KR101994734B1 - Multilayered electronic component and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수축율이 매칭된 적층형 전자부품 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유전체와 자성체의 이종 접합에서 나타날 수 있는 딜라미네이션, 확산 및 크랙, 자성체 및 삽입물 간 갈라짐을 방지할 수 있는 적층형 전자부품 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 대한 일 실시 예로, 복수의 자성체 층이 적층되어 형성된 세라믹 본체, 자성체 층 사이에 배치된 비자성체 층, 세라믹 본체 내부에 배치되며, 복수의 내부 코일 패턴이 전기적으로 접속되어 형성된 내부 코일부 및 세라믹 본체의 단면에 형성되며, 내부 코일부와 접속하는 외부전극을 포함하며, 비자성체 층은 Nb2O5계 유전체를 포함하는 적층형 전자부품을 제시한다.[0001] The present invention relates to a laminated electronic component in which a shrinkage rate is matched, and a manufacturing method thereof, and more particularly to a laminated electronic component which can prevent delamination, diffusion and cracking which may occur in a heterojunction between a dielectric and a magnetic body, To an electronic component and a manufacturing method thereof. According to one embodiment of the present invention, there is provided a ceramic body including a ceramic body formed by stacking a plurality of magnetic body layers, a non-magnetic body layer disposed between the magnetic body layers, an inner coil portion disposed inside the ceramic body, And an outer electrode formed on an end surface of the ceramic body and connected to the inner coil part, wherein the nonmagnetic layer includes a Nb 2 O 5 -based dielectric material.

Description

적층형 전자부품 및 그 제조 방법 {Multilayered electronic component and manufacturing method thereof}Technical Field [0001] The present invention relates to a multilayered electronic component and a manufacturing method thereof,

본 발명은 적층형 전자부품 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a multilayer electronic component and a manufacturing method thereof.

세라믹 재료를 사용하는 전자부품에는 커패시터, 인턱터, 압전 소자, 바리스터 또는 서미스터 등이 있다.Electronic components using ceramic materials include capacitors, inductors, piezoelectric elements, varistors or thermistors.

이러한 세라믹 전자부품 중 인덕터는 저항 및 커패시터와 더불어 전자 회로를 이루는 중요한 수동 소자 중의 하나로서, 노이즈를 제거하거나 LC 공진 회로를 이루는 부품으로 사용된다. 위 세라믹 전자부품은 자성체 조성물을 이용하여 제작된다.
Among these ceramic electronic components, an inductor is one of important passive elements forming an electronic circuit together with a resistor and a capacitor, and is used as a component which removes noise or constitutes an LC resonance circuit. The above ceramic electronic component is fabricated using a magnetic composition.

인덕터는 구조에 따라 적층형, 권선형 및 박막형 등 여러 가지로 분류할 수 있는데, 각각은 적용범위뿐만 아니라 그 제조방법도 차이가 있다. Depending on the structure, the inductors can be classified into various types such as stacked type, wire wound type and thin film type.

권선형 인덕터는, 예를 들면 페라이트(ferrite) 코어에 코일을 감아 형성되는데, 코일간에 부유용량, 즉 도선간의 정전용량이 발생하므로 고용량의 인덕턴스를 얻기 위해 권선 수를 증가시키면 그에 따라 고주파 특성이 열화되는 문제점이 있다.The winding-type inductor is formed by winding a coil on a ferrite core, for example, because a floating capacity, that is, a capacitance between the wires, is generated between coils. Therefore, if the number of windings is increased in order to obtain a high-capacity inductance, .

적층형 인덕터는 다수의 페라이트 또는 저율전율의 유전체로 이루어진 세라믹 시트들이 적층된 적층체의 형태로 제조되며, 이 세라믹 시트 상에는 코일 형태의 금속 패턴이 형성되어 있는데, 각각의 세라믹 시트 상에 형성된 코일 형태의 금속 패턴은 각 세라믹 시트에 형성된 도전성 비아에 의해 순차적으로 접속되고, 적층 방향에 따라 중첩되는 구조를 이룬다.
The multilayer inductor is manufactured in the form of a laminate in which ceramic sheets composed of a plurality of ferrites or dielectrics of low dielectric constant are stacked. On the ceramic sheet, a coil-shaped metal pattern is formed. The metal pattern is sequentially connected by the conductive vias formed in the respective ceramic sheets, and has a structure in which the metal patterns are overlapped with each other in the stacking direction.

적층형 인덕터는 권선형과 비교하여 구조가 간단하고, 소형화 및 원가 경쟁력이 있으나, 직류 바이어스(DC-bias)에 따른 L 값의 변화율이 크다는 단점이 있다. 따라서, 이를 개선하기 위하여 비자성체인 유전체 재료를 인덕터 중간에 삽입하게 되면, 유효 투자율은 감소되나 L값의 변화율은 매우 작아지게 되어 고전류에서 사용하는 적층형 파워 인덕터의 제작이 가능하다.
The stacked inductor has a simple structure, miniaturization, and cost competitiveness compared to a wire-wound type, but has a disadvantage that the rate of change of the L value according to the DC bias is large. Therefore, if the nonmagnetic dielectric material is inserted in the middle of the inductor, the effective permeability is reduced, but the rate of change of the L value becomes very small, which makes it possible to fabricate a stacked type power inductor used at high currents.

이러한 적층형 인덕터는 비자성체인 유전체와 자성체 재료가 이종 접합하게 되고 유전체와 자성체 재료의 매칭이 가능해야 한다. 이종 접합에서 나타날 수 있는 결함으로는 딜라미네이션, 확산 및 크랙, 자성체 및 삽입물 간 갈라짐 등을 들 수 있다. 딜라미네이션은 소성 전에는 층간 접착력이 약한 경우 절단 시에 발생한다. 그러나 소성 후에는 삽입물 부분과 세라믹 본체의 소성수축거동 차이에서 기인하는 응력에 의하여 발생하게 된다. 크랙과 층 간 갈라짐 또한, 삽입물과 세라믹 본체 사이에서 나타나는 소성수축거동 차이에 의해 받게 되는 내부 응력의 차이로 인하여 소성 과정이나 소성 후 냉각되는 과정에서 발생하게 된다.
Such a multilayer inductor is required to have a nonmagnetic dielectric material and a magnetic material bonded to each other and to be able to match the dielectric material with the magnetic material. Defects that may occur in heterogeneous junctions include delamination, diffusion and cracking, and magnetic body and inter-implant cleavage. Dillamination occurs at the time of cutting when the interlaminar bond strength is weak before firing. However, after firing, it is caused by the stress caused by the plastic shrinkage behavior difference between the insert part and the ceramic body. Cracks and interlayer cracks also occur in the process of firing or cooling after firing due to differences in internal stresses due to differences in plastic shrinkage behavior between the insert and the ceramic body.

