KR102007803B1 - 이에프이엠 - Google Patents

이에프이엠 Download PDF

Info

Publication number
KR102007803B1
KR102007803B1 KR1020170087343A KR20170087343A KR102007803B1 KR 102007803 B1 KR102007803 B1 KR 102007803B1 KR 1020170087343 A KR1020170087343 A KR 1020170087343A KR 20170087343 A KR20170087343 A KR 20170087343A KR 102007803 B1 KR102007803 B1 KR 102007803B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
transfer chamber
wall surface
wafer transfer
wafer
Prior art date
Application number
KR1020170087343A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190006395A (ko
Inventor
우범제
김영철
허장
Original Assignee
우범제
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우범제 filed Critical 우범제
Priority to KR1020170087343A priority Critical patent/KR102007803B1/ko
Priority to PCT/KR2018/007743 priority patent/WO2019013506A1/ko
Priority to US16/630,388 priority patent/US20210090923A1/en
Priority to TW107123733A priority patent/TWI690013B/zh
Publication of KR20190006395A publication Critical patent/KR20190006395A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102007803B1 publication Critical patent/KR102007803B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 수납용기와 공정장비 사이에서 웨이퍼의 반송을 행하는 이에프이엠(EFEM)에 관한 것으로서, 특히, 이에프이엠의 벽면을 타고 흐르는 하강기류를 적극적으로 이용하여 웨이퍼 수납용기에 수납된 웨이퍼의 불량율을 낮출 수 있는 이에프이엠에 관한 것이다.

