KR102030396B1 - 복수의 구역을 포함하는 광학적으로 투명한 전자기 차폐 소자 - Google Patents

복수의 구역을 포함하는 광학적으로 투명한 전자기 차폐 소자 Download PDF

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Abstract

복수의 구역을 포함하는 광학적으로 투명한 전자기 차폐 소자로서, 차폐 소자 (1)는 강성 기판 (2) 및 기판의 대향면들 (S1, S2) 중 하나 상에 배치되는 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조 (11)를 포함한다. 상기 기판과 상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조는, 상기 차폐 소자가 상기 차폐 소자의 2개의 구역들 (Z1, Z2) 사이에서 적어도 하나가 변하는 광 전송 값 및 차폐 효율 값을 갖도록 구성된다. 이러한 차폐 소자는 다중의 광 센서를 포함하는 검출 시스템의 보다 용이 한 조립을 가능하게 한다.

Description

복수의 구역을 포함하는 광학적으로 투명한 전자기 차폐 소자
본 발명은 광학적으로 투명한 전자기 차폐 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
많은 응용 분야에서 광학 센서를 사용하며, 비록 이러한 센서의 작동이 특히 초고주파 내에서 전자기 복사에 의해 중단될 수 있으나, 적외선 내 광학 복사에 민감한 센서와 같은 광학 센서를 사용한다. 따라서 센서와 같은 광학 입력부 앞에 차폐 소자를 배치하는 것이 잘 알려져 있으며, 상기 차폐 소자는 초고주파 복사의 일부분에 대해 적어도 부분적으로 불투명하며, 한편 광학 복사에 대해서는 적어도 부분적으로 투명하다. 이를 달성하기 위해, 차폐 소자는 적어도 부분적으로 광학 복사에 대해 투명하면서 전기적으로 전도성인 적어도 하나의 2차원 구조를 포함한다.
또한 효율성을 위하여, 전도성 2차원 구조는 광학 센서가 설치되는 지지체 또는 차량과 전기적 접지로 전기적으로 연결되어야 한다. 따라서, 사용을 위해 해당 지지체 또는 차량 상에 각각의 광학 센서를 장착하는 것은, 센서의 광학 입력부 앞에 차폐 소자를 조립하고 부착하는 단계와, 차폐 소자의 전도성 2차원 구조를 접지와 연결하는 전기적 접속을 수립하는 단계를 필요로 한다.
보다 구체적으로, 본 발명에 앞서 공지된 차폐 소자는:
- 2개의 대향면을 가지며, 2개의 대향면 사이에서 0.1GHz (기가 헤르쯔)와 40GHz 사이의 주파수 (f)를 갖는 적어도 하나의 전자기 복사에 적어도 부분적으로 투명한 견고한 기판; 및
- 기판의 일면 상에 배치되고 0.2 ㎛ 내지 15 ㎛ 사이의 파장을 갖는 광학 복사에 대해 적어도 부분적으로 투명한 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조체; 를 포함한다.
기판은 또한 이 광학 복사에 대한 2개의 대향면 사이에서 적어도 부분적으로 투명하다. 기판 및 전도성 2차원 구조를 위한 관련된 광 전송은, 2개의 대향면 사이에서 차폐 소자를 통과하도록 의도된 광학 복사와 관련된다.
또한, EB(f)로 표시되고 데시벨(dB)로 표현되는 차폐 효율은 EB(f) = -10·log10(T(f))로 정의되며, 여기서 T(f)는 에너지 전달 계수로, 0.1 GHz 내지 40 GHz 사이의 주파수(f)를 갖는 전자기 복사를 위한 차폐 부재의 에너지 전달 계수이며, 이는 2개의 대향면 사이로 차폐 소자를 통과한다.
또한, 복합 광학 검출 시스템은 다중 광학 센서를 결합하여 현재 구현되고 있다. 이러한 센서는 예를 들어 다양한 방향으로 장착 헤드에 병렬 배치될 수 있다. 모든 전자기적 차폐 소자의 조립 및 부착은, 완전한 광학 검출 시스템을 생산하여 복합적이고 시간-소비적이 되기 위하여 하나의 센서 당 하나의 차폐 소자를 갖는 이러한 복합 광학 센서를 필요로 하였다. 또한, 각각의 차폐 소자에 대해 별도의 전기적 연결이 이루어져야 하며, 이는 다중 센서 시스템을 제조하는 데에 복잡성을 더욱 증가시킨다.
이러한 상황을 고려하여, 본 발명의 한 가지 목적은 이러한 다중 센서 시스템의 복잡성 및 제조 비용을 감소시키는 것이다.
이러한 목적 또는 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 양태는 전술한 공지된 타입의 광학적으로 투명한 전자기 차폐 소자를 제공하지만, 다수의 구역을 갖는다.
본 발명의 제1 특징에 따르면, 전기 전도성 2차원 구조는 적어도 차폐 소자의 다수의 분리된 구역 내에서 기판의 일면 상에 배치된다. 또한, 이는 0.2㎛와 15㎛ 사이의 파장을 갖는 광학 복사에 대하여 각 영역에서 적어도 부분적으로 투명하다.
본 발명의 제2 특징에 따르면, 기판은 각 광학 복사에 대한 2개 대향면 사이에서 적어도 부분적으로 투명하고, 차폐 소자의 모든 영역 사이에서 연속적인 재료로 이루어진다.
본 발명의 제3 특징에 따르면, 전기 전도성 2차원 구조는 모든 구역에 대해 차폐 소자의 구역 중 하나에 각각 포함된 2 차원 구조의 부분을 연결하는 적어도 하나의 연속 전기 전도 경로를 갖는다.
본 발명의 제4 특징에 따르면, 차폐 소자는, 제1 구역에서, 적어도 하나의 광 전송 값과 차폐 효율 값에 의해 형성된 값의 제1 세트를 가지며, 이는 제2 구역에서 효율적인 상기 광학 전송 값 및 차폐 효율 값의 제2 세트와 다르다. 이 제4 특징에 있어서, 광 전송 값은 광학 복사의 동일한 파장과 연관되고, 차폐 효율 값은 제1 및 제2 구역에 대해 동일한 전자기 복사 주파수와 연관된다.
따라서, 본 발명은 병렬 배치된 복수의 광학 센서에 적합한 단일 차폐 소자를 제공한다. 다중 센서 시스템을 구축할 때, 이 단일 차폐 소자를 조립하고 부착하는 것은 별도의 다중 차폐 소자보다 간단하기 때문에, 다중 센서 시스템의 복잡성과 조립 비용을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 차폐 소자는 모든 영역에 포함된 전도성 2차원 구조의 모든 부분을 상호 연결하는 전기적 연결을 통합한다. 접지에 대한 차폐 소자의 외부를 향한 단일 전기 접속은 차폐 소자 어셈블리 전체에 대해, 즉 다중 센서 시스템의 모든 광 센서를 차폐함으로써 동시에 보호하기에 충분하다.
