10と、計測部20と、制御部30とを有する。
The
基板ステージ10は、基板SBを保持するためのチャック(基板保持面)12を有する。また、基板ステージ10は、4つのアクチュエータ14a、14b、14c及び14dを含む駆動系を有し、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びZ軸の回転方向のそれぞれに移動可能に構成される。
The
計測部20は、投影光学系と基板ステージ10との間に配置され、基板SBのショット領域の高さ(Z軸方向の位置)を計測する。計測部20は、例えば、4つのZ計測センサ21、22、23及び24を含み、基板SBのショット領域内において複数の計測点で高さを計測する。
The
制御部30は、CPU32やメモリ(記憶部)34を含み、露光装置1の全体(動作)を制御する。例えば、制御部30は、同一のプロセスで処理する複数の基板SBのそれぞれの露光を制御する(即ち、複数の基板SBを連続的に露光する露光処理を制御する)。この際、制御部30は、計測部20の計測結果に基づいて、基板SBを保持する基板ステージ10を介して、基板SBの複数のショット領域のそれぞれがベストフォーカス位置に位置するように、フォーカス調整を行う。
The
図2を参照して、露光装置1における複数の基板SBを連続的に露光する露光処理について説明する。かかる露光処理は、上述したように、制御部30が露光装置1の各部を統括的に制御することで行われる。なお、ここでは、基板ステージ10に基板SBが保持された状態から露光処理が開始されるものとする。また、計測部20は、基板SBの高さのショット領域の高さとして、ショット領域とフォーカス調整の基準となる基準位置(ベストフォーカス位置)との差分を計測するものとする。図2(a)は、複数の基板SBのうち1枚目の基板SBに対する露光処理を示し、図2(b)は、複数の基板SBのうち2枚目の基板SBに対する露光処理を示している。
With reference to FIG. 2, an exposure process for continuously exposing a plurality of substrates SB in the
まず、1枚目の基板SBに対する露光処理を説明する。S202では、1枚目の基板SBの1番目のショット領域(第1ショット領域)が計測部20の計測位置に位置するように、基板ステージ10を移動する。S204では、1枚目の基板SBの第1ショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得する。S206では、S204で取得した計測値(1枚目の基板SBの第1ショット領域の高さの計測値)をメモリ34に記憶する。
First, an exposure process for the first substrate SB will be described. In S202, the
S208では、1枚目の基板SBの全てのショット領域の高さを計測したかどうかを判定する。1枚目の基板SBの全てのショット領域の高さを計測している場合には、S216に移行する。また、1枚目の基板SBの全てのショット領域の高さを計測していない場合には、S210に移行する。 In S208, it is determined whether or not the heights of all the shot areas of the first substrate SB have been measured. When the heights of all the shot areas of the first substrate SB are measured, the process proceeds to S216. If the heights of all the shot areas of the first substrate SB have not been measured, the process proceeds to S210.
S210では、1枚目の基板SBの次のショット領域(即ち、高さが計測されていないショット領域(計測対象ショット領域))が計測部20の計測位置に位置するように、基板ステージ10を移動する。S212では、1枚目の基板SBの計測対象ショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得する。S214では、S212で取得した計測値(1枚目の基板SBの計測対象ショット領域の高さの計測値)をメモリ34に記憶する。S202乃至S214の処理によって、1枚目の基板SBの全てのショット領域の高さの計測値が取得される。かかる計測値、即ち、1枚目の基板SBを露光する前に予め取得した1枚目の基板SBの複数のショット領域のそれぞれの高さの計測値を、以下では、計測値S1と称する。
In S210, the
S216では、予め取得した計測値S1をフォーカス調整の補正値X1として(即ち、X1=S1)、基板SBの複数のショット領域のそれぞれがベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ10を移動させながら各ショット領域を露光する。また、かかる露光において、1枚目の基板SBの複数のショット領域のそれぞれの高さを計測部20で計測して計測値を取得し、計測値P1としてメモリ34に記憶する。
In S216, the measurement values S 1 was previously obtained as a correction value X 1 of the focus adjustment (i.e., X 1 = S 1), the substrate so that each of the plurality of shot regions of the substrate SB is positioned to the best
ここで、計測値S1、計測値P1及び補正量X1について整理する。計測値S1は、計測部20による計測から求まる基板SBの各ショット領域の高さ(Z軸方向の位置)とベストフォーカス位置との差分である。計測値P1は、1枚目の基板SBの露光中における計測部20による計測から求まる基板SBの各ショット領域の高さとベストフォーカス位置との差分である。補正量X1は、フォーカス調整における補正量、具体的には、1枚目の基板SBの露光中における基板ステージ10のZ軸方向の位置である。
Here, the measurement value S 1 , the measurement value P 1, and the correction amount X 1 are arranged. Measured values S 1, the height of each shot area of the substrate SB obtained from the measurement by the measuring
次に、2枚目の基板SBに対する露光処理を説明する。S252では、2枚目の基板SBの1番目のショット領域(第1ショット領域)が計測部20の計測位置に位置するように、基板ステージ10を移動する。S254では、2枚目の基板SBの第1ショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得する。
Next, an exposure process for the second substrate SB will be described. In S252, the
S256では、S206で記憶した計測値S1に含まれる1枚目の基板SBの第1ショット領域の高さの計測値とS254で取得した2枚目の基板SBの第1しショット領域の高さの計測値との差分を算出する。 In S256, the high of the first said shot area second substrate SB acquired in the measurement value of the height of the first shot area of the first substrate SB included in the measured values S 1 stored and S254 in S206 The difference from the measured value is calculated.