예를 들면, 자성체 층의 재료가 Zn-Cu 페라이트 계열이라면 비자성체 층의 재료는 (Zn, Cu)Ti2O4일 수 있다. Zn-Cu 페라이트 계열 재료 및(Zn, Cu)Ti2O4는 모두 스피넬(spinel) 구조를 가지며, 동일한 원소인 Zn 또는 Cu를 포함하는 재료이므로 자성체 층과 비자성체 층의 계면에서 확산을 일으켜 접합을 용이하게 한다. 그러나 자성체과 비자성체 층 간에 확산이 일어나 비자성체 두께가 얇아져 칩 용량 또는 RDC 등이 어긋나게 되고, 자성체 층과 비자성체 층의 수축거동이 다르기 때문에, 얇은 비자성체 층에 의해 딜라미네이션 또는 크랙이 발생할 수 있다.For example, if the material of the magnetic layer is Zn-Cu ferrite, the material of the nonmagnetic layer may be (Zn, Cu) Ti2O4. The Zn-Cu ferrite-based material and (Zn, Cu) Ti 2 O 4 all have a spinel structure and contain Zn or Cu, which is the same element. Therefore, diffusion occurs at the interface between the magnetic layer and the non- do. However, since diffusion occurs between the magnetic body and the nonmagnetic layer, the thickness of the nonmagnetic layer is thinned, chip capacity or RDC is shifted, and the shrinkage behavior of the magnetic layer and the nonmagnetic layer is different, so that delamination or cracking may occur due to the thin non- .

한국 공개특허 제 2013-0076285호Korean Patent Publication No. 2013-0076285

본 발명의 일 실시예의 목적은 비자성체인 유전체와 자성체의 이종 접합에서 나타날 수 있는 딜라미네이션, 확산 및 크랙, 자성체 및 삽입물 간 갈라짐을 방지할 수 있는 적층형 전자부품 및 그 제조 방법을 제안하는 것이다.It is an object of one embodiment of the present invention to provide a laminated electronic component capable of preventing delamination, diffusion and cracking which may occur in a heterojunction between a dielectric and a magnetic body, which are nonmagnetic, and cracking between the magnetic body and the insert, and a manufacturing method thereof.

본 발명의 일 실시형태는 복수의 자성체 층을 포함하는 세라믹 본체; 상기 자성체 층 사이에 배치하는 비자성체 층; 상기 세라믹 본체 내부에 배치되며, 상기 복수의 자성체 층 및 상기 비자성체 층 중 적어도 어느 하나의 층에 배치되며, 복수의 내부 코일 패턴이 전기적으로 접속되는 내부 코일부; 및 상기 세라믹 본체의 단면에 배치되며, 상기 내부 코일부와 접속하는 외부전극;을 포함하며, 상기 비자성체 층은 Nb2O5계 유전체를 포함하는 적층형 전자부품을 제공한다.
One embodiment of the present invention relates to a ceramic body including a plurality of magnetic layer layers; A nonmagnetic layer disposed between the magnetic layers; An inner coil part disposed in the ceramic body and disposed in at least one of the plurality of magnetic body layers and the nonmagnetic body layer and having a plurality of inner coil patterns electrically connected thereto; And an external electrode disposed on an end surface of the ceramic body and connected to the internal coil part, wherein the nonmagnetic body layer includes a Nb 2 O 5 based dielectric material.

상기 Nb2O5계 유전체는 ZnO-Nb2O5, ZnO-TiO2-Nb2O5, BaO-Nb2O5, BaO-TiO2-Nb2O5 및 Bi2O3-Nb2O5계 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
The Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 and Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 < / RTI >

상기 비자성체 층은 V2O5를 포함할 수 있다.
The non-magnetic layer may include V 2 O 5 .

상기 비자성체 층에 포함되는 Nb2O5와 V2O5의 몰비가 0.9:0.1 내지 0.6:0.4일 수 있다.
The molar ratio of Nb 2 O 5 and V 2 O 5 contained in the non-magnetic layer may be 0.9: 0.1 to 0.6: 0.4.

상기 비자성체 층은 유리프리트를 7~20wt% 포함할 수 있다.
The non-magnetic layer may contain 7 to 20 wt% glass frit.

상기 유리프리트는 CaO 및 BaO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
The glass frit may include at least one of CaO and BaO.

상기 비자성체 층은 상기 내부 코일부의 내부에 배치되는 형성될 수 있다.
The non-magnetic layer may be disposed inside the inner coil part.

상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 상기 자성체 층의 물질과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
A portion of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the region not including the dielectric may be made of the same material as the material of the magnetic layer.

상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 비어 있을 수 있다.
A portion of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the region that does not include the dielectric may be empty.

본 발명의 다른 실시형태는, 복수의 자성체 시트를 마련하는 단계; 단일 또는 복수의 Nb2O5계 유전체를 포함하는 비자성체 시트를 마련하는 단계; 상기 자성체 시트 및 상기 비자성체 시트 중 적어도 어느 하나의 시트 상에 내부 코일 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 자성체 시트 및 비자성체 시트를 적층하여 내부 코일부 및 세라믹 본체를 형성하는 단계; 세라믹 본체의 단면에 상기 내부 코일부와 접속하는 외부전극을 형성하는 단계를 포함하는 적층형 전자부품의 제조방법을 제공한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a magnetic recording medium including: a plurality of magnetic sheet sheets; Providing a non-magnetic sheet including a single or plural Nb 2 O 5 -based dielectrics; Forming an inner coil pattern on at least one of the magnetic sheet and the non-magnetic sheet; And laminating the magnetic sheet and the nonmagnetic sheet to form an inner coil part and a ceramic body; And forming an external electrode on an end surface of the ceramic body to be connected to the internal coil part.

상기 Nb2O5계 유전체는 ZnO-Nb2O5, ZnO-TiO2-Nb2O5, BaO-Nb2O5, BaO-TiO2-Nb2O5 및 Bi2O3-Nb2O5계 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
The Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 and Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 < / RTI >

상기 비자성체 시트는 V2O5를 포함할 수 있다.
The non-magnetic sheet may include V 2 O 5 .

상기 비자성체 시트에 포함되는 Nb2O5와 V2O5의 몰비가 0.9:0.1 내지 0.6:0.4일 수 있다.
The molar ratio of Nb 2 O 5 and V 2 O 5 contained in the non-magnetic sheet may be 0.9: 0.1 to 0.6: 0.4.

상기 비자성체 시트는 유리프리트를 7~20wt% 포함할 수 있다.
The non-magnetic sheet may contain 7 to 20 wt% glass frit.

상기 유리프리트는 CaO 및 BaO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
The glass frit may include at least one of CaO and BaO.

상기 비자성체 시트는 상기 내부 코일부 내부에 형성될 수 있다.
The non-magnetic sheet may be formed inside the inner coil part.

상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 상기 자성체 층의 물질과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
A portion of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the region not including the dielectric may be made of the same material as the material of the magnetic layer.

상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 비어 있을 수 있다.A portion of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the region that does not include the dielectric may be empty.

본 발명의 일 실시 예에 따르는 적층형 전자부품 및 그 제조방법에 의하면, 자성체 층과 비자성체 층의 소성 수축 프로파일을 일치시켜 내부 잔류 응력을 최소화시킴으로써 딜라미네이션, 확산, 박리, 크랙, 층간 갈라짐 등과 같은 결함을 감소시킬 수 있다.According to the multilayer electronic component and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention, the firing and shrinking profiles of the magnetic layer and the nonmagnetic layer are made to coincide with each other to minimize the internal residual stress so that delamination, diffusion, peeling, cracking, It is possible to reduce defects.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 2c는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 2d는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 제5 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 분해 사시도이다.
도 3b는 본 발명의 제6 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 분해 사시도이다.
도 3c는 본 발명의 제7 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 분해 사시도이다.
도 3d는 본 발명의 제8 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 분해 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 제9 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 제10 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 4c는 본 발명의 제11 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 5a는 도 4a에 나타난 본 발명의 제9 실시형태에 따른 비자성체 층을 나타내는 도면이다.
도 5b는 도 4b에 나타난 본 발명의 제10 실시형태에 따른 비자성체 층을 나타내는 도면이다.
도 5c는 도 4c에 나타난 본 발명의 제11 실시형태에 따른 비자성체 층을 나타내는 도면이다.
도 6은 CuO가 9mol%포함된 (Ni,Mn,Cu,Zn)Fe2O4 페라이트 자성체 조성물의 하소 온도 및 유지 시간에 따른 소성수축커브를 나타내는 도면이다.
도 7은 Ba5(Nb0.8V0.2)4O15의 유리프리트 첨가량에 따른 페라이트 자성체 조성물과 유전체 간의 소성수축커브의 매칭을 나타내는 도면이다.
1 is a perspective view of a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention.
2A is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the first embodiment of the present invention.
2B is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the second embodiment of the present invention.
2C is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the third embodiment of the present invention.
FIG. 2D is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the fourth embodiment of the present invention.
3A is an exploded perspective view of a multilayer electronic component according to a fifth embodiment of the present invention.
3B is an exploded perspective view of the multilayer electronic component according to the sixth embodiment of the present invention.
3C is an exploded perspective view of a multilayer electronic component according to a seventh embodiment of the present invention.
Fig. 3D is an exploded perspective view of a multilayer electronic component according to an eighth embodiment of the present invention.
4A is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG. 1 of a multilayer electronic component according to a ninth embodiment of the present invention.
4B is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the tenth embodiment of the present invention.
4C is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the eleventh embodiment of the present invention.
Fig. 5A is a view showing a nonmagnetic layer according to a ninth embodiment of the present invention shown in Fig. 4A. Fig.
FIG. 5B is a view showing a nonmagnetic layer according to a tenth embodiment of the present invention shown in FIG. 4B. FIG.
FIG. 5C is a view showing a nonmagnetic layer according to an eleventh embodiment of the present invention shown in FIG. 4C. FIG.
6 is a graph showing the plastic shrinkage curves of the (Ni, Mn, Cu, Zn) Fe2O4 ferrite magnetic composition containing CuO in an amount of 9 mol% according to the calcination temperature and the holding time.
7 is a diagram showing the matching of the plastic shrinkage curve between the ferrite magnetic body composition and the dielectric according to the amount of glass frit added to Ba5 (Nb0.8V0.2) 4O15.

이하, 구체적인 실시 예 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to specific embodiments and the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention.

따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements. It is to be understood that, although the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Will be described using the symbols.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

적층형Laminated type 전자부품 Electronic parts

이하에서는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자부품을 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention will be described, but the present invention is not limited thereto.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 적층형 전자부품(100)의 사시도이고, 도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 각기 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자부품(100)의 단면도이다. 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 각기 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자부품(100)의 분해 사시도이다. 도 4는 본 발명의 다른 일 실시 예며, 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다. 도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 각기 다른 일 실시 예다. 도 5a 내지 도 5c는 도 4a 내지 도 4c의 실시형태에 따른 비자성체 층(111)을 나타내는 도면이다.
FIG. 1 is a perspective view of a stacked electronic component 100 according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 (a) to 2 (d) are sectional views of a stacked electronic component 100 according to another embodiment of the present invention. 3A to 3D are exploded perspective views of a multilayer electronic component 100 according to another embodiment of the present invention. 4 is a sectional view taken along the line A-A 'in Fig. 1 according to another embodiment of the present invention. 4A to 4C are different embodiments of the present invention. 5A to 5C are views showing the nonmagnetic layer 111 according to the embodiment of FIGS. 4A to 4C.

본 발명의 일 실시 예에 따른 적층형 전자부품(100)은 복수의 자성체 층이 적층되어 형성된 세라믹 본체(110), 자성체 층(111), 세라믹 본체 내부에 배치하는 내부 코일부(120), 자성체 층 사이에 배치하는 비자성체 층(112), 세라믹 본체(110)의 단면에 형성되는 외부전극(130)을 포함한다.
A multilayer electronic component 100 according to an embodiment of the present invention includes a ceramic body 110 formed by stacking a plurality of magnetic layers, a magnetic layer 111, an inner coil 120 disposed inside the ceramic body, And an external electrode 130 formed on an end surface of the ceramic body 110. The non-magnetic layer 112 is formed of a non-magnetic substance layer.

세라믹 본체(110)를 형성하는 복수의 자성체 층(111) 및 비자성체 층(112)은 소결된 상태로서, 인접하는 자성체 층(111) 사이의 경계는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)을 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다.The plurality of magnetic layer 111 and the nonmagnetic layer 112 forming the ceramic body 110 are in a sintered state and the boundary between adjacent magnetic layers 111 is a scanning electron microscope It can be integrated so as to be difficult to confirm without using.

세라믹 본체(110)는 육면체 형상일 수 있으며, 본 발명의 실시형태를 명확하게 설명하기 위해 육면체의 방향을 정의하면, 도 1에 표시된 L, W 및 T는 각각 길이 방향, 폭 방향, 두께 방향을 나타낸다.
In order to clearly explain the embodiment of the present invention, when defining the direction of a hexahedron, L, W, and T shown in FIG. 1 indicate the longitudinal direction, the width direction, and the thickness direction .

자성체 층(111)의 제조에 사용되는 자성체는 특별히 제한되지 않으며 예를 들면, 페라이트(ferrite) 재료를 포함할 수 있다. 자성체 층(111)은 일반적으로 Fe2O3, ZnO, NiO, CuO, MgO, MnO, CoO 등의 조성으로 구성될 수 있고, MFe2O4(M: Zn, Ni, Cu, Mn, Mg)의 화학식을 형성할 수 있으며, 조성비에 따라 다양한 투자율을 갖는 자성체 층(111)을 제작할 수 있다.
The magnetic body used for manufacturing the magnetic substance layer 111 is not particularly limited and may include, for example, a ferrite material. Magnetic material layer 111 is typically Fe 2 O 3, ZnO, NiO , CuO, MgO, may be of a composition such as MnO, CoO, MFe 2 O 4 (M: Zn, Ni, Cu, Mn, Mg) And a magnetic layer 111 having various magnetic permeability according to the composition ratio can be manufactured.

자성체 층(111)의 조성 중 ZnO와 CuO 조성은 1100℃ 이하의 온도에서 용융될 수 있다. 자성체 층(111)에 포함된 ZnO와 CuO 의 첨가량이 높을수록 자성체 층(111)의 조성물은 보다 낮은 온도에서 합성 및 소결이 이루어질 수 있다. 자성체 층(111)에 포함된 ZnO와 CuO을 합한 함량은 15~36 mol%일 수 있다.ZnO and CuO compositions in the composition of the magnetic substance layer 111 can be melted at a temperature of 1100 ° C or lower. The higher the amount of ZnO and CuO added to the magnetic substance layer 111 is, the more the composition of the magnetic substance layer 111 can be synthesized and sintered at a lower temperature. The content of ZnO and CuO contained in the magnetic substance layer 111 may be 15 to 36 mol%.