Description

이에프이엠{EFEM, Equipment Front End Module}
본 발명은 웨이퍼 수납용기와 공정장비 사이에서 웨이퍼의 반송을 행하는 이에프이엠(EFEM)에 관한 것이다.
반도체의 제조 공정에 있어서 수율이나 품질의 향상을 위해 청정한 클린룸 내에서의 웨이퍼의 처리가 이루어지고 있다. 그러나 소자의 고집적화나 회로의 미세화, 웨이퍼의 대형화가 진행됨에 따라 클린룸 내의 전체를 청정한 상태로 유지하는 것은 기술적 비용적으로 곤란하게 되었다.
따라서, 최근에는 웨이퍼 주위의 공간에 대해서만 청정도를 관리를 하게 되었으며, 이를 위해 풉(FOUP, Front-Opening Unified Pod) 등과 같은 웨이퍼 수납용기의 내부에 웨이퍼를 저장하고, 웨이퍼의 가공을 행하는 공정장비와 풉 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하기 위해, 이에프이엠(EFEM, Equipment Front End Module)이라 불리는 모듈을 이용하게 되었다.
이에프이엠은 웨이퍼 반송 장치가 구비된 웨이퍼 반송실을 구성하여, 웨이퍼 반송실의 일측면에 웨이퍼 수납용기 등이 결합되는 로드 포트(Load Port)가 접속하고, 웨이퍼 반송실의 타측면에 공정장비가 접속된다.
따라서, 웨이퍼 이송장치가 웨이퍼 수납용기 내부에 저장된 웨이퍼를 공정장비로 반송하거나 공정장비에서 가공 처리를 마친 웨이퍼를 웨이퍼 수납용기 내부로 반송한다.
웨이퍼 수납용기는 로드 포트 등과 같이 질소가 공급되는 장치와 결합하여 웨이퍼 수납용기 내부에 질소를 주입/충전함으로써, 웨이퍼 수납용기에 수납된 웨이퍼의 청정도를 관리하게 되며, 이에프이엠의 웨이퍼 반송실 또한, 하강기류를 통해 질소를 주입함으로써, 웨이퍼의 반송을 실행하는 과정에서도 웨이퍼의 청정도를 관리한다.
위와 같이, 웨이퍼 수납용기에서 퍼지가스 기류를 통해 질소를 주입하고, 이에프이엠에서도 하강기류를 통해 질소를 주입할 경우, 이에프이엠의 반송실 내부의 하강기류가 웨이퍼 수납용기가 접속된 벽면을 따라 내려간 후, 웨이퍼 수납용기의 개구부로 흘러들어가게 된다.
이처럼 이에프이엠의 하강기류와 웨이퍼 수납용기에서 주입된 퍼지가스기류가 만나는 지점에서 난류가 형성되며, 이로 인해, 웨이퍼 수납용기에 수납된 웨이퍼의 습기 제거가 제대로 이뤄지지 않아 불량율이 상승하는 문제점이 발생하였다.
따라서, 이에프이엠의 벽면을 따라 흐르는 하강기류는 웨이퍼의 습기 제거 측면에서 부정적으로 인식되었다.
위와 같은 문제점을 해결하기 위한 이에프이엠의 개발이 이루어졌으며, 이러한 이에프이엠으로는 일본공개특허 제2015-204344호(이하, '특허문헌 1' 이라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 특허문헌 1의 이에프이엠 시스템은 포드(1)의 본체에 웨이퍼가 수용되고, 포드측 노즐을 통해 본체의 수용공간에 불활성 가스가 주입되어 흐름(B)가 생성되며, 포드(1)는 그 개구(2a)가 사이드 플레이트의 개구부(111)에 접속되어 포드(1)와 미소공간은 연통되고, 미소공간은 하강기류 발생 기구(109)에서 발생된 불활성 가스의 하강기류(A)가 발생하게 된다.
또한, 사이드 플레이트에는 하강기류(A)의 경로를 부분적으로 방해하는 상부차양(115)이 배치되며, 이로 인해, 포드(1)에서 주입되는 불활성 가스의 흐름(B)과 하강기류(A)가 만나는 것을 방지한다.
그러나, 특허문헌 1의 이에프이엠 시스템의 경우, 상부차양(115)이 하강기류(A)의 흐름을 포드(1)의 반대측으로 흐르게 할 수는 있으나, 이는 단순히 수동적으로 하강기류(A)의 경로를 바꿔주는 것에 불과하므로, 하강기류(A)가 흘러간 부분의 난류가 발생할 수 있으며, 이로 인해, 하강기류(A) 자체가 원할하게 흐르지 못할 수 있다는 문제점이 있다.
다시 말해, 포드(1)의 본체 내부에 하강기류(A)가 흘러들어가는 것을 막기 위해 상부차양(115)을 배치한 것이 오히려 하강기류(A)의 흐름 자체를 방해할 수 있는 것이다.
위와 같이, 하강기류(A)의 흐름이 원활히 이루어지지 못하면, 하강기류(A)가 한쪽으로 몰리게 되어 결국 본체 내부까지 유동될 수 있으며, 이로 인해, 상부차양(115)이 달성하려 했던 '포드(1)의 본체 내부로의 하강기류(A)의 유동 방지' 자체가 무산될 수 있다는 문제점이 있다.
전술한 특허문헌 1의 상부차양과 같이 하강기류의 흐름을 막는 것에서 더 나아가 상부차양에서 새로운 하강기류를 생성하는 이에프이엠이 개발되었다. 이러한 이에프이엠은 한국공개특허 제10-2015-009421호(이하, '특허문헌 2' 이라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.
특허문헌 2의 이에프이엠은 로드 포트의 보텀 퍼지 장치에 의해 퍼지 대상 용기의 내부 공간에 질소가 주입되고, 퍼지 대상 용기의 개구부의 상부 테두리보다 높은 위치에 실드 커튼 장치를 구비하고 있다. 따라서, 실드 커튼 장치에서 실드 커튼 가스를 아래로 분출함으로써, 개구부를 차폐하는 가스 커튼을 형성하게 된다.
그러나, 특허문헌 2의 이에프이엠의 경우, 실드 커튼 장치로 인해 형성되는 가스 커튼 또한, 일종의 하강기류를 형성하는 것이므로, 보텀 퍼지 장치에서 주입되는 질소와 만나면, 개구부 부근에서 난류가 발생할 여지가 있으며, 이로 인해, 웨이퍼의 습기 제거가 제대로 이루어질 수 없다는 문제점이 있다.
이처럼 종래기술들은 이에프이엠의 FFU(Fan Filter Unit)등과 같은 하강기류발생장치에서 발생하여 이에프이엠의 벽면을 타고 흐르는 하강기류를 차단하기 위한 부재를 설치함으로써, 이에프이엠의 벽면을 타고 흐르는 하강기류를 부정적으로 인식하고, 이를 전제로 문제를 해결하고자 한 것이다.
일본공개특허 제2015-204344호 한국공개특허 제10-2015-009421호
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 이에프이엠의 벽면을 타고 흐르는 하강기류를 적극적으로 이용하여 웨이퍼 수납용기에 수납된 웨이퍼의 불량율을 낮출 수 있는 이에프이엠을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 특징에 따른 이에프이엠은, 벽면에 형성된 개구에 웨이퍼 수납용기가 접속되고, 내부에 웨이퍼 반송실이 구성되는 이에프이엠에 있어서, 상기 웨이퍼 반송실의 상부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내에 가스를 송출하는 가스 송출부; 상기 웨이퍼 반송실의 하부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내의 가스를 흡인하는 가스 흡인부; 및 상기 가스 송출부와 상기 가스 흡인부 사이에 구비되고, 상기 벽면으로부터 이격 설치되며, 상기 벽면과 이격된 공간으로 유동하는 하강기류를 제어하는 기류제어날개;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개에 의해 제어되는 하강기류의 요소는 유속 또는 방향인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개는 곡률을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개는, 상기 벽면의 방향으로 볼록하게 형성되는 제1볼록부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개는, 상기 벽면의 반대 방향으로 볼록하게 형성되는 제2볼록부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개의 익폭 방향(span wise)의 길이는 상기 개구의 수평방향 길이 이상인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개는, 상기 하강기류와 부딪히는 앞전(leading edge)과, 상기 벽면의 방향으로 볼록한 곡률을 갖도록 상기 앞전으로부터 연장되게 형성되는 일측면과, 상기 벽면의 반대 방향으로 볼록한 곡률을 갖도록 상기 앞전으로부터 연장되게 형성되는 타측면과, 상기 일측면 및 상기 타측면에서 연장되며 상기 앞전의 반대편에 위치하는 뒷전(trailing edge)을 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개의 뒷전이 상기 벽면을 향해 기울어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개는 틸팅 가능한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개는 복수 개 설치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수 개의 기류제어날개는 높이 차를 갖도록 설치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 흡인부는 각각 개별적인 흡인이 가능한 복수 개의 흡인부로 이루어지고, 상기 복수 개의 흡인부는 상기 기류제어날개로부터 박리된 하강기류의 방향을 제어하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개는, 상기 기류제어날개에 구비되는 히터;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기류제어날개는, 상기 기류제어날개에 구비되는 가스분사부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 벽면에는 복수 개의 돌기가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 벽면에는 복수 개의 딤플이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 이에프이엠에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
기류제어날개가 하강기류를 제어함에 따라 웨이퍼 수납용기 내부로 유입하지 않게 되어 웨이퍼 수납용기의 주입기류와 웨이퍼 반송실의 하강기류가 서로 만나지 않게 된다. 따라서, 벽면의 개구 부근에 난류가 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통해, 주입기류가 웨이퍼의 전방 방향까지 용이하게 유동되어 웨이퍼의 습기를 더욱 효과적으로 제거할 수 있다.
기류제어날개가 하강기류를 제어함과 동시에, 복수 개의 흡인부가 제어된 하강기류를 개별적으로 흡인함에 따라 하강기류의 제어를 더욱 효과적으로 할 수 있다.
벽면의 표면에 복수 개의 돌기 또는 복수 개의 딤플이 형성됨에 따라, 벽면을 따라 흐르는 하강기류의 표면 마찰항력을 줄일 수 있으며, 이로 인해, 하강기류의 흐름 및 기류제어날개에 의해 생성된 층류의 흐름을 원할하게 할 수 있다.
도 1은 종래의 이에프이엠을 도시한 도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠을 도시한 도.
도 3은 도 2의 기류제어날개를 도시한 도.
도 4는 도 3의 기류제어날개로 인한 하강기류의 흐름 변화를 도시한 도.
도 5는 도 2의 하강기류의 흐름을 도시한 도.
이하에서 언급되는 '가스'는 웨이퍼의 퓸 또는 습기를 제거하기 위한 불활성 가스를 통칭하는 말이며, 특히, 불활성 가스 중 하나인 질소(N2) 가스일 수 있다.
웨이퍼 반송실(150)의 하강기류(D, Down Flow)와 웨이퍼 수납용기(50)의 주입기류(I, Injection Flow)는 전술한 가스에 의해 형성되는 기류를 말한다.
또한, 기류제어날개(200)에 의해 제어되는 벽면(151)과 기류제어날개(200) 사이의 이격된 공간으로 유동하는 하강기류(D)는 제1볼록부기류(D1)와, 제2볼록부기류(D2) 및 층류(L)를 모두 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠을 도시한 도이고, 도 3은 도 2의 기류제어날개를 도시한 도이고, 도 4는 도 3의 기류제어날개로 인한 하강기류의 흐름 변화를 도시한 도이고, 도 5는 도 2의 하강기류의 흐름을 도시한 도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠(10, EFEM, Equipment Front End Module)은, 웨이퍼 수납용기(50)가 접속되는 벽면(151)을 구비한 웨이퍼 반송실(150)과, 웨이퍼 반송실(150)의 상부에 형성되어 웨이퍼 반송실(150) 내의 가스를 송출하는 가스 송출부(153)와, 웨이퍼 반송실(150)의 하부에 형성되어 웨이퍼 반송실(150) 내의 가스를 흡인하는 가스 흡인부(154)와, 가스 송출부(153)와 가스 흡인부(154) 사이에 구비되고, 벽면(151)으로부터 이격 설치되며, 벽면(151)과 이격된 공간으로 유동하는 하강기류(D)를 제어하는 기류제어날개(200)를 포함하여 구성된다.
웨이퍼 수납용기(50)는 내부에 웨이퍼(W)가 수납되며, 전방에 웨이퍼(W)가 출입하는 전방개구부(미도시)가 형성되어 있다.
이러한 웨이퍼 수납용기(50)는 웨이퍼(W)를 수납하는 수납용기로의 기능뿐만 아니라, 웨이퍼 수납용기(50)에 구비된 주입부(51)를 통해 웨이퍼(W)에 가스를 주입하여 습기를 제거하거나, 퓸을 제거하게 된다.
웨이퍼 수납용기(50)는 적재장치(60)의 상부에 놓여지며, 이로 인해, 웨이퍼 수납용기(50)의 전방개구부가 이에프이엠(10)의 웨이퍼 반송실(150)의 벽면(151)의 개구(152)에 용이하게 접속된다.
이 경우, 적재장치(60)는 로드포트 등과 같이 웨이퍼 수납용기(50)를 적재하는 장치를 통칭하는 것이며, 그 내부에는 웨이퍼 수납용기(50)의 주입부(51) 및 배기부(미도시)와 각각 연통되는 적재장치주입부(미도시) 및 적재장치배기부(미도시)가 구비되어 있다.
적재장치주입부는 외부 가스공급부(미도시)와 연통되어 있으며, 이로 인해, 외부에서 공급된 가스가 외부 가스공급부, 적재장치(60)의 적재장치주입부 및 웨이퍼 수납용기(50)의 주입부(51)를 통해 웨이퍼 수납용기(50)의 내부로 주입됨으로써, 웨이퍼 수납용기(50)에 수납된 웨이퍼(W)에 가스를 용이하게 주입할 수 있다.
이렇게 웨이퍼 수납용기(50)에 수납된 웨이퍼(W)로 주입된 가스, 즉, 웨이퍼 수납용기(50) 내부로 주입된 가스는 도 5의 주입기류(I)를 형성하게 된다.
적재장치배기부는 외부 가스배기부(미도시)와 연통되어 있으며, 이로 인해, 웨이퍼 수납용기(50)의 내부로 주입된 가스 및 웨이퍼(W)의 퓸이 웨이퍼 수납용기(50)의 배기부, 적재장치(60)의 적재장치배기부 및 외부 가스배기부를 통해 웨이퍼 수납용기(50)의 내부에서 적재장치(60) 및 외부 가스배기부로 배기됨으로써, 웨이퍼 수납용기(50)에 수납된 웨이퍼(W)의 퓸을 용이하게 제거할 수 있다.
또한, 웨이퍼 수납용기(50)에는 웨이퍼 수납용기 히터(미도시)가 구비될 수 있으며, 웨이퍼 수납용기 히터는 웨이퍼 수납용기(50) 내부의 온도를 가열하여, 웨이퍼(W)의 습기를 제거하는 기능을 한다.
전술한, 웨이퍼 수납용기(50)는 웨이퍼 수납용기(50) 자체가 자동화 시스템 또는 사용자에 의해 이동되어 적재장치(60)에 놓여지는 이동형일 수 있으며, 이동되지 않고 적재장치(60)에 결합된 채 적재장치(60)의 상부에 놓여지는 고정형일 수 있다.
웨이퍼 반송실(150)은 이에프이엠(10)의 내부에서 로봇암 등과 같은 웨이퍼 이송장치(미도시)에 의해 웨이퍼(W)의 반송이 행해지는 공간을 말한다.
웨이퍼 반송실(150)의 일측에는 벽면(151)이 구비되며, 벽면(151)에는 개구(152)가 형성된다.
웨이퍼 반송실(150)의 일측의 벽면(151)의 개구(152)에는 웨이퍼 수납용기(50)의 전방개구부가 연통됨으로써, 웨이퍼 반송실(150)의 일측에 웨이퍼 수납용기(50)가 접속된다.
또한, 웨이퍼 반송실(150)의 다른 측에는 웨이퍼(W)에 에칭 등의 공정을 행하는 공정장비(미도시)가 접속된다.
따라서, 웨이퍼 이송장치는 웨이퍼 수납용기(50)에 수납된 웨이퍼(W)를 공정장비에 이송하여 공정을 행하거나, 공정장비에서 공정을 마친 웨이퍼(W)를 웨이퍼 수납용기(50)로 이송할 수 있으며, 이러한 웨이퍼(W)의 이송(또는 반송)은 웨이퍼 반송실(150) 내에서 이루어지게 된다.
벽면(151)의 표면에는 복수 개의 돌기(미도시)가 형성될 수 있다. 이 경우, 복수 개의 돌기는 리블렛(Riblet)과 같이, 각각 삼각형 형상의 돌기로 형성되는 것이 바람직하며, 벽면(151)의 표면 마찰항력을 줄여주는 기능을 한다. 따라서, 복수 개의 돌기에 의해 벽면(151)을 따라 흐르는 하강기류(D)는 마찰항력이 줄어들게 되므로, 하강기류(D)의 유속이 빨라질 수 있다.
또한, 벽면(151)의 표면에는 복수 개의 딤플(Dimple, 미도시)이 형성될 수 있다. 복수 개의 딤플 또한, 전술한 복수 개의 돌기와 같이 벽면(151)의 표면 마찰항력을 줄여주어 하강기류(D)의 유속을 빨라지게 하는 기능을 한다.
전술한 복수 개의 돌기 또는 복수 개의 딤플에 의해 유속이 빨라지는 기류는 하강기류(D)뿐만 아니라 후술할 기류제어날개(200)에 의해 발생되는 제1볼록부기류(D1)를 포함한다.
다시 말해, 복수 개의 돌기 또는 복수 개의 딤플은 벽면(151)을 따라 흐르는 하강기류(D)의 유속을 빨라지게 하여 하강기류(D)의 흐름 자체를 원활하게 해줄 뿐만 아니라, 기류제어날개(200)와 벽면(151) 사이의 이격 공간을 따라 흐르는 하강기류(D), 즉, 제1볼록부기류(D1)를 포함하는 기류의 유속을 빨라지게 함으로써, 제1볼록부기류(D1)에 의해 생성되는 층류(L)의 흐름을 원할하게 해주는 기능을 한다.
가스 송출부(153)는 웨이퍼 반송실(150)의 상부에 형성되어 웨이퍼 반송실(150) 내의 가스를 송출하는 기능을 한다.
이 경우, 가스 송출부(153)는 가스를 송출시키는 송출팬과 가스를 필터링하여 청정하게 만드는 필터를 포함한 FFU(Fan Filter Unit)일 수 있다.
가스 흡인부(154)는 웨이퍼 반송실(150)의 하부에 형성되어 웨이퍼 반송실(150) 내의 가스를 흡인하는 기능을 한다.
위와 같이, 웨이퍼 반송실(150)의 상부 및 하부에 각각 가스 송출부(153) 및 가스 흡인부(154)가 형성되어 있으므로, 가스 송출부(153)에서 송출된 가스가 가스 흡인부(154)로 흡인됨으로써, 웨이퍼 반송실(150) 내에 하강기류(D)가 형성될 수 있다.
가스 흡인부(154)는 복수 개의 가스 흡인부(154)로 이루어질 수 있다. 이 경우, 복수 개의 가스 흡인부(154)는 흡인력을 발생시키는 흡인팬 등이 각각 구비되고, 이러한 흡인팬 등이 각각 작동함으로써, 개별적인 흡인이 가능하게 구성될 수 있다.
이하, 기류제어날개(200)에 대해 설명한다.
도 3(a)는 도 2의 기류제어날개(200)의 사시도이고, 도 3(b)는 도 2의 기류제어날개(200)의 단면도이다.
단, 설명의 용이함을 위해, 이하의 설명에서는 기류제어날개(200)의 도 3(a) 및 도 3(b)의 'x' 방향(앞전(210)에서 뒷전(220) 방향)을 익현 방향(chord wise)이라 하고, 도 3(a)의 'y' 방향을 익폭 방향(span wise)이라 지칭한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기류제어날개(200)는 벽면(151)으로부터 이격되게 설치되며, 벽면(151)과 이격된 공간으로 유동하는 하강기류(D)를 제어하는 기능을 한다.
또한, 도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 기류제어날개(200)는 하강기류(D)와 부딪히는 앞전(210)(leading edge)과, 벽면(151)의 방향으로 볼록한 곡률을 갖도록 앞전(210)으로부터 연장되게 형성되는 제1볼록부(230)와, 벽면(151)의 반대 방향으로 볼록한 곡률을 갖도록 앞전(210)으로부터 연장되게 형성되는 제2볼록부(240)와, 제1볼록부(230) 및 제2볼록부(240)에서 연장되며 앞전(210)의 반대편에 위치하는 뒷전(220)(trailing edge)을 포함하여 구성된다.
앞전(210)은 기류제어날개(200)의 전방에 형성되며, 가스 송출부(153)에서 가스가 송출되어 하강기류(D)가 생성되면 하강기류(D)가 직접 부딪히는 부분이다.
뒷전(220)은 기류제어날개(200)의 후방에 형성되며, 앞전(210)의 반대편에 위치하므로, 하강기류(D)가 직접 부딪히지 않는 부분이다.
제1볼록부(230)는 벽면(151)의 방향으로 볼록한 곡률을 갖도록 기류제어날개(200)의 일측면에 형성되고, 제2볼록부(240)는 벽면(151)의 반대 방향으로 볼록한 곡률을 갖도록 기류제어날개(200)의 타측면에 형성된다.
이 경우, 일측면의 반대측 면은 타측면이다. 따라서, 제1볼록부(230)의 반대편에 제2볼록부(240)가 형성되어 있다.
이러한 제1볼록부(230)와 제2볼록부(240)는 앞전(210)에서 연장되게 형성되어 뒷전(220)에서 만나게 된다. 다시 말해, 앞전(210), 제1, 2볼록부(230, 240) 및 뒷전(220)은 연속적인 면을 형성하게 되며, 이로 인해, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 기류제어날개(200)의 단면, 즉, 에어포일(airfoil)을 형성하게 된다.
기류제어날개(200)에는 히터(미도시)가 구비될 수 있으며, 히터는 기류제어날개(200)를 가열시켜, 기류제어날개(200)에 접하는 하강기류(D)를 가열시킴으로써, 웨이퍼 반송실(150) 내부의 온도를 상승시키는 기능을 한다.
기류제어날개(200)의 히터에 의해 하강기류(D)가 가열될 경우, 하강기류(D)는 더욱 활성화되며, 이를 통해, 하강기류(D)의 유속이 상승하는 효과를 누릴 수 있다(기체는 가열되면 활성화되어 그 속도가 빨라지므로).
이러한, 히터는 기류제어날개(200)의 내부에 구비되는 것이 바람직하다.
기류제어날개(200)에는 가스분사부(미도시)가 구비될 수 있으며, 가스분사부는 기류제어날개(200)의 표면에 구비되어 가스를 분사시킴으로써, 추가적인 가스의 유량 공급과 동시에 기류제어날개(200)의 표면을 유동하는 가스, 즉, 하강기류(D)를 더욱 빠른 속도로 유동시키는 기능을 한다.
이러한, 가스분사부는 기류제어날개(200)의 표면, 다시 말해, 제1볼록부(230) 또는 제2볼록부(240) 중 적어도 어느 하나에 구비되는 것이 바람직하며, 분사구와 같은 형태로 제1볼록부(230) 또는 제2볼록부(240) 중 적어도 어느 하나에 구비될 수 있다.
위와 같은 구성을 갖는 기류제어날개(200)는 웨이퍼 반송실(150)의 벽면(151)에 이격되도록 설치된다.
이 경우, 기류제어날개(200)는 기류제어날개(200)의 최하부(도 2에서는 뒷전(220))의 위치가 웨이퍼 수납용기(50)의 전방개구부 및 벽면(151)의 개구(152) 보다 상부에 위치하는 것이 바람직하다.
이는, 웨이퍼 이송장치가 웨이퍼(W)를 이송할 때, 기류제어날개(200)가 웨이퍼 이송장치의 이송을 방해하는 것을 방지하기 위함이다.
기류제어날개(200)는 기류제어날개(200)의 익폭 방향의 길이(도 3(a)의 y 방향의 길이)가 벽면(151)의 개구(152)의 수평방향 길이 이상인 것이 바람직하다.
이는, 기류제어날개(200)의 익폭 방향 길이가 벽면(151)의 개구(152)의 수평방향 길이 미만일 경우, 즉, 기류제어날개(200)의 익폭 방향 길이가 벽면(151)의 개구(152)의 수평방향 길이보다 작을 경우, 하강기류(D)가 기류제어날개(200)의 좌, 우측에서 휘어져 유동됨으로써, 웨이퍼 수납용기(50) 내부 방향으로 유동되거나, 웨이퍼 수납용기(50)의 반대 방향으로 유동되는 등, 하강기류(D)의 방향의 제어가 용이하지 않기 때문이다.
기류제어날개(200)는 틸팅 가능하게 설치될 수 있으며, 이러한 기류제어날개(200)의 틸팅은 구동부(미도시)에 의해 이루어진다. 따라서, 구동부의 구동에 따라 기류제어날개(200)는 도 4(a), 도 4(b), 도 4(c)에 도시된 바와 같이, 그 받음각이 달라질 수 있다(받음각에 대한 상세한 설명은 후술한다).
기류제어날개(200)는 복수 개로 구비될 수 있으며, 복수 개의 기류제어날개(200)는 높이 차를 갖도록 설치될 수 있다.
복수 개의 기류제어날개(200)의 높이 차란 복수 개의 기류제어날개(200)의 뒷전(220)의 위치의 높이가 서로 다르게 위치하여 설치되는 것을 말한다.
이 경우, 복수 개의 기류제어날개(200)의 설치 위치는 벽면(151) 방향으로 갈수록 복수 개의 기류제어날개(200)의 뒷전(220)의 위치의 높이가 낮아지게 설치될 수 있으며, 반대로, 복수 개의 기류제어날개(200)의 설치 위치는 벽면(151)의 반대 방향으로 갈수록 복수 개의 기류제어날개(200)의 뒷전(220)의 위치의 높이가 낮아지게 설치될 수 있다.
이처럼 복수 개의 기류제어날개(200)가 서로 높이 차를 갖도록 설치됨으로써, 원하는 방향으로의 하강기류(D)의 제어를 더욱 용이하게 할 수 있다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠(10)의 하강기류(D)를 기류제어날개(200)로 제어하는 것에 대해 설명한다.
도 4(a)는 기류제어날개(200)의 받음각이 0˚일 때를 도시한 도이고, 도 4(a)는 기류제어날개(200)의 받음각이 15˚일 때를 도시한 도이고, 도 4(a)는 기류제어날개(200)의 받음각이 25˚일 때를 도시한 도이다.
이 경우, 받음각이란, 기류제어날개(200)의 기울기와 하강기류(D)의 흐름 방향 사이의 각도를 말한다.
또한, 도 4(a) 내지 도 4(c)의 받음각은 모두 기류제어날개(200)의 뒷전(220)이 벽면(151)을 향하여 기울어져 있는 것을 기준으로 도시된 것이며, 도 2 및 도 5의 기류제어날개는 도 4(c)에 도시된 바와 같이, 기류제어날개(200)의 받음각이 25˚일 때를 기준으로 도시한 것이다.
먼저, 도 4(c)에 도시된 바와 같이 기류제어날개(200)의 받음각이 25˚인 경우에 하강기류(D)의 흐름에 대해 설명한다.
하강기류(D)는 기류제어날개(200)의 앞전(210)에 부딪힌 후, 제1볼록부(230)와 제2볼록부(240)의 표면으로 갈라져 유동하게 된다.
이 경우, 제1볼록부(230)의 표면으로 유동되는 기류(이하, '제1볼록부기류(D1)' 라 한다)는 기류제어날개(200)의 받음각이 벽면(151) 방향으로 각도가 형성되어 있음과 동시에 제1볼록부(230)가 볼록한 곡률을 갖고 있으므로 코안다 효과(Coanda Effect)가 발생하게 된다.
이처럼 코안다 효과가 발생하게 되면 제1볼록부기류(D1)는 그 방향이 제1볼록부(230)의 곡률을 따라 벽면(151)의 반대 방향으로 유동하게 되며, 그 유속은 더욱 빨라지게 된다.
따라서, 제1볼록부기류(D1)가 기류제어날개(200)의 뒷전(220)을 벗어나더라도 높은 유속을 유지할 수 있으며, 이로 인해, 높은 유속의 층류(L, laminar flow)가 형성되게 된다.
반면, 제2볼록부(240)의 표면으로 유동되는 기류(이하, '제2볼록부기류(D2)' 라 한다)는 받음각이 벽면(151) 방향으로 각도를 갖고 있으므로, 유동박리(separation flow)가 발생하게 된다. 따라서, 제2볼록부기류(D2)는 제2볼록부(240) 하부에서 난류를 형성하게 되며, 이로 인해, 유속이 낮아지게 된다.
다시 말해, 유동박리에 의해 제2볼록부기류(D2)는 기류제어날개(200)로부터 박리되며, 제1볼록부기류(D1)와 달리 층류를 형성하지 못하고 난류를 형성하게 된다.
이는, 유동박리 원리에 의해 제2볼록부(240)를 타고 흐르는 제2볼록부기류(D2)는 천이점(또는 박리점)을 기점으로 층류에서 항력(drag force)로 변환되기 때문이다. 이 경우, 천이점(또는 박리점)의 유속은 '0' 에 수렴하게 된다.
따라서, '제1볼록부기류(D1)의 유속 > 하강기류(D)의 유속 > 제2볼록부기류(D2)의 유속' 관계를 만족하게 된다.
이하, 도 4(b)에 도시된 바와 같이 기류제어날개(200)의 받음각이 15˚인 경우에 하강기류(D)의 흐름에 대해 설명한다.
도 4(b)의 경우에도, 받음각이 15˚ 이기 때문에, 하강기류(D)가 제1볼록부기류(D1)와 제2볼록부기류(D2)로 나눠질 때, 제1볼록부기류(D1)는 코안다 효과가 발생하며, 제2볼록부기류(D2)는 유동박리가 발생하게 된다. 단, 받음각이 도 4(c)의 경우보다 적으므로, 유동박리가 도 4(c)의 경우보다 크게 발생하지 않으며, 이로 인해, 코안다 효과에 의한 제1볼록부기류(D1)의 층류 발생 효과가 도 4(c)의 경우보다 작다.
도 4(a)의 경우, 받음각이 0˚이므로, 하강기류(D)는 제1볼록부기류(D1)과 제2볼록부기류(D2)로 나눠지기는 하나, 제1볼록부기류(D1)의 코안다 효과와, 제2볼록부기류(D2)의 유동박리가 발생되지 않는다. 따라서, 전술한 도 4(b) 및 도 4(c)와 달리, 층류가 형성되지 않는다.
전술한 바와 같이, 기류제어날개(200)에 의한 하강기류(D)의 제어는 제1볼록부(230)에 의해 코안다 효과가 발생되는 제1볼록부기류(D1)와, 제2볼록부(240)에 의한 유동박리가 발생하는 제2볼록부기류(D2)의 결과로 제어되게 된다.
또한, 이러한 하강기류(D)의 제어는 받음각의 각도에 따라 코안다 효과 및 유동박리의 발생 여부가 달라지게 되며, 이를 가장 극대화하기 위해서는 받음각이 25˚인 것이 바람직하다.
물론, 이러한 받음각은 제1, 2볼록부(230, 240)의 형상 등의 변화에 따라 다소 변화가 있을 수 있으나, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠(10)의 기류제어날개(200)의 경우, 받음각이 15˚ 내지 25˚ 범위 내인 것이 가장 바람직하다.
전술한 바와 같이, 하강기류(D)가 기류제어날개(200)를 거쳐 제1볼록부기류(D1)과 제2볼록부기류(D2)로 나뉘어 지고, 그 특성이 달라짐에 따라 벽면(151)과 기류제어날개(200) 사이의 이격 공간으로 유동하는 하강기류(D)는 결과적으로 도 5에 도시된 바와 같이, 층류(L)를 형성하여 벽면(151)의 반대 방향으로 유동하게 된다.
다시 말해, 기류제어날개(200)로 인해, 벽면(151)과 기류제어날개(200)의 이격 공간으로 유동하는 하강기류(D)는 하강기류(D)의 유속 또는 하강기류(D)의 방향 또는 하강기류(D)의 유속 및 방향(이하, '하강기류(D)의 유속 및/또는 방향'이라 한다)이 제어되는 것이다. 즉, 기류제어날개(200)에 의해 제어되는 하강기류(D)의 요소는 하강기류(D)의 유속 및/또는 방향이다.
이처럼 하강기류(D)의 유속 및/또는 방향이 제어됨에 따라, 하강기류(D)의 유량, 압력 등도 같이 제어됨은 물론이다.
위와 같이, 기류제어날개(200)가 하강기류(D)를 제어함에 따라, 하강기류(D)는 웨이퍼 수납용기(50) 내부로 유입되지 않게 되며, 이로 인해, 웨이퍼 수납용기(50)의 주입부(51)에서 주입된 주입기류(I)와 하강기류(D)가 만나지 않게 된다.
따라서, 종래의 웨이퍼 수납용기와 달리, 웨이퍼 수납용기(50)의 주입부(51)에서 주입된 주입기류(I)와 하강기류(D)가 만나지 않음에 따라 벽면(151)의 개구(152) 부근에 난류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
위와 같이, 벽면(151)의 개구(152) 부근에 난류가 발생하지 않음에 따라 주입부(51)에서 주입된 주입기류(I)는 웨이퍼(W)의 전방 방향(웨이퍼 수납용기(50)의 전방개구부 또는 벽면(151)의 개구(152) 방향)까지 용이하게 유동할 수 있으며, 이로 인해, 웨이퍼(W)에 가스가 유동되지 못하는 사영역이 없어지게 되어 웨이퍼(W)의 습기가 더욱 효율적으로 제거될 수 있다.
또한, 제2볼록부(240)에 의해 유동박리가 발생한 제2볼록부기류(D2)는 난류 등에 의해 그 유속이 줄어들게 되므로, 그 흡인 제어가 매우 유리하다.
다시 말해, 전술한 바와 같이, 복수 개의 가스 흡인부(154) 중 벽면(151)의 반대 방향에 있는 가스 흡인부(154)의 흡인력을 높여주게 되면, 제2볼록부기류(D2)는 그 유속이 낮으므로 흡인이 잘 이루어질 수 있으며, 이를 통해, 벽면(151) 방향, 즉, 웨이퍼 수납용기(50) 방향으로 제2볼록부기류(D2)가 유동하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
위와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠(10)은 웨이퍼 반송실(150)에 구비된 기류제어날개(200)에 의해 벽면(151)과 기류제어날개(200) 사이의 이격 공간을 따라 유동되는 하강기류(D)를 용이하게 제어할 수 있다.
따라서, 단순히 하강기류를 막아 웨이퍼 수납용기의 반대편으로 하강기류를 유동시킨 종래의 이에프이엠과 달리, 제1볼록부(230)의 표면으로 흐르는 제1볼록부기류(D1)에서 발생되는 코안다 효과로 인해 층류(L)가 형성되어, 벽면(151) 반대 방향으로 방향이 제어될 뿐만 아니라 그 유속이 높아지게 되며, 이를 통해, 더욱 확실하게 웨이퍼 수납용기(50) 내부로의 하강기류의 유입을 방지할 수 있다.
또한, 제2볼록부(240)의 표면으로 흐르는 제2볼록부기류(D2)에서 발생되는 유동박리로 인해 제2볼록부기류(D2)의 유속이 낮아지게 되어 그 제어가 매우 용이하며, 이를 통해, 복수 개의 가스 흡인부(154)의 개별제어의 효과를 극대화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 벽면(151)의 반대 방향, 즉, 웨이퍼 수납용기(50)의 반대 방향으로 유량이 집중되어 하강기류(D)의 흐름이 방해되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 기류제어날개(200)에 의해 제어된 하강기류(D)는 그 방향 및/또는 유속이 제어된다 하여도, 가스 송출부(153)에서 가스 흡인부(154)로 방향으로 흐름, 즉, 웨이퍼 반송실(150)의 상부에서 하부 방향으로의 흐름이 방해될 염려 없이 용이하게 송출되어 흡인될 수 있다.
다시 말해, 기류제어날개(200)에 의해 박리된 제2볼록부기류(D2)는 복수 개의 흡인부(154)의 개별적인 흡인에 의해 그 제어가 용이하게 되는 것이다. 따라서, 기류제어날개(200)의 제2볼록부(240)와 복수 개의 흡인부(154)는 유기적인 결합에 의해 하강기류(D)의 제어를 용이하게 할 수 있다는 효과가 발생된다고 할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
10: 이에프이엠 50: 웨이퍼 수납용기
60: 적재장치 150: 웨이퍼 반송실
151: 벽면 152: 개구
153: 가스 송출부 154: 가스 흡인부
200: 기류제어날개 210: 앞전
220: 뒷전 230: 제1볼록부
240: 제2볼록부
W: 웨이퍼 D: 하강기류
D1: 제1볼록부기류 D2: 제볼록부기류
I: 주입기류 L: 층류

Claims (16)

  1. 벽면에 형성된 개구에 웨이퍼 수납용기가 접속되고, 내부에 웨이퍼 반송실이 구성되는 이에프이엠에 있어서,
    상기 웨이퍼 반송실의 상부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내에 가스를 송출하는 가스 송출부;
    상기 웨이퍼 반송실의 하부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내의 가스를 흡인하는 가스 흡인부; 및
    상기 가스 송출부와 상기 가스 흡인부 사이에 구비되고, 상기 벽면으로부터 이격 설치되며, 상기 벽면과 이격된 공간으로 유동하는 하강기류를 제어하는 기류제어날개;를 포함하고,
    상기 기류제어날개는 틸팅 가능한 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기류제어날개에 의해 제어되는 하강기류의 요소는 유속 또는 방향인 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기류제어날개는 곡률을 갖는 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기류제어날개는,
    상기 벽면의 방향으로 볼록하게 형성되는 제1볼록부를 구비하는 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 기류제어날개는,
    상기 벽면의 반대 방향으로 볼록하게 형성되는 제2볼록부를 구비하는 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기류제어날개의 익폭 방향(span wise)의 길이는 상기 개구의 수평방향 길이 이상인 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  7. 벽면에 형성된 개구에 웨이퍼 수납용기가 접속되고, 내부에 웨이퍼 반송실이 구성되는 이에프이엠에 있어서,
    상기 웨이퍼 반송실의 상부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내에 가스를 송출하는 가스 송출부;
    상기 웨이퍼 반송실의 하부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내의 가스를 흡인하는 가스 흡인부; 및
    상기 가스 송출부와 상기 가스 흡인부 사이에 구비되고, 상기 벽면으로부터 이격 설치되며, 상기 벽면과 이격된 공간으로 유동하는 하강기류를 제어하는 기류제어날개;를 포함하고,
    상기 기류제어날개는,
    상기 하강기류와 부딪히는 앞전(leading edge)과, 상기 벽면의 방향으로 볼록한 곡률을 갖도록 상기 앞전으로부터 연장되게 형성되는 일측면과, 상기 벽면의 반대 방향으로 볼록한 곡률을 갖도록 상기 앞전으로부터 연장되게 형성되는 타측면과, 상기 일측면 및 상기 타측면에서 연장되며 상기 앞전의 반대편에 위치하는 뒷전(trailing edge)을 구비한 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기류제어날개의 뒷전이 상기 벽면을 향해 기울어진 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 벽면에 형성된 개구에 웨이퍼 수납용기가 접속되고, 내부에 웨이퍼 반송실이 구성되는 이에프이엠에 있어서,
    상기 웨이퍼 반송실의 상부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내에 가스를 송출하는 가스 송출부;
    상기 웨이퍼 반송실의 하부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내의 가스를 흡인하는 가스 흡인부; 및
    상기 가스 송출부와 상기 가스 흡인부 사이에 구비되고, 상기 벽면으로부터 이격 설치되며, 상기 벽면과 이격된 공간으로 유동하는 하강기류를 제어하는 기류제어날개;를 포함하고,
    상기 기류제어날개는 복수 개 설치되며,
    상기 복수 개의 기류제어날개는 높이 차를 갖도록 설치되는 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  12. 벽면에 형성된 개구에 웨이퍼 수납용기가 접속되고, 내부에 웨이퍼 반송실이 구성되는 이에프이엠에 있어서,
    상기 웨이퍼 반송실의 상부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내에 가스를 송출하는 가스 송출부;
    상기 웨이퍼 반송실의 하부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내의 가스를 흡인하는 가스 흡인부; 및
    상기 가스 송출부와 상기 가스 흡인부 사이에 구비되고, 상기 벽면으로부터 이격 설치되며, 상기 벽면과 이격된 공간으로 유동하는 하강기류를 제어하는 기류제어날개;를 포함하고,
    상기 흡인부는 각각 개별적인 흡인이 가능한 복수 개의 흡인부로 이루어지고,
    상기 복수 개의 흡인부는 상기 기류제어날개로부터 박리된 하강기류의 방향을 제어하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 기류제어날개는,
    상기 기류제어날개에 구비되는 히터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기류제어날개는,
    상기 기류제어날개에 구비되는 가스분사부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  15. 벽면에 형성된 개구에 웨이퍼 수납용기가 접속되고, 내부에 웨이퍼 반송실이 구성되는 이에프이엠에 있어서,
    상기 웨이퍼 반송실의 상부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내에 가스를 송출하는 가스 송출부;
    상기 웨이퍼 반송실의 하부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내의 가스를 흡인하는 가스 흡인부; 및
    상기 가스 송출부와 상기 가스 흡인부 사이에 구비되고, 상기 벽면으로부터 이격 설치되며, 상기 벽면과 이격된 공간으로 유동하는 하강기류를 제어하는 기류제어날개;를 포함하고,
    상기 벽면에는 복수 개의 돌기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
  16. 벽면에 형성된 개구에 웨이퍼 수납용기가 접속되고, 내부에 웨이퍼 반송실이 구성되는 이에프이엠에 있어서,
    상기 웨이퍼 반송실의 상부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내에 가스를 송출하는 가스 송출부;
    상기 웨이퍼 반송실의 하부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내의 가스를 흡인하는 가스 흡인부; 및
    상기 가스 송출부와 상기 가스 흡인부 사이에 구비되고, 상기 벽면으로부터 이격 설치되며, 상기 벽면과 이격된 공간으로 유동하는 하강기류를 제어하는 기류제어날개;를 포함하고,
    상기 벽면에는 복수 개의 딤플이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이에프이엠.
KR1020170087343A 2017-07-10 2017-07-10 이에프이엠 KR102007803B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170087343A KR102007803B1 (ko) 2017-07-10 2017-07-10 이에프이엠
PCT/KR2018/007743 WO2019013506A1 (ko) 2017-07-10 2018-07-09 이에프이엠 및 이에프이엠 시스템
US16/630,388 US20210090923A1 (en) 2017-07-10 2018-07-09 Efem and efem system
TW107123733A TWI690013B (zh) 2017-07-10 2018-07-09 設備前端模組以及設備前端模組系統

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170087343A KR102007803B1 (ko) 2017-07-10 2017-07-10 이에프이엠

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190006395A KR20190006395A (ko) 2019-01-18
KR102007803B1 true KR102007803B1 (ko) 2019-08-06

Family

ID=65323576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170087343A KR102007803B1 (ko) 2017-07-10 2017-07-10 이에프이엠

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102007803B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102227652B1 (ko) 2020-05-20 2021-03-12 이건희 흄 기류 흡입수단을 가지는 이에프이엠

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11735455B2 (en) * 2021-03-12 2023-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems, devices, and methods for air flow optimization including adjacent a FOUP
KR102606707B1 (ko) * 2021-10-14 2023-11-29 주식회사 저스템 웨이퍼 버퍼용 챔버장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200669A (ja) 2002-12-02 2004-07-15 Rorze Corp ミニエンバイロメント装置、薄板状物製造システム及び清浄容器の雰囲気置換方法
WO2016205191A1 (en) * 2015-06-17 2016-12-22 Entegris, Inc. Flow modification fixture for an equipment front end module
US20170170042A1 (en) * 2015-12-11 2017-06-15 Tdk Corporation Efem

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5951889B2 (ja) * 2013-03-27 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6268425B2 (ja) 2013-07-16 2018-01-31 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ、ロードポート、ウェーハ搬送方法
JP6287515B2 (ja) 2014-04-14 2018-03-07 Tdk株式会社 Ｅｆｅｍシステム及び蓋開閉方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200669A (ja) 2002-12-02 2004-07-15 Rorze Corp ミニエンバイロメント装置、薄板状物製造システム及び清浄容器の雰囲気置換方法
WO2016205191A1 (en) * 2015-06-17 2016-12-22 Entegris, Inc. Flow modification fixture for an equipment front end module
US20170170042A1 (en) * 2015-12-11 2017-06-15 Tdk Corporation Efem

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102227652B1 (ko) 2020-05-20 2021-03-12 이건희 흄 기류 흡입수단을 가지는 이에프이엠

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190006395A (ko) 2019-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102007803B1 (ko) 이에프이엠
KR101224272B1 (ko) 도포 장치, 도포 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
US9318365B2 (en) Substrate processing apparatus
TWI690013B (zh) 設備前端模組以及設備前端模組系統
JP2021027355A (ja) カセット蓋開口デバイス
US8302637B2 (en) Method of processing an object in a container and lid opening/closing system used in the method
KR102124372B1 (ko) 이에프이엠 시스템
US5217925A (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers
KR20120004921A (ko) 액 처리 장치
CN107808832B (zh) 基板处理装置
JP2012525704A5 (ko)
US7748942B2 (en) Dust resistant load port apparatus and mini-environment system
TWI748047B (zh) 液體處理裝置
KR101977384B1 (ko) 이에프이엠 시스템
JP6818930B1 (ja) ロードロック装置
KR101973234B1 (ko) 기판 반송 시스템 및 이것을 사용한 열처리 장치
KR200451730Y1 (ko) 세정장치의 오토셔터
JPH02305740A (ja) 基板搬送装置
KR100510111B1 (ko) 종형 열처리 장치의 청정기체 공급 장치
JP2006029644A (ja) 連続熱処理炉
JP4256185B2 (ja) クリーンルームにおける気流制御構造
JP4116928B2 (ja) 物品搬送車及び搬送システム
CN107709261A (zh) 玻璃板的制造方法及其制造装置
KR20230135559A (ko) 진공 처리 장치
KR20240116176A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant