KR101994734B1 - Multilayered electronic component and manufacturing method thereof - Google Patents
Multilayered electronic component and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR101994734B1 KR101994734B1 KR1020140039320A KR20140039320A KR101994734B1 KR 101994734 B1 KR101994734 B1 KR 101994734B1 KR 1020140039320 A KR1020140039320 A KR 1020140039320A KR 20140039320 A KR20140039320 A KR 20140039320A KR 101994734 B1 KR101994734 B1 KR 101994734B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- magnetic
- dielectric
- nonmagnetic
- sheet
- layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 16
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 11
- 230000032798 delamination Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007565 Zn—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical group [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910009965 Ti2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000009331 sowing Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/30—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the intermediate layers, e.g. seed, buffer, template, diffusion preventing, cap layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
Abstract
본 발명은 수축율이 매칭된 적층형 전자부품 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유전체와 자성체의 이종 접합에서 나타날 수 있는 딜라미네이션, 확산 및 크랙, 자성체 및 삽입물 간 갈라짐을 방지할 수 있는 적층형 전자부품 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 대한 일 실시 예로, 복수의 자성체 층이 적층되어 형성된 세라믹 본체, 자성체 층 사이에 배치된 비자성체 층, 세라믹 본체 내부에 배치되며, 복수의 내부 코일 패턴이 전기적으로 접속되어 형성된 내부 코일부 및 세라믹 본체의 단면에 형성되며, 내부 코일부와 접속하는 외부전극을 포함하며, 비자성체 층은 Nb2O5계 유전체를 포함하는 적층형 전자부품을 제시한다.[0001] The present invention relates to a laminated electronic component in which a shrinkage rate is matched, and a manufacturing method thereof, and more particularly to a laminated electronic component which can prevent delamination, diffusion and cracking which may occur in a heterojunction between a dielectric and a magnetic body, To an electronic component and a manufacturing method thereof. According to one embodiment of the present invention, there is provided a ceramic body including a ceramic body formed by stacking a plurality of magnetic body layers, a non-magnetic body layer disposed between the magnetic body layers, an inner coil portion disposed inside the ceramic body, And an outer electrode formed on an end surface of the ceramic body and connected to the inner coil part, wherein the nonmagnetic layer includes a Nb 2 O 5 -based dielectric material.
Description
본 발명은 적층형 전자부품 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a multilayer electronic component and a manufacturing method thereof.
세라믹 재료를 사용하는 전자부품에는 커패시터, 인턱터, 압전 소자, 바리스터 또는 서미스터 등이 있다.Electronic components using ceramic materials include capacitors, inductors, piezoelectric elements, varistors or thermistors.
이러한 세라믹 전자부품 중 인덕터는 저항 및 커패시터와 더불어 전자 회로를 이루는 중요한 수동 소자 중의 하나로서, 노이즈를 제거하거나 LC 공진 회로를 이루는 부품으로 사용된다. 위 세라믹 전자부품은 자성체 조성물을 이용하여 제작된다.
Among these ceramic electronic components, an inductor is one of important passive elements forming an electronic circuit together with a resistor and a capacitor, and is used as a component which removes noise or constitutes an LC resonance circuit. The above ceramic electronic component is fabricated using a magnetic composition.
인덕터는 구조에 따라 적층형, 권선형 및 박막형 등 여러 가지로 분류할 수 있는데, 각각은 적용범위뿐만 아니라 그 제조방법도 차이가 있다. Depending on the structure, the inductors can be classified into various types such as stacked type, wire wound type and thin film type.
권선형 인덕터는, 예를 들면 페라이트(ferrite) 코어에 코일을 감아 형성되는데, 코일간에 부유용량, 즉 도선간의 정전용량이 발생하므로 고용량의 인덕턴스를 얻기 위해 권선 수를 증가시키면 그에 따라 고주파 특성이 열화되는 문제점이 있다.The winding-type inductor is formed by winding a coil on a ferrite core, for example, because a floating capacity, that is, a capacitance between the wires, is generated between coils. Therefore, if the number of windings is increased in order to obtain a high-capacity inductance, .
적층형 인덕터는 다수의 페라이트 또는 저율전율의 유전체로 이루어진 세라믹 시트들이 적층된 적층체의 형태로 제조되며, 이 세라믹 시트 상에는 코일 형태의 금속 패턴이 형성되어 있는데, 각각의 세라믹 시트 상에 형성된 코일 형태의 금속 패턴은 각 세라믹 시트에 형성된 도전성 비아에 의해 순차적으로 접속되고, 적층 방향에 따라 중첩되는 구조를 이룬다.
The multilayer inductor is manufactured in the form of a laminate in which ceramic sheets composed of a plurality of ferrites or dielectrics of low dielectric constant are stacked. On the ceramic sheet, a coil-shaped metal pattern is formed. The metal pattern is sequentially connected by the conductive vias formed in the respective ceramic sheets, and has a structure in which the metal patterns are overlapped with each other in the stacking direction.
적층형 인덕터는 권선형과 비교하여 구조가 간단하고, 소형화 및 원가 경쟁력이 있으나, 직류 바이어스(DC-bias)에 따른 L 값의 변화율이 크다는 단점이 있다. 따라서, 이를 개선하기 위하여 비자성체인 유전체 재료를 인덕터 중간에 삽입하게 되면, 유효 투자율은 감소되나 L값의 변화율은 매우 작아지게 되어 고전류에서 사용하는 적층형 파워 인덕터의 제작이 가능하다.
The stacked inductor has a simple structure, miniaturization, and cost competitiveness compared to a wire-wound type, but has a disadvantage that the rate of change of the L value according to the DC bias is large. Therefore, if the nonmagnetic dielectric material is inserted in the middle of the inductor, the effective permeability is reduced, but the rate of change of the L value becomes very small, which makes it possible to fabricate a stacked type power inductor used at high currents.
이러한 적층형 인덕터는 비자성체인 유전체와 자성체 재료가 이종 접합하게 되고 유전체와 자성체 재료의 매칭이 가능해야 한다. 이종 접합에서 나타날 수 있는 결함으로는 딜라미네이션, 확산 및 크랙, 자성체 및 삽입물 간 갈라짐 등을 들 수 있다. 딜라미네이션은 소성 전에는 층간 접착력이 약한 경우 절단 시에 발생한다. 그러나 소성 후에는 삽입물 부분과 세라믹 본체의 소성수축거동 차이에서 기인하는 응력에 의하여 발생하게 된다. 크랙과 층 간 갈라짐 또한, 삽입물과 세라믹 본체 사이에서 나타나는 소성수축거동 차이에 의해 받게 되는 내부 응력의 차이로 인하여 소성 과정이나 소성 후 냉각되는 과정에서 발생하게 된다.
