WO2020174874A1 - Substrate processing device, semiconductor manufacturing device, and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing device, semiconductor manufacturing device, and substrate processing method Download PDF

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WO2020174874A1
WO2020174874A1 PCT/JP2019/051476 JP2019051476W WO2020174874A1 WO 2020174874 A1 WO2020174874 A1 WO 2020174874A1 JP 2019051476 W JP2019051476 W JP 2019051476W WO 2020174874 A1 WO2020174874 A1 WO 2020174874A1
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solvent
inert solvent
substrate
component
unit
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PCT/JP2019/051476
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Inventor
及川 文利
Original Assignee
株式会社荏原製作所
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • Substrate processing apparatus semiconductor manufacturing apparatus, and substrate processing method
  • the present invention relates to an apparatus for treating a substrate, particularly for cleaning and drying.
  • the present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus including the device.
  • the present invention relates to a method of treating, in particular cleaning and drying a substrate.
  • a polishing apparatus is used for polishing a substrate by using a polishing liquid for planarizing the substrate and removing a film on the substrate.
  • a polishing liquid for planarizing the substrate and removing a film on the substrate.
  • scrub cleaning, ultrasonic cleaning, two-fluid cleaning, etc. are used, and as the cleaning liquid, an acidic or alkaline aqueous solution that is suitable for the removal target (particles or metal contamination) or super liquid is used. Pure water is used. When chemicals are used, it is generally known to rinse the substrate with ultrapure water to remove the chemical components.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 20 05 _ 5 4 6 9
  • Patent Document 2 JP 2 0 0 5 _ 1 2 3 2 1 8 Publication
  • Patent Document 3 JP 2 0 0 6 _ 2 8 6 9 4 8 Publication
  • Patent Document 4 JP 2 0 1 3 _ 1 7 9 3 4 1 Publication
  • Patent Document 5 JP 2 0 0 9 _ 2 3 8 9 3 9 Publication
  • Patent Document 6 Japanese Patent Laid-Open No. 2 0 0 9 -2 6 7 3 6 8 ⁇ 0 2020/174874 2 ⁇ (: 17 2019/051476 Summary of invention
  • a method is known in which an inert solvent having high volatility is used in order to easily dry the substrate after the substrate processing step (see, for example, Patent Document 1).
  • the step of washing out the inert solvent with another solvent can be omitted, and thus the substrate can be dried in a short time.
  • Such an inert solvent is generally guided to a waste liquid treatment facility and treated.
  • an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can reuse an inert solvent.
  • An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus equipped with the above substrate processing apparatus.
  • a substrate holding unit that holds and rotates a substrate, an injection nozzle that injects an inert solvent onto the substrate held by the substrate holding unit, and a solvent recovery that recovers the inert solvent Part, a component analysis part for analyzing the components of the inert solvent recovered by the solvent recovery part, a component adjustment part for adjusting the component of the inert solvent analyzed by the component analysis part, and the component adjustment
  • a substrate processing apparatus comprising: a solvent supply unit that supplies the generated inert solvent to the jet nozzle; and an operation control unit that controls the operations of the component adjustment unit and the solvent supply unit.
  • the solvent recovery unit collects and liquefies the vaporized inert solvent injected from the injection nozzle, and a solvent liquefaction device, ⁇ 2020/174874 3 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • a solvent separation device that separates a mixed liquid containing the liquid inert solvent and a cleaning liquid used for cleaning the substrate, and recovers only the inert solvent from the mixed liquid, and the solvent liquefaction device. And a solvent recovery tank for storing the liquefied inert solvent and the inert solvent separated by the solvent separation device.
  • the inert solvent is a mixed solvent of a fluorine-based solvent and an alcohol-based solvent
  • the component analysis unit analyzes a mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent
  • the component adjusting unit adjusts the mixing ratio based on the analyzed mixing ratio
  • the operation control unit determines whether or not the component of the inert solvent is out of a predetermined control range based on the component of the inert solvent analyzed by the component analysis unit, When the component of the inert solvent is out of the predetermined control range, a command is issued to the component adjusting section to adjust the component of the inert solvent.
  • the inert solvent is a solvent containing at least one of a hydrofluoroether and a hydrofluorocarbon, and an alcohol.
  • the injection nozzle is a two-fluid nozzle that supplies the inert solvent and the inert gas, or a megasonic nozzle that supplies the inert solvent to which megasonic is added.
  • the semiconductor manufacturing apparatus includes a substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus holds a substrate, rotates the substrate, and holds the substrate on the substrate.
  • An injection nozzle for injecting an inert solvent for injecting an inert solvent, a solvent recovery unit for recovering the inert solvent, a component analysis unit for analyzing the components of the inert solvent recovered by the solvent recovery unit, and the component analysis unit Component adjusting section for adjusting the component of the inert solvent analyzed by the above, a solvent supply section for supplying the inert solvent with the adjusted component to the injection nozzle, and the operation of the component adjusting section and the solvent supply section
  • a semiconductor manufacturing apparatus is provided which includes an operation control unit for controlling the. ⁇ 2020/174874 4 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • Injecting an inert solvent with a spray nozzle collecting the inert solvent, analyzing the components of the recovered inert solvent, adjusting the analyzed components of the inert solvent, and adjusting the components
  • a method for treating a substrate which comprises supplying an inert solvent to the spray nozzle.
  • the inert solvent vaporized and collected from the jet nozzle is recovered and liquefied, and the liquid inert solvent jetted from the jet nozzle and a cleaning liquid used for cleaning the substrate are provided.
  • the mixed solution containing is separated, only the inert solvent is recovered from the mixed solution, and the liquefied inert solvent and the separated inert solvent are stored.
  • the inert solvent is a mixed solvent of a fluorine-based solvent and an alcohol-based solvent
  • the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent is analyzed, and based on the analyzed mixing ratio. Then, the mixing ratio is adjusted.
  • the inert solvent is a solvent containing at least one of a hydrofluoroether and a hydrofluorocarbon, and an alcohol.
  • the injection nozzle is a two-fluid nozzle that supplies the inert solvent and the inert gas, or a megasonic nozzle that supplies the inert solvent to which megasonic is added.
  • the substrate processing apparatus can collect, analyze, adjust, and supply the inert solvent jetted from the jet nozzle to the jet nozzle again. Therefore, the substrate processing apparatus can reuse the inert solvent.
  • FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus.
  • FIG. 2 A diagram showing a processing flow by an operation control unit.
  • FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the substrate processing apparatus.
  • FIG. 4 is a view showing still another embodiment of the substrate processing apparatus.
  • FIG. 5 is a view showing still another embodiment of the substrate processing apparatus.
  • FIG. 6 is a diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus including a substrate processing apparatus.
  • FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the substrate processing apparatus 1.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a substrate holding unit 2 that holds a substrate, and an injection nozzle 3 that injects an inert solvent containing a fluorine-based solvent onto the substrate held by the substrate holding unit 2.
  • a solvent recovery unit 4 for recovering the inert solvent
  • a component analysis unit 5 for analyzing the components of the inert solvent recovered by the solvent recovery unit 4
  • Component adjuster 6 for adjusting the components
  • solvent supply unit 7 for supplying the inert solvent whose component has been adjusted by the component adjuster 6 to the injection nozzle 3, and operation of the component adjustor 6 and the solvent supply unit 7. It is provided with an operation control unit 8 for controlling the.
  • the substrate holding unit 2 is composed of a spin chuck 10 for holding the substrate horizontally, a chuck support shaft 11 fixed to the spin chuck 10, a chuck actuator 12 connected to the chuck support shaft 1 1. Equipped with.
  • the chuck actuator 12 is configured to rotate the substrate about its central axis and raise and lower the substrate.
  • the chuck actuator 12 includes an elevating device that elevates and lowers the substrate via the spin chuck 10 and the chuck support shaft 11 and a rotation drive device that rotates the substrate through the spin chuck 10 and the chuck support shaft 11. I have it.
  • An example of lifting equipment is the combination of a ball screw and a servomotor. ⁇ 2020/174874 6 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the substrate includes a rectangular substrate and a circular substrate.
  • the rectangular substrate includes a polygonal glass substrate such as a rectangle, a liquid crystal substrate, a printed circuit board, and other polygonal objects to be plated.
  • Circular substrates include semiconductor wafers, glass substrates, and other circular substrates.
  • the cleaning liquid supply nozzle 1 is provided above the substrate held by the spin chuck 10.
  • Each of the cleaning liquid supply nozzles 15 and 16 is configured to supply a cleaning liquid (for example, a chemical liquid or pure water) to the upper surface (that is, the front surface or the back surface) of the substrate.
  • a cleaning liquid for example, a chemical liquid or pure water
  • a process cup 20 that receives the liquid shaken off from the rotating substrate is arranged.
  • the process cup 20 is arranged so as to surround the peripheral portion of the substrate, and is fixed to the support plate 21 arranged below the spin chuck 10.
  • the injection nozzle 3 is arranged above the center of the substrate held by the spin chuck 10.
  • the injection nozzle 3 is attached to one end of a nozzle arm 25 extending horizontally in the radial direction of the substrate.
  • An arm support shaft 26 is attached to the other end of the nozzle arm 25.
  • a nozzle actuator 27 is connected to the arm support shaft 26.
  • the nozzle actuator 27 is configured to swivel the jet nozzle 3 in the radial direction of the substrate and move the jet nozzle 3 up and down.
  • Nozzle actuator 2-7 lifts and lowers the spray nozzle 3 via the arm support shaft 26 and nozzle arm 25 and the spray nozzle 3 via the arm support shaft 26 and nozzle arm 25.
  • a rocking device for rocking An example of the lifting device is a combination of a ball screw and a servomotor. A motor can be given as an example of the rocking device.
  • the operation control unit 8 includes a chuck actuator 12 and a chuck actuator 12. ⁇ 0 2020/174 874 7 ⁇ (: 17 2019/051476
  • the injection nozzle 3, the spin chuck 10, the chuck support shaft 11 and the cleaning liquid supply nozzles 15 and 16 and the process cup 20, the support plate 21 and the nozzle arm 25 and the arm support shaft 26 are , Located inside the chamber 30.
  • a filter fan unit 3 1 is arranged above the chamber 30.
  • the filter fan unit 31 has an air filter (not shown). As the air passes through the air filter, impurities such as particles are removed from the air, and clean air is discharged downward from the filter fan unit 3 1. Therefore, a downward flow of clean air is formed in the chamber 30.
  • an ionizer (static elimination device) 32 for removing static electricity from the substrate held by the spin chuck 10.
  • the ionizer 32 is capable of irradiating the substrate held by the spin chuck 10 with ions. Inert solvents with low electrical resistivity are present. If an inert solvent with a low electrical resistivity is used, the substrate may become charged when it is dried. As a result, impurities may adhere to the substrate. In this embodiment, the ionizer 32 can prevent the substrate from being charged.
  • the 16 supplies the cleaning liquid to the center of the upper surface of the substrate.
  • the cleaning liquid supplied to the substrate is spread over the entire upper surface of the substrate by the centrifugal force, and as a result, the entire substrate is covered with the cleaning liquid.
  • the inert solvent is a solvent containing a fluorine solvent and an alcohol solvent.
  • the inert solvent is hydrofluoroether. ⁇ 2020/174 874 8 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • a solvent containing at least one of the compounds and hydrofluorocarbons and an alcohol eg, isopropyl alcohol.
  • an alcohol eg, isopropyl alcohol.
  • fluorine-based solvent include perfluorocarbons as well as hydrofluoroethers and hydrofluorocarbons.
  • the challenges for cleaning the substrate are as follows. Impurities such as particles that adhere to the substrate adhere to the substrate due to the liquid bridge force and van der Waalsca force. In order to remove such impurities, it is sufficient to give the impurities a removing power that exceeds the adhesive power of the impurities.
  • a method of controlling the hydrogen ion exponent (! ⁇ 1) of the liquid supplied to the substrate or a method of slightly etching the substrate can be considered.
  • a scrub cleaning method using a contact cleaning member such as eight sponges an ultrasonic cleaning method in which ultrasonic vibration is applied to the liquid, or a mixed gas/liquid flow is jetted onto the substrate.
  • a fluid cleaning method is possible.
  • the scrub cleaning method is a method of controlling the relative speed and pressure between the substrate and the cleaning member.
  • the ultrasonic cleaning method is a method of controlling the frequency and output of ultrasonic waves.
  • the two-fluid cleaning method is a method of controlling the flow velocity and flow rate of the fluid. Such a method is a method of enhancing the physical power of impurities to enhance the ability to remove impurities.
  • the inert solvent is a solvent containing at least one of hydrofluoroethers and hydrofluorocarbons and alcohols.
  • the effects of using such an inert solvent for cleaning the substrate are as follows.
  • the inert solvent has a density (1 ,4401 ⁇ /111 3 (@25 ⁇ )) of ultrapure water (water: about 9971 ⁇ /111 3 (@26.85 ⁇ )) It has the property that it is larger than the density of the chemical solution in the alkaline aqueous solution.
  • the droplet of the inert solvent and the droplet of the above liquid have the same size and the same flow velocity.
  • the impulse and kinetic energy of the droplet of the inert solvent are large due to the high density of the droplet, and the above-mentioned inert solvent causes the droplet to collide with the substrate. , Becomes a large impurity removing power.
  • the inert solvent as a liquid for cleaning and drying the substrate has a large removing power as compared with the removing power of the liquid.
  • the inert solvent can remove impurities having a larger adhesive force or smaller size than ever before.
  • the surface tension of the inert solvent (14.0! ⁇ /(! is the surface tension of ultrapure water (water: approx. 72. ⁇ 2020/174874 10 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the inert solvent contains alcohols, by supplying the inert solvent to the substrate, it is possible to dissolve the slightly remaining water in the alcohol in the inert solvent, and Can be removed. As a result, the inert solvent can suppress the generation of fine watermarks.
  • the inert solvent, the density (1, 440 ( ⁇ / (11 3) have the property that large compared to the density of the liquid (chemical solution with ultrapure water or acidic or alkaline) Therefore, the centrifugal force acting on the inert solvent is increased in the spin dry drying step of shaking off the liquid by centrifugal force, and as a result, the inert solvent can be quickly shaken off.
  • the inert solvent has a property that the latent heat of vaporization is low (1261 ⁇ 9 ) (for reference, water: about 2, 2 501 ⁇ 9 ). Therefore, the residue of the inert solvent attached to the upper surface of the substrate can be quickly evaporated and quickly removed from the upper surface of the substrate. Compared with the conventional technique of spraying vapor on the interface between gas and liquid to gradually widen the drying range, the use of an inert solvent allows the drying process to be completed in a short time. It is possible and can contribute to improving the productivity of the device.
  • the inert solvent according to the present embodiment can exert a great effect in the washing process and the drying process.
  • such inert solvents are very expensive. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment has a configuration capable of reusing the inert solvent. ⁇ 0 2020/174 874 1 1 ⁇ (: 17 2019/051476
  • the configuration of the solvent recovery unit 4 will be described.
  • the solvent recovery unit 4 collects and liquefies the vaporized inert solvent (that is, vaporized solvent) ejected from the ejection nozzle 3, and the liquid liquefaction device 35 ejected from the ejection nozzle 3.
  • Solvent separator 3 6 that separates the mixed solution containing the active solvent (that is, liquid solvent) and the cleaning solution used to clean the substrate, and recovers only the inert solvent from this mixed solution, and the solvent liquefier 3 5
  • a solvent recovery tank 37 for storing the inert solvent liquefied by and the inert solvent separated by the solvent separation device 36.
  • the cleaning liquid is a liquid containing at least one of pure water and a chemical liquid supplied from the cleaning liquid supply nozzles 15 and 16.
  • the solvent liquefaction device 35 includes an exhaust line 40 for transferring the inert solvent vaporized inside the chamber 30 and a cooling unit 41 connected to the exhaust line 40. ..
  • the exhaust line 40 has an intake port 4 arranged inside the chamber 30 and an exhaust port 40 arranged outside the chamber 30.
  • the intake port 40 3 of the exhaust line 40 is arranged below the spin chuck 10 and inside the process cup 20 in the radial direction.
  • the vaporized solvent flows into the exhaust line 40 through the intake port 40 3 and moves in the exhaust line 40.
  • the cooling unit 41 cools the vaporized solvent moving in the exhaust line 40 and liquefies the vaporized solvent. More specifically, the cooling unit 41 includes a cooling pipe 42 for circulating the cooling liquid and a temperature adjusting device 43 for adjusting the temperature of the cooling liquid flowing through the cooling pipe 42.
  • the operation control unit 8 is electrically connected to the temperature adjusting device 43.
  • the operation control unit 8 issues a command to the temperature adjusting device 43 to adjust the temperature of the cooling liquid flowing through the cooling pipe 42.
  • the temperature adjusting device 43 adjusts the temperature of the cooling liquid to a temperature lower than the boiling point of the inert solvent according to a command from the operation control unit 8.
  • the vaporized solvent moving in the exhaust line 40 contacts the cooling pipe 42 and is liquefied.
  • the liquefied inert solvent is collected through the liquefied solvent transfer line 44. ⁇ 2020/174874 12 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the solvent recovery tank 37 is a tank for storing the reused inert solvent, and the liquefied solvent transfer line 44 is connected to the solvent recovery tank 37.
  • Mixed gas such as vaporized solvent that has not been liquefied and clean air discharged from the filter fan unit 31 is transferred to the outside (for example, an exhaust utility) through the exhaust port 401.
  • the solvent separation device 36 includes a recovery line 45 having an inlet 453 arranged inside the chamber 30 and a continuous centrifuge 46 connected to the recovery line 45. I have it.
  • the inlet 453 of the recovery line 45 is arranged at a position lower than the spin chuck 10 and is arranged radially inward of the process cup 20.
  • the chamber 30 is a closed space provided with an exhaust line 40 and a recovery line 45.
  • the inert solvent and the cleaning liquid which flow downward on the inner peripheral surface of the process cup 20 flow into the recovery line 45 through the inlet 4 5 3 of the recovery line 45 as a mixed liquid.
  • the mixed liquid (inert solvent and washing liquid) flowing into the recovery line 45 is introduced into the continuous centrifuge 46, and is separated into the inert solvent and the washing liquid by the continuous centrifuge 46.
  • the cleaning liquid is transferred to the outside (for example, a drainage utility).
  • the inert solvent is transferred to the solvent recovery tank 37 through the separation solvent transfer line 47.
  • the separation solvent transfer line 47 is connected to the solvent recovery tank 37.
  • the inert solvent is a mixed solvent of a fluorine solvent and an alcohol solvent.
  • the component analysis unit 5 ⁇ 2020/174874 13 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the component analysis unit 5 includes a mass detector 50 that detects the mass of the inert solvent stored in the solvent recovery tank 37, and a liquid of the inert solvent stored in the solvent recovery tank 37.
  • Mixing ratio calculation that calculates the mixing ratio of the fluorine-based solvent and alcohol-based solvent based on the values detected by the liquid level detector 51 that detects the surface, the mass detector 50, and the liquid level detector 51. Part 52 and is provided.
  • the mass detector 50 and the liquid level detector 51 are electrically connected to the mixing ratio calculation unit 52.
  • the mixing ratio calculating unit 5 2 includes a memory 5 2 3 storing a program, and a processor 5 2 spoon carrying out operations according to the program.
  • the mass detector 50 detects the total mass of the solvent recovery tank 37 and the inert solvent.
  • the processing device 52 calculates the mass of the inert solvent stored in the solvent recovery tank 37 by subtracting the mass of the solvent recovery tank 37 from the total mass detected by the mass detector 50. ..
  • storage device 5 2 3 the size of the solvent recovery tank 3 7 (i.e., volume) stores pre Me a processor 5 2 spoon is inert solvent which is detected by the liquid level detector 5 1 Calculate the volume of the inert solvent from the relationship between the liquid surface of and the size of the solvent recovery tank 37.
  • the processing unit 52 calculates the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent based on the values sent from the mass detector 50 and the liquid level detector 51.
  • the storage device 5 2 Since the difference between the specific gravity of the fluorine-based solvent and the specific gravity of the alcohol-based solvent is large, when the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent changes, the mass of the inert solvent and the volume of the inert solvent are changed. Relationships also change. Therefore, the storage device 5 2 3, components of the fluorine-based solvent (i.e., mixing ratio of the fluorine-based solvent and an alcohol solvent) data a correlation between the mass and the volume of inert solvent and inert solvent I remember it as a source.
