CN109769398A - 包括多个区域的光学透明的电磁屏蔽元件 - Google Patents

Abstract

屏蔽元件(1)，其包括刚性的基底(2)以及设置于基底的其中一个面(S1、S2)上的至少一个导电二维结构(11)。所述基底以及所述至少一个导电二维结构使得屏蔽元件的光传输值及屏蔽效率值之中至少一个值在屏蔽元件的两个区域(Z1、Z2)之间变化。这种屏蔽元件使之能够更容易组装包括多个光学传感器的检测系统。

Description

包括多个区域的光学透明的电磁屏蔽元件

技术领域

本发明涉及光学透明的电磁屏蔽元件以及制造这种屏蔽元件的方法。

背景技术

很多应用都使用光学传感器，比如对红外线内的光辐射敏感的光学传感器，尽管这种传感器的操作可能会受到电磁辐射的干扰，尤其是在超高频内，更是如此。因此，已知在这种传感器的光学输入端前设置屏蔽元件，屏蔽元件至少对一部分超高频辐射而言不透明，同时对于光辐射而言至少部分透明。为此，屏蔽元件包括至少一个二维结构，所述二维结构不仅是导电的，与此同时还对于光辐射而言至少部分透明。

此外，为了更有效，导电的二维结构必须电气连接着安装有光学传感器的支架或载具的电接地。于是，将各个光学传感器安装在所使用的支架或载具上，需要把屏蔽元件组装并附接在传感器的光学输入端前面的步骤以及建立电气连接的步骤，所述电气连接把屏蔽元件的导电二维结构与地面连接。

更具体而言，众所周知，在本发明之前的屏蔽元件包括：

-刚性的基底，其具有两个相对面且在其两个面之间对于频率介于

0.1GHz(千兆赫)至40GHz之间的至少一个电磁辐射至少部分透明；以

及，

-至少一个导电二维结构，其设置在基底的其中一个面上且对于波长在

0.2μm(微米)至15μm之间的光辐射而言至少部分透明。

基底在其两个面之间对于光辐射而言也是至少部分透明。对于基底和导电二维结构而言，有关的光传输涉及要在两个面之间通过屏蔽元件的光辐射。

此外，屏蔽效率，标为EB(f)并用分贝(dB)表示，定义为EB(f)＝-10·log₁₀(T(f))，式中T(f)是屏蔽元件针对频率f介于0.1GHz至40GHz之间并且在屏蔽元件的两个面之间通过屏蔽元件的电磁辐射的能量传输效率。

此外，复杂光学检测系统现在已经得到实施，它可将多个光学传感器结合在一起。这些传感器可以并置，例如，并置在定向可变的安装头上。为了制造完整的光学检测系统，为这种多重光学传感器组装和附接了所需的所有电磁屏蔽元件——每个传感器都具有一个屏蔽元件——从而变得很复杂且耗时。此外，必须对每个屏蔽元件进行单独的电气连接，由此进一步增加了制造多重传感器系统的复杂性。

考虑到这种情况，本发明的一个目的旨在降低多传感器系统的复杂度和制造成本。

发明内容

为了实现这个目的或其它目的，本发明的第一方面提供上述已知类型的但具有多个区域的光学透明的电磁屏蔽元件。

根据本发明的第一个特征，导电二维结构设置在基底的其中一个面上，至少在屏蔽元件的多个单独区域内。此外，在每个区域中对于波长在0.2μm至15μm之间的光辐射而言是至少部分透明。

根据本发明的第二个特征，基底在其两个面之间对于每个光辐射而言都是至少部分透明，并且在屏蔽元件的所有区域之间具有连续材料。

根据本发明的第三个特征，导电二维结构具有针对所有区域的至少一个连续导电路径，所述连续导电路径连接分别容纳在屏蔽元件的其中一个区域中的二维结构的各部分。

根据本发明的第四个特征，屏蔽元件在其中第一个区域中具有由至少一个光传输值和屏蔽效率值所形成的第一组值，所述第一组值不同于在其中第二个区域中有效的关于所述光传输与所述屏蔽效率的第二组值。关于这第四个特征，对于第一个区域和第二区域而言，光传输值涉及光辐射的相同波长，屏蔽效率值涉及电磁辐射的相同效率。

因此，本发明提供适合并置的多个光学传感器的单个屏蔽元件。在构建多传感器系统时，该单个屏蔽元件的组装和附接比多个单独的屏蔽元件更为简便，从而降低了多传感器系统的复杂性和组装成本。

此外，本发明的屏蔽元件集成电气连接，所述电气连接使容纳在所有区域中的导电二维结构的所有零件相互连接。朝向屏蔽元件外部到地面的单个电气连接对于整个屏蔽元件的组件而言是足够的，换言之，足以通过屏蔽多传感器系统的所有光学传感器而同时得到保护。

在本发明的第一种实施例中，基底可以在屏蔽元件的至少两个单独区域中在其第一个面上承载第一个导电二维结构，基底的另一个面可同时在两个区域之中的至少一个区域中承载第二个导电二维结构，所述区域称为具有双重二维结构的区域。于是，选择性地，基底可以对于介于0.1GHz至40GHz之间且各自具有不同频率的至少两个电磁辐射而言至少部分透明。在这种情况下，在两个电磁辐射在具有双重二维结构的区域中的两个面之间通过屏蔽元件时，具有双重二维结构的区域中的基底的厚度可以使得关于两个电磁辐射之中具有最高频率的那个电磁辐射的电磁屏蔽效率的值大于关于两个电磁辐射之中具有最低频率的另一个电磁辐射的电磁屏蔽效率的值，且至少大于5dB，优选地至少大于10dB。

有可能，在本发明第一种实施例的某些实施例中，所述基底的另一面也可在屏蔽元件的两个单独区域中承载第二个导电二维结构，而且屏蔽元件在两个面之间所测的基底厚度的值在屏蔽元件的两个不同区域之间不同。

一般而言，对于本发明来说，所述至少一个导电二维结构可包括一层金属，优选地为银，或者一层透明导电氧化物，优选地为掺锡氧化铟，这层的厚度能够在屏蔽元件的两个不同区域之间变化。

作为选择，所述至少一个导电二维结构可包括在基底的面上形成的导电栅格。在这种情况下，栅格可具有从栅距、栅格线宽以及形成栅格的导电材料的厚度之中选择的至少一个参数值，所述值在屏蔽元件的两个区域之间不同。栅距和线宽可平行于基底的面进行测量，金属厚度可垂直于基底的面进行测量。

在屏蔽元件也是第一种实施例中一个实施例的类型的情况下，换言之，具有两个导电二维结构，第一个导电二维结构和第二个导电二维结构可分别包括在屏蔽元件的两个区域中的至少同一个区域中的导电栅格，所述区域称为双栅区。基底的两个面可以在双栅区中平行，两个栅格其中之一优选地按照垂直于两个面的方向与双栅区中另一个栅格的至少一部分对齐。按照这种方式，由双栅区中两个栅格所引起的总光学遮蔽会减少，大约等于仅由其中一个栅格所引起的遮蔽。

本发明的第二方面提供检测系统，所述检测系统包括至少两个光学传感器以及根据本发明第一方面的屏蔽元件。传感器相对于屏蔽元件固定，以至于屏蔽元件的其中第一个区域保持位于其中第一个传感器的光辐射输入端与这第一个传感器的光学输入区之间，屏蔽元件的其中第二个区域保持位于其中第二个传感器的光辐射输入端与第二个传感器的光学输入区之间。