Such a multilayer inductor is required to have a nonmagnetic dielectric material and a magnetic material bonded to each other and to be able to match the dielectric material with the magnetic material. Defects that may occur in heterogeneous junctions include delamination, diffusion and cracking, and magnetic body and inter-implant cleavage. Dillamination occurs at the time of cutting when the interlaminar bond strength is weak before firing. However, after firing, it is caused by the stress caused by the plastic shrinkage behavior difference between the insert part and the ceramic body. Cracks and interlayer cracks also occur in the process of firing or cooling after firing due to differences in internal stresses due to differences in plastic shrinkage behavior between the insert and the ceramic body.
예를 들면, 자성체 층의 재료가 Zn-Cu 페라이트 계열이라면 비자성체 층의 재료는 (Zn, Cu)Ti2O4일 수 있다. Zn-Cu 페라이트 계열 재료 및(Zn, Cu)Ti2O4는 모두 스피넬(spinel) 구조를 가지며, 동일한 원소인 Zn 또는 Cu를 포함하는 재료이므로 자성체 층과 비자성체 층의 계면에서 확산을 일으켜 접합을 용이하게 한다. 그러나 자성체과 비자성체 층 간에 확산이 일어나 비자성체 두께가 얇아져 칩 용량 또는 RDC 등이 어긋나게 되고, 자성체 층과 비자성체 층의 수축거동이 다르기 때문에, 얇은 비자성체 층에 의해 딜라미네이션 또는 크랙이 발생할 수 있다.For example, if the material of the magnetic layer is Zn-Cu ferrite, the material of the nonmagnetic layer may be (Zn, Cu) Ti2O4. The Zn-Cu ferrite-based material and (Zn, Cu) Ti 2 O 4 all have a spinel structure and contain Zn or Cu, which is the same element. Therefore, diffusion occurs at the interface between the magnetic layer and the non- do. However, since diffusion occurs between the magnetic body and the nonmagnetic layer, the thickness of the nonmagnetic layer is thinned, chip capacity or RDC is shifted, and the shrinkage behavior of the magnetic layer and the nonmagnetic layer is different, so that delamination or cracking may occur due to the thin non- .
본 발명의 일 실시예의 목적은 비자성체인 유전체와 자성체의 이종 접합에서 나타날 수 있는 딜라미네이션, 확산 및 크랙, 자성체 및 삽입물 간 갈라짐을 방지할 수 있는 적층형 전자부품 및 그 제조 방법을 제안하는 것이다.It is an object of one embodiment of the present invention to provide a laminated electronic component capable of preventing delamination, diffusion and cracking which may occur in a heterojunction between a dielectric and a magnetic body, which are nonmagnetic, and cracking between the magnetic body and the insert, and a manufacturing method thereof.
본 발명의 일 실시형태는 복수의 자성체 층을 포함하는 세라믹 본체; 상기 자성체 층 사이에 배치하는 비자성체 층; 상기 세라믹 본체 내부에 배치되며, 상기 복수의 자성체 층 및 상기 비자성체 층 중 적어도 어느 하나의 층에 배치되며, 복수의 내부 코일 패턴이 전기적으로 접속되는 내부 코일부; 및 상기 세라믹 본체의 단면에 배치되며, 상기 내부 코일부와 접속하는 외부전극;을 포함하며, 상기 비자성체 층은 Nb2O5계 유전체를 포함하는 적층형 전자부품을 제공한다.
One embodiment of the present invention relates to a ceramic body including a plurality of magnetic layer layers; A nonmagnetic layer disposed between the magnetic layers; An inner coil part disposed in the ceramic body and disposed in at least one of the plurality of magnetic body layers and the nonmagnetic body layer and having a plurality of inner coil patterns electrically connected thereto; And an external electrode disposed on an end surface of the ceramic body and connected to the internal coil part, wherein the nonmagnetic body layer includes a Nb 2 O 5 based dielectric material.
상기 Nb2O5계 유전체는 ZnO-Nb2O5, ZnO-TiO2-Nb2O5, BaO-Nb2O5, BaO-TiO2-Nb2O5 및 Bi2O3-Nb2O5계 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
The Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 and Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 < / RTI >
상기 비자성체 층은 V2O5를 포함할 수 있다.
The non-magnetic layer may include V 2 O 5 .
상기 비자성체 층에 포함되는 Nb2O5와 V2O5의 몰비가 0.9:0.1 내지 0.6:0.4일 수 있다.
The molar ratio of Nb 2 O 5 and V 2 O 5 contained in the non-magnetic layer may be 0.9: 0.1 to 0.6: 0.4.
상기 비자성체 층은 유리프리트를 7~20wt% 포함할 수 있다.
The non-magnetic layer may contain 7 to 20 wt% glass frit.
상기 유리프리트는 CaO 및 BaO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
The glass frit may include at least one of CaO and BaO.
상기 비자성체 층은 상기 내부 코일부의 내부에 배치되는 형성될 수 있다.
The non-magnetic layer may be disposed inside the inner coil part.
상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 상기 자성체 층의 물질과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
A portion of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the region not including the dielectric may be made of the same material as the material of the magnetic layer.
상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 비어 있을 수 있다.
A portion of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the region that does not include the dielectric may be empty.
본 발명의 다른 실시형태는, 복수의 자성체 시트를 마련하는 단계; 단일 또는 복수의 Nb2O5계 유전체를 포함하는 비자성체 시트를 마련하는 단계; 상기 자성체 시트 및 상기 비자성체 시트 중 적어도 어느 하나의 시트 상에 내부 코일 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 자성체 시트 및 비자성체 시트를 적층하여 내부 코일부 및 세라믹 본체를 형성하는 단계; 세라믹 본체의 단면에 상기 내부 코일부와 접속하는 외부전극을 형성하는 단계를 포함하는 적층형 전자부품의 제조방법을 제공한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a magnetic recording medium including: a plurality of magnetic sheet sheets; Providing a non-magnetic sheet including a single or plural Nb 2 O 5 -based dielectrics; Forming an inner coil pattern on at least one of the magnetic sheet and the non-magnetic sheet; And laminating the magnetic sheet and the nonmagnetic sheet to form an inner coil part and a ceramic body; And forming an external electrode on an end surface of the ceramic body to be connected to the internal coil part.
상기 Nb2O5계 유전체는 ZnO-Nb2O5, ZnO-TiO2-Nb2O5, BaO-Nb2O5, BaO-TiO2-Nb2O5 및 Bi2O3-Nb2O5계 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
The Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 and Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 < / RTI >
상기 비자성체 시트는 V2O5를 포함할 수 있다.
The non-magnetic sheet may include V 2 O 5 .
상기 비자성체 시트에 포함되는 Nb2O5와 V2O5의 몰비가 0.9:0.1 내지 0.6:0.4일 수 있다.
