KR102039985B1 - Wafer Sensor with Function of RF Noise Protection - Google Patents

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KR102039985B1
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Abstract

본 발명에 따른 웨이퍼 센서는 상부 기판과 하부 기판 사이에 형성된 공간에 센서 회로가 배치되며, 센서 회로 위에 형성되는 제1금속층, 제1금속층 위에 형성되는 제1보호층, 센서 회로의 아래에 형성되는 제2금속층, 및 제2금속층과 하부 기판 사이에 위치하는 제2보호층을 포함하여 이루어지며, 제1보호층의 일부에는 제1금속층이 드러나도록 홈이 형성되어, 제1금속층과 하부 기판이 전기적으로 연결되도록 구성된다. 또 다른 실시예로서, 상부 기판과 하부 기판이 서로 마주보는 면을 전체적으로 일정 두께의 금속층으로 코팅할 수도 있다. 금속층을 통해 접지 성능을 강화하여, 고주파 전력의 영향으로 발생하는 전하들을 신속하게 배출할 수 있으므로, 웨이퍼 내에 배치되는 센서 회로에 대한 노이즈 영향을 효율적으로 방지할 수 있다.In the wafer sensor according to the present invention, a sensor circuit is disposed in a space formed between an upper substrate and a lower substrate, a first metal layer formed on the sensor circuit, a first protective layer formed on the first metal layer, and formed below the sensor circuit. And a second protective layer positioned between the second metal layer and the second metal layer and the lower substrate, wherein a portion of the first protective layer is formed with a groove to expose the first metal layer, thereby forming the first metal layer and the lower substrate. Configured to be electrically connected. In another embodiment, the upper substrate and the lower substrate facing each other may be coated with a metal layer of a predetermined thickness as a whole. By strengthening the grounding performance through the metal layer, the charges generated by the influence of the high frequency power can be quickly discharged, thereby effectively preventing the noise effect on the sensor circuit disposed in the wafer.

Description

RF 노이즈 방지가 가능한 웨이퍼 센서{ Wafer Sensor with Function of RF Noise Protection }Wafer Sensor with Function of RF Noise Protection}

본 발명은 웨이퍼 센서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 고주파 전력을 이용하여 생성되는 플라즈마를 통해 진행되는 공정에 사용되어, 각 공정을 모니터링 하는 웨이퍼 센서가 상기 고주파 전력으로 인해 발생하는 노이즈의 영향을 받지 않도록 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer sensor, and more particularly, to a process that is performed through a plasma generated using high frequency power, so that a wafer sensor for monitoring each process is not affected by noise generated by the high frequency power. Do not

반도체 제조 공정에서는 일반적으로 막, 패턴, 배선 등을 형성하기 위한 일련의 단위 공정들이 순차적으로 이루어지는데, 각 단위 공정들은 해당 공정 조건에 적합한 공정 설비를 통해 이루어지며, 각 공정 설비는 일정한 공정 조건을 유지하도록 되어 있다.In the semiconductor manufacturing process, generally, a series of unit processes for forming a film, a pattern, and wiring are sequentially performed. Each unit process is performed through a process equipment suitable for the process conditions, and each process equipment has a certain process condition. It is supposed to be maintained.

각 단위 공정에서는 그 진행 여부를 판단하기 위하여 공정 진행 전에 공정 모니터링이 실시될 수 있으며, 정기적인 모니터링이 이루어지기도 한다. 또한 공정변수와 관련된 장비 부품의 교체나, 공정 규격을 벗어난 장비에 대해 필요한 조치를 취한 후에도 공정 모니터링이 실시될 수 있다.In each unit process, process monitoring may be carried out before the process is carried out to determine whether the process is progressing, and periodic monitoring may be performed. In addition, process monitoring can be carried out after the replacement of equipment components related to process variables, or after taking necessary measures for equipment outside the process specification.

공정 모니터링은 다양한 웨이퍼 센서를 이용하여 소정의 공정을 진행한 후, 그 공정의 모니터링 파라미터를 측정하는 방법으로 실시될 수 있다. 모니터링 파라미터는 단위 공정의 특성에 따라 정해지며, 각 단위 공정에는 필요한 모니터링 파라미터에 따라 다양한 종류의 웨이퍼 센서가 사용될 수 있다.Process monitoring may be performed by a method of performing a predetermined process using various wafer sensors and then measuring monitoring parameters of the process. The monitoring parameters are determined according to the characteristics of the unit process, and various types of wafer sensors may be used for each unit process according to the monitoring parameters required.

한편, 일반적으로 웨이퍼 센서는 챔버 내에 구비되는 척의 표면에 놓여 고정된 상태로 모니터링이 이루어지는데, 챔버 내에 플라즈마를 생성하고 유지하기 위해 사용되는 고주파 전력으로 인해 노이즈가 발생할 수 있다.On the other hand, in general, the wafer sensor is placed on the surface of the chuck provided in the chamber and monitored in a fixed state. Noise may occur due to the high frequency power used to generate and maintain the plasma in the chamber.

이러한 노이즈는 웨이퍼 센서에 구비된 각종 센서에 불필요하거나 좋지 않은 영향을 미칠 수 있으며, 정확한 측정을 어렵게 한다. 특히, 플라즈마를 이용하는 공정 장비에 사용되는 고주파 전력이 점차 커져 가는 추세에 비추어 보면, 고주파 전력으로 인한 노이즈 발생 문제는 더욱 중요해 질 것이다.Such noise may have unnecessary or detrimental effects on various sensors provided in the wafer sensor, and make accurate measurement difficult. In particular, in view of the increasing trend of high frequency power used in the process equipment using the plasma, the problem of noise generated by the high frequency power will become more important.

그러므로, 플라즈마를 이용하여 공정을 진행하는 장비를 모니터링 하기 위해 사용되는 웨이퍼 센서가 고주파 전력으로 인해 발생하는 노이즈의 영향을 받지 않도록 해 줄 필요가 있다.Therefore, there is a need to make sure that the wafer sensor used to monitor the equipment in the process using plasma is not affected by the noise generated by the high frequency power.

이에 본 발명은 상기와 같은 필요성에 부응하기 위하여 안출된 것으로서, 고주파 전력으로 인해 발생하는 노이즈를 방지할 수 있는 웨이퍼 센서를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer sensor capable of preventing noise caused by high frequency power.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 RF 노이즈 방지가 가능한 웨이퍼 센서의 일 실시예는, 상부 기판과 하부 기판으로 이루어지고, 상기 상부 기판과 하부 기판 사이에 형성된 공간에 센서 회로가 배치된다. 특히, 상기 센서 회로 위에 형성되는 제1금속층, 및 상기 제1금속층 위에 형성되는 제1보호층을 포함하며, 상기 제1보호층의 일부에는 상기 제1금속층이 드러나도록 홈이 형성되고, 상기 홈을 통해 드러난 제1금속층 부분과 상기 하부 기판이 전기적으로 연결되도록 구성된다.In order to achieve the above object, an embodiment of a wafer sensor capable of preventing RF noise according to the present invention includes an upper substrate and a lower substrate, and a sensor circuit is disposed in a space formed between the upper substrate and the lower substrate. do. In particular, a first metal layer formed on the sensor circuit, and a first protective layer formed on the first metal layer, wherein a portion of the first protective layer is formed with a groove so that the first metal layer is exposed, the groove The first metal layer portion exposed through the lower substrate is configured to be electrically connected.

상기 RF 노이즈 방지가 가능한 웨이퍼 센서의 실시예는, 상기 센서 회로의 아래에 형성되는 제2금속층, 및 상기 제2금속층과 상기 하부 기판 사이에 위치하는 제2보호층을 더 포함하여 구성될 수 있다.An embodiment of the wafer sensor capable of preventing RF noise may further include a second metal layer formed under the sensor circuit, and a second protective layer disposed between the second metal layer and the lower substrate. .

본 발명에 따른 RF 노이즈 방지가 가능한 웨이퍼 센서의 또 다른 실시예는, 상부 기판과 하부 기판으로 이루어지고, 상기 상부 기판과 하부 기판 사이에 형성된 공간에 센서 회로가 배치된다. 이때, 상기 상부 기판과 하부 기판이 서로 마주보는 면은 일정 두께의 제3금속층이 형성된다.Another embodiment of a wafer sensor capable of preventing RF noise according to the present invention includes an upper substrate and a lower substrate, and a sensor circuit is disposed in a space formed between the upper substrate and the lower substrate. In this case, a third metal layer having a predetermined thickness is formed on a surface of the upper substrate and the lower substrate facing each other.

본 발명에 따른 웨이퍼 센서는 플라즈마 생성에 사용되는 고주파 전력의 영향을 방지할 수 있다.The wafer sensor according to the present invention can prevent the influence of the high frequency power used to generate the plasma.

금속층을 통해 접지 성능을 강화하여, 고주파 전력의 영향으로 발생하는 전하들을 신속하게 배출할 수 있으므로, 웨이퍼 내에 배치되는 센서 회로에 대한 노이즈 영향을 효율적으로 방지할 수 있다.By strengthening the grounding performance through the metal layer, the charges generated by the influence of the high frequency power can be quickly discharged, thereby effectively preventing the noise effect on the sensor circuit disposed in the wafer.

도 1은 플라즈마를 이용하는 공정 장비의 예,
도 2는 상부 기판과 하부 기판으로 이루어지는 웨이퍼 센서의 예,
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 센서의 일 실시예,
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 센서의 다른 실시예,
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 센서의 또 다른 실시예이다.1 is an example of process equipment using plasma,
2 is an example of a wafer sensor consisting of an upper substrate and a lower substrate,
3 is an embodiment of a wafer sensor according to the present invention;
4 is another embodiment of a wafer sensor in accordance with the present invention;
5 is another embodiment of a wafer sensor in accordance with the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다.As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description.

그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

도 1은 플라즈마를 이용하여 공정을 진행하는 장비의 예를 간략히 보인 것으로서, 플라즈마(150)가 형성되는 챔버(100), 고주파 RF 전력을 간접 전달하는 방식으로 고밀도 플라즈마를 생성하기 위한 안테나(110), 챔버(100)의 하부에 위치하여 웨이퍼 센서(200)가 놓이는 척(130) 등을 포함하여 이루어진다.FIG. 1 schematically shows an example of equipment for performing a process using a plasma, and includes a chamber 100 in which a plasma 150 is formed, and an antenna 110 for generating a high density plasma by indirectly transmitting high frequency RF power. The lower portion of the chamber 100 includes a chuck 130 on which the wafer sensor 200 is placed.

챔버(100)의 내부가 진공으로 유지되고 있는 상태에서 RF 파워(120)를 통해 고전압의 바이어스(bias) 전압이 인가되면, 챔버(100)의 내부에 고온/고밀도의 플라즈마(150)가 생성된다.When a high voltage bias voltage is applied through the RF power 120 while the inside of the chamber 100 is maintained in a vacuum, a high temperature / high density plasma 150 is generated inside the chamber 100. .

도 1은 설명의 이해를 돕기 위한 예일 뿐이며, 플라즈마를 이용하는 공정 장비는 필요에 따라 다양하게 구성될 수 있다.1 is only an example to help understand the description, and the process equipment using the plasma may be variously configured as necessary.

도 2를 참조하자면, 본 발명에 따른 웨이퍼 센서(200)는 각종 모니터링 파라미터를 측정하고, 측정된 정보들을 전송하는 등 그 기능을 수행하기 위해 필요한 센서 회로(250)를 내부 공간(230)에 구비할 수 있다.Referring to FIG. 2, the wafer sensor 200 according to the present invention includes a sensor circuit 250 in the internal space 230 that is required to perform various functions such as measuring various monitoring parameters and transmitting measured information. can do.

즉, 웨이퍼 센서(200)는 상부 기판(210)과 하부 기판(220)으로 이루어질 수 있으며, 상부 기판(210)과 하부 기판(220)은 각각 서로 마주보는 면의 일정 위치에 하나 이상의 홈이 형성된다. 이에 따라, 상부 기판(210)과 하부 기판(220)이 결합되면, 각 홈이 형성된 부분에 공간(230)이 생긴다. 그러므로, 이 공간(230)에 센서 회로(250)가 배치될 수 있다.That is, the wafer sensor 200 may be formed of the upper substrate 210 and the lower substrate 220, and each of the upper substrate 210 and the lower substrate 220 may have at least one groove formed at a predetermined position on a surface facing each other. do. Accordingly, when the upper substrate 210 and the lower substrate 220 are coupled to each other, a space 230 is formed in a portion where each groove is formed. Therefore, the sensor circuit 250 may be disposed in this space 230.

일반적으로 상부 기판(210)과 하부 기판(220)은 폴리머(Polymer)를 이용하여 서로 부착된다. 그런데, 폴리머는 절연체이므로 상부 기판(210)은 플로팅 상태가 된다. 이 때문에 접지가 불안정하게 되고, 전하의 축적에 따라 내부 센서 회로(250)의 측정값에 노이즈가 생기는 등 좋지 않은 영향을 미치게 된다.In general, the upper substrate 210 and the lower substrate 220 are attached to each other using a polymer. However, since the polymer is an insulator, the upper substrate 210 is in a floating state. As a result, the ground becomes unstable, and the accumulation of electric charges adversely affects the measured value of the internal sensor circuit 250, such as noise.

즉, 플라즈마 공정에서 플라즈마를 생성하고 유지하기 위해 사용되는 고주파 전력으로 인해 웨이퍼 센서(200)에 내장된 센서 회로(250)에 노이즈가 발생할 수 있으므로, 웨이퍼 센서(200)의 접지력을 강화할 필요가 있다.That is, noise may occur in the sensor circuit 250 embedded in the wafer sensor 200 due to the high frequency power used to generate and maintain the plasma in the plasma process, and thus it is necessary to strengthen the grounding force of the wafer sensor 200. .

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 센서(200)의 일 실시예로서, 상부 기판(210)과 하부 기판(220)으로 이루어지고, 상부 기판(210)과 하부 기판(220)의 사이에 형성된 공간에 센서 회로(250)가 배치된다.3 is an embodiment of a wafer sensor 200 according to the present invention, which is formed of an upper substrate 210 and a lower substrate 220, and is formed in a space formed between the upper substrate 210 and the lower substrate 220. The sensor circuit 250 is disposed.

센서 회로(250)는 다양한 형태로 구성될 수 있는데, 하나의 예로서 FPCB(Flexible Printed Circuit Board)의 형태로 구성될 수 있다.The sensor circuit 250 may be configured in various forms. For example, the sensor circuit 250 may be configured in the form of a flexible printed circuit board (FPCB).

특히, 센서 회로(250)의 윗면 전체에는 제1금속층(281)이 형성된다. 제1금속층(281)은 전기 전도성이 좋은 재질의 소재를 센서 회로(250)의 윗면에 코팅하는 방법으로 형성될 수 있다. 제1금속층(281)을 형성하는 소재의 예로서 구리(Copper)를 이용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In particular, the first metal layer 281 is formed on the entire upper surface of the sensor circuit 250. The first metal layer 281 may be formed by coating a material having a good electrical conductivity on the upper surface of the sensor circuit 250. Copper may be used as an example of a material for forming the first metal layer 281, but is not limited thereto.

또한, 제1금속층(281)의 윗면에는 제1보호층(271)이 형성되는데, 제1보호층은 폴리머(Polymer)를 이용하여 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1보호층(271)은 센서 회로(250)를 보호하는 역할뿐 아니라 상부 기판(210)과 하부 기판(220)을 서로 부착시키는 역할도 수행할 수 있다.In addition, a first protective layer 271 is formed on an upper surface of the first metal layer 281. The first protective layer may be formed using a polymer, but is not limited thereto. The first protective layer 271 may not only protect the sensor circuit 250 but may also attach the upper substrate 210 and the lower substrate 220 to each other.

제1보호층(271)의 일부는 제1금속층(281)이 드러나도록 홈이 형성되며, 이 홈을 통해 드러난 제1금속층 부분과 하부 기판은 서로 전기적으로 연결된다(291).A portion of the first protective layer 271 is formed with a groove to expose the first metal layer 281, and the portion of the first metal layer and the lower substrate exposed through the groove are electrically connected to each other (291).

홈을 통해 드러난 제1금속층 부분과 하부 기판을 연결하는 방법은 다양하게 구성될 수 있다. 예를 들자면, 두 부분을 서로 납땜으로 연결할 수도 있고, 두 부분을 전기 전도성이 좋은 재질의 소재로 코팅할 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The first metal layer portion exposed through the groove and the method of connecting the lower substrate may be configured in various ways. For example, the two parts may be connected to each other by soldering, or the two parts may be coated with a material having a good electrical conductivity, but is not limited thereto.

그러면, 고주파 전력으로 인해 축적되는 전하들은 제1금속층 부분과 하부 기판이 전기적으로 연결된 부분(291)을 통해 신속히 배출되므로, 접지 성능이 향상될 수 있으며, 노이즈 등 센서 회로(250)에 바람직하지 않은 영향을 미치는 상황을 방지할 수 있게 된다.Then, since the charges accumulated due to the high frequency power are quickly discharged through the portion 291 between the first metal layer portion and the lower substrate, the grounding performance may be improved, which is undesirable for the sensor circuit 250 such as noise. You can prevent the situation from affecting.

도 4를 참조하자면, 웨이퍼 센서(200)는 제1보호층(271)과 제1금속층(281)을 구비하고, 또한 센서 회로(250)의 아래에 형성되는 제2금속층(282), 및 제2금속층(282)과 하부 기판(220)의 사이에 위치하는 제2보호층(272)을 더 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the wafer sensor 200 includes a first protective layer 271 and a first metal layer 281, and a second metal layer 282 formed under the sensor circuit 250, and the first metal layer 282. The second protective layer 272 may be further included between the second metal layer 282 and the lower substrate 220.

제2금속층(282)은 제1금속층(281)과 마찬가지로 전기 전도성이 좋은 재질의 소재를 이용하여 구성될 수 있다. 구체적인 예로서 구리(Copper)를 이용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Like the first metal layer 281, the second metal layer 282 may be formed of a material having a good electrical conductivity. As a specific example, copper may be used, but is not limited thereto.

제2금속층(282)은 웨이퍼 센서(200)가 챔버(100)의 척(130)에 놓인 상태에서 하부로부터 전달되는 고주파 전력의 영향을 차단할 수 있도록 해준다. 제1금속층(281)과 제2금속층(282)은 전기 전도성이 좋은 재질의 소재로 서로 연결되도록 구성될 수 있다.The second metal layer 282 allows the wafer sensor 200 to block the influence of the high frequency power transmitted from the lower side while being placed on the chuck 130 of the chamber 100. The first metal layer 281 and the second metal layer 282 may be configured to be connected to each other by a material having a good electrical conductivity.

제2보호층(272)은 제2금속층(282)을 보호하는 역할을 수행할 수 있으며, 폴리머(Polymer)를 이용하여 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The second protective layer 272 may serve to protect the second metal layer 282, and may be configured using a polymer, but is not limited thereto.

이러한 실시예에서는 챔버(100)의 척(130)에 놓인 웨이퍼 센서(200)의 상측과 하측 모두로부터 전달되는 고주파 전력의 영향을 차단할 수 있다.In this embodiment, the influence of the high frequency power transmitted from both the upper side and the lower side of the wafer sensor 200 placed on the chuck 130 of the chamber 100 may be blocked.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 센서의 또 다른 실시예를 보인 것으로서, 웨이퍼 센서(200)는 위에서 설명한 각 실시예와 같이 상부 기판(210)과 하부 기판(220)으로 이루어지고, 상부 기판(210)과 하부 기판(220)의 사이에 형성된 공간(230)에 센서 회로(250)가 배치된다.5 shows another embodiment of a wafer sensor according to the present invention, the wafer sensor 200 is composed of an upper substrate 210 and a lower substrate 220, as in each embodiment described above, the upper substrate 210 ) And the sensor circuit 250 are disposed in the space 230 formed between the lower substrate 220 and the lower substrate 220.

이때 특별히 도시하지는 않았지만, 센서 회로(250)는 폴리머 등과 같은 소재를 이용하여 지지되도록 구성될 수 있다.Although not particularly illustrated, the sensor circuit 250 may be configured to be supported using a material such as a polymer.

특히, 상부 기판(210)과 하부 기판(220)이 서로 마주보는 면을 따라 일정 두께의 제3금속층(283)이 형성된다. 하나의 구체적인 예를 들자면, 상부 기판(210)과 하부 기판(220)이 서로 마주보는 면을 따라 전체적으로 구리 등의 금속 소재로 코팅 처리할 수 있다.In particular, a third metal layer 283 having a predetermined thickness is formed along a surface where the upper substrate 210 and the lower substrate 220 face each other. For example, the upper substrate 210 and the lower substrate 220 may be coated with a metal material such as copper as a whole along a surface facing each other.

고주파 전력은 일정 두께의 금속면을 통과하지 못하므로, 플라즈마 챔버(100)에 사용되는 고주파 전력에 따라 적절한 두께로 구리를 코팅하여 제3금속층(283)을 형성하면, 고주파 전력으로 인한 영향을 차단할 수 있다.Since the high frequency power does not pass through a metal surface having a predetermined thickness, forming a third metal layer 283 by coating copper with an appropriate thickness according to the high frequency power used in the plasma chamber 100 may block the influence caused by the high frequency power. Can be.

이때 센서 회로(250)의 구성요소들 중 무선 통신을 위한 안테나 등을 위하여, 제3금속층(283)의 일부에는 금속 코팅이 되지 않을 수도 있다.In this case, a part of the third metal layer 283 may not be coated with metal for an antenna for wireless communication among the components of the sensor circuit 250.

상기에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 기술적 특징이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백한 것이다. While the invention has been shown and described with respect to certain preferred embodiments thereof, it will be understood that the invention may be modified and modified in various ways without departing from the spirit or scope of the invention provided by the following claims. It can be apparent to one of ordinary skill in the art.

100: 챔버 120: RF 파워
130: 척 150: 플라즈마
200: 웨이퍼 센서 210: 상부 기판
220: 하부 기판 250: 센서 회로
271, 272: 보호층 281~283: 금속층100: chamber 120: RF power
130: chuck 150: plasma
200: wafer sensor 210: upper substrate
220: lower substrate 250: sensor circuit
271, 272: protective layer 281-283: metal layer

Claims (3)

상부 기판과 하부 기판으로 이루어지고, 상기 상부 기판과 하부 기판 사이에 형성된 공간에 센서 회로가 배치되는 웨이퍼 센서로서,
상기 센서 회로의 윗면 전체에 형성되는 제1금속층;
상기 제1금속층 위에 형성되고, 상기 상부 기판과 하부 기판을 서로 부착시키는 역할과, 상기 센서 회로를 보호하는 역할을 수행하는 제1보호층;
상기 센서 회로의 아래에 형성되고, 상기 제1금속층과 전기적으로 서로 연결되는 제2금속층; 및
상기 제2금속층과 상기 하부 기판 사이에 위치하는 제2보호층을 포함하고,
상기 제1보호층의 일부에는 상기 제1금속층이 드러나도록 홈이 형성되며,
상기 홈을 통해 드러난 제1금속층 부분과 상기 하부 기판이 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 RF 노이즈 방지가 가능한 웨이퍼 센서.A wafer sensor comprising an upper substrate and a lower substrate, wherein a sensor circuit is disposed in a space formed between the upper substrate and the lower substrate,
A first metal layer formed on the entire upper surface of the sensor circuit;
A first protective layer formed on the first metal layer and attaching the upper substrate and the lower substrate to each other and protecting the sensor circuit;
A second metal layer formed under the sensor circuit and electrically connected to the first metal layer; And
A second protective layer positioned between the second metal layer and the lower substrate,
A portion of the first protective layer is formed with a groove to expose the first metal layer,
The wafer sensor of claim 1, wherein the first metal layer portion exposed through the groove and the lower substrate are electrically connected. 삭제delete 삭제delete
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