본 발명의 제1 실시 예에서, 기판은 차폐 소자의 적어도 2 이상의 구분된 구역들에서 제1 면 상에 제1 전기 전도성 2차원 구조를 가질 수 있고, 기판의 다른 면은 이중 2차원 구조의 구역으로 지칭되는 2개의 구역 중 적어도 하나에서 제2 전기 전도성 2차원 구조를 동시에 가질 수 있다. 그 후 선택적으로, 기판은 0.1 GHz와 40 GHz 사이의 상이한 주파수를 각각 갖는 적어도 2개의 전자기 복사에 대해 적어도 부분적으로 투명할 수 있다. 이 경우, 두 전자기 복사들이 이중 2차원 구조를 갖는 구역에서 두 면들 사이로 차폐 소자를 통과할 때, 이중 2차원 구조를 갖는 구역에서의 기판의 두께는 가장 높은 주파수를 갖는 2개의 전자기 복사 중 하나에 관한 전자기 차폐 효율 값이 적어도 5dB, 바람직하게는 적어도 10dB로, 가장 낮은 주파수를 갖는 두 개의 전자기 복사 중 다른 하나에 연관된 전자기 차폐 효율 값보다 크다.
가능하게는, 본 발명의 제1 실시 예들 중 일부에서, 상기 기판의 상기 다른 면은 상기 차폐 소자의 두 개의 구분된 구역에서도 상기 제2 전기 전도성 2차원 구조를 지닐 수 있고, 그러면 상기 차폐 소자는 상기 차폐 소자의 2개의 구분된 구역 사이에서와 다른 2개의 면 사이에서 측정된 기판 두께 값을 가질 수 있다.
일반적으로 본 발명에서, 상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조는 금속, 바람직하게는 은 또는 투명 전도성 산화물, 바람직하게는 주석 도핑된 산화 인듐의 층을 포함할 수 있으며, 이러한 층은 차폐 소자의 2 개의 상이한 구역 사이에서 달라지는 두께를 가질 수 있다.
선택적으로, 상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조는 상기 기판 의 표면 상에 형성된 전기 전도성 그리드를 포함할 수 있다. 이 경우, 그리드는 그리드 피치, 와이어 폭 및 그리드를 형성하는 도전성 재료의 두께 중에서 선택된 파라미터에 대한 적어도 하나의 값을 가질 수 있으며, 이는 차폐 소자의 두 영역 사이에서 상이하다. 그리드 피치 및 와이어 폭은 기판의 면에 평행하게 측정하며, 상기 금속의 두께는 상기 기판의 면에 수직으로 측정된다.
차폐 소자가 제1 실시 예 중 하나의 유형, 즉 2개의 전도성 2차원 구조를 갖는 유형인 경우, 제1 및 제2 전기 전도성 2차원 구조는 차폐 소자의 두 구역 중 적어도 동일한 한 구역에서 전도성 그리드를 포함할 수 있으며, 이중 그리드 구역으로 불린다 .그 다음, 기판의 두 면 은 이중 그리드 영역 에서 평행 할 수 있고, 두 그리드 중 하나는 바람직하게는 이중 그리드 영역에서 다른 그리드의 적어도 일부와 정렬되며, 그 방향은 두 면에 수직하다. 이러한 방식으로, 이중 그리드 영역에서 2 개의 그리드에 의해 야기된 전체 광학 쉐도잉은 감소되고, 그리드 중 하나에 의해 야기될 수 있는 쉐도잉과 거의 동일하다.
본 발명의 제2 양태는 본 발명 의 제1 양태에 따른 적어도 2 개의 광학 센서 및 차폐 소자를 포함하는 검출 시스템을 제공한다 .센서는 차폐 소자의 제1 영역이 제1 센서에 입력된 광 복사선 입력과 이 제1 센서의 광 입력 필드 사이에 위치하도록 남아 있고, 제2 영역 차폐 소자의 제2 센서는 제2 센서에 입력되는 광 복사와 제2 센서의 광 입력 필드 사이에 위치한다.
마지막으로, 본 발명의 제3 양태는 본 발명 의 제1 측면에 따른 차폐 소자를 제조하는 방법을 제공한다 .이러한 방법은 다음 단계로 구성된다.
- 모든 구역 사이에서 연속적인 재료로 이루어지는 강성 부품의 형태로 기판을 제공하는 단계; 및
- 상기 적어도 하나의 전도성 2차원 구조의 적어도 일부분을 형성하도록 적어도 하나의 전기 전도성 물질을 상기 차폐 소자의 적어도 일부 영역에 증착하는 단계로, 연속되는 전기 전도 경로의 적어도 일부와 동시에 수행된다.
기판이 차폐 소자의 2개의 구역 사이에서 변화하고 이들 각각의 2개의 구역에 각각 제1 및 제2 전도성 2차원 구조를 포함하는 두께를 가질 때, 상기 방법은 다음 단계를 더 포함할 수 있다:
- 상기 2개의 구역 중 적어도 하나의 구역에서 기판을 기계 가공 또는 연마하는 단계; 및
- 상기 차폐 소자의 2개 구역 중 적어도 하나에서 상기 제2 전기 전도성 2차원 구조의 적어도 일부를 형성하도록, 상기 기판의 상기 다른 면 상에 적어도 하나의 전기 전도성 재료를 증착하는 단계를 포함한다.
이 경우, 기판의 상기 다른 면에 전기 전도성 물질을 증착하는 동안, 상기 제2 전기 전도성 2차원 구조의 적어도 일부분은 상기 차폐 소자의 2개의 영역 중 적어도 하나에 동일하게 형성될 수 있다. 상기 차폐 소자의 2개의 구역 중 하나에 각각 포함된 상기 제2 전기 전도성 2차원 구조의 일부를 상기 기판의 상기 다른 면 상에 상호 접속시키는 다른 연속적인 전기 전도 경로의 적어도 일부로서의 시간을 포함하는 방법을 제공한다.
전기 전도성 2차원 구조 중 하나가 그리드인 경우, 이 그리드의 적어도 일부를 형성하는 전도성 물질이 기판 상에 증착될 수 있고, 포지티브 레지스트 포토 리소그래피 공정을 사용하여 선택적으로 에칭될 수 있다 .대안 적으로, 그리드에 상보적인 패턴 이 네거티브 레지스트에 의해 기판 상에 생성될 수 있고, 그리드의 도전성 재료는 레지스트가 없는 부분에서 기판 상에 증착될 수 있으며, 상보적 패턴의 레지스트는 그 후 제거된다.
마지막으로, 그리드의 도전성 재료의 두께가 기판의 2개의 구역 사이에서 상이한 경우, 도전성 2차원 구조의 증착은 적어도 다음의 서브 단계를 포함할 수 있다:
- 상기 2개의 구역에서 동시에 전기 전도성 2차원 구조의 초기 부분을 생성하는 단계;
- 적어도 상기 그리드의 전도성 물질의 두께가 가장 큰 영역 중 하나에서 상기 전기 전도성 2차원 구조의 초기 부분 상에 부가적인 도전성 물질을 전기적으로 증착시키는 단계; 를 포함한다.
이 방법은 상이한 구역 사이에서 확실하고 가변적인 증착 전도성 물질의 두께를 확보하기 위해 상당히 빠르고 경제적이다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조하여 몇몇 비-제한적 실시 예에 따른 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
이 방법은 상이한 구역 사이에서 확실하고 가변적인 증착 전도성 물질의 두께를 확보하기 위해 상당히 빠르고 경제적이다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조하여 몇몇 비-제한적 실시 예에 따른 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 광 검출 시스템을 도시한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 몇몇 차폐 소자의 단면도이다.
도 3은 도 2c 내지 도 2e에 따른 차폐 소자에 적용 가능한 개선된 예시를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 차폐 부재의 특정 실시 예에 적합한 기판의 사시도이다.
이들 도면에 나타나는 치수는 실제 치수 또는 실제 치수 비율에 대응하지 않는다. 또한, 상이한 도면에 표시된 동일한 참조 부호는 동일한 기능을 갖는 동일한 요소 또는 요소들을 나타낸다.
도 1에 도시 된 바와 같이, 검출 시스템 (100)은 하우징 (30) 내에 나란히 배치된 2개의 광 센서 (10, 20)를 포함한다 .2개의 센서 (10, 20)는 사용 동안, 0.2㎛ (마이크론) 내지 15㎛ 사이의 유효 광 복사를 수신하도록 각각 되어 있으며, 이 때 센서(10)를 위한 광학 입력은 E1, 센서(20)를 위한 광학 입력은 E2이다. 두 센서들(10, 20)의 유효 광학 복사는 0.2 ㎛ 내지 15 ㎛의 범위의 동일한 파장을 가지나 반드시 그러할 필요는 없다.
그러나, 센서들 (10, 20)에서의 간섭이 0.1 GHz (기가 헤르쯔) 내지 40 GHz 사이의 주파수들의 외부 전자기 복사, 특히 원하지 않는 간섭 방사로 인해 발생할 수 있다 .따라서, 전자기 복사 에 대해 적어도 부분적으로 불투명한 요소에 의해, 그러한 전자기 복사로부터 센서 (10, 20)를 보호할 필요가 있다. 전자기 간섭에 대한 이러한 보호 요소 는 당업자 의 용어에서 차폐 소자로 불린다 .하우징 (30) 은 이러한 차폐 기능을 포함 할 수 있으며, 특히 본 명세서의 일반적인 부분에서 광학적으로 투명한 차폐 소자로 지칭되는 차폐 기능을 제공하는 윈도우(1)가 두 센서들(10, 20)의 광학 입력부(E1, E2) 앞에 정렬된다. 본 발명에 따르면, 윈도우 (1)는 단일 고체 성분으로 형성되고, 2개의 센서 (10, 20)에 관한 광학 및 차폐 요건을 동시에 만족시키도록 설계된다 .그렇게 하기 위해, 윈도우 (1)는 시스템 (100) 내의 광학 입력부 (E1) 앞에 위치되도록 의도된 윈도우의 제1 구역 (Z1)에서 광학 및 차폐 특성의 제1 세트를 가지며, 또한 광 입력부 (E2) 앞에 위치되도록 의도된 제2 구역 (Z2)에 광학 및 차폐 특성의 제2 세트를 가진다. 윈도우 (1)의 구역들 (Z1, Z2)은 특히 광학 입력부 (E1, E2) 사이의 간격 에 따라 인접하지만 중간 스트립에 의해 분리될 수 있다 .구역들 (Z1, Z2)의 각각에서의 윈도우 (1) 의 광학 및 차폐 특성은 전용 구역에서의 센서 (10, 20)에 적합하다 .특히, 2개의 센서 (10, 20)는 0.2㎛ 내지 15㎛의 파장 범위 내에서 상이한 광 감도 범위를 가질 수 있다 .또한 0.1GHz ~ 40GHz 주파수 범위 내에서 특정 전자기 복사에 대하여 상이한 차폐 요건을 가질 수도 있다.
전자기 차폐는 윈도우(1)의 면들(S1, S2) 중 적어도 하나 상에 전기적으로 전도성인 2차원 구조를 부가함으로써 달성된다. 차폐 효율은 2차원 구조의 전기 전도도가 증가함에 따라 증가한다. 그러나 윈도우(1)의 광학적 투명도는 구조의 전기 컨덕턴스가 큰 비중을 차지하고 균질 (그리드가 없음)인 경우에 2차원 구조에 의해 감소될 수 있다. 그러나, 각각의 광학 경로의 감도는 이 경로의 센서의 광학 입력부 앞에 위치한 구역 (Z1, Z2) 내의 윈도우 (1) 의 투명도 레벨에 의존한다.
본 발명은 센서 (10, 20) 각각에 개별적으로 전용되는 광학 투명성 및 차폐 효율 사이의 2가지 상이한 절충안을 윈도우 (1)의 동일한 부분에서 결합시키는 것을 허용한다.
따라서, 일반적으로 본 발명에 따르면, 윈도우(1)는 기판 (2) 및 전기적으로 전도성이며 11로 표시된 적어도 하나의 2차원 구조를 포함한다 (도 2a 내지도 2e 및 도 3 참조). 기판 (2)은 각각의 구역 (Z1, Z2)에서, 이 구역에 대응하는 센서 (10, 20)의 유효 광학 복사에 대해 적어도 부분적으로 광학적으로 투명하다. 바람직하게는, 기판 (2)은 두 개의 센서 (10, 20) 의 유효 광학 복사와 동시에 두 구역 (Z1 및 Z2)에서 투명하도록 균일한 조성을 갖는 부품 이다. 기판 (2)은 예를 들어 실리콘(Si), 게르마늄 (Ge), 황화 아연 (ZnS), 실리카 (SiO2), 산화 알루미늄 (Al2O3), 또는 산화 마그네슘 (MgO)을 기반으로 할 수 있다.
전자기 차폐 기능은 2차원 구조 (11)에 의해 생성되고, 또한 윈도우 (1)에 통합되고 12로 표시되는 제2 전기 전도성 2차원 구조와 결합될 수 있다 (도 2c 내지 2e 및 도 3 참조).
도 2a의 실시 예에서, 윈도우 (1)는 기판 (2)의 면 (S1) 상에 배치된 단 하나의 2차원 구조체 (11)로 구성된다. 대안적으로, 2차원 구조 (11)는 기판 (2)의 다른 면 (S2) 상에 배치 될 수 있다. 2차원 구조체 (11)는 센서 (10)와 센서(20)에 대한 광 투과성과 적절한 차폐 효율을 절충하여 동시에 생산하기 위해, 두 개의 구역 (Z1, Z2)에 서로 다른 조성물을 가진다.
구역 (Z1, Z2) 중 적어도 하나에서의 2차원 구조 (11)에 대한 가능한 제1 유형의 조성에서, 이는 차폐 기능을 생성 하기 위해 전기 전도성인 층 중 하나 이상을 갖는 얇은 층의 스택을 포함할 수 있다 .이 전기적 전도층은 예 를 들어 은 (Ag), 또는 주석-도핑된 산화 인듐 (ITO; 인듐 주석 산화물) 일 수 있다. 차폐 효율은 기판 (2)의 면에 수직하게 전도층의 두께가 높을 때 더 높다. 그러나 이 전도층 의 광학적 투명도는 반사 및/또는 흡수로 인해 감소한다. 당업자 는 유전체 층과 하나 이상의 도전층의 조합을 알며, 사용된 각각의 유전체 물질의 굴절률 및 각 층의 두께를 적절하게 선택함으로써, 동시에 각각의 센서를 위해 충분한 광학적 투명성 및 차폐 효율을 생성할 수 있다. 따라서, 2차원 구조 (11)는 일련의 층, 층의 수, 층의 두께 및/또는 층의 재료가 2개 구역 (Z1, Z2) 사이에서 다를 수 있는 금속 및 유전체 층의 적층물일 수 있다(도 2a). 이러한 얇은 층은 통상적으로 PE-CVD로 지칭되는 스퍼터링, 진공 증착, 레이저 절제(ablation) 또는 플라즈마 강화 화학 기상 증착과 같은 당업자에게 공지된 기술 중 하나에 의해 증착될 수 있다.
구역 (Z1, Z2) 중 적어도 하나에서 2차원 구조 (11)에 대한 제2 가능한 조성 유형에 따라, 2차원 구조 (11)는 구역 (Z1 및 Z2) 각각에서 도전성 와이어들의 그리드로 구성될 수 있다(도 2b). 이러한 그리드는 예를 들어, 정사각형 그리드 패턴을 가질 수 있고, 예를 들어 기판 (2)의 일 면(S1) 상에 배치되는 금속: 구리 또는 은의 도전성 와이어로 구성될 수 있다 .2차원 구조체 (11) 의 벌크 전기 전도도 에 영향을 미치는 파라미터 는 그리드 피치, 그리드 와이어의 폭 및 그리드 와이어를 형성하는 도전성 재료의 두께이며, 그리드 피치 및 와이어 폭은 면에 평행하게 측정되고, 도전성 재료 의 두께는 면에 수직으로 측정된다. 윈도우(1)의 구역(Z1, Z2)의 하나 및 다른 하나에 형성되는 그리드는, 구역(Z1, Z2) 내에서 분리적으로 각 센서들(10, 2)에 적합한 광 투과성 및 차폐 효율 사이의 절충을 생산하기 위하여 두 구역들 사이에서 변화하는 이 3개의 변수들 중 적어도 하나를 가질 수 있다. 이러한 그리드 계 조성물의 경우, 각 구역(Z1, Z2)에서의 2차원 구조 (11)의 광 전송은 이 구역 내의 그리드 와이어에 의해 생성된 쉐도잉에 따른다. 기판 (2) 상에 도전성 그리드를 형성하기 위한 가능한 하나의 방법에 따르면, 도전성 그리드 패턴은 포지티브 또는 네거티브 리소그래피 레지스트를 사용하여 먼저 일 면 (S1) 상에 형성될 수 있다. 포지티브 리소그래피 레지스트가 사용된다면, 도전층, 특히 은 또는 구리의 연속 층이 먼저, 가능하게는 접합층 이후에, 일 면(S1) 상에 증착 된다. 그 다음, 포지티브 리소그래피 레지스트 층이 도전층 상에 증착되고, 그리드 와이어의 패턴과 동일한 패턴으로 마스크를 통해 조사된다. 그 후, 레지스트는 조사된 영역에서 현상된 다음, 도전층은 더 이상 레지스트에 의해 보호되지 않는 위치에서 바람직하게는 화학적으로 에칭된다. 네거티브 리소그래피 레지스트가 사용되는 경우, 리소그래피 레지스트의 연속 층이 먼저 일 면 (S1) 상에 증착되고, 그리드 와이어의 패턴과 동일한 패턴으로 마스크를 통해 조사된다 .레지스트는 비조사 영역 상에 형성되고, 그리고 형성될 와이어들의 위치에서 선택적으로 제거된다. 그 다음, 전도성 물질은 레지스트 및 레지스트가 없는 일 면 (S1)의 위치 모두에 증착되고, 그 다음 임의의 레지스트가 최종적으로 적합한 용매에 용해되어 제거되므로, 도전성 물질은 일 면(S1) 상에 와이어를 위한 원하는 위치에만 남아있게 된다. 이 두 번째 방법은 당업자 의 용어에서 "리프트 오프(lift-off)"라는 용어로 알려져 있다 .일단 본 명세서의 일반적인 부분에서 2차원 구조의 초기 부분으로 불리는 도전성 그리드 패턴이 포지티브 또는 네가티브 리소그래피 레지스트를 사용하는 이 2가지 방법 중 하나에 따라 증착되면, 두 구역(Z1, Z2) 중 적어도 하나에 전도성 물질의 두께는, 물질의 추가 증착을 추가함으로써 신속하게 증가될 수 있는데, 여기서는 전기 분해에 의해 이루어진다. 상기 전도성 그리드 패턴은 추가적인 전도성 물질이 전기 분해에 의해 감소되고 증착되는 전극으로서 작용한다 .이러한 전도성 물질의 이러한 추가적인 증착은 이들 2개의 구역(Z1, Z2) 사이에서의 전기 분해 시간을 변화시킴으로써, 2개의 구역 (Z1, Z2) 사이에서 상이한 두께를 가질 수 있다. 도 2b는 와이어의 그리드 피치와 폭이 구역(Z1)보다 구역(Z2)에서 더 큰 실시 예를 도시한다.
본 발명의 다른 실시 예는 또한 2차원 구조체 (11)를 위하여, 2개의 구역 Z1 및 Z2 중 하나의 얇은 층의 적층 스택에 기초한, 그리고 조성물 및 다른 구역의 전도성 물질의 그리드에 기초한 조성물을 채택함으로써 얻어질 수 있다.
모든 경우에, 본 발명에 의해 제공되는 중요한 이점에 따르면, 기판 (2)의일 면 (S1) 상에 구역 (Z1) 및 구역 (Z2)에 각각 형성된 도전성 2차원 구조체 (11)의 두 부분은 한쪽을 다른쪽에 전기적 접속하는 통전로 (13)가 설치되어 있다. 2개의 구역 Z1 및 Z2에서 전도성 2차원 구조체 (11)에 채택된 조성물에 따라, 이 전기 통전로는 2개의 구역 (Z1, Z2) 사이의 2차원 구조체 (11)의 연속이거나, 또는 2개의 구역 (Z1, Z2)에 각각 전용인 2차원 구조체 (11)의 부분을 포함하고, 이 중첩 부는 전기 접속을 생성 하고 2개의 구역 (Z1, Z2) 사이에 있는 스트립 면 (S1) 내에 형성된다. 대안적으로, 통전로(13)는 구역 (Z1, Z2) 내에 개별적으로 포함 된 2차원 구조체 (11)의 두 부분과 전기적으로 접촉하는 추가의 도전층으로 구성 될 수도 있다. 그러나, 통전로 (13)가 2차원 구조(11) 의 두 부분 중 적어도 하나와 동시에 형성되는 실시 예가 바람직하다. 따라서, 윈도우 (1)는 하우징 (30)과 조립되기 전에 2개의 구역 (Z1, Z2) 사이에서 2차원 구조체 (11)에 대한 연속적인 통전로가 직접 제공된다 .이는 2차원 구조체 (11)를 하우징 (30) 또는 접지에 전기적으로 연결하기 위해 단 하나의 전기 접속부만 남게 한다.
도 2c는 윈도우(1)가 또한 기판 (2)의 일 면 (S1)의 2차원 구조 (11)를 포함하지만, 2개의 구역 (Z1, Z2) 중 하나에 추가적인 도전성 2차원 구조 (12)를 추가로 포함하는 본 발명의 또 다른 실시 예를 도시한다(예: 구역 Z1의 면 S2). 전도성 2차원 구조 (12)는 이미 기술된 조성물 중 하나, 즉 얇은 층의 적층 또는 그리드를 가질 수 있다 .이는 치수 구조체 (11)에 의해서만 제공되는 차폐부와 비교하여 구역 (Z1)에서 차폐 효율을 선택적으로 증가시킨다.
도 2d는 2차원 전도성 구조 (11 및 12)가 각각 기판 (2)의 일 면(S1) 및 타 면 (S2) 상의 2개의 구역 (Z1, Z2) 내로 각각 연장되는 본 발명의 또 다른 실시 예를 도시한다. 이미 기술된 전도성 2차원 구조 조성물의 임의의 조합은 2개의 구역 (Z1, Z2)에서 2 차원 구조물 (11, 12)을 형성하기 위해 독립적으로 사용될 수 있다 .따라서, 두 구역(Z1, Z2) 사이에서 적어도 하나가 달라지는 광 전송 및 차폐 효율을 위해 특정된 값들을 갖는 윈도우(1)를 생성하는 것이 보다 용이하다. 본 발명의 바람직한 일 실시 예에서, 도 2d에 도시 된 바와 같이, 2차원 구조 (12)는 2개의 구역 (Z1, Z2) 사이에서 도전성 2차원 구조체 (12)의 2개의 부분을 서로 연결하는 전기 도전성 연속 경로 (14)를 또한 포함한다. 통전로 (14)는 2차원 구조 (11)의 통전로 (13)에 대해 상술한 것과 유사한 조성을 가질 수 있다.
일반적으로, 2개의 구역(Z1, Z2) 중 하나에서 기판 (2)의 2개의 면 (S1, S2)의 어셈블리에 의해 운반되는 전도성 재료의 전체 두께를 증가시키는 것은 차폐 효율을 위해 이 구역에서 얻어진 값을 증가시킨다.
도 3은 2차원 구조 (11, 12)가 2개의 구역 (Z1, Z2) 중 동일한 구역에서 그리드 구성을 가질 때 가능한 개선을 도시한다. 바람직하게는, 구조체 (11, 12 )의 2개의 각각의 그리드는 2개의 면 (S1 및 S2)에 수직인 방향 (D)을 따라 서로에 대해 정렬되며, 이들은 서로 평행하다. 이러한 개선안은 2개의 그리드 구조에 의해 야기되는 광 전송의 총 감소를 감소시킨다. 실제로, 각각의 그리드는 일반적으로 광학적으로 불투명하며, 2개의 그리드에 의해 야기된 전체 쉐도잉은 그 중 하나만에 의한 쉐도잉과 실질적으로 동일하며, 제2 그리드의 피치는 제1 그리드의 피치의 정수 배와 동일하다. 도 3에서, 기호 p, I 및 e는 각각 2개의 그리드 중 하나에 대한 피치, 와이어 폭 및 와이어 두께를 나타낸다.
2개의 구역 Z1 및 Z2 (도 2c 내지도 2e) 중 동일한 하나에서 기판 (2)의 양면 S1 및 S2 상에 2차원 구조를 갖는 또 다른 이점은, 0.1GHz 내지 40GHz의 범위 내의 제1 주파수 값에서 차폐 효율 값을 얻을 수 있는 가능성이 있다는 점이며, 이는 0.1GHz 내지 40GHz의 범위 내의 제2 주파수 값에서의 차폐 효율보다 크다. 두 차폐 효율 값 의 차이는 5dB (데시벨)보다 클 수 있으며, 심지어는 10dB보다 클 수 있다. 2개의 차폐 효율 값 사이의 이러한 대소 관계는 그들 사이의 기판 (2)의 두께가 관련된 전자기 방사선 의 주파수에 적응될 때 2개의 2차원 구조 (11 및 12) 사이에서 발생하는 파동 간섭 효과에 의해 가능해진다. 실제로, 기판 (2)의 2개의 면 (S1 및 S2)에 대향하는 2개의 2차원 구조 (11 및 12)는 전자기 복사선에 대해 당업자에게 잘 알려진 패브리-페롯 (Fabry-Perot) 장치를 구성한다.
또한, 도 2e 및 도 4는 기판 (2)의 두께가 2개의 구역 (Z1, Z2) 사이에서 상이한 본 발명의 특정 실시 예를 도시한다. 이러한 두께의 변화는 2개의 도전성 2차원 구조체 (11 및 12)가 방금 설명된 파동 간섭 효과를 생성하기 위해, 2개의 구역 (Z1, Z2) 각각에 있는 2개의 면 (S1 및 S2)을 각각 덮을 때 유용할 수 있다 .따라서, 이들 두 도면에서, 방향 (D)과 평행하게 측정된 기판 (2)의 두께는 구역 (Z1) 에서 구역 (Z2) 보다 크다 .예를 들어, 기판 (2)은 2개의 구역 (Z1, Z2)에서 최종 두께 의 열경화성 재료를 직접 성형 함으로써 제조될 수 있다. 대안적으로, 기판 (2)은 양쪽 구역 (Z1, Z2)에서 동일한 두께로 초기에 제조된 다음, 구역 (Z2)에서 기계 가공 및/또는 연마에 의해 얇게 제조될 수도 있다. 가능하게는, 특히 사파이어(Al2O3)로 이루어지는 경우, 기판 (2)은 구역 (Z1)에서 구역(Z2)보다 작은 두께로 제조될 수 있으며, 두 층은 최종 두께 값을 달성하기 위해 기계 연삭, 그라인딩 및/또는 폴리싱 등에 의해 조정된다. 바람직하게는, 통전로 (14)를 생성 하는 방법 은 2개의 구역 (Z1, Z2) 사이의 면 (S2)의 단차의 존재와 양립할 수있다. 이를 달성하기 위해, 증발, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 또는 전기 분해와 같은 무-방향성인 재료 증착 방법이 바람직할 수 있다.
다음의 표 1 내지 표 4 는 본 발명에 따른 4개의 윈도우의 광 투과율 및 차폐 효율에 대해 얻어진 값들을 그룹화한 것이다 .사용된 기판은 유리(첫번째 내지 세번째 예시) 또는 사파이어(네번째 예시)이고; 광전송 (Topt)은 1㎛ 및 10㎛인 두 파장의 값을 부여하며, 차폐 효율 EB(f) = -10·log10(T(f))는 1GHz 및 20GHz의 두 주파수에서 기록되었다.
1st example Zone Z1 Zone Z2
Substrate thickness (glass B) 2　mm 2　mm
Composition of two-dimensional structure 11 Grid (Ag)p = 300 νm
l = 20 νm
e = 400 nm		 Grid (Ag)
p = 300 νm
l = 20 νm
e = 80 nm
No two-dimensional structure 12
Topt(0.5　μm) in % 79 79
Topt(2.5　μm) in % 76 76
EB(2　GHz) in dB 40 35
EB(20　GHz) in dB 16 16
2nd example Zone Z1 Zone Z2
Substrate thickness (glass B) 0.7 mm 0.7 mm
Composition of two-dimensional structure 11 Homogeneous layer (Ag)e = 10 nm Homogeneous layer (Ag)
e = 10 nm
Composition of two-dimensional structure 12 No two-dimensional structure 12 Homogeneous layer (Ag)e = 10 nm
Topt(0.400μm) in % 73 63
Topt(0.535　μm) in % 65 52
EB(2　GHz) in dB 31 35
EB(18　GHz) in dB 29 50
3rd example Zone Z1 Zone Z2
Substrate thickness (glass B) 4 mm 6 mm
Composition of two-dimensional structure 11 Grid (Ag)p = 550 νm
l = 24 νm
e = 100 nm		 Grid (Ag)
p = 550 νm
l = 24 νm
e = 100 nm
Composition of two-dimensional structure 12 Grid (Ag)p = 550 νm
l = 24 νm
e = 100 nm		 Grid (Ag)
p = 550 νm
l = 24 νm
e = 100 nm
Topt(0.4　μm) in % 77% 77%
Topt(1　μm) in % 77% 77%
EB(9　GHz) in dB 37 17
EB(14　GHz) in dB 18 33
4th example Zone Z1 Zone Z2
Substrate thickness (sapphire) 4 mm 4 mm
Composition of two-dimensional structure 11 Homogeneous layer(ITO)
e = 200 nm		 Homogeneous layer (ITO)
e = 100 nm
Composition of two-dimensional structure 12 No two-dimensional structure 12 Homogeneous layer (ITO)
e = 100 nm
Topt(1　μm) in % 85 71
Topt(2　μm) in % 60 10
EB(2　GHz) in dB 18 19
EB(9　GHz) in dB 13 20
EB(14　GHz) in dB 18 22
본 발명은 상술한 실시 예의 일부 양태를 변경하면서 재현 될 수 있음이 이해될 것이다. 특히, 전도성 2차원 구조 및 언급된 수치를 형성하기 위해 사용된 증착 공정 은 단지 예시를 위한 것이며, 본 발명의 각각의 실시예에 적용될 수 있다.
성형 기판 (2)은 또한 본 발명의 각각의 실시예에 따라 사용 및 적용될 수 있다.
2차원 구조를 형성하는 그리드는 또한 차폐 효율 및 광학 투명성의 관점에서 요구되는 성능을 만족시키면서, 직사각형, 육각형, 삼각형, 원형, 사다리꼴 등의 패턴을 가질 수 있다.
차폐 효율 및 광학적 투명성에서 유사한 성능을 유지하면서 주기적인 네트워크의 중첩과 관련된 모아레 현상을 제거하기 위해, 비주기성 메쉬(aperiodic mesh), 예를 들어 보로노이(Voronoi)가 또한 사용될 수 있다.

Claims (15)

  1. 다중 구역 (Z1, Z2)을 갖는 광학적으로 투명한 전자기적 차폐 소자(1)로서,
    - 두 대향면(S1, S2)을 갖는 강성 기판(2)으로, 0.1 GHz 및 40 GHz 사이의 주파수 (f)를 갖는 적어도 하나의 전자기 복사에 대해 상기 두 대향면 사이에서 적어도 부분적으로 투명하고; 및
    - 적어도 차폐 소자(1)의 다중 개별 구역들(Z1, Z2) 내에서, 기판의 대향면(S1, S2) 중 하나에 배열되고, 0.2 ㎛ 및 15 ㎛ 사이의 파장을 갖는 광학 복사에 대해 각 구역들에서 적어도 부분적으로 투명한 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조체(11); 를 포함하며,
    상기 기판(2) 은 상기 2개의 대향면들 (S1, S2) 사이에서 각 광학 복사에 대해 적어도 부분적으로 투명하고, 상기 기판은 상기 차폐 소자 (1)의 모든 구역들 (Z1, Z2) 사이에서 연속적인 재료로 구성되며,
    상기 전기 전도성 2차원 구조는 상기 모든 구역들을 위한, 차폐 소자(1)의 구역들(Z1, Z2) 중 하나에 각각 포함된 상기 2차원 구조의 일부를 연결하는 적어도 하나의 연속적인 통전로(13)를 가지며,
    상기 차폐 소자 (1)는, 상기 구역들 중 제1 구역 (Z1)에서 적어도 하나의 광 전송 값과 차폐 효율 값에 의해 형성된 값들의 제1 세트를 가지며, 제1 세트는 상기 구역들 중 제2 구역(Z2)에서의 상기 광 전송 값 및 차폐 효율 값의 제2 세트와 상이하고, 상기 제1 및 제2 구역들을 위하여, 상기 광 전송 값들은 광학 복사의 하나의 동일한 주파수와 연관되고, 상기 차폐 효율 값들은 전자기 복사의 하나의 동일한 주파수에 연관되며,
    광 전송은, 상기 두 대향면들(S1, S2) 사이에서 각 구역(Z1, Z2) 내 상기 차폐 소자를 통과하도록 구성된 광학 복사에 연관되고;
    EB(f)로 표시되고 데시벨(dB)로 표현되는 차폐 효율은 EB(f) = -10·log10(T(f))로 정의되며, T(f)는 에너지 전달 계수로, 상기 두 대향면 사이로 차폐 소자를 통과하는 0.1 GHz 내지 40 GHz 사이의 주파수(f)를 갖는 전자기 복사를 위한 차폐 부재의 에너지 전달 계수인, 차폐 소자(1).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판(2)은 차폐 소자의 적어도 두 개의 개별 구역들(Z1, Z2)에서 제1 면(S1) 상에 제1 전기 전도성 2차원 구조를 갖고, 기판의 제2 면(S2)은 이중의 2차원 구조들의 구역으로 지칭되는 2개의 구역들 중 적어도 하나에서 제2 전기 전도성 2차원 구조를 갖는, 차폐 소자(1).
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판(2)은 0.1 GHz 및 40 GHz 사이에서 각각 서로 다른 주파수를 갖는 적어도 2개의 전자기 복사에 대해 적어도 부분적으로 투명하고,
    두 전자기 복사들이 이중 2차원 구조들을 갖는 구역 내의 두 대향면들(S1, S2) 사이에서 차폐 소자(1)를 통과할 때, 이중 2차원 구조를 갖는 구역 내의 기판 (2)의 두께는, 가장 높은 주파수를 갖는 2개의 전자기 복사 중 하나에 연관된 전자기 차폐 효율 값이 적어도 5dB로서, 가장 낮은 주파수를 갖는 2개의 전자기 복사 중 다른 하나에 연관된 전자기 차폐 효율 값보다 큰, 차폐 소자(1).
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 (2)의 제2 면 (S2)은 상기 차폐 소자의 2개의 개별 구역 (Z1, Z2)에서 제2 전기 전도성 2차원 구조(12)를 가지고, 상기 차폐 소자는 차폐 소자의 2개의 개별 구역에서 상이한 두 대향면 (S1, S2) 사이에서 측정 된 기판 (2)의 두께 값을 갖는, 차폐 소자(1).
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조 (11)는 금속층 또는 투명 전도성 산화물층을 포함하며, 상기 층은 상기 차폐 소자의 2개의 개별 구역들 (Z1, Z2) 사이에서 변하는 두께를 가질 수 있는, 차폐 소자(1).
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조 (11)는 상기 기판(2)의 상기 제1 면 (S1) 상에 형성된 전도성 재료의 그리드를 포함하는, 차폐 소자(1).
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 그리드는 상기 차폐 소자의 두 개의 구역들(Z1, Z2) 사이에서 서로 상이한, 그리드 피치 (p), 그리드 와이어 폭 (I), 및 상기 그리드를 형성하는 전도성 재료의 두께 (e) 중에서 선택된 파라미터의 적어도 하나의 값을 가지며, 상기 그리드 피치 및 그리드 와이어 폭은 상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조 (11)를 가지는 상기 기판(2)의 제1 면(S1)에 평행하게 측정되고, 상기 전도성 재료의 두께는 상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조 (11)를 가지는 상기 기판의 제1 면에 수직하게 측정되는, 차폐 소자(1).
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전도성 2차원 구조는 각각 차폐 소자의 두 구역들(Z1, Z2) 중 하나와 적어도 동일한 구역 내에서 이중 그리드 구역으로 지칭되는 전도성 재료의 그리드를 포함하고, 상기 기판(2)의 상기 두 면들(S1, S2)은 상기 이중 그리드 구역에 평행하고, 두 그리드 중 하나는 상기 이중 그리드 구역 내 다른 그리드의 적어도 일부와 상기 두 면들에 수직한 방향(D)으로 정렬되는, 차폐 소자(1).
  9. 제 1 항에 따른 적어도 2개의 광학 센서 (10, 20) 및 차폐 소자 (1)를 포함하는 검출 시스템 (100)으로서,
    상기 센서들은 차폐 소자에 대해 고정되어, 상기 차폐 소자의 제1 구역(Z1)은 제1 센서(10) 내로의 광학 복사 입력부(E1) 및 상기 제1 센서의 광학 입력부 필드 사이에 위치되고, 상기 차폐 소자의 제2 구역(Z2)은 제2 센서의 광학 복사 입력부(E2) 및 상기 제2 센서의 광학 입력부 필드 사이에 위치되는, 검출 시스템(100).
  10. 제 1 항에 따른 차폐 소자 (1)의 제조 방법으로서:
    - 모든 구역들 (Z1, Z2) 사이에서 연속적인 재료로 이루어지는 강성 부분의 형태로 상기 기판 (2)을 제공하는 단계; 및
    - 상기 기판(2)의 적어도 하나의 면(S1) 상에, 상기 차폐 소자(1)의 구역들(Z1, Z2) 중 적어도 어느 하나에 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조(11)의 적어도 일부를 형성하도록, 적어도 하나의 전기 전도성 재료를 증착하고, 동시에 통전로(13)의 적어도 일부를 형성하는, 차폐 소자(1)의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판(2)은 상기 차폐 소자 (1) 의 적어도 두 개의 개별 구역들(Z1, Z2)에서 제1 면(S1) 상에 제1 전기 전도성 2차원 구조 (11)를 갖고, 기판의 제2 면(S2)은 이중의 2차원 구조들의 구역으로 지칭되는 2개의 구역들 중 적어도 하나에서 제2 전기 전도성 2차원 구조 (12)를 갖고,
    상기 기판 (2)의 제2 면 (S2)은 상기 차폐 소자의 2개의 개별 구역 (Z1, Z2)에서 제2 전기 전도성 2차원 구조(12)를 가지고, 상기 차폐 소자는 차폐 소자의 2개의 개별 구역에서 상이한 두 대향면 (S1, S2) 사이에서 측정된 기판 (2)의 두께 값을 갖고,
    상기 방법은:
    - 차폐 소자 (1)의 2개의 구역들 (Z1, Z2) 중 적어도 하나에서 기판 (2)을 가공 또는 연마하는 단계; 및
    - 상기 차폐 소자(1)의 두 구역들(Z1, Z2) 중 적어도 하나에 상기 제2 전기 전도성 2차원 구조(12)의 적어도 일부를 형성하도록, 상기 기판(2)의 제2 면(S2) 상에 적어도 하나의 전기 전도성 재료를 증착하는 단계; 를 더 포함하는, 차폐 소자(1)의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판(2)의 상기 제2 면(S2) 상에 전기 전도성 물질을 증착하는 동안, 상기 제2 전기 전도성 2차원 구조(12)의 적어도 일부는 상기 차폐 소자의 2개의 구역들(Z1, Z2) 중 적어도 하나에 형성되고, 동시에 다른 통전로(14)의 적어도 일부가 상기 기판의 제2 면 상에서 상기 차폐 소자의 두 구역들 중 하나에 각각 포함된 상기 제2 전기 전도성 2차원 구조의 일부에 상호 접속하는, 차폐 소자(1)의 제조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조 (11)는 상기 기판(2)의 상기 제1 면 (S1) 상에 형성된 전도성 재료의 그리드를 포함하고,
    상기 그리드의 적어도 일부를 형성하는 전도성 재료는 상기 기판(2) 상에 증착되고, 포지티브 레지스트 포토리소그래피 공정을 사용하여 선택적으로 에칭되는, 차폐 소자(1)의 제조 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조 (11)는 상기 기판(2)의 상기 제1 면 (S1) 상에 형성된 전도성 재료의 그리드를 포함하고,
    상기 그리드에 상보적인 패턴은 네거티브 레지스트에 의해 상기 기판(2) 상에 생성되고, 상기 그리드의 전도성 재료는 레지스트가 없는 상기 기판의 일부에서 상기 기판 상에 증착되며, 그 후 상보적인 패턴의 레지스트가 제거되는, 차폐 소자(1)의 제조 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조 (11)는 상기 기판(2)의 상기 제1 면 (S1) 상에 형성된 전도성 재료의 그리드를 포함하고,
    상기 그리드는 상기 차폐 소자의 두 개의 구역들(Z1, Z2) 사이에서 서로 상이한, 그리드 피치 (p), 그리드 와이어 폭 (I), 및 상기 그리드를 형성하는 전도성 재료의 두께 (e) 중에서 선택된 파라미터의 적어도 하나의 값을 가지며, 상기 그리드 피치 및 그리드 와이어 폭은 상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조 (11)를 가지는 상기 기판(2)의 제1 면(S1)에 평행하게 측정되고, 상기 전도성 재료의 두께는 상기 적어도 하나의 전기 전도성 2차원 구조 (11)를 가지는 상기 기판의 제1 면에 수직하게 측정되고,
    상기 그리드의 전도성 재료의 두께는 상기 기판(2)의 두 구역들(Z1, Z2) 사이에서 서로 상이하고, 상기 전기 전도성 2차원 구조(11)의 증착은 적어도 다음의 서브 단계를 포함하는 것으로:
    - 상기 두 구역들(Z1, Z2)에서 상기 전기 전도성 2차원 구조(11)의 초기 부분을 동시에 생성하는 단계로서, 상기 초기 부분은 그리드 패턴을 갖고 전기 전도성을 가지며;
    - 적어도 상기 그리드의 전도성 재료의 두께가 가장 큰 구역들 중 하나에서, 상기 전기 전도성 2차원 구조의 초기 부분 상에 부가적인 전도성 재료를 전기적으로 증착시키는 단계; 를 포함하는, 차폐 소자(1)의 제조 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3051975B1 (fr) 2016-05-31 2018-07-06 Sagem Defense Securite Element de blindage electromagnetique optiquement transparent et a plusieurs zones.
US20220290295A1 (en) * 2019-10-21 2022-09-15 Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. Coating method and film layer thereof, and coating fixture and application thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101110992B1 (ko) 2004-07-27 2012-06-08 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 전자파 차폐장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4281284A (en) * 1979-11-26 1981-07-28 Transmet Corporation Method and apparatus for electrically contacting a material specimen to the conductors of a coaxial cable
JP2004029153A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Osaka Industrial Promotion Organization 光学素子及び光学素子の製造方法
DE102005022473B4 (de) * 2005-05-14 2007-05-24 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Vorrichtung zur Dämpfung von Reflexionen elektromagnetischer Wellen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
KR100746255B1 (ko) * 2006-03-13 2007-08-03 엘지전자 주식회사 온 사이트형 ｐｄｐ 전면 필터의 제조 방법 및 이에 의해제조된 전면 필터를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널
CN100403866C (zh) * 2006-05-22 2008-07-16 哈尔滨工业大学 具有圆环金属网栅结构的电磁屏蔽光学窗
DE102007044597A1 (de) * 2007-09-19 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
WO2010095203A1 (ja) * 2009-02-17 2010-08-26 株式会社 村田製作所 音響的トランスデューサユニット
US8796798B2 (en) * 2010-01-27 2014-08-05 Ricoh Company, Ltd. Imaging module, fabricating method therefor, and imaging device
US8950948B2 (en) * 2012-12-18 2015-02-10 International Business Machines Corporation Light pipe with electromagnetic interference shielding
JP2016086091A (ja) * 2014-10-27 2016-05-19 株式会社リコー 薄膜付きカバー部材、固体撮像装置及び薄膜付きカバー部材の製造方法
US20160126361A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 Byd Company Limited Solar cell module and manufacturing method thereof
FR3051975B1 (fr) 2016-05-31 2018-07-06 Sagem Defense Securite Element de blindage electromagnetique optiquement transparent et a plusieurs zones.

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101110992B1 (ko) 2004-07-27 2012-06-08 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 전자파 차폐장치

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