  • components of the fluorine-based solvent i.e., mixing ratio of the fluorine-based solvent and an alcohol solvent
  • the processing device 52 is detected by the mass detector 50 and the volume of the inert solvent calculated based on the liquid level of the inert solvent detected by the liquid surface detector 51. ⁇ 2020/174874 14 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the mixing ratio calculation unit 52 is incorporated in the operation control unit 8, but it may be provided separately from the operation control unit 8. In this case, the mixing ratio calculation unit 52 is electrically connected to the operation control unit 8.
  • the component analysis unit 5 may include a component meter (not shown) instead of providing the mass detector 50, the liquid level detector 51, and the mixing ratio calculation unit 52. Yes.
  • a chromatographic device or a refractive index sensor can be given as an example of the component meter.
  • the component meter is a device for analyzing the components of the inert solvent in the solvent recovery tank 37 and measuring the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent.
  • the component meter is electrically connected to the operation control unit 8.
  • the operation control unit 8 determines whether the component of the inert solvent is out of the predetermined control range based on the component (mixing ratio) of the inert solvent analyzed by the component analysis unit 5, and When the component of the active solvent is out of the predetermined control range, the component adjusting section 6 is instructed to adjust the component of the inert solvent.
  • the configuration of the component adjusting unit 6 will be described.
  • the component adjusting unit 6 adjusts the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent based on the analyzed mixing ratio. More specifically, the component adjusting unit 6 includes a fluorine-based solvent supply source 55 and an alcohol-based solvent supply source 5 6.
  • Each of the fluorine-based solvent supply source 5 5 and the alcohol-based solvent supply source 5 6 is electrically connected to the operation control unit 8 and stored in the solvent recovery tank 37 in accordance with a command from the operation control unit 8. It is configured to supply each of fluorine-based solvent and alcohol-based solvent.
  • the operation control unit 8 uses the fluorine-based solvent. ⁇ 2020/174874 15 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the component adjusting unit 6 is instructed to increase the concentration of.
  • the fluorine-based solvent supply source 55 of the component adjusting unit 6 supplies the fluorine-based solvent to the solvent recovery tank 37.
  • the component adjusting section 6 increases the concentration of the fluorinated solvent so that the concentration of the fluorinated solvent falls within the predetermined control range.
  • the operation control unit 8 lowers the concentration of the fluorine-based solvent. Is issued to the component adjustment unit 6. In response to this command, the alcohol solvent supply source 5 6 of the component adjusting unit 6 supplies the alcohol solvent to the solvent recovery tank 37. In this way, the component adjusting unit 6 lowers the concentration of the fluorinated solvent so that the concentration of the fluorinated solvent falls within the predetermined control range.
  • the relationship between the deviation of the concentration of the fluorine-based solvent from the control range and the supply amount of the fluorine-based solvent may be determined in advance.
  • the operation control unit 8 may supply the amount of alcohol solvent determined from this relationship to the inert solvent in the solvent recovery tank 37.
  • the operation control unit 8 may supply the amount of the fluorine-based solvent determined from this relationship to the inert solvent in the solvent recovery tank 37.
  • the fluorine-based solvent supply source 55 may include a fluorine-based solvent tank (not shown) provided with a liquid level gauge.
  • the liquid level gauge is electrically connected to the operation control unit 8.
  • the operation control unit 8 may be configured to issue an alarm when the level of the fluorine-based solvent in the fluorine-based solvent tank drops to a predetermined position. With this configuration, the operator can avoid a situation where the supply of the fluorine-based solvent is insufficient.
  • the alcohol solvent supply source 5 6 may have the same configuration.
  • the configuration of the solvent supply unit 7 will be described.
  • the solvent supply unit 7 is a solvent recovery tank.
  • a filter 62 for capturing foreign matters contained in the inert solvent flowing through and a flow rate adjusting valve 63 for adjusting the flow rate of the inert solvent flowing through the supply line 60 are provided.
  • the flow rate adjustment valve 63 an electromagnetic ⁇ 2020/174874 16 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the pump device 61 is arranged upstream of the filter 62 in the flow direction of the inert solvent flowing through the supply line 60, and the flow control valve 63 is provided downstream of the filter 62. It is located in.
  • the pump device 61 is electrically connected to the operation control unit 8.
  • the operation control unit 8 drives the pump device 61 according to the command.
  • the flow rate adjusting valve 63 is electrically connected to the operation controller 8.
  • the operation control unit 8 adjusts the opening degree of the flow rate adjusting valve 63 according to the command.
  • the operation control unit 8 includes a storage device 8 3 that stores a program and a processing device 8 13 that executes a calculation according to the program.
  • the above management range is stored in the storage device 83.
  • the operation control unit 8 including a computer operates according to a program electrically stored in the storage device 83.
  • FIG. 2 is a diagram showing a processing flow by the operation control unit 8.
  • the operation control unit 8 compares the components of the inert solvent analyzed by the component analysis unit 5 with a predetermined control range (see step 3101), and determines that the components of the inert solvent are Determine whether it is out of the prescribed management range (see step 3102)
  • the operation control unit 8 operates the solvent supply unit 7 (more specifically, the pump device 6 1). And flow control valve 6 3) to supply a predetermined amount of inert solvent to the injection nozzle 3 (see step 3103).
  • the operation control section 8 issues a command to the component adjustment section 6 to adjust the components of the inert solvent in the solvent recovery tank 37 (see step 3104). .. After that, the operation control unit 8 executes the same operation as in steps 3101 and 3102.
  • the program for causing the operation control unit 8 to execute these steps is recorded in a computer-readable recording medium that is a non-transitory tangible material, and is provided to the operation control unit 8 via the recording medium. .. Or, the program is ⁇ 2020/174874 17 ⁇ (: 171-1? 2019/051476
  • the operation control unit 8 may execute the above steps each time a predetermined unit of substrate is processed.
  • the predetermined unit may be one sheet or plural sheets.
  • the operation control unit 8 sets the solvent recovery tank 3 7 The above steps are carried out at time intervals such that the inert solvent components therein are always within the prescribed control range.
  • the substrate processing apparatus 1 can collect, analyze, adjust, and supply the inert solvent jetted from the jet nozzle 3 to the jet nozzle 3 again. In this way, the substrate processing apparatus 1 can circulate the inert solvent between the inside and the outside of the chamber 30 and thus can reuse the inert solvent.
  • the solvent recovery unit 4 recovers the inert solvent supplied to the substrate, the component analysis unit 5 analyzes the components of the recovered inert solvent, and the component adjustment unit 6 analyzes the analyzed inert solvent.
  • the components of the solvent are adjusted, and the solvent supply unit 7 supplies the inert solvent having the adjusted components to the injection nozzle 3.
  • the substrate processing apparatus 1 can easily collect the inert solvent with such a relatively simple structure.
  • the inert solvent has a density (1 ,4401 ⁇ /111 3 (@25 ⁇ )) of ultrapure water (water: about 9971 ⁇ /111 3 (@26.85 ⁇ )) Compared with the density of the chemical solution of alkaline aqueous solution, it has the property of being large, so even if the washing solution is mixed with an inert solvent, it can be easily mixed with a small continuous centrifuge 46. The active solvent can be separated and recovered.
  • the inert solvent has a property that its boiling point is about 54.5°. As described above, since the inert solvent has a relatively low temperature, the substrate processing apparatus 1 liquefies the vaporized solvent by condensing the vaporized solvent with the cooling unit 41 during the exhaust line 40. You can As described above, the substrate processing apparatus 1 can easily collect the inert solvent with a relatively simple structure. ⁇ 2020/174 874 18 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the filter 62 By providing the filter 62, foreign matter mixed in the inert solvent can be removed, so that the inert solvent can be cleaned to a level at which it can be reused. Since the inert solvent has excellent thermal and chemical stability as a liquid property, it can be used semipermanently by appropriately adjusting the concentration of the alcohol solvent. In addition, since the inert solvent does not have a flash point, there is no need for explosion-proof specifications on the device side, and it is possible to avoid complications and cost increases in the device design specifications. Compared with the drying method that uses liquid roe, the amount of roe roe used is significantly smaller, so there is no need to provide a waste water treatment facility dedicated to organic waste water treatment, and the waste treatment cost should be reduced. You can
  • FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the substrate processing apparatus 1.
  • the configuration of this embodiment that is not particularly described is the same as that of the above-described embodiment, and thus the overlapping description will be omitted.
  • the injection nozzle 3 is a two-fluid nozzle that supplies an inert solvent and an inert gas. More specifically, as shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus 1 includes a gas line 70 connected to the injection nozzle 3, an inert gas supply source 71 connected to the gas line 70, and a gas line 70. A flow rate adjusting valve 7 2 for adjusting the flow rate of the inert gas flowing through the line 70 is provided.
  • An example of the flow rate adjusting valve 72 is a solenoid valve.
  • the flow rate adjustment valve 72 is electrically connected to the operation control unit 8, and the operation control unit 8 can adjust the opening degree of the flow rate adjustment valve 72.
  • the injection nozzle 3 as a two-fluid nozzle supplies a two-fluid jet to the upper surface of the substrate, and as a result, the upper surface of the substrate is cleaned by the two-fluid jet.
  • the injection nozzle 3 may be a megasonic nozzle that supplies an inert solvent provided with megasonic.
  • the fluorine-based solvent has a high specific gravity, and depending on the flow rate of the two-fluid jet, the cleaning ability becomes too high, which may damage the substrate. Therefore, the relationship between the opening degree of the flow rate adjusting valve 63 and the opening degree of the flow rate adjusting valve 72 is as follows. ⁇ 2020/174874 19 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the processing recipe for the two-fluid cleaning can be adjusted.
  • the substrate processing apparatus 1 includes an inert solvent supply device 75 that supplies a new inert solvent to the injection nozzle 3 through the supply line 60.
  • the inert solvent supply device 75 is provided for auxiliary supply of a new inert solvent in case the supply amount of the inert solvent supplied to the injection nozzle 3 is insufficient.
  • the inert solvent supply device 75 includes an introduction line 7 6 connected to the supply line 60, an inert solvent supply source 7 7 connected to the introduction line 7 6, and a new flow flowing through the introduction line 7 6.
  • a flow control valve 78 for adjusting the flow rate of the inert solvent is provided.
  • An example of the flow rate adjusting valve 78 is a solenoid valve.
  • the flow rate adjustment valve 78 is electrically connected to the operation control unit 8, and the operation control unit 8 can adjust the opening degree of the flow rate adjustment valve 78.
  • the operation control unit 8 adjusts the opening degree of the flow rate adjusting valve 78 so that a new amount is supplied from the inert solvent supply source 77.
  • the inert solvent supply device 75 is provided. Therefore, the situation in which the inert solvent cannot be supplied to the injection nozzle 3 does not occur until the component adjustment unit 6 completes the component adjustment of the inert solvent.
  • FIG. 4 is a diagram showing still another embodiment of the substrate processing apparatus 1.
  • the solvent recovery tank 37 includes a component adjustment tank 80 and a solvent supply tank 81.
  • Each of the fluorine-based solvent supply source 55 and the alcohol-based solvent supply source 56 is configured to supply the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent to the component adjustment tank 80.
  • the mass detector 50 and the liquid level detector 51 are provided in the component adjustment tank 80.
  • the supply line 60 is connected to the solvent supply tank 81. ⁇ 2020/174 874 20 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the component adjustment tank 80 and the solvent supply tank 81 are connected through a connection line 82, and the pump device 83 is connected to the connection line 82. Therefore, the pump device 83 can transfer the inert solvent in the component adjustment tank 80 to the solvent supply tank 81 through the connection line 82 by driving the pump device 83.
  • the operation control unit 8 drives the pump device 8 3 to activate the inert gas in the component adjusting tank 80. Transfer solvent to solvent supply tank 81.
  • the component adjustment tank 80 and the solvent supply tank 81 are provided. Therefore, the situation in which the inert solvent cannot be supplied to the injection nozzle 3 does not occur until the component adjustment of the inert solvent by the component adjusting unit 6 is completed.
  • FIG. 5 is a diagram showing still another embodiment of the substrate processing apparatus 1.
  • the configuration of this embodiment that is not particularly described is the same as that of the above-described embodiment, and thus the duplicate description thereof will be omitted.
  • FIG. 5 shows another embodiment of the solvent recovery unit 4, the component analysis unit 5, and the component adjustment unit 6.
  • the solvent recovery section 4 includes a plurality (two in the present embodiment) of solvent recovery tanks 37 and 37.
  • the component analysis unit 5 includes a plurality (two in the present embodiment) of mass detectors 50 and 50 and a plurality (two in the present embodiment) of liquid level detectors 5 1, 8 and 5 1. It is equipped with and.
  • the number of mass detectors 50 and 50 corresponds to the number of solvent recovery tanks 37 and 37
  • the number of liquid level detectors 5 1 and 5 1 also corresponds to the number of solvent recovery tanks 37. It corresponds to a number of 37.
  • the component adjusting unit 6 includes a plurality (two in the present embodiment) of a fluorine-based solvent supply source 5.
  • the number of fluorine-based solvent sources 5 58, 55 corresponds to the number of solvent recovery tanks 37 8 and 37, and the number of alcohol solvent sources 5 6 and 5 6 It corresponds to the number of recovery tanks 37 and 37. ⁇ 2020/174874 21 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • a switching valve 90 is attached to the liquefied solvent transfer line 44, and the switching valve 90 has the first liquefied solvent branch line 4 4 3 and the 2-liquefaction solvent branch line 4 4 13 is installed.
  • the first liquefied solvent branch line 4 4 3 transfers the inert solvent liquefied by the cooling unit 4 1 to the solvent recovery tank 37 8 and the second liquefied solvent branch line 4 4 13 connects the cooling unit 4 1.
  • the inert solvent liquefied by 1 is transferred to the solvent recovery tank 37.
  • the separation solvent transfer line 47 is equipped with a switching valve 91, and the switching valve 91 is connected to the first separation solvent branch line 4 7 3 and the second separation solvent branch line 47.
  • the swallow is attached.
  • the first separation solvent branch line 4 7 3 transfers the inert solvent separated by the continuous centrifuge 4 6 to the solvent recovery tank 37
  • the second separation solvent branch line 4 7 connects the continuous centrifuge 4 6
  • the inert solvent separated by the above is transferred to the solvent recovery tank 37.
  • a solvent recovery tank 3 7 eight in a solvent recovery tank 3 7 eight is the first supply branch line 6 0 3 is connected to the first supply branch line 6 0 3, the first pump unit 61 eight is connected.
  • a second supply branch line 60 sq is connected to the solvent recovery tank 37, and a second pump device 61 s is connected to the second supply stub line 60.
  • a switching valve 92 is attached to the first supply branch line 60 3 and the second supply branch line 6013.
  • a supply line 60 is attached to the switching valve 92.
  • the operation control unit 8 is electrically connected to the switching valves 90, 91, 92.
  • the operation control unit 8 controls the switching valve 9 0 in order to prevent the situation in which the inert solvent cannot be supplied to the injection nozzle 3 until the component adjustment unit 6 completes the component adjustment of the inert solvent. , 9 1 and 9 2 are controlled.
  • the operation control unit 8 operates each of the switching valves 90 and 91 to operate one of the solvent recovery tanks 37 8 and 37 (for example, the solvent recovery tank). Store the inert solvent in 37). The operation control unit 8 issues a command to the component analysis unit 5 and the component adjustment unit 6 to control the inert solvent in the solvent recovery tank 37. ⁇ 2020/174874 22 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the operation control unit 8 operates the switching valve 92 to connect the first supply branch line 60 3 and the supply line 60.
  • the operation control unit 8 supplies the inert solvent in the solvent recovery tank 37 to the injection nozzle 3 by driving the first pump device 61.
  • the operation control unit 8 operates the switching valves 90, 91 again, so that the other one of the solvent recovery tanks 37, 38 (for example, the solvent recovery tank 37). Storing the inert solvent.
  • the operation control unit 8 issues a command to the component analysis unit 5 and the component adjustment unit 6 to adjust the components of the inert solvent in the solvent recovery tank 37.
  • the operation control unit 8 operates the switching valve 92 again to connect the second supply branch line 60 and the supply line 60.
  • the operation control unit 8 supplies the inert solvent in the solvent recovery tank 37 to the injection nozzle 3 by driving the second pump device 61.
  • the operation control unit 8 adjusts the components of the inert solvent stored in one of the solvent recovery tanks 37 8 and 37, and adjusts the inert solvent with the adjusted components.
  • the inert solvent may be stored in the other solvent recovery tank while being supplied to the injection nozzle 3, and the components of the inert solvent stored in the solvent recovery tank may be adjusted.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a solvent recovery tank 37 (or solvent recovery tank 37) as a main tank and a solvent recovery tank 37 (or solvent recovery tank) as a sub tank. Tank 37 8), and. Therefore, the situation in which the inert solvent cannot be supplied to the injection nozzle 3 does not occur until the component adjustment of the inert solvent by the component adjusting unit 6 is completed.
  • the inert solvent supply device 75 shown in FIG. 3 may be incorporated into at least one of the embodiment shown in FIG. 1, the embodiment shown in FIG. 4, and the embodiment shown in FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus 100 including the substrate processing apparatus 1.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 100 includes a substantially rectangular housing 1101, and a port boat 102 on which a substrate cassette that accommodates a large number of substrates is placed. ⁇ 2020/174874 23 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the mouth boat 102 is located adjacent to the housing 101.
  • the mouth boat 102 can be equipped with an open cassette, a SM IF (Standard Manufacturing Interface) pod, or a F ⁇ U P (Front Opening Unified Pod).
  • the SM F and F O U P are enclosed containers that house the substrate force set inside and cover it with a partition to maintain an environment independent of the external space.
  • a plurality (four in the present embodiment) of polishing units 104a to 104d and a first cleaning unit 1060 for cleaning the substrate after polishing are provided inside the housing 101.
  • the second cleaning unit 108 and the substrate processing apparatus 1 described above are housed.
  • the polishing units 1 04 a to 104 d are arranged along the longitudinal direction of the semiconductor manufacturing equipment, and the cleaning units 1 06, 108 and the substrate processing equipment 1 are also arranged along the longitudinal direction of the semiconductor manufacturing equipment.
  • the substrate processing apparatus 1 may be referred to as a cleaning and drying unit (or a processing unit).
  • the first substrate transfer robot 1 1 2 is arranged in the area surrounded by the port boat 102, the polishing unit 1 04 a, and the substrate processing apparatus 1, and the polishing unit 1 04 a to 1
  • the board transfer unit 1 1 4 is placed parallel to 04d.
  • the first substrate transfer robot 1 12 receives the substrate before polishing from the port board 102 and transfers it to the substrate transfer unit 1 14 and receives the dried substrate from the substrate processing apparatus 1 and outputs it to the port board 1 1 2.
  • the substrate transfer unit 1 1 1 4 transfers the substrate received from the first substrate transfer robot 1 1 1 2 and transfers the substrate to and from each polishing unit 1 04 a to 104 d.
  • Each polishing unit polishes the upper surface of the substrate by sliding the substrate onto the polishing surface while supplying the polishing liquid to the polishing surface of the substrate.
  • the hole is located inside the housing 101.
  • the first cleaning unit 106 there is used a substrate cleaning device that cleans the substrate by rubbing a mouth sponge on both sides of the substrate in the presence of a chemical solution.
  • a two-fluid type substrate cleaning device is used as the second cleaning unit 108.
  • the substrate is a polishing unit 1 0 4 Polished by at least one of 104.
  • the polished substrate is cleaned by the first cleaning unit 106 and the second cleaning unit 108, and the cleaned substrate is cleaned and dried by the substrate processing apparatus 1.
  • a semiconductor manufacturing apparatus includes three cleaning units and one drying unit, but in the present embodiment, the semiconductor manufacturing apparatus 100 has two cleaning units and one drying unit. Since the cleaning unit and one substrate processing unit 1 are provided, it is possible to reduce the foot print without sacrificing the cleaning performance of the semiconductor manufacturing apparatus.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 100 may include three cleaning units and one substrate processing apparatus 1. With this configuration, it is possible to improve the cleaning performance of semiconductor manufacturing equipment without increasing the number of foot prints. ⁇ 2020/174874 25 ⁇ (: 171? 2019 /051476
  • the semiconductor manufacturing apparatus 100 may include a defect inspection apparatus (not shown) for detecting defects (impurities and/or watermarks) contained in the substrate. With such a configuration, it is possible to appropriately and efficiently perform the defect inspection of the substrate.
  • INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for an apparatus for cleaning and drying.
  • INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used in a semiconductor manufacturing apparatus equipped with the device.
  • INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used in a method of washing and drying.