S258では、S256で算出した差分をS206で記憶した計測値S1(即ち、1枚目の基板SBの各ショット領域の高さの計測値)に加算して加算値を算出し、加算値S2としてメモリ34に記憶する。
In S258, to calculate the sum value by adding the measured values S 1 stored the calculated difference in S206 (i.e., measured values of the height of each shot area of the first sheet of substrate SB) in S256, the addition value S 2 is stored in the
S260では、1枚目の基板SBを露光中に計測部20で計測した各ショット領域の高さの計測値P1を考慮して、2枚目の基板SBを露光する。具体的には、S216で記憶した計測値P1にS258で記憶した加算値S2を加算した値をフォーカス調整の補正値X2とする(即ち、X2=P1+S2)。そして、補正値X2を用いて、基板SBの複数のショット領域のそれぞれがベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ10を移動させながら各ショット領域を露光する。また、かかる露光において、2枚目の基板SBの複数のショット領域のそれぞれの高さを計測部20で計測して計測値を取得し、計測値P2としてメモリ34に記憶する。
In S260, in consideration of the measured values P 1 of the height of the respective shot areas measured by the measuring
ここで、p枚目(pは3以上の自然数)の基板SBに露光処理についても説明する。1枚目の基板SBの第1ショット領域の高さの計測値とp枚目の基板の第1ショット領域の高さの計測値との差分を計測値S1に加算した加算値をSpとする。q枚目の基板SBの露光中に計測部20で計測した各ショット領域の高さの計測値をPqとすると、p枚目の基板SBを露光する際のフォーカス調整の補正値Xpは、以下の式(1)で与えられる。
Here, the exposure process for the pth substrate (p is a natural number of 3 or more) is also described. An addition value obtained by adding the difference between the measured value of the first shot area of the first substrate SB and the measured value of the height of the first shot area of the p-th substrate to the measured value S 1 is represented by Sp. And When the height of the measured values of each shot area measured by the measuring
式(1)において、mは、サンプリング枚数を表している。従って、式(1)は、p−m枚目〜p−1枚目までの基板の露光中に計測部20で計測した各ショット領域の高さの計測値を用いて、p枚目の基板を露光する際のフォーカス調整の補正値Xpを算出していることを表している。
In Expression (1), m represents the number of samples. Therefore, the expression (1) is obtained by using the measurement value of the height of each shot area measured by the
Pqは、理想的には、常に0になるはずである。但し、上述したように、基板ステージ10のチャック(基板保持面)12が自重などによって経時変化するため、Pqは、実際には、0にならない(Pq≠0)。そこで、本実施形態では、p枚目の基板SBを露光する際に、p−1枚目までの基板SBの露光時に計測部20で計測した各ショット領域の高さの計測値を考慮している。なお、p枚目の基板SBを露光する際のフォーカス調整の補正値Xpは、以下の式(1)に限定されるものではない。例えば、補正値Xpは、Xp=Pp−1+Spで与えられてもよい。
P q should ideally always be zero. However, as described above, since the chuck (substrate holding surface) 12 of the
本実施形態の露光装置1では、複数の基板のうち先頭からn枚目(nは自然数)までの基板を露光する場合には、かかる基板の露光において、複数のショット領域のそれぞれの高さを計測部20で計測して計測値(第2計測値)を取得する。なお、かかる基板の露光については、予め取得した複数のショット領域のそれぞれの高さの計測値(第1計測値)に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ10でフォーカス調整しながら露光する。
In the
また、n+1枚目以降の基板を露光する場合には、露光前に、かかる基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを計測部20で計測して計測値(第3計測値)を取得する。そして、第1計測値に含まれる1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と第3計測値との差分、第1計測値、及び、第2計測値に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ10でフォーカス調整しながら露光する。また、n+1枚目以降の基板の露光において、複数のショット領域の高さを計測部20で計測して計測値(第4計測値)を取得する。
Further, when the n + 1 and subsequent substrates are exposed, the height of one shot area of the plurality of shot areas of the substrate is measured by the
また、i枚目(i>n+1)の基板を露光する場合には、かかる基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを計測部20で計測して計測値(第5計測値)を取得する。次いで、第1計測値に含まれる1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と第5計測値との差分を求める。そして、かかる差分、第1計測値、及び、n+1枚目までの基板について取得された第4計測値と第2計測値との平均値に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ10でフォーカス調整しながら露光する。また、かかる差分、第1計測値、及び、i−1枚目の基板について取得された第4計測値に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ10でフォーカス調整しながら露光してもよい。