자성체 층에 NiO의 함량이 많을수록 투자율은 상승할 수 있다.
The higher the content of NiO in the magnetic layer, the higher the permeability.

도 6은 CuO가 9mol%포함된 (Ni,Mn,Cu,Zn)Fe2O4 페라이트 자성체 조성물의 하소 온도 및 유지 시간에 따른 소성수축커브를 나타낸 것이다.
6 is a graph showing the plastic shrinkage curves of the (Ni, Mn, Cu, Zn) Fe 2 O 4 ferrite magnetic composition containing CuO in an amount of 9 mol% according to the calcination temperature and the holding time.

도 6을 참조하면, 저온(780℃)에서 유지시간을 길게 한 페라이트 자성체 조성물을 소성하는 것이 고온(900℃)에서 유지시간을 짧게 한 페라이트(ferrite) 자성체 조성물을 소성하는 것보다 입계 에너지가 높아 낮은 온도에서 빠르게 수축된다.
6, firing the ferrite magnetic composition having a long holding time at a low temperature (780 ° C) has a higher grain boundary energy than firing a ferrite magnetic composition having a shorter holding time at a high temperature (900 ° C) It shrinks quickly at low temperatures.

도 3을 참조하면, 복수의 자성체 시트(111') 상에 형성된 내부 코일 패턴(121)이 비아 전극에 의해 전기적으로 접속되어 내부 코일부(120)를 형성할 수 있다. 또한, 복수의 자성체 시트(111') 사이에 적층되는 비자성체 시트(112') 상에 형성된 내부 코일 패턴(121)을 포함하여 내부 코일부(120)가 형성될 수 있다.
Referring to FIG. 3, inner coil patterns 121 formed on a plurality of magnetic substance sheets 111 'may be electrically connected by via-electrodes to form inner coil sections 120. In addition, the inner coil part 120 may be formed including the inner coil pattern 121 formed on the nonmagnetic sheet 112 'stacked between the plurality of magnetic material sheets 111'.

상기 내부 코일 패턴(121)은 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트를 인쇄하여 형성할 수 있다. 상기 도전성 금속은 전기 전도도가 우수한 금속이라면 특별히 제한되지 않으며 예를 들면, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu) 또는 백금(Pt) 등의 단독 또는 혼합 형태일 수 있다.
The inner coil pattern 121 may be formed by printing a conductive paste containing a conductive metal. The conductive metal is not particularly limited as long as it is a metal having an excellent electrical conductivity. Examples of the conductive metal include silver (Ag), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti) Cu) or platinum (Pt), or the like.

상기 내부 코일부(120)의 상부 및 하부에는 복수의 자성체 시트(111')가 더 적층되어 상부 및 하부 커버층을 형성할 수 있다.
A plurality of magnetic material sheets 111 'may be further laminated on the upper and lower portions of the inner coil part 120 to form upper and lower cover layers.

상기 비자성체 층(112)은 자성체 층(111)과 비자성체 층(112)의 소성 수축 프로파일을 일치시켜 내부 잔류 응력을 최소화시킴으로써 딜라미네이션, 확산, 박리, 크랙, 층간 갈라짐 등과 같은 결함을 감소시킬 수 있도록 하기 위해 세라믹 본체(110) 내부에 배치될 수 있다.
The non-magnetic layer 112 can minimize the internal residual stress by matching the firing and shrinkage profiles of the magnetic layer 111 and the non-magnetic layer 112 to reduce defects such as delamination, diffusion, peeling, cracking, And may be disposed inside the ceramic body 110 in order to enable the ceramic body 110 to be exposed.

도 2a, 도 2b, 도 3a, 도 3b를 참조하면, 비자성체 층(112)은 자성체 층(111) 사이에 단일하게 배치될 수 있고, 복수로 배치될 수 있다. 2A, 2B, 3A, and 3B, the nonmagnetic layer 112 may be disposed singularly between the magnetic material layers 111, and may be arranged in plural.

도 2c, 도 2d, 도 3a, 도 3b를 참조하면, 비자성체 층(112)은 내부 코일부(120) 내부에 배치될 수 있고, 내부 코일부(120) 외부에 배치될 수 있으며, 내부 코일부(120) 내부 및 외부에 배치될 수 있다.
Referring to Figures 2c, 2d, 3a, and 3b, the non-magnetic layer 112 may be disposed within the inner coil portion 120, may be disposed outside the inner coil portion 120, And may be disposed inside and outside portion 120.

도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 비자성체 층(112)은 일부 영역이 유전체를 포함할 수 있다. 유전체는 다양한 형태로 비자성체 층(112)의 일부 영역에 포함될 수 있으며, 도 4a 내지 도 4c의 예에 한정되지 않는다. 비자성체 층(112)을 이루는 유전체는 도 4a와 같이 일부 영역에 포함될 수 있고, 도 4b와 같이 선형으로 포함될 수 있다. 또한, 도 4c와 같이 일정한 패턴을 가진 영역에 포함될 수 있다. 비자성체 층(112)의 일부 영역이 유전체를 포함하는 경우, 유전체를 포함하지 않는 영역은 자성체 층(111)을 이루는 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 비어있을 수 있다.
Referring to Figures 4A-4C, the non-magnetic layer 112 may include a dielectric in some areas. The dielectric may be included in some areas of the non-magnetic layer 112 in various forms, and is not limited to the examples of Figs. 4A-4C. The dielectric material constituting the nonmagnetic layer 112 may be included in some regions as shown in FIG. 4A and linearly as shown in FIG. 4B. Also, it may be included in a region having a constant pattern as shown in FIG. 4C. In the case where a part of the non-magnetic layer 112 includes a dielectric, the area not including the dielectric may include the same material as the material constituting the magnetic layer 111 and may be empty.

자성체 층(111)과 비자성체 층(112)의 이종 접합에 의해 발생하는 결함을 최소화하기 위해 비자성체 층(112)의 재료를 고상소결과 액상소결에 따라 다르게 선정할 수 있고, 비자성체 층(112)의 재료는 이종 접합시 저온 소결이 가능한 소재를 선정하거나, 비자성체 층(112)의 재료를 자성체 층(111)의 재료와 비슷한 구조를 갖는 세라믹 소재를 선정할 수 있다.
The material of the nonmagnetic layer 112 can be differently selected according to the liquid phase sintering as a result of the superimposition in order to minimize defects caused by the hetero-bonding of the magnetic layer 111 and the nonmagnetic layer 112, 112 may be made of a material capable of being subjected to low-temperature sintering at the time of hetero-bonding, or a ceramic material having a structure similar to that of the magnetic layer 111 may be selected as the material of the nonmagnetic layer 112.

본 발명의 일 실시 예에 따른 비자성체 층(112)은 Nb2O5 (니오바이트, niobate) 계 유전체를 포함할 수 있다. 비자성체 층(112)에 Nb2O5계 유전체를 포함함으로써 자성체 층(111)과 비자성체 층(112) 간의 확산을 적게 일으키고, 내부 잔류 응력을 최소화할 수 있고, 자성체 층(111)과 비자성체 층(112)의 소성수축거동을 일치시킬 수 있다.
The non-magnetic layer 112 according to an embodiment of the present invention may include a Nb 2 O 5 (niobate) dielectric. By including the Nb 2 O 5 based dielectric material in the nonmagnetic layer 112, the diffusion between the magnetic layer 111 and the nonmagnetic layer 112 can be minimized, the internal residual stress can be minimized, and the magnetic layer 111 and the non- The firing shrinkage behavior of the adult layer 112 can be matched.

Nb2O5계 유전체는 ZnO- Nb2O5, ZnO-TiO2- Nb2O5, BaO- Nb2O5, BaO- TiO2- Nb2O5, Bi2O3- Nb2O5 계 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. ZnO- Nb2O5, ZnO-TiO2- Nb2O5, BaO- Nb2O5, BaO- TiO2- Nb2O5, Bi2O3- Nb2O5 계 세라믹 조성들을 포함함으로써 1200℃ 이하의 온도에서 합성할 수 있다.
Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 Or a combination thereof. ZnO- Nb 2 O 5, ZnO- TiO 2 - Nb 2 O 5, BaO- Nb 2 O 5, BaO- TiO 2 - Nb 2 O 5, Bi 2 O 3 - Nb 2 O 5 system 1200 by including a ceramic composition Lt; 0 > C or less.

비자성체 층(112)에 포함된 Nb2O5의 일부를 V2O5로 치환할 수 있다. 비자성체 층(112)에 포함된 Nb2O5의 일부를 V2O5로 치환하면 보다 낮은 온도에서 합성 및 소결이 가능해지고, 자성체 층(111)의 소성수축커브의 프로파일과 비자성체 층(112)의 소성수축커브의 프로파일을 일치시킬 수 있다. Nb2O5에서 V2O5으로 치환하는 치환량은 0.1~0.4몰일 수 있다. 이 경우 비자성체 층(112)의 Nb2O5와 V2O5의 성분비는 0.9:0.1 내지 0.6:0.4일 수 있다.
A portion of Nb 2 O 5 contained in the nonmagnetic layer 112 may be replaced with V 2 O 5 . If the portion of Nb 2 O 5 contained in the non-magnetic layer 112 is replaced by V 2 O 5 , synthesis and sintering at a lower temperature becomes possible, and the profile of the plastic contraction curve of the magnetic layer 111 and the non- 112 can be made to match the profile of the plastic contraction curve. The substitution amount of Nb 2 O 5 to V 2 O 5 may be 0.1 to 0.4 mole. In this case, the composition ratio of Nb 2 O 5 and V 2 O 5 in the non-magnetic layer 112 may be 0.9: 0.1 to 0.6: 0.4.

비자성체 층(112)은 CaO 또는 BaO 등의 알칼리 토류 산화물이 포함된 유리프리트를 포함할 수 있다. 비자성체 층(112)에 포함된 유리프리트는 저온소결제로 사용될 수 있다. 비자성체 층(112)에 유리프리트를 포함함으로써 계면 확산을 억제시키면서 소결온도를 낮출 수 있고, 인덕터 본체의 자성체 층(111)의 소성수축커브의 프로파일과 비자성체 층(112)의 소성수축커브의 프로파일을 일치시킬 수 있다.
The nonmagnetic layer 112 may include a glass frit containing an alkaline earth oxide such as CaO or BaO. The glass frit contained in the nonmagnetic layer 112 can be used as a low temperature sintering agent. By including glass frit in the nonmagnetic layer 112, the sintering temperature can be lowered while suppressing interfacial diffusion, and the profile of the plastic contraction curve of the magnetic substance layer 111 of the inductor main body and the profile of the plastic contraction curve of the non- The profiles can be matched.

도 7은 Ba5(Nb0 .8V0 .2)4O15의 유리프리트 첨가량에 따른 페라이트 자성체 조성물과 유전체 간의 소성수축커브의 매칭을 나타낸 것이다.
FIG. 7 shows the matching of the plastic shrinkage curve between the ferrite magnetic body composition and the dielectric according to the amount of glass frit added to Ba 5 (Nb 0 .8 V 0 .2 ) 4 O 15 .

도 7을 참조하면, Ba5(Nb0 .8V0 .2)4O15에 10 wt%의 Ca-보로실리케이트(Ca-borosicate) 유리프리트를 포함한 유전체의 소성수축커브의 프로파일이 페라이트 자성체 조성물의 소성수축커브의 프로파일과 일치하는 것을 확인할 수 있다.7, the profile of the plastic shrinkage curve of a dielectric material containing 10 wt% of Ca-borosicate glass frit in Ba 5 (Nb 0 .8 V 0 .2 ) 4 O 15 is shown in the composition of the ferrite magnetic composition And the profile of the plastic contraction curve of Fig.

표 1은 본 발명의 일 실시 예에 관한 것으로, 자성체 층(111) 조성물인(Ni,Mn,Cu,Zn)Fe2O4 자성체 조성물 및 비자성체 층(112)의 재료에 대한 계면 접합성 및 결함 유무를 확인한 표이다. Table 1 relates to an embodiment of the present invention and is a graph showing the interfacial bonding properties and defects of the (Ni, Mn, Cu, Zn) Fe 2 O 4 magnetic body composition and the material of the nonmagnetic layer 112 which are the magnetic layer 111 .

동일하게 30㎛ 두께를 가지는 자성체 시트 A와 비자성체 시트 B를 성형하여 A-B-A 구조로 접합시켜 소성하였을 때, 딜라미네이션, 크랙 또는 갈라짐, 계면 내 확산의 발생 정도를 관찰하였다. When the magnetic sheet A and the non-magnetic sheet B having the same thickness of 30 mu m were molded and fired in the A-B-A structure and fired, the extent of delamination, cracking or cracking and interfacial diffusion was observed.

