JP2014099562A - Exposure device, exposure method and manufacturing method of device - Google Patents

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device which is advantageous for reducing defocus while suppressing reduction of throughput.SOLUTION: On the basis of first measurements which are acquired beforehand, of heights of a plurality of shot regions of an n-th substrate, the n-th substrate is exposed while focusing each of the plurality of shot regions of the n-th substrate on a stage. Second measurements are acquired by measuring heights of the plurality of shot regions by means of a measuring section. When exposing (n+1)th and subsequent substrates among a plurality of substrates, a third measurement is acquired by measuring a height of one shot region among a plurality of shot regions of the (n+1)th and subsequent substrates by means of the measuring section. On the basis of a differential between a measurement which is included in the first measurements, of a height of a shot region corresponding to the one shot region and the third measurement, the first measurements and the second measurements, the (n+1)th and subsequent substrates are exposed while focusing the plurality of shot regions of the (n+1)th and subsequent substrates on the stage.

Description

本発明は、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method.

フォトリソグラフィ技術を用いて半導体デバイスなどを製造する際に、レチクルと基板とを走査(スキャン)しながらレチクルのパターンを転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(スキャナー)が使用されている。スキャナーでは、基板上のショット領域(露光領域)をベストフォーカス面に合わせるために必要なオフセットを、基板の露光処理中に位置計測センサから取得する情報を用いて補正している(特許文献1参照)。但し、特許文献1のように、露光処理中にベストフォーカス面を求め、かかるベストフォーカス面にショット領域を送り込む(即ち、リアルタイムオートフォーカスを用いる)場合、露光装置の処理速度(スループット)の低下を招くことになる。これは、位置計測センサで基板上のショット領域を予め計測(先読み)する分だけ基板ステージを余分に移動させてから露光処理を行わなければならないからである。   When manufacturing a semiconductor device or the like using photolithography technology, a step-and-scan type exposure apparatus (scanner) that transfers a reticle pattern while scanning the reticle and the substrate is used. The scanner corrects an offset necessary for aligning the shot area (exposure area) on the substrate with the best focus surface using information acquired from the position measurement sensor during the exposure process of the substrate (see Patent Document 1). ). However, as in Patent Document 1, when the best focus surface is obtained during the exposure process and the shot area is sent to the best focus surface (that is, using real-time autofocus), the processing speed (throughput) of the exposure apparatus is reduced. Will be invited. This is because the exposure process must be performed after the substrate stage is moved by an amount corresponding to the pre-measurement (prefetching) of the shot area on the substrate by the position measurement sensor.

そこで、焦点深度が深い工程において、露光装置のスループットの低下を抑制する技術が提案されている(特許文献2参照)。特許文献2では、同一のプロセスで処理する複数の基板(ロット)のうち、1枚目の基板については全てのショット領域の高さを計測し、2枚目以降の基板については第1ショット領域の高さのみを計測する。そして、2枚目以降の基板の第2ショット領域以降については、1枚目の基板の第1ショット領域の高さと2枚目の基板の第1ショット領域の高さとの差分(補正値)を用いて、フォーカスの補正を行っている。特許文献2では、同一のプロセスで処理するロットにおいて、基板の表面形状がほぼ同一であることが必要な条件となる。   Therefore, a technique for suppressing a reduction in throughput of the exposure apparatus in a process with a deep focal depth has been proposed (see Patent Document 2). In Patent Document 2, among a plurality of substrates (lots) processed in the same process, the height of all shot regions is measured for the first substrate, and the first shot region is used for the second and subsequent substrates. Measure only the height. For the second and subsequent shot areas of the second and subsequent substrates, the difference (correction value) between the height of the first shot area of the first substrate and the height of the first shot area of the second substrate is calculated. It is used to correct the focus. In Patent Document 2, it is a necessary condition that the surface shapes of the substrates are substantially the same in lots processed in the same process.

特開2003−203838号公報JP 2003-203838 A 特開平6−20923号公報JP-A-6-20923

しかしながら、同一のプロセスで処理するロットにおいても、実際には、複数の基板間で表面形状にばらつきがあるため、そのばらつきがフォーカス許容量よりも大きい場合には、デフォーカスを引き起こしてしまう。   However, even in a lot processed in the same process, since the surface shape actually varies among a plurality of substrates, defocusing occurs if the variation is larger than the focus allowable amount.

また、基板は基板ステージに保持され、基板の表面形状は基板ステージの基板保持面の形状(面形状)にならうことになるが、基板保持面は自重などによって経時変化することが知られている。例えば、2枚目以降の基板の第1ショット領域の高さの計測値が1枚目の基板の第1ショット領域の高さの計測値と同一であるが、基板保持面の経時変化による基板の表面形状の変形がフォーカス許容量よりも大きい場合がある。従来技術では、このような基板の表面形状の変形を検出することができず、他のショット領域に対して適正な補正値を反映させることができない。従って、実際の基板(ショット領域)の傾き成分が考慮されないまま露光処理が行われることになり、デフォーカスを引き起こしてしまう。   In addition, the substrate is held on the substrate stage, and the surface shape of the substrate follows the shape (surface shape) of the substrate holding surface of the substrate stage, but the substrate holding surface is known to change over time due to its own weight and the like. Yes. For example, the measurement value of the height of the first shot region of the second and subsequent substrates is the same as the measurement value of the height of the first shot region of the first substrate, but the substrate due to the change over time of the substrate holding surface In some cases, the deformation of the surface shape is larger than the focus tolerance. In the prior art, such a deformation of the surface shape of the substrate cannot be detected, and an appropriate correction value cannot be reflected to other shot areas. Therefore, exposure processing is performed without considering the tilt component of the actual substrate (shot region), which causes defocusing.

これらの問題は、全ての基板において全てのショット領域の高さを計測し、その結果を用いて露光処理中にフォーカスの補正を行うことで回避することができるが、露光装置のスループットは低下してしまう。   These problems can be avoided by measuring the height of all shot areas on all substrates and using that result to correct the focus during the exposure process, but the throughput of the exposure apparatus decreases. End up.

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、スループットの低下を抑えながらデフォーカスの低減に有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that is advantageous in reducing defocus while suppressing a decrease in throughput.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、 複数の基板を連続して露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記基板のショット領域の高さを計測する計測部と、前記複数の基板のそれぞれの露光を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の基板のうち先頭からn枚目(nは自然数)までの基板を露光する場合には、予め取得した前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さの第1計測値に基づいて前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光すると共に、当該露光において当該複数のショット領域のそれぞれの高さを前記計測部で計測して第2計測値を取得し、前記複数の基板のうちn+1枚目以降の基板を露光する場合には、前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第3計測値を取得し、前記第1計測値に含まれる前記1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第3計測値との差分、前記第1計測値、及び、前記第2計測値に基づいて前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光することを特徴とする。   In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to one aspect of the present invention is an exposure apparatus that continuously exposes a plurality of substrates, a stage that holds and moves the substrate, and a shot area of the substrate A measurement unit that measures the height of the plurality of substrates, and a control unit that controls exposure of each of the plurality of substrates, wherein the control unit is the nth (n is a natural number) from the top of the plurality of substrates. In the case of exposing up to the substrate, each of the plurality of shot regions of the n-th substrate based on the first measurement value of the height of each of the plurality of shot regions of the n-th substrate obtained in advance. In the exposure, the height of each of the plurality of shot areas is measured by the measurement unit to obtain a second measurement value, and n + 1 of the plurality of substrates is obtained. After the first When exposing the substrate, the measurement unit measures the height of one shot region among a plurality of shot regions of the (n + 1) th and subsequent substrates to obtain a third measurement value, and the first measurement value The n + 1st and subsequent sheets based on the difference between the measurement value of the shot area corresponding to the one shot area included in the image and the third measurement value, the first measurement value, and the second measurement value Each of the plurality of shot areas of the substrate is exposed while adjusting the focus on the stage.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。   Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、スループットの低下を抑えながらデフォーカスの低減に有利な露光装置を提供することができる。   According to the present invention, for example, it is possible to provide an exposure apparatus that is advantageous in reducing defocus while suppressing a decrease in throughput.

本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the exposure apparatus as 1 side surface of this invention. 図1に示す露光装置における複数の基板を連続的に露光する露光処理を説明するためのフローチャートである。2 is a flowchart for explaining an exposure process for continuously exposing a plurality of substrates in the exposure apparatus shown in FIG. 1. 図1に示す露光装置における複数の基板を連続的に露光する露光処理を説明するためのフローチャートである。2 is a flowchart for explaining an exposure process for continuously exposing a plurality of substrates in the exposure apparatus shown in FIG. 1. 基板のショット領域の配列の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the arrangement | sequence of the shot area | region of a board | substrate.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1は、本発明の一側面としての露光装置1の構成を示す概略図である。但し、図1では、露光装置1を構成する部材のうち一部の部材、即ち、本発明に関連する部材のみを示している。露光装置1は、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクルのパターンを基板に転写するリソグラフィー装置であって、本実施形態では、同一のプロセスで処理する複数の基板(ロット)を連続して露光する。   FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of an exposure apparatus 1 as one aspect of the present invention. However, FIG. 1 shows only a part of members constituting the exposure apparatus 1, that is, only members related to the present invention. The exposure apparatus 1 is a lithography apparatus that transfers a reticle pattern onto a substrate by a step-and-scan method. In this embodiment, the exposure apparatus 1 continuously exposes a plurality of substrates (lots) processed in the same process.

露光装置1は、レチクルを照明する照明光学系(不図示)と、レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系(不図示)と、基板SBを保持して移動する基板ステージ10と、計測部20と、制御部30とを有する。   The exposure apparatus 1 includes an illumination optical system (not shown) that illuminates a reticle, a projection optical system (not shown) that projects a reticle pattern onto a substrate, a substrate stage 10 that moves while holding the substrate SB, and a measurement unit 20 and a control unit 30.

基板ステージ10は、基板SBを保持するためのチャック(基板保持面)12を有する。また、基板ステージ10は、4つのアクチュエータ14a、14b、14c及び14dを含む駆動系を有し、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びZ軸の回転方向のそれぞれに移動可能に構成される。   The substrate stage 10 has a chuck (substrate holding surface) 12 for holding the substrate SB. The substrate stage 10 has a drive system including four actuators 14a, 14b, 14c, and 14d, and is configured to be movable in each of the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, and the Z-axis rotation direction. The

計測部20は、投影光学系と基板ステージ10との間に配置され、基板SBのショット領域の高さ(Z軸方向の位置)を計測する。計測部20は、例えば、4つのZ計測センサ21、22、23及び24を含み、基板SBのショット領域内において複数の計測点で高さを計測する。   The measurement unit 20 is disposed between the projection optical system and the substrate stage 10 and measures the height (position in the Z-axis direction) of the shot area of the substrate SB. The measurement unit 20 includes, for example, four Z measurement sensors 21, 22, 23, and 24, and measures the height at a plurality of measurement points in the shot region of the substrate SB.

制御部30は、CPU32やメモリ(記憶部)34を含み、露光装置1の全体(動作)を制御する。例えば、制御部30は、同一のプロセスで処理する複数の基板SBのそれぞれの露光を制御する(即ち、複数の基板SBを連続的に露光する露光処理を制御する)。この際、制御部30は、計測部20の計測結果に基づいて、基板SBを保持する基板ステージ10を介して、基板SBの複数のショット領域のそれぞれがベストフォーカス位置に位置するように、フォーカス調整を行う。   The control unit 30 includes a CPU 32 and a memory (storage unit) 34 and controls the whole (operation) of the exposure apparatus 1. For example, the control unit 30 controls the exposure of each of the plurality of substrates SB processed in the same process (that is, controls the exposure process for continuously exposing the plurality of substrates SB). At this time, the control unit 30 focuses on the basis of the measurement result of the measurement unit 20 so that each of the plurality of shot regions of the substrate SB is positioned at the best focus position via the substrate stage 10 holding the substrate SB. Make adjustments.