When the i-th (i> n + 1) substrate is exposed, the height of one shot area of the plurality of shot areas of the substrate is measured by the
このように、本実施形態の露光装置1では、露光対象となる基板に対して、それまでに露光した基板の複数のショット領域の高さを計測して取得した計測値を考慮して、露光対象となる基板の複数のショット領域のそれぞれをフォーカス調整している。従って、複数の基板間で表面形状にばらつきがある場合や基板ステージ10のチャック(基板保持面)12の経時変化によって基板の表面形状が変形する場合であっても、露光装置1は、露光処理におけるデフォーカスを低減させることができる。また、露光装置1は、露光前に、複数の基板のうち先頭からn枚目(例えば、1枚目)までの基板については全てのショット領域の高さを計測し、その他の基板については1つのショット領域の高さのみを計測している。従って、露光装置1は、複数の基板の全てについて、全てのショット領域の高さを計測する場合と比較して、スループットの低下を抑えることができる。
As described above, in the
また、露光装置1では、露光前に、基板の複数のショット領域のうち一部のショット領域の高さを計測部20で計測して計測値(第6計測値)を取得し、第1計測値と第6計測値との差分が許容範囲を超えていれば、かかる基板の露光を中止することも可能である。図3を参照して、かかる露光処理について説明する。また、複数の基板SBのそれぞれは、図4に示すように、行方向に3つのショット領域、列方向に2つのショット領域が配列された6つのショット領域(第1ショット領域乃至第6ショット領域)を有するものとする。なお、図4には、第6ショット領域を露光するための露光準備位置EP6での計測部20のZ計測センサ21乃至24の位置や第6ショット領域を露光する際の基板ステージ10の移動方向MD6が示されている。同様に、図4には、第5ショット領域を露光するための露光準備位置EP5での計測部20のZ計測センサ21乃至24の位置や第5ショット領域を露光する際の基板ステージ10の移動方向MD5が示されている。同様に、図4には、第4ショット領域を露光するための露光準備位置EP4での計測部20のZ計測センサ21乃至24の位置や第4ショット領域を露光する際の基板ステージ10の移動方向MD4が示されている。
Further, in the
図3(a)を参照して、1枚目の基板SBに対する露光処理を説明する。S302乃至S314は、図2に示すS202乃至S214と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。S316では、基板SBの露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ10を移動する。
With reference to FIG. 3A, an exposure process for the first substrate SB will be described. Since S302 to S314 are the same as S202 to S214 shown in FIG. 2, detailed description thereof is omitted here. In S316, the
S318では、露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置において、計測部20(Z計測センサ21乃至24)が基板SBの内側に位置しているかどうか(即ち、ショット領域に位置しているかどうか)を判定する。計測部20が基板SBの内側に位置していない場合には、S324に移行する。また、計測部20が基板SBの内側に位置している場合には、S320に移行する。
In S318, whether or not the measurement unit 20 (
S320では、露光準備位置において計測部20が位置している基板SBのショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得する。S322では、S320で取得した計測値(露光準備位置において計測部20が位置している基板SBのショット領域の高さの計測値)を基準値としてメモリ34に記憶する。
In S320, the
例えば、図4を参照するに、露光準備位置EP5では、計測部20が基板SBの外側に位置しているため、基板SBのショット領域の高さを計測することができない。一方、露光準備位置EP6では、計測部20が基板SBの内側、具体的には、基板SBの第1ショット領域に位置しているため、第1ショット領域の高さを計測することができる。また、露光準備位置EP4では、計測部20が基板SBの第3ショット領域に位置しているため、第3ショット領域の高さを計測することができる。
For example, referring to FIG. 4, at the exposure preparation position EP5, since the
S324では、予め取得した計測値S1をフォーカス調整の補正値X1として(即ち、X1=S1)、基板SBの露光対象ショット領域がベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ10を移動させながら露光対象ショット領域を露光する。また、かかる露光において、基板SBの露光対象ショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得し、計測値P1としてメモリ34に記憶する。
In S324 moving, the measured values S 1 was previously obtained as a correction value X 1 of the focus adjustment (i.e., X 1 = S 1), the
S326では、基板SBの全てのショット領域を露光したかどうかを判定する。基板SBの全てのショット領域を露光している場合には、1枚目の基板SBの露光処理を終了する。また、基板SBの全てのショット領域を露光していない場合には、S316に移行して、基板SBの次の露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ10を移動する。
In S326, it is determined whether or not all shot areas of the substrate SB have been exposed. When all the shot areas of the substrate SB are exposed, the exposure processing for the first substrate SB is finished. If all the shot areas of the substrate SB are not exposed, the process proceeds to S316, and the
図3(b)を参照して、2枚目以降の基板SBに対する露光処理を説明する。S352乃至S358は、図2に示すS252乃至S258と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。S360では、基板SBの露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ10を移動する。
With reference to FIG. 3B, an exposure process for the second and subsequent substrates SB will be described. Since S352 to S358 are the same as S252 to S258 shown in FIG. 2, a detailed description thereof is omitted here. In S360, the
S362では、露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置において、計測部20(Z計測センサ21乃至24)が基板SBの内側に位置しているかどうか(即ち、ショット領域に位置しているかどうか)を判定する。計測部20が基板SBの内側に位置していない場合には、S372に移行する。また、計測部20が基板SBの内側に位置している場合には、S364に移行する。
In S362, whether or not the measurement unit 20 (
S364では、露光準備位置において計測部20が位置している基板SBのショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得する。
In S364, the
S366では、S322で記憶した1枚目の基板SBのショット領域の高さの計測値、即ち、基準値とS364で取得した2枚目以降の基板SBのショット領域の高さの計測値とを比較し、その差分が許容範囲を超えているかどうかを判定する。かかる差分が許容範囲を超えている場合には、S368に移行して、その基板SBの露光を中止する。また、かかる差分が許容範囲を超えていない場合には、S370に移行する。S370では、S364で取得した計測値(露光準備位置において計測部20が位置している基板SBのショット領域の高さの計測値)を基準値としてメモリ34に記憶する(即ち、基準値を更新する)。
In S366, the measurement value of the shot area height of the first substrate SB stored in S322, that is, the reference value and the measurement value of the shot area height of the second and subsequent substrates SB acquired in S364 are obtained. A comparison is made to determine whether the difference exceeds the allowable range. If the difference exceeds the allowable range, the process proceeds to S368, and the exposure of the substrate SB is stopped. When the difference does not exceed the allowable range, the process proceeds to S370. In S370, the measurement value acquired in S364 (measurement value of the height of the shot area of the substrate SB where the
S372では、1枚目の基板SBを露光中に計測部20で計測した各ショット領域の高さの計測値P1を考慮して、2枚目の基板SBを露光する。具体的には、S324で記憶した計測値P1にS358で記憶した加算値S2を加算した値をフォーカス調整の補正値X2とする(即ち、X2=P1+S2)。そして、補正値X2を用いて、基板SBの露光対象ショット領域がベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ10を移動させながら露光対象ショット領域を露光する。また、かかる露光において、2枚目以降の基板SBの露光対象ショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得し、計測値P2としてメモリ34に記憶する。
In S372, in consideration of the measured values P 1 of the height of the respective shot areas measured by the measuring
S374では、基板SBの全てのショット領域を露光したかどうかを判定する。基板SBの全てのショット領域を露光している場合には、2枚目以降の基板SBの露光処理を終了する。また、基板SBの全てのショット領域を露光していない場合には、S360に移行して、基板SBの次の露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ10を移動する。
In S374, it is determined whether or not all shot areas of the substrate SB have been exposed. When all the shot areas of the substrate SB are exposed, the exposure processing for the second and subsequent substrates SB is finished. If all the shot areas of the substrate SB are not exposed, the process proceeds to S360, and the
このように、露光対象の基板のショット領域の高さと露光対象よりも前に露光した基板のショット領域の高さとの差分が許容範囲を超えている場合、即ち、基板間の表面形状の変形が大きい場合には、露光対象の基板の露光を中止する。これにより、露光対象の基板がデフォーカスしたまま露光されることを抑制することができる。 As described above, when the difference between the height of the shot area of the substrate to be exposed and the height of the shot area of the substrate exposed before the exposure target exceeds an allowable range, that is, the surface shape between the substrates is deformed. If larger, the exposure of the substrate to be exposed is stopped. Thereby, it can suppress that the board | substrate of exposure object exposes with defocusing.
