KR102008276B1 - Light emitting device and method for fabricating the same - Google Patents
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Abstract
본 실시예에 따른 발광소자는, 반도체층; 반도체층 상에 배치되며 반도체층과 오믹 컨택(ohmic contact)을 이루는 전극핑거부; 반도체층 상에 배치되며 전극핑거부와 이격되고, 반도체층과 오믹 컨택을 이루는 오믹부; 전극핑거부와 오믹부 상에 배치되는 패드(pad)부를 포함할 수 있다.The light emitting device according to the present embodiment includes a semiconductor layer; An electrode finger disposed on the semiconductor layer and making ohmic contact with the semiconductor layer; An ohmic part disposed on the semiconductor layer and spaced apart from the electrode finger part and making an ohmic contact with the semiconductor layer; It may include a pad portion disposed on the electrode finger portion and the ohmic portion.
Description
실시예는 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device and a method of manufacturing the same.
LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다. LED는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. LED (Light Emitting Diode) is a device that converts an electric signal into infrared, visible or light form by using the characteristics of compound semiconductor.It is used in home appliances, remote control, electronic signs, indicators, various automation devices, etc. LED's usage area is getting wider. LED has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mount device type for direct mounting on a printed circuit board (PCB) board. Accordingly, LED lamps, which are used as display elements, are also being developed as surface mount device types. . Such a surface mounting element can replace a conventional simple lighting lamp, which is used as a lighting display for various colors, a character display and an image display.
LED 반도체는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire)나 실리콘카바이드(SiC)등의 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다.LED semiconductors are grown through heterogeneous substrates such as sapphire or silicon carbide (SiC) having a hexagonal structure through metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE).
LED는 전류의 흐름이 발광소자의 효율과 큰 관련이 있다. LED의 구성부분 중 오믹층(ohmic contact layer)은 특히 발광소자의 전류의 확산에 영향을 미친다.In the case of LED, the flow of current is highly related to the efficiency of the light emitting device. The ohmic contact layer among the components of the LED particularly affects the diffusion of the current of the light emitting device.
도 1은 종래 에천트가 침투하여 부식되는 현상을 나타내는 평면도이다. 도 1을 참조하면 패드부가 에천트의 침투로 인해 부식되는 현상이 발생할 수 있음을 알 수 있다. 이렇게 패드부가 에천트의 침투로 부식이 되는 경우 패드부가 벗겨지는 현상이 일어날 수 있다.1 is a plan view illustrating a phenomenon in which a conventional etchant penetrates and corrodes. Referring to Figure 1 it can be seen that the pad portion may be corroded due to the penetration of the etchant. When the pad part is corroded by the penetration of the etchant, the pad part may be peeled off.
실시예는 에천트(echant)에 기인한 패드 벗겨짐 현상이 개선된 발광소자 및 그 발광소자 제조방법을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having an improved pad peeling phenomenon due to an etchant and a method of manufacturing the light emitting device.
본 실시예에 따른 발광소자는, 반도체층; 상기 반도체층 상에 배치되며 상기 반도체층과 오믹 컨택(ohmic contact)을 이루는 전극핑거부; 상기 반도체층 상에 배치되며 상기 전극핑거부와 이격되고, 상기 반도체층과 오믹 컨택을 이루는 오믹부; 상기 전극핑거부와 상기 오믹부 상에 배치되는 패드(pad)부를 포함할 수 있다.The light emitting device according to the present embodiment includes a semiconductor layer; An electrode finger disposed on the semiconductor layer and making ohmic contact with the semiconductor layer; An ohmic part disposed on the semiconductor layer and spaced apart from the electrode finger part and making an ohmic contact with the semiconductor layer; It may include a pad portion disposed on the electrode finger portion and the ohmic portion.
본 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 배치되며 상기 반도체층과 오믹 컨택을 이루는 전극핑거부를 배치하는 단계; 상기 반도체층 상에 배치되며 상기 전극핑거부와 이격되고, 상기 반도체층과 오믹 컨택을 이루는 오믹부를 배치하는 단계; 및 상기 전극핑거부와 상기 오믹부 상에 패드부를 배치하는 단계를 포함할 수 있다.Method of manufacturing a light emitting device according to the present embodiment comprises the steps of forming a semiconductor layer; Disposing an electrode finger disposed on the semiconductor layer and making ohmic contact with the semiconductor layer; Disposing an ohmic part disposed on the semiconductor layer and spaced apart from the electrode finger part and making an ohmic contact with the semiconductor layer; And disposing a pad part on the electrode finger part and the ohmic part.
실시예에 따른 발광소자는 에천트의 침투를 효과적으로 막을 수 있어 패드가 벗겨질 수 있는 현상을 개선할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment can effectively prevent the penetration of the etchant can improve the phenomenon that the pad can be peeled off.
또 다른 실시예에 따르면, 패드가 벗겨질 수 있는 현상이 개선된 발광소자를 제조할 수 있다.According to another embodiment, a light emitting device having an improved phenomenon that a pad may be peeled off may be manufactured.
도 1은 종래 에천트가 침투하여 패드부가 부식되는 현상을 나타내는 평면도이다.
도 2a는 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2b는 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 단면도이다.
도 3a는 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 평면도이다.
도 3b는 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 평면도이다.
도 3c는 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 평면도이다.
도 3d는 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 평면도이다.
도 3e는 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 평면도이다.
도 4a는 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 단면도이다.
도 4b는 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 단면도이다.
도 4c는 도 3a의 실시예에 따른 발광소자의 구조를 A-A` 방향으로 자른 면을 도시한 단면도이다.
도 5a 는 실시예의 발광소자를 포함한 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 5b 는 실시예의 발광소자를 포함한 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 6a 는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 6b 는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 단면도이다.
도 7 은 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.
도 8 은 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.1 is a plan view illustrating a phenomenon in which a conventional etchant penetrates and a pad part is corroded.
2A is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting device according to the embodiment.
2B is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting device according to the embodiment.
3A is a plan view showing the structure of a light emitting device according to the embodiment.
3B is a plan view illustrating the structure of a light emitting device according to the embodiment.
3C is a plan view illustrating a structure of a light emitting device according to the embodiment.
3D is a plan view illustrating a structure of a light emitting device according to the embodiment.
3E is a plan view showing the structure of a light emitting device according to the embodiment.
4A is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting device according to the embodiment.
4B is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting device according to the embodiment.
4C is a cross-sectional view illustrating a structure of the light emitting device according to the exemplary embodiment of FIG. 3A, taken along the AA ′ direction.
5A is a perspective view illustrating a light emitting device package including a light emitting device of an embodiment.
5B is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package including the light emitting device of the embodiment.
6A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device module according to an embodiment.
6B is a cross-sectional view illustrating a lighting device including a light emitting device module according to an embodiment.
7 is an exploded perspective view illustrating a backlight unit including a light emitting device module according to an embodiment.
8 is an exploded perspective view illustrating a backlight unit including a light emitting device module according to an embodiment.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The spatially relative terms " below ", " beneath ", " lower ", " above ", " upper " It may be used to easily describe the correlation of a device or components with other devices or components. Spatially relative terms are to be understood as including terms in different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the figures. For example, when flipping a device shown in the figure, a device described as "below" or "beneath" of another device may be placed "above" of another device. Thus, the exemplary term "below" can encompass both an orientation of above and below. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size and area of each component does not necessarily reflect the actual size or area.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.In addition, the angle and direction mentioned in the process of describing the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those described in the drawings. In the description of the structure constituting the light emitting device in the specification, if the reference point and the positional relationship with respect to the angle is not clearly mentioned, reference is made to related drawings.