The molar ratio of Nb 2 O 5 and V 2 O 5 contained in the non-magnetic sheet may be 0.9: 0.1 to 0.6: 0.4.
상기 비자성체 시트는 유리프리트를 7~20wt% 포함할 수 있다.
The non-magnetic sheet may contain 7 to 20 wt% glass frit.
상기 유리프리트는 CaO 및 BaO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
The glass frit may include at least one of CaO and BaO.
상기 비자성체 시트는 상기 내부 코일부 내부에 형성될 수 있다.
The non-magnetic sheet may be formed inside the inner coil part.
상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 상기 자성체 층의 물질과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
A portion of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the region not including the dielectric may be made of the same material as the material of the magnetic layer.
상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 비어 있을 수 있다.A portion of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the region that does not include the dielectric may be empty.
본 발명의 일 실시 예에 따르는 적층형 전자부품 및 그 제조방법에 의하면, 자성체 층과 비자성체 층의 소성 수축 프로파일을 일치시켜 내부 잔류 응력을 최소화시킴으로써 딜라미네이션, 확산, 박리, 크랙, 층간 갈라짐 등과 같은 결함을 감소시킬 수 있다.According to the multilayer electronic component and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention, the firing and shrinking profiles of the magnetic layer and the nonmagnetic layer are made to coincide with each other to minimize the internal residual stress so that delamination, diffusion, peeling, cracking, It is possible to reduce defects.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 2c는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 2d는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 제5 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 분해 사시도이다.
도 3b는 본 발명의 제6 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 분해 사시도이다.
도 3c는 본 발명의 제7 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 분해 사시도이다.
도 3d는 본 발명의 제8 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 분해 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 제9 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 제10 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 4c는 본 발명의 제11 실시형태에 따른 적층형 전자부품의 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다.
도 5a는 도 4a에 나타난 본 발명의 제9 실시형태에 따른 비자성체 층을 나타내는 도면이다.
도 5b는 도 4b에 나타난 본 발명의 제10 실시형태에 따른 비자성체 층을 나타내는 도면이다.
도 5c는 도 4c에 나타난 본 발명의 제11 실시형태에 따른 비자성체 층을 나타내는 도면이다.
도 6은 CuO가 9mol%포함된 (Ni,Mn,Cu,Zn)Fe2O4 페라이트 자성체 조성물의 하소 온도 및 유지 시간에 따른 소성수축커브를 나타내는 도면이다.
도 7은 Ba5(Nb0.8V0.2)4O15의 유리프리트 첨가량에 따른 페라이트 자성체 조성물과 유전체 간의 소성수축커브의 매칭을 나타내는 도면이다.1 is a perspective view of a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention.
2A is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the first embodiment of the present invention.
2B is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the second embodiment of the present invention.
2C is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the third embodiment of the present invention.
FIG. 2D is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the fourth embodiment of the present invention.
3A is an exploded perspective view of a multilayer electronic component according to a fifth embodiment of the present invention.
3B is an exploded perspective view of the multilayer electronic component according to the sixth embodiment of the present invention.
3C is an exploded perspective view of a multilayer electronic component according to a seventh embodiment of the present invention.
Fig. 3D is an exploded perspective view of a multilayer electronic component according to an eighth embodiment of the present invention.
4A is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG. 1 of a multilayer electronic component according to a ninth embodiment of the present invention.
4B is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the tenth embodiment of the present invention.
4C is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 of the multilayer electronic component according to the eleventh embodiment of the present invention.
Fig. 5A is a view showing a nonmagnetic layer according to a ninth embodiment of the present invention shown in Fig. 4A. Fig.
FIG. 5B is a view showing a nonmagnetic layer according to a tenth embodiment of the present invention shown in FIG. 4B. FIG.
FIG. 5C is a view showing a nonmagnetic layer according to an eleventh embodiment of the present invention shown in FIG. 4C. FIG.
6 is a graph showing the plastic shrinkage curves of the (Ni, Mn, Cu, Zn) Fe2O4 ferrite magnetic composition containing CuO in an amount of 9 mol% according to the calcination temperature and the holding time.
7 is a diagram showing the matching of the plastic shrinkage curve between the ferrite magnetic body composition and the dielectric according to the amount of glass frit added to Ba5 (Nb0.8V0.2) 4O15.
이하, 구체적인 실시 예 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to specific embodiments and the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention.
따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements. It is to be understood that, although the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Will be described using the symbols.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.
적층형Laminated type
전자부품 Electronic parts
이하에서는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자부품을 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention will be described, but the present invention is not limited thereto.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 적층형 전자부품(100)의 사시도이고, 도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 각기 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자부품(100)의 단면도이다. 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 각기 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자부품(100)의 분해 사시도이다. 도 4는 본 발명의 다른 일 실시 예며, 도 1의 A-A’선에 의한 단면도이다. 도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 각기 다른 일 실시 예다. 도 5a 내지 도 5c는 도 4a 내지 도 4c의 실시형태에 따른 비자성체 층(111)을 나타내는 도면이다.
FIG. 1 is a perspective view of a stacked
본 발명의 일 실시 예에 따른 적층형 전자부품(100)은 복수의 자성체 층이 적층되어 형성된 세라믹 본체(110), 자성체 층(111), 세라믹 본체 내부에 배치하는 내부 코일부(120), 자성체 층 사이에 배치하는 비자성체 층(112), 세라믹 본체(110)의 단면에 형성되는 외부전극(130)을 포함한다.
A multilayer
세라믹 본체(110)를 형성하는 복수의 자성체 층(111) 및 비자성체 층(112)은 소결된 상태로서, 인접하는 자성체 층(111) 사이의 경계는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)을 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다.The plurality of
세라믹 본체(110)는 육면체 형상일 수 있으며, 본 발명의 실시형태를 명확하게 설명하기 위해 육면체의 방향을 정의하면, 도 1에 표시된 L, W 및 T는 각각 길이 방향, 폭 방향, 두께 방향을 나타낸다.
In order to clearly explain the embodiment of the present invention, when defining the direction of a hexahedron, L, W, and T shown in FIG. 1 indicate the longitudinal direction, the width direction, and the thickness direction .
자성체 층(111)의 제조에 사용되는 자성체는 특별히 제한되지 않으며 예를 들면, 페라이트(ferrite) 재료를 포함할 수 있다. 자성체 층(111)은 일반적으로 Fe2O3, ZnO, NiO, CuO, MgO, MnO, CoO 등의 조성으로 구성될 수 있고, MFe2O4(M: Zn, Ni, Cu, Mn, Mg)의 화학식을 형성할 수 있으며, 조성비에 따라 다양한 투자율을 갖는 자성체 층(111)을 제작할 수 있다.
