KR102025719B1 - Light emitting device package and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지는, 반도체층의 적층 구조로 이루어져 서로 대향하는 제1 주면 및 제2 주면을 구비하는 발광적층체; 상기 제2 주면에 구비된 전극 상에 형성된 단자부; 상기 발광적층체의 상기 제2 주면에 형성되어 상기 단자부를 일부 노출시키는 몰드부; 및 상기 발광적층체의 제1 주면에 형성된 파장변환부;를 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a light emitting stack having a first main surface and a second main surface facing each other in a stacked structure of a semiconductor layer; A terminal portion formed on an electrode provided on the second main surface; A mold part formed on the second main surface of the light emitting laminate to partially expose the terminal part; And a wavelength conversion unit formed on the first main surface of the light emitting stack.

Description

발광소자 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same.

발광다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 접합을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 발광소자의 일종이다.A light emitting diode (LED) is a kind of light emitting device capable of realizing various colors of light by forming a light emitting source through a PN junction of a compound semiconductor.

LED는 시그널 등(Light)에서 일반 조명용으로 그 용도가 급격하게 확장되고 있으며, 더 많은 광량을 방출하기 위해서 광 효율이 향상됨과 동시에 점차 그 크기가 커지는 추세이다. 반면, 다양한 방면으로 조명용으로서 LED의 용도가 확대됨에 따라 각 용도에 맞는 조명디자인의 자유도를 위해서는 패키지의 크기는 작아져야 한다.LEDs are rapidly expanding their use for general lighting in signal lights, and are increasing in size with increasing light efficiency in order to emit more light. On the other hand, as the use of LEDs for lighting is expanded in various ways, the size of the package must be smaller for the freedom of lighting design for each use.

그러나, 전통적인 발광소자 패키지 구조인 프리몰드(premold) 구조의 패키지 본체 상에 LED 칩을 접합하거나, 세라믹 기판 등에 LED 칩을 접합하여 제조되는 패키지 구조에서는 크기를 줄이는데 한계가 있으며, 결국 조명 장치의 디자인 자유도가 제한되는 문제가 있다.However, there is a limit in reducing the size of a package structure manufactured by bonding an LED chip onto a package body of a premold structure, which is a conventional light emitting device package structure, or by bonding an LED chip to a ceramic substrate. There is a problem that the degree of freedom is limited.

또한 발광소자 패키지는 회로기판에 실장되고, 발광소자를 구동하기 위한 전기적 신호가 발광소자의 전극에 인가되면 발광소자가 빛을 발하게 된다. 이때 발광소자에서 발생하는 열은 회로기판을 통하여 외부로 방출되는데, 발광소자에서 발생한 열이 외부로 원활하게 방출되지 못하면 발광소자 패키지의 신뢰성이 저하되는 등 문제가 발생한다.
In addition, the light emitting device package is mounted on a circuit board and the light emitting device emits light when an electrical signal for driving the light emitting device is applied to the electrode of the light emitting device. At this time, the heat generated from the light emitting device is discharged to the outside through the circuit board, if the heat generated from the light emitting device is not smoothly released to the outside, there is a problem such as the reliability of the light emitting device package is lowered.

따라서, 당 기술분야에서는 초소형 패키지의 구현이 가능하여 조명 장치의 디자인 자유도를 극대화할 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법이 요구되고 있다.Accordingly, there is a need in the art for a light emitting device package capable of realizing a compact package and maximizing design freedom of a lighting device and a method of manufacturing the same.

또한, 발광소자 패키지가 회로기판이 아닌 배선 패턴에 바로 실장 되도록 하여 열전달 경로를 단순화 함으로써, 발광소자에서 발생된 열이 외부로 효과적으로 방출되도록 하는 발광소자 패키지 및 그 제조방법이 요구되고 있다.In addition, there is a need for a light emitting device package and a method of manufacturing the light emitting device package so that heat generated from the light emitting device can be effectively released to the outside by simplifying the heat transfer path by mounting the light emitting device package directly on the wiring pattern instead of the circuit board.

또한, 발광소자 패키지의 구조를 보다 단순화하여 원가 절감 및 생산성을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법이 요구되고 있다.
In addition, there is a need for a light emitting device package and a method of manufacturing the same, which can simplify the structure of the light emitting device package to improve cost and productivity.

본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지는, A light emitting device package according to an embodiment of the present invention,

반도체층의 적층 구조로 이루어져 서로 대향하는 제1 주면 및 제2 주면을 구비하는 발광적층체; 상기 제2 주면에 구비된 전극 상에 형성된 단자부; 상기 발광적층체의 상기 제2 주면에 형성되어 상기 단자부를 일부 노출시키는 몰드부; 및 상기 발광적층체의 제1 주면에 형성된 파장변환부;를 포함할 수 있다.A light emitting laminate having a stacked structure of semiconductor layers, the light emitting stack having a first main surface and a second main surface facing each other; A terminal portion formed on an electrode provided on the second main surface; A mold part formed on the second main surface of the light emitting laminate to partially expose the terminal part; And a wavelength conversion unit formed on the first main surface of the light emitting stack.

또한, 상기 몰드부는 상기 단자부보다 낮은 높이로 형성되어 상기 단자부의 일부가 상기 몰드부로부터 돌출되어 노출될 수 있다.In addition, the mold part may be formed at a height lower than that of the terminal part so that a part of the terminal part protrudes from the mold part and is exposed.

또한, 상기 몰드부는 필러와 백색 성형 복합재를 구비할 수 있다.In addition, the mold part may include a filler and a white molding composite.

또한, 상기 필러는 SiO2, TiO2 및 Al2O3로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 가질 수 있다.In addition, the filler may have one or more materials selected from the group consisting of SiO 2 , TiO 2 and Al 2 O 3 .

또한, 상기 발광적층체는 n형 반도체층 및 p형 반도체층과 그 사이에 형성된 활성층의 적층 구조를 가지며, 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층과 각각 연결되는 상기 전극은 동일한 방향을 향하도록 형성될 수 있다.In addition, the light emitting laminate has a stacked structure of an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer and an active layer formed therebetween, and the electrodes connected to the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer respectively face the same direction. Can be formed.

또한, 상기 단자부는 솔더 범프를 포함할 수 있다.In addition, the terminal portion may include a solder bump.

또한, 상기 단자부는 상기 전극 상에 형성된 금속 필러와 상기 금속 필러 상에 형성된 솔더 범프 또는 금속 피니쉬 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The terminal unit may include at least one of a metal filler formed on the electrode and a solder bump or a metal finish formed on the metal pillar.

또한, 상기 금속 필러 범프는 상기 몰드부 내에 매립될 수 있다.
In addition, the metal filler bumps may be embedded in the mold part.

본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광소자 패키지는, The light emitting device package according to another embodiment of the present invention,

서로 대향하는 제1 및 제2 주면과 이들을 연결하는 측면을 갖는 발광소자; 상기 발광소자의 측면 및 제1 주면의 적어도 일부를 덮도록 형성된 반사부; 상기 발광소자의 제2 주면의 적어도 일부를 덮도록 형성된 파장변환부; 상기 발광소자의 제1 주면 측에 배치되어 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 제1 및 제2 연결 전극; 및 상기 발광소자의 제1 주면 측에 상기 발광소자로부터 상기 제1 및 제2 연결 전극보다 먼 위치에 배치되며, 상기 제1 및 제2 연결 전극과 각각 연결되되 상기 제1 및 제2 연결 전극보다 크게 형성되어 상기 반사부의 일부를 덮도록 형성된 제1 및 제2 외부 전극;을 포함한다.A light emitting device having first and second main surfaces facing each other and side surfaces connecting them; A reflector formed to cover at least a portion of the side surface and the first main surface of the light emitting device; A wavelength conversion unit formed to cover at least a portion of the second main surface of the light emitting device; First and second connection electrodes disposed on a first main surface of the light emitting device and electrically connected to the light emitting device; And a first main surface side of the light emitting device disposed at a position farther from the light emitting device than the first and second connection electrodes, and connected to the first and second connection electrodes, respectively, than the first and second connection electrodes. And first and second external electrodes formed to be large to cover a portion of the reflecting unit.

또한, 상기 발광소자는, 기판과, 상기 기판 상에 형성되며 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층이 순차 적층된 발광구조물과, 상기 제1도전형 반도체층 및 제2도전형 반도체층에 각각 형성된 제1 연결 전극 및 제2 연결 전극을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device includes a substrate, a light emitting structure formed on the substrate, wherein a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked, the first conductive semiconductor layer, and the second conductive layer. It may include a first connection electrode and a second connection electrode respectively formed in the type semiconductor layer.

또한, 상기 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물과, 상기 기판과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되도록 형성되며, 상기 기판 방향으로 연장되어 외부로 노출된 제1 연결 전극을 구비하는 제1 도전형 컨택층과, 상기 기판과 상기 제1 도전형 컨택층 사이에 형성되며, 상기 기판 방향으로 연장되어 외부로 노출된 제2 연결 전극을 구비하는 제2 도전형 컨택층, 상기 제2 도전형 컨택층으로부터 연장되어 형성되며, 상기 제1 도전형 컨택층, 제1 도전형 반도체층 및 활성층을 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층과 접속된 도전성 비아와, 상기 제2 도전형 컨택층 및 상기 도전성 비아를 상기 제1 도전형 컨택층, 제1 도전형 반도체층 및 활성층과 전기적으로 분리시키기 위한 절연체를 포함할 수 있다.The light emitting device may include a substrate, a light emitting structure formed on the substrate, the light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer, and between the substrate and the first conductive semiconductor layer. A first conductive contact layer formed to be electrically connected to the first conductive semiconductor layer, the first conductive contact layer extending toward the substrate and having a first connection electrode exposed to the outside, the substrate and the first conductive contact layer; A second conductive contact layer formed between the second conductive contact layer, a second conductive contact layer extending in the substrate direction and having a second connection electrode exposed to the outside, the first conductive contact layer extending from the second conductive contact layer, Conductive vias connected to the second conductive semiconductor layer through the first conductive semiconductor layer and the active layer, and the second conductive contact layer and the conductive via to the first conductive contact layer and the first conductive semiconductor. And it may include an insulator to isolate the active layer and electrically.

또한, 상기 반사부는 고반사성 물질과 경화성 수지가 혼합될 수 있다.In addition, the reflective part may be mixed with a highly reflective material and a curable resin.

또한, 상기 고반사성 물질은 TiO2 또는 Al2O3 중 적어도 하나일 수 있다.In addition, the highly reflective material may be at least one of TiO 2 or Al 2 O 3 .

또한, 상기 제1 및 제2 외부 전극은 상기 발광소자 패키지의 하부 면적의 20 내지 50%의 넓이일 수 있다.
In addition, the first and second external electrodes may have an area of 20 to 50% of the lower area of the light emitting device package.

본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광장치는, A light emitting device according to another embodiment of the present invention,

서로 대향하는 제1 및 제2 주면과 이들을 연결하는 측면을 갖는 발광소자와, 상기 발광소자의 측면 및 제1 주면의 적어도 일부를 덮도록 형성된 반사부와, 상기 발광소자의 제2 주면의 적어도 일부를 덮도록 형성된 파장변환부와, 상기 발광소자의 제1 주면 측에 배치되어 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 제1 및 제2 연결 전극과, 상기 발광소자의 제1 주면 측에 상기 발광소자로부터 상기 제1 및 제2 연결 전극보다 먼 위치에 배치되며, 상기 제1 및 제2 연결 전극과 각각 연결되되 상기 발광소자의 측면 방향으로 연장되어 상기 반사부의 일부를 덮도록 형성된 제1 및 제2 외부 전극을 포함하는 발광소자 패키지; 및 상기 발광소자을 구동하기 위한 전기적 신호를 인가하는 배선 패턴을 포함하며, 상기 제1 및 제2 외부 전극이 상기 배선 패턴에 전기적으로 연결되도록 상기 발광소자 패키지가 배선 패턴에 실장된다.A light emitting device having first and second main surfaces facing each other and a side surface connecting the first and second main surfaces to each other, a reflector formed to cover at least a portion of the side surfaces and the first main surface of the light emitting device, and at least a part of the second main surface of the light emitting device A wavelength conversion unit formed to cover the first light source, a first and second connection electrodes disposed on the first main surface of the light emitting device and electrically connected to the light emitting device, and the first main surface of the light emitting device from the light emitting device. First and second external electrodes disposed at a position farther than the first and second connection electrodes and connected to the first and second connection electrodes, respectively, and extend in a lateral direction of the light emitting device to cover a portion of the reflective part. A light emitting device package comprising a; And a wiring pattern for applying an electrical signal for driving the light emitting device, wherein the light emitting device package is mounted on the wiring pattern such that the first and second external electrodes are electrically connected to the wiring pattern.

덧붙여, 상기한 과제의 해결 수단은 본 발명의 특징을 모두 열거한 것은 아니다. 본 발명의 다양한 특징과 그에 따른 장점과 효과는 아래의 구체적인 실시형태를 참조하여 보다 상세하게 이해될 수 있을 것이다.
In addition, the solution of the said subject does not enumerate all the features of this invention. Various features of the present invention and the advantages and effects thereof may be understood in more detail with reference to the following specific embodiments.

패키지 사이즈가 칩 사이즈가 되는 초소형 패키지의 구현이 가능하여 조명 장치의 디자인 자유도를 극대화할 수 있으며, 제조 비용을 획기적으로 절감할 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법이 제공될 수 있다.A package of which the package size is a chip size can be implemented to maximize the degree of freedom of design of the lighting device, and can provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same that can significantly reduce the manufacturing cost.

또한 본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 발광소자에 직접적으로 반사부, 전극부 및 파장변환부를 형성하고, 발광소자 패키지를 회로기판에 실장 하지 않고 바로 배선 패턴에 연결할 수 있도록 하여, 발광소자에서 발생하는 열을 보다 효과적으로 방출할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the reflective portion, the electrode portion and the wavelength conversion portion is formed directly on the light emitting device, and the light emitting device package can be directly connected to the wiring pattern without mounting on the circuit board, thereby generating in the light emitting device It can release heat more effectively.

또한 본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 발광소자 패키지의 구조를 보다 단순화하여 발광소자 패키지의 크기를 최소화할 수 있으며, 따라서 원가를 절감할 수 있고 생산성을 향상시킬 수 있다.
In addition, according to an embodiment of the present invention, the structure of the light emitting device package can be further simplified to minimize the size of the light emitting device package, thereby reducing costs and improving productivity.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 변형예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 각 단계별로 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 각 단계별로 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 7는 도 6의 발광소자 패키지에서 발광소자의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 6의 발광소자 패키지에서 발광소자의 다른 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9 내지 도 17은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기 위한 공정 별 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing a modification of FIG.
3A and 3B are cross-sectional views schematically illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
4A to 4G are diagrams schematically illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention in each step.
5A to 5I are schematic diagrams illustrating, in each step, a method of manufacturing a light emitting device package according to another exemplary embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic cross-sectional view of an example of a light emitting device in the light emitting device package of FIG.
8 is a cross-sectional view schematically showing another example of a light emitting device in the light emitting device package of FIG. 6.
9 to 17 are cross-sectional views of processes for describing a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.In addition, the embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 변형예를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시 형태에 따른 발광소자 패키지(100)는, 발광적층체(10), 단자부(20), 몰드부(30) 및 파장변환부(40)를 포함할 수 있다.
A light emitting device package according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a modification of FIG. 1. The light emitting device package 100 according to the present embodiment may include a light emitting stack 10, a terminal unit 20, a mold unit 30, and a wavelength converting unit 40.

발광적층체(10)는 복수의 반도체층의 적층 구조로 이루어지며, 서로 대향하는 제1 주면(10a) 및 제2 주면(10b)을 구비할 수 있다. 그리고, 하면에 해당하는 제2 주면(10b)에 전극(P)을 구비하여 발광다이오드 칩을 구성할 수 있다. 여기서, 제1 주면(10a) 및 제2 주면(10b)은 각각 도면을 기준으로 발광적층체(10)의 상면 및 하면을 의미할 수 있다. 제1 주면(10a)과 제2 주면(10b)은 상부와 하부에서 보았을 때 각각 형성되는 면인 점에서, 상기 발광적층체(10)의 하면인 제2 주면(10b)은 서로 높이가 다르거나 형성 물질이 다른 영역들에 의해 형성되는 면일 수 있다.The light emitting stack 10 may have a stacked structure of a plurality of semiconductor layers, and may include a first main surface 10a and a second main surface 10b facing each other. The light emitting diode chip may be configured by providing the electrode P on the second main surface 10b corresponding to the lower surface. Here, the first main surface 10a and the second main surface 10b may mean an upper surface and a lower surface of the light emitting stack 10 based on the drawings, respectively. Since the first and second main surfaces 10a and 10b are surfaces formed when viewed from the top and bottom, respectively, the second main surfaces 10b, which are lower surfaces of the light emitting stack 10, have different heights or are formed. The material may be a surface formed by other regions.

상기 발광적층체(10)는 n형 반도체층(11) 및 p형 반도체층(13)과 그 사이에 형성된 활성층(12)의 적층 구조를 가지며, n형 반도체층(11)의 일면과 p형 반도체층(13)의 일면에는 각각 전극(P), 즉 n형 및 p형 전극이 형성되어 각 반도체층(11,13)과 전기적으로 연결될 수 있다. n형 및 p형 반도체층(11,13)과 n형 및 p형 전극(P)이 각각 연결되는 구조는 공지된 내용이므로 본 실시형태에서는 구체적인 연결구조에 대한 도면 및 설명을 생략한다. 상기 전극(P)은 제2 주면(10b)의 각 반도체층(11,13)상에서 동일한 방향(도면에서는 아래쪽 방향)을 향하는 구조로 형성되어 발광적층체(10) 자체는 수평 구조를 갖는 발광다이오드 칩에 해당한다. 상기 전극(P)은 복수개로 구비될 수 있다. 본 실시형태에서는 전극(P)이 4개(n형 및 p형 전극이 각각 2개씩)인 것으로 도시하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 전극(P)의 수는 다양하게 변경될 수 있다.
The light emitting stack 10 has a lamination structure of an n-type semiconductor layer 11 and a p-type semiconductor layer 13 and an active layer 12 formed therebetween, and one surface and a p-type of the n-type semiconductor layer 11 Electrodes P, that is, n-type and p-type electrodes, may be formed on one surface of the semiconductor layer 13 to be electrically connected to each of the semiconductor layers 11 and 13. Since the structures in which the n-type and p-type semiconductor layers 11 and 13 and the n-type and p-type electrodes P are connected to each other are well known contents, drawings and descriptions of specific connection structures are omitted in the present embodiment. The electrode P is formed in a structure facing the same direction (downward in the drawing) on each of the semiconductor layers 11 and 13 of the second main surface 10b, so that the light emitting stack 10 itself has a horizontal structure. Corresponds to the chip. The electrode P may be provided in plurality. In the present embodiment, the electrode P is illustrated as having four (two n-type and p-type electrodes, respectively), but is not limited thereto, and the number of the electrodes P may be variously changed.

단자부(20)는 상기 전극(P) 상에 각각 형성되며, 외부로부터 전원을 공급받아 상기 전극(P)으로 전달한다. 또한, 상기 단자부(20)는 본 발명의 실시 형태에 따른 발광소자 패키지가 예를 들어 미도시된 조명 장치 등의 기판 상에 장착되는 경우 표면실장을 위한 본딩 영역으로 제공될 수 있다.The terminal units 20 are formed on the electrodes P, respectively, and receive power from the outside and transfer them to the electrodes P. In addition, the terminal unit 20 may be provided as a bonding area for surface mounting when the light emitting device package according to the embodiment of the present invention is mounted on a substrate such as, for example, a lighting device.

상기 단자부(20)는 소정 높이를 갖는 솔더 범프(solder bump)를 포함할 수 있다. 솔더 범프는 전기 도금, 솔더 프린팅 또는 볼 드롭(ball drop)과 같은 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
The terminal unit 20 may include a solder bump having a predetermined height. Solder bumps can be formed through various methods such as electroplating, solder printing or ball drop.

몰드부(30)는 상기 단자부(20)가 형성된 상기 발광적층체(10)의 상기 제2 주면(10b)에 형성되어 상기 단자부(20)를 지지한다. 구체적으로, 상기 몰드부(30)는 상기 발광적층체(10)의 상기 단자부(20)가 형성된 제2 주면(10b)에 상기 단자부(20) 사이를 메우는 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 단자부(20)는 상기 몰드부(30)에 의해 몰딩되어 보다 견고하게 고정 및 지지될 수 있으며, 안정적으로 보호될 수 있다.The mold part 30 is formed on the second main surface 10b of the light emitting stack 10 in which the terminal part 20 is formed to support the terminal part 20. In detail, the mold part 30 may be formed to fill the gap between the terminal parts 20 on the second main surface 10b on which the terminal part 20 of the light emitting stack 10 is formed. Therefore, the terminal part 20 may be molded by the mold part 30 to be more firmly fixed and supported, and stably protected.

상기 몰드부(30)는 상기 단자부(20)의 일부가 상기 몰드부(30)로부터 돌출되어 외부로 노출되도록 상기 단자부(20)보다 낮은 높이로 형성될 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 발광소자 패키지(100)가 기판 상에 실장되는 경우, 상기 노출된 단자부(20)를 통해 상기 기판에 형성되는 회로 패턴과 전기적 접속을 이루게 된다.The mold part 30 may be formed at a height lower than that of the terminal part 20 so that a part of the terminal part 20 protrudes from the mold part 30 and is exposed to the outside. Therefore, when the light emitting device package 100 according to the present embodiment is mounted on the substrate, the light emitting device package 100 is electrically connected to the circuit pattern formed on the substrate through the exposed terminal portion 20.

상기 몰드부(30)는 필러(filler)와 광 반사율이 높은 백색 성형 복합재(molding compound)를 구비할 수 있다. 이는 발광적층체(10)에서 방출되는 광을 반사시켜 상부로 방출되는 광량을 증가시키는 효과가 있다. The mold part 30 may include a filler and a white molding compound having high light reflectance. This reflects the light emitted from the light emitting stack 10 and increases the amount of light emitted upward.

필러는 SiO2, TiO2 및 Al2O3로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 백색 성형 복합재는 고 내열성의 열경화성 수지 계열 또는 실리콘 수지 계열을 포함할 수 있다. 또한, 백색 안료 및 충진제, 경화제, 이형제, 산화방지제, 접착력 향상제 등이 첨가된 열 가소성 수지 계열을 포함할 수 있다. 이러한 몰드부(30)는 광반사 특성 외에 100℃ 이상의 높은 Tg, 20ppm 이하의 낮은 CTE, 높은 접착력을 갖는다. 따라서, 기계적 물성이 우수한 몰드부(30)에 의해 단자부(20)가 봉지되어 견고하게 지지 및 고정될 수 있어 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
The filler may comprise one or more materials selected from the group consisting of SiO 2 , TiO 2 and Al 2 O 3 . In addition, the white molding composite may include a high heat resistance thermosetting resin series or a silicone resin series. In addition, the present invention may include a thermoplastic resin series in which a white pigment and a filler, a curing agent, a releasing agent, an antioxidant, an adhesion improving agent, and the like are added. The mold part 30 has a high Tg of 100 ° C. or higher, a low CTE of 20 ppm or less, and high adhesion in addition to the light reflection property. Therefore, the terminal unit 20 may be sealed and firmly supported and fixed by the mold unit 30 having excellent mechanical properties, thereby improving reliability.

파장변환부(40)는 발광적층체(10)로부터 방출된 빛의 파장을 변환하는 기능을 수행하며, 이를 위하여, 투명 수지 내에 적어도 일종의 형광체가 분산된 구조가 사용될 수 있다. 그리고, 파장변환부(40)에 의하여 변환된 빛은 발광적층체(10)로부터 방출된 빛과 혼합되어 백색 광을 구현할 수 있다. 예컨대, 발광적층체(10)가 청색 광을 방출할 경우에는 황색 형광체를 사용할 수 있으며, 발광적층체(10)가 자외 광을 방출할 경우에는 적색, 녹색, 청색 형광체를 혼합하여 사용할 수 있을 것이다. 이 외에 백색 발광을 위하여 발광적층체(10) 및 형광체의 색은 다양하게 조합될 수 있다. 또한, 반드시 백색이 아니더라도 녹색, 적색 등의 파장변환 물질만을 도포하여 해당 색을 방출하는 광원을 구현할 수도 있을 것이다.
The wavelength converter 40 performs a function of converting the wavelength of light emitted from the light emitting stack 10, and for this purpose, a structure in which at least one phosphor is dispersed in a transparent resin may be used. The light converted by the wavelength converter 40 may be mixed with the light emitted from the light emitting stack 10 to realize white light. For example, when the light emitting stack 10 emits blue light, a yellow phosphor may be used, and when the light emitting stack 10 emits ultraviolet light, red, green, and blue phosphors may be mixed and used. . In addition, the colors of the light emitting stack 10 and the phosphor may be variously combined to emit white light. In addition, even if it is not necessarily white, only a wavelength conversion material such as green or red may be applied to implement a light source emitting a corresponding color.

구체적으로, 발광적층체(10)로부터 청색 빛이 방출되는 경우, 적색 형광체로는 MAlSiNx:Re(1≤x≤5)인 질화물계 형광체 및 MD:Re인 황화물계 형광체 등이 있다. 여기서, M은 Ba, Sr, Ca, Mg 중 선택된 적어도 하나이고, D는 S, Se 및 Te 중 선택된 적어도 하나이며, Re는 Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 하나이다. 또한, 녹색 형광체는 M2SiO4:Re인 규산염계 형광체, MA2D4:Re인 황화물계 형광체, β-SiAlON:Re인 형광체, MA'2O4:Re'인 산화물계 형광체 등이 있으며, M은 Ba, Sr, Ca, Mg 중 선택된 적어도 하나의 원소이고, A는 Ga, Al 및 In 중 선택된 적어도 하나이고, D는 S, Se 및 Te 중 선택된 적어도 하나이며, A'은 Sc, Y, Gd, La, Lu, Al 및 In 중 선택된 적어도 하나이며, Re는 Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 하나이고, Re'는 Ce, Nd, Pm, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 하나일 수 있다.
Specifically, when blue light is emitted from the light emitting stack 10, red phosphors include nitride phosphors of MAlSiNx: Re (1≤x≤5) and sulfide phosphors of MD: Re. Here, M is at least one selected from Ba, Sr, Ca, Mg, D is at least one selected from S, Se and Te, Re is Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, At least one selected from Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br and I. Green phosphors include M 2 SiO 4 : Re phosphorus silicate phosphor, MA 2 D 4 : Re phosphorus sulfide phosphor, β-SiAlON: Re phosphor phosphor, MA ' 2 O 4 : Re' oxide phosphor, and the like. , M is at least one element selected from Ba, Sr, Ca, Mg, A is at least one selected from Ga, Al and In, D is at least one selected from S, Se and Te, A 'is Sc, Y At least one selected from Gd, La, Lu, Al, and In, and Re is Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, At least one selected from Cl, Br, and I, and Re 'may be at least one selected from Ce, Nd, Pm, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, F, Cl, Br and I.

한편, 형광체를 대체하여 또는 형광체와 함께 파장변환부(40)에는 양자점(Quantum Dot)이 구비될 수도 있다. 양자점은 코어(core)와 쉘(shell)로 이루어진 나노 크리스탈 입자로, 코어의 사이즈가 약 2mm ~ 100nm 범위에 있다. 또한, 양자점은 코어의 사이즈를 조절함으로 청색(B), 황색(Y), 녹색(G), 적색(R)과 같은 다양한 색깔을 발광하는 형광물질로 사용될수 있으며, II-VI족의 화합물반도체(ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgTe등), III-V족의 화합물반도체 (GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlAs, AlP, AlSb, AlS 등) 또는 Ⅳ족 반도체(Ge, Si, Pb 등) 중 적어도 두 종류의 반도체를 이종 접합하여 양자점을 이루는 코어(core)와 쉘(shell) 구조를 형성할 수 있다. 이 경우, 양자점의 쉘(shell) 외각에 쉘 표면의 분자 결합을 종료시키거나 양자점의 응집을 억제하고 실리콘 수지나 에폭시 수지 등 수지 내에 분산성을 향상시키거나 또는 형광체 기능을 향상시키기 위해 올레인산(Oleic acid)과 같은 물질을 이용한 유기 리간드(Organic ligand)를 형성할 수도 있다. 이러한 양자점은 수분이나 공기에 취약한 특성을 보이며, 특히, 기판의 회로 패턴(미도시)이나 패키지의 리드 프레임(미도시)과 접촉할 경우, 화학 반응이 일어날 수 있다. 도면에서와 같이, 파장변환부(40)를 발광적층체(10)의 상면에만 적용하여 상기 회로 패턴이나 리드 프레임과 접촉되지 않게 함으로써 신뢰성이 향상될 수 있을 것이다. 따라서, 이하, 파장변환물질로서 형광체를 예로 든 경우라 하여도, 형광체를 양자점으로 치환하거나 형광체에 양자점을 부가할 수 있을 것이다.
Meanwhile, a quantum dot may be provided in the wavelength converter 40 to replace the phosphor or together with the phosphor. Quantum dots are nanocrystal particles consisting of a core and a shell, and have a core size ranging from about 2 mm to 100 nm. In addition, the quantum dot can be used as a fluorescent material emitting a variety of colors such as blue (B), yellow (Y), green (G), red (R) by adjusting the size of the core, compound semiconductor of group II-VI (ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgTe, etc.) III-V compound semiconductors (GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlAs, AlP , AlSb, AlS, etc.) or group IV semiconductors (Ge, Si, Pb, etc.) may be heterogeneously bonded to form a core and shell structure forming a quantum dot. In this case, oleic acid (Oleic) is used to terminate molecular bonding on the surface of the shell at the shell shell of the quantum dots, to suppress aggregation of the quantum dots, to improve dispersibility in a resin such as silicone resin or epoxy resin, or to improve phosphor function. It is also possible to form organic ligands using a material such as acid). Such quantum dots are vulnerable to moisture or air, and especially, when the quantum dots are in contact with a circuit pattern (not shown) of the substrate or a lead frame (not shown) of the package, a chemical reaction may occur. As shown in the figure, reliability may be improved by applying the wavelength converter 40 only to the upper surface of the light emitting stack 10 so as not to contact the circuit pattern or the lead frame. Accordingly, even in the case where the phosphor is used as the wavelength conversion material, the phosphor may be replaced with a quantum dot or a quantum dot may be added to the phosphor.

본 실시 형태에서, 파장변환부(40)는 발광적층체(10)의 상면, 즉 상기 발광적층체(10)의 제1 주면(10a)에 박막 형태로 얇게 코팅된 구조로 제공될 수 있다. 따라서, 프리몰드 구조의 패키지 본체의 컵 내부에 형광체 등을 주입하는 종래 방식과 비교하여 전체적으로 균일한 빛을 얻을 수 있다. 또한, 발광적층체(10)의 표면에 바로 파장변환부(40)를 적용하며, 종래 방식에서의 발광적층체(10)가 실장되어 전기적으로 연결되는 프리몰드 구조의 패키지 본체나 기판을 따로 구비하지 않는 점에서 패키지의 사이즈를 줄일 수 있다. 즉, 칩 사이즈가 패키지 사이즈가 되는 초소형 패키지 구조를 구현할 수 있다.
In the present exemplary embodiment, the wavelength conversion part 40 may be provided in a thin film-coated structure on an upper surface of the light emitting stack 10, that is, the first main surface 10a of the light emitting stack 10. Therefore, as compared with the conventional method of injecting a phosphor or the like into the cup of the package body of the pre-molded structure, it is possible to obtain a uniform light as a whole. In addition, the wavelength conversion part 40 is directly applied to the surface of the light emitting stack 10, and a package body or a substrate having a pre-molded structure in which the light emitting stack 10 is mounted and electrically connected to each other is provided separately. This can reduce the size of the package. In other words, it is possible to implement a compact package structure in which the chip size becomes the package size.

한편, 도 2에서 도시하는 바와 같이 상기 파장변환부(40) 상에는 렌즈(50)가 더 형성될 수 있다. 상기 렌즈(50)는 상기 파장변환부(40) 상에 볼록하게 돌출된 볼록렌즈 형태로 형성되어 상기 파장변환부(40)를 통과하여 발광하는 광이 보다 넓은 영역으로 조사될 수 있도록 한다. 본 실시 형태에서는 상기 렌즈(50)가 볼록렌즈 형태로 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 상기 렌즈(50)의 형태는 이에 한정되는 것은 아니다.
Meanwhile, as shown in FIG. 2, a lens 50 may be further formed on the wavelength converter 40. The lens 50 is formed in the form of a convex lens that protrudes convexly on the wavelength converter 40 so that light emitted through the wavelength converter 40 can be radiated to a wider area. In the present exemplary embodiment, the lens 50 is formed in the form of a convex lens, but the shape of the lens 50 is not limited thereto.

도 3a 및 도 3b를 참조하여 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이다.A light emitting device package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. 3A and 3B are cross-sectional views schematically illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b에서 도시하는 실시형태에 따른 발광소자 패키지를 구성하는 구서은 상기 도 1 및 도 2에 도시된 실시형태와 기본적인 구조는 실질적으로 동일하다. 다만, 단자부의 구조가 상기 도 1 및 도 2에 도시된 실시형태와 다르기 때문에 이하에서는 앞서 설명한 실시형태와 중복되는 부분에 관한 설명은 생략하고 단자부에 관한 구성을 위주로 설명한다.
The structure of the light emitting device package according to the embodiment shown in FIGS. 3A and 3B is substantially the same as the embodiment shown in FIGS. 1 and 2. However, since the structure of the terminal portion is different from the embodiment shown in FIG. 1 and FIG. 2, the description of the portion overlapping with the above-described embodiment will be omitted, and the following will mainly focus on the configuration of the terminal portion.

도 3a에서 도시하는 바와 같이, 단자부(20')는 상기 전극(P) 상에 형성된 금속 필러(metal pillar)(21)와 상기 금속 필러(21) 상에 형성된 솔더 범프(22)를 구비할 수 있다. 금속 필러(21)는 발광적층체(10)의 전극(P) 상에 형성되어 전기적 접속을 이루며, 몰드부(30) 내에 매립되는 구조로 구비될 수 있다. 그리고, 솔더 범프(22)는 상기 금속 필러(21) 상에 형성되어 상기 몰드부(30)로부터 돌출되어 외부로 노출되는 구조로 구비될 수 있다. 이와 같이, 금속 필러(21)를 적용하는 경우 도 1 및 도 2에서와 같이 솔더 범프만을 구비하는 경우에 비해 솔더 범프(22)의 간격을 좁게하는 것이 가능하며, 따라서 보다 많은 솔더 범프(22)를 형성할 수 있어 방열 통로를 증가시킬 수 있는 장점이 있다. 이에 따라서 발광소자 패키지(100')의 방열 효율이 향상되는 장점이 있다. As shown in FIG. 3A, the terminal portion 20 ′ may include a metal pillar 21 formed on the electrode P and a solder bump 22 formed on the metal pillar 21. have. The metal filler 21 may be formed on the electrode P of the light emitting stack 10 to make an electrical connection, and may be provided in a structure embedded in the mold part 30. In addition, the solder bumps 22 may be formed on the metal filler 21 to protrude from the mold part 30 to be exposed to the outside. As such, when the metal filler 21 is applied, it is possible to narrow the interval between the solder bumps 22 as compared with the case where only the solder bumps are provided, as shown in FIGS. 1 and 2, and thus, more solder bumps 22 are provided. There is an advantage that can be formed to increase the heat dissipation passage. Accordingly, the heat radiation efficiency of the light emitting device package 100 ′ is improved.

한편, 도 3b에서 도시하는 바와 같이, 단자부(20')는 상기 전극(P) 상에 형성된 금속 필러(21)와 상기 금속 필러(21) 상에 형성된 금속 피니쉬(metal finish)(23)를 구비할 수 있다. 금속 필러(21)는 발광적층체(10)의 전극(P) 상에 형성되어 전기적 접속을 이루며, 몰드부(30) 내에 매립되는 구조로 구비될 수 있다. 그리고, 금속 피니쉬(23)는 상기 금속 필러(21) 상에 형성되어 상기 몰드부(30)로부터 돌출되어 외부로 노출되는 구조로 구비될 수 있다. 상기 금속 피니쉬(23)는 Au층(23a)과 Ni층(23b)을 금속 필러(21) 상에 순차적으로 적층하여 형성하며, 도금법을 통해 형성될 수 있다. 이와 같이, 솔더 범프(22) 대신 금속 피니쉬(23)를 적용하는 경우 발광소자 패키지(100')에서 발생되는 고온의 열에 의해 솔더 범프(22)가 녹아 내리는 위험을 방지할 수 있는 장점이 있다.
Meanwhile, as illustrated in FIG. 3B, the terminal portion 20 ′ includes a metal pillar 21 formed on the electrode P and a metal finish 23 formed on the metal pillar 21. can do. The metal filler 21 may be formed on the electrode P of the light emitting stack 10 to make an electrical connection, and may be provided in a structure embedded in the mold part 30. The metal finish 23 may be formed on the metal pillar 21 to protrude from the mold part 30 and be exposed to the outside. The metal finish 23 is formed by sequentially stacking the Au layer 23a and the Ni layer 23b on the metal pillar 21, and may be formed by a plating method. As such, when the metal finish 23 is applied instead of the solder bumps 22, the risk of melting the solder bumps 22 by the high temperature heat generated from the light emitting device package 100 ′ may be prevented.

도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 대해 설명한다. 도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 각 단계별로 개략적으로 나타내는 도면이며, 이를 통해 제조되는 발광소자 패키지는 도 2에서 도시하는 구조와 동일하다.
A method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4. 4A to 4G are diagrams schematically illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention in each step, and the light emitting device package manufactured through the same is the same as the structure shown in FIG. 2.

우선, 도 4a에서 도시하는 바와 같이, 반도체층의 적층 구조로 이루어져 제1 및(10a) 제2 주면(10b)을 갖는 발광적층체(10)가 일면에 형성된 웨이퍼(W)를 제공한다. 여기서, 상기 웨이퍼(W)는 미도시된 화학기상증착장치를 통해 그 상면에 반도체층을 성장시키는 성장용 기판으로 제공될 수 있다. 그리고, 발광적층체(10)를 이루는 상기 반도체층은 도 1에서 도시한 바와 같이 상기 웨이퍼(W) 상에 순차적으로 성장 및 적층된 n형 반도체층(11), 활성층(12) 및 p형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. First, as shown in FIG. 4A, the wafer W is formed on the one surface of the light emitting stack 10 having the first and second main surfaces 10b and 10b formed of a stacked structure of semiconductor layers. Here, the wafer W may be provided as a growth substrate for growing a semiconductor layer on an upper surface thereof through a chemical vapor deposition apparatus (not shown). In addition, the semiconductor layer constituting the light emitting stack 10 is n-type semiconductor layer 11, active layer 12 and p-type semiconductor sequentially grown and stacked on the wafer (W) as shown in FIG. Layer 13 may be included.

n형 반도체층(11)의 일면과 p형 반도체층(13)의 일면에는 각각 전극(P), 즉 n형 및 p형 전극이 형성되어 각 반도체층(11,13)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극(P)은 제2 주면(10b)의 각 반도체층(11,13) 상에서 동일한 방향을 향하는 구조로 형성되어 발광적층체(10) 자체는 수평 구조에 해당한다. 상기 전극(P)은 복수개로 구비될 수 있다.
On one surface of the n-type semiconductor layer 11 and one surface of the p-type semiconductor layer 13, electrodes P, that is, n-type and p-type electrodes, may be formed to be electrically connected to each of the semiconductor layers 11 and 13. . The electrode P is formed in a structure facing the same direction on each of the semiconductor layers 11 and 13 of the second main surface 10b, so that the light emitting stack 10 itself corresponds to a horizontal structure. The electrode P may be provided in plurality.

다음으로, 도 4b에서 도시하는 바와 같이, 상기 발광적층체(10) 상에 구비된 전극(P) 상에 단자부(20)를 형성한다. 상기 단자부(20)는 소정 높이를 갖는 솔더 범프를 포함하며, 솔더 프린팅 후 리플로우 공정을 거쳐 범프 볼(bump ball)을 형성할 수 있다. 상기 단자부(20)는 전기 도금, 볼 드롭 등과 같은 기타 다양한 방법을 통해 형성될 수도 있다.
Next, as shown in FIG. 4B, the terminal portion 20 is formed on the electrode P provided on the light emitting stack 10. The terminal unit 20 may include solder bumps having a predetermined height, and may form bump balls through a reflow process after solder printing. The terminal unit 20 may be formed through various other methods such as electroplating, ball drop, and the like.

다음으로, 도 4c에서 도시하는 바와 같이, 상기 발광적층체(10)의 상기 제2 주면(10b)에 상기 단자부(20)를 지지하도록 몰드부(30)를 형성한다. 상기 몰드부(30)는 상기 발광적층체(10)의 상기 단자부(20)가 형성된 면과 동일한 면에 필러(filler)를 함유한 광 반사율이 높은 백색 성형 복합재(molding compound)를 몰딩하여 형성되며, 상기 단자부(20) 사이를 메우는 형태로 형성될 수 있다. 이때, 상기 몰드부(30)는 상기 단자부(20)의 일부가 상기 몰드부(30)로부터 돌출되어 노출되도록 상기 단자부(20)보다 낮은 높이로 형성한다. Next, as shown in FIG. 4C, the mold part 30 is formed to support the terminal part 20 on the second main surface 10b of the light emitting stack 10. The mold part 30 is formed by molding a white molding compound having a high light reflectance containing a filler on the same surface on which the terminal part 20 of the light emitting laminate 10 is formed. It may be formed to fill the gap between the terminal portion 20. In this case, the mold part 30 is formed at a height lower than that of the terminal part 20 so that a part of the terminal part 20 protrudes from the mold part 30 and is exposed.

필러는 SiO2, TiO2 및 Al2O3로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 백색 성형 복합재는 고 내열성의 열경화성 수지 계열 또는 실리콘 수지 계열을 포함할 수 있다. 또한, 백색 안료 및 충진제, 경화제, 이형제, 산화방지제, 접착력 향상제 등이 첨가된 열 가소성 수지 계열을 포함할 수 있다.
The filler may comprise one or more materials selected from the group consisting of SiO 2 , TiO 2 and Al 2 O 3 . In addition, the white molding composite may include a high heat resistance thermosetting resin series or a silicone resin series. In addition, the present invention may include a thermoplastic resin series in which a white pigment and a filler, a curing agent, a releasing agent, an antioxidant, an adhesion improving agent, and the like are added.

다음으로, 도 4d에서 도시하는 바와 같이, 상기 웨이퍼(W)를 상기 발광적층체(10)로부터 분리한다. 상기 웨이퍼(W)는 레이저 리프트 오프(LLO), 식각 공정 또는 연마 공정 등을 통해 상기 발광적층체(10)로부터 분리될 수 있다.
Next, as shown in FIG. 4D, the wafer W is separated from the light emitting stack 10. The wafer W may be separated from the light emitting stack 10 through a laser lift-off (LLO), an etching process, or a polishing process.

다음으로, 도 4e에서 도시하는 바와 같이, 상기 웨이퍼(W)와 분리되어 노출된 상기 발광적층체(10)의 제1 주면(10a) 상에 파장변환부(40)를 형성한다. 상기 파장변환부(40)는 실리콘, 에폭시 등과 같은 투명 수지를 일정 두께로 프린팅하거나 코팅하는 방식으로 형성될 수 있으며, 박막 형태의 투명 수지를 부착하는 방식으로도 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 4E, the wavelength converter 40 is formed on the first main surface 10a of the light emitting stack 10 that is separated from the wafer W and exposed. The wavelength conversion part 40 may be formed by printing or coating a transparent resin such as silicon, epoxy, or the like at a predetermined thickness, and may also be formed by attaching a transparent resin in the form of a thin film.

상기 파장변환부(40)를 구성하는 수지재에는 상기 발광적층체(10)로부터 방출된 빛의 파장을 변환할 수 있도록 적어도 일종의 형광체가 포함될 수 있다. 그리고, 파장변환부(40)에 의하여 변환된 빛은 발광적층체(10)로부터 방출된 빛과 혼합되어 백색 광을 구현할 수 있다. 또한, 반드시 백색이 아니더라도 녹색, 적색 등의 파장변환 물질만을 도포하여 해당 색을 방출하는 광원을 구현할 수도 있다.
The resin material constituting the wavelength conversion part 40 may include at least one kind of phosphor so as to convert wavelengths of light emitted from the light emitting stack 10. The light converted by the wavelength converter 40 may be mixed with the light emitted from the light emitting stack 10 to realize white light. In addition, even if not necessarily white, it is possible to implement a light source that emits a corresponding color by applying only a wavelength conversion material such as green and red.

다음으로, 도 4f에서 도시하는 바와 같이, 상기 파장변환부(40) 상에 렌즈(50)를 형성한다. 상기 렌즈(50)는 방출되는 광의 지향각 향상을 위해 상부로 볼록한 돔 형상의 구조로 형성될 수 있으며, 이 외에 다양한 형태로도 형성될 수 있다. 상기 렌즈(50)는 압축 성형(compression molding)이나 트랜스퍼 성형(transfer molding) 등의 몰딩법 또는 디스펜서를 사용하는 포팅법을 통해 상기 파장변환부(40) 상에 직접 형성되거나, 별도의 공정을 통해 제조되어 접착제 등을 통해 상기 파장변환부(40) 상에 접착될 수 있다.
Next, as shown in FIG. 4F, a lens 50 is formed on the wavelength converter 40. The lens 50 may be formed in a dome-shaped structure that is convex upward to improve the directivity angle of the emitted light, and may be formed in various forms. The lens 50 is directly formed on the wavelength conversion part 40 through a molding method such as compression molding or transfer molding or a potting method using a dispenser, or through a separate process. It may be manufactured and adhered to the wavelength conversion portion 40 through an adhesive or the like.

다음으로, 도 4g에서 도시하는 바와 같이, 일면에 상기 단자부(20)와 몰드부(30)가 형성되고, 타면에 상기 파장변환부(40)와 렌즈(50)가 형성된 상기 발광적층체(10)를 커팅 라인을 따라 절단하여 개별 발광소자 패키지(100)로 분리한다. 본 실시 형태에서는 파장변환부(40) 상에 렌즈(50)를 각각 형성한 후 개별 패키지별로 분리하는 것으로 도시 및 설명하고 있다. 그러나, 개별 패키지별로 분리한 이후에 각 발광소자 패키지의 파장변환부(40) 상에 렌즈(50)를 개별적으로 형성하는 것도 가능하다. 또한, 도 1에서와 같이 렌즈(50)가 생략된 형태의 발광소자 패키지(100)로 사용되는 것도 가능하다.
Next, as illustrated in FIG. 4G, the light emitting stack 10 having the terminal portion 20 and the mold portion 30 formed on one surface thereof, and the wavelength conversion portion 40 and the lens 50 formed on the other surface thereof. ) Is cut along the cutting line and separated into individual light emitting device packages 100. In the present embodiment, the lenses 50 are formed on the wavelength conversion unit 40, and then illustrated and described as being separated by individual packages. However, it is also possible to separately form the lens 50 on the wavelength conversion part 40 of each light emitting device package after the separation for each individual package. In addition, as shown in FIG. 1, the lens 50 may be used as the light emitting device package 100 having the omitted shape.

도 5를 참조하여 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 대해 설명한다. 도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 각 단계별로 개략적으로 나타내는 도면이며, 이를 통해 제조되는 발광소자 패키지는 도 3b에서 도시하는 구조와 동일하다.
A method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5. 5A to 5I are diagrams schematically illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention at each stage, and the light emitting device package manufactured through the same is the same as the structure shown in FIG. 3B.

우선, 도 5a에서 도시하는 바와 같이, 반도체층의 적층 구조로 이루어져 제1 및 제2 주면(10a, 10b))을 갖는 발광적층체(10)가 일면에 형성된 웨이퍼(W)를 제공한다. 상기 웨이퍼(W)는 미도시된 화학기상증착장치를 통해 그 상면에 반도체층을 성장시키는 성장용 기판으로 제공될 수 있으며, 발광적층체(10)를 이루는 상기 반도체층은 상기 웨이퍼(W) 상에 순차적으로 성장 및 적층된 n형 반도체층(11), 활성층(12) 및 p형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. First, as shown in FIG. 5A, a wafer W is formed on one surface of a light emitting stack 10 having a stack structure of semiconductor layers and having first and second main surfaces 10a and 10b). The wafer W may be provided as a growth substrate for growing a semiconductor layer on an upper surface thereof through a chemical vapor deposition apparatus (not shown), and the semiconductor layer forming the light emitting stack 10 is formed on the wafer W. The n-type semiconductor layer 11, the active layer 12, and the p-type semiconductor layer 13 sequentially grown and stacked on the substrate may be included.

n형 반도체층(11)의 일면과 p형 반도체층(13)의 일면에는 각각 전극(P), 즉 n형 및 p형 전극이 형성되어 각 반도체층(11,13)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극(P)은 제2 주면(10b)의 각 반도체층(11,13) 상에서 동일한 방향을 향하는 구조로 형성되어 발광적층체(10) 자체는 수평 구조에 해당한다. 상기 전극(P)은 복수개로 구비될 수 있다.
On one surface of the n-type semiconductor layer 11 and one surface of the p-type semiconductor layer 13, electrodes P, that is, n-type and p-type electrodes, may be formed to be electrically connected to each of the semiconductor layers 11 and 13. . The electrode P is formed in a structure facing the same direction on each of the semiconductor layers 11 and 13 of the second main surface 10b, so that the light emitting stack 10 itself corresponds to a horizontal structure. The electrode P may be provided in plurality.

다음으로, 도 5b에서 도시하는 바와 같이, 상기 발광적층체(10) 상에 구비된 전극(P) 상에 단자부(20')를 형성한다. 상기 단자부(20')는 소정 높이를 갖는 금속 필러(metal pillar)(21)를 포함하며, 전기 도금이나 무전해 도금과 같은 도금법을 통해 형성할 수 있다.
Next, as shown in FIG. 5B, the terminal portion 20 ′ is formed on the electrode P provided on the light emitting stack 10. The terminal portion 20 ′ includes a metal pillar 21 having a predetermined height, and may be formed by a plating method such as electroplating or electroless plating.

다음으로, 도 5c에서 도시하는 바와 같이, 상기 발광적층체(10)의 상기 제2 주면(10b)에 상기 단자부(20')를 지지하도록 몰드부(30)를 형성한다. 상기 몰드부(30)는 상기 발광적층체(10)의 상기 단자부(20')가 형성된 면과 동일한 면에 필러(filler)를 함유한 광 반사율이 높은 백색 성형 복합재(molding compound)를 몰딩하여 형성되며, 상기 단자부(20')를 전체적으로 덮어 에워싸는 형태로 형성될 수 있다.
Next, as shown in FIG. 5C, a mold part 30 is formed to support the terminal part 20 ′ on the second main surface 10b of the light emitting stack 10. The mold part 30 is formed by molding a white molding compound having a high light reflectance containing a filler on the same surface on which the terminal part 20 ′ of the light emitting laminate 10 is formed. It may be formed to cover the entirety of the terminal portion 20 '.

다음으로, 도 5d에서 도시하는 바와 같이, 상기 단자부(20')를 에워싸는 형태로 몰딩한 후 상기 단자부(20'), 즉 금속 필러(21)의 일부가 상기 몰드부(30)로부터 노출되도록 상기 몰드부(30)를 일부 제거한다. 상기 몰드부(30)는 식각, 에칭, 노광, 연마 등의 공정을 통해 제거될 수 있다. 본 실시 형태에서는 상기 몰드부(30)가 상기 단자부(20')의 노출된 끝단과 전체적으로 평행을 이루는 형태로 제거되는 것으로 도시하고 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 몰드부(30)는 상기 단자부(20')의 끝단만이 노출될 수 있도록 상기 단자부(20')의 위치에 대응하여 부분적으로 제거되는 것도 가능하다.
Next, as shown in FIG. 5D, after molding the terminal portion 20 ′ in an enveloping form, the terminal portion 20 ′, that is, a part of the metal pillar 21 is exposed from the mold portion 30. The mold part 30 is partially removed. The mold part 30 may be removed through a process such as etching, etching, exposure, and polishing. In the present embodiment, the mold portion 30 is shown to be removed in a form that is generally parallel to the exposed end of the terminal portion 20 '. However, the present invention is not limited thereto, and the mold part 30 may be partially removed corresponding to the position of the terminal part 20 'such that only the end of the terminal part 20' may be exposed.

다음으로, 도 5e에서 도시하는 바와 같이, 상기 금속 필러 범프(21)의 노출된 끝단에 금속 피니쉬(23)를 형성하여 단자부(20')를 완성한다. 상기 금속 피니쉬(23)는 전기 도금, 무전해 도금과 같은 도금법을 통해 형성될 수 있으며, 상기 금속 필러(21) 상에 Au층(23a)과 Ni층(23b)이 순차적으로 적층된 구조를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 금속 피니쉬(23)는 상기 몰드부(30)로부터 돌출된 구조로 구비될 수 있다.
Next, as shown in FIG. 5E, the metal finish 23 is formed on the exposed end of the metal pillar bump 21 to complete the terminal portion 20 ′. The metal finish 23 may be formed by a plating method such as electroplating or electroless plating, and includes a structure in which Au layers 23a and Ni layers 23b are sequentially stacked on the metal filler 21. can do. The metal finish 23 may be provided to protrude from the mold part 30.

다음으로, 도 5f에서 도시하는 바와 같이, 상기 웨이퍼(W)를 상기 발광적층체(10)로부터 분리한다. 상기 웨이퍼(W)는 레이저 리프트 오프(LLO) 식각 또는 연마 공정 등을 통해 상기 발광적층체(10)로부터 분리될 수 있다. 본 실시 형태에서는 상기 웨이퍼(W)의 분리가 상기 금속 피니쉬(23)를 형성한 이후에 수행되는 것으로 도시 및 설명하고 있으나, 그 순서는 서로 변경될 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼(W) 분리 공정 이후에 상기 금속 피니쉬(23)를 형성하는 것도 가능하다.
Next, as shown in FIG. 5F, the wafer W is separated from the light emitting stack 10. The wafer W may be separated from the light emitting stack 10 through a laser lift-off (LLO) etching or polishing process. In the present embodiment, although the separation of the wafer W is performed after the metal finish 23 is formed, the order may be changed. That is, it is also possible to form the metal finish 23 after the wafer W separation process.

다음으로, 도 5g에서 도시하는 바와 같이, 상기 웨이퍼(W)와 분리되어 노출된 상기 발광적층체(10)의 제1 주면(10a) 상에 파장변환부(40)를 형성한다. 상기 파장변환부(40)는 실리콘, 에폭시 등과 같은 투명 수지를 일정 두께로 프린팅하거나 코팅하는 방식으로 형성될 수 있으며, 박막 형태의 투명 수지를 부착하는 방식으로도 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 5G, the wavelength conversion part 40 is formed on the first main surface 10a of the light emitting stack 10 that is separated from the wafer W and exposed. The wavelength conversion part 40 may be formed by printing or coating a transparent resin such as silicon, epoxy, or the like at a predetermined thickness, and may also be formed by attaching a transparent resin in the form of a thin film.

상기 파장변환부(40)를 구성하는 수지재에는 상기 발광적층체(10)로부터 방출된 빛의 파장을 변환할 수 있도록 적어도 일종의 형광체가 포함될 수 있다. 그리고, 파장변환부(40)에 의하여 변환된 빛은 발광적층체(10)로부터 방출된 빛과 혼합되어 백색 광을 구현할 수 있다. 또한, 반드시 백색이 아니더라도 녹색, 적색 등의 파장변환 물질만을 도포하여 해당 색을 방출하는 광원을 구현할 수도 있다.
The resin material constituting the wavelength conversion part 40 may include at least one kind of phosphor so as to convert wavelengths of light emitted from the light emitting stack 10. The light converted by the wavelength converter 40 may be mixed with the light emitted from the light emitting stack 10 to realize white light. In addition, even if not necessarily white, it is possible to implement a light source that emits a corresponding color by applying only a wavelength conversion material such as green and red.

다음으로, 도 5h에서 도시하는 바와 같이, 상기 파장변환부(40) 상에 렌즈(50)를 형성한다. 상기 렌즈(50)는 방출되는 광의 지향각 향상을 위해 상부로 볼록한 돔 형상의 구조로 형성될 수 있으며, 이 외에 다양한 형태로도 형성될 수 있다. 상기 렌즈(50)는 압축 성형(compression molding)이나 트랜스퍼 성형(transfer molding) 등의 몰딩법 또는 디스펜서를 사용하는 포팅법을 통해 상기 파장변환부(40) 상에 직접 형성되거나, 별도의 공정을 통해 제조되어 접착제 등을 통해 상기 파장변환부(40) 상에 접착될 수 있다.
Next, as shown in FIG. 5H, the lens 50 is formed on the wavelength converter 40. The lens 50 may be formed in a dome-shaped structure that is convex upward to improve the directivity angle of the emitted light, and may be formed in various forms. The lens 50 is directly formed on the wavelength conversion part 40 through a molding method such as compression molding or transfer molding or a potting method using a dispenser, or through a separate process. It may be manufactured and adhered to the wavelength conversion portion 40 through an adhesive or the like.

다음으로, 도 5i에서 도시하는 바와 같이, 일면에 상기 단자부(20')와 몰드부(30)가 형성되고, 타면에 상기 파장변환부(40)와 렌즈(50)가 형성된 상기 발광적층체(10)를 커팅 라인을 따라 절단하여 개별 발광소자 패키지(100')로 분리한다. 본 실시 형태에서는 파장변환부(40) 상에 렌즈(50)를 각각 형성한 후 개별 패키지별로 분리하는 것으로 도시 및 설명하고 있다. 그러나, 개별 패키지별로 분리한 이후에 각 발광소자 패키지의 파장변환부(40) 상에 렌즈(50)를 개별적으로 형성하는 것도 가능하다. 또한, 렌즈(50)가 생략된 형태의 발광소자 패키지(100')로 사용되는 것도 가능하다.
Next, as shown in FIG. 5I, the light emitting stack having the terminal portion 20 ′ and the mold portion 30 formed on one surface thereof, and the wavelength conversion portion 40 and the lens 50 formed on the other surface thereof ( 10) is cut along the cutting line to separate the individual light emitting device package (100 '). In the present embodiment, the lenses 50 are formed on the wavelength conversion unit 40, and then illustrated and described as being separated by individual packages. However, it is also possible to separately form the lens 50 on the wavelength conversion part 40 of each light emitting device package after the separation for each individual package. In addition, the lens 50 may be used as the light emitting device package 100 ′ in the omitted form.

이상에서와 같이, 본 실시 형태에 따른 발광소자 패키지는 성장 기판인 웨이퍼의 일면에 성장된 발광다이오드 칩을 이루는 발광적층체를 사용하여 웨이퍼 레벨 상태에서 제조 공정이 진행되므로, 종래의 프리몰드나 기판의 제작 및 이에 개별적으로 제조된 발광다이오드 칩을 실장하여 패키징하는 공정이 생략되어 전체적인 제조 공정이 간소화되는 장점이 있다. 특히, 동일한 광 특성을 갖는 발광소자 패키지를 일괄하여 대량으로 제조할 수 있으며, 웨이퍼의 대면적화에 따라서 생산량이 증가될 수 있어 제조비용을 낮출 수 있는 장점이 있다. As described above, the light emitting device package according to the present embodiment uses a light emitting stack comprising light emitting diode chips grown on one surface of a wafer, which is a growth substrate. The manufacturing process and the process of mounting and packaging the LED chip manufactured separately are omitted, there is an advantage that the overall manufacturing process is simplified. In particular, the light emitting device package having the same optical characteristics can be manufactured in a large amount, and the production can be increased according to the large area of the wafer, thereby reducing the manufacturing cost.

또한, 이와 같이 웨이퍼 레벨 상태에서 제조되는 발광다이오드 칩 자체가 바로 발광소자 패키지를 이루므로 칩 사이즈를 갖는 초소형의 발광소자 패키지를 구현할 수 있다.
In addition, since the light emitting diode chip itself manufactured in such a wafer level forms a light emitting device package, it is possible to implement a compact light emitting device package having a chip size.

도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다. 도 7은 도 6의 발광소자 패키지에서 발광소자의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 8은 도 6의 발광소자 패키지에서 발광소자의 다른 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing an example of a light emitting device in the light emitting device package of FIG. 6, and FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing another example of a light emitting device in the light emitting device package of FIG. 6.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시형태에 따른 발광소자 패키지(200)는 제1 연결 전극 (340) 및 제2 연결 전극(350)을 포함하는 발광소자(300), 제1 연결 전극 (340) 및 제2 연결 전극(350)에 연결되고 또한 발광소자에 전원을 인가하는 배선 패턴에 전기적으로 연결되는 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370), 발광소자(300)의 상부에 형성되어 발광소자로부터 발생된 광을 파장 변환시키는 광변환층인 파장변환부(210) 및 발광소자(300)를 둘러싸는 반사부(240)를 포함한다. Referring to FIG. 6, the light emitting device package 200 according to the embodiment of the present invention includes a light emitting device 300 and a first connection electrode 340 including a first connection electrode 340 and a second connection electrode 350. ) And an upper portion of the first external electrode 360, the second external electrode 370, and the light emitting device 300, which are connected to the second connection electrode 350 and electrically connected to a wiring pattern for applying power to the light emitting device. And a reflector 240 surrounding the light emitting device 300 and a wavelength conversion unit 210 that is a light conversion layer formed at the wavelength conversion light generated from the light emitting device.

각각의 구성 간의 배치 관계를 설명하면, 발광소자(300)가 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는다고 하였을 때, 상기 제1 주면(도 6을 기준으로 하면) 측에는 제1 연결 전극 (340) 및 제2 연결 전극(350)이 형성되며, 제1 연결 전극 (340) 및 제2 연결 전극(350)에 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)이 각각 연결되어 형성되고, 상기 제2 주면(도 6을 기준으로 상면) 측에는 파장변환부(210)가 형성되며, 발광소자(300)의 측면 및 제1 주면의 적어도 일부를 덮도록 반사부(240)가 형성된다.
Referring to the arrangement relationship between the respective configurations, when the light emitting device 300 has the first and the second main surface facing each other, the first connection electrode 340 on the side of the first main surface (refer to FIG. 6) ) And a second connection electrode 350 are formed, and the first external electrode 360 and the second external electrode 370 are connected to the first connection electrode 340 and the second connection electrode 350, respectively. The wavelength converter 210 is formed on the second main surface (the upper surface based on FIG. 6), and the reflector 240 is formed to cover the side surface of the light emitting device 300 and at least a portion of the first main surface.

상기 발광소자(300)는 외부에서 인가되는 전기 신호에 의해 소정 파장의 광을 출사하는 반도체 소자의 일종이며, 발광다이오드(LED)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(300)는 함유되는 물질에 따라서 청색광, 적색광 또는 녹색광을 출사할 수 있으며, 백색광을 출사할 수도 있다.The light emitting device 300 is a kind of semiconductor device that emits light having a predetermined wavelength by an electric signal applied from the outside, and may include a light emitting diode (LED). The light emitting device 300 may emit blue light, red light or green light according to a material contained therein, and may emit white light.

상기 발광소자(300)는 소정 반도체 화합물로 이루어진 복수의 층 구조를 가지고 있으며, 그 저면, 즉 제1 주면에는 상기 발광소자(300)을 구동하기 위한 전기적 신호를 인가하는 배선 패턴과의 전기적 접속을 위한 제1 연결 전극(340) 및 제2 연결 전극 (350), 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)이 형성되어 있다. 상기 전극들(340, 350, 360, 370)은, 예를 들어 복수의 P형 전극과 N형 전극일 수 있다.
The light emitting device 300 has a plurality of layer structures made of a predetermined semiconductor compound, and a bottom surface thereof, that is, a first main surface thereof, has an electrical connection with a wiring pattern for applying an electrical signal for driving the light emitting device 300. The first connection electrode 340 and the second connection electrode 350, the first external electrode 360, and the second external electrode 370 are formed therein. The electrodes 340, 350, 360, and 370 may be, for example, a plurality of P-type electrodes and N-type electrodes.

한편, 상기 발광소자(300)의 상면, 즉 제2 주면에는 파장변환부(210)가 마련되어 있다. 파장변환부(210)는 발광소자(300)에서 방출된 빛의 파장을 다른 파장으로 변환하는 기능을 하며, 발광소자(300)의 광 방출면 중 적어도 일부, 본 실시 형태에서는 제2 주면에 예컨대, 박막 형태로 형성될 수 있다. 파장변환부(210)가 박막 형태로 제공됨에 따라 비교적 균일한 형상 및 두께를 가질 수 있으므로, 발광 방향에 대하여 광의 색도 편차가 최소화될 수 있으며, 나아가, 서로 다른 디바이스 간의 색도 산포도 줄일 수 있다.On the other hand, the wavelength conversion unit 210 is provided on the upper surface of the light emitting device 300, that is, the second main surface. The wavelength conversion unit 210 functions to convert the wavelength of light emitted from the light emitting device 300 to another wavelength, and at least a part of the light emitting surface of the light emitting device 300, in the present embodiment, is provided on the second main surface, for example. It may be formed in a thin film form. Since the wavelength converter 210 may have a relatively uniform shape and thickness as the thin film is provided in the form of a thin film, the chromaticity deviation of light with respect to the emission direction may be minimized, and further, chromaticity and dispersion between different devices may be reduced.

한편, 광 변환 기능을 수행하기 위하여, 파장변환부(210)는 형광체나 양자점(Quantum dot)과 같은 파장 변환 물질을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 파장 변환 물질은 그 자체로만 이루어진 플레이트 구조(예컨대, 세라믹 변환체)를 이루거나 실리콘 수지 등에 분산된 필름 구조 등을 가질 수 있다. 또한, 양자점은 코어(core)와 쉘(shell)로 이루어진 나노 크리스탈 입자로, 코어의 사이즈가 약 2 ~ 100nm 범위에 있다. 또한, 양자점은 코어의 사이즈를 조절함으로 청색(B), 황색(Y), 녹색(G), 적색(R)과 같은 다양한 색깔을 발광하는 형광물질로 사용될수 있으며, II-VI족의 화합물반도체(ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgTe등), III-V족의 화합물반도체 (GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlAs, AlP, AlSb, AlS 등) 또는 Ⅳ족 반도체(Ge, Si, Pb 등) 중 적어도 두 종류의 반도체를 이종 접합하여 양자점을 이루는 코어(core)와 쉘(shell) 구조를 형성할 수 있다. 이 경우, 양자점의 쉘(shell) 외각에 쉘 표면의 분자 결합을 종료시키거나 양자점의 응집을 억제하고 실리콘 수지나 에폭시 수지 등 수지 내에 분산성을 향상시키거나 또는 형광체 기능을 향상시키기 위해 올레인산(Oleic acid)과 같은 물질을 이용한 유기 리간드(Organic ligand)를 형성할 수도 있다. 또한 파장변환부(210)는 상기 발광소자(300)에서 발생되는 자외선을 흡수하는 자외선 흡수제를 함유할 수도 있다.
Meanwhile, in order to perform the light conversion function, the wavelength conversion unit 210 may have a wavelength conversion material such as a phosphor or a quantum dot. In this case, the wavelength conversion material may have a plate structure (eg, a ceramic converter) made of itself, or may have a film structure dispersed in a silicone resin or the like. In addition, the quantum dot is a nano-crystal particles consisting of a core (core) and a shell (shell), the size of the core is in the range of about 2 ~ 100nm. In addition, the quantum dot can be used as a fluorescent material emitting a variety of colors such as blue (B), yellow (Y), green (G), red (R) by adjusting the size of the core, compound semiconductor of group II-VI (ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgTe, etc.) III-V compound semiconductors (GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlAs, AlP , AlSb, AlS, etc.) or group IV semiconductors (Ge, Si, Pb, etc.) may be heterogeneously bonded to form a core and shell structure forming a quantum dot. In this case, oleic acid (Oleic) is used to terminate molecular bonding on the surface of the shell at the shell shell of the quantum dots, to suppress aggregation of the quantum dots, to improve dispersibility in a resin such as silicone resin or epoxy resin, or to improve phosphor function. It is also possible to form organic ligands using a material such as acid). In addition, the wavelength conversion unit 210 may contain an ultraviolet absorber that absorbs the ultraviolet light generated by the light emitting device 300.

한편 상기 파장변환부(210)의 상면에는 발광소자(300)를 외부 환경으로부터 보호하기 위한 보호막(protective film)이 더 형성될 수도 있다. 또한 지향각을 조절하기 위하여 상기 파장변환부(210)의 상면에는 렌즈부가 추가로 구비될 수 있다. 상기 렌즈부는 발광소자 패키지(200)의 상기 파장변환부(210) 상에 투명한 실리콘, 에폭시 수지 또는 플라스틱 등의 렌즈 성형재료를 사출 성형하여 형성할 수 있다. 렌즈부는 그 상면이 평평한 출광면을 가진 렌즈를 사용할 수 있고, 발광소자(300)에서 나오는 광의 지향각을 좁혀 원하는 방향으로의 국부조명을 가능하게 하는 볼록부를 구비한 렌즈를 사용할 수 있다.
Meanwhile, a protective film may be further formed on the upper surface of the wavelength converter 210 to protect the light emitting device 300 from an external environment. In addition, a lens unit may be further provided on the upper surface of the wavelength conversion unit 210 to adjust the directivity angle. The lens unit may be formed by injection molding a lens molding material such as transparent silicone, epoxy resin, or plastic on the wavelength conversion unit 210 of the light emitting device package 200. The lens unit may use a lens having a light emitting surface having a flat top surface, and a lens having a convex portion that narrows the directing angle of the light emitted from the light emitting device 300 to enable local illumination in a desired direction.

반사부(240)는 도 6에 도시된 것과 같이, 발광소자(300)의 측면 및 제1 주면의 적어도 일부를 덮도록 형성되며, 발광소자(300)에서 방출된 빛을 상부로 유도하는 기능을 한다. 여기서 반사부(240)는 발광소자(300)의 제1 및 제2 연결 전극(140, 150)이 형성된 제1 주면을 덮으며, 제1 및 제2 연결 전극(340, 350)의 측면까지 덮도록 형성되므로 빛을 상면 방향으로 더욱 집중시킬 수 있다.As shown in FIG. 6, the reflector 240 is formed to cover at least a portion of the side surface and the first main surface of the light emitting device 300 and has a function of inducing light emitted from the light emitting device 300 to the top. do. The reflector 240 covers the first main surface on which the first and second connection electrodes 140 and 150 of the light emitting device 300 are formed, and covers the side surfaces of the first and second connection electrodes 340 and 350. It is formed so that the light can be more focused in the upper direction.

상기 반사부(240)는 이러한 광 반사 기능을 수행하기 위하여 광 반사 기능을 수행할 수 있는 어떠한 물질도 사용 가능할 것이나, 발광소자(300) 및 제1 및 제2 연결 전극(340, 350) 등과 접촉하고 있는 점에서 전기절연성 물질로 이루어질 수 있다.The reflective part 240 may use any material capable of performing the light reflection function to perform the light reflection function, but is in contact with the light emitting device 300 and the first and second connection electrodes 340 and 350. In that respect it can be made of an electrically insulating material.

상기 반사부(240)는 발광소자(300)의 내부, 즉 활성층(322)에서 생성된 빛을 반사하는 고반사성 물질(241)과 경화성 수지(242)가 혼합된 것일 수 있다.The reflector 240 may be a mixture of a highly reflective material 241 and a curable resin 242 that reflect light generated in the light emitting device 300, that is, the active layer 322.

여기서 고반사성 물질(241)은 파우더 입자 형태이며, 이 경우, 파우더 입자는 10㎚ 내지 10㎛의 직경을 가질 수 있으며, 경화성 수지 내에서 보다 균일한 분포를 구현하기 위해서는 서브마이크론(1㎛) 이하의 직경을 갖는 것이 보다 바람직하다. 또한, 고반사성 물질(241)은 발광소자(300) 내부, 즉 활성층(322)에서 생성된 빛을 반사시켜 광 흡수 없이 외부로 방출시키는 역할을 하므로, 고반사성 물질(241)은 빛에 대한 확산반사율(diffuse reflectance)이 70% 이상인 것이 바람직하며, TiO2 또는 Al2O3 일 수 있다.Here, the highly reflective material 241 is in the form of powder particles, in which case the powder particles may have a diameter of 10 nm to 10 μm, and in order to realize a more uniform distribution in the curable resin, submicron (1 μm) or less It is more preferable to have a diameter of. In addition, since the highly reflective material 241 reflects the light generated in the light emitting device 300, that is, the active layer 322, and emits it to the outside without light absorption, the highly reflective material 241 diffuses light. Preferably, the reflectance is 70% or more, and may be TiO 2 or Al 2 O 3 .

또한, 반사부(240)를 구성하는 경화성 수지(242)는 예를 들어 실리콘, 에폭시, 폴리이미드 등의 고분자물질일 수 있다. 또한 상기 경화성 수지는 반사 성능을 높이기 위하여 굴절률은 예컨대, 약 1.5 이하일 수 있다.
In addition, the curable resin 242 constituting the reflector 240 may be, for example, a polymer material such as silicon, epoxy, polyimide, or the like. In addition, the curable resin may have a refractive index of, for example, about 1.5 or less to increase reflection performance.

이와 같이, 본 발명의 발광소자 패키지에서는 발광소자(300)의 활성층(322)으로부터 생성된 빛이 반사부(240)에서 흡수 소멸되지 않고, 반사부(240) 내부에 포함된 고반사성 물질(241)에 의해 반사되어 외부로 빠져나가기 때문에 향상된 발광 효율을 얻을 수 있다.
As described above, in the light emitting device package of the present invention, the light generated from the active layer 322 of the light emitting device 300 is not absorbed and extinguished in the reflector 240, and the highly reflective material 241 included in the reflector 240 is used. It is reflected by) and escapes to the outside, it is possible to obtain improved luminous efficiency.

이와 같은 발광소자 패키지(200)의 발광소자(300)는 빛을 방출할 수 있는 소자라면 어느 것이나 사용 가능하며, 발광 다이오드(LED)를 이용할 수 있다.
The light emitting device 300 of the light emitting device package 200 may be any device that can emit light, and may use a light emitting diode (LED).

도 7은 도 6의 발광소자 패키지에서 발광소자의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view of an example of a light emitting device in the light emitting device package of FIG.

도 7를 참조하면, 발광소자(300)는 성장용 기판(310)에 제1도전형 반도체층(321), 활성층(322) 및 제2도전형 반도체층(323)이 순차 적층된 발광구조물(320)을 포함하고. 이 발광구조물(320)은 제1도전형 반도체층(321)의 일부 영역이 노출되도록 활성층(322) 및 제2도전형 반도체층(323)이 메사 식각된 구조를 갖는다. 여기서 성장용 기판(310)은 발광소자를 제작하기 위한 통상의 웨이퍼를 지칭하는 것으로, Al2O3, ZnO, LiAl2O3 등의 투명 기판이며, 본 실시예에서는 사파이어 기판일 수 있다. 경우에 따라 성장용 기판(310)은 제외될 수 있다. Referring to FIG. 7, the light emitting device 300 includes a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer 321, an active layer 322, and a second conductive semiconductor layer 323 are sequentially stacked on a growth substrate 310. And 320). The light emitting structure 320 has a structure in which the active layer 322 and the second conductive semiconductor layer 323 are mesa-etched to expose a portion of the first conductive semiconductor layer 321. Herein, the growth substrate 310 refers to a general wafer for fabricating a light emitting device, and may be a transparent substrate such as Al 2 O 3 , ZnO, LiAl 2 O 3, or the like, and may be a sapphire substrate in this embodiment. In some cases, the growth substrate 310 may be excluded.

이와 같은 발광구조물(320)의 노출된 제1도전형 반도체층(321) 및 제2도전형 반도체층(323)에 각각 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)이 형성된다. 또한 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)이 각각 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)에 연결되며 발광소자의 측면 방향으로 연장되도록 형성된다. 따라서 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)은 이후 형성될 반사부(240)의 일부를 덮도록 반사부(240)의 하면까지 형성될 수 있다.The first connection electrode 340 and the second connection electrode 350 are formed on the exposed first conductive semiconductor layer 321 and the second conductive semiconductor layer 323 of the light emitting structure 320. In addition, the first external electrode 360 and the second external electrode 370 are connected to the first connection electrode 340 and the second connection electrode 350, respectively, and are formed to extend in the lateral direction of the light emitting device. Therefore, the first external electrode 360 and the second external electrode 370 may be formed to the lower surface of the reflector 240 to cover a part of the reflector 240 to be formed later.

여기서 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)은 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350) 보다 크기가 큰 것이 바람직하다. 즉 상기 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)은 발광소자 패키지의 하부 면적의 20 내지 50%의 넓이로 형성할 수 있다. The first external electrode 360 and the second external electrode 370 may be larger in size than the first connection electrode 340 and the second connection electrode 350. That is, the first external electrode 360 and the second external electrode 370 may be formed to have an area of 20 to 50% of the lower area of the light emitting device package.

상기 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)과 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)은 도금처리를 통하여 접합하거나, 전도성 접착제를 이용하여 접합하거나, 또는 고온열처리에 의하여 접합할 수 있다. The first connection electrode 340 and the second connection electrode 350 and the first external electrode 360 and the second external electrode 370 are bonded by plating, or are bonded using a conductive adhesive, or high temperature. It can join by heat processing.

이와 같이 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)에 연결되는 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)을 이후 형성될 반사부(240)의 일부를 덮도록 반사부(240)의 하면까지 형성할 수 있기 때문에, 발광소자 패키지의 사이즈를 확대하지 않고도 전극의 크기를 크게 형성할 수 있어, 배선 패턴에 발광소자 패키지를 직접 실장할 수 있다.
As such, the first external electrode 360 and the second external electrode 370 connected to the first connection electrode 340 and the second connection electrode 350 are reflected to cover a part of the reflector 240 to be formed later. Since the bottom surface of the part 240 can be formed, the size of the electrode can be increased without increasing the size of the light emitting device package, and the light emitting device package can be directly mounted on the wiring pattern.

여기서 발광소자(300)는 성장용 기판(310)에 제1도전형 반도체층(321)을 형성하기 전에 사파이어 기판과의 격자 부정합을 완화하기 위하여 AlN 또는 GaN을 포함하는 저온핵성장층을 버퍼층으로 형성할 수도 있다.
Here, the light emitting device 300 uses a low temperature nucleus growth layer including AlN or GaN as a buffer layer to mitigate lattice mismatch with the sapphire substrate before forming the first conductive semiconductor layer 321 on the growth substrate 310. It may be formed.

또한, 발광소자(300)에는 제2연결 전극(350)측으로 방출되는 빛을 광방출면으로 반사하기 위해 제2도전형 반도체층(323)에 반사금속층(330)을 형성할 수 있다. 이 반사금속층(330)은 비교적 높은 에너지 밴드갭을 갖는 제2도전형 반도체층(323)과의 접촉저항을 낮추면서도, 플립칩 구조의 발광소자 패키지의 구조적 측면을 고려하여 높은 반사율을 갖는 물질로 형성된다. 즉, 반사금속층(330)은 Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 70% 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다. 그러나 상기 반사금속층(330)는 생략될 수도 있다.
In addition, the reflective metal layer 330 may be formed on the second conductive semiconductor layer 323 in the light emitting device 300 to reflect the light emitted toward the second connection electrode 350 toward the light emitting surface. The reflective metal layer 330 is a material having a high reflectance in consideration of the structural aspects of the light emitting device package having a flip chip structure while reducing the contact resistance with the second conductive semiconductor layer 323 having a relatively high energy band gap. Is formed. That is, the reflective metal layer 330 may be formed of a material selected from the group consisting of Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and combinations thereof, and has a reflectance of 70% or more. It is preferable. However, the reflective metal layer 330 may be omitted.

이와 같은 발광소자(300)의 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)은 각각 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)에 연결되고, 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)은 배선 패턴에 직접 연결될 수 있다.
The first connection electrode 340 and the second connection electrode 350 of the light emitting device 300 are connected to the first external electrode 360 and the second external electrode 370, respectively, and the first external electrode 360. ) And the second external electrode 370 may be directly connected to the wiring pattern.

도 8은 도 6의 발광소자 패키지에서 발광소자의 다른 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view schematically showing another example of a light emitting device in the light emitting device package of FIG. 6.

도 8을 참조하면, 반도체 발광소자(500)는 기판(510) 상에 제1도전형 컨택층(531)이 형성되며, 제1 도전형 컨택층(531) 상에는 발광구조물(520), 즉, 제1 도전형 반도체층(521), 활성층(522) 및 제2 도전형 반도체층(523)을 구비하는 구조가 형성된다. 제2 도전형 컨택층(533)은 제1 도전형 컨택층(531)과 기판(510) 사이에 형성되며, 도전성 비아(v)를 통하여 제2 도전형 반도체층(523)과 전기적으로 연결된다. 제1 및 제2 도전형 컨택층(531, 533)은 서로 전기적으로 분리되어 있으며, 이를 위하여 제1 도전형 컨택층(531)과 제2 도전형 컨택층(533) 사이에는 절연체(532)가 개재된다.Referring to FIG. 8, in the semiconductor light emitting device 500, a first conductive contact layer 531 is formed on a substrate 510, and a light emitting structure 520 is formed on the first conductive contact layer 531. A structure including the first conductive semiconductor layer 521, the active layer 522, and the second conductive semiconductor layer 523 is formed. The second conductive contact layer 533 is formed between the first conductive contact layer 531 and the substrate 510 and is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 523 through the conductive via v. . The first and second conductive contact layers 531 and 533 are electrically separated from each other. For this purpose, an insulator 532 is formed between the first conductive contact layer 531 and the second conductive contact layer 533. It is interposed.

본 실시 형태의 경우, 제1 도전형 컨택층(531)은 기판(510) 방향으로 연장되어 외부로 노출된 제1 연결 전극(540)을 구비하며, 이와 유사하게, 제2 도전형 컨택층(533)은 기판(510) 방향으로 연장되어 외부로 노출된 제2 연결 전극(550)을 구비한다. 이러한 구조를 갖기 위하여, 제1 도전형 컨택층(531)은 제2 도전형 컨택층(533)에 형성된 관통홀에 형성될 수 있으며, 상기 관통홀에는 제1 및 제2 도전형 컨택층(531, 533)을 전기적으로 분리시키기 위하여 절연체(532)가 형성된다. 또한, 도 8에 도시된 것과 같이, 제1 및 제2 도전형 컨택층(531, 533)은 기판(510)에 형성된 관통홀에 형성될 수 있다.In the present embodiment, the first conductive contact layer 531 includes a first connection electrode 540 extending toward the substrate 510 and exposed to the outside. Similarly, the second conductive contact layer 531 The 533 includes a second connection electrode 550 extending in the direction of the substrate 510 and exposed to the outside. In order to have such a structure, the first conductivity type contact layer 531 may be formed in a through hole formed in the second conductivity type contact layer 533, and the first and second conductivity type contact layers 531 may be formed in the through hole. Insulator 532 is formed to electrically isolate 533. In addition, as shown in FIG. 8, the first and second conductive contact layers 531 and 533 may be formed in the through holes formed in the substrate 510.

또한 제1 외부 전극(560) 및 제2 외부 전극(570)이 제1연결 전극(540) 및 제2연결 전극(550)에 연결되며 발광소자의 측면 방향으로 연장되도록 형성된다. 따라서 제1연결 전극(540) 및 제2연결 전극(550)에 연결되는 제1 외부 전극(560) 및 제2 외부 전극(570)을 이후 형성될 반사부(240)의 일부를 덮도록 형성할 수 있다.In addition, the first external electrode 560 and the second external electrode 570 are connected to the first connection electrode 540 and the second connection electrode 550 and are formed to extend in the lateral direction of the light emitting device. Therefore, the first external electrode 560 and the second external electrode 570 connected to the first connection electrode 540 and the second connection electrode 550 are formed to cover a part of the reflector 240 to be formed later. Can be.

여기서 제1 외부 전극(560) 및 제2 외부 전극(570)은 제1연결 전극(540) 및 제2연결 전극(550) 보다 크기가 큰 것이 바람직하다. 즉 상기 제1 외부 전극(560) 및 제2 외부 전극(570)은 발광소자 패키지의 하부 면적의 20 내지 50%의 넓이로 형성할 수 있다.The first external electrode 560 and the second external electrode 570 may be larger in size than the first connection electrode 540 and the second connection electrode 550. That is, the first external electrode 560 and the second external electrode 570 may be formed to have an area of 20 to 50% of the lower area of the light emitting device package.

상기 제1연결 전극(540) 및 제2연결 전극(550)과 제1 외부 전극(560) 및 제2 외부 전극(570)은 도금처리를 통하여 접합하거나, 전도성 접착제를 이용하여 접합하거나, 또는 고온열처리에 의하여 접합할 수 있다. The first connection electrode 540 and the second connection electrode 550 and the first external electrode 560 and the second external electrode 570 may be bonded by plating, or may be bonded using a conductive adhesive, or may be hot. It can join by heat processing.

이와 같이 제1연결 전극(540) 및 제2연결 전극(550)에 연결되는 제1 외부 전극(560) 및 제2 외부 전극(570)을 이후 형성될 반사부의 일부를 덮도록 반사부의 하면까지 형성할 수 있기 때문에, 발광소자 패키지의 사이즈를 확대하지 않고도 전극의 크기를 크게 형성할 수 있어, 배선 패턴에 발광소자 패키지를 직접 실장할 수 있다.As such, the first external electrode 560 and the second external electrode 570 connected to the first connection electrode 540 and the second connection electrode 550 are formed to the lower surface of the reflector to cover a part of the reflector to be formed later. Since the size of the electrode can be increased without increasing the size of the light emitting device package, the light emitting device package can be directly mounted on the wiring pattern.

여기서 제1 및 제2 연결 전극(540, 550)이 소자의 하부로 노출되어 있으므로, 기판(510)은 전기 절연성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 세라믹이나 사파이어 등과 같은 물질로 이루어진 기판 중에서 열 전도성, 열팽창계수 등의 특성을 이용하여 적절히 선택할 수 있다. 전기 절연성 기판 외에 도전성 물질로도 기판(510)을 형성할 수 있으며, 예컨대, Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs 중 어느 하나를 포함하는 물질로 이루어진 기판을 사용할 수 있다. 도 8에는 도시되어 있지 아니하지만, 기판(510)이 도전성 물질로 이루어진 경우에는 절연체(532)가 기판(510)과 제1 도전형 컨택층(533) 사이에 형성될 필요가 있을 것이다.
Here, since the first and second connection electrodes 540 and 550 are exposed to the lower portion of the device, the substrate 510 may use an electrically insulating substrate. For example, among the substrates made of a material such as ceramic or sapphire, thermal conductivity, It can select suitably using characteristics, such as a thermal expansion coefficient. In addition to the electrically insulating substrate, the substrate 510 may be formed of a conductive material. For example, a substrate made of a material including any one of Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, and GaAs may be used. Although not shown in FIG. 8, when the substrate 510 is made of a conductive material, an insulator 532 may need to be formed between the substrate 510 and the first conductivity type contact layer 533.

이외에도 전극이 하부로 형성된 다양한 형태의 발광소자가 본 발명에 적용될 수 있을 것이다.
In addition, various types of light emitting devices having lower electrodes may be applied to the present invention.

이와 같은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 패키지는 발광소자에 전극부, 반사부, 파장변환부를 직접 형성시키기 때문에 공정을 단순화 할 수 있으며, 그에 따라 생산단가를 낮출 수 있다. 또한 발광소자 패키지의 크기를 최소화 할 수 있어 점광원으로서 유리할 수 있다.Such a light emitting device package according to an embodiment of the present invention can simplify the process because it directly forms the electrode portion, the reflecting portion, the wavelength conversion portion in the light emitting device, thereby reducing the production cost. In addition, since the size of the light emitting device package can be minimized, it may be advantageous as a point light source.

그리고 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 패키지에서 발광소자에 형성된 전극의 크기를 크게 형성할 수 있으므로, 발광소자에 형성된 전극에 배선 패턴을 바로 연결할 수 있게 된다. 따라서 별도의 회로기판을 형성하지 않고 발광소자 패키지를 배선 패턴에 직접 실장하여 발광장치를 형성할 수 있기 때문에 열 방출 효율이 우수해 질 수 있다.
And since the size of the electrode formed on the light emitting device in the light emitting device package according to an embodiment of the present invention can be formed large, it is possible to directly connect the wiring pattern to the electrode formed on the light emitting device. Therefore, since the light emitting device may be formed by directly mounting the light emitting device package on the wiring pattern without forming a separate circuit board, the heat dissipation efficiency may be excellent.

도 9 내지 도 17은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기 위한 공정 별 단면도이다. 여기서, 발광소자 패키지 제조 방법은 소정의 웨이퍼를 이용하여 복수 개로 제조되나, 설명의 편의를 위해 몇 개의 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 도시하고 있으며, 동일한 구조이므로 도면 부호는 하나의 발광소자 패키지에 대해서만 기재하여 설명하도록 한다.
9 to 17 are cross-sectional views of processes for describing a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. Here, a method of manufacturing a light emitting device package is manufactured in plural using a predetermined wafer, but for the convenience of description, a method of manufacturing several light emitting device packages is shown. Since the same structure, reference numerals are used for one light emitting device package. Only the description will be described.

본 실시 형태에 따른 제조방법의 경우, 우선, 도 9에 도시된 것과 같이, 성장용 기판(310) 위에 제1도전형 반도체층(321), 활성층(322) 및 제2도전형 반도체층(323)을 순차 적층하여 형성된 발광구조물(320)을 형성하고, 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)을 형성한다. 여기서 성장용 기판(310)은 생략될 수도 있다.In the case of the manufacturing method according to the present embodiment, first, as shown in FIG. 9, the first conductive semiconductor layer 321, the active layer 322, and the second conductive semiconductor layer 323 are formed on the growth substrate 310. ) Are sequentially stacked to form the light emitting structure 320, and the first connection electrode 340 and the second connection electrode 350 are formed. The growth substrate 310 may be omitted.

발광구조물(320)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)을 갖는 반도체 물질로 제조할 수 있으며, 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition: CVD), 유기금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD), 플라즈마 화학 증착법(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition: PCVD), 분자선 성장법(Molecular Beam Epitaxy: MBE), 수소화물 기상 성장법(Hydride Vapor Phase Epitaxy: HVPE) 등을 포함한 다양한 증착 및 성장 방법을 통해 형성한다.The light emitting structure 320 may be made of a semiconductor material having an Al x In y Ga (1-xy) N composition formula (where 0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1), and a chemical vapor deposition method ( Chemical Vapor Deposition (CVD), Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PCVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Growth It is formed by a variety of deposition and growth methods, including the Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE).

이와 같이 형성된 구조물에 대해 다이싱(dicing) 공정을 수행하여 도 10에 도시된 바와 같이, 구조물을 각 발광소자(300)로 분리한다.
A dicing process is performed on the structure thus formed to separate the structure into each light emitting device 300 as shown in FIG. 10.

이러한 발광소자 제조 공정은 상술한 방법에 한정되지 않으며, 다양한 변형과 다양한 막을 더 추가할 수 있다. 예를 들어, 제2도전형 반도체층의 반사금속층을 복수의 층으로 형성할 수 있다.
The light emitting device manufacturing process is not limited to the above-described method, and various modifications and various films may be further added. For example, the reflective metal layer of the second conductive semiconductor layer may be formed of a plurality of layers.

이어서, 도 11에 도시한 바와 같이, 분리된 발광소자(300)를 베이스 필름(360)위에 부착한다. Subsequently, as shown in FIG. 11, the separated light emitting device 300 is attached onto the base film 360.

상기 발광소자(300)는 외부의 전기 신호를 인가 받기 위한 제1 및 제2 연결 전극(140, 150)을 구비하며, 표면에는 파장변환부가 형성되지 않은 베어 칩(bare chip)을 포함한다. The light emitting device 300 includes first and second connection electrodes 140 and 150 for receiving an external electric signal, and includes a bare chip on the surface of which the wavelength conversion unit is not formed.

여기서 상기 발광소자(300)의 제1 연결 전극 (340) 및 제2 연결 전극(350)이 형성된 제1 주면에 대향하는 상기 발광소자(300)의 제2 주면이 베이스 필름(360)을 향하도록 발광소자(300)를 부착한다. Here, the second main surface of the light emitting device 300 facing the base film 360 faces the first main surface on which the first and second connecting electrodes 340 and 350 of the light emitting device 300 are formed. The light emitting device 300 is attached.

상기 제1 및 제2 연결 전극(340, 350)은, 예를 들어 복수의 P형 전극과 N형 전극일 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 연결 전극(340, 350)에는 제1 외부 전극(360) 제2 외부 전극(370)이 후속 공정에서 더 구비될 수 있다.The first and second connection electrodes 340 and 350 may be, for example, a plurality of P-type electrodes and N-type electrodes. In addition, the first and second connection electrodes 340 and 350 may further include a first external electrode 360 and a second external electrode 370 in a subsequent process.

여기서 상기 발광소자(300)는 소정의 간격으로 서로 떨어져 배치되며, 복수개가 상기 베이스 필름(360) 상에 열 방향과 행 방향으로 배열되어 매트릭스 구조를 이룰 수 있다.
The light emitting devices 300 may be spaced apart from each other at predetermined intervals, and a plurality of light emitting devices 300 may be arranged on the base film 360 in a column direction and a row direction to form a matrix structure.

다음으로, 도 12에서 도시하는 바와 같이, 고반사성 물질(241)이 혼합된 수지(242)를 도포하여 상기 베이스 필름(360) 상에 상기 복수의 발광소자(300)를 일체로 덮는 반사부(240)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 12, a reflector (not shown) which covers the plurality of light emitting devices 300 integrally on the base film 360 by applying a resin 242 mixed with a highly reflective material 241 ( 240).

구체적으로, 미도시된 디스펜서 등을 통해 고반사성 물질(241)이 함유된 수지(242)를 상기 베이스 필름(360) 상에 일정량 주입한다. 상기 수지(242)는 상기 복수의 발광소자(300)을 전체적으로 덮을 수 있는 정도로 충분히 주입한다.Specifically, the resin 242 containing the highly reflective material 241 is injected into the base film 360 by a dispenser or the like not shown. The resin 242 is sufficiently injected to cover the plurality of light emitting devices 300 as a whole.

이와 같이 수지(242)가 주입된 상태에서 스퀴지(squeegee)(400) 등을 사용하여 상기 베이스 필름(360)의 일단에서 반대측 끝단까지 밀어줌으로써 상기 수지(242)가 프린팅 되는 방식으로 각 발광소자(300)을 덮도록 일괄하여 도포한다.In this way, the resin 242 is pushed from one end of the base film 360 to the opposite end by using a squeegee 400 or the like in the state in which the resin 242 is injected. It is applied in a batch to cover 300).

이와 같이, 프린팅 공법을 통해 고반사성 물질(241)이 함유된 수지(242)를 한번의 공정으로 일괄적으로 복수의 발광소자(300)에 도포하는 경우 공정시간이 단축될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 다양한 방법으로 고반사성 물질이 혼합된 수지를 도포할 수 있음은 물론이다.
As such, when the resin 242 containing the highly reflective material 241 is applied to the plurality of light emitting devices 300 in a single step through a printing method, the process time may be shortened. However, the present invention is not limited thereto, and the resin in which the highly reflective material is mixed may be applied in various ways.

다음으로, 도 13에 도시하는 바와 같이 상기 발광소자(300) 상에 형성된 수지(242)의 상면을 연마장치(410) 등을 사용하여 폴리싱하여 발광소자(300)의 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)을 노출시킨다.
Next, as illustrated in FIG. 13, the upper surface of the resin 242 formed on the light emitting device 300 is polished by using a polishing apparatus 410 or the like to form the first connection electrode 340 of the light emitting device 300. And expose the second connection electrode 350.

다음으로, 도 14에 도시하는 바와 같이, 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)이 노출된 발광소자(300)의 하부에 형성된 상기 베이스 필름(360)을 제거할 수 있다.
Next, as shown in FIG. 14, the base film 360 formed under the light emitting device 300 exposing the first connection electrode 340 and the second connection electrode 350 may be removed.

다음으로, 도 15에 도시된 바와 같이. 상기 베이스 필름(360)을 제거한 위치에 파장변환부(210)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 15. The wavelength conversion part 210 is formed at the position where the base film 360 is removed.

이에 따라, 상기 발광소자(300)의 광방출면에는 파장변환부(210)가 균일한 두께로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 파장변환부(210)를 복수의 발광소자(300)에 하나의 필름형태로 부착한 예에 대하여 설명하였으나, 형광체 필름(210)을 커팅 유닛을 이용하여 발광소자(300)의 사이즈에 맞추어 일정 간격으로 절단한 후 절단된 파장변환부(210)를 상기 발광소자(300)에 개별적으로 부착할 수도 있다.Accordingly, the wavelength conversion unit 210 may be formed to have a uniform thickness on the light emitting surface of the light emitting device 300. In the present exemplary embodiment, an example in which the wavelength converter 210 is attached to the plurality of light emitting devices 300 in the form of a single film has been described. However, the size of the light emitting device 300 is reduced by using the cutting unit with the phosphor film 210. After cutting at regular intervals according to the cut wavelength conversion unit 210 may be attached to the light emitting device 300 individually.

또한 본 발명의 일 실시형태에서는 발광소자(300)으로부터 발생한 광의 파장을 변환시키기 위한 광변환층으로 파장변환부(210)가 부착되는 방식에 대하여 설명하였으나, 발광소자로부터의 광을 파장변환시키기 위한 광변환층은 프린팅 공법, 스프레이 코팅, 전기 영동법 등 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있음은 물론이다. In addition, in the exemplary embodiment of the present invention, a method of attaching the wavelength converter 210 to the light conversion layer for converting the wavelength of light generated from the light emitting device 300 has been described. The light conversion layer may be formed using various methods such as a printing method, spray coating, electrophoresis method, of course.

한편, 도 15에는 도시되어 있지 않으나, 상기 파장변환부(210)의 표면에는 발광소자(300)을 보호하기 위한 보호막이 더 형성되어 있을 수 있다.
Although not shown in FIG. 15, a protective film for protecting the light emitting device 300 may be further formed on the surface of the wavelength converter 210.

다음으로 도 16에 도시된 바와 같이, 파장변환부(210)가 부착된 복수의 발광소자(300)를 다이싱하여 개별 발광소자로 분할할 수 있다. 구체적으로, 각 발광소자(300)를 기준으로 각 발광소자(300) 사이의 반사부(240) 및 파장변환부(210)를 커팅 장치(420)를 이용하여 원하는 크기로 절단하여 개별 발광소자 패키지로 분할한다.
Next, as illustrated in FIG. 16, the plurality of light emitting devices 300 to which the wavelength converter 210 is attached may be diced into individual light emitting devices. Specifically, the individual light emitting device package by cutting the reflector 240 and the wavelength converter 210 between the light emitting device 300 to the desired size using the cutting device 420 based on each light emitting device 300 Split into

다음으로, 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)에 연결되며 상기 발광소자의 측면 방향으로 연장되어 상기 반사부(240)의 일부를 덮는 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)을 형성한다. 그러면 도 6의 발광소자 패키지가 형성된다.Next, the first external electrode 360 and the second electrode connected to the first connection electrode 340 and the second connection electrode 350 and extending in the lateral direction of the light emitting device to cover a part of the reflector 240. The external electrode 370 is formed. Then, the light emitting device package of FIG. 6 is formed.

본 실시예에서는 개별 발광소자 패키지로 분할한 후 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)에 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)을 형성하는 예에 대하여 설명하였으나, 제1 외부 전극(360) 및 제2 외부 전극(370)을 먼저 형성한 후 개별 발광소자 패키지로 분할할 수도 있다.In the present exemplary embodiment, an example in which the first external electrode 360 and the second external electrode 370 are formed on the first connection electrode 340 and the second connection electrode 350 after dividing into individual light emitting device packages will be described. However, the first external electrode 360 and the second external electrode 370 may be formed first and then divided into individual light emitting device packages.

그러면 발광소자(300)의 측면 및 제1 주면의 적어도 일부를 덮도록 형성된 반사부(240), 발광소자(300)의 제1 주면 측에 형성된 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350), 제1연결 전극(340) 및 제2연결 전극(350)에 연결되도록 형성된 제1 및 제2 외부 전극, 발광소자(300)의 제2 주면에 형성된 파장변환부(210)를 포함하는 발광소자 패키지(200)가 제조된다.
Then, the reflective part 240 formed to cover the side surface of the light emitting device 300 and at least a portion of the first main surface, the first connection electrode 340 and the second connection electrode formed on the first main surface side of the light emitting device 300 ( 350, a first and second external electrodes formed to be connected to the first connection electrode 340 and the second connection electrode 350, and a wavelength conversion unit 210 formed on the second main surface of the light emitting device 300. The light emitting device package 200 is manufactured.

본 발명의 일 실시형태에 의하면 발광소자 패키지(200)에 비교적 큰 크기의 제1 및 제2 외부 전극을 형성할 수 있어, 발광소자 패키지(200)를 배선 패턴에 회로 기판 없이 실장하여 발광소자에서 발생하는 열을 보다 효과적으로 방출할 수 있다.
According to one embodiment of the present invention, the first and second external electrodes having a relatively large size can be formed in the light emitting device package 200, and thus the light emitting device package 200 is mounted on a wiring pattern without a circuit board. The heat generated can be released more effectively.

다음으로, 도 17에 도시된 바와 같이, 렌즈가 필요한 경우에는 렌즈(250)를 파장변환부(210)가 형성된 상기 복수의 발광소자(300) 상부에 추가로 형성할 수 있다. 이러한 렌즈는 발광소자에서 발광된 빛을 모으거나 분산시키는 역할을 할 수 있다.
Next, as shown in FIG. 17, when a lens is required, the lens 250 may be further formed on the plurality of light emitting devices 300 on which the wavelength converter 210 is formed. Such a lens may serve to collect or disperse the light emitted from the light emitting device.

이와 같은 제조방법에 의하여 발광소자에 직접적으로 반사부, 전극부 및 파장변환부를 형성시켜 발광소자 패키지를 형성하고, 이를 배선 패턴에 회로 기판 없이 실장하면 발광소자에서 발생하는 열을 보다 효과적으로 방출할 수 있다.By forming a light emitting device package by directly forming a reflecting part, an electrode part, and a wavelength conversion part in the light emitting device by such a manufacturing method, and mounting it without a circuit board on the wiring pattern, heat generated in the light emitting device can be released more effectively. have.

또한 발광소자에 직접적으로 반사부, 전극부 및 파장변환부를 형성시키므로 발광소자 패키지의 크기를 최소화할 수 있다. 또한 발광소자 패키지의 구조를 보다 단순화하여 원가 절감 및 생산성을 향상시키는 효과가 있다.In addition, since the reflective part, the electrode part, and the wavelength conversion part are formed directly on the light emitting device, the size of the light emitting device package can be minimized. In addition, there is an effect of simplifying the structure of the light emitting device package to reduce costs and improve productivity.

그리고, 발광소자의 측면에서 방출되는 광도 칩의 측면에 직접 부착되어 형성된 반사부에 의하여 반사되므로 발광소자에서 방출되는 광의 손실을 줄일 수 있다.
In addition, since the light emitted from the side of the light emitting device is reflected by the reflector formed directly attached to the side of the chip, it is possible to reduce the loss of light emitted from the light emitting device.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims. It will be obvious to those of ordinary skill in the field.

10... 발광적층체 11... n형 반도체층
12... 활성층 13... p형 반도체층
20,20'... 단자부 21... 금속 필러 범프
22... 솔더 범프 23... 금속 피니쉬
30... 몰드부 40... 파장변환부
50... 렌즈
300, 500... 발광소자 310...기판
320, 520...발광구조물 321, 521...제1도전형 반도체층
322, 522...활성층 323, 523...제2도전형 반도체층
330...반사금속층 340, 540...제1연결 전극
350, 550...제2 연결 전극 360, 560...제1 외부 전극
370, 570...제2 외부 전극 200...발광소자 패키지
210...형광체 필름 220, 230...배선 패턴
240...반사부 241...고반사성 물질
242...경화성 수지 400... 스퀴지
410...연마장치 420...커팅 장치10 ... luminescent laminate 11 ... n-type semiconductor layer
12 ... active layer 13 ... p-type semiconductor layer
20,20 '... Terminal part 21 ... Metal filler bump
22 ... solder bumps 23 ... metal finish
30. Mold part 40. Wavelength conversion part
50 ... Lens
300, 500 ... Light emitting element 310 ... Substrate
320, 520 ... light emitting structure 321, 521 ... first conductive semiconductor layer
322, 522 Active layer 323, 523 Second conductive semiconductor layer
330 ... reflective metal layer 340, 540 ... First connection electrode
350, 550 ... second connection electrode 360, 560 ... first external electrode
370, 570 ... second external electrode 200 ... light emitting device package
210 ... phosphor film 220, 230 ... wiring pattern
240 Reflector 241 Highly reflective material
242 ... curable resin 400 ... squeegee
410 ... polishing device 420 ... cutting device

Claims (10)

반도체층의 적층 구조로 이루어져 서로 대향하는 제1 주면 및 제2 주면을 구비하는 발광적층체;
상기 제2 주면에 구비된 전극 상에 형성된 단자부;
상기 발광적층체의 상기 제2 주면에 형성되어 상기 단자부를 일부 노출시키는 몰드부; 및
상기 발광적층체의 제1 주면에 형성된 파장변환부;
를 포함하고,
상기 발광적층체의 측면, 상기 몰드부의 측면, 및 상기 파장변환부의 측면은 공면을 이루는 발광소자 패키지.
A light emitting laminate having a stacked structure of semiconductor layers, the light emitting stack having a first main surface and a second main surface facing each other;
A terminal portion formed on an electrode provided on the second main surface;
A mold part formed on the second main surface of the light emitting laminate to partially expose the terminal part; And
A wavelength conversion unit formed on the first main surface of the light emitting stack;
Including,
The side of the light emitting stack, the side of the mold portion, and the side of the wavelength conversion portion is a light emitting device package forming a coplanar surface.
제1항에 있어서,
상기 몰드부는 상기 단자부보다 낮은 높이로 형성되어 상기 단자부의 일부가 상기 몰드부로부터 돌출되어 노출되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The mold part is formed to a lower height than the terminal portion, the light emitting device package, characterized in that a portion of the terminal portion protrudes from the mold portion exposed.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 몰드부는 필러와 백색 성형 복합재를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1 or 2,
The mold unit comprises a filler and a white molded composite material.
제3항에 있어서,
상기 필러는 SiO2, TiO2 및 Al2O3로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
Wherein the filler has at least one material selected from the group consisting of SiO 2 , TiO 2 and Al 2 O 3 .
제1항에 있어서,
상기 발광적층체는 기판, 상기 기판 상의 n형 반도체층 및 p형 반도체층, 및 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층의 사이에 형성된 활성층을 포함하는 적층 구조를 가지며, 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층과 각각 연결되는 상기 전극은 동일한 방향을 향하도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The light emitting laminate has a stacked structure including a substrate, an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer on the substrate, and an active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, wherein the n-type semiconductor layer And the electrodes connected to the p-type semiconductor layers, respectively, to face the same direction.
제1항에 있어서,
상기 단자부는 솔더 범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The terminal unit comprises a solder bump, characterized in that the light emitting device package.
제1항에 있어서,
상기 단자부는 상기 전극 상에 형성된 금속 필러와 상기 금속 필러 상에 형성된 솔더 범프 또는 금속 피니쉬 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The terminal unit includes at least one of a metal filler formed on the electrode and a solder bump or a metal finish formed on the metal filler.
서로 대향하는 제1 및 제2 주면과 이들을 연결하는 측면을 갖는 발광소자;
상기 발광소자의 측면 및 제1 주면의 적어도 일부를 덮도록 형성되며, 상기 발광소자에서 방출된 빛을 반사시키는 반사물질을 포함하는 반사부;
상기 발광소자의 제2 주면의 적어도 일부를 덮도록 형성된 파장변환부;
상기 발광소자의 제1 주면 측에 배치되어 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 제1 및 제2 연결 전극; 및
상기 발광소자의 제1 주면 측에 상기 발광소자로부터 상기 제1 및 제2 연결 전극보다 먼 위치에 배치되며, 상기 제1 및 제2 연결 전극과 각각 연결되되 상기 제1 및 제2 연결 전극보다 크게 형성되어 상기 반사부의 일부를 덮도록 형성된 제1 및 제2 외부 전극;
을 포함하고,
상기 반사부의 외측면은 상기 파장변환부의 외측면 및 상기 제1 및 제2 외부 전극의 외측면과 공면을 이루는 발광소자 패키지.
A light emitting device having first and second main surfaces facing each other and side surfaces connecting them;
A reflector formed to cover at least a portion of a side surface of the light emitting device and a first main surface, the reflector including a reflective material reflecting light emitted from the light emitting device;
A wavelength conversion unit formed to cover at least a portion of the second main surface of the light emitting device;
First and second connection electrodes disposed on a first main surface of the light emitting device and electrically connected to the light emitting device; And
A first main surface of the light emitting device is disposed at a position farther from the light emitting device than the first and second connection electrodes, and is connected to the first and second connection electrodes, respectively, and is larger than the first and second connection electrodes. First and second external electrodes formed to cover a portion of the reflective part;
Including,
The outer surface of the reflecting portion is a light emitting device package which is coplanar with the outer surface of the wavelength conversion portion and the outer surface of the first and second external electrodes.
제8항에 있어서,
상기 발광소자는, 기판과, 상기 기판 상에 형성되며 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층이 순차 적층된 발광구조물과, 상기 제1도전형 반도체층 및 제2도전형 반도체층에 각각 형성된 제1 연결 전극 및 제2 연결 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 8,
The light emitting device includes a substrate, a light emitting structure on which the first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer are sequentially stacked, the first conductive semiconductor layer, and the second conductive semiconductor. A light emitting device package comprising a first connection electrode and a second connection electrode respectively formed in the layer.
제8항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부 전극은 상기 발광소자 패키지의 하부 면적의 20 내지 50%의 넓이인 것을 특징으로 발광소자 패키지.The method of claim 8,
The first and second external electrodes are a light emitting device package, characterized in that 20 to 50% of the area of the lower area of the light emitting device package.
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