最后，本发明的第三方面提供了制造根据本发明第一方面的屏蔽元件的方法。该方法包括以下步骤：

-提供刚性部件形式的基底，其在所有区域之间具有连续材料；以及，

-在基底的至少一个面上，沉积至少一种导电材料，从而在屏蔽元件的至少一些区域中形成所述至少一个导电二维结构的至少一部分，与此同时，作为连续导电路径的至少一部分。

当基底的厚度在屏蔽元件的两个区域之间变化并且包括分别在这两个区域中的第一个导电二维结构和第二个导电二维结构时，方法可进一步包括以下步骤：

-在两个区域中的至少一个区域中对基底进行机械加工或打磨；以及，

-在基底的所述另一个面上沉积至少一种导电材料，以便在屏蔽元件两个区域中的至少一个区域中形成所述第二个导电二维结构的至少一部分。

在这种情况下，在把导电材料沉积在基底的所述另一个面上的过程中，可以在屏蔽元件的两个区域中的至少一个区域中形成所述第二个导电二维结构的至少一部分，与此同时，作为另一个连续导电路径的至少一部分，所述连续导电路径在基底的所述另一个面上使分别容纳在屏蔽元件的两个区域之中一个区域中的所述第二个导电二维结构的各部分相互连接。

在其中一个导电二维结构是栅格的情况下，形成该格栅至少一部分的导电材料可以沉积在基底上，然后利用正性抗蚀光刻工艺对其进行选择性刻蚀。作为选择，可以通过负抗蚀剂在基底上产生与栅格互补的图案，然后，栅格的导电材料可以沉积在基底中没有抗蚀剂的部分上，然后，去除互补图案的抗蚀剂。

最后，在栅格导电材料的厚度在基底其中两个区域之间不同的情况下，导电二维结构的沉积可至少包括以下子步骤：

-同时在两个区域中制造导电二维结构的初始部分，该初始部分具有栅格图案而且其本身是导电的；然后，

-至少在其中栅格的导电材料厚度最大的一个区域中，在导电二维结构的初始部分上电沉积额外的导电材料。

该方法对于获得沉积导电材料的厚度是相当快速且经济的，所述厚度在不同区域之间是显著且可变的。

附图说明

本发明的其它特征和优点通过某些非限制性实施例的以下说明以及参考附图而显而易见，在附图中：

-图1阐释了根据本发明的光学检测系统；

-图2a至图2e是根据本发明的多个屏蔽元件的截面图；

-图3阐释了适用于根据图2c至图2e的屏蔽元件的改进；以及，

-图4是根据本发明适合屏蔽元件的特殊实施例的基底的透视图。

清晰起见，各图中所出现的尺寸既不与实际尺寸相对应，也不与实际尺寸比例相对应。此外，各图中所标注的相同标号指代相同的元件或者具有相同功能的元件。

具体实施方式

如图1所示，检测系统100包括并排设置在外壳30中的两个光学传感器10和20。两个传感器10、20分别用于在使用过程中通过传感器10的光学输入端E1和传感器20的光学输入端E2来接收波长在0.2μm(微米)至15μm之间的有效光辐射。两个传感器10和20的有效光辐射不一定具有0.2μm-15μm范围内的相同波长。

然而，由于频率在0.1GHz(千兆赫)至40GHz之间的外部电磁辐射，尤其是不必要的干扰辐射，从而在传感器10和20上会出现干扰。于是，有必要通过至少对于电磁辐射部分不透明的元件来保护传感器10和20，使之免受这种电磁辐射干扰。电磁干扰的这种保护元件用技术人员的术语称之为屏蔽元件。外壳30可包括这种屏蔽功能，但具体是提供屏蔽功能的窗口1，在本说明书的总体部分称为光学透明的屏蔽元件设置在两个传感器10和20的光学输入端E1和E2前面。根据本发明，窗口1是由单个固体部件所形成的，并将其设计为同时满足与两个传感器10和20相关的光学和屏蔽要求。为此，窗口1具有在窗口第一个区域Z1中的第一组光学和屏蔽特征，所述第一个区域Z1要位于系统100内的光学输入端E1前面，还具有在第二个区域Z2中的第二组光学和屏蔽特征，所述第二个区域Z2要位于光学输入端E2前面。窗口1的区域Z1和Z2可以彼此相邻，但是通过中间带分隔开，尤其是按照光学输入端E1和E2之间的间隔分隔开。分在区域Z1和Z2中的窗口1的光学和屏蔽特征适应于传感器10或20，区域专用于所述区域。尤其是，两个传感器10和20在波长范围0.2μm-15μm内可具有不同光学灵敏度范围。所述传感器还可以具有相对于频率范围介于0.1GHz-40GHz之间一定电磁辐射而言不同的屏蔽要求。