The magnetic body used for manufacturing the
자성체 층(111)의 조성 중 ZnO와 CuO 조성은 1100℃ 이하의 온도에서 용융될 수 있다. 자성체 층(111)에 포함된 ZnO와 CuO 의 첨가량이 높을수록 자성체 층(111)의 조성물은 보다 낮은 온도에서 합성 및 소결이 이루어질 수 있다. 자성체 층(111)에 포함된 ZnO와 CuO을 합한 함량은 15~36 mol%일 수 있다.ZnO and CuO compositions in the composition of the
자성체 층에 NiO의 함량이 많을수록 투자율은 상승할 수 있다.
The higher the content of NiO in the magnetic layer, the higher the permeability.
도 6은 CuO가 9mol%포함된 (Ni,Mn,Cu,Zn)Fe2O4 페라이트 자성체 조성물의 하소 온도 및 유지 시간에 따른 소성수축커브를 나타낸 것이다.
6 is a graph showing the plastic shrinkage curves of the (Ni, Mn, Cu, Zn) Fe 2 O 4 ferrite magnetic composition containing CuO in an amount of 9 mol% according to the calcination temperature and the holding time.
도 6을 참조하면, 저온(780℃)에서 유지시간을 길게 한 페라이트 자성체 조성물을 소성하는 것이 고온(900℃)에서 유지시간을 짧게 한 페라이트(ferrite) 자성체 조성물을 소성하는 것보다 입계 에너지가 높아 낮은 온도에서 빠르게 수축된다.
6, firing the ferrite magnetic composition having a long holding time at a low temperature (780 ° C) has a higher grain boundary energy than firing a ferrite magnetic composition having a shorter holding time at a high temperature (900 ° C) It shrinks quickly at low temperatures.
도 3을 참조하면, 복수의 자성체 시트(111') 상에 형성된 내부 코일 패턴(121)이 비아 전극에 의해 전기적으로 접속되어 내부 코일부(120)를 형성할 수 있다. 또한, 복수의 자성체 시트(111') 사이에 적층되는 비자성체 시트(112') 상에 형성된 내부 코일 패턴(121)을 포함하여 내부 코일부(120)가 형성될 수 있다.
Referring to FIG. 3,
상기 내부 코일 패턴(121)은 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트를 인쇄하여 형성할 수 있다. 상기 도전성 금속은 전기 전도도가 우수한 금속이라면 특별히 제한되지 않으며 예를 들면, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu) 또는 백금(Pt) 등의 단독 또는 혼합 형태일 수 있다.
The
상기 내부 코일부(120)의 상부 및 하부에는 복수의 자성체 시트(111')가 더 적층되어 상부 및 하부 커버층을 형성할 수 있다.
A plurality of magnetic material sheets 111 'may be further laminated on the upper and lower portions of the
상기 비자성체 층(112)은 자성체 층(111)과 비자성체 층(112)의 소성 수축 프로파일을 일치시켜 내부 잔류 응력을 최소화시킴으로써 딜라미네이션, 확산, 박리, 크랙, 층간 갈라짐 등과 같은 결함을 감소시킬 수 있도록 하기 위해 세라믹 본체(110) 내부에 배치될 수 있다.
The
도 2a, 도 2b, 도 3a, 도 3b를 참조하면, 비자성체 층(112)은 자성체 층(111) 사이에 단일하게 배치될 수 있고, 복수로 배치될 수 있다. 2A, 2B, 3A, and 3B, the
도 2c, 도 2d, 도 3a, 도 3b를 참조하면, 비자성체 층(112)은 내부 코일부(120) 내부에 배치될 수 있고, 내부 코일부(120) 외부에 배치될 수 있으며, 내부 코일부(120) 내부 및 외부에 배치될 수 있다.
Referring to Figures 2c, 2d, 3a, and 3b, the
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 비자성체 층(112)은 일부 영역이 유전체를 포함할 수 있다. 유전체는 다양한 형태로 비자성체 층(112)의 일부 영역에 포함될 수 있으며, 도 4a 내지 도 4c의 예에 한정되지 않는다. 비자성체 층(112)을 이루는 유전체는 도 4a와 같이 일부 영역에 포함될 수 있고, 도 4b와 같이 선형으로 포함될 수 있다. 또한, 도 4c와 같이 일정한 패턴을 가진 영역에 포함될 수 있다. 비자성체 층(112)의 일부 영역이 유전체를 포함하는 경우, 유전체를 포함하지 않는 영역은 자성체 층(111)을 이루는 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 비어있을 수 있다.
Referring to Figures 4A-4C, the
자성체 층(111)과 비자성체 층(112)의 이종 접합에 의해 발생하는 결함을 최소화하기 위해 비자성체 층(112)의 재료를 고상소결과 액상소결에 따라 다르게 선정할 수 있고, 비자성체 층(112)의 재료는 이종 접합시 저온 소결이 가능한 소재를 선정하거나, 비자성체 층(112)의 재료를 자성체 층(111)의 재료와 비슷한 구조를 갖는 세라믹 소재를 선정할 수 있다.
The material of the
본 발명의 일 실시 예에 따른 비자성체 층(112)은 Nb2O5 (니오바이트, niobate) 계 유전체를 포함할 수 있다. 비자성체 층(112)에 Nb2O5계 유전체를 포함함으로써 자성체 층(111)과 비자성체 층(112) 간의 확산을 적게 일으키고, 내부 잔류 응력을 최소화할 수 있고, 자성체 층(111)과 비자성체 층(112)의 소성수축거동을 일치시킬 수 있다.
The
Nb2O5계 유전체는 ZnO- Nb2O5, ZnO-TiO2- Nb2O5, BaO- Nb2O5, BaO- TiO2- Nb2O5, Bi2O3- Nb2O5 계 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. ZnO- Nb2O5, ZnO-TiO2- Nb2O5, BaO- Nb2O5, BaO- TiO2- Nb2O5, Bi2O3- Nb2O5 계 세라믹 조성들을 포함함으로써 1200℃ 이하의 온도에서 합성할 수 있다.
Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 Or a combination thereof. ZnO- Nb 2 O 5, ZnO- TiO 2 - Nb 2 O 5, BaO- Nb 2 O 5, BaO- TiO 2 - Nb 2 O 5, Bi 2 O 3 - Nb 2 O 5 system 1200 by including a ceramic composition Lt; 0 > C or less.
비자성체 층(112)에 포함된 Nb2O5의 일부를 V2O5로 치환할 수 있다. 비자성체 층(112)에 포함된 Nb2O5의 일부를 V2O5로 치환하면 보다 낮은 온도에서 합성 및 소결이 가능해지고, 자성체 층(111)의 소성수축커브의 프로파일과 비자성체 층(112)의 소성수축커브의 프로파일을 일치시킬 수 있다. Nb2O5에서 V2O5으로 치환하는 치환량은 0.1~0.4몰일 수 있다. 이 경우 비자성체 층(112)의 Nb2O5와 V2O5의 성분비는 0.9:0.1 내지 0.6:0.4일 수 있다.
A portion of Nb 2 O 5 contained in the
비자성체 층(112)은 CaO 또는 BaO 등의 알칼리 토류 산화물이 포함된 유리프리트를 포함할 수 있다. 비자성체 층(112)에 포함된 유리프리트는 저온소결제로 사용될 수 있다. 비자성체 층(112)에 유리프리트를 포함함으로써 계면 확산을 억제시키면서 소결온도를 낮출 수 있고, 인덕터 본체의 자성체 층(111)의 소성수축커브의 프로파일과 비자성체 층(112)의 소성수축커브의 프로파일을 일치시킬 수 있다.
The
도 7은 Ba5(Nb0 .8V0 .2)4O15의 유리프리트 첨가량에 따른 페라이트 자성체 조성물과 유전체 간의 소성수축커브의 매칭을 나타낸 것이다.
FIG. 7 shows the matching of the plastic shrinkage curve between the ferrite magnetic body composition and the dielectric according to the amount of glass frit added to Ba 5 (Nb 0 .8 V 0 .2 ) 4 O 15 .
도 7을 참조하면, Ba5(Nb0 .8V0 .2)4O15에 10 wt%의 Ca-보로실리케이트(Ca-borosicate) 유리프리트를 포함한 유전체의 소성수축커브의 프로파일이 페라이트 자성체 조성물의 소성수축커브의 프로파일과 일치하는 것을 확인할 수 있다.7, the profile of the plastic shrinkage curve of a dielectric material containing 10 wt% of Ca-borosicate glass frit in Ba 5 (Nb 0 .8 V 0 .2 ) 4 O 15 is shown in the composition of the ferrite magnetic composition And the profile of the plastic contraction curve of Fig.
표 1은 본 발명의 일 실시 예에 관한 것으로, 자성체 층(111) 조성물인(Ni,Mn,Cu,Zn)Fe2O4 자성체 조성물 및 비자성체 층(112)의 재료에 대한 계면 접합성 및 결함 유무를 확인한 표이다. Table 1 relates to an embodiment of the present invention and is a graph showing the interfacial bonding properties and defects of the (Ni, Mn, Cu, Zn) Fe 2 O 4 magnetic body composition and the material of the
동일하게 30㎛ 두께를 가지는 자성체 시트 A와 비자성체 시트 B를 성형하여 A-B-A 구조로 접합시켜 소성하였을 때, 딜라미네이션, 크랙 또는 갈라짐, 계면 내 확산의 발생 정도를 관찰하였다. When the magnetic sheet A and the non-magnetic sheet B having the same thickness of 30 mu m were molded and fired in the A-B-A structure and fired, the extent of delamination, cracking or cracking and interfacial diffusion was observed.
Ca-보로실리케이트Low-temperature sowing
Ca-borosilicate
비자성체 층(112) 재료에서 V2O5 치환량이 0.4 몰 이상일 경우에는 치환되지 못한 V2O5가 생기면서 계면에서의 확산이 발생하다. When the V 2 O 5 substitution amount in the
소성수축커브의 프로파일이 불일치한 경우에는 딜라미네이션, 크랙 또는 갈라짐이 발생하였다. When the profile of the plastic shrinkage curve was inconsistent, delamination, cracking or cracking occurred.
저온소결제로 Ca2 + 또는 Ba2 +의 알칼리 토류가 함유된 유리프리트가 적용되는 경우에는 페라이트의 Ni, Mn, Cu, Zn이 모두 2+ 양이온이므로, 인덕터 본체와 비자성체 층(112) 사이의 계면에서 이차상을 석출시켜 확산을 억제시킬 수 있다. When glass frit containing Ca 2 + or Ba 2 + alkaline earth as the low temperature sintering agent is applied, since Ni, Mn, Cu and Zn of the ferrite are all 2+ cations, Diffusion can be suppressed by precipitating a secondary phase at the interface.
다만, 계면의 접합성은 불량해지므로, 유리프리트는 7wt% 내지 20wt%의 함량이 첨가되어야 접합성이 양호해짐을 알 수 있다.
However, since the bonding property at the interface becomes poor, it is understood that the glass frit should be added in an amount of 7 wt% to 20 wt% to improve the bonding property.
외부전극(130)은 세라믹 본체(110)의 서로 대향하는 양 단면에 형성되어 내부 코일부(120)와 접속하도록 형성될 수 있다.The
외부전극(130)은 세라믹 본체(110)의 두께 방향(T)의 양 단면 및 폭 방향(W) 중 적어도 어느 한 면으로 연장되어 형성될 수 있다.The
외부전극(130)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성될 수 있으며 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn) 또는 은(Ag) 등의 단독 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.
The
적층형Laminated type
전자부품의 제조방법 Manufacturing method of electronic parts
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자부품(100)의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
8 is a process diagram showing a manufacturing method of the multilayer
도 8을 참조하면 먼저 복수의 자성체 시트를 마련할 수 있다. Referring to FIG. 8, a plurality of magnetic sheet sheets can be provided.
자성체 시트 제조에 사용되는 자성체는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 페라이트(ferrite) 재료를 포함할 수 있다. 자성체 시트는 일반적으로 Fe2O3, ZnO, NiO, CuO, MgO, MnO, CoO 등의 조성으로 구성되어 MFe2O4(M: Zn, Ni, Cu, Mn, Mg)의 화학식을 형성하며, 조성비에 따라 다양한 투자율을 갖는 자성체 시트의 제작이 가능하다.
The magnetic material used for manufacturing the magnetic sheet is not particularly limited. For example, a ferrite material. The magnetic sheet is generally composed of Fe 2 O 3 , ZnO, NiO, CuO, MgO, MnO, CoO, etc. to form a formula of MFe 2 O 4 (M: Zn, Ni, Cu, Mn, Mg) It is possible to manufacture a magnetic sheet having various magnetic permeability according to the composition ratio.
다음으로, 비자성체 시트를 마련할 수 있다. Next, a non-magnetic sheet can be provided.
비자성체 시트 제조에 사용되는 비자성체는 Nb2O5계 유전체를 포함할 수 있다. 비자성체 시트에 Nb2O5계 유전체를 포함함으로써 자성체 층(111)과 비자성체 층(112) 간의 확산을 적게 일으키고, 내부 잔류 응력을 최소화할 수 있고, 자성체 층(111)과 비자성체 층(112)의 소성수축거동을 일치시킬 수 있다.
The non-magnetic material used for the production of the nonmagnetic sheet may include a Nb 2 O 5 -based dielectric material. By including the Nb 2 O 5 based dielectric material in the nonmagnetic sheet, the diffusion between the
Nb2O5계 유전체는 ZnO- Nb2O5, ZnO-TiO2- Nb2O5, BaO- Nb2O5, BaO- TiO2- Nb2O5, Bi2O3- Nb2O5 계 중 적어도 어느 하나일 수 있다. ZnO- Nb2O5, ZnO-TiO2- Nb2O5, BaO- Nb2O5, BaO- TiO2- Nb2O5, Bi2O3- Nb2O5 계 세라믹 조성들을 포함함으로써 1200℃ 이하의 온도에서 합성할 수 있다.
Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 Or a combination thereof. ZnO- Nb 2 O 5, ZnO- TiO 2 - Nb 2 O 5, BaO- Nb 2 O 5, BaO- TiO 2 - Nb 2 O 5, Bi 2 O 3 - Nb 2 O 5 system 1200 by including a ceramic composition Lt; 0 > C or less.
비자성체 시트에 포함된 Nb2O5의 일부를 V2O5로 치환할 수 있다. 비자성체 시트에 포함된 Nb2O5의 일부를 V2O5로 치환하면 보다 낮은 온도에서 합성 및 소결이 가능해지고, 자성체 층(111)의 소성수축커브의 프로파일과 비자성체 층(112)의 소성수축커브의 프로파일을 일치시킬 수 있다. Nb2O5에서 V2O5으로 치환하는 치환량은 0.1~0.4몰일 수 있다. 이 경우 비자성체 시트의 Nb2O5와 V2O5의 성분비는 0.9:0.1 내지 0.6:0.4일 수 있다.
A part of Nb 2 O 5 contained in the nonmagnetic sheet can be replaced with V 2 O 5 . When a portion of Nb 2 O 5 contained in the nonmagnetic sheet is replaced by V 2 O 5 , synthesis and sintering at a lower temperature becomes possible, and the profile of the plastic contraction curve of the
비자성체 시트는 CaO 또는 BaO 등의 알칼리 토류 산화물이 포함된 유리프리트를 포함할 수 있다. 비자성체 시트에 포함된 유리프리트는 저온소결제로 사용될 수 있다. 비자성체 시트에 유리프리트를 포함함으로써 계면 확산을 억제시키면서 소결온도를 낮출 수 있고, 인덕터 본체의 자성체 층(111)의 소성수축커브의 프로파일과 비자성체 층(112)의 소성수축커브의 프로파일을 일치시킬 수 있다. 비자성체 시트에 Nb2O5계 유전체를 포함함으로써 자성체 층(111)과 비자성체 층(112) 간의 확산을 적게 일으키고, 내부 잔류 응력을 최소화할 수 있고, 자성체 층(111)과 비자성체 층(112)의 소성수축거동을 일치시킬 수 있다.
The non-magnetic sheet may include a glass frit containing an alkaline earth oxide such as CaO or BaO. The glass frit contained in the nonmagnetic sheet can be used as a low temperature sintering agent. By including the glass frit in the nonmagnetic sheet, the sintering temperature can be lowered while suppressing the interfacial diffusion, and the profile of the plastic contraction curve of the
다음으로, 자성체 시트 및 비자성체 시트 중 적어도 어느 하나의 시트 상에 내부 코일 패턴(121)을 형성할 수 있다. Next, the
내부 코일 패턴(121)은 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트를 자성체 시트 상에 인쇄 공법 등으로 도포하여 형성할 수 있다. The
도전성 금속은 전기 전도도가 우수한 금속이라면 특별히 제한되지 않으며 예를 들면, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu) 또는 백금(Pt) 등의 단독 또는 혼합 형태일 수 있다.The conductive metal is not particularly limited as long as it is a metal having an excellent electrical conductivity. Examples of the conductive metal include silver (Ag), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au) ) Or platinum (Pt), or the like.
도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
The conductive paste may be printed by a screen printing method or a gravure printing method, but the present invention is not limited thereto.
다음으로 자성체 시트 및 비자성체 시트를 적층하여 내부 코일부(120) 및 세라믹 본체(110)를 형성할 수 있다.
Next, the magnetic substance sheet and the non-magnetic substance sheet may be laminated to form the
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 비자성체 시트는 자성체 층(111) 사이에 단일하게 적층될 수 있고, 복수로 적층될 수 있다. Referring to Figs. 2A and 2B, the non-magnetic sheet can be laminated singularly between the magnetic layer layers 111, and can be laminated in plural.
도 2c 및 도 2d를 참조하면, 비자성체 시트의 적층 공정은 비자성체 시트가 내부 코일부(120) 내부에 적층되도록 내부 코일부(120) 형성 공정 단계 중간에 수행될 수 있고, 비자성체 시트가 내부 코일부(120) 외부에 적층되도록 내부 코일부(120) 형성 공정 단계 전 및 후에 적층될 수 있다.
2C and 2D, the lamination process of the non-magnetic sheet can be performed in the middle of the process of forming the
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 비자성체 시트는 일부 영역이 유전체를 포함할 수 있다. 비자성체 시트를 이루는 유전체는 도 4a와 같이 비자성체 시트의 일부 영역에 포함될 수 있고, 도 4b와 같이 선형으로 포함될 수 있고, 도 4c와 같이 일정한 패턴을 가진 영역에 포함될 수 있다. 비자성체 시트의 일부 영역이 유전체를 포함하는 경우, 유전체를 포함하지 않는 영역은 자성체 시트를 이루는 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 비어있을 수 있다.
Referring to Figs. 4A to 4C, the non-magnetic sheet may include a dielectric in some regions. The dielectric material forming the nonmagnetic material sheet may be included in a part of the nonmagnetic sheet as shown in FIG. 4A, linearly as shown in FIG. 4B, or included in a region having a constant pattern as shown in FIG. 4C. In the case where a part of the nonmagnetic sheet includes a dielectric, the area not including the dielectric may include the same material as the material constituting the magnetic sheet and may be empty.
외부전극(130)은 세라믹 본체(110)의 서로 대향하는 양 단면에 형성되어 내부 코일부(120)와 접속하도록 형성될 수 있다.The
외부전극(130)은 세라믹 본체(110)의 두께 방향(T)의 양 단면 및/또는 폭 방향(W)의 양 단면으로 연장되어 형성될 수 있다.The
외부전극(130)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성될 수 있으며 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn) 또는 은(Ag) 등의 단독 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.The
외부전극(130)을 형성하는 방법은 외부 전극의 형상에 따라 프린팅 뿐만 아니라 딥핑(dipping)법 등을 수행하여 형성할 수 있다.
The method of forming the
본 발명은 실시 형태에 의해 한정되는 것이 아니며, 당 기술분야의 통상의 지 식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환 및 변형이 가능하고 동일하거나 균등한 사상을 나타내는 것이라면, 본 실시 예에 설명되지 않았더라도 본 발명의 범위 내로 해석 되어야 할 것이고, 본 발명의 실시형태에 기재되었지만 청구범위에 기재되지 않은 구성 요소는 본 발명의 필수 구성요소로서 한정 해석되지 아니한다.
It is to be understood that the present invention is not limited to the disclosed embodiments and that various substitutions and modifications can be made by those skilled in the art without departing from the scope of the present invention Should be construed as being within the scope of the present invention, and constituent elements which are described in the embodiments of the present invention but are not described in the claims shall not be construed as essential elements of the present invention.
100 : 적층형 전자부품
110 : 세라믹 본체
111 : 자성체 층
112 : 비자성체 층
120 : 내부 코일부
121 : 내부 코일 패턴
130 : 외부전극100: Multilayer electronic component
110: Ceramic body
111: magnetic layer
112: nonmagnetic layer
120: internal coil part
121: inner coil pattern
130: external electrode
Claims (18)
상기 자성체 층 사이에 배치된 비자성체 층;
상기 세라믹 본체 내부에 배치되며, 상기 복수의 자성체 층 및 상기 비자성체 층 중 적어도 어느 하나의 층에 배치되며, 복수의 내부 코일 패턴이 전기적으로 접속되는 내부 코일부; 및
상기 세라믹 본체에 배치되며, 상기 내부 코일부와 접속하는 외부전극을 포함하며,
상기 비자성체 층은, Nb2O5계 유전체와, V2O5를 포함하고
상기 비자성체 층에 포함되는 Nb2O5와 V2O5의 몰비가 0.9:0.1 내지 0.6:0.4인,
적층형 전자부품.
A ceramic body including a plurality of magnetic layer layers;
A nonmagnetic layer disposed between the magnetic layers;
An inner coil part disposed in the ceramic body and disposed in at least one of the plurality of magnetic body layers and the nonmagnetic body layer and having a plurality of inner coil patterns electrically connected thereto; And
And an external electrode disposed in the ceramic body and connected to the internal coil part,
The nonmagnetic layer includes an Nb 2 O 5 -based dielectric material and V 2 O 5
Wherein the molar ratio of Nb 2 O 5 and V 2 O 5 contained in the non-magnetic layer is 0.9: 0.1 to 0.6: 0.4,
Multilayer electronic components.
상기 Nb2O5계 유전체는 ZnO-Nb2O5, ZnO-TiO2-Nb2O5, BaO-Nb2O5, BaO-TiO2-Nb2O5 및 Bi2O3-Nb2O5계 중 적어도 어느 하나를 포함하는 적층형 전자부품.
The method according to claim 1,
The Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 and Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 layers.
상기 비자성체 층은 유리프리트를 7~20wt% 포함하는 적층형 전자부품.
The method according to claim 1,
Wherein the nonmagnetic layer includes 7 to 20 wt% glass frit.
상기 유리프리트는 CaO 및 BaO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 적층형 전자부품.
6. The method of claim 5,
Wherein the glass frit includes at least one of CaO and BaO.
상기 비자성체 층은 상기 내부 코일부의 내부에 배치되는 적층형 전자부품.
The method according to claim 1,
And the non-magnetic layer is disposed inside the inner coil part.
상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 상기 자성체 층의 물질과 동일한 물질을 포함하는 적층형 전자부품.
The method according to claim 1,
Wherein a portion of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the region that does not include the dielectric includes the same material as the material of the magnetic layer.
상기 비자성체 층의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 비어있는 적층형 전자부품.
The method according to claim 1,
Wherein a part of the non-magnetic layer includes the dielectric, and the area not including the dielectric is empty.
Nb2O5계 유전체와 V2O5 를 각각 포함하는 단일 또는 복수의 비자성체 시트를 마련하는 단계;
상기 자성체 시트 및 상기 비자성체 시트 중 적어도 어느 하나의 시트 상에 내부 코일 패턴을 형성하는 단계;
상기 자성체 시트 및 상기 비자성체 시트를 적층하여 내부 코일부 및 세라믹 본체를 형성하는 단계;
상기 세라믹 본체의 단면에 상기 내부 코일부와 접속하는 외부전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 비자성체 시트에 포함되는 Nb2O5와 V2O5의 몰비는 0.9:0.1 내지 0.6:0.4인,
적층형 전자부품의 제조방법.
Providing a plurality of magnetic sheet sheets;
Providing a single or plurality of nonmagnetic sheets each including a Nb 2 O 5 -based dielectric and V 2 O 5 ;
Forming an inner coil pattern on at least one of the magnetic sheet and the non-magnetic sheet;
Laminating the magnetic sheet and the nonmagnetic sheet to form an inner coil part and a ceramic body;
And forming an external electrode on an end surface of the ceramic body to be connected to the internal coil part,
Wherein the molar ratio of Nb 2 O 5 and V 2 O 5 contained in the non-magnetic sheet is 0.9: 0.1 to 0.6: 0.4,
A method of manufacturing a multilayer electronic component.
상기 Nb2O5계 유전체는 ZnO-Nb2O5, ZnO-TiO2-Nb2O5, BaO-Nb2O5, BaO-TiO2-Nb2O5 및 Bi2O3-Nb2O5계 중 적어도 어느 하나를 포함하는 적층형 전자부품의 제조방법.
11. The method of claim 10,
The Nb 2 O 5 -based dielectrics include ZnO-Nb 2 O 5 , ZnO-TiO 2 -Nb 2 O 5 , BaO-Nb 2 O 5 , BaO-TiO 2 -Nb 2 O 5 and Bi 2 O 3 -Nb 2 O 5 < / RTI >
상기 비자성체 시트는 유리프리트를 7~20wt% 포함하는 적층형 전자부품의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the nonmagnetic sheet includes 7 to 20 wt% glass frit.
상기 유리프리트는 CaO 및 BaO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 적층형 전자부품의 제조방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the glass frit includes at least one of CaO and BaO.
상기 비자성체 시트는 상기 내부 코일부 내부에 배치되는 적층형 전자부품의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the non-magnetic sheet is disposed inside the inner coil part.
상기 비자성체 시트의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 상기 자성체 시트의 물질과 동일한 물질을 포함하는 적층형 전자부품의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein a portion of the nonmagnetic sheet includes the dielectric, and the region not including the dielectric includes the same material as the material of the magnetic sheet.
상기 비자성체 시트의 일부 영역은 상기 유전체를 포함하고, 상기 유전체를 포함하지 않는 영역은 비어있는 적층형 전자부품의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein a portion of the nonmagnetic sheet includes the dielectric, and the region not including the dielectric is empty.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140039320A KR101994734B1 (en) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | Multilayered electronic component and manufacturing method thereof |
JP2014112225A JP6258127B2 (en) | 2014-04-02 | 2014-05-30 | Multilayer electronic component and manufacturing method thereof |
CN201410708202.1A CN104979080B (en) | 2014-04-02 | 2014-11-28 | Multilayer electronic component and its manufacture method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140039320A KR101994734B1 (en) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | Multilayered electronic component and manufacturing method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150114746A KR20150114746A (en) | 2015-10-13 |
KR101994734B1 true KR101994734B1 (en) | 2019-07-01 |
Family
ID=54275506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140039320A KR101994734B1 (en) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | Multilayered electronic component and manufacturing method thereof |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6258127B2 (en) |
KR (1) | KR101994734B1 (en) |
CN (1) | CN104979080B (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102396598B1 (en) * | 2016-01-18 | 2022-05-11 | 삼성전기주식회사 | Coil component |
US11404197B2 (en) * | 2017-06-09 | 2022-08-02 | Analog Devices Global Unlimited Company | Via for magnetic core of inductive component |
WO2019082013A1 (en) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | 3M Innovative Properties Company | High frequency power inductor material |
JP2020061410A (en) * | 2018-10-05 | 2020-04-16 | 株式会社村田製作所 | Multilayer electronic component |
JP6983382B2 (en) * | 2018-10-12 | 2021-12-17 | 株式会社村田製作所 | Multilayer coil parts |
KR102404315B1 (en) * | 2020-05-08 | 2022-06-07 | 삼성전기주식회사 | Coil component |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000182834A (en) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Tokin Corp | Laminate inductance element and manufacture thereof |
JP2000319066A (en) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Selectron | Low temperature simultaneously firing dielectric ceramic composition |
WO2012111203A1 (en) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 株式会社村田製作所 | Laminate-type inductor element |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2795562B2 (en) * | 1991-09-10 | 1998-09-10 | 松下電器産業株式会社 | Dielectric porcelain composition |
JP3123209B2 (en) * | 1992-05-01 | 2001-01-09 | 株式会社村田製作所 | Composite electronic components |
JPH0737429A (en) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Ube Ind Ltd | Dielectric ceramic composition |
JPH07169330A (en) * | 1993-12-17 | 1995-07-04 | Ube Ind Ltd | Dielectric ceramic composition |
JPH08236354A (en) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Tokin Corp | Laminated inductor |
KR100292915B1 (en) * | 1998-07-22 | 2001-09-22 | 김병규 | Dielectric ceramic composition |
JP2001106570A (en) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Murata Mfg Co Ltd | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic parts |
JP2004010441A (en) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic electronic part using it |
CN100386285C (en) * | 2006-01-05 | 2008-05-07 | 武汉理工大学 | Low temp. sintering niobate microwave dielectric ceramic and preparation process thereof |
JP4509186B2 (en) * | 2006-01-31 | 2010-07-21 | 日立金属株式会社 | Laminated component and module using the same |
EP2040272A4 (en) * | 2006-07-05 | 2017-04-19 | Hitachi Metals, Ltd. | Laminated component |
JP4535048B2 (en) * | 2006-09-08 | 2010-09-01 | Tdk株式会社 | Multilayer trap parts |
EP2234126B1 (en) * | 2007-12-25 | 2019-09-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Multilayer inductor and power converter comprising it |
WO2009087928A1 (en) * | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Open magnetic circuit stacked coil component and process for producing the open magnetic circuit stacked coil component |
KR101282025B1 (en) * | 2008-07-30 | 2013-07-04 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | Laminated inductor, method for manufacturing the laminated inductor, and laminated choke coil |
CN102093046A (en) * | 2010-12-10 | 2011-06-15 | 厦门松元电子有限公司 | BaO-Ln2O3-TiO2-series microwave capacitor medium material and preparation method thereof |
JP5921074B2 (en) * | 2011-03-17 | 2016-05-24 | 株式会社村田製作所 | Manufacturing method of laminated substrate |
KR20130031581A (en) * | 2011-09-21 | 2013-03-29 | 삼성전기주식회사 | Laminated inductor |
KR101332100B1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-11-21 | 삼성전기주식회사 | Multilayer inductor |
-
2014
- 2014-04-02 KR KR1020140039320A patent/KR101994734B1/en active IP Right Grant
- 2014-05-30 JP JP2014112225A patent/JP6258127B2/en active Active
- 2014-11-28 CN CN201410708202.1A patent/CN104979080B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000182834A (en) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Tokin Corp | Laminate inductance element and manufacture thereof |
JP2000319066A (en) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Selectron | Low temperature simultaneously firing dielectric ceramic composition |
WO2012111203A1 (en) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 株式会社村田製作所 | Laminate-type inductor element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104979080A (en) | 2015-10-14 |
KR20150114746A (en) | 2015-10-13 |
JP2015198240A (en) | 2015-11-09 |
CN104979080B (en) | 2017-12-12 |
JP6258127B2 (en) | 2018-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101994734B1 (en) | Multilayered electronic component and manufacturing method thereof | |
US9251943B2 (en) | Multilayer type inductor and method of manufacturing the same | |
KR101282025B1 (en) | Laminated inductor, method for manufacturing the laminated inductor, and laminated choke coil | |
KR101994722B1 (en) | Multilayered electronic component | |
JP3197022B2 (en) | Multilayer ceramic parts for noise suppressor | |
US8779884B2 (en) | Multilayered inductor and method of manufacturing the same | |
US10236104B2 (en) | Ferrite and inductor including the same | |
KR20140028392A (en) | Multi-layered chip electronic component | |
KR20130031581A (en) | Laminated inductor | |
CN111009394A (en) | Laminated coil array | |
KR101525678B1 (en) | ferrite and inductor comprising the same | |
KR20120052817A (en) | Non magnetic material for ceramic electronic parts, ceramic electronic part manufactured by using the same and a process thereof | |
KR101339553B1 (en) | Non magnetic material for ceramic electronic parts, ceramic electronic part manufactured by using the same and a process thereof | |
KR101367952B1 (en) | Non magnetic material for multi-layered electronic component, multi-layered electronic component manufactured by using the same and a process thereof | |
JP4020886B2 (en) | Composite electronic component and manufacturing method thereof | |
KR101408617B1 (en) | Multilayered coil elements | |
KR101900881B1 (en) | Laminate type device | |
JP2006041081A (en) | Composite common mode choke coil and manufacturing method therefor | |
KR20130134868A (en) | Multilayer type inductor | |
KR101983135B1 (en) | Inductor and composition for manufacturing the gap layer of the same | |
JP2006216636A (en) | Composite laminated electronic component | |
JP3758464B2 (en) | Laminated electronic components | |
KR101408525B1 (en) | Multilayered coil elements | |
JP2012028522A (en) | Stacked electronic component and manufacturing method thereof | |
JP2003324025A (en) | Method of manufacturing laminated lc filer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |