KR102023199B1 - 샤워헤드 전극 어셈블리에 사용하기 위한 압축 부재 - Google Patents
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- 230000006835 compression Effects 0.000 title claims abstract description 74
- 238000007906 compression Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4557—Heated nozzles
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
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- Y10T29/49082—Resistor making
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- Y10T29/49087—Resistor making with envelope or housing
- Y10T29/49098—Applying terminal
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Abstract
용량적으로 커플링된 플라즈마 챔버의 샤워헤드 전극 어셈블리에서 사용을 위한 압축 부재. 압축 부재는 열 제어 플레이트의 상부 표면 상의 전력 공급 부트에 인접한 필름 히터의 부분에 압축력을 인가하고 열 제어 플레이트와 온도 제어된 상부 플레이트 사이에 위치된다. 압축 부재는 광범위한 압축들 및 온도들에 걸쳐 작동할 수 있는 전기 절연 엘라스토머 재료로 이루어진다.
Description
본 발명은 플라즈마 처리 장치들에 관한 것으로서, 여기서 저항 히터 필름이 샤워헤드 전극 어셈블리에서의 열 제어 플레이트의 온도를 제어하는데 사용된다.
플라즈마 처리 장치들은 에칭, 물리적 기상 증착 (PVD), 화학적 기상 증착 (CVD), 이온 주입, 및 레지스트 제거를 포함하는 기법들에 의해 기판들을 처리하는데 사용된다. 플라즈마 처리 에서 사용되는 일 타입의 플라즈마 처리 장치는 상부 및 하부 전극들을 포함하는 반응 챔버를 포함한다. 전기장이 전극들 사이에 확립되어 처리 가스를 플라즈마 상태로 여기시켜 반응 챔버에서 기판들을 처리한다.
플라즈마 처리에서 사용되는 상부 전극 어셈블리의 일 타입은 샤워헤드 전극 어셈블리를 포함한다. 플라즈마 처리 장치의 샤워헤드 전극 어셈블리는 샤워헤드 전극에 부착되 열 제어 플레이트, 및 열 제어 플레이트에 부착된 상부 플레이트 (top plate) 를 포함할 수도 있다. 적어도 하나의 열 브리지 (thermal bridge) 가 열 제어 플레이트와 상부 플레이트의 대향 표면들 사이에 제공되어 열 제어 플레이트와 상부 플레이트 사이의 전기적 및 열적 전도를 허용할 수 있다. 참조로써 여기에 그 전체가 포함되는, 공동으로 소유된 미국 특허 제 7,862,682 호에 기술된 바와 같이, 열적 및 전기적 전도성 개스킷이 상부 플레이트와 샤워헤드 전극을 분리할 수도 있다. 참조로써 여기에 그 전체가 포함되는, 공동으로 소유된 미국 특허 제 7,645,341 호에 기술된 바와 같이, 열 제어 플레이트에 의해 지지되는 단일존 또는 멀티 존 필름 히터가 온도 제어된 상부 플레이트와 협력하여 샤워헤드 전극을 원하는 온도로 유지할 수도 있다.
용량적으로 결합된 플라즈마 챔버의 샤워헤드 전극 어셈블리에서의 사용을 위한 압축 부재가 여기에 개시되며, 여기서 압축 부재는 온도 제어된 상부 플레이트 아래에 지지된 열 제어 플레이트의 상부 표면상의 전력 공급 부트 (boot) 에 인접한 필름 히터의 부분에 압축력을 인가한다.
바람직한 실시형태에서, 압축 부재는 온도 제어된 상부 플레이트와 열 제어 플레이트 사이에 압축된 전기 절연 엘라스토머 재료의 바디 (body) 이며, 여기서 그 바디의 하부 표면은 필름 히터의 상부 표면과 접촉하여 압축력을 필름 히터의 부분에 인가하며, 압축 부재의 내부 표면은 필름 히터에 전력을 공급하는 전력 공급 부트에 인접해 있다.
도 1 은 샤워헤드 전극 어셈블리의 부분 및 전력 공급 부트들에 인접한 압축 부재들을 갖는 플라즈마 처리 장치를 위한 기판 지지체를 도시한다.
도 2 는 전력 공급 부트들에 인접한 압축 부재들을 갖는 바람직한 실시형태에 따른 샤워헤드 전극 어셈블리를 도시한다.
도 3a 내지 도 3e 는 제 1 실시형태에 따른 압축 부재 (300) 를 도시한다.
도 4a 내지 도 4f 는 제 2 실시형태에 따른 압축 부재 (400) 를 도시한다.
도 5a 내지 도 5f 는 제 3 실시형태에 따른 압축 부재 (500) 를 도시한다.
도 6a 및 도 6b 는 압축 부재 (300, 400, 500) 의 바람직한 배열을 상세히 나타내는 열 제어 플레이트 (58) 의 상면도를 나타낸다.
도 2 는 전력 공급 부트들에 인접한 압축 부재들을 갖는 바람직한 실시형태에 따른 샤워헤드 전극 어셈블리를 도시한다.
도 3a 내지 도 3e 는 제 1 실시형태에 따른 압축 부재 (300) 를 도시한다.
도 4a 내지 도 4f 는 제 2 실시형태에 따른 압축 부재 (400) 를 도시한다.
도 5a 내지 도 5f 는 제 3 실시형태에 따른 압축 부재 (500) 를 도시한다.
도 6a 및 도 6b 는 압축 부재 (300, 400, 500) 의 바람직한 배열을 상세히 나타내는 열 제어 플레이트 (58) 의 상면도를 나타낸다.
샤워헤드 전극 어셈블리에서의 사용을 위한 압축 부재가 여기에 개시되며, 여기서 압축 부재는 탄성력을 인가하여 열 제어 플레이트 상의 필름 히터의 박리를 방지한다. 필름 히터가 열 제어 플레이트의 상부 표면에 적층되는 경우, 소정의 플라즈마 처리 조건들은 필름 히터로 하여금 필름 히터에 전력을 제공하는 전력 공급 부트에 인접한 영역에서 박리를 겪게 할 수도 있다. 전력 공급 부트에 인접한 영역 주위에의 압축력의 인가는 열 제어 플레이트 상의 필름 히터의 박리를 회피하도록 의도된다.
도 1 은 반도체 기판들, 예를 들어 실리콘 웨이퍼들이 처리되는 플라즈마 처리 장치를 위하 샤워헤드 전극 어셈블리 (10) 를 도시한다. 샤워헤드 전극 어셈블리 (10) (그의 절반만이 도 1 에 도시됨) 는 상부 전극 (20) 과 상부 전극 (20) 에 고정된 선택적 백킹 부재 (40), 열 제어 플레이트 (58), 및 상부 플레이트 (80) 를 포함한다. 상부 플레이트 (80) 는 플라즈마 에칭 챔버와 같은 플라즈마 처리 장치의 제거가능한 상부 벽을 형성할 수 있다.
하부 전극 및 선택적 정전 클램핑 전극을 포함하는 기판 지지체 (15) (그의 일부만이 도 1 에 도시됨) 가 플라즈마 처리 장치의 진공 처리 챔버에서의 상부 전극 (20) 아래에 위치된다. 플라즈마 처리 대상인 기판 (16) 은 기판 지지체 (15) 에 통합된 정전 클램 (electrostatic clam: ESC) 의 상부 지지 표면 (17) 상에 기계적 또는 정전기적으로 클램핑된다.
샤워헤드 전극 (20) 은 바람직하게는 내부 전극 부재 (22), 및 선택적 외부 전극 부재 (24) 를 포함한다. 내부 전극 부재 (22) 는 바람직하게는 원통형 플레이트 (예를 들어, 단결정 실리콘) 이다. 내부 전극 부재 (22) 는 예를 들어, 최대 12인치 (300 mm) 또는 그 이상 (예를 들어, 450 mm) 의 단결정 실리콘인 처리될 웨이퍼보다 작거나, 같거나, 또는 큰 직경을 가질 수 있다. 300 mm 웨이퍼를 처리하는 경우, 외부 전극 부재 (24) 는 상부 전극 (20) 의 직경을 약 15 인치로부터 약 17 인치까지 확장하기 위해 제공된다. 외부 전극 부재 (24) 는 연속적인 부재 (예를 들어, 링과 같은 폴리실리콘 부재) 이거나 세그먼트화된 부재 (예를 들어, 단결정 실리콘의 세그먼트들과 같이, 링 구성으로 배열된 2 내지 6 개의 분리된 세그먼트들) 일 수 있다. 다중-세그먼트 외부 전극 부재 (24) 를 포함하는 상부 전극 (20) 의 실시형태들에서, 세그먼트들은 바람직하게는 플라즈마에의 노출로부터 아래에 놓인 접착 재료를 보호하기 위해 서로 중첩하는 에지들을 갖는다. 내부 전극 부재 (22) 는 바람직하게는 상부 전극 (20) 과 하부 전극 (15) 사이의 플라즈마 반응 챔버 내의 공간으로 처리 가스를 주입하기 위한 다수의 가스 통로들 (23) 을 포함한다. 대안적으로, 내부 및 외부 전극들 대신에, 전극은 백킹 부재를 갖거나 갖지 않는 모노리딕 전극일 수 있다.
백킹 부재 (40) 는 바람직하게는 백킹 플레이트 (42) 및 백킹 링 (44) 를 포함한다. 그러한 실시형태들에서, 내부 전극 부재 (22) 는 백킹 플레이트 (42) 와 동일한 공간을 차지하고, 외부 전극 부재 (24) 는 둘러싸는 백킹 링 (44) 과 동일한 공간을 차지한다. 그러나, 백킹 플레이트 (42) 는 단일 백킹 플레이트가 내부 전극 부재 및 세그먼트화된 외부 전극 부재를 지지하기 위해 사용될 수 있도록 내부 전극 부재를 너머 연장될 수 있다. 내부 전극 부재 (22) 및 외부 전극 부재 (24) 는 바람직하게는 엘라스토머 접착 재료와 같은 접착 재료에 의해 백킹 부재 (40) 에 부착된다. 백킹 플레이트 (42) 는 플라즈마 처리 챔버로 가스 흐름을 제공하기 위해 내부 전극 부재 (22) 의 가스 통로들 (23) 과 정렬된 가스 통로들 (43) 을 포함한다. 가스 통로들 (43) 은 약 0.04 인치의 직경을 가질 수 있고 (여기에서 사용되는 "약" 은 ±10% 를 의미함), 가스 통로들 (23) 은 통상 약 0.025 인치의 직경을 가질 수 있다.
열 제어 플레이트 (58) 는 상부 표면 (60) 을 갖는 외형을 이루는 플레이트 (contoured plate) (59) 를 포함하는 금속성 내측 부분, 및 상부 표면 상의 제 1 열 전달 표면 (62) 을 갖는 제 1 환형 돌출부 (61) 및 제 2 열 전달 표면 (64) 을 갖는 제 2 환형 돌출부 (63) 를 포함한다. 다른 바람직한 실시형태들에서, 열 제어 플레이트 (58) 는 2 개보다 많은 돌출부들, 예를 들어 3 개 이상의 돌출부들을 포함할 수 있다. 열 제어 플레이트 (58) 는 또한 온도 제어된 상부 플레이트 (80) 의 대향하는 하부 표면 (82) 에 대해 유지되는 상부 표면 (70) 을 갖는 플랜지 (68) 에 외형을 이루는 플레이트 (59) 를 연결하는 플렉셔부 (66) 를 포함한다. 제 1 열 전달 표면 (62) 및 제 2 열 전달 표면 (64) 은 바람직하게는 환상 구성을 갖는다. 제 1 돌출부 (61) 및 제 2 돌출부 (63) 는 바람직하게는 약 0.25 인치 내지 약 0.75 인치의 높이, 및 약 0.75 내지 약 1.25 인치의 폭을 갖는다. 그러나, 제 1 돌출부 (61) 및/또는 제 2 돌출부 (63) 는 비환상 구성, 예를 들어 활모양 세그먼트, 다면체, 원형, 타원형 또는 다른 구성을 가질 수 있다. 상부 플레이트 (80) 는 바람직하게는 온도 제어된 유체, 바람직하게는 액체가 상부 플레이트 (80) 를 원하는 온도로 유지하기 위해 순환될 수 있는 하나 이상의 흐름 통로들 (88) 을 포함한다.
열 제어 플레이트 (58) 는 상부 플레이트 (80) 의 개구부들 (84) 를 통과하여 그리고 플랜지 (68) 에 형성된 나사형 개구부들 (86) 내로 연장되는 적합한 패스너들로 상부 플레이트 (80) 에 제거가능하게 부착된다. 일 실시형태에서, 샤워헤드 전극 어셈블리 (10) 는 상부 플레이트 (80) 의 상부측 (122) 에 부착된 커버 플레이트 (120) 를 포함한다. 커버 플레이트 (120) 는 상부 플레이트 (80) 의 개구부들을 밀봉하여 이들 개구부들 내의 패스너들이 처리 장치에서 진공 압력에 있도록 한다. 그러나, 커버 플레이트는 개구부들 (84, 86) 주위에 진공 밀봉을 제공함으로써 생략될 수 있다 (예를 들어, O-링들 (104) 이 개구부들 (84, 86) 을 포함하는 섹션들 주위의 이격된 환형 홈들 (105) 에 제공될 수 있다). 상부 플레이트 (80) 에서의 오버사이징된 개구부들 (84) 은 패스너들 주위에 클리어런스를 제공하여, 열 제어 플레이트 (58) 가 상부 플레이트에 대해 슬라이딩하여 상부 플레이트에 대한 열 제어 플레이트의 열팽창에서의 미스매치를 수용하도록 한다.
처리 챔버에서의 반도체 기판의 처리 동안, 열이 내부 전극 부재 (22) 및 외부 전극 부재 (24) 및 선택적 백킹 플레이트 (42) 및 선택적 백킹 링 (44) 로부터, 제 1 열 전달 표면 (62), 제 2 열 전달 표면 (64) 으로부터의 그리고 상부 표면 (70) 을 통한 열전도를 통해 상부 플레이트 (80) 의 하부 표면 (82) 으로 전달된다. 즉, 제 1 돌출부 (61) 및 제 2 돌출부 (63) 는 또한 상부 플레이트 (80) 로의 내부 전극 부재 (22), 외부 전극 부재 (24), 백킹 플레이트 (42) 및 백킹 링 (44) 과의 사이에 열적 브리지들을 제공한다. 열 제어 플레이트 (58) 를 가로지르는 이격된 로케이션들에서의 이러한 강화된 열 전달은 상부 플레이트 (80) 를 가로질려 방사상으로 실질적으로 균일한 온도 분포를 달성하는 것을 돕는다.
도 2 를 참조하면, 열 제어 플레이트 (58) 는 바람직하게는 상부 전극 (20) 의 온도를 제어하기 위해 온도 제어된 상부 플레이트 (80) 와 협력하도록 동작가능한 적어도 하나의 필름 히터 (230) 를 포함한다. 예를 들어, 바람직한 실시형태에서, 히터는 열 제어 플레이트 (58) 의 상부 표면 상에 제공되며, 제 1 돌출부 (61) 에 의해 둘러싸인 제 1 환형 히터 존 (72) 에서의 필름 히터 (230a), 제 1 돌출부 (61) 와 제 2 돌출부 (63) 사이의 제 2 환형 히터 존 (74) 에서의 필름 히터 (230b), 및 제 2 돌출부 (63) 와 플렉셔부 (66) 사이의 제 3 환형 히터 존 (76) 에서의 필름 히터 (230c) 를 포함한다 (도 6a 참조). 히터 존들의 수는 변경될 수 있다; 예를 들어, 다른 실시형태들에서, 히터는 단일의 히터 존, 2 개의 히터 존들, 또는 3 개 이상의 히터 존들을 포함할 수 있다.
바람직한 실시형태에서, 필름 히터 (230) 는 열 제어 플레이트 (58) 상의 제 1 돌출부 (61) 및 제 2 돌출부 (63) 에 의해 3 개의 필름 히터 (230a, 230b, 230c) 로 분할된다. 필름 히터 (230a) 는 제 1 환형 히터 존 (72) 에 위치되고 제 1 돌출부 (61) 를 통해 연장되는 전기 연결들을 통해 제 2 환형 히터 존 (74) 에 위치된 필름 히터 (230b) 에 전기적으로 연결된다. 필름 히터 (230c) 는 제 3 환형 히터 존 (76) 에 위치되며 제 2 돌출부 (63) 를 통해 연장되는 전기적 연결들을 통해 필름 히터 (230b) 에 전기적으로 연결된다 (도 6a 참조). 도 6b 에 도시된 바와 같이, 전력공급장치 (110) 는 전력 라인 (97) 을 통해 전력 공급 부트 (79c) 에 전기적으로 연결된다. 전력 공급 부트들 (79c) 은 필름 히터 (230c) 에서의 저항성 히팅 라인들 (232) 에 전력을 분배하는데 사용된다.
필름 히터 (230a, 230b, 230c) 는 열 제어 플레이트 (58) 의 상부 표면 (60) 상에 저항성 히팅 라인들 (232) 을 포함하는 적층체를 포함하며, 여기서 히팅 라인들은 필름 히터 (230a, 230b, 230c) 에 의해 도달되는 동작 온도들을 견딜 수 있는 중합성 재료의 대향되는 층들 사이에 배치된 전기 저항 히팅 재료로부터 형성된다. 사용될 수 있는 예시적인 중합성 재료는 E.I. du Pont de Nemours and Company 로부터 상업적으로 이용가능한 상표 "KAPTON" 하에서 판매되는 폴리이미드이다. 열 제어 플레이트의 히팅은 바람직하게는 열 전도를 통해 달성된다.
히팅 라인들은 제 1 히터 존 (72), 제 2 히터 존 (74), 및 제 3 히터 존 (76) 의 열적으로 균일한 히팅을 제공하는 임의의 적합한 패턴을 가질 수 있다. 예를 들어, 필름 히터 (230a,b,c) 는 재그 재그, 서펜타인, 또는 동심 패턴과 같은 저항성 히팅 라인들의 규칙 또는 불규칙 패턴을 가질 수 있다. 온도 제어된 상부 플레이트 (80) 에 의한 냉각과 협력하여 필름 히터 (230a,b,c) 로 열 제어 플레이트 (58) 를 히팅함으로써, 샤워헤드 전극 어셈블리 (10) 의 동작 동안 상부 전극 (20) 에 걸쳐 바람직한 온도 분포가 제공될 수 있다.
도 6a, 도 6b 는 압축 부재들 (300, 400, 500) 을 갖는 열 제어 플레이트 (58) 의 상면도들을 도시한다. 열 제어 플레이트 (58) 의 상부 표면 (60) 은 필름 히터 (230a,b,c) 를 포함한다. 필름 히터 (230a,b,c) 는 단일의 전력공급장치 또는 다수의 전력공급장치들로부터 전력을 수신할 수 있다. 바람직한 실시형태에서, 필름 히터는 3 개의 히터 존들 (72, 74, 76) 을 포함하며, 여기서 전력공급장치 (110) 는 플랜지 (68) 의 개구부를 통해 연장되는 전력 라인 (97) 을 통해 전력 공급 부트 (79c) 에 전기적으로 연결되고, 제 3 외부 히터 존 (76) 에 위치된 3상 히터의 각각의 상에 전기적으로 접촉한다. 제 3 히터 존 (76) 의 3개의 상들은 존 (76) 에서의 전력 공급 부트들 (79a) 과 존 (74) 에서의 전력 공급 부트들 (79b) 사이의 연결들 (77) 을 통해 제 2 중간 히트 존 (74) 의 3 개의 대응하는 상들에 전기적으로 연결되고, 제 2 히터 존 (74) 의 3 개의 상들은 제 2 히터 존 (74) 에서의 전력 공급 부트들 (79a) 과 제 1 히터 존 (72) 에서의 전력 공급 부트들 (79a) 사이의 연결들 (77) 을 통해 제 1 중앙 히터 존 (72) 의 3 개의 상들에 전기적으로 연결된다. 연결들 (77) 은 돌출부 (61, 63) 에서의 개구부들을 통과한다.
바람직한 실시형태에서, 3상 히터는 제 1 상에서의 AC 전류를 수신하도록 구성된 제 1 저항성 히팅 도체, 제 2 상에서의 AC 전류를 수신하도록 구성된 제 2 저항성 히팅 도체, 및 제 3 상에서의 AC 전류를 수신하도록 구성된 제 3 저항성 히팅 도체를 포함하는 3 개의 회로들로 구성되며, 제 1 상, 제 2 상, 제 3 상은 서로 120 도 위상차를 갖는다.
상부 전극 (20) 은 전기적으로 접지될 수 있거나, 대안적으로, 바람직하게는 라디오 주파수 (RF) 전류원에 의해 전력이 공급될 수 있다. 바람직한 실시형태에서, 상부 전극 (20) 은 접지되고, 플라즈마 처리 챔버에 플라즈마를 생성하기 위해 하부 전극에 하나 이상의 주파수들의 전력이 인가된다. 하부 전극은 독립적으로 제어된 라디오 주파수 전원들에 의해 예를 들어, 약 2 MHz 내지 약 100 MHz 의 주파수들, 예를 들어 2 MHz, 27 MHz 및/또는 60 MHz 에서 전력이 공급된다. 기판이 처리된 후 (예를 들어, 반도체 기판이 플라즈마 에칭된 후), 하부 전극으로의 전력의 공급은 차단되어 플라즈마 생성을 종료한다. 처리된 기판은 플라즈마 처리 챔버로부터 제거되고, 다른 기판이 플라즈마 처리를 위해 기판 지지체 (15) 상에 배치된다. 바람직한 실시형태에서, 히터는 열 제어 플레이트 (58) 를 히팅하도록 활성화되고, 차례로 하부 전극으로의 전력이 차단되는 경우에는 상부 전극 (20) 을 가열하도록 활성화된다. 결과적으로, 상부 전극 (20) 온도는 원하는 최소 온도 아래로 감소되는 것이 바람직하게 방지된다. 상부 전극 (20) 온도는 연속적인 기판 처리 운영들 사이에서 대략 일정한 온도로 바람직하게 유지되어 기판들이 더욱 균일하게 처리되어, 처리 수율들을 개선한다. 전력 공급 장치 (110) 는 바람직하게는 상부 전극 (20) 의 실제의 온도와 원하는 온도에 기초하여 히터에 원하는 레벨 및 레이트로 전력을 공급하도록 제어가능하다.
히터 필름과 열 제어 플레이트 사이의 잠재적인 아킹 및 박리를 피하기 위해, 압축 부재들 (300, 400, 500) 이 열 제어 플레이트와 상부 플레이트 사이에 위치된다.
도 2 에 도시된 바와 같이, 압축 부재들 (300, 400, 500) 은 열 제어 플레이트 (58) 의 상부 표면 (60) 상의 전력 공급 부트 (79a, 79b, 79c) 에 인접한 필름 히터 (230a,b,c) 의 부분에 압축력을 인가하여 필름 히터의 박리를 방지한다. 압축 부재들 (300, 400, 500) 은 온도 제어된 상부 플레이트 (80) 와 열 제어 플레이트 (58) 사이에 끼워맞춰지도록 구성되어 각각의 압축 부재의 하부 표면이 필름 히터 (230a,b,c) 의 상부 표면 (231) 과 접촉하여 필름 히터 (230a,b,c) 로 전력을 공급하는 전력 공급 부트 (79a, 79b, 79c) 에 인접한 필름 히터 (230a,b,c) 의 부분에 압축력을 인가하도록 한다.
각 압축 부재 (300, 400, 500) 는 바람직하게는 스커트 (305, 405, 505), 상부 햇 (top hat) (310, 410, 510), 및 스커트 (305, 405, 505) 와 상부 햇 (310, 410, 510) 사이에 연장되는 적어도 하나의 유연성 엘리먼트 (315, 415, 515) 를 포함한다. 스커트 (305, 405, 505) 는 전력 공급 부트 (79a, 79b, 79c) 에 인접하고, 전력 공급 부트 (79a, 79b, 79c) 에 인접하는 필름 히터 (230a,b,c) 의 상부 표면 (231) 과 접촉하는 하부 표면 (306, 406, 406) 을 갖는다. 스커트 (305, 405, 505) 는 적어도 하나의 유연성 엘리먼트 (315, 415, 515) 에 의해 상부 햇 (310, 410, 510) 에 연결되고, 상부 햇 (310, 410, 510) 은 전력 공급 부트 (79a, 79b, 79c) 위에 놓이도록 구성된 하부 표면 (311, 411, 511) 및 온도 제어된 상부 플레이트 (80) 의 하부 표면 (82) 과 접촉하는 상부 표면 (312, 414, 512) 을 갖는다.
압축 부재들 (300, 400, 500) 은 할로겐 가스들에 대한 저항 및 열에 대한 높은 허용범위를 갖는 전기 절연 엘라스토머 재료의 바디로부터 형성된다. 압축 부재들 (300, 400, 500) 은 약 15 파운드로부터 약 250 파운드 까지의 로드 압력의 압축들의 범위를 견딜 수 있는 형상 및 재료 조성을 갖는 것이 바람직하다. 전기 절연 엘라스토머 재료가 플루오로엘라스토머인 것이 바람직하며, 여기서 그러한 플루오로엘라스토머 재료는 바람직하게는 약 65 내지 70 퍼센트의 불소를 갖는다. 이러한 특성들을 제공하는 바람직한 재료는 E.I. du Pont de Nemours and Company 로부터 상업적으로 이용가능한 "VITON" 과 같은 플루오로엘라스토머 재료이다.
도 3a 내지 도 3e 는 제 1 실시형태에 따른 압축 부재 (300) 를 도시한다. 도 3a 는 스커트 (305), 상부 햇 (310), 제 1 유연성 엘리먼트 (315a) 및 제 2 유연성 엘리먼트 (315b) 를 갖는 압축 부재 (300) 의 상면도이다. 스커트 (305) 는 직사각형 개구부 (320) 을 형성하는 4 개의 벽들 (301a,b,c,d) 에 의해 정의되며 내부 및 외부 표면들 (308, 309) 상에 둥근 코너들을 갖는다. 스커트 (305) 는 약 1.1 인치의 길이, 약 1.0 인치의 폭, 및 약 0.35 인치의 높이를 갖는다. 직사각형 개구부 (320) 는 스커트 (305) 의 높이를 통해 연장되고, 약 0.7 인치의 길이 및 약 0.5 인치의 폭을 갖는다. 스커트 (305) 는 스커트 (305) 의 내부 표면 (308) 의 하부 에지들을 따라 반원형 리브들 (325) 를 갖는다. 반원형 리브들 (325) 은 약 0.015 인치의 반경을 갖는다.
상부 햇 (310) 은 둥근 코너들 그리고 약 0.4 인치의 길이, 약 0.35 인치의 폭, 및 약 0.2 인치의 높이를 갖는 형상의 직사각형이다. 상부 햇은, 유연성 엘리먼트 (315a, 315b) 의 길이들이 스커트 (305) 및 상부 햇 (310) 의 길이에 평행하게 정렬되고 스커트 (305) 로부터 상부 햇 (310) 의 반대 단부들에서 상부 햇 (310) 으로의 연결들을 형성하도록, 제 1 및 제 2 유연성 엘리먼트들 (315a, 315b) 에 의해 스커트 (305) 에 연결된다. 제 1 및 제 2 유연성 엘리먼트들 (315a, 315b) 은 둥근 에지들을 갖는 단면이 직사각형이다. 제 1 유연성 엘리먼트는 약 0.15 인치이 길이, 약 0.1 인치의 폭, 및 약 0.03 인치의 두께를 갖는다. 제 2 유연성 엘리먼트는 약 0.15 인치의 길이, 약 0.08 인치의 폭, 및 약 0.03 인치의 두께를 갖는다.
도 3b 는 압축 부재 (300) 의 폭을 통한 단면이다. 스커트는 평행한 내부 표면들 (308) 및 약 20 도의 각도로 기울어진 외부 표면들 (309) 을 갖는다. 스커트 (305) 의 상부 표면 (307) 의 부분은 수직 내부 표면들 (308) 에 대해 약 70 도의 각도로 기울어져 있으며, 여기서 상부 표면 (307) 은 스커트 (305) 의 내부 표면 (308) 으로부터 약 0.05 인치 연장되는 내부 수평 섹션을 포함하고, 상부 표면 (307) 의 나머지는 스커트 (305) 의 외부 표면 (309) 을 향해 상방으로 기울어져 있다. 상부 햇 (310) 은 스커트 (305) 의 상부 표면 (307) 의 내부 수평 섹션과 동일 평면인 상부 표면 (312) 를 갖는다.
압축 부재 (300) 는 벽 (301a) 의 하부 표면 (306) 에 오목부 (330) 를 갖는다. 오목부 (330) 는 전력 공급 부트 (79a) 로부터 연장되는 파워 라인 (97) 위로 끼워맞춰지도록 약 0.2 인치의 높이 및 약 0.17 인치의 폭을 가질 수 있다. 스커트 (305) 의 하부 표면 (306) 은 열 제어 플레이트 (58) 의 상부 표면 (60) 상의 필름 히터 (230a,b,c) 와 접촉하는 반면, 상부 햇 (310) 의 하부 표면 (311) 은 전력 공급 부트 (79a) 의 상부 표면과 접촉한다.
도 3c 는 압축 부재 (300) 의 길이를 통한 단면이다. 제 1 및 제 2 유연성 엘리먼트들 (315a, 315b) 는 V자 형상을 갖고 약 100 도의 내각을 갖는다. 오목부 (330) 는 스커트 (305) 의 폭을 통해 센터링되어 제 1 유연성 엘리먼트 (315a) 에 인접하도록 한다 (도 3a 참조).
도 3d 는 제 2 유연성 엘리먼트 (315b) 의 반절의 길이를 통한 단면이다.
도 3e 는 압축 부재 (300) 의 사시 상면도이다. 압축 부재 (300) 는 스커트 (305) 가 전력 공급 부트 (79a) 의 외주를 둘러싸도록 전력 공급 부트 (79a) 위에 시팅되어 있다. 오목부 (330) 는 전력 라인 (97) 이 압축 부재 (300) 를 통해 전력 공급 부트 (79a) 내로 연장되는 것을 허용한다. 실시형태에서, 압축 부재 (300) 는 스커트 (305) 에 절삭부 (355) 를 가져 근접한 나사 (340) 가 수용될 수 있다.
도 4a 내지 도 4f 는 용량적으로 결합된 플라즈마 챔버의 샤워헤드 전극 어셈블리에 사용되는 제 2 실시형태에 따른 압축 부재 (400) 을 도시한다. 도 4a 는 스커트 (405), 상부 햇 (410), 제 1 유연성 엘리먼트 (415a) 및 제 2 유연성 엘리먼트 (415b) 로 이루어진 압축 부재 (400) 의 상면도이다. 스커트 (405) 는 제 1 및 제 2 단부 벽들 (420a, 420b) 에 의해 정의된다. 제 1 단부 벽 (420a) 및 제 2 단부 벽 (420b) 은 이격된 채로 평행하며, 약 0.6 인치의 길이, 약 0.1 인치의 폭, 및 약 0.35 인치의 높이를 갖는다. 단부 벽들 (420a, 420b) 은 2 개의 평행하고 이격된 제 1 및 제 2 측벽들 (435a, 435b) 에 의해 연결된다. 측벽들 (435a, 435b) 는 약 0.55 인치의 길이, 약 0.03 인치의 폭, 및 약 0.13 인치의 높이를 갖는다.
상부 햇 (410) 은 제 1 및 제 2 단부 벽들 (420a, 420b) 에 평행한 약 0.55 인치의 길이, 제 1 및 제 2 측벽들 (435a, 435b) 에 평행한 약 0.4 인치의 폭, 및 약 0.04 인치의 높이를 갖는 플레이트를 포함한다. 스커트 (405) 는 유연성 엘리먼트들 (415a, 415b) 이 정렬되어 스커트 (405) 및 상부 햇 (410) 의 길이에 평행하고, 스커트 (405) 로부터 상부 햇 (410) 의 대향 단부들에서 상부 햇 (410) 에의 연결들을 형성하도록 제 1 유연성 엘리먼트 (415a) 및 제 2 유연성 엘리먼트 (415b) 에 의해 상부 햇 (410) 에 연결된다. 제 1 유연성 엘리먼트 (415a) 및 제 2 유연성 엘리먼트 (415b) 는 약 0.06 인치의 길이, 약 0.15 인치의 폭 및 약 0.035 인치의 두께를 갖고 둥근 코너들을 갖는 단면이 직사각형이다.
도 4b 는 압축 부재 (400) 의 길이를 통한 단면이다. 제 1 및 제 2 유연성 엘리먼트들 (415a, 415b) 은 약 145 도의 내각을 형성하는 만곡부를 포함한다. 제 1 및 제 2 유연성 엘리먼트들 (415a, 415b) 은, 스커트 (405) 의 상부 표면 (407) 과 상부 햇 (410) 의 상부 표면 (412) 이 서로 평행하도록 스커트 (405) 와 상부 햇 (410) 을 연결한다.
상부 햇 (410) 의 상부 표면 (412) 은 제 1 및 제 2 상부 돌출부들 (425a, 425b) 을 포함하고, 상부 햇 (410) 의 하부 표면 (411) 은 제 1 및 제 2 하부 돌출부들 (430a, 430b) 을 포함한다. 돌출부 (425a, 425b, 430a, 430b) 는 서로 평행하고, 단면이 직사각형이며, 약 0.5 인치의 길이, 약 0.12 인치의 폭, 및 약 0.1 인치의 높이를 갖는다. 제 1 상부 돌출부 (425a) 및 제 1 하부 돌출부 (430a) 는 수직으로 정렬되고, 제 2 상부 돌출부 (425b) 및 제 2 하부 돌출부 (430b) 는 수직으로 정렬된다. 상부 돌출부들 (425a, 425b) 및 하부 돌출부들 (430a, 430b) 은 제 1 및 제 2 단부 벽들 (420a, 420b) 에 평행하고 약 0.13 인치만큼 이격된다.
도 4c 는 압축 부재 (400) 의 측면도이다. 제 1 및 제 2 측벽들 (435a, 435b) 은 제 1 및 제 2 단부 벽들 (420a, 420b) 의 상부 표면들 (422a, 422b) 의 약 0.05 인치 아래에 있는 상부 표면 (437a, 437b) 를 갖는다. 스커트 (405) 의 하부 표면 (406) 은 열 제어 플레이트 (58) 의 상부 표면 (60) 상의 필름 히터 (230a,b,c) 와 접촉한다. 하부 돌출부들 (430a, 430b) 의 하부 표면들 (431a, 431b) 은 전력 공급 부트 (79b) 상에 놓여있다. 제 1 상부 돌출부 (425a) 및 제 2 상부 돌출부 (425b) 의 상부 표면들 (427a, 427b) 은 단부 벽들 (420a, 420b) 의 상부 표면들 (422a, 422b) 에 평행하고, 상부 표면들 (422a, 422b) 의 약 0.007 인치 위에 위치된다. 제 1 하부 돌출부 (430a) 및 제 2 하부 돌출부 (430b) 의 하부 표면들 (431a, 431b) 은 단부 벽들 (420a, 420b) 의 하부 표면들 (421a, 421b) 의 약 0.1 인치 위에 있다.
도 4d 내지 도 4e 는 압축 부재 (400) 의 3차원 도면들이다. 도 4d 는 압축 부재 (400) 의 사시 상면도이며, 여기서 제 1 및 제 2 상부 돌출부들 (425a, 425b) 은 약 0.03 인치의 반경을 갖는 둥근 코너들을 갖는다. 도 4e 는 압축 부재 (400) 의 사시 저부도이며, 여기서 제 1 및 제 2 하부 돌출부들 (430a, 430b) 은 약 0.03 인치의 반경을 갖는 둥근 코너들을 갖는다.
도 4f 는 전력 공급 부트 (79b) 에 인접하여 위치된 압축 부재 (400) 의 실시형태를 도시한다. 바람직한 실시형태에서, 각각의 압축 부재 (400) 및 전력 공급 부트 (79b) 위로 끼워맞춰지도록 공간이 정해진 오목부 (451) 를 갖는 열적 및 전기적 전도성 환형 개스킷 (450) 이, 환형 개스킷 (450) 의 각각의 오목부 (451) 가 플라즈마 에칭 동안 열 팽창을 겪는 각각의 압축 부재 (400) 를 지지하도록 제공된다.
도 5a 내지 도 5f 는 용량적으로 커플링된 플라즈마 챔버의 샤워헤드 전극 어셈블리에 사용되는 압축 부재 (500) 를 도시한다. 도 5a 는 압축 부재 (500) 의 상면도이고, 스커트 (505), 상부 햇 (510), 제 1 유연성 엘리먼트 (515a), 및 제 2 유연성 엘리먼트 (515b) 로 이루어진다. 스커트 (505) 는 반원형 단부 벽 (525) 에 의해 제 1 단부들 (521a, 521b) 상에서 상호 연결되어, 평행하고 이격되어 있고, 제 1 측벽 (520a) 및 제 2 측벽 (520b) 의 제 2 단부들 (522a, 522b) 로부터 연장되는 세그먼트화된 벽 (530) 을 갖는 제 1 측벽 (520a), 제 2 측벽 (520b) 에 의해 정의된다. 세그먼트화된 벽 (530) 은 약 0.15 인치의 높이, 약 0.13 인치의 폭을 갖고, 사이에 0.15 인치의 갭을 갖고 약 0.025 인치 동안 측벽들 (520a, 520b) 의 제 2 단부들 (522a, 522b) 로부터 연장되는 세그먼트들 (530a, 530b) 을 포함한다.
상부 햇 (510) 은 약 0.2 인치의 반경, 0.12 인치의 높이를 갖는 원통형 플레이트이며, 약 0.3 인치의 반경을 갖는 내부 표면 (526), 약 0.4 인치의 반경을 갖는 외부 표면 (527), 및 약 0.35 인치의 높이를 갖는 반원형 단부 벽 (525) 내에 센터링된다. 스커트 (505) 는 제 1 유연성 엘리먼트 (515a) 및 제 2 유연성 엘리먼트 (515b) 에 의해 상부 햇 (510) 에 연결되며, 여기서 제 1 유연성 엘리먼트 (515a) 는 반원형 단부 벽 (525) 이 측벽 (520a) 와 결합하는 로케이션으로부터 연장되고, 그 로케이션에서 센터링된다. 제 2 유연성 엘리먼트 (515b) 는 반원형 단부 벽 (525) 이 측벽 (520b) 와 만나는 로케이션으로부터 연장되고, 그 로케이션에서 센터링된다. 제 1 및 제 2 유연성 엘리먼트들은 약 0.12 인치의 길이, 약 0.11 인치의 폭, 및 약 0.03 인치의 두께를 갖는다.
도 5b 는 압축 부재 (500) 의 측면도이다. 제 1 및 제 2 측벽들 (520a, 520b) 은 약 0.7 인치의 길이, 및 약 0.13 인치의 폭을 갖는다. 측벽들 (520a, 520b) 은 둥근 코너들을 갖고 일단은 약 0.12 인치의 거리 동안 반원형 단부 벽 (525) 과 동일한 높이를 갖고, 측벽들 (520a, 520b) 의 나머지는 세그먼트화된 벽 (530) 과 동일한 높이를 갖는다.
도 5c 는 압축 부재 (500) 의 폭을 통한 단면이다. 제 1 및 제 2 유연성 엘리먼트들 (515a, 515b) 은 약 110 도의 내각의 만곡부를 포함한다. 스커트 (505) 의 하부 표면 (506) 은 열 제어 플레이트 (58) 의 상부 표면 (60) 상의 필름 히터 (230a,b,c) 와 접촉하는 반면, 상부 햇 (510) 의 하부 표면 (511) 은 전력 공급 부트 (79c) 상에 놓여있다.
도 5d 는 유연성 부재 (515a) 의 단면이다. 도 5e 는 압축 부재 (500) 의 사시 상면도이다.
도 5f 에 도시된 바와 같이, 각각의 압축 부재 (500) 는 전력 공급 부트 (79c) 에 인접하게 위치되며, 여기서 각 압축 부재 (500) 는 압축 부재 (500) 의 상부 표면 (507) 과 온도 제어된 상부 플레이트 (80) 의 하부 표면 (82) 사이에 위치된 금속 클램프 (550) 에 의해 압축된다. 클램프 (550) 는 바람직하게는 알루미늄과 같은 금속으로 제조되고, 압축 부재 (500) 상의 압력을 재분배하여 전력공급장치 (10) 로부터 필름 히터 (230c) 로 전력을 전달하는 전력 공급 부트 (79c) 의 상부 표면에의 전력 공급 라인 (97) 의 연결을 용이하게 하면서 압축 부재 (500) 의 더 큰 영역 위로 압력이 확산되도록 한다.
본 발명은 그의 특정의 실시형태들을 참조하여 상세히 기술되었지만, 본 기술분야의 통상의 기술자에게는 첨부된 청구항들의 범위로부터 이탈하지 않고 여러 변경들 및 수정들이 행해질 수 있고, 등가물이 사용될 수 있다는 것이 명백하다.
Claims (21)
- 샤워헤드 전극 어셈블리의 열 제어 플레이트로서,
필름 히터;
복수의 전력 공급 부트들 (boots) 로서, 전력 공급 부트 각각은 각각의 필름 히터 섹션과 전기적으로 접촉하는, 상기 복수의 전력 공급 부트들; 및
복수의 압축 부재들로서, 압축 부재 각각은 각각의 하나의 상기 전력 공급 부트들에 인접하고 각각의 필름 히터 섹션의 부분과 접촉하는, 상기 복수의 압축 부재들을 포함하는, 열 제어 플레이트. - 제 1 항에 있어서,
상기 열 제어 플레이트와의 사이에 열 경로를 제공하도록 상기 열 제어 플레이트에 부착된 샤워헤드 전극을 더 포함하는, 열 제어 플레이트. - 제 2 항에 있어서,
용량적으로 결합된 플라즈마 챔버의 상부 플레이트를 더 포함하고, 상기 상부 플레이트는 상기 열 제어 플레이트와의 사이에 열 경로를 제공하도록 상기 열 제어 플레이트에 부착되는, 열 제어 플레이트. - 제 1 항에 있어서,
상기 압축 부재들 각각은 온도 제어된 상부 플레이트와 상기 열 제어 플레이트 사이에 끼워맞춰지도록 구성된 전기 절연 엘라스토머 재료의 바디 (body) 를 포함하고, 그리고
상기 바디의 하부 표면은 상기 필름 히터의 상부 표면과 접촉하고 상기 필름 히터에 전력을 공급하는 전력 공급 부트에 인접하여 상기 필름 히터의 부분에 압축력을 인가하는, 열 제어 플레이트. - 제 4 항에 있어서,
상기 바디는 스커트, 상부 햇 (top hat), 및 상기 스커트와 상기 상부 햇 사이에 연장되는 적어도 하나의 유연성 엘리먼트를 포함하고,
상기 스커트는 상기 상부 햇의 높이 보다 더 큰 높이를 가지며,
상기 상부 햇은 상기 온도 제어된 상부 플레이트와 전력 공급 부트 사이에 끼워맞춰지도록 구성되고, 그리고
상기 상부 햇의 하부 표면이 상기 전력 공급 부트의 상부 표면과 접촉하고 상기 전력 공급 부트 및 상기 필름 히터의 상부 표면과 접촉하는 하부 표면을 갖는 상기 스커트에 압축력을 인가하는, 열 제어 플레이트. - 제 5 항에 있어서,
상기 스커트는 상기 전력 공급 부트를 적어도 부분적으로 둘러싸고, 직사각형 형상, 원형 형상, 반원형 형상, 일단은 반원형이고 타단은 개방된 형상, 또는 이들의 임의의 조합을 갖는, 열 제어 플레이트. - 제 4 항에 있어서,
상기 바디는 상기 하부 표면에 개구부를 가지며,
상기 개구부의 내부 표면은 전력 공급 부트의 외주부를 완전히 둘러싸도록 구성되는, 열 제어 플레이트. - 제 4 항에 있어서,
상기 압축 부재는 플루오로엘라스토머 재료로 제조되는, 열 제어 플레이트. - 제 5 항에 있어서,
상기 스커트는 직사각형 개구부를 정의하는 4 개의 벽들을 포함하고,
상기 벽들 중 하나의 하부 표면은 상기 전력 공급 부트로 전력 라인 위에서 끼워맞춰지도록 사이징된 오목부를 갖고,
상기 상부 햇은 상기 직사각형 개구부에 위치되며, 2 개의 유연성 엘리먼트들에 의해 상기 스커트의 벽들 중 2 개의 벽들에 연결되는, 열 제어 플레이트. - 제 5 항에 있어서,
상기 스커트는 2 개의 평행하고 이격된 단부 벽들을 포함하고, 2 개의 평행하고 이격된 측벽들이 상기 단부 벽들 사이에 연장되며, 그리고
상기 상부 햇은 상기 측벽들 사이에 연장되는 상기 전력 공급 부트의 상부 표면에 평행한 직사각형 플레이트를 포함하며, 2 개의 평행하고 이격된 돌출부들이 상기 직사각형 플레이트의 위 및 아래에 있고 상기 스커트의 상기 단부 벽들에 평행하게 배향되며,
상기 직사각형 플레이트는 2 개의 유연성 엘리먼트들에 의해 상기 스커트의 상기 단부 벽들에 연결되는, 열 제어 플레이트. - 제 5 항에 있어서,
상기 스커트는 2 개의 평행하고 이격된 측벽들, 상기 측벽들의 제 1 단부들을 상호연결하는 반원형 단부 벽, 및 상기 측벽들의 반대측 단부들로부터 연장되는 세그먼트화된 단부 벽을 포함하고,
상기 스커트의 상기 측벽들은 상기 전력 공급 부트의 외주부를 둘러싸도록 구성되며, 그리고
상기 상부 햇은 2 개의 유연성 엘리먼트들에 의해 상기 스커트의 상기 측벽들에 연결되는, 열 제어 플레이트. - 제 5 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 유연성 엘리먼트 각각은 균일한 단면을 가지며, 그의 길이를 따라 만곡부를 포함하는, 열 제어 플레이트. - 제 5 항에 있어서,
상기 상부 햇은 형상이 직사각형 또는 원통형인, 열 제어 플레이트. - 제 1 항에 있어서,
상기 필름 히터는 제 1 히터 존, 상기 제 1 히터 존을 둘러싸는 제 2 히터 존, 및 상기 제 2 히터 존을 둘러싸는 제 3 히터 존을 포함하는, 열 제어 플레이트. - 제 14 항에 있어서,
상기 열 제어 플레이트는,
상기 제 1 히터 존에서 제 1 반경을 따라 위치되고, 상기 제 2 히터 존에서 제 2 반경을 따라 위치된 3 개의 내부 전력 공급 부트들에 전자적으로 연결된 3 개의 전력 공급 부트들;
상기 제 2 히터 존에서 제 3 반경을 따라 위치되고, 상기 제 3 히터 존에서 제 4 반경을 따라 위치된 3 개의 내부 전력 공급 부트들에 전자적으로 연결된 3 개의 외부 전력 공급 부트들; 및
상기 제 3 히터 존에서 제 5 반경을 따라 위치되고 전력 공급 장치에 전자적으로 연결된 3 개의 외부 전력 공급 부트들을 포함하는, 열 제어 플레이트. - 제 15 항에 있어서,
상기 압축 부재들은 상기 제 1 히터 존에 3 개의 압축 부재들, 상기 제 2 히터 존에 3 개의 내부 압축 부재들, 상기 제 3 히터 존에 3 개의 내부 압축 부재들을 포함하고,
상기 압축 부재들 각각은 전기 절연 엘라스토머 재료의 바디를 포함하며,
상기 바디는 스커트, 상부 햇, 및 2 개의 유연성 엘리먼트들을 포함하고,
상기 스커트는 직사각형 개구부를 정의하는 4 개의 벽들을 포함하고, 상기 벽들 중 하나는 상기 전력 공급 부트로 전력 라인 위에서 끼워맞춰지는 하부 표면에서의 오목부를 갖고,
상기 상부 햇은 상기 스커트의 상기 직사각형 개구부에 위치되고, 상기 2 개의 유연성 엘리먼트들에 의해 상기 스커트의 2 개의 벽들에 연결되며, 그리고
상기 스커트는 온도 제어된 상부 플레이트와 상기 필름 히터 사이에 끼워맞춰지고,
상기 상부 햇은 압축력이 상기 필름 히터와 상기 전력 공급 부트에 인가되도록 상기 온도 제어된 상부 플레이트와 상기 전력 공급 부트 사이에 끼워맞춰지는, 열 제어 플레이트. - 제 15 항에 있어서,
상기 압축 부재들은 상기 제 2 히터 존에 3 개의 외부 압축 부재들을 포함하고, 상기 압축 부재들 각각은 전기 절연 엘라스토머 재료의 바디를 포함하며,
상기 바디는 스커트, 상부 햇, 및 2 개의 유연성 엘리먼트들을 포함하고,
상기 스커트는 2 개의 평행하고 이격된 단부 벽들, 상기 단부 벽들 사이에 연장된 2 개의 평행하고 이격된 측벽들을 포함하고,
상기 상부 햇은 상기 측벽들 사이에 연장되는 상기 전력 공급 부트의 상부 표면에 평행한 직사각형 플레이트를 포함하며, 2 개의 평행하고 이격된 돌출부들이 상기 직사각형 플레이트의 위 및 아래에 있고 상기 스커트의 상기 단부 벽들에 평행하게 배향되며,
상기 직사각형 플레이트는 2 개의 유연성 엘리먼트들에 의해 상기 스커트의 상기 단부 벽들에 연결되며,
상기 스커트는 온도 제어된 상부 플레이트와 상기 필름 히터 사이에 끼워맞춰지고, 그리고
상기 상부 햇은 압축력이 상기 필름 히터와 상기 전력 공급 부트에 인가되도록 상기 온도 제어된 상부 플레이트와 상기 전력 공급 부트 사이에 끼워맞춰지는, 열 제어 플레이트. - 제 15 항에 있어서,
상기 압축 부재들은 상기 제 3 히터 존에 3 개의 외부 압축 부재들을 포함하고, 상기 압축 부재들 각각은 전기 절연 엘라스토머 재료의 바디를 포함하며,
상기 바디는 스커트, 상부 햇, 및 2 개의 유연성 엘리먼트들을 포함하고,
상기 스커트는 2 개의 평행하고 이격된 측벽들, 상기 측벽들의 제 1 단부들을 상호연결하는 반원형 단부 벽, 상기 측벽들의 반대측 단부들로부터 연장되는 세그먼트화된 단부 벽을 포함하고,
상기 스커트의 상기 측벽들은 상기 전력 공급 부트의 외주부를 둘러싸며,
상기 상부 햇은 2 개의 유연성 엘리먼트들에 의해 상기 스커트의 상기 측벽들에 연결되고,
상기 스커트는 온도 제어된 상부 플레이트와 상기 필름 히터 사이에 끼워맞춰지고, 그리고
상기 상부 햇은 압축력이 상기 필름 히터와 상기 전력 공급 부트에 인가되도록 상기 온도 제어된 상부 플레이트와 상기 전력 공급 부트 사이에 끼워맞춰지는, 열 제어 플레이트. - 샤워헤드 전극 어셈블리의 열 제어 플레이트를 제조하는 방법으로서,
열 제어 플레이트에 필름 히터를 부착하는 단계;
각각의 전력 공급 부트가 각각의 필름 히터 섹션과 전기적으로 접촉하도록 상기 열 제어 플레이트에 전력 공급 부트들을 부착하는 단계; 및
각각의 압축 부재가 각각의 전력 공급 부트와 인접하고 각각의 필름 히터 섹션의 부분과 접촉하도록 상기 열 제어 플레이트에 압축 부재들을 부착하는 단계를 포함하는, 열 제어 플레이트 제조 방법. - 제 19 항에 있어서,
상기 열 제어 플레이트와 샤워헤드 전극 사이에 열 경로를 제공하도록 상기 샤워헤드 전극에 상기 열 제어 플레이트를 부착하는 단계를 더 포함하는, 열 제어 플레이트 제조 방법. - 제 20 항에 있어서,
상기 열 제어 플레이트와 용량적으로 커플링된 플라즈마 챔버의 상부 플레이트 사이에 열 경로를 제공하도록 상기 상부 플레이트에 상기 열 제어 플레이트를 조립하는 단계를 더 포함하는, 열 제어 플레이트 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/467,652 US9058960B2 (en) | 2012-05-09 | 2012-05-09 | Compression member for use in showerhead electrode assembly |
| US13/467,652 | 2012-05-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130125730A KR20130125730A (ko) | 2013-11-19 |
| KR102023199B1 true KR102023199B1 (ko) | 2019-09-19 |
Family
ID=49547893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130051948A KR102023199B1 (ko) | 2012-05-09 | 2013-05-08 | 샤워헤드 전극 어셈블리에 사용하기 위한 압축 부재 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US9058960B2 (ko) |
| KR (1) | KR102023199B1 (ko) |
| SG (1) | SG195457A1 (ko) |
| TW (1) | TWI620243B (ko) |
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2012
- 2012-05-09 US US13/467,652 patent/US9058960B2/en active Active
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2013
- 2013-04-24 SG SG2013032024A patent/SG195457A1/en unknown
- 2013-05-08 KR KR1020130051948A patent/KR102023199B1/ko active IP Right Grant
- 2013-05-09 TW TW102116585A patent/TWI620243B/zh active
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2015
- 2015-05-12 US US14/710,100 patent/US9922804B2/en active Active
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- 2018-02-13 US US15/895,367 patent/US10332729B2/en active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150243487A1 (en) | 2015-08-27 |
| US9922804B2 (en) | 2018-03-20 |
| SG195457A1 (en) | 2013-12-30 |
| TW201413814A (zh) | 2014-04-01 |
| US20130299605A1 (en) | 2013-11-14 |
| US9058960B2 (en) | 2015-06-16 |
| US10332729B2 (en) | 2019-06-25 |
| KR20130125730A (ko) | 2013-11-19 |
| TWI620243B (zh) | 2018-04-01 |
| US20180174804A1 (en) | 2018-06-21 |
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