図2を参照して、露光装置1における複数の基板SBを連続的に露光する露光処理について説明する。かかる露光処理は、上述したように、制御部30が露光装置1の各部を統括的に制御することで行われる。なお、ここでは、基板ステージ10に基板SBが保持された状態から露光処理が開始されるものとする。また、計測部20は、基板SBの高さのショット領域の高さとして、ショット領域とフォーカス調整の基準となる基準位置(ベストフォーカス位置)との差分を計測するものとする。図2(a)は、複数の基板SBのうち1枚目の基板SBに対する露光処理を示し、図2(b)は、複数の基板SBのうち2枚目の基板SBに対する露光処理を示している。   With reference to FIG. 2, an exposure process for continuously exposing a plurality of substrates SB in the exposure apparatus 1 will be described. As described above, the exposure process is performed by the control unit 30 controlling the respective units of the exposure apparatus 1 in an integrated manner. Here, it is assumed that the exposure process is started from the state where the substrate SB is held on the substrate stage 10. The measurement unit 20 measures the difference between the shot area and the reference position (best focus position) that serves as a reference for focus adjustment as the height of the shot area that is the height of the substrate SB. FIG. 2A shows an exposure process for the first substrate SB among the plurality of substrates SB, and FIG. 2B shows an exposure process for the second substrate SB among the plurality of substrates SB. Yes.

まず、1枚目の基板SBに対する露光処理を説明する。S202では、1枚目の基板SBの1番目のショット領域(第1ショット領域)が計測部20の計測位置に位置するように、基板ステージ10を移動する。S204では、1枚目の基板SBの第1ショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得する。S206では、S204で取得した計測値(1枚目の基板SBの第1ショット領域の高さの計測値)をメモリ34に記憶する。   First, an exposure process for the first substrate SB will be described. In S202, the substrate stage 10 is moved so that the first shot area (first shot area) of the first substrate SB is positioned at the measurement position of the measurement unit 20. In S204, the height of the first shot area of the first substrate SB is measured by the measurement unit 20 to obtain a measurement value. In S206, the measurement value acquired in S204 (the measurement value of the height of the first shot area of the first substrate SB) is stored in the memory 34.

S208では、1枚目の基板SBの全てのショット領域の高さを計測したかどうかを判定する。1枚目の基板SBの全てのショット領域の高さを計測している場合には、S216に移行する。また、1枚目の基板SBの全てのショット領域の高さを計測していない場合には、S210に移行する。   In S208, it is determined whether or not the heights of all the shot areas of the first substrate SB have been measured. When the heights of all the shot areas of the first substrate SB are measured, the process proceeds to S216. If the heights of all the shot areas of the first substrate SB have not been measured, the process proceeds to S210.

S210では、1枚目の基板SBの次のショット領域(即ち、高さが計測されていないショット領域(計測対象ショット領域))が計測部20の計測位置に位置するように、基板ステージ10を移動する。S212では、1枚目の基板SBの計測対象ショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得する。S214では、S212で取得した計測値(1枚目の基板SBの計測対象ショット領域の高さの計測値)をメモリ34に記憶する。S202乃至S214の処理によって、1枚目の基板SBの全てのショット領域の高さの計測値が取得される。かかる計測値、即ち、1枚目の基板SBを露光する前に予め取得した1枚目の基板SBの複数のショット領域のそれぞれの高さの計測値を、以下では、計測値Sと称する。 In S210, the substrate stage 10 is placed so that the next shot area of the first substrate SB (that is, the shot area where the height is not measured (measurement target shot area)) is positioned at the measurement position of the measurement unit 20. Moving. In S212, the measurement unit 20 measures the height of the measurement target shot area of the first substrate SB and acquires the measurement value. In S214, the measurement value acquired in S212 (the measurement value of the height of the measurement target shot area of the first substrate SB) is stored in the memory 34. Through the processes of S202 to S214, the measurement values of the heights of all the shot areas of the first substrate SB are acquired. Such measurement values, that is, measurement values of the heights of the plurality of shot regions of the first substrate SB acquired in advance before the exposure of the first substrate SB are hereinafter referred to as measurement values S 1. .

S216では、予め取得した計測値Sをフォーカス調整の補正値Xとして(即ち、X=S)、基板SBの複数のショット領域のそれぞれがベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ10を移動させながら各ショット領域を露光する。また、かかる露光において、1枚目の基板SBの複数のショット領域のそれぞれの高さを計測部20で計測して計測値を取得し、計測値Pとしてメモリ34に記憶する。 In S216, the measurement values S 1 was previously obtained as a correction value X 1 of the focus adjustment (i.e., X 1 = S 1), the substrate so that each of the plurality of shot regions of the substrate SB is positioned to the best focus position stage 10 Each shot area is exposed while moving. Further, in the exposure, by measuring the height of each of the plurality of shot regions of the first sheet of the substrate SB in the measuring unit 20 obtains the measured value is stored in the memory 34 as a measurement value P 1.

ここで、計測値S、計測値P及び補正量Xについて整理する。計測値Sは、計測部20による計測から求まる基板SBの各ショット領域の高さ(Z軸方向の位置)とベストフォーカス位置との差分である。計測値Pは、1枚目の基板SBの露光中における計測部20による計測から求まる基板SBの各ショット領域の高さとベストフォーカス位置との差分である。補正量Xは、フォーカス調整における補正量、具体的には、1枚目の基板SBの露光中における基板ステージ10のZ軸方向の位置である。 Here, the measurement value S 1 , the measurement value P 1, and the correction amount X 1 are arranged. Measured values S 1, the height of each shot area of the substrate SB obtained from the measurement by the measuring unit 20 and the (Z-axis direction position) which is the difference between the best focus position. Measurement P 1 is the difference between the height and the best focus position of each shot area of the substrate SB obtained from the measurement by the measuring unit 20 during the exposure of the first substrate SB. Correction amount X 1, the correction amount in the focus adjustment, specifically, the position of the Z-axis direction of the substrate stage 10 during the exposure of the first substrate SB.