电磁屏蔽可通过添加二维结构来获得，所述二维结构在窗口1的至少一个面S1和S2上是导电的。屏蔽效率随着二维结构的电导率的增加而增加。但是，在结构的电导率显著且均匀(无栅格)的情况下，窗口1的透光度可以通过二维结构而降低。但是，每个光路的灵敏度取决于位于该光路的传感器的光学输入端前面的区域Z1或Z2内的窗口1的透明程度。

本发明使之能够在窗口1的某个部分中将透光度和屏蔽效率之间的两种不同折中方案相结合，所述折中方案分别专用于传感器10和20。

因此，根据本发明，窗口1包括基底2以及至少一个二维结构，所述二维结构是导电的，且标为11(图2a至图2e和图3)。基底2在区域Z1和Z2中相对于传感器10或20的有效光辐射而言至少部分光学透明，所述传感器10或20的有效光辐射与该区域相对应。优选地，基底2是具有均质组份的部分，所以同时相对于两个传感器10和20的有效光辐射在两个区域Z1和Z2中是透明的。例如，基底2可以硅(Si)、锗(Ge)、硫化锌(ZnS)、二氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)或氧化镁(MgO)为基础。

电磁屏蔽功能可通过二维结构11来产生，所述二维结构可能与第二个导电二维结构相结合，所述第二个二维结构也包含在窗口1中且标为12(图2c至图2e和图3)。

在图2a所示的实施例中，窗口1仅包括一个二维结构且标为11，将其设置在基底2的面S1上。作为选择，二维结构11可设置在基底2的面S2上。二维结构11在两个区域Z1和Z2中具有不同组分，以便同时产生适当的透光度和屏蔽效率的折中方案，一个适合传感器10，另一个适合传感器20。

在区域Z1和Z2的至少一个区域中的二维结构11的第一种类型的可能性组分中，可包括一叠薄层，所述层中至少一层是导电的，以便产生屏蔽功能。例如，该导电层可以具有银(Ag)或者具有掺锡氧化铟(ITO"铟锡氧化物")。在垂直于基底2的面的导电层的厚度较厚时，屏蔽效率较高。但是，由于反射和/或吸收，该导电层的透光度随之降低。技术人员知晓介电层与一个或多个导电层的组合，适当地选择每层的厚度以及所使用的介电材料的折射率，从而产生对于各个传感器同时足够的透光度和屏蔽效率。因此，二维结构11可以是一叠金属介电层，其中层系、层数、层厚度和/或层的材料可在两个区域Z1和Z2(图2a)之间不同。这种薄层可以通过本领域技术人员已知的技术之一来沉积，比如溅射、真空蒸发、激光烧蚀或者通常称为PE-CVD的等离子体增强化学气相沉淀。

根据区域Z1和Z2中至少一个区域中的二维结构11的第二种可能类型的组分，二维结构11可由分别在区域Z1和Z2中的导线的栅格所组成，如图2b所示。这种栅格可以是正方形栅格的图案，例如，由金属铜或银的导线构成，设置在基底2的面S1上。影响二维结构11的体积电导率的参数是栅距、栅格线宽度以及形成栅格线的导电材料的厚度，栅距和线宽可平行于基底2的面S1进行测量，导电材料的厚度可垂直于该面进行测量。在窗口1的一个及另一个区域Z1和Z2中所形成的栅格的这个参数中的至少一个参数在两个区域之间变化，从而产生适合分别在专用于该传感器的区域Z1或Z2中的每个传感器10、20的透光度和屏蔽效率之间的折中方案。关于这种以栅格为基础的组分，每个区域Z1、Z2中的二维结构11的光传输取决于由该区域中的栅格线所产生的遮蔽。根据在基底2上形成导电栅格的一种可能性方法，可以首先利用正光刻抗蚀剂或负光刻抗蚀剂在面S1上形成导电栅格图案。如果采用正光刻抗蚀剂，在面S1上首先沉积导电材料的连续层，所述导电材料具体是银或铜，可能在粘合层之后。然后，在导电层上沉积正光刻抗蚀剂，通过图案与栅格线图案相同的掩模照射所述正光刻抗蚀剂。然后，在照射区域中使抗蚀剂显影，然后，在不再受任何抗蚀剂保护的位置刻蚀导电层，优选地用化学方法刻蚀。如果采用负光刻抗蚀剂，把光刻抗蚀剂的连续层首先沉积在面S1上；然后，通过图案与栅格线图案相同的掩模照射所述负光刻抗蚀剂。然后，在非照射区域使抗蚀剂显影，并因此在要形成线的位置选择性地将其移除。然后，导电材料既沉积在抗蚀剂上又沉积在没有抗蚀剂的面S1的位置上；然后，最终通过溶解在适当溶剂中来去除所有抗蚀剂，所以导电材料仅保留在面S1的线的预期位置。这第二种方法被技术人员用术语称为“剥离”。一旦已经按照所述两个方法之中一个方法利用正光刻抗蚀剂或负光刻抗蚀剂沉积了在当前说明书的总体部分称为二维结构初始部分的导电栅格图案，便可以通过增加材料的另一次沉积来迅速增加两个区域Z1、Z2的至少一个区域中的导电材料的厚度，这是通过电解沉积来完成。然后，导电栅格图案用作电极，可以通过电解在所述电极上还原并沉积附加导电材料。导电材料的这种附加沉积可以通过改变这两个区域之间的电解次数按照在两个区域Z1和Z2之间不同的厚度来发生。图2b阐释了一个实施例，其中，区域Z2中的栅距和线宽大于区域Z1。

还可以通过采用以两个区域Z1和Z2之中一个区域中的一叠薄层为基础的成份以及以另一个区域中的导电材料的栅格为基础的成份，针对二维结构11来实现本发明的其它实施例。

在所有情况下，根据本发明提供的一个重要优点，可以通过彼此相连的电传导路径13来产生在基底2的面S1上所形成的分别在区域Z1和区域Z2中的导电二维结构11的两个部分。根据两个区域Z1和Z2中用于导电二维结构11的成份，该电传导路径可以是两个区域Z1或Z2之间的二维结构11的延续，或者是分别专用于区域Z1和Z2的二维结构11的两个部分的重叠，如此重叠产生电气连接并形成在两个区域Z1和Z2之间的面S1的一条中。作为选择，电传导路径13还可以由附加导电层构成，所述附加导电层与单独容纳在区域Z1和Z2中的二维结构11的两部分电气接触。然而，在优选实施例中，电传导路径13是与二维结构11的两个部分中的至少一个部分同时形成的。因此，窗口1在与外壳30组装之前，可由具有两个区域Z1和Z2之间的二维结构11的连续导电路径来直接提供。这样只需要建立一个电气连接，以便把二维结构11电气连接着外壳30或地面。

图2c阐释了本发明的另一个实施例，其中，窗口1还包括基底2的面S1的二维结构11，但是进一步包括面S2上的两个区域Z1、Z2之中一个区域中的附加导电二维结构12，例如所述区域是区域Z1。导电二维结构12可具有已经描述的其中一种成份：一叠薄层或栅格。与仅由维度结构11提供的屏蔽相比，允许选择性地增加区域Z1中的屏蔽效率。

图2d阐释了本发明的另一个实施例，其中，二维导电结构11和12分别在在基底2的面S1和面S2上的两个区域Z1和Z2中延伸。已经描述的导电二维结构的成份的任何组合可单独用于形成两个区域Z1和Z2中的二维结构11和12。因此，更容易形成具有关于光传输和屏蔽效率的指定值的窗口1，其中光传输和屏蔽效率之中至少一项在两个区域Z1和Z2之间不同。在本发明的一个有利实施例中，根据图2d，二维结构12还包括导电连续路径14，所述导电连续路径在两个区域Z1和Z2之间使导电二维结构12的两个部分彼此相连。电传导路径14可具有与上文针对二维结构11的电传导路径13所述的成份相似的成份。

总之，增加由两个区域Z1、Z2中一个区域中的基底2的两个面S1和S2的组件所承载的导电材料的总厚度增加了在该区域中针对屏蔽效率所获得的值。

图3阐释了二维结构11和12在两个区域Z1、Z2的同一个区域中具有栅格成份的情况下的一种可能性改进。优选的，结构11和12的两个各自的栅格相对于彼此沿着垂直于两个面S1和S2的方向对齐，所述两个面彼此平行。如此改进降低了由两个栅格结构所导致的光传输的总体减少。实际上，每个栅格大体上是光学不透明的，由两个栅格导致的总遮蔽大体等于仅有其中一个栅格所导致的遮蔽，第二个栅格的栅距等于第一个栅格的栅距的整数倍数。在图3中，符号p、I和e分别表示用于两个栅格之一的栅距、线宽以及线厚度。

在两个区域Z1和Z2中的同一个区域中(图2c至图2e)中，在基底2的面S1和S2上都具有二维结构的另一个优点是可能在介于0.1GHz-40GHz范围内的第一个频率值得到屏蔽效率值，该屏蔽效率值大于在第二个频率值的屏蔽效率值，所述第二个频率值也在范围0.1GHz-40GHz内，与此同时第一个频率值大于第二个频率值。两个屏蔽效率值之差大于5dB(分贝)，乃至大于10dB。当两个二维结构之间的基底2厚度适合相关电磁辐射频率时，通过在两个二维结构11和12之间所发生的波干涉效应使两个屏蔽效率值之间能够有这种次序关系。实际上，面对基底2两个面S1和S2的两个二维结构11和12构成了针对电磁辐射构成本领域技术人员熟知的法布里-珀罗装置。

图2e和图4阐释了本发明的特殊实施例，其中，基底2的厚度在两个区域Z1和Z2之间不同。当两个导电二维结构11和12分别在两个区域Z1和Z2中覆盖两个面S1和S2时，这种厚度变化是有用的，有利于减少刚刚所解释的波干涉效应。因此，在这两个图中，平行于方向D所测得的基底2的厚度在区域Z1中大于区域Z2。例如，基底2可以通过两个区域Z1和Z2直接模塑最终厚度的热固材料来制备。作为选择，基底2也可以最初在两个区域Z1和Z2中按照相同厚度来制备，然后在区域Z2中通过机械加工和/或打磨使其变薄。可能地，尤其在基底由蓝宝石(Al₂O₃)制备的情况下，基底2可以按照小于区域Z1厚度的区域Z2的厚度来制备，然后通过机械加工、碾磨和/或打磨来调整两个层，以便达到最终厚度值。优选地，形成电传导路径14的方法与在两个区域Z1和Z2之间的面S2中的步骤的存在相适配。为此，可首选无方向性的材料沉积方法，比如蒸发、等离子体增强化学气相沉积或电解。

以下表1至表4将关于根据本发明的窗口的四个实例针对光传输和屏蔽效率所得到的值分组。所采用的基底是玻璃的(第一个实例至第三个实例)或者蓝宝石的(第四个实例)；光传输标为To_pt，针对1μm和10μm的两个波长值所给出；屏蔽效率EB(f)＝-10·log₁₀(T(f))，针对1GHz和20GHz的两个频率所给出。

表1

表2

表3

表4

应理解的是，在修改上文详细所述的实施例的某些次要方面的同时，可以再现本发明。尤其是，用于形成导电二维结构的沉积工艺以及上文仅处于阐释性目的提及的数值可以适合于本发明的各种用途。