Landscapes

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Abstract

The present invention relates to a device for cleaning and drying. The present invention relates to a semiconductor manufacturing device that comprises the device above. The present invention relates to a method for cleaning and drying. A substrate processing device (1) includes: a substrate holding part (2) that holds and rotates a substrate W; a spray nozzle (3) that sprays an inert solvent onto the substrate (W) held by the substrate holding part (2); a solvent recovery part (4) that recovers the inert solvent; a component analysis part (5) that analyzes components of the inert solvent recovered by the solvent recovery part (4); a component adjustment part (6) that adjusts the components of the inert solvent analyzed by the component analysis part (5); a solvent supply part (7) that supplies the component-adjusted inert solvent to the spray nozzle (3); and an operation control part (8) that controls operations of the component adjustment part (6) and the solvent supply part (7).

Description

\¥0 2020/174874 1 卩(:17 2019/051476 明 細 書 \¥0 2020/174874 1 卩 (: 17 2019/051476 Clarification
発明の名称 : Title of invention:
基板処理装置、 半導体製造装置、 および基板処理方法 Substrate processing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and substrate processing method
技術分野 Technical field
[0001 ] 本発明は、 基板を処理、 特に、 洗浄および乾燥させる装置に関する。 本発 明は、 該装置を備えた半導体製造装置に関する。 本発明は、 基板を処理、 特 に、 洗浄および乾燥させる方法に関する。 [0001] The present invention relates to an apparatus for treating a substrate, particularly for cleaning and drying. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus including the device. The present invention relates to a method of treating, in particular cleaning and drying a substrate.
背景技術 Background technology
[0002] 半導体製造工程において、 基板の平坦化や基板上の膜の除去に研磨液を用 いて、 基板を研磨する研磨装置が用いられる。 基板の洗浄には、 スクラブ洗 浄、 超音波洗浄、 二流体洗浄などの手段が用いられ、 洗浄液として、 除去対 象 (パーティクルや金属汚染) に応じた、 酸性やアルカリ性を有する水溶液 の薬液や超純水が用いられる。 薬液が使用された場合には、 薬液成分を除去 するために、 基板を超純水ですすぐ方法が、 一般的に知られている。 [0002] In a semiconductor manufacturing process, a polishing apparatus is used for polishing a substrate by using a polishing liquid for planarizing the substrate and removing a film on the substrate. For cleaning the substrate, scrub cleaning, ultrasonic cleaning, two-fluid cleaning, etc. are used, and as the cleaning liquid, an acidic or alkaline aqueous solution that is suitable for the removal target (particles or metal contamination) or super liquid is used. Pure water is used. When chemicals are used, it is generally known to rinse the substrate with ultrapure water to remove the chemical components.
[0003] 基板の乾燥方法として、 洗浄後の基板上にある超純水を遠心力で振り切る スピンドライ乾燥が知られている。 そのほか、 丨 八蒸気を基板上の中央部 に吹き付けて、 基板を乾燥させる方法や、 縦置きで液体中に浸潰された基板 を引き上げつつ、 丨 蒸気を基板に吹き付けて、 基板を乾燥させる方法が 知られている。 [0003] As a method of drying a substrate, spin dry drying is known in which ultrapure water on the substrate after cleaning is shaken off by centrifugal force. In addition, a method of spraying 0.8 steam onto the center of the substrate to dry the substrate, or a method of spraying steam onto the substrate while lifting the substrate immersed in the liquid in a vertical position to dry the substrate It has been known.
先行技術文献 Prior art documents
特許文献 Patent literature
[0004] 特許文献 1 :特開 2 0 0 5 _ 5 4 6 9号公報 [0004] Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 20 05 _ 5 4 6 9
特許文献 2 :特開 2 0 0 5 _ 1 2 3 2 1 8号公報 Patent Document 2: JP 2 0 0 5 _ 1 2 3 2 1 8 Publication
特許文献 3 :特開 2 0 0 6 _ 2 8 6 9 4 8号公報 Patent Document 3: JP 2 0 0 6 _ 2 8 6 9 4 8 Publication
特許文献 4 :特開 2 0 1 3 _ 1 7 9 3 4 1号公報 Patent Document 4: JP 2 0 1 3 _ 1 7 9 3 4 1 Publication
特許文献 5 :特開 2 0 0 9 _ 2 3 8 9 3 9号公報 Patent Document 5: JP 2 0 0 9 _ 2 3 8 9 3 9 Publication
特許文献 6 :特開 2 0 0 9 - 2 6 7 3 6 8号公報 \¥0 2020/174874 2 卩(:17 2019/051476 発明の概要 Patent Document 6: Japanese Patent Laid-Open No. 2 0 0 9 -2 6 7 3 6 8 \¥0 2020/174874 2 卩 (: 17 2019/051476 Summary of invention
発明が解決しようとする課題 Problems to be Solved by the Invention
[0005] 基板の処理工程の後、 容易に基板を乾燥させるために、 揮発性が高い不活 性溶剤を用いる方法が知られている (例えば、 特許文献 1参照) 。 上記不活 性溶剤を使用した場合、 この不活性溶剤を他の溶剤で洗い流す工程を省略す ることができるため、 短時間で基板を乾燥させることができる。 このような 不活性溶剤は、 廃液処理設備に導かれて廃液処理されるのが一般的である。 A method is known in which an inert solvent having high volatility is used in order to easily dry the substrate after the substrate processing step (see, for example, Patent Document 1). When the above inert solvent is used, the step of washing out the inert solvent with another solvent can be omitted, and thus the substrate can be dried in a short time. Such an inert solvent is generally guided to a waste liquid treatment facility and treated.
[0006] しかしながら、 このような不活性溶剤は、 イソプロピルアルコール (丨 八) と比較すると、 高価である。 したがって、 不活性溶剤を使い捨てにする と、 基板 1枚あたりの洗浄および乾燥処理のプロセスコストが高くなってし まぅ。 [0006] However, such an inert solvent is more expensive than isopropyl alcohol (0.8). Therefore, if the inert solvent is made disposable, the process cost for cleaning and drying per substrate will be high.
[0007] そこで、 本発明は、 不活性溶剤を再利用することができる基板処理装置を 提供することを目的とする。 [0007] Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can reuse an inert solvent.
本発明は、 上記基板処理装置を備えた半導体製造装置を提供することを目 的とする。 An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus equipped with the above substrate processing apparatus.
本発明は、 不活性溶剤を再利用することができる基板処理方法を提供する ことを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a substrate processing method capable of reusing an inert solvent.
課題を解決するための手段 Means for solving the problem
[0008] 一態様では、 基板を保持し、 回転させる基板保持部と、 前記基板保持部に 保持された基板上に、 不活性溶剤を噴射する噴射ノズルと、 前記不活性溶剤 を回収する溶剤回収部と、 前記溶剤回収部によって回収された不活性溶剤の 成分を分析する成分分析部と、 前記成分分析部によって分析された不活性溶 剤の成分を調整する成分調整部と、 前記成分が調整された不活性溶剤を前記 噴射ノズルに供給する溶剤供給部と、 前記成分調整部および前記溶剤供給部 の動作を制御する動作制御部と、 を備えている、 基板処理装置が提供される [0008] In one aspect, a substrate holding unit that holds and rotates a substrate, an injection nozzle that injects an inert solvent onto the substrate held by the substrate holding unit, and a solvent recovery that recovers the inert solvent Part, a component analysis part for analyzing the components of the inert solvent recovered by the solvent recovery part, a component adjustment part for adjusting the component of the inert solvent analyzed by the component analysis part, and the component adjustment A substrate processing apparatus is provided, comprising: a solvent supply unit that supplies the generated inert solvent to the jet nozzle; and an operation control unit that controls the operations of the component adjustment unit and the solvent supply unit.
[0009] —態様では、 前記溶剤回収部は、 前記噴射ノズルから噴射され、 気化した 不活性溶剤を回収し、 液化する溶剤液化装置と、 前記噴射ノズルから噴射さ 〇 2020/174874 3 卩(:171? 2019 /051476 [0009] In an aspect, the solvent recovery unit collects and liquefies the vaporized inert solvent injected from the injection nozzle, and a solvent liquefaction device, 〇 2020/174874 3 卩 (: 171? 2019 /051476
れた液体状の不活性溶剤と前記基板の洗浄に使用される洗浄液とを含む混合 液を分離して、 前記混合液から前記不活性溶剤のみを回収する溶剤分離装置 と、 前記溶剤液化装置によって液化された不活性溶剤および前記溶剤分離装 置によって分離された不活性溶剤を貯留する溶剤回収タンクと、 を備えてい る。 A solvent separation device that separates a mixed liquid containing the liquid inert solvent and a cleaning liquid used for cleaning the substrate, and recovers only the inert solvent from the mixed liquid, and the solvent liquefaction device. And a solvent recovery tank for storing the liquefied inert solvent and the inert solvent separated by the solvent separation device.
—態様では、 前記不活性溶剤は、 フッ素系溶剤とアルコール系溶剤との混 合溶剤であり、 前記成分分析部は、 前記フッ素系溶剤と前記アルコール系溶 剤との混合比を分析し、 前記成分調整部は、 前記分析された混合比に基づい て、 前記混合比を調整する。 In one aspect, the inert solvent is a mixed solvent of a fluorine-based solvent and an alcohol-based solvent, and the component analysis unit analyzes a mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent, The component adjusting unit adjusts the mixing ratio based on the analyzed mixing ratio.
一態様では、 前記動作制御部は、 前記成分分析部によって分析された不活 性溶剤の成分に基づいて、 前記不活性溶剤の成分が所定の管理範囲から外れ ているか否かを判定し、 前記不活性溶剤の成分が所定の管理範囲から外れた ときに、 前記不活性溶剤の成分を調整するように、 前記成分調整部に指令を 出す。 In one aspect, the operation control unit determines whether or not the component of the inert solvent is out of a predetermined control range based on the component of the inert solvent analyzed by the component analysis unit, When the component of the inert solvent is out of the predetermined control range, a command is issued to the component adjusting section to adjust the component of the inert solvent.
[0010] —態様では、 前記不活性溶剤は、 ハイ ドロフルオロエーテル類およびハイ ドロフルオロカーボン類のうちの少なくとも 1つと、 アルコール類とを含有 した溶剤である。 [0010] In an aspect, the inert solvent is a solvent containing at least one of a hydrofluoroether and a hydrofluorocarbon, and an alcohol.
_態様では、 前記噴射ノズルは、 前記不活性溶剤および不活性ガスを供給 する二流体ノズル、 またはメガソニックが付与された不活性溶剤を供給する メガソニックノズルである。 In the _ embodiment, the injection nozzle is a two-fluid nozzle that supplies the inert solvent and the inert gas, or a megasonic nozzle that supplies the inert solvent to which megasonic is added.
[001 1 ] _態様では、 基板処理装置を備えた半導体製造装置であって、 前記基板処 理装置は、 基板を保持し、 回転させる基板保持部と、 前記基板保持部に保持 された基板上に、 不活性溶剤を噴射する噴射ノズルと、 前記不活性溶剤を回 収する溶剤回収部と、 前記溶剤回収部によって回収された不活性溶剤の成分 を分析する成分分析部と、 前記成分分析部によって分析された不活性溶剤の 成分を調整する成分調整部と、 前記成分が調整された不活性溶剤を前記噴射 ノズルに供給する溶剤供給部と、 前記成分調整部および前記溶剤供給部の動 作を制御する動作制御部と、 を備えている、 半導体製造装置が提供される。 〇 2020/174874 4 卩(:171? 2019 /051476 [001 1] In the aspect, the semiconductor manufacturing apparatus includes a substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus holds a substrate, rotates the substrate, and holds the substrate on the substrate. An injection nozzle for injecting an inert solvent, a solvent recovery unit for recovering the inert solvent, a component analysis unit for analyzing the components of the inert solvent recovered by the solvent recovery unit, and the component analysis unit Component adjusting section for adjusting the component of the inert solvent analyzed by the above, a solvent supply section for supplying the inert solvent with the adjusted component to the injection nozzle, and the operation of the component adjusting section and the solvent supply section A semiconductor manufacturing apparatus is provided which includes an operation control unit for controlling the. 〇 2020/174874 4 卩 (: 171? 2019 /051476
[0012] _態様では、 基板保持部に保持された基板を回転させつつ、 前記基板上に[0012] In the _ aspect, while rotating the substrate held by the substrate holding portion,
、 噴射ノズルによって不活性溶剤を噴射し、 前記不活性溶剤を回収し、 前記 回収された不活性溶剤の成分を分析し、 前記分析された不活性溶剤の成分を 調整し、 前記成分が調整された不活性溶剤を前記噴射ノズルに供給する、 基 板処理方法が提供される。 Injecting an inert solvent with a spray nozzle, collecting the inert solvent, analyzing the components of the recovered inert solvent, adjusting the analyzed components of the inert solvent, and adjusting the components Provided is a method for treating a substrate, which comprises supplying an inert solvent to the spray nozzle.
[0013] —態様では、 前記噴射ノズルから噴射され、 気化した不活性溶剤を回収し 、 液化し、 前記噴射ノズルから噴射された液体状の不活性溶剤と前記基板の 洗浄に使用される洗浄液とを含む混合液を分離して、 前記混合液から前記不 活性溶剤のみを回収し、 前記液化された不活性溶剤および前記分離された不 活性溶剤を貯留する。 [0013] In the aspect, the inert solvent vaporized and collected from the jet nozzle is recovered and liquefied, and the liquid inert solvent jetted from the jet nozzle and a cleaning liquid used for cleaning the substrate are provided. The mixed solution containing is separated, only the inert solvent is recovered from the mixed solution, and the liquefied inert solvent and the separated inert solvent are stored.
—態様では、 前記不活性溶剤は、 フッ素系溶剤とアルコール系溶剤との混 合溶剤であり、 前記フッ素系溶剤と前記アルコール系溶剤との混合比を分析 し、 前記分析された混合比に基づいて、 前記混合比を調整する。 — In the aspect, the inert solvent is a mixed solvent of a fluorine-based solvent and an alcohol-based solvent, the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent is analyzed, and based on the analyzed mixing ratio. Then, the mixing ratio is adjusted.
_態様では、 前記分析された不活性溶剤の成分に基づいて、 前記不活性溶 剤の成分が所定の管理範囲から外れているか否かを判定し、 前記不活性溶剤 の成分が所定の管理範囲から外れたときに、 前記不活性溶剤の成分を調整す る。 In the _ embodiment, it is determined whether the component of the inert solvent is out of the predetermined control range based on the analyzed component of the inert solvent, and the component of the inert solvent is in the predetermined control range. When removed, adjust the ingredients of the inert solvent.
[0014] —態様では、 前記不活性溶剤は、 ハイ ドロフルオロエーテル類およびハイ ドロフルオロカーボン類のうちの少なくとも 1つと、 アルコール類とを含有 した溶剤である。 [0014] In the aspect, the inert solvent is a solvent containing at least one of a hydrofluoroether and a hydrofluorocarbon, and an alcohol.
_態様では、 前記噴射ノズルは、 前記不活性溶剤および不活性ガスを供給 する二流体ノズル、 またはメガソニックが付与された不活性溶剤を供給する メガソニックノズルである。 In the _ embodiment, the injection nozzle is a two-fluid nozzle that supplies the inert solvent and the inert gas, or a megasonic nozzle that supplies the inert solvent to which megasonic is added.
発明の効果 Effect of the invention
[0015] 基板処理装置は、 噴射ノズルから噴射された不活性溶剤を回収し、 分析し 、 調整し、 再び噴射ノズルに供給することができる。 したがって、 基板処理 装置は、 不活性溶剤を再利用することができる。 [0015] The substrate processing apparatus can collect, analyze, adjust, and supply the inert solvent jetted from the jet nozzle to the jet nozzle again. Therefore, the substrate processing apparatus can reuse the inert solvent.
図面の簡単な説明 〇 2020/174874 5 卩(:171? 2019 /051476 Brief description of the drawings 〇 2020/174874 5 卩 (: 171? 2019 /051476
[0016] [図 1]基板処理装置の一実施形態を示す図である。 [0016] [Fig. 1] Fig. 1 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus.
[図 2]動作制御部による処理フローを示す図である。 [FIG. 2] A diagram showing a processing flow by an operation control unit.
[図 3]基板処理装置の他の実施形態を示す図である。 FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the substrate processing apparatus.
[図 4]基板処理装置のさらに他の実施形態を示す図である。 FIG. 4 is a view showing still another embodiment of the substrate processing apparatus.
[図 5]基板処理装置のさらに他の実施形態を示す図である。 FIG. 5 is a view showing still another embodiment of the substrate processing apparatus.
[図 6]基板処理装置を備えた半導体製造装置を示す図である。 FIG. 6 is a diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus including a substrate processing apparatus.
発明を実施するための形態 MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
[0017] 以下、 本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 なお、 以下で 説明する図面において、 同一又は相当する構成要素には、 同一の符号を付し て重複した説明を省略する。 [0017] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings described below, the same or corresponding components will be denoted by the same reference symbols and redundant description will be omitted.
[0018] 図 1は、 基板処理装置 1の一実施形態を示す図である。 図 1 に示すように 、 基板処理装置 1は、 基板 を保持する基板保持部 2と、 基板保持部 2に保 持された基板 上に、 フッ素系溶剤を含む不活性溶剤を噴射する噴射ノズル 3と、 不活性溶剤を回収する溶剤回収部 4と、 溶剤回収部 4によって回収さ れた不活性溶剤の成分を分析する成分分析部 5と、 成分分析部 5によって分 析された不活性溶剤の成分を調整する成分調整部 6と、 成分調整部 6によっ て、 成分が調整された不活性溶剤を噴射ノズル 3に供給する溶剤供給部 7と 、 成分調整部 6および溶剤供給部 7の動作を制御する動作制御部 8と、 を備 えている。 [0018] FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a substrate holding unit 2 that holds a substrate, and an injection nozzle 3 that injects an inert solvent containing a fluorine-based solvent onto the substrate held by the substrate holding unit 2. A solvent recovery unit 4 for recovering the inert solvent, a component analysis unit 5 for analyzing the components of the inert solvent recovered by the solvent recovery unit 4, and an inert solvent analyzed by the component analysis unit 5. Component adjuster 6 for adjusting the components, solvent supply unit 7 for supplying the inert solvent whose component has been adjusted by the component adjuster 6 to the injection nozzle 3, and operation of the component adjustor 6 and the solvent supply unit 7. It is provided with an operation control unit 8 for controlling the.
[0019] 基板保持部 2の構成について説明する。 基板保持部 2は、 基板 を水平に 保持するスピンチャック 1 〇と、 スピンチャック 1 0に固定されたチャック 支持軸 1 1 と、 チャック支持軸 1 1 に連結されたチャックアクチユエータ 1 2と、 を備えている。 チャックアクチユエータ 1 2は、 基板 をその中心軸 周りに回転させ、 かつ基板 を昇降するように構成されている。 チャックア クチユエータ 1 2は、 スピンチャック 1 0およびチャック支持軸 1 1 を介し て基板 を昇降させる昇降装置と、 スピンチャック 1 0およびチャック支持 軸 1 1 を介して基板 を回転させる回転駆動装置と、 を備えている。 昇降装 置の一例として、 ボールねじとサーボモータとの組み合わせを挙げることが 〇 2020/174874 6 卩(:171? 2019 /051476 [0019] The configuration of the substrate holding unit 2 will be described. The substrate holder 2 is composed of a spin chuck 10 for holding the substrate horizontally, a chuck support shaft 11 fixed to the spin chuck 10, a chuck actuator 12 connected to the chuck support shaft 1 1. Equipped with. The chuck actuator 12 is configured to rotate the substrate about its central axis and raise and lower the substrate. The chuck actuator 12 includes an elevating device that elevates and lowers the substrate via the spin chuck 10 and the chuck support shaft 11 and a rotation drive device that rotates the substrate through the spin chuck 10 and the chuck support shaft 11. I have it. An example of lifting equipment is the combination of a ball screw and a servomotor. 〇 2020/174874 6 卩 (: 171? 2019 /051476
できる。 回転駆動装置の一例として、 モータを挙げることができる。 なお、 本出願において、 基板 は、 角形基板、 円形基板を含む。 また、 角形基板は 、 矩形等の多角形のガラス基板、 液晶基板、 プリント基板、 その他の多角形 のめっき対象物を含む。 円形基板は、 半導体ウェハ、 ガラス基板、 その他円 形の基板を含む。 it can. A motor can be given as an example of the rotary drive device. In the present application, the substrate includes a rectangular substrate and a circular substrate. Moreover, the rectangular substrate includes a polygonal glass substrate such as a rectangle, a liquid crystal substrate, a printed circuit board, and other polygonal objects to be plated. Circular substrates include semiconductor wafers, glass substrates, and other circular substrates.
[0020] スピンチャック 1 0に保持された基板 の上方には、 洗浄液供給ノズル 1 [0020] The cleaning liquid supply nozzle 1 is provided above the substrate held by the spin chuck 10.
5 , 1 6が配置されている。 本実施形態では、 2つの洗浄液供給ノズルが配 置されているが、 洗浄液供給ノズルの数は、 本実施形態には限定されない。 洗浄液供給ノズル 1 5 , 1 6のそれぞれは、 洗浄液 (例えば、 薬液または純 水) を基板 の上面 (すなわち、 表面または裏面) に供給するように構成さ れている。 5 and 16 are arranged. In the present embodiment, two cleaning liquid supply nozzles are arranged, but the number of cleaning liquid supply nozzles is not limited to this embodiment. Each of the cleaning liquid supply nozzles 15 and 16 is configured to supply a cleaning liquid (for example, a chemical liquid or pure water) to the upper surface (that is, the front surface or the back surface) of the substrate.
[0021 ] スピンチャック 1 0の周囲には、 回転する基板 から振り切られた液体を 受け止めるプロセスカップ 2 0が配置されている。 プロセスカップ 2 0は、 基板 の周縁部を囲むように配置されており、 スピンチャック 1 0の下方に 配置された支持プレート 2 1 に固定されている。 Around the spin chuck 10, a process cup 20 that receives the liquid shaken off from the rotating substrate is arranged. The process cup 20 is arranged so as to surround the peripheral portion of the substrate, and is fixed to the support plate 21 arranged below the spin chuck 10.
[0022] 噴射ノズル 3は、 スピンチャック 1 0に保持された基板 の中心の上方に 配置されている。 噴射ノズル 3は、 基板 の半径方向に水平に延びるノズル アーム 2 5の一端に取り付けられている。 ノズルアーム 2 5の他端には、 ア —ム支持軸 2 6が取り付けられている。 アーム支持軸 2 6には、 ノズルアク チユエータ 2 7が連結されている。 The injection nozzle 3 is arranged above the center of the substrate held by the spin chuck 10. The injection nozzle 3 is attached to one end of a nozzle arm 25 extending horizontally in the radial direction of the substrate. An arm support shaft 26 is attached to the other end of the nozzle arm 25. A nozzle actuator 27 is connected to the arm support shaft 26.
[0023] ノズルアクチユエータ 2 7は、 噴射ノズル 3を基板 の半径方向に旋回さ せ、 かつ噴射ノズル 3を昇降するように構成されている。 ノズルアクチユエ —夕 2 7は、 アーム支持軸 2 6およびノズルアーム 2 5を介して噴射ノズル 3を昇降させる昇降装置と、 アーム支持軸 2 6およびノズルアーム 2 5を介 して噴射ノズル 3を揺動させる揺動装置と、 を備えている。 昇降装置の一例 として、 ボールねじとサーボモータとの組み合わせを挙げることができる。 揺動装置の一例として、 モータを挙げることができる。 The nozzle actuator 27 is configured to swivel the jet nozzle 3 in the radial direction of the substrate and move the jet nozzle 3 up and down. Nozzle actuator 2-7 lifts and lowers the spray nozzle 3 via the arm support shaft 26 and nozzle arm 25 and the spray nozzle 3 via the arm support shaft 26 and nozzle arm 25. And a rocking device for rocking. An example of the lifting device is a combination of a ball screw and a servomotor. A motor can be given as an example of the rocking device.
[0024] 図 1 に示すように、 動作制御部 8は、 チャックアクチユエータ 1 2および \¥0 2020/174874 7 卩(:17 2019/051476 As shown in FIG. 1, the operation control unit 8 includes a chuck actuator 12 and a chuck actuator 12. \¥0 2020/174 874 7 卩 (: 17 2019/051476
ノズルアクチユエータ 2 7に電気的に接続されており、 これらチャックアク チユエータ 1 2およびノズルアクチユエータ 2 7のそれぞれの動作を制御す る。 It is electrically connected to the nozzle actuator 27 and controls the operation of each of the chuck actuator 12 and nozzle actuator 27.
[0025] 噴射ノズル 3、 スピンチャック 1 0、 チャック支持軸 1 1、 洗浄液供給ノ ズル 1 5 , 1 6、 プロセスカップ 2 0、 支持プレート 2 1、 ノズルアーム 2 5、 およびアーム支持軸 2 6は、 チャンバ 3 0の内部に配置されている。 [0025] The injection nozzle 3, the spin chuck 10, the chuck support shaft 11 and the cleaning liquid supply nozzles 15 and 16 and the process cup 20, the support plate 21 and the nozzle arm 25 and the arm support shaft 26 are , Located inside the chamber 30.
[0026] チャンバ 3 0の上部には、 フィルタファンユニッ ト 3 1が配置されている 。 フィルタファンユニッ ト 3 1は、 エアフィルタ (図示しない) を有してい る。 空気がエアフィルタを通過することで、 パーティクルなどの不純物が空 気から除去され、 清浄な空気がフィルタファンユニッ ト 3 1から下方に排出 される。 したがって、 チャンバ 3 0には、 清浄な空気の下降流が形成される [0026] A filter fan unit 3 1 is arranged above the chamber 30. The filter fan unit 31 has an air filter (not shown). As the air passes through the air filter, impurities such as particles are removed from the air, and clean air is discharged downward from the filter fan unit 3 1. Therefore, a downward flow of clean air is formed in the chamber 30.
[0027] チャンバ 3 0の内部には、 スピンチャック 1 0に保持された基板 から静 電気を除去するイオナイザ (除電装置) 3 2が配置されている。 イオナイザ 3 2は、 スピンチャック 1 0に保持された基板 に向けてイオンを照射する ことができる。 電気抵抗率が低い不活性溶剤が存在する。 電気抵抗率が低い 不活性溶剤を用いた場合、 基板 の乾燥時において、 基板 が帯電するおそ れがある。 結果として、 基板 には、 不純物が付着してしまうおそれがある 。 本実施形態では、 イオナイザ 3 2は、 基板 の帯電を防止することができ る。 Inside the chamber 30 is arranged an ionizer (static elimination device) 32 for removing static electricity from the substrate held by the spin chuck 10. The ionizer 32 is capable of irradiating the substrate held by the spin chuck 10 with ions. Inert solvents with low electrical resistivity are present. If an inert solvent with a low electrical resistivity is used, the substrate may become charged when it is dried. As a result, impurities may adhere to the substrate. In this embodiment, the ionizer 32 can prevent the substrate from being charged.
[0028] 基板 の洗浄時には、 チャックアクチユエータ 1 2は、 スピンチャック 1 [0028] When cleaning the substrate, the chuck actuator 1 2
0に保持された基板 を回転させる。 この状態で、 洗浄液供給ノズル 1 5 , Rotate the substrate held at 0. In this state, the cleaning liquid supply nozzle 1 5,
1 6は、 洗浄液を基板 の上面の中央に供給する。 基板 に供給された洗浄 液は、 遠心力により、 基板 の上面の全体に広がり、 結果として、 基板 の 全体が洗浄液で覆われる。 16 supplies the cleaning liquid to the center of the upper surface of the substrate. The cleaning liquid supplied to the substrate is spread over the entire upper surface of the substrate by the centrifugal force, and as a result, the entire substrate is covered with the cleaning liquid.
[0029] 洗浄液が供給された後、 噴射ノズル 3は、 不活性溶剤を基板 の上面の中 央に噴射する。 不活性溶剤は、 フッ素系溶剤とアルコール系溶剤とを含有し た溶剤である。 本実施形態では、 不活性溶剤は、 ハイ ドロフルオロエーテル 〇 2020/174874 8 卩(:171? 2019 /051476 After the cleaning liquid is supplied, the spray nozzle 3 sprays the inert solvent onto the center of the upper surface of the substrate. The inert solvent is a solvent containing a fluorine solvent and an alcohol solvent. In this embodiment, the inert solvent is hydrofluoroether. 〇 2020/174 874 8 卩 (: 171? 2019 /051476
類およびハイ ドロフルオロカーボン類のうちの少なくとも 1つと、 アルコー ル類 (例えば、 イソプロピルアルコール) とを含有した溶剤である。 フッ素 系溶剤の一例として、 ハイ ドロフルオロエーテル類およびハイ ドロフルオロ 力ーボン類のほか、 パーフルオロカーボン類を挙げることができる。 A solvent containing at least one of the compounds and hydrofluorocarbons and an alcohol (eg, isopropyl alcohol). Examples of the fluorine-based solvent include perfluorocarbons as well as hydrofluoroethers and hydrofluorocarbons.
[0030] このような不活性溶剤を基板の洗浄および乾燥に用いることによる効果に ついて説明する。 まず、 基板の洗浄に対する課題は次の通りである。 基板に 付着したパーティクルなどの不純物は、 基板に対する液架橋力やファンデル ワールスカからなる力で付着している。 このような不純物を除去するために は、 不純物の付着力を上回る除去力を不純物に与えればよい。 [0030] The effects of using such an inert solvent for cleaning and drying the substrate will be described. First, the challenges for cleaning the substrate are as follows. Impurities such as particles that adhere to the substrate adhere to the substrate due to the liquid bridge force and van der Waalsca force. In order to remove such impurities, it is sufficient to give the impurities a removing power that exceeds the adhesive power of the impurities.
[0031 ] 不純物の付着力を弱める方法として、 基板に供給される液体の水素イオン 指数 ( !~1) を制御する方法、 または基板をわずかにエッチングする方法が 考えられる。 その一方で、 除去力を高める方法として、 八スポンジなど の接触洗浄部材を用いるスクラブ洗浄方法、 液体に超音波振動を与える超音 波洗浄方法、 または気体 ·液体の混合流を基板に噴射する二流体洗浄方法が 考えられる。 As a method of weakening the adhesion of impurities, a method of controlling the hydrogen ion exponent (! ~ 1) of the liquid supplied to the substrate or a method of slightly etching the substrate can be considered. On the other hand, as a method for enhancing the removing power, a scrub cleaning method using a contact cleaning member such as eight sponges, an ultrasonic cleaning method in which ultrasonic vibration is applied to the liquid, or a mixed gas/liquid flow is jetted onto the substrate. A fluid cleaning method is possible.
[0032] スクラブ洗浄方法は、 基板と洗浄部材との相対速度 ·圧力を制御する方法 である。 超音波洗浄方法は、 超音波の周波数や出力を制御する方法である。 二流体洗浄方法は、 流体の流速や流量を制御する方法である。 このような方 法は、 不純物に対する物理力を高めて、 不純物の除去力を高める方法である The scrub cleaning method is a method of controlling the relative speed and pressure between the substrate and the cleaning member. The ultrasonic cleaning method is a method of controlling the frequency and output of ultrasonic waves. The two-fluid cleaning method is a method of controlling the flow velocity and flow rate of the fluid. Such a method is a method of enhancing the physical power of impurities to enhance the ability to remove impurities.
[0033] しかしながら、 昨今、 半導体などの製品の微細化に伴い、 除去しなければ ならない不純物のサイズ (パーティクルサイズ) は小さくなっている。 一般 的に、 パーティクルサイズが小さくなると、 基板に対する不純物の付着力は 小さくなるが、 除去力を受ける受圧面積も小さくなる。 パーティクルサイズ が小さくなるに従って、 付着力の 1つであるファンデルワールスカは、 不純 物の粒子径に比例して小さくなるが、 除去力は粒子径の 3乗に比例して小さ くなる。 したがって、 パーティクルサイズの縮小に伴い、 不純物の付着力が 除去力を上回ってしまう。 〇 2020/174874 9 卩(:171? 2019 /051476 However, in recent years, with the miniaturization of products such as semiconductors, the size of impurities (particle size) that must be removed has become smaller. In general, as the particle size decreases, the adhesion of impurities to the substrate decreases, but the pressure receiving area that receives the removal force also decreases. As the particle size decreases, van der Waalska, which is one of the adhesion forces, decreases in proportion to the particle size of impurities, but the removal force decreases in proportion to the cube of the particle size. Therefore, as the particle size is reduced, the adhesion force of impurities exceeds the removal force. 〇 2020/174 874 9 卩 (: 171? 2019 /051476
[0034] 基板の乾燥に対する課題は次の通りである。 超純水を遠心力で振り切るス ピンドライ乾燥では欠陥の一種であるウォーターマークが発生する。 この対 策として、 丨 蒸気を基板上の中央部に吹き付けて、 基板を乾燥させる方 法がある。 また、 縦置きで液体中に浸潰された基板を引き上げつつ、 丨 八 蒸気を基板に吹き付けて、 基板を乾燥させる方法がある。 [0034] The problems with respect to the drying of the substrate are as follows. In spin dry drying, in which ultrapure water is spun off by centrifugal force, a watermark, which is a type of defect, occurs. As a countermeasure for this, there is a method of spraying steam onto the central portion of the substrate to dry the substrate. Further, there is a method in which the substrate immersed in the liquid in a vertical position is pulled up, and the vapor is sprayed onto the substrate to dry the substrate.
[0035] その一方で、 半導体などの製品の微細化に伴い発生を抑制しなければなら ないウォーターマークサイズも縮小してきている。 微小なウォーターマーク の発生を抑制する方法として、 丨 八蒸気を用いる代わりに、 液状の I 八 を用いる乾燥方法がある。 しかしながら、 このような方法では、 丨 八の使 用量が大幅に増大し、 有機物排液処理施設が必要となる。 さらには、 環境対 応のコストがかかり、 安全対応上も装置の防爆仕様が必要になる。 結果とし て、 装置構造の複雑化に伴って、 装置が高額化 ·大型化してしまう。 [0035] On the other hand, with the miniaturization of products such as semiconductors, the watermark size, which must be suppressed, is also decreasing. As a method of suppressing the generation of minute watermarks, there is a drying method that uses liquid I 8 instead of using the steam. However, in such a method, the use amount of Eighteenth will be greatly increased, and an organic wastewater treatment facility will be required. In addition, the environment-friendly cost is required and the equipment must be explosion-proof for safety reasons. As a result, the device becomes more expensive and larger as the structure of the device becomes more complicated.
[0036] 本実施形態では、 不活性溶剤は、 ハイ ドロフルオロエーテル類およびハイ ドロフルオロカーボン類のうちの少なくとも 1つと、 アルコール類とを含有 した溶剤である。 このような不活性溶剤を基板の洗浄に用いることによる効 果は次の通りである。 In the present embodiment, the inert solvent is a solvent containing at least one of hydrofluoroethers and hydrofluorocarbons and alcohols. The effects of using such an inert solvent for cleaning the substrate are as follows.
[0037] 不活性溶剤は、 その密度 (1 , 4401^/1113 (@25〇〇 ) が超純水 (水:約 9971^/ 1113(@26. 85〇〇) の密度や酸性やアルカリ性を有する水溶液の薬液の密度と比 較して大きいという性質を有している。 不活性溶剤の液滴と上記液体 (超純 水または薬液) の液滴とが同ーサイズおよび同一流速を有しているという前 提において、 不活性溶剤の液滴の有する力積や運動エネルギーは、 その液滴 の密度が高い分だけ大きく、 上記不活性溶剤は、 その液滴が基板に衝突する ことで、 大きな不純物の除去力になる。 [0037] The inert solvent has a density (1 ,4401^/111 3 (@25○○)) of ultrapure water (water: about 9971^/111 3 (@26.85○○)) It has the property that it is larger than the density of the chemical solution in the alkaline aqueous solution.The droplet of the inert solvent and the droplet of the above liquid (ultra pure water or chemical solution) have the same size and the same flow velocity. In the previous proposal, the impulse and kinetic energy of the droplet of the inert solvent are large due to the high density of the droplet, and the above-mentioned inert solvent causes the droplet to collide with the substrate. , Becomes a large impurity removing power.
[0038] したがって、 基板の洗浄および乾燥用の液体としての不活性溶剤は、 上記 液体の除去力と比較して、 大きな除去力を有する。 結果として、 不活性溶剤 は、 従来よりも付着力の大きい不純物や小さいサイズの不純物を除去するこ とができる。 Therefore, the inert solvent as a liquid for cleaning and drying the substrate has a large removing power as compared with the removing power of the liquid. As a result, the inert solvent can remove impurities having a larger adhesive force or smaller size than ever before.
[0039] 不活性溶剤は、 その表面張力 (14. 0!^/(!) が超純水の表面張力 (水:約 72. 〇 2020/174874 10 卩(:171? 2019 /051476 [0039] The surface tension of the inert solvent (14.0!^/(!) is the surface tension of ultrapure water (water: approx. 72. 〇 2020/174874 10 卩 (: 171? 2019 /051476
751^/(11) や水溶液の薬液の表面張力に比較して小さいという性質を有してい る。 したがって、 基板の洗浄用の液体として、 不活性溶剤を用いた場合、 液 体の境界層厚さが薄くなり、 基板に付着した小さなサイズの不純物 (上記液 体の境界層に埋没してしまうほど小さなサイズの不純物) に対しても動圧を 与えることができる。 結果として、 不活性溶剤は、 従来よりも小さなサイズ の不純物を除去することができる。 It has the property of being smaller than the surface tension of 751^/(11) and the chemical solution of the aqueous solution. Therefore, when an inert solvent is used as the liquid for cleaning the substrate, the boundary layer thickness of the liquid becomes thin, and small-sized impurities adhering to the substrate (so much as to be buried in the boundary layer of the above liquid). Dynamic pressure can be applied to small size impurities). As a result, the inert solvent can remove impurities of smaller size than ever before.
[0040] 上記不活性溶剤を基板の乾燥に用いることによる効果は次の通りである。 [0040] The effects of using the above inert solvent for drying the substrate are as follows.
上記不活性溶剤は、 アルコール類を含有しているため、 基板に不活性溶剤を 供給することにより、 僅かに残留した水分を不活性溶剤中のアルコール類に 溶解させることができ、 基板上から水分を除去することができる。 結果とし て、 不活性溶剤は、 微細なウォーターマークの発生も抑制することができる Since the above-mentioned inert solvent contains alcohols, by supplying the inert solvent to the substrate, it is possible to dissolve the slightly remaining water in the alcohol in the inert solvent, and Can be removed. As a result, the inert solvent can suppress the generation of fine watermarks.
[0041 ] 上記不活性溶剤は、 その密度 (1 , 440(^/(113) が上記液体 (超純水または酸性 やアルカリ性を有する水溶液の薬液) の密度に比較して大きいという性質を 有している。 したがって、 液体を遠心力で振り切るスピンドライ乾燥工程に おいて、 不活性溶剤に作用する遠心力が大きくなり、 結果として、 不活性溶 剤を速やかに振り切ることができる。 [0041] the inert solvent, the density (1, 440 (^ / (11 3) have the property that large compared to the density of the liquid (chemical solution with ultrapure water or acidic or alkaline) Therefore, the centrifugal force acting on the inert solvent is increased in the spin dry drying step of shaking off the liquid by centrifugal force, and as a result, the inert solvent can be quickly shaken off.
[0042] 不活性溶剤は、 その蒸発潜熱が低い (1261^ 9) (参考として、 水:約 2, 2 501^ 9) という性質を有している。 したがって、 基板の上面に付着した、 不 活性溶剤の残留分は、 速やかに蒸発して、 基板の上面上から速やかに除去さ れることができる。 従来の技術である 丨 蒸気を気体と液体の界面に吹き 付けて徐々に乾燥範囲を広げていく方法と比較した場合、 不活性溶剤を用い ることにより、 短時間で乾燥工程を終了することが可能で、 装置の生産性向 上に寄与することができる。 [0042] The inert solvent has a property that the latent heat of vaporization is low (1261^ 9 ) (for reference, water: about 2, 2 501^ 9 ). Therefore, the residue of the inert solvent attached to the upper surface of the substrate can be quickly evaporated and quickly removed from the upper surface of the substrate. Compared with the conventional technique of spraying vapor on the interface between gas and liquid to gradually widen the drying range, the use of an inert solvent allows the drying process to be completed in a short time. It is possible and can contribute to improving the productivity of the device.
[0043] このように、 本実施形態に係る不活性溶剤は、 洗浄工程および乾燥工程に おいて、 大きな効果を奏することができる。 しかしながら、 上述したように 、 このような不活性溶剤は、 非常に高価である。 そこで、 本実施形態におけ る基板処理装置 1は、 不活性溶剤を再利用することができる構成を有してい \¥0 2020/174874 1 1 卩(:17 2019/051476 As described above, the inert solvent according to the present embodiment can exert a great effect in the washing process and the drying process. However, as mentioned above, such inert solvents are very expensive. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment has a configuration capable of reusing the inert solvent. \¥0 2020/174 874 1 1 卩 (: 17 2019/051476
る。 It
[0044] 溶剤回収部 4の構成について説明する。 溶剤回収部 4は、 噴射ノズル 3か ら噴射され、 気化した不活性溶剤 (すなわち、 気化溶剤) を回収し、 液化す る溶剤液化装置 3 5と、 噴射ノズル 3から噴射された液体状の不活性溶剤 ( すなわち、 液体溶剤) と基板 の洗浄に使用される洗浄液とを含む混合液を 分離して、 この混合液から不活性溶剤のみを回収する溶剤分離装置 3 6と、 溶剤液化装置 3 5によって液化された不活性溶剤および溶剤分離装置 3 6に よって分離された不活性溶剤を貯留する溶剤回収タンク 3 7と、 を備えてい る。 上記洗浄液は、 洗浄液供給ノズル 1 5 , 1 6から供給された純水および 薬液のうちの少なくとも 1つを含む液体である。 The configuration of the solvent recovery unit 4 will be described. The solvent recovery unit 4 collects and liquefies the vaporized inert solvent (that is, vaporized solvent) ejected from the ejection nozzle 3, and the liquid liquefaction device 35 ejected from the ejection nozzle 3. Solvent separator 3 6 that separates the mixed solution containing the active solvent (that is, liquid solvent) and the cleaning solution used to clean the substrate, and recovers only the inert solvent from this mixed solution, and the solvent liquefier 3 5 And a solvent recovery tank 37 for storing the inert solvent liquefied by and the inert solvent separated by the solvent separation device 36. The cleaning liquid is a liquid containing at least one of pure water and a chemical liquid supplied from the cleaning liquid supply nozzles 15 and 16.
[0045] 溶剤液化装置 3 5は、 チャンバ 3 0の内部で気化した不活性溶剤を移送す る排気ライン 4 0と、 排気ライン 4 0に連結された冷却ユニッ ト 4 1 と、 を 備えている。 排気ライン 4 0は、 チャンバ 3 0の内部に配置された吸気口 4 チャンバ 3 0の外部に配置された排気口 4 0 と、 を有している。 排気ライン 4 0の吸気口 4 0 3は、 スピンチャック 1 0の下方に配置されて おり、 プロセスカップ 2 0の半径方向内側に配置されている。 [0045] The solvent liquefaction device 35 includes an exhaust line 40 for transferring the inert solvent vaporized inside the chamber 30 and a cooling unit 41 connected to the exhaust line 40. .. The exhaust line 40 has an intake port 4 arranged inside the chamber 30 and an exhaust port 40 arranged outside the chamber 30. The intake port 40 3 of the exhaust line 40 is arranged below the spin chuck 10 and inside the process cup 20 in the radial direction.
[0046] 気化溶剤は、 吸気口 4 0 3を通じて排気ライン 4 0に流れ込み、 排気ライ ン 4 0を移動する。 冷却ユニッ ト 4 1は、 排気ライン 4 0を移動する気化溶 剤を冷却し、 気化溶剤を液化する。 より具体的には、 冷却ユニッ ト 4 1は、 冷却液が循環する冷却管 4 2と、 冷却管 4 2を流れる冷却液の温度を調整す る温度調整装置 4 3と、 を備えている。 The vaporized solvent flows into the exhaust line 40 through the intake port 40 3 and moves in the exhaust line 40. The cooling unit 41 cools the vaporized solvent moving in the exhaust line 40 and liquefies the vaporized solvent. More specifically, the cooling unit 41 includes a cooling pipe 42 for circulating the cooling liquid and a temperature adjusting device 43 for adjusting the temperature of the cooling liquid flowing through the cooling pipe 42.
[0047] 図 1 に示すように、 動作制御部 8は、 温度調整装置 4 3に電気的に接続さ れている。 動作制御部 8は、 温度調整装置 4 3に指令を出して、 冷却管 4 2 を流れる冷却液の温度を調整する。 本実施形態では、 温度調整装置 4 3は、 動作制御部 8からの指令に従って、 冷却液の温度を不活性溶剤の沸点よりも 低い温度に調整する。 As shown in FIG. 1, the operation control unit 8 is electrically connected to the temperature adjusting device 43. The operation control unit 8 issues a command to the temperature adjusting device 43 to adjust the temperature of the cooling liquid flowing through the cooling pipe 42. In the present embodiment, the temperature adjusting device 43 adjusts the temperature of the cooling liquid to a temperature lower than the boiling point of the inert solvent according to a command from the operation control unit 8.
[0048] 排気ライン 4 0を移動する気化溶剤は、 冷却管 4 2に接触して、 液化され る。 液化された不活性溶剤は、 液化溶剤移送ライン 4 4を通じて溶剤回収夕 〇 2020/174874 12 卩(:171? 2019 /051476 The vaporized solvent moving in the exhaust line 40 contacts the cooling pipe 42 and is liquefied. The liquefied inert solvent is collected through the liquefied solvent transfer line 44. 〇 2020/174874 12 卩 (: 171? 2019 /051476
ンク 3 7に移送される。 溶剤回収タンク 3 7は、 再利用される不活性溶剤を 貯留するタンクであり、 液化溶剤移送ライン 4 4は溶剤回収タンク 3 7に接 続されている。 液化されなかった気化溶剤やフィルタファンユニッ ト 3 1か ら排出された清浄空気などの混合気体は、 排気口 4 0 13を通じて外部 (例え ば、 排気ユーティリティ) に移送される。 Be transferred to the link 37. The solvent recovery tank 37 is a tank for storing the reused inert solvent, and the liquefied solvent transfer line 44 is connected to the solvent recovery tank 37. Mixed gas such as vaporized solvent that has not been liquefied and clean air discharged from the filter fan unit 31 is transferred to the outside (for example, an exhaust utility) through the exhaust port 401.
[0049] 溶剤分離装置 3 6は、 チャンバ 3 0の内部に配置された入口 4 5 3を有す る回収ライン 4 5と、 回収ライン 4 5に接続された連続遠心分離機 4 6と、 を備えている。 回収ライン 4 5の入口 4 5 3は、 スピンチャック 1 0よりも 低い位置に配置されており、 プロセスカップ 2 0の半径方向内側に配置され ている。 チャンバ 3 0は、 排気ライン 4 0および回収ライン 4 5が設けられ た密閉空間である。 [0049] The solvent separation device 36 includes a recovery line 45 having an inlet 453 arranged inside the chamber 30 and a continuous centrifuge 46 connected to the recovery line 45. I have it. The inlet 453 of the recovery line 45 is arranged at a position lower than the spin chuck 10 and is arranged radially inward of the process cup 20. The chamber 30 is a closed space provided with an exhaust line 40 and a recovery line 45.
[0050] 基板 の洗浄および乾燥時において、 洗浄液供給ノズル 1 5 , 1 6が回転 する基板 に洗浄液を供給すると、 洗浄液は、 回転する基板 から振り切ら れる。 この洗浄液は、 プロセスカップ 2 0に捕捉され、 プロセスカップ 2 0 の内周面上を下方に流れる。 同様に、 噴射ノズル 3が回転する基板 に不活 性溶剤を供給すると、 不活性溶剤は、 回転する基板 から振り切られる。 こ の不活性溶剤は、 プロセスカップ 2 0に捕捉され、 プロセスカップ 2 0の内 周面上を下方に流れる。 [0050] During cleaning and drying of the substrate, when the cleaning liquid supply nozzles 15 and 16 supply the cleaning liquid to the rotating substrate, the cleaning liquid is shaken off from the rotating substrate. The cleaning liquid is captured by the process cup 20 and flows downward on the inner peripheral surface of the process cup 20. Similarly, when the spray nozzle 3 supplies an inert solvent to the rotating substrate, the inert solvent is shaken off from the rotating substrate. The inert solvent is captured by the process cup 20 and flows downward on the inner peripheral surface of the process cup 20.
[0051 ] プロセスカップ 2 0の内周面上を下方に流れる不活性溶剤および洗浄液は 、 混合液として、 回収ライン 4 5の入口 4 5 3を通じて回収ライン 4 5に流 れ込む。 回収ライン 4 5に流れ込んだ混合液 (不活性溶剤および洗浄液) は 、 連続遠心分離機 4 6に導入され、 連続遠心分離機 4 6によって、 不活性溶 剤と洗浄液とに分離される。 洗浄液は、 外部 (例えば、 排液ユーティリティ ) に移送される。 不活性溶剤は、 分離溶剤移送ライン 4 7を通じて溶剤回収 タンク 3 7に移送される。 分離溶剤移送ライン 4 7は溶剤回収タンク 3 7に 接続されている。 The inert solvent and the cleaning liquid which flow downward on the inner peripheral surface of the process cup 20 flow into the recovery line 45 through the inlet 4 5 3 of the recovery line 45 as a mixed liquid. The mixed liquid (inert solvent and washing liquid) flowing into the recovery line 45 is introduced into the continuous centrifuge 46, and is separated into the inert solvent and the washing liquid by the continuous centrifuge 46. The cleaning liquid is transferred to the outside (for example, a drainage utility). The inert solvent is transferred to the solvent recovery tank 37 through the separation solvent transfer line 47. The separation solvent transfer line 47 is connected to the solvent recovery tank 37.
[0052] 成分分析部 5の構成について説明する。 上述したように、 不活性溶剤は、 フッ素系溶剤とァルコール系溶剤との混合溶剤である。 成分分析部 5は、 フ 〇 2020/174874 13 卩(:171? 2019 /051476 The configuration of the component analysis unit 5 will be described. As described above, the inert solvent is a mixed solvent of a fluorine solvent and an alcohol solvent. The component analysis unit 5 〇 2020/174874 13 卩 (: 171? 2019 /051476
ッ素系溶剤とアルコール系溶剤との混合比を分析するように構成されている 。 本実施形態では、 成分分析部 5は、 溶剤回収タンク 3 7に貯留された不活 性溶剤の質量を検出する質量検出器 5 0と、 溶剤回収タンク 3 7に貯留され た不活性溶剤の液面を検出する液面検出器 5 1 と、 質量検出器 5 0および液 面検出器 5 1 によって検出された値に基づいて、 フッ素系溶剤とアルコール 系溶剤との混合比を演算する混合比演算部 5 2と、 を備えている。 It is configured to analyze the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent. In the present embodiment, the component analysis unit 5 includes a mass detector 50 that detects the mass of the inert solvent stored in the solvent recovery tank 37, and a liquid of the inert solvent stored in the solvent recovery tank 37. Mixing ratio calculation that calculates the mixing ratio of the fluorine-based solvent and alcohol-based solvent based on the values detected by the liquid level detector 51 that detects the surface, the mass detector 50, and the liquid level detector 51. Part 52 and is provided.
[0053] 図 1 に示すように、 質量検出器 5 0および液面検出器 5 1は、 混合比演算 部 5 2に電気的に接続されている。 混合比演算部 5 2は、 プログラムを格納 した記憶装置 5 2 3と、 プログラムに従って演算を実行する処理装置 5 2匕 と、 を備えている。 質量検出器 5 0は、 溶剤回収タンク 3 7および不活性溶 剤の総質量を検出する。 記憶装置 5 2 3は、 溶剤回収タンク 3 7の質量を予 め記憶している。 処理装置 5 2匕は、 質量検出器 5 0によって検出された総 質量から溶剤回収タンク 3 7の質量を減算することによって、 溶剤回収タン ク 3 7に貯留された不活性溶剤の質量を演算する。 As shown in FIG. 1, the mass detector 50 and the liquid level detector 51 are electrically connected to the mixing ratio calculation unit 52. The mixing ratio calculating unit 5 2 includes a memory 5 2 3 storing a program, and a processor 5 2 spoon carrying out operations according to the program. The mass detector 50 detects the total mass of the solvent recovery tank 37 and the inert solvent. Storage 5 2 3, the mass of the solvent recovery tank 3 7 stores pre Me. The processing device 52 calculates the mass of the inert solvent stored in the solvent recovery tank 37 by subtracting the mass of the solvent recovery tank 37 from the total mass detected by the mass detector 50. ..
[0054] 記憶装置 5 2 3は、 溶剤回収タンク 3 7のサイズ (すなわち、 体積) を予 め記憶しており、 処理装置 5 2匕は、 液面検出器 5 1 によって検出された不 活性溶剤の液面と溶剤回収タンク 3 7のサイズとの関係から不活性溶剤の容 量を演算する。 処理装置 5 2匕は、 質量検出器 5 0および液面検出器 5 1か ら送られた値に基づいて、 フッ素系溶剤とアルコール系溶剤との混合比を演 算する。 [0054] storage device 5 2 3, the size of the solvent recovery tank 3 7 (i.e., volume) stores pre Me a processor 5 2 spoon is inert solvent which is detected by the liquid level detector 5 1 Calculate the volume of the inert solvent from the relationship between the liquid surface of and the size of the solvent recovery tank 37. The processing unit 52 calculates the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent based on the values sent from the mass detector 50 and the liquid level detector 51.
[0055] フッ素系溶剤の比重とアルコール系溶剤の比重との差は大きいため、 フッ 素系溶剤とアルコール系溶剤との混合比が変わると、 不活性溶剤の質量と不 活性溶剤の体積との関係も変わる。 したがって、 記憶装置 5 2 3は、 フッ素 系溶剤の成分 (すなわち、 フッ素系溶剤とアルコール系溶剤との混合比) と 不活性溶剤の質量と不活性溶剤の容量との間の相関関係をデータべースとし て記憶している。 [0055] Since the difference between the specific gravity of the fluorine-based solvent and the specific gravity of the alcohol-based solvent is large, when the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent changes, the mass of the inert solvent and the volume of the inert solvent are changed. Relationships also change. Therefore, the storage device 5 2 3, components of the fluorine-based solvent (i.e., mixing ratio of the fluorine-based solvent and an alcohol solvent) data a correlation between the mass and the volume of inert solvent and inert solvent I remember it as a source.
[0056] 処理装置 5 2 は、 液面検出器 5 1 によって検出された不活性溶剤の液面 に基づいて算出された不活性溶剤の容量と質量検出器 5 0によって検出され 〇 2020/174874 14 卩(:171? 2019 /051476 [0056] The processing device 52 is detected by the mass detector 50 and the volume of the inert solvent calculated based on the liquid level of the inert solvent detected by the liquid surface detector 51. 〇 2020/174874 14 卩 (: 171? 2019 /051476
た不活性溶剤の質量との関係から、 フッ素系溶剤とアルコール系溶剤との混 合比を算出する。 From the relationship with the mass of the inert solvent, calculate the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent.
[0057] 本実施形態では、 混合比演算部 5 2は、 動作制御部 8に組み込まれている が、 動作制御部 8とは別個に設けられてもよい。 この場合、 混合比演算部 5 2は、 動作制御部 8に電気的に接続されている。 In the present embodiment, the mixing ratio calculation unit 52 is incorporated in the operation control unit 8, but it may be provided separately from the operation control unit 8. In this case, the mixing ratio calculation unit 52 is electrically connected to the operation control unit 8.
[0058] —実施形態では、 成分分析部 5は、 質量検出器 5 0、 液面検出器 5 1、 お よび混合比演算部 5 2を設ける代わりに成分計 (図示しない) を備えてもよ い。 成分計の一例として、 クロマトグラフ装置または屈折率センサを挙げる ことができる。 成分計は、 溶剤回収タンク 3 7内の不活性溶剤の成分を分析 して、 フッ素系溶剤とアルコール系溶剤との混合比を測定するための装置で ある。 成分計は、 動作制御部 8に電気的に接続されている。 In the embodiment, the component analysis unit 5 may include a component meter (not shown) instead of providing the mass detector 50, the liquid level detector 51, and the mixing ratio calculation unit 52. Yes. A chromatographic device or a refractive index sensor can be given as an example of the component meter. The component meter is a device for analyzing the components of the inert solvent in the solvent recovery tank 37 and measuring the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent. The component meter is electrically connected to the operation control unit 8.
[0059] 基板 の洗浄および乾燥時では、 所定の混合比を有する不活性溶剤が基板 に噴射される。 しかしながら、 溶剤回収タンク 3 7内の不活性溶剤の混合 比は、 所定の混合比からずれているおそれがある。 そこで、 動作制御部 8は 、 成分分析部 5によって分析された不活性溶剤の成分 (混合比) に基づいて 、 不活性溶剤の成分が所定の管理範囲から外れているか否かを判定し、 不活 性溶剤の成分が所定の管理範囲から外れたときに、 不活性溶剤の成分を調整 するように、 成分調整部 6に指令を出すように構成されている。 [0059] During cleaning and drying of the substrate, an inert solvent having a predetermined mixing ratio is sprayed onto the substrate. However, the mixing ratio of the inert solvent in the solvent recovery tank 37 may deviate from the predetermined mixing ratio. Therefore, the operation control unit 8 determines whether the component of the inert solvent is out of the predetermined control range based on the component (mixing ratio) of the inert solvent analyzed by the component analysis unit 5, and When the component of the active solvent is out of the predetermined control range, the component adjusting section 6 is instructed to adjust the component of the inert solvent.
[0060] 成分調整部 6の構成について説明する。 成分調整部 6は、 分析された混合 比に基づいて、 フッ素系溶剤とアルコール系溶剤との混合比を調整する。 よ り具体的には、 成分調整部 6は、 フッ素系溶剤供給源 5 5と、 アルコール系 溶剤供給源 5 6と、 を備えている。 これらフッ素系溶剤供給源 5 5およびア ルコール系溶剤供給源 5 6のそれぞれは、 動作制御部 8に電気的に接続され ており、 動作制御部 8からの指令に従って、 溶剤回収タンク 3 7内にフッ素 系溶剤およびアルコール系溶剤のそれぞれを供給するように構成されている The configuration of the component adjusting unit 6 will be described. The component adjusting unit 6 adjusts the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent based on the analyzed mixing ratio. More specifically, the component adjusting unit 6 includes a fluorine-based solvent supply source 55 and an alcohol-based solvent supply source 5 6. Each of the fluorine-based solvent supply source 5 5 and the alcohol-based solvent supply source 5 6 is electrically connected to the operation control unit 8 and stored in the solvent recovery tank 37 in accordance with a command from the operation control unit 8. It is configured to supply each of fluorine-based solvent and alcohol-based solvent.
[0061 ] 例えば、 フッ素系溶剤の濃度が所定の管理範囲よりも小さい場合 (すなわ ち、 管理範囲の下限値よりも小さい場合) 、 動作制御部 8は、 フッ素系溶剤 〇 2020/174874 15 卩(:171? 2019 /051476 [0061] For example, when the concentration of the fluorine-based solvent is lower than the predetermined control range (that is, when it is lower than the lower limit value of the control range), the operation control unit 8 uses the fluorine-based solvent. 〇 2020/174874 15 卩 (: 171? 2019 /051476
の濃度を高めるための指令を成分調整部 6に発する。 成分調整部 6のフッ素 系溶剤供給源 5 5は、 この指令を受けて、 溶剤回収タンク 3 7にフッ素系溶 剤を供給する。 このようにして、 成分調整部 6は、 フッ素系溶剤の濃度が所 定の管理範囲内になるように、 フッ素系溶剤の濃度を高める。 The component adjusting unit 6 is instructed to increase the concentration of. In response to this command, the fluorine-based solvent supply source 55 of the component adjusting unit 6 supplies the fluorine-based solvent to the solvent recovery tank 37. In this way, the component adjusting section 6 increases the concentration of the fluorinated solvent so that the concentration of the fluorinated solvent falls within the predetermined control range.
[0062] 例えば、 フッ素系溶剤の濃度が所定の管理範囲よりも大きい場合 (すなわ ち、 管理範囲の上限値よりも大きい場合) 、 動作制御部 8は、 フッ素系溶剤 の濃度を低くするための指令を成分調整部 6に発する。 成分調整部 6のアル コール系溶剤供給源 5 6は、 この指令を受けて、 溶剤回収タンク 3 7にアル コール系溶剤を供給する。 このようにして、 成分調整部 6は、 フッ素系溶剤 の濃度が所定の管理範囲内になるように、 フッ素系溶剤の濃度を低くする。 [0062] For example, when the concentration of the fluorine-based solvent is higher than the predetermined control range (that is, when it is higher than the upper limit of the control range), the operation control unit 8 lowers the concentration of the fluorine-based solvent. Is issued to the component adjustment unit 6. In response to this command, the alcohol solvent supply source 5 6 of the component adjusting unit 6 supplies the alcohol solvent to the solvent recovery tank 37. In this way, the component adjusting unit 6 lowers the concentration of the fluorinated solvent so that the concentration of the fluorinated solvent falls within the predetermined control range.
[0063] フッ素系溶剤の濃度の管理範囲からのずれとフッ素系溶剤の供給量との関 係を予め定めてもよい。 この場合、 動作制御部 8は、 この関係から決定され た量のアルコール系溶剤を溶剤回収タンク 3 7内の不活性溶剤に供給しても よい。 動作制御部 8は、 この関係から決定された量のフッ素系溶剤を溶剤回 収タンク 3 7内の不活性溶剤に供給してもよい。 [0063] The relationship between the deviation of the concentration of the fluorine-based solvent from the control range and the supply amount of the fluorine-based solvent may be determined in advance. In this case, the operation control unit 8 may supply the amount of alcohol solvent determined from this relationship to the inert solvent in the solvent recovery tank 37. The operation control unit 8 may supply the amount of the fluorine-based solvent determined from this relationship to the inert solvent in the solvent recovery tank 37.
[0064] —実施形態では、 フッ素系溶剤供給源 5 5は、 液位計が設けられたフッ素 系溶剤タンク (図示しない) を備えていてもよい。 液位計は、 動作制御部 8 に電気的に接続されている。 動作制御部 8は、 フッ素系溶剤タンク内のフッ 素系溶剤の液位が所定の位置まで下がった場合にアラームを発報するように 構成されてもよい。 このような構成により、 作業者は、 フッ素系溶剤の供給 不足という事態を回避することができる。 図示しないが、 アルコール系溶剤 供給源 5 6も同様の構成を有してもよい。 [0064] —In the embodiment, the fluorine-based solvent supply source 55 may include a fluorine-based solvent tank (not shown) provided with a liquid level gauge. The liquid level gauge is electrically connected to the operation control unit 8. The operation control unit 8 may be configured to issue an alarm when the level of the fluorine-based solvent in the fluorine-based solvent tank drops to a predetermined position. With this configuration, the operator can avoid a situation where the supply of the fluorine-based solvent is insufficient. Although not shown, the alcohol solvent supply source 5 6 may have the same configuration.
[0065] 溶剤供給部 7の構成について説明する。 溶剤供給部 7は、 溶剤回収タンク The configuration of the solvent supply unit 7 will be described. The solvent supply unit 7 is a solvent recovery tank.
3 7および噴射ノズル 3に接続された供給ライン 6 0と、 供給ライン 6 0を 通じて溶剤回収タンク 3 7内の不活性溶剤を噴射ノズル 3に移送するポンプ 装置 6 1 と、 供給ライン 6 0を流れる不活性溶剤に含まれる異物を捕捉する フィルタ 6 2と、 供給ライン 6 0を流れる不活性溶剤の流量を調整する流量 調整バルブ 6 3と、 を備えている。 流量調整バルブ 6 3の一例として、 電磁 〇 2020/174874 16 卩(:171? 2019 /051476 3 7 and the injection nozzle 3, and a pump device 61 for transferring the inert solvent in the solvent recovery tank 37 to the injection nozzle 3 through the supply line 60 and the supply line 60. A filter 62 for capturing foreign matters contained in the inert solvent flowing through and a flow rate adjusting valve 63 for adjusting the flow rate of the inert solvent flowing through the supply line 60 are provided. As an example of the flow rate adjustment valve 63, an electromagnetic 〇 2020/174874 16 卩 (: 171? 2019 /051476
弁を挙げることができる。 You can mention the valve.
[0066] ポンプ装置 6 1は、 供給ライン 6 0を流れる不活性溶剤の流れ方向におい て、 フイルタ 6 2の上流側に配置されており、 流量調整バルブ 6 3は、 フイ ルタ 6 2の下流側に配置されている。 ポンプ装置 6 1は、 動作制御部 8に電 気的に接続されている。 動作制御部 8は、 その指令によりポンプ装置 6 1 を 駆動する。 流量調整バルブ 6 3は、 動作制御部 8に電気的に接続されている 。 動作制御部 8は、 その指令により流量調整バルブ 6 3の開度を調整する。 [0066] The pump device 61 is arranged upstream of the filter 62 in the flow direction of the inert solvent flowing through the supply line 60, and the flow control valve 63 is provided downstream of the filter 62. It is located in. The pump device 61 is electrically connected to the operation control unit 8. The operation control unit 8 drives the pump device 61 according to the command. The flow rate adjusting valve 63 is electrically connected to the operation controller 8. The operation control unit 8 adjusts the opening degree of the flow rate adjusting valve 63 according to the command.
[0067] 図 1 に示すように、 動作制御部 8は、 プログラムを格納した記憶装置 8 3 と、 プログラムに従って演算を実行する処理装置 8 13と、 を備えている。 上 記管理範囲は、 記憶装置 8 3に記憶されている。 コンピュータからなる動作 制御部 8は、 記憶装置 8 3に電気的に格納されたプログラムに従って動作す る。 As shown in FIG. 1, the operation control unit 8 includes a storage device 8 3 that stores a program and a processing device 8 13 that executes a calculation according to the program. The above management range is stored in the storage device 83. The operation control unit 8 including a computer operates according to a program electrically stored in the storage device 83.
[0068] 図 2は、 動作制御部 8による処理フローを示す図である。 図 2に示すよう に、 動作制御部 8は、 成分分析部 5によって分析された不活性溶剤の成分と 所定の管理範囲とを比較し (ステップ 3 1 0 1参照) 、 不活性溶剤の成分が 所定の管理範囲から外れているか否かを判定する (ステップ 3 1 0 2参照) FIG. 2 is a diagram showing a processing flow by the operation control unit 8. As shown in Fig. 2, the operation control unit 8 compares the components of the inert solvent analyzed by the component analysis unit 5 with a predetermined control range (see step 3101), and determines that the components of the inert solvent are Determine whether it is out of the prescribed management range (see step 3102)
。 不活性溶剤の成分が所定の管理範囲内にある場合 (ステップ 3 1 0 2の 「 N 0」 参照) 、 動作制御部 8は、 溶剤供給部 7 (より具体的には、 ポンプ装 置 6 1および流量調整バルブ 6 3) に指令を出して、 所定量の不活性溶剤を 噴射ノズル 3に供給する (ステップ 3 1 0 3参照) 。 .. When the components of the inert solvent are within the predetermined control range (refer to “NO” in step 3102), the operation control unit 8 operates the solvent supply unit 7 (more specifically, the pump device 6 1). And flow control valve 6 3) to supply a predetermined amount of inert solvent to the injection nozzle 3 (see step 3103).
[0069] 不活性溶剤の成分が所定の管理範囲から外れている場合 (ステップ 3 1 0 [0069] When the component of the inert solvent is out of the predetermined control range (Step 3 10
2の 「丫巳3」 参照) 、 動作制御部 8は、 成分調整部 6に指令を出して、 溶 剤回収タンク 3 7内の不活性溶剤の成分を調整する (ステップ 3 1 0 4参照 ) 。 その後、 動作制御部 8は、 ステップ 3 1 0 1 , 3 1 0 2と同様の動作を 実行する。 (Refer to “3” in 2)), and the operation control section 8 issues a command to the component adjustment section 6 to adjust the components of the inert solvent in the solvent recovery tank 37 (see step 3104). .. After that, the operation control unit 8 executes the same operation as in steps 3101 and 3102.
[0070] これらステップを動作制御部 8に実行させるためのプログラムは、 非一時 的な有形物であるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録され、 記録媒 体を介して動作制御部 8に提供される。 または、 プログラムは、 インターネ 〇 2020/174874 17 卩(:171? 2019 /051476 The program for causing the operation control unit 8 to execute these steps is recorded in a computer-readable recording medium that is a non-transitory tangible material, and is provided to the operation control unit 8 via the recording medium. .. Or, the program is 〇 2020/174874 17 卩(: 171-1? 2019/051476
ッ トまたは口ーカルエリアネッ トワークなどの通信ネッ トワークを介して動 作制御部 8に入力されてもよい。 It may be input to the operation control unit 8 via a communication network such as a computer or oral area network.
[0071 ] 動作制御部 8は、 所定単位の基板 を処理するごとに上記ステップを実行 してもよい。 所定単位は、 1枚であってもよく、 または複数枚であってもよ い。 成分調整部 6による不活性溶剤の成分調整が完了するまで、 噴射ノズル 3に不活性溶剤を供給することができないという事態の発生を防止するため に、 動作制御部 8は、 溶剤回収タンク 3 7内の不活性溶剤の成分が常に所定 の管理範囲内に収められるような時間間隔で上記ステップを実行する。 The operation control unit 8 may execute the above steps each time a predetermined unit of substrate is processed. The predetermined unit may be one sheet or plural sheets. In order to prevent the situation where the inert solvent cannot be supplied to the injection nozzle 3 until the composition adjustment of the inert solvent by the component adjustment unit 6 is completed, the operation control unit 8 sets the solvent recovery tank 3 7 The above steps are carried out at time intervals such that the inert solvent components therein are always within the prescribed control range.
[0072] 本実施形態によれば、 基板処理装置 1は、 噴射ノズル 3から噴射された不 活性溶剤を回収し、 分析し、 調整し、 再び噴射ノズル 3に供給することがで きる。 このように、 基板処理装置 1は、 不活性溶剤をチャンバ 3 0の内部と 外部との間で循環させることができるため、 不活性溶剤を再利用することが できる。 According to this embodiment, the substrate processing apparatus 1 can collect, analyze, adjust, and supply the inert solvent jetted from the jet nozzle 3 to the jet nozzle 3 again. In this way, the substrate processing apparatus 1 can circulate the inert solvent between the inside and the outside of the chamber 30 and thus can reuse the inert solvent.
[0073] 溶剤回収部 4は、 基板 に供給された不活性溶剤を回収し、 成分分析部 5 は、 回収された不活性溶剤の成分を分析し、 成分調整部 6は、 分析された不 活性溶剤の成分を調整し、 溶剤供給部 7は、 成分が調整された不活性溶剤を 噴射ノズル 3に供給する。 基板処理装置 1は、 このような比較的簡素な構造 で容易に不活性溶剤を回収することができる。 The solvent recovery unit 4 recovers the inert solvent supplied to the substrate, the component analysis unit 5 analyzes the components of the recovered inert solvent, and the component adjustment unit 6 analyzes the analyzed inert solvent. The components of the solvent are adjusted, and the solvent supply unit 7 supplies the inert solvent having the adjusted components to the injection nozzle 3. The substrate processing apparatus 1 can easily collect the inert solvent with such a relatively simple structure.
[0074] 不活性溶剤は、 その密度 (1 , 4401^/1113 (@25〇〇 ) が超純水 (水:約 9971^/ 1113(@26. 85〇〇) の密度や酸性やアルカリ性を有する水溶液の薬液の密度と比較 して大きいという性質を有している。 したがって、 洗浄液が不活性溶剤に混 合されても、 小型の連続遠心分離機 4 6を用いて、 容易に不活性溶剤を分離 および回収することができる。 [0074] The inert solvent has a density (1 ,4401^/111 3 (@25○○)) of ultrapure water (water: about 9971^/111 3 (@26.85○○)) Compared with the density of the chemical solution of alkaline aqueous solution, it has the property of being large, so even if the washing solution is mixed with an inert solvent, it can be easily mixed with a small continuous centrifuge 46. The active solvent can be separated and recovered.
[0075] 不活性溶剤は、 その沸点が 54. 5°〇程度であるという性質を有している。 こ のように、 不活性溶剤は比較的低温であるため、 基板処理装置 1は、 排気ラ イン 4 0の途中で、 冷却ユニッ ト 4 1 によって気化溶剤を結露させて、 気化 溶剤を液化することができる。 このように、 基板処理装置 1は、 比較的簡素 な構造で容易に不活性溶剤を回収することができる。 〇 2020/174874 18 卩(:171? 2019 /051476 [0075] The inert solvent has a property that its boiling point is about 54.5°. As described above, since the inert solvent has a relatively low temperature, the substrate processing apparatus 1 liquefies the vaporized solvent by condensing the vaporized solvent with the cooling unit 41 during the exhaust line 40. You can As described above, the substrate processing apparatus 1 can easily collect the inert solvent with a relatively simple structure. 〇 2020/174 874 18 卩 (: 171? 2019 /051476
[0076] フィルタ 6 2を設けることにより、 不活性溶剤に混入した異物を除去する ことができるため、 不活性溶剤を再利用することができるレベルにまで清浄 化することができる。 不活性溶剤は、 液性状として、 熱的および化学的安定 性に優れているため、 アルコール系溶剤の濃度を適宜調整することにより、 半永久的に使用できる。 また、 不活性溶剤は、 引火点を有していないため、 装置側での防爆仕様も不要であり、 装置の設計仕様上も複雑化や高額化を避 けることができる。 液状の丨 八を用いた乾燥方法と比較すると、 丨 八の 使用量が大幅に小さくなるため、 有機物排液処理専用の排液処理設備を設け る必要はなく、 排液処理費用を小さくすることができる。 By providing the filter 62, foreign matter mixed in the inert solvent can be removed, so that the inert solvent can be cleaned to a level at which it can be reused. Since the inert solvent has excellent thermal and chemical stability as a liquid property, it can be used semipermanently by appropriately adjusting the concentration of the alcohol solvent. In addition, since the inert solvent does not have a flash point, there is no need for explosion-proof specifications on the device side, and it is possible to avoid complications and cost increases in the device design specifications. Compared with the drying method that uses liquid roe, the amount of roe roe used is significantly smaller, so there is no need to provide a waste water treatment facility dedicated to organic waste water treatment, and the waste treatment cost should be reduced. You can
[0077] 図 3は、 基板処理装置 1の他の実施形態を示す図である。 特に説明しない 本実施形態の構成は、 上述した実施形態と同じであるので、 その重複する説 明を省略する。 FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the substrate processing apparatus 1. The configuration of this embodiment that is not particularly described is the same as that of the above-described embodiment, and thus the overlapping description will be omitted.
[0078] 図 3に示す実施形態では、 噴射ノズル 3は、 不活性溶剤および不活性ガス を供給する二流体ノズルである。 より具体的には、 図 3に示すように、 基板 処理装置 1は、 噴射ノズル 3に接続されたガスライン 7 0と、 ガスライン 7 0に接続された不活性ガス供給源 7 1 と、 ガスライン 7 0を流れる不活性ガ スの流量を調整する流量調整バルブ 7 2と、 を備えている。 流量調整バルブ 7 2の一例として、 電磁弁を挙げることができる。 流量調整バルブ 7 2は、 動作制御部 8に電気的に接続されており、 動作制御部 8は、 流量調整バルブ 7 2の開度を調整することができる。 [0078] In the embodiment shown in Fig. 3, the injection nozzle 3 is a two-fluid nozzle that supplies an inert solvent and an inert gas. More specifically, as shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus 1 includes a gas line 70 connected to the injection nozzle 3, an inert gas supply source 71 connected to the gas line 70, and a gas line 70. A flow rate adjusting valve 7 2 for adjusting the flow rate of the inert gas flowing through the line 70 is provided. An example of the flow rate adjusting valve 72 is a solenoid valve. The flow rate adjustment valve 72 is electrically connected to the operation control unit 8, and the operation control unit 8 can adjust the opening degree of the flow rate adjustment valve 72.
[0079] 噴射ノズル 3に供給される不活性ガスの一例として、 窒素ガスを挙げるこ とができる。 二流体ノズルとしての噴射ノズル 3は、 基板 の上面に二流体 噴流を供給し、 結果として、 基板 の上面は、 二流体噴流によって洗浄され る。 一実施形態では、 噴射ノズル 3は、 メガソニックが付与された不活性溶 剤を供給するメガソニックノズルであってもよい。 As an example of the inert gas supplied to the injection nozzle 3, nitrogen gas can be mentioned. The injection nozzle 3 as a two-fluid nozzle supplies a two-fluid jet to the upper surface of the substrate, and as a result, the upper surface of the substrate is cleaned by the two-fluid jet. In one embodiment, the injection nozzle 3 may be a megasonic nozzle that supplies an inert solvent provided with megasonic.
[0080] フッ素系溶剤は、 高比重であり、 二流体噴流の流速によっては、 洗浄能力 が高くなりすぎて、 基板 にダメージを与えるおそれがある。 そこで、 流量 調整バルブ 6 3の開度と流量調整バルブ 7 2の開度との関係は、 二流体洗浄 〇 2020/174874 19 卩(:171? 2019 /051476 [0080] The fluorine-based solvent has a high specific gravity, and depending on the flow rate of the two-fluid jet, the cleaning ability becomes too high, which may damage the substrate. Therefore, the relationship between the opening degree of the flow rate adjusting valve 63 and the opening degree of the flow rate adjusting valve 72 is as follows. 〇 2020/174874 19 卩 (: 171? 2019 /051476
の処理レシピとして、 動作制御部 8に導入されてもよい。 このような構成に より、 二流体洗浄の処理レシピを調整することができる。 It may be introduced into the operation control unit 8 as the processing recipe of. With such a configuration, the processing recipe for the two-fluid cleaning can be adjusted.
[0081 ] 図 3に示すように、 基板処理装置 1は、 供給ライン 6 0を通じて新たな不 活性溶剤を噴射ノズル 3に供給する不活性溶剤供給装置 7 5を備えている。 不活性溶剤供給装置 7 5は、 噴射ノズル 3に供給される不活性溶剤の供給量 が不足する場合に備えて、 補助的に新たな不活性溶剤を供給するために設け られている。 As shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus 1 includes an inert solvent supply device 75 that supplies a new inert solvent to the injection nozzle 3 through the supply line 60. The inert solvent supply device 75 is provided for auxiliary supply of a new inert solvent in case the supply amount of the inert solvent supplied to the injection nozzle 3 is insufficient.
[0082] 不活性溶剤供給装置 7 5は、 供給ライン 6 0に接続された導入ライン 7 6 と、 導入ライン 7 6に接続された不活性溶剤供給源 7 7と、 導入ライン 7 6 を流れる新たな不活性溶剤の流量を調整する流量調整バルブ 7 8と、 を備え ている。 流量調整バルブ 7 8の一例として、 電磁弁を挙げることができる。 流量調整バルブ 7 8は、 動作制御部 8に電気的に接続されており、 動作制御 部 8は、 流量調整バルブ 7 8の開度を調整することができる。 [0082] The inert solvent supply device 75 includes an introduction line 7 6 connected to the supply line 60, an inert solvent supply source 7 7 connected to the introduction line 7 6, and a new flow flowing through the introduction line 7 6. A flow control valve 78 for adjusting the flow rate of the inert solvent is provided. An example of the flow rate adjusting valve 78 is a solenoid valve. The flow rate adjustment valve 78 is electrically connected to the operation control unit 8, and the operation control unit 8 can adjust the opening degree of the flow rate adjustment valve 78.
[0083] 噴射ノズル 3に供給される不活性溶剤の供給量が不足する場合、 動作制御 部 8は、 流量調整バルブ 7 8の開度を調整して、 不活性溶剤供給源 7 7から 新たな不活性溶剤を噴射ノズル 3に供給する。 本実施形態によれば、 不活性 溶剤供給装置 7 5が設けられている。 したがって、 成分調整部 6による不活 性溶剤の成分調整が完了するまで、 噴射ノズル 3に不活性溶剤を供給するこ とができないという事態は生じない。 When the supply amount of the inert solvent supplied to the injection nozzle 3 is insufficient, the operation control unit 8 adjusts the opening degree of the flow rate adjusting valve 78 so that a new amount is supplied from the inert solvent supply source 77. Supply inert solvent to spray nozzle 3. According to this embodiment, the inert solvent supply device 75 is provided. Therefore, the situation in which the inert solvent cannot be supplied to the injection nozzle 3 does not occur until the component adjustment unit 6 completes the component adjustment of the inert solvent.
[0084] 図 4は、 基板処理装置 1のさらに他の実施形態を示す図である。 特に説明 しない本実施形態の構成は、 上述した実施形態と同じであるので、 その重複 する説明を省略する。 図 4では、 溶剤回収部 4の他の実施形態が描かれてい る。 図 4に示すように、 溶剤回収タンク 3 7は、 成分調整タンク 8 0と、 溶 剤供給タンク 8 1 と、 を備えている。 フッ素系溶剤供給源 5 5およびアルコ —ル系溶剤供給源 5 6のそれぞれは、 成分調整タンク 8 0に、 フッ素系溶剤 およびアルコール系溶剤のそれぞれを供給するように構成されている。 質量 検出器 5 0および液面検出器 5 1は、 成分調整タンク 8 0に設けられている 。 供給ライン 6 0は、 溶剤供給タンク 8 1 に接続されている。 〇 2020/174874 20 卩(:171? 2019 /051476 FIG. 4 is a diagram showing still another embodiment of the substrate processing apparatus 1. The configuration of this embodiment that is not particularly described is the same as that of the above-described embodiment, and thus the duplicate description thereof will be omitted. In FIG. 4, another embodiment of the solvent recovery part 4 is depicted. As shown in FIG. 4, the solvent recovery tank 37 includes a component adjustment tank 80 and a solvent supply tank 81. Each of the fluorine-based solvent supply source 55 and the alcohol-based solvent supply source 56 is configured to supply the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent to the component adjustment tank 80. The mass detector 50 and the liquid level detector 51 are provided in the component adjustment tank 80. The supply line 60 is connected to the solvent supply tank 81. 〇 2020/174 874 20 卩 (: 171? 2019 /051476
[0085] 成分調整タンク 8 0および溶剤供給タンク 8 1は、 接続ライン 8 2を通じ て接続されており、 接続ライン 8 2には、 ポンプ装置 8 3が接続されている 。 したがって、 ポンプ装置 8 3は、 その駆動によって成分調整タンク 8 0内 の不活性溶剤を、 接続ライン 8 2を通じて溶剤供給タンク 8 1 に移送するこ とができる。 [0085] The component adjustment tank 80 and the solvent supply tank 81 are connected through a connection line 82, and the pump device 83 is connected to the connection line 82. Therefore, the pump device 83 can transfer the inert solvent in the component adjustment tank 80 to the solvent supply tank 81 through the connection line 82 by driving the pump device 83.
[0086] 動作制御部 8は、 成分調整部 6によって不活性溶剤の成分が所定の管理範 囲内にあると判定したとき、 ポンプ装置 8 3を駆動して、 成分調整タンク 8 0内の不活性溶剤を溶剤供給タンク 8 1 に移送する。 本実施形態によれば、 成分調整タンク 8 0および溶剤供給タンク 8 1が設けられている。 したがっ て、 成分調整部 6による不活性溶剤の成分調整が完了するまで、 噴射ノズル 3に不活性溶剤を供給することができないという事態は生じない。 When the component adjusting unit 6 determines that the component of the inert solvent is within the predetermined control range, the operation control unit 8 drives the pump device 8 3 to activate the inert gas in the component adjusting tank 80. Transfer solvent to solvent supply tank 81. According to this embodiment, the component adjustment tank 80 and the solvent supply tank 81 are provided. Therefore, the situation in which the inert solvent cannot be supplied to the injection nozzle 3 does not occur until the component adjustment of the inert solvent by the component adjusting unit 6 is completed.
[0087] 図 5は、 基板処理装置 1のさらに他の実施形態を示す図である。 特に説明 しない本実施形態の構成は、 上述した実施形態と同じであるので、 その重複 する説明を省略する。 図 5では、 溶剤回収部 4、 成分分析部 5、 および成分 調整部 6の他の実施形態が描かれている。 FIG. 5 is a diagram showing still another embodiment of the substrate processing apparatus 1. The configuration of this embodiment that is not particularly described is the same as that of the above-described embodiment, and thus the duplicate description thereof will be omitted. FIG. 5 shows another embodiment of the solvent recovery unit 4, the component analysis unit 5, and the component adjustment unit 6.
[0088] 図 5に示すように、 溶剤回収部 4は、 複数 (本実施形態では、 2つ) 溶剤 回収タンク 3 7 , 3 7巳を備えている。 成分分析部 5は、 複数 (本実施形 態では、 2つ) の質量検出器 5〇 , 5 0巳と、 複数 (本実施形態では、 2 つ) の液面検出器 5 1 八, 5 1 巳と、 を備えている。 質量検出器 5 0八, 5 0巳の数は、 溶剤回収タンク 3 7 , 3 7巳の数に対応しており、 液面検出 器 5 1 , 5 1 巳の数も、 溶剤回収タンク 3 7 , 3 7巳の数に対応してい る。 As shown in FIG. 5, the solvent recovery section 4 includes a plurality (two in the present embodiment) of solvent recovery tanks 37 and 37. The component analysis unit 5 includes a plurality (two in the present embodiment) of mass detectors 50 and 50 and a plurality (two in the present embodiment) of liquid level detectors 5 1, 8 and 5 1. It is equipped with and. The number of mass detectors 50 and 50 corresponds to the number of solvent recovery tanks 37 and 37, and the number of liquid level detectors 5 1 and 5 1 also corresponds to the number of solvent recovery tanks 37. It corresponds to a number of 37.
[0089] 成分調整部 6は、 複数 (本実施形態では、 2つ) のフッ素系溶剤供給源 5 The component adjusting unit 6 includes a plurality (two in the present embodiment) of a fluorine-based solvent supply source 5.
5八, 5 5巳と、 複数 (本実施形態では、 2つ) のアルコール系溶剤供給源 5 6八, 5 6巳と、 を備えている。 フッ素系溶剤供給源 5 5八, 5 5巳の数 は、 溶剤回収タンク 3 7八, 3 7巳の数に対応しており、 アルコール系溶剤 供給源 5 6 , 5 6巳の数も、 溶剤回収タンク 3 7 , 3 7巳の数に対応し ている。 〇 2020/174874 21 卩(:171? 2019 /051476 5 and 8 and 5 and a plurality (two in this embodiment) of alcohol solvent supply sources 5 and 8 and 5 and 6, respectively. The number of fluorine-based solvent sources 5 58, 55 corresponds to the number of solvent recovery tanks 37 8 and 37, and the number of alcohol solvent sources 5 6 and 5 6 It corresponds to the number of recovery tanks 37 and 37. 〇 2020/174874 21 卩 (: 171? 2019 /051476
[0090] 図 5に示すように、 液化溶剤移送ライン 4 4には、 切り替え弁 9 0が取り 付けられており、 切り替え弁 9 0には、 第 1液化溶剤分岐ライン 4 4 3およ び第 2液化溶剤分岐ライン 4 4 13が取り付けられている。 第 1液化溶剤分岐 ライン 4 4 3は、 冷却ユニッ ト 4 1 によって液化された不活性溶剤を溶剤回 収タンク 3 7八に移送し、 第 2液化溶剤分岐ライン 4 4 13は、 冷却ユニッ ト 4 1 によって液化された不活性溶剤を溶剤回収タンク 3 7巳に移送する。 [0090] As shown in Fig. 5, a switching valve 90 is attached to the liquefied solvent transfer line 44, and the switching valve 90 has the first liquefied solvent branch line 4 4 3 and the 2-liquefaction solvent branch line 4 4 13 is installed. The first liquefied solvent branch line 4 4 3 transfers the inert solvent liquefied by the cooling unit 4 1 to the solvent recovery tank 37 8 and the second liquefied solvent branch line 4 4 13 connects the cooling unit 4 1. The inert solvent liquefied by 1 is transferred to the solvent recovery tank 37.
[0091 ] 同様に、 分離溶剤移送ライン 4 7には、 切り替え弁 9 1が取り付けられて おり、 切り替え弁 9 1 には、 第 1分離溶剤分岐ライン 4 7 3および第 2分離 溶剤分岐ライン 4 7匕が取り付けられている。 第 1分離溶剤分岐ライン 4 7 3は、 連続遠心分離機 4 6によって分離された不活性溶剤を溶剤回収タンク 3 7 に移送し、 第 2分離溶剤分岐ライン 4 7 は、 連続遠心分離機 4 6に よって分離された不活性溶剤を溶剤回収タンク 3 7巳に移送する。 [0091] Similarly, the separation solvent transfer line 47 is equipped with a switching valve 91, and the switching valve 91 is connected to the first separation solvent branch line 4 7 3 and the second separation solvent branch line 47. The swallow is attached. The first separation solvent branch line 4 7 3 transfers the inert solvent separated by the continuous centrifuge 4 6 to the solvent recovery tank 37, and the second separation solvent branch line 4 7 connects the continuous centrifuge 4 6 The inert solvent separated by the above is transferred to the solvent recovery tank 37.
[0092] 溶剤回収タンク 3 7八には、 第 1供給分岐ライン 6 0 3が接続されており 、 第 1供給分岐ライン 6 0 3には、 第 1ポンプ装置 6 1 八が接続されている 。 溶剤回収タンク 3 7巳には、 第 2供給分岐ライン 6 0匕が接続されており 、 第 2供給分岐ライン 6 0匕には、 第 2ポンプ装置 6 1 巳が接続されている 。 第 1供給分岐ライン 6 0 3および第 2供給分岐ライン 6 0 13には、 切り替 え弁 9 2が取り付けられている。 切り替え弁 9 2には、 供給ライン 6 0が取 り付けられている。 [0092] in a solvent recovery tank 3 7 eight is the first supply branch line 6 0 3 is connected to the first supply branch line 6 0 3, the first pump unit 61 eight is connected. A second supply branch line 60 sq is connected to the solvent recovery tank 37, and a second pump device 61 s is connected to the second supply stub line 60. A switching valve 92 is attached to the first supply branch line 60 3 and the second supply branch line 6013. A supply line 60 is attached to the switching valve 92.
[0093] 動作制御部 8は、 切り替え弁 9 0 , 9 1 , 9 2に電気的に接続されている 。 動作制御部 8は、 成分調整部 6による不活性溶剤の成分調整が完了するま で、 噴射ノズル 3に不活性溶剤を供給することができないという事態の発生 を防止するために、 切り替え弁 9 0 , 9 1 , 9 2のそれぞれの動作を制御す る。 The operation control unit 8 is electrically connected to the switching valves 90, 91, 92. The operation control unit 8 controls the switching valve 9 0 in order to prevent the situation in which the inert solvent cannot be supplied to the injection nozzle 3 until the component adjustment unit 6 completes the component adjustment of the inert solvent. , 9 1 and 9 2 are controlled.
[0094] より具体的には、 動作制御部 8は、 切り替え弁 9 0 , 9 1のそれぞれを動 作させて、 溶剤回収タンク 3 7八, 3 7巳のうちの一方 (例えば、 溶剤回収 タンク 3 7 ) に不活性溶剤を貯留する。 動作制御部 8は、 成分分析部 5お よび成分調整部 6に指令を出して、 溶剤回収タンク 3 7 内の不活性溶剤の 〇 2020/174874 22 卩(:171? 2019 /051476 [0094] More specifically, the operation control unit 8 operates each of the switching valves 90 and 91 to operate one of the solvent recovery tanks 37 8 and 37 (for example, the solvent recovery tank). Store the inert solvent in 37). The operation control unit 8 issues a command to the component analysis unit 5 and the component adjustment unit 6 to control the inert solvent in the solvent recovery tank 37. 〇 2020/174874 22 卩 (: 171? 2019 /051476
成分を調整する。 不活性溶剤の成分が調整された後、 動作制御部 8は、 切り 替え弁 9 2を動作させて、 第 1供給分岐ライン 6 0 3と供給ライン 6 0とを 連結する。 動作制御部 8は、 第 1ポンプ装置 6 1 の駆動により、 溶剤回収 タンク 3 7 内の不活性溶剤を噴射ノズル 3に供給する。 Adjust the ingredients. After the components of the inert solvent are adjusted, the operation control unit 8 operates the switching valve 92 to connect the first supply branch line 60 3 and the supply line 60. The operation control unit 8 supplies the inert solvent in the solvent recovery tank 37 to the injection nozzle 3 by driving the first pump device 61.
[0095] その後、 動作制御部 8は、 切り替え弁 9 0 , 9 1のそれぞれを再び動作さ せて、 溶剤回収タンク 3 7八, 3 7巳のうちの他方 (例えば、 溶剤回収タン ク 3 7巳) に不活性溶剤を貯留する。 動作制御部 8は、 成分分析部 5および 成分調整部 6に指令を出して、 溶剤回収タンク 3 7巳内の不活性溶剤の成分 を調整する。 不活性溶剤の成分が調整された後、 動作制御部 8は、 切り替え 弁 9 2を再び動作させて、 第 2供給分岐ライン 6 0匕と供給ライン 6 0とを 連結する。 動作制御部 8は、 第 2ポンプ装置 6 1 巳の駆動により、 溶剤回収 タンク 3 7巳内の不活性溶剤を噴射ノズル 3に供給する。 [0095] After that, the operation control unit 8 operates the switching valves 90, 91 again, so that the other one of the solvent recovery tanks 37, 38 (for example, the solvent recovery tank 37). Storing the inert solvent. The operation control unit 8 issues a command to the component analysis unit 5 and the component adjustment unit 6 to adjust the components of the inert solvent in the solvent recovery tank 37. After the components of the inert solvent have been adjusted, the operation control unit 8 operates the switching valve 92 again to connect the second supply branch line 60 and the supply line 60. The operation control unit 8 supplies the inert solvent in the solvent recovery tank 37 to the injection nozzle 3 by driving the second pump device 61.
[0096] このように、 動作制御部 8は、 溶剤回収タンク 3 7八, 3 7巳のうちの一 方に貯留された不活性溶剤の成分を調整し、 成分が調整された不活性溶剤を 噴射ノズル 3に供給しつつ、 他方の溶剤回収タンクに不活性溶剤を貯留し、 この溶剤回収タンクに貯留された不活性溶剤の成分を調整してもよい。 図 5 に示す実施形態では、 基板処理装置 1は、 メインタンクとしての溶剤回収夕 ンク 3 7八 (または溶剤回収タンク 3 7巳) と、 サブタンクとしての溶剤回 収タンク 3 7巳 (または溶剤回収タンク 3 7八) と、 を備えている。 したが って、 成分調整部 6による不活性溶剤の成分調整が完了するまで、 噴射ノズ ル 3に不活性溶剤を供給することができないという事態は生じない。 [0096] In this way, the operation control unit 8 adjusts the components of the inert solvent stored in one of the solvent recovery tanks 37 8 and 37, and adjusts the inert solvent with the adjusted components. The inert solvent may be stored in the other solvent recovery tank while being supplied to the injection nozzle 3, and the components of the inert solvent stored in the solvent recovery tank may be adjusted. In the embodiment shown in FIG. 5, the substrate processing apparatus 1 includes a solvent recovery tank 37 (or solvent recovery tank 37) as a main tank and a solvent recovery tank 37 (or solvent recovery tank) as a sub tank. Tank 37 8), and. Therefore, the situation in which the inert solvent cannot be supplied to the injection nozzle 3 does not occur until the component adjustment of the inert solvent by the component adjusting unit 6 is completed.
[0097] 上述したすべての実施形態は、 可能な限り、 組み合わされてもよい。 一実 施形態では、 図 3に示す不活性溶剤供給装置 7 5は、 図 1 に示す実施形態、 図 4に示す実施形態、 図 5に示す実施形態の少なくとも 1つに組み込まれて もよい。 [0097] All the embodiments described above may be combined as much as possible. In one embodiment, the inert solvent supply device 75 shown in FIG. 3 may be incorporated into at least one of the embodiment shown in FIG. 1, the embodiment shown in FIG. 4, and the embodiment shown in FIG.
[0098] 図 6は、 基板処理装置 1 を備えた半導体製造装置 1 0 0を示す図である。 FIG. 6 is a diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus 100 including the substrate processing apparatus 1.
図 6に示すように、 半導体製造装置 1 0 0は、 略矩形状のハウジング 1 0 1 と、 多数の基板を収容する基板カセツ トが載置される口ードボート 1 0 2と 〇 2020/174874 23 卩(:171? 2019 /051476 As shown in FIG. 6, the semiconductor manufacturing apparatus 100 includes a substantially rectangular housing 1101, and a port boat 102 on which a substrate cassette that accommodates a large number of substrates is placed. 〇 2020/174874 23 卩 (: 171? 2019 /051476
、 を備えている。 口ードボート 1 02は、 ハウジング 1 01 に隣接して配置 されている。 口ードボート 1 02には、 オープンカセッ ト、 SM I F (Stand ard Manufacturing Interface) ポッ ド、 または F〇U P (Front Opening Un ified Pod) を搭載することができる。 SM 丨 F、 F〇 U Pは、 内部に基板力 セッ トを収納し、 隔壁で覆うことにより、 外部空間とは独立した環境を保つ ことができる密閉容器である。 , Is equipped with. The mouth boat 102 is located adjacent to the housing 101. The mouth boat 102 can be equipped with an open cassette, a SM IF (Standard Manufacturing Interface) pod, or a F○U P (Front Opening Unified Pod). The SM F and F O U P are enclosed containers that house the substrate force set inside and cover it with a partition to maintain an environment independent of the external space.
[0099] ハウジング 1 01の内部には、 複数 (本実施形態では、 4つ) の研磨ユニ ッ ト 1 04 a〜 1 04 dと、 研磨後の基板を洗浄する第 1洗浄ユニッ ト 1 0 6および第 2洗浄ユニッ ト 1 08と、 上述した基板処理装置 1 とが収容され ている。 研磨ユニッ ト 1 04 a~ 1 04 dは、 半導体製造装置の長手方向に 沿って配列され、 洗浄ユニッ ト 1 06, 1 08および基板処理装置 1 も半導 体製造装置の長手方向に沿って配列されている。 基板処理装置 1は、 洗浄お よび乾燥ユニッ ト (または処理ユニッ ト) と呼ばれてもよい。 [0099] Inside the housing 101, a plurality (four in the present embodiment) of polishing units 104a to 104d and a first cleaning unit 1060 for cleaning the substrate after polishing are provided. The second cleaning unit 108 and the substrate processing apparatus 1 described above are housed. The polishing units 1 04 a to 104 d are arranged along the longitudinal direction of the semiconductor manufacturing equipment, and the cleaning units 1 06, 108 and the substrate processing equipment 1 are also arranged along the longitudinal direction of the semiconductor manufacturing equipment. Has been done. The substrate processing apparatus 1 may be referred to as a cleaning and drying unit (or a processing unit).
[0100] 口ードボート 1 02、 研磨ユニッ ト 1 04 a、 および基板処理装置 1 に囲 まれた領域には、 第 1基板搬送ロボッ ト 1 1 2が配置され、 また研磨ユニッ 卜 1 04 a〜 1 04 dと平行に、 基板搬送ユニッ ト 1 1 4が配置されている 。 第 1基板搬送ロボッ ト 1 1 2は、 研磨前の基板を口ードボート 1 02から 受け取って基板搬送ユニッ ト 1 1 4に渡すとともに、 乾燥後の基板を基板処 理装置 1から受け取って口ードボート 1 02に戻す。 基板搬送ユニッ ト 1 1 4は、 第 1基板搬送ロボッ ト 1 1 2から受け取った基板を搬送して、 各研磨 ユニッ ト 1 04 a〜 1 04 dとの間で基板の受け渡しを行う。 各研磨ユニッ 卜は、 基板の研磨面に研磨液を供給しながら、 基板を研磨面に摺接させるこ とで、 基板の上面を研磨する。 [0100] The first substrate transfer robot 1 1 2 is arranged in the area surrounded by the port boat 102, the polishing unit 1 04 a, and the substrate processing apparatus 1, and the polishing unit 1 04 a to 1 The board transfer unit 1 1 4 is placed parallel to 04d. The first substrate transfer robot 1 12 receives the substrate before polishing from the port board 102 and transfers it to the substrate transfer unit 1 14 and receives the dried substrate from the substrate processing apparatus 1 and outputs it to the port board 1 1 2. Return to 02. The substrate transfer unit 1 1 1 4 transfers the substrate received from the first substrate transfer robot 1 1 1 2 and transfers the substrate to and from each polishing unit 1 04 a to 104 d. Each polishing unit polishes the upper surface of the substrate by sliding the substrate onto the polishing surface while supplying the polishing liquid to the polishing surface of the substrate.
[0101] 第 1洗浄ユニッ ト 1 06と第 2洗浄ユニッ ト 1 08の間に位置して、 これ らの洗浄ユニッ ト 1 06, 1 08および基板搬送ユニッ ト 1 1 4の間で基板 を搬送する第 2基板搬送ロボッ ト 1 1 6が配置され、 第 2洗浄ユニッ ト 1 0 8と基板処理装置 1 との間に位置して、 これらの各ユニッ ト 1 08, 1の間 で基板を搬送する第 3基板搬送ロボッ ト 1 1 8が配置されている。 動作制御 〇 2020/174874 24 卩(:171? 2019 /051476 [0101] It is located between the first cleaning unit 106 and the second cleaning unit 108, and transfers the substrate between these cleaning units 1 06 and 108 and the substrate transfer unit 1 1 4. The second substrate transfer robot 1 16 is arranged between the second cleaning unit 108 and the substrate processing apparatus 1 to transfer the substrate between these units 108, 1. The third board transfer robot 1 18 is installed. Motion control 〇 2020/174874 24 卩 (: 171? 2019 /051476
咅 は、 ハウジング 1 0 1の内部に配置されている。 The hole is located inside the housing 101.
[0102] 第 1洗浄ユニッ ト 1 0 6として、 薬液の存在下で、 基板の表裏両面に口一 ルスボンジを擦り付けて基板を洗浄する基板洗浄装置が使用されている。 第 2洗浄ユニッ ト 1 0 8として、 二流体タイプの基板洗浄装置が使用されてい る。 [0102] As the first cleaning unit 106, there is used a substrate cleaning device that cleans the substrate by rubbing a mouth sponge on both sides of the substrate in the presence of a chemical solution. A two-fluid type substrate cleaning device is used as the second cleaning unit 108.
[0103] 基板は、 研磨ユニッ ト 1 0 4
Figure imgf000026_0001
1 0 4 の少なくとも 1つにより研磨さ れる。 研磨された基板は、 第 1洗浄ユニッ ト 1 0 6と第 2洗浄ユニッ ト 1 0 8により洗浄され、 さらに洗浄された基板は基板処理装置 1 により洗浄およ び乾燥される。
[0103] The substrate is a polishing unit 1 0 4
Figure imgf000026_0001
Polished by at least one of 104. The polished substrate is cleaned by the first cleaning unit 106 and the second cleaning unit 108, and the cleaned substrate is cleaned and dried by the substrate processing apparatus 1.
[0104] 従来の構成では、 二流体洗浄工程において、 超純水または薬液 (酸性また はアルカリ性の水溶液) を用いるため、 チャンバ内の水分や薬液の僅かな残 留分が基板の乾燥時における欠陥の要因となるおそれがある。 そこで、 洗浄 ユニッ トと乾燥ユニッ トとは、 別個に、 すなわち、 チャンバを分けて構成す る必要がある。 [0104] In the conventional configuration, since ultrapure water or a chemical solution (acidic or alkaline aqueous solution) is used in the two-fluid cleaning step, a slight residual amount of water or the chemical solution in the chamber causes defects when the substrate is dried. May be a factor. Therefore, it is necessary to configure the cleaning unit and the drying unit separately, that is, by dividing the chamber.
[0105] 本実施形態では、 不活性溶剤を乾燥直前の洗浄工程に用いることにより、 上述した懸念材料を払拭することができる。 したがって、 洗浄工程と乾燥エ 程とを一連の工程として、 同一のユニッ トで基板を処理することができる。 言い換えれば、 従来の乾燥ユニッ トで不活性溶剤を用いて洗浄工程を行うこ とができる。 したがって、 ユニッ トの数を増やすことなく、 さらに微小な不 純物の除去を目的とした洗浄工程を追加することができる。 典型的な例とし て、 一般的には、 半導体製造装置は、 3つの洗浄ユニッ トおよび 1つの乾燥 ユニッ トを備えているが、 本実施形態では、 半導体製造装置 1 0 0は、 2つ の洗浄ユニッ トおよび 1つの基板処理装置 1 を備えているため、 半導体製造 装置の洗浄性能を犠牲にすることなく、 フッ トプリントを削減することがで きる。 [0105] In the present embodiment, by using the inert solvent in the cleaning step immediately before drying, the above-mentioned concerned material can be wiped off. Therefore, the substrate can be processed in the same unit by using the cleaning process and the drying process as a series of processes. In other words, the washing step can be performed with a conventional drying unit using an inert solvent. Therefore, it is possible to add a cleaning step for the purpose of removing minute impurities, without increasing the number of units. As a typical example, generally, a semiconductor manufacturing apparatus includes three cleaning units and one drying unit, but in the present embodiment, the semiconductor manufacturing apparatus 100 has two cleaning units and one drying unit. Since the cleaning unit and one substrate processing unit 1 are provided, it is possible to reduce the foot print without sacrificing the cleaning performance of the semiconductor manufacturing apparatus.
[0106] —実施形態では、 半導体製造装置 1 0 0は、 3つの洗浄ユニッ トおよび 1 つの基板処理装置 1 を備えてもよい。 このような構成により、 フッ トプリン 卜を増やすことなく、 半導体製造装置の洗浄性能の向上を図ることができる 〇 2020/174874 25 卩(:171? 2019 /051476 [0106] —In the embodiment, the semiconductor manufacturing apparatus 100 may include three cleaning units and one substrate processing apparatus 1. With this configuration, it is possible to improve the cleaning performance of semiconductor manufacturing equipment without increasing the number of foot prints. 〇 2020/174874 25 卩 (: 171? 2019 /051476
[0107] —実施形態では、 半導体製造装置 1 〇〇は、 基板 に含まれる欠陥 (不純 物および/またはウォーターマーク) を検出する欠陥検査装置 (図示しない ) を備えてもよい。 このような構成により、 基板 の欠陥検査を適切に、 か つ効率よく行うことができる。 [0107] —In the embodiment, the semiconductor manufacturing apparatus 100 may include a defect inspection apparatus (not shown) for detecting defects (impurities and/or watermarks) contained in the substrate. With such a configuration, it is possible to appropriately and efficiently perform the defect inspection of the substrate.
[0108] これまで本発明の実施形態について説明したが、 本発明は上述の実施形態 に限定されず、 その技術思想の範囲内において、 種々の異なる形態で実施さ れてよいことは勿論である。 Although the embodiments of the present invention have been described so far, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it is needless to say that the embodiments may be implemented in various different modes within the scope of the technical idea thereof. ..
産業上の利用可能性 Industrial availability
[0109] 本発明は、 洗浄および乾燥させる装置に利用可能である。 本発明は、 該装 置を備えた半導体製造装置に利用可能である。 本発明は、 洗浄および乾燥さ せる方法に利用可能である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for an apparatus for cleaning and drying. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used in a semiconductor manufacturing apparatus equipped with the device. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used in a method of washing and drying.
符号の説明 Explanation of symbols
[01 10] 1 基板処理装置 [01 10] 1 Substrate processing equipment
2 基板保持部 2 Board holder
3 噴射ノズル 3 injection nozzle
4 溶剤回収部 4 Solvent Recovery Department
5 成分分析部 5 component analysis section
6 成分調整部 6 component adjustment section
7 溶剤供給部 7 Solvent supply section
8 動作制御部 8 Motion control section
8 3 記憶装置 8 3 storage device
8匕 処理装置 8-well processing equipment
1 0 スピンチャック 1 0 spin chuck
1 1 チャック支持軸 1 1 Chuck support shaft
1 2 チャックアクチユエータ 1 2 Chuck Actuator
1 5 洗浄液供給ノズル 1 5 Cleaning liquid supply nozzle
1 6 洗浄液供給ノズル 174874 26 卩(:171? 2019 /051476 1 6 Cleaning liquid supply nozzle 174874 26 卩 (: 171? 2019 /051476
プロセスカップProcess cup
1 支持プレート 1 Support plate
ノズルアーム Nozzle arm
アーム支持軸 Arm support shaft
ノズルアクチユエータ Nozzle actuator
チャンバ Chamber
1 フイルタファンユニッ ト 1 Filter fan unit
イオナイザ Ionizer
溶剤液化装置 Solvent liquefaction device
溶剤分離装置 Solvent separator
7 溶剤回収タンク 7 Solvent recovery tank
排気ライン Exhaust line
3 吸気口 3 air intake
匕 排気口 Exhaust outlet
1 冷却ユニッ ト 1 Cooling unit
2 冷却管2 cooling pipe
3 温度調整装置 3 Temperature control device
液化溶剤移送ライン Liquefaction solvent transfer line
3 第 1液化溶剤分岐ライン 3 First liquefied solvent branch line
匕 第 2液化溶剤分岐ライン 匕 second liquefaction solvent branch line
5 回収ライン 5 Recovery line
5 3 入口5 3 entrance
6 連続遠心分離機6 continuous centrifuge
7 分離溶剤移送ライン 7 Separation solvent transfer line
7 3 第 1分離溶剤分岐ライン 7 3 1st separation solvent branch line
7 第 2分離溶剤分岐ライン7 Second separation solvent branch line
0 質量検出器0 Mass detector
1 液面検出器 〇 2020/174874 27 卩(:171? 2019 /051476 1 Liquid level detector 〇 2020/174 874 27 卩 (: 171? 2019 /051476
52 混合比演算部 52 Mixing ratio calculator
523 記憶装置 523 Storage device
52 処理装置 52 Processor
55 フッ素系溶剤供給源 55 Fluorine-based solvent supply source
56 アルコール系溶剤供給源 56 Alcoholic solvent supply source
60 供給ライン 60 supply lines
603 第 1供給分岐ライン 603 1st supply branch line
60匕 第 2供給分岐ライン 60th second supply branch line
6 1 ポンプ装置 6 1 Pump device
62 フィルタ 62 Filter
63 流量調整バルブ 63 Flow control valve
70 ガスライン 70 gas line
7 1 不活性ガス供給源 7 1 Inert gas supply source
72 流量調整バルブ 72 Flow control valve
75 不活性溶剤供給装置 75 Inert solvent feeder
76 導入ライン 76 introduction line
77 不活性溶剤供給源 77 Inert solvent source
78 流量調整バルブ 78 Flow control valve
80 成分調整タンク 80 component adjustment tank
81 溶剤供給タンク 81 Solvent supply tank
82 接続ライン 82 Connection line
83 ポンプ装置 83 Pump device
90 切り替え弁 90 switching valve
9 1 切り替え弁 9 1 Switching valve
92 切り替え弁 92 switching valve
1 00 半導体製造装置 1 00 Semiconductor manufacturing equipment
1 01 ハウジング 1 01 housing
1 02 口ードボート /174874 28 卩(:171? 2019 /051476
Figure imgf000030_0001
研磨ユニッ ト
1 02 mouth boat /174874 28 卩 (: 171? 2019 /051476
Figure imgf000030_0001
Polishing unit
06 第 1洗浄ユニッ ト06 1st cleaning unit
08 第 2洗浄ユニッ ト08 2nd cleaning unit
1 2 第 1基板搬送ロボッ ト1 2 1st substrate transfer robot
1 4 基板搬送ユニッ ト 1 4 Board transfer unit

Claims

〇 2020/174874 29 卩(:171? 2019 /051476 請求の範囲 〇 2020/174874 29 卩 (: 171? 2019 /051476 Claim
[請求項 1 ] 基板を保持し、 回転させる基板保持部と、 [Claim 1] A substrate holding unit for holding and rotating a substrate,
前記基板保持部に保持された基板上に、 不活性溶剤を噴射する噴射 ノズルと、 A jet nozzle for jetting an inert solvent on the substrate held by the substrate holder,
前記不活性溶剤を回収する溶剤回収部と、 A solvent recovery unit for recovering the inert solvent,
前記溶剤回収部によって回収された不活性溶剤の成分を分析する成 分分析部と、 A component analysis unit for analyzing the components of the inert solvent recovered by the solvent recovery unit,
前記成分分析部によって分析された不活性溶剤の成分を調整する成 分調整部と、 A component adjusting unit for adjusting the components of the inert solvent analyzed by the component analyzing unit,
前記成分が調整された不活性溶剤を前記噴射ノズルに供給する溶剤 供給部と、 A solvent supply unit for supplying an inert solvent in which the components are adjusted to the injection nozzle,
前記成分調整部および前記溶剤供給部の動作を制御する動作制御部 と、 を備えている、 基板処理装置。 A substrate processing apparatus, comprising: an operation control section that controls operations of the component adjusting section and the solvent supply section.
[請求項 2] 前記溶剤回収部は、 [Claim 2] The solvent recovery unit comprises:
前記噴射ノズルから噴射され、 気化した不活性溶剤を回収し、 液 化する溶剤液化装置と、 A solvent liquefaction device for collecting and liquefying the vaporized inert solvent injected from the injection nozzle.
前記噴射ノズルから噴射された液体状の不活性溶剤と前記基板の 洗浄に使用される洗浄液とを含む混合液を分離して、 前記混合液から 前記不活性溶剤のみを回収する溶剤分離装置と、 A solvent separation device that separates a mixed liquid containing a liquid inert solvent sprayed from the spray nozzle and a cleaning liquid used for cleaning the substrate, and recovers only the inert solvent from the mixed liquid;
前記溶剤液化装置によって液化された不活性溶剤および前記溶剤 分離装置によって分離された不活性溶剤を貯留する溶剤回収タンクと 、 を備えている、 請求項 1 に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a solvent recovery tank that stores the inert solvent liquefied by the solvent liquefaction device and the inert solvent separated by the solvent separation device.
[請求項 3] 前記不活性溶剤は、 フッ素系溶剤とアルコール系溶剤との混合溶剤 であり、 [Claim 3] The inert solvent is a mixed solvent of a fluorine-based solvent and an alcohol-based solvent,
前記成分分析部は、 前記フッ素系溶剤と前記アルコール系溶剤との 混合比を分析し、 The component analysis unit analyzes the mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent,
前記成分調整部は、 前記分析された混合比に基づいて、 前記混合比 を調整する、 請求項 1 または 2に記載の基板処理装置。 〇 2020/174874 30 卩(:171? 2019 /051476 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the component adjusting unit adjusts the mixture ratio on the basis of the analyzed mixture ratio. 〇 2020/174 874 30 卩 (: 171? 2019 /051476
[請求項 4] 前記動作制御部は、 [Claim 4] The operation control unit
前記成分分析部によって分析された不活性溶剤の成分に基づいて 、 前記不活性溶剤の成分が所定の管理範囲から外れているか否かを判 定し、 Based on the component of the inert solvent analyzed by the component analysis unit, it is determined whether the component of the inert solvent is out of a predetermined control range,
前記不活性溶剤の成分が所定の管理範囲から外れたときに、 前記 不活性溶剤の成分を調整するように、 前記成分調整部に指令を出す、 請求項 1乃至 3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 4. When the component of the inert solvent is out of a predetermined control range, a command is issued to the component adjusting unit to adjust the component of the inert solvent, The component adjusting unit according to claim 1. Substrate processing equipment.
[請求項 5] 前記不活性溶剤は、 ハイ ドロフルオロエーテル類およびハイ ドロフ ルオロカーボン類のうちの少なくとも 1つと、 アルコール類とを含有 した溶剤である、 請求項 1乃至 4のいずれか一項に記載の基板処理装 置。 [Claim 5] The inert solvent is a solvent containing at least one of a hydrofluoroether and a hydrofluorocarbon and an alcohol, and the inert solvent is any one of claims 1 to 4. Substrate processing equipment.
[請求項 6] 前記噴射ノズルは、 前記不活性溶剤および不活性ガスを供給する二 流体ノズル、 またはメガソニックが付与された不活性溶剤を供給する メガソニックノズルである、 請求項 1乃至 5のいずれか一項に記載の 基板処理装置。 6. The injection nozzle is a two-fluid nozzle that supplies the inert solvent and an inert gas, or a megasonic nozzle that supplies an inert solvent to which megasonic is added. The substrate processing apparatus according to any one of claims.
[請求項 7] 基板処理装置を備えた半導体製造装置であって、 [Claim 7] A semiconductor manufacturing apparatus including a substrate processing apparatus,
前記基板処理装置は、 The substrate processing apparatus,
基板を保持し、 回転させる基板保持部と、 A substrate holder that holds and rotates the substrate,
前記基板保持部に保持された基板上に、 不活性溶剤を噴射する噴 射ノズルと、 An injection nozzle for injecting an inert solvent onto the substrate held by the substrate holder,
前記不活性溶剤を回収する溶剤回収部と、 A solvent recovery unit for recovering the inert solvent,
前記溶剤回収部によって回収された不活性溶剤の成分を分析する 成分分析部と、 A component analysis unit for analyzing the components of the inert solvent recovered by the solvent recovery unit,
前記成分分析部によって分析された不活性溶剤の成分を調整する 成分調整部と、 A component adjusting unit for adjusting the components of the inert solvent analyzed by the component analyzing unit,
前記成分が調整された不活性溶剤を前記噴射ノズルに供給する溶 剤供給部と、 A solvent supply section for supplying the spray nozzle with an inert solvent in which the components are adjusted,
前記成分調整部および前記溶剤供給部の動作を制御する動作制御 〇 2020/174874 31 卩(:171? 2019 /051476 Operation control for controlling operations of the component adjusting section and the solvent supply section 〇 2020/174874 31 卩 (: 171? 2019 /051476
部と、 を備えている、 半導体製造装置。 And a semiconductor manufacturing device.
[請求項 8] 基板保持部に保持された基板を回転させつつ、 前記基板上に、 噴射 ノズルによって不活性溶剤を噴射し、 [Claim 8] While rotating the substrate held by the substrate holding portion, an inert solvent is sprayed onto the substrate by a spray nozzle,
前記不活性溶剤を回収し、 Recovering the inert solvent,
前記回収された不活性溶剤の成分を分析し、 Analyzing the components of the recovered inert solvent,
前記分析された不活性溶剤の成分を調整し、 Adjusting the components of the inert solvent analyzed,
前記成分が調整された不活性溶剤を前記噴射ノズルに供給する、 基 板処理方法。 A substrate treatment method, comprising supplying an inert solvent having the components adjusted to the spray nozzle.
[請求項 9] 前記噴射ノズルから噴射され、 気化した不活性溶剤を回収し、 液化 し、 [Claim 9] The inert solvent vaporized by being jetted from the jet nozzle is recovered and liquefied,
前記噴射ノズルから噴射された液体状の不活性溶剤と前記基板の洗 浄に使用される洗浄液とを含む混合液を分離して、 前記混合液から前 記不活性溶剤のみを回収し、 A mixed solution containing a liquid inert solvent sprayed from the spray nozzle and a cleaning liquid used for cleaning the substrate is separated, and only the inert solvent is recovered from the mixed liquid,
前記液化された不活性溶剤および前記分離された不活性溶剤を貯留 する、 請求項 8に記載の基板処理方法。 9. The substrate processing method according to claim 8, wherein the liquefied inert solvent and the separated inert solvent are stored.
[請求項 10] 前記不活性溶剤は、 フッ素系溶剤とアルコール系溶剤との混合溶剤 であり、 [Claim 10] The inert solvent is a mixed solvent of a fluorine-based solvent and an alcohol-based solvent,
前記フッ素系溶剤と前記アルコール系溶剤との混合比を分析し、 前記分析された混合比に基づいて、 前記混合比を調整する、 請求項 8または 9に記載の基板処理方法。 10. The substrate processing method according to claim 8, wherein a mixing ratio of the fluorine-based solvent and the alcohol-based solvent is analyzed, and the mixing ratio is adjusted based on the analyzed mixing ratio.
[請求項 1 1 ] 前記分析された不活性溶剤の成分に基づいて、 前記不活性溶剤の成 分が所定の管理範囲から外れているか否かを判定し、 前記不活性溶剤の成分が所定の管理範囲から外れたときに、 前記不 活性溶剤の成分を調整する、 請求項 8乃至 1 0のいずれか一項に記載 の基板処理方法。 [Claim 11] Based on the analyzed components of the inert solvent, it is determined whether or not the composition of the inert solvent is out of a predetermined control range, and the component of the inert solvent has a predetermined content. The substrate processing method according to any one of claims 8 to 10, wherein a component of the inert solvent is adjusted when it is out of a control range.
[請求項 12] 前記不活性溶剤は、 ハイ ドロフルオロエーテル類およびハイ ドロフ ルオロカーボン類のうちの少なくとも 1つと、 アルコール類とを含有 した溶剤である、 請求項 8乃至 1 1のいずれか一項に記載の基板処理 〇 2020/174874 32 卩(:171? 2019 /051476 [Claim 12] The inert solvent is a solvent containing at least one of a hydrofluoroether and a hydrofluorocarbon, and an alcohol. Substrate processing described 〇 2020/174874 32 卩 (: 171? 2019 /051476
方法。 Method.
[請求項 13] 前記噴射ノズルは、 前記不活性溶剤および不活性ガスを供給する二 流体ノズル、 またはメガソニックが付与された不活性溶剤を供給する メガソニックノズルである、 請求項 8乃至 1 2のいずれか一項に記載 の基板処理方法。 13. The injection nozzle is a two-fluid nozzle that supplies the inert solvent and an inert gas, or a megasonic nozzle that supplies an inert solvent to which megasonic has been added. The substrate processing method according to any one of 1.
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