TWI840462B - 供電構造及電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

吾人期待有一種供電構造及電漿處理裝置，可以使得電漿的面內分佈平均化。 為達成前述目的，本發明提供一種供電構造，其具備第1連接構件群以及第1端子區域。第1連接構件群，由沿著聚焦環之周向配置的複數個連接構件所構成，以對配置於電漿處理裝置用之處理容器內的聚焦環給予偏壓電位。第1端子區域，呈環圈狀，且電性連接至複數個連接構件。

Description

供電構造及電漿處理裝置

本發明之例示性實施形態，係有關於供電構造及電漿處理裝置。

於電子元件之製造，會使用電漿處理裝置。電漿處理裝置之一種，記載於專利文獻1。於專利文獻1所記載之電漿處理裝置，有一聚焦環，係配置成圍繞著載置於靜電吸盤上的基板。而為了調整保護襯套在聚焦環上的上端位置，會對聚焦環施加直流電壓。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007－258417號公報

[發明所欲解決的問題]

期待有一種供電構造及電漿處理裝置，可以使得電漿的面內分佈平均化。 [解決問題之技術手段]

於一個例示性實施形態，提供一種供電構造。 該供電構造，具備第1連接構件群以及第1端子區域。第1連接構件群，由沿著聚焦環之周向配置的複數個連接構件所構成，以對配置於電漿處理裝置用之處理容器內的聚焦環給予偏壓電位。第1端子區域，呈環圈狀，且電性連接至複數個連接構件。 [發明之效果]

依據一個例示性實施形態，可提供一種供電構造及電漿處理裝置，其可以使得電漿的面內分佈平均化。

以下針對各種例示性實施形態，進行說明。

於一個例示性實施形態，提供一種電漿處理裝置用的基板支持器。該基板支持器，具備：第1支持區域、第2支持區域、導電構造、以及支架。第1支持區域，構成為支持著載置於其上的基板。第2支持區域，構成為支持著載置於其上的聚焦環。第2支持區域，相對於第1支持區域，係在直徑方向上的外側，於周向上延伸。導電構造，構成為連接至聚焦環。導電構造，包含導電路徑及連接構件。導電路徑，相對於第2支持區域，係在直徑方向上的外側， 提供端子區域，並由端子區域朝向下方延伸。連接構件，使得聚焦環與端子區域，彼此電性連接。連接構件，配置於端子區域上，俾與聚焦環的環面相向；該聚焦環係相對於該連接構件，而在直徑方向上的外側，朝向下方延伸。支架，將連接構件推向下方；並且固持住連接構件，俾以連接構件推壓聚焦環的環面。

於上述例示性實施形態之基板支持器，由於係以支架而使連接構件被推向下方，所以會在連接構件與端子區域之間，實現確實的電性連接。再者，連接構件，在受到支架固持的狀態下，會推壓在直徑方向上配置於連接構件之外側的聚焦環的環面。因此，會在連接構件與聚焦環之間，實現確實的電性連接。再者，連接構件推壓聚焦環的環面的方向，乃是約略正交於產生在吸盤區域與聚焦環之間的靜電引力所發揮的方向。因此，一方面會抑制住對抗於固持聚焦環之靜電引力的力量之產生，一方面會提供一種可以連接至聚焦環的電氣路徑。若藉由此基板支持器，聚焦環就會穩定地被固持在第2支持區域。

於一個例示性實施形態，連接構件亦可具有第1部分及第2部分。第1部分，係與聚焦環的上述環面相向。第2部分，係與第1部分之下部連續，而從第1部分，在直徑方向上朝向外側延伸。支架，固持著連接構件而將第2部分推向下方。若依據此實施形態，藉由將第2部分推向下方，而使得第1部分在直徑方向上朝向外側發揮力量。

於一個例示性實施形態，基板支持器亦可更具有導電構件。該導電構件，具有彈性，而被夾在連接構件與端子區域之間。

於一個例示性實施形態，基板支持器亦可更具有另一導電構件。該導電構件具有彈性，而被夾在連接構件與聚焦環的上述環面之間。

於一個例示性實施形態，基板支持器亦可更具有聚焦環。

於一個例示性實施形態，聚焦環亦可具有第1環狀部及第2環狀部。第1環狀部係環狀、且為板狀，而配置於第2支持區域上。第2環狀部，包含聚焦環的上述環面，並以與連接構件相向的方式，而從第1環狀部朝向下方延伸。

於一個例示性實施形態，支架亦可具有絕緣性。連接構件亦可藉由聚焦環及支架而受到遮蔽。若依據此實施形態，連接構件會受到保護而不被電漿侵擾。

於一個例示性實施形態，第2支持區域，亦可包含吸盤區域。該吸盤區域係構成為藉由靜電引力以固持聚焦環。若依據此實施形態，聚焦環會被第2支持區域的吸盤區域牢固地固持。

於一個例示性實施形態，亦可使得用以對吸盤區域與聚焦環之間供給熱傳氣體的氣體管線，通過第2支持區域。若依據此實施形態，會促進彼此接觸之第2支持區域與聚焦環之間的熱交換。

於另一例示性實施形態，提供一種電漿處理裝置。該電漿處理裝置，具備：處理腔室、基板支持器、高頻電源、以及另一電源。該基板支持器，係構成為在處理腔室內支持基板及聚焦環。該高頻電源，係電性連接至基板支持器的下部電極。另一電源，係在處理腔室的外側，電性連接至導電構造。該另一電源，係構成為對聚焦環施加負極性的電壓。

於又一例示性實施形態，提供一種電漿處理裝置用的基板支持器。該基板支持器，具備：第1支持區域、第2支持區域、以及導電構造。該第1支持區域，構成為支持著載置於其上的基板。該第2支持區域，構成為支持著載置於其上的聚焦環。該第2支持區域，相對於該第1支持區域，係在直徑方向上的外側，於周向上延伸。該導電構造，構成為連接至聚焦環。該導電構造，包含導電路徑及連接構件。該導電路徑，提供端子區域。該連接構件，使得聚焦環與端子區域彼此電性連接。該連接構件，配置於端子區域上，俾與聚焦環的環面相向；該聚焦環係相對於該連接構件，而在直徑方向上的外側，朝向下方延伸。該連接構件，推壓端子區域，並且，推壓聚焦環。

於再一例示性實施形態，提供一種聚焦環。該聚焦環，具備：第1環狀部及第2環狀部。該第2環狀部，係從該第1環狀部的外周部，朝向下方延伸。

於一個例示性實施形態，提供一種供電構造。該供電構造，具備：第1連接構件群、以及第1端子區域。該第1連接構件群，係由沿著聚焦環之周向配置的複數個連接構件所構成，以對配置於電漿處理裝置用之處理容器內的聚焦環給予偏壓電位。該第1端子區域，係環圈狀，並電性連接至複數個連接構件。

在對聚焦環給予偏壓電位之際，產生電漿用的高頻偏壓，會重疊於偏壓電位的供給線。而當偏壓電位之供給線為1條的情況下，重疊之高頻會流向供給線，而使得電漿的面內分佈產生不均。有鑑於此，於本形態，係使複數個連接構件沿著聚焦環的周向配置，再藉由使這些連接構件電性連接至環圈狀之第1端子區域，以使得經由連接構件而流動的高頻之周向的分佈平均化。藉此，可以抑制面內的電漿分佈不均。

於一個例示性實施形態，第1端子區域配置成與被賦予固定電位的處理容器之內壁面係分開。作為被賦予偏壓電位之供給線的第1端子區域，會受到處理容器之電位的影響。該處理容器之電位，係設定為接地電位等等的固定電位。因此，若使環圈狀之第1端子區域，配置成與處理容器之內壁面係分開，就會在周向之整圈，皆使第1端子區域的電位變得穩定。藉此，可以更進一步地抑制面內的電漿分佈不均。

於一個例示性實施形態，供電構造具備：與第1端子區域係分開、並電性連接至第1端子區域的環圈狀之第2端子區域，以及連接第1端子區域與第2端子區域的複數個連接構件所構成之第2連接構件群。

於此構造，由於具備環圈狀之第2端子區域、以及複數個連接構件所構成之第2連接構件群，所以與環圈狀之第1端子區域及第1連接構件群的情況同樣，可以使得在該等流動的高頻之周向的分佈平均化。如此這般，若使環圈狀之端子區域設為多層結構，則可以更進一步地抑制面內的電漿分佈不均。

於一個例示性實施形態，第1連接構件群的連接構件之位置、與第2連接構件群的連接構件之位置，於俯視觀察下，係沿著聚焦環的周向錯開。藉此，使得在第1連接構件群的連接構件流動的電流分佈、與在第2連接構件群的連接構件流動的電流分佈，於俯視觀察下，會在周向上錯開，所以會使得面內全體的電流分佈平均化。藉此，可以更進一步地抑制面內的電漿分佈不均。

於一個例示性實施形態，電漿處理裝置可具備所揭露之任何一種供電構造。藉由電漿處理裝置，可以抑制面內的電漿分佈不均。

以下，參照圖式，針對各種例示性實施形態，進行詳細說明。又，對於各圖式中之相同或相當的部分，會標記相同符號。

圖1係概略顯示一個例示性實施形態之電漿處理裝置的圖式。圖1所示之電漿處理裝置1，係電容耦合型的電漿處理裝置。電漿處理裝置1，具備處理腔室10。處理腔室10，以其內部提供內部空間10s。於一實施形態，處理腔室10，包含處理腔室主體12。處理腔室主體12，呈約略圓筒形狀。內部空間10s，就由處理腔室主體12內部來提供。處理腔室主體12，係例如由鋁所構成。處理腔室主體12，有施行電氣接地。在處理腔室主體12之內壁面，亦即，在區隔出內部空間10s的壁面，有形成具備耐電漿性的膜層。此膜層，可以係藉由陽極氧化處理所形成的膜層、或係氧化釔所形成的膜層這樣的陶瓷製膜層。

於處理腔室主體12之側壁，有形成通路12p。基板W，在內部空間10s、與處理腔室10的外部之間被搬運時，會通過通路12p。為了開閉此通路12p，有一閘閥12g，係沿著處理腔室主體12之側壁而設置。

於處理腔室10之中，設有基板支持器16。基板支持器16，係構成為支持著載置於其上的基板W。基板W，呈約略圓盤形狀。基板支持器16，具有下部電極18及基板用的吸盤區域20。下部電極18，係由鋁這樣的導電性材料所形成，呈約略圓盤形狀。吸盤區域20，係設在下部電極18上。吸盤區域20，係構成為藉由產生在載置於其上的基板W與吸盤區域20之間的靜電引力，而固持基板W。關於基板支持器16之詳情，留待後文敘述。

電漿處理裝置1，可以更具有上部電極30。上部電極30，係設在基板支持器16的上方。上部電極30，係與絕緣構件32一同封閉處理腔室主體12的上部開口。上部電極30，係經由此絕緣構件32而受到處理腔室主體12的上部支持。

上部電極30，包含頂板34及支持體36。頂板34的底面，區隔出內部空間10s。於頂板34，有形成複數個氣體釋出孔34a。複數個氣體釋出孔34a之各個，係在板厚方向（鉛直方向）上貫穿頂板34。此頂板34，雖非限定於此，但例如可由矽形成。或者，頂板34，可以具有在鋁製之構件的表面設置了耐電漿性膜層的構造。此膜層，可以係藉由陽極氧化處理所形成之膜層、或係由氧化釔形成之膜層這樣的陶瓷製的膜層。

支持體36，係以可裝卸自如的方式，支持著頂板34。支持體36，例如係由鋁這樣的導電性材料所形成。於支持體36的內部，設有氣體擴散室36a。從氣體擴散室36a，有複數個氣體孔36b朝向下方延伸。複數個氣體孔36b，分別連通至複數個氣體釋出孔34a。於支持體36，有形成氣體導入埠36c。氣體導入埠36c，連接至氣體擴散室36a。氣體導入埠36c，連接著氣體供給管38。

氣體供給管38，經由閥群41、流量控制器群42、以及閥群43，而連接著氣體源群40。氣體源群40、閥群41、流量控制器群42、以及閥群43，就構成了氣體供給部。氣體源群40，包含複數個氣體源。閥群41及閥群43，各自包含複數個閥（例如開閉閥）。流量控制器群42，包含複數個流量控制器。流量控制器群42的複數個流量控制器，各自為質量流量控制器或壓力控制式的流量控制器。氣體源群40的複數個氣體源，各自經由閥群41之對應的閥、流量控制器群42之對應的流量控制器、以及閥群43之對應的閥，而連接至氣體供給管38。電漿處理裝置1，可以將氣體源群40之複數個氣體源中所選出之一種以上的氣體源所供給的氣體，以個別調整的流量，供給至內部空間10s。

基板支持器16的後述之筒狀部97、與處理腔室主體12的側壁之間，設有擋板48。擋板48，可以藉由例如在鋁製之構件塗覆了氧化釔等的陶瓷而構成。於此擋板48，有形成許多個貫穿孔。於擋板48下方，有一排氣管52連接至處理腔室主體12的底部。此排氣管52，連接著排氣裝置50。排氣裝置50，具有自動壓力控制閥這樣的壓力控制器、及渦輪分子泵等等的真空泵，而可以使內部空間10s減壓。

電漿處理裝置1，更具有一個以上的高頻電源。於一實施形態，電漿處理裝置1，可以更具有高頻電源61。高頻電源61，係一電源，產生用以生成電漿之高頻電力HF。高頻電力HF，具有27～100MHz之範圍內的頻率，例如具有40MHz或60MHz的頻率。高頻電源61，為了對下部電極18供給高頻電力HF，而經由匹配器63連接至下部電極18。匹配器63，具有匹配電路，用以使得高頻電源61之輸出阻抗值與負荷側（下部電極18側）之阻抗值匹配。又，高頻電源61，亦可不與下部電極18電性連接，亦可經由匹配器63而連接至上部電極30。

於一實施形態，電漿處理裝置1，可以更具有高頻電源62。高頻電源62，係一電源，產生用以將離子引入基板W的偏壓高頻電力，亦即高頻電力LF。高頻電力LF之頻率，低於高頻電力HF之頻率。高頻電力LF之頻率，係400kHz～13.56MHz的範圍內之頻率，例如係400kHz。高頻電源62，為了對下部電極18供給高頻電力LF，而經由匹配器64連接至下部電極18。匹配器64，具有匹配電路，用以使得高頻電源62之輸出阻抗值與負荷側（下部電極18側）之阻抗值匹配。

於此電漿處理裝置1，會對內部空間10s供給氣體。然後，藉由高頻電力HF及／或高頻電力LF之供給，而在內部空間10s內激發氣體。其結果，會在內部空間10s內生成電漿。藉由來自所生成之電漿的離子及／或自由基這樣的化學種，而使基板W受到處理。

電漿處理裝置1，更具有控制部MC。控制部MC，係具備處理器、、記憶裝置、輸入裝置、顯示裝置等的電腦，控制著電漿處理裝置1的各部。具體而言，控制部MC，係執行記錄於記憶裝置的控制程式，而基於記錄於該記憶裝置之製程配方數據，以控制電漿處理裝置1的各部。藉由控制部MC所進行的控制，而基於製程配方數據，在電漿處理裝置1執行所指定之製程。

以下，與圖1一併參照圖2及圖3，而針對基板支持器16，進行詳細說明。圖2係一個例示性實施形態之基板支持器的剖面圖。圖3係一個例示性實施形態之基板支持器的局部放大剖面圖。如上所述，基板支持器16，具有下部電極18及吸盤區域20。

於下部電極18內，有形成流路18f。流路18f，係熱交換媒體用的流路。作為熱交換媒體，使用液狀之冷媒，或是藉由其汽化以冷卻下部電極18的冷媒（例如：氟氯烷）。流路18f，連接著熱交換媒體的供給裝置70（例如：急冷器單元）。對於流路18f，會從供給裝置70、經由配管，而供給熱交換媒體。供給至流路18f的熱交換媒體，會經由另一配管而回到供給裝置70。

基板支持器16，具有第1支持區域161及第2支持區域162。第1支持區域161，係構成為支持著載置於其上的基板W。第1支持區域161，係由下部電極18及吸盤區域20所構成。亦即，第1支持區域161，包含下部電極18之局部及吸盤區域20。作為第1支持區域161之中心軸線的軸線AX，係在鉛直方向上延伸的軸線。第1支持區域161，於俯視觀察下呈約略圓形。

吸盤區域20，設在下部電極18上。吸盤區域20，呈約略圓盤形狀。吸盤區域20，經由接合區域21而接合於下部電極18之頂面。接合區域21，例如係由膠合劑所形成。

吸盤區域20，具有主體20m及電極20e。主體20m，呈約略圓盤形狀。主體20m，係由氮化鋁這樣的介電質所形成。電極20e，係膜狀的電極。電極20e，係設在主體20m內。電極20e，係經由導線54，而電性連接至直流電源53。電極20e，亦可係經由導線54及開關55，而電性連接至直流電源53。

於吸盤區域20之頂面上，載置著基板W。若對電極20e施加來自直流電源53的電壓，就會在基板W與吸盤區域20之間，產生靜電引力。藉由所產生之靜電引力，吸盤區域20就會固持著基板W。

於一實施形態，電漿處理裝置1，可以具備熱傳氣體供給系統。熱傳氣體供給系統，係構成為對基板W與吸盤區域20之間，供給熱傳氣體，例如氦氣。於一實施形態，熱傳氣體供給系統，具有熱傳氣體之氣源72。氣源72，連接著氣體管線73。從氣體管線73，再分枝出氣體管線74。氣體管線74，延伸而對基板W與吸盤區域20之間，供給來自氣源72的熱傳氣體。

第2支持區域162，構成為支持著載置於其上的聚焦環FR。第2支持區域162，係相對於軸線AX，而在直徑方向上，於第1支持區域161之外側延伸。第2支持區域162，係繞著軸線AX而在周向上延伸。第2支持區域162，於俯視觀察下，係環狀。

第2支持區域162，係由下部電極18、聚焦環用的吸盤區域22、以及接合區域23所構成。亦即，第2支持區域162，包含：下部電極18之另一局部，亦即下部電極18的周緣部分；吸盤區域22；以及接合區域23。吸盤區域22，係設在下部電極18之周緣部的上方。吸盤區域22，係以圍繞吸盤區域20的方式，而在周向上延伸。接合區域23，具有絕緣性，係設在吸盤區域22與下部電極18之間。就一例而言，接合區域23，係將吸盤區域22接合於下部電極18之頂面的膠合劑。

以下，除了圖1～圖3以外，亦參照圖4、圖5（a）、及圖5（b）。圖4，係概略顯示一個例示性實施形態之基板支持器的聚焦環用之吸盤區域中的第1電極及第2電極之佈局的圖式。圖5（a）及圖5（b），各為一個例示性實施形態之基板支持器的局部放大剖面圖。圖5（a），係放大顯示包含第1電極與第1導線間之連接部位的基板支持器之局部。圖5（b），係放大顯示包含第2電極與第2導線之連接部位的基板支持器之局部。

吸盤區域22，構成為固持著載置於其上的聚焦環FR。聚焦環FR，含有具備導電性的材料。聚焦環FR，例如係由矽或碳化矽所形成。聚焦環FR，於俯視觀察下，呈環狀。於電漿處理裝置1，基板W係配置於吸盤區域20上、並且係以聚焦環FR圍繞住的區域內。

吸盤區域22，具有主體22m、第1電極221、以及第2電極222。主體22m，係板狀，並具有以內緣及外緣所定出的環狀。主體22m，係由氮化鋁這樣的介電質所形成。又，主體22m的內緣及外緣，係吸盤區域22的內緣及外緣。第2支持區域162之內側邊界162a，呈包含吸盤區域22之內緣的筒狀。第2支持區域162之外側邊界162b，呈包含吸盤區域22之外緣的筒狀。

第1電極221及第2電極222，係膜狀的電極。第1電極221及第2電極222，係設在主體22m內。第1電極221及第2電極222，係繞著軸線AX而在周向上延伸。第1電極221，係在第2電極222之內側延伸。第1電極221與第2電極222，係彼此分開。第1電極221及第2電極222，亦可具有彼此相同或約略相同之面積。在第1電極221及第2電極222具有彼此相同或約略相同之面積的情況下，可以使靜電引力最大化。

基板支持器16，更具有第1導線81及第2導線82。第1導線81，係使第1電極221電性連接至直流電源83。第1電極221，亦可係經由第1導線81及開關85而電性連接至直流電源83。第2導線82，係使第2電極222性連接至直流電源84。第2電極222，亦可係經由第2導線82及開關86而電性連接至直流電源84。

在吸盤區域22的頂面上，載置著聚焦環FR。若以在第1電極221與第2電極222之間會產生電位差的方式，而由直流電源83及直流電源84對第1電極221及第2電極222分別施加電壓，就會產生靜電引力。藉由所產生的靜電引力，吸盤區域22就會固持住聚焦環FR。

於一實施形態，上述之熱傳氣體供給系統，更進一步地構成為對聚焦環FR與吸盤區域22之間，供給熱傳氣體。從氣體管線73，更進一步地分枝出氣體管線75。氣體管線75，延伸而對聚焦環FR與吸盤區域22之間，供給來自氣源72的熱傳氣體。氣體管線75，部分通過第2支持區域162而延伸。於此實施形態，係藉由熱傳氣體，而促進第2支持區域162（亦即吸盤區域22）與聚焦環FR之間的熱交換。

如圖5（a）所示，第1導線81係通過接合區域23，而連接至第1電極221。如圖5（b）所示，第2導線82係通過接合區域23，而連接至第2電極222。第1導線81及第2導線82，在接合區域23內，係於鉛直方向上延伸。又，第1導線81及第2導線82，各自亦可更進一步地通過下部電極18而延伸。第1導線81及第2導線82，在下部電極18內，係各自與下部電極18電性分離。第1導線81及第2導線82，在下部電極18內，亦可各自受到絕緣體圍繞。

第1導線81及第2導線82，在接合區域23內，係於比起第2支持區域162之內側邊界162a及外側邊界162b更為靠近中央部162c處延伸。第1導線81及第2導線82，亦可在中央部162c上延伸。中央部162c，係位於第2支持區域162之內側邊界162a與外側邊界162b之間的中央之部分。亦即，中央部162c，係在直徑方向上，相距內側邊界162a與外側邊界162b為等距離之部分。因此，中央部162c呈筒狀。

於電漿處理裝置1，第1導線81及第2導線82係配置成各自在接合區域23內，係相對於第2支持區域162之內側邊界162a及外側邊界162b，分別有著較大的距離。因此，在第1導線81及第2導線82各自與電漿空間之間，可以確保較大的距離。亦即，在第1導線81與接合區域23的內緣之間、第1導線81與接合區域23的外緣之間，可以確保較大的距離。再者，在第2導線82與接合區域23的內緣之間、第2導線82與接合區域23的外緣之間，可以確保較大的距離。

於一實施形態，如上所述，第1導線81及第2導線82，亦可係各自在接合區域23內，於中央部162c上延伸。若依據此實施形態，第1導線81及第2導線82，各自與電漿空間之間的距離會是最大。

於一實施形態，第1電極221，亦可具有第1突出部221p。第1突出部221p，如圖4所示，係相對於中央部162c而朝向外側伸出，以使第1電極221相對於中央部162c朝向外側擴張。於此實施形態，第2電極222，具有沿著第1突出部221p延伸之第2凹陷222r。第1導線81，連接至第1突出部221p。第1導線81，係從第1突出部221p朝向下方延伸。亦即，第1突出部221p，係第1電極221與第1導線81接觸的部位。

於一實施形態，第2電極222，亦可具有第2突出部222p。第2突出部222p，如圖4所示，係相對於中央部162c而朝向內側伸出，以使第2電極222相對於中央部162c朝向內側擴張。第1電極221，具有沿著第2突出部222p延伸之第1凹陷221r。第2導線82，連接至第2突出部222p。第2導線82，係從第2突出部222p朝向下方延伸。亦即，第2突出部222p，係第2電極222與第2導線82接觸的部位。

如圖4所示，第1電極221，亦可形成為在周向上，交替提供包含第1突出部221p的複數個突出部、以及包含第1凹陷221r的複數個凹陷。再者，第2電極222，亦可形成為在周向上，交替提供包含第2突出部222p的複數個突出部、以及包含第2凹陷222r的複數個凹陷。

以下參照圖6及圖7。圖6及圖7，係概略顯示另一例示性實施形態之基板支持器之吸盤區域中的第1電極及第2電極之佈局的圖式。如圖6及圖7所示，第1電極221的外緣及第2電極222的內緣，亦可形成為波浪狀。在圖6及圖7所示之各實施形態，第1電極221之外緣，係沿著周向，而相對於中央部162c，在外側與內側交替延伸。第2電極222之內緣，係沿著周向，而相對於中央部162c，在外側與內側交替延伸；並且係沿著第1電極221之外緣延伸。如圖6及圖7所示，第1電極221之外緣及第2電極222之內緣，可以係曲線狀，亦可係折線狀。

於圖1～圖7所示之吸盤區域22，係與吸盤區域20分離。然而，基板支持器16，亦可具有使吸盤區域20與吸盤區域22一體化之一個靜電吸盤。亦即，亦可使吸盤區域20與吸盤區域22一體化。

再度參照圖1～圖3。於一實施形態，電漿處理裝置1，係構成為可對聚焦環FR施加電壓。一旦對聚焦環FR施加負極性的電壓，聚焦環FR上的保護襯套之上端位置就會受到調整。基板支持器16，更具有導電構造24及支架25。導電構造24，係構成為電性連接至聚焦環FR。導電構造24，包含導電路徑26及連接構件27。

導電路徑26，相對於第2支持區域162，係在直徑方向上的外側，提供端子區域26t。導電路徑26，係由端子區域26t朝向下方延伸 。導電路徑26，係由一個以上的導體形成。於一實施形態，電漿處理裝置1，可以更具有絕緣區域。絕緣區域，係在第2支持區域162之直徑方向外側及下部電極18的下方延伸。導電路徑26，係在絕緣區域之內延伸。

於一實施形態，絕緣區域，係由複數個絕緣構件91～96所構成。又，構成絕緣區域之絕緣構件的個數，可以係任意之個數。複數個絕緣構件91～96，係由石英或氧化鋁形成。絕緣構件91，呈約略圓筒形狀。絕緣構件91，係由處理腔室10之底部，朝向上方延伸。絕緣構件92及93之各個，呈約略圓盤形狀。絕緣構件93之直徑，小於絕緣構件92之直徑。絕緣構件93，係設在絕緣構件92上。下部電極18，係設在絕緣構件93上。

絕緣構件94，呈約略環狀。絕緣構件94，配置於絕緣構件92之周緣部上。絕緣構件94，係在直徑方向上，配置於絕緣構件93之外側。絕緣構件94，係沿著絕緣構件93之外周面，而在周向上延伸。絕緣構件95，呈約略圓筒形狀。絕緣構件95所具有之外徑，小於絕緣構件94之外徑。絕緣構件95，係配置於絕緣構件94上。絕緣構件95，係沿著下部電極18之外周面及吸盤區域22之外緣而延伸。

從處理腔室10之底部，有一筒狀部97，朝向上方延伸。筒狀部97，呈約略圓筒形狀。筒狀部97，沿著絕緣構件91之外周面延伸。筒狀部97，係由鋁這樣的金屬形成。筒狀部97，與處理腔室10同樣地有接地。絕緣構件96，呈約略圓筒形狀。絕緣構件96，配置於筒狀部97上。絕緣構件96，係沿著絕緣構件92之外周面、絕緣構件94之外周面、支架25之外周面、以及聚焦環FR之外周面而延伸。

於一實施形態，導電路徑26，係在絕緣構件94上，提供端子區域26t。導電路徑26，通過絕緣構件94、及絕緣構件92內，而朝向下方延伸。導電路徑26，係經由低通濾波器98而電性連接著電源99。低通濾波器98，構成為衰減或阻斷流入電源99之高頻。電源99，構成為產生對聚焦環FR施加之直流電壓或高頻電壓。電源99對聚焦環FR施加之電壓，可以係負極性的電壓。

連接構件27，配置於導電路徑26的端子區域26t上。連接構件27，使得聚焦環FR與端子區域26t，彼此電性連接。連接構件27，係以配置於端子區域26t上的狀態，而與聚焦環FR的環面FRS相向。環面FRS，相對於連接構件27係在直徑方向上的外側延伸，並面向直徑方向內側。

於一實施形態，聚焦環FR，亦可具有第1環狀部FR1及第2環狀部FR2。第1環狀部FR1，係環狀、且為板狀，而配置於第2支持區域162上（亦即，吸盤區域22上）。於電漿處理裝置1，基板W係配置於以第1環狀部FR1所圍繞住的區域內。第2環狀部FR2，提供了環面FRS。第2環狀部FR2，係以與連接構件27相向的方式，而從第1環狀部FR1外周部，朝向下方延伸。

支架25，將連接構件27推向下方；並且固持住連接構件27，俾以連接構件27推壓聚焦環FR的環面FRS。於基板支持器16，由於係以支架25而使連接構件27被推向下方，所以會在連接構件27與端子區域26t之間，實現確實的電性連接。再者，連接構件27，在受到支架25固持之狀態下，會推壓在直徑方向上配置於連接構件27之外側的聚焦環FR的環面FRS。因此，會在連接構件27與聚焦環FR之間，實現確實的電性連接。再者，連接構件27推壓聚焦環FR的環面FRS的方向，乃是約略正交於產生在吸盤區域22與聚焦環FR之間的靜電引力所發揮的方向。因此，一方面會抑制住對抗於固持聚焦環FR之靜電引力的力量之產生，一方面會提供一種可以連接至聚焦環FR的電氣路徑。若藉由此基板支持器16，聚焦環FR就會穩定地被固持在第2支持區域162。再者，即使在會對聚焦環FR與吸盤區域22之間供給熱傳氣體的情況下，聚焦環FR也會穩定地被固持在第2支持區域162。因此，可以提高供給至聚焦環FR與吸盤區域22之間之熱傳氣體的壓力。故而，可以提高聚焦環FR之溫度調整的效率。

於一實施形態，連接構件27，亦可具有第1部分271及第2部分272。第1部分271，係與聚焦環FR的環面FRS相向。第2部分272，係與第1部分271的下部連續。第2部分272，係從第1部分271的下部，在直徑方向上朝向外側延伸。於此實施形態，連接構件27的剖面形狀，係L字型。

支架25，固持著連接構件27而將第2部分272推向下方。於一實施形態，支架25係配置於絕緣構件94上。支架25，係藉由螺釘28而固定於絕緣構件94。於一實施形態，支架25具有主部251及突出部252。主部251，呈約略圓筒形狀。主部251，配置於絕緣構件94上。突出部252，係由主部251的上端，在直徑方向上朝向內側突出。突出部252，配置於連接構件27的第2部分272上。支架25一旦受到固定，連接構件27的第2部分272就會被推向下方，而第1部分271會在直徑方向上，朝向外側發揮力量。其結果，就可以使連接構件27與聚焦環FR彼此確實地接觸。

於一實施形態，基板支持器16，亦可更具有導電構件58。導電構件58，具有導電性與彈性。導電構件58，可以係例如由導體形成之螺旋彈簧墊片。導電構件58，係被夾在連接構件27與端子區域26t之間。

於一實施形態，基板支持器16，亦可更具有導電構件59。導電構件59，具有導電性與彈性。導電構件59，可以係例如由導體形成之螺旋彈簧墊片。導電構件59，係被夾在連接構件27與聚焦環FR的環面FRS之間。於另一實施形態，連接構件27的第1部分271，亦可具有彈性，而推抵著聚焦環FR的環面FRS。

於一實施形態，支架25亦可具有絕緣性。支架25，係例如由石英或氧化鋁形成。支架25及聚焦環FR（亦即，其第2環狀部FR2），幫連接構件27遮蔽電漿。於此實施形態，連接構件27會受到保護而不被電漿侵擾。

以上，針對各種例示性實施形態進行了說明，但並不限定於上述例示性實施形態，而可以進行各種省略、置換、及變更。再者，可以組合不同實施形態中的要素，以形成另一實施形態。

例如，雖然電漿處理裝置1係電容耦合型的電漿處理裝置，但別種實施形態之電漿處理裝置，亦可係不同類型之電漿處理裝置。那樣的電漿處理裝置，可以係任何一種類型的電漿處理裝置。作為那樣的電漿處理裝置，可舉例如電感耦合型的電漿處理裝置、藉由微波這樣的表面波而生成電漿的電漿處理裝置。

再者，另於一實施形態，吸盤區域22，亦可具有三個以上的電極，以作為用於產生靜電引力的電極。

再者，於圖3所示之例，施加於第1電極221的電壓、以及施加於第2電極222的電壓，皆為正極性的電壓。然而，只要在第1電極221與第2電極222之間會產生電位差，則施加於第1電極221的電壓、以及施加於第2電極222的電壓，其各自的極性就不限定於此。再者，第1電極221及第2電極222中之一方的電位，亦可為0V。再者，亦可使用單一的電源以在第1電極221及第2電極222之間產生電位差。

更進一步地，連接構件27的個數並不限定於此。亦可使用複數個連接構件27，以使端子區域26t與聚焦環FR電性連接。複數個連接構件27，亦可沿著周向排列。複數個連接構件27，亦可沿著周向等間隔地配置。

接著，針對向上述聚焦環供電的構造，進行說明。

圖8係一個例示性實施形態之供電構造的俯視圖，圖9係分解顯示一個例示性實施形態之供電構造之局部的立體圖。設定XYZ三維正交座標系，以鉛直方向作為Z軸方向，並以定出水平面的正交之兩軸作為X軸及Y軸。以位於X軸上之連接構件27的角度θ＝0°。

此供電構造，具備上述之第1連接構件群（連接構件27）、第1端子區域26t、第2連接構件群（連接構件26a、26b、26c：參照圖9）、以及第2端子區域26d。

第1連接構件群，係由沿著聚焦環之周向等間隔配置的複數個連接構件27所構成。於本例，係沿著周向，配置12個連接構件27。各個連接構件27，係在平行於聚焦環之直徑方向的縱剖面內，呈L字型的形狀。連接構件27，配置於環圈狀之第1端子區域26t的頂面（參照圖9）。在作為連接構件27之上部的第1部分271之外側面，形成了用以固持導電構件59的凹槽59g（參照圖11），凹槽59g係沿著周向延伸。導電構件59，接觸連接構件27及聚焦環FR（圖10），並使該等電性連接。位於連接構件27之下方的導電構件58（參照圖11），接觸著作為連接構件27之下部的第2部分272之底面、以及設在第1端子區域26t的凹部58g（凹槽）之內壁面。凹部58g，係設在第1端子區域26t的頂面，並在凹部58g內配置導電構件58。

連接構件27之頂面及底面的形狀，皆約略長方形。關於此長方形之形狀，可以將四角部位設成圓弧狀，再者，亦可變形成沿著聚焦環之周向般的形狀。

通過聚焦環之中心O（參照圖8）而平行於X軸方向的中心線X、以及通過聚焦環之中心O而平行於Y軸方向的中心線Y，係以一點鏈線顯示。以從聚焦環之中心O朝向直徑方向延伸之線段間的角度作為節距。於俯視觀察下（從Z軸方向觀察下），通過配置於周向之複數個連接構件27的重心位置之線段，係以角度α1的節距來配置。於本例中，由於係沿著周向等間隔配置12個連接構件27，所以角度α1＝30°。於俯視觀察下，若設連接構件27之重心位置的半徑向量為r、並設其極座標為（r，θ），則N個連接構件27的位置，會以極座標（r，αn）表示。其中，αn＝α1×（n－1）（滿足1≦n≦N的整數）。

又，在上層的連接構件27之下，配置著環圈狀的第1端子區域26t；更進一步地在其下方，設有第2連接構件群（連接構件26a、26b、26c），各連接構件，係沿著聚焦環的周向，等間隔地配置。連接構件（26a、26b、26c），係導電路徑26之局部。導電路徑26，具備環圈狀的第2端子區域26d。1塊連接構件（26a、26b、26c），係由最上部的上部導體26a、位於上部導體26a之下部的基座構件26b、以及位於基座構件26b之下部的基底構件26c所構成。此連接構件（26a、26b、26c）的位置，視作以上部導體26a的重心位置來代表其位置。

於俯視觀察下，通過複數個上部導體26a的重心位置之線段，係以角度β1×2的節距配置。於本例中，由於係沿著周向等間隔配置12個上部導體26a，所以角度β1＝15°，β1×2＝30°。於俯視觀察下，上層的連接構件27之位置、與下層的連接構件（26a、26b、26c）之位置，係沿著聚焦環的周向，以β1＝α1／2＝15°的份量錯開。於俯視觀察下，若設連接構件（26a、26b、26c）之重心位置的半徑向量為r、並設其極座標為（r，θ），則K個連接構件（26a、26b、26c）的位置，會以極座標（r，βk）表示。其中，βk＝β1＋α1×（k－1）（滿足1≦k≦K的整數）。又，於本例中，N＝K＝12。

如此這般，第1連接構件群的連接構件27之位置、與第2連接構件群的連接構件（26a、26b、26c）之位置，於俯視觀察下，係沿著聚焦環的周向錯開。藉此，使得在第1連接構件群的連接構件27流動的電流分佈、與在第2連接構件群的連接構件（26a、26b、26c）流動的電流分佈，於俯視觀察下，會在周向上錯開，所以會使得面內全體的電流分佈平均化。藉此，可以更進一步地抑制面內的電漿（保護襯套電場）分佈不均。

若參照圖9，則連接構件27，係配置於環圈狀之第1端子區域26t上。於第1端子區域26t之底面，設有沿著周向的凹部（凹槽），在此凹部58bg（參照圖11）內，配置了導電構件58b。又，導電構件58b，係環圈狀地連續著。導電構件58b，其位置係在「位處下一層之連接構件的上部導體26a之頂面」上，並使第1端子區域26t與上部導體26a電性連接。

鉛直方向上縱長的上部導體26a，一體地結合在水平方向上橫長的基座構件26b之頂面；沿著直徑方向之全體的縱剖面形狀，係倒T字型。在基座構件26b之底面，形成了凹部158g（參照圖12）。於凹部158g內，配置著導電構件158。導電構件158，使得位於下部之基底構件26c、以及位於上部之基座構件26b，電性連接。複數個基底構件26c，係固定於環圈狀之第2端子區域26d之外周面，並沿著環圈的周向，等間隔地配置，而配置成從環圈放射狀地延伸。

在此，導電構件59、導電構件58、導電構件58b、導電構件158，皆由具有彈性之彈簧材料所構成。各個導電構件，可以係連續，亦可係分離。作為具有導電性的彈簧材料，已知有鈹銅，可以用於螺旋彈簧墊片等等。亦即，導電構件，雖亦是彈簧，但就彈簧的形狀而言，可以使用將帶狀之板片彈簧扭曲而成之形狀，亦可使其具有作為密封材料的功能。

以上，如前文之說明般，上述供電構造，係由沿著聚焦環的周向配置之複數個連接構件27所構成，以對於配置在電漿處理裝置用之處理容器內的聚焦環給予偏壓電位。再者，第1端子區域26t，係環圈狀，而電性連接於複數個連接構件27。

在對聚焦環給予偏壓電位之際，產生電漿用的高頻偏壓，會重疊於偏壓電位的供給線。而當偏壓電位之供給線為1條的情況下，重疊之高頻會流向供給線，而使得電漿的面內分佈產生不均。另一方面，於本形態，係使複數個連接構件27沿著聚焦環的周向配置，並使這些連接構件27電性連接至環圈狀之第1端子區域26t。藉此，可以使得經由連接構件27而流動的高頻之周向的分佈平均化。藉此，可以抑制面內的電漿分佈不均。

又，起因於電漿的高頻，會由聚焦環，依序流經導電構件59、連接構件27、導電構件58、第1端子區域26t、導電構件58b、上部導體26a、基座構件26b、基底構件26c、第2端子區域26d。然後，再從第2端子區域26d，流向低通濾波器98。由於低通濾波器98會去除高頻成分，所以連接至低通濾波器98的電源99，就會受到保護而不被高頻電流或高頻電壓侵擾。

再者，第1端子區域26t，配置成與被賦予固定電位的處理容器之內壁面（圖8之GND）係分開。作為被賦予偏壓電位之供給線的第1端子區域26t，會受到處理容器之電位的影響。處理容器之電位，係設定為接地電位等等的固定電位。因此，若使環圈狀之第1端子區域26t，配置成與處理容器之內壁面（圖8之GND）係分開，就會在周向之整圈，皆使第1端子區域26t之電位變得穩定。藉此，可以更進一步地抑制面內的電漿分佈不均。又，處理容器之內壁面，於俯視觀察下，係多角形或圓形，而第1端子區域26t之外周面亦為多角形或圓形，該等的分開距離，在周向整圈，幾乎為固定。若為圓形，該等係相對於Z軸而呈軸對稱的形狀；但即使是多角形，也會在通過Z軸的複數個縱剖面內呈面對稱的形狀；在這種具有對稱性之形狀的情況下，可以更進一步地抑制電漿的分佈不均。

再者，如上所述，本例之供電構造，具備環圈狀之第2端子區域26d，其與第1端子區域26t係分開，並電性連接至第1端子區域26t。第1端子區域26t與第2端子區域26d，係藉由複數個連接構件（26a、26b、26c）所構成之第2連接構件群，而物理性及電性連接。此構造，具備環圈狀之第2端子區域26d、以及複數個連接構件（26a、26b、26c）所構成之第2連接構件群。因此，與環圈狀之第1端子區域26t及第1連接構件群的情況同樣，可以使得在該等流動的高頻之周向的分佈平均化。如此這般，若使環圈狀之端子區域設為多層結構，則可以更進一步地抑制面內的電漿分佈不均。

接著，針對上述構件之組裝構造，更進一步地進行說明。

圖10係分解顯示一個例示性實施形態之供電構造的縱剖面構造的圖式，所呈現的是組裝圖3所示之構造時的構造。

於組裝時，首先，係在絕緣構件91上，配置一體化之第2端子區域26d及基底構件26c。於基底構件26c上，係隔著導電構件158，而配置構成為倒T字型的基座構件26b及上部導體26a所構成之連接構件。接著，配置絕緣構件92，以推壓基座構件26b的頂面。絕緣構件92，在上部導體26a所通過的部分有開口。更進一步地，在絕緣構件92上配置絕緣構件93。絕緣構件93，於其周緣部設有高低差。配置環圈狀之絕緣構件94，以卡合於此高低差。絕緣構件94，在上部導體26a所通過的部分有開口。在此之後，於上部導體26a之頂面上，隔著導電構件58b，配置第1端子區域26t。於第1端子區域26t之頂面的凹部內，設有導電構件58。

接著，在第1端子區域26t之頂面上，隔著導電構件58，配置L字型的連接構件27。L字型的連接構件27的外側之頂面，被構成壓緊構件的支架25，推向下方。藉此，L字型的連接構件27，會以L字之下方的角部為旋轉軸，朝向外側旋轉，而使得設於連接構件27之上部的導電構件59，接觸聚焦環FR之下部的內面。於支架25，設有插入螺釘28用的孔，而螺釘28就螺合於設在絕緣構件94之上部的螺孔。於支架25上，設置著於上端具有輪緣的筒狀之絕緣構件96。該輪緣壓住支架25之頂面，而使得筒狀的絕緣構件96之內面，於支架25、絕緣構件94及絕緣構件92之外周面上滑動而套合，以限制這些構件在直徑方向的移動。再者，亦具有將各構件下壓的功能。

圖11，係分解顯示位於供電構造之上部的連接構件的立體圖。

如上所述，於環圈狀之第1端子區域26t之頂面，有形成沿著環圈之周向延伸的凹部58g；於凹部58g內，配置著導電構件58。在設於第1端子區域26t之底面的凹部58bg內，設有導電構件58b。設於L字型的連接構件27的凹槽59g之寬度可以係固定，亦可係兩端部稍微變窄的形狀。藉此，導電構件59就不容易從凹槽59g鬆脫。

圖12，係位於供電構造之下部的連接構件的底面圖。

此連接構件之下部，坐落著基座構件26b，而於底面則形成了凹部158g。凹部158g的長度方向，係沿著上述環圈狀之第2端子區域26d的周向、或外周之輪郭線的切線方向。

又，上述供電構造，可以進行各種各樣的變形。

圖13，係另一例示性實施形態之供電構造的俯視圖。

該圖所示之供電構造，相較於圖8所示之供電構造，僅有環圈狀之第1端子區域26t、及第2端子區域26d的形狀，有所不同。雖於圖8中，該等之形狀係圓形，但於本例中，係多角形（24角形）。從第2端子區域26d之外周面，有一基底構件26c垂直地突出。再者，於俯視觀察下，連接構件27，係平行於環圈狀之第1端子區域26t之內壁面而延伸。由於在環圈狀之第1端子區域26t及第2端子區域26d為圓形的情況下，會均等地承擔應力，所以物理上的耐久性優異。再者，在該等為多角形的情況下，由於只要在俯視觀察下，使連接構件平行於內壁面或外壁面而安裝即可，所以該等就能夠輕易地對位。又，多角形之形狀，亦可不是24角形。

圖14係分解顯示另一例示性實施形態之供電構造之局部的立體圖，其呈現圖13的供電構造。再者，圖15係顯示另一例示性實施形態之供電構造的縱剖面構造的圖式。

於圖14的構造，導電構件59、導電構件58、以及導電構件158，係在周向上連續的環圈狀，惟此點不同於圖9所示者，而其他各點則係相同。在此構造的情況下，在下層的連接構件間的區域，需要有位於導電構件158之下方，並且對其加以支持的絕緣構件91p（參照圖15）、或從絕緣構件91伸出的凸部。在圖14之構造的情況下，由於導電構件59、導電構件58及導電構件158係環圈狀，所以組裝時易於處理。相對於此，在圖9般使導電構件158在複數部位分離配置的情況下，就不需要用以支持導電構件158的絕緣構件91p。

又，上述之電漿處理裝置，可以具備上述揭露之任何一種供電構造，而可以抑制面內的電漿分佈不均。

在以上的說明，對於本發明的各種實施形態，係出於說明之目的而在本說明書進行了說明；當可理解，可以在不脫離本發明之範圍及主旨的情況下，進行各種變更。因此，於本說明書所揭露之各種實施形態並非用以限定，而本發明真正的範圍與主旨，係以隨附之申請專利範圍為準。

1:電漿處理裝置 10:處理腔室 10s:內部空間 12:處理腔室主體 12g:閘閥 12p:通路 16:基板支持器 18:下部電極 20:吸盤區域 25:支架 26:導電路徑 27:連接構件 30:上部電極 32:絕緣構件 34:頂板 34a:氣體釋出孔 36:支持體 36a:氣體擴散室 36b:氣體孔 36c:氣體導入埠 38:氣體供給管 40:氣體源群 41:閥群 42:流量控制器群 43:閥群 48:擋板 50:排氣裝置 52:排氣管 61:高頻電源 62:高頻電源 63:匹配器 64:匹配器 70:供給裝置 72:氣源 91:絕緣構件 AX:軸線 FR:聚焦環 HF:高頻電力 LF:高頻電力 MC:控制部 W:基板 161:第1支持區域 162:第2支持區域 18f:流路 21:接合區域 22:吸盤區域 23:接合區域 24:導電構造 73:氣體管線 74:氣體管線 75:氣體管線 92~96:絕緣構件 97:筒狀部 98:低通濾波器 99:電源 162a:內側邊界 162b:外側邊界 162c:中央部 20e:電極 20m:主體 22m:主體 222:第2電極 28:螺釘 53:直流電源 54:導線 55:開關 58:導電構件 59:導電構件 81:第1導線 82:第2導線 83:直流電源 84:直流電源 85:開關 86:開關 FR1:第1環狀部 FR2:第2環狀部 FRS:環面 221:第1電極 221p:第1突出部 221r:第1凹陷 222p:第2突出部 222r:第2凹陷 26a:上部導體(連接構件) 26b:基座構件(連接構件) 26c:基底構件(連接構件) 26d:第2端子區域 26t:第1端子區域 271:第1部分 272:第2部分 GND:處理容器之內壁面 O:聚焦環之中心 58b:導電構件 158:導電構件 58bg:凹部 58g:凹部 59g:凹槽 158g:凹部 91p:絕緣構件

【圖1】係概略顯示一個例示性實施形態之電漿處理裝置的圖式。 【圖2】係一個例示性實施形態之基板支持器的剖面圖。 【圖3】係一個例示性實施形態之基板支持器的局部放大剖面圖。 【圖4】係概略顯示一個例示性實施形態之基板支持器的聚焦環用之吸盤區域中的第1電極及第2電極之佈局的圖式。 【圖5】圖5（a）及圖5（b），係一個例示性實施形態之基板支持器的局部放大剖面圖。 【圖6】係概略顯示另一例示性實施形態之基板支持器之吸盤區域中的第1電極及第2電極之佈局的圖式。 【圖7】係概略顯示另一例示性實施形態之基板支持器之吸盤區域中的第1電極及第2電極之佈局的圖式。 【圖8】係一個例示性實施形態之供電構造的俯視圖。 【圖9】係分解顯示一個例示性實施形態之供電構造之局部的立體圖。 【圖10】係分解顯示一個例示性實施形態之供電構造的縱剖面構造的圖式。 【圖11】係分解顯示位於供電構造之上部的連接構件的立體圖。 【圖12】係位於供電構造之下部的連接構件的底面圖。 【圖13】係另一例示性實施形態之供電構造的俯視圖。 【圖14】係分解顯示另一例示性實施形態之供電構造之局部的立體圖。 【圖15】係分解顯示另一例示性實施形態之供電構造的縱剖面構造的圖式。

26a:上部導體(連接構件)

26b:基座構件(連接構件)

26c:基底構件(連接構件)

26d:第2端子區域

26t:第1端子區域

27:連接構件

271:第1部分

272:第2部分

58:導電構件

58b:導電構件

59:導電構件

98:低通濾波器

99:電源

158:導電構件

Claims (4)

1. 一種供電構造，包括：第1連接構件群，由沿著呈環狀的聚焦環之周向等間隔地配置的複數個連接構件所構成，且與該聚焦環電性連接，以對配置於電漿處理裝置用之處理容器內的該聚焦環給予偏壓電位；第1端子區域，呈環圈狀，且電性連接至複數個該連接構件；第2端子區域，呈環圈狀，且與該第1端子區域係分開，並電性連接至該第1端子區域；以及第2連接構件群，由與該第1端子區域及該第2端子區域相連接的複數個連接構件所構成。
2. 如請求項1之供電構造，其中，該第1端子區域，配置成與被賦予固定電位之該處理容器之內壁面係分開。
3. 如請求項1之供電構造，其中，該第1連接構件群的連接構件之位置，與該第2連接構件群的連接構件之位置，於俯視觀察下，係在沿著該聚焦環的周向上錯開。
4. 一種電漿處理裝置，包括：如請求項1至3項中任一項之供電構造。

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