次に、2枚目の基板SBに対する露光処理を説明する。S252では、2枚目の基板SBの1番目のショット領域(第1ショット領域)が計測部20の計測位置に位置するように、基板ステージ10を移動する。S254では、2枚目の基板SBの第1ショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得する。   Next, an exposure process for the second substrate SB will be described. In S252, the substrate stage 10 is moved so that the first shot area (first shot area) of the second substrate SB is positioned at the measurement position of the measurement unit 20. In S254, the measurement value is obtained by measuring the height of the first shot area of the second substrate SB with the measuring unit 20.

S256では、S206で記憶した計測値Sに含まれる1枚目の基板SBの第1ショット領域の高さの計測値とS254で取得した2枚目の基板SBの第1しショット領域の高さの計測値との差分を算出する。 In S256, the high of the first said shot area second substrate SB acquired in the measurement value of the height of the first shot area of the first substrate SB included in the measured values S 1 stored and S254 in S206 The difference from the measured value is calculated.

S258では、S256で算出した差分をS206で記憶した計測値S(即ち、1枚目の基板SBの各ショット領域の高さの計測値)に加算して加算値を算出し、加算値Sとしてメモリ34に記憶する。 In S258, to calculate the sum value by adding the measured values S 1 stored the calculated difference in S206 (i.e., measured values of the height of each shot area of the first sheet of substrate SB) in S256, the addition value S 2 is stored in the memory 34.

S260では、1枚目の基板SBを露光中に計測部20で計測した各ショット領域の高さの計測値Pを考慮して、2枚目の基板SBを露光する。具体的には、S216で記憶した計測値PにS258で記憶した加算値Sを加算した値をフォーカス調整の補正値Xとする(即ち、X=P+S)。そして、補正値Xを用いて、基板SBの複数のショット領域のそれぞれがベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ10を移動させながら各ショット領域を露光する。また、かかる露光において、2枚目の基板SBの複数のショット領域のそれぞれの高さを計測部20で計測して計測値を取得し、計測値Pとしてメモリ34に記憶する。 In S260, in consideration of the measured values P 1 of the height of the respective shot areas measured by the measuring unit 20 during the exposure of the first substrate SB, to expose the second substrate SB. Specifically, a value obtained by adding the addition value S 2 stored in the measured value P 1 stored in the S258 and the correction value X 2 of the focus adjustment S216 (i.e., X 2 = P 1 + S 2). Then, using the correction value X 2, exposing the respective shot areas while moving the substrate stage 10 so that each of the plurality of shot regions of the substrate SB is positioned in the best focus position. Further, in the exposure, the respective heights of the plurality of shot areas second substrate SB is measured by the measuring unit 20 obtains the measured value is stored in the memory 34 as a measurement value P 2.

ここで、p枚目(pは3以上の自然数)の基板SBに露光処理についても説明する。1枚目の基板SBの第1ショット領域の高さの計測値とp枚目の基板の第1ショット領域の高さの計測値との差分を計測値Sに加算した加算値をSとする。q枚目の基板SBの露光中に計測部20で計測した各ショット領域の高さの計測値をPとすると、p枚目の基板SBを露光する際のフォーカス調整の補正値Xは、以下の式(1)で与えられる。 Here, the exposure process for the pth substrate (p is a natural number of 3 or more) is also described. An addition value obtained by adding the difference between the measured value of the first shot area of the first substrate SB and the measured value of the height of the first shot area of the p-th substrate to the measured value S 1 is represented by Sp. And When the height of the measured values of each shot area measured by the measuring unit 20 during exposure of the q th substrate SB and P q, the correction value X p of the focus adjustment when exposing the substrate SB p th is Is given by the following equation (1).

Figure 2014099562
Figure 2014099562

式(1)において、mは、サンプリング枚数を表している。従って、式(1)は、p−m枚目〜p−1枚目までの基板の露光中に計測部20で計測した各ショット領域の高さの計測値を用いて、p枚目の基板を露光する際のフォーカス調整の補正値Xを算出していることを表している。 In Expression (1), m represents the number of samples. Therefore, the expression (1) is obtained by using the measurement value of the height of each shot area measured by the measurement unit 20 during the exposure of the substrate from the pmth to the p−1th substrates. it represents that calculates the correction value X p of the focus adjustment when exposing the.

は、理想的には、常に0になるはずである。但し、上述したように、基板ステージ10のチャック(基板保持面)12が自重などによって経時変化するため、Pは、実際には、0にならない(P≠0)。そこで、本実施形態では、p枚目の基板SBを露光する際に、p−1枚目までの基板SBの露光時に計測部20で計測した各ショット領域の高さの計測値を考慮している。なお、p枚目の基板SBを露光する際のフォーカス調整の補正値Xは、以下の式(1)に限定されるものではない。例えば、補正値Xは、X=Pp−1+Sで与えられてもよい。 P q should ideally always be zero. However, as described above, since the chuck (substrate holding surface) 12 of the substrate stage 10 changes with time due to its own weight or the like, P q does not actually become 0 (P q ≠ 0). Therefore, in the present embodiment, when the p-th substrate SB is exposed, the measurement value of the height of each shot region measured by the measurement unit 20 at the time of exposure of the p-1th substrate SB is taken into consideration. Yes. The correction value X p of the focus adjustment when exposing the substrate SB p th is not intended to be limited to the following equation (1). For example, the correction value X p may be given by X p = P p-1 + S p.

本実施形態の露光装置1では、複数の基板のうち先頭からn枚目(nは自然数)までの基板を露光する場合には、かかる基板の露光において、複数のショット領域のそれぞれの高さを計測部20で計測して計測値(第2計測値)を取得する。なお、かかる基板の露光については、予め取得した複数のショット領域のそれぞれの高さの計測値(第1計測値)に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ10でフォーカス調整しながら露光する。   In the exposure apparatus 1 of the present embodiment, when exposing the first to n-th (n is a natural number) of the plurality of substrates, the height of each of the plurality of shot areas is set in the exposure of the substrate. A measurement value (second measurement value) is acquired by measurement by the measurement unit 20. For the exposure of the substrate, the substrate stage 10 adjusts the focus for each of the plurality of shot regions based on the height measurement values (first measurement values) of the plurality of shot regions acquired in advance. Exposure.

また、n+1枚目以降の基板を露光する場合には、露光前に、かかる基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを計測部20で計測して計測値(第3計測値)を取得する。そして、第1計測値に含まれる1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と第3計測値との差分、第1計測値、及び、第2計測値に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ10でフォーカス調整しながら露光する。また、n+1枚目以降の基板の露光において、複数のショット領域の高さを計測部20で計測して計測値(第4計測値)を取得する。   Further, when the n + 1 and subsequent substrates are exposed, the height of one shot area of the plurality of shot areas of the substrate is measured by the measurement unit 20 before the exposure, and a measured value (third measured value) is measured. ) To get. Then, a plurality of shots are obtained based on the difference between the measurement value of the shot area corresponding to one shot area included in the first measurement value and the third measurement value, the first measurement value, and the second measurement value. Each region is exposed while the focus is adjusted by the substrate stage 10. Further, in the exposure of the (n + 1) th and subsequent substrates, the measurement unit 20 measures the heights of the plurality of shot areas to obtain measurement values (fourth measurement values).

また、i枚目(i>n+1)の基板を露光する場合には、かかる基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを計測部20で計測して計測値(第5計測値)を取得する。次いで、第1計測値に含まれる1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と第5計測値との差分を求める。そして、かかる差分、第1計測値、及び、n+1枚目までの基板について取得された第4計測値と第2計測値との平均値に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ10でフォーカス調整しながら露光する。また、かかる差分、第1計測値、及び、i−1枚目の基板について取得された第4計測値に基づいて複数のショット領域のそれぞれに対して基板ステージ10でフォーカス調整しながら露光してもよい。   When the i-th (i> n + 1) substrate is exposed, the height of one shot area of the plurality of shot areas of the substrate is measured by the measurement unit 20 and the measurement value (fifth measurement value) is measured. ) To get. Next, a difference between the measurement value of the height of the shot area corresponding to one shot area included in the first measurement value and the fifth measurement value is obtained. Then, the substrate stage 10 for each of the plurality of shot regions based on the difference, the first measurement value, and the average value of the fourth measurement value and the second measurement value acquired for the n + 1st substrate. Use to adjust the focus. Further, exposure is performed while adjusting the focus on the substrate stage 10 for each of a plurality of shot regions based on the difference, the first measurement value, and the fourth measurement value acquired for the (i−1) th substrate. Also good.

このように、本実施形態の露光装置1では、露光対象となる基板に対して、それまでに露光した基板の複数のショット領域の高さを計測して取得した計測値を考慮して、露光対象となる基板の複数のショット領域のそれぞれをフォーカス調整している。従って、複数の基板間で表面形状にばらつきがある場合や基板ステージ10のチャック(基板保持面)12の経時変化によって基板の表面形状が変形する場合であっても、露光装置1は、露光処理におけるデフォーカスを低減させることができる。また、露光装置1は、露光前に、複数の基板のうち先頭からn枚目(例えば、1枚目)までの基板については全てのショット領域の高さを計測し、その他の基板については1つのショット領域の高さのみを計測している。従って、露光装置1は、複数の基板の全てについて、全てのショット領域の高さを計測する場合と比較して、スループットの低下を抑えることができる。   As described above, in the exposure apparatus 1 of the present embodiment, the exposure is performed in consideration of the measurement values obtained by measuring the heights of the plurality of shot areas of the substrate exposed so far with respect to the substrate to be exposed. Focus adjustment is performed on each of a plurality of shot areas of the target substrate. Therefore, even when the surface shape varies among a plurality of substrates, or even when the surface shape of the substrate is deformed due to aging of the chuck (substrate holding surface) 12 of the substrate stage 10, the exposure apparatus 1 performs the exposure process. The defocus in can be reduced. Further, the exposure apparatus 1 measures the height of all shot areas for the first to n-th (for example, the first) of the plurality of substrates before exposure, and 1 for the other substrates. Only the height of one shot area is measured. Therefore, the exposure apparatus 1 can suppress a decrease in throughput as compared with a case where the heights of all shot areas are measured for all of the plurality of substrates.

また、露光装置1では、露光前に、基板の複数のショット領域のうち一部のショット領域の高さを計測部20で計測して計測値(第6計測値)を取得し、第1計測値と第6計測値との差分が許容範囲を超えていれば、かかる基板の露光を中止することも可能である。図3を参照して、かかる露光処理について説明する。また、複数の基板SBのそれぞれは、図4に示すように、行方向に3つのショット領域、列方向に2つのショット領域が配列された6つのショット領域(第1ショット領域乃至第6ショット領域)を有するものとする。なお、図4には、第6ショット領域を露光するための露光準備位置EP6での計測部20のZ計測センサ21乃至24の位置や第6ショット領域を露光する際の基板ステージ10の移動方向MD6が示されている。同様に、図4には、第5ショット領域を露光するための露光準備位置EP5での計測部20のZ計測センサ21乃至24の位置や第5ショット領域を露光する際の基板ステージ10の移動方向MD5が示されている。同様に、図4には、第4ショット領域を露光するための露光準備位置EP4での計測部20のZ計測センサ21乃至24の位置や第4ショット領域を露光する際の基板ステージ10の移動方向MD4が示されている。   Further, in the exposure apparatus 1, before the exposure, the height of a part of the shot areas of the substrate is measured by the measuring unit 20 to obtain a measured value (sixth measured value), and the first measurement is performed. If the difference between the value and the sixth measurement value exceeds the allowable range, exposure of the substrate can be stopped. With reference to FIG. 3, the exposure process will be described. Further, as shown in FIG. 4, each of the plurality of substrates SB has six shot areas (first to sixth shot areas) in which three shot areas are arranged in the row direction and two shot areas are arranged in the column direction. ). FIG. 4 shows the position of the Z measurement sensors 21 to 24 of the measuring unit 20 at the exposure preparation position EP6 for exposing the sixth shot area and the moving direction of the substrate stage 10 when exposing the sixth shot area. MD6 is shown. Similarly, FIG. 4 shows the position of the Z measurement sensors 21 to 24 of the measurement unit 20 at the exposure preparation position EP5 for exposing the fifth shot area and the movement of the substrate stage 10 when exposing the fifth shot area. Direction MD5 is shown. Similarly, FIG. 4 shows the position of the Z measurement sensors 21 to 24 of the measuring unit 20 at the exposure preparation position EP4 for exposing the fourth shot area and the movement of the substrate stage 10 when exposing the fourth shot area. Direction MD4 is shown.

図3(a)を参照して、1枚目の基板SBに対する露光処理を説明する。S302乃至S314は、図2に示すS202乃至S214と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。S316では、基板SBの露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ10を移動する。   With reference to FIG. 3A, an exposure process for the first substrate SB will be described. Since S302 to S314 are the same as S202 to S214 shown in FIG. 2, detailed description thereof is omitted here. In S316, the substrate stage 10 is moved to an exposure preparation position for exposing the exposure target shot area of the substrate SB.

S318では、露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置において、計測部20(Z計測センサ21乃至24)が基板SBの内側に位置しているかどうか(即ち、ショット領域に位置しているかどうか)を判定する。計測部20が基板SBの内側に位置していない場合には、S324に移行する。また、計測部20が基板SBの内側に位置している場合には、S320に移行する。   In S318, whether or not the measurement unit 20 (Z measurement sensors 21 to 24) is located inside the substrate SB at the exposure preparation position for exposing the exposure target shot area (that is, whether or not it is located in the shot area). ). If the measurement unit 20 is not located inside the substrate SB, the process proceeds to S324. If the measurement unit 20 is located inside the substrate SB, the process proceeds to S320.

S320では、露光準備位置において計測部20が位置している基板SBのショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得する。S322では、S320で取得した計測値(露光準備位置において計測部20が位置している基板SBのショット領域の高さの計測値)を基準値としてメモリ34に記憶する。   In S320, the measurement unit 20 measures the height of the shot area of the substrate SB where the measurement unit 20 is located at the exposure preparation position, and acquires a measurement value. In S322, the measurement value acquired in S320 (the measurement value of the height of the shot area of the substrate SB where the measurement unit 20 is located at the exposure preparation position) is stored in the memory 34 as a reference value.

例えば、図4を参照するに、露光準備位置EP5では、計測部20が基板SBの外側に位置しているため、基板SBのショット領域の高さを計測することができない。一方、露光準備位置EP6では、計測部20が基板SBの内側、具体的には、基板SBの第1ショット領域に位置しているため、第1ショット領域の高さを計測することができる。また、露光準備位置EP4では、計測部20が基板SBの第3ショット領域に位置しているため、第3ショット領域の高さを計測することができる。   For example, referring to FIG. 4, at the exposure preparation position EP5, since the measurement unit 20 is located outside the substrate SB, the height of the shot area of the substrate SB cannot be measured. On the other hand, at the exposure preparation position EP6, since the measurement unit 20 is located inside the substrate SB, specifically, in the first shot region of the substrate SB, the height of the first shot region can be measured. Further, at the exposure preparation position EP4, since the measuring unit 20 is located in the third shot area of the substrate SB, the height of the third shot area can be measured.

S324では、予め取得した計測値Sをフォーカス調整の補正値Xとして(即ち、X=S)、基板SBの露光対象ショット領域がベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ10を移動させながら露光対象ショット領域を露光する。また、かかる露光において、基板SBの露光対象ショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得し、計測値Pとしてメモリ34に記憶する。 In S324 moving, the measured values S 1 was previously obtained as a correction value X 1 of the focus adjustment (i.e., X 1 = S 1), the substrate stage 10 so that the exposure target shot region of the substrate SB is positioned in the best focus position The exposure target shot area is exposed while performing Further, in the exposure, the height of the exposure target shot region of the substrate SB is measured by the measurement unit 20 obtains the measured value is stored in the memory 34 as a measurement value P 1.

S326では、基板SBの全てのショット領域を露光したかどうかを判定する。基板SBの全てのショット領域を露光している場合には、1枚目の基板SBの露光処理を終了する。また、基板SBの全てのショット領域を露光していない場合には、S316に移行して、基板SBの次の露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ10を移動する。   In S326, it is determined whether or not all shot areas of the substrate SB have been exposed. When all the shot areas of the substrate SB are exposed, the exposure processing for the first substrate SB is finished. If all the shot areas of the substrate SB are not exposed, the process proceeds to S316, and the substrate stage 10 is moved to the exposure preparation position for exposing the next exposure target shot area of the substrate SB.

図3(b)を参照して、2枚目以降の基板SBに対する露光処理を説明する。S352乃至S358は、図2に示すS252乃至S258と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。S360では、基板SBの露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ10を移動する。   With reference to FIG. 3B, an exposure process for the second and subsequent substrates SB will be described. Since S352 to S358 are the same as S252 to S258 shown in FIG. 2, a detailed description thereof is omitted here. In S360, the substrate stage 10 is moved to the exposure preparation position for exposing the exposure target shot area of the substrate SB.

S362では、露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置において、計測部20(Z計測センサ21乃至24)が基板SBの内側に位置しているかどうか(即ち、ショット領域に位置しているかどうか)を判定する。計測部20が基板SBの内側に位置していない場合には、S372に移行する。また、計測部20が基板SBの内側に位置している場合には、S364に移行する。   In S362, whether or not the measurement unit 20 (Z measurement sensors 21 to 24) is located inside the substrate SB at the exposure preparation position for exposing the exposure target shot area (that is, whether or not it is located in the shot area). ). If the measurement unit 20 is not located inside the substrate SB, the process proceeds to S372. If the measurement unit 20 is located inside the substrate SB, the process proceeds to S364.

S364では、露光準備位置において計測部20が位置している基板SBのショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得する。   In S364, the measurement unit 20 measures the height of the shot area of the substrate SB where the measurement unit 20 is located at the exposure preparation position, and acquires a measurement value.

S366では、S322で記憶した1枚目の基板SBのショット領域の高さの計測値、即ち、基準値とS364で取得した2枚目以降の基板SBのショット領域の高さの計測値とを比較し、その差分が許容範囲を超えているかどうかを判定する。かかる差分が許容範囲を超えている場合には、S368に移行して、その基板SBの露光を中止する。また、かかる差分が許容範囲を超えていない場合には、S370に移行する。S370では、S364で取得した計測値(露光準備位置において計測部20が位置している基板SBのショット領域の高さの計測値)を基準値としてメモリ34に記憶する(即ち、基準値を更新する)。   In S366, the measurement value of the shot area height of the first substrate SB stored in S322, that is, the reference value and the measurement value of the shot area height of the second and subsequent substrates SB acquired in S364 are obtained. A comparison is made to determine whether the difference exceeds the allowable range. If the difference exceeds the allowable range, the process proceeds to S368, and the exposure of the substrate SB is stopped. When the difference does not exceed the allowable range, the process proceeds to S370. In S370, the measurement value acquired in S364 (measurement value of the height of the shot area of the substrate SB where the measurement unit 20 is located at the exposure preparation position) is stored in the memory 34 as a reference value (that is, the reference value is updated). To do).

S372では、1枚目の基板SBを露光中に計測部20で計測した各ショット領域の高さの計測値Pを考慮して、2枚目の基板SBを露光する。具体的には、S324で記憶した計測値PにS358で記憶した加算値Sを加算した値をフォーカス調整の補正値Xとする(即ち、X=P+S)。そして、補正値Xを用いて、基板SBの露光対象ショット領域がベストフォーカス位置に位置するように基板ステージ10を移動させながら露光対象ショット領域を露光する。また、かかる露光において、2枚目以降の基板SBの露光対象ショット領域の高さを計測部20で計測して計測値を取得し、計測値Pとしてメモリ34に記憶する。 In S372, in consideration of the measured values P 1 of the height of the respective shot areas measured by the measuring unit 20 during the exposure of the first substrate SB, to expose the second substrate SB. Specifically, a value obtained by adding the addition value S 2 stored in the measured value P 1 stored in the S358 and the correction value X 2 of the focus adjustment S324 (i.e., X 2 = P 1 + S 2). Then, using the correction value X 2, to expose the exposure target shot region while moving the substrate stage 10 so that the exposure target shot region of the substrate SB is positioned in the best focus position. Further, in the exposure, the height of the exposure target shot region of the second and subsequent substrate SB is measured by the measurement unit 20 obtains the measured value is stored in the memory 34 as a measurement value P 2.

S374では、基板SBの全てのショット領域を露光したかどうかを判定する。基板SBの全てのショット領域を露光している場合には、2枚目以降の基板SBの露光処理を終了する。また、基板SBの全てのショット領域を露光していない場合には、S360に移行して、基板SBの次の露光対象ショット領域を露光するための露光準備位置に基板ステージ10を移動する。   In S374, it is determined whether or not all shot areas of the substrate SB have been exposed. When all the shot areas of the substrate SB are exposed, the exposure processing for the second and subsequent substrates SB is finished. If all the shot areas of the substrate SB are not exposed, the process proceeds to S360, and the substrate stage 10 is moved to the exposure preparation position for exposing the next exposure target shot area of the substrate SB.

このように、露光対象の基板のショット領域の高さと露光対象よりも前に露光した基板のショット領域の高さとの差分が許容範囲を超えている場合、即ち、基板間の表面形状の変形が大きい場合には、露光対象の基板の露光を中止する。これにより、露光対象の基板がデフォーカスしたまま露光されることを抑制することができる。   As described above, when the difference between the height of the shot area of the substrate to be exposed and the height of the shot area of the substrate exposed before the exposure target exceeds an allowable range, that is, the surface shape between the substrates is deformed. If larger, the exposure of the substrate to be exposed is stopped. Thereby, it can suppress that the board | substrate of exposure object exposes with defocusing.

上述したように、露光装置1は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス(液晶デバイス、半導体素子、撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を提供することができる。かかるデバイスは、露光装置1を用いてフォトレジスト(感光剤)が塗布された基板(ガラスプレート、ウエハ等)を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることによって製造される。   As described above, the exposure apparatus 1 can provide a high-quality device (liquid crystal device, semiconductor element, imaging element (CCD, etc.), thin film magnetic head, etc.) with high throughput and good economic efficiency. Such a device includes a step of exposing a substrate (glass plate, wafer, etc.) coated with a photoresist (photosensitive agent) using the exposure apparatus 1, a step of developing the exposed substrate, and other known steps. , Manufactured by going through.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

Claims (10)

複数の基板を連続して露光する露光装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記基板のショット領域の高さを計測する計測部と、
前記複数の基板のそれぞれの露光を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記複数の基板のうち先頭からn枚目(nは自然数)までの基板を露光する場合には、予め取得した前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さの第1計測値に基づいて前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光すると共に、当該露光において当該複数のショット領域のそれぞれの高さを前記計測部で計測して第2計測値を取得し、
前記複数の基板のうちn+1枚目以降の基板を露光する場合には、前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第3計測値を取得し、前記第1計測値に含まれる前記1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第3計測値との差分、前記第1計測値、及び、前記第2計測値に基づいて前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光することを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that continuously exposes a plurality of substrates,
A stage for holding and moving the substrate;
A measurement unit for measuring the height of the shot area of the substrate;
A control unit for controlling the exposure of each of the plurality of substrates,
The controller is
When exposing the first to n-th (n is a natural number) of the plurality of substrates, the first measurement values of the respective heights of the plurality of shot areas of the n-th substrate acquired in advance are used. Based on the above, each of the plurality of shot areas of the nth substrate is exposed while adjusting the focus on the stage, and the height of each of the plurality of shot areas is measured by the measurement unit in the exposure. To get the second measurement value,
In the case of exposing the (n + 1) th and subsequent substrates among the plurality of substrates, the height of one shot region among the plurality of shot regions of the (n + 1) th and subsequent substrates is measured by the measurement unit, and the third A measurement value is acquired, and the difference between the measurement value of the height of the shot area corresponding to the one shot area included in the first measurement value and the third measurement value, the first measurement value, and the first An exposure apparatus that performs exposure while adjusting focus on each of a plurality of shot areas of the (n + 1) th and subsequent substrates based on two measurement values.
前記計測部は、前記基板のショット領域の高さとして、当該ショット領域と前記フォーカス調整の基準となる基準位置との差分を計測することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the measurement unit measures a difference between the shot area and a reference position serving as a reference for the focus adjustment as a height of the shot area of the substrate. 前記制御部は、前記n+1枚目以降の基板を露光する場合には、前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光すると共に、当該複数のショット領域のそれぞれの高さを前記計測部で計測して第4計測値を取得することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The controller, when exposing the n + 1st and subsequent substrates, exposes each of a plurality of shot areas of the n + 1st and subsequent substrates while adjusting the focus on the stage, and The exposure apparatus according to claim 1, wherein a height of each shot area is measured by the measurement unit to obtain a fourth measurement value. 前記制御部は、i枚目(i>n+1)の基板を露光する場合には、前記i枚目の基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第5計測値を取得し、前記第1計測値に含まれる前記1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第5計測値との差分、前記第1計測値、及び、前記n+1枚目までの基板について取得された前記第4計測値と前記第2計測値との平均値に基づいて前記i枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光することを特徴とする請求項3に記載の露光装置。   When the i-th (i> n + 1) substrate is exposed, the control unit measures the height of one shot area among the plurality of shot areas of the i-th substrate with the measurement unit. Obtaining a fifth measurement value, a difference between the measurement value of the height of the shot area corresponding to the one shot area included in the first measurement value and the fifth measurement value, the first measurement value, and Focus adjustment is performed on the stage for each of a plurality of shot areas of the i-th substrate based on an average value of the fourth measurement value and the second measurement value acquired for the n + 1st substrate. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the exposure is performed while performing exposure. 前記制御部は、i枚目(i>n+1)の基板を露光する場合には、前記i枚目の基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを前記計測部で計測して第5計測値を取得し、前記第1計測値に含まれる前記1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第5計測値との差分、前記第1計測値、及び、前記i−1枚目の基板について取得された前記第4計測値に基づいて前記i枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対して前記ステージでフォーカス調整しながら露光することを特徴とする請求項3に記載の露光装置。   When the i-th (i> n + 1) substrate is exposed, the control unit measures the height of one shot area among the plurality of shot areas of the i-th substrate with the measurement unit. Obtaining a fifth measurement value, a difference between the measurement value of the height of the shot area corresponding to the one shot area included in the first measurement value and the fifth measurement value, the first measurement value, and The exposure is performed while adjusting the focus on the stage with respect to each of a plurality of shot regions of the i-th substrate based on the fourth measurement value acquired for the i-th substrate. The exposure apparatus according to claim 3. 前記制御部は、露光前に、基板の複数のショット領域のうち一部のショット領域の高さを前記計測部で計測して第6計測値を取得し、前記第1計測値と前記第6計測値との差分が許容範囲を超えていれば、当該基板の露光を中止することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The controller measures the height of a part of the shot areas of the plurality of shot areas on the substrate by the measuring unit before the exposure to obtain a sixth measured value, and the first measured value and the sixth 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure of the substrate is stopped if the difference from the measured value exceeds an allowable range. 前記第6計測値を取得するための前記計測部による計測は、露光対象のショット領域を露光するための露光準備位置で行われることを特徴とする請求項6に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 6, wherein the measurement by the measurement unit for obtaining the sixth measurement value is performed at an exposure preparation position for exposing a shot area to be exposed. 前記第1計測値は、前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さを前記計測部で計測することで取得されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the first measurement value is acquired by measuring a height of each of a plurality of shot regions of the n-th substrate with the measurement unit. 複数の基板を連続して露光する露光方法であって、
前記複数の基板のうち先頭からn枚目(nは自然数)までの基板を露光する場合には、予め取得した前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれの高さの第1計測値に基づいて前記n枚目の基板の複数のショット領域のそれぞれに対してフォーカス調整しながら露光すると共に、当該露光において当該複数のショット領域のそれぞれの高さを計測して第2計測値を取得し、
前記複数の基板のうちn+1枚目以降の基板を露光する場合には、前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のうち1つのショット領域の高さを計測して第3計測値を取得し、前記第1計測値に含まれる前記1つのショット領域に対応するショット領域の高さの計測値と前記第3計測値との差分、前記第1計測値、及び、前記第2計測値に基づいて前記n+1枚目以降の基板の複数のショット領域のそれぞれに対してフォーカス調整しながら露光することを特徴とする露光方法。
An exposure method for continuously exposing a plurality of substrates,
When exposing the first to n-th (n is a natural number) of the plurality of substrates, the first measurement values of the respective heights of the plurality of shot areas of the n-th substrate acquired in advance are used. And performing exposure while adjusting the focus on each of the plurality of shot areas of the n-th substrate, and measuring the height of each of the plurality of shot areas in the exposure to obtain a second measurement value And
When exposing the n + 1st and subsequent substrates of the plurality of substrates, the third measurement value is obtained by measuring the height of one shot region among the plurality of shot regions of the n + 1st and subsequent substrates. The difference between the measured value of the shot area corresponding to the one shot area included in the first measured value and the third measured value, the first measured value, and the second measured value An exposure method characterized in that exposure is performed while adjusting the focus for each of a plurality of shot areas of the (n + 1) th and subsequent substrates.
請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8,
Developing the exposed substrate;
A device manufacturing method characterized by comprising:
JP2012251498A 2012-11-15 2012-11-15 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method Active JP6157093B2 (en)

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