KR102027902B1 - Ultraviolet light-emitting device - Google Patents

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Abstract

실시 예는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 서로 이격되어 배치되는 복수의 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 복수의 제2 도전형 반도체층 사이에 각각 배치되는 복수의 활성층을 포함하는 복수의 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 복수의 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치되고, 상기 복수의 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 제2 전극을 포함하고, 상기 복수의 발광 구조물 사이의 최소 이격 거리는 상기 복수의 발광 구조물의 최소 폭보다 작고, 상기 제1 전극은 상기 복수의 발광 구조물 사이로 연장되는 복수 개의 제1 전극 라인을 포함하는 자외선 발광 소자를 개시한다.Embodiments include a substrate; A first conductivity type semiconductor layer disposed on the substrate; A plurality of second conductive semiconductor layers spaced apart from each other on the first conductive semiconductor layer, and a plurality of active layers respectively disposed between the first conductive semiconductor layer and the plurality of second conductive semiconductor layers. A plurality of light emitting structures; A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer and electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And a plurality of second electrodes disposed on the plurality of second conductive semiconductor layers, respectively, and electrically connected to the plurality of second conductive semiconductor layers, respectively, wherein the minimum distance between the plurality of light emitting structures is Disclosed is an ultraviolet light emitting device comprising a plurality of first electrode lines smaller than a minimum width of the plurality of light emitting structures, wherein the first electrode extends between the plurality of light emitting structures.

Description

자외선 발광 소자{Ultraviolet light-emitting device}Ultraviolet light-emitting device

실시예는 자외선 발광 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to an ultraviolet light emitting device.

발광 다이오드(Light-Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다. Light-emitting diodes (LEDs) are semiconductor light emitting devices that convert current into light.

반도체 발광 소자는 고 휘도를 갖는 광을 얻을 수 있어, 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 폭넓게 사용되고 있다.BACKGROUND ART A semiconductor light emitting device can obtain light having high luminance, and is widely used as a light source for a display, a light source for an automobile, and a light source for an illumination.

최근 들어, 자외선을 출력할 수 있는 자외선 발광 소자가 제안되었다.Recently, an ultraviolet light emitting device capable of outputting ultraviolet rays has been proposed.

자외선 광은 자외선 발광 소자의 외부로 출사되기도 하지만, 많은 양의 자외선 광이 외부로 출사되지 못하고 자외선 발광 소자 내부에서 흡수되거나 소멸되므로, 광 추출 효율이 낮은 문제가 있다. Ultraviolet light is emitted to the outside of the ultraviolet light emitting device, but a large amount of ultraviolet light is not emitted to the outside and absorbed or extinguished inside the ultraviolet light emitting device, there is a problem of low light extraction efficiency.

자외선 광의 대부분은 활성층의 면을 따라 측방향으로 진행하는 TM 편광이다. Most of the ultraviolet light is TM polarized light that runs laterally along the surface of the active layer.

하지만, 자외선 발광 소자의 측면의 사이즈 제한으로 인해 TM 편광의 외부로 출사시키는 볼륨(volume)에 한계가 있다. However, due to the size limitation of the side surface of the ultraviolet light emitting device, there is a limit in the volume emitted to the outside of the TM polarized light.

아울러, 플립형 자외선 발광 소자의 경우, 그 구조적인 제약으로 인해 전류의 집중으로 인해 균일한 광 효율을 얻기가 어렵다.In addition, in the flip type ultraviolet light emitting device, due to its structural constraints, it is difficult to obtain uniform light efficiency due to concentration of current.

실시예는 발광 구조물의 측면의 볼륨을 극대화하여, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 자외선 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides an ultraviolet light emitting device capable of maximizing the volume of the side surface of the light emitting structure, thereby improving light extraction efficiency.

실시예는 전류의 집중을 분산시켜, 균일한 광 효율을 얻을 수 있는 자외선 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides an ultraviolet light emitting device capable of distributing the concentration of current to obtain uniform light efficiency.

본 발명의 일 특징에 따른 자외선 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 서로 이격되어 배치되는 복수의 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 복수의 제2 도전형 반도체층 사이에 각각 배치되는 복수의 활성층을 포함하는 복수의 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 복수의 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치되고, 상기 복수의 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 복수의 활성층 및 상기 복수의 제2 도전형 반도체층은 알루미늄을 포함하고, 상기 활성층은 자외선 광을 생성하고, 상기 자외선 광의 TM 편광의 광 추출 효율이 증가되도록 발광 구조물의 측면의 볼륨을 증가시키기 위해서, 상기 복수의 발광 구조물은 각각 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 이격 배치되고, 상기 복수의 발광 구조물 사이의 상기 제2 방향의 이격 거리는 상기 복수의 발광 구조물의 제2 방향의 폭보다 작고, 상기 복수의 발광 구조물 각각은 상기 제1 방향의 제1 폭이 상기 제2 방향의 제2 폭보다 크고, 상기 제1 전극은 상기 복수의 발광 구조물 사이로 연장되는 복수의 제1 수평 전극 라인을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 복수의 발광 구조물 상에 각각 배치된 복수의 제2 수평 전극 라인을 포함하고, 상기 복수의 발광 구조물 각각은 상기 제1 방향의 양 끝에 배치된 일단 및 타단을 포함하고, 상기 기판은 상기 제1 방향으로 연장된 제1 측면 및 제2 측면, 상기 제2 방향으로 연장된 제3 측면 및 제4 측면을 포함하고, 상기 발광 구조물의 일단과 상기 기판의 제3 측면 사이의 제1 방향의 이격 거리는 상기 발광 구조물의 타단과 상기 기판의 제4 측면 사이의 제1 방향의 이격 거리보다 크다.
상기 발광 구조물 각각은 사각 형상의 상면, 제1 방향으로 연장된 제1 측면 및 제2 측면, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장된 제3 측면 및 제4 측면을 포함하고, 상기 발광 구조물의 제1 측면 및 제2 측면의 제1 방향 길이는 상기 발광 구조물의 제3 측면 및 제4 측면의 제2 방향 길이보다 길고, 상기 복수의 발광 구조물은 상기 제2 방향으로 이격 배치되고, 상기 복수의 제2 전극은 상기 제2 방향으로 이격 배치되고, 상기 활성층은 상기 발광 구조물의 제1 내지 제4 측면으로 노출될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층은 상기 복수의 발광 구조물 사이에서 노출되는 제1 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 제2 방향으로 연장된 제1 수직 전극 라인을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극의 제1 수직 전극 라인은 상기 복수의 발광 구조물과 상기 제1 방향으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 수직 전극 라인은 상기 복수의 제1 수평 전극 라인과 연결될 수 있다.
상기 제1 수평 전극 라인의 제1 방향 길이는 상기 발광 구조물의 제1방향 길이보다 길 수 있다.
상기 제1 수평 전극 라인과 상기 발광 구조물 사이의 제2 방향 거리는 상기 제1 수평 전극 라인의 제2 방향 폭보다 작을 수 있다.
상기 제1 수평 전극 라인과 상기 발광 구조물 사이의 상기 제2 방향의 최소 거리는 5um 이상 내지 15um 이하일 수 있다.
상기 기판은 상기 기판의 제1측면을 이등분한 지점과 상기 기판의 제2측면을 이등분한 지점을 연결한 가상선을 기준으로 일측에 배치되는 제1영역 및 타측에 배치되는 제2영역을 포함하고, 상기 복수의 발광 구조물의 일단은 모두 상기 기판의 제1영역에 배치되고, 상기 복수의 발광 구조물의 타단은 모두 상기 기판의 제2영역 상에 배치되고, 상기 기판은 투광성 기판일 수 있다.
상기 복수의 제2 전극 각각은 상기 제1 방향으로 연장된 모서리와 상기 제2 방향으로 연장된 모서리를 구비하고, 상기 제1 방향으로 연장된 모서리의 제1 방향의 길이가 상기 제2 방향으로 연장된 모서리의 제2 방향의 길이보다 큰 상면을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 자외선 발광소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 복수의 활성층 및 상기 복수의 활성층 상에 각각 배치되는 복수의 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 복수의 활성층 및 상기 복수의 제2 도전형 반도체층은 알루미늄을 포함하고, 상기 활성층은 자외선 광을 생성하고, 상기 자외선 광의 TM 편광의 광 추출 효율이 증가되도록 발광구조물의 측면의 볼륨을 증가시키기 위해서, 상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역, 상기 복수의 활성층의 측면, 및 상기 복수의 제2 도전형 반도체층의 측면이 노출되는 리세스를 포함하고, 상기 리세스는 상기 발광 구조물을 이격시키는 그루브 영역을 포함하고, 상기 복수의 제2 도전형 반도체층의 상면은 각각 사각 형상을 갖고, 상기 사각 형상의 최소 폭은 상기 그루브의 최소 폭보다 크고, 상기 사각 형상은 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 이격 배치되고, 상기 제2 전극은 상기 복수의 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치된 복수의 제2 수평 전극 라인을 포함하고, 상기 복수의 제2 수평 전극 라인은 각각 상기 제1 방향의 양 끝에 배치된 일단 및 타단을 포함하고, 상기 기판은 상기 제1 방향으로 연장된 제1측면 및 제2측면, 상기 제2 방향으로 연장된 제3측면 및 제4측면을 포함하고, 상기 제2 수평 전극 라인의 일단과 상기 기판의 제3 측면 사이의 제1 방향의 이격 거리는 상기 제2 수평 전극 라인의 타단과 상기 기판의 제4 측면 사이의 제1 방향의 이격 거리보다 크다.
상기 제1 전극은 상기 제2 방향으로 연장된 제1 수직 전극 라인을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극의 제1 수직 전극 라인은 상기 발광 구조물과 상기 제1 방향으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 그루브 영역에 배치되는 복수의 제1 수평 전극 라인을 포함할 수 있다.
상기 제1 수평 전극 라인의 제1 방향 길이는 상기 발광 구조물의 제1 방향 길이보다 길 수 있다.
상기 제1 수평 전극 라인과 상기 발광 구조물 사이의 제2 방향 거리는 상기 전극 라인의 제2 방향 폭보다 작을 수 있다.
상기 복수 개의 사각 형상의 제2 방향 간격은 동일할 수 있다.
상기 기판에서 상기 활성층의 상면까지의 수직 거리는 상기 기판에서 상기 제1 전극까지의 수직 거리보다 길 수 있다.An ultraviolet light emitting device according to one aspect of the invention, the substrate; A first conductivity type semiconductor layer disposed on the substrate; A plurality of second conductive semiconductor layers spaced apart from each other on the first conductive semiconductor layer, and a plurality of active layers respectively disposed between the first conductive semiconductor layer and the plurality of second conductive semiconductor layers. A plurality of light emitting structures; A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer and electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And a plurality of second electrodes disposed on the plurality of second conductive semiconductor layers, respectively, and electrically connected to the plurality of second conductive semiconductor layers, respectively. In order to increase the volume of the side of the light emitting structure so that the active layer of the and the plurality of second conductive semiconductor layer comprises aluminum, the active layer generates ultraviolet light, and the light extraction efficiency of the TM polarization of the ultraviolet light is increased, The plurality of light emitting structures respectively extend in a first direction and are spaced apart in a second direction perpendicular to the first direction, and the separation distance in the second direction between the plurality of light emitting structures is the second of the plurality of light emitting structures. Is smaller than a width in a direction, each of the plurality of light emitting structures has a first width in the first direction greater than a second width in the second direction, and the first electrode is formed in the plurality of light emitting structures. A plurality of first horizontal electrode lines extending between the light structures, wherein the second electrode comprises a plurality of second horizontal electrode lines respectively disposed on the plurality of light emitting structures, each of the plurality of light emitting structures One end and the other end disposed at both ends in a first direction, and the substrate includes first and second sides extending in the first direction, third and fourth sides extending in the second direction; The separation distance in the first direction between one end of the light emitting structure and the third side surface of the substrate is greater than the separation distance in the first direction between the other end of the light emitting structure and the fourth side surface of the substrate.
Each of the light emitting structures includes a top surface having a rectangular shape, a first side surface and a second side surface extending in a first direction, and a third side surface and a fourth side surface extending in a second direction perpendicular to the first direction. The first direction length of the first side and the second side of the structure is longer than the second direction length of the third side and the fourth side of the light emitting structure, and the plurality of light emitting structures are spaced apart in the second direction, and A plurality of second electrodes may be spaced apart in the second direction, and the active layer may be exposed to the first to fourth side surfaces of the light emitting structure.
The first conductivity type semiconductor layer may include a first region exposed between the plurality of light emitting structures.
The first electrode may include a first vertical electrode line extending in the second direction.
The first vertical electrode line of the first electrode may overlap the plurality of light emitting structures in the first direction.
The first vertical electrode line may be connected to the plurality of first horizontal electrode lines.
The first direction length of the first horizontal electrode line may be longer than the first direction length of the light emitting structure.
A second direction distance between the first horizontal electrode line and the light emitting structure may be smaller than a second width of the first horizontal electrode line.
The minimum distance in the second direction between the first horizontal electrode line and the light emitting structure may be 5 μm or more and 15 μm or less.
The substrate may include a first region disposed on one side and a second region disposed on the other side based on an imaginary line connecting a bisected point of the first side of the substrate and a bisected point of the second side of the substrate. One end of the plurality of light emitting structures may be disposed in a first region of the substrate, and all other ends of the plurality of light emitting structures may be disposed on a second region of the substrate, and the substrate may be a light transmissive substrate.
Each of the plurality of second electrodes has an edge extending in the first direction and an edge extending in the second direction, and the length of the first direction of the edge extending in the first direction extends in the second direction. It may have an upper surface larger than the length in the second direction of the corner.
UV light emitting device according to another embodiment of the present invention, the substrate; A light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer disposed on the substrate, a plurality of active layers disposed on the first conductive semiconductor layer, and a plurality of second conductive semiconductor layers disposed on the plurality of active layers, respectively. ; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer. Wherein the first conductive semiconductor layer, the plurality of active layers, and the plurality of second conductive semiconductor layers comprise aluminum, the active layer generates ultraviolet light, and the light extraction efficiency of TM polarization of the ultraviolet light. In order to increase the volume of the side surfaces of the light emitting structure such that the light emitting structure is increased, a portion of the first conductive semiconductor layer, side surfaces of the plurality of active layers, and side surfaces of the plurality of second conductive semiconductor layers are exposed. The recess includes a groove region spaced apart from the light emitting structure, wherein the top surfaces of the second conductive semiconductor layers each have a quadrangular shape, and the minimum width of the quadrangular shape is the groove. Is greater than a minimum width of the square shape and extends in a first direction, and is spaced apart in a second direction perpendicular to the first direction, wherein the second electrode is disposed in the A plurality of second horizontal electrode lines respectively disposed on the plurality of second conductive semiconductor layers, each of the plurality of second horizontal electrode lines including one end and the other end disposed at both ends of the first direction, The substrate includes a first side surface and a second side surface extending in the first direction, a third side surface and a fourth side surface extending in the second direction, and one end of the second horizontal electrode line and a third side of the substrate. The separation distance in the first direction between the side surfaces is greater than the separation distance in the first direction between the other end of the second horizontal electrode line and the fourth side surface of the substrate.
The first electrode may include a first vertical electrode line extending in the second direction.
The first vertical electrode line of the first electrode may overlap the light emitting structure in the first direction.
The first electrode may include a plurality of first horizontal electrode lines disposed in the groove area.
The first direction length of the first horizontal electrode line may be longer than the first direction length of the light emitting structure.
The second direction distance between the first horizontal electrode line and the light emitting structure may be smaller than the second direction width of the electrode line.
The second direction intervals of the plurality of quadrangular shapes may be the same.
The vertical distance from the substrate to the top surface of the active layer may be longer than the vertical distance from the substrate to the first electrode.

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실시예는 종래의 전류 집중을 분산시켜 전류 스프레딩 효과를 얻을 수 있고, 이러한 전류 스프레딩 효과에 의해 균일한 광 효율을 얻을 수 있다.The embodiment can obtain a current spreading effect by dispersing a conventional current concentration, and can obtain a uniform light efficiency by this current spreading effect.

실시예는 다수의 수직 구조물과 다수의 수평 구조물에 의해 활성층의 측면의 볼륨을 극대화시켜, 자외선 광의 대부분을 차지하고 측방향으로 진행되는 광을 최대한 활성층의 측방향으로 외부로 추출되도록 하여, 광 추출 효율을 현저히 향상시킬 수 있다. The embodiment maximizes the volume of the side surface of the active layer by a plurality of vertical structures and a plurality of horizontal structures, so that light that takes up most of the ultraviolet light and proceeds laterally to the outside of the active layer is extracted to the outside as much as possible, so as to extract light efficiently. Can be significantly improved.

실시예는 제1 수평 전극 라인과 수평 구조물 사이의 간격을 5㎛ 내지 15㎛가 되도록 설정함으로써, 전류 스프레딩 효과를 증대시켜 보다 균일한 광 효율을 얻을 수 있다. In the embodiment, by setting the interval between the first horizontal electrode line and the horizontal structure to be 5 μm to 15 μm, the current spreading effect can be increased to obtain more uniform light efficiency.

도 1은 제1 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2는 도1의 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 3은 전류의 흐름을 도시한 도면이다.
도 4a는 수평 구조물을 상세히 도시한 단면도이다.
도4b는 도 4a서 전극과 수평 구조물 사이의 간격에 따른 전류 밀도를 도시한 그래프이다.
도 5는 전극과 수평 구조물 사이의 간격에 따른 전류 밀도 차이를 도시한 그래프이다.
도 6은 제2 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 7은 제3 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 8은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a flip type ultraviolet light emitting device according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the flip type ultraviolet light emitting device of FIG. 1.
3 is a diagram illustrating the flow of current.
4A is a cross-sectional view illustrating in detail the horizontal structure.
4B is a graph showing the current density according to the distance between the electrode and the horizontal structure in FIG. 4A.
5 is a graph showing a difference in current density according to the distance between the electrode and the horizontal structure.
6 is a plan view illustrating a flip type ultraviolet light emitting device according to a second embodiment.
7 is a plan view illustrating a flip type ultraviolet light emitting device according to a third embodiment.
8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.

발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the invention, in the case where it is described as being formed on the "top" or "bottom" of each component, the top (bottom) or the bottom (bottom) means that the two components It includes both direct contact or one or more other components disposed between and formed between the two components. In addition, when expressed as "up (up) or down (down)" may include the meaning of the down direction as well as the up direction based on one component.

도 1은 제1 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이고, 도 2는 도1의 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a flip type ultraviolet light emitting device according to a first embodiment, and FIG. 2 is a cross sectional view illustrating the flip type ultraviolet light emitting device of FIG. 1.

도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자(10)는 기판(11), 발광 구조물(20), 반사층(45) 및 제1 및 제2 전극(21, 23, 33)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the flip type ultraviolet light emitting device 10 according to the first embodiment includes a substrate 11, a light emitting structure 20, a reflective layer 45, and first and second electrodes 21, 23, and 33. It may include.

상기 발광 구조물(20)은 제1 도전형 반도체층(15), 활성층(17) 및 제2 도전형 반도체층(19)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting structure 20 may include, but is not limited to, a first conductive semiconductor layer 15, an active layer 17, and a second conductive semiconductor layer 19.

제1 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자(10)는 상기 기판(11)과 상기 제1 도전형 반도체층(15) 사이의 격자 상수 차이에 의한 격자 부정합을 완화시켜주기 위해 상기 기판(11)과 상기 제1 도전형 반도체층(15) 사이에 버퍼층(13)을 더 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The flip type ultraviolet light emitting device 10 according to the first embodiment may be arranged to mitigate lattice mismatch caused by the lattice constant difference between the substrate 11 and the first conductive semiconductor layer 15. A buffer layer 13 may be further included between the first conductivity type semiconductor layers 15, but is not limited thereto.

상기 버퍼층(13)에 의해 상기 기판(11) 상에 형성된 발광 구조물(20)에 결함, 예컨대 크랙(cracks), 보이드(void), 그레인(grain) 및 굴곡(bowing)이 발생하지 않는다.Defects such as cracks, voids, grains, and bows do not occur in the light emitting structure 20 formed on the substrate 11 by the buffer layer 13.

도시되지 않았지만, 상기 버퍼층(13)과 상기 제1 도전형 반도체층(15) 사이에 도펀트를 포함하지 않는 비 도전형 반도체층이 더 포함될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Although not shown, a non-conductive semiconductor layer containing no dopant may be further included between the buffer layer 13 and the first conductive semiconductor layer 15, but embodiments are not limited thereto.

상기 버퍼층(13), 상기 비도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층(15), 활성층(17) 및 제2 도전형 반도체층(19)은 III족 및 V족 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The buffer layer 13, the nonconductive semiconductor layer, the first conductive semiconductor layer 15, the active layer 17, and the second conductive semiconductor layer 19 may be formed of Group III and Group V compound semiconductor materials. However, this is not limitative.

상기 화합물 반도체 재질로는 예컨대, Al, In, Ga 및 N을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The compound semiconductor material may include, for example, Al, In, Ga, and N, but is not limited thereto.

상기 기판(11)은 열 전도성 및/또는 투과도가 우수한 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 상기 기판(11)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The substrate 11 may be formed of a material having excellent thermal conductivity and / or transmittance, but is not limited thereto. For example, the substrate 11 may be formed of at least one selected from the group consisting of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge, but is not limited thereto. .

상기 기판(11) 또는 상기 버퍼층(13) 아래에 상기 제1 도전형 반도체층(15)이 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 15 may be formed under the substrate 11 or the buffer layer 13.

상기 제1 도전형 반도체층(15)은 예를 들어, n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체층일 수 있지만, 이에 대해서는 한전하지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(15)은 예컨대 AlGaN 또는 GaN를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 n형 도펀트는 Si, Ge 또는 Sn를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first conductivity-type semiconductor layer 15 may be, for example, an n-type semiconductor layer including an n-type dopant, but is not limited thereto. The first conductivity type semiconductor layer 15 may include, for example, AlGaN or GaN, but is not limited thereto. The n-type dopant may include Si, Ge, or Sn, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(15)은 제1 캐리어, 예컨대 전자(electrons)를 상기 활성층(17)으로 공급하여 주기 위한 도전층으로서의 역할을 하며, 상기 활성층(17)의 제2 캐리어, 예컨대 정공(holes)이 상기 버퍼층(13)으로 넘어가지 못하게 하는 장벽층으로서의 역할을 할 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 15 serves as a conductive layer for supplying a first carrier, for example, electrons, to the active layer 17, and a second carrier, for example, a hole, of the active layer 17. It may serve as a barrier layer that prevents holes from falling into the buffer layer 13.

상기 제1 도전형 반도체층(15)에 고농도의 도펀트가 도핑됨으로써, 전자가 자유롭게 이동할 수 있는 도전층으로서의 역할을 할 수 있다. As the dopant having a high concentration is doped into the first conductive semiconductor layer 15, the first conductive semiconductor layer 15 may serve as a conductive layer through which electrons may move freely.

상기 제1 도전형 반도체층(15)은 상기 활성층(17)과 같거나 더 큰 밴드갭을 가지는 화합물 반도체 재질로 형성함으로써, 활성층(17)의 정공이 버퍼층(13)으로 넘어가지 못하게 하는 장벽층으로서의 역할을 할 수 있다.The first conductive semiconductor layer 15 is formed of a compound semiconductor material having a band gap equal to or greater than that of the active layer 17, thereby preventing a hole of the active layer 17 from passing through the buffer layer 13. Can act as

상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 상기 활성층(17)이 형성될 수 있다.The active layer 17 may be formed under the first conductivity type semiconductor layer 15.

상기 활성층(17)은 예컨대 상기 제1 도전형 반도체층(15)으로부터 공급된 전자와 상기 제2 도전형 반도체층(19)으로부터 공급된 정공을 재결합시켜 자외선 광을 발광시킬 수 있다. 자외선 광의 생성을 위해 상기 활성층(17)은 적어도 와이드 밴드갭을 가져야 한다.For example, the active layer 17 may recombine electrons supplied from the first conductive semiconductor layer 15 and holes supplied from the second conductive semiconductor layer 19 to emit ultraviolet light. In order to generate ultraviolet light, the active layer 17 should have at least a wide bandgap.

상기 활성층(17)은 단일 양자 우물 구조(SQW), 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 및 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. The active layer 17 may include any one of a single quantum well structure (SQW), a multiple quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, and a quantum line structure.

상기 활성층(17)은 GaN, InGaN, AlGaN 및 AlInGaN으로부터 선택된 하나 또는 이들의 주기적인 반복으로 형성될 수 있다. The active layer 17 may be formed by one or more periodic repetitions thereof selected from GaN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN.

상기 활성층(17)은 170nm 내지 210nm 파장의 심 자외선(deep ultraviolet) 광을 생성하지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The active layer 17 generates deep ultraviolet light having a wavelength of 170 nm to 210 nm, but is not limited thereto.

상기 활성층(17) 아래에 상기 제2 도전형 반도체층(19)이 형성될 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 19 may be formed under the active layer 17.

상기 제2 도전형 반도체층(19)은 예컨대 p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체층일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제2 도전형 반도체층(19)은 예컨대 AlGaN 또는 GaN일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr 또는 Ba를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The second conductive semiconductor layer 19 may be, for example, a p-type semiconductor layer including a p-type dopant, but is not limited thereto. The second conductivity type semiconductor layer 19 may be, for example, AlGaN or GaN, but is not limited thereto. The p-type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr or Ba, but is not limited thereto.

상기 제2 도전형 반도체층(19)은 정공을 상기 활성층(17)으로 공급하여 주기 위한 도전층으로서의 역할을 할 수 있다. The second conductive semiconductor layer 19 may serve as a conductive layer for supplying holes to the active layer 17.

상기 제2 도전형 반도체층(19)에 고농도의 도펀트가 도핑됨으로써, 정공이 자유롭게 이동할 수 있는 도전층으로서의 역할을 할 수 있다. The dopant having a high concentration may be doped into the second conductive semiconductor layer 19 to serve as a conductive layer through which holes may freely move.

상기 활성층(17)의 전자가 상기 제2 도전형 반도체층(19)으로 넘어오지 못하도록 하기 위해 상기 활성층(17)과 상기 제2 도전형 반도체층(19) 사이에 제3 도전형 반도체층이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.A third conductivity type semiconductor layer is formed between the active layer 17 and the second conductivity type semiconductor layer 19 to prevent electrons of the active layer 17 from falling into the second conductivity type semiconductor layer 19. However, the present invention is not limited thereto.

보다 확실하게 활성층(17)의 전자가 상기 제2 도전형 반도체층(19)으로 넘어가지 못하도록 하기 위해, 상기 활성층(17)과 상기 제2 도전형 반도체층(19) 또는 상기 제3 도전형 반도체층 사이에 전자 차단층이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.In order to more reliably prevent electrons in the active layer 17 from being transferred to the second conductivity type semiconductor layer 19, the active layer 17 and the second conductivity type semiconductor layer 19 or the third conductivity type semiconductor. An electron blocking layer may be formed between the layers, but is not limited thereto.

예컨대, 상기 제3 도전형 반도체층과 상기 전자 차단층은 AlGaN로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, the third conductivity type semiconductor layer and the electron blocking layer may be formed of AlGaN, but are not limited thereto.

예컨대, 상기 전자 차단층은 적어도 상기 제3 도전형 반도체층보다 큰 밴드갭을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the electron blocking layer may have a band gap larger than at least the third conductivity type semiconductor layer, but is not limited thereto.

예컨대, 상기 제3 도전형 반도체층과 상기 전자 차단층이 AlGaN로 형성되는 경우, 상기 전자 차단층이 상기 제3 도전형 반도체층보다 큰 밴드갭을 갖도록 하기 위해, 상기 전자 차단층이 상기 제3 도전형 반도체층보다 더 높은 Al 함량을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, when the third conductivity type semiconductor layer and the electron blocking layer are formed of AlGaN, the electron blocking layer is formed in the third layer so that the electron blocking layer has a larger band gap than the third conductivity type semiconductor layer. It may have a higher Al content than the conductive semiconductor layer, but is not limited thereto.

제1 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자(10)는 자외선 광이 측면 방향보다는 상기 기판(11)이 있는 전방 방향으로 진행되는 것이 바람직하다. In the flip type ultraviolet light emitting device 10 according to the first embodiment, it is preferable that the ultraviolet light travels in the front direction in which the substrate 11 is located, rather than in the lateral direction.

하지만, 상기 활성층(17)에서 생성된 자외선 광은 TE 편광과 TM 편광으로 구성될 수 있다. TE 편광은 상기 활성층(17)의 면에 대해 수직인 방향으로 진행하는데 반해, TM 편광은 상기 활성층(17)의 면에 대해 평행한 방향으로 진행할 수 있다.However, the ultraviolet light generated in the active layer 17 may be composed of TE polarized light and TM polarized light. While TE polarized light proceeds in a direction perpendicular to the plane of the active layer 17, TM polarized light travels in a direction parallel to the plane of the active layer 17.

문제는 자외선 광의 대부분은 TM 편광이라는 것이다. 하지만, 상기 발광 구조물(20), 특히 활성층(17)의 측면은 활성층(17)의 상면이나 배면에 비해 매우 작은 사이즈를 갖고 있기 때문에 활성층(17)의 측면을 통해 외부로 출사되는 자외선 양은 매우 적게 된다.The problem is that most of the ultraviolet light is TM polarized light. However, since the light emitting structure 20, in particular, the side surface of the active layer 17 has a very small size compared to the top surface or the back surface of the active layer 17, the amount of ultraviolet light emitted to the outside through the side surface of the active layer 17 is very small. do.

따라서, 자외선 광이 상기 기판(11)을 통해 외부로 출사되는 양이 가시 광선에 비해 매우 낮다.Therefore, the amount of ultraviolet light emitted to the outside through the substrate 11 is very low compared to the visible light.

제1 실시예는 이러한 문제를 해소하기 위해 제안된 발명으로서, 상기 발광 구조물(20)의 측면의 볼륨을 극대화할 수 있다. The first embodiment is an invention proposed to solve this problem, it is possible to maximize the volume of the side of the light emitting structure (20).

이에 대한 보다 상세한 설명은 추후 설명한다.A more detailed description thereof will be described later.

상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 반사층(45)이 형성될 수 있다. The reflective layer 45 may be formed under the second conductive semiconductor layer 19.

상기 반사층(45)은 상기 활성층(17)으로부터 하부 방향으로 진행된 자외선 광을 상부 방향으로 반사시키는 역할을 할 수 있다. The reflective layer 45 may serve to reflect ultraviolet light propagated downward from the active layer 17 in an upward direction.

아울러, 상기 반사층(45)은 상기 기판(11)의 상면에 의해 반사되어 하부 방향으로 진행되고 상기 활성층(17)과 상기 제2 도전형 반도체층(19)을 경유한 자외선 광을 다시 상부 방향으로 반사시키는 역할을 할 수 있다. In addition, the reflective layer 45 is reflected by the upper surface of the substrate 11 and proceeds downward, and the ultraviolet light passing through the active layer 17 and the second conductive semiconductor layer 19 back to the upper direction. It can serve to reflect.

제1 실시예는 상기 제2 도전형 반도체층(19)의 배면에 반사층(45)을 형성함으로써, 상기 기판(11)의 상면에 의해 하부 방향으로 반사된 자외선 광이나 활성층(17)으로부터 하부 방향으로 진행된 자외선 광을 다시 상부 방향으로 반사시켜, 광 추출 효율을 현저하게 향상시킬 수 있다. In the first exemplary embodiment, the reflective layer 45 is formed on the rear surface of the second conductivity-type semiconductor layer 19 so that the ultraviolet ray reflected downward by the upper surface of the substrate 11 or the active layer 17 is downward. Ultraviolet light propagated to the upper surface is reflected back to the upper direction, thereby significantly improving the light extraction efficiency.

상기 반사층(45)은 반사성이 우수한 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The reflective layer 45 may be formed of a material having excellent reflectivity, but is not limited thereto.

상기 반사층(45)은 단일층으로 형성되거나 다수의 층으로 형성될 수 있다. The reflective layer 45 may be formed of a single layer or a plurality of layers.

상기 반사층(45)은 예컨대, 도전성이 우수한 금속 물질로 형성될 수 있는데, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The reflective layer 45 may be formed of, for example, a metal material having excellent conductivity. One or more selected from the group consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf It may include, but is not limited to.

실험 결과, 반사층(45)으로 Al을 사용하는 경우, 제1 실시예에 따른 자외선 발광 소자(10)의 광 추출 효율은 16.4%인데 반해, 반사층(45)으로 Ag을 사용하는 경우, 제1 실시예에 따른 자외선 발광 소자(10)의 광 추출 효율은 13.8%임을 확인할 수 있다. As a result of the experiment, when Al is used as the reflective layer 45, the light extraction efficiency of the ultraviolet light emitting device 10 according to the first embodiment is 16.4%, whereas when Ag is used as the reflective layer 45, the first embodiment is performed. It can be seen that the light extraction efficiency of the ultraviolet light emitting device 10 according to the example is 13.8%.

결국, 자외선 광의 파장에 따라 반사성이 우수한 물질이 서로 상이함을 알 수 있다. As a result, it can be seen that materials having excellent reflectivity differ from each other depending on the wavelength of ultraviolet light.

상기 제1 전극(21, 23)은 상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성되고, 상기 제2 전극(33)은 상기 반사층(45) 아래에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first electrodes 21 and 23 may be formed under the first conductive semiconductor layer 15, and the second electrode 33 may be formed under the reflective layer 45, but is not limited thereto. .

상기 반사층(45)이 형성되지 않는 경우, 상기 제2 전극(33)은 상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 형성될 수 있다. When the reflective layer 45 is not formed, the second electrode 33 may be formed under the second conductive semiconductor layer 19.

상기 제1 및 제2 전극(21, 23, 33)은 서로 동일한 재질로 형성되거나 서로 상이한 재질로 형성될 수 있다.The first and second electrodes 21, 23, and 33 may be formed of the same material or different materials.

상기 제1 및 제2 전극(21, 23, 33)은 단일층으로 형성되거나 다수의 층으로 형성될 수 있다.The first and second electrodes 21, 23, and 33 may be formed in a single layer or in a plurality of layers.

상기 제1 및 제2 전극(21, 23, 33)은 예컨대 도전성이 우수한 금속 재질로 형성될 수 있는데, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브텐(Mo)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first and second electrodes 21, 23, and 33 may be formed of, for example, a metal material having excellent conductivity, such as aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), and platinum (Pt). ), Gold (Au), tungsten (W), copper (Cu) and molybdenum (Mo) may include one or an alloy thereof, but is not limited thereto.

상기 제1 전극(21, 23)이 상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성되기 위해 상기 발광 구조물(20)은 메사 식각될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting structure 20 may be mesa-etched so that the first electrodes 21 and 23 are formed under the first conductivity-type semiconductor layer 15, but is not limited thereto.

상기 메사 식각은 상기 반사층(45)이 형성되기 전에 수행될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The mesa etching may be performed before the reflective layer 45 is formed, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(15)이 노출되도록 상기 제2 도전형 반도체층(19)과 상기 활성층(17)이 제거되고 상기 제1 도전형 반도체층(15)의 배면도 일정 깊이 이상 제거될 수 있다. The second conductive semiconductor layer 19 and the active layer 17 are removed to expose the first conductive semiconductor layer 15, and the rear surface of the first conductive semiconductor layer 15 is also removed to a predetermined depth or more. Can be.

예컨대, 상기 식각으로 제거된 제1 도전형 반도체층(15)의 깊이는 상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 형성된 제1 전극(21, 23)의 두께보다 깊도록 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성된 상기 활성층(17)의 상면은 상기 제1 전극(21, 23)의 배면보다 낮게 위치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(21, 23)에 의한 제1 및 제2 도전형 반도체층(19) 사이의 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다. For example, the depth of the first conductivity type semiconductor layer 15 removed by etching may be formed to be deeper than the thickness of the first electrodes 21 and 23 formed under the second conductivity type semiconductor layer 19. In this case, an upper surface of the active layer 17 formed under the first conductivity type semiconductor layer 15 may be lower than the rear surfaces of the first electrodes 21 and 23. Accordingly, electrical short between the first and second conductivity-type semiconductor layers 19 by the first electrodes 21 and 23 can be prevented.

도시되지 않았지만, 이러한 전기적인 쇼트를 원천적으로 차단하기 위해, 상기 제1 전극(21, 23)에 인접한 상기 발광 구조물(20)의 측면, 즉 적어도 상기 제1 도전형 반도체층(15)의 측면, 상기 활성층(17)의 측면 및 상기 제2 도전형 반도체층(19)의 측면은 절연 물질 또는 전기 전도도가 낮은 물질로 형성된 보호층이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Although not shown, in order to fundamentally block such electrical short, the side of the light emitting structure 20 adjacent to the first electrodes 21 and 23, that is, the side of the first conductivity type semiconductor layer 15, A side of the active layer 17 and a side of the second conductive semiconductor layer 19 may be formed of a protective layer formed of an insulating material or a material having low electrical conductivity, but is not limited thereto.

이러한 메사 식각에 의해 발광 구조물(20)이 섬 모양(island shape)으로 형성될 수 있다. By the mesa etching, the light emitting structure 20 may be formed in an island shape.

설명의 편의를 위해, 제1 도전형 반도체층(15)의 일면이 노출된 영역을 제1 영역이라 명명하고, 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역, 즉 노출되지 않은 제1 도전형 반도체층(15)에 대응하는 활성층(17)과 제2 도전형 반도체층(19)의 영역을 제2 영역이라 명명할 수 있다. For convenience of description, an area where one surface of the first conductivity type semiconductor layer 15 is exposed is referred to as a first area, and the remaining area except the first area, that is, the first conductivity type semiconductor layer 15 that is not exposed. The regions of the active layer 17 and the second conductivity-type semiconductor layer 19 corresponding to the reference may be referred to as a second region.

상기 제1 전극(21, 23)은 상기 제1 영역의 상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성되고, 상기 제2 전극(33)은 상기 제2 영역의 상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 형성될 수 있다.The first electrodes 21 and 23 are formed under the first conductive semiconductor layer 15 in the first region, and the second electrode 33 is the second conductive semiconductor layer in the second region. (19) can be formed below.

상기 발광 구조물(20)은 다수의 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)과 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)을 포함할 수 있다. The light emitting structure 20 may include a plurality of vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d and a plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e.

상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 사이는 이격되고 상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 사이는 이격될 수 있다.The vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d may be spaced apart from each other, and the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e may be spaced apart.

상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 사이 그리고 상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 사이는 상기 제1 도전형 반도체층(15)이 노출된 제1 영역이 될 수 있다. Between the vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d and between the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e may be a first region where the first conductive semiconductor layer 15 is exposed. .

상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)은 인접하는 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)로부터 각각 연장 형성되고, 상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)은 인접하는 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)로부터 각각 연장 형성될 수 있다. The vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d extend from adjacent horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e, respectively, and the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e are adjacent to each other. And extending from the vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d, respectively.

다시 말해, 상기 다수의 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)과 상기 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)은 일체로 형성되어 상기 발광 구조물(20)로 구성될 수 있다. In other words, the plurality of vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d and the plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e may be integrally formed to constitute the light emitting structure 20. .

상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 및 상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 각각은 상기 제1 도전형 반도체층(15), 상기 활성층(17) 및 상기 제2 도전형 반도체층(19)을 포함할 수 있다. Each of the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e and the vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d may be formed of the first conductive semiconductor layer 15, the active layer 17, and the second conductive layer. The semiconductor layer 19 may be included.

따라서, 상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)과 상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 또한 광을 생성할 수 있는 일종의 서브 발광 구조물(20)일 수 있다. Accordingly, the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e and the vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d may also be a kind of sub light emitting structure 20 capable of generating light.

상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)과 상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)은 구부러진 강물 모양으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e and the vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d may be formed in a curved river water shape, but are not limited thereto.

예컨대, 제1 수평 구조물(35a)의 일단에 제1 수직 구조물(37a)의 일단이 연결되고, 상기 제1 수직 구조물(37a)의 타단에 제2 수평 구조물(35b)의 일단이 연결되고, 상기 제2 수평 구조물(35b)의 타단에 제2 수직 구조물(37b)의 일단이 연결될 수 있다. For example, one end of the first vertical structure 37a is connected to one end of the first horizontal structure 35a, and one end of the second horizontal structure 35b is connected to the other end of the first vertical structure 37a. One end of the second vertical structure 37b may be connected to the other end of the second horizontal structure 35b.

상기 제2 수직 구조물(37b)의 타단에 제3 수평 구조물(35c)의 일단이 연결되고, 상기 제3 수평 구조물(35c)의 타단에 제3 수직 구조물(37c)의 일단이 연결되고, 상기 제3 수직 구조물(37c)의 타단에 제4 수평 구조물(35d)의 일단이 연결될 수 있다.One end of the third horizontal structure 35c is connected to the other end of the second vertical structure 37b, and one end of the third vertical structure 37c is connected to the other end of the third horizontal structure 35c, One end of the fourth horizontal structure 35d may be connected to the other end of the third vertical structure 37c.

상기 제4 수평 구조물(35d)의 타단에 제4 수직 구조물(37d)의 일단이 연결되고, 상기 제4 수직 구조물(37d)이 타단에 제5 수평 구조물(35e)의 일단이 연결될 수 있다. One end of the fourth vertical structure 37d may be connected to the other end of the fourth horizontal structure 35d, and one end of the fifth horizontal structure 35e may be connected to the other end of the fourth vertical structure 37d.

상기 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 사이에 상기 제2 도전형 반도체층(19), 상기 활성층(17) 및 상기 제1 도전형 반도체층(15)의 일부 영역이 제거되어 형성된 다수의 그루부가 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 수평 구조물(35a)과 제2 수평 구조물(35b) 사이에 제1 그루브(47a)가 형성되고, 상기 제2 수평 구조물(35b)과 제3 수평 구조물(35c) 사이에 제2 그루브(47b)가 형성되고, 상기 제3 수평 구조물(35c)과 제4 수평 구조물(35d) 사이에 제3 그루브(47c)가 형성되고, 상기 제4 수평 구조물(35d)과 제5 수평 구조물(35e) 사이에 제4 그루브(47d)가 형성될 수 있다.Some regions of the second conductive semiconductor layer 19, the active layer 17, and the first conductive semiconductor layer 15 are removed between the plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e. A plurality of formed grooves may be formed. For example, a first groove 47a is formed between the first horizontal structure 35a and the second horizontal structure 35b, and a second groove is formed between the second horizontal structure 35b and the third horizontal structure 35c. A groove 47b is formed, and a third groove 47c is formed between the third horizontal structure 35c and the fourth horizontal structure 35d, and the fourth horizontal structure 35d and the fifth horizontal structure ( A fourth groove 47d may be formed between 35e).

상기 제1 전극(21, 23)은 한 쌍으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 전극은 제1 및 제2 전극 부재(21, 23)를 포함할 수 있다. The first electrodes 21 and 23 may be formed in pairs. That is, the first electrode may include first and second electrode members 21 and 23.

상기 제1 및 제2 전극 부재(21, 23)는 서로 대향하며 서로 대칭으로 배치될 수 있다. The first and second electrode members 21 and 23 may face each other and may be symmetrically disposed.

상기 제1 및 제2 전극 부재(21, 23)는 서로 전기적으로 연결되거나 발광 소자 패키지로 제조될 때 발광 소자 패키지의 단일 전극층에 동시에 전기적으로 형성될 수 있다. The first and second electrode members 21 and 23 may be electrically connected to each other or simultaneously formed on a single electrode layer of the light emitting device package when the first and second electrode members 21 and 23 are electrically connected to each other.

상기 제1 및 제2 전극 부재(21, 23) 각각은 제1 수직 전극 라인(25, 29)과 상기 제1 수직 전극 라인(25, 29)으로부터 분기된 다수의 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)을 포함할 수 있다. Each of the first and second electrode members 21 and 23 may include a plurality of first horizontal electrode lines 27a branched from the first vertical electrode lines 25 and 29 and the first vertical electrode lines 25 and 29. 27b, 31a, 31b).

상기 제1 전극 부재(21)의 제1 수직 전극 라인(25)과 상기 제2 전극 부재(23)의 제1 수직 전극 라인(29)은 서로 평행하게 배치되며 상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)과 평행하게 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first vertical electrode line 25 of the first electrode member 21 and the first vertical electrode line 29 of the second electrode member 23 are disposed in parallel with each other and the vertical structures 37a, 37b, and 37c. , 37d), but is not limited thereto.

상기 제1 전극 부재(21)의 제1 수직 전극 라인(25)과 상기 제2 전극 부재(23)의 제1 수직 전극 라인(29)은 수직 방향으로 길게 연장된 바 형상으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Although the first vertical electrode line 25 of the first electrode member 21 and the first vertical electrode line 29 of the second electrode member 23 may be formed in a bar shape extending in the vertical direction, This is not limitative.

상기 제1 전극 부재(21)의 제1 수평 전극 라인(27a, 27b)과 상기 제2 전극 부재(23)의 제1 수평 전극 라인(31a, 31b)은 서로 평행하게 배치되며 상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)에 평행하게 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first horizontal electrode lines 27a and 27b of the first electrode member 21 and the first horizontal electrode lines 31a and 31b of the second electrode member 23 are disposed in parallel to each other and the horizontal structure 35a , 35b, 35c, 35d, and 35e, but may not be limited thereto.

상기 제1 전극 부재(21)의 제1 수평 전극 라인(27a, 27b)과 상기 제2 전극 부재(23)의 제1 수평 전극 라인(31a, 31b)은 수평 방향으로 길게 연장된 바 형상으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first horizontal electrode lines 27a and 27b of the first electrode member 21 and the first horizontal electrode lines 31a and 31b of the second electrode member 23 have a bar shape extending in the horizontal direction. However, the present invention is not limited thereto.

예컨대, 상기 제2 전극 부재(23)의 제1 수평 전극 라인(31a)은 상기 제1 및 제2 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 제1 그루브(47a)에 형성되고, 상기 제1 전극 부재(21)의 제1 수평 전극 라인(27a)은 상기 제2 및 제3 수평 구조물(35b, 35c) 사이의 제2 그루브(47b)에 형성되고, 상기 제2 전극 부재(23)의 또 다른 제1 수평 전극 라인(31b)은 제3 및 제4 수평 구조물(35c, 35d) 사이의 제3 그루브(47c)에 형성되며, 상기 제1 전극 부재(21)의 또 다른 제1 수평 전극 라인(27b)은 제4 및 제5 수평 구조물(35d, 35e) 사이의 제4 그루브(47d)에 형성될 수 있다. For example, the first horizontal electrode line 31a of the second electrode member 23 is formed in the first groove 47a between the first and second horizontal structures 35a and 35b, and the first electrode member A first horizontal electrode line 27a of 21 is formed in the second groove 47b between the second and third horizontal structures 35b and 35c, and is formed of another second electrode member 23. The first horizontal electrode line 31b is formed in the third groove 47c between the third and fourth horizontal structures 35c and 35d, and another first horizontal electrode line 27b of the first electrode member 21 is formed. ) May be formed in the fourth groove 47d between the fourth and fifth horizontal structures 35d and 35e.

상기 제2 전극(33)은 상기 발광 구조물(20) 아래, 다시 말해 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)과 다수의 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 아래에 형성될 수 있다.The second electrode 33 is formed below the light emitting structure 20, that is, the plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e and the plurality of vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d. Can be.

상기 제2 전극(33) 또한 상기 발광 구조물(20)과 마찬가지로 구부러진 강물 모양으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The second electrode 33 may also be formed in the shape of a bent river like the light emitting structure 20, but is not limited thereto.

상기 제2 전극(33)은 상기 발광 구조물(20), 다시 말해 제2 도전형 반도체층(19) 또는 반사층(45) 아래에 형성되므로, 상기 제2 도전형 반도체층(19) 또는 상기 반사층(45)의 형상에 대응되어 형성될 수 있다. Since the second electrode 33 is formed under the light emitting structure 20, that is, the second conductive semiconductor layer 19 or the reflective layer 45, the second conductive semiconductor layer 19 or the reflective layer ( 45) to correspond to the shape.

상기 제2 전극(33)은 다수의 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 과 다수의 제2 수직 전극 라인(43a, 43b, 43c, 43d)을 포함할 수 있다. The second electrode 33 may include a plurality of second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, and 41e and a plurality of second vertical electrode lines 43a, 43b, 43c, and 43d.

상기 제2 수직 전극 라인(43a, 43b, 43c, 43d) 사이는 이격되고 상기 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 사이는 이격될 수 있다.The second vertical electrode lines 43a, 43b, 43c, and 43d may be spaced apart from each other, and the second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, and 41e may be spaced apart from each other.

상기 제2 수직 전극 라인(43a, 43b, 43c, 43d)은 인접하는 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 으로부터 연장 형성되고, 상기 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e)은 인접하는 제2 수직 전극 라인(43a, 43b, 43c, 43d)으로부터 연장 형성될 수 있다. The second vertical electrode lines 43a, 43b, 43c, and 43d extend from adjacent second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, and 41e, and the second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, and 41e may extend from adjacent second vertical electrode lines 43a, 43b, 43c, and 43d.

다시 말해, 상기 다수의 제2 수직 전극 라인(43a, 43b, 43c, 43d)과 상기 다수의 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 은 일체로 형성되어 상기 제2 전극(33)으로 구성될 수 있다. In other words, the plurality of second vertical electrode lines 43a, 43b, 43c, 43d and the plurality of second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, 41e are integrally formed to form the second electrode ( 33).

상기 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)은 인접하는 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)을 구동시키는데 사용될 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)은 인접하는 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)에 의해 공유될 수 있다. The first horizontal electrode lines 27a, 27b, 31a, 31b may be used to drive adjacent horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e. In other words, the first horizontal electrode lines 27a, 27b, 31a, and 31b may be shared by adjacent horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e.

상기 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)은 인접하는 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 상에 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 과의 사이에서 인접하는 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)을 동시에 발광시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제1 전극(23)의 제1 수평 전극 라인(31a)과 제1 수평 구조물(35a) 상의 제2 전극(33)의 제2 수평 전극 라인(41a) 사이의 전원에 의해 상기 제1 수평 구조물(35a)이 발광될 수 있다. 이와 동시에, 상기 제1 전극(23)의 제1 수평 전극 라인(31a)과 제2 수평 구조물(35b) 상의 제2 전극(33)의 또 다른 제2 수평 전극 라인(41b) 사이의 전원에 의해 상기 제2 수평 구조물(35b)이 발광될 수 있다. The first horizontal electrode lines 27a, 27b, 31a, and 31b are formed on the adjacent horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e, and the second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, and 41e. Adjacent horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e can be emitted at the same time. For example, the first horizontal electrode line 31a of the first electrode 23 and the second horizontal electrode line 41a of the second electrode 33 on the first horizontal structure 35a are connected to each other by the power source. The horizontal structure 35a may emit light. At the same time, by a power source between the first horizontal electrode line 31a of the first electrode 23 and another second horizontal electrode line 41b of the second electrode 33 on the second horizontal structure 35b. The second horizontal structure 35b may emit light.

도 4a에 도시한 바와 같이, 상기 수평 구조물(35a, 35b)의 폭을 W1이라 명명하고, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)의 폭을 W2라 명명하고, 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 갭, 다시 말해 그루브(47a)의 폭을 G라 명명하고, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격을 L이라 명명할 수 있다. As shown in FIG. 4A, the widths of the horizontal structures 35a and 35b are named W1, and the widths of the first horizontal electrode lines 31a are named W2, and between the horizontal structures 35a and 35b. The gap of, in other words, the width of the groove 47a may be referred to as G, and the distance between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b may be referred to as L.

상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 인접하는 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격(L)은 동일할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The distance L between the first horizontal electrode line 31a and the first horizontal electrode line 31a and the adjacent horizontal structures 35a and 35b may be the same, but is not limited thereto.

예컨대, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격(L)은 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격(L)과 동일할 수 있다. For example, the spacing L between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b is the spacing L between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b. May be the same as).

상기 수평 구조물(35a, 35b)의 폭(W1)과 그루브(47a)의 폭(G)은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. The width W1 of the horizontal structures 35a and 35b and the width G of the groove 47a may be the same or different.

상기 수평 구조물(35a, 35b)의 폭(W1)은 상기 그루브(47a)의 폭보다 크도록 설계될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The width W1 of the horizontal structures 35a and 35b may be designed to be larger than the width of the groove 47a, but is not limited thereto.

상기 제1 수평 전극 라인(31a)의 폭은 상기 제2 수평 라인(41a, 41b)의 폭과 동일할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The width of the first horizontal electrode line 31a may be the same as the width of the second horizontal line 41a or 41b, but is not limited thereto.

도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격이 5㎛ 내지 15㎛인 경우에 수평 구조물(35a, 35b)에서의 전류 밀도가 비교적 균일하게 된다. As shown in FIG. 4B, when the distance between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b is 5 μm to 15 μm, the current density in the horizontal structures 35a and 35b is increased. Relatively uniform.

상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격이 20㎛ 이상인 경우, 제1 수평 전극 라인(31a)과 인접한 수평 구조물(35a, 35b)에서 수평 방향으로 멀어질수록 전류 밀도가 급격히 하강하는 것을 알 수 있다. When the distance between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b is 20 µm or more, the distance between the first horizontal electrode lines 31a and the horizontal structures 35a and 35b adjacent to the first horizontal electrode line 31a is increased. It can be seen that the more rapidly the current density falls.

도 5에 도시한 바와 같이, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격이 5㎛인 경우, 수평 구조물(35a, 35b)에서의 최소 전류 밀도와 최대 전류 밀도 차이가 13A/cm2으로서 비교적 낮다. 이에 반해, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격이 20㎛, 50㎛ 및 100㎛인 경우 수평 구조물(35a, 35b)에서의 최소 전류 밀도와 최대 전류 밀도 차이가 각각 34A/cm2, 32A/cm2 및 30A/cm2으로서 매우 높게 된다.As shown in FIG. 5, when the distance between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b is 5 μm, the minimum current density and the maximum current in the horizontal structures 35a and 35b are shown. The density difference is relatively low as 13 A / cm 2 . In contrast, when the distance between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b is 20 μm, 50 μm, and 100 μm, the minimum current density and the maximum current in the horizontal structures 35a and 35b. The density difference becomes very high as 34 A / cm 2 , 32 A / cm 2 and 30 A / cm 2 , respectively.

도 3에 도시한 바와 같이, 제1 실시예는 발광 구조물(20)을 다수의 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)과 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)로 형성하고, 이들 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 사이의 그루부에 제1 전극(21, 23)의 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)을 형성하고 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 및 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 상에 제2 전극(33)의 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 을 형성할 수 있다. As shown in FIG. 3, the first embodiment forms the light emitting structure 20 with a plurality of vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d and a plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e. The first horizontal electrode lines 27a, 27b, 31a, and 31b of the first electrodes 21 and 23 are formed in the grooves between the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e, and the vertical structures ( The second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, 41e of the second electrode 33 are to be formed on the 37a, 37b, 37c, 37d and the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e. Can be.

따라서, 제1 실시예는 종래의 전류 집중을 분산시켜 전류 스프레딩 효과를 얻을 수 있고, 이러한 전류 스프레딩 효과에 의해 균일한 광 효율을 얻을 수 있다.Therefore, in the first embodiment, the current spreading effect can be obtained by dispersing the conventional current concentration, and the uniform light efficiency can be obtained by the current spreading effect.

제1 실시예는 다수의 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)과 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)에 의해 활성층(17)의 측면의 볼륨을 극대화시켜, 자외선 광의 대부분을 차지하고 측방향으로 진행되는 광을 최대한 활성층(17)의 측방향으로 외부로 추출되도록 하여, 광 추출 효율을 현저히 향상시킬 수 있다. The first embodiment maximizes the volume of the side surface of the active layer 17 by the plurality of vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d and the plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e. The light that takes up most of the light and proceeds laterally is extracted to the outside in the lateral direction of the active layer 17 as much as possible, so that the light extraction efficiency can be significantly improved.

제1 실시예는 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)과 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 사이의 간격을 5㎛ 내지 15㎛가 되도록 설정함으로써, 전류 스프레딩 효과를 증대시켜 보다 균일한 광 효율을 얻을 수 있다. The first embodiment sets the interval between the first horizontal electrode lines 27a, 27b, 31a, 31b and the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e to be 5 탆 to 15 탆, thereby spreading the current. The effect can be increased to obtain more uniform light efficiency.

도 6은 제2 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이다.6 is a plan view illustrating a flip type ultraviolet light emitting device according to a second embodiment.

제2 실시예에서 제1 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 보다 상세한 설명은 생략한다.In the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

제2 실시예에서 생략된 설명은 제1 실시예의 설명으로부터 용이하게 이해될 수 있다. The description omitted in the second embodiment can be easily understood from the description of the first embodiment.

도 6을 참조하면, 제2 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자(10A)는 기판(11)(도 2의 11), 발광 구조물(20)(도 2의 20), 반사층(도 2의 45) 및 제1 및 제2 전극(59)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the flip type ultraviolet light emitting device 10A according to the second embodiment may include a substrate 11 (11 in FIG. 2), a light emitting structure 20 (20 in FIG. 2), and a reflective layer (45 in FIG. 2). And first and second electrodes 59.

상기 발광 구조물(20)(20)은 제1 도전형 반도체층(15)(도 2의 15), 활성층(17)(도 2의 17) 및 제2 도전형 반도체층(19)(도 2의 19)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting structures 20 and 20 may include a first conductive semiconductor layer 15 (15 in FIG. 2), an active layer 17 (17 in FIG. 2), and a second conductive semiconductor layer 19 (in FIG. 2). 19), but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 구조물(20)은 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)을 포함할 수 있다. 상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)은 서로 간에 이격되도록 형성될 수 있다.The light emitting structure 20 may include a plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e. The plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e may be formed to be spaced apart from each other.

상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)을 제외한 나머지 영역을 제1 영역이라 명명하고, 상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)을 포함하는 영역을 제2 영역이라 명명할 수 있다.The remaining area except for the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e is called a first area, and a region including the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e is deleted. It can be called 2 areas.

상기 제1 영역은 메사 식각에 의해 상기 제2 도전형 반도체층(19)과 상기 활성층(17) 그리고 상기 제1 도전형 반도체층(15)이 일정 깊이로 제거된 영역일 수 있다. The first region may be a region in which the second conductive semiconductor layer 19, the active layer 17, and the first conductive semiconductor layer 15 are removed to a predetermined depth by mesa etching.

상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 사이에 다수의 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)가 형성될 수 있다.A plurality of grooves 47a, 47b, 47c and 47d may be formed between the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d and 61e.

상기 제2 전극(59)은 다수의 제2 수평 전극 라인(57a, 57b, 57c, 57d, 57e) 을 포함할 수 있다. The second electrode 59 may include a plurality of second horizontal electrode lines 57a, 57b, 57c, 57d and 57e.

상기 다수의 제2 수평 전극 라인(57a, 57b, 57c, 57d, 57e) 은 상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로 상기 제2 수평 전극 라인(57a, 57b, 57c, 57d, 57e) 은 상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 형성될 수 있다. 만일 상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 반사층이 형성되어 있는 경우, 상기 제2 수평 전극 라인(57a, 57b, 57c, 57d, 57e) 은 상기 반사층 아래에 형성될 수 있다. 이때, 상기 반사층 또한 상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 상에 개별적으로 형성되므로, 각 반사층은 서로 간에 이격될 수 있다. The plurality of second horizontal electrode lines 57a, 57b, 57c, 57d and 57e may be formed on the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d and 61e. In detail, the second horizontal electrode lines 57a, 57b, 57c, 57d, and 57e may be formed under the second conductive semiconductor layer 19. If the reflective layer is formed under the second conductivity type semiconductor layer 19, the second horizontal electrode lines 57a, 57b, 57c, 57d and 57e may be formed under the reflective layer. In this case, the reflective layer is also formed on the plurality of horizontal structures (61a, 61b, 61c, 61d, 61e) separately, each reflective layer may be spaced apart from each other.

상기 제1 전극(51)은 제1 수직 전극 라인(53)과 다수의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)을 포함할 수 있다. The first electrode 51 may include a first vertical electrode line 53 and a plurality of first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, and 55f.

상기 다수의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)은 상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 사이의 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 다수의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)은 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)의 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성될 수 있다. The plurality of first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, and 55f may include grooves 47a, 47b, 47c, and 47d between the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e. Can be formed on. Specifically, the plurality of first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, and 55f may be formed under the first conductive semiconductor layer 15 of the grooves 47a, 47b, 47c, and 47d. have.

상기 제1 전극(51)의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)은 인접하는 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)을 구동시키는데 사용될 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 전극(51)의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)은 인접하는 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)에 의해 공유될 수 있다. The first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e and 55f of the first electrode 51 may be used to drive adjacent horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d and 61e. In other words, the first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e and 55f of the first electrode 51 may be shared by adjacent horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d and 61e. have.

상기 제1 전극(51)의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)은 인접하는 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 상에 제2 전극(59)의 제2 수평 전극 라인(57a, 57b, 57c, 57d, 57e) 과의 사이에서 인접하는 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)을 동시에 발광시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제1 전극(51)의 제1 수평 전극 라인(55b)과 제1 수평 구조물(61a) 상의 제2 전극(59)의 제2 수평 전극 라인(57a) 사이의 전원에 의해 상기 제1 수평 구조물(61a)이 발광될 수 있다. 이와 동시에, 상기 제1 전극(51)의 제1 수평 전극 라인(55b)과 제2 수평 구조물(61b) 상의 제2 전극(59)의 또 다른 제2 수평 전극 라인(57b) 사이의 전원에 의해 상기 제2 수평 구조물(61b)이 발광될 수 있다. The first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, and 55f of the first electrode 51 are connected to the second electrode 59 on adjacent horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e. The adjacent horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e can be simultaneously emitted between the second horizontal electrode lines 57a, 57b, 57c, 57d, and 57e. For example, the first horizontal electrode line 55b of the first electrode 51 and the second horizontal electrode line 57a of the second electrode 59 on the first horizontal structure 61a are connected to each other by a power source. The horizontal structure 61a may emit light. At the same time, by a power source between the first horizontal electrode line 55b of the first electrode 51 and another second horizontal electrode line 57b of the second electrode 59 on the second horizontal structure 61b. The second horizontal structure 61b may emit light.

전류 스프레딩 효과를 증대시키기 위해 상기 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)과 인접하는 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 사이의 간격은 5㎛ 내지 15㎛일 수 있다. In order to increase the current spreading effect, the distance between the first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f and the adjacent horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, 61e is 5 μm to 15 μm.

도 7은 제3 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이다.7 is a plan view illustrating a flip type ultraviolet light emitting device according to a third embodiment.

제3 실시예에서 제1 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 보다 상세한 설명은 생략한다.In the third embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

제3 실시예에서 생략된 설명은 제1 실시예의 설명으로부터 용이하게 이해될 수 있다. The description omitted in the third embodiment can be easily understood from the description of the first embodiment.

도 7을 참조하면, 제3 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자(10B)는 기판(11)(도 2의 11), 발광 구조물(도 2의 20), 반사층(도 2의 45) 및 제1 및 제2 전극(71, 77)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the flip type ultraviolet light emitting device 10B according to the third embodiment may include a substrate 11 (11 in FIG. 2), a light emitting structure (20 in FIG. 2), a reflective layer (45 in FIG. 2), and a first layer. And second electrodes 71 and 77.

상기 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층(도 2의 15), 활성층(도 2의 17) 및 제2 도전형 반도체층(도 2의 19)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting structure may include, but is not limited to, a first conductivity type semiconductor layer (15 of FIG. 2), an active layer (17 of FIG. 2), and a second conductivity type semiconductor layer (19 of FIG. 2).

상기 발광 구조물은 수직 구조물(87)과 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)을 포함할 수 있다. 상기 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)은 서로 간에 이격되도록 형성될 수 있다.The light emitting structure may include a vertical structure 87 and a plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e. The plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e may be formed to be spaced apart from each other.

상기 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)은 상기 수직 구조물(87)로부터 분기되거나 연장되어 형성될 수 있다. The plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e may be formed to branch or extend from the vertical structure 87.

상기 수직 구조물(87)과 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)을 제외한 나머지 영역을 제1 영역이라 명명하고, 상기 수직 구조물(87)과 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)을 포함하는 영역을 제2 영역이라 명명할 수 있다.The remaining area except for the vertical structure 87 and the plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e is called a first region, and the vertical structure 87 and the plurality of horizontal structures 83a, 83b, The region including 83c, 83d, 83e) may be referred to as a second region.

상기 제1 영역은 메사 식각에 의해 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층 그리고 상기 제1 도전형 반도체층이 일정 깊이로 제거된 영역일 수 있다. The first region may be a region in which the second conductive semiconductor layer, the active layer, and the first conductive semiconductor layer are removed to a predetermined depth by mesa etching.

상기 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 사이에 다수의 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)가 형성될 수 있다.A plurality of grooves 47a, 47b, 47c and 47d may be formed between the plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d and 83e.

상기 제1 전극(71)은 제1 수직 전극 라인(73)과 다수의 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)을 포함할 수 있다. The first electrode 71 may include a first vertical electrode line 73 and a plurality of first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f.

상기 제1 수직 전극 라인(73)은 상기 수직 구조물(87)과 평행하게 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first vertical electrode line 73 may be disposed in parallel with the vertical structure 87, but is not limited thereto.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 상기 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)과 평행하게 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be disposed in parallel with the horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e, but are not limited thereto.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 상기 제1 수직 전극 라인(73)으로부터 분기되거나 연장되어 형성될 수 있다.The first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be formed to branch or extend from the first vertical electrode line 73.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f) 각각은 상기 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 사이의 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 상기 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)의 상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성될 수 있다. Each of the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be formed in the grooves 47a, 47b, 47c, and 47d between the horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e. Can be. Specifically, the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be formed under the first conductive semiconductor layer 15 of the grooves 47a, 47b, 47c, and 47d. have.

상기 제2 전극(77)은 제2 수직 전극 라인(79)과 다수의 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 을 포함할 수 있다. The second electrode 77 may include a second vertical electrode line 79 and a plurality of second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e.

상기 제2 수직 전극 라인(79)은 상기 제1 수직 전극 라인(73) 또는 상기 수직 구조물(87)과 평행하게 배치되며 상기 수직 구조물(87) 상에 형성될 수 있다.The second vertical electrode line 79 may be disposed in parallel with the first vertical electrode line 73 or the vertical structure 87 and may be formed on the vertical structure 87.

상기 제2 수직 전극 라인(79)은 상기 제1 수직 전극 라인(73)과 대향으로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 수직 전극 라인(73)은 자외선 발광 소자(10B)의 일측에 배치되고, 상기 제2 수직 전극 라인(79)은 자외선 발광 소자(10B)의 타측, 즉 수직 구조물(87) 상에 형성될 수 있다. The second vertical electrode line 79 may be disposed to face the first vertical electrode line 73. That is, the first vertical electrode line 73 is disposed on one side of the ultraviolet light emitting device 10B, and the second vertical electrode line 79 is on the other side of the ultraviolet light emitting device 10B, that is, on the vertical structure 87. Can be formed on.

상기 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 은 상기 제2 수직 전극 라인(79)으로부터 분기되거나 연장되어 형성될 수 있다. The second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e may be formed to branch or extend from the second vertical electrode line 79.

상기 다수의 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 은 상기 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로 상기 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 은 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 형성될 수 있다. 만일 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 반사층이 형성되어 있는 경우, 상기 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 은 상기 반사층 아래에 형성될 수 있다. 이때, 상기 반사층 또한 상기 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 상에 개별적으로 형성되므로, 각 반사층은 서로 간에 이격될 수 있다. The plurality of second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e may be formed on the plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e. In detail, the second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e may be formed under the second conductive semiconductor layer. If the reflective layer is formed under the second conductive semiconductor layer, the second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e may be formed under the reflective layer. In this case, the reflective layer is also formed on the plurality of horizontal structures (83a, 83b, 83c, 83d, 83e) separately, each reflective layer may be spaced apart from each other.

상기 다수의 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)과 상기 다수의 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 은 서로 교대로 배치될 수 있다. The plurality of first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f and the plurality of second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e may be alternately disposed.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f) 사이에 상기 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 이 배치되고, 상기 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 사이에 상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)이 배치될 수 있다. The second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e are disposed between the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f, and the second horizontal electrode lines 81a are disposed. The first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be disposed between, 81b, 81c, 81d, and 81e.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 인접하는 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)을 구동시키는데 사용될 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 인접하는 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)에 의해 공유될 수 있다. The first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f may be used to drive adjacent horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, 83e. In other words, the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be shared by adjacent horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 인접하는 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 상에 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 과의 사이에서 인접하는 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)을 동시에 발광시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제1 전극(71)의 제1 수평 전극 라인(75b)과 제1 수평 구조물(83a) 상의 제2 수평 전극 라인(81a) 사이의 전원에 의해 상기 제1 수평 구조물(83a)이 발광될 수 있다. 이와 동시에, 상기 제1 전극(71)의 제1 수평 전극 라인(75b)과 제2 수평 구조물(83b) 상의 제2 전극(77)의 또 다른 제2 수평 전극 라인(81b) 사이의 전원에 의해 상기 제2 수평 구조물(83b)이 발광될 수 있다. The first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f are connected to the second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, and 81d on adjacent horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e. , 81e) can simultaneously emit adjacent horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, 83e. For example, the first horizontal structure 83a emits light by a power source between the first horizontal electrode line 75b of the first electrode 71 and the second horizontal electrode line 81a on the first horizontal structure 83a. Can be. At the same time, by a power source between the first horizontal electrode line 75b of the first electrode 71 and another second horizontal electrode line 81b of the second electrode 77 on the second horizontal structure 83b. The second horizontal structure 83b may emit light.

전류 스프레딩 효과를 증대시키기 위해 상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)과 인접하는 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 사이의 간격은 5㎛ 내지 15㎛일 수 있다. In order to increase the current spreading effect, the distance between the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f and the adjacent horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, 83e is 5 μm to 15 μm.

도 8은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(330)와, 상기 몸체(330)에 설치된 제1 리드 프레임(310) 및 제2 리드 프레임(320)과, 상기 몸체(330)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(310) 및 제2 리드 프레임(320)으로부터 전원을 공급받는 제1 실시예 내지 제3 실시예들에 따른 발광 소자(10)와, 상기 발광 소자(10)를 포위하는 몰딩부재(340)를 포함한다.Referring to FIG. 8, the light emitting device package according to the embodiment may include a body 330, a first lead frame 310 and a second lead frame 320 installed on the body 330, and the body 330. A light emitting device 10 according to the first to third embodiments, which is installed and supplied with power from the first lead frame 310 and the second lead frame 320, and surrounds the light emitting device 10. It includes a molding member 340.

상기 몸체(330)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(10)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 330 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 10.

상기 제1 리드 프레임(310) 및 제2 리드 프레임(320)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(10)에 전원을 제공한다.The first lead frame 310 and the second lead frame 320 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 10.

또한, 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)은 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.In addition, the first and second lead frames 310 and 320 may increase light efficiency by reflecting light generated from the light emitting device 10, and discharge heat generated from the light emitting device 10 to the outside. You can also do

상기 발광 소자(10)는 상기 제1 리드 프레임(310), 제2 리드 프레임(320) 및 상기 몸체(330) 중 어느 하나 위에 설치될 수 있으며, 와이어 방식, 다이 본딩 방식 등에 의해 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)에 전기적으로 연결될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device 10 may be installed on any one of the first lead frame 310, the second lead frame 320, and the body 330. The light emitting device 10 may be formed by a wire method, a die bonding method, or the like. 2 may be electrically connected to the lead frames 310 and 320, but is not limited thereto.

실시예에서는 제1 실시예에 따른 발광 소자(10)가 예시되어 있으며, 두개의 와이어(350)를 통해 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)과 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있으나, 제2 실시예에 따른 발광 소자(10)의 경우 상기 와이어(350)없이 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 제3 실시예에 따른 발광 소자(10)의 경우 하나의 와이어(350)를 이용하여 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)과 전기적으로 연결될 수 있다.In the embodiment, the light emitting device 10 according to the first embodiment is illustrated, and the first and second lead frames 310 and 320 are electrically connected to each other through two wires 350. The light emitting device 10 according to the embodiment may be electrically connected to the first and second lead frames 310 and 320 without the wire 350. In the light emitting device 10 according to the third embodiment, one wire 350 may be used. ) May be electrically connected to the first and second lead frames 310 and 320.

상기 몰딩부재(340)는 상기 발광 소자(10)를 포위하여 상기 발광 소자(10)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(340)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(10)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 340 may surround the light emitting device 10 to protect the light emitting device 10. In addition, the molding member 340 may include a phosphor to change the wavelength of the light emitted from the light emitting device 10.

또한, 상기 발광 소자 패키지(200)는 COB(Chip On Board) 타입을 포함하며, 상기 몸체(330)의 상면은 평평하고, 상기 몸체(330)에는 복수의 발광 소자(10)가 설치될 수도 있다.In addition, the light emitting device package 200 may include a chip on board (COB) type, and an upper surface of the body 330 may be flat, and a plurality of light emitting devices 10 may be installed on the body 330. .

10, 10A, 10B: 자외선 발광 소자 11: 기판
13: 버퍼층 15: 제1 도전형 반도체층
17: 활성층 19: 제2 도전형 반도체층
20: 발광 구조물 21, 23, 51, 71: 제1 전극
25, 29, 53, 73: 제1 수직 전극 라인
27a, 27b, 31a, 31b, 55a 내지 55f, 75a 내지 75f: 제1 수평 전극 라인
33, 59, 77: 제2 전극
35a 내지 35e, 61a 내지 61e, 85a 내지 85e: 수평 구조물
37a 내지 37d, 87: 수직 구조물
41a 내지 41e, 57a 내지 57e, 81a 내지 81e: 제2 수평 전극 라인
43a 내지 43d, 79: 제2 수직 전극 라인
45: 반사층
47a 내지 47d: 그루브10, 10A, 10B: Ultraviolet Light Emitting Element 11: Substrate
13: buffer layer 15: first conductivity type semiconductor layer
17: active layer 19: second conductive semiconductor layer
20: light emitting structure 21, 23, 51, 71: first electrode
25, 29, 53, 73: first vertical electrode line
27a, 27b, 31a, 31b, 55a to 55f, 75a to 75f: first horizontal electrode line
33, 59, 77: second electrode
35a to 35e, 61a to 61e, 85a to 85e: horizontal structure
37a-37d, 87: vertical structure
41a to 41e, 57a to 57e, 81a to 81e: second horizontal electrode line
43a to 43d, 79: second vertical electrode line
45: reflective layer
47a to 47d: groove

Claims (20)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 서로 이격되어 배치되는 복수의 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 복수의 제2 도전형 반도체층 사이에 각각 배치되는 복수의 활성층을 포함하는 복수의 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및
상기 복수의 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치되고, 상기 복수의 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 도전형 반도체층, 상기 복수의 활성층 및 상기 복수의 제2 도전형 반도체층은 알루미늄을 포함하고, 상기 활성층은 자외선 광을 생성하고,
상기 자외선 광의 TM 편광의 광 추출 효율이 증가되도록 발광 구조물의 측면의 볼륨을 증가시키기 위해서, 상기 복수의 발광 구조물은 각각 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 이격 배치되고,
상기 복수의 발광 구조물 사이의 상기 제2 방향의 이격 거리는 상기 복수의 발광 구조물의 제2 방향의 폭보다 작고,
상기 복수의 발광 구조물 각각은 상기 제1 방향의 제1 폭이 상기 제2 방향의 제2 폭보다 크고,
상기 제1 전극은 상기 복수의 발광 구조물 사이로 연장되는 복수의 제1 수평 전극 라인을 포함하고,
상기 제2 전극은 상기 복수의 발광 구조물 상에 각각 배치된 복수의 제2 수평 전극 라인을 포함하고,
상기 복수의 발광 구조물 각각은 상기 제1 방향의 양 끝에 배치된 일단 및 타단을 포함하고,
상기 기판은 상기 제1 방향으로 연장된 제1 측면 및 제2 측면, 상기 제2 방향으로 연장된 제3 측면 및 제4 측면을 포함하고,
상기 발광 구조물의 일단과 상기 기판의 제3 측면 사이의 제1 방향의 이격 거리는 상기 발광 구조물의 타단과 상기 기판의 제4 측면 사이의 제1 방향의 이격 거리보다 큰 자외선 발광 소자.Board;
A first conductivity type semiconductor layer disposed on the substrate;
A plurality of second conductive semiconductor layers spaced apart from each other on the first conductive semiconductor layer, and a plurality of active layers respectively disposed between the first conductive semiconductor layer and the plurality of second conductive semiconductor layers. A plurality of light emitting structures;
A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer and electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And
A plurality of second electrodes disposed on the plurality of second conductive semiconductor layers, respectively, and electrically connected to the plurality of second conductive semiconductor layers, respectively;
The first conductive semiconductor layer, the plurality of active layers and the plurality of second conductive semiconductor layers include aluminum, and the active layer generates ultraviolet light,
In order to increase the volume of the side surface of the light emitting structure so that the light extraction efficiency of the TM polarization of the ultraviolet light is increased, the plurality of light emitting structures are respectively arranged in a second direction extending in a first direction and perpendicular to the first direction ,
The separation distance in the second direction between the plurality of light emitting structures is smaller than the width in the second direction of the plurality of light emitting structures,
Each of the light emitting structures has a first width in the first direction greater than a second width in the second direction,
The first electrode includes a plurality of first horizontal electrode lines extending between the plurality of light emitting structures,
The second electrode includes a plurality of second horizontal electrode lines respectively disposed on the plurality of light emitting structures,
Each of the plurality of light emitting structures includes one end and the other end disposed at both ends of the first direction,
The substrate includes a first side and a second side extending in the first direction, a third side and a fourth side extending in the second direction,
And a separation distance in a first direction between one end of the light emitting structure and a third side surface of the substrate is greater than a separation distance in a first direction between the other end of the light emitting structure and the fourth side surface of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 발광 구조물 각각은 사각 형상의 상면, 제1 방향으로 연장된 제1 측면 및 제2 측면, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장된 제3 측면 및 제4 측면을 포함하고,
상기 발광 구조물의 제1 측면 및 제2 측면의 제1 방향 길이는 상기 발광 구조물의 제3 측면 및 제4 측면의 제2 방향 길이보다 길고,
상기 복수의 발광 구조물은 상기 제2 방향으로 이격 배치되고,
상기 복수의 제2 전극은 상기 제2 방향으로 이격 배치되고,
상기 활성층은 상기 발광 구조물의 제1 내지 제4 측면으로 노출되는 자외선 발광 소자.The method of claim 1,
Each of the light emitting structures includes a quadrangular upper surface, first and second side surfaces extending in a first direction, third and fourth side surfaces extending in a second direction perpendicular to the first direction,
The first direction length of the first side surface and the second side surface of the light emitting structure is longer than the second direction length of the third side surface and the fourth side surface of the light emitting structure,
The plurality of light emitting structures are spaced apart in the second direction,
The plurality of second electrodes are spaced apart in the second direction,
And the active layer is exposed to the first to fourth side surfaces of the light emitting structure. 제2항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층은 상기 복수의 발광 구조물 사이에서 노출되는 제1 영역을 포함하는 자외선 발광 소자.The method of claim 2,
The first conductive semiconductor layer may include a first region exposed between the plurality of light emitting structures. 제3항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제2 방향으로 연장된 제1 수직 전극 라인을 포함하는 자외선 발광 소자.The method of claim 3,
And the first electrode includes a first vertical electrode line extending in the second direction. 제4항에 있어서,
상기 제1 전극의 제1 수직 전극 라인은 상기 복수의 발광 구조물과 상기 제1 방향으로 중첩하는 자외선 발광 소자.The method of claim 4, wherein
The first vertical electrode line of the first electrode overlaps the plurality of light emitting structures in the first direction. 제4항에 있어서,
상기 제1 수직 전극 라인은 상기 복수의 제1 수평 전극 라인과 연결되는 자외선 발광 소자.The method of claim 4, wherein
And the first vertical electrode line is connected to the plurality of first horizontal electrode lines. 제6항에 있어서,
상기 제1 수평 전극 라인의 제1 방향 길이는 상기 발광 구조물의 제1방향 길이보다 긴 자외선 발광 소자.The method of claim 6,
And a first direction length of the first horizontal electrode line is longer than a first direction length of the light emitting structure. 제6항에 있어서,
상기 제1 수평 전극 라인과 상기 발광 구조물 사이의 제2 방향 거리는 상기 제1 수평 전극 라인의 제2 방향 폭보다 작은 자외선 발광 소자.The method of claim 6,
And a second direction distance between the first horizontal electrode line and the light emitting structure is smaller than a second width of the first horizontal electrode line. 제6항에 있어서,
상기 제1 수평 전극 라인과 상기 발광 구조물 사이의 상기 제2 방향의 최소 거리는 5um 이상 내지 15um 이하인 자외선 발광 소자.The method of claim 6,
The minimum distance in the second direction between the first horizontal electrode line and the light emitting structure is 5um or more to 15um or less. 제1항에 있어서,
상기 기판은 상기 기판의 제1측면을 이등분한 지점과 상기 기판의 제2측면을 이등분한 지점을 연결한 가상선을 기준으로 일측에 배치되는 제1영역 및 타측에 배치되는 제2영역을 포함하고,
상기 복수의 발광 구조물의 일단은 모두 상기 기판의 제1영역에 배치되고, 상기 복수의 발광 구조물의 타단은 모두 상기 기판의 제2영역 상에 배치되고,
상기 기판은 투광성 기판인 자외선 발광 소자.The method of claim 1,
The substrate may include a first region disposed on one side and a second region disposed on the other side based on an imaginary line connecting a bisected point of the first side of the substrate and a bisected point of the second side of the substrate. ,
One end of the plurality of light emitting structures is all disposed in the first region of the substrate, and the other end of the plurality of light emitting structures are all disposed on the second region of the substrate,
The substrate is an ultraviolet light emitting device that is a translucent substrate. 제2항에 있어서,
상기 복수의 제2 전극 각각은 상기 제1 방향으로 연장된 모서리와 상기 제2 방향으로 연장된 모서리를 구비하고, 상기 제1 방향으로 연장된 모서리의 제1 방향의 길이가 상기 제2 방향으로 연장된 모서리의 제2 방향의 길이보다 큰 상면을 갖는 자외선 발광 소자.The method of claim 2,
Each of the plurality of second electrodes has an edge extending in the first direction and an edge extending in the second direction, and the length of the first direction of the edge extending in the first direction extends in the second direction. Light-emitting device having an upper surface larger than the length in the second direction of the corner. 기판;
상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 복수의 활성층 및 상기 복수의 활성층 상에 각각 배치되는 복수의 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 을 포함하고,
상기 제1 도전형 반도체층, 상기 복수의 활성층 및 상기 복수의 제2 도전형 반도체층은 알루미늄을 포함하고, 상기 활성층은 자외선 광을 생성하고,
상기 자외선 광의 TM 편광의 광 추출 효율이 증가되도록 발광구조물의 측면의 볼륨을 증가시키기 위해서, 상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역, 상기 복수의 활성층의 측면, 및 상기 복수의 제2 도전형 반도체층의 측면이 노출되는 리세스를 포함하고,
상기 리세스는 상기 발광 구조물을 이격시키는 그루브 영역을 포함하고,
상기 복수의 제2 도전형 반도체층의 상면은 각각 사각 형상을 갖고,
상기 사각 형상의 최소 폭은 상기 그루브의 최소 폭보다 크고,
상기 사각 형상은 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 이격 배치되고,
상기 제2 전극은 상기 복수의 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치된 복수의 제2 수평 전극 라인을 포함하고,
상기 복수의 제2 수평 전극 라인은 각각 상기 제1 방향의 양 끝에 배치된 일단 및 타단을 포함하고,
상기 기판은 상기 제1 방향으로 연장된 제1측면 및 제2측면, 상기 제2 방향으로 연장된 제3측면 및 제4측면을 포함하고,
상기 제2 수평 전극 라인의 일단과 상기 기판의 제3 측면 사이의 제1 방향의 이격 거리는 상기 제2 수평 전극 라인의 타단과 상기 기판의 제4 측면 사이의 제1 방향의 이격 거리보다 큰 자외선 발광 소자.Board;
A light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer disposed on the substrate, a plurality of active layers disposed on the first conductive semiconductor layer, and a plurality of second conductive semiconductor layers disposed on the plurality of active layers, respectively. ;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And
A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer; Including,
The first conductive semiconductor layer, the plurality of active layers and the plurality of second conductive semiconductor layers include aluminum, and the active layer generates ultraviolet light,
In order to increase the volume of the side surface of the light emitting structure such that the light extraction efficiency of the TM polarized light of the ultraviolet light is increased, the light emitting structure may include a partial region of the first conductivity type semiconductor layer, side surfaces of the plurality of active layers, and the plurality of agents. A recess in which the side surface of the second conductivity type semiconductor layer is exposed,
The recess includes a groove area spaced apart from the light emitting structure,
Upper surfaces of the plurality of second conductive semiconductor layers each have a rectangular shape,
The minimum width of the square shape is greater than the minimum width of the groove,
The rectangular shape extends in a first direction and is spaced apart in a second direction perpendicular to the first direction,
The second electrode includes a plurality of second horizontal electrode lines respectively disposed on the plurality of second conductivity type semiconductor layers,
Each of the plurality of second horizontal electrode lines includes one end and the other end disposed at both ends of the first direction,
The substrate includes a first side surface and a second side surface extending in the first direction, a third side surface and a fourth side surface extending in the second direction,
Ultraviolet light emission greater than a distance in a first direction between the other end of the second horizontal electrode line and the fourth side of the substrate is greater than the distance in the first direction between one end of the second horizontal electrode line and the third side surface of the substrate device. 삭제delete 제12항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제2 방향으로 연장된 제1 수직 전극 라인을 포함하는 자외선 발광 소자.The method of claim 12,
And the first electrode includes a first vertical electrode line extending in the second direction. 제14항에 있어서,
상기 제1 전극의 제1 수직 전극 라인은 상기 발광 구조물과 상기 제1 방향으로 중첩하는 자외선 발광 소자.The method of claim 14,
And a first vertical electrode line of the first electrode overlapping the light emitting structure in the first direction. 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 그루브 영역에 배치되는 복수의 제1 수평 전극 라인을 포함하는 자외선 발광 소자.The method according to claim 14 or 15,
And the first electrode includes a plurality of first horizontal electrode lines disposed in the groove area. 제16항에 있어서,
상기 제1 수평 전극 라인의 제1 방향 길이는 상기 발광 구조물의 제1 방향 길이보다 긴 자외선 발광 소자.The method of claim 16,
And a first direction length of the first horizontal electrode line is longer than a first direction length of the light emitting structure. 제16항에 있어서,
상기 제1 수평 전극 라인과 상기 발광 구조물 사이의 제2 방향 거리는 상기 전극 라인의 제2 방향 폭보다 작은 자외선 발광 소자.The method of claim 16,
And a second direction distance between the first horizontal electrode line and the light emitting structure is smaller than a width in the second direction of the electrode line. 제12항에 있어서,
상기 복수 개의 사각 형상의 제2 방향 간격은 동일한 자외선 발광 소자. The method of claim 12,
The ultraviolet light emitting device of the second direction of the plurality of square shape is the same. 제12항에 있어서,
상기 기판에서 상기 활성층의 상면까지의 수직 거리는 상기 기판에서 상기 제1 전극까지의 수직 거리보다 긴 자외선 발광 소자.
The method of claim 12,
And a vertical distance from the substrate to an upper surface of the active layer is longer than a vertical distance from the substrate to the first electrode.
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