KR101248875B1 - Apparatus and method for inspecting substrate using plasma - Google Patents

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Abstract

플라즈마가 생성되는 공간을 구비한 공정챔버; 상기 플라즈마 생성을 위해 상기 공정챔버의 내부에 반응가스를 공급하는 가스공급유닛; 상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 기판에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 측정하는 전기검사유닛; 및 상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절하기 위해 상기 기판의 하부에 바이어스를 인가하는 가변 직류 전압원; 을 포함하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법이 개시된다. 상기 구성 및 방법에 의하여 기판에 형성된 회로 중 미세 개방부 존재 여부를 검출할 수 있기 때문에 미세 개방부가 존재하는 회로가 구비된 제품이 완성되어 추후 제품의 주변 환경에 따라 미세 개방부가 개방(open)되어 회로 불량을 초래할 수 있는 잠재적 불량을 미연에 방지함으로써 제품의 신뢰성이 향상될 수 있다. A process chamber having a space in which plasma is generated; A gas supply unit supplying a reaction gas into the process chamber to generate the plasma; An electrical inspection unit positioned below the substrate and measuring a current or voltage of a circuit formed on the substrate; And a variable DC voltage source for applying a bias to the lower portion of the substrate to control the change in resistance and current of the sheath formed between the plasma and the substrate. Disclosed is a substrate inspection apparatus and method using a plasma comprising a. Since the presence or absence of the micro-opening part among the circuits formed on the substrate can be detected by the above configuration and method, a product having a circuit having the micro-opening part is completed, and the micro-opening part is opened according to the surrounding environment of the product. Product reliability can be improved by preventing potential failures that can lead to circuit failures.

Description

플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING SUBSTRATE USING PLASMA}Substrate inspection apparatus and method using plasma {APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING SUBSTRATE USING PLASMA}

본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 플라즈마와 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화에 따라 기판에 형성된 회로의 미세 개방부 존재 여부를 검사할 수 있는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus and method for inspecting a substrate using plasma, and more particularly, to a plasma that can inspect the presence of minute openings in a circuit formed on a substrate according to a change in resistance and current of a sheath formed between the plasma and the substrate. It relates to a substrate inspection apparatus and method using.

인쇄회로기판(PCB : Printed Circuit Board)은 페이퍼-페놀(Paper Phenol) 수지 또는 글래스-에폭시(Glass Epoxy) 수지 등과 같은 재질의 기판 상에 동박을 입힌 다음 필요한 회로를 인쇄한 다음 그 외의 부분을 식각(Etching) 등의 기술에 의해 제거하여 만든 회로기판으로서 그 회로 상에는 IC 등과 같은 부품이 납땜으로 부착된다.Printed Circuit Board (PCB) is made by coating copper foil on a substrate made of a material such as Paper-Phenol resin or Glass-Epoxy resin, printing the necessary circuits, and then etching the remaining parts. A circuit board removed by a technique such as etching, and the like, such as an IC, is attached to the circuit by soldering.

인쇄회로기판은 전자기술의 발달로 고집적도 부품을 실장시키기 위하여 경박단소화되고 있는 바, 전자제품의 집적도를 높이는 기본 요소가 되어 그 중요성이 높아지고 있다. 이에, 최근에 제작되는 인쇄회로기판들은 집적도가 높아짐에 따라 그 패턴이 미세화되어 정교한 패턴 인쇄 공정이 요구되고 있으며, 그에 따라 불량의 발생가능성이 높아져 인쇄회로기판에 대한 검사의 중요성도 높아지고 있다.Printed circuit boards are becoming smaller and thinner in order to mount high-integrated components due to the development of electronic technology, and thus the importance of printed circuit boards is becoming a basic element to increase the density of electronic products. Accordingly, recently manufactured printed circuit boards are required to have a finer pattern printing process as the pattern becomes finer as the degree of integration increases. As a result, the possibility of defects is increased, and the importance of inspection of the printed circuit board is also increased.

통상 인쇄회로기판의 이상유무에 대한 검사는 이송 가능한 검사유닛의 검사핀으로 인쇄회로기판의 임의의 접점에 전기신호를 보내 통전 여부를 확인하는 방식으로 이루어지고 있다. 즉, 인쇄회로기판에 대한 검사는 인쇄회로기판 검사장치로써 행하게 되는데, 인쇄회로기판 검사장치는 인쇄회로기판 상의 패턴단자에 전기신호를 흘려보낼 수 있는 검사핀을 가진 검사핀 유닛과, 상기 검사핀 유닛을 인쇄회로기판 측으로 이송할 수 있는 이송장치를 포함하도록 구성된다. 검사자는 상기 이송장치로써 검사핀 유닛을 인쇄회로기판의 검사가 필요한 패턴단자 측으로 이송한 후 상기 패턴단자에 검사핀을 접촉하여 전기신호를 보냄으로써 통전 여부를 가려 인쇄회로기판의 불량 유무를 검사할 수 있다.In general, the inspection of the abnormality of the printed circuit board is performed by sending an electrical signal to an arbitrary contact point of the printed circuit board to the inspection pin of the transferable inspection unit to check whether or not it is energized. That is, the inspection of the printed circuit board is performed by the printed circuit board inspection apparatus, which includes an inspection pin unit having an inspection pin capable of flowing an electrical signal to a pattern terminal on the printed circuit board, and the inspection pin. And a conveying device capable of conveying the unit to the printed circuit board side. The inspector transfers the test pin unit to the pattern terminal that needs inspection of the printed circuit board using the transfer device, and then checks whether the printed circuit board is defective or not by applying an electric signal by contacting the test pin with the pattern terminal. Can be.

그러나, 검사핀을 이용한 종래의 기판검사는 검사핀이 회로기판의 패턴에 정확하게 접촉되지 않으면 정확한 검사를 할 수 없다는 문제가 있다.However, the conventional board inspection using the test pin has a problem that the correct test can not be performed if the test pin does not exactly contact the pattern of the circuit board.

이러한 검사핀을 이용한 기판 검사의 단점을 극복하기 위해서 플라즈마를 이용하여 기판의 불량 유무를 검사하는 방법이 제안된 바 있다.In order to overcome the shortcomings of the inspection of the substrate using the inspection pin, a method of inspecting whether the substrate is defective using a plasma has been proposed.

플라즈마(plasma)란 이온(ion)이나 전자(electron), 라디칼(radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 의미하는데, 이러한 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF electromagnetic fields)에 의해 생성된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, etc., which is caused by very high temperatures, strong electric fields or high frequency electromagnetic fields. Is generated.

특히, 글로우 방전(glow discharge)에 의한 플라즈마 생성은 직류(DC)나 고주파 전자계에 의해 여기된 자유전자에 의해 이루어지는데, 여기된 자유전자는 가스분자와 충돌하여 이온, 라디칼, 전자 등과 같은 활성족(active species)을 생성한다. 그리고 이와 같은 활성족은 물리 혹은 화학적으로 물질의 표면에 작용하여 표면의 특성을 변화시킨다. Particularly, plasma generation by glow discharge is performed by free electrons excited by direct current (DC) or high frequency electromagnetic fields. The excited free electrons collide with gas molecules to activate active groups such as ions, radicals, and electrons. (active species) are produced. And such active groups physically or chemically act on the surface of the material to change the surface properties.

이러한 플라즈마를 이용하여 기판의 불량 여부를 검사하는 경우, 상기 회로의 결함 유무에 따라 생성되는 플라즈마가 변하게 된다. 이와 같이 플라즈마의 상태 변화를 외부에서 광학적으로 측정하고 회로에 흐르는 전류의 변화를 측정하여 회로의 불량유무를 검사할 수 있다. When the substrate is inspected for defect by using the plasma, the generated plasma is changed depending on whether the circuit is defective. As described above, the state change of the plasma may be optically measured from the outside and the change of the current flowing through the circuit may be measured to inspect whether the circuit is defective.

그러나, 종래의 플라즈마를 이용한 기판 검사는 플라즈마 생성을 위한 기체 방전에 기판 극판이 사용되는데, 플라즈마 발생을 위해서는 기판에 고전압을 인가하게 되므로 기판에 인가되는 고전압에 의해 기판 손상이 발생할 수 있다. 특히 근래에 들어서 기판에 형성되는 회로 패턴의 고집적화에 따른 미세한 패턴으로 형성되기 때문에 기판에 고전압이 인가되면 기판에 형성되는 고집적화되고 미세한 회로 패턴에 손상이 발생할 가능성이 높아질 수 있다.However, in the conventional substrate inspection using plasma, a substrate pole plate is used for gas discharge for plasma generation, and since a high voltage is applied to the substrate for plasma generation, substrate damage may occur due to a high voltage applied to the substrate. In particular, in recent years, since the pattern is formed as a fine pattern according to the high integration of the circuit pattern formed on the substrate, when a high voltage is applied to the substrate, the possibility of damage to the highly integrated and fine circuit pattern formed on the substrate may increase.

또한 고집적화된 회로의 경우, 회로의 신호선(pattern)이나 연결통로(via)에서 정상치보다 좁은 폭을 갖는 미세한 패턴으로 연결되어 향후 개방될 여지가 있는 미세 개방부가 형성될 확률 즉, 미세 개방 불량(latent open defect)이 발생할 확률이 높다. 이러한 미세 개방부는 잠재적으로 제품의 불량을 초래할 수 있는 것으로, 완성된 제품의 회로에 미세 개방부가 존재하는 경우 제품이 구비된 주변 환경에 따라 회로가 파손되어 제품 불량으로 진행하여 최종적으로 제품의 신뢰성이 저하될 수 있다. 이러한 미세 개방부를 검출해야 하는데 종래의 플라즈마를 이용한 기판 검사는 검사의 대상이 되는 기판이 플라즈마 생성에 사용되기 때문에 미세한 패턴으로 연결된 개방 불량의 검출에 어려움이 따른다.Also, in the case of highly integrated circuits, the probability of forming fine openings, which may be opened in the future, may be formed in the pattern line or via of the circuit by connecting in a fine pattern having a narrower width than the normal value. There is a high probability of open defects. These micro-openings can potentially lead to product defects. If micro-openings exist in the circuit of the finished product, the circuit breaks according to the surrounding environment in which the product is installed, resulting in product defects, and finally the reliability of the product is improved. Can be degraded. Such fine openings should be detected. However, the conventional substrate inspection using plasma has difficulty in detecting open defects connected in fine patterns because the substrate to be inspected is used for plasma generation.

더불어, 기판에 구성된 회로의 불량 유무에 따라 발생하는 플라즈마의 상태가 변하기 때문에 일정한 플라즈마 공정 처리 조건을 확립하기 어렵다. 즉, 일정한 조건을 가진 고밀도 플라즈마 생성이 어렵기 때문에 공정 능력 향상을 위하여 플라즈마 발생 조건을 조절하는데 불편함이 따른다. In addition, it is difficult to establish a constant plasma processing condition because the state of the plasma is changed depending on whether or not a circuit formed in the substrate is defective. That is, since it is difficult to generate a high-density plasma having a certain condition, it is inconvenient to control the plasma generation conditions to improve the process capability.

본 발명은 기판의 손상을 최소화하며 기판에 형성된 회로의 불량 유무를 검사할 수 있는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법이 제공된다.The present invention provides a substrate inspection apparatus and method using plasma that minimizes damage to a substrate and can inspect a defect in a circuit formed on the substrate.

본 발명은 기판에 형성된 회로에 미세 개방부가 존재하는지를 용이하게 검출함으로써 완성된 제품의 불량률을 줄일 수 있는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법이 제공된다. The present invention provides a substrate inspection apparatus and method using plasma that can easily detect the presence of fine openings in a circuit formed on a substrate, thereby reducing the defective rate of the finished product.

본 발명은 일정하게 플라즈마가 발생할 수 있는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법이 제공된다. The present invention provides a substrate inspection apparatus and method using a plasma that can generate a constant plasma.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치에 따르면, 상기 플라즈마가 생성되는 공간을 구비한 공정챔버; 상기 플라즈마 생성을 위해 상기 공정챔버의 내부에 반응가스를 공급하는 가스공급유닛; 상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 기판에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 측정하는 전기검사유닛; 및 상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절하기 위해 상기 기판의 하부에 바이어스를 인가하는 가변 직류 전압원;을 포함할 수 있다.According to a substrate inspection apparatus using a plasma according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, a process chamber having a space in which the plasma is generated; A gas supply unit supplying a reaction gas into the process chamber to generate the plasma; An electrical inspection unit positioned below the substrate and measuring a current or voltage of a circuit formed on the substrate; And a variable direct current voltage source for applying a bias to the lower portion of the substrate to adjust a change in resistance and current of the sheath formed between the plasma and the substrate.

상기 기판의 상부는 공정챔버 내에 제공되어 플라즈마 및 쉬스에 노출되고, 기판의 하부는 기판에 형성된 회로의 전기 검사를 위한 치공구에 고정되되, 치공구의 검사핀이 연결되며, 전기검사유닛은 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 기판 위에 형성된 쉬스를 통해 기판의 상부로 입사하여 기판에 형성된 회로를 통과할 때의 전류 또는 전압을 측정할 수 있다. The upper portion of the substrate is provided in the process chamber and exposed to the plasma and sheath, the lower portion of the substrate is fixed to the tool for the electrical inspection of the circuit formed on the substrate, the test pin of the tool is connected, the electrical inspection unit is formed in the plasma The electrons or ions can be measured through the sheath formed on the substrate and the current or voltage when passing through the circuit formed on the substrate.

이때, 전기검사유닛은, 기판의 하부를 고정하는 치공구; 치공구에 형성되어 기판의 하부와 접촉하여 회로의 전기 검사를 하는 검사핀; 및 회로와 전기적으로 연결되어 회로의 전기적 불량을 연속적으로 측정하는 멀티플렉서;를 포함할 수 있다. 상기의 구성을 통해 기판에 형성된 회로를 통해 흐르는 전류나 전압을 측정할 수 있다. At this time, the electrical inspection unit, the fixture for fixing the lower portion of the substrate; An inspection pin formed in the tool and contacting the lower portion of the substrate to perform electrical inspection of the circuit; And a multiplexer electrically connected to the circuit to continuously measure the electrical failure of the circuit. Through the above configuration, the current or voltage flowing through the circuit formed on the substrate can be measured.

한편, 가변 직류 전압원은 기판에 인가되는 전압이 플라즈마의 전위에 근접하도록 기판에 인가되는 전압을 바이어스(bias) 할 수 있다. 이때, 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 클수록 플라즈마의 전자는 기판의 상부로 입사되기 어렵다. 따라서, 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차에 따라 쉬스의 저항 및 전류가 변화될 수 있다. On the other hand, the variable DC voltage source may bias the voltage applied to the substrate such that the voltage applied to the substrate approaches the potential of the plasma. At this time, as the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate is large, electrons of the plasma are less likely to enter the upper portion of the substrate. Thus, the resistance and the current of the sheath can be changed depending on the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate.

여기서 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 쉬스의 저항이 작아질 수 있다. 이때, 전기검사유닛은, 기판에 형성된 회로에서 정상치보다 좁은 폭을 갖는 미세한 패턴으로 연결되어 향후 개방될 여지가 있는 부위(이하 '미세 개방부'라 약칭한다)가 있는 경우에 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 쉬스의 저항이 작아지고, 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 미세 개방부가 존재하는 경우의 전류가 작아지는 것을 이용하여 기판에 형성된 회로의 미세 개방부 존재 여부를 검출할 수 있다. Here, as the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate becomes smaller, the resistance of the sheath may become smaller. At this time, the electric inspection unit is connected to a fine pattern having a narrower width than the normal value in the circuit formed on the substrate, and there is a potential for opening in the future (hereinafter referred to as 'micro-opening portion') when the potential of the plasma and the substrate As the potential difference between the voltages applied to the circuit becomes smaller, the resistance of the sheath becomes smaller, and the minute opening of the circuit formed on the substrate is reduced by using a smaller current when the minute opening is present compared to the current when the circuit formed on the substrate is normal. Presence or absence can be detected.

기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 미세 개방부가 존재할 때의 전류 변화량은 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작을수록 커질 수 있다. The amount of change in current when the micro-opening portion is present compared to the current when the circuit formed on the substrate is normal may be larger as the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate is smaller.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용하여 기판의 회로를 검사하는 방법에 있어서, (a) 공정챔버 내에 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 공정챔버 내부에 반응가스를 공급하는 단계; (c) 상기 공정챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 단계; (d) 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차를 조절하는 단계; 및 (e) 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차의 변화에 따른 상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 통해 상기 기판에 형성된 회로를 전기적으로 검사하는 단계;를 포함할 수 있다. On the other hand, a method for inspecting a circuit of a substrate using a plasma according to an embodiment of the present invention, comprising the steps of: (a) providing a substrate in the process chamber; (b) supplying a reaction gas into the process chamber; (c) generating a plasma in the process chamber; (d) adjusting a potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate; And (e) electrically inspecting a circuit formed on the substrate through a change in resistance and current of the sheath formed between the plasma and the substrate according to a change in the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate. It may include;

상기 (d) 단계는, 플라즈마의 전위에 근접하도록 기판에 인가되는 전압을 조절할 수 있다. In step (d), the voltage applied to the substrate may be adjusted to approach the potential of the plasma.

상기 (e) 단계는, 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 쉬스의 저항 또는 전류의 변화에 따라 기판의 상부로 입사하여 회로를 통과하는 정도를 측정할 수 있다. 즉, 상기 기판에 형성된 회로의 개방, 단락 또는 미세 개방부 존재 여부에 따라 상기 회로를 통과하는 전류가 변하는 정도를 이용하여 상기 기판을 검사하고, 기판에 형성된 회로의 불량 여부에 따라 상기 회로를 통과하는 전류가 변하는 정도는 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 커지게 된다. In the step (e), the degree of electrons or ions formed in the plasma is incident on the substrate and passed through the circuit according to the change in resistance or current of the sheath. That is, the substrate is inspected using the degree of change of the current passing through the circuit depending on whether the circuit formed on the substrate is open, short-circuited, or micro-opened, and the circuit passes through the defective circuit formed on the substrate. The degree of change in the current is increased as the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate becomes smaller.

또한, (e) 단계에서, 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 상기 쉬스의 저항이 작아지며, 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방부가 존재할 때의 전류가 감소하는 것을 이용하여 상기 기판에 형성된 회로의 미세 개방부 존재 여부를 검출할 수 있다. Further, in step (e), the resistance of the sheath decreases as the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate decreases, and the current when the minute openings exist compared to the current when the circuit formed on the substrate is normal. Decreased may be used to detect the presence of fine openings in the circuit formed on the substrate.

다시 말해, 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방부가 존재할 때의 전류 변화량은 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작을수록 커지게 되기 때문에, 보다 용이하게 미세 개방부 존재 여부를 검출할 수 있게 된다. In other words, the amount of change in current when the micro-opening portion is present compared to the current when the circuit formed on the substrate is normal increases as the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate increases, so that the micro-opening becomes easier. It is possible to detect the presence of a part.

한편, 상기 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 표면을 세정하는 단계를 더 포함하여 기판 표면의 접착력이 향상될 수 있다. On the other hand, further comprising the step of cleaning the surface of the substrate using the plasma may improve the adhesion of the substrate surface.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법은 기판에 인가하는 전압값을 저 전압으로 인가하여 낮은 전압으로도 기판에 형성된 회로의 특성을 측정할 수 있고 기판의 손상을 줄일 수 있다.As described above, the apparatus and method for inspecting a substrate using the plasma of the present invention can measure the characteristics of a circuit formed on the substrate even at a low voltage by applying a voltage value applied to the substrate at a low voltage, and reduce damage to the substrate. have.

또한, 본 발명의 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법은 독립적으로 원거리 타입의 플라즈마를 발생시키기 때문에 기판의 전기검사 유무에 상관없이 기판 표면에 동일한 플라즈마 처리가 가능해진다. Further, since the substrate inspection apparatus and method using the plasma of the present invention independently generate a remote type plasma, the same plasma treatment can be performed on the surface of the substrate regardless of the presence or absence of electrical inspection of the substrate.

또한, 본 발명의 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법은 기판에 형성된 회로 중 미세 개방부 존재 여부를 검출할 수 있기 때문에 미세 개방부가 존재하는 회로가 구비된 제품이 완성되어 추후 제품의 주변 환경에 따라 미세 개방부가 개방(open)되어 회로 불량을 초래할 수 있는 잠재적 불량을 미연에 방지함으로써 제품의 신뢰성이 향상될 수 있다. In addition, since the substrate inspection apparatus and method using the plasma of the present invention can detect the presence of the micro-openings among the circuits formed on the substrate, the product having the circuits having the micro-openings is completed, and according to the surrounding environment of the product thereafter. Product reliability can be improved by preventing potential defects that can be opened and cause circuit failures.

더불어, 본 발명의 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법은 기판 표면 접착력을 강화시키기 위한 플라즈마 세척 공정과 기판에 형성된 회로의 전기적 불량 유무를 검사하는 전기 검사 공정이 동시에 진행되기 때문에 기판 제작 공정 단계를 감소시켜 공정 단가를 개선하고 효율을 높일 수 있다. In addition, the substrate inspection apparatus and method using the plasma of the present invention reduces the substrate manufacturing process step because the plasma cleaning process for enhancing the adhesion of the substrate surface and the electrical inspection process for inspecting the electrical defects of the circuit formed on the substrate are performed at the same time. This can improve the process cost and increase the efficiency.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 검사 장치를 이용한 기판에 인가한 전압에 따라 쉬스의 저항값 변화 및 정상 회로에 대한 미세 개방부 존재 회로의 전류값 변화를 나타낸 그래프이다.
도 3은 도 1의 기판 검사 장치를 이용하여, 기판에 인가하는 전압에 따라 기판에 형성된 회로의 불량 종류에 따른 전류의 변화를 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법을 도시한 순서도이다.1 is a view schematically showing a substrate inspection apparatus using a plasma according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a graph illustrating a change in the resistance value of the sheath and a change in the current value of the fine opening part present circuit with respect to the normal circuit according to the voltage applied to the substrate using the substrate inspection apparatus of FIG. 1.
FIG. 3 is a graph illustrating a change in current according to a defect type of a circuit formed on a substrate according to a voltage applied to the substrate by using the substrate inspection apparatus of FIG. 1.
4 is a flowchart illustrating a method of inspecting a substrate using plasma according to an embodiment of the present invention.

이하에서, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to or limited by the embodiments. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 검사 장치를 이용한 기판에 인가한 전압에 따라 쉬스의 저항값 변화 및 정상 회로에 대한 미세 개방부 존재 회로의 전류값 변화를 나타낸 그래프이며, 도 3은 도 1의 기판 검사 장치를 이용하여, 기판에 인가하는 전압에 따라 기판에 형성된 회로의 불량 종류에 따른 전류의 변화를 도시한 그래프이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법을 도시한 순서도이다.1 is a view schematically showing a substrate inspection apparatus using a plasma according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a change in resistance value and the normal circuit of the sheath according to the voltage applied to the substrate using the substrate inspection apparatus of FIG. 3 is a graph illustrating a change in current value of a circuit having a micro-opening portion, and FIG. 3 illustrates a change in current according to a defect type of a circuit formed on a substrate according to a voltage applied to the substrate using the substrate inspection apparatus of FIG. 1. 4 is a graph illustrating a method of inspecting a substrate using plasma according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치(100)는 공정챔버(110), 가스공급유닛(120), 전기검사유닛(150) 및 가변 직류 전압원(140)을 포함할 수 있다. 1 to 4, a substrate inspection apparatus 100 using plasma according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 110, a gas supply unit 120, an electrical inspection unit 150, and a variable DC voltage source. 140 may be included.

상기 공정챔버(110)는 플라즈마(P)가 생성되는 공간을 구비할 수 있으며, 공정챔버(110)의 상부에는 플라즈마(P) 생성을 위한 절연체(180, dielectric)가 형성될 수 있다. 절연체(180)는 공정챔버(110)의 상부에 구비될 수 있으며, 절연체(180)는 예를 들어 석영, 세라믹 물질 등으로 구성될 수 있으며, 절연체의 종류는 발명에서 요구하는 조건에 따라 변경될 수 있다. The process chamber 110 may include a space in which the plasma P is generated, and an insulator 180 for generating the plasma P may be formed on the process chamber 110. The insulator 180 may be provided at an upper portion of the process chamber 110, and the insulator 180 may be formed of, for example, quartz or a ceramic material. The type of insulator may be changed according to a condition required by the invention. Can be.

또한, 공정챔버(110)에 발생하는 플라즈마(P)는 원거리 타입으로 유도결합 플라즈마(inductively coupled plasma)가 발생할 수 있다. 이와 같이 원거리 타입으로 플라즈마를 생성하기 위하여 공정 챔버(110)의 외부에는 플라즈마 발생부(170)가 형성될 수 있다. 여기서, 플라즈마 발생부(170)는 플라즈마를 발생시키기 위한 코일 안테나 형태를 가지며 공정챔버(110)의 천정부 외측에 설치될 수 있다. 플라즈마 발생부(170)는 RF 전원을 인가하고 임피던스 매칭을 위해 매칭네트워크(160)에 연결될 수 있다.In addition, the plasma P generated in the process chamber 110 may be an inductively coupled plasma in a long distance type. As such, the plasma generator 170 may be formed outside the process chamber 110 to generate the plasma in the far type. Here, the plasma generating unit 170 may have a coil antenna form for generating plasma and may be installed outside the ceiling of the process chamber 110. The plasma generator 170 may apply RF power and may be connected to the matching network 160 for impedance matching.

한편, 가스공급유닛(120)은 공정챔버(110)와 연결되며, 플라즈마(P) 생성을 위해 공정챔버(110) 내부에 반응가스를 공급할 수 있다. 가스공급유닛(120)에 의해 공급되는 가스는 기판(50)과 반응할 수 있는 반응성 가스로 구성될 수 있으며, 예시적으로, 산소 함유 가스, 플루오르 함유 가스 등으로 구성될 수 있다. On the other hand, the gas supply unit 120 is connected to the process chamber 110, it can supply a reaction gas inside the process chamber 110 to generate the plasma (P). The gas supplied by the gas supply unit 120 may be composed of a reactive gas capable of reacting with the substrate 50, and may be, for example, an oxygen-containing gas, a fluorine-containing gas, or the like.

여기서, 공정챔버(110)에는 펌핑시스템(130)이 구비될 수 있다. 상기 펌핑시스템(130)은 플라즈마 이외의 기타 잔여 가스를 공정챔버(110)의 외부로 배출할 수 있다. Here, the process chamber 110 may be provided with a pumping system 130. The pumping system 130 may discharge other residual gas other than plasma to the outside of the process chamber 110.

상기 공정챔버(110) 내에는 기판(50)이 제공될 수 있다. 상기 기판(50)의 상부는 플라즈마(P)에 노출되도록 플라즈마(P)와 대향되도록 구비되고, 기판(50)의 하부는 기판(50)에 형성된 회로의 불량 여부를 검사하기 위한 전기검사유닛(150)과 연결될 수 있다. The substrate 50 may be provided in the process chamber 110. An upper portion of the substrate 50 is provided to face the plasma P to be exposed to the plasma P, and the lower portion of the substrate 50 is an electrical inspection unit for inspecting whether a circuit formed in the substrate 50 is defective ( 150).

상기 전기검사유닛(150)은 기판(50)에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 연속적으로 측정할 수 있다. 이때, 전기검사유닛(150)은 정상회로의 전압 또는 전류와 대비하여 측정되는 회로의 전압 또는 전류의 값으로부터 기판의 회로에 존재하는 불량 종류를 알 수 있다. 예시적으로 끊어진 회로(open)의 경우 전기검사유닛(150)에 의해 측정되는 전류 또는 전압의 값이 0으로 측정되고, 적어도 두 개의 회로가 서로 연결된(short) 경우 측정되는 전류 또는 전압의 값은 정상회로 대비하여 증가된 값으로 측정되기 때문에, 전기검사유닛(150)에 의해 측정되는 전류 또는 전압값 또는 그 변화를 통해 회로의 불량 종류를 판단할 수 있다. The electrical inspection unit 150 may continuously measure the current or voltage of the circuit formed on the substrate 50. At this time, the electrical inspection unit 150 can know the kind of failure present in the circuit of the substrate from the value of the voltage or current of the circuit measured in comparison with the voltage or current of the normal circuit. For example, in the case of an open circuit, the value of the current or voltage measured by the electrical inspection unit 150 is measured as 0, and when at least two circuits are connected to each other, the value of the measured current or voltage is Since the measured value is increased compared to the normal circuit, the failure type of the circuit can be determined by the current or voltage value measured by the electrical inspection unit 150 or a change thereof.

한편, 기판 검사 장치(100)는 전기검사유닛(150)과 연결되며 플라즈마(P)와 기판(50) 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절할 수 있도록 기판(50) 하부에 인가되는 전압을 조절하거나 바이어스(bias) 하는 가변 직류 전압원(140)을 포함할 수 있다. On the other hand, the substrate inspection apparatus 100 is connected to the electrical inspection unit 150 and is applied to the lower portion of the substrate 50 so as to control the change in resistance and current of the sheath formed between the plasma (P) and the substrate 50 It may include a variable DC voltage source 140 to adjust or bias the voltage.

상기 플라즈마(P)가 발생할 때, 플라즈마(P)와 기판(50) 사이에는 쉬스(sheath, S)라고 하는 영역이 발생할 수 있다.When the plasma P is generated, a region called sheath S may occur between the plasma P and the substrate 50.

상기 쉬스(S)에 대해 자세히 살펴보면, 공정챔버(110)에서 기체 방전에 의해 플라즈마(P)는 발광하게 되지만, 플라즈마(P)와 기판(50) 사이에 발광하지 않는 영역이 존재한다. 상기 영역을 쉬스 영역이라고 하며, 쉬스(S)는 전자가 고갈되어 있어서, 전자에 의한 이온화가 거의 발생하지 않지만, 저항 및 전류를 가지고 있다. Looking at the sheath S in detail, the plasma (P) emits light due to gas discharge in the process chamber 110, but there is a region that does not emit light between the plasma (P) and the substrate (50). The region is called a sheath region, and the sheath S is depleted of electrons, so that ionization by electrons hardly occurs, but has resistance and current.

한편, 플라즈마(P)에는 플라즈마 전위라고 불리는 고정 전위가 발생하는데, 기판(50)에 인가되는 전압(VB)에 따라 플라즈마 전위와 기판(50)에 인가되는 전위의 차이에 따라 쉬스(S)의 저항 및 전류가 변하게 된다. 즉, 쉬스(S)의 저항 및 전류는 플라즈마의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차에 의해 종속된다. 이때, 기판(50) 하부에 구비된 가변 직류 전압원(140)을 통해 기판(50)에 인가되는 전압을 가변하거나 바이어스 함으로써, 쉬스(S)의 저항 및 전류값을 변화시킬 수 있으며, 이를 통해 다양한 조건에서 기판(50)에 형성된 회로의 불량 여부를 측정할 수 있게 된다. On the other hand, a fixed potential called a plasma potential is generated in the plasma P. The sheath S may be generated according to a difference between the plasma potential and the potential applied to the substrate 50 according to the voltage V B applied to the substrate 50. The resistance and current of will change. That is, the resistance and current of the sheath S are dependent on the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate 50. At this time, by varying or biasing the voltage applied to the substrate 50 through the variable DC voltage source 140 provided below the substrate 50, the resistance and current value of the sheath S can be changed, and thus various Under the conditions, it is possible to measure whether the circuit formed on the substrate 50 is defective.

상기 구성을 통해 기판(50)에 형성된 회로의 불량 여부 측정에 대해 보다 자세하게 살펴보면, 기판(50)의 상부는 쉬스(S)에 노출되고, 기판(50)의 하부는 기판(50)에 형성된 회로의 전기 검사를 위해 구비되는 치공구(153)에 고정되되 치공구(153)의 검사핀(155)이 기판(50)의 하부에 연결될 수 있다. 즉, 전기검사유닛(150)은 기판(50)의 하부를 고정하는 치공구(153), 기판(50)의 하부와 접촉하여 회로의 전기 검사를 하는 검사핀(155) 및 회로와 전기적으로 연결되어 회로의 전기적 불량 여부를 연속적으로 측정하는 멀티플렉서(156) 및 회로의 전류값을 측정하는 전류계(157)을 포함할 수 있다. Looking in more detail for the measurement of the defect of the circuit formed on the substrate 50 through the above configuration, the upper portion of the substrate 50 is exposed to the sheath (S), the lower portion of the substrate 50 is a circuit formed on the substrate 50 The test pin 155 of the tool 153 may be fixed to the tool 153 provided for the electrical test of the lower surface of the substrate 50. That is, the electrical inspection unit 150 is electrically connected to the tool 153 for fixing the lower portion of the substrate 50, the inspection pin 155 for contacting the lower portion of the substrate 50, and the electrical inspection of the circuit. It may include a multiplexer 156 continuously measuring the electrical failure of the circuit and an ammeter 157 measuring the current value of the circuit.

상기와 같이 구성된 전기검사유닛(150)을 통해 플라즈마(P) 내에 형성된 전자 또는 이온이 쉬스(S)를 통해 기판(50) 상부로 입사하여 기판(50)에 형성된 회로를 통과할 때의 전류 또는 전압을 측정하여 회로의 정상 및 불량을 검출하고 불량의 종류 또한 검출할 수 있다. The electrons or ions formed in the plasma P through the electrical inspection unit 150 configured as described above are incident on the substrate 50 through the sheath S to pass through the circuit formed on the substrate 50 or The voltage can be measured to detect normal and bad circuits and the type of faults.

여기서, 기판(50)에 형성된 회로는 플라즈마(P) 내에 형성된 전자 또는 이온이 쉬스를 통해 기판(50) 상부로 입사할 수 있도록 상부연결패드(152)가 형성될 수 있으며, 기판(50) 하부에는 검사핀(155)과 접촉될 수 있는 하부연결패드(154)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 상부연결패드(152)에 플라즈마(P) 내 전자나 이온이 입사되면 하부연결패드(154)로 통과될 수 있다. 이때, 상부연결패드(152)와 하부연결패드(154)가 연결되어 있지 않은 회로(open)라면 개방된 회로를 통해 흐르는 전류가 없으므로 검사핀(155)은 회로의 전류나 전압값을 측정할 수 없다(도 1의 e 참조). 이와 다르게 두 개 이상의 회로가 서로 연결된 회로(short)라면 검사핀(155)에서는 상부연결패드(152)에 입사된 이온이나 전자의 전류 또는 전압값을 정상회로 대비 2배 이상 측정할 수 있다(도 1의 a 및 b 참조). 이와 같이, 전류가 전혀 흐르지 않으면 그 회로는 개방된 것으로 판단하고, 전류가 정상치 보다 많이 흐르는 경우에는 그 회로가 단락된 것으로 판단할 수 있다.Here, in the circuit formed on the substrate 50, an upper connection pad 152 may be formed to allow electrons or ions formed in the plasma P to enter the substrate 50 through the sheath, and the lower portion of the substrate 50. The lower connection pad 154 may be formed in contact with the test pin 155. That is, when electrons or ions in the plasma P enter the upper connection pad 152, they may pass through the lower connection pad 154. In this case, if the upper connection pad 152 and the lower connection pad 154 are not connected to the circuit (open), since there is no current flowing through the open circuit, the test pin 155 can measure the current or voltage value of the circuit. None (see e of FIG. 1). Alternatively, if two or more circuits are connected to each other (short), the test pin 155 may measure a current or voltage value of ions or electrons incident on the upper connection pad 152 more than twice as compared to the normal circuit (Fig. A and b in 1). In this way, if the current does not flow at all, the circuit is determined to be open, and if the current flows more than the normal value, the circuit can be determined to be shorted.

이때, 상기 가변 직류 전압원(140)에 의해 기판(50)에 인가되는 전압이 플라즈마(P)의 전위에 근접하도록 기판(50)에 인가되는 전압을 바이어스할 수 있다. 즉, 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압(VB) 사이의 전위차가 클수록 플라즈마(P)의 전자 또는 이온은 기판(50) 상부로 입사되기 어렵고, 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이 전위차에 따라 쉬스(S)의 저항 및 전류가 변한다는 것을 이용하여 기판(50)에 인가되는 전압을 바이어스할 수 있다. In this case, the voltage applied to the substrate 50 may be biased so that the voltage applied to the substrate 50 by the variable DC voltage source 140 approaches the potential of the plasma P. That is, as the potential difference between the potential of the plasma P and the voltage V B applied to the substrate 50 increases, electrons or ions of the plasma P are less likely to enter the upper portion of the substrate 50. The voltage applied to the substrate 50 may be biased by using the resistance and the current of the sheath S varying according to the potential difference between the potential and the voltage applied to the substrate 50.

상기 장치를 이용하여 기판(50)의 회로를 전기적으로 측정하는 방법 및 측정 결과를 보다 자세히 설명하기 위하여 도 2 내지 도 4를 참고하기로 한다.Reference will be made to FIGS. 2 to 4 to describe in detail the method of measuring the circuit of the substrate 50 and the measurement result using the apparatus.

상기 기판(50)의 회로를 전기적으로 측정하기 위하여 공정챔버(110) 내에 기판(50)을 제공하게 된다(S410). 공정챔버(110) 내에 기판(50)이 제공되면, 공정챔버(110) 내부에 반응가스를 공급하여(S420) 플라즈마(P)를 발생시키게 된다(S430). In order to electrically measure the circuit of the substrate 50, the substrate 50 is provided in the process chamber 110 (S410). When the substrate 50 is provided in the process chamber 110, the reaction gas is supplied into the process chamber 110 (S420) to generate a plasma P (S430).

이때, 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차를 조절하게 되는데(S440), 기판(50)에 인가되는 전압은 최대 플라즈마(P)의 전위에 근접하도록 조절될 수 있다(S450). At this time, the potential difference between the potential of the plasma P and the voltage applied to the substrate 50 is adjusted (S440). The voltage applied to the substrate 50 may be adjusted to be close to the potential of the maximum plasma P. There is (S450).

상기 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차의 변화에 따라 플라즈마(P)와 기판(50) 사이에 형성되는 쉬스(S)의 저항 및 전류가 종속적으로 변하는 것을 통해 기판(50)에 형성된 회로의 불량 여부를 전기적으로 검사하게 된다.The resistance and current of the sheath S formed between the plasma P and the substrate 50 vary depending on the change in the potential difference between the potential of the plasma P and the voltage applied to the substrate 50. The circuit formed on the substrate 50 is electrically inspected for defects.

즉, 앞서 설명한 바와 같이 기판(50)에 인가하는 전압을 변화시키면 쉬스(S)의 저항 또는 전류값이 변화하게 된다. 이와 같이 저항 또는 전류값이 변화된 쉬스(S)를 통해 플라즈마(P) 내에 형성된 전자 또는 이온이 기판(50) 상부로 입사하면 입사된 플라즈마(P)의 전자 또는 이온이 기판(50) 회로를 통과하는 정도를 측정하게 된다. That is, as described above, when the voltage applied to the substrate 50 is changed, the resistance or current value of the sheath S is changed. As such, when electrons or ions formed in the plasma P enter the upper portion of the substrate 50 through the sheath S having a changed resistance or current value, the electrons or ions of the incident plasma P pass through the circuit of the substrate 50. Will be measured.

이때, 기판(50)에 형성된 회로에는 정상, 개방(open_ 회로가 떨어진 상태), 단락(short_ 두 개 이상의 회로가 연결된 상태) 및 미세 개방부(두 개 이상의 회로가 미세하게 연결된 부위) 발생이 가능하며, 각각의 경우에 대해서 회로를 통과하는 전류값을 측정하고(S460), 측정된 전류값을 통해 회로의 불량의 종류 및 불량의 정도를 검사할 수 있다(S470). At this time, the circuit formed on the substrate 50 can generate a normal, open (open_ circuit separated), short circuit (short_ two or more circuits connected) and fine openings (sites where two or more circuits are finely connected). In each case, the current value passing through the circuit may be measured (S460), and the type and the degree of the defect of the circuit may be inspected through the measured current value (S470).

여기서, 기판(50)에 형성된 회로의 불량 여부에 따라 회로를 통과하는 전류가 변화는 정도는 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 커지게 된다. Here, the degree of change in the current passing through the circuit depending on whether the circuit formed on the substrate 50 is defective increases as the potential difference between the potential of the plasma P and the voltage applied to the substrate 50 decreases.

도 3을 참고하면, 기판(50)에 인가되는 전압(VB)이 플라즈마(P) 전위인 15V와 근접하게 증가함에 따라, 회로의 불량 여부 또는 불량 종류에 따른 회로의 전류변화가 나타남을 알 수 있다. Referring to FIG. 3, it can be seen that as the voltage V B applied to the substrate 50 increases close to 15 V, which is the plasma P potential, the current change of the circuit appears according to whether or not the circuit is defective. Can be.

또한, 도 2를 참고하면, 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 쉬스(S)의 저항(도 2의 검은색 그래프 참조)이 작아지고 정상 회로 대비 미세 개방부가 존재하는 회로의 전류 변화가 증가(도 2의 파란색 그래프 참조)하는 것을 알 수 있는데, 쉬스(S) 저항이 작아짐에 따라 정상 회로 대비 미세 개방부 존재 회로의 전류 변화가 커지는 것을 이용하여 기판(50)에 형성된 회로의 미세 개방부 존재 여부를 검출할 수 있다. Also, referring to FIG. 2, as the potential difference between the potential of the plasma P and the voltage applied to the substrate 50 decreases, the resistance of the sheath S (see the black graph of FIG. 2) decreases and the normal circuit is performed. It can be seen that the current change of the circuit having the contrast microopening increases (see the blue graph in FIG. 2). As the sheath (S) resistance decreases, the current change of the circuit having the microopening compared to the normal circuit increases. The presence of the minute openings in the circuit formed on the substrate 50 can be detected.

보다 자세하게, 동일한 플라즈마 조건에서 기판(50)에 인가하는 전압에 따라 플라즈마(P) 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차가 변하게 되고, 이에 따라 쉬스(S)의 저항 및 전류값이 변할 수 있다. 즉, 가변 직류 전압원(140)의 전압을 변화시켜 기판(50)에 인가하는 전압을 조절하면 쉬스(S)가 발생하는 조건이 변화하기 때문에 쉬스(S)의 저항 및 전류값이 변화하게 된다.In more detail, the potential difference between the plasma P potential and the voltage applied to the substrate 50 changes according to the voltage applied to the substrate 50 under the same plasma condition, and thus the resistance and current value of the sheath S are changed. Can change. That is, when the voltage applied to the substrate 50 is adjusted by changing the voltage of the variable DC voltage source 140, the condition of the generation of the sheath S changes, so that the resistance and current values of the sheath S change.

상기 쉬스(S)의 저항 및 전류값에 의해 기판(50)에 형성된 회로의 전류 및 전압값이 변화될 수 있다. 이때, 설명의 편의상 전기검사유닛(150)에서 측정하는 회로의 전류 또는 전압값 중 전류값을 측정하는 예를 들기로 한다. The current and voltage values of the circuit formed on the substrate 50 may be changed by the resistance and current values of the sheath S. At this time, for convenience of description, an example of measuring the current value of the current or voltage value of the circuit measured by the electrical inspection unit 150 will be given.

다시 도면을 참고하면, 도 1의 회로(c)를 정상 회로라고 하고, 플라즈마(P)의 전위가 약 15V일 때, 회로(c)에서 측정되는 전류의 값을 0.35A라고 가정한다. Referring back to the drawings, it is assumed that the circuit c of FIG. 1 is a normal circuit, and when the potential of the plasma P is about 15V, the value of the current measured in the circuit c is 0.35A.

상기 회로(c)를 기준으로 회로(a)와 회로(b)는 서로 연결된 상태(short)이며, 상기 회로(a)와 회로(b)는 서로 연결되어 있기 때문에 회로(a)나 회로(b)에서 측정되는 전류값은 회로(c)에 비하여 크게 증가될 것이다. The circuit (a) and the circuit (b) are connected to each other (short) based on the circuit (c). Since the circuit (a) and the circuit (b) are connected to each other, the circuit (a) or the circuit (b) is connected. The current value measured at C) will be greatly increased compared to the circuit (c).

또한, 회로(e)는 개방된 상태(open)이라고 하며, 회로(e)는 끊어져 있는 회로이기 때문에 측정되는 전류값은 0이 될 것이다. In addition, the circuit e is called an open state, and since the circuit e is a broken circuit, the measured current value will be zero.

이와 다르게 회로(d)는 미세하게 연결된 부위가 있는 상태 즉, 미세 개방부가 존재하는 상태로서, 실질적으로 회로(d) 는 끊어진 상태가 아니기 때문에 각 회로의 전류값을 측정할 경우 0.35A에 유사한 전류값으로 측정되어, 마치 불량이 아닌 것으로 검사될 수 있다. 하지만, 기판(50)의 전압을 플라즈마(P) 전위에 근접하도록 바이어스함에 따라, 미세 개방부가 존재하는 회로(d)의 전류값은 정상 회로의 전류값에 대해 변화가 큰 것을 알 수 있다(도 2 참조). In contrast, the circuit (d) is a state in which there are minutely connected portions, that is, a state in which the micro-opening is present. Since the circuit (d) is not actually broken, the current similar to 0.35A is measured when the current value of each circuit is measured. Measured by value, it can be checked as if it is not bad. However, as the voltage of the substrate 50 is biased to be close to the plasma P potential, it can be seen that the current value of the circuit d in which the micro-opening part is present varies greatly with the current value of the normal circuit (Fig. 2).

예시적으로 미세 개방부가 존재하는 회로의 저항이 0.1옴인 경우 정상회로의 전류값과 거의 유사하게 측정되다가 기판(50)에 인가되는 전압값이 플라즈마 전위인 15V에 근접할수록 정상 회로에서 측정되는 전류값보다 작은 값으로 측정됨을 알 수 있다. 따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(50)에 인가되는 전압값이 플라즈마 전위에 근접할수록 정상 회로 전류 대비 미세 개방부 존재 회로의 전류 변화가 커짐을 알 수 있다.For example, when the resistance of the circuit having the micro-opening part is 0.1 ohm, the measurement is almost similar to the current value of the normal circuit. However, as the voltage applied to the substrate 50 approaches 15V, which is the plasma potential, the current value measured in the normal circuit. It can be seen that it is measured with a smaller value. Therefore, as shown in FIG. 3, it can be seen that as the voltage value applied to the substrate 50 approaches the plasma potential, the current change of the fine opening part present circuit increases as compared with the normal circuit current.

또한, 미세 개방부 존재 회로의 저항이 0.3옴인 경우 상기 0.1옴인 경우보다 전류값이 작게 측정되는데, 마찬가지로 기판(50)에 인가하는 전압을 플라즈마(P) 전위 근처로 바이어스하면 기판(50)에 형성된 회로 저항 대비 쉬스(S) 저항이 작아지므로 기판 전압이 증가함에 따란 정상 회로 대비 미세 개방부 존재 회로의 전류 변화가 증가함을 알 수 있다. 미세 개방부 존재 회로의 저항이 0.5옴인 경우도 마찬가지의 결과를 보임을 알 수 있다.In addition, when the resistance of the micro-opening presence circuit is 0.3 ohms, the current value is measured smaller than that of the 0.1 ohms. Similarly, when the voltage applied to the substrate 50 is biased near the plasma P potential, it is formed on the substrate 50. Since the sheath (S) resistance is smaller than the circuit resistance, as the substrate voltage increases, the current change of the circuit having the micro-opening portion increases with respect to the normal circuit. It can be seen that the same result is obtained when the resistance of the micro-opening presence circuit is 0.5 ohm.

여기서, 도 3의 결과를 참조하면, 회로가 완전히 끊어진 개방(open) 상태의 경우에는 흐르는 전류가 없으므로 기판에 인가되는 전압이 증가하더라도 전류의 변화가 없게 된다. 반면, 회로가 단락(short)된 경우에는 가장 큰 전류 변화를 보임을 알 수 있다. 회로에 미세 개방부가 존재하는 경우에는 기판(50)에 인가되는 전압의 증가에 따른 전류의 변화가 완전 개방(open)과 단락(short) 사이에 있음을 알 수 있다. 즉, 도 3을 참조하면, 회로의 불량 종류에 따라서, 정상 회로 대비 불량 회로의 전류 변화 정도가 다름을 알 수 있고, 이러한 전류 변화의 상이함으로부터 불량의 종류를 판별해 낼 수 있다.Here, referring to the result of FIG. 3, since there is no current flowing in the open state in which the circuit is completely disconnected, there is no change of current even if the voltage applied to the substrate is increased. On the other hand, it can be seen that when the circuit is shorted, it shows the largest current change. In the case where the micro-opening part is present in the circuit, it can be seen that the change of the current due to the increase of the voltage applied to the substrate 50 is between the fully open and the short. That is, referring to FIG. 3, it can be seen that the degree of change in the current of the defective circuit is different from that of the normal circuit according to the type of the defective circuit, and the type of the defect can be discriminated from the difference of the current change.

또한, 미세 개방부가 존재하는 경우에는 미세한 회로 저항 변화에서도 전류의 차이가 나타나기 때문에 미세 개방부가 존재하는 회로를 용이하게 검출할 수 있게 된다. In addition, in the case where the minute openings are present, the difference in current appears even in the minute circuit resistance change, so that the circuit in which the minute openings exist can be easily detected.

한편, 회로의 불량 종류 또는 불량 여부를 보다 정확하게 판별하기 위해서는 기판(50)에 인가되는 전압을 플라즈마 전위에 최대한 근접시킨 상태에서 전류의 변화를 측정하는 것이 바람직하다. 기판(50)에 인가되는 전압이 플라즈마 전위에 최대한 근접할수록 전류의 변화가 크고 보다 분명하게 나타나기 때문이다.On the other hand, in order to more accurately determine the type or the failure of the circuit, it is preferable to measure the change in the current in the state that the voltage applied to the substrate 50 as close as possible to the plasma potential. This is because the closer the voltage applied to the substrate 50 is as close as possible to the plasma potential, the larger the change in current and the more apparent it is.

상기 구성으로 기판(50)에 형성된 회로 중 미세 개방부가 존재하는 회로를 검출할 수 있기 때문에 미세 개방부가 존재하는 회로가 구비된 제품이 완성되어 추후 제품의 주변 환경에 따라 미세 개방부가 개방(open)되어 회로 불량을 초래할 수 있는 잠재적 불량을 미연에 방지함으로써 제품의 신뢰성이 향상될 수 있다. Since the circuit having the micro-opening part can be detected among the circuits formed on the substrate 50 with the above configuration, the product having the circuit having the micro-opening part is completed, and the micro-opening part is opened according to the surrounding environment of the product later. The reliability of the product can be improved by preventing potential defects that can lead to circuit failures.

또한, 기판(50)에 인가하는 전압값을 플라즈마 전위인 약 15V와 근접하도록 바이어스함으로써, 낮은 전압으로도 기판(50)의 회로를 측정할 수 있기 때문에 기판 손상을 방지할 수 있다. Further, by biasing the voltage value applied to the substrate 50 to approximately 15 V, which is the plasma potential, the circuit of the substrate 50 can be measured even at a low voltage, thereby preventing damage to the substrate.

더불어, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마는 원거리 타입으로 균일한 고밀도의 플라즈마를 발생시켜 기판의 전기검사 유무에 상관없이 기판(50) 표면에 플라즈마 처리가 가능하고 발생한 플라즈마(P)에 의하여 기판(50) 표면의 세정작업이 이루어질 수 있다. In addition, the plasma according to the embodiment of the present invention generates a uniform high density plasma in a distant type and enables plasma treatment on the surface of the substrate 50 regardless of the presence or absence of electrical inspection of the substrate. 50) Surface cleaning can be done.

상기에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 검사 방법이 인쇄회로기판에 적용되는 경우에 대해서 설명하였으나 반드시 이에 국한되는 것은 아니며, 플렉서블 기판(flexible substrate), HDI(High Density Interconnection) PCB, FCB(Flip chip BGA), BGA(Ball grid Array), CSP(Chip scaled package) 또는 차세대 임베디드 기판(embedded substrate) 등에도 적용될 수 있으며, 반도체 후공정 전기검사 또는 플라즈마 설비 처리 등에서 적용될 수 있을 것이다.In the above, the case in which the substrate inspection apparatus and the inspection method using the plasma according to an embodiment of the present invention are applied to a printed circuit board has been described, but is not necessarily limited thereto, and is a flexible substrate and a high density interconnection (HDI). ) It can be applied to PCB, flip chip BGA (FCB), ball grid array (BGA), chip scaled package (CSP), or next-generation embedded substrate, etc. will be.

이상과 같이 본 발명의 실시예에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다. As described above, the embodiments of the present invention have been described by specific embodiments, such as specific components, and limited embodiments and drawings, but these are provided only to help a more general understanding of the present invention, and the present invention is limited to the above embodiments. Various modifications and variations can be made by those skilled in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, belong to the scope of the present invention .

100: 기판 검사 장치 110: 공정챔버
120: 가스공급유닛 130: 펌핑시스템
140: 가변 직류 전압원 150: 전기검사유닛
160: 매칭네트워크 170: 플라즈마 발생부100: substrate inspection apparatus 110: process chamber
120: gas supply unit 130: pumping system
140: variable DC voltage source 150: electrical inspection unit
160: matching network 170: plasma generating unit

Claims (16)

삭제delete 플라즈마를 이용하여 기판을 검사하는 장치에 있어서,
상기 플라즈마가 생성되는 공간을 구비하여 내측으로 공급된 기판의 상부에 플라즈마 및 쉬스를 노출시키는 공정챔버;
상기 플라즈마 생성을 위해 상기 공정챔버의 내부에 반응가스를 공급하는 가스공급유닛;
상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 기판에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 측정하는 전기검사유닛; 및
상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절하기 위해 상기 기판의 하부에 바이어스를 인가하는 가변 직류 전압원;
을 포함하되,
상기 전기검사유닛은, 상기 기판의 하부를 고정하는 치공구와, 상기 기판의 하부와 접촉하여 상기 회로의 전기 검사를 하는 검사핀과, 상기 회로와 전기적으로 연결되어 상기 회로의 전기적 불량을 연속적으로 측정하는 멀티플렉서를 포함하도록 구성되어, 상기 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 상기 기판 위에 형성된 상기 쉬스를 통해 상기 기판의 상부로 입사하여 상기 기판에 형성된 회로를 통과할 때의 전류 또는 전압을 측정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
In the apparatus for inspecting a substrate using a plasma,
A process chamber having a space in which the plasma is generated and exposing the plasma and the sheath on an upper portion of the substrate supplied inwardly;
A gas supply unit supplying a reaction gas into the process chamber to generate the plasma;
An electrical inspection unit positioned below the substrate and measuring a current or voltage of a circuit formed on the substrate; And
A variable direct current voltage source for applying a bias to a lower portion of the substrate to control a change in resistance and current of the sheath formed between the plasma and the substrate;
Including,
The electrical inspection unit includes a tool for fixing a lower portion of the substrate, an inspection pin for contacting the lower portion of the substrate to perform an electrical inspection of the circuit, and an electrical connection with the circuit to continuously measure electrical defects of the circuit. And a multiplexer configured to measure a current or voltage when electrons or ions formed in the plasma enter the upper portion of the substrate through the sheath formed on the substrate and pass through a circuit formed on the substrate. Substrate inspection apparatus using a plasma.
제2항에 있어서,
상기 가변 직류 전압원은 상기 기판에 인가되는 전압이 상기 플라즈마의 전위에 근접하도록 상기 기판에 인가되는 전압을 바이어스 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
The method of claim 2,
And the variable DC voltage source biases the voltage applied to the substrate such that the voltage applied to the substrate approaches the potential of the plasma.
플라즈마를 이용하여 기판을 검사하는 장치에 있어서,
상기 플라즈마가 생성되는 공간을 구비하여 내측으로 공급된 기판의 상부에 플라즈마 및 쉬스를 노출시키는 공정챔버;
상기 플라즈마 생성을 위해 상기 공정챔버의 내부에 반응가스를 공급하는 가스공급유닛;
상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 기판에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 측정하는 전기검사유닛; 및
상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절하기 위해 상기 기판의 하부에 바이어스를 인가하는 가변 직류 전압원;
을 포함하되,
상기 기판의 하부는 상기 기판에 형성된 회로의 전기 검사를 위한 치공구에 고정되되 상기 치공구의 검사핀이 연결되고,
상기 전기검사유닛은 상기 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 상기 기판 위에 형성된 상기 쉬스를 통해 상기 기판의 상부로 입사하여 상기 기판에 형성된 회로를 통과할 때의 전류 또는 전압을 측정하며,
상기 가변 직류 전압원은 상기 기판에 인가되는 전압이 상기 플라즈마의 전위에 근접하도록 상기 기판에 인가되는 전압을 바이어스 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
In the apparatus for inspecting a substrate using a plasma,
A process chamber having a space in which the plasma is generated and exposing the plasma and the sheath on an upper portion of the substrate supplied inwardly;
A gas supply unit supplying a reaction gas into the process chamber to generate the plasma;
An electrical inspection unit positioned below the substrate and measuring a current or voltage of a circuit formed on the substrate; And
A variable direct current voltage source for applying a bias to a lower portion of the substrate to control a change in resistance and current of the sheath formed between the plasma and the substrate;
Including,
The lower portion of the substrate is fixed to the tool for the electrical inspection of the circuit formed on the substrate, the test pin of the tool is connected,
The electrical inspection unit measures an electric current or voltage when electrons or ions formed in the plasma enter the upper portion of the substrate through the sheath formed on the substrate and pass through a circuit formed on the substrate,
And the variable DC voltage source biases the voltage applied to the substrate such that the voltage applied to the substrate approaches the potential of the plasma.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 클수록 상기 플라즈마의 전자는 상기 기판의 상부로 입사되기 어려운 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
The method according to claim 3 or 4,
The larger the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate, the electrons of the plasma are less likely to be incident on the upper portion of the substrate.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차에 따라 상기 쉬스의 저항 및 전류가 변하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
The method according to claim 3 or 4,
And a resistance and a current of the sheath vary according to a potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate.
제6항에 있어서,
상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 상기 쉬스의 저항이 작아지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
The method according to claim 6,
And the resistance of the sheath decreases as the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate decreases.
제7항에 있어서,
상기 전기검사유닛은,
상기 기판의 회로에 미세 개방부가 존재하는 경우에 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 상기 쉬스의 저항이 작아지고, 상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방부가 존재하는 경우의 전류가 작아지는 것을 이용하여 상기 기판에 형성된 회로의 미세 개방부 존재 여부를 검출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
The method of claim 7, wherein
The electrical inspection unit,
When the minute openings exist in the circuit of the substrate, the resistance of the sheath decreases as the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate decreases, and the current is compared with the case where the circuit formed on the substrate is normal. A substrate inspection apparatus using plasma, characterized by detecting the presence or absence of fine openings in a circuit formed on the substrate by using a decrease in current when the minute openings are present.
제8항에 있어서,
상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방부가 존재하는 경우의 전류 변화량은 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작을수록 커지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
9. The method of claim 8,
Substrate inspection apparatus using a plasma, characterized in that the amount of change in current when the minute opening is present compared to the current when the circuit formed on the substrate is normal, the smaller the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate. .
삭제delete 플라즈마를 이용하여 기판의 회로를 검사하는 방법에 있어서,
(a) 공정챔버 내에 기판을 제공하는 단계;
(b) 상기 공정챔버 내부에 반응가스를 공급하는 단계;
(c) 상기 공정챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 단계;
(d) 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차를 조절하는 단계; 및
(e) 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차의 변화에 따른 상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 통해 상기 기판에 형성된 회로를 전기적으로 검사하는 단계;
를 포함하되,
상기 (d) 단계는,
상기 플라즈마의 전위에 근접하도록 상기 기판에 인가되는 전압을 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
In the method of inspecting a circuit of a substrate using a plasma,
(a) providing a substrate in a process chamber;
(b) supplying a reaction gas into the process chamber;
(c) generating a plasma in the process chamber;
(d) adjusting a potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate; And
(e) electrically inspecting a circuit formed on the substrate through a change in the resistance and current of the sheath formed between the plasma and the substrate according to a change in the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate. ;
Including but not limited to:
The step (d)
And controlling the voltage applied to the substrate to approach the potential of the plasma.
제11항에 있어서,
상기 (e) 단계는,
상기 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 상기 쉬스의 저항 또는 전류의 변화에 따라 상기 기판의 상부로 입사하여 상기 회로를 통과하는 정도를 측정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
The method of claim 11,
In step (e),
And measuring the extent to which electrons or ions formed in the plasma enter the upper portion of the substrate and pass through the circuit according to a change in resistance or current of the sheath.
제12항에 있어서,
상기 (e) 단계에서,
상기 기판에 형성된 회로의 개방, 단락 또는 미세 개방부 존재 여부에 따라 상기 회로를 통과하는 전류가 변하는 정도를 이용하여 상기 기판을 검사하며,
상기 기판에 형성된 회로의 불량 여부에 따라 상기 회로를 통과하는 전류가 변하는 정도는 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 커지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
The method of claim 12,
In the step (e)
Inspecting the substrate using a degree to which a current passing through the circuit changes according to whether a circuit formed on the substrate is open, shorted, or has a micro-opening part,
The degree of change in the current passing through the circuit according to whether the circuit formed on the substrate is defective is increased as the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate becomes smaller.
제13항에 있어서,
상기 (e) 단계에서,
상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 상기 쉬스의 저항이 작아지고,
상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방부가 존재하는 경우의 전류가 감소하는 것을 이용하여 상기 기판에 형성된 회로의 미세 개방부 존재 여부를 검출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
The method of claim 13,
In the step (e)
As the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate becomes smaller, the resistance of the sheath becomes smaller,
A method for inspecting a substrate using plasma, which detects whether a micro-opening part is present in the circuit formed on the substrate by using a decrease in current when the micro-opening part exists compared to a current when the circuit formed on the substrate is normal. .
제14항에 있어서,
상기 (e) 단계에서,
상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방부가 존재하는 경우의 전류 변화량은 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작을수록 커지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
15. The method of claim 14,
In the step (e)
The amount of change in current when the micro-opening portion is present compared to the current when the circuit formed on the substrate is normal increases as the potential difference between the potential of the plasma and the voltage applied to the substrate increases. .
제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 표면을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
The method according to any one of claims 11 to 15,
And cleaning the surface of the substrate by using the plasma.
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WO2019212272A1 (en) * 2018-05-03 2019-11-07 한양대학교 산학협력단 Resistive switching memory having resistive switching layer, manufactured by sputtering method, and manufacturing method therefor

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080064241A (en) * 2007-01-04 2008-07-09 (주)아이씨디 Apparatus and method for detecting substrate demage

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080064241A (en) * 2007-01-04 2008-07-09 (주)아이씨디 Apparatus and method for detecting substrate demage

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101388145B1 (en) * 2013-05-22 2014-04-23 엠에스테크에스아이 주식회사 Chamber apparatus using gas
WO2019212272A1 (en) * 2018-05-03 2019-11-07 한양대학교 산학협력단 Resistive switching memory having resistive switching layer, manufactured by sputtering method, and manufacturing method therefor

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