KR102028619B1 - nail beauty tool and its manufacturing method - Google Patents

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KR102028619B1
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Abstract

본 발명은, 광택효율성을 향상시키는 패턴을 가지는 손톱광택기 및 그 손톱광택기의 제조방법에 관한 것으로서, 선접촉에 의해 연마면적을 확대시키도록 하는 사각형 또는 다각형을 포함하는 패턴을 구성함으로써, 연마면적의 확대로 인해 연마소요시간을 단축하고, 연마시 발생하는 잔존물에 의한 주변 오염을 최소화하여 손톱광택기에 대한 제품 신뢰성을 향상시키는 광택효율성을 향상시키는 데 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은, 손,발톱의 표면을 연마하여 광택이 이루어나도록 글라스에 패턴이 형성되는 미용기구의 일종인 손톱광택기의 제조방법에 있어서,
투과율이 60% 이상이고, 노광 파장이 350nm이상의 글라스로 이루어진 글라스 기판을 준비하는 기판 준비단계(S1)와; 준비된 글라스 기판 상에 700Å ~ 11,000Å 두께의 금속막을 증착하여 글라스 기판에 금속막을 형성하는 금속막 형성단계(S2)와; 글라스 기판에 금속막이 형성되면, 금속막 표면의 유기물을 용이하게 제거하기 위해 글라스 기판을 산세정 및 알칼리세정하는 세정 단계(S3)와; 글라스 기판의 세정이 완료되면, 패턴이 형성된 패턴필름(DFR, Dry Film Resist)을 금속막에 부착하는 패턴필름 부착단계(S4)와; 패턴필름이 부착된 글라스 기판을 노광기에 올려놓고 패턴필름에 자외선을 8~60초간 조사하는 노광 단계(S5)와; 노광이 완료되면, 농도가 10wt% 미만인 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 계열의 현상액을 이용하여 패턴필름을 현상하여 금속막에 패턴필름으로 이루어진 1차 패턴을 형성하는 현상 단계(S6)와; 금속막에 1차 패턴이 형성되면, 금속막 에칭액을 사용하여 금속막을 에칭하여 글라스 기판에 금속막으로 이루어진 2차 패턴이 형성되도록 하고, 글라스 기판을 세정 및 건조시킨 후 패턴필름을 제거하는 1차 에칭단계(S7)와; 패턴필름이 제거된 글라스 기판을 20 ~ 30wt% 농도의 불산으로 에칭하여 상기 2차 패턴과 동일한 패턴이 형성된 글라스 기판을 형성하는 2차 에칭단계(S8)와; 글라스 기판에 패턴이 형성되면 상기 글라스 기판의 패턴에 잔존하는 에칭액 또는 기타 잔존물을 제거할 수 있도록 세척공정을 수행하되, 상기 글라스 기판의 패턴 형성면에 황산액을 분사하켜 1차 세척한 후, 상기 글라스 기판의 패턴 형성면이 아래쪽을 향하도록 한 상태에서 상기 글라스 기판을 진동시키면서 글라스 기판의 아래쪽으로 세정액을 분사하여 2차 세척이 이루어지도록 하는 세척 단계(S9); 및 글라스 기판의 세척이 완료되면 본체에 형성된 접착제층을 통해 본체에 글라스 기판을 부착하여 손톱광택기를 완성하는 부착단계(S10);를 포함하고,
상기 패턴은 원형과 사각형 또는 다각형이 혼합된 혼합형 패턴 또는 사각형 또는 다각형 중 어느 하나만 형성된 단독형 패턴 중 어느 하나이고, 상기 패턴의 두께는 15 ~ 25㎛인 것을 특징으로 한다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a nail polisher having a pattern for improving gloss efficiency and a method for manufacturing the nail polisher, wherein the polishing area is formed by forming a pattern including a square or a polygon to enlarge the polishing area by line contact. The purpose of the present invention is to shorten the polishing time due to the enlargement and to improve the gloss efficiency for improving the reliability of the nail polisher by minimizing the surrounding contamination by the residues generated during polishing.
To this end, the present invention, in the method of manufacturing a nail polisher, which is a kind of beauty device in which a pattern is formed on the glass to polish the surface of the hands and toenails,
A substrate preparation step (S1) for preparing a glass substrate made of glass having a transmittance of 60% or more and an exposure wavelength of 350 nm or more; A metal film forming step (S2) of forming a metal film on the glass substrate by depositing a metal film having a thickness of 700 Å to 11,000 상 에 on the prepared glass substrate; When the metal film is formed on the glass substrate, the cleaning step (S3) for pickling and alkali cleaning the glass substrate to easily remove the organic material on the surface of the metal film; When the cleaning of the glass substrate is completed, the pattern film attaching step (S4) for attaching a pattern film (DFR, Dry Film Resist) pattern is formed on the metal film; An exposure step (S5) of placing a glass substrate with a pattern film on the exposure machine and irradiating ultraviolet rays to the pattern film for 8 to 60 seconds; After the exposure is completed, a development step of forming a primary pattern of a pattern film on a metal film by developing a pattern film using a developer having a sodium hydroxide (NaOH) or potassium hydroxide (KOH) series having a concentration of less than 10wt% (S6). Wow; When the primary pattern is formed on the metal film, the metal film is etched using a metal film etching solution to form a secondary pattern made of a metal film on the glass substrate, and the primary film is cleaned and dried to remove the pattern film. Etching step (S7); A second etching step (S8) of etching the glass substrate from which the pattern film is removed with hydrofluoric acid at a concentration of 20 to 30 wt% to form a glass substrate having the same pattern as the secondary pattern; When the pattern is formed on the glass substrate, a cleaning process is performed to remove the etchant or other residues remaining on the pattern of the glass substrate, but after the primary cleaning by spraying sulfuric acid on the pattern formation surface of the glass substrate, A washing step (S9) of spraying the cleaning liquid toward the lower side of the glass substrate while vibrating the glass substrate in a state in which the pattern formation surface of the glass substrate faces downward (S9); And attaching the glass substrate to the main body through an adhesive layer formed on the main body when the washing of the glass substrate is completed (S10).
The pattern may be any one of a mixed pattern in which a circle and a square or a polygon are mixed, or a single pattern in which only one of a rectangle and a polygon is formed, and the thickness of the pattern is 15 to 25 μm.

Description

광택효율성을 향상시키는 패턴을 가지는 손톱광택기 및 그 손톱광택기의 제조방법{nail beauty tool and its manufacturing method}Nail polisher having a pattern for improving gloss efficiency and a method of manufacturing the nail polisher {nail beauty tool and its manufacturing method}

본 발명은, 광택효율성을 향상시키는 패턴을 가지는 손톱광택기 및 그 손톱광택기의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 선접촉에 의해 연마면적을 확대시키도록 하는 사각형 또는 다각형을 포함하는 패턴을 구성함으로써, 연마면적의 확대로 인해 연마소요시간을 단축하고, 연마시 발생하는 잔존물에 의한 주변 오염을 최소화하여 손톱광택기에 대한 제품 신뢰성을 향상시키는 광택효율성을 향상시키는 패턴을 가지는 손톱광택기 및 그 손톱광택기의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nail polisher having a pattern for improving gloss efficiency and a method for manufacturing the nail polisher, and more particularly, to constitute a pattern including a square or polygonal to enlarge the polishing area by line contact. Thus, the nail polisher and nail polisher having a pattern for improving polishing efficiency by shortening the polishing time due to the expansion of the polishing area, minimizing the surrounding contamination by the residues generated during polishing, and improving the product reliability of the nail polisher It relates to a manufacturing method of.

