KR102038532B1 - 표시 장치 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치 및 이를 제조하는 방법을 제공한다. 표시 장치는, 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 제1 전극 상에 배치되는 자발광 화소층, 자발광 화소층 상에 배치되는 제2 전극, 제2 전극 상에 배치되며, 보조 배선이 매립된 기판 및 기판 상에 배치되는 반사형 화소층을 포함한다.

Description

표시 장치 및 이를 제조하는 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 이를 제조하는 방법에 관련된 것으로, 더욱 상세하게는 자발형 화소층 및 반사형 화소층을 포함하는 표시 장치 및 이를 제조하는 방법에 관련된 것이다.
기존의 디스플레이 기술은 투과형 디스플레이, 자발광형 디스플레이 및 반사형 디스플레이로 구분될 수 있다. 투과형 디스플레이는 대표적으로 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display; TFTLD)가 있다. TFTLCD는 뛰어난 화질을 지니고 있어 TV, 모니터, 휴대폰 등에 널리 사용되며 디스플레이 시장을 주도하고 있다. 하지만, TFTLCD는 전력소모가 크고 유연(flexible)하지 못하다는 단점을 가지고 있다.
자발광형 디스플레이는 대표적으로 유기 발광 다이오드(Organic Light-emitting Didoes; OLED)와 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP)이 있다. 자발광형 디스플레이는 화소 자체에서 빛을 발광할 수 있기 때문에 응답속도가 빠르고 명암비가 높으며, LCD보다 색 재현성이 우수한 장점을 가지고 있다. 또한, 유기 발광 다이오드는 초박형 제작이 가능하여 유연 디스플레이 및 투명 디스플레이 등에 적용되고 있다.
반사형 디스플레이는 전기영동 디스플레이(Electrophoretic Display), 전기 습윤 디스플레이(Electro Wetting Display), 광결정성 디스플레이(Microelectromechanical System)등이 있다. 반사형 디스플레이는 햇빛, 조명 등의 외부광을 반사시켜 구동한다. 따라서, 반사형 디스플레이는 주변이 밝을수록 더욱 선명한 화질의 구현이 가능하며 외부광으로 구동하기 때문에 전력소비가 적은 장점이 있다. 하지만, 화질은 투과형 디스플레이와 자발광형 디스플레이보다 우수하지 않다.
투과형 디스플레이 및 자발광형 디스플레이는 실내 또는 어두운 곳에서는 선명한 화질을 가진다. 하지만, 야외 또는 밝은 곳에서는 시인성이 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 실내 및 실외에서 선명한 화면을 제공하고 에너지 소모량이 적은 디스플레이에 대한 연구가 진행되고 있다.
일 예로, 투명 OLED와 바탕 반사체 사이에 투명과 불투명 상태를 전환할 수 있는 스위칭 층이 있는 구조이다. 하지만, 스위칭 층이 화소별로 작동하는 것이 아니라 전체 화소에 대해 동일하게 작동하기 때문에 완전한 반사형 디스플레이가 아닌 반사 기능을 이용해 OLED 화면을 보완하는 역할에 머문다. 즉, 다양한 색상의 동영상 구현이 아니라 바탕화면 색이나 회사 로고 같이 단순한 색깔과 형태를 구현하는 것이다. 또한, 반사형 디스플레이가 결합된 대표적인 이중모드 디스플레이로는 투과형 디스플레이인 LCD와 반사소자를 결합한 형태의 투과반사형(transflective) 디스플레이가 있다. 이중모드 LCD 디스플레이의 구조는 일반적으로는 보통의 LCD와 동일한 구조에 거울 등의 반사 소자를 추가한 형태이다. 백라이트를 끄면 외부광이 액정(Liquid Crystal)을 통해 거울에서 반사되어 반사형 디스플레이로 작동하고 백라이트가 켜지면 일반 LCD와 동일하게 투과형 디스플레이고 작동한다. 그러나 액정을 기반으로 하였기 때문에 유연 디스플레이를 구현하기 어려운 점이 있다.
자발광 및 반사형 화소를 포함하는 이중모드 디스플레이를 제작하는 데 있어 자발광 화소 제작 후 그 상부에 순차적으로 반사형 화소를 제작할 경우, 반사형 화소 제작 공정 과정에서 하부 자발광 화소에 열화 등의 문제를 발생할 수 있어 각 화소를 접합하는 공정을 이용하는 것이 유리하다. 이러한 자발광 화소와 반사형 화소를 접합하는 데 있어 가장 중요한 부분은 접합면의 평탄도를 유지해야 한다. 반면, 이중모드 디스플레이의 상부 전극으로 유력한 카본계열 투명전극 및 무기계 투명전극의 경우 그 면저항이 높아 이를 대면적 패널에 도입하기 위해서는 저저항 보조 배선 등 면저항을 낮추기 위한 기술이 도입되어야 하는 실정이다. 하지만, 이러한 저저항 보조 배선이 도입될 경우 보조 배선의 높이만큼 단차가 발생하며, 이 단차로 인해 자발광 화소와 반사형 화소를 접합하는데 문제가 발생한다.
본 발명이 이루고자 하는 일 기술적 과제는 광학적 및 전기적 특성이 향상된 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 개념에 따른 일 실시예는 표시 장치를 제공한다. 상기 표시 장치는, 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 자발광 화소층; 상기 자발광 화소층 상에 배치되는 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 배치되며, 보조 배선이 매립된 기판; 및 상기 기판 상에 배치되는 반사형 화소층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly(ethyleneterephtalate), PET), 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(poly(ethylene naphthalate), PEN)을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 기판은 80% 이상의 투과도를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 자발형 화소층과 접하는 기판의 면의 평탄도는 5nm이하이고, 고저간(peak-to-valley)이 20nm 이하일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 보조 배선은 Al, Ag, Cr, Cu, AgNW, 탄소 섬유류 또는 그래핀(Graphene) 복합체를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 반사형 화소는 다수의 화소 패턴들을 포함하고, 상기 보조 배선은 인접한 화소 패턴들 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 보조 배선은 10ohm/sq 이하의 면저항을 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 보조 배선의 높이는 0.1 내지 10㎛이고, 폭은 약 0.1 내지 500㎛일 수 있다.
본 발명의 개념에 따른 다른 실시예는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 표시 장치의 제조 방법은, 지지 기판 상에 보조 배선들을 형성하는 단계; 상기 보조 배선들 사이를 매립하는 제1 기판을 형성하는 단계; 상기 제1 기판 상에 반사형 화소를 형성하는 단계; 상기 반사형 화소를 매립하는 제2 기판을 형성하는 단계; 상기 지지 기판을 제거하여 상기 보조 배선들의 일 측을 노출시키는 단계; 상기 보조 배선들의 일 측이 노출된 제1 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 박막 트랜지스터, 제2 전극 및 자발광 화소층을 순차적으로 적층하는 단계; 및 상기 자발광 화소층 상에 상기 제1 전극을 배치하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 지지 기판 상에 보조 배선들은 열 증착, 스퍼터링(sputtering) 또는 프린팅(printing) 공정을 통해 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 보조 배선들 사이를 매립하는 상기 제1 기판을 형성하는 단계는: 상기 보조 배선들이 형성된 지지 기판 상에 경화성 고분자를 코팅하는 단계; 및 상기 경화성 고분자를 경화시켜 제1 기판을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 반사형 화소를 매립하는 상기 제2 기판을 형성하는 단계는: 상기 반사형 화소가 형성된 제1 기판 상에 경화성 고분자를 코팅하는 단계; 및 상기 경화성 고분자를 경화시켜 제2 기판을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 개념에 따른 실시예들에 의하면, 보조 배선이 기판 내로 매몰된 형태를 가지며, 보조 배선이 매몰된 제1 기판의 면이 평탄함으로써, 보조 배선에 의한 단차 발생을 방지할 수 있다. 따라서, 반사형 화소부와 상기 자발형 화소부의 접합에서 문제가 발생하지 않을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
(표시 장치)
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치는, 트랜지스터부(100), 자발광 화소부(200) 및 반사형 화소부(300)를 포함할 수 있다.
상기 트랜지스터부(100)는 트랜지스터 기판(110) 상에 형성된 박막 트랜지스터(120), 상기 박막 트랜지스터(120)를 매립하는 층간 절연막(130) 및 상기 자발광 화소부(200)와 상기 박막 트랜지스터(120) 사이를 전기적으로 연결되는 콘택 플러그(140)를 포함할 수 있다. 상기 트랜지스터 기판(110)은 투명한 기판일 수 있다. 예컨대, 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 상기 층간 절연막(130)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 자발광 화소부(200)는 제1 전극(210), 자발광 화소층(220), 제2 전극(230), 보조 배선(240) 및 제1 기판(250)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(210)은 인듐 틴 옥사이드(ITO: Indium Tin Oxide), AgNW 등과 같은 금속 섬유, 또는 탄소 섬유, 그래핀(Graphene) 복합체 또는 전도성 고분자 소재 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 자발광 화소층(220)은 상기 제1 전극(210) 상에 배치되며, OLED(organic light emitting diode)를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(230)은 상기 자발광 화소층(220) 상에 배치되며, 상기 제1 전극(210)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 전극(230)은 ITO, AgNW 등과 같은 금속 섬유, 또는 탄소 섬유, 그래핀 복합체 또는 전도성 고분자 소재 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 보조 배선(240)은 상기 제2 전극(230) 상에 배치될 수 있다. 일 측면에 따르면, 보조 배선(240)의 면저항은 10ohm/sq 이하로 자발광 화소층(220)에서 일반적으로 사용되는 ITO 계열보다 낮은 값을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 보조 배선(240)은 Al, Ag, Cr 또는 Cu 등의 금속 계열 또는 AgNW 등과 같은 금속 섬유, 또는 탄소 섬유, 그래핀 복합체 중 적어도 하나를 포함할 수 수 있다. 일 측면에 따르면, 상기 보조 배선(240)은 약 0.1㎛ 내지 약 10㎛의 높이를 가지며 약 0.1㎛ 내지 500㎛의 폭을 가질 수 있다.
상기 보조 배선(240)은 다수 개이며, 상기 제1 기판(250)은 상기 다수의 보조 배선들(240) 사이를 매립하도록 상기 보조 배선들(240) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 기판(250)은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly(ethyleneterephtalate), PET), 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(poly(ethylene naphthalate), PEN)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 기판(250)은 약 80% 이상의 투과도를 가질 수 있다.
상기 제1 기판(250)은 상기 트랜지스터부(100)와 인접한 제1 면(252)과, 상기 제1 면(252)에 대향하는 제2 면(254)을 포함할 수 있다. 상기 제1 기판(250)의 제1 면(252)은 약 5nm 이하의 평탄도(rms roughness)와, 약 20nm 이하의 고저간(peak-to-valley)을 가질 수 있다.
이와 같이 상기 보조 배선(240)이 상기 제1 기판(250) 내로 매몰된 형태를 가질 수 있다. 상기 보조 배선(240)이 매몰된 제1 기판(250)의 제1 면(252)이 평탄함으로써, 보조 배선(240)에 의한 단차 발생을 방지할 수 있다. 따라서, 후속하여 설명되는 반사형 화소부(300)와 상기 자발광 화소부(200)의 접합에서 문제가 발생하지 않을 수 있다.
상기 반사형 화소부(300)는 반사형 화소층(310) 및 제2 기판(320)을 포함할 수 있다. 상기 반사형 화소층(310)은 다소의 화소 패턴들(312)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 보조 배선들(240) 각각은 인접한 두 개의 화소 패턴들(312) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 화소 패턴들(312) 각각은 반사형 광필터를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 반사형 광필터는, 패브리-페로(Fabry-Perot) 광필터, 광결정형 광필터, 흡수방식 광필터, 또는 반사체가 포함된 투과형 광필터를 포함할 수 있다. 상기 제2 기판(320)은 반사형 화소층(310)을 매립하면서 형성될 수 있다. 상기 제2 기판(320)은 상기 제1 기판(250)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 기판(320)은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly(ethyleneterephtalate), PET), 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(poly(ethylene naphthalate), PEN)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 기판(320)은 약 80% 이상의 투과도를 가질 수 있다.
(표시 장치의 제조 방법)
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 3 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 설명에서는 "제1" 및 "제2"라는 용어는 상기 설명된 것과의 일관성을 위하여 그 순서가 변경되어 표기될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 지지 기판(202) 상에 보조 배선들(240)을 형성할 수 있다.(단계 S1000) 상기 지지 기판(202) 상에 보조 배선들(240) 각각은 약 0.1㎛ 내지 약 10㎛의 높이와 약 0.1㎛ 내지 약 500㎛의 폭을 가질 수 있다.
상기 보조 배선들(240) 각각은 ITO보다 낮은 저항값을 가질 수 있다. 일 측면에 따르면, 상기 보조 배선(240)은 10ohm/sq 이하의 면저항이 작은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 보조 배선(240)은 Al, Ag, Cr 및 Cu와 같은 금속 또는 AgNW과 같은 금속 섬유류, 또는 탄소 섬유류 및 그래핀 복합체를 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 보조 배선(240)은 상기 지지 기판(202) 상에 열증착 또는 스퍼터링을 이용하여 형성될 수 있다. 다른 예로, 상기 보조 배선(240)이 용액일 경우 그라비어 프린팅(gravure printing), EHD(electrohydrodynamics) 또는 잉크 젯 프린팅과 같은 프린팅 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 지지 기판(202) 상에, 상기 보조 배선들(240) 사이를 매립하는 제1 기판(250)을 형성할 수 있다. (단계 S1100)
더욱 상세하게 설명하면, 상기 보조 배선들(240)이 형성된 지지 기판(202) 상에 경화성 고분자를 형성할 수 있다. 예컨대, 상기 경화성 고분자는 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly(ethyleneterephtalate), PET), 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(poly(ethylene naphthalate), PEN)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 경화성 고분자는 그라비어 프린팅, EHD 또는 잉크 젯 프린팅과 같은 프린팅 방법으로 상기 지지 기판(202) 상에 형성될 수 있다. 이어서, 상기 경화성 고분자를 경화시켜 제1 기판(250)을 형성할 수 있다.
일 측면에 따르면, 상기 제1 기판(250)은 약 80% 이상의 직접 투과도(direct transmittance)를 가질 수 있다. 한편, 상기 제1 기판(250)은 상기 지지 기판(202)에 인접한 제1 면(252)과, 상기 제1 면(252)에 대향하는 제2 면(254)을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 상기 제1 기판(250)의 제2 면(254) 상에 반사형 화소층(310)을 형성할 수 있다. (단계 S1200)
상기 반사형 화소층(310)은 다수의 화소 패턴들(312)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 화소 패턴들(312) 각각은 인접한 두 개의 보조 배선들(240) 사이에 배치되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 화소 패턴들(312) 각각은 반사형 광필터를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 반사형 광필터는 패브리-페로(Fabry-Perot) 광필터, 광결정형 광필터, 흡수방식 광필터, 및 반사체 중 하나를 포함할 수 있다.
도 2 및 도 6을 참조하면, 상기 제1 기판(250)의 제2 면(254) 상에 상기 반사형 화소층(310)을 매립하는 제2 기판(320)을 형성할 수 있다. (단계 S1300) 상기 제2 기판(320)은 상기 제1 기판(250)을 형성하는 공정과 실질적으로 동일한 공정을 형성될 수 있다. 따라서, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 2 및 도 7을 참조하면, 상기 지지 기판(202)은 상기 제1 기판(250)으로부터 제거할 수 있다. (단계 S1400)
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 지지 기판(202)이 제거된 제1 기판(250)의 제1 면(252)은 약 5nm 이하의 평탄도(rms roughness)를 가지며, 약 20nm 이하의 고저간(peak-to-valley)을 가질 수 있다.
도 2 및 도 8을 참조하면, 상기 제1 기판(250)의 제1 면(252) 상에 제2 전극(230)을 형성할 수 있다. (단계 S1500)
상기 제2 전극(230)은 인듐 틴 옥사이드(ITO: Indium Tin Oxide), AgNW과 같은 금속 섬유, 탄소 섬유, Graphene 복합체 및 전도성 고분자 소재를 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 제2 전극(230)은 상기 제1 기판(250)의 제1 면(252) 상에 열증착 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있다. 다른 예로, 상기 제2 전극(230)이 용액일 경우, 그라비어 프린팅, EHD 또는 잉크 젯 프린팅과 같은 프린팅 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
도 2 및 도 9를 참조하면, 트랜지스터부(100) 상에 제1 전극(210) 및 자발광 화소층(220)을 형성할 수 있다. (단계 S1600)
더욱 상세하게, 트랜지스터 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(120)를 형성할 수 있다. 상기 트랜지스터 기판(110)은 투명한 기판일 수 있다. 예컨대, 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(120)가 형성된 트랜지스터 기판(110) 상에 층간 절연막(130)을 형성할 수 있다. 이어서, 상기 층간 절연막(130)을 관통하며 상기 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결되는 콘택 플러그(140)를 형성할 수 있다. 상기 제1 전극(210)은 상기 콘택 플러그(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(210)은 상기 제1 전극(210)의 형성 방법과 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다. 따라서, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 제1 전극(210) 상에 상기 자발광 화소층(220)을 형성할 수 있다. (단계 S1700) 상기 자발광 화소층(220)은 OLED(organic light emitting diode)를 포함할 수 있다.
도 2 및 도 10을 참조하면, 상기 자발광 화소층(220) 상에 상기 제2 전극(230)을 접착할 수 있다. 이로써, 자발광 화소부(200) 및 반사형 화소부(300)를 포함하는 표시 장치를 완성할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 트랜지스터부
120: 박막 트랜지스터
200: 자발광 화소부
210: 제1 전극
220: 자발광 화소층
230: 제2 전극
240: 보조 배선
250: 제1 기판
300: 반사형 화소부
310: 반사형 화소층
320: 제2 기판

Claims (12)

  1. 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 자발광 화소층;
    상기 자발광 화소층 상에 배치되는 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 배치되며, 보조 배선들이 매립된 기판; 및
    상기 기판 상에 배치되는 반사형 화소층을 포함하되,
    상기 반사형 화소층은 화소 패턴들을 포함하고,
    상기 화소 패턴들 사이에 홈부들이 제공되고,
    상기 보조 배선들은 상기 홈부들과 각각 수직적으로 중첩되는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly(ethyleneterephtalate), PET), 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(poly(ethylene naphthalate), PEN)을 포함하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 80% 이상의 투과도를 갖는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 자발광 화소층과 접하는 기판의 면의 평탄도는 5nm이하이고, 고저간(peak-to-valley)이 20nm 이하인 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 보조 배선들은 Al, Ag, Cr, Cu, AgNW, 탄소 섬유 또는 그래핀(Graphene) 복합체를 포함하는 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 보조 배선들은 10ohm/sq 이하의 면저항을 갖는 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 보조 배선들의 높이는 0.1 내지 10㎛이고, 폭은 0.1 내지 500㎛인 표시 장치.
  9. 지지 기판 상에 보조 배선들을 형성하는 단계;
    상기 보조 배선들 사이를 매립하는 제1 기판을 형성하는 단계;
    상기 제1 기판 상에 반사형 화소를 형성하는 단계;
    상기 반사형 화소를 매립하는 제2 기판을 형성하는 단계;
    상기 지지 기판을 제거하여 상기 보조 배선들의 일 측을 노출시키는 단계;
    상기 보조 배선들의 일 측이 노출된 제1 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    박막 트랜지스터, 제2 전극 및 자발광 화소층을 순차적으로 적층하는 단계; 및
    상기 자발광 화소층 상에 상기 제1 전극을 배치하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 지지 기판 상에 보조 배선들은 열 증착, 스퍼터링(sputtering) 또는 프린팅(printing) 공정을 통해 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 보조 배선들 사이를 매립하는 상기 제1 기판을 형성하는 단계는:
    상기 보조 배선들이 형성된 지지 기판 상에 경화성 고분자를 코팅하는 단계; 및
    상기 경화성 고분자를 경화시켜 제1 기판을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 반사형 화소를 매립하는 상기 제2 기판을 형성하는 단계는:
    상기 반사형 화소가 형성된 제1 기판 상에 경화성 고분자를 코팅하는 단계; 및
    상기 경화성 고분자를 경화시켜 제2 기판을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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