비자성체 재료Nonmagnetic material 저온소결제
Ca-보로실리케이트
Low-temperature sowing
Ca-borosilicate
자성체 층의 계면 접합성 및 결함 발생 여부Interfacial bonding property of magnetic layer and defect occurrence
MaterialMaterial wt%wt% wt%wt% 계면 접합성Interfacial bonding 딜라미네이션Dil lamination 크랙 또는 갈라짐Crack or crack 확산diffusion Zn(Nb0 .9V0 .1)2O6 Zn (Nb 0 .9 V 0 .1 ) 2 O 6 100100 -- GoodGood OO OO XX Zn(Nb0 .9V0 .1)2O6 Zn (Nb 0 .9 V 0 .1 ) 2 O 6 9393 77 ExcellentExcellent XX XX XX Zn(Nb0 .9V0 .1)2O6 Zn (Nb 0 .9 V 0 .1 ) 2 O 6 9090 1010 ExcellentExcellent XX XX OO Ba4(Nb0 .8V0 .2)4O15 Ba 4 (Nb 0 .8 V 0 .2) 4 O 15 9393 77 ExcellentExcellent XX OO XX Ba4(Nb0 .8V0 .2)4O15 Ba 4 (Nb 0 .8 V 0 .2) 4 O 15 9090 1010 ExcellentExcellent XX XX XX Ba4(Nb0 .7V0 .3)4O15 Ba 4 (Nb 0 .7 V 0 .3) 4 O 15 9393 77 ExcellentExcellent XX XX XX Ba4(Nb0 .7V0 .3)4O15 Ba 4 (Nb 0 .7 V 0 .3) 4 O 15 9090 1010 ExcellentExcellent XX XX OO Ba3Ti4(Nb0 .9V0 .1)4O21 Ba 3 Ti 4 (Nb 0 .9 V 0 .1 ) 4 O 21 8585 1515 GoodGood OO OO XX Ba3Ti4(Nb0 .9V0 .1)4O21 Ba 3 Ti 4 (Nb 0 .9 V 0 .1 ) 4 O 21 8080 2020 ExcellentExcellent XX OO XX Ba3Ti4(Nb0 .8V0 .2)4O21 Ba 3 Ti 4 (Nb 0 .8 V 0 .2) 4 O 21 8585 1515 ExcellentExcellent XX XX XX Ba3Ti4(Nb0 .8V0 .2)4O21 Ba 3 Ti 4 (Nb 0 .8 V 0 .2) 4 O 21 8080 2020 ExcellentExcellent XX XX XX Ba3Ti4(Nb0 .6V0 .4)4O21 Ba 3 Ti 4 (Nb 0 .6 V 0 .4 ) 4 O 21 8585 1515 ExcellentExcellent XX XX OO Ba3Ti4(Nb0 .6V0 .4)4O21 Ba 3 Ti 4 (Nb 0 .6 V 0 .4 ) 4 O 21 8080 2020 ExcellentExcellent XX OO OO ZnTiNb2O8 ZnTiNb 2 O 8 100100 -- BedBed OO OO XX ZnTiNb2O8 ZnTiNb 2 O 8 8080 2020 GoodGood XX OO XX ZnTi(Nb0 .9V0 .1)2O8 ZnTi (Nb 0 .9 V 0 .1 ) 2 O 8 8585 1515 GoodGood XX XX OO ZnTi(Nb0 .9V0 .1)2O8 ZnTi (Nb 0 .9 V 0 .1 ) 2 O 8 8080 2020 ExcellentExcellent XX XX XX ZnTi(Nb0 .8V0 .2)2O8 ZnTi (Nb 0 .8 V 0 .2 ) 2 O 8 9090 1010 ExcellentExcellent XX XX XX ZnTi(Nb0 .8V0 .2)2O8 ZnTi (Nb 0 .8 V 0 .2 ) 2 O 8 8585 1515 ExcellentExcellent XX XX OO BiNbO4 BiNbO 4 9393 77 ExcellentExcellent XX OO XX BiNbO4 BiNbO 4 9090 1010 ExcellentExcellent XX XX XX BiNbO4 BiNbO 4 8585 1515 ExcellentExcellent XX XX OO

비자성체 층(112) 재료에서 V2O5 치환량이 0.4 몰 이상일 경우에는 치환되지 못한 V2O5가 생기면서 계면에서의 확산이 발생하다. When the V 2 O 5 substitution amount in the nonmagnetic layer 112 material is 0.4 mole or more, non-substitution V 2 O 5 is generated and diffusion occurs at the interface.

소성수축커브의 프로파일이 불일치한 경우에는 딜라미네이션, 크랙 또는 갈라짐이 발생하였다. When the profile of the plastic shrinkage curve was inconsistent, delamination, cracking or cracking occurred.

저온소결제로 Ca2 + 또는 Ba2 +의 알칼리 토류가 함유된 유리프리트가 적용되는 경우에는 페라이트의 Ni, Mn, Cu, Zn이 모두 2+ 양이온이므로, 인덕터 본체와 비자성체 층(112) 사이의 계면에서 이차상을 석출시켜 확산을 억제시킬 수 있다. When glass frit containing Ca 2 + or Ba 2 + alkaline earth as the low temperature sintering agent is applied, since Ni, Mn, Cu and Zn of the ferrite are all 2+ cations, Diffusion can be suppressed by precipitating a secondary phase at the interface.

다만, 계면의 접합성은 불량해지므로, 유리프리트는 7wt% 내지 20wt%의 함량이 첨가되어야 접합성이 양호해짐을 알 수 있다.
However, since the bonding property at the interface becomes poor, it is understood that the glass frit should be added in an amount of 7 wt% to 20 wt% to improve the bonding property.

외부전극(130)은 세라믹 본체(110)의 서로 대향하는 양 단면에 형성되어 내부 코일부(120)와 접속하도록 형성될 수 있다.The external electrodes 130 may be formed on both end faces of the ceramic body 110 facing each other and connected to the internal coil part 120.

외부전극(130)은 세라믹 본체(110)의 두께 방향(T)의 양 단면 및 폭 방향(W) 중 적어도 어느 한 면으로 연장되어 형성될 수 있다.The external electrode 130 may be formed by extending at least one of both end faces in the thickness direction T of the ceramic body 110 and the width direction W. [

외부전극(130)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성될 수 있으며 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn) 또는 은(Ag) 등의 단독 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.
The outer electrode 130 may be formed of a metal having excellent electrical conductivity. For example, the outer electrode 130 may be made of Ni, Cu, Sn, Ag, .

적층형Laminated type 전자부품의 제조방법 Manufacturing method of electronic parts

도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자부품(100)의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
8 is a process diagram showing a manufacturing method of the multilayer electronic component 100 according to an embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면 먼저 복수의 자성체 시트를 마련할 수 있다. Referring to FIG. 8, a plurality of magnetic sheet sheets can be provided.

자성체 시트 제조에 사용되는 자성체는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 페라이트(ferrite) 재료를 포함할 수 있다. 자성체 시트는 일반적으로 Fe2O3, ZnO, NiO, CuO, MgO, MnO, CoO 등의 조성으로 구성되어 MFe2O4(M: Zn, Ni, Cu, Mn, Mg)의 화학식을 형성하며, 조성비에 따라 다양한 투자율을 갖는 자성체 시트의 제작이 가능하다.
The magnetic material used for manufacturing the magnetic sheet is not particularly limited. For example, a ferrite material. The magnetic sheet is generally composed of Fe 2 O 3 , ZnO, NiO, CuO, MgO, MnO, CoO, etc. to form a formula of MFe 2 O 4 (M: Zn, Ni, Cu, Mn, Mg) It is possible to manufacture a magnetic sheet having various magnetic permeability according to the composition ratio.

다음으로, 비자성체 시트를 마련할 수 있다. Next, a non-magnetic sheet can be provided.

비자성체 시트 제조에 사용되는 비자성체는 Nb2O5계 유전체를 포함할 수 있다. 비자성체 시트에 Nb2O5계 유전체를 포함함으로써 자성체 층(111)과 비자성체 층(112) 간의 확산을 적게 일으키고, 내부 잔류 응력을 최소화할 수 있고, 자성체 층(111)과 비자성체 층(112)의 소성수축거동을 일치시킬 수 있다.
The non-magnetic material used for the production of the nonmagnetic sheet may include a Nb 2 O 5 -based dielectric material. By including the Nb 2 O 5 based dielectric material in the nonmagnetic sheet, the diffusion between the magnetic layer 111 and the nonmagnetic layer 112 can be minimized, the internal residual stress can be minimized, and the magnetic layer 111 and the non- 112 can be matched with the plastic shrinkage behavior.

Nb2O5계 유전체는 ZnO- Nb2O5, ZnO-TiO2- Nb2O5, BaO- Nb2O5, BaO- TiO2- Nb2O5, Bi2O3- Nb2O5 계 중 적어도 어느 하나일 수 있다. ZnO- Nb2O5, ZnO-TiO2- Nb2O5, BaO- Nb2O5, BaO- TiO2- Nb2O5, Bi2O3- Nb2O5 계 세라믹 조성들을 포함함으로써 1200℃ 이하의 온도에서 합성할 수 있다.
Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 Or a combination thereof. ZnO- Nb 2 O 5, ZnO- TiO 2 - Nb 2 O 5, BaO- Nb 2 O 5, BaO- TiO 2 - Nb 2 O 5, Bi 2 O 3 - Nb 2 O 5 system 1200 by including a ceramic composition Lt; 0 > C or less.

비자성체 시트에 포함된 Nb2O5의 일부를 V2O5로 치환할 수 있다. 비자성체 시트에 포함된 Nb2O5의 일부를 V2O5로 치환하면 보다 낮은 온도에서 합성 및 소결이 가능해지고, 자성체 층(111)의 소성수축커브의 프로파일과 비자성체 층(112)의 소성수축커브의 프로파일을 일치시킬 수 있다. Nb2O5에서 V2O5으로 치환하는 치환량은 0.1~0.4몰일 수 있다. 이 경우 비자성체 시트의 Nb2O5와 V2O5의 성분비는 0.9:0.1 내지 0.6:0.4일 수 있다.
A part of Nb 2 O 5 contained in the nonmagnetic sheet can be replaced with V 2 O 5 . When a portion of Nb 2 O 5 contained in the nonmagnetic sheet is replaced by V 2 O 5 , synthesis and sintering at a lower temperature becomes possible, and the profile of the plastic contraction curve of the magnetic layer 111 and the profile of the non- The profile of the plastic contraction curve can be matched. The substitution amount of Nb 2 O 5 to V 2 O 5 may be 0.1 to 0.4 mole. In this case, the composition ratio of Nb 2 O 5 and V 2 O 5 in the nonmagnetic sheet may be 0.9: 0.1 to 0.6: 0.4.

비자성체 시트는 CaO 또는 BaO 등의 알칼리 토류 산화물이 포함된 유리프리트를 포함할 수 있다. 비자성체 시트에 포함된 유리프리트는 저온소결제로 사용될 수 있다. 비자성체 시트에 유리프리트를 포함함으로써 계면 확산을 억제시키면서 소결온도를 낮출 수 있고, 인덕터 본체의 자성체 층(111)의 소성수축커브의 프로파일과 비자성체 층(112)의 소성수축커브의 프로파일을 일치시킬 수 있다. 비자성체 시트에 Nb2O5계 유전체를 포함함으로써 자성체 층(111)과 비자성체 층(112) 간의 확산을 적게 일으키고, 내부 잔류 응력을 최소화할 수 있고, 자성체 층(111)과 비자성체 층(112)의 소성수축거동을 일치시킬 수 있다.
The non-magnetic sheet may include a glass frit containing an alkaline earth oxide such as CaO or BaO. The glass frit contained in the nonmagnetic sheet can be used as a low temperature sintering agent. By including the glass frit in the nonmagnetic sheet, the sintering temperature can be lowered while suppressing the interfacial diffusion, and the profile of the plastic contraction curve of the magnetic substance layer 111 of the inductor body and the profile of the plastic contraction curve of the non- . By including the Nb 2 O 5 based dielectric material in the nonmagnetic sheet, the diffusion between the magnetic layer 111 and the nonmagnetic layer 112 can be minimized, the internal residual stress can be minimized, and the magnetic layer 111 and the non- 112 can be matched with the plastic shrinkage behavior.

다음으로, 자성체 시트 및 비자성체 시트 중 적어도 어느 하나의 시트 상에 내부 코일 패턴(121)을 형성할 수 있다. Next, the inner coil pattern 121 may be formed on at least one of the magnetic sheet and the non-magnetic sheet.

내부 코일 패턴(121)은 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트를 자성체 시트 상에 인쇄 공법 등으로 도포하여 형성할 수 있다. The inner coil pattern 121 can be formed by applying a conductive paste containing a conductive metal onto a magnetic material sheet by printing or the like.

도전성 금속은 전기 전도도가 우수한 금속이라면 특별히 제한되지 않으며 예를 들면, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu) 또는 백금(Pt) 등의 단독 또는 혼합 형태일 수 있다.The conductive metal is not particularly limited as long as it is a metal having an excellent electrical conductivity. Examples of the conductive metal include silver (Ag), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au) ) Or platinum (Pt), or the like.

도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
The conductive paste may be printed by a screen printing method or a gravure printing method, but the present invention is not limited thereto.

다음으로 자성체 시트 및 비자성체 시트를 적층하여 내부 코일부(120) 및 세라믹 본체(110)를 형성할 수 있다.
Next, the magnetic substance sheet and the non-magnetic substance sheet may be laminated to form the inner coil section 120 and the ceramic body 110.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 비자성체 시트는 자성체 층(111) 사이에 단일하게 적층될 수 있고, 복수로 적층될 수 있다. Referring to Figs. 2A and 2B, the non-magnetic sheet can be laminated singularly between the magnetic layer layers 111, and can be laminated in plural.

도 2c 및 도 2d를 참조하면, 비자성체 시트의 적층 공정은 비자성체 시트가 내부 코일부(120) 내부에 적층되도록 내부 코일부(120) 형성 공정 단계 중간에 수행될 수 있고, 비자성체 시트가 내부 코일부(120) 외부에 적층되도록 내부 코일부(120) 형성 공정 단계 전 및 후에 적층될 수 있다.
2C and 2D, the lamination process of the non-magnetic sheet can be performed in the middle of the process of forming the inner coil section 120 so that the non-magnetic sheet is laminated inside the inner coil section 120, And may be laminated before and after the inner coil part 120 forming process step so as to be laminated outside the inner coil part 120.

도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 비자성체 시트는 일부 영역이 유전체를 포함할 수 있다. 비자성체 시트를 이루는 유전체는 도 4a와 같이 비자성체 시트의 일부 영역에 포함될 수 있고, 도 4b와 같이 선형으로 포함될 수 있고, 도 4c와 같이 일정한 패턴을 가진 영역에 포함될 수 있다. 비자성체 시트의 일부 영역이 유전체를 포함하는 경우, 유전체를 포함하지 않는 영역은 자성체 시트를 이루는 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 비어있을 수 있다.
Referring to Figs. 4A to 4C, the non-magnetic sheet may include a dielectric in some regions. The dielectric material forming the nonmagnetic material sheet may be included in a part of the nonmagnetic sheet as shown in FIG. 4A, linearly as shown in FIG. 4B, or included in a region having a constant pattern as shown in FIG. 4C. In the case where a part of the nonmagnetic sheet includes a dielectric, the area not including the dielectric may include the same material as the material constituting the magnetic sheet and may be empty.

외부전극(130)은 세라믹 본체(110)의 서로 대향하는 양 단면에 형성되어 내부 코일부(120)와 접속하도록 형성될 수 있다.The external electrodes 130 may be formed on both end faces of the ceramic body 110 facing each other and connected to the internal coil part 120.

외부전극(130)은 세라믹 본체(110)의 두께 방향(T)의 양 단면 및/또는 폭 방향(W)의 양 단면으로 연장되어 형성될 수 있다.The external electrodes 130 may be formed by extending both the end faces of the ceramic body 110 in the thickness direction T and / or both end faces in the width direction W.

외부전극(130)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성될 수 있으며 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn) 또는 은(Ag) 등의 단독 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.The outer electrode 130 may be formed of a metal having excellent electrical conductivity. For example, the outer electrode 130 may be made of Ni, Cu, Sn, Ag, .

외부전극(130)을 형성하는 방법은 외부 전극의 형상에 따라 프린팅 뿐만 아니라 딥핑(dipping)법 등을 수행하여 형성할 수 있다.
The method of forming the external electrode 130 may be performed by not only printing but also dipping according to the shape of the external electrode.

본 발명은 실시 형태에 의해 한정되는 것이 아니며, 당 기술분야의 통상의 지 식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환 및 변형이 가능하고 동일하거나 균등한 사상을 나타내는 것이라면, 본 실시 예에 설명되지 않았더라도 본 발명의 범위 내로 해석 되어야 할 것이고, 본 발명의 실시형태에 기재되었지만 청구범위에 기재되지 않은 구성 요소는 본 발명의 필수 구성요소로서 한정 해석되지 아니한다.
It is to be understood that the present invention is not limited to the disclosed embodiments and that various substitutions and modifications can be made by those skilled in the art without departing from the scope of the present invention Should be construed as being within the scope of the present invention, and constituent elements which are described in the embodiments of the present invention but are not described in the claims shall not be construed as essential elements of the present invention.

100 : 적층형 전자부품
110 : 세라믹 본체
111 : 자성체 층
112 : 비자성체 층
120 : 내부 코일부
121 : 내부 코일 패턴
130 : 외부전극
100: Multilayer electronic component
110: Ceramic body
111: magnetic layer
112: nonmagnetic layer
120: internal coil part
121: inner coil pattern
130: external electrode

Claims (18)

복수의 자성체 층을 포함하는 세라믹 본체;
상기 자성체 층 사이에 배치된 비자성체 층;
상기 세라믹 본체 내부에 배치되며, 상기 복수의 자성체 층 및 상기 비자성체 층 중 적어도 어느 하나의 층에 배치되며, 복수의 내부 코일 패턴이 전기적으로 접속되는 내부 코일부; 및
상기 세라믹 본체에 배치되며, 상기 내부 코일부와 접속하는 외부전극을 포함하며,
상기 비자성체 층은, Nb2O5계 유전체와, V2O5를 포함하고
상기 비자성체 층에 포함되는 Nb2O5와 V2O5의 몰비가 0.9:0.1 내지 0.6:0.4인,
적층형 전자부품.
A ceramic body including a plurality of magnetic layer layers;
A nonmagnetic layer disposed between the magnetic layers;
An inner coil part disposed in the ceramic body and disposed in at least one of the plurality of magnetic body layers and the nonmagnetic body layer and having a plurality of inner coil patterns electrically connected thereto; And
And an external electrode disposed in the ceramic body and connected to the internal coil part,
The nonmagnetic layer includes an Nb 2 O 5 -based dielectric material and V 2 O 5
Wherein the molar ratio of Nb 2 O 5 and V 2 O 5 contained in the non-magnetic layer is 0.9: 0.1 to 0.6: 0.4,
Multilayer electronic components.
제1항에 있어서,
상기 Nb2O5계 유전체는 ZnO-Nb2O5, ZnO-TiO2-Nb2O5, BaO-Nb2O5, BaO-TiO2-Nb2O5 및 Bi2O3-Nb2O5계 중 적어도 어느 하나를 포함하는 적층형 전자부품.
The method according to claim 1,
The Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 and Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 layers.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 비자성체 층은 유리프리트를 7~20wt% 포함하는 적층형 전자부품.
The method according to claim 1,
Wherein the nonmagnetic layer includes 7 to 20 wt% glass frit.
제5항에 있어서,
상기 유리프리트는 CaO 및 BaO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 적층형 전자부품.
6. The method of claim 5,
Wherein the glass frit includes at least one of CaO and BaO.
제1항에 있어서,
상기 비자성체 층은 상기 내부 코일부의 내부에 배치되는 적층형 전자부품.
The method according to claim 1,
And the non-magnetic layer is disposed inside the inner coil part.
제1항에 있어서,
상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 상기 자성체 층의 물질과 동일한 물질을 포함하는 적층형 전자부품.
The method according to claim 1,
Wherein a portion of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the region that does not include the dielectric includes the same material as the material of the magnetic layer.
제1항에 있어서,
상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 비어있는 적층형 전자부품.
The method according to claim 1,
Wherein a part of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the area not including the dielectric is empty.
복수의 자성체 시트를 마련하는 단계;
Nb2O5계 유전체와 V2O5 를 각각 포함하는 단일 또는 복수의 비자성체 시트를 마련하는 단계;
상기 자성체 시트 및 상기 비자성체 시트 중 적어도 어느 하나의 시트 상에 내부 코일 패턴을 형성하는 단계;
상기 자성체 시트 및 상기 비자성체 시트를 적층하여 내부 코일부 및 세라믹 본체를 형성하는 단계;
상기 세라믹 본체의 단면에 상기 내부 코일부와 접속하는 외부전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 비자성체 시트에 포함되는 Nb2O5와 V2O5의 몰비는 0.9:0.1 내지 0.6:0.4인,
적층형 전자부품의 제조방법.
Providing a plurality of magnetic sheet sheets;
Providing a single or plurality of nonmagnetic sheets each including a Nb 2 O 5 -based dielectric and V 2 O 5 ;
Forming an inner coil pattern on at least one of the magnetic sheet and the non-magnetic sheet;
Laminating the magnetic sheet and the nonmagnetic sheet to form an inner coil part and a ceramic body;
And forming an external electrode on an end surface of the ceramic body to be connected to the internal coil part,
Wherein the molar ratio of Nb 2 O 5 and V 2 O 5 contained in the non-magnetic sheet is 0.9: 0.1 to 0.6: 0.4,
A method of manufacturing a multilayer electronic component.
제10항에 있어서,
상기 Nb2O5계 유전체는 ZnO-Nb2O5, ZnO-TiO2-Nb2O5, BaO-Nb2O5, BaO-TiO2-Nb2O5 및 Bi2O3-Nb2O5계 중 적어도 어느 하나를 포함하는 적층형 전자부품의 제조방법.
11. The method of claim 10,
The Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 and Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 < / RTI >
삭제delete 삭제delete 제10항에 있어서,
상기 비자성체 시트는 유리프리트를 7~20wt% 포함하는 적층형 전자부품의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the nonmagnetic sheet includes 7 to 20 wt% glass frit.
제14항에 있어서,
상기 유리프리트는 CaO 및 BaO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 적층형 전자부품의 제조방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the glass frit includes at least one of CaO and BaO.
제10항에 있어서,
상기 비자성체 시트는 상기 내부 코일부 내부에 배치되는 적층형 전자부품의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the non-magnetic sheet is disposed inside the inner coil part.
제10항에 있어서,
상기 비자성체 시트의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 상기 자성체 시트의 물질과 동일한 물질을 포함하는 적층형 전자부품의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein a portion of the nonmagnetic sheet includes the dielectric, and the region not including the dielectric includes the same material as the material of the magnetic sheet.
제10항에 있어서,
상기 비자성체 시트의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 비어있는 적층형 전자부품의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein a portion of the nonmagnetic sheet includes the dielectric, and the region not including the dielectric is empty.
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