KR102063988B1 - Organic Light Emitting Diode Display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이웃하는 화소 사이에 빛 샘을 방지한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에 가로 방향으로 배열된 다수 개의 스캔 배선들; 상기 기판 위에 상기 스캔 배선들과 직교하도록 배열된 다수 개의 데이터 배선들; 상기 스캔 배선들과 상기 데이터 배선들의 교차 구조로 정의되며, 상기 기판 위에 매트릭스 방식으로 배열된 다수 개의 화소들; 그리고 상기 화소들 중 이웃하는 화소 행들 사이에 배치된 광 차단 댐을 포함한다.The present invention relates to a bottom emission type organic light emitting diode display that prevents light leakage between neighboring pixels. An organic light emitting diode display according to the present invention comprises: a plurality of scan lines arranged in a horizontal direction on a substrate; A plurality of data lines arranged on the substrate so as to be orthogonal to the scan lines; A plurality of pixels defined by a cross structure of the scan lines and the data lines and arranged in a matrix manner on the substrate; And a light blocking dam disposed between neighboring pixel rows among the pixels.

Description

유기발광 다이오드 표시장치{Organic Light Emitting Diode Display}Organic Light Emitting Diode Display

본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 이웃하는 화소 사이에 칼라 필터를 이용한 광 차단 댐을 구비하여 빛샘을 방지한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display. In particular, the present invention relates to a bottom emission type organic light emitting diode display device having a light blocking dam using a color filter between neighboring pixels to prevent light leakage.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광 표시장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescence devices (ELs). There is this.

전계발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The electroluminescent display is classified into an inorganic electroluminescent display and an organic light emitting diode display according to the material of the light emitting layer. The electroluminescent display is a self-light emitting device that emits light and has advantages such as fast response speed, high luminous efficiency, brightness and viewing angle.

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. 1 is a view showing the structure of a general organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer electroluminescent as shown in FIG. 1, and a cathode electrode and an anode electrode facing each other with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron injection). layer, EIL).

유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.The organic light emitting diode emits light due to energy from the excitons in the excitation process when holes and electrons injected into the anode and cathode are recombined in the emission layer EML. The organic light emitting diode display displays an image by electrically controlling the amount of light generated in the light emitting layer EML of the organic light emitting diode as shown in FIG. 1.

전계발광 소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.The organic light emitting diode display (OLED), which uses the characteristics of the organic light emitting diode, an electroluminescent device, has a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) and an active matrix. It is roughly classified into an active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED).

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 혹은 "TFT")를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.An active matrix type organic light emitting diode display device (AMOLED) displays an image by controlling a current flowing through the organic light emitting diode using a thin film transistor (or TFT). 2 is an example of an equivalent circuit diagram illustrating a structure of one pixel in a general organic light emitting diode display. 3 is a plan view illustrating the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the related art. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to the related art, taken along the line II ′ in FIG. 3.

도 2 내지 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다.2 to 3, the active matrix organic light emitting diode display includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT. . The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD.

그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current wiring VDD, and a drain electrode DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED.

좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는, 투명 기판(SUB) 위에 채널 층들(SA, DA)을 포함하는 반도체 층이 형성되어 있다. 반도체 층 중에서 나중에 형성되는 게이트 전극들(SG, DG) 각각과 중첩하는 중앙 영역은 채널 층(SA, DA)으로 정의되고, 그 양 옆에는 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역으로 정의된다.4, the active matrix organic light emitting diode display includes a semiconductor layer including channel layers SA and DA on a transparent substrate SUB. The central region overlapping each of the gate electrodes SG and DG formed later in the semiconductor layer is defined as the channel layers SA and DA, and is defined as a source region and a drain region doped with impurities at both sides thereof.

반도체 층 위에는 기판(SUB) 전체 표면을 덮는 게이트 절연막(GI)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(GI) 위에서 채널 층(SA, DA)과 중첩되는 위치에는 금속 물질을 포함하는 게이트 전극(SG, DG)들이 배치된다. 게이트 전극들(SG, DG)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에는 중간 절연막(IN)이 도포된다.A gate insulating layer GI is formed on the semiconductor layer to cover the entire surface of the substrate SUB. Gate electrodes SG and DG including a metal material are disposed at positions overlapping the channel layers SA and DA on the gate insulating layer GI. The intermediate insulating layer IN is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the gate electrodes SG and DG are formed.

중간 절연막(IN) 위에는 소스 전극(SS, DS)들 및 드레인 전극(SD, DD)들이 형성된다. 또한, 소스 전극(SS, DS)들을 연결하는 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)이 배치된다. 소스 전극(SS, DS)들 및 드레인 전극(SD, DD)들은 중간 절연막(IN) 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 형성된 콘택홀을 통해, 채널 층(SA, DA)들의 양 옆에 정의된 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 접촉한다.Source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed on the intermediate insulating layer IN. In addition, a data line DL and a driving current line VDD connecting the source electrodes SS and DS are disposed. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are defined on both sides of the channel layers SA and DA through contact holes formed through the intermediate insulating layer IN and the gate insulating layer GI. In contact with the source region and the drain region, respectively.

