KR20090116840A - Light emitting device and method for fabricating the same - Google Patents

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KR20090116840A
KR20090116840A KR20080042601A KR20080042601A KR20090116840A KR 20090116840 A KR20090116840 A KR 20090116840A KR 20080042601 A KR20080042601 A KR 20080042601A KR 20080042601 A KR20080042601 A KR 20080042601A KR 20090116840 A KR20090116840 A KR 20090116840A
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박형조
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device and a method for fabricating the same are provided to improve the luminance of the emitting device by driving a stable operation voltage without luminosity deterioration. CONSTITUTION: In a light emitting device and a method for fabricating the same, a semiconductor layer(50) of the second conductive type is formed on a second electrode layer. A current shielding layer(70) is formed in the semiconductor layer of the second conductive type. An active layer(40) is formed on the semiconductor layer of the second conductive type. The semiconductor layer(30) of the first conductivity type is formed on the active layer. The first electrode layer is formed on the semiconductor layer of the first conductivity type. At least a part of the first electrode layer, the second electrode layers, and a current shielding layer are arranged to be the same vertical surface. An ohmic electrode layer(80) is formed between the second electrode layers and the current shielding layer.

Description

발광 소자 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME} Light emitting device and a method of manufacturing {LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device and a method of manufacturing the same.

최근, 발광 소자로써 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 장치가 많이 연구되고 있다. Recently, there has been much research device using a LED (Light Emitting Diode) as the light emitting element.

LED는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기 신호를 빛으로 변환시키는 것으로, 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 제2 도전형의 반도체층이 적층되어 전원이 인가됨에 따라 상기 활성층에서 빛을 방출한다. LED is as that for converting the light to an electric signal using the characteristics of compound semiconductors, the the first conductive semiconductor layer, an active layer, a semiconductor layer of the second conductivity type are stacked is powered to emit light from the active layer . 상기 제1 도전형의 반도체층은 N형 반도체층이 되고 상기 제2 도전형의 반도체층은 P형 반도체층이 될 수 있고, 또는 그 반대가 될 수도 있다. Wherein the semiconductor layer of the first conductivity type may be an N-type semiconductor layer and the semiconductor layer of the second conductivity type may be a P-type semiconductor layer, or vice versa.

한편, 상기 제1 도전형의 반도체층에 전원을 인가하는 제1 전극층과 상기 제2 도전형의 반도체층에 전원을 인가하는 제2 전극층이 수직 방향으로 배치되는 수직형 LED 구조에서, 상기 제1 전극층의 하측에 전류가 집중되는 현상이 발생될 수 있다. On the other hand, in a vertical LED structure, the second electrode layer applying power to the second conductive semiconductor layer and a first electrode layer applying power to the first conductive semiconductor layer is disposed in the vertical direction, the first there is a phenomenon that current is concentrated on the lower side of the electrode layer may occur.

상기 제1 전극층의 하측에 전류가 집중되는 형상이 발생되는 경우, 동작 전 압이 상승되고 광도가 저하될 수 있으며, 결과적으로 발광 소자의 신뢰성이 떨어진다. If the CM is a current concentration at the lower side of the first electrode layer occurs, the operation voltage is raised, and the brightness may be reduced, and consequently the reliability of the light-emitting element falls.

실시예는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다. The embodiment provides a light emitting device and a method of manufacturing the same.

실시예는 전류 집중 현상을 제거할 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다. The embodiment provides a light emitting device and a manufacturing method capable of removing the current concentration phenomenon.

실시예는 안정적인 동작 전압으로 구동될 수 있고, 광도가 저하됨없이 안정적으로 동작될 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다. Embodiment may be driven in a stable operating voltage, it provides a light emitting device and a method of manufacturing the same, which light intensity can be stably operated without degraded.

본 발명의 실시예에 따른 발광 소자는 제2 전극층; A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a second electrode layer; 상기 제2 전극층 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층; Wherein the second conductive semiconductor layer formed on the second electrode layer; 상기 제2 도전형의 반도체층에 형성된 전류 차단층; A current blocking layer formed on the second conductive semiconductor layer; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성된 활성층; An active layer formed on the second conductive semiconductor layer; 상기 활성층 상에 형성된 제1 도전형의 반도체층; A first conductive semiconductor layer formed on the active layer; 및 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성된 제1 전극층이 포함된다. And it includes a first electrode layer formed on the first conductive semiconductor layer.

본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 기판 상에 Un-doped GaN층, 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 형성하는 단계; Manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming the Un-doped GaN layer, the first conductive semiconductor layer, an active layer and a semiconductor layer of a second conductivity type on a substrate; 상기 제2 도전형의 반도체층에 전류 차단층을 형성하는 단계; Forming a current blocking layer on the second conductive semiconductor layer; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; Forming a second electrode layer on the second conductive semiconductor layer; 및 상기 기판 및 Un-doped GaN층을 제거하고, 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계가 포함된다. And it includes the step of removing the substrate and the Un-doped GaN layer, forming a first electrode layer on the first conductive semiconductor layer.

실시예는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다. The embodiment can provide a light emitting device and a method of manufacturing the same.

실시예는 전류 집중 현상을 제거할 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다. The embodiment can provide a light emitting device and a manufacturing method capable of removing the current concentration phenomenon.

실시예는 안정적인 동작 전압으로 구동될 수 있고, 광도가 저하됨없이 안정적으로 동작될 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다. Embodiment may be driven in a stable operating voltage, it is possible to provide a light emitting device and a method for manufacturing the light intensity can be stably operated without degraded.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. In the embodiment described in accordance with the present invention, each layer (or film), region, pattern or structure is referred to, each layer (film), a region, of the pads or patterns, "upper / above (on)" in or "down (under ) "in the case that the substrate to be formed on," upper / above (on) "and" down (under) "is" directly (directly) "or" by interposing another layer (indirectly) "it includes all of being formed do. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. Further criteria for the phase / position of the layer has been described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. The thickness and size of each layer shown in the drawings may be exaggerated, omitted or schematically drawn for the purpose of convenience or clarity. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The size of each component does not utterly reflect an actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. Shall be described in detail the light emitting device and a method of manufacturing the same according to the following embodiments, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면이다. 1 to 6 are views showing a light emitting device and a method of manufacturing the same according to the first embodiment of the present invention.

먼저, 도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자는 제2 전극층(90)과, 상기 제2 전극층(90) 상에 형성된 오믹 전극층(80)과, 상기 오믹 전극 층(80) 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층(50), 활성층(40) 및 제1 도전형의 반도체층(30)과, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 형성된 제1 전극층(100)이 포함된다. Referring first to Figure 6, the light emitting device according to a first embodiment of the present invention includes a second electrode layer 90 and the second electrode layer ohmic electrode layer 80 and the ohmic electrode layer formed on a (90) ( a first electrode layer 80), the second conductive semiconductor layer formed on a 50, active layer 40 and the first conductive semiconductor layer 30, formed on the semiconductor layer 30 of the first conductivity type include 100. 또한, 상기 제2 도전형의 반도체층(50)에는 전류가 흐르는 경로를 변화시키기 위한 전류 차단층(70)이 형성된다. In addition, the semiconductor layer 50 of the second conductivity type, the current blocking layer 70 for changing a route in which a current flows is formed.

상기 오믹 전극층(80)은 상기 제2 전극층(90)와 하면 및 측면이 접촉하여 형성될 수도 있으며, 상기 오믹 전극층(80)의 상면과 상기 제2 전극층(90)의 상면은 동일 수평 평면 상에 형성될 수도 있다. The ohmic electrode layer 80 on the top surface is the same horizontal plane of the upper surface and the second electrode layer 90 of, and may be formed by the bottom and sides and the second electrode layer 90 contact, the ohmic electrode layer 80 It may be formed.

상기 제1 전극층(100)과 상기 오믹 전극층(80)은 수직 방향으로 배치된다. The first electrode layer 100 and the ohmic electrode layer 80 are arranged in the vertical direction. 또는, 상기 제1 전극층(100)과 상기 제2 전극층(90)은 수직 방향으로 배치된다. Alternatively, the first electrode layer 100 and the second electrode layer 90 are arranged in the vertical direction. 즉, 상기 제1 전극층(100)과 상기 오믹 전극층(80) 또는 제2 전극층(90)은 적어도 일부분이 동일 수직 평면 상에 배치될 수 있다. That is, the first electrode layer 100 and the ohmic electrode layer 80 or the second electrode layer 90 may be at least partially disposed on the same vertical plane.

실시예에 따른 발광 소자에서는 상기 제2 도전형의 반도체층(50) 내에 전류 차단층(70)을 형성한다. The light emitting device according to an embodiment to form a current blocking layer 70 in the semiconductor layer 50 of the second conductivity type. 상기 전류 차단층(70)은 상기 제2 도전형의 반도체층(50)과 상기 오믹 전극층(80)의 경계부에 형성될 수 있다. The current blocking layer 70 may be formed in the boundary between the second conductive type semiconductor layer 50 and the ohmic electrode layer 80 of. 예를 들어, 상기 전류 차단층(70)은 상면과 측면이 상기 제2 도전형의 반도체층(50)과 접촉하고, 하면이 상기 오믹 전극층(80)과 접촉한다. For example, the current blocking layer 70 is in contact with the semiconductor layer 50 of the upper surface and the side surface of the second conductivity type, in contact with the ohmic electrode layer 80.

상기 전류 차단층(70)은 절연 특성을 갖는 물질로 형성되며, 예를 들어, 상기 제2 도전형의 반도체층(50)이 산화된 산화물로 형성될 수 있다. The current blocking layer 70 is formed of a material having an insulating property, for example, a semiconductor layer 50 of the second conductivity type can be formed with the oxidized oxides. 상기 전류 차단층(70)은 플라즈마 산화 공정으로 형성된 Ga x O y 형태로 형성될 수 있으며, 10~100nm의 두께를 갖는다. The current blocking layer 70 may be formed of Ga x O y type formed by a plasma oxidation process, a thickness of 10 ~ 100nm.

상기 전류 차단층(70)이 형성됨에 따라 도 6에 화살표로 도시된 바와 같이, 상기 오믹 전극층(80)에서 상기 제1 전극층(100)으로 흐르는 전류는 상기 제1 전극층(100)의 하측으로 집중되어 흐르지 않고, 제2 도전형의 반도체층(50), 활성층(40) 및 제1 도전형의 반도체층(30)의 넓은 영역으로 퍼져 흐르게 된다. As the current blocking layer 70 is illustrated by arrows in Fig. 6, according to the formed, the current from the ohmic electrode layer 80 flows in the first electrode layer 100 is concentrated to the lower side of the first electrode layer 100 It is not flow, the flow is spread in a wide area of ​​the second conductive semiconductor layer 50, active layer 40 and the first conductive semiconductor layer 30.

따라서, 상기 제1 전극층(100)의 하측으로 전류가 집중되어 흐르는 전류 집중 현상을 방지할 수 있고, 결과적으로 안정적인 동작 전압으로 구동될 수 있으며, 광도가 향상될 수 있다. Thus, the first may be the current is concentrated prevent the flowing current concentration phenomenon to the lower side of the first electrode layer 100, the result may be driven in a stable operating voltage, the luminous intensity can be enhanced.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이고, 도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이다. 7 is a view showing a light emitting device according to a second embodiment of the present invention, Figure 8 is a view showing a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 7 및 도 8에 도시된 발광 소자는 도 6에 도시된 발광 소자와 기본적인 특징은 유사하다. 7 and the light emitting element is a light emitting element and the basic features illustrated in Figure 6 shown in Figure 8 is similar. 다만, 도 7 및 도 8에 도시된 발광 소자에서 상기 전류 차단층(70)의 형성 위치가 변경된 것이 도시되어 있고, 그에 따라 상기 제1 전극층(100)의 형성 위치가 변경될 수도 있다. However, it may be formed is shown that the position of the current blocking layer 70 is changed, and thus the positions of formation of the first electrode layer 100 to change from the light emitting element shown in FIGS.

본 발명의 실시예들에서, 상기 전류 차단층(70)은 상기 제2 도전형의 반도체층의(50)의 하부면의 중앙 영역에 형성되거나, 중앙 영역의 이외의 영역에 형성될 수 있다. In embodiments of the present invention, the current blocking layer 70 may be formed in the central area of ​​the lower surface of the 50 of the second conductive semiconductor layer, it may be formed in a region other than the central region. 또한, 상기 전류 차단층(70)은 적어도 2개가 서로 다른 크기를 갖도록 형성될 수도 있다. In addition, the current blocking layer 70 may be formed of at least two from each other so as to have a different size.

이하에서는 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, referring to FIGS. 1 to 6 will be described in detail to a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the invention.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하 기 위한 도면이다. Figures 1 to 6 is a view for group and a manufacturing method of a light emitting device according to an embodiment of the invention.

도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 Un-doped GaN층(20), 제1 도전형의 반도체층(30), 활성층(40) 및 제2 도전형의 반도체층(50)을 형성한다. 1, to form a Un-doped GaN layer 20, a first conductive semiconductor layer 30, active layer 40 and the semiconductor layer 50 of the second conductivity type on a substrate (10) . 또한, 상기 기판(10)과 상기 Un-doped GaN층(20) 사이에는 버퍼층(미도시)가 더 형성될 수도 있다. Further, between the substrate 10 and the Un-doped GaN layer 20. The buffer layer (not shown) may be further formed.

상기 기판(10)은 사파이어(Al 2 O 3 ), Si, SiC, GaAs, ZnO, MgO 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다. The substrate 10 may be formed at least any one of a sapphire (Al 2 O 3), Si , SiC, GaAs, ZnO, MgO.

상기 버퍼층은 AlInN/GaN, InxGa 1-x N/GaN, Al x In y Ga 1-xy N/In x Ga 1-x N/GaN 등과 같은 적층 구조를 이루는 멀티층으로 형성될 수도 있고, 예를 들어, 트리메틸 갈륨(TMGa)과 트리메틸 인듐(TMIn) 및 트리메틸 알루미늄(TMAl)을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버 내부로 주입시킴으로써 성장시킬 수 있다. The buffer layer may be formed by multi-layer serving as a multilayer structure such as AlInN / GaN, InxGa 1-x N / GaN, Al x In y Ga 1-xy N / In x Ga 1-x N / GaN, e. example, trimethylgallium (TMGa) and trimethyl indium (TMIn) and trimethyl aluminum (TMAl) can be grown by injecting into the chamber together with hydrogen gas and ammonia gas.

상기 Un-doped GaN층(20)은 트리메틸 갈륨(TMGa)을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버에 주입하여 성장시킬 수 있다. The Un-doped GaN layer 20 is trimethylgallium (TMGa) into the chamber together with hydrogen gas and ammonia gas.

상기 제1 도전형의 반도체층(30)은 제1 도전형의 불순물 이온이 주입된 질화물 반도체층이 될 수 있고, 예를 들어, N형 불순물 이온이 주입된 반도체층이 될 수 있다. A semiconductor layer (30) of the first conductivity type may be an impurity ion is implanted nitride semiconductor layer of the first conductivity type, for example, N-type impurity ions may be implanted semiconductor layer. 상기 제1 도전형의 반도체층(30)은 트리메틸 갈륨(TMGa), N형 불순물(예를 들어, Si)을 포함하는 사이렌 가스(SiN 4 ) 및 을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버에 주입하여 성장시킬 수 있다. A semiconductor layer (30) of the first conductivity type are trimethyl gallium (TMGa), N-type impurity siren gas (e. G., Si) (SiN 4) and the injected into the chamber together with hydrogen gas and ammonia gas and it can be grown.

그리고, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 활성층(40) 및 제2 도전형의 반도체층(50)을 형성한다. And, a semiconductor layer 50 of the first conductivity type active layer 40 and second conductivity type on the semiconductor layer 30.

상기 활성층(40)은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물(Multi-Quantum Well) 구조로 형성될 수 있고, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 적층구조로 형성될 수도 있다. The active layer 40 may be a single quantum well structure or a multiple quantum well (Multi-Quantum Well) structure may be formed of, for example, InGaN well layer / GaN barrier layer of the laminate structure.

상기 제2 도전형의 반도체층(50)은 제2 도전형의 불순물 이온이 주입된 질화물 반도체층이 될 수 있고, 예를 들어, P형 불순물 이온이 주입된 반도체층이 될 수 있다. A semiconductor layer (50) of the second conductivity type is the may be a second impurity ions of the conductivity type nitride semiconductor layer is injected, for example, a P-type impurity ions may be implanted semiconductor layer. 상기 제2 도전형의 반도체층(50)은 트리메틸 갈륨(TMGa), P형 불순물(예를 들어, Mg)을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp 2 Mg){Mg(C 2 H 5 C 5 H 4 ) 2 } 및 을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버에 주입하여 성장시킬 수 있다. The second conductive type semiconductor layer 50 are trimethyl gallium (TMGa), P-type impurities (e.g., Mg) Bisei butyl cyclopentadienyl magnesium (EtCp 2 Mg) {Mg (C 2 H containing 5 C 5 H 4) 2}, and the can into the chamber together with hydrogen gas and ammonia gas.

도 2를 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(50) 상에 마스크(60)를 형성하고, O 2 플라즈마 공정을 통해 선택적으로 전류 차단층(70)을 형성한다. 2, the selectively forming the current blocking layer 70 and the second on the semiconductor layer 50 of a conductivity type and forming a mask (60), through the O 2 plasma process.

상기 전류 차단층(70)은 산화물인 Ga x O y 형태로 형성될 수 있다. The current blocking layer 70 may be formed of an oxide of Ga x O y type. 예를 들어, 상기 전류 차단층(70)은 다음과 같은 화학식을 통해 형성될 수도 있다. For example, the current blocking layer 70 may be formed through the following formula such.

4GaN+3O 2 -> 2Ga 2 O 3 +2N 2 4GaN + 3O 2 -> 2Ga 2 O 3 + 2N 2

한편, 상기 마스크(60)의 패턴에 따라 도 7 및 도 8에 도시된 형태의 전류 차단층(70)이 형성될 수도 있다. On the other hand, the form of the current blocking layer 70 shown in Figs. 7 and 8 in accordance with the pattern of the mask 60 may be formed.

도 3을 참조하면, 상기 전류 차단층(70)을 형성한 후, 상기 마스크(60)를 제거한다. Referring to Figure 3, after forming the current blocking layer 70, removing the mask (60).

도 4를 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(50) 및 전류 차단층(70) 상에 오믹 전극층(80) 및 제2 전극층(90)을 형성한다. 4, to form the ohmic electrode layer 80 and the second electrode layer 90 on the semiconductor layer 50 and the current blocking layer 70 of the second conductivity type.

상기 오믹 전극층(80)은 투명 전극층으로 형성될 수도 있고, 예를 들어, ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다. The ohmic electrode layer 80 may be formed of a transparent electrode layer, for example, ITO, is ZnO, RuOx, TiOx, may be formed at least by any one of IrOx.

또한, 상기 오믹 전극층(80)은 반사층 및 접착층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. Further, the ohmic electrode layer 80 may include at least one of a reflective layer and the adhesive layer.

상기 제2 전극층(90)은 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 도전성 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다. The second electrode layer 90, for example, titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), is formed at least any one of a conductive substrate, may.

도 5를 참조하면, 도 4의 결과물에서, 상기 기판(10) 및 Un-doped GaN층(20)을 제거한다. 5, in the result of Figure 4, to remove the substrate 10 and the Un-doped GaN layer 20. 버퍼층이 형성된 경우에 상기 버퍼층도 제거된다. The buffer layer may be removed when the buffer layer is formed.

도 6을 참조하면, 도 5의 결과물에서, 칩 분리를 위한 아이솔레이션(isolation) 에칭 공정이 진행된다. Referring to Figure 6, in the result of Figure 5, the isolation (isolation) etching process for chip separation proceeds.

그리고, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 제1 전극층(100)을 형성한다. And, a first electrode layer 100 on the semiconductor layer 30 of the first conductivity type. 상기 제1 전극층(100)은 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다. The first electrode layer 100, for example, titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum may be formed of at least any one of a (Pt), gold (Au).

이와 같은 방법으로, 도 6에 도시된 발광 소자가 제조될 수 있다. In this way, it can be a light-emitting element shown in Figure 6 produced.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. Although described with reference to the embodiment above is by no means the only limit the present invention as one example, those skilled in the art to which this invention belongs that is not illustrated in the above without departing from the cases the essential characteristics of this embodiment it will be appreciated that various modifications and applications are possible. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. For example, each of the components specifically shown in the embodiment is capable of performing the transformation. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. And differences relating to these modifications and applications will have to be construed as being within the scope of the invention as defined in the appended claims.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면. 1 to 6 are views showing a light emitting device and a method of manufacturing the same according to the first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면. 7 is a view showing a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 8는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면. Figure 8 is a view showing a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

Claims (12)

  1. 제2 전극층; A second electrode layer;
    상기 제2 전극층 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층; Wherein the second conductive semiconductor layer formed on the second electrode layer;
    상기 제2 도전형의 반도체층에 형성된 전류 차단층; A current blocking layer formed on the second conductive semiconductor layer;
    상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성된 활성층; An active layer formed on the second conductive semiconductor layer;
    상기 활성층 상에 형성된 제1 도전형의 반도체층; A first conductive semiconductor layer formed on the active layer; And
    상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성된 제1 전극층이 포함되는 발광 소자. Light emitting device comprising a first electrode layer formed on the first conductive semiconductor layer.
  2. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제1 전극층, 제2 전극층 및 전류 차단층은 적어도 일부분이 동일 수직면 상에 배치되는 발광 소자. The first electrode layer, second electrode layer and the current blocking layer is a light emitting device disposed on the same vertical plane and at least a portion.
  3. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 전류 차단층은 상면 및 측면이 상기 제2 도전형의 반도체층과 접촉하고, 하면이 상기 제2 전극층에 대향하여 형성되는 발광 소자. The current blocking layer is the light emitting device is formed opposite to the second electrode layer when the upper and side surfaces in contact with the second conductive semiconductor layer.
  4. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 전류 차단층은 상기 제2 도전형의 반도체층의 산화물로 형성되는 발광 소자. The current blocking layer is a light emitting element formed of an oxide of the second conductive semiconductor layer.
  5. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 전류 차단층은 복수개로 이격되어 형성되는 발광 소자. A light emitting element formed above the current blocking layer is spaced apart by a plurality of.
  6. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제2 전극층과 상기 전류 차단층 사이에 오믹 전극층이 형성되는 발광 소자. Light emitting device of the ohmic electrode layer formed between the second electrode layer and the current blocking layer.
  7. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 전류 차단층은 상기 제2 도전형의 반도체층의 하부면의 중앙 영역에 형성되거나 중앙 영역 이외의 영역에 형성되는 발광 소자. The current blocking layer is a light emitting element formed on a region other than the central region, or formed in the central area of ​​the lower surface of the second conductive semiconductor layer.
  8. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 전류 차단층은 상기 제2 도전형의 반도체층의 하부면에 형성되고, 적어도 2개의 전류 차단층은 서로 다른 크기를 갖는 발광 소자. The current blocking layer is a light emitting device having formed on a lower surface of the semiconductor layer, at least two current blocking layers have different sizes of the second conductivity type.
  9. 기판 상에 Un-doped GaN층, 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 형성하는 단계; Un-doped GaN layer, the first conductive semiconductor layer on a substrate, forming a semiconductor layer of the active layer and the second conductivity type;
    상기 제2 도전형의 반도체층에 전류 차단층을 형성하는 단계; Forming a current blocking layer on the second conductive semiconductor layer;
    상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; Forming a second electrode layer on the second conductive semiconductor layer; And
    상기 기판 및 Un-doped GaN층을 제거하고, 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계가 포함되는 발광 소자 제조방법. The substrate and the Un-doped GaN layer and removing the light emitting included the step of forming a first electrode layer on the first conductive semiconductor layer device manufacturing method.
  10. 제 9항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 전류 차단층은 상기 제2 도전형의 반도체층의 산화물로 형성되는 발광 소자 제조방법. The current blocking layer is the light emitting device manufacturing method is formed of an oxide of the second conductive semiconductor layer.
  11. 제 9항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 제2 전극층을 형성하기 전 상기 제2 도전형의 반도체층 및 전류 차단층 상에 오믹 전극층을 형성하는 단계가 포함되는 발광 소자 제조방법. Method of manufacturing a light emitting device which includes the steps of forming an ohmic electrode layer on the second electrode layer to form around the second conductive semiconductor layer and the current blocking layer.
  12. 우리제 9항에 있어서, In our claim 9,
    상기 전류 차단층을 형성하는 단계는 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 마스크를 형성하고 O 2 플라즈마 공정을 수행하여 Ga x O y 형태의 산화물을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법. Forming a current blocking layer The method for manufacturing a light emitting device includes forming an oxide of Ga x O y type by forming a mask on the second conductive semiconductor layer and performing a O 2 plasma process.
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