이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자(1000)의 구조를 도시한 단면도이다. 도 2a를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(1000)는 기판(10), 기판(10) 상에 배치되고 어떤 각도로 들어오는 빛이라도 반사시키는 ODR층(omnidirectional reflector layer;20), ODR층(20) 상에 배치되고 전극과 오믹 컨택(ohmic contact)을 이루도록 하는 p-오믹층(30), p-오믹층(30) 상에 배치되며 밴드갭(bandgap) 에너지에 따른 특정한 값보다 큰 파장은 흡수하지 않고 투과시키는 투명전도층(40), 투명전도층(40) 상에 배치되는 제 1 반도체층(52), 활성층(54), 제 2 반도체층(56)을 포함하는 발광구조층(50), 제 2 반도체층(56) 상에 배치되는 전극핑거부(70), 전극핑거부(70) 상에 배치되는 패드부(100)를 포함한다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. 2A is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting device 1000 according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2A, the light emitting device 1000 according to the embodiment may include an
기판(10)은 실시예에 따라 반도체 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs), 산화아연(ZnO), 실리콘카바이드(SiC), 실리콘게르마늄(SiGe), 질화갈륨(GaN), 갈륨(Ⅲ)옥사이드(Ga2O3)와 같은 캐리어 웨이퍼로 구현될 수 있다.The
기판(10)은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 실시예에 따라서 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr)중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 위 물질 중 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 기판(10)이 금속으로 형성된 경우 발광 소자(1000)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광 소자의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.The
기판(10)은 광 추출 효율을 높이기 위해서, 상면에 PSS(Patterned Substrate) 구조를 구비할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 기판(10)은 발광소자(1000)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(1000)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다. The
기판(10)은 ODR층(20)의 하부에 배치될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 기판(10)은 수직형 LED의 경우 제 1 전극(90) 상부에 배치될 수 있다.The
ODR층(20)은 빛을 반사시키기 위해서 은(Ag)이 주로 쓰이지만, 이에 한정되지 않는다. ODR층(20)은 반사율이 큰 금속으로 형성될 수 있다. ODR층(20)은 어떤 각도로 들어오는 빛이라도 반사시킬 수 있다. ODR층(20)은 이 층의 반사율을 더욱 향상시키기 위해서 구조적으로 패터닝을 하거나 층간막에 투명층을 삽입할 수 있다. ODR층(20)은 은(Ag) 위에 인듐틴옥사이드(ITO)를 삽입하여 입사각에 따른 반사율을 향상시킬 수 있다. Silver (Ag) is mainly used for the
ODR층(20)은 기판(10)의 상부에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. ODR층(20)은 p-오믹층(30) 하부에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The
p-오믹층(30)은 정공주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, p-오믹층(30)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), IGZO(In-Ga-ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ni, Ag 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되지 않는다. The p-
p-오믹층(30)은 제 2 반도체층(56)과 오믹컨택(ohmic contact)을 잘 이루도록 하기 위한 것이다. P-오믹층(30)은 제 2 반도체층(56) 하부에 배치될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The p-
투명전도층(40)은 전도층의 역할을 한다. 투명전도층(40)은 GaP 등의 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The transparent
투명전도층(40)은 밴드갭 에너지에 따른 파장보다 큰 파장의 경우 흡수하지 않고 그대로 통과시킬 수 있다. 예를 들어 밴드갭 에너지가 2.24eV인 경우, 투명전도층(40)은 553nm 이상의 파장은 흡수하기 않고 투과 시킬 수 있다. The transparent
투명전도층(40)은 p-오믹층(30) 상부에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 투명전도층(40)은 발광구조층(50) 하부에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The transparent
발광구조층(50)은 제 1 반도체층(52), 활성층(54), 제 2 반도체층(56)을 포함한다.The light emitting
제 1 반도체층(52)은 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 제 1 반도체층(52)은 기판(10)과의 격자상수 차이를 정합시키기 위해 버퍼층(미도시) 상에 배치될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 제 1 반도체층(52)은 기판(10) 상에서 성장될 수 있으나, 수평형 발광소자에만 한정되는 것은 아니며 수직형 발광소자에도 적용될 수 있다. The
제 1 반도체층(52)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있다. 제 1 반도체층(52)은 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The
활성층(54)은 제 1 반도체층(52) 상에 배치될 수 있다. 활성층(54)은 제 2 반도체층(56)과 제 1 반도체층(52)의 사이에 배치될 수 있다. The
활성층(54)은 반도체 물질로 형성될 수 있다. 활성층(54)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 우물 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(54)은 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성층(54)은 갈륨나이트라이드(GaN), 인듐갈륨나이트라이드(InGaN), 및 인듐갈륨나이트라이드(InAlGaN) 등을 포함할 수 있다. The
제 2 반도체층(56)은 활성층(54) 상에 배치될 수 있다. 제 2 반도체층(56)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제 2 반도체층(56)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The
제 1 반도체층(52), 활성층(54), 및 제 2 반도체층(56)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
제 1 반도체층(52) 및 제 2 반도체층(56) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The doping concentrations of the conductive dopants in the
반사층(미도시)은 Al, Ag 혹은 Al 이나 Ag를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 반사층(미도시)은 알루미늄이나 은 등으로 형성되어 활성층(54)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사할 수 있다.The reflective layer (not shown) may be formed of a metal layer including Al, Ag, or an alloy containing Al or Ag. The reflective layer (not shown) may be formed of aluminum, silver, or the like to effectively reflect light generated from the
반사층(비도시)은 발광구조층(50) 상부에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 반사층(미도시)은 전극핑거부(70) 하부에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The reflective layer (not shown) may be disposed on the light emitting
전극핑거부(70)는 정공주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 전극핑거부(70)는 예를 들어 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), IGZO(In-Ga-ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ni, Ag 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되지 않는다. 전극핑거부(70)는 GaAs로 형성될 수 있다. 전극핑거부(70)는 제 2 반도체층(56)과 오믹 컨택을 이룰 수 있다. 전극핑거부(70)는 제 2 반도체층(56)과 오믹 컨택을 이루어 저항을 작게하고, 전류가 잘 흐를 수 있도록 할 수 있다. The
전극핑거부(70)는 반사층(미도시) 상부에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 전극핑거부(70)는 패드부(100) 하부에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The
오믹부(200)는 전극핑거부(70)를 배치한 후 오믹부(200)와 전극핑거부(70) 상부에 패드부(100)를 배치할 수 있다. 오믹부(200)는 광효율을 높이기 위한 텍스쳐링(texturing)시 에천트가 패드부(100) 밑으로 침투하는 것을 막기 위해 배치될 수 있다. 오믹부(200)는 전극핑거부(70)와 같은 물질로 형성될 수 있고, GaAs로 이루어질 수 있다. 오믹부(200)는 제 2 반도층(56)보다 상대적으로 에천트에 의한 부식속도가 느린 물질로 형성될 수 있다. 오믹부(200)는 하부의 반도체층이 부식될 때 효과적으로 패드부(100)의 부식을 막을 수 있다. 오믹부(200)의 물질이 아래 반도체층으로 확산(diffusion)되는 경우 더욱 부식속도가 느려질 수 있다. The
오믹부(200)는 전극핑거부(70)와 같이 반도체층과 오믹 컨택을 이루어야 한다. 오믹부(200)는 제 2 반도체층(56)과 오믹컨택을 이루는 물질로 형성될 수 있다. 오믹부(200)가 제 2 반도체층(56)과 오믹컨택을 이루는 경우 저항을 작게하여 전류가 잘 흐를 수 있다. 오믹부(200)와 전극핑거부(70)는 n-오믹을 형성하는 경우에는 N형으로 도핑되어야 하고, p-오믹을 형성하는 경우에는 P형으로 도핑되어야 한다. 전극핑거부(70)와 오믹부(200)는 3-5족 화합물로 이루어지는 경우 N-오믹을 형성하는 경우에는 6족의 원소가 P-오믹을 형성하는 경우에는 2족의 원소가 도핑될 수 있다. 전극핑거부(70)와 오믹부(200)는 4족의 원소가 도핑되는 경우에는 3-5족 화합물 중 치환하는 원소에 따라서 N-오믹 또는 P-오믹을 형성할 수 있다.The
도 2b는 발광구조층(50)과 전극핑거부(70), 오믹부(200)의 구조를 도시한 단면도이다. 발광구조층(50)과 전극핑거부(70)는 오믹컨택을 이룬다. 발광구조층(50)과 오믹부(200)는 오믹컨택을 이룬다. 발광구조층(50)과 전극핑거부(70)는 오믹컨택을 이루어 저항을 줄일 수 있고, 발과구조층(50)과 전극핑거부(70) 사이에 전류가 잘 흐르도록 할 수 있다. 마찬가지로 발광구조층(50)과 오믹부(200)도 오믹컨택을 이루어 전류가 잘 흐르도록 할 수 있다. 2B is a cross-sectional view illustrating the structure of the light emitting
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예를 도시한 평면도이다. 도 3a를 참조하여 설명하면, 전극핑거부(70)와 오믹부(200)는 하나 이상이 될 수 있고 전극핑거부(70)와 오믹부(200)의 개수는 도면에 한정되지 않는다. 패드부(100)는 전극핑거부(70)와 오믹부(200)의 상부에 배치되지만, 도 3a에서 패드부(100)는 도시하지 않았다. 오믹부(200)는 패드부(100)가 상부에 배치되는 경우 오믹부(200) 전부가 패드부(100) 아래 배치될 수 있다. 전극핑거부(70)는 패드부(100)가 상부에 배치되는 경우 전극핑거부(70) 일부가 패드부(100) 아래 배치될 수 있다. 3A to 3E are plan views illustrating embodiments of the present invention. Referring to FIG. 3A, the
도 3a를 참조하면, 오믹부(200)는 도넛의 형상으로 도시하였지만 이에 한정되지 않는다. 오믹부(200)는 도넛의 형상이 아닌 원판의 형상으로도 형성할 수 있다. 오믹부(200)는 가능한 폭이 얇게 형성될수록 효율이 증가하고, 3㎛ 내지 7㎛로 형성될 수 있다. 오믹부(200)는 공정상 3㎛ 이하의 얇은 폭은 형성하기 어렵고, 7㎛ 이상의 폭으로 형성되는 경우 효율이 크게 감소할 수 있다.Referring to FIG. 3A, the
오믹부(200)는 전극핑거부(70)와 폭이 서로 같을 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 오믹부(200)는 전극핑거부(70)와 폭이 같은 경우 공정상 한번에 처리할 수 있어 오믹부(200)와 전극핑거부(70)의 형성이 용이할 수 있다.The
오믹부(200)는 전극핑거부(70)와 떨어진 거리가 큰 경우 그 사이로 에천트가 침투할 수 있기 때문에 본 실시예에 따른 패드 벗겨짐 현상 개선 효과를 얻기 힘들 수 있다. 오믹부(200)는 전극핑거부(70)와 가깝게 배치될수록 에천트의 침투를 효과적으로 막을 수 있고 오믹부(200)와 전극핑거부(70) 사이의 거리가 1㎛ 내지 5㎛로 배치될 수 있다. 오믹부(200)는 공정상의 어려움으로 인해 1㎛ 이하로 배치하기는 힘들고, 5㎛ 보다 큰 경우 개선효과를 얻기 힘들다.If the
이하 도 3b 내지 도 3e 는 오믹부(200)로 형성할 수 있는 형상에 대해 도시한 것이지만 본 도면의 실시예에 한정되지 않고, 가능한 모든 패턴을 포함할 수 있다. 오믹부(200)는 패드부(100)보다 작으면서 최대한 크게 형성되는 것이 전류를 확산시켜 효율을 높이는데 가장 효과적이다. 3B to 3E illustrate a shape that may be formed by the
도 4a는 도 3a의 단면도이고 도 4b는 도 3a를 A-A`로 자른 단면도이다. 도 3a 에서 도시하지 않은 패드부(100)까지 도시하였다. 4A is a cross-sectional view of FIG. 3A and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 3A. The
본 발명의 다른 실시예로 발광소자를 제조하는 방법을 설명한다.In another embodiment of the present invention will be described a method of manufacturing a light emitting device.
본 실시예에 따른 발광소자는 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 상에 서로 붙어있지 않게 전극핑거부(70)와 오믹부(200)를 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 오믹부(200)는 전극핑거부(70)와 서로 이격되게 배치될 수 있다.The light emitting device according to the present exemplary embodiment may include forming a semiconductor layer and disposing an
패드부(100)는 전극핑거부(70)와 오믹부(200) 상에 배치될 수 있다. 패드부(100)는 전극핑거부(70)와 일부분 접촉이 이루어져야 한다. 패드부(100)는 오믹부(200) 전부가 패드부(100) 아래에 있도록 배치될 수 있다. 패드부(100)는 광효율을 높이기 위해서 에천트를 사용해 하부의 반도체층에 텍스처링(texturing)을 하는 경우 에천트에 의해 부식될 수 있다. 패드부(100)는 에천트의 침투를 전극핑거부(70)와 오믹부(200)가 효과적으로 막을 수 있어 부식이 일어나지 않을 수 있다. 도 4c를 참조하면 에칭(etching)시 패드부(100)의 부식을 막기 위해 보호층(250)을 덮어서 에칭을 실시할 수 있다. The
오믹부(200)는 전극핑거부(70)와 같은 물질로 형성되는 경우 공정상 한 번에 전극핑거부(70)와 오믹부(200)를 형성할 수 있어 비용면에서 유리한 측면이 있을 수 있지만 이에 한정되지 않는다.When the
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)를 나타낸 사시도이며, 도 5b는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)의 단면을 도시한 단면도이다.5A is a perspective view illustrating a light emitting
도 5a 및 도 5b 를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 캐비티가 형성된 몸체(310), 몸체(310)에 실장된 제1 및 제2 전극(340, 350) 제1 및 제2 전극과 전기적으로 연결되는 발광소자(320) 및 캐비티에 형성되는 봉지재(330)를 포함할 수 있고, 봉지재(330)는 형광체(미도시)를 포함할 수 있다.5A and 5B, the light emitting
몸체(310)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
몸체(310)의 내측면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(320)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. The inner surface of the
몸체(310)에 형성되는 캐비티를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 특히 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The shape of the cavity formed in the
봉지재(330)는 캐비티에 충진될 수 있으며, 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 봉지재(330)는 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있다. 봉지재(330)는 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다. The
형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자 패키지(300)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The phosphor (not shown) may be selected according to the wavelength of the light emitted from the
봉지재(330)에 포함되어 있는 형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The phosphor (not shown) included in the
형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(320)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(미도시)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(300)는 백색 빛을 제공할 수 있다. The phosphor (not shown) may be excited by the light having the first light emitted from the
발광소자(320)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 마젠타(magenta) 형광체 또는 청색과 적색의 형광체(미도시)를 혼용하는 경우, 발광소자(320)가 적색 발광 다이오드인 경우는 시안(Cyan) 형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.In the case where the
형광체(미도시)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 것일 수 있다.The phosphor (not shown) may be a known one such as YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride, or phosphate.
몸체(310)에는 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)이 실장될 수 있다. 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 발광소자(320)와 전기적으로 연결되어 발광소자(320)에 전원을 공급할 수 있다.The
제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(320)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있다. 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 발광소자(320)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.The
도 5b에서는 발광소자(320)가 제1 전극(340) 상에 실장되었으나, 이에 한정되지 않으며, 발광소자(320)와 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 와이어 본딩(wire bonding) 방식, 플립 칩(flip chip) 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.In FIG. 5B, the
제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
발광소자(320)는 제1 전극(340) 상에 실장되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 발광 소자(320)는 한 개 이상 실장될 수 있다.The
발광소자(320)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩 모두에 적용 가능하다.The
발광소자 패키지(300)는 발광소자를 포함할 수 있다.The light emitting
발광소자(320)는 제1 활성층(미도시), 제2 활성층(미도시), 및 캐리어 주입층(미도시)를 포함할 수 있다. 발광소자(320)는 캐리어 주입층(미도시)을 포함하여 제2 반도체층(미도시)에서 제공된 정공의 이동도를 가속하여 제1 활성층(미도시) 및 제2 활성층(미도시)에 제공할 수 있다. The
상기 캐리어 주입층(미도시)을 포함한 발광소자(320)를 포함하여 발광소자 패키지(300)의 신뢰도와 광추출량을 극대화할 수 있다.The
실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 발광소자 패키지(300)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.A plurality of light emitting device packages 300 according to the embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on an optical path of the light emitting
발광소자 패키지(300), 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 발광소자(미도시) 또는 발광소자 패키지(300)를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다. The light emitting
도 6a는 일 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 시스템(400)을 도시한 사시도이며, 도 6b는 도 6a의 조명 시스템의 D - D`단면을 도시한 단면도이다.6A is a perspective view illustrating a
즉, 도 6b 는 도 6a의 조명 시스템(400)을 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.That is, FIG. 6B is a cross-sectional view of the
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 조명 시스템(400)은 몸체(410), 몸체(410)와 체결되는 커버(430) 및 몸체(410)의 양단에 위치하는 마감캡(450)을 포함할 수 있다.6A and 6B, the
몸체(410)의 하부면에는 발광소자 모듈(443)이 체결되며, 몸체(410)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 열이 몸체(410)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열 발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.The lower surface of the
발광소자 패키지(444)는 발광소자(미도시)를 포함한다. The light emitting
발광소자 패키지(444)는 기판(442) 상에 다색, 다열로 실장되어 모듈을 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 기판(442)으로 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 를 사용할 수 있다.The light emitting
커버(430)는 몸체(410)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.The
커버(430)는 내부의 발광소자 모듈(443)을 외부의 이물질 등으로부터 보호할 수 있다. 커버(430)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The
발광소자 패키지(444)에서 발생하는 광은 커버(430)를 통해 외부로 방출되므로, 커버(430)는 광투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(430)는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC), 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.Since the light generated from the light emitting
마감캡(450)은 몸체(410)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 마감캡(450)에는 전원 핀(452)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명 시스템(400)은 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 7은 일 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including a light emitting device according to an embodiment.
도 7은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.FIG. 7 illustrates an edge-light method, and the
액정표시패널(510)은 백라이트 유닛(570)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(510)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(512) 및 박막 트랜지스터 기판(514)을 포함할 수 있다.The liquid
컬러 필터 기판(512)은 액정표시패널(510)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The
박막 트랜지스터 기판(514)은 구동 필름(517)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(518)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(514)은 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin
박막 트랜지스터 기판(514)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin
백라이트 유닛(570)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(520), 발광소자 모듈(520)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(510)로 제공하는 도광판(530), 도광판(530)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(550, 560, 564) 및 도광판(530)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(530)으로 반사시키는 반사 시트(540)로 구성된다.The
발광소자 모듈(520)은 복수의 발광소자 패키지(524)와 복수의 발광소자 패키지(524)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(522)을 포함할 수 있다.The light emitting
상기 발광소자 패키지(524)를 포함하여 백라이트 유닛(570)의 광추출 효율이 향상되고 백라이트 유닛(570)의 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다. Including the light emitting
백라이트유닛(570)은 도광판(530)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(510) 방향으로 확산시키는 확산필름(566)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(550)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(550)를 보호하기 위한 보호필름(564)을 포함할 수 있다.The
도 8은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 7에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.8 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the embodiment. However, the parts shown and described in FIG. 7 will not be repeatedly described in detail.
도 8은 실시예에 따른 직하 방식의 액정 표시 장치(600)이다. 액정 표시 장치(600)는 액정표시패널(610)과 액정표시패널(610)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(670)을 포함할 수 있다. 액정표시패널(610)은 도 7에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.8 is a direct view liquid
백라이트 유닛(670)은 복수의 발광소자 모듈(623), 반사시트(624), 발광소자 모듈(623)과 반사시트(624)가 수납되는 하부 섀시(630), 발광소자 모듈(623)의 상부에 배치되는 확산판(640) 및 다수의 광학필름(660)을 포함할 수 있다.The
발광소자 모듈(623)은 복수의 발광소자 패키지(622)와 복수의 발광소자 패키지(622)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(621)을 포함할 수 있다.The light emitting
반사 시트(624)는 발광소자 패키지(622)에서 발생한 빛을 액정표시패널(610)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The
발광소자 모듈(623)에서 발생한 빛은 확산판(640)에 입사하며, 확산판(640)의 상부에는 광학 필름(660)이 배치된다. 광학 필름(660)은 확산 필름(666), 프리즘필름(650) 및 보호필름(664)를 포함하여 구성된다.Light generated by the light emitting
실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The light emitting device according to the embodiment may not be limitedly applied to the configuration and method of the embodiments described as described above, but the embodiments may be selectively combined with all or some of the embodiments so that various modifications may be made. It may be configured.
이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어 져서는 안될 것이다.
Although the preferred embodiments have been illustrated and described above, the invention is not limited to the specific embodiments described above, and does not depart from the gist of the invention as claimed in the claims. Of course, various modifications can be made by the operator, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or the prospect of the present invention.
10 : 기판
20 : ODR층
30 : p-오믹층
40 : 투명전도층
50 : 발광구조층
52 : 제 1 반도체층
54 : 활성층
56 : 제 2 반도체층
70 : 전극핑거부
90 : 제 1 전극
100 : 패드부
200 : 오믹부
250 : 보호층10: substrate
20: ODR layer
30: p-omic layer
40: transparent conductive layer
50: light emitting structure layer
52: first semiconductor layer
54: active layer
56: second semiconductor layer
70: electrode rejection
90: first electrode
100: pad part
200: ohmic
250: protective layer
Claims (16)
상기 제 2 반도체층 상에 배치되며 상기 제 2 반도체층과 오믹 컨택(ohmic contact)을 이루는 전극핑거부;
상기 제 2 반도체층 상에 배치되며 상기 전극핑거부와 이격되고, 상기 제 2 반도체층과 오믹 컨택을 이루는 오믹부;
상기 전극핑거부와 상기 오믹부 상에 배치되는 패드(pad)부를 포함하고,
상기 패드부의 하부에 상기 전극핑거부 중 일부분이 배치되며,
상기 패드부의 하부에 상기 오믹부 전부가 배치되고,
상기 오믹부는 에천트(etchant)와의 반응이 상기 제 2 반도체층의 반응보다 느린 물질로 형성되고,
상기 오믹부의 폭은 3㎛ 내지 7㎛로 형성되며,
상기 오믹부와 상기 전극핑거부 사이의 거리가 1㎛ 내지 5㎛가 되도록 배치되는 발광소자.A first semiconductor layer, an active layer, a second semiconductor layer; and
An electrode finger disposed on the second semiconductor layer and making ohmic contact with the second semiconductor layer;
An ohmic part disposed on the second semiconductor layer and spaced apart from the electrode finger part and making an ohmic contact with the second semiconductor layer;
A pad part disposed on the electrode finger part and the ohmic part,
A portion of the electrode finger portion is disposed below the pad portion,
All of the ohmic portion is disposed below the pad portion,
The ohmic part is formed of a material whose reaction with an etchant is slower than that of the second semiconductor layer.
The width of the ohmic portion is formed of 3㎛ to 7㎛,
The light emitting device is disposed so that the distance between the ohmic portion and the electrode finger portion is 1㎛ to 5㎛.
상기 전극핑거부가 하나 이상인 것을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
Light emitting device comprising at least one electrode finger portion.
상기 오믹부가 하나 이상인 것을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
Light emitting device comprising at least one ohmic portion.
상기 전극핑거부는 n형 또는 p형으로 도핑된 물질로 형성되고,
상기 오믹부는 n형 또는 p형으로 도핑된 물질로 형성된 것을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The electrode finger portion is formed of a material doped with n-type or p-type,
And the ohmic part is formed of a material doped with an n-type or p-type.
상기 오믹부는 GaAs로 형성된 것을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The ohmic portion comprises a light emitting device formed of GaAs.
상기 오믹부의 크기는 상기 패드부보다 작게 형성된 것을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The ohmic portion of the light emitting device comprising a smaller than the pad portion.
상기 오믹부와 상기 전극핑거부는 그 폭이 같게 형성된 것을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The ohmic portion and the electrode finger portion comprises a light emitting device comprising the same width.
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