上述したように、露光装置1は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス(液晶デバイス、半導体素子、撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を提供することができる。かかるデバイスは、露光装置1を用いてフォトレジスト(感光剤)が塗布された基板(ガラスプレート、ウエハ等)を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることによって製造される。
As described above, the
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。 As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.
Claims (10)
前記基板を保持して移動するステージと、
前記基板のショット領域の高さを計測する計測部と、
前記複数の基板のそれぞれの露光を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記複数の基板のうち先頭からn枚目(nは自然数)までの基板を露光する場合には、予め取得した前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さの第1計測値に基づいて前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光すると共に、当該露光において当該複数のショット領域のそれぞれの高さを前記計測部で計測して第2計測値を取得し、
前記複数の基板のうちn+1枚目以降の基板を露光する場合には、前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第3計測値を取得し、前記第1計測値に含まれる前記1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第3計測値との差分、前記第1計測値、及び、前記第2計測値に基づいて前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光することを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that continuously exposes a plurality of substrates,
A stage for holding and moving the substrate;
A measurement unit for measuring the height of the shot area of the substrate;
A control unit for controlling the exposure of each of the plurality of substrates,
The controller is
When exposing the first to n-th (n is a natural number) of the plurality of substrates, the first measurement values of the respective heights of the plurality of shot areas of the n-th substrate acquired in advance are used. Based on the above, each of the plurality of shot areas of the nth substrate is exposed while adjusting the focus on the stage, and the height of each of the plurality of shot areas is measured by the measurement unit in the exposure. To get the second measurement value,
In the case of exposing the (n + 1) th and subsequent substrates among the plurality of substrates, the height of one shot region among the plurality of shot regions of the (n + 1) th and subsequent substrates is measured by the measurement unit, and the third A measurement value is acquired, and the difference between the measurement value of the height of the shot area corresponding to the one shot area included in the first measurement value and the third measurement value, the first measurement value, and the first An exposure apparatus that performs exposure while adjusting focus on each of a plurality of shot areas of the (n + 1) th and subsequent substrates based on two measurement values.
前記複数の基板のうち先頭からn枚目(nは自然数)までの基板を露光する場合には、予め取得した前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さの第1計測値に基づいて前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対してフォーカス調整しながら露光すると共に、当該露光において当該複数のショット領域のそれぞれの高さを計測して第2計測値を取得し、
前記複数の基板のうちn+1枚目以降の基板を露光する場合には、前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを計測して第3計測値を取得し、前記第1計測値に含まれる前記1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第3計測値との差分、前記第1計測値、及び、前記第2計測値に基づいて前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対してフォーカス調整しながら露光することを特徴とする露光方法。 An exposure method for continuously exposing a plurality of substrates,
When exposing the first to n-th (n is a natural number) of the plurality of substrates, the first measurement values of the respective heights of the plurality of shot areas of the n-th substrate acquired in advance are used. And performing exposure while adjusting the focus on each of the plurality of shot areas of the n-th substrate, and measuring the height of each of the plurality of shot areas in the exposure to obtain a second measurement value And
When exposing the n + 1st and subsequent substrates of the plurality of substrates, the third measurement value is obtained by measuring the height of one shot region among the plurality of shot regions of the n + 1st and subsequent substrates. The difference between the measured value of the shot area corresponding to the one shot area included in the first measured value and the third measured value, the first measured value, and the second measured value An exposure method characterized in that exposure is performed while adjusting the focus for each of a plurality of shot areas of the (n + 1) th and subsequent substrates.
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。 Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8,
Developing the exposed substrate;
A device manufacturing method characterized by comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012251498A JP6157093B2 (en) | 2012-11-15 | 2012-11-15 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012251498A JP6157093B2 (en) | 2012-11-15 | 2012-11-15 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014099562A true JP2014099562A (en) | 2014-05-29 |
JP6157093B2 JP6157093B2 (en) | 2017-07-05 |
Family
ID=50941323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012251498A Active JP6157093B2 (en) | 2012-11-15 | 2012-11-15 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6157093B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016206654A (en) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | キヤノン株式会社 | Exposure apparatus and exposure method, and manufacturing method of article |
US10133177B2 (en) | 2015-04-15 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method |
US10488761B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-11-26 | Toshiba Memory Corporation | Exposure apparatus, surface position control method, exposure method, and semiconductor device manufacturing method |
KR20200001501A (en) * | 2018-06-27 | 2020-01-06 | 캐논 가부시끼가이샤 | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing article |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6148923A (en) * | 1984-08-16 | 1986-03-10 | Nec Corp | Exposure method in exposure device using projection type focusing |
JPH1197342A (en) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Canon Inc | Positioning method |
JP2008263207A (en) * | 2003-12-17 | 2008-10-30 | Asml Netherlands Bv | Method for determining map, device manufacturing method, and lithographic apparatus |
JP2010050223A (en) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Nikon Corp | Substrate processing method, exposure device, and device manufacturing method |
JP2011086777A (en) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Canon Inc | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device |
-
2012
- 2012-11-15 JP JP2012251498A patent/JP6157093B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6148923A (en) * | 1984-08-16 | 1986-03-10 | Nec Corp | Exposure method in exposure device using projection type focusing |
JPH1197342A (en) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Canon Inc | Positioning method |
JP2008263207A (en) * | 2003-12-17 | 2008-10-30 | Asml Netherlands Bv | Method for determining map, device manufacturing method, and lithographic apparatus |
JP2010050223A (en) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Nikon Corp | Substrate processing method, exposure device, and device manufacturing method |
JP2011086777A (en) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Canon Inc | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016206654A (en) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | キヤノン株式会社 | Exposure apparatus and exposure method, and manufacturing method of article |
US10133177B2 (en) | 2015-04-15 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method |
KR20190026709A (en) * | 2015-04-15 | 2019-03-13 | 캐논 가부시끼가이샤 | Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method |
KR102078079B1 (en) | 2015-04-15 | 2020-02-17 | 캐논 가부시끼가이샤 | Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method |
US10488761B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-11-26 | Toshiba Memory Corporation | Exposure apparatus, surface position control method, exposure method, and semiconductor device manufacturing method |
KR20200001501A (en) * | 2018-06-27 | 2020-01-06 | 캐논 가부시끼가이샤 | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing article |
KR102520864B1 (en) | 2018-06-27 | 2023-04-13 | 캐논 가부시끼가이샤 | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing article |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6157093B2 (en) | 2017-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9001306B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device | |
US5917580A (en) | Scan exposure method and apparatus | |
JP4157486B2 (en) | Method for generating drawing pattern data and mask drawing method | |
JP6157093B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
TWI485529B (en) | Lithographic method and arrangement | |
KR102078079B1 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method | |
US10481508B2 (en) | Exposure apparatus and method of manufacturing article | |
JP2017037194A (en) | Exposure device control method, exposure device, program, and article manufacturing method | |
CN109100920B (en) | Exposure apparatus and method for manufacturing article | |
JP2018022114A (en) | Measurement device, exposure device and method for producing article | |
TW201445616A (en) | Lithography cluster, method and control unit for automatic rework of exposed substrates | |
JP4869425B2 (en) | Scanning exposure apparatus and device manufacturing method | |
US10133177B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method | |
JP5379638B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2003203855A (en) | Exposure method and aligner, and device manufacturing method | |
JP2010123694A (en) | Scanning exposure system and method for manufacturing device | |
JP2830003B2 (en) | Projection exposure apparatus and projection exposure method | |
TWI633393B (en) | Determination and application of non-monotonic dose sensitivity | |
TWI774350B (en) | Method for calculating a corrected substrate height map, system for height measurement, and lithographic apparatus | |
US20240053686A1 (en) | Exposure apparatus, exposure method and article manufacturing method | |
US11067905B1 (en) | Real-time autofocus for maskless lithography on substrates | |
US20150144807A1 (en) | Drawing data creating method, drawing apparatus, drawing method, and article manufacturing method | |
JP6053316B2 (en) | Lithographic apparatus and article manufacturing method | |
TW202125109A (en) | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus | |
JP2000021739A (en) | Scan exposure method and scanning aligner |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160912 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170606 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6157093 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |