KR102030914B1 - Substrate treatment device - Google Patents

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가즈히로 후지타
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Abstract

기판 처리 장치에서는, 처리액 공급부에 의해 토출부 (41) 에 처리액이 공급되고, 토출부 (41) 의 토출구 (411) 로부터 기판을 향하여 처리액이 토출된다. 토출부 (41) 에서는, 접액면 (45) 이 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되고, 접액면 (45) 중 토출구 (411) 를 갖는 선단부 (42) 에 있어서의 선단 접액면 (451) 이 도전성을 갖는다. 선단 접액면 (451) 은, 접지부 (5) 에 의해 전기적으로 접지된다. 이로써, 처리액을 보다 확실하게 제전함과 함께, 기판의 금속 오염을 방지할 수 있다.In the substrate processing apparatus, the processing liquid is supplied to the discharge part 41 by the processing liquid supply part, and the processing liquid is discharged toward the substrate from the discharge port 411 of the discharge part 41. In the discharge part 41, the liquid contact surface 45 is formed of the material which does not contain a metal, and the front liquid contact surface 451 in the tip part 42 which has the discharge port 411 among the liquid contact surfaces 45 is electroconductive. Has The tip liquid contact surface 451 is electrically grounded by the ground portion 5. As a result, the treatment liquid can be more positively prevented and metal contamination of the substrate can be prevented.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT DEVICE}Substrate Processing Unit {SUBSTRATE TREATMENT DEVICE}

본 발명은, 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

기판을 향하여 처리액을 토출하는 기판 처리 장치에서는, 내약품성을 갖는 재료, 예를 들어 불소 수지로 형성된 배관이 이용된다. 이와 같은 배관의 표면은, 예를 들어 마이너스의 전하로 대전되기 때문에, 유도 대전에 의해 당해 배관을 흐르는 처리액의 전자가 유리 (遊離) 된다. 유리된 전하를 함유하는 처리액, 즉, 대전된 처리액은 토출구로 이동하여, 기판을 향하여 토출된다. 그 결과, 처리액과 기판의 전위차에 의한 방전에 의해, 기판 상의 막이나 회로 패턴 등의 파괴가 발생한다. 처리액의 대전은, 처리액 자체나, 처리액과 배관의 마찰에 의해서도 발생한다. 이와 같은 정전 파괴의 발생은, 제품 디바이스의 수율을 저하시키기 때문에 큰 문제가 된다. 그래서, 일본 공개특허공보 2006-269677호 (문헌 1) 에서는, 탱크, 필터 박스, 매니폴드 등에 있어서, 처리액에 접촉하는 탄소 전극을 형성하고, 탄소 전극을 접지함으로써, 처리액의 대전을 방지하는 수법이 제안되어 있다. 또, 일본 공개특허공보 2007-234814호 (문헌 2) 에서는, 처리액이 유통 가능한 석영관을 접지함으로써, 처리액이 석영관과 접액했을 때에, 처리액에 띠고 있는 전하를 제거하는 수법이 제안되어 있다.In the substrate processing apparatus which discharges a process liquid toward a board | substrate, the pipe | tube formed from the material which has chemical resistance, for example, a fluororesin, is used. Since the surface of such a pipe | tube is charged with negative electric charge, for example, the electron of the process liquid which flows through this pipe | tube is liberated by induction charging. The processing liquid containing free charge, that is, the charged processing liquid moves to the discharge port and is discharged toward the substrate. As a result, destruction of a film, a circuit pattern, etc. on a board | substrate arises by discharge by the potential difference of a process liquid and a board | substrate. The charging of the treatment liquid also occurs due to the friction between the treatment liquid itself and the treatment liquid and the pipe. The occurrence of such electrostatic breakage is a major problem because it lowers the yield of the product device. So, in Japanese Patent Laid-Open No. 2006-269677 (Document 1), in a tank, a filter box, a manifold, or the like, a carbon electrode in contact with the processing liquid is formed, and the carbon electrode is grounded to prevent charging of the processing liquid. A technique has been proposed. In addition, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2007-234814 (Document 2) proposes a method of removing an electric charge from a processing liquid when the processing liquid comes into contact with the quartz tube by grounding a quartz tube through which the processing liquid can flow. have.

또한, 일본 공개특허공보 2003-278972호에서는, 도전성 배관을 어스에 접속함으로써, 도전성 배관 내를 폴리머 제거액이 유통할 때의 마찰 대전에 의한 발화가 방지된다. 또, 일본 공개특허공보 평10-270407호에서는, 세정수를 분사하는 세공을 형성하는 스프레이 팁의 재질을 소결 다이아몬드로 함으로써, 정전기의 발생 및 분사구의 확대가 방지된다.Moreover, in JP-A-2003-278972, ignition due to frictional charging when the polymer removal liquid flows through the conductive pipe is prevented by connecting the conductive pipe to the earth. Moreover, in JP-A-10-270407, generation of static electricity and expansion of the injection port are prevented by using sintered diamond as the material of the spray tip forming the pores for spraying the washing water.

그런데, 발포성의 처리액이나 기포가 혼입된 처리액이, 예를 들어 토출부의 근방에 있어서의 가는 유로를 흐를 때에는, 기포에 의해 액의 연속성이 없어지는 경우가 있다. 이 경우, 토출구로부터 떨어진 위치에 형성되는 부재에 의해 제전을 실시하는 상기 문헌 1 및 2 의 수법으로는, 토출되는 처리액의 제전이 곤란해진다.By the way, when the foaming process liquid and the process liquid mixed with the bubble flow the thin flow path in the vicinity of the discharge part, for example, the continuity of the liquid may be lost due to the bubble. In this case, with the method of the said documents 1 and 2 which perform static elimination with the member formed in the position away from a discharge port, electrostatic discharge of the process liquid discharged becomes difficult.

한편, 기판의 처리에서는, 기판의 금속 오염을 방지하는 것이 매우 중요하다. 도전성 수지 등을 포함하는 배관을 이용하는 경우여도, 도전성 수지 등은 미량의 금속을 함유하기 때문에, 기판의 종류에 따라서는, 금속 오염이 문제가 된다. 소결 다이아몬드도, 통상적으로 바인더 등으로서 미량의 금속을 함유한다.On the other hand, in the treatment of the substrate, it is very important to prevent metal contamination of the substrate. Even when the piping containing conductive resin etc. is used, since conductive resin contains a trace amount of metal, metal contamination becomes a problem according to the kind of board | substrate. Sintered diamond also usually contains a trace amount of metal as a binder or the like.

본 발명은, 기판 처리 장치용으로서, 처리액을 보다 확실하게 제전함과 함께, 기판의 금속 오염을 방지하는 것을 목적으로 하고 있다.An object of the present invention is to use a substrate processing apparatus for more positively eliminating the process liquid and to prevent metal contamination of the substrate.

본 발명에 관련된 기판 처리 장치는, 접액면이 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되고, 상기 접액면 중 토출구를 갖는 선단부에 있어서의 선단 접액면이 도전성을 갖고, 상기 토출구로부터 처리액을 기판을 향하여 토출하는 토출부와, 상기 토출부에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 선단 접액면을 전기적으로 접지하는 접지부를 구비한다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the liquid contact surface is formed of a material that does not contain metal, and the liquid contact surface at the distal end portion of the liquid contact surface having a discharge port is conductive, and the processing liquid is directed toward the substrate from the discharge port. And a discharge part for discharging, a processing liquid supply part for supplying the processing liquid to the discharge part, and a ground part for electrically grounding the tip liquid contact surface.

본 발명에 의하면, 처리액을 보다 확실하게 제전함과 함께, 기판의 금속 오염을 방지할 수 있다.According to the present invention, the treatment liquid can be more positively charged and metal contamination of the substrate can be prevented.

바람직하게는, 상기 선단 접액면이 유리상 카본으로 형성된다.Preferably, the tip contact surface is formed of glassy carbon.

본 발명의 하나의 바람직한 형태에서는, 상기 토출부에 있어서 상기 선단부를 포함하는 부위가, 도전성 재료에 의해 하나로 연결된 부재로서 형성되어 있고, 상기 접지부가 갖는 접지선이, 상기 부재에 직접 접속된다. 이 경우에, 보다 바람직하게는, 기판 처리 장치가, 상기 토출부를 지지하는 아암과, 상기 아암에 지지됨과 함께, 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되는 보호 튜브를 추가로 구비하고, 상기 접지선이 상기 보호 튜브 내에 배치된다.In one preferable aspect of the present invention, a portion including the tip portion in the discharge portion is formed as a member connected by one with a conductive material, and a ground wire included in the ground portion is directly connected to the member. In this case, More preferably, the substrate processing apparatus further includes an arm for supporting the discharge portion, and a protective tube formed of a material that is supported by the arm and does not contain a metal, and the ground wire further comprises Disposed within the protective tube.

본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 토출부가, 외주면의 적어도 일부에 길이 방향으로 연속되는 도전부를 갖는 접속 튜브를 구비하고, 상기 접속 튜브의 일단이 상기 선단부에 접속됨으로써, 상기 도전부가 상기 선단 접액면에 전기적으로 접속되고, 상기 처리액 공급부에 의해 상기 접속 튜브의 타단에 상기 처리액이 공급되고, 상기 접지부가, 상기 선단부로부터 떨어진 위치에 있어서, 상기 접속 튜브의 상기 도전부를 전기적으로 접지한다. 이 경우에, 보다 바람직하게는, 상기 접속 튜브가 통상 (筒狀) 의 상기 선단부 내에 삽입됨으로써, 상기 도전부가 상기 선단 접액면에 전기적으로 접속된다.In another preferable aspect of the present invention, the discharge portion includes a connection tube having a conductive portion that is continuous in the longitudinal direction on at least a portion of the outer circumferential surface, and one end of the connecting tube is connected to the tip portion, whereby the conductive portion is the tip contact surface. The processing liquid is electrically connected to the other end of the connecting tube by the processing liquid supplying part, and the grounding part electrically grounds the conductive part of the connecting tube at a position away from the tip end part. In this case, More preferably, the said connection tube is inserted in the said tip part of the normal, and the said electroconductive part is electrically connected to the said tip contact surface.

상기 토출부가, 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되고, 적어도 상기 선단부의 근방에 있어서 상기 접속 튜브의 상기 외주면을 덮는 보호 튜브를, 상기 접속 튜브에 더하여 추가로 구비해도 된다. 상기 접속 튜브의 상기 외주면과 상기 보호 튜브의 내주면 사이에 환상 간극이 형성되는 것이 보다 바람직하다.The discharge portion may be formed of a material that does not contain a metal, and may further include a protection tube covering the outer circumferential surface of the connection tube at least in the vicinity of the tip portion, in addition to the connection tube. More preferably, an annular gap is formed between the outer circumferential surface of the connection tube and the inner circumferential surface of the protective tube.

본 발명의 하나의 국면에서는, 기판 처리 장치가, 상기 토출부와 상기 처리액 공급부를 접속하는 공급 라인과, 상기 공급 라인에 있어서의 회수 위치에 일단이 접속되는 회수 라인과, 상기 회수 라인에 형성된 이젝터를 갖고, 상기 공급 라인의 상기 회수 위치와 상기 토출부 사이에 존재하는 처리액을 회수하는 처리액 회수부를 추가로 구비한다.In one aspect of the present invention, a substrate processing apparatus includes: a supply line connecting the discharge portion and the processing liquid supply portion, a recovery line at which one end is connected to a recovery position on the supply line, and the recovery line; It further has a process liquid recovery part which has an ejector and collect | recovers the process liquid which exists between the said recovery position of the said supply line, and the said discharge part.

본 발명의 다른 국면에서는, 상기 토출부의 상기 토출구가, 상기 기판의 하나의 주면의 상방에서 상기 주면에 대향하고, 상기 토출구의 둘레 가장자리가, 상기 토출구 근방에 있어서의 상기 토출부의 최하점이다.In another situation of this invention, the said discharge port of the said discharge part opposes the said main surface above one main surface of the said board | substrate, and the peripheral edge of the said discharge port is the lowest point of the said discharge part in the vicinity of the said discharge port.

상기 서술한 목적 및 다른 목적, 특징, 양태 및 이점은, 첨부한 도면을 참조하여 이하에 실시하는 이 발명의 상세한 설명에 의해 분명해진다.The above-mentioned object and other object, a characteristic, an aspect, and an advantage become clear by the detailed description of this invention implemented below with reference to an accompanying drawing.

도 1 은 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는 토출 유닛을 나타내는 정면도이다.
도 3 은 토출부를 나타내는 단면도이다.
도 4 는 토출 유닛을 나타내는 평면도이다.
도 5a 는 비교예의 기판 처리 장치에 있어서의 처리액의 대전을 설명하기 위한 도면이다.
도 5b 는 비교예의 기판 처리 장치에 있어서의 처리액의 대전을 설명하기 위한 도면이다.
도 5c 는 비교예의 기판 처리 장치에 있어서의 처리액의 대전을 설명하기 위한 도면이다.
도 5d 는 비교예의 기판 처리 장치에 있어서의 처리액의 대전을 설명하기 위한 도면이다.
도 6 은 토출부의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 7 은 토출부의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 8 은 토출부의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.1 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus.
2 is a front view illustrating the discharge unit.
3 is a cross-sectional view showing the discharge portion.
4 is a plan view of the discharge unit.
It is a figure for demonstrating the charging of the process liquid in the substrate processing apparatus of a comparative example.
It is a figure for demonstrating the charging of the processing liquid in the substrate processing apparatus of a comparative example.
It is a figure for demonstrating the charging of the processing liquid in the substrate processing apparatus of a comparative example.
It is a figure for demonstrating the charging of the processing liquid in the substrate processing apparatus of a comparative example.
6 is a cross-sectional view showing another example of the discharge portion.
7 is a cross-sectional view showing still another example of the discharge portion.
8 is a cross-sectional view showing still another example of the discharge portion.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 구성을 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 대략 원판상의 반도체 기판 (9) (이하, 간단히 「기판 (9)」이라고 한다) 에 처리액을 공급하여 기판 (9) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다.FIG. 1: is a figure which shows the structure of the substrate processing apparatus 1 which concerns on one Embodiment of this invention. The substrate processing apparatus 1 is a sheet type apparatus which supplies a process liquid to the substantially disk-shaped semiconductor substrate 9 (henceforth simply "substrate 9"), and processes the board | substrate 9 one by one.

기판 처리 장치 (1) 는, 처리부 (2) 와, 처리액 공급 유닛 (3) 을 구비한다. 처리부 (2) 는, 유지부 (21) 와, 유지부 회전 기구 (22) 와, 토출 유닛 (4) 과, 컵 유닛 (23) 을 구비한다. 유지부 (21) 는, 기판 (9) 의 하나의 주면인 하면을 유지한다. 유지부 회전 기구 (22) 는, 기판 (9) 의 주면에 수직인 회전축을 중심으로 하여 유지부 (21) 를 회전시킨다. 토출 유닛 (4) 은, 기판 (9) 의 다른 주면인 상면을 향하여 처리액을 토출한다. 컵 유닛 (23) 은, 회전하는 기판 (9) 의 상면으로부터 비산하는 처리액을 받아, 처리액을 회수한다. 본 실시형태에 있어서의 처리액은 산성 또는 알칼리성의 약액이고, 도전성을 갖는다. 후술하는 바와 같이, 처리액은 도전성을 (거의) 갖지 않는 것이어도 된다. 토출 유닛 (4) 의 구조의 상세한 것에 대해서는 후술한다.The substrate processing apparatus 1 is provided with the processing part 2 and the processing liquid supply unit 3. The processing unit 2 includes a holding unit 21, a holding unit rotating mechanism 22, a discharge unit 4, and a cup unit 23. The holding part 21 holds the lower surface which is one main surface of the board | substrate 9. The holding part rotating mechanism 22 rotates the holding part 21 about the rotation axis perpendicular | vertical to the main surface of the board | substrate 9. As shown in FIG. The discharge unit 4 discharges the processing liquid toward the upper surface, which is another main surface of the substrate 9. The cup unit 23 receives the processing liquid scattering from the upper surface of the rotating substrate 9 and recovers the processing liquid. The treatment liquid in the present embodiment is an acidic or alkaline chemical liquid and has conductivity. As will be described later, the treatment liquid may not have (almost) conductivity. Details of the structure of the discharge unit 4 will be described later.

처리액 공급 유닛 (3) 은, 본체 박스 (31) 와, 공급 라인 (32) 과, 처리액 공급부 (33) 와, 회수 라인 (34) 과, 처리액 회수부 (35) 를 구비한다. 처리액 공급부 (33) 는, 처리액을 저류하는 처리액 탱크 (330) 를 구비한다. 공급 라인 (32) 은, 처리액 탱크 (330) 와 처리부 (2) 의 토출 유닛 (4) 을 접속한다. 처리액 공급부 (33) 는, 히터 (331) 와, 펌프 (332) 와, 필터 (333) 를 추가로 구비한다. 히터 (331), 펌프 (332) 및 필터 (333) 는, 처리액 탱크 (330) 로부터 토출 유닛 (4) 을 향하여, 이 순서로 공급 라인 (32) 에 형성된다. 히터 (331), 펌프 (332) 및 필터 (333) 는, 본체 박스 (31) 내에 배치된다. 히터 (331) 는, 공급 라인 (32) 을 흐르는 처리액을 소정의 온도로 가열한다. 펌프 (332) 는, 처리액 탱크 (330) 내의 처리액을 공급 라인 (32) 을 통하여 토출 유닛 (4) 으로 이송한다. 필터 (333) 는, 공급 라인 (32) 을 흐르는 처리액 중의 불요물을 제거한다.The processing liquid supply unit 3 includes a main body box 31, a supply line 32, a processing liquid supply part 33, a recovery line 34, and a processing liquid recovery part 35. The processing liquid supply part 33 includes a processing liquid tank 330 for storing the processing liquid. The supply line 32 connects the processing liquid tank 330 and the discharge unit 4 of the processing unit 2. The processing liquid supply part 33 further includes a heater 331, a pump 332, and a filter 333. The heater 331, the pump 332 and the filter 333 are formed in the supply line 32 in this order from the processing liquid tank 330 toward the discharge unit 4. The heater 331, the pump 332, and the filter 333 are disposed in the body box 31. The heater 331 heats the processing liquid flowing through the supply line 32 to a predetermined temperature. The pump 332 transfers the processing liquid in the processing liquid tank 330 to the discharge unit 4 via the supply line 32. The filter 333 removes unnecessary matters in the processing liquid flowing through the supply line 32.

처리부 (2) 의 근방에 있어서, 공급 라인 (32) 에는, 믹싱 밸브인 접속부 (39) 가 형성된다. 회수 라인 (34) 의 일단은 접속부 (39) 에 접속되고, 타단은 처리액 탱크 (330) 에 접속된다. 처리액 회수부 (35) 는, 이젝터 (351) 와 필터 (352) 를 구비한다. 이젝터 (351) 및 필터 (352) 는, 접속부 (39) 로부터 처리액 탱크 (330) 를 향하여, 이 순서로 회수 라인 (34) 에 형성된다. 접속부 (39) 는, 공급 라인 (32) 의 처리액 탱크 (330) 측의 부위와의 접속 위치에 제 1 밸브 (391) 를 갖고, 공급 라인 (32) 의 토출 유닛 (4) 측의 부위와의 접속 위치에 제 2 밸브 (392) 를 갖고, 회수 라인 (34) 과의 접속 위치에 제 3 밸브 (393) 를 갖는다. 도 1 에서는, 제 1 내지 제 3 밸브 (391 ∼ 393) 를 검은 점으로 나타내고 있다.In the vicinity of the processing unit 2, the supply line 32 is provided with a connecting portion 39 which is a mixing valve. One end of the recovery line 34 is connected to the connecting portion 39, and the other end is connected to the processing liquid tank 330. The processing liquid recovery part 35 includes an ejector 351 and a filter 352. The ejector 351 and the filter 352 are formed in the recovery line 34 in this order from the connecting portion 39 toward the processing liquid tank 330. The connection part 39 has the 1st valve 391 in the connection position with the site | part of the process liquid tank 330 side of the supply line 32, and the site | part of the discharge unit 4 side of the supply line 32, and It has a 2nd valve 392 in the connection position of, and has the 3rd valve 393 in the connection position with the recovery line 34. As shown in FIG. In FIG. 1, the 1st-3rd valves 391-393 are shown with black dots.

제 1 밸브 (391) 를 폐색하고, 또한 제 2 및 제 3 밸브 (392, 393) 를 개방한 상태에서, 이젝터 (351) 를 구동시킴으로써, 접속부 (39) 와 토출 유닛 (4) 사이에 존재하는 처리액이, 회수 라인 (34) 을 통하여 처리액 탱크 (330) 로 회수된다. 이와 같은 이젝터 (351) 의 흡인에 의한 처리액의 회수는, 석백이라고도 일컬어진다. 접속부 (39) 는, 공급 라인 (32) 에 있어서의 처리액의 회수 위치가 된다. 필터 (352) 에서는, 회수 라인 (34) 을 흐르는 처리액 중의 불요물이 제거된다. 또한, 회수 라인 (34) 의 접속부 (39) 와는 반대측의 단부는, 처리액 탱크 (330) 와는 상이한 회수 탱크에 접속되어도 된다.By operating the ejector 351 in a state where the first valve 391 is closed and the second and third valves 392 and 393 are opened, it is present between the connecting portion 39 and the discharge unit 4. The treatment liquid is recovered to the treatment liquid tank 330 through the recovery line 34. The recovery of the processing liquid by the suction of the ejector 351 is also referred to as stone bag. The connecting portion 39 becomes a recovery position of the processing liquid in the supply line 32. In the filter 352, the unnecessary matter in the processing liquid flowing through the recovery line 34 is removed. In addition, the edge part on the opposite side to the connection part 39 of the recovery line 34 may be connected to the recovery tank different from the process liquid tank 330.

도 2 는, 토출 유닛 (4) 을 나타내는 정면도이다. 토출 유닛 (4) 은, 처리부 (2) 에 있어서 기판 (9) 의 상방에 배치되는 토출부 (41) 를 구비한다. 토출부 (41) 는, 노즐부 (410) 와 접속 튜브 (44) 를 구비한다. 노즐부 (410) 는, 기판 (9) 의 상면의 상방에서 당해 상면을 향하여 개구하는 토출구 (411) 를 갖는다. 접속 튜브 (44) 는, 금속을 함유하지 않는 재료, 예를 들어, PFA (테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체) 나 PTFE (폴리테트라플루오로에틸렌) 등의 내약품성을 갖는 불소 수지로 형성된다. 바람직하게는, 접속 튜브 (44) 는, 당해 재료만에 의해 구성된다. 접속 튜브 (44) 의 일단은 노즐부 (410) 에 접속되고, 타단은 공급 라인 (32) 의 토출 유닛 (4) 측의 단부에 접속된다 (도 1 참조). 공급 라인 (32) 에 의해 토출부 (41) 와 처리액 공급부 (33) 가 접속되고, 토출부 (41) 에 처리액이 공급된다. 기판 (9) 의 처리시에는, 처리액이, 토출구 (411) 로부터 기판 (9) 의 상면을 향하여 연속적으로 토출된다. 본 실시형태에서는, 처리액은 토출구 (411) 에서 기판 (9) 의 상면까지 연속되는 기둥상으로 토출된다.2 is a front view illustrating the discharge unit 4. The discharge unit 4 is provided with the discharge part 41 arrange | positioned above the board | substrate 9 in the process part 2. The discharge part 41 is provided with the nozzle part 410 and the connection tube 44. The nozzle portion 410 has a discharge port 411 which opens toward the upper surface from above the upper surface of the substrate 9. The connection tube 44 is a material containing no metal, for example, fluorine having chemical resistance such as PFA (tetrafluoroethylene perfluoroalkyl vinyl ether copolymer) or PTFE (polytetrafluoroethylene). It is formed of resin. Preferably, the connection tube 44 is comprised only by the said material. One end of the connection tube 44 is connected to the nozzle portion 410, and the other end is connected to an end of the discharge unit 4 side of the supply line 32 (see FIG. 1). The discharge part 41 and the process liquid supply part 33 are connected by the supply line 32, and a process liquid is supplied to the discharge part 41. FIG. At the time of processing the substrate 9, the processing liquid is continuously discharged from the discharge port 411 toward the upper surface of the substrate 9. In this embodiment, the processing liquid is discharged in a columnar shape that continues from the discharge port 411 to the upper surface of the substrate 9.

도 3 은, 토출구 (411) 의 중심축을 포함하는 면에 의한 토출부 (41) 의 단면을 나타내는 도면이다. 도 3 에서는, 노즐부 (410) 근방만을 나타내고 있다. 노즐부 (410) 는, 내부 유로 (412) 를 갖는 본체부 (420) 와, 토출구 (411) 가 형성된 선단부 (42) 와, 본체부 (420) 의 주위를 덮는 커버부 (43) 를 구비한다. 커버부 (43) 는, 접속 튜브 (44) 의 단부가 장착되는 튜브 장착부 (431) 를 갖는다. 접속 튜브 (44) 로부터의 처리액은, 내부 유로 (412) 를 통하여 토출구 (411) 로 유도된다. 선단부 (42) 는, 커버부 (43) 의 하부보다 하방으로 돌출되는 환상 부위이다. 선단부 (42) 의 주위에는, 토출부 (41) 의 다른 부재는 배치되지 않는다. 따라서, 토출구 (411) 의 둘레 가장자리가, 토출구 (411) 근방에 있어서의 토출부 (41) 의 최하점이다.FIG. 3 is a diagram showing a cross section of the discharge part 41 by the surface including the central axis of the discharge port 411. In FIG. 3, only the vicinity of the nozzle part 410 is shown. The nozzle portion 410 includes a main body portion 420 having an inner flow passage 412, a tip portion 42 having a discharge port 411 formed therein, and a cover portion 43 covering the circumference of the main body portion 420. . The cover portion 43 has a tube attaching portion 431 to which the end of the connecting tube 44 is mounted. The processing liquid from the connecting tube 44 is led to the discharge port 411 through the internal flow path 412. The tip part 42 is an annular part which protrudes below the lower part of the cover part 43. No other member of the discharge portion 41 is disposed around the tip portion 42. Therefore, the peripheral edge of the discharge port 411 is the lowest point of the discharge part 41 in the vicinity of the discharge port 411.

노즐부 (410) 에서는, 본체부 (420) 및 선단부 (42) 가 도전성 재료에 의해 하나로 연결된 부재로서 형성된다. 바람직하게는, 당해 부재는 도전성 재료만에 의해 구성된다. 당해 도전성 재료는, 금속을 함유하지 않고, 본 실시형태에서는, 당해 도전성 재료는 유리상 카본이다. 또, 커버부 (43) 는, 금속을 함유하지 않는 재료, 예를 들어 불소 수지로 형성된다. 바람직하게는, 커버부 (43) 는 당해 재료만에 의해 구성된다. 토출부 (41) 에 있어서 처리액과 접하는 면인 접액면 (45) 은, 금속을 함유하지 않는 재료로 형성된다 (여기서는, 접액면 (45) 의 전체가, 금속을 함유하지 않는 재료만에 의해 구성된다). 접액면 (45) 은, 접속 튜브 (44) 의 내주면, 커버부 (43) 의 내면의 일부, 그리고, 본체부 (420) 및 선단부 (42) 의 내면의 집합이다. 이하의 설명에서는, 접액면 (45) 중 선단부 (42) 에 있어서의 부분, 즉, 토출구 (411) 를 형성하는 부분을「선단 접액면」이라고 하고, 도 3 에서는, 선단 접액면에 부호 451 을 붙이고 있다. 이미 서술한 바와 같이, 선단 접액면 (451) 은 유리상 카본으로 형성된다.In the nozzle portion 410, the main body portion 420 and the tip portion 42 are formed as a member connected together by a conductive material. Preferably, the member is made of only a conductive material. The conductive material does not contain a metal, and in the present embodiment, the conductive material is glassy carbon. In addition, the cover part 43 is formed of the material which does not contain a metal, for example, a fluororesin. Preferably, the cover part 43 is comprised only by the said material. The liquid contact surface 45 which is the surface which contact | connects a process liquid in the discharge part 41 is formed from the material which does not contain a metal (Here, the whole of the liquid contact surface 45 is comprised only by the material which does not contain a metal. do). The contact surface 45 is a collection of the inner circumferential surface of the connection tube 44, a part of the inner surface of the cover portion 43, and the inner surfaces of the main body portion 420 and the tip portion 42. In the following description, the part in the tip part 42 of the contact surface 45, ie, the part which forms the discharge port 411, is called the "front contact surface", In FIG. 3, the code | symbol 451 is attached | subjected to the front contact surface. I put it. As described above, the tip contact surface 451 is formed of glassy carbon.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 본체부 (420) 의 상부에는, 보호 튜브 (52) 의 일단이 접속된다. 보호 튜브 (52) 는, 금속을 함유하지 않는 재료, 예를 들어 불소 수지로 형성된다. 바람직하게는, 보호 튜브 (52) 는, 당해 재료만에 의해 구성된다. 보호 튜브 (52) 는, 연결부 (61a ∼ 61c) 에 의해 접속 튜브 (44) 와 함께 묶여 있고, 보호 튜브 (52) 의 타단은 노즐부 (410) 로부터 떨어진 위치, 예를 들어, 컵 유닛 (23) (도 1 참조) 의 외측에 배치된다. 보호 튜브 (52) 내에는, 접지부 (5) 의 접지선 (51) 이 배치된다. 접지선 (51) 의 일단은, 본체부 (420) 의 상부에 직접 접속된다. 접지선 (51) 은 금속으로 형성된다. 접지선 (51) 의 타단은, 보호 튜브 (52) 의 타단의 외측에서 전기적으로 접지된다. 이로써, 노즐부 (410) 의 본체부 (420) 및 선단부 (42) 가 전기적으로 접지된다. 바꾸어 말하면, 도 3 의 선단 접액면 (451) 을 포함하는 접액면 (45) 의 일부가 접지된다.As shown in FIG. 2, one end of the protective tube 52 is connected to the upper portion of the main body 420. The protective tube 52 is formed of the material which does not contain a metal, for example, a fluororesin. Preferably, the protective tube 52 is comprised only by the said material. The protection tube 52 is tied together with the connection tube 44 by the connection parts 61a-61c, and the other end of the protection tube 52 is a position away from the nozzle part 410, for example, the cup unit 23 ) (See FIG. 1). In the protective tube 52, the ground wire 51 of the ground portion 5 is disposed. One end of the ground wire 51 is directly connected to the upper portion of the main body 420. The ground wire 51 is made of metal. The other end of the ground wire 51 is electrically grounded on the outside of the other end of the protective tube 52. As a result, the main body portion 420 and the tip portion 42 of the nozzle portion 410 are electrically grounded. In other words, a part of the liquid contact surface 45 including the front liquid contact surface 451 of FIG. 3 is grounded.

도 4 는, 토출 유닛 (4) 을 나타내는 평면도이다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 토출 유닛 (4) 은 2 개의 보조 토출부 (40a, 40b) 를 추가로 구비한다. 각 보조 토출부 (40a, 40b) 는, 토출관 (401) 을 갖는다. 토출관 (401) 은, 예를 들어, 스테인리스강 등의 금속 튜브의 내주면이 불소 수지 등으로 코팅되고, 외주면이 불소 수지의 튜브로 덮인 것이다. 토출관 (401) 은, 강성이 높은 봉상 부재로 파악할 수 있다. 토출관 (401) 은, 노즐부 (410) 의 근방에서 하방 (도 4 의 지면에 수직인 방향) 을 향하여 만곡하고, 그 선단이 기판 (9) 을 향하여 개구한다. 토출관 (401) 은, 순수나 IPA (이소프로필알코올) 등의 보조 처리액의 공급원에 접속된다. 보조 토출부 (40a, 40b) 는, 보조 처리액을 기판 (9) 을 향하여 토출한다. 또한, 도 2 의 토출 유닛 (4) 의 정면도에서는, 보조 토출부 (40a, 40b) 의 도시를 생략하고 있다.4 is a plan view of the discharge unit 4. As shown in FIG. 4, the discharge unit 4 further includes two auxiliary discharge portions 40a and 40b. Each auxiliary discharge part 40a, 40b has a discharge pipe 401. For example, the discharge tube 401 is coated with a fluorine resin on the inner circumferential surface of a metal tube such as stainless steel, and covered with a tube of fluorine resin. The discharge tube 401 can be regarded as a rod-shaped member having high rigidity. The discharge pipe 401 curves downward in the vicinity of the nozzle portion 410 (direction perpendicular to the paper surface in FIG. 4), and the tip thereof opens toward the substrate 9. The discharge pipe 401 is connected to a supply source of auxiliary processing liquid such as pure water or IPA (isopropyl alcohol). The auxiliary discharge parts 40a and 40b discharge the auxiliary processing liquid toward the substrate 9. In addition, illustration of the auxiliary discharge part 40a, 40b is abbreviate | omitted in the front view of the discharge unit 4 of FIG.

보호 튜브 (52), 및 보호 튜브 (52) 의 하방에 위치하는 접속 튜브 (44) (도 2 참조) 는, 연결부 (61a ∼ 61c) 에 의해 2 개의 보조 토출부 (40a, 40b) 에 대해 고정된다. 노즐부 (410) 및 보호 튜브 (52) 는, 연결부 (62) 에 의해 2 개의 보조 토출부 (40a, 40b) 에 대해 고정된다. 이와 같이, 2 개의 보조 토출부 (40a, 40b) 는, 토출부 (41) (노즐부 (410) 및 접속 튜브 (44)) 및 보호 튜브 (52) 를 지지하는 아암으로서 파악된다. 처리부 (2) 에서는, 토출부 (41) 로부터의 처리액의 토출시, 및 보조 토출부 (40a, 40b) 로부터의 보조 처리액의 토출시에, 보조 토출부 (40a, 40b) 를 요동하는 도시가 생략된 회동 기구가 형성된다.The protection tube 52 and the connection tube 44 (refer FIG. 2) located below the protection tube 52 are fixed with respect to two auxiliary discharge parts 40a and 40b by the connection parts 61a-61c. do. The nozzle part 410 and the protection tube 52 are fixed with respect to two auxiliary discharge parts 40a and 40b by the connection part 62. As shown in FIG. Thus, the two auxiliary discharge parts 40a and 40b are grasped | ascertained as the arm which supports the discharge part 41 (nozzle part 410 and the connection tube 44) and the protection tube 52. As shown in FIG. In the processing unit 2, the shaking of the auxiliary discharge parts 40a and 40b at the time of discharge of the processing liquid from the discharge part 41 and at the time of discharge of the auxiliary processing liquid from the auxiliary discharge parts 40a and 40b. A rotating mechanism is omitted.

도 1 의 기판 처리 장치 (1) 에 있어서, 기판 (9) 을 처리액에 의해 처리할 때에는, 제 1 및 제 2 밸브 (391, 392) 가 개방되고, 처리액 공급부 (33) 에 의해 토출부 (41) 에 처리액이 공급된다. 이로써, 토출구 (411) 로부터 기판 (9) 상에 처리액이 토출된다. 처리액의 토출 후에는, 제 1 밸브 (391) 를 폐색하고, 또한 제 2 및 제 3 밸브 (392, 393) 를 개방한 상태에서, 이젝터 (351) 가 구동된다. 이로써, 접속부 (39) 와 토출부 (41) 사이에 잔존하는 처리액이 처리액 탱크 (330) 로 되돌려진다. 따라서, 접속 튜브 (44) 및 노즐부 (410) 내에서 온도가 저하된 처리액이, 다음의 토출시에 기판 (9) 상으로 토출되는 것이 방지됨과 함께, 처리액을 효율적으로 회수하는 것이 가능해진다.In the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1, when processing the board | substrate 9 with a process liquid, the 1st and 2nd valves 391 and 392 are opened and the discharge part is carried out by the process liquid supply part 33. FIG. Treatment liquid is supplied to 41. As a result, the processing liquid is discharged from the discharge port 411 onto the substrate 9. After the discharge of the processing liquid, the ejector 351 is driven while the first valve 391 is closed and the second and third valves 392 and 393 are opened. As a result, the processing liquid remaining between the connecting portion 39 and the discharge portion 41 is returned to the processing liquid tank 330. Therefore, while the processing liquid whose temperature fell in the connection tube 44 and the nozzle part 410 is prevented from being discharged onto the board | substrate 9 at the next discharge, it is possible to collect | recover the processing liquid efficiently. Become.

여기서, 처리액 공급부로부터 토출부에 이르는 유로에 있어서, 처리액을 제전하는 비교예의 기판 처리 장치에 대해 서술한다. 도 5a 에 나타내는 바와 같이, 비교예의 기판 처리 장치에서는, 배관 중에 접지용 전극을 형성함으로써, 토출부 (91) 의 토출구 (911) 로부터 떨어진 위치에서 처리액 (90) (도 5a 중에서 평행 사선을 붙여 나타낸다. 도 5b 및 도 5c 에 있어서도 마찬가지) 이 제전된다. 도 1 의 기판 처리 장치 (1) 와 마찬가지로, 토출부 (91) 내의 처리액 (90) 을 회수할 (석백을 실시할) 때에는, 토출부 (91) 내에서 처리액 (90) 이 흩어져 잔존하는, 이른바, 액 끊김이 발생하는 경우가 있다. 이 경우, 처리액 (90) 의 연속성이 확보되지 않기 때문에, 도 5b 에 나타내는 바와 같이, 토출부 (91) 의 대전에 의한 유도 대전에 의해 처리액 (90) 중의 전자가 유리된 상태가 된다. 그리고, 다음의 기판 (9) 의 처리시에, 도 5c 에 나타내는 바와 같이, 유리된 전하를 함유하는 처리액 (90) 이 토출부 (91) 내를 이동하고, 도 5d 에 나타내는 바와 같이, 토출구 (911) 로부터 기판 (9) 을 향하여 토출된다. 그 결과, 처리액 (90) 과 기판 (9) 의 전위차에 의한 방전에 의해, 기판 (9) 상의 막 등이 파괴된다. 또, 석백을 실시하지 않는 장치여도, 처리액이 발포성을 갖는 경우나, 처리액에 기포가 혼입된 경우, 마찬가지로, 토출부 (91) 내의 처리액의 연속성이 소실되기 때문에, 처리액을 제전할 수 없다.Here, the substrate processing apparatus of the comparative example which discharges a process liquid in the flow path from a process liquid supply part to a discharge part is demonstrated. As shown in FIG. 5A, in the substrate processing apparatus of the comparative example, by forming the grounding electrode in the pipe, a parallel diagonal line is applied in the processing liquid 90 (FIG. 5A) at a position away from the discharge port 911 of the discharge portion 91. The same is true in FIGS. 5B and 5C). Similarly to the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1, when the processing liquid 90 in the discharge portion 91 is recovered (seat-backed), the processing liquid 90 is dispersed and remains in the discharge portion 91. , So-called liquid drop may occur. In this case, since the continuity of the processing liquid 90 is not secured, as shown in FIG. 5B, the electrons in the processing liquid 90 are released by induction charging by the charging of the discharge part 91. At the time of processing the next substrate 9, as shown in FIG. 5C, the processing liquid 90 containing free charge moves in the discharge part 91, and as shown in FIG. 5D, the discharge port. It discharges from 911 toward the substrate 9. As a result, the film or the like on the substrate 9 is destroyed by the discharge due to the potential difference between the processing liquid 90 and the substrate 9. Even in the case where the apparatus does not carry out the slag, in the case where the processing liquid has foamability or when bubbles are mixed in the processing liquid, the continuity of the processing liquid in the discharge part 91 is lost. Can't.

이에 반하여, 도 3 의 토출부 (41) 를 갖는 기판 처리 장치 (1) 에서는, 토출부 (41) 의 선단부 (42) 에 있어서의 선단 접액면 (451) 이 도전성을 갖고, 접지부 (5) 에 의해 선단 접액면 (451) 이 전기적으로 접지된다. 이로써, 석백에 의한 액 끊김이 발생하는 경우, 혹은 처리액이 발포성을 갖는 경우나, 처리액에 기포가 혼입된 경우 등이어도, 기판 (9) 상에 토출되는 처리액을 보다 확실하게 제전할 수 있다. 그 결과, 기판 (9) 상의 막 등의 파괴의 발생을 방지할 수 있다. 또, 토출부 (41) 에서는, 접액면 (45) 이 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되기 때문에, 기판 (9) 의 금속 오염을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 선단 접액면 (451) 을 접지할 뿐이기 때문에, 처리액의 유로에 있어서의 복수의 위치에 접지용 전극을 배치하는 경우 등에 비하여, 기판 처리 장치의 제조 비용을 삭감할 수 있다.In contrast, in the substrate processing apparatus 1 having the discharge portion 41 of FIG. 3, the tip contact surface 451 at the tip portion 42 of the discharge portion 41 has conductivity, and the ground portion 5 The tip liquid contact surface 451 is electrically grounded by this. As a result, even when liquid breakup occurs due to the three-back, the treatment liquid has foaming property, or bubbles are mixed in the treatment liquid, the treatment liquid discharged onto the substrate 9 can be more surely discharged. have. As a result, generation | occurrence | production of destruction of the film | membrane on the board | substrate 9, etc. can be prevented. Moreover, in the discharge part 41, since the liquid contact surface 45 is formed from the material containing no metal, the metal contamination of the board | substrate 9 can be prevented more reliably. In addition, in the substrate processing apparatus 1, since only the front liquid contact surface 451 is grounded, compared with the case where the grounding electrode is arrange | positioned in the several position in the flow path of a process liquid, it is manufacturing cost of a substrate processing apparatus. Can be reduced.

또, 토출부 (41) 에 있어서 선단부 (42) 를 포함하는 부위가, 도전성 재료에 의해 하나로 연결된 부재로서 형성되고, 접지부 (5) 가 갖는 접지선 (51) 이 당해 부재에 직접 접속된다. 이로써, 선단 접액면 (451) 과 접지선 (51) 사이의 전기 저항을 낮게 할 수 있고, 선단 접액면 (451) 에 있어서의 제전 능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 노즐부 (410) 의 근방에 있어서 접지선 (51) 이, 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되는 보호 튜브 (52) 내에 배치됨으로써, 접지선 (51) 에서 기인되는 기판 (9) 의 금속 오염을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 보조 토출부 (40a, 40b) 가 토출부 (41) 및 보호 튜브 (52) 를 지지하는 아암을 겸함으로써, 토출 유닛 (4) 의 구조를 간소화할 수 있다.Moreover, the site | part which contains the front-end | tip part 42 in the discharge part 41 is formed as a member connected by one with the electroconductive material, and the ground wire 51 which the ground part 5 has is directly connected to the said member. Thus, between the tip contact surface 451 and the ground wire 51 Electrical resistance can be made low and the antistatic ability in the front liquid contact surface 451 can be improved. Further, in the vicinity of the nozzle portion 410, the ground wire 51 is disposed in the protective tube 52 formed of a material containing no metal, thereby preventing metal contamination of the substrate 9 caused by the ground wire 51. It can prevent more reliably. The auxiliary discharge portions 40a and 40b also serve as arms supporting the discharge portion 41 and the protective tube 52, thereby simplifying the structure of the discharge unit 4.

그런데, 토출구의 근방에 토출부의 다른 부위가 형성되면, 토출구로부터 토출된 처리액의 액적이 당해 부위에 부착되어, 액적의 집괴 (集塊) 가 형성되는 경우가 있다. 이 경우에, 예를 들어, 처리 후의 기판 (9) 상에 집괴가 낙하하면, 기판 (9) 의 처리의 균일성이 저하된다. 이에 반하여, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 기판 (9) 의 상면에 대향하는 토출구 (411) 의 둘레 가장자리가, 토출구 (411) 근방에 있어서의 토출부 (41) 의 최하점이 된다. 이로써, 토출구 (411) 의 주위에서 처리액의 집괴가 형성되는 것을 방지할 수 있다 (후술하는 도 6 내지 도 8 의 토출부 (41a, 41b) 에 있어서 마찬가지).By the way, when another site | part of a discharge part is formed in the vicinity of a discharge port, the droplet of the process liquid discharged | emitted from the discharge port may adhere to the said site | part, and agglomeration of a droplet may be formed. In this case, for example, when an agglomerate falls on the substrate 9 after the treatment, the uniformity of the treatment of the substrate 9 decreases. In contrast, in the substrate processing apparatus 1, the peripheral edge of the discharge port 411 facing the upper surface of the substrate 9 becomes the lowest point of the discharge part 41 in the vicinity of the discharge port 411. Thereby, it is possible to prevent the formation of agglomerates of the processing liquid around the discharge port 411 (the same in the discharge parts 41a and 41b of FIGS. 6 to 8 described later).

도 6 은, 토출부의 다른 예를 나타내는 단면도이다. 도 6 의 토출부 (41a) 는, 통상의 선단부 (46) 와, 접속 튜브 (47) 와, 보호 튜브 (48) 를 구비한다. 선단부 (46) 는, 소직경부 (461) 과, 대직경부 (462) 를 구비한다. 소직경부 (461) 는 토출구 (411) 를 포함한다. 소직경부 (461) 의 내주면의 직경은, 대직경부 (462) 의 내주면의 직경보다 작다. 선단부 (46) 는 도전성 재료에 의해 형성된다. 바람직하게는, 선단부 (46) 는 도전성 재료만에 의해 구성된다. 당해 도전성 재료는 금속을 함유하지 않고, 본 실시형태에서는 당해 도전성 재료는 유리상 카본이다.6 is a cross-sectional view showing another example of the discharge portion. The discharge part 41a of FIG. 6 is equipped with the normal tip part 46, the connection tube 47, and the protection tube 48. As shown in FIG. The tip portion 46 includes a small diameter portion 461 and a large diameter portion 462. The small diameter portion 461 includes a discharge port 411. The diameter of the inner circumferential surface of the small diameter portion 461 is smaller than the diameter of the inner circumferential surface of the large diameter portion 462. The tip portion 46 is formed of a conductive material. Preferably, the tip portion 46 is made of only a conductive material. The conductive material does not contain a metal, and in the present embodiment, the conductive material is glassy carbon.

접속 튜브 (47) 의 본체는 금속을 함유하지 않는 재료, 예를 들어, 내약품성을 갖는 불소 수지로 형성된다. 접속 튜브 (47) 의 외주면에는, 접속 튜브 (47) 의 길이 방향으로 연속되는 도전부 (471) (도 6 중에서 굵은 실선으로 나타낸다. 후술하는 도 7 및 도 8 에 있어서 마찬가지.) 가 형성된다. 도전부 (471) 는, 둘레 방향에 있어서의 전체 또는 일부에 형성된다. 즉, 도전부 (471) 는, 접속 튜브 (47) 의 외주면의 적어도 일부에서 길이 방향으로 연속된다. 도전부 (471) 는, 도전성 재료, 예를 들어, 도전성 PFA 등의 도전성 불소 수지로 형성된다. 또한, 도전성 PFA 는 미량의 금속을 함유한다.The main body of the connection tube 47 is formed of a material containing no metal, for example, a fluororesin having chemical resistance. On the outer circumferential surface of the connection tube 47, a conductive portion 471 (shown by a thick solid line in Fig. 6, which is continuous in the longitudinal direction of the connection tube 47) is formed. The electroconductive part 471 is formed in the whole or one part in the circumferential direction. That is, the conductive portion 471 is continuous in the longitudinal direction on at least a part of the outer circumferential surface of the connecting tube 47. The conductive portion 471 is formed of a conductive material, for example, a conductive fluororesin such as conductive PFA. In addition, the conductive PFA contains a trace amount of metal.

접속 튜브 (47) 의 외주면의 직경은, 선단부 (46) 에 있어서의 대직경부 (462) 의 내주면의 직경과 거의 동등하고, 소직경부 (461) 의 내주면의 직경보다 크다. 접속 튜브 (47) 의 선단은, 대직경부 (462) 내에 삽입되고, 접속 튜브 (47) 가 선단부 (46) 에 접속된다. 접속 튜브 (47) 의 외주면은 대직경부 (462) 의 내주면과 접촉하고, 도전부 (471) 가 선단부 (46) 와 접속한다. 이로써, 도전부 (471) 가 소직경부 (461) 의 내주면인 선단 접액면 (451) 에 전기적으로 접속된다. 또, 선단부 (46) 로부터 떨어진 위치, 예를 들어, 컵 유닛 (23) 의 외측에 있어서, 접지부 (5) 에 의해 도전부 (471) 가 전기적으로 접지된다.The diameter of the outer circumferential surface of the connecting tube 47 is almost equal to the diameter of the inner circumferential surface of the large diameter portion 462 in the tip portion 46, and is larger than the diameter of the inner circumferential surface of the small diameter portion 461. The tip of the connecting tube 47 is inserted into the large diameter portion 462, and the connecting tube 47 is connected to the tip 46. The outer circumferential surface of the connecting tube 47 is in contact with the inner circumferential surface of the large diameter portion 462, and the conductive portion 471 is connected to the tip portion 46. Thereby, the electroconductive part 471 is electrically connected to the front-end liquid contact surface 451 which is an inner peripheral surface of the small diameter part 461. In addition, the conductive portion 471 is electrically grounded by the ground portion 5 at a position away from the tip portion 46, for example, outside the cup unit 23.

기판 처리 장치 (1) 에서는, 처리액 공급부 (33) 에 의해 접속 튜브 (47) 에 있어서의 선단부 (46) 와는 반대측의 단부에 처리액이 공급되고, 처리액은 접속 튜브 (47) 를 통하여 선단부 (46) 로 유도된다. 토출부 (41a) 에 있어서 처리액과 접하는 면인 접액면 (45) 은, 금속을 함유하지 않는 재료로 형성된다 (금속을 함유하지 않는 재료만에 의해 구성된다). 접액면 (45) 은, 접속 튜브 (47) 의 내주면, 및 선단부 (46) 에 있어서의 소직경부 (461) 의 내주면의 집합이다.In the substrate processing apparatus 1, the processing liquid is supplied by the processing liquid supply part 33 to the end opposite to the front end portion 46 in the connecting tube 47, and the processing liquid is the leading end through the connecting tube 47. It is derived from (46). The liquid contact surface 45 which is the surface which contact | connects a process liquid in the discharge part 41a is formed from the material which does not contain a metal (it is comprised only by the material which does not contain a metal). The contact surface 45 is a collection of the inner circumferential surface of the connecting tube 47 and the inner circumferential surface of the small diameter portion 461 in the tip portion 46.

보호 튜브 (48) 는, 금속을 함유하지 않는 재료, 예를 들어 불소 수지로 형성된다. 바람직하게는, 보호 튜브 (48) 는 당해 재료만에 의해 구성된다. 보호 튜브 (48) 내에는 접속 튜브 (47) 가 삽입된다. 보호 튜브 (48) 의 내주면은 접속 튜브 (47) 의 외주면에 근접 또는 접촉한다. 이와 같이, 선단부 (46) 의 근방에 있어서 도전부 (471) 가 보호 튜브 (48) 에 의해 덮인다. 접속 튜브 (47) 및 보호 튜브 (48) 는, 예를 들어 보조 토출부 (40a, 40b) (도 4 참조) 에 지지된다. 보호 튜브 (48) 는, 적어도 선단부 (46) 의 근방에 있어서 접속 튜브 (47) 의 외주면을 덮는 것이 바람직하다. 예를 들어, 보호 튜브 (48) 는 상하 방향에 있어서 기판 (9) 과 겹치는 범위의 전체에 있어서 접속 튜브 (47) 를 덮는다.The protective tube 48 is formed of a material containing no metal, for example, a fluororesin. Preferably, the protective tube 48 is made of only this material. The connecting tube 47 is inserted into the protective tube 48. The inner circumferential surface of the protective tube 48 is close to or in contact with the outer circumferential surface of the connecting tube 47. In this way, the conductive portion 471 is covered by the protective tube 48 in the vicinity of the tip portion 46. The connecting tube 47 and the protective tube 48 are supported by the auxiliary discharge parts 40a and 40b (refer FIG. 4), for example. It is preferable that the protective tube 48 covers the outer peripheral surface of the connection tube 47 at least in the vicinity of the tip part 46. For example, the protection tube 48 covers the connection tube 47 in the whole range which overlaps with the board | substrate 9 in an up-down direction.

보호 튜브 (48) 의 외주면의 직경은, 선단부 (46) 에 있어서의 대직경부 (462) 의 외주면의 직경과 거의 동등하다. 보호 튜브 (48) 의 단부 및 선단부 (46) 는, 통상의 고정 부재 (432) 에 끼워넣어져 고정된다. 고정 부재 (432) 는, 금속을 함유하지 않는 재료, 예를 들어 불소 수지로 형성된다. 바람직하게는, 고정 부재 (432) 는 당해 재료만에 의해 구성된다.The diameter of the outer circumferential surface of the protective tube 48 is almost equal to the diameter of the outer circumferential surface of the large diameter portion 462 in the tip portion 46. The end portion and the tip portion 46 of the protective tube 48 are sandwiched and fixed in the usual fixing member 432. The fixing member 432 is formed of a material containing no metal, for example, a fluororesin. Preferably, the fixing member 432 is constituted only by the material.

도 6 의 토출부 (41a) 를 갖는 기판 처리 장치 (1) 에서는, 선단부 (46) 에 있어서의 선단 접액면 (451) 이 도전성을 갖고, 접지부 (5) 에 의해 선단 접액면 (451) 이 전기적으로 접지된다. 이로써, 석백에 의한 액 끊김이 발생하는 경우, 혹은 처리액이 발포성을 갖는 경우나, 처리액에 기포가 혼입된 경우 등이어도, 기판 (9) 상에 토출되는 처리액을 보다 확실하게 제전할 수 있다. 또, 토출부 (41a) 에서는, 접액면 (45) 이 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되기 때문에, 기판 (9) 의 금속 오염을 보다 확실하게 방지할 수 있다.In the substrate processing apparatus 1 which has the discharge part 41a of FIG. 6, the front-end liquid contact surface 451 in the front-end | tip part 46 is electroconductive, and the front-end liquid contact surface 451 is connected by the ground part 5. Electrically grounded. As a result, even when liquid breakup occurs due to the three-back, the treatment liquid has foaming property, or bubbles are mixed in the treatment liquid, the treatment liquid discharged onto the substrate 9 can be more surely discharged. have. Moreover, in the discharge part 41a, since the liquid contact surface 45 is formed from the material which does not contain a metal, the metal contamination of the board | substrate 9 can be prevented more reliably.

토출부 (41a) 에서는, 도전부 (471) 를 갖는 접속 튜브 (47) 의 일단이 선단부 (46) 에 접속됨으로써, 도전부 (471) 가 선단 접액면 (451) 에 전기적으로 접속된다. 그리고, 접지부 (5) 에 의해, 선단부 (46) 로부터 떨어진 위치에 있어서, 도전부 (471) 가 전기적으로 접지된다. 이로써, 선단 접액면 (451) 을 용이하게 접지할 수 있다. 또, 접속 튜브 (47) 가 통상의 선단부 (46) 내에 삽입되고, 접속 튜브 (47) 의 외주면과 선단부 (46) 의 내주면이 면 접촉된다. 이로써, 양자 사이에 있어서의 접촉 저항을 낮게 하면서 도전부 (471) 를 선단 접액면 (451) 에 전기적으로 접속할 수 있고, 선단 접액면 (451) 을 보다 확실하게 접지할 수 있다. 또한, 선단부 (46) 의 근방에 있어서 접속 튜브 (47) 의 외주면이 보호 튜브 (48) 에 의해 덮임으로써, 접속 튜브 (47) 의 도전부 (471) 에서 기인되는 기판 (9) 의 금속 오염을 방지할 수 있다.In the discharge part 41a, the one end of the connection tube 47 which has the electrically conductive part 471 is connected to the tip part 46, and the electrically conductive part 471 is electrically connected to the tip liquid contact surface 451. FIG. The conductive portion 471 is electrically grounded at the position away from the tip portion 46 by the ground portion 5. Thereby, the tip contact surface 451 can be easily grounded. Moreover, the connection tube 47 is inserted in the normal tip part 46, and the outer peripheral surface of the connection tube 47 and the inner peripheral surface of the tip part 46 are surface-contacted. As a result, the conductive portion 471 can be electrically connected to the tip contact surface 451 while lowering the contact resistance between them, and the tip contact surface 451 can be grounded more reliably. In addition, the outer circumferential surface of the connection tube 47 is covered with the protective tube 48 in the vicinity of the tip portion 46, thereby preventing metal contamination of the substrate 9 caused by the conductive portion 471 of the connection tube 47. You can prevent it.

도 7 은, 토출부의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다. 도 7 의 토출부 (41b) 에서는, 도 6 의 토출부 (41a) 와 비교하여, 보호 튜브 (48) 의 내주면과 접속 튜브 (47) 의 외주면 사이에 환상 간극 (481) 을 형성하는 스페이서 (49) 가 추가되는 점에서 상이하다. 다른 구성은, 도 6 의 토출부 (41a) 와 마찬가지이고, 동일한 구성에 동일한 부호를 붙이고 있다.7 is a cross-sectional view showing still another example of the discharge portion. In the discharge part 41b of FIG. 7, compared with the discharge part 41a of FIG. 6, the spacer 49 which forms the annular clearance 481 between the inner peripheral surface of the protection tube 48 and the outer peripheral surface of the connection tube 47 is shown. ) Is different in that it is added. The other structure is the same as that of the discharge part 41a of FIG. 6, and attaches | subjects the same code | symbol to the same structure.

스페이서 (49) 는 통상 부재이고, 일방의 단부에 플랜지부 (491) 를 갖는다. 스페이서 (49) 에 있어서, 플랜지부 (491) 에 있어서의 외주면의 직경은, 다른 부위에 있어서의 외주면의 직경보다 크다. 스페이서 (49) 는, 금속을 함유하지 않는 재료, 예를 들어 불소 수지로 형성된다. 바람직하게는, 스페이서 (49) 는 당해 재료만에 의해 구성된다.The spacer 49 is a normal member and has a flange portion 491 at one end. In the spacer 49, the diameter of the outer peripheral surface in the flange part 491 is larger than the diameter of the outer peripheral surface in another site | part. The spacer 49 is formed of a material containing no metal, for example, a fluororesin. Preferably, the spacer 49 is composed only of the material.

통상의 고정 부재 (432) 의 일단에는, 그 중심축측으로 돌출되는 환상 돌출부 (433) 가 형성된다. 토출부 (41b) 에서는, 선단부 (46) 가 고정 부재 (432) 에 삽입되고, 소직경부 (461) 의 주위에 환상 돌출부 (433) 가 배치된다. 소직경부 (461) 의 선단은, 환상 돌출부 (433) 보다 하측으로 돌출된다. 스페이서 (49) 는, 선단부 (46) 가 삽입된 고정 부재 (432) 에 고정된다. 예를 들어, 스페이서 (49) 의 외주면의 하단과 고정 부재 (432) 의 외주면의 상단의 용접에 의해, 양 부재의 고정이 실시된다. 용접은, 둘레 방향의 전체 둘레에 걸쳐 실시되는 것이 바람직하다. 고정 부재 (432) 의 내주면의 직경, 및 선단부 (46) 에 있어서의 대직경부 (462) 의 외주면의 직경은 거의 동등하다. 접속 튜브 (47) 는, 스페이서 (49) 및 대직경부 (462) 에 삽입된다. 접속 튜브 (47) 의 외주면은, 대직경부 (462) 의 내주면과 접촉한다. 예를 들어, 접속 튜브 (47) 의 외주면은 스페이서 (49) 의 상단면과 용접된다.At one end of the ordinary fixing member 432, an annular protrusion 433 is formed to protrude toward the central axis side. In the discharge part 41b, the tip part 46 is inserted in the fixing member 432, and the annular protrusion part 433 is arrange | positioned around the small diameter part 461. As shown in FIG. The tip of the small diameter portion 461 protrudes below the annular protrusion 433. The spacer 49 is fixed to the fixing member 432 into which the tip portion 46 is inserted. For example, fixing of both members is performed by welding of the lower end of the outer peripheral surface of the spacer 49, and the upper end of the outer peripheral surface of the fixing member 432. As shown in FIG. Welding is preferably performed over the entire circumference of the circumferential direction. The diameter of the inner circumferential surface of the fixing member 432 and the diameter of the outer circumferential surface of the large diameter portion 462 in the tip portion 46 are almost equal. The connecting tube 47 is inserted into the spacer 49 and the large diameter part 462. The outer circumferential surface of the connecting tube 47 is in contact with the inner circumferential surface of the large diameter portion 462. For example, the outer circumferential surface of the connecting tube 47 is welded to the upper end surface of the spacer 49.

선단부 (46) 의 소직경부 (461) 의 상단면, 즉, 소직경부 (461) 의 내주면과 대직경부 (462) 의 내주면을 접속하는 환상면에는, O 링 (472) 이 형성된다. 접속 튜브 (47) 의 선단면은, O 링 (472) 을 개재하여 선단부 (46) 와 맞닿는다. O 링 (472) 은, 금속을 함유하지 않는 재료, 예를 들어 불소 수지로 형성된다. 바람직하게는, O 링 (472) 은 당해 재료만에 의해 구성된다. O 링 (472) 에 의해, 토출부 (41b) 내를 흐르는 처리액이, 접속 튜브 (47) 의 외주면과 대직경부 (462) 의 내주면 사이에 침입하는 것이 방지된다.The O-ring 472 is formed in the upper end surface of the small diameter portion 461 of the tip portion 46, that is, the annular surface connecting the inner circumferential surface of the small diameter portion 461 and the inner circumferential surface of the large diameter portion 462. The distal end face of the connecting tube 47 is in contact with the distal end portion 46 via the O-ring 472. The O ring 472 is formed of a material containing no metal, for example, a fluororesin. Preferably, the O-ring 472 is composed of only the material. The O-ring 472 prevents the processing liquid flowing in the discharge portion 41b from entering between the outer circumferential surface of the connecting tube 47 and the inner circumferential surface of the large diameter portion 462.

보호 튜브 (48) 는, 스페이서 (49) 의 플랜지부 (491) 보다 상측의 부위에 끼워넣어진다. 이로써, 접속 튜브 (47) 의 외주면과 보호 튜브 (48) 의 내주면 사이에 환상 간극 (481) 이 형성된다. 환상 간극 (481) 은, 접속 튜브 (47) 및 보호 튜브 (48) 의 길이 방향으로 신장된다. 예를 들어, 보호 튜브 (48) 의 외주면의 하단과 플랜지부 (491) 의 외주면의 상단의 용접에 의해, 양 부재의 고정이 실시된다. 이로써, 보호 튜브 (48) 와 스페이서 (49) 의 접속부에 있어서, 기체나 액체의 통과가 방지된다.The protective tube 48 is fitted to a portion above the flange portion 491 of the spacer 49. As a result, an annular gap 481 is formed between the outer circumferential surface of the connecting tube 47 and the inner circumferential surface of the protective tube 48. The annular gap 481 extends in the longitudinal direction of the connecting tube 47 and the protective tube 48. For example, fixing of both members is performed by welding of the lower end of the outer peripheral surface of the protective tube 48, and the upper end of the outer peripheral surface of the flange part 491. This prevents the passage of gas or liquid at the connecting portion of the protective tube 48 and the spacer 49.

이상과 같이, 도 7 의 토출부 (41b) 에서는, 도 6 의 토출부 (41a) 에 대해 스페이서 (49) 가 부가되고, 접속 튜브 (47) 의 외주면과 보호 튜브 (48) 의 내주면 사이에 환상 간극 (481) 이 형성된다. 토출부 (41b) 를 갖는 기판 처리 장치 (1) 에서는, 환상 간극 (481) 의 존재에 의해 접속 튜브 (47) 내를 흐르는 처리액의 외기에 의한 온도 변화를 저감시킬 수 있다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 환상 간극 (481) 에 온도 조정용 유체를 공급함으로써, 처리액의 온도 조정이 실시되어도 된다.As mentioned above, in the discharge part 41b of FIG. 7, the spacer 49 is added with respect to the discharge part 41a of FIG. 6, and is annular between the outer peripheral surface of the connection tube 47 and the inner peripheral surface of the protection tube 48. FIG. The gap 481 is formed. In the substrate processing apparatus 1 which has the discharge part 41b, the temperature change by the outside air of the process liquid which flows in the connection tube 47 by the presence of the annular clearance 481 can be reduced. In the substrate processing apparatus 1, the temperature adjustment of the processing liquid may be performed by supplying a temperature adjusting fluid to the annular gap 481.

도 8 에 나타내는 바와 같이, O 링 (472) 은, 고정 부재 (432) 의 환상 돌출부 (433) 의 내주면에 형성되어 있어도 된다. 도 8 의 예에서는, 만일, 접속 튜브 (47) 의 외주면과 대직경부 (462) 의 내주면 사이에 처리액이 침입해도, 소직경부 (461) 의 외주면과 환상 돌출부 (433) 의 내주면 사이를 통과하여 처리액이 토출구 (411) 밖으로부터 낙하하는 것이 방지된다.As shown in FIG. 8, the O-ring 472 may be formed on the inner circumferential surface of the annular protrusion 433 of the fixing member 432. In the example of FIG. 8, even if the processing liquid enters between the outer circumferential surface of the connecting tube 47 and the inner circumferential surface of the large diameter portion 462, it passes between the outer circumferential surface of the small diameter portion 461 and the inner circumferential surface of the annular protrusion 433. The processing liquid is prevented from falling out of the discharge port 411.

상기 기판 처리 장치 (1) 에서는 여러 가지 변형이 가능하다.Various modifications are possible in the substrate processing apparatus 1.

기판 처리 장치 (1) 에서는, 도전성을 갖는 약액 이외에, 도전성을 갖는 다른 처리액이 토출부 (41, 41a, 41b) 로부터 토출되어도 된다. 또, 도전성을 갖지 않는 처리액이 토출부 (41, 41a, 41b) 로부터 토출되어도 된다. 이와 같은 처리액도 대전된 상태에서 기판 (9) 상에 토출되면, 기판 (9) 상의 막 등의 파괴가 발생하기 때문에, 토출구 (411) 로부터 토출되기 직전에, 접지된 선단 접액면 (451) 을 통하여 제전되는 것이 바람직하다. 처리액으로서는, 각종 약액 이외에, 순수, 탄산수나 유기 용제 등이 예시된다.In the substrate processing apparatus 1, in addition to the chemical liquid having conductivity, other processing liquids having conductivity may be discharged from the discharge portions 41, 41a, 41b. Moreover, the process liquid which is not electroconductive may be discharged from the discharge part 41, 41a, 41b. When such a processing liquid is also discharged onto the substrate 9 in a charged state, breakage of a film or the like on the substrate 9 occurs, and therefore, the ground contact surface 451 grounded immediately before being discharged from the discharge port 411. It is preferable to be discharged through. Examples of the treatment liquid include pure water, carbonated water, an organic solvent, and the like, in addition to various chemical liquids.

토출부 (41, 41a, 41b) 에서는, 접액면 (45) 만이 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되고, 다른 부위가 금속을 함유하는 재료로 형성되어도 된다. 즉, 적어도 접액면 (45) 이 금속을 함유하지 않는 재료로 형성된다. 또, 도전성을 갖는 선단 접액면 (451) 은, 유리상 카본 이외에, CVDSiC (화학 기상 증착법에 의해 성막되는 탄화규소) 등의 금속을 함유하지 않는 도전성 재료로 형성되어도 된다.In the discharge parts 41, 41a, 41b, only the liquid contact surface 45 may be formed of a material containing no metal, and other portions may be formed of a material containing metal. In other words, at least the liquid contact surface 45 is formed of a material containing no metal. The conductive front end surface 451 may be formed of a conductive material containing no metal such as CVDSiC (silicon carbide formed by chemical vapor deposition) in addition to glassy carbon.

토출부 (41, 41a, 41b) 는, 처리액에 의해 기판 (9) 을 처리하는 여러 가지 기판 처리 장치에 있어서 이용 가능하다. 이미 서술한 바와 같이, 석백에 의해 처리액의 액 끊김이 발생하기 쉽기 때문에, 처리액을 보다 확실하게 제전하는 상기 수법은, 공급 라인 (32) 의 회수 위치와 토출부 (41, 41a, 41b) 사이에 존재하는 처리액을 회수하는 처리액 회수부 (35) 를 갖는 기판 처리 장치 (1) 에 특히 적합하다고 할 수 있다.The discharge parts 41, 41a, 41b can be used in various substrate processing apparatuses for treating the substrate 9 with a processing liquid. As described above, since liquid breakage of the processing liquid is likely to occur due to the three-back, the above method for more reliably discharging the processing liquid includes the recovery position of the supply line 32 and the discharge portions 41, 41a, 41b. It can be said that it is especially suitable for the substrate processing apparatus 1 which has the process liquid collection part 35 which collects the process liquid which exists in between.

기판 처리 장치 (1) 에서 처리되는 기판은 반도체 기판에는 한정되지 않고, 유리 기판이나 다른 기판이어도 된다.The substrate processed by the substrate processing apparatus 1 is not limited to a semiconductor substrate, A glass substrate or another substrate may be used.

상기 실시형태 및 각 변형예에 있어서의 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합되어도 된다.The configurations in the above embodiments and each modification may be appropriately combined as long as they do not contradict each other.

발명을 상세하게 묘사하여 설명했지만, 이미 서술한 설명은 예시적인 것으로서 한정적인 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한, 다수의 변형이나 양태가 가능하다고 할 수 있다.Although the invention has been described and described in detail, the foregoing description is illustrative and not restrictive. Accordingly, many modifications and aspects are possible without departing from the scope of the present invention.

1 : 기판 처리 장치
5 : 접지부
9 : 기판
32 : 공급 라인
33 : 처리액 공급부
34 : 회수 라인
35 : 처리액 회수부
39 : 접속부
40a, 40b : 보조 토출부
41, 41a, 41b : 토출부
42, 46 : 선단부
44, 47 : 접속 튜브
45 : 접액면
48, 52 : 보호 튜브
51 : 접지선
351 : 이젝터
411 : 토출구
451 : 선단 접액면
471 : 도전부
481 : 환상 간극1: substrate processing apparatus
5: grounding part
9: substrate
32: supply line
33: treatment liquid supply unit
34: recovery line
35: treatment liquid recovery part
39: connection part
40a, 40b: auxiliary discharge part
41, 41a, 41b: discharge part
42, 46: distal end
44, 47: connection tube
45: liquid contact surface
48, 52: protective tube
51: ground wire
351: ejector
411: discharge port
451: end contact surface
471: conductive part
481: the annular gap

Claims (11)

접액면이 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되고, 상기 접액면 중 토출구를 갖는 선단부에 있어서의 선단 접액면이 도전성을 갖고, 상기 토출구로부터 처리액을 기판을 향하여 토출하는 토출부와,
상기 토출부에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 선단 접액면을 전기적으로 접지하는 접지부를 구비하고,
상기 선단부가, 상기 토출부에 포함되는 노즐부의 선단부이고,
상기 노즐부가,
내부 유로를 갖는 본체부와,
상기 토출구가 형성된 상기 선단부와,
상기 본체부의 주위를 덮는 커버부를 구비하고,
상기 처리액이, 상기 내부 유로를 통하여 상기 토출구로 유도되고,
상기 본체부 및 상기 선단부가, 도전성 재료에 의해 하나로 연결된 부재로서 형성되어 있고,
상기 접지부가 갖는 접지선이, 상기 본체부에 직접 접속되고,
상기 토출부의 상기 토출구가, 상기 기판의 하나의 주면의 상방에서 상기 주면에 대향하고,
상기 토출구의 둘레 가장자리가, 상기 토출부의 최하점인, 기판 처리 장치.A discharge portion which is formed of a material which does not contain a metal and the tip liquid contact surface at the tip portion having a discharge port of the liquid contact surface is conductive, and discharges the processing liquid from the discharge port toward the substrate;
A processing liquid supply unit supplying the processing liquid to the discharge unit;
A grounding part for electrically grounding the tip contact surface;
The tip portion is a tip portion of a nozzle portion included in the discharge portion,
The nozzle unit,
A main body having an internal flow path,
The tip portion having the discharge hole formed therein;
A cover part covering the periphery of the main body part,
The processing liquid is guided to the discharge port through the internal flow path,
The main body portion and the tip portion are formed as a member connected by one with a conductive material,
The ground wire which the said ground part has is directly connected to the said main-body part,
The discharge port of the discharge portion faces the main surface above one main surface of the substrate,
The substrate processing apparatus in which the peripheral edge of the said discharge port is the lowest point of the said discharge part. 제 1 항에 있어서,
상기 선단 접액면이 유리상 카본으로 형성되는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A substrate processing apparatus, wherein the tip liquid contact surface is formed of glassy carbon. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 토출부를 지지하는 아암과,
상기 아암에 지지됨과 함께, 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되는 보호 튜브를 추가로 구비하고,
상기 접지선이, 상기 보호 튜브 내에 배치되는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
An arm supporting the discharge portion;
In addition to being supported by the arm, and further provided with a protective tube formed of a material containing no metal,
And the ground wire is disposed in the protective tube. 접액면이 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되고, 상기 접액면 중 토출구를 갖는 선단부에 있어서의 선단 접액면이 도전성을 갖고, 상기 토출구로부터 처리액을 기판을 향하여 토출하는 토출부와,
상기 토출부에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 선단 접액면을 전기적으로 접지하는 접지부를 구비하고,
상기 토출부가, 외주면의 적어도 일부에 길이 방향으로 연속되는 도전부를 갖는 접속 튜브를 구비하고,
상기 접속 튜브의 일단이 상기 선단부에 접속됨으로써, 상기 도전부가 상기 선단 접액면에 전기적으로 접속되고,
상기 처리액 공급부에 의해 상기 접속 튜브의 타단에 상기 처리액이 공급되고,
상기 접지부가, 상기 선단부로부터 떨어진 위치에 있어서, 상기 접속 튜브의 상기 도전부를 전기적으로 접지하는, 기판 처리 장치.A discharge portion which is formed of a material which does not contain a metal and the tip liquid contact surface at the tip portion having a discharge port of the liquid contact surface is conductive, and discharges the processing liquid from the discharge port toward the substrate;
A processing liquid supply unit supplying the processing liquid to the discharge unit;
A grounding part for electrically grounding the tip contact surface;
The discharge portion includes a connection tube having a conductive portion continuous in the longitudinal direction on at least a portion of the outer circumferential surface,
One end of the connection tube is connected to the tip portion, whereby the conductive portion is electrically connected to the tip contact surface,
The treatment liquid is supplied to the other end of the connection tube by the treatment liquid supply unit,
The substrate processing apparatus of the said ground part electrically grounds the said electroconductive part of the said connection tube in the position away from the said front end part. 제 5 항에 있어서,
상기 접속 튜브가 통상의 상기 선단부 내에 삽입됨으로써, 상기 도전부가 상기 선단 접액면에 전기적으로 접속되는, 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The said processing tube is inserted into the said normal tip part, and the said electroconductive part is electrically connected to the said front liquid contact surface. 제 5 항에 있어서,
상기 토출부가, 금속을 함유하지 않는 재료로 형성되고, 상기 접속 튜브의 상기 외주면을 덮는 보호 튜브를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The said processing part is formed with the material which does not contain a metal, and is further equipped with the protection tube which covers the said outer peripheral surface of the said connection tube. 제 7 항에 있어서,
상기 접속 튜브의 상기 외주면과 상기 보호 튜브의 내주면 사이에 환상 간극이 형성되는, 기판 처리 장치.The method of claim 7, wherein
A substrate processing apparatus wherein an annular gap is formed between the outer circumferential surface of the connection tube and the inner circumferential surface of the protective tube. 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토출부와 상기 처리액 공급부를 접속하는 공급 라인과,
상기 공급 라인에 있어서의 회수 위치에 일단이 접속되는 회수 라인과,
상기 회수 라인에 형성된 이젝터를 갖고, 상기 공급 라인의 상기 회수 위치와 상기 토출부 사이에 존재하는 처리액을 회수하는 처리액 회수부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1, 2 and 4 to 8,
A supply line connecting the discharge part and the processing liquid supply part;
A recovery line having one end connected to a recovery position in the supply line;
A substrate processing apparatus having an ejector formed in the recovery line, and further comprising a processing liquid recovery part for recovering a processing liquid existing between the recovery position of the supply line and the discharge part. 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토출부의 상기 토출구가, 상기 기판의 하나의 주면의 상방에서 상기 주면에 대향하고,
상기 토출구의 둘레 가장자리가, 상기 토출부의 최하점인, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 5 to 8,
The discharge port of the discharge portion faces the main surface above one main surface of the substrate,
The substrate processing apparatus in which the peripheral edge of the said discharge port is the lowest point of the said discharge part. 제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 선단 접액면이 유리상 카본으로 형성되는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 4 to 8,
A substrate processing apparatus, wherein the tip liquid contact surface is formed of glassy carbon.
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