KR102008463B1 - 패널 테스트를 위한 프로브 핀의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 필름은, 플렉시블한 필름; 및 상기 필름의 일면에 배열되어 상기 패널의 리드선들과 접촉하는 도전성의 접촉라인들을 포함하고, 상기 접촉라인들은, 끝단이 상기 필름의 일측으로 돌출되도록 형성되고, 상기 리드선들과 접촉하도록 돌출된 상기 끝단의 돌출부분이 벤딩된 형상을 포함하고, 상기 접촉라인들 사이마다 상기 끝단으로부터 상기 필름의 일정 깊이까지 슬릿이 각각 형성된 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 패널 테스트를 위한 프로브 블록에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 패널 테스트를 위한 프로브 블록에 구비되는 프로브 핀의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 일반적으로 평판 디스플레이 패널이란 LCD, PDP 등의 표시장치를 말하는 것으로서, 액정디스플레이(LCD: Liquid Crystal Display) 는TFT(Thin Film Transistor), TN(Twisted Nematic), STN(Super Twisted Nematic), CSTN(Color Super Twisted Nematic), DSTN(Double Super Twisted Nematic) 타입 및 유기EL(Electro Luminescence) 타입이 있으며, 이러한 패널은 대형 가전 이외에도, 소형의 예컨대, 휴대폰과 같은 통신 기기의 액정 표시 패널에 채택된다.
이러한 소형의 액정 표시 패널에 대하여 픽셀에러(Pixel error) 없이 정상 작동 하는지를 검사하는데 프로브 블록이 사용된다. 프로브 블록에는 테스트 패널의 테스트 영역과 물리적으로 접속되는 프로브 핀이 구비된다.
본 발명과 관련된 선행문헌으로는 대한민국 등록번호 제10-1380618호(등록일자; 2014년 3월 27일)가 있으며, 상기 선행문헌에는 니들 타입의 프로브 핀에 대한 기술이 개시된다.
그런데, 이와 같은 종래의 프로브 블록의 경우에는, 프로브 블록에 대한 정렬을 확인하기 위해서는 카메라를 통해 프로브 블록에 구비된 프로브 핀을 상부에서 촬영하고, 촬영된 영상을 통해서 프로브 블록에 대한 정렬이 이루어질 수 있도록 한다. 그러나, 프로브 핀의 상부 단면이 금속의 전해 도금으로 인해, 카메라의 촬영시에 난반사를 일으키는 원인이 되며, 이에 따라 카메라에서 촬영되는 프로브 핀에 대한 선명한 이미지를 획득할 수 없게 된다. 따라서, 프로브 핀에 대한 선명한 영상을 획득할 수 없음으로 인해, 프로브 블록에 대한 정확한 정렬이 이루어질 수 없는 문제점이 발생한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 매우 좁은 피치를 구현하는 것이 가능한 프로브 블록의 장점을 유지하면서, 프로브 필름의 정렬을 용이하게 확인할 수 있도록 하는 패널 테스트를 위한 프로브 핀의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 패널 테스트를 위한 프로브 핀의 제조 방법은 금속재질의 핀 몸체부 및 상기 핀 몸체부의 끝단에 형성된 핀 첨두부를 포함하는 프로브 핀을 형성하는 단계; 상기 형성된 프로브 핀을 제1 금속을 이용하여 전해 도금처리를 수행하는 단계; 상기 프로브 핀의 정렬 위치를 확인하기 위해 카메라의 촬영 대상이 되는 상기 핀 첨두부의 상부 영역에 대한 산화 처리를 수행하는 단계; 및 산화 처리된 상기 상부 영역을 제2 금속을 이용하여 무전해 도금처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전해 도금처리를 수행하는 단계는, 상기 제1 금속으로서 금(Au) 및 은(Ag) 중 적어도 하나 이상을 이용하여 전해 도금처리를 수행하는 것을 특징으로 한다.
상기 핀 첨두부의 상기 상부 영역에 대한 산화 처리를 수행하는 단계는, 상기 프로브 핀 중에서 상기 상부 영역을 제외한 모든 영역을 마스킹 처리를 하고, 마스킹된 상기 프로브 핀에서 상기 상부 영역에 대한 산화 처리를 수행하는 것을 특징으로 한다.
상기 상부 영역을 상기 제2 금속을 이용하여 무전해 도금처리를 수행하는 단계는, 상기 제2 금속으로서 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나 이상을 이용하여 무전해 도금처리를 수행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 프로브 블록에 구비되는 프로브 핀의 상단부의 표면을 무전해 도금 처리를 함으로써, 프로브 블록의 정렬을 확인하기 위한 카메라의 촬영 시에도 나반사 발생을 억제하여 선명한 영상을 획득할 수 있도록 하며, 이에 따라 프로브 블록에 대한 정확한 정렬이 이루어질 수 있도록 한다.
도 1은 본 발명의 패널 테스트를 위한 프로브 핀의 제조 방법을 설명하기 위한 일 실시예의 플로차트이다.
도 2a는 패널 테스트를 위한 프로브 블록을 예시하는 참조도이고, 도 2b는 프로브 블록을 구성하는 프로브 핀의 배치 상태를 설명하기 위한 예시적인 참조도이고, 도 2c는 도 2b에 도시된 프로브 핀만을 도시한 참조도이다.
도 3은 핀 첨두부의 상부 영역에 대한 산화처리 수행과정을 설명하기 위한 예시적인 참조도이다.
도 4는 산화 처리된 핀 첨두부의 상부 영역에 제2 금속을 이용하여 무전해 도금하는 과정을 예시하는 참조도이다.
도 5a 및 도 5b는 프로브 핀에서 무전해 도금처리된 핀 첨두부의 상부 영역에 대한 표면 상태를 예시하는 참조도이다.
도 2a는 패널 테스트를 위한 프로브 블록을 예시하는 참조도이고, 도 2b는 프로브 블록을 구성하는 프로브 핀의 배치 상태를 설명하기 위한 예시적인 참조도이고, 도 2c는 도 2b에 도시된 프로브 핀만을 도시한 참조도이다.
도 3은 핀 첨두부의 상부 영역에 대한 산화처리 수행과정을 설명하기 위한 예시적인 참조도이다.
도 4는 산화 처리된 핀 첨두부의 상부 영역에 제2 금속을 이용하여 무전해 도금하는 과정을 예시하는 참조도이다.
도 5a 및 도 5b는 프로브 핀에서 무전해 도금처리된 핀 첨두부의 상부 영역에 대한 표면 상태를 예시하는 참조도이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하 설명 및 첨부된 도면들에서 실질적으로 동일한 구성요소들은 각각 동일한 부호들로 나타냄으로써 중복 설명을 생략하기로 한다. 또한 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 패널 테스트를 위한 프로브 핀의 제조 방법을 설명한다.
도 1은 본 발명의 패널 테스트를 위한 프로브 핀의 제조 방법을 설명하기 위한 일 실시예의 플로차트이다.
먼저, 금속재질의 핀 몸체부 및 상기 핀 몸체부의 끝단에 형성된 핀 첨두부를 포함하는 프로브 핀을 형성한다(S100 단계).
도 2a는 패널 테스트를 위한 프로브 블록을 예시하는 참조도이고, 도 2b는 프로브 블록을 구성하는 프로브 핀의 배치 상태를 설명하기 위한 예시적인 참조도이고, 도 2c는 도 2b에 도시된 프로브 핀만을 도시한 참조도이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 프로브 핀(200)은 핀 몸체부(210) 및 핀 첨두부(220)를 포함한다. 핀 몸체부(210) 및 핀 첨두부(220)을 포함하는 프로브 핀(200)는 패널의 테스트를 위해 패널의 리드선들과 접촉하며, 전기적 신호를 전달하기 위해 도전성을 갖는 금속재질로 형성된 것일 수 있다. 다만, 도 2a 내지 도 2c에 도시된 프로브 핀(200)의 형상을 예시적인 것이며, 이외에도 패널의 테스트를 위해 다양한 형상으로 형성될 수 있음을 자명하다.
S100 단계 후에, 상기 형성된 프로브 핀(200)을 제1 금속을 이용하여 전해 도금처리를 수행한다(S102 단계). 여기서, 제1 금속은 금(Au) 또는 은(Ag) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이러한 제1 금속을 이용해 전해 도금 처리를 수행한다. 전해 도금은 도금하고자 하는 제1 금속과 전착시키기 위한 프로브 핀(200)을 전해액에 넣어서 통전을 통해 도금하는 방식이다.
S102 단계 후에, 프로브 핀(200)의 정렬 위치를 확인하기 위해 카메라의 촬영 대상이 되는 상기 핀 첨두부(220)의 상부 영역에 대한 산화 처리를 수행한다(S104 단계). 여기서, 핀 첨두부(220)의 상부 영역은 길이 방향으로 대략 300[m]의 범위 내에서 지정될 수 있다.
산화 처리는 핀 첨두부(220)의 상부 영역에 대해 전기 화학적으로 산화 피막을 형성하는 것으로, 핀 첨두부(220)의 상부 영역에 대해 전기를 통하면 금속의 양극에 산소를 발생하게 된다. 이에 따라, 핀 첨두부(220)의 상부 영역을 산화시켜 표면에 피막이 형성되어 금속의 표면이 상대적으로 거칠어지게 되며, 표면 강도를 강화시킬 수 있다.
도 3은 핀 첨두부(220)의 상부 영역(TA)에 대한 산화처리 수행과정을 설명하기 위한 예시적인 참조도이다.
도 3을 참조하면, 상기 프로브 핀(200) 중에서 핀 첨두부(220)의 상부 영역(TA)을 제외한 모든 영역을 마스킹 처리한다. 그 후, 마스킹 처리된 프로브 핀(200)에서 핀 첨두부(220)의 상부 영역(TA)에 대한 산화 처리를 수행한다. 산화 처리가 수행되면, 핀 첨두부(220)의 상부 영역(TA)은 표면 입자가 거칠게 변화한다.
S104 단계 후에, 산화 처리된 핀 첨두부(220)의 상부 영역(TA)을 제2 금속을 이용하여 무전해 도금처리를 수행한다(S106 단계). 무전해 도금처리는 화학 변화를 이용하여 대상 표면에 금속 피막을 형성하는 것으로, 도금하고자 하는 제2 금속이 포함된 금속염 수용액 중의 제2 금속의 이온을 환원제의 힘에 의해 자기 촉매적으로 환원시켜서 핀 첨두부(220)의 상부 영역(TA)에 도금하는 방식이다. 여기서, 무전해 도금처리를 수행하는 제2 금속은 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나 이상 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 무전해 도금처리 후에는 마스킹 처리된 부분의 코팅을 제거함으로써, 프로브 핀의 제조 공정을 완료할 수 있다.
도 4는 산화 처리된 핀 첨두부(220)의 상부 영역(TA)에 제2 금속을 이용하여 무전해 도금하는 과정을 예시하는 참조도이다.
도 4를 참조하면, 핀 첨두부(220)의 상부 영역(TA)에 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd)을 포함하는 제2 금속을 이용하여 무전해 도금처리 함으로써, 카메라 촬영 시에도 핀 첨두부(220)에서 발생될 수 있는 난반사를 방지할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 프로브 핀(200)에서 무전해 도금처리된 핀 첨두부(220)의 상부 영역(TA)에 대한 표면 상태를 예시하는 참조도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 핀 첨두부(220)가 산화 및 무전해 도금 처리됨으로 인해, 상부 영역(TA)의 표면이 거칠게 변화한 것을 확인할 수 있으며, 이를 통해 카메라의 촬영 시에도 난바사가 일어나는 것을 방지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
200 : 프로브 핀
210 : 핀 몸체부
220 : 핀 첨두부
TA : 핀 첨두부의 상부 영역
210 : 핀 몸체부
220 : 핀 첨두부
TA : 핀 첨두부의 상부 영역
Claims (4)
- 금속재질의 핀 몸체부 및 상기 핀 몸체부의 끝단에 형성된 핀 첨두부를 포함하는 프로브 핀을 형성하는 단계;
상기 형성된 프로브 핀을 제1 금속을 이용하여 전해 도금처리를 수행하는 단계;
상기 프로브 핀의 정렬 위치를 확인하기 위해 카메라의 촬영 대상이 되는 상기 핀 첨두부의 상부 영역에 대한 산화 처리를 수행하는 단계; 및
산화 처리된 상기 상부 영역을 제2 금속을 이용하여 무전해 도금처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패널 테스트를 위한 프로브 핀의 제조 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 전해 도금처리를 수행하는 단계는,
상기 제1 금속으로서 금(Au) 및 은(Ag) 중 적어도 하나 이상을 이용하여 전해 도금처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 패널 테스트를 위한 프로브 핀의 제조 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 핀 첨두부의 상기 상부 영역에 대한 산화 처리를 수행하는 단계는,
상기 프로브 핀 중에서 상기 상부 영역을 제외한 모든 영역을 마스킹 처리를 하고, 마스킹된 상기 프로브 핀에서 상기 상부 영역에 대한 산화 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 패널 테스트를 위한 프로브 핀의 제조 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 상부 영역을 상기 제2 금속을 이용하여 무전해 도금처리를 수행하는 단계는,
상기 제2 금속으로서 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나 이상을 이용하여 무전해 도금처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 패널 테스트를 위한 프로브 핀의 제조 방법.
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