KR102046870B1 - 액 공급유닛 및 이를 가지는 기판처리장치 - Google Patents

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세메스 주식회사
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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

본 발명의 실시예는 공급되는 액이 누수되는 것을 방지하는 액 공급유닛 및 이를 가지는 기판처리장치를 제공한다. 액 공급유닛은 액을 저장하는 액 저장탱크, 상기 액 저장탱크에 연결되어 액을 공급하는 액 공급관, 그리고 상기 액 공급관으로부터 누수되는 액과 접촉되어 상기 액 공급관의 리크영역을 감지하는 리크감지부재를 포함하되, 상기 리크감지부재는 상기 액 공급관의 아래에서 대향되게 위치된다. 염화코발트 성분을 포함하는 리크감지부재는 액 공급관의 아래에 위치되므로, 리크감지부재의 성질이 변화된 지점으로부터 액 공급관의 리크지점을 쉽게 파악할 수 있다.

Description

액 공급유닛 및 이를 가지는 기판처리장치{Liquid supplying unit and Apparatus for treating substrate with the unit}
본 발명은 액을 공급하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공급되는 액이 누수되는 것을 방지하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막증착 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들은 냉각 또는 세정 등의 다양한 이유로 인해 순수가 사용된다.
일반적으로, 냉각 또는 세정 등의 목적으로 순수를 사용하는 장치에는 액 공급장치로부터 순수를 공급받는다. 액공급장치는 도1과 같이 액을 저장하는 액 저장탱크(2), 이에 저장된 액을 외부의 장치에 연결하는 액 공급관(4), 그리고 액 공급관에 제공된 액을 펌핑하는 펌프(6)를 포함한다. 액 공급관(4)은 서로 연결된 복수 개의 배관이 제공되며, 그 연결부위에는 리크가 발생될 수 있다. 리크가 발생된 연결부위에는 외부의 공기가 유입되어 액의 유량 및 유속을 떨어뜨리고, 누수된 액은 주변 장치를 손상시킨다.
이로 인해 액 공급관(4)의 아래에는 누수된 액을 감지하는 센서(8)가 위치된다. 그러나 센서(8)는 액 공급관(4)이 위치된 영역 전체를 감지하므로, 리크가 발생된 지점을 정확하게 찾을 수 없다.
한국 특허 공개 번호: 제2006-0016027호
본 발명은 액 공급관의 리크된 지점을 신속하고 정확하게 파악할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 공급되는 액이 누수되는 것을 방지하는 액 공급유닛 및 이를 가지는 기판처리장치를 제공한다. 액 공급유닛은 액을 저장하는 액 저장탱크, 상기 액 저장탱크에 연결되어 액을 공급하는 액 공급관, 그리고 상기 액 공급관으로부터 누수되는 액과 접촉되어 상기 액 공급관의 리크영역을 감지하는 리크감지부재를 포함하되, 상기 리크감지부재는 상기 액 공급관의 아래에서 대향되게 위치된다.
상기 액은 순수를 포함하고, 상기 리크감지부재는 염화코발트 성분을 포함할 수 있다. 상기 액 공급관으로부터 누수되는 액과 접촉하여 액의 누출여부를 감지하는 액누출감지부재 및 상기 액누출감지부재로부터 감지정보를 제공받아 알람을 발생시키는 알람부재를 더 포함하되, 상기 리크감지부재는 상기 액누출감지부재와 인접하게 위치될 수 있다. 상기 리크감지부재는 염화코발트 성분을 포함하는 종이로 제공되고, 상기 리크감지부재는 상기 액누출감지부재의 외측면을 감싸도록 제공될 수 있다. 상기 리크감지부재는 상기 액누출감지부재와 일체로 제공될 수 있다. 상기 액누출감지부재의 길이방향을 수평방향을 향하도록 제공될 수 있다.
기판처리장치는 기판을 지지하는 기판지지유닛, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판 상으로 공정가스를 공급하는 노즐을 가지는 가스공급유닛, 그리고 상기 노즐에 냉각수를 공급하는 공급유닛을 포함하되, 상기 노즐의 내부에는 냉각수가 순환되는 순환유로가 형성되고, 상기 액 공급유닛은 냉각수를 저장하는 액 저장탱크, 상기 액 저장탱크 및 상기 순환유로를 연결하는 액 공급관, 그리고 상기 액 공급관의 누수되는 냉각수와 접촉되어 상기 액 공급관의 리크영역을 감지하는 리크감지부재를 포함하되, 상기 리크감지부재는 상기 액 공급관의 아래에서 상기 액 공급관과 대향되게 위치된다.
상기 액은 순수를 포함하고, 상기 리크감지부재는 염화코발트 성분을 포함할 수 있다. 상기 액 공급관으로부터 누수되는 액과 접촉하여 액의 누출여부를 감지하는 액누출감지부재 및 상기 액누출감지부재로부터 감지정보를 제공받아 알람을 발생시키는 알람부재를 더 포함하되, 상기 리크감지부재는 상기 액누출감지부재와 인접하게 위치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 염화코발트 성분을 포함하는 리크감지부재는 액 공급관의 아래에 위치되므로, 리크감지부재의 성질이 변화된 지점으로부터 액 공급관의 리크지점을 쉽게 파악할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 리크감지부재는 염화코발트 성분을 포함하는 종이로 제공되므로, 색이 변화된 리크감지부재의 영역만을 교체함에 따라 유지보수가 용이하다.
도1은 일반적인 액 공급유닛을 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도3은 도2의 서셉터를 보여주는 평면도이다.
도4는 도2의 기판홀더를 보여주는 단면도이다.
도5는 도2의 가스공급유닛을 보여주는 단면도이다.
도6은 도5의 노즐을 보여주는 수평 단면도이다.
도7은 도5의 노즐을 다른 방향에서 절단한 수직 단면도이다.
도8은 도2의 가스 배기 유닛을 보여주는 사시도이다.
도9는 도2의 액 공급유닛을 보여주는 도면이다.
도10은 도9의 액 공급관 및 센서부재를 보여주는 사시도이다.
도11은 도9의 센서부재의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 엘이디(LED) 제조용 금속 유기 화학 기상 증착 장치이고, 기판은 사파이어 및 실리콘카바이드 기판일 수 있다. 이와 달리, 기판 처리 장치는 반도체 칩 제조용 화학 기상 증착 장치이고, 기판은 실리콘 웨이퍼일 수 있다.
이하, 도2 내지 도11을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도2를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 챔버(200), 기판 지지 유닛(300), 라이너 유닛(400), 히터(500), 가스 공급 유닛(600), 가스 배기 유닛(700), 그리고 액 공급유닛(100)을 포함한다. 챔버(200)는 내부에 공정 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 기판 지지 유닛(300)은 공정기판(S)을 지지하며, 라이너 유닛(400)은 챔버(200) 내벽을 보호한다. 히터(500)는 공정기판(S)을 가열한다. 가스 공급 유닛(600)은 공정기판(S)으로 공정 가스를 공급하고, 가스 배기 유닛(700)은 공정기판 처리에 제공된 공정 가스를 챔버(200) 외부로 배기한다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명한다.
챔버(200)의 내부에는 공정기판이 처리되는 공간이 형성된다. 챔버(200)는 상부벽(210), 측벽(220), 그리고 하부벽(230)이 조합되어 내부 공간을 형성한다. 상부벽(210)은 챔버(200) 내부를 개방할 수 있다. 작업자는 챔버(200) 내부에 제공되는 장치를 유지 보수할 경우, 상부벽(210)을 개방한다. 또한, 챔버(200)에 공정기판(S)이 출입하는 경우, 상부벽(210)이 개방될 수 있다. 챔버(200)는 내열성이 약한 금속 재질로 제공될 수 있다. 챔버(200)는 스테인레스 재질로 제공될 수 있다.
기판 지지 유닛(300)은 챔버(200) 내부에서 공정기판(S)을 지지한다. 기판 지지 유닛(300)은 복수 매의 공정기판(S)을 동시에 지지할 수 있다. 실시예에 의하면, 기판 지지 유닛(300)은 서셉터(310), 기판 홀더(320), 그리고 서셉터 구동부(330)를 포함한다.
도3은 도2의 서셉터를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도3을 참조하면, 서셉터(310)는 챔버(200) 내부에 위치한다. 서셉터(310)는 소정 두께를 갖는 원판으로, 상면이 저면보다 큰 반경을 가지고, 측면이 하향 경사질 수 있다. 도 3과 같이, 서셉터(310)의 상면에는 중앙홈(311) 및 기판 수용홈(312)이 형성된다. 중앙홈(311) 및 기판 수용홈(312) 각각은 원형 홈으로, 소정 깊이로 형성될 수 있다. 중앙홈(311)은 서셉터(310)의 상면 중앙영역에 형성된다. 중앙홈(311)에는 노즐(610)의 끝단이 위치될 수 있다.
기판 수용홈(312)은 복수 개로 제공된다. 기판 수용홈(312)들은 서셉터(310)의 상면 가장자리영역에 형성된다. 기판 수용홈(312)들은 중앙홈(311)의 주변에 형성된다. 기판 수용홈(312)들은 다양한 형상으로 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 기판 수용홈들(312)은 10 개로 제공되며, 각각은 서로 조합하여 링 형상으로 배치될 수 있다. 각각의 기판 수용홈들(312)은 중앙홈(311)으로부터 거리가 동일하게 제공될 수 있다. 서로 인접한 기판 수용홈들(312) 간에 간격은 동일하게 제공될 수 있다.
기판 수용홈(312)들의 바닥면에는 돌기(313), 분사홀(314), 그리고 안내홈(315)이 형성된다. 돌기(313)는 기판 수용홈(312)의 바닥면 중앙에서 소정 높이로 돌출된다. 분사홀(314)은 돌기(313) 주변에 복수 개 형성된다. 분사홀(314)들은 가스를 공급하는 가스 공급 유로(317)들과 연결되며, 가스를 분사한다. 분사된 가스는 기판 수용홈(312)에 놓인 기판 홀더(320)을 부양시킨다.
안내홈(315)은 분사홀(314)에서 분사된 가스의 흐름을 안내한다. 안내홈(315)은 분사홀(314)들에 각각 연결된다. 안내홈(315)은 소정 길이를 가지며, 라운드지게 제공된다. 분사홀(314)에서 분사된 가스는 안내홈(315)을 따라 이동하며, 부양된 기판 홀더(320)을 회전시킨다.
서셉터 구동부(330)는 서셉터(310)를 회전 및 승강시킨다. 서셉터 구동부(330)는 회전축(331) 및 모터(332)를 포함한다. 회전축(331)은 서셉터(310)의 하부에서 서셉터(310)를 지지한다. 모터(332)는 회전축(331)을 회전 및 승강시킨다. 실시예에 의하면, 기판 홀더(320)가 회전되는 동안, 모터(332)는 서셉터(310)를 회전시킬 수 있다.
도4는 도2의 기판홀더를 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 기판 홀더(320)는 두께가 얇은 원판으로 기판 수용홈(312)에 수용된다. 기판 홀더(320)의 상면에는 안착홈(321)이 형성된다. 안착홈(321)은 소정 깊이로 형성되며, 공정기판(S)을 수용한다. 안착홈은 기판홀더의 내측면과 바닥면에 의해 정의될 수 있다. 일 예에 의하면, 안착홈은 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 안착홈(321)은 공정기판(S)의 반경에 상응하거나 그보다 큰 반경을 가질 수 있다. 기판 홀더(320)의 저면에는 고정홈(322)이 형성된다. 고정홈(322)에는 기판 수용홈(312)의 바닥면에 형성된 돌기(313)가 삽입 가능하다. 기판 홀더(320)는 전기 전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 기판 홀더(320)는 흑연 재질로 제공될 수 있다. 기판 홀더(320)는 복수 개 제공되며, 기판 수용홈(312)들 각각에 수용된다.
다시 도2를 참조하면, 라이너 유닛(400)은 챔버(200) 내부에 위치하며, 챔버(200) 내벽을 보호한다. 라이너 유닛(400)은 챔버(200) 내벽에 공정 가스가 부착되거나, 챔버(200) 내벽과 공정 가스가 반응하는 것을 차단한다. 라이너 유닛(400)은 상부 라이너(410), 측부 라이너(420), 그리고 체결 부재(430)를 포함한다.
상부 라이너(410)는 두께가 얇은 판으로, 서셉터(310)의 상부에서 서셉터(310)의 상면과 나란하게 배치된다. 상부 라이너(410)는 챔버(200)의 상부벽(210)으로부터 소정 거리 이격하여 위치한다. 상부 라이너(410)는 서셉터(310)의 상면보다 큰 면적을 가진다. 실시예에 의하면, 상부 라이너(410)는 원판이며, 서셉터(310)의 상면보다 큰 반경을 가진다. 상부 라이너(410)의 중심에는 삽입공이 형성된다. 삽입공에는 노즐(610)이 위치한다.
측부 라이너(420)는 상·저면이 개방되며, 내부에 공간이 형성된 통 형상을 가진다. 측부 라이너(420)는 상부 라이너(410)의 하부에서 상부 라이너(410)를 지지한다. 측부 라이너(420)는 상부 라이너(410)에 상응하는 반경을 가지며, 상단에 상부 라이너(410)가 놓인다. 측부 라이너(420)는 서셉터(310)의 주변을 에워싸도록 배치된다. 상부 라이너(410)와 측부 라이너(420)에 의해 구획되는 공간은 공정기판에 대한 공정 처리가 수행되는 처리 공간(422)으로 제공된다.
상부 라이너(410)와 측부 라이너(420)는 챔버(200)보다 내열성이 우수한 재질로 제공된다. 상부 라이너(410)와 측부 라이너(420)는 그라파이트 재질로 제공될 수 있다.
체결 부재(430)는 상부 라이너(410)를 챔버(200)의 상부벽(210)에 고정시킨다. 체결 부재(430)는 플랜지(431)와 볼트(432)를 포함한다. 플랜지(431)는 삽입공이 형성된 상부 라이너(410)의 내측단에 고정 체결된다. 볼트(432)는 챔버(200)의 상부벽(210)과 플랜지(431)를 체결한다. 체결 부재(430)에 의하여, 상부 라이너(410)와 챔버(200)의 상부벽(210)과 일체로 이동한다. 상부벽(210)이 챔버(200)의 내부를 개방하는 경우, 상부 라이너(410)는 상부벽(210)과 함께 이동한다.
히터(500)는 서셉터(310)의 아래에 위치한다. 히터(500)는 서셉터(310)의 저면으로부터 소정 거리 이격된다. 히터(500)는 코일로 제공되며, 동일 높이에서 나선 형상으로 회전축(331) 주변에 복수 회 감긴다. 히터(500)에서 발생된 열은 서셉터(310)와 기판 홀더(320)를 통해 공정기판(S)으로 전달되며, 공정기판(S)을 가열한다. 히터(500)는 공정기판(S)을 고온으로 가열한다. 실시예에 의하면, 공정기판(S)은 700℃ 내지 1300℃로 가열될 수 있다.
가스 공급 유닛(600)은 상부 라이너(410)와 서셉터(310) 사이 공간으로 공정 가스와 퍼지 가스를 공급한다.
도5는 도2 가스 공급 유닛을 나타내는 단면이고, 도6은 도5의 노즐을 나타내는 수평 단면도이다.
도5 및 도6을 참조하면, 가스 공급 유닛(600)은 노즐(610), 제1가스 공급라인(641), 제2가스 공급라인(642), 그리고 퍼지 가스 공급라인(643)을 포함한다.
노즐(610)은 챔버(200)의 상부벽(210) 중앙으로부터 아래로 제공되며, 그 끝단이 서셉터(310)의 중앙홈(311)에 위치한다. 노즐(610)은 상단이 챔버(200)의 상부벽(210)에 걸쳐 지지될 수 있다. 노즐(610)의 내부는 복수의 공간으로 구획되어 형성된다. 실시예에 의하면, 노즐(610)이 내부에는 3개의 공간(611 내지 613)이 형성된다. 제1공간(611)은 노즐(610)의 중앙영역에 형성된다. 제2공간(612)은 제1공간(611)의 둘레를 따라 링 형상으로 형성된다. 제3공간(613)은 제2공간(612)의 둘레를 따라 링 형상으로 형성된다. 제1 내지 제3공간(611 내지 613)은 구획벽에 의해 구획되며 서로 간에 차단된다.
노즐(610)의 측벽에는 퍼지가스 분사구(621, 622)와 공정가스 분사구(623 내지 625)가 형성될 수 있다.
퍼지가스 분사구(621, 622)는 상부 라이너(410)에 인접한 노즐(610) 영역과 노즐(610) 끝단에 인접한 영역에 각각 형성될 수 있다. 퍼지가스 분사구(621, 622)는 노즐(610) 둘레를 따라 복수 개 형성된다. 퍼지가스 분사구(621, 622)는 제3공간(613)과 연통된다. 제3공간(613)에 공급된 퍼지 가스는 퍼지 가스 분사구(621, 622)들을 통해 처리 공간(422)으로 분사된다. 일 예에 의하면, 노즐(610) 끝단에 인접한 영역에 형성된 퍼지가스 분사구(622)는 중앙홈(311) 내에 위치될 수 있다.
공정 가스 분사구(623 내지 625)는 제1가스를 분사하는 제1가스 분사구(623)와, 제2가스를 분사하는 제2가스 분사구(624, 625)로 구분된다. 제1가스 분사구(623)는 상부에 형성된 퍼지 가스 분사구(621)들과 하부에 형성된 퍼지 가스 분사구(622)들 사이에 형성된다. 제1가스 분사구(623)는 노즐(610)의 둘레를 따라 복수 개 형성된다. 제1가스 분사구(623)는 제1내관(631)을 통해 제1공간(611)과 연통된다. 제1내관(631)은 복수 개가 제1공간(611)을 중심으로 방사상으로 배치되며, 제1가스 분사구(623)들 각각과 연결된다. 제1공간(611)으로 공급된 제1가스는 제1내관(631)과 제1가스 분사구(623)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(422)으로 분사된다.
제2가스 분사구(624, 625)는 상부에 형성된 퍼지 가스 분사구(621)들과 제1가스 분사구(623)들 사이 영역, 그리고 제1가스 분사구(623)들과 하부에 형성된 퍼지 가스 분사구(622)들 사이 영역에 각각 형성된다. 제2가스 분사구(624, 625)는 노즐(610)의 둘레를 따라 복수 개 형성된다. 제2가스 분사구(624, 625)는 제2내관(632, 633)을 통해 제2공간(612)과 연통된다. 제2내관(632, 633)은 복수 개가 제2공간(612)을 중심으로 방사상으로 배치되며, 제2가스 분사구(624, 625)들 각각과 연결된다. 제2공간(612)으로 공급된 제2가스는 제2내관(632, 625)과 제2가스 분사구(624, 625)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(422)으로 분사된다. 제1가스 분사구(623)와 제2가스 분사구(624, 625)에서 분사된 제1 및 제2가스는 처리 공간(422)에서 혼합되고 공정기판(S)에 증착된다.
제1가스 공급라인(641)은 노즐(610)의 상단에서 제1공간(611)과 연결된다. 제1가스 공급라인(641)은 제1공간(611)으로 제1가스를 공급한다. 제1가스는 유기금속인 Ⅲ족 원소의 가스일 수 있다. 제1가스는 트리메틸갈륨(TMG) 또는 트리메틸알루미늄(TMA)일 수 있다.
제2가스 공급라인(642)은 노즐(610)의 상단에서 제2공간(612)과 연결될 수 있다. 제2가스 공급 라인(642)은 제2공간(612)으로 제2가스를 공급한다. 제2가스는 V족원소가 수소화물로서 제공될 수 있다. 제2가스는 포스핀(PH3), 수소화비소(AsH3), 또는 암모니아(NH3)일 수 있다.
퍼지 가스 공급라인(643)은 노즐(610)의 상단에서 제3공간(613)과 연결될 수 있다. 퍼지 가스 공급라인(643)은 제3공간(613)으로 퍼지 가스를 공급한다. 퍼지가스는 질소가스(N2)일 수 있다.
도7은 도5의 노즐을 다른 방향에서 절단한 수직 단면도이다. 도7을 참조하면, 노즐의 내측면과 외측면 사이에는 냉각수가 흐르는 냉각유로(650)가 형성된다. 냉각수는 분사노즐의 내부에서 공정가스들이 서로 반응하는 것을 방지한다. 또한 냉각수는 공정 진행 시 발생되는 공정부산물이 분사노즐의 외측면에 부착되는 것을 방지한다. 냉각유로(650)는 노즐의 일측 상단에서 노즐의 저면을 통과하여 타측 상단까지 연장되게 제공된다. 노즐의 일측 상단은 냉각수가 유입되는 유입포트(652)가 제공되고, 타측 상단은 회수포트(654)가 제공될 수 있다.
퍼지가스 분사구(621, 622)와 공정가스 분사구(623 내지 625)가 형성될 수 있다.
다시 도2를 참조하면, 가스 배기 유닛(700)은 공정기판(S) 처리 후 처리 공간(422)에 머무르는 가스를 챔버(200) 외부로 배기한다.
도8은 도2의 가스 배기 유닛을 나타내는 사시도이다. 도2 및 도8을 참조하면, 가스 배기 유닛(700)은 배기판(710), 배기관(720), 탄성 부재(730)를 포함한다. 배기판(710)은 링 형상의 판으로, 서셉터(310)의 둘레를 따라 제공된다. 배기판(710)의 상면은 서셉터(31)의 상면에 상응하거나 그보다 낮게 위치할 수 있다. 배기판(710)의 상면에는 측부 라이너(420)가 놓인다. 배기판(710)의 상면 영역 중 측부 라이너(420)가 놓인 영역 내측에는 배기홀(711)이 형성된다. 배기홀(711)은 배기판(710)의 상면을 따라 복수 개 형성된다.
배기판(710)의 내부에는 배기 유로(712)가 형성된다. 배기 유로(712)는 배기판(710)의 둘레를 따라 링 형상으로 형성되며, 배기홀(711)들과 연통된다.
배기관(720)은 배기판(710)의 저면과 연결되며, 배기 유로(712)와 연통된다. 실시예에 의하면, 배기관(720)은 복수 개 제공되며, 서로 상이한 위치에서 배기판(710)과 결합된다. 배기관(720)들은 단계별로 합쳐져 중간 배기관(721)으로 연결되고, 중간 배기관(721)들은 하나의 메인 배기관(722)으로 합쳐진다. 메인 배기관(722)에는 진공 펌프(미도시)가 설치된다. 실시예에 의하면, 배기관(720)들은 4개 지점에서 배기판(710)과 연결되고, 한 쌍씩 중간 배기관(721)으로 합쳐진다. 그리고 2개의 중간 배기관(721)은 메인 배기관(722)으로 합쳐진다.
진공 펌프에서 인가된 진공압은 메인 배기관(722), 중간 배기관(721), 배기관(720), 그리고 배기 유로(712)를 순차적으로 거쳐 배기홀(711)들 각각에 인가된다. 진공압은 배기 유로(712)를 거치므로, 배기홀(711)들 각각에는 진공압이 균일하게 인가될 수 있다. 배기홀(711)들에 인가된 진공압은 처리 공간(422)에 인가되며, 처리 공간(422)에 머무르는 가스는 배기홀(711)들로 유입된다. 가스는 배기홀(711)들 각각에 균일하게 유입될 수 있다.
탄성 부재(730)는 배기판(710)의 저면에 제공된다. 탄성 부재(730)는 배기판(710)에 힘이 가해지는 경우, 배기판(710)에 탄성력을 인가한다. 예컨대, 배기판(710)의 상면에 측부 라이너(420)가 놓이거나, 상부 라이너(410)가 개방되는 경우, 탄성력을 제공하여 배기판(710)을 안정적으로 지지한다. 탄성 부재(730)는 스프링이 제공될 수 있다. 스프링(730)은 배기판(710)의 둘레를 따라 복수 개 제공될 수 있다.
액 공급유닛(100)은 노즐의 냉각유로(650)에 액을 공급한다. 도9는 도2의 액 공급유닛을 보여주는 도면이고, 도10은 도8의 액 공급관 및 센서부재를 보여주는 평면도이다. 도9 및 도10을 참조하면, 액 공급유닛(100)은 액 공급관(140), 액 저장탱크(120), 펌프(152,154), 냉각부재(156) 그리고 센서부재(160)를 포함한다. 액 공급관(140)은 노즐(610)의 냉각유로(650) 및 액 저장탱크(120)를 연결한다. 액 공급관(140)은 공급라인(142) 및 회수라인(144)을 포함한다. 공급라인(142)은 노즐(610)의 유입포트(652) 및 액 저장탱크(120)를 연결하고, 회수라인(144)은 노즐(610)의 회수포트(654) 및 액 저장탱크(120)를 연결한다. 액 저장탱크(120)에 제공된 액은 공급라인을 통해 노즐의 유입포트(652)로 공급되고, 노즐(610)의 회수라인(144)로부터 회수된 액은 회수라인(144)을 통해 액 저장탱크(120)로 제공되는 순환되는 구조를 가진다. 일 예에 의하면, 액 저장탱크(120)에 저장되는 액은 순수를 포함할 수 있다. 공급라인(142) 및 회수라인(144) 각각에는 펌프(152, 154)가 설치된다. 공급라인(142)에 설치된 펌프(152)는 액이 액 저장탱크(120)에서 노즐(610)의 냉각유로(650)로 공급되도록 공급라인(142)을 펌핑하고, 회수라인(144)에 설치된 펌프(154)는 액이 노즐(60)의 냉각유로(650)에서 액 저장탱크(120)로 회수되도록 회수라인(144)을 펌핑한다. 냉각부재(156)는 공급라인(142)에 설치되어 공급라인(142)에 제공된 액을 냉각한다.
센서부재(160)는 액 공급관(140)에서 누수되는 액을 감지한다. 센서부재(160)는 액누출감지부재(162), 리크감지부재(164), 그리고 알람부재(166)를 포함한다.
액누출감지부재(162)는 액 공급관(140)으로부터 누수되는 액과 접촉하여 액의 누출여부를 감지한다. 액누출감지부재(162)는 케이블과 같이 플렉시블한 끈 형상으로 제공된다. 액누출감지부재(162)는 복수 개로 제공되며, 각각의 액 공급관(140)과 대향되게 위치된다. 액누출감지부재(162)는 액 공급관(140)의 아래에서 액 공급관(140)과 이격되게 위치되며, 바닥면과는 이격되게 위치된다. 액누출감지부재(162)는 그 길이방향이 수평방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 액누출감지부재(162)의 길이방향은 액 공급관(140)과 평행하게 제공될 수 있다. 한 개의 공급라인(142) 또는 회수라인(144)에 대해 액누출감지부재(162)는 적어도 한 개 이상이 대향되게 위치될 수 있다.
리크감지부재(164)는 액 공급관(140)의 누수되는 액과 접촉되어 액 공급관(140)의 리크영역을 감지한다. 리크감지부재(164)는 액과 반응하여 성질이 변화되는 종이로 제공된다. 일 예에 의하면, 리크감지부재(164)는 염화코발트 성분을 포함하는 종이로 제공되어 액의 접촉여부에 따라 색이 변화될 수 있다. 리크감지부재(164)는 액과 접촉되지 않은 상태에서 푸른색을 띄고, 액과 접촉 시 붉은색을 띌 수 있다. 리크감지부재(164)는 복수 개로 제공되며, 각각은 액누출감지부재(162)에 인접하게 위치된다. 일 예에 의하면, 각각의 리크감지부재(164)는 각각의 액누출감지부재(162)의 외주면을 감싸도록 제공될 수 있다. 각각의 리크감지부재(164)는 각각의 액누출감지부재(162)의 외주면과 접촉되게 제공될 수 있다.
알람부재(166)는 액누출감지부재(162)와 전기적으로 연결된다. 알람부재(166)는 액누출감지부재(162)가 액과 접촉될 시 알람을 발생한다.
상술한 실시예에 의하면, 액누출감지부재(162)는 리크감지부재(164)를 감싸도록 제공된다. 이로 인해 액 공급관(140)으로부터 누수된 액은 1차 적으로 리크감지부재(164)와 접촉된다. 리크감지부재(164)는 액과 접촉된 영역의 색이 변화되고, 액은 리크감지부재(164)에 흡수되어 액누출감지부재(162)와 2차 접촉된다. 액이 액누출감지부재(162)에 접촉됨에 따라 알람이 발생되면, 사용자는 리크감지부재(164)에서 색이 변화된 영역을 체크한다. 이에 따라 사용자는 색이 변화된 리크감지부재(164)의 영역과 대향되는 액 공급관(140)을 체크하여 누수영역을 검출할 수 있다.
또한 사용자는 색이 변화된 리크감지부재(164)의 영역을 제거한 후, 그 영역에 새로운 리크감지부재(164)를 교체함으로써, 센서부재(160)는 그 유지보수가 용이해질 수 있다.
상술한 실시예와 달리 액 누출감지부재(162) 및 리크감지부재(164)는 서로 일체로 제공될 수 있다. 액 누출감지부재(162)의 외주면의 재질은 염화코발트 성분을 포함하도록 제공될 수 있다. 이에 따라 액 공급관(140)으로부터 누수된 액은 액 누출감지부재(162)에 접촉되고, 그 외주면의 색은 변화될 수 있다.
또한 상술한 실시예에는 액 누출감지부재(162)가 액 공급관(140)과 평행한 길이방향을 향하는 것으로 설명하였으나, 액 누출감지부재(162)는 도11과 같이 액 공급관(140)에 대해 수직한 방향을 향하도록 제공될 수 있다.
100: 액 공급유닛 120: 액 저장탱크
140: 액 공급관 162: 액 누출감지부재
164: 리크감지부재

Claims (9)

  1. 액을 저장하는 액 저장탱크와;
    상기 액 저장탱크에 연결되어 액을 공급하는 액 공급관과;
    상기 액 공급관으로부터 누수되는 액과 접촉되어 상기 액 공급관의 리크영역을 감지하는 리크감지부재를 포함하되,
    상기 리크감지부재는,
    관 형상으로 제공되며, 상기 액 공급관의 하부에서 일정거리 이격되어 상기 액 공급관과 상하로 수평하게 배치되는 액 공급유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 액은 순수를 포함하고,
    상기 리크감지부재는 염화코발트 성분을 포함하는 액 공급유닛.

  3. 제2항에 있어서,
    상기 액 공급관으로부터 누수되는 액과 접촉하여 액의 누출여부를 감지하는 액누출감지부재와;
    상기 액누출감지부재로부터 감지정보를 제공받아 알람을 발생시키는 알람부재를 더 포함하되,
    상기 리크감지부재는 상기 액누출감지부재와 인접하게 위치되는 액 공급유닛.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 리크감지부재는 염화코발트 성분을 포함하는 종이로 제공되고,
    상기 리크감지부재는 상기 액누출감지부재의 외측면을 감싸도록 제공되는 액 공급유닛.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 리크감지부재는 상기 액누출감지부재와 일체로 제공되는 액 공급유닛.
  6. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액누출감지부재의 길이방향을 수평방향을 향하도록 제공되는 액 공급유닛.
  7. 기판을 지지하는 기판지지유닛과;
    상기 기판지지유닛에 지지된 기판 상으로 공정가스를 공급하는 노즐을 가지는 가스공급유닛과;
    상기 노즐에 냉각수를 공급하는 액 공급유닛을 포함하되,
    상기 노즐의 내부에는 냉각수가 순환되는 순환유로가 형성되고,
    상기 액 공급유닛은,
    냉각수를 저장하는 액 저장탱크와;
    상기 액 저장탱크 및 상기 순환유로를 연결하는 액 공급관과;
    상기 액 공급관으로부터 누수되는 냉각수와 접촉되어 상기 액 공급관의 리크영역을 감지하는 리크감지부재를 포함하되,
    상기 리크감지부재는,
    관 형상으로 제공되며, 상기 액 공급관의 하부에서 일정거리 이격되어 상기 액 공급관과 상하로 수평하게 배치되는 기판처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 액은 순수를 포함하고,
    상기 리크감지부재는 염화코발트 성분을 포함하는 기판처리장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 액 공급관으로부터 누수되는 액과 접촉하여 액의 누출여부를 감지하는 액누출감지부재와;
    상기 액누출감지부재로부터 감지정보를 제공받아 알람을 발생시키는 알람부재를 더 포함하되,
    상기 리크감지부재는 상기 액누출감지부재와 인접하게 위치되는 기판처리장치.


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