JP2007200765A

JP2007200765A - Organic electroluminescent display

Info

Publication number: JP2007200765A
Application number: JP2006019380A
Authority: JP
Inventors: Akinari Takahashi; 亮也高橋
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2006-01-27
Filing date: 2006-01-27
Publication date: 2007-08-09

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve display quality by reducing optical leak current of a pixel selection transistor, in an organic electroluminescent display. <P>SOLUTION: The pixel selection transistor TR1 having an active layer 12, a gate insulation film 13 and a gate electrode 14 is formed on a substrate 10, and an inter-layer insulation film 16 and a passivation film 17 are stacked thereon. On the passivation film 17, a shading color filter layer 18 covering a depleted layer 20 generated in a junction part among a source 12S, a drain 12D and a channel 12C in the active layer 12 of the pixel selection transistor TR1 is formed. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、画素選択トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた複数の画素からなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence display device including a plurality of pixels including a pixel selection transistor and an organic electroluminescence element.

近年、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子（Organic Electro Luminescent Device：以降、「有機ＥＬ素子」と略称する）を発光素子として備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以降、「有機ＥＬ表示装置」と略称する）が知られている。特に、画素を選択する画素選択トランジスタ、及び有機ＥＬ素子を駆動させる駆動トランジスタとして、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以降、単に「トランジスタ」と略称する）を備えたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置が開発されている。 In recent years, an organic electroluminescence display device (hereinafter referred to as “organic EL display”) having an organic electroluminescence device (hereinafter referred to as “organic EL device”) as a light emitting device as a display device replacing CRT or LCD. Abbreviated as "apparatus"). In particular, an active matrix type organic EL display device having a thin film transistor (hereinafter simply referred to as “transistor”) has been developed as a pixel selection transistor for selecting a pixel and a driving transistor for driving an organic EL element. Has been.

次に、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置について図面を参照して説明する。図４は、この有機ＥＬ表示装置の画素の等価回路図である。図４では、この有機ＥＬ表示装置にマトリクス状に配置された複数の画素ＰＥＬの中から、１つの画素ＰＥＬのみを示している。 Next, an active matrix organic EL device will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a pixel of the organic EL display device. FIG. 4 shows only one pixel PEL from among the plurality of pixels PEL arranged in a matrix in the organic EL display device.

各画素ＰＥＬにおいて、行方向に延びた画素選択信号線ＧＬと列方向に延びた表示信号線ＤＬの交差点の付近に、例えばＮチャネル型の画素選択トランジスタＴＲ１ｐが配置されている。この画素選択トランジスタＴＲ１ｐのゲートは、画素選択信号線ＧＬに接続されており、そのドレインは、表示信号線ＤＬに接続されている。画素選択信号線ＧＬには垂直駆動回路ＤＲ１から出力されるハイレベルの画素選択信号が印加され、それに応じて画素選択トランジスタＴＲ１ｐがオンする。また、表示信号線ＤＬには水平駆動回路ＤＲ２から表示信号が出力される。 In each pixel PEL, for example, an N-channel pixel selection transistor TR1p is disposed near the intersection of the pixel selection signal line GL extending in the row direction and the display signal line DL extending in the column direction. The gate of the pixel selection transistor TR1p is connected to the pixel selection signal line GL, and the drain thereof is connected to the display signal line DL. A high level pixel selection signal output from the vertical drive circuit DR1 is applied to the pixel selection signal line GL, and the pixel selection transistor TR1p is turned on accordingly. A display signal is output from the horizontal drive circuit DR2 to the display signal line DL.

また、画素選択トランジスタＴＲ１ｐのソースは、例えばＰチャネル型の駆動トランジスタＴＲ２のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴＲ２のソースは、正電源電位ＰＶｄｄが供給される電源線ＶＬに接続されている。駆動トランジスタＴＲ２のドレインは発光素子である有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極は負電源電位ＣＶに接続されている。 The source of the pixel selection transistor TR1p is connected to the gate of, for example, a P-channel type driving transistor TR2. The source of the drive transistor TR2 is connected to the power supply line VL to which the positive power supply potential PVdd is supplied. The drain of the driving transistor TR2 is connected to the anode of the organic EL element OLED which is a light emitting element. The cathode of the organic EL element OLED is connected to the negative power supply potential CV.