还可以根据本发明的各种应用来使用和调整某种形状的基底2。

形成二维结构的栅格还可以具有矩形、六边形、三角形、圆形、梯形等图案，与此同时，满足屏蔽效率和透光度方面的所需性能。

还可以使用非周期筛，例如，泰森多边形，以便消除与周期性网络叠置相关的叠纹现象，与此同时保持屏蔽效率和透光度方面的相似性能。

Claims (15)

1.具有多个区域(Z1、Z2)的光学透明的电磁屏蔽元件(1)，其包括：

-刚性的基底(2)，其具有两个相对面(S1、S2)，且在其两个面之间对于频率介于0.1GHz至40GHz之间的至少一个电磁辐射至少部分透明；以及，

-至少一个导电二维结构(11)，其设置在所述基底(2)的其中一个面(S1、S2)上，至少在屏蔽元件(1)的多个单独区域(Z1、Z2)中，且对于波长在0.2μm至15μm之间的光辐射而言至少部分透明；所述基底(2)在两个面(S1、S2)之间对于各个光辐射而言都至少部分透明，并且所述基底在屏蔽元件(1)的所有区域(Z1、Z2)之间具有连续材料，所述导电二维结构(11)具有针对所有区域的至少一个连续导电路径(13)，所述连续导电路径连接分别容纳在屏蔽元件(1)的其中一个区域(Z1，Z2)中的二维结构的各部分，

其特征在于，所述屏蔽元件(1)在其中第一个区域(Z1)中具有由至少一个光传输值和屏蔽效率值所形成的第一组值，所述第一组值不同于在其中第二个区域(Z2)中有效的关于所述光传输与所述屏蔽效率的第二组值，对于第一个区域和第二区域而言，所述光传输值涉及光辐射的相同波长，所述屏蔽效率值涉及电磁辐射的相同效率，

光传输涉及要在两个面(S1、S2)之间的每个区域(Z1、Z2)中通过所述屏蔽元件的光辐射；以及，

屏蔽效率，标为EB(f)并用分贝表示，定义为EB(f)＝-10·log₁₀(T(f))，式中T(f)是屏蔽元件针对频率f介于0.1GHz至40GHz之间并且通过在各个区域(Z1、Z2)中的两个面(S1、S2)之间的所述屏蔽元件(1)的电磁辐射的能量传输效率。

2.根据权利要求1所述的屏蔽元件(1)，其特征在于，所述基底(2)在屏蔽元件的至少两个单独区域(Z1、Z2)中在第一个面(S1)上承载第一个导电二维结构(11)，所述基底的另一个面(S2)在两个区域之中的至少一个区域中承载第二个导电二维结构(12)，称之为具有双重二维结构的区域。

3.根据权利要求2所述的屏蔽元件(1)，其特征在于，所述基底(2)对于介于0.1GHz至40GHz之间且具有各自不同频率的至少两个电磁辐射而言至少部分透明，

而且其中，在两个电磁辐射在具有双重二维结构的区域中的两个面(S1、S2)之间通过屏蔽元件(1)时，具有双重二维结构的区域中的基底的厚度(2)使得关于两个电磁辐射之中具有最高频率的那个电磁辐射的电磁屏蔽效率的值大于关于两个电磁辐射之中具有最低频率的另一个电磁辐射的电磁屏蔽效率的值，且至少大于5dB，优选地至少大于10dB。

4.根据权利要求2或3所述的屏蔽元件(1)，其特征在于，所述基底(S2)的另一面也在屏蔽元件的两个单独区域(Z1、Z2)中承载第二个导电二维结构(12)，而且屏蔽元件在两个面(S1、S2)之间所测的基底(2)厚度的值在屏蔽元件的两个不同区域之间不同。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的屏蔽元件(1)，其特征在于，所述至少一个导电二维结构(11)包括一层金属，优选地为银，或者一层透明导电氧化物，优选地为掺锡氧化铟，所述层的厚度可能在屏蔽元件的两个不同区域(Z1、Z2)之间变化。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的屏蔽元件(1)，其特征在于，所述至少一个导电二维结构(11)包括在所述基底(2)的面(S1)上形成的导电材料的栅格。

7.根据权利要求6所述的屏蔽元件(1)，其特征在于，所述栅格具有选自栅距(p)、栅格线宽(I)以及形成栅格的导电材料的厚度(e)之中的至少一个参数值，所述至少一个参数值在屏蔽元件的两个区域(Z1、Z2)之间不同，所述栅距和线宽可平行于所述基底(2)的面(S1)进行测量，金属厚度可垂直于所述基底的面进行测量。

8.根据权利要求6或7结合权利要求2至4中任一项所述的屏蔽元件(1)，其特征在于，所述第一个导电二维结构(11)和所述第二个导电二维结构(12)分别包括在屏蔽元件的两个区域(Z1、Z2)中的至少同一个区域中的导电材料的栅格，称为双栅区，所述基底(2)的两个面(S1、S2)在所述双栅区中平行，两个栅格其中之一按照垂直于两个面的方向(D)与所述双栅区中另一个栅格的至少一部分对齐。

9.检测系统(100)，其包括至少两个光学传感器(10，20)以及根据权利要求1至8中任一项所述的屏蔽元件(1)，其特征在于，所述传感器相对于屏蔽元件固定，以至于所述屏蔽元件的其中第一个区域(Z1)保持位于其中第一个传感器(10)的光辐射输入端(E1)与所述第一个传感器的光学输入区之间，所述屏蔽元件的其中第二个区域(Z2)保持位于其中第二个传感器的光辐射输入端(E2)与所述第二个传感器的光学输入区之间。

10.制造根据权利要求1至8中任一项所述的屏蔽元件(1)的方法，所述方法包括：

-提供刚性部件形式的基底(2)，其在所有区域(Z1、Z2)之间具有连续材料；以及，

-在所述基底(2)的至少一个面(S1)上，沉积至少一种导电材料，从而在屏蔽元件(1)的至少一些区域(Z1、Z2)中形成所述至少一个导电二维结构(11)的至少一部分，与此同时，作为连续导电路径(13)的至少一部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述屏蔽元件(1)是根据权利要求4的，所述方法进一步包括以下步骤：

-在屏蔽元件(1)的两个区域(Z1、Z2)中的至少一个区域中对所述基底(2)进行机械加工或打磨；以及，

-在所述基底(2)的所述另一个面(S2)上沉积至少一种导电材料，以便在屏蔽元件(1)两个区域(Z1、Z2)中的至少一个区域中形成所述第二个导电二维结构(12)的至少一部分。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在把导电材料沉积在所述基底(2)的所述另一个面(S2)上的过程中，在屏蔽元件(1)的两个区域(Z1、Z2)中的至少一个区域中形成所述第二个导电二维结构(12)的至少一部分，与此同时，作为另一个连续导电路径(14)的至少一部分，所述连续导电路径在所述基底的所述另一个面上使分别容纳在屏蔽元件的两个区域之中一个区域中的所述第二个导电二维结构的各部分相互连接。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，所述屏蔽元件(1)是根据权利要求6的，而且其中，形成该格栅至少一部分的导电材料沉积在所述基底(2)上，然后利用正性抗蚀光刻工艺对其进行选择性刻蚀。

14.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，所述屏蔽元件(1)是根据权利要求6的，而且其中，通过负抗蚀剂在所述基底(2)上产生与栅格互补的图案，然后，把栅格的导电材料沉积在基底中没有抗蚀剂的部分上，然后，去除互补图案的抗蚀剂。

15.根据权利要求10至14中任一项所述的方法，所述屏蔽元件(1)是根据权利要求7的，其中，所述栅格的导电材料的厚度在所述基底(2)的其中两个区域(Z1、Z2)之间不同，而且其中，所述导电二维结构(11)的沉积至少包括以下子步骤：

-同时在两个区域(Z1、Z2)中制造导电二维结构(11)的初始部分，所述初始部分具有栅格图案而且其本身是导电的；然后，

-至少在其中栅格的导电材料厚度最大的一个区域中，在导电二维结构的初始部分上电沉积额外的导电材料。