이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮도록 보호층(PAS)이 전면에 도포된다. 하부 발광식이며, 백색 유기발광 층을 사용하는 경우, 보호층(PAS) 위에서 화소 영역에 대응하는 영역을 덮는 칼라 필터(CF)를 형성할 수 있다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성할 수도 있다.The protective layer PAS is applied to the entire surface to cover the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure. When the bottom emission type and the white organic light emitting layer are used, the color filter CF may be formed on the passivation layer PAS to cover an area corresponding to the pixel area. The color filter CF is preferably formed to occupy a large area as much as possible. For example, it may be formed so as to overlap many areas of the data line DL, the drive current line VDD, and the scan line SL at the front end.

이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.As described above, the substrate on which the color filter CF is formed has various components, and thus, the surface thereof is not flat and many steps are formed. Therefore, the overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.

오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through contact holes formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BN)을 형성한다. 뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank pattern BN is formed on the region where the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the various wirings DL, SL, and VDD are formed to define a pixel region. . The anode ANO exposed by the bank pattern BN becomes a light emitting region.

뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다. 도 4와 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission)형 표시 장치가 된다.The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT are sequentially stacked on the anode ANO exposed by the bank pattern BN. When the organic light emitting layer OLE is formed of an organic material that emits white light, the organic light emitting layer OLE represents a color assigned to each pixel by a color filter CF positioned below. The organic light emitting diode display having the structure as shown in FIG. 4 becomes a bottom emission type display device emitting light downward.

이와 같은 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치에서는, 발광 소자인 유기발광 다이오드가 구동 소자인 박막 트랜지스터보다 상부에 위치하는 구조가 된다. 유기발광 층(OLE)에서 출사되는 빛의 대부분이 바로 아래에 위치한 칼라 필터(CF)를 통과한다. 하지만, 유기발광 층(OLE)에서 측면으로 방사되는 빛도 존재한다. 측면으로 방사되는 빛은 박막 트랜지스터(ST, DT)와 같은 구동 소자들에 의해 반사되어, 이웃하는 화소 영역의 칼라 필터(CF)로 유입될 수 있다.In such a bottom emission type organic light emitting diode display device, an organic light emitting diode as a light emitting element is disposed above the thin film transistor as a driving element. Most of the light emitted from the organic light emitting layer OLE passes through the color filter CF located directly below. However, there is also light emitted laterally from the organic light emitting layer (OLE). Light emitted to the side may be reflected by driving elements such as the thin film transistors ST and DT and may be introduced into the color filter CF of a neighboring pixel region.

이 경우, 발광하지 않아야 하는 화소 영역에서 빛이 누설되는 현상이 발생한다. 예를 들어, 유기발광 다이오드 표시장치에서, 스캔 배선(SL)이 선택될 때마다, 한 행씩 발광한다. 즉, 표시 패널의 상부변에서 하부변에 이르기까지 모든 행들이 순차적으로 발광한다. 어느 한 행이 발광할 때, 그 빛이 발광하지 않는 바로 위 및/혹은 바로 아래에 있는 행들의 화소 영역으로 누설되어 구현하는 계조에 왜곡이 발생할 수 있다.In this case, light leaks in a pixel area that should not emit light. For example, in the organic light emitting diode display, each time the scan line SL is selected, light is emitted one row. That is, all rows from the upper side to the lower side of the display panel emit light sequentially. When a row emits light, distortion may occur in grayscales that leak to the pixel area of the rows immediately above and / or just below which the light does not emit light.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 이웃하는 화소 사이에 빛이 누설되지 않는 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 이웃하는 화소 행 사이에 빛이 누설되지 않도록 방지하는 광 차단 댐을 구비한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a bottom emission type organic light emitting diode display device which does not leak light between neighboring pixels. Another object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display having a light blocking dam which prevents light from leaking between adjacent rows of pixels.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에 가로 방향으로 배열된 다수 개의 스캔 배선들; 상기 기판 위에 상기 스캔 배선들과 직교하도록 배열된 다수 개의 데이터 배선들; 상기 스캔 배선들과 상기 데이터 배선들의 교차 구조로 정의되며, 상기 기판 위에 매트릭스 방식으로 배열된 다수 개의 화소들; 그리고 상기 화소들 중 이웃하는 화소 행들 사이에 배치된 광 차단 댐을 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, the organic light emitting diode display according to the present invention, a plurality of scan wiring arranged in the horizontal direction on the substrate; A plurality of data lines arranged on the substrate so as to be orthogonal to the scan lines; A plurality of pixels defined by a cross structure of the scan lines and the data lines and arranged in a matrix manner on the substrate; And a light blocking dam disposed between neighboring pixel rows among the pixels.

