KR102012238B1 - Method of manufacturing stretchable device using transfer process - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일실시예는 휘어질 뿐만 아니라 길이방향 및 폭방향으로 신축이 가능한 디바이스를 대량으로 생산할 수 있는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스를 제공한다. 여기서, 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 제1탄성계수를 가지는 베이스기판의 상부에 소자를 형성하고, 베이스기판의 하부에 전사필름을 부착하고, 소자에 대응되도록 베이스기판을 커팅하여 커팅된 베이스기판과 소자를 가지는 소자모듈을 마련하고, 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판의 상부에 배선을 마련하고, 소자를 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 연결될 해당 배선에 대응되는 위치에 소자모듈을 각각 위치시키고, 소자가 해당 배선과 전기적으로 연결되도록 소자모듈을 타겟기판의 상부에 전사하며, 전사필름을 소자모듈에서 박리하는 단계를 포함한다.One embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a stretchable device using a transfer process capable of mass-producing a device that can be bent as well as stretchable in the longitudinal direction and the width direction, and a stretchable device manufactured thereby. Here, the stretchable device manufacturing method using a transfer process is formed by forming an element on the upper portion of the base substrate having a first elastic modulus, attaching the transfer film to the lower portion of the base substrate, and cutting the base substrate to correspond to the element A device module having a base substrate and a device is provided, a wiring is provided on an upper portion of the target substrate having a second elastic modulus lower than the first elastic modulus, the element is disposed to face the upper portion of the target substrate, and the corresponding wiring to be connected Positioning each device module at a corresponding position, transferring the device module to an upper portion of the target substrate so that the device is electrically connected to a corresponding wiring, and peeling the transfer film from the device module.

Description

전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING STRETCHABLE DEVICE USING TRANSFER PROCESS}Method for manufacturing stretchable device using transfer process {METHOD OF MANUFACTURING STRETCHABLE DEVICE USING TRANSFER PROCESS}

본 발명은 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 휘어질 뿐만 아니라 길이방향 및 폭방향으로 신축이 가능한 디바이스를 대량으로 생산할 수 있는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a stretchable device using a transfer process, and a stretchable device manufactured by the transfer process, and more particularly, to a transfer process capable of producing a large amount of devices that can be stretched and stretched in a longitudinal direction and a width direction. It relates to a method for manufacturing a stretchable device using and a stretchable device manufactured thereby.

전자 기술의 발달과 더불어 TV, 노트북 PC, 태블릿 PC, 휴대폰 등과 같은 다양한 표시 장치가 일반화되어 사용되고 있다.BACKGROUND With the development of electronic technology, various display devices such as TVs, notebook PCs, tablet PCs, mobile phones, and the like have become common.

최근, 휘어지는 전자장치, 즉, 플렉서블(flexible) 전자장치에 대한 관심이 높아지고 있다. 플렉서블 일렉트로닉스(flexible electronics)는 플라스틱과 같이 휘어지는 기판에 전자소자를 실장하여 구부리거나 접을 수 있는 전자회로/장치를 구현하는 기술이다. 특히, 플렉서블 일렉트로닉스는 디스플레이(display) 분야에서 차세대 기술로 주목받고 있다.Recently, there has been a growing interest in flexing electronic devices, that is, flexible electronic devices. Flexible electronics (flexible electronics) is a technology that implements an electronic circuit / device that can bend or fold by mounting an electronic device on a flexible substrate such as plastic. In particular, flexible electronics are attracting attention as a next generation technology in the display field.

플렉서블 전자장치와 더불어 늘어나는 전자장치, 즉, 신축가능한 전자장치(stretchable electronic device)에 대한 필요성이 대두되고 있다. 플렉서블 전자장치는 전체 길이는 그대로 유지하면서 휘어지는 장치인데 반해, 신축가능한 전자장치는 휘어질 뿐 아니라 길이가 늘어나는 장치이다.Along with flexible electronics, there is a need for an increasing number of electronic devices, that is, stretchable electronic devices. A flexible electronic device is a device that bends while maintaining its entire length, while a flexible electronic device is a device that not only bends but also increases in length.

스트레처블 일렉트로닉스(stretchable electronics)는 전자기기의 새로운 적용분야를 가능하게 하는 기술로 기대되고 있다. 잠재적인 적용분야로는 움직이는 로보틱(robotic) 장치를 위한 전자 스킨(electronic skins) 및 스킨 센서(skin sensors), 웨어러블 전자장치, 생체융합(bio-integrated) 소자 등이 있다. 또한, 디스플레이나 센서 어레이 등을 포함한 다양한 분야에서 스트레처블 소자는 유용하게 활용될 수 있다.Stretchable electronics are expected to enable new applications in electronics. Potential applications include electronic skins and skin sensors for moving robotic devices, wearable electronics, and bio-integrated devices. In addition, the stretchable device may be usefully used in various fields including a display or a sensor array.

이러한 신축가능한 디바이스를 대량 생산할 수 있는 제조방법이 아직까지 개발되지 못하고 있는 실정이다.A manufacturing method for mass production of such a flexible device has not been developed yet.

대한민국 공개특허공보 제2016-0088489호(2016.07.26 공개)Republic of Korea Patent Publication No. 2016-0088489 (published Jul. 26, 2016)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 휘어질 뿐만 아니라 길이방향 및 폭방향으로 신축이 가능한 디바이스를 대량으로 생산할 수 있는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스를 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the technical problem to be achieved by the present invention is a flexible device manufacturing method using a transfer process capable of producing a large amount of devices that can be stretched in the longitudinal direction and width direction as well as the manufacturing method and thereby It is to provide a flexible device.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 제1탄성계수를 가지는 베이스기판의 상부에 소자를 형성하는 소자형성단계; 상기 베이스기판의 하부에 전사필름을 부착하는 전사필름부착단계; 상기 소자에 대응되도록 상기 베이스기판을 커팅하여 커팅된 베이스기판과 상기 소자를 가지는 소자모듈을 마련하는 소자모듈마련단계; 상기 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판의 상부에 배선을 마련하는 배선마련단계; 상기 소자를 상기 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 연결될 해당 배선 사이의 타겟영역에 상기 소자모듈을 각각 위치시키는 포지셔닝단계; 상기 소자가 상기 해당 배선과 전기적으로 연결되도록 상기 소자모듈을 상기 타겟기판의 상부의 상기 타겟영역에 전사하는 소자모듈전사단계; 그리고 상기 전사필름을 상기 소자모듈에서 박리하는 전사필름박리단계를 포함하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention comprises a device forming step of forming a device on top of the base substrate having a first elastic modulus; A transfer film attaching step of attaching a transfer film to a lower portion of the base substrate; A device module preparation step of cutting the base substrate so as to correspond to the device, and preparing a device module having the cut base substrate and the device; A wiring preparation step of providing wiring on an upper portion of the target substrate having a second elastic modulus lower than the first elastic modulus; Positioning the device so as to face the upper portion of the target substrate, and positioning the device module in a target area between corresponding wires to be connected; A device module transfer step of transferring the device module to the target area on the target substrate so that the device is electrically connected to the corresponding wiring; And it provides a stretchable device manufacturing method using a transfer process comprising a transfer film peeling step of peeling the transfer film from the device module.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름을 신장시켜 상기 타겟영역으로 상기 소자모듈을 위치시킬 수 있다.In an embodiment of the present disclosure, in the positioning step, the transfer module may be extended to position the device module in the target area.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름에 부착된 상기 소자모듈 중에 상기 타겟영역에 전사되지 않을 소자모듈을 상기 전사필름에서 분리함으로써 상기 해당 타겟영역에 전사될 소자모듈만 남겨 상기 해당 타겟영역에 대응되는 위치로 위치시킬 수 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, in the positioning step, only the device modules to be transferred to the target area are separated by separating the device modules from the transfer film, which are not transferred to the target area, from the device modules attached to the transfer film. It may be positioned at a position corresponding to the target area.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배선마련단계 전, 후 또는 상기 소자모듈전사단계 후에, 상기 타겟영역에 열 또는 빛을 가하여 상기 타겟영역이 상기 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 변화단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, before or after the wiring preparation step or after the device module transfer step, heat or light is applied to the target area so that the target area has a third elastic modulus higher than the second elastic modulus. It may further comprise a changing step of changing.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 소자모듈전사단계 전에, 상기 소자모듈과 상기 배선의 접착력이 증가되도록 상기 배선 및 상기 소자모듈을 플라즈마로 표면처리하는 표면처리단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present disclosure, the method may further include a surface treatment step of surface treating the wires and the device modules with plasma to increase adhesion between the device modules and the wires before the device module transfer step.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 소자모듈전사단계 전에, 상기 소자모듈의 제1전극과 상기 배선의 제2전극의 사이에 전도성 접착소재를 마련하는 전도성소재 마련단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present disclosure, the method may further include a conductive material preparing step of preparing a conductive adhesive material between the first electrode of the device module and the second electrode of the wiring before the device module transferring step.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 소자모듈전사단계 후, 또는 상기 전사필름박리단계 후에, 상기 전도성 접착소재를 경화시키는 리플로우단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, after the device module transfer step, or after the transfer film peeling step, may further comprise a reflow step of curing the conductive adhesive material.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 전도성소재 마련단계 후에, 상기 전도성 접착소재가 내측에 포함되도록 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 비전도성 접착소재를 마련하는 비전도성소재 마련단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, after the conductive material preparing step, further comprising a non-conductive material preparing step of providing a non-conductive adhesive material between the first electrode and the second electrode so that the conductive adhesive material is included inside. can do.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 소자모듈전사단계 후, 또는 상기 전사필름박리단계 후에, 상기 전도성 접착소재 및 상기 비전도성 접착소재를 경화시키는 리플로우단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, after the device module transfer step, or after the transfer film peeling step, may further comprise a reflow step of curing the conductive adhesive material and the non-conductive adhesive material.

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스를 제공한다.On the other hand, in order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention provides a stretchable device manufactured by a stretchable device manufacturing method using a transfer process.

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 기본기판의 상부에 제1탄성계수를 가지는 베이스층을 마련하고, 상기 베이스층의 상부에 소자를 형성하는 소자형성단계; 상기 소자에 대응되도록 상기 베이스층을 커팅하여 커팅된 베이스층과 상기 소자를 가지는 소자모듈을 마련하는 소자모듈마련단계; 상기 소자모듈의 상부에 전사필름을 부착하여 상기 기본기판으로부터 상기 소자모듈을 박리하는 소자모듈박리단계; 상기 베이스층을 상기 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 전사될 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 위치시키는 포지셔닝단계; 상기 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 전사하는 소자모듈전사단계; 상기 전사필름을 상기 소자모듈에서 박리하는 전사필름박리단계; 그리고 상기 소자와 상기 타겟기판을 배선으로 연결하는 배선마련단계를 포함하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 제공한다.On the other hand, in order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention provides a base layer having a first elastic modulus on top of the base substrate, the device forming step of forming a device on the base layer; A device module preparation step of cutting the base layer so as to correspond to the device and providing a device module having the cut base layer and the device; A device module peeling step of attaching a transfer film to the upper portion of the device module to separate the device module from the base substrate; Positioning the base layer so as to face an upper portion of a target substrate having a second elastic modulus lower than the first elastic modulus, and positioning the device module in a corresponding transfer region to be transferred; A device module transfer step of transferring the device module to the transfer area; A transfer film peeling step of peeling the transfer film from the device module; And it provides a stretchable device manufacturing method using a transfer process comprising a wiring preparation step of connecting the element and the target substrate by wiring.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배선마련단계 이전에, 상기 타겟기판의 상부에 상기 베이스층에 대응되는 높이의 절연층을 마련하는 절연층마련단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, before the wiring preparation step, the insulating layer preparation step of providing an insulating layer having a height corresponding to the base layer on the target substrate may be further included.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배선마련단계에서, 상기 배선은 상기 베이스층 및 상기 절연층의 상부에 마련될 수 있다.In an embodiment of the present invention, in the wiring preparation step, the wiring may be provided on the base layer and the insulating layer.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름을 신장시켜 상기 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 위치시킬 수 있다.In the embodiment of the present invention, in the positioning step, it is possible to extend the transfer film to position the device module in the transfer area.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름에 부착된 상기 소자모듈 중에 상기 해당 전사영역에 대응되지 않을 소자모듈을 상기 전사필름에서 분리하여 상기 해당 전사영역에 대응되는 소자모듈만 남길 수 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, in the positioning step, only the device modules corresponding to the corresponding transfer area may be separated from the transfer film by separating the device modules which do not correspond to the corresponding transfer area among the device modules attached to the transfer film. I can leave it.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 포지셔닝단계 전 또는 상기 소자모듈전사단계 후에, 상기 전사영역에 열 또는 빛을 가하여 상기 전사영역이 상기 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 변화단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, before or after the positioning step or the device module transfer step, heat or light is applied to the transfer area to change the transfer area to have a third elastic modulus higher than the second elastic modulus. It may further comprise a step.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배선마련단계 전에, 상기 소자모듈과 상기 배선의 접착력이 증가되도록 상기 소자모듈을 플라즈마로 표면처리하는 표면처리단계를 더 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present disclosure, the method may further include a surface treatment step of surface treating the device module with plasma so as to increase the adhesion between the device module and the wire before the wiring preparation step.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배선마련단계에서, 상기 소자모듈의 제1전극과 상기 배선의 제2전극의 사이에 전도성 접착소재를 더 마련할 수 있다.In an embodiment of the present invention, in the wiring preparation step, a conductive adhesive material may be further provided between the first electrode of the device module and the second electrode of the wiring.

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스를 제공한다.On the other hand, in order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention provides a stretchable device manufactured by a stretchable device manufacturing method using a transfer process.

본 발명의 실시예에 따르면, 소자모듈이 신축성을 가지는 전사필름에 점착되기 때문에, 타겟기판에 전사되기 전 상태의 소자모듈이 타겟기판에 전사될 위치와 맞지 않더라도, 전사필름을 신장시키거나, 타겟기판을 신장시키거나, 또는 소자모듈을 선택적으로 전사시켜 소자모듈을 타겟기판에 전사될 위치로 포지셔닝할 수 있으며, 이를 통해, 소자모듈의 전사공정이 용이하게 진행될 수 있으며, 신축가능한 디바이스를 대량으로 생산할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, since the device module is adhered to the stretchable transfer film, even if the device module in the state before being transferred to the target substrate does not match the position to be transferred to the target substrate, the transfer film is stretched or the target is not. By extending the substrate or selectively transferring the device module to position the device module to the position to be transferred to the target substrate, through this, the transfer process of the device module can be easily carried out, and a large number of stretchable devices Can produce.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 베이스기판이 상측을 향하도록 한 상태에서 소자모듈이 타겟기판에 전사되기 때문에, 소자모듈을 외부 충격으로부터 보호할 수 있다. 또한, 베이스기판의 탄성계수가 타겟기판의 탄성계수보다 높기 때문에 타겟기판의 신축 시에 베이스기판이 소자모듈에 가해지는 스트레인을 감소킬 수 있어 소자모듈의 파손이 방지될 수 있다. In addition, according to the embodiment of the present invention, since the device module is transferred to the target substrate in a state in which the base substrate is directed upward, the device module can be protected from external impact. In addition, since the elastic modulus of the base substrate is higher than the elastic modulus of the target substrate, the strain applied to the device module when the target substrate is stretched and contracted can be reduced, thereby preventing damage to the device module.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It is to be understood that the effects of the present invention are not limited to the above effects, and include all effects deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 공정도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 일례를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 다른 예를 나타낸 예시도이다.
도 5는 도 2의 A부 및 B부를 확대한 확대도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 공정도이다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 일례를 나타낸 예시도이다.
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 다른 예를 나타낸 예시도이다.
1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a first embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a first exemplary embodiment of the present invention.
3 is an exemplary view showing an example of a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to the first embodiment of the present invention.
4 is an exemplary view showing another example of a method for manufacturing a stretchable device using a transfer process according to the first embodiment of the present invention.
5 is an enlarged view illustrating part A and B of FIG. 2.
6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a second exemplary embodiment of the present invention.
7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a second exemplary embodiment of the present invention.
8 is an exemplary view showing an example of a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a second embodiment of the present invention.
9 is an exemplary view showing another example of a method for manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a second embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결(접속, 접촉, 결합)”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 “간접적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected (connected, contacted, coupled)" with another part, it is not only "directly connected" but also "indirectly connected" with another member in between. Also includes the case where In addition, when a part is said to "include" a certain component, this means that unless otherwise stated, it may further include other components rather than excluding the other components.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this specification, the terms “comprise” or “have” are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 공정도이고, 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 일례를 나타낸 예시도이고, 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 다른 예를 나타낸 예시도이고, 도 5는 도 2의 A부 및 B부를 확대한 확대도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a process diagram illustrating a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a first embodiment of the present invention. 3 is an exemplary view showing an example of a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a stretchable device using a transfer process according to a first embodiment of the present invention. 5 is an enlarged view illustrating another example of the manufacturing method, and FIG. 5 is an enlarged view of part A and B of FIG. 2.

먼저, 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 소자형성단계(S110), 전사필름부착단계(S120), 소자모듈마련단계(S130), 배선마련단계(S140), 포지셔닝단계(S150), 소자모듈전사단계(S160) 그리고 전사필름박리단계(S170)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIGS. 1 and 2, a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process includes a device forming step (S110), a transfer film attaching step (S120), a device module preparing step (S130), and a wire preparing step (S140). ), A positioning step S150, a device module transfer step S160, and a transfer film peeling step S170.

본 명세서 디바이스는 디스플레이 장치, 전자 스킨(electronic skins), 센서 어레이 등을 포함할 수 있다.The device herein may include display devices, electronic skins, sensor arrays, and the like.

소자형성단계(S110)는 제1탄성계수를 가지는 베이스기판(210)의 상부에 소자(220)를 형성하는 단계일 수 있다. The device forming step S110 may be a step of forming the device 220 on the base substrate 210 having the first elastic modulus.

베이스기판(210)은 투명성을 가질 수 있으며, 소다라임 유리기판, 무알칼리 유리기판 또는 강화유리기판 등 각종의 유리기판이 적용될 수 있다. 나아가, 베이스기판(210)은 사파이어, 투명 수지 재질로 이루어질 수도 있다. The base substrate 210 may have transparency, and various glass substrates such as a soda lime glass substrate, an alkali free glass substrate, or a tempered glass substrate may be applied. Further, the base substrate 210 may be made of sapphire, transparent resin material.

베이스기판(210)은 포지셔닝단계(S150)에서 후술할 타겟기판(250)의 배선(260) 및 타겟영역(251)의 위치를 확인 할 수 있을 정도의 투명성을 가지면 충분하다. 베이스기판(210)이 투명성을 가지는 경우, 후술한 타겟기판(250)은 불투명성을 가질 수도 있다.The base substrate 210 is sufficient to have transparency enough to confirm the position of the wiring 260 and the target region 251 of the target substrate 250 to be described later in the positioning step (S150). When the base substrate 210 has transparency, the target substrate 250 described later may have opacity.

베이스기판(210)은 20~30㎛의 두께를 가질 수 있다. 그리고 베이스기판(210)은 제1탄성계수를 가질 수 있다.Base substrate 210 may have a thickness of 20 ~ 30㎛. The base substrate 210 may have a first elastic modulus.

그리고, 소자(220)는 발광소자일 수 있으며, 예를 들면, OLED나 마이크로 LED 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the device 220 may be a light emitting device, and may be, for example, an OLED or a micro LED, but is not limited thereto.

소자(220)는 박막트랜지스터(TFT)(221)와 함께 마련될 수 있다. 일례로, 박막트랜지스터(221)는 베이스기판(210)의 상부에 마련되고, 소자(220)는 박막트랜지스터(221)의 상부에 마련될 수 있다. The device 220 may be provided together with the thin film transistor (TFT) 221. For example, the thin film transistor 221 may be provided on the base substrate 210, and the device 220 may be provided on the thin film transistor 221.

전사필름부착단계(S120)는 베이스기판(210)의 하부에 전사필름(230)을 부착하는 단계일 수 있다.Transfer film attachment step (S120) may be a step of attaching the transfer film 230 to the lower portion of the base substrate 210.

소자모듈마련단계(S130)는 소자(220)에 대응되도록 베이스기판(210)을 커팅하여 커팅된 베이스기판(211)과 소자(220)를 가지는 소자모듈(240)을 마련하는 단계일 수 있다.The device module preparation step (S130) may be a step of preparing a device module 240 having the cut base substrate 211 and the device 220 by cutting the base substrate 210 so as to correspond to the device 220.

여기서, 소자모듈(240)은 커팅된 베이스기판(211)과 소자(220)를 가진다고 설명하였으나, 소자모듈(240)이 박막트랜지스터(221)를 더 포함할 수 있음은 물론이다.Here, although the device module 240 has been described as having a cut base substrate 211 and the device 220, the device module 240 may further include a thin film transistor 221.

베이스기판(210)은 레이저 절단, 다이 소잉(Die Sawing) 등의 방법으로 커팅될 수 있으며, 이를 통해, 소자(220)는 아이솔레이션(Isolation)될 수 있다.The base substrate 210 may be cut by laser cutting, die sawing, or the like, and through this, the device 220 may be isolated.

전사필름(230)은 신축성을 가질 수 있다. 따라서, 전사필름(230)은 길이방향 및 폭방향으로 신축될 수 있다.The transfer film 230 may have elasticity. Therefore, the transfer film 230 may be stretched in the longitudinal direction and the width direction.

배선마련단계(S140)는 베이스기판(210)의 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판(250)의 상부에 배선(260)을 마련하는 단계일 수 있다. The wiring preparation step S140 may be a step of providing the wiring 260 on the target substrate 250 having a second elastic modulus lower than the first elastic modulus of the base substrate 210.

타겟기판(250)은 신축성을 가질 수 있으며, 베이스기판(210)보다 큰 신축성을 가질 수 있다. 타겟기판(250)은 길이방향 및 폭방향으로 신축될 수 있다. 또한, 타겟기판(250)은 투명성을 가질 수 있다.The target substrate 250 may have elasticity, and may have greater elasticity than the base substrate 210. The target substrate 250 may be stretched in the longitudinal direction and the width direction. In addition, the target substrate 250 may have transparency.

배선(260)은 금속전극일 수 있으며, 타겟기판(250)의 상부에 소자모듈(240)이 전사될 위치에 마련될 수 있다. The wiring 260 may be a metal electrode, and may be provided at a position where the device module 240 is to be transferred on the target substrate 250.

배선(260)은 신축성을 가질 수 있으며, 따라서, 타겟기판(250)이 신축 시에 이에 대응하여 신축될 수 있다. The wiring 260 may have elasticity, and thus, the target substrate 250 may be expanded and contracted when the target substrate 250 is stretched.

타겟기판(250)이 수축된 상태에서 배선(260)이 마련되는 경우, 배선(260)도 수축된 상태로 마련되는 것이 바람직하다. 반면에, 타겟기판(250)이 신장된 상태에서 배선(260)이 마련되는 경우, 배선(260)도 신장된 상태로 마련되는 것이 바람직하며, 이를 통해, 타겟기판(250)이 신축 시에 배선(260)은 단선이 방지되면서 타겟기판(250)의 신축에 대응하여 안전하게 신축될 수 있다.When the wiring 260 is provided in the contracted state of the target substrate 250, the wiring 260 may also be provided in the contracted state. On the other hand, when the wiring 260 is provided in a state where the target substrate 250 is extended, the wiring 260 is also preferably provided in an extended state, whereby, when the target substrate 250 is stretched, 260 may be safely stretched in response to the stretching of the target substrate 250 while the disconnection is prevented.

포지셔닝단계(S150)는 소자(220)를 타겟기판(250)의 상부와 마주보게 배치하고, 연결될 해당 배선(260) 사이의 타겟영역(251)에 소자모듈(240)을 각각 위치시키는 단계일 수 있다. Positioning step (S150) may be a step of placing the device 220 facing the upper portion of the target substrate 250, and positioning the device module 240 in the target area 251 between the corresponding wiring 260 to be connected, respectively have.

포지셔닝단계(S150)에서 소자모듈(240)은 해당 배선(260)의 수직 상방, 더욱 구체적으로는 해당 배선(260)의 사이에 형성되는 타겟영역(251)의 수직 상방에 위치될 수 있다.In the positioning step S150, the device module 240 may be positioned vertically above the corresponding wiring 260, more specifically, vertically above the target region 251 formed between the wirings 260.

본 실시예에서, 소자모듈(240)은 소자(220)가 타겟기판(250)의 방향, 더욱 구체적으로는 해당 배선(260)의 사이에 형성되는 타겟영역(251)을 향하도록 포지셔닝될 수 있다. 즉, 페이스다운(Face-down) 공정으로 진행될 수 있다.In the present embodiment, the device module 240 may be positioned so that the device 220 faces the target substrate 250, more specifically, the target region 251 formed between the corresponding wirings 260. . That is, the process may proceed to a face-down process.

소자모듈전사단계(S160)는 소자(220)가 해당 배선(260)과 전기적으로 연결되도록 소자모듈(240)을 타겟기판(250)의 상부의 타겟영역(251)에 전사하는 단계일 수 있다.The device module transfer step S160 may be a step of transferring the device module 240 to the target area 251 on the target substrate 250 so that the device 220 is electrically connected to the corresponding wiring 260.

소자모듈(240)은 타겟기판(250) 상부의 타겟영역(251)에 전사됨과 동시에 배선(260)과 접속되어 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 소자모듈(240)의 전사 공정과 접속 공정은 함께 이루어질 수 있다.The device module 240 may be transferred to the target area 251 on the target substrate 250 and may be electrically connected to the wiring 260 at the same time. That is, the transfer process and the connection process of the device module 240 may be performed together.

전사필름박리단계(S170)는 전사필름(230)을 소자모듈(240)에서 박리하는 단계일 수 있다. The transfer film peeling step S170 may be a step of peeling the transfer film 230 from the device module 240.

전사필름(230)과 소자모듈(240) 간의 점착력은 타겟기판(250)과 소자모듈(240) 간의 결합력보다 작을 수 있으며, 이에 따라, 소자모듈(240)이 타겟기판(250)에 결합된 상태에서 전사필름(230)은 소자모듈(240)로부터 박리될 수 있다. The adhesive force between the transfer film 230 and the device module 240 may be smaller than the coupling force between the target substrate 250 and the device module 240, and thus, the device module 240 is coupled to the target substrate 250. In the transfer film 230 may be peeled from the device module 240.

본 발명에 따르면, 타겟기판(250)은 베이스기판(210)보다 낮은 탄성계수를 가지기 때문에 타겟기판(250)이 신축되는 정도는 베이스기판(210)이 신축되는 정도보다 클 수 있다.According to the present invention, since the target substrate 250 has a lower elastic modulus than the base substrate 210, the extent to which the target substrate 250 is stretched may be greater than the extent to which the base substrate 210 is stretched.

따라서, 타겟기판(250)이 신장되면, 배선(260)도 대응하여 신장될 수 있는데, 배선(260)은 타겟기판(250)과 전체적으로 점착될 수 있기 때문에, 타겟기판(250)이 신장 시에, 배선(260)의 거의 대부분도 신장될 수 있다. Therefore, when the target substrate 250 is stretched, the wiring 260 may also be correspondingly stretched. Since the wiring 260 may adhere to the target substrate 250 as a whole, the target substrate 250 may be stretched when the target substrate 250 is stretched. Almost all of the wiring 260 can be extended.

한편, 소자(220)는, 일면은 타겟기판(250)에 점착될 수 있으나, 타면은 베이스기판(210)에 점착되는 박막트랜지스터(221)에 점착된다. 그런데, 베이스기판(210)의 제1탄성계수는 타겟기판(250)의 제2탄성계수보다 높기 때문에, 베이스기판(210)은 타겟기판(250)이 신장되는 정도보다 작은 정도로 신장되게 된다. On the other hand, the device 220, one surface may be adhered to the target substrate 250, the other surface is adhered to the thin film transistor 221 adhered to the base substrate 210. However, since the first elastic modulus of the base substrate 210 is higher than the second elastic modulus of the target substrate 250, the base substrate 210 is extended to a degree smaller than the extent to which the target substrate 250 is extended.

특히, 베이스기판(210)이 유리기판인 경우, 베이스기판(210)은 거의 신장되지 않을 수 있다. 따라서, 타겟기판(250)이 신장되더라도 소자(220)는 베이스기판(210)에 점착되어 신장되지 않을 수 있으며, 이를 통해, 소자(220)에 가해지는 스트레인이 감소될 수 있어 소자(220)의 파손이 방지될 수 있다. In particular, when the base substrate 210 is a glass substrate, the base substrate 210 may be hardly stretched. Therefore, even when the target substrate 250 is stretched, the device 220 may not adhere to the base substrate 210 and thus may not be stretched. As a result, the strain applied to the device 220 may be reduced, so that the device 220 may be reduced. Breakage can be prevented.

또한, 베이스기판(210)은 소자(220)를 외부의 충격으로부터 보호할 수도 있다. In addition, the base substrate 210 may protect the device 220 from external impact.

소자(220)가 발광소자인 경우, 소자(220)에서 발광되는 빛은 베이스기판(210)을 통해 발광될 수 있다. 그리고, 박막트랜지스터(221)는 소자(220)에서 발광되는 빛이 가려지지 않도록 중공 형태를 가질 수 있다. When the device 220 is a light emitting device, the light emitted from the device 220 may be emitted through the base substrate 210. The thin film transistor 221 may have a hollow shape so that light emitted from the device 220 is not blocked.

더하여, 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 패시베이션단계(S180)를 더 포함할 수 있다. In addition, the stretchable device manufacturing method using the transfer process may further include a passivation step (S180).

패시베이션단계(S180)는 신축가능한 디바이스의 표면이나 접합부를 패시베이션(Passivation)하는 단계일 수 있다.The passivation step S180 may be a passivation of a surface or a junction of the stretchable device.

한편, 도 3에서 보는 바와 같이, 포지셔닝단계(S150)에서는, 전사필름(230)을 신장시켜 연결될 타겟영역(251)로 소자모듈(240)을 위치시킬 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 3, in the positioning step S150, the device module 240 may be positioned as the target region 251 to be stretched and connected to the transfer film 230.

즉, 타겟기판(250)에 마련되는 해당 타겟영역(251) 간의 제1간격(D1)보다 소자모듈(240) 간의 제2간격(D2)이 좁은 경우, 전사필름(230)의 측부에서 인장력(F)을 작용하여 전사필름(230)을 양측으로 잡아당김으로써 전사필름(230)을 신장시킬 수 있다. 그리고, 전사필름(230)을 신장시킴으로써, 소자모듈(240) 간의 제2간격(D2)이 해당 타겟영역(251) 간의 제1간격(D1)과 동일해지도록 할 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈(240)을 타겟영역(251)로 전사함으로써 해당 타겟영역(251)에 소자모듈(240)이 전사되도록 할 수 있다. That is, when the second interval D2 between the device modules 240 is smaller than the first interval D1 between the corresponding target regions 251 provided on the target substrate 250, the tensile force ( The transfer film 230 may be extended by pulling the transfer film 230 to both sides by operating F). In addition, by extending the transfer film 230, the second gap D2 between the device modules 240 may be equal to the first gap D1 between the target areas 251. In this state, the device module 240 may be transferred to the target area 251 by transferring the device module 240 to the target area 251.

한편, 도시되지는 않았지만, 타겟기판에 마련되는 해당 타겟영역 간의 간격보다 소자모듈 간의 간격이 더 넓은 경우, 타겟기판의 측부에서 인장력을 작용하여 타겟기판을 양측으로 잡아당김으로써 타겟기판을 신장시킬 수 있다. 그리고, 타겟기판을 신장시킴으로써, 타겟영역 간의 간격이 넓어지도록 하여 타겟영역 간의 간격이 소자모듈 간의 간격과 동일해지도록 할 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈을 타겟영역로 전사함으로써 해당 타겟영역에 소자모듈이 전사되도록 할 수 있다.On the other hand, although not shown, if the distance between the device module is wider than the distance between the corresponding target area provided on the target substrate, the target substrate can be extended by pulling the target substrate to both sides by applying a tensile force on the side of the target substrate. have. By extending the target substrate, the distance between the target areas can be widened so that the distance between the target areas is equal to the distance between the device modules. In this state, the device module is transferred to the target area so that the device module can be transferred to the target area.

또한, 도 4에서 보는 바와 같이, 포지셔닝단계(S150)에서는, 전사필름(230)에 부착된 소자모듈 중에 해당 타겟영역(251)에 전사되지 않을 소자모듈(240a)을 전사필름(230)에서 분리함으로써 해당 타겟영역(251)에 전사될 소자모듈(240b)만 남겨 해당 타겟영역(251)에 대응되는 위치로 위치시킬 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈(240b)을 타겟영역(251)로 전사함으로써 해당 타겟영역(251)에 소자모듈(240b)이 전사되도록 할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 4, in the positioning step S150, the device module 240a that is not transferred to the target region 251 among the device modules attached to the transfer film 230 is separated from the transfer film 230. Accordingly, only the device module 240b to be transferred to the target area 251 may be left at a position corresponding to the target area 251. In this state, the device module 240b may be transferred to the target area 251 so that the device module 240b may be transferred to the target area 251.

더하여, 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 변화단계(S190), 표면처리단계(S191), 전도성소재 마련단계(S192), 비전도성소재 마련단계(S193) 그리고 리플로우단계(S194)를 더 포함할 수 있다.In addition, the stretchable device manufacturing method using the transfer process according to the first embodiment of the present invention is a change step (S190), surface treatment step (S191), conductive material preparation step (S192), non-conductive material preparation step (S193) And it may further include a reflow step (S194).

변화단계(S190)은 타겟영역(251)에 열 또는 빛을 가하여 타겟영역(251)이 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 단계일 수 있다. 이에 따라, 신축가능한 디바이스가 신장될 때, 소자모듈(240)에 작용하는 스트레인이 감소될 있으며, 이를 통해, 소자(220)가 더 안전하게 보호될 수 있다.The changing step S190 may be a step of changing the target region 251 to have a third elastic modulus higher than the second elastic modulus by applying heat or light to the target region 251. Accordingly, when the stretchable device is stretched, the strain acting on the device module 240 can be reduced, whereby the device 220 can be more securely protected.

변화단계(S190)은 배선마련단계(S140) 전, 후 또는 소자모듈전사단계(S160) 후에 진행될 수 있다.The change step S190 may be performed before or after the wiring preparation step S140 or after the device module transfer step S160.

표면처리단계(S191)은 소자모듈(240)과 배선(260) 간의 접착력이 증가되도록 배선(260) 및 소자모듈(240)을 플라즈마(P)로 표면처리하는 단계일 수 있다.The surface treatment step S191 may be a step of surface treating the wiring 260 and the device module 240 with the plasma P so that the adhesion between the device module 240 and the wiring 260 is increased.

플라즈마(P) 표면처리는 배선(260) 및 소자모듈(240)이 서로 대향되는 면에 이루어질 수 있다. 표면처리단계(S191)은 소자모듈전사단계(S160) 전에 진행될 수 있다. 도 2에는 소자모듈(240) 및 배선(260)의 일부에만 플라즈마(P) 공정이 도시되었으나 이는 예시를 위한 것이며, 플라즈마(P) 공정은 전사가 이루어지는 소자모듈(240) 및 배선(260) 전체에 적용될 수 있다.Plasma P surface treatment may be performed on a surface in which the wiring 260 and the device module 240 face each other. The surface treatment step S191 may be performed before the device module transfer step S160. In FIG. 2, only a portion of the device module 240 and the wiring 260 is shown in the plasma (P) process, but this is for illustrative purposes, and the plasma (P) process is the whole of the device module 240 and the wiring 260 where the transfer is performed. Can be applied to

전도성소재 마련단계(S192)는 소자모듈(240)의 제1전극(222)과 배선(260)의 제2전극(261)의 사이에 전도성 접착소재(262)를 마련하는 단계일 수 있다. The conductive material preparing step S192 may be a step of preparing a conductive adhesive material 262 between the first electrode 222 of the device module 240 and the second electrode 261 of the wiring 260.

이를 통해, 제1전극(222) 및 제2전극(261) 간의 접착력이 향상될 수 있고, 기계적 신뢰성 및 전기적 신뢰성이 확보될 수 있다. 전도성 접착소재(262)는 예를 들면, 솔더범프, 솔더페이스트, 비등방성 전도성 페이스트(ACP), 비등방성 전도성 필름(ACF) 등일 수 있다. Through this, adhesion between the first electrode 222 and the second electrode 261 may be improved, and mechanical and electrical reliability may be secured. The conductive adhesive material 262 may be, for example, a solder bump, a solder paste, an anisotropic conductive paste (ACP), an anisotropic conductive film (ACF), or the like.

전도성소재 마련단계(S192)는 소자모듈전사단계(S160) 전에 진행될 수 있다. The conductive material preparing step (S192) may be performed before the device module transfer step (S160).

비전도성소재 마련단계(S193)은 전도성소재 마련단계(S192) 후에, 전도성 접착소재(262)가 내측에 포함되도록 제1전극(222) 및 제2전극(261) 사이에 비전도성 접착소재(263)을 마련하는 단계일 수 있다.In the non-conductive material preparing step S193, after the conductive material preparing step S192, the non-conductive adhesive material 263 is disposed between the first electrode 222 and the second electrode 261 such that the conductive adhesive material 262 is included therein. May be prepared.

비전도성 접착소재(263)는 예를 들면, 비전도성 필름(NCF) 등일 수 있다. 비전도성 접착소재(263)가 더 마련함으로써 제1전극(222) 및 제2전극(261) 간의 접착력이 향상될 수 있고, 기계적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 높일 수 있다.The nonconductive adhesive material 263 may be, for example, a nonconductive film (NCF) or the like. By further providing the non-conductive adhesive material 263, the adhesive force between the first electrode 222 and the second electrode 261 may be improved, and mechanical and electrical reliability may be improved.

리플로우단계(S194)는 소자모듈전사단계(S160) 후, 또는 전사필름박리단계(S170) 후에 진행될 수 있다.The reflow step S194 may be performed after the device module transfer step S160 or after the transfer film peeling step S170.

전도성소재 마련단계(S192)만 진행되는 경우, 리플로우 공정을 통해 전도성 접착소재(262)가 경화될 수 있다. 그리고, 전도성소재 마련단계(S192) 이후 비전도성소재 마련단계(S193)도 진행되는 경우, 리플로우 공정을 통해 전도성 접착소재(262) 및 비전도성 접착소재(263)가 모두 경화될 수 있으며, 이를 통해, 제1전극(222) 및 제2전극(261)의 기계적 신뢰성 및 전기적 신뢰성이 향상될 수 있다.When only the conductive material preparing step (S192) is performed, the conductive adhesive material 262 may be cured through a reflow process. In addition, when the non-conductive material preparing step (S193) is also performed after the conductive material preparing step (S192), both the conductive adhesive material 262 and the non-conductive adhesive material 263 may be cured through a reflow process. Through this, the mechanical reliability and electrical reliability of the first electrode 222 and the second electrode 261 may be improved.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 흐름도이고, 도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 공정도이고, 도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 일례를 나타낸 예시도이고, 도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 다른 예를 나타낸 예시도이다.6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a second embodiment of the present invention. 8 is an exemplary view showing an example of a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a stretchable device using a transfer process according to a second embodiment of the present invention. It is an illustrative figure which shows the other example of a manufacturing method.

먼저, 도 6 및 도 7에서 보는 바와 같이, 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 소자형성단계(S310), 소자모듈마련단계(S320), 소자모듈박리단계(S330), 포지셔닝단계(S340), 소자모듈전사단계(S350), 전사필름박리단계(S360) 그리고 배선마련단계(S370)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIGS. 6 and 7, a method of manufacturing a stretchable device using a transfer process may include a device forming step (S310), a device module preparing step (S320), a device module peeling step (S330), and a positioning step (S340). It may include a device module transfer step (S350), the transfer film peeling step (S360) and the wiring preparation step (S370).

소자형성단계(S310)는 기본기판(410)의 상부에 제1탄성계수를 가지는 베이스층(420)을 마련하고, 베이스층(420)의 상부에 소자(430)를 형성하는 단계일 수 있다. The device forming step S310 may be a step of forming a base layer 420 having a first elastic modulus on the base substrate 410 and forming an element 430 on the base layer 420.

기본기판(410)은 투명성을 가질 수 있으며, 소다라임 유리기판, 무알칼리 유리기판 또는 강화유리기판 등 각종의 유리기판이 적용될 수 있다. 나아가, 기본기판(410)은 사파이어, 투명 수지 재질로 이루어질 수도 있다. 또는, 기본기판(410)은 불투명성을 가질 수도 있다.The base substrate 410 may have transparency, and various glass substrates such as a soda lime glass substrate, an alkali free glass substrate, or a tempered glass substrate may be applied. Further, the base substrate 410 may be made of sapphire, transparent resin material. Alternatively, the base substrate 410 may have opacity.

베이스층(420)은 기본기판(410)의 상부에 마련될 수 있으며, 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 베이스층(420)은 기본기판(410)의 상부에 스핀 코팅, 바 코팅, 블레이드 코팅 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. The base layer 420 may be provided on the base substrate 410 and may be made of a polymer material. The base layer 420 may be formed on the base substrate 410 by spin coating, bar coating, blade coating, or the like.

그리고 베이스층(420)은 제1탄성계수를 가질 수 있다. 베이스층(420)은 제1실시예에서 설명한 베이스기판(210, 도 2 참조)보다는 큰 신축성을 가질 수 있고, 따라서 길이방향 및 폭방향으로 신축될 수 있으나, 신축율은 후술할 타겟기판(460)의 신축율보다 작을 수 있다.The base layer 420 may have a first elastic modulus. The base layer 420 may have greater elasticity than the base substrate 210 (refer to FIG. 2) described in the first embodiment, and thus may be stretched in the longitudinal direction and the width direction, but the stretching ratio is the target substrate 460 which will be described later. May be less than the rate of expansion.

소자(430)는 발광소자일 수 있으며, 예를 들면, OLED나 마이크로 LED일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The device 430 may be a light emitting device, and may be, for example, an OLED or a micro LED, but is not limited thereto.

소자(430)는 박막트랜지스터(431)와 함께 마련될 수 있다. 일례로, 박막트랜지스터(431)는 베이스층(420)의 상부에 마련되고, 소자(430)는 박막트랜지스터(431)의 상부에 마련될 수 있다. The device 430 may be provided together with the thin film transistor 431. For example, the thin film transistor 431 may be provided on the base layer 420, and the device 430 may be provided on the thin film transistor 431.

소자모듈마련단계(S320)는 소자(430)에 대응되도록 베이스층(420)을 커팅하여 커팅된 베이스층(421)과 소자(430)를 가지는 소자모듈(440)을 마련하는 단계일 수 있다.The device module preparation step S320 may be a step of preparing the device module 440 having the cut base layer 421 and the device 430 by cutting the base layer 420 to correspond to the device 430.

여기서, 소자모듈(440)은 커팅된 베이스층(421)과 소자(430)를 가진다고 설명하였으나, 소자모듈(440)이 박막트랜지스터(431)를 더 포함할 수 있음은 물론이다.Here, although the device module 440 has been described as having the cut base layer 421 and the device 430, the device module 440 may further include a thin film transistor 431.

베이스층(420)은 레이저 절단, 기계적 소잉(Sawing) 등의 방법으로 커팅될 수 있으며, 이를 통해, 소자(430)는 아이솔레이션될 수 있다.The base layer 420 may be cut by laser cutting, mechanical sawing, or the like, and through this, the device 430 may be isolated.

소자모듈박리단계(S330)는 소자모듈(440)의 상부에 전사필름(450)을 부착하여 기본기판(410)부터 소자모듈(440)을 박리하는 단계일 수 있다.The device module peeling step (S330) may be a step of peeling the device module 440 from the base substrate 410 by attaching the transfer film 450 to the top of the device module 440.

전사필름(450)은 신축성을 가질 수 있다. 따라서, 전사필름(450)은 길이방향 및 폭방향으로 신축될 수 있다.The transfer film 450 may have elasticity. Therefore, the transfer film 450 may be stretched in the longitudinal direction and the width direction.

기본기판(410)부터 소자모듈(440)을 박리하기 위해서는 다양한 방법이 사용될 수 있는데, 예를 들면, 광 절연막 제거(LLO: Laser Lift Off)(10) 방법이 사용될 수 있다. 광 절연막 제거(10) 공정이 적용된 후, 기본기판(410)과 소자모듈(440) 간의 결합력은 전사필름(450)과 소자모듈(440) 간의 점착력보다 작을 수 있으며, 이에 따라, 소자모듈(440)이 전사필름(450)에 점착된 상태에서 소자모듈(440)은 기본기판(410)부터 박리될 수 있다.Various methods may be used to peel the device module 440 from the base substrate 410. For example, a laser lift off (LLO) 10 method may be used. After the photo-insulating layer removal 10 process is applied, the bonding force between the base substrate 410 and the device module 440 may be smaller than the adhesive force between the transfer film 450 and the device module 440, and thus, the device module 440. The device module 440 may be peeled from the base substrate 410 in the state in which the) is adhered to the transfer film 450.

포지셔닝단계(S340)는 베이스층(421)을 타겟기판(460)의 상부와 마주보게 배치하고, 전사될 해당 전사영역(461)에 소자모듈(440)을 위치시키는 단계일 수 있다. In the positioning step S340, the base layer 421 may be disposed to face the upper portion of the target substrate 460, and the device module 440 may be positioned in the corresponding transfer area 461 to be transferred.

타겟기판(460)은 베이스층(421)이 가지는 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가질 수 있다. 따라서, 타겟기판(460)은 신축성을 가질 수 있으며, 베이스층(420)보다 큰 신축율을 가질 수 있다. 타겟기판(460)은 길이방향 및 폭방향으로 신축될 수 있다.The target substrate 460 may have a second elastic modulus lower than the first elastic modulus of the base layer 421. Therefore, the target substrate 460 may have elasticity and may have a greater elasticity than the base layer 420. The target substrate 460 may be stretched in the longitudinal direction and the width direction.

타겟기판(460)의 상부에는 소자모듈이 전사될 전사영역(461)을 가질 수 있다. 여기서, 전사영역(461)은 타겟기판(460)에 마킹된 표시되거나, 타겟기판(460) 상에 표시되지는 않지만 소자모듈(440)을 타겟기판(460)에 포지셔닝하기 위해 사용되는 광학장치의 화면에 표시되는 것일 수도 있고, 또는 타겟기판(460) 상에 투사되는 영상일 수도 있으며, 그 외에 다양한 형태로 구현될 수 있다.An upper portion of the target substrate 460 may have a transfer region 461 to which the device module is to be transferred. Here, the transfer area 461 may be marked on the target substrate 460, or may not be displayed on the target substrate 460, but may be used to position the device module 440 on the target substrate 460. The image may be displayed on a screen, or may be an image projected on the target substrate 460, and may be implemented in various forms.

포지셔닝단계(S340)에서 소자모듈(440)은 전사영역(461)의 수직 상방에 위치될 수 있다.In the positioning step S340, the device module 440 may be positioned vertically above the transfer area 461.

본 실시예에서, 소자모듈(440)은 베이스층(421)이 타겟기판(460)의 상면을 향하도록 포지셔닝될 수 있다. 즉, 페이스업(Face-up) 공정으로 진행될 수 있다.In this embodiment, the device module 440 may be positioned such that the base layer 421 faces the upper surface of the target substrate 460. That is, the process may proceed to a face-up process.

소자모듈전사단계(S350)는 전사영역(461)에 소자모듈(440)을 전사하는 단계일 수 있다.The device module transfer step S350 may be a step of transferring the device module 440 to the transfer area 461.

그리고, 전사필름박리단계(S360)는 전사필름(450)을 소자모듈(440)에서 박리하는 단계일 수 있다.In addition, the transfer film peeling step S360 may be a step of peeling the transfer film 450 from the device module 440.

전사필름(450)과 소자모듈(440) 간의 점착력은 타겟기판(460)과 소자모듈(440) 간의 결합력보다 작을 수 있으며, 이에 따라, 소자모듈(440)이 타겟기판(460)에 결합된 상태에서 전사필름(450)은 소자모듈(440)로부터 박리될 수 있다. The adhesive force between the transfer film 450 and the device module 440 may be smaller than the coupling force between the target substrate 460 and the device module 440. Accordingly, the device module 440 is coupled to the target substrate 460. The transfer film 450 may be peeled from the device module 440.

배선마련단계(S370)는 소자(430)와 타겟기판(460)을 배선(470)으로 연결하는 단계일 수 있다. 물론, 배선(470)은 소자(430) 및 박막트랜지스터(431) 중 어느 하나 이상에 연결될 수 있다. 즉, 배선(470)은 타겟기판(460)과 소자모듈(440)을 전기적으로 연결할 수 있다. 배선(470)은 금속전극일 수 있다.The wiring preparation step S370 may be a step of connecting the device 430 and the target substrate 460 to the wiring 470. Of course, the wiring 470 may be connected to any one or more of the device 430 and the thin film transistor 431. That is, the wiring 470 may electrically connect the target substrate 460 and the device module 440. The wiring 470 may be a metal electrode.

배선(470)은 신축성을 가질 수 있으며, 따라서, 타겟기판(460)이 신축 시에 이에 대응하여 신축될 수 있다. The wiring 470 may be elastic, and thus, the target substrate 460 may be stretched and correspondingly stretched.

타겟기판(460)이 수축된 상태에서 배선(470)이 마련되는 경우, 배선(470)도 수축된 상태로 마련되는 것이 바람직하다. 반면에, 타겟기판(460)이 신장된 상태에서 배선(470)이 마련되는 경우, 배선(470)도 신장된 상태로 마련되는 것이 바람직하며, 이를 통해, 타겟기판(460)이 신축 시에 배선(470)은 단선이 방지되면서 타겟기판(460)의 신축에 대응하여 안전하게 신축될 수 있다. When the wiring 470 is provided in the contracted state of the target substrate 460, the wiring 470 may be provided in the contracted state. On the other hand, when the wiring 470 is provided in a state where the target substrate 460 is extended, the wiring 470 is also preferably provided in an extended state, and through this, when the target substrate 460 is stretched, 470 may be safely stretched in response to the stretching of the target substrate 460 while the disconnection is prevented.

더하여, 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 절연층마련단계(S365)를 더 포함할 수 있다.In addition, the stretchable device manufacturing method using the transfer process may further include an insulating layer preparation step (S365).

절연층마련단계(S365)는 타겟기판(460)의 상부에 베이스층(420)에 대응되는 높이의 절연층(480)을 마련하는 단계일 수 있다. 절연층마련단계(S365)는 소자모듈(440)의 높이가 매우 낮은 경우에는 생략될 수도 있다. 그러나, 절연층마련단계(S365)가 필요한 경우에, 절연층마련단계(S365)는 배선마련단계(S370) 이전에 진행될 수 있으며, 배선(470)은 베이스층(420) 및 절연층(480)의 상부에 마련될 수 있다.The insulating layer preparing step S365 may be a step of preparing an insulating layer 480 having a height corresponding to the base layer 420 on the target substrate 460. The insulating layer preparing step S365 may be omitted when the height of the device module 440 is very low. However, when the insulating layer preparation step S365 is required, the insulating layer preparation step S365 may be performed before the wiring preparation step S370, and the wiring 470 may be the base layer 420 and the insulating layer 480. It may be provided at the top of the.

절연층(480)은 신축성을 가질 수 있으며, 이에 따라, 타겟기판(460)이 신축될 때, 대응하여 신축될 수 있다.The insulating layer 480 may be stretched, and thus, when the target substrate 460 is stretched, it may be stretched correspondingly.

본 실시예에서, 소자(430)는 베이스층(421)에 점착된다. 그런데, 베이스층(421)의 제1탄성계수는 타겟기판(460)의 제2탄성계수보다 높기 때문에, 베이스층(421)은 타겟기판(460)이 신장되는 정도보다 작은 정도로 신장되게 된다. 특히, 베이스층(421)의 신장정도는 베이스층(421)이 최대로 신장되더라도 소자(220)가 파손되지 않을 정도의 신장율을 가지는 것이 바람직하다. 이를 통해서, 타겟기판(460)이 신장되더라도 소자(430)의 파손은 방지될 수 있다. In this embodiment, the element 430 is adhered to the base layer 421. However, since the first elastic modulus of the base layer 421 is higher than the second elastic modulus of the target substrate 460, the base layer 421 is extended to a degree smaller than the extent to which the target substrate 460 is extended. In particular, the degree of elongation of the base layer 421 preferably has an elongation rate such that the element 220 does not break even when the base layer 421 is elongated to the maximum. Through this, even if the target substrate 460 is extended, breakage of the element 430 may be prevented.

그리고, 배선마련단계(S370) 이후에 패시베이션공정이 추가될 수 있다. In addition, a passivation process may be added after the wiring preparation step (S370).

한편, 도 8에서 보는 바와 같이, 포지셔닝단계(S340)에서는, 전사필름(450)을 신장시켜 해당 전사영역(461)에 소자모듈(440)을 위치시킬 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 8, in the positioning step S340, the transfer film 450 may be extended to place the device module 440 in the transfer area 461.

즉, 타겟기판(460)의 전사영역(461) 간의 제1간격(D1)보다 소자모듈(440) 간의 제2간격(D2)이 좁은 경우, 전사필름(450)의 측부에서 인장력(F)을 작용하여 전사필름(450)을 양측으로 잡아당김으로써 전사필름(450)을 신장시킬 수 있다. 그리고, 전사필름(450)을 신장시킴으로써, 소자모듈(440) 간의 제2간격(D2)이 전사영역(461) 간의 제1간격(D1)과 동일해지도록 할 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈(440)을 타겟기판(460)으로 전사함으로써 해당 전사영역(461)에 소자모듈(440)이 전사되도록 할 수 있다. That is, when the second interval D2 between the device modules 440 is narrower than the first interval D1 between the transfer regions 461 of the target substrate 460, the tensile force F is applied at the side of the transfer film 450. By acting, the transfer film 450 may be stretched by pulling the transfer film 450 to both sides. By extending the transfer film 450, the second gap D2 between the device modules 440 may be equal to the first gap D1 between the transfer regions 461. In this state, the device module 440 may be transferred to the target substrate 460 so that the device module 440 may be transferred to the corresponding transfer area 461.

더하여, 도시되지는 않았지만, 타겟기판에 마련되는 해당 전사영역 간의 간격보다 소자모듈 간의 간격이 더 넓은 경우, 타겟기판의 측부에서 인장력을 작용하여 타겟기판을 양측으로 잡아당김으로써 타겟기판을 신장시킬 수 있다. 그리고, 타겟기판을 신장시킴으로써, 전사영역 간의 간격이 넓어지도록 하여 전사영역 간의 간격이 소자모듈 간의 간격과 동일해지도록 할 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈을 전사영역로 전사함으로써 해당 전사영역에 소자모듈이 전사되도록 할 수 있다.In addition, although not shown, when the spacing between the device modules is wider than the spacing between the corresponding transfer regions provided on the target substrate, the target substrate can be stretched by pulling the target substrate to both sides by applying a tensile force on the side of the target substrate. have. By extending the target substrate, the distance between the transfer regions can be widened so that the distance between the transfer regions is equal to the distance between the device modules. In this state, the device module can be transferred to the transfer area so that the device module can be transferred to the transfer area.

또한, 도 9에서 보는 바와 같이, 포지셔닝단계(S340)에서는, 전사필름(450)에 부착된 소자모듈 중에 해당 전사영역(461)에 대응되지 않는 소자모듈(440)을 전사필름(450)에서 분리하여 해당 전사영역(461)에 대응되는 소자모듈(440)만 남길 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈(440)을 타겟기판(460)으로 전사함으로써 해당 전사영역(461)에 소자모듈(440)이 전사되도록 할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 9, in the positioning step S340, the device module 440 that does not correspond to the transfer area 461 among the device modules attached to the transfer film 450 is separated from the transfer film 450. Therefore, only the device module 440 corresponding to the transfer region 461 may be left. In this state, the device module 440 may be transferred to the target substrate 460 so that the device module 440 may be transferred to the corresponding transfer area 461.

더하여, 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 변화단계(S390), 표면처리단계(S391) 그리고 리플로우단계(S380)를 더 포함할 수 있다.In addition, the stretchable device manufacturing method using the transfer process according to the second embodiment of the present invention may further include a change step (S390), a surface treatment step (S391) and a reflow step (S380).

변화단계(S390)는 전사영역(461)에 열 또는 빛을 가하여 전사영역(461)이 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 단계일 수 있다. 이에 따라, 신축가능한 디바이스가 신장될 때, 소자모듈(440)에 작용하는 스트레인이 감소될 있으며, 이를 통해, 소자(430)가 더 안전하게 보호될 수 있다.The changing step S390 may be a step of changing the transfer region 461 to have a third elastic modulus higher than the second elastic modulus by applying heat or light to the transfer region 461. Accordingly, when the stretchable device is stretched, the strain acting on the device module 440 is reduced, thereby allowing the device 430 to be more securely protected.

변화단계(S390)는 포지셔닝단계(S340) 전 또는 소자모듈전사단계(S350) 후에 진행될 수 있다.The change step S390 may be performed before the positioning step S340 or after the device module transfer step S350.

표면처리단계(S391)는 소자모듈(440)과 배선(470) 간의 접착력이 증가되도록 소자모듈(440)을 플라즈마(P)로 표면처리하는 단계일 수 있다. 도 7에는 일부에만 플라즈마(P) 공정이 도시되었으나, 이는 예시를 위한 것이며, 플라즈마(P) 공정은 배선(470)이 마련될 소자모듈(440) 전체에 적용될 수 있다. 플라즈마(P) 표면처리는 배선마련단계(S370) 전에 진행될 수 있다.The surface treatment step S391 may be a step of surface treating the device module 440 with plasma P so that the adhesion between the device module 440 and the wiring 470 is increased. Although only a portion of the plasma P process is illustrated in FIG. 7, this is for illustrative purposes, and the plasma P process may be applied to the entire device module 440 on which the wiring 470 is to be provided. The plasma P surface treatment may be performed before the wiring preparation step S370.

그리고, 배선마련단계(S370)에서는 소자모듈(440)의 제1전극(미도시)과 배선(470)의 제2전극(미도시) 사이에 전도성 접착소재(미도시)를 더 마련할 수 있다. 여기서, 전도성 접착소재는 제1실시예에서 설명한 전도성 접착소재(262)와 동일한 것일 수 있으며, 나아가, 비결정질 금속일 수도 있다. 전도성 접착소재는 도금 공정, 포토리소그래피 공정, 전도성 소재 프린팅 공정 등으로 마련될 수 있다.In the wiring preparation step (S370), a conductive adhesive material (not shown) may be further provided between the first electrode (not shown) of the device module 440 and the second electrode (not shown) of the wiring 470. . Here, the conductive adhesive material may be the same as the conductive adhesive material 262 described in the first embodiment, or may be an amorphous metal. The conductive adhesive material may be provided by a plating process, a photolithography process, a conductive material printing process, or the like.

그리고, 제1전극 및 제2전극은 제1실시예에서 설명한 제1전극(222) 및 제2전극(261)과 동일한 것일 수 있다.The first electrode and the second electrode may be the same as the first electrode 222 and the second electrode 261 described in the first embodiment.

한편, 본 발명의 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법에 의해 신축가능한 디바이스가 제조될 수 있으며, 신축가능한 디바이스는 디스플레이 장치, 전자 스킨(electronic skins), 센서 어레이 등을 포함할 수 있다.Meanwhile, a stretchable device may be manufactured by the stretchable device manufacturing method using the transfer process of the present invention, and the stretchable device may include a display device, electronic skins, a sensor array, and the like.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the invention is indicated by the following claims, and it should be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are included in the scope of the invention.

210,211: 베이스기판
220,430: 소자
221,431: 박막트랜지스터
230,450: 전사필름
240,440: 소자모듈
250,460: 타겟기판
251: 타겟영역
260,470: 배선
410: 기본기판
420,421: 베이스층
461: 전사영역
480: 절연층
210,211: base substrate
220,430: device
221,431: thin film transistor
230,450: transfer film
240,440: device module
250,460: target substrate
251: target area
260,470: wiring
410: basic substrate
420,421: base layer
461: transcription area
480: insulation layer

Claims (19)

제1탄성계수를 가지는 베이스기판의 상부에 소자를 형성하는 소자형성단계;
상기 베이스기판의 하부에 전사필름을 부착하는 전사필름부착단계;
상기 소자에 대응되도록 상기 베이스기판을 커팅하여 커팅된 베이스기판과 상기 소자를 가지는 소자모듈을 마련하는 소자모듈마련단계;
상기 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판의 상부에 배선을 마련하는 배선마련단계;
상기 소자를 상기 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 연결될 해당 배선 사이의 타겟영역에 상기 소자모듈을 각각 위치시키는 포지셔닝단계;
상기 소자가 상기 해당 배선과 전기적으로 연결되도록 상기 소자모듈을 상기 타겟기판의 상부의 상기 타겟영역에 전사하는 소자모듈전사단계; 그리고
상기 전사필름을 상기 소자모듈에서 박리하는 전사필름박리단계를 포함하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
An element forming step of forming an element on the base substrate having a first elastic modulus;
A transfer film attaching step of attaching a transfer film to a lower portion of the base substrate;
A device module preparation step of cutting the base substrate so as to correspond to the device, and preparing a device module having the cut base substrate and the device;
A wiring preparation step of providing a wiring on an upper portion of the target substrate having a second elastic modulus lower than the first elastic modulus;
Positioning the device so as to face the upper portion of the target substrate, and positioning the device module in a target area between corresponding wires to be connected;
A device module transfer step of transferring the device module to the target area on the target substrate so that the device is electrically connected to the corresponding wiring; And
A stretchable device manufacturing method using a transfer process comprising a transfer film peeling step of peeling the transfer film from the device module.
제1항에 있어서,
상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름을 신장시켜 상기 타겟영역으로 상기 소자모듈을 위치시키는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 1,
And in the positioning step, stretch the transfer film to position the device module in the target region.
제1항에 있어서,
상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름에 부착된 상기 소자모듈 중에 상기 타겟영역에 전사되지 않을 소자모듈을 상기 전사필름에서 분리함으로써 상기 해당 타겟영역에 전사될 소자모듈만 남겨 상기 해당 타겟영역에 대응되는 위치로 위치시키는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 1,
In the positioning step, by separating the device module that is not to be transferred to the target area of the device module attached to the transfer film from the transfer film, leaving only the device module to be transferred to the target area corresponding to the target area A method of manufacturing a stretchable device using a transfer process, characterized in that the position.
제1항에 있어서,
상기 배선마련단계 전, 후 또는 상기 소자모듈전사단계 후에, 상기 타겟영역에 열 또는 빛을 가하여 상기 타겟영역이 상기 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 변화단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 1,
The method may further include changing the target region to have a third elastic modulus higher than the second elastic modulus by applying heat or light to the target region before, after the wiring preparation step or after the device module transfer step. A stretchable device manufacturing method using a transfer process, characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 소자모듈전사단계 전에, 상기 소자모듈과 상기 배선의 접착력이 증가되도록 상기 배선 및 상기 소자모듈을 플라즈마로 표면처리하는 표면처리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 1,
Before the device module transfer step, further comprising a surface treatment step of surface-treating the wiring and the device module with a plasma so that the adhesion between the device module and the wiring is increased. .
제1항에 있어서,
상기 소자모듈전사단계 전에, 상기 소자모듈의 제1전극과 상기 배선의 제2전극의 사이에 전도성 접착소재를 마련하는 전도성소재 마련단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 1,
Before the device module transfer step, manufacturing a stretchable device using a transfer process further comprising the step of preparing a conductive material for providing a conductive adhesive material between the first electrode of the device module and the second electrode of the wiring. Way.
제6항에 있어서,
상기 소자모듈전사단계 후, 또는 상기 전사필름박리단계 후에, 상기 전도성 접착소재를 경화시키는 리플로우단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 6,
After the device module transfer step, or after the transfer film peeling step, a flexible device manufacturing method using a transfer process further comprising a reflow step of curing the conductive adhesive material.
제6항에 있어서,
상기 전도성소재 마련단계 후에, 상기 전도성 접착소재가 내측에 포함되도록 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 비전도성 접착소재를 마련하는 비전도성소재 마련단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 6,
After the conductive material preparing step, the non-conductive material preparing step of providing a non-conductive adhesive material between the first electrode and the second electrode so that the conductive adhesive material is included in the transfer process further comprising a Flexible device manufacturing method using.
제8항에 있어서,
상기 소자모듈전사단계 후, 또는 상기 전사필름박리단계 후에, 상기 전도성 접착소재 및 상기 비전도성 접착소재를 경화시키는 리플로우단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 8,
After the device module transfer step, or after the transfer film peeling step, a reflow step of hardening the conductive adhesive material and the non-conductive adhesive material further comprising the step of manufacturing a stretchable device using a transfer process.
삭제delete 기본기판의 상부에 제1탄성계수를 가지는 베이스층을 마련하고, 상기 베이스층의 상부에 소자를 형성하는 소자형성단계;
상기 소자에 대응되도록 상기 베이스층을 커팅하여 커팅된 베이스층과 상기 소자를 가지는 소자모듈을 마련하는 소자모듈마련단계;
상기 소자모듈의 상부에 전사필름을 부착하여 상기 기본기판으로부터 상기 소자모듈을 박리하는 소자모듈박리단계;
상기 베이스층을 상기 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 전사될 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 위치시키는 포지셔닝단계;
상기 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 전사하는 소자모듈전사단계;
상기 전사필름을 상기 소자모듈에서 박리하는 전사필름박리단계; 그리고
상기 소자와 상기 타겟기판을 배선으로 연결하는 배선마련단계를 포함하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
An element forming step of providing a base layer having a first elastic modulus on the base substrate and forming an element on the base layer;
A device module preparation step of cutting the base layer so as to correspond to the device and providing a device module having the cut base layer and the device;
A device module peeling step of attaching a transfer film to the upper portion of the device module to separate the device module from the base substrate;
Positioning the base layer so as to face an upper portion of a target substrate having a second elastic modulus lower than the first elastic modulus, and positioning the device module in a corresponding transfer region to be transferred;
A device module transfer step of transferring the device module to the transfer area;
A transfer film peeling step of peeling the transfer film from the device module; And
A method of manufacturing a stretchable device using a transfer process comprising a wiring preparation step of connecting the device and the target substrate by wiring.
제11항에 있어서,
상기 배선마련단계 이전에, 상기 타겟기판의 상부에 상기 베이스층에 대응되는 높이의 절연층을 마련하는 절연층마련단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 11,
And an insulation layer preparation step of preparing an insulation layer having a height corresponding to the base layer on the target substrate, before the wiring preparation step.
제12항에 있어서,
상기 배선마련단계에서, 상기 배선은 상기 베이스층 및 상기 절연층의 상부에 마련되는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 12,
In the wiring preparation step, the wiring is a stretchable device manufacturing method using a transfer process, characterized in that provided on top of the base layer and the insulating layer.
제11항에 있어서,
상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름을 신장시켜 상기 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 위치시키는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 11,
And in the positioning step, stretch the transfer film to position the device module in the transfer area.
제11항에 있어서,
상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름에 부착된 상기 소자모듈 중에 상기 해당 전사영역에 대응되지 않을 소자모듈을 상기 전사필름에서 분리하여 상기 해당 전사영역에 대응되는 소자모듈만 남기는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 11,
In the positioning step, a transfer process, characterized in that the device module attached to the transfer film, which does not correspond to the transfer area, is separated from the transfer film, leaving only the device module corresponding to the transfer area. Flexible device manufacturing method using.
제11항에 있어서,
상기 포지셔닝단계 전 또는 상기 소자모듈전사단계 후에, 상기 전사영역에 열 또는 빛을 가하여 상기 전사영역이 상기 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 변화단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 11,
Before the positioning step or after the device module transfer step, by applying heat or light to the transfer region, characterized in that it further comprises a change step of changing the transfer region to have a third elastic modulus higher than the second elastic modulus A stretchable device manufacturing method using a transfer process.
제11항에 있어서,
상기 배선마련단계 전에, 상기 소자모듈과 상기 배선의 접착력이 증가되도록 상기 소자모듈을 플라즈마로 표면처리하는 표면처리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 11,
And a surface treatment step of surface-treating the device module with plasma so as to increase the adhesion between the device module and the wiring before the wiring preparation step.
제11항에 있어서,
상기 배선마련단계에서, 상기 소자모듈의 제1전극과 상기 배선의 제2전극의 사이에 전도성 접착소재를 더 마련하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
The method of claim 11,
In the wiring preparation step, a flexible adhesive manufacturing method using a transfer process, characterized in that further providing a conductive adhesive material between the first electrode of the device module and the second electrode of the wiring.
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