また、画素選択トランジスタＴＲ１ｐのソースは、保持容量線ＳＬとの間に設けられた保持容量Ｃｓと接続されている。保持容量線ＳＬは、例えば接地電位等の一定の電位に固定されている。この保持容量Ｃｓは、画素選択トランジスタＴＲ１ｐを通して駆動トランジスタＴＲ２のゲートに印加される表示信号を一水平期間保持する。 The source of the pixel selection transistor TR1p is connected to a storage capacitor Cs provided between the storage capacitor line SL. The storage capacitor line SL is fixed at a constant potential such as a ground potential. The holding capacitor Cs holds a display signal applied to the gate of the driving transistor TR2 through the pixel selection transistor TR1p for one horizontal period.

画素選択信号に応じて画素選択用トランジスタＴＲ１ｐがオンすると、表示信号線ＤＬからの表示信号が画素選択用トランジスタＴＲ１ｐを通して、駆動トランジスタＴＲ２のゲートに印加される。この表示信号は保持容量Ｃｓによって保持される。そして、この表示信号に応じて駆動トランジスタＴＲ２がオンし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が流れることにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが点灯する。 When the pixel selection transistor TR1p is turned on according to the pixel selection signal, the display signal from the display signal line DL is applied to the gate of the drive transistor TR2 through the pixel selection transistor TR1p. This display signal is held by the holding capacitor Cs. Then, the drive transistor TR2 is turned on in response to the display signal, and a drive current flows through the organic EL element OLED, so that the organic EL element OLED is turned on.

なお、本願に関連する技術文献としては、以下の特許文献が挙げられる。
特開２００５−１５７２６３号公報 In addition, the following patent documents are mentioned as technical documents relevant to the present application.
JP 2005-157263 A

しかしながら、上述した有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤから発光された光が画素選択トランジスタＴＲ１ｐの能動層に生じる空乏層に入射して電子正孔対が発生し、光リーク電流が生じる。そのため、保持容量Ｃｓの電荷がリークし、保持容量Ｃｓに保持された表示信号が変動してしまうことから、表示品位が劣化するという問題を生じていた。 However, in the above-described organic EL display device, light emitted from the organic EL element OLED is incident on a depletion layer generated in the active layer of the pixel selection transistor TR1p, and electron-hole pairs are generated, resulting in a light leakage current. For this reason, the charge of the storage capacitor Cs leaks and the display signal held in the storage capacitor Cs fluctuates, causing a problem that display quality deteriorates.

そこで、本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記課題に鑑みて為されたものであり、絶縁基板上に複数の画素を備え、各画素は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、画素選択信号に応じてオンし表示信号を前記駆動トランジスタに供給する画素選択トランジスタと、前記画素選択トランジスタのソース、ドレインとチャネルの接合部に生じる空乏層を覆う遮光用のカラーフィルタ層と、前記駆動トランジスタに供給された前記表示信号を保持する保持容量とを備えることを特徴とするものである。 Therefore, the organic EL display device of the present invention has been made in view of the above problems, and includes a plurality of pixels on an insulating substrate, and each pixel is driven by an organic electroluminescence element and the organic electroluminescence element. A driving transistor that supplies current, a pixel selection transistor that is turned on in response to a pixel selection signal and supplies a display signal to the driving transistor, and a light shielding that covers a depletion layer that is generated at the junction of the source, drain, and channel of the pixel selection transistor And a storage capacitor for holding the display signal supplied to the driving transistor.

本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、画素選択トランジスタには、その能動層に生じる空乏層を覆う遮光用のカラーフィルタ層を設けたので、画素選択トランジスタの光リーク電流が低減され、保持容量の電荷のリークが低減される結果、表示品位を向上できる。また、この遮光用のカラーフィルタ層は、画素に設けられる表示用のカラーフィルタ層と同一工程で形成できるので、製造コストの増加を伴わないという利点もある。 According to the organic EL display device of the present invention, since the pixel selection transistor is provided with the light-shielding color filter layer covering the depletion layer generated in the active layer, the light leakage current of the pixel selection transistor is reduced, and the storage capacitor As a result, the display quality can be improved. In addition, since the light-shielding color filter layer can be formed in the same process as the display color filter layer provided in the pixel, there is an advantage that the manufacturing cost is not increased.

次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について図面を参照して説明する。この有機ＥＬ表示装置は、画素選択トランジスタに遮光用のカラーフィルタ層を設けることにより、その光リーク電流を低減するものであり、他の構成については、図４に示した構成と同じである。図１（Ａ）は、この有機ＥＬ表示装置の画素選択トランジスタＴＲ１及びその周辺を示す平面図である。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。 Next, an organic EL display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. This organic EL display device reduces the light leakage current by providing a light-shielding color filter layer on the pixel selection transistor, and the other configuration is the same as the configuration shown in FIG. FIG. 1A is a plan view showing a pixel selection transistor TR1 and its periphery in this organic EL display device. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.

ガラス基板等の絶縁基板（以降、「基板」と略称する）１０上に、シリコン酸化膜等の絶縁膜からなるバッファ膜１１が形成されている。バッファ膜１１上には、所定のパターンの能動層１２が形成されている。この能動層１２は、例えば、バッファ膜１１上に形成されたアモルファスシリコン層がエキシマレーザー等を用いたレーザーアニール処理により多結晶化された多結晶シリコンからなる。もしくは、能動層１２は、その全体もしくは一部が、多結晶シリコン以外の半導体層、例えばアモルファスシリコン層からなるものであってもよい。 A buffer film 11 made of an insulating film such as a silicon oxide film is formed on an insulating substrate 10 (hereinafter abbreviated as “substrate”) such as a glass substrate. An active layer 12 having a predetermined pattern is formed on the buffer film 11. The active layer 12 is made of, for example, polycrystalline silicon obtained by polycrystallizing an amorphous silicon layer formed on the buffer film 11 by laser annealing using an excimer laser or the like. Alternatively, the active layer 12 may be entirely or partially made of a semiconductor layer other than polycrystalline silicon, for example, an amorphous silicon layer.

画素選択トランジスタＴＲ１の能動層１２には、不純物が添加されてなるソース１２Ｓ及びドレイン１２Ｄが形成されている。ソース１２Ｓ及びドレイン１２Ｄは、ショートチャネル効果を防止するために、ＬＤＤ（lightly Doped Drain）構造を有していてもよい。ソース１２Ｓ及びドレイン１２Ｄの間にはチャネル１２Ｃが存在する。ソース１２Ｓもしくはドレイン１２Ｄと、チャネル１２Ｃとの接合部の境界領域には、空乏層２０が生じる。 A source 12S and a drain 12D to which impurities are added are formed in the active layer 12 of the pixel selection transistor TR1. The source 12S and the drain 12D may have an LDD (lightly Doped Drain) structure in order to prevent a short channel effect. A channel 12C exists between the source 12S and the drain 12D. A depletion layer 20 is generated in the boundary region of the junction between the source 12S or drain 12D and the channel 12C.

また、能動層１２上に、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜等からなるゲート絶縁膜１３が形成される。ゲート絶縁膜１３上には、クロムもしくはモリブデン等からなるゲート電極１４が形成される。このゲート電極１４は、図４の画素選択信号線ＧＬと接続されている。また、保持容量Ｃｓの形成領域では、ゲート電極１４と同一の材料を用いて、保持容量Ｃｓを構成する多結晶シリコン層と対向する保持容量電極１５が形成されている。保持容量電極１５は、図４の保持容量線ＳＬと接続されている。 A gate insulating film 13 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed on the active layer 12. On the gate insulating film 13, a gate electrode 14 made of chromium, molybdenum or the like is formed. The gate electrode 14 is connected to the pixel selection signal line GL of FIG. Further, in the formation region of the storage capacitor Cs, the storage capacitor electrode 15 facing the polycrystalline silicon layer constituting the storage capacitor Cs is formed using the same material as the gate electrode 14. The storage capacitor electrode 15 is connected to the storage capacitor line SL of FIG.

ゲート電極１４上には、例えばシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜等からなり、能動層１２を覆う層間絶縁膜１６が形成されている。能動層１２のドレイン１２Ｄ上の層間絶縁膜１６には、コンタクトＣＴが設けられている。そして、層間絶縁膜１６上には、コンタクトＣＴを介してドレイン１２Ｄと接続された表示信号線ＤＬが形成されている。また、層間絶縁膜１６上には、例えばシリコン窒化膜等からなり、表示信号線ＤＬを覆うパッシベーション膜１７が形成されている。 On the gate electrode 14, an interlayer insulating film 16 made of, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film and covering the active layer 12 is formed. A contact CT is provided in the interlayer insulating film 16 on the drain 12D of the active layer 12. A display signal line DL connected to the drain 12D through the contact CT is formed on the interlayer insulating film 16. On the interlayer insulating film 16, a passivation film 17 made of, for example, a silicon nitride film or the like and covering the display signal line DL is formed.

そして、パッシベーション膜１７上であって、能動層１２及びゲート電極１４を覆う遮光用のカラーフィルタ層１８が形成されている。遮光用のカラーフィルタ層１８は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光領域と重畳して形成される表示用のカラーフィルタ層と同じく、顔料を含有する樹脂からなり、表示用のカラーフィルタ層と同一の製造プロセスを用いて同時に形成することができる。パッシベーション膜１７上には、例えば感光性有機材料からなり、遮光用のカラーフィルタ層１８を覆う平坦化膜１９が形成されている。 A light shielding color filter layer 18 is formed on the passivation film 17 and covers the active layer 12 and the gate electrode 14. The light-shielding color filter layer 18 is made of a resin containing a pigment, like the display color filter layer formed so as to overlap with the light emitting region of the organic EL element OLED, and is manufactured in the same manner as the display color filter layer. It can be formed simultaneously using a process. On the passivation film 17, a planarizing film 19 made of, for example, a photosensitive organic material and covering the light-shielding color filter layer 18 is formed.

そして、遮光用のカラーフィルタ層１８は、能動層１２の接合部の境界領域に生じる空乏層２０を覆って形成されている。能動層１２の接合部はゲート電極１４の端に形成される。空乏層２０を確実に覆うためには、遮光用のカラーフィルタ層１８は、接合部（即ち、ゲート電極１４の端）から所定の距離Ｌ１以上、ソース１２Ｓ、ドレイン１２Ｄを覆うように形成されていることが好ましい。図１においては、Ｌ１≧３μｍである。さらにいえば、遮光用のカラーフィルタ層１８は、チャネル１２Ｃの端から全ての方向に所定の距離Ｌ１以上（Ｌ１≧３μｍ）、ソース１２Ｓ、ドレイン１２Ｄを覆うよう形成されていることが好ましい。 The light shielding color filter layer 18 is formed so as to cover the depletion layer 20 generated in the boundary region of the junction of the active layer 12. The junction of the active layer 12 is formed at the end of the gate electrode 14. In order to reliably cover the depletion layer 20, the light-shielding color filter layer 18 is formed to cover the source 12S and the drain 12D at a predetermined distance L1 or more from the junction (that is, the end of the gate electrode 14). Preferably it is. In FIG. 1, L1 ≧ 3 μm. More specifically, the light-shielding color filter layer 18 is preferably formed so as to cover the source 12S and the drain 12D at a predetermined distance L1 or more (L1 ≧ 3 μm) in all directions from the end of the channel 12C.

この遮光用のカラーフィルタ層１８は絶縁体であるため、金属層とは異なり、表示信号線ＤＬ等の配線のデザインルールに抵触することがない。さらに、寄生容量が発生することもない。このことから、遮光用のカラーフィルタ層１８は、上記形成領域に加えて、さらに広い領域、例えば画素選択トランジスタＴＲ１の形成領域の全体もしくは略全体を覆うものであってもよい。 Since the light-shielding color filter layer 18 is an insulator, unlike the metal layer, there is no conflict with the design rules of the display signal lines DL and the like. Further, no parasitic capacitance is generated. Therefore, the light-shielding color filter layer 18 may cover a wider area, for example, the entire or substantially entire formation area of the pixel selection transistor TR1 in addition to the formation area.

また、遮光用のカラーフィルタ層１８の構成について詳しく説明すると、遮光用のカラーフィルタ層１８は、少なくとも赤色に対応した特定の波長（例えば約７８０ｎｍ）の光を透過させる赤色のカラーフィルタ層１８ｒを含んでいる。 Further, the configuration of the light-shielding color filter layer 18 will be described in detail. The light-shielding color filter layer 18 includes a red color filter layer 18r that transmits light of a specific wavelength (for example, about 780 nm) corresponding to at least red. Contains.

赤色の波長は長波長であるためエネルギーが低く、キャリアが光励起する確率を低減させる効果がある。また、遮光用のカラーフィルタ層１８を、赤色カラーフィルタ１８ｒのみの１層で形成することにより、その形成により生じる段差を極力小さく抑えることができる。 Since the red wavelength is a long wavelength, the energy is low, and there is an effect of reducing the probability that the carrier is photoexcited. In addition, by forming the light-shielding color filter layer 18 with only one layer of the red color filter 18r, the level difference caused by the formation can be minimized.

さらに、カラーフィルタ層１８には、緑色に対応した特定の波長（例えば約５７０ｎｍ）の光を透過させる緑色カラーフィルタ層１８ｇ、青色に対応した特定の波長（例えば約４６０ｎｍ）の光を透過させる青色カラーフィルタ層１８ｂのいずれか１層、もしくは両方の層が積層されていてもよい。このように、遮光用のカラーフィルタ層１８を形成することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤから発光される光について、光リーク電流に寄与する波長の光成分の遮断もしくは略遮断が可能となる。 Further, the color filter layer 18 has a green color filter layer 18g that transmits light having a specific wavelength corresponding to green (for example, about 570 nm), and blue that transmits light having a specific wavelength corresponding to blue (for example, about 460 nm). Any one or both of the color filter layers 18b may be laminated. In this way, by forming the light-shielding color filter layer 18, it is possible to block or substantially block the light component having a wavelength that contributes to the light leakage current for the light emitted from the organic EL element OLED.

また、遮光用のカラーフィルタ層１８は、上記以外の特定の波長の光を透過させるカラーフィルタ層を含んでもよい。遮光用のカラーフィルタ層１８の膜厚は、例えば約１．４μｍ〜５．４μｍである。 The light shielding color filter layer 18 may include a color filter layer that transmits light of a specific wavelength other than the above. The film thickness of the light-shielding color filter layer 18 is, for example, about 1.4 μm to 5.4 μm.

この遮光用のカラーフィルタ層１８を透過した光の波長は、少なくとも光リーク電流に寄与しない波長に限定される。以降、この波長の限定を「遮光」と略称する。即ち、遮光用のカラーフィルタ層１８により、上記光リーク電流の抑止の観点では、上方から能動層１２に入射する光が遮光される。 The wavelength of the light transmitted through the light shielding color filter layer 18 is limited to at least a wavelength that does not contribute to the light leakage current. Hereinafter, this wavelength limitation is abbreviated as “light shielding”. That is, the light incident on the active layer 12 from above is shielded by the light shielding color filter layer 18 from the viewpoint of suppressing the light leakage current.

一方、図示しないが、画素ＰＥＬの駆動トランジスタＴＲ２は、画素選択トランジスタＴＲ１の能動層１２、ゲート絶縁膜１３、及びゲート電極１４と同様の能動層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を備えている。また、駆動トランジスタＴＲ２は、その多結晶シリコンのソースと接続されたソース電極、そのドレインと接続されたドレイン電極を備えている。ソース電極、及びドレイン電極の一部は、パッシベーション膜１７に覆われている。そして、パッシベーション膜１７上であって、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光領域と重畳する領域には、表示光を特定の色にフィルタリングするための表示用のカラーフィルタ層が形成されている。 On the other hand, although not shown, the driving transistor TR2 of the pixel PEL includes an active layer, a gate insulating film, and a gate electrode similar to the active layer 12, the gate insulating film 13, and the gate electrode 14 of the pixel selecting transistor TR1. The driving transistor TR2 includes a source electrode connected to the source of the polycrystalline silicon and a drain electrode connected to the drain thereof. A part of the source electrode and the drain electrode is covered with a passivation film 17. A display color filter layer for filtering display light to a specific color is formed on the passivation film 17 and in a region overlapping the light emitting region of the organic EL element OLED.

さらに、駆動トランジスタＴＲ２では、平坦化膜１９は２層に分かれており、パッシベーション膜１７上には、下層の平坦化膜が形成されている。下層の平坦化膜には、ドレイン電極の一部を露出するコンタクトホールが設けられ、そのコンタクトホールを介してドレイン電極と接続されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な金属からなる陽極が形成されている。陽極は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光領域を露出する開口部を備えた上層の平坦化膜に覆われている。そして、上記開口部内で露出する陽極上に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光層が形成されている。さらに、アルミニウム等の非透明金属からなり発光層と接続された陰極が形成されている。 Further, in the drive transistor TR2, the planarizing film 19 is divided into two layers, and a lower planarizing film is formed on the passivation film 17. A contact hole that exposes a part of the drain electrode is provided in the lower planarizing film, and an anode made of a transparent metal such as ITO (Indium Tin Oxide) connected to the drain electrode through the contact hole is formed. Has been. The anode is covered with an upper planarizing film having an opening that exposes the light emitting region of the organic EL element OLED. A light emitting layer of the organic EL element OLED is formed on the anode exposed in the opening. Furthermore, a cathode made of a non-transparent metal such as aluminum and connected to the light emitting layer is formed.

上述したように、画素選択トランジスタＴＲ１では、その遮光用のカラーフィルタ層１８を設けたことにより、上方から能動層１２の空乏層２０に入射する光が遮光される。これにより、画素選択トランジスタＴＲ１の光リーク電流が低減され、保持容量Ｃｓの電荷のリークが低減されることから、表示品位を向上することができる。 As described above, in the pixel selection transistor TR1, by providing the light shielding color filter layer 18, light incident on the depletion layer 20 of the active layer 12 from above is shielded. As a result, the light leakage current of the pixel selection transistor TR1 is reduced, and the leakage of charge in the storage capacitor Cs is reduced, so that the display quality can be improved.

また、遮光用のカラーフィルタ層１８は絶縁体であるため、表示信号線ＤＬ等の配線のデザインルールに抵触することがない。そのため、金属層による遮光に比して、広い領域を遮光することが可能となる。従って、配線のデザインルールに制限される金属層による遮光に比して、より確実に能動層１２を遮光することができる。また、表示信号線ＤＬ等の配線との間に負荷容量が生じることがない。そのため、その負荷容量を起因とした表示信号等の信号の歪みもしくは劣化が生じることがない。 Further, since the light-shielding color filter layer 18 is an insulator, it does not conflict with the design rules of wiring such as the display signal lines DL. For this reason, it is possible to shield a wide area compared to light shielding by the metal layer. Therefore, the active layer 12 can be shielded more reliably than the shielding by the metal layer which is restricted by the wiring design rule. Further, no load capacitance is generated between the display signal line DL and the like. Therefore, distortion or deterioration of a signal such as a display signal due to the load capacity does not occur.

また、遮光用のカラーフィルタ層１８は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光領域と重畳して形成される表示用のカラーフィルタ層と同一材料からなり、同一の製造プロセスを用いて形成することができる。即ち、製造コストの増加を伴わないという利点がある。 The light shielding color filter layer 18 is made of the same material as the display color filter layer formed so as to overlap the light emitting region of the organic EL element OLED, and can be formed using the same manufacturing process. That is, there is an advantage that the manufacturing cost is not increased.

なお、上記実施形態において、遮光用のカラーフィルタ層１８と画素ＰＥＬとの配置関係の一例について説明すると次のようになる。図２及び図３は、本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す平面図であり、遮光用のカラーフィルタ層１８と画素ＰＥＬとの配置関係を示すものである。 In the above embodiment, an example of the arrangement relationship between the light shielding color filter layer 18 and the pixel PEL will be described as follows. 2 and 3 are plan views showing the organic electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention, and show the positional relationship between the light-shielding color filter layer 18 and the pixel PEL.

図２に示すように、表示用の赤色カラーフィルタ層ＣＦ１を有した画素ＰＥＬ１、表示用の緑色カラーフィルタ層ＣＦ２を有した画素ＰＥＬ２、表示用の青色カラーフィルタ層ＣＦ３を有した画素ＰＥＬ３、及び表示用のカラーフィルタ層を有さずに白色光を発する画素ＰＥＬ４が配置されている。 As shown in FIG. 2, a pixel PEL1 having a display red color filter layer CF1, a pixel PEL2 having a display green color filter layer CF2, a pixel PEL3 having a display blue color filter layer CF3, and A pixel PEL4 that emits white light without having a color filter layer for display is disposed.

各画素ＰＥＬ１，ＰＥＬ２，ＰＥＬ３，ＰＥＬ４には、画素選択トランジスタＴＲ１が配置されている。なお、保持容量Ｃｓを構成する多結晶シリコン層（多結晶シリコン層１２と連続する）と対向する保持容量電極１５、及びそれらを接続する保持容量線ＳＬについては図示を省略する。 A pixel selection transistor TR1 is disposed in each pixel PEL1, PEL2, PEL3, PEL4. Note that illustration of the storage capacitor electrode 15 facing the polycrystalline silicon layer (continuous with the polycrystalline silicon layer 12) constituting the storage capacitor Cs and the storage capacitor line SL connecting them is omitted.

また、各画素ＰＥＬ１，ＰＥＬ２，ＰＥＬ３，ＰＥＬ４には、多結晶シリコン層３２及びゲート電極３４を有し電源線ＶＬと接続された駆動トランジスタＴＲ２が配置されている。各画素ＰＥＬ１，ＰＥＬ２，ＰＥＬ３，ＰＥＬ４の各駆動トランジスタＴＲ２には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４が接続され、さらに上記各色に対応した不図示の発光層及び陰極が形成されている。 In addition, in each of the pixels PEL1, PEL2, PEL3, and PEL4, a driving transistor TR2 that includes the polycrystalline silicon layer 32 and the gate electrode 34 and is connected to the power supply line VL is disposed. The drive transistors TR2 of the pixels PEL1, PEL2, PEL3, and PEL4 are connected to the anodes E1, E2, E3, and E4 of the organic EL element OLED, and light emitting layers and cathodes (not shown) corresponding to the colors are formed. ing.

そして、遮光用のカラーフィルタ層１８は、各画素ＰＥＬ１，ＰＥＬ２，ＰＥＬ３，ＰＥＬ４の各画素選択トランジスタＴＲ１を、上記と同様に覆っている。さらにいえば、図３に示すように、直線状にパターニングされた一体型の遮光用のカラーフィルタ層１８Ｌが、各画素ＰＥＬ１，ＰＥＬ２，ＰＥＬ３，ＰＥＬ４の各画素選択トランジスタＴＲ１を上記と同様に覆ってもよい。 The light shielding color filter layer 18 covers the pixel selection transistors TR1 of the pixels PEL1, PEL2, PEL3, and PEL4 in the same manner as described above. More specifically, as shown in FIG. 3, a linear light shielding color filter layer 18L patterned linearly covers each pixel selection transistor TR1 of each pixel PEL1, PEL2, PEL3, PEL4 in the same manner as described above. May be.

また、上記実施形態の画素選択トランジスタＴＲ１及び駆動トランジスタＴＲ２は、トップゲート型であるものとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明は、画素選択トランジスタＴＲ１及び駆動トランジスタＴＲ２が、いわゆるボトムゲート型である場合についても適用される。この場合、基板１０上に、バッファ膜１１、ゲート電極１４、ゲート絶縁膜１３、そして能動層として能動層１２が、この順で形成される。 In addition, the pixel selection transistor TR1 and the drive transistor TR2 of the above embodiment are top gate types, but the present invention is not limited to this. That is, the present invention is also applied to the case where the pixel selection transistor TR1 and the drive transistor TR2 are so-called bottom gate types. In this case, a buffer film 11, a gate electrode 14, a gate insulating film 13, and an active layer 12 as an active layer are formed on the substrate 10 in this order.

本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す平面図及びその断面図である。It is the top view which shows the organic electroluminescent display apparatus which concerns on embodiment of this invention, and its sectional drawing. 本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す平面図である。It is a top view which shows the organic electroluminescent display apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す平面図である。It is a top view which shows the organic electroluminescent display apparatus which concerns on embodiment of this invention. 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a pixel of an organic electroluminescence display device.

Explanation of symbols

１０ガラス基板
１１バッファ膜１２能動層１３ゲート絶縁膜
１４，３４ゲート電極１５保持容量電極１６層間絶縁膜
１７パッシベーション膜１８遮光用のカラーフィルタ層
１９平坦化膜２０空乏層３２多結晶シリコン層
ＤＲ１垂直駆動回路ＤＲ２水平駆動回路
ＧＬ画素選択信号線ＤＬ表示信号線ＳＬ保持容量線
ＴＲ１，ＴＲ１ｐ画素選択トランジスタＴＲ２駆動トランジスタ
Ｃｓ保持容量ＯＬＥＤ有機ＥＬ素子
ＶＬ電源線ＰＥＬ，ＰＥＬ１，ＰＥＬ２，ＰＥＬ３，ＰＥＬ４画素
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４陽極ＣＴコンタクト DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Glass substrate 11 Buffer film 12 Active layer 13 Gate insulating films 14 and 34 Gate electrode 15 Holding capacity electrode 16 Interlayer insulating film 17 Passivation film 18 Color filter layer 19 for light shielding 19 Flattening film 20 Depletion layer 32 Polycrystalline silicon layer DR1 Vertical Drive circuit DR2 Horizontal drive circuit GL Pixel selection signal line DL Display signal line SL Holding capacitor line TR1, TR1p Pixel selection transistor TR2 Driving transistor Cs Holding capacitor OLED Organic EL element VL Power supply line PEL, PEL1, PEL2, PEL3, PEL4 Pixel E1, E2, E3, E4 Anode CT Contact

Claims

A plurality of pixels are provided on an insulating substrate, and each pixel is turned on in accordance with a pixel selection signal and a display signal is supplied to the drive transistor, an organic electroluminescence element, a drive transistor that supplies a drive current to the organic electroluminescence element A pixel selection transistor to be supplied, a light-shielding color filter layer covering a boundary region between a source, drain and channel junction of the pixel selection transistor, and a storage capacitor for holding the display signal supplied to the driving transistor. An organic electroluminescence display device comprising:

An interlayer insulating film that covers the pixel selection transistor and a passivation film formed on the interlayer insulating film, and the light-shielding color filter layer is formed on the passivation film. Item 2. The organic electroluminescence display device according to Item 1.

3. The light-shielding color filter layer is formed so as to cover the source and the drain by 3 μm or more from an end of the gate electrode of the pixel selection transistor. Organic electroluminescence display device.

3. The light-shielding color filter layer is formed so as to cover the source and the drain 3 μm or more from the end of the channel of the pixel selection transistor. Organic electroluminescence display device.

The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the light-shielding color filter layer includes at least a red color filter layer.

6. The organic electroluminescence display device according to claim 5, wherein the light-shielding color filter layer includes one or both of a green color filter layer and a blue color filter layer in addition to the red color filter layer. .