상기 다수 개의 화소들 각각에 배정되며, 적색, 녹색 및 청색 중 어느 한 색상을 갖는 칼라 필터를 더 포함하고, 상기 광 차단 댐은 상기 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The color filter may be assigned to each of the plurality of pixels and further include a color filter having any one of red, green, and blue colors, and the light blocking dam may include the color filter.

상기 광 차단 댐은, 상기 스캔 배선을 중심으로 서로 이웃하는 두 화소들에 배치된 칼라 필터와 다른 색상을 갖는 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The light blocking dam may include a color filter having a color different from that of the color filter disposed in two neighboring pixels around the scan line.

상기 광 차단 댐은, 상기 스캔 배선의 일부와 중첩하며 제1 너비를 갖는 제1 패턴; 그리고 상기 제1 패턴과 중첩하며, 적층되는 제2 너비를 갖는 제2 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.The light blocking dam may include: a first pattern overlapping a portion of the scan line and having a first width; And a second pattern overlapping the first pattern and having a second width stacked thereon.

상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴은, 상기 스캔 배선을 중심으로 서로 이웃하는 두 화소들에 배치된 칼라 필터와 다른 색상을 갖는 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The first pattern and the second pattern may include a color filter having a color different from a color filter disposed in two neighboring pixels around the scan line.

상기 제1 패턴은 적색 칼라 필터를 포함하고, 상기 제2 패턴은 청색 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The first pattern may include a red color filter, and the second pattern may include a blue color filter.

상기 제1 패턴은 상기 스캔 배선 위에서 상기 이웃하는 두 화소들 중에서 어느 한 화소 쪽으로 치우쳐 배치되고, 상기 제2 패턴은 상기 스캔 배선 위에서 상기 이웃하는 두 화소들 중에서 다른 화소 쪽으로 치우쳐 배치되는 것을 특징으로 한다.The first pattern is disposed to be biased toward any one of the two neighboring pixels on the scan line, and the second pattern is disposed to be shifted to the other pixel among the two neighboring pixels on the scan line. .

상기 제2 너비는 상기 제1 너비보다 큰 값을 갖고, 상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴을 완전히 덮도록 적층된 것을 특징으로 한다.The second width has a larger value than the first width, and the second pattern is stacked to completely cover the first pattern.

상기 화소 내에 배치된 박막 트랜지스터; 그리고 상기 박막 트랜지스터보다 상부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터에 연결되고 상기 화소 내에 형성된 유기발광 다이오드를 더 포함하고, 상기 칼라 필터는 상기 유기발광 다이오드 아래에 형성된 것을 특징으로 한다.A thin film transistor disposed in the pixel; And an organic light emitting diode formed above the thin film transistor and connected to the thin film transistor and formed in the pixel, wherein the color filter is formed under the organic light emitting diode.

상기 유기발광 다이오드는, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 애노드 전극; 상기 애노드 전극 위에 적층된 유기발광 층; 그리고 상기 유기발광 층 위에 적층된 캐소드 전극을 포함하고, 상기 광 차단층의 높이는 상기 유기발광 층의 높이보다 높은 것을 특징으로 한다.The organic light emitting diode may include an anode electrode connected to the thin film transistor; An organic light emitting layer stacked on the anode electrode; And a cathode electrode stacked on the organic light emitting layer, wherein the height of the light blocking layer is higher than the height of the organic light emitting layer.

본 발명에 의한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치는, 이웃하는 화소 영역 사이에, 특히 이웃하는 화소 행들 사이에 광 차단 댐을 구비한다. 이로써, 발광 행의 화소에서 방사되는 빛이 발광하지 않는 행의 화소 영역으로 빛이 누설되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 색조 대비 및/혹은 명암 대비를 향상한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다. 특히, 구성 요소로 사용하는 칼라 필터를 이용하여 광 차단 댐을 형성함으로써, 제조 공정의 복잡성이 추가되지 않고, 추가 비용이 발생하지 않는다.The bottom emission type organic light emitting diode display according to the present invention includes a light blocking dam between neighboring pixel regions, particularly between neighboring pixel rows. As a result, it is possible to prevent light from leaking into the pixel area of the row in which the light emitted from the pixels in the light emitting row does not emit light. As a result, it is possible to provide a bottom emission organic light emitting diode display device having improved color contrast and / or contrast. In particular, by forming the light blocking dam using a color filter used as a component, the complexity of the manufacturing process is not added, and no additional cost is incurred.

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.1 is a view showing the structure of a general organic light emitting diode.
2 is an equivalent circuit diagram illustrating a structure of one pixel in a conventional organic light emitting diode display.
3 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the prior art.
4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to the related art, taken along the line II ′ in FIG. 3.
5 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to the related art, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that the detailed description of the known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 도 5 내지 6을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명한다. 도 5는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 6. 5 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to the related art, taken by cutting line II-II ′ in FIG. 5.

본 발명에 의한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치는 종래 기술에 의한 것과 많이 유사하다. 주요한 차이가 있다면, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 화소 영역과 화소 영역 사이에, 특히 이웃하는 화소 행들 사이에 배치된 광 차단 댐을 더 구비하고 있다.The bottom emission organic light emitting diode display according to the present invention is much similar to that according to the prior art. If there is a major difference, the organic light emitting diode display according to the present invention further includes a light blocking dam disposed between the pixel region and the pixel region, particularly between neighboring pixel rows.

본 발명에 의한 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는, 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다.The active matrix organic light emitting diode display according to the present invention includes a switching thin film transistor (ST), a driving TFT (DT) connected with the switching TFT, and an organic light emitting diode (OLED) connected to the driving TFT (DT). The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD.

그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current wiring VDD, and a drain electrode DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED.

또한, 이웃하는 화소 행들 사이에 배치된 스캔 배선(SL) 위에는 광 차단 댐(DM)이 배치되어 있다. 어느 한 행, 예를 들어 n번째의 스캔 배선(SL)이 선택되면, 그 스캔 배선(SL)에 연결된 스위칭 박막 트랜지스터들(ST)이 선택되고, 결국 그 행의 유기발광 다이오드(OLED)들이 구동되어 빛을 방사한다. 이때, 선택되지 않은 (n-1)번째 및/또는 (n+1)번째의 행에 배열된 화소 영역으로 빛이 누설될 수 있는데, 광 차단 댐(DM)이 이를 방지하는 기능을 한다.In addition, the light blocking dam DM is disposed on the scan line SL disposed between the adjacent pixel rows. When a row, for example, the nth scan line SL is selected, the switching thin film transistors ST connected to the scan line SL are selected, and the organic light emitting diodes OLED of the row are driven. To emit light. At this time, light may leak to the pixel areas arranged in the (n-1) th and / or (n + 1) th rows that are not selected, and the light blocking dam DM serves to prevent this.

좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 6을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는, 투명 기판(SUB) 위에 채널 층들(SA, DA)을 포함하는 반도체 층이 형성되어 있다. 반도체 층 중에서 나중에 형성되는 게이트 전극들(SG, DG) 각각과 중첩하는 중앙 영역은 채널 층(SA, DA)으로 정의되고, 그 양 옆에는 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역으로 정의된다.Referring to FIG. 6 in more detail, in the active matrix organic light emitting diode display, a semiconductor layer including channel layers SA and DA is formed on a transparent substrate SUB. The central region overlapping each of the gate electrodes SG and DG formed later in the semiconductor layer is defined as the channel layers SA and DA, and is defined as a source region and a drain region doped with impurities at both sides thereof.

반도체 층 위에는 기판(SUB) 전체 표면을 덮는 게이트 절연막(GI)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(GI) 위에서 채널 층(SA, DA)과 중첩되는 위치에는 금속 물질을 포함하는 게이트 전극(SG, DG)들이 배치된다. 게이트 전극들(SG, DG)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에는 중간 절연막(IN)이 도포된다.A gate insulating layer GI is formed on the semiconductor layer to cover the entire surface of the substrate SUB. Gate electrodes SG and DG including a metal material are disposed at positions overlapping the channel layers SA and DA on the gate insulating layer GI. The intermediate insulating layer IN is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the gate electrodes SG and DG are formed.

중간 절연막(IN) 위에는 소스 전극(SS, DS)들 및 드레인 전극(SD, DD)들이 형성된다. 또한, 소스 전극(SS, DS)들을 연결하는 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)이 배치된다. 소스 전극(SS, DS)들 및 드레인 전극(SD, DD)들은 중간 절연막(IN) 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 형성된 콘택홀을 통해, 채널 층(SA, DA)들의 양 옆에 정의된 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 접촉한다.Source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed on the intermediate insulating layer IN. In addition, a data line DL and a driving current line VDD connecting the source electrodes SS and DS are disposed. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are defined on both sides of the channel layers SA and DA through contact holes formed through the intermediate insulating layer IN and the gate insulating layer GI. In contact with the source region and the drain region, respectively.

이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮도록 보호층(PAS)이 전면에 도포된다. 하부 발광식이며, 백색 유기발광 층을 사용하는 경우, 보호층(PAS) 위에서 화소 영역에 대응하는 영역을 덮는 칼라 필터(CF)를 형성할 수 있다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성할 수도 있다.The protective layer PAS is applied to the entire surface to cover the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure. When the bottom emission type and the white organic light emitting layer are used, the color filter CF may be formed on the passivation layer PAS to cover an area corresponding to the pixel area. The color filter CF is preferably formed to occupy a large area as much as possible. For example, it may be formed so as to overlap many areas of the data line DL, the drive current line VDD, and the scan line SL at the front end.

한편, 각 화소 행들 사이에 배치되는 스캔 배선(SL) 위에는 칼라 필터(CF)와 동일한 물질로 형성된 광 차단 댐(DM)이 더 형성된다. 본 실시 예에서 편의상 스캔(SL) 위에 광 차단댐(DM)을 설치하는 것으로 설명하였지만, 수평 방향으로 진행하는 다른 어떠한 배선 위에 설치할 수도 있다. 예를 들어, 수평 방향으로 전원 배선이 형성되는 경우에는 전원 배선과 중첩하도록 광 차단 댐(DM)을 형성할 수 있다.Meanwhile, a light blocking dam DM formed of the same material as the color filter CF is further formed on the scan line SL disposed between the pixel rows. In the present exemplary embodiment, the light blocking dam DM is installed on the scan SL for convenience, but may be provided on any other wiring running in the horizontal direction. For example, when the power line is formed in the horizontal direction, the light blocking dam DM may be formed to overlap the power line.

광 차단 댐(DM)은 어느 하나의 화소 영역에서 상변, 하변, 좌측변 및 우측변 모두에 형성될 수 있다. 본 발명은 한 화소 행에 배정된 화소 영역들이 동시에 발광하는 구조에 관한 것이다. 즉, 좌우로 이웃하는 화소 사이에서의 빛 샘 및/또는 빛 간섭에 대해서는 고려하지 않는다.The light blocking dam DM may be formed on all of the upper side, the lower side, the left side, and the right side in any one pixel area. The present invention relates to a structure in which pixel areas assigned to one pixel row emit light at the same time. That is, light leakage and / or light interference between neighboring pixels to the left and right are not considered.

따라서, 본 발명에서는 광 차단 댐(DM)은 이웃하는 화소 행들 사이에서 빛 간섭 및/또는 빛 샘을 차단하기 위한 것이다. 칼라 필터(CF)들이 한 열에서 적색(R)-녹색(G)-청색(B)의 방식으로 배열된다. 이와 같은 칼라 필터(CF) 배열에서는, 이웃하는 두 행들의 화소들에는 동일한 색상을 갖는 칼라 필터(CF)가 배정된다. 광 차단 댐(DM)은 어느 한 색상을 갖는 칼라 필터(CF)가 적어도 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.Therefore, in the present invention, the light blocking dam DM is for blocking light interference and / or light leakage between neighboring pixel rows. The color filters CF are arranged in a manner of red (R)-green (G)-blue (B) in one row. In such a color filter CF arrangement, the color filters CF having the same color are assigned to the pixels of two adjacent rows. The light blocking dam DM preferably includes at least one color filter CF having any one color.

예를 들어, 광 차단 댐(DM)은 하나의 칼라 필터(CF)층을 포함할 수도 있고, 두 개 이상의 칼라 필터(CF)층을 포함할 수도 있다. 하나의 칼라 필터(CF)를 포함하는 경우, 이웃하는 행들의 화소 영역에 배치된 칼라 필터(CF)와 동일한 칼라 필터(CF)로 형성할 수도 있고, 다른 색상의 칼라 필터(CF)로 형성할 수도 있다.For example, the light blocking dam DM may include one color filter CF layer or two or more color filter CF layers. When one color filter CF is included, the same color filter CF may be formed as the color filter CF disposed in the pixel area of the neighboring rows, or the color filter CF of another color may be formed. It may be.

하나의 칼라 필터(CF)로 광 차단 댐(DM)을 형성하는 경우, 칼라 필터 물질은 이웃하는 행들에 배치된 칼라 필터(CF)와 다른 색상을 갖는 칼라 필터(CF)로 형성하는 것이 바람직하다. 동일한 색상을 갖는 칼라 필터(CF)로 광 차단 댐(DM)을 형성하는 것보다, 다른 색상의 칼라 필터(CF)로 형성하는 것이 광 차단 효율을 높이는 데 더 바람직하다.When forming the light blocking dam DM with one color filter CF, the color filter material is preferably formed with a color filter CF having a color different from that of the color filters CF disposed in neighboring rows. . Rather than forming the light blocking dam DM with the color filter CF having the same color, forming with the color filter CF of a different color is more preferable for increasing the light blocking efficiency.

예를 들어, 적색(R) 칼라 필터(CF) 사이에 적색(R) 광 차단 댐(DM)이 배치된 경우, 광 차단 댐(DM)을 투과한 빛은 적색을 띠고, 이는 이웃한 화소 영역에 배치된 적색 칼라 필터(CF)를 통과할 수 있으므로, 빛 간섭 및/또는 빛 샘이 여전히 발생할 수 있다. 하지만, 적색(R) 칼라 필터(CF)를 갖는 화소 행들 사이에 녹색(G) 혹은 청색(B) 광 차단 댐(DM)을 배치하면, 광 차단 댐(DM)을 통과한 누설된 빛이 적색(R)이 아닌 색상을 가지므로, 적색 칼라 필터(CF)에 영향을 거의 주지 않을 수 있다.For example, when the red (R) light blocking dam DM is disposed between the red (R) color filters CF, the light passing through the light blocking dam DM is red, which is a neighboring pixel region. Light interference and / or light leakage may still occur as it may pass through the red color filter CF disposed in the. However, when the green (G) or blue (B) light blocking dam DM is disposed between the pixel rows having the red (R) color filter CF, the leaked light passing through the light blocking dam DM becomes red. Since it has a color other than (R), it may hardly affect the red color filter CF.

더 바람직하게는, 두 개 이상의 칼라 필터(CF)들을 적층하여 광 차단 댐(DM)을 형성하는 것이 좋다. 적색(R)-녹색(G), 적색(R)-청색(B) 그리고 녹색(G)-청색(B)의 조합 중 어느 한 조합으로 두 개 층의 칼라 필터(CF)들이 중첩된 구조를 갖도록 광 차단 댐(DM)을 형성할 수 있다. 특히, 광 차단 효율을 높이기 위해서는 적색(R) 칼라 필터(CF)와 청색(B) 칼라 필터(CF)가 서로 중첩되도록 적층된 구조를 갖는 광 차단 댐(DM)을 형성하는 것이 바람직하다.More preferably, two or more color filters CF may be stacked to form a light blocking dam DM. Any combination of red (R)-green (G), red (R)-blue (B) and green (G)-blue (B) combinations of two layers of color filters (CF) Light blocking dam DM can be formed to have. In particular, in order to increase the light blocking efficiency, it is preferable to form a light blocking dam DM having a stacked structure such that the red (R) color filter CF and the blue (B) color filter CF overlap each other.

여기서, 적층 구조란, 상하 방향으로 2층 구조를 갖는 것을 말한다. 또한, 중첩 구조란, 좌우 방향으로 나란히 배열된 것을 말한다. 따라서, 중첩되도록 적층된 구조란, 어느 한 칼라 필터(CF)로 제1 패턴을 형성한 후, 다른 칼라 필터(CF)로 제1 패턴(D1)과 일부가 상부에 겹치고 타부는 측면에 겹치도록 제2 패턴(D2)을 형성한 구조를 말한다. 예를 들어, 제1 패턴(D1)을 스캔 배선(SL) 위에서 어느 한 화소 행에 치우치도록 형성하고, 제2 패턴(D2)을 다른 한 화소 행에 치우치며 제1 패턴(D1)과 어긋나도록 중첩하도록 형성할 수 있다.Here, a laminated structure means what has a two-layered structure in an up-down direction. In addition, an overlapping structure means what is arrange | positioned side by side in the left-right direction. Therefore, the stacked structure is formed such that the first pattern is formed with one color filter CF, and then the first pattern D1 and a part overlap the upper part with the other color filter CF, and the other part overlaps the side surface. The structure which formed the 2nd pattern D2 is said. For example, the first pattern D1 is formed to be oriented in one pixel row on the scan line SL, and the second pattern D2 is deviated from the first pattern D1 by deviating in another pixel row. It may be formed so as to overlap.

특히, 도 6에 도시한 바와 같이, 적색(R) 칼라 필터(CF)로 형성한 제1 패턴(D1)을 완전히 덮는 청색(B) 칼라 필터(CF)로 형성한 제2 패턴(D2)을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 적색(R) 칼라 필터(CF)를 형성할 때, 제1 너비를 갖는 제1 패턴(D1)을 먼저 형성하고, 청색(B) 칼라 필터(CF)를 형성할 때, 제1 너비보다 더 넓은 제2 너비를 갖도록 제2 패턴(D2)을 형성하여 광 차단 댐(DM)을 완성할 수도 있다.In particular, as shown in FIG. 6, the second pattern D2 formed of the blue (B) color filter CF covering the first pattern D1 formed of the red (R) color filter CF is completely covered. It may be formed. For example, when the red (R) color filter CF is formed, the first pattern D1 having the first width is first formed, and when the blue (B) color filter CF is formed, the first is formed. The light blocking dam DM may be completed by forming the second pattern D2 to have a second width wider than the width.

필요하다면, 도면에 도시하지 않았지만, 적색(R)-녹색(G)-청색(B) 세 색상의 칼라 필터(CF)들이 모두 중첩되도록 적층된 구조를 갖는 광 차단 댐(DM)을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 제1 칼라 필터로 제1 너비를 갖는 제1 패턴, 제2 칼라 필터로 제2 너비를 갖는 제2 패턴 그리고 제3 칼라 필터로 제3 너비를 갖는 제3 패턴이 서로 중첩되며 적층된 광 차단 댐(DM)을 형성할 수 있다.If necessary, although not shown in the figure, a light blocking dam DM having a stacked structure may be formed such that the color filters CF of red (R), green (G), and blue (B) colors are all overlapped. have. For example, a first pattern having a first width as a first color filter, a second pattern having a second width as a second color filter, and a third pattern having a third width as a third color filter overlap each other and are stacked. It is possible to form a light blocking dam (DM).

이와 같이 칼라 필터(CF) 및 광 차단 댐(DM)이 형성된 기판(SUB)의 표면 위에 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다. 오버 코트 층(OC)은 기판(SUB) 표면을 평탄하게 하기도 하지만, 광 차단 댐(DM)이 두 개 이상의 칼라 필터(CF)들로 형성한 경우, 광 차단 댐(DM)이 형성된 부분은 돌출된 형상을 가질 수 있다.In this way, the overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate on the surface of the substrate SUB on which the color filter CF and the light blocking dam DM are formed. The overcoat layer OC may even the surface of the substrate SUB, but when the light blocking dam DM is formed of two or more color filters CF, the portion where the light blocking dam DM is formed may protrude. It may have a shape.

오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through contact holes formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BN)을 형성한다. 뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 또한, 광 차단 댐(DM)이 형성된 부분에서는 뱅크 패턴(BN)의 높이가 더 돌출된 구조를 가질 수 있다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank pattern BN is formed on the region where the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the various wirings DL, SL, and VDD are formed to define a pixel region. . The anode ANO exposed by the bank pattern BN becomes a light emitting region. In addition, the portion of the light blocking dam DM may have a structure in which the height of the bank pattern BN protrudes further.

뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다. 도 6과 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission)형 표시 장치가 된다.The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT are sequentially stacked on the anode ANO exposed by the bank pattern BN. When the organic light emitting layer OLE is formed of an organic material that emits white light, the organic light emitting layer OLE represents a color assigned to each pixel by a color filter CF positioned below. The organic light emitting diode display device having the structure as shown in FIG. 6 is a bottom emission type display device emitting light downward.

이와 같이 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 각 화소 행 사이에서 이웃하는 화소 영역 사이에는 광 차단 댐(DM)을 더 포함한다. 광 차단 댐(DM)은 칼라 필터(CF)를 형성할 때, 동일한 물질로 동일한 층에 형성함으로써, 공정의 복잡성이 증가하지 않는다. 광 차단 댐(DM)은 적어도 이웃하는 화소 행들에 배치된 칼라 필터(CF)와 다른 색상을 갖는 칼라 필터(CF)를 포함하는 것이 바람직하다. As described above, the organic light emitting diode display according to the present invention further includes a light blocking dam DM between adjacent pixel regions between each pixel row. When the light blocking dam DM is formed in the same layer with the same material when forming the color filter CF, the complexity of the process does not increase. The light blocking dam DM preferably includes a color filter CF having a color different from that of the color filter CF disposed in at least neighboring pixel rows.

특히, 적어도 두 개 층 이상의 칼라 필터가 중첩되도록 적층된 구조를 갖는 것이 더 바람직하다. 그럼으로써, 광 차단 댐(DM)은 서로 이웃하는 유기발광 다이오드(OLED)의 유기발광 층(OLE)보다 돌출된 높이를 가질 수 있다.
In particular, it is more preferable to have a structure laminated so that at least two or more color filters overlap. Thus, the light blocking dam DM may have a height that protrudes from the organic light emitting layer OLE of the organic light emitting diode OLED adjacent to each other.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description but should be defined by the claims.

DL: 데이터 배선 SL: 스캔 배선
VDD: 구동 전류 배선 ST: 스위칭 TFT
DT: 구동 TFT OLED: 유기발광 다이오드
CAT: 캐소드 전극(층) ANO: 애노드 전극(층)
BN: 뱅크 패턴 CF: 칼라 필터
OLE: (백색) 유기층 SUB: 기판
PAS: 보호막 OC: 오버코트 층
SG, DG: 게이트 전극 SE: 반도체 층
SS, DS: 소스 전극 SD, DD: 드레인 전극
ES, SE, DE: 에치 스토퍼 PH: 화소 콘택홀
TLS: 보조 용량 차광층 STG: 보조 용량
DM: 광 차단 댐 D1: 제1 패턴
D2: 제2 패턴DL: data wiring SL: scan wiring
VDD: drive current wiring ST: switching TFT
DT: driving TFT OLED: organic light emitting diode
CAT: cathode electrode (layer) ANO: anode electrode (layer)
BN: Bank Pattern CF: Color Filter
OLE: (white) organic layer SUB: substrate
PAS: Shield OC: Overcoat Layer
SG, DG: Gate electrode SE: Semiconductor layer
SS, DS: source electrode SD, DD: drain electrode
ES, SE, DE: etch stopper PH: pixel contact hole
TLS: subcapacity shading layer STG: subcapacity
DM: Light blocking dam D1: 1st pattern
D2: second pattern

Claims (10)

기판 위에 가로 방향으로 배열된 다수 개의 스캔 배선들;
상기 기판 위에 상기 스캔 배선들과 직교하도록 배열된 다수 개의 데이터 배선들;
상기 스캔 배선들과 상기 데이터 배선들의 교차 구조로 정의되며, 상기 기판 위에 매트릭스 방식으로 배열된 다수 개의 화소들;
상기 다수 개의 화소들 각각에 배정되며, 적색, 녹색 및 청색 중 어느 한 색상을 갖는 칼라 필터;
상기 화소들 중 이웃하는 화소 행들 사이에 배치된 상기 칼라 필터를 포함하는 광 차단 댐;
상기 화소 내에 배치된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터보다 상부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터에 연결되고 상기 화소 내에 형성된 유기발광 다이오드를 포함하고,
상기 칼라 필터는 상기 유기발광 다이오드 아래에 형성되고,
상기 유기발광 다이오드는,
상기 박막 트랜지스터에 연결된 애노드 전극;
상기 애노드 전극 위에 적층된 유기발광 층; 그리고
상기 유기발광 층 위에 적층된 캐소드 전극을 포함하고,
상기 광 차단 댐의 높이는 상기 유기발광 층의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
A plurality of scan wires arranged in a horizontal direction on the substrate;
A plurality of data wires arranged on the substrate so as to be orthogonal to the scan wires;
A plurality of pixels defined by a cross structure of the scan lines and the data lines and arranged in a matrix manner on the substrate;
A color filter assigned to each of the plurality of pixels and having any one of red, green, and blue colors;
A light blocking dam including the color filter disposed between neighboring pixel rows of the pixels;
A thin film transistor disposed in the pixel;
An organic light emitting diode formed above the thin film transistor and connected to the thin film transistor and formed in the pixel;
The color filter is formed under the organic light emitting diode,
The organic light emitting diode,
An anode connected to the thin film transistor;
An organic light emitting layer stacked on the anode electrode; And
A cathode electrode stacked on the organic light emitting layer,
And the height of the light blocking dam is higher than the height of the organic light emitting layer.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 광 차단 댐은, 상기 스캔 배선을 중심으로 서로 이웃하는 두 화소들에 배치된 칼라 필터와 다른 색상을 갖는 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The light blocking dam may include a color filter having a color different from a color filter disposed in two neighboring pixels around the scan line.
제 1 항에 있어서,
상기 광 차단 댐은,
상기 스캔 배선의 일부와 중첩하며 제1 너비를 갖는 제1 패턴; 그리고
상기 제1 패턴과 중첩하며, 적층되는 제2 너비를 갖는 제2 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The light blocking dam,
A first pattern overlapping a portion of the scan wiring and having a first width; And
And a second pattern overlapping the first pattern and having a second width stacked thereon.
제 4 항에 있어서,
상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴은,
상기 스캔 배선을 중심으로 서로 이웃하는 두 화소들에 배치된 칼라 필터와 다른 색상을 갖는 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 4, wherein
The first pattern and the second pattern,
And a color filter having a different color from a color filter disposed in two neighboring pixels around the scan line.
제 4 항에 있어서,
상기 제1 패턴은 적색 칼라 필터를 포함하고,
상기 제2 패턴은 청색 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 4, wherein
The first pattern includes a red color filter,
The second pattern includes a blue color filter.
제 4 항에 있어서,
상기 제1 패턴은 상기 스캔 배선 위에서 상기 이웃하는 두 화소들 중에서 어느 한 화소 쪽으로 치우쳐 배치되고,
상기 제2 패턴은 상기 스캔 배선 위에서 상기 이웃하는 두 화소들 중에서 다른 화소 쪽으로 치우쳐 배치되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 4, wherein
The first pattern is disposed to be biased toward any one of the two neighboring pixels on the scan line,
And the second pattern is disposed to be shifted toward another pixel among the two neighboring pixels on the scan line.
제 4 항에 있어서,
상기 제2 너비는 상기 제1 너비보다 큰 값을 갖고,
상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴을 완전히 덮도록 적층된 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 4, wherein
The second width has a value greater than the first width,
And the second pattern is stacked to completely cover the first pattern.
삭제delete 삭제delete
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