일반적으로, 손발톱 미용기구는 샌드페이퍼로 손발톱 표면이나 끝단을 연마하고, 광택을 내기 위한 것으로서, '손톱 광택기'라고도 한다.In general, nail beauty instruments are used to polish and polish nail surfaces or ends with sandpaper, and are also referred to as nail polishers.

상기 샌드페이퍼가 부착된 손발톱 미용기구 즉, 손톱 광택기는 입도를 달리하는 복수의 샌드페이퍼가 구성되어, 입도가 큰 샌드페이퍼가 부착된 기구로부터 점점 입도가 낮은 샌드페이퍼가 부착된 기구를 사용하면서 손,발톱을 연마하는 것이다.The nail paper beauty device with nail paper, that is, the nail polisher is composed of a plurality of sand papers having different particle sizes, and polishes the hands and toenails while using the sand paper attached device with the sand grain having a smaller particle size from the device with the larger sand paper. It is.

그러나, 종래 손톱 광택기는 샌드페이퍼의 입자가 금방 무뎌져 오래 사용하기가 어려운 문제점이 있고, 샌드페이퍼에 포함된 입자의 크기가 균일하지 않기 때문에 양질의 광택을 내기 힘든 문제점이 있다.However, the conventional nail polisher has a problem that it is difficult to use long time since the particles of the sand paper dull quickly, and because the size of the particles contained in the sand paper is not uniform, there is a problem that it is difficult to produce a good quality gloss.

또한, 양각 무늬가 형성된 손톱 광택기는 손,발톱의 연마를 위해 양각 형상의 배열이 한쪽으로 치우쳐진 것이 일반적인데, 이 경우 정해진 방향으로만 밀어야 손,발톱을 고르게 연마할 수 있으며, 다른 방향으로 밀 경우 손, 발톱의 일부만 연마되어 스크래치가 발생하는 문제점이 있다.In addition, the embossed nail polisher is generally embossed in one side for the polishing of hands and toenails, in this case only push in a predetermined direction to polish the hands and toenails evenly, push in the other direction In this case, only a part of the hands and the toenails are polished, which causes a problem.

예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 양각 형상의 돌기(1)의 배열이 일정할 경우, x방향(또는 y방향)으로 연마를 할 경우에는 가상의 직선 L1' 및 L3' 상에 배치되는 돌기(1)에 의해서만 연마가 되고, 가상의 직선 L2' 상에는 돌기(1)가 배치되지 않기 때문에 연마가 되지 않아 손,발톱에 스크래치가 발생하는 문제점이 있다.For example, as shown in Fig. 1, when the arrangement of the embossed protrusions 1 is constant, when polishing in the x-direction (or y-direction), they are disposed on the virtual straight lines L1 'and L3'. There is a problem that polishing is performed only by the projections 1 to be used, and because the projections 1 are not disposed on the virtual straight line L2 ', the polishing is not performed and scratches occur on the hands and toenails.

또한, 가상의 직선 L4' 및 L6' 상에 배치되는 돌기(1)에 의해서만 연마를 하는 경우에는 가상의 직선 L5' 상에 돌기(1)가 배치되지 않더라도, 가상의 직선 L4'와 L6'의 거리가 가상의 직선 L1'와 L3'의 거리보다 짧기 때문에, 손,발톱에 스크래치를 발생시키지 않고 연마가 수행될 수 있다.In addition, when grinding | polishing only by the projections 1 arrange | positioned on the virtual straight lines L4 'and L6', even if the protrusion 1 is not arrange | positioned on the virtual straight line L5 ', Since the distance is shorter than the distance between the virtual straight lines L1 'and L3', the polishing can be performed without scratching the hands and toenails.

그러나, x방향 또는 y방향으로는 연마를 할 수 없고, 대각선 방향으로만 연마를 해야하기 때문에, 손,발톱을 연마하기가 불편한 문제점이 있다.However, since the polishing cannot be performed in the x direction or the y direction, and only the diagonal direction should be polished, it is inconvenient to polish the hands and toenails.

또한, 손톱 광택기의 재질상 물 세척 또는 소독을 할 수 없어서 세균 번식과 같은 비위생적인 문제점이 있다.In addition, due to the material of the nail polisher can not be washed or disinfected, there is an unsanitary problem such as bacterial growth.

또한, 미용실이나 네일아트 전문점에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 한번 쓰고 버리는 일회용 손톱 광택기를 주로 사용하고 있으나, 자원낭비의 원인이 되는 문제점이 있다.In addition, beauty salons or nail art specialty stores mainly use disposable nail polishes that are thrown away once to solve these problems, but there is a problem that causes a waste of resources.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 방안으로, 대한민국 특허 제10-1654334호의 손발톱 미용기구는, 손발톱을 연마하는 연마부를 포함하는 손발톱 미용기구로서, 연마부의 적어도 일면 상에 복수의 돌기가 형성되고, 복수의 돌기는 4개의 돌기로 구성되는 가상의 돌기 패턴이 제1방향과 제1방향에 수직하는 제2방향으로 소정간격을 가지고 반복되고, 가상의 돌기 패턴은 제1방향과 제2방향으로 소정 각도 기울어진 사각형 형태를 이루도록 배열되되, 적어도 하나의 돌기는 연마부 상에 임의 방향으로 형성되는 가상의 직선과 중첩된다.In order to solve the above problems, the nail cosmetic device of the Republic of Korea Patent No. 10-1654334 is a nail cosmetic device including a polishing portion for polishing the nail, a plurality of protrusions are formed on at least one surface of the polishing portion, The projection of is repeated with a predetermined interval in the virtual projection pattern consisting of four projections in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction, the virtual projection pattern is a predetermined angle in the first direction and the second direction Arranged to form an inclined rectangular shape, at least one protrusion overlaps a virtual straight line formed in any direction on the polishing portion.

상기 연마부(200)는 도 2에 도시된 바와 같이, 적어도 일면 상에 복수의 돌기(210-214)가 형성될 수 있다. 사용자가 어느 방향으로 밀더라도 효과적으로 손발톱의 연마가 수행될 수 있도록, 돌기(210-214)는 원기둥 또는 원뿔대의 형상을 가진다. 또는 타원기둥의 형상을 가지도록 구성하여도 유사한 효과를 구현할 수 있다. As illustrated in FIG. 2, the polishing unit 200 may have a plurality of protrusions 210 to 214 formed on at least one surface thereof. The protrusions 210-214 have the shape of a cylinder or truncated cone so that the nail can be polished effectively in any direction. Alternatively, similar effects may be realized by configuring the elliptic cylinder.

그러나, 종래의 손톱 광택기의 연마부에 형성된 돌기는 평면상 원형으로 이루어져 있음으로써, 원형의 특성상 손톱과의 접촉이 점접촉으로 이루어지고, 이러한 점접촉에 의해 1회 연마면적이 좁기 때문에, 연마 횟수를 늘여야 원하는 광택을 얻을 수 있는 광택을 얻기 위한 소요시간이 길다는 문제점이 있다.However, since the projections formed on the polishing portion of the conventional nail polisher are formed in a planar circle, the contact with the nail is made in point contact due to the circular characteristic, and the polishing area is narrowed once by such point contact, so that the number of times of polishing There is a problem that it takes a long time to obtain a gloss that can be obtained to increase the desired gloss.

또한, 종래의 손톱 광택기는 연마부의 돌기가 원형으로 이루어져 있음으로써, 상기와 같이 연마 횟수가 늘어남에 따른 손톱의 연마를 통한 잔존물 발생을 극대화시켜 주변을 오염시키는 문제점이 있다.In addition, the conventional nail polisher has a problem that it is contaminated by maximizing the generation of residues through the polishing of the nail according to the increase in the number of times of polishing as the protrusion of the polishing portion is made circular.

결국, 종래의 손톱광택기는 광택을 얻기 위한 연마시간이 길다는 문제점과 이로 인해 손톱의 잔존물 발생이 증가되어 주변을 오염시키는 문제점으로 손톱광택기에 대한 제품 신뢰성을 상실시키는 문제점이 있다.As a result, the conventional nail polisher has a problem that the polishing time for obtaining the gloss is long, and thus, the occurrence of residues of the nail is increased, thereby polluting the surroundings, thereby losing product reliability for the nail polisher.

대한민국 공개특허공보 제10-2011-117533호(2011.10.27. 공개)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-117533 (2011.10.27.published) 대한민국 특허공보 제10-1654334호(2016.09.05. 공고)Republic of Korea Patent Publication No. 10-1654334 (2016.09.05. Notification) 대한민국 특허공보 제10-1672526호(2016.10.28. 공고)Republic of Korea Patent Publication No. 10-1672526 (August 28, 2016.)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 제안하는 것으로서, 본 발명의 목적은, 선접촉에 의해 연마면적을 확대시키도록 하는 사각형 또는 다각형을 포함하는 패턴을 구성함으로써, 연마면적의 확대로 인해 연마소요시간을 단축하고, 연마시 발생하는 잔존물에 의한 주변 오염을 최소화하여 손톱광택기에 대한 제품 신뢰성을 향상시키는 광택효율성을 향상시키는 패턴을 가지는 손톱광택기 및 그 손톱광택기의 제조방법을 제공하는 데 있다.As a proposal to solve the above problems, an object of the present invention is to configure a pattern comprising a square or polygon to enlarge the polishing area by line contact, thereby reducing the polishing time due to the expansion of the polishing area. The present invention provides a nail polisher and a method for manufacturing the nail polisher having a pattern for shortening and minimizing surrounding contamination by residues generated during polishing to improve gloss efficiency for improving product reliability for the nail polisher.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 손,발톱의 표면을 연마하여 광택이 이루어나도록 글라스 기판에 패턴이 형성되는 미용기구의 일종인 손톱광택기에 있어서, 상기 패턴은 평면 상을 기준으로 선접촉에 의해 접촉면적을 확대시켜 연마소요시간을 단축할 수 있도록 하는 사각형 또는 다각형상이 50 ~ 80%의 비율로 혼합;되는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, in the nail polisher which is a kind of beauty device in which a pattern is formed on the glass substrate to polish the surface of the hands and toenails, the pattern is based on a plane It is characterized in that the square or polygonal phase is mixed in a proportion of 50 to 80% to increase the contact area by contact to reduce the polishing time.

본 발명은, 손,발톱의 표면을 연마하여 광택이 이루어나도록 글라스 기판에 패턴이 형성되는 미용기구의 일종인 손톱광택기에 있어서, 상기 패턴은 평면 상을 기준으로 원형과, 사각형 또는 다각형이 혼합된 혼합형 패턴;을 포함하는 것이 바람직하다.The present invention, in the nail polisher which is a kind of beauty instruments in which a pattern is formed on the glass substrate to polish the surface of the hands and toenails, the pattern is a circular, square or polygonal mixed on the basis of the plane Mixed pattern; It is preferable to include.

본 발명은, 손,발톱의 표면을 연마하여 광택이 이루어나도록 글라스 기판에 패턴이 형성되는 미용기구의 일종인 손톱광택기에 있어서, 패턴은 평면상을 기준으로 선접촉을 통해 연마소요시간을 단축할 수 있도록 하는 사각형 또는 다각형이 형성된 단독형 패턴;을 포함하는 것이 바람직하다.The present invention, in the nail polisher which is a kind of beauty instruments in which a pattern is formed on the glass substrate to polish the surface of the hands and toenails, the pattern is shortened the polishing time through the line contact on the basis of the plane It is preferable to include; a singular pattern formed with a square or polygon to enable it.

본 발명에 있어서, 패턴의 두께(t)는 글라스 기판의 표면에서 15 ~ 25㎛;로 형성되는 것이 바람직하다.In the present invention, the thickness t of the pattern is preferably formed to be 15 to 25 µm on the surface of the glass substrate.

본 발명은, 손,발톱의 표면을 연마하여 광택이 이루어나도록 글라스에 패턴이 형성되는 미용기구의 일종인 손톱광택기의 제조방법에 있어서, 투과율이 60% 이상이고, 노광 파장이 350nm이상의 글라스 기판을 준비하는 기판 준비단계와; 상기 기판 준비단계를 통해 준비된 기판 상에 금속막을 증착하여 금속막을 형성하는 금속막 형성단계와; 상기 금속막 형성단계를 통해 기판에 일정두께의 금속막 증착 형성이 완료되면, 상기 기판을 세정하는 세정 단계와; 상기 세정 단계를 통해 금속막의 세정이 완료되면, 패턴이 형성된 패턴필름(DFR, Dry Film Resist)을 부착하 패턴필름 부착단계와; 상기 패턴필름 부착단계를 통해 기판 상에 패턴필름이 부착이 완료되면, 상기 기판을 노광기에 올려놓고 자외선을 조사하여 노광공정을 수행하는 노광 단계와; 상기 노광 단계를 통해 노광이 완료되면, 현상공정을 수행하여 1차 패턴을 형성하는 현상 단계와; 상기 현상 단계를 통해 현상공정에 의해 1차 패턴이 완료되면, 금속막 에칭액을 사용하여 2차 패턴을 형성하는 1차 에칭단계와; 상기 1차 에칭단계를 통해 패턴필름이 제거된 기판에 에칭액의 일종인 20 ~ 30% 농도의 불산을 이용하여 에칭함에 따라 상기 기판상에 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 의해 형성되는 패턴이 형성된 글라스를 완성하는 2차 에칭단계와; 상기 2차 에칭단계를 통해 글라스가 완성되면, 상기 글라스의 패턴에 잔존하는 에칭액 또는 기타 잔존물을 제거하도록 하는 세척공정을 수행하는 세척 단계; 및 상기 세척단계를 통해 세척이 완료된 글라스를 본체에 형성된 접착제층을 통해 본체에 글라스가 부착되어, 손톱광택기를 완성하는 부착단계;를 포함하는 것이 바람직하다.The present invention provides a method for manufacturing a nail polisher, which is a type of beauty instrument in which a pattern is formed on the glass to polish the surface of the hands and toenails, the glass substrate having a transmittance of 60% or more and an exposure wavelength of 350 nm or more. Preparing a substrate; A metal film forming step of forming a metal film by depositing a metal film on the substrate prepared through the substrate preparation step; A cleaning step of cleaning the substrate when metal film deposition of a predetermined thickness is completed on the substrate through the metal film forming step; When the cleaning of the metal film is completed through the cleaning step, attaching a pattern film having a pattern (DFR, Dry Film Resist) to attach the pattern film; An exposure step of performing an exposure process by placing the substrate on an exposure machine and irradiating ultraviolet rays when the pattern film is completely attached onto the substrate through the pattern film attaching step; A developing step of forming a primary pattern by performing a developing process when the exposure is completed through the exposure step; A primary etching step of forming a secondary pattern using a metal film etching solution when the primary pattern is completed by the developing process through the developing step; The pattern formed by any one of claims 1 to 3 is formed on the substrate by etching with 20 to 30% of hydrofluoric acid, which is a kind of etching solution, on the substrate from which the pattern film is removed through the first etching step. A secondary etching step of completing the glass; When the glass is completed through the secondary etching step, the cleaning step of performing a cleaning process to remove the etching solution or other residues remaining in the pattern of the glass; It is preferable to include; and the glass is attached to the main body through the adhesive layer formed on the main body of the glass is washed through the cleaning step, the attachment step to complete the nail polisher.

본 발명에 의하면, 선접촉에 의해 연마면적을 확대시키도록 하는 사각형 또는 다각형을 포함하는 패턴을 구성함으로써, 연마면적의 확대로 인해 연마소요시간을 단축하고, 연마시 발생하는 잔존물에 의한 주변 오염을 최소화하여 손톱광택기에 대한 제품 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.According to the present invention, by forming a pattern including a square or a polygon to enlarge the polishing area by line contact, the polishing time is shortened due to the expansion of the polishing area, and the surrounding contamination by the residues generated during polishing is reduced. Minimize the effect of improving product reliability for nail polisher.

도 1은 종래의 손톱광택기의 연마부의 패턴을 도시한 도면.
도 2는 종래의 다른 일례에 따른 손톱광택기의 연마부의 패턴을 도시한 도면.
도 3는 본 발명의 제1실시 예에 따른 손톱광택기의 사시도.
도 4는 본 발명의 제1실시 예에 따른 글라스의 패턴 확대도.
도 5는 본 발명의 제1실시 예에 따른 글라스의 패턴 구성도.
도 6은 본 발명의 제1실시 예에 따른 손톱광택기의 제조공정도.
도 7은 본 발명의 제2실시 예에 따른 글라스의 패턴 확대도.
도 8은 본 발명의 제2실시 예에 따른 글라스의 패턴 구성도.
1 is a view showing a pattern of the polishing unit of the conventional nail polisher.
2 is a view showing a pattern of the polishing unit of the nail polisher according to another conventional example.
3 is a perspective view of the nail polisher according to the first embodiment of the present invention.
Figure 4 is an enlarged view of the pattern of the glass according to the first embodiment of the present invention.
5 is a pattern configuration diagram of the glass according to the first embodiment of the present invention.
6 is a manufacturing process of the nail polisher according to the first embodiment of the present invention.
7 is an enlarged view of a pattern of glass according to a second embodiment of the present invention.
8 is a pattern configuration diagram of a glass according to a second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

<제1실시 예>First Embodiment

제1실시 예의 손톱광택기는, 도 3에 도시된 바와 같이, 본체(10)와, 상기 본체(10)의 일측에 구성되며 글라스로 이루어진 글라스 기판(20) 및 상기 본체(10)에 기판(20)이 안정적으로 고정되도록 하는 접착제층(30)을 포함하고, 상기 글라스 기판(20)에는 일정형태의 패턴(22)이 형성된다.As shown in FIG. 3, the nail polisher of the first embodiment includes a main body 10, a glass substrate 20 formed on one side of the main body 10, and a glass substrate 20 formed on the main body 10. ) Is stably fixed to the adhesive layer 30, and the glass substrate 20 has a pattern 22 having a predetermined shape.

상기 패턴(22)은 손,발톱의 표면을 연마하여 광택을 얻기 위한 연마시간을 단축하고, 손,발톱의 잔존물의 발생이 최소화하여 광택효율성을 향상시키도록 한다.The pattern 22 shortens the polishing time for obtaining gloss by polishing the surface of the hands and toenails, and minimizes the occurrence of residues of the hands and toenails to improve gloss efficiency.

상기 패턴(22)은 도 4에 도시된 바와 같이, 원형 및 정사각형이 복합적으로 배열된 혼합형이다. 이 경우, 상기 패턴(22)의 사각형은 정사각에 한정되지 않고, 직사각 또는 삼각이나 오각과 같은 다각형상으로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 4, the pattern 22 is a mixed type in which circular and square are arranged in a complex manner. In this case, the quadrangle of the pattern 22 is not limited to a square, but may be formed in a polygonal shape such as a rectangle or a triangle or a pentagon.

즉, 상기 혼합형 패턴은 원형으로 구성된 제1열과 사각으로 구성된 제2열이 일정간격 교호되게 구성될 수 있다.That is, the mixed pattern may be configured such that the first column formed in a circle and the second column formed in a quadrangle are alternated at regular intervals.

또한, 상기 혼합형 패턴은 도 5에 도시된 바와 같이, 원형의 지름(d)은 대략150 ~ 250㎛이고, 정사각형의 폭(s)은 100 ~ 250㎛이며, 패턴들 간의 간격(g)은 원형의 지름(d)에 대비하여 80 ~ 150% 비율로 형성됨이 바람직하다.In addition, as shown in FIG. 5, the mixed pattern has a circular diameter d of approximately 150 to 250 μm, a square width s of 100 to 250 μm, and a spacing g between patterns is circular. It is preferably formed at a ratio of 80 to 150% relative to the diameter (d).

이 경우, 상기 원형의 지름(d)이 150㎛ 미만이면 손톱과의 접촉면적이 미미하여 연마기능성이 떨어지고, 250㎛ 초과하면 패턴들 간의 간격에 대한 간섭으로 연마의 기능성이 저하된다.In this case, when the circular diameter d is less than 150 μm, the contact area with the nail is insignificant, and the polishing functionality is inferior. When the diameter d exceeds 250 μm, the functionality of polishing is degraded due to the interference between the patterns.

또한, 상기 정사각형의 폭(s)이 100㎛ 미만이면 손톱과의 접촉면적이 미미하여 연마기능성이 떨어지고, 250㎛ 초과하면 패턴들간의 간격에 대한 간섭과 면적의 확대로 패턴들의 형성관계 조합을 상실시킨다.In addition, when the width (s) of the square is less than 100㎛, the contact area with the nail is insignificant, and the polishing functionality is inferior.If the width is larger than 250㎛, the combination of patterns is lost due to the interference and the enlargement of the area between the patterns. .

또한, 상기 패턴들간의 간격(g)은 80% 미만이면 패턴들과의 간격이 좁아짐에 따라 원활한 연마가 이루어지지 않고, 150% 초과하면 패턴들간의 간격 확대로 패턴들간의 중첩부도 확대되어 연마기능성이 저하된다.In addition, if the gap g between the patterns is less than 80%, smooth grinding is not performed as the gap with the patterns is narrowed. If the gap g is greater than 150%, the overlapping portions between the patterns are enlarged due to the expansion of the gaps between the patterns. Is lowered.

또한, 상기 혼합형 패턴의 두께(t)는 글라스(20)의 표면에서 15 ~ 25㎛로 형성된다. 이 경우, 15㎛ 미만이면 손톱을 연마할 때 발생하는 이물질에 의해 쉽게 메워짐에 따라 연마를 간섭하는 문제점이 있고, 25㎛ 초과하면 패턴의 내구성을 저하시키는 문제점이 있다.In addition, the thickness t of the mixed pattern is formed on the surface of the glass 20 to 15 ~ 25㎛. In this case, if less than 15㎛ there is a problem that interferes with the polishing as it is easily filled by the foreign matter generated when the nail is polished, if it exceeds 25㎛ there is a problem of lowering the durability of the pattern.

또한, 상기 혼합형 패턴은 사각형과 원형의 혼합 비율을 50 ~ 80% 범위로 사각형이 원형보다 많이 분포되도록 함이 바람직하다.In addition, the mixed pattern is preferably such that the square is more than the circular circle in the mixing ratio of the square and the circle 50 to 80% range.

이는, 원형은 종래와 같이 점접촉에 의해 1회 연마면적이 작기 때문에 연마시간이 길다는 문제점이 있고, 이에 반하여, 사각형은 손톱과 선접촉에 의해 연마면적이 원형보다 넓기때문에 연마시간을 단축할 수 있음으로, 원형 및 사각형을 혼합형으로 할 경우 종래의 원형보다는 연마시간을 단축하게 된다.This is a problem in that the round has a long polishing time because the polishing area is small by point contact as in the prior art, whereas the square has a shorter polishing time because the polishing area is larger than the round by the nail and line contact. As a result, when the circular and rectangular shapes are mixed, the polishing time is shorter than that of the conventional circular shape.

또한, 상기 기판(20)에 패턴(22)을 형성하는 방식은 리소그래피방식을 이용한다.In addition, the method of forming the pattern 22 on the substrate 20 uses a lithography method.

상기와 같이 구성되는 손톱광택기의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the manufacturing method of the nail polisher configured as described above are as follows.

본 발명의 손톱광택기는 도 6에 도시된 바와 같이, 기판 준비단계(S1)와, 금속막 형성단계(S2)와, 세정 단계(S3)와, 패턴필름 부착단계(S4)와, 노광 단계(S5)와, 현상 단계(S6)와, 1차 에칭 단계(S7)와, 2차 에칭 단계(S8)와, 세척 단계(S9)및 부착 단계(S10)를 포함한다.As shown in FIG. 6, the nail polisher of the present invention includes a substrate preparation step (S1), a metal film forming step (S2), a cleaning step (S3), a pattern film attaching step (S4), and an exposure step ( S5), a developing step S6, a first etching step S7, a second etching step S8, a cleaning step S9, and an attaching step S10.

상기 기판 준비단계(S1)는 투과율이 60% 이상이고, 노광 파장이 350nm이상의 글라스 기판을 준비한다.In the substrate preparation step S1, a glass substrate having a transmittance of 60% or more and an exposure wavelength of 350 nm or more is prepared.

이 경우, 투과율이 60% 미만이, 노광 파장이 350nm 미만이면 원활한 패턴형성이 이루어지지 않게 된다.In this case, when the transmittance is less than 60% and the exposure wavelength is less than 350 nm, smooth pattern formation is not achieved.

또한, 상기 기판은 한 변이 500mm를 초과하지 않는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the one side does not exceed 500 mm.

또한, 상기 기판은 Quartz, Soda lime 중 어느 하나 임이 바람직하다.In addition, the substrate is preferably any one of Quartz, Soda lime.

상기 금속막 형성단계(S2)는 상기 기판 준비단계(S1)를 통해 준비된 기판 상에 금속막을 증착하여 금속막을 형성한다.The metal film forming step (S2) forms a metal film by depositing a metal film on the substrate prepared through the substrate preparation step (S1).

상기 금속막은 크롬(Cr)임이 바람직하다. 물론, 이에 한정하는 것은 아니며, 규소-몰리브덴(MoSi), 탄탈(Ta) 또는 산화크롬을 이용하여도 무방하다. 상기 규소-몰리브덴은 고온 항산화성을 가지고 있고(산화온도 약 1,700℃), 탄탈은 매우 단단한 은회색 금속 원소로서, 밀도가 크며 녹는점이 대단히 높다.The metal film is preferably chromium (Cr). Of course, the present invention is not limited thereto, and silicon-molybdenum (MoSi), tantalum (Ta), or chromium oxide may be used. The silicon-molybdenum has a high temperature antioxidant (oxidation temperature of about 1,700 ℃), tantalum is a very hard silver gray metal element, a high density and very high melting point.

또한, 상기 금속막은 700Å ~ 11,000Å의 증착두께를 가짐이 바람직하다. 700Å 미만이면 노광 및 에칭과정 중 정밀한 패턴 형성이 이루어지지 않고, 11,000Å 초과하면 금속막 형성효과를 발휘하지 않게 된다.In addition, the metal film preferably has a deposition thickness of 700 kPa to 11,000 kPa. If it is less than 700 GPa, precise pattern formation is not performed during the exposure and etching process, and if it is more than 11,000 GPa, the metal film forming effect is not exhibited.

또한, 상기 금속막은 진공박막 장치, 예컨대 스퍼터링 진공 증착장치를 통해 금속막을 형성함이 바람직하다. 물론, 이에 한정하는 것은 아니며, 기판에 700Å ~ 11,000Å의 두께를 가지는 금속막을 원활하게 증착시킬 수 있는 장치이면 어느 것이든 사용가능하다.In addition, the metal film is preferably formed of a metal film through a vacuum thin film device, such as a sputtering vacuum deposition device. Of course, the present invention is not limited thereto, and any device capable of smoothly depositing a metal film having a thickness of 700 kPa to 11,000 kPa may be used.

상기 세정 단계(S3)는 상기 금속막 형성단계(S2)를 통해 기판에 일정두께의 금속막 증착 형성이 완료되면, 패턴필름의 안정적인 부착을 유도하기 위해 세정한다.In the cleaning step S3, when metal film deposition of a predetermined thickness is completed on the substrate through the metal film forming step S2, the cleaning step S3 is performed to induce stable attachment of the pattern film.

이는, 금속막 표면의 유기물을 용이하게 제거하기 위해 산세정 및 알칼리세정 공정을 진행한다. 물론, 이에 한정하는 것은 아니며, 금속막 표면에 부착되는 패턴필름이 안정적으로 부착될 수 있도록 하는 세정액 또는 세정공정이면 어느 것이든 사용 가능하다.In order to easily remove the organic matter on the surface of the metal film, an acid washing and an alkali washing process are performed. Of course, the present invention is not limited thereto, and any method may be used as long as it is a cleaning liquid or a cleaning process that allows the pattern film to be attached to the metal film surface to be stably attached.

상기 패턴필름 부착단계(S4)는 상기 세정 단계(S3)를 통해 금속막의 세정이 완료되면, 패턴이 형성된 패턴필름(DFR, Dry Film Resist)을 부착하고, 그 위에 투명필름을 부착한다. 상기 투명필름은 패턴필름을 보호하기 위한 수단으로서, 경우에 따라서 생략할 수도 있다.In the pattern film attaching step S4, when the cleaning of the metal film is completed through the cleaning step S3, a pattern film (DFR, dry film resist) having a pattern is attached, and a transparent film is attached thereon. The transparent film is a means for protecting the pattern film, and may be omitted in some cases.

상기 노광 단계(S5)는, 패턴필름 부착단계(S4)를 통해 기판 상에 패턴필름이 부착이 완료되면, 상기 기판을 노광기에 올려놓고 자외선을 조사하여 노광공정을 수행한다.In the exposing step S5, when the attaching the pattern film is completed on the substrate through the attaching the pattern film S4, the substrate is placed on an exposure machine and irradiated with ultraviolet rays to perform an exposure process.

이 경우, 상기 노광공정은 1 : 1 노광방식으로 자외선을 8 ~ 60초간 조사한다.In this case, the exposure step is irradiated with ultraviolet light for 8 to 60 seconds in a 1: 1 exposure method.

상기 현상 단계(S6)는 상기 노광 단계(S5)를 통해 노광이 완료되면, 패턴필름상에 부착된 투명필름을 제거한 후 현상공정을 수행하여 1차 패턴을 형성한다.In the developing step S6, when the exposure is completed through the exposure step S5, the first pattern is formed by removing the transparent film attached to the pattern film and performing a developing process.

이 경우, 현상액은 농도 10% 미만의 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 등의 계열을 이용하여 현상공정을 수행한다.In this case, the developer is developed using a series such as sodium hydroxide (NaOH) or potassium hydroxide (KOH) having a concentration of less than 10%.

상기 1차 에칭단계(S7)는 상기 현상 단계(S6)를 통해 현상공정에 의해 1차 패턴이 완료되면, 금속막 에칭액 예컨대, 금속막이 크롬일 경우 크롬 에칭액을 사용하여 2차 패턴을 형성한다.In the primary etching step S7, when the primary pattern is completed by the developing process through the developing step S6, the secondary pattern is formed by using a metal film etching solution, for example, a chromium etching solution when the metal film is chromium.

이 경우, 상기 2차 패턴이 완료되면, 기판을 세정 및 건조시킨 후 상기 기판에 부착된 패턴필름을 제거한다.In this case, when the secondary pattern is completed, after cleaning and drying the substrate, the pattern film attached to the substrate is removed.

상기 2차 에칭단계(S8)는 상기 1차 에칭단계(S7)를 통해 패턴필름이 제거된 기판을 불산을 이용하여 에칭함에 따라 상기 기판상에 최종 패턴이 형성된 글라스를 완성한다.In the secondary etching step S8, the substrate on which the pattern film is removed is etched using hydrofluoric acid through the primary etching step S7 to complete the glass on which the final pattern is formed.

이 경우, 상기 불산농도는 20 ~ 30% 임이 바람직하다.In this case, the hydrofluoric acid concentration is preferably 20 to 30%.

이를 통해, 패턴(22)은 사각형과 원형이 복합된 혼합형으로 형성된다.Through this, the pattern 22 is formed in a mixed form of a square and a circle.

상기 세척 단계(S9)는 상기 2차 에칭단계(S8)를 통해 기판에 최종 패턴이 식각된 글라스 기판(20)이 완성되면, 상기 글라스 기판(20)의 패턴에 잔존하는 에칭액을 제거하도록 하는 세척공정을 수행한다.In the cleaning step S9, when the glass substrate 20 obtained by etching the final pattern on the substrate is completed through the second etching step S8, the etching solution remaining in the pattern of the glass substrate 20 is removed. Perform the process.

이 경우, 세척공정은 상기 글라스 기판(20)에 황산액을 분사시켜 1차 세척하고, 초음파 세척기를 통해 2차 세척공정을 수행함으로써, 기판의 패턴에 에칭액 또는 기타 이물질 등이 잔존하지 않도록 청정도를 유지하도록 한다.In this case, the cleaning process is performed by spraying sulfuric acid on the glass substrate 20 to perform the first cleaning, and performing a second cleaning process through an ultrasonic cleaner, thereby improving the cleanliness so that etching liquid or other foreign substances do not remain in the pattern of the substrate. Keep it.

상기 2차에 걸친 세척공정을 통해 최종 형성된 패턴에 인체에 유해한 에칭액의 잔존을 방지함에 따라, 상기 잔존 에칭액에 의한 광택간섭뿐만 아니라 손톱 또는 발톱 손질과정 중 손톱 또는 발톱이 상하는 것을 방지하게 된다.By preventing the remaining of the etching solution harmful to the human body in the final formed pattern through the second washing process, as well as the glossy interference by the remaining etching solution as well as to prevent damage to the nail or toenails during the nail or toenail care process.

예컨대, 상기 세척단계(S9)는 1차 세척 및 2차 세척과정을 수행한다.For example, the washing step (S9) performs a first wash and a second wash.

먼저, 1차 세척과정은 지그 상에 글라스 기판(20)을 안착, 고정시키고, 상기 지그의 상방에 위치한 노즐을 통해 세척액이 분사되어 상기 글라스 기판(20)을 세척하게 된다.First, in the first cleaning process, the glass substrate 20 is seated and fixed on the jig, and the cleaning liquid is sprayed through the nozzle located above the jig to clean the glass substrate 20.

이 경우, 상기 지그는 진공압을 발생시켜, 상기 지그 상에 안착된 글라스 기판(20)을 고정시킨다.In this case, the jig generates a vacuum pressure to fix the glass substrate 20 seated on the jig.

또한, 상기 노즐은 0.05 ~ 0.2mm의 미세공이 형성되어, 세정액의 분사가 원활하게 이루어짐과 동시에 미세공에 의한 분사압이 증폭되어 글라스 기판(20)의 정밀한 패턴들 사이들에 잔존하는 잔존물의 세척이 용이하게 이루어진다.In addition, the nozzle is a fine hole of 0.05 ~ 0.2mm is formed, the injection of the cleaning liquid is made smoothly and the injection pressure by the fine hole is amplified to wash the remaining residue between the precise patterns of the glass substrate 20 This is done easily.

이 경우, 상기 노즐의 미세공은 레이저가공을 통해 가공함이 바람직하다.In this case, the micropores of the nozzle is preferably processed by laser processing.

이어서, 2차 세척과정은 상기 지그 및 노즐을 반전시켜, 상기 지그가 상방에 위치되고, 노즐이 하방에 위치되도록 한다.Subsequently, the secondary cleaning process reverses the jig and the nozzle so that the jig is positioned upward and the nozzle is positioned downward.

이에 따라, 하방의 노즐에서 분사되는 세정액이 지그의 하단에 고정된 글라스 기판(20)의 표면을 세척하게 되고, 이렇게 분사된 세정액은 자유낙하로 하방으로 낙하되면서 글라스 기판(20)의 패턴들 사이의 잔존물을 함께 탈락시키게 된다.Accordingly, the cleaning liquid sprayed from the lower nozzle cleans the surface of the glass substrate 20 fixed to the lower end of the jig, and the sprayed cleaning liquid falls freely and falls downwardly between the patterns of the glass substrate 20. The residues of are eliminated together.

특히, 상기 지그에는 진동자에 위한 진동이 함께 가해짐으로써, 노즐의 세정액의 분사압에 의한 세척 및 진동자의 진동에 의해 글라스 기판(20)에 형서된 패턴들 사이에 잔존하는 잔존물이 용이하게 탈락시킴으로써, 글라스 기판(20)에 대한 세척효율을 향상시킨다.In particular, the jig is applied with vibration for the vibrator, so that the residues remaining between the patterns formed on the glass substrate 20 by washing by the injection pressure of the cleaning liquid of the nozzle and vibration of the vibrator are easily dropped. In addition, the cleaning efficiency of the glass substrate 20 is improved.

부착단계(S10)는, 상기 세척 단계(S9)를 통해 세척이 완료된 글라스 기판(20)을 기제조된 본체(10)에 접착제층(30)을 부착, 고정시킴으로써, 손톱광택기가 완성된다.Attaching step (S10), the nail polisher is completed by attaching and fixing the adhesive layer 30 to the main body 10, the glass substrate 20 has been cleaned through the cleaning step (S9).

상기 본체(10) 및 접착제층(30)은 글라스 기판(20)이 제조되기 전에 선행하여 제조된 상태이다.The body 10 and the adhesive layer 30 are previously manufactured before the glass substrate 20 is manufactured.

한편, 상기와 같은 방식을 통해 패턴이 형성된 글라스 기판을 손톱광택기로 사용할 수도 있고, 바람직하게는, 글라스 기판에 형성된 최종 패턴을 스크라이브 장치를 통하여 일정부분을 잘라내어 기본틀에 합본함으로써, 완전한 손톱광택기가 완성한 후 사용한다.On the other hand, the glass substrate having a pattern formed through the above-described method may be used as a nail polisher, and preferably, the final pattern formed on the glass substrate is cut out through a scribing device and joined to the base frame, thereby providing a perfect nail polisher. Use after completion.

<제2실시 예>Second Embodiment

제1실시 예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.The same reference numerals are used for the same components as those in the first embodiment, and detailed description thereof will be omitted.

제2실시 예의 글라스 기판(20)에는 도 7에 도시된 바와 같이, 정사각형으로만 이루어진 단독형 패턴(24)이 형성된다.In the glass substrate 20 of the second embodiment, as shown in FIG. 7, a single pattern 24 formed of only a square is formed.

또한, 상기 단독형 패턴(24)은 도 8에 도시된 바와 같이, 정사각형의 폭(s)은 100 ~ 250㎛이며, 패턴들 간의 간격(g)은 정사각형의 폭(s)에 대비하여 80 ~ 150% 비율로 형성됨이 바람직하다.In addition, the single-shaped pattern 24, as shown in Figure 8, the width (s) of the square is 100 ~ 250㎛, the interval (g) between the pattern is 80 ~ compared to the width (s) of the square It is preferable to form in 150% ratio.

또한, 상기 단독형 패턴(24)의 두께(t)는 15 ~ 25㎛로 형성된다. 이 경우, 15㎛ 미만이면 손톱을 연마할 때 발생하는 이물질에 의해 쉽게 메워짐에 따라 연마를 간섭하는 문제점이 있고, 25㎛ 초과하면 패턴의 내구성을 저하시키는 문제점이 있다.In addition, the thickness t of the singular pattern 24 is formed to be 15 to 25㎛. In this case, if less than 15㎛ there is a problem that interferes with the polishing as it is easily filled by the foreign matter generated when the nail is polished, if it exceeds 25㎛ there is a problem of lowering the durability of the pattern.

즉, 제1실시 예는 평면상을 기준으로 원형 및 사각형상이 일정비율로 혼합된 혼합형 패턴(22)이고, 제2실시 예는 사각형상만으로 이루어진 단독형 패턴(24)이다.That is, the first embodiment is a mixed pattern 22 in which circular and square shapes are mixed at a predetermined ratio with respect to a planar shape, and the second embodiment is a single pattern 24 having only a rectangular shape.

상기와 같이 구성된 제1실시 예에 따른 혼합형 패턴(패턴 1) 및 제2실시 예에 따른 단독형 패턴(패턴 2)에 대한 소비자들을 상대로 비교분석 하였다.The comparative analysis was performed with respect to consumers for the mixed pattern (pattern 1) according to the first embodiment and the single pattern (pattern 2) according to the second embodiment.

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Figure 112017050454493-pat00002
Figure 112017050454493-pat00003
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Figure 112017050454493-pat00002
Figure 112017050454493-pat00003

위의 도표를 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 혼합형 패턴 즉, 패턴 1은 기존 원형 패턴보다 손톱 광택을 내는 과정의 거칠기가 작으며, 광택을 내는 소요시간이 짧다.As can be seen from the diagram above, the mixed pattern, that is, pattern 1 has a smaller roughness of the nail polish process than the existing circular pattern, and takes a short time to polish.

즉, 원형 패턴의 경우 광택을 내는 소요시간이 100 ~ 150초 정도 소요되었으며, 패턴 1의 경우 50 ~ 70초 정도로 소요시간을 단축하였다.That is, in the case of the circular pattern, the time required for the gloss was about 100 to 150 seconds, and in the case of the pattern 1, the required time was shortened to about 50 to 70 seconds.

상기 패턴 2는 기존 원형 패턴보다 손톱 광택을 내는 과정의 거칠기가 가장 부드러우며 분진 즉, 손톱의 잔존물이 거의 나타나지 않으며, 광택을 내는 소요시간이 20 ~ 40초 정도로, 광택을 내는 소요시간이 가장 짧다.The pattern 2 has the smoothest roughness of the nail polish process than the existing circular pattern, and almost no dust, that is, the residue of the nail, the time required for the gloss is about 20 to 40 seconds, the time required to polish the shortest .

또한, 상기 패턴 1은 광택효과가 기존의 원형과 패턴 2보다 월등히 광택효과가 뛰어났다.In addition, the pattern 1 has a gloss effect superior to that of the conventional round and pattern 2, the gloss effect is excellent.

또한, 상기 패턴 2는 광택의 소요시간이 가장 짧으면서 손톱의 스크래치가 나지 않았다.In addition, the pattern 2 did not scratch the nail while the time required for gloss was shortest.

또한, 패턴 1 및 2를 통해 실제 시연한 사진이다.It is also a photograph that is actually demonstrated through patterns 1 and 2.

<패턴 1에 대한 현미경으로 찍은 사진><Microscopic picture of pattern 1>

Figure 112017050454493-pat00004
Figure 112017050454493-pat00004

<패턴 1에 의해 손톱을 광택낸 사진><Photo polished nail by pattern 1>

Figure 112017050454493-pat00005
Figure 112017050454493-pat00005

<패턴 2에 대한 현미경으로 찍은 사진><Microscopic picture of pattern 2>

Figure 112017050454493-pat00006
Figure 112017050454493-pat00006

<패턴 2에 의해 손톱을 광택낸 사진><Photo polished nail by pattern 2>

Figure 112017050454493-pat00007
Figure 112017050454493-pat00007

<제3실시 예>Third Embodiment

제1 내지 제2실시 예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the first to second embodiments, and detailed descriptions thereof will be omitted.

제3실시 예의 글라스 기판(20)에는 도 9에 도시된 바와 같이, 마름모 또는 평행사변형으로만 이루어진 단독형 패턴(24)이 형성된다.As shown in FIG. 9, the glass substrate 20 of the third exemplary embodiment is provided with a single pattern 24 made of only a rhombus or a parallelogram.

즉, 패턴(24)이 직선형으로 형성됨으로써, 접촉면적 확대로 인한 손톱광택에 대한 광택시간을 단축하여 사용의 편리성 및 효율성이 향상되도록 한다.That is, since the pattern 24 is formed in a straight shape, the gloss time for nail polish due to the enlarged contact area is shortened, so that convenience and efficiency of use are improved.

이상에서 설명한 것은 광택효율성을 향상시키는 패턴을 가지는 손톱광택기 및 그 손톱광택기의 제조방법을 실시하기 위한 하나의 실시 예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니한다. 본 발명에 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 다양한 변경실시가 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.What has been described above is only one embodiment for performing a nail polisher having a pattern for improving gloss efficiency and a method for manufacturing the nail polisher, and the present invention is not limited to the above-described embodiment. Those skilled in the art will appreciate that various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.

10: 본체 20: 기판
22: 패턴 24: 단독형 패턴
30: 접착제층
10: main body 20: substrate
22: pattern 24: single pattern
30: adhesive layer

Claims (5)

손,발톱의 표면을 연마하여 광택이 이루어나도록 글라스에 패턴이 형성되는 미용기구의 일종인 손톱광택기의 제조방법에 있어서,
투과율이 60% 이상이고, 노광 파장이 350nm이상의 글라스로 이루어진 글라스 기판을 준비하는 기판 준비단계(S1)와;
준비된 글라스 기판 상에 700Å ~ 11,000Å 두께의 금속막을 증착하여 글라스 기판에 금속막을 형성하는 금속막 형성단계(S2)와;
글라스 기판에 금속막이 형성되면, 금속막 표면의 유기물을 용이하게 제거하기 위해 글라스 기판을 산세정 및 알칼리세정하는 세정 단계(S3)와;
글라스 기판의 세정이 완료되면, 패턴이 형성된 패턴필름(DFR, Dry Film Resist)을 금속막에 부착하는 패턴필름 부착단계(S4)와;
패턴필름이 부착된 글라스 기판을 노광기에 올려놓고 패턴필름에 자외선을 8~60초간 조사하는 노광 단계(S5)와;
노광이 완료되면, 농도가 10wt% 미만인 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 계열의 현상액을 이용하여 패턴필름을 현상하여 금속막에 패턴필름으로 이루어진 1차 패턴을 형성하는 현상 단계(S6)와;
금속막에 1차 패턴이 형성되면, 금속막 에칭액을 사용하여 금속막을 에칭하여 글라스 기판에 금속막으로 이루어진 2차 패턴이 형성되도록 하고, 글라스 기판을 세정 및 건조시킨 후 패턴필름을 제거하는 1차 에칭단계(S7)와;
패턴필름이 제거된 글라스 기판을 20 ~ 30wt% 농도의 불산으로 에칭하여 상기 2차 패턴과 동일한 패턴이 형성된 글라스 기판을 형성하는 2차 에칭단계(S8)와;
글라스 기판에 패턴이 형성되면 상기 글라스 기판의 패턴에 잔존하는 에칭액 또는 기타 잔존물을 제거할 수 있도록 세척공정을 수행하되, 상기 글라스 기판의 패턴 형성면에 황산액을 분사시켜 1차 세척한 후, 상기 글라스 기판의 패턴 형성면이 아래쪽을 향하도록 한 상태에서 상기 글라스 기판을 진동시키면서 글라스 기판의 아래쪽으로 세정액을 분사하여 2차 세척이 이루어지도록 하는 세척 단계(S9); 및
글라스 기판의 세척이 완료되면 본체에 형성된 접착제층을 통해 본체에 글라스 기판을 부착하여 손톱광택기를 완성하는 부착단계(S10);를 포함하고,
상기 패턴은 원형과 사각형 또는 다각형이 혼합된 혼합형 패턴 또는 사각형 또는 다각형 중 어느 하나만 형성된 단독형 패턴 중 어느 하나이고, 상기 패턴의 두께는 15 ~ 25㎛인 것을 특징으로 하는 손톱광택기의 제조방법.
In the method of manufacturing a nail polisher, which is a kind of beauty device in which a pattern is formed on the glass to polish the surface of the hands and toenails,
A substrate preparation step (S1) for preparing a glass substrate made of glass having a transmittance of 60% or more and an exposure wavelength of 350 nm or more;
A metal film forming step (S2) of forming a metal film on the glass substrate by depositing a metal film having a thickness of 700 Å to 11,000 상 에 on the prepared glass substrate;
When the metal film is formed on the glass substrate, the cleaning step (S3) for pickling and alkali cleaning the glass substrate to easily remove the organic material on the surface of the metal film;
When the cleaning of the glass substrate is completed, the pattern film attaching step (S4) for attaching a pattern film (DFR, Dry Film Resist) pattern is formed on the metal film;
An exposure step (S5) of placing a glass substrate with a pattern film on the exposure machine and irradiating ultraviolet rays to the pattern film for 8 to 60 seconds;
After the exposure is completed, a development step of forming a primary pattern of a pattern film on a metal film by developing a pattern film using a developer having a sodium hydroxide (NaOH) or potassium hydroxide (KOH) series having a concentration of less than 10wt% (S6). Wow;
When the primary pattern is formed on the metal film, the metal film is etched using a metal film etching solution to form a secondary pattern made of a metal film on the glass substrate, and the primary film is cleaned and dried to remove the pattern film. Etching step (S7);
A second etching step (S8) of etching the glass substrate from which the pattern film is removed with hydrofluoric acid at a concentration of 20 to 30 wt% to form a glass substrate having the same pattern as the secondary pattern;
When the pattern is formed on the glass substrate, a cleaning process is performed to remove the etchant or other residues remaining on the pattern of the glass substrate, but after the primary cleaning by spraying sulfuric acid on the pattern formation surface of the glass substrate, A washing step (S9) of spraying a cleaning solution toward the lower side of the glass substrate while vibrating the glass substrate in a state in which the pattern formation surface of the glass substrate faces downward (S9); And
When the cleaning of the glass substrate is completed by attaching the glass substrate to the body through the adhesive layer formed on the main body to complete the nail polisher (S10); and
The pattern is any one of a mixed pattern formed by mixing a circle and a square or a polygon or a single pattern formed of only one of a rectangle or a polygon, the thickness of the pattern is a method of manufacturing a nail polisher, characterized in that 15 ~ 25㎛.
제1항에 있어서,
상기 혼합형 패턴은 각형 또는 다각형상이 50 ~ 80%의 비율로 혼합된 것을 특징으로 하는 손톱광택기의 제조방법.
The method of claim 1,
The mixed pattern is a method of manufacturing a nail polisher, characterized in that the mixture of the rectangular or polygonal shape in the proportion of 50 to 80%.
제1항 또는 제2항에 기재된 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 광택효율성을 향상시키는 패턴을 가지는 손톱광택기.It is produced by the method of Claim 1 or 2, The nail polisher which has a pattern which improves gloss efficiency. 삭제delete 삭제delete
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