KR101989036B1 - 전자 디바이스의 슬립 상태 동안의 저전력 터치 감지 - Google Patents

전자 디바이스의 슬립 상태 동안의 저전력 터치 감지 Download PDF

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Abstract

전자 디바이스가 개시된다. 전자 디바이스가 소정 터치 입력들에 대한 응답을 허용하는 방식으로 슬립 상태에 있는 동안, 전자 디바이스는 그의 터치 스크린상에서의 터치를 감지할 수 있고, 한편 어웨이크 상태에 있는 동안보다 터치 감지로 인한 전력을 덜 소비할 수 있다. 예를 들어, 슬립 상태 동안 터치를 감지하는 것은 전자 디바이스로 하여금 슬립 상태에 있는 동안 그의 터치 스크린 상의 소정 터치 입력(예컨대, 탭 또는 다른 터치 입력)을 검출하는 것에 응답하여 웨이크할 수 있게 한다(예컨대, 슬립 상태로부터 어웨이크 상태로 전이). 슬립 상태 중에 전자 디바이스가 터치를 감지하는 다양한 방법들이 개시된다.

Description

전자 디바이스의 슬립 상태 동안의 저전력 터치 감지{LOW POWER TOUCH SENSING DURING A SLEEP STATE OF AN ELECTRONIC DEVICE}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함되는, 2016년 9월 23일 출원된 미국 가특허 출원 제62/399,215호의 이익을 주장하고, 2017년 8월 28일 출원된 미국 가특허 출원 제62/551,002호의 이익을 주장한다.
기술분야
본 발명은 일반적으로 터치 센서 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 터치 센서 패널을 포함하는 전자 디바이스의 슬립 상태 동안 터치를 감지하는 것에 관한 것이다.
버튼 또는 키, 마우스, 트랙볼, 조이스틱, 터치 센서 패널, 터치 스크린 등과 같은, 많은 유형들의 입력 디바이스들이 현재 컴퓨팅 시스템에서 동작들을 수행하기 위해 이용가능하다. 특히, 터치 스크린들은 그들의 동작의 용이함 및 융통성 뿐만 아니라, 그들의 하락하는 가격 때문에 점점 더 인기가 많아지고 있다. 터치 스크린들은 터치 감응형 표면을 갖는 투명한 패널일 수 있는 터치 센서 패널, 및 액정 디스플레이(LCD)와 같은 디스플레이 디바이스를 포함할 수 있으며, 디스플레이 디바이스는, 터치 감응형 표면이 디스플레이 디바이스의 가시 영역의 적어도 일부분을 덮을 수 있도록, 패널의 부분적으로 또는 완전히 뒤에 위치될 수 있다. 터치 스크린들은 사용자가, 디스플레이 디바이스들에 의해 디스플레이되고 있는 사용자 인터페이스(UI)에 의해 종종 지시된 위치에서 손가락, 스타일러스 또는 다른 물체를 사용하여 터치 센서 패널을 터치함으로써 다양한 기능들을 수행하도록 허용할 수 있다. 일반적으로, 터치 스크린들은 터치 센서 패널 상의 터치 및 터치의 위치를 인식할 수 있고, 그 다음 컴퓨팅 시스템은 터치 시에 나타나는 디스플레이에 따라 터치를 해석할 수 있고, 이후에 터치에 기초하여 하나 이상의 작동을 수행할 수 있다. 일부 터치 감지 시스템들의 경우에, 디스플레이 상의 물리적 터치는 터치를 검출하는 데 필요하지 않다. 예를 들면, 일부 정전용량성-유형의 터치 감지 시스템들에서, 터치를 검출하기 위해 사용된 프린징 전계(fringing electrical field)는 디스플레이의 표면 너머까지 미칠 수 있고, 표면 가까이로 접근하는 물체들은 실제로 표면을 터치하지 않고 표면 가까이에서 검출될 수 있다.
정전용량성 터치 센서 패널들은 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 재료들로 제조된 실질적으로 투명하거나 불투명한 전도성 플레이트들의 매트릭스에 의해 형성될 수 있다. 그것은 부분적으로 정전용량 터치 센서 패널들이 상기 언급된 바와 같이, 터치 스크린을 형성하기 위해 디스플레이 상에 덮어 씌워질 수 있는 그들의 실질적인 투명성에 기인한다. 일부 터치 스크린들은 터치 감지 회로를 디스플레이 픽셀 스택업(stackup)(즉, 디스플레이 픽셀들을 형성하는 적층된 물질 층들) 내로 적어도 부분적으로 통합함으로써 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 본 개시의 터치 스크린들은 모바일 폰, 태블릿 컴퓨터 또는 웨어러블 디바이스와 같은 전자 디바이스에 포함될 수 있다. 슬립 상태에 있는 동안 전자 디바이스가 그의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지하되 어웨이크 상태에 있는 동안보다 터치 감지로 인한 전력 소비를 적게 하면서 전자 디바이스가 소정 터치 입력들에 응답하도록 허용하는 방식으로 하는 것이 유리할 수 있다. 예를 들어, 슬립 상태 동안 터치를 감지하는 것은 전자 디바이스로 하여금 슬립 상태에 있는 동안 그의 터치 스크린 상의 소정 터치 입력(예컨대, 탭 또는 다른 터치 입력)을 검출하는 것에 응답하여 웨이크할 수 있게 한다(예컨대, 슬립 상태로부터 어웨이크 상태로 전이). 본 개시의 실시예들은 전자 디바이스가 슬립 상태 동안 터치를 감지하는 다양한 방법들을 제공한다.
도 1a 내지 도 1d는 예시적인 모바일 전화기, 예시적인 미디어 재생기, 예시적인 개인용 컴퓨터 및 예시적인 태블릿 컴퓨터를 도시하며, 각각은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 터치 스크린을 포함할 수 있다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 터치 스크린의 일 구현예를 도시하는 예시적인 컴퓨팅 시스템의 블록도이다.
도 3a는 본 개시의 실시예들에 따른 자기-정전용량 터치 노드 전극 및 감지 회로에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로를 도시한다.
도 3b는 본 개시의 실시예들에 따른 상호-정전용량 구동 및 감지 라인 및 감지 회로에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로를 도시한다.
도 4는 본 개시의 실시예들에 따른, 공통 전극들이 터치 감지 시스템의 터치 감지 회로의 일부분들을 형성할 수 있는 예시적인 구성을 도시한다.
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 상호-정전용량 터치 스크린 구성을 도시한다.
도 6a 및 도 6b는 본 개시의 실시예들에 따른 전자 디바이스에서의 예시적인 터치 감지 액티비티를 도시한다.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른, 슬립 상태에 있는 전자 디바이스의 예시적인 터치 프레임을 도시한다.
도 8a 및 도 8b는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 구동 및/또는 감지 라인 병합을 도시한다.
도 9는 본 개시의 실시예들에 따른, 터치 스캔 스텝들의 조건부 수행을 포함하는 슬립 상태에 있는 전자 디바이스의 예시적인 터치 프레임을 도시한다.
도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 의도적인 메인 스캔 트리거링을 갖는 터치 프레임들의 예시적인 타임라인을 도시한다.
도 11은 본 개시의 실시예들에 따른, 터치 스크린의 에지 영역들에 대응하는 구동 회로 및/또는 감지 회로가 전력 차단된(powered down) 예시적인 터치 스크린을 도시한다.
실시예들의 다음의 설명에서, 본 명세서의 부분을 형성하는 첨부된 도면들이 참조되고, 실행될 수 있는 특정 실시예들이 도면들 내에서 예시로써 도시된다. 개시된 실시예들의 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예들이 이용될 수 있고, 구조적 변경이 가해질 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
일부 정전용량성 터치 센서 패널은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 물질로 제조된 실질적으로 투명하거나 불투명한 전도성 플레이트들의 매트릭스에 의해 형성될 수 있으며, 일부 터치 스크린들은 터치 감지 회로를 디스플레이 픽셀 스택업(즉, 디스플레이 픽셀들을 형성하는 적층된 물질 층들) 내에 적어도 부분적으로 통합함으로써 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 본 개시의 터치 스크린들은 모바일 폰, 태블릿 컴퓨터 또는 웨어러블 디바이스와 같은 전자 디바이스에 포함될 수 있다. 슬립 상태에 있는 동안 전자 디바이스가 그의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지하되 어웨이크 상태에 있는 동안보다 터치 감지로 인한 전력 소비를 적게 하면서 전자 디바이스가 소정 터치 입력들에 응답하도록 허용하는 방식으로 하는 것이 유리할 수 있다. 예를 들어, 슬립 상태 동안 터치를 감지하는 것은 전자 디바이스로 하여금 슬립 상태에 있는 동안 그의 터치 스크린 상의 소정 터치 입력(예컨대, 탭 또는 다른 터치 입력)을 검출하는 것에 응답하여 웨이크할 수 있게 한다(예컨대, 슬립 상태로부터 어웨이크 상태로 전이). 본 개시의 실시예들은 전자 디바이스가 슬립 상태 동안 터치를 감지하는 다양한 방법들을 제공한다.
도 1a 내지 도 1d는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 스크린이 구현될 수 있는 예시적인 시스템들을 도시한다. 도 1a는 터치 스크린(124)을 포함하는 예시적인 모바일 전화기(136)를 도시한다. 도 1b는 터치 스크린(126)을 포함하는 예시적인 디지털 미디어 재생기(140)를 도시한다. 도 1c는 터치스크린(128)을 포함하는 예시적인 개인용 컴퓨터(144)를 도시한다. 도 1d는 터치 스크린(130)을 포함하는 예시적인 태블릿 컴퓨터(148)를 도시한다. 위의 터치 스크린들은 웨어러블 디바이스들을 포함하여 다른 디바이스들에서도 구현될 수 있는 것으로 이해된다.
일부 실시예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128 및 130)은 자기-정전용량에 기초할 수 있다. 자기-정전용량 기반 터치 시스템은 (도 2의 터치 스크린(220)을 참조하여 아래에 설명되는 바와 같은) 터치 노드 전극들로 지칭될 수 있는 전도성 물질의 작은 개별적인 플레이트들의 매트릭스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린은 복수의 개별적인 터치 노드 전극들을 포함할 수 있으며, 각각의 터치 노드 전극은 터치 또는 근접(즉, 터치 또는 근접 이벤트)이 감지될 터치 스크린 상의 고유한 위치를 식별하거나 나타내고, 각각의 터치 노드 전극은 터치 스크린/패널 내의 다른 터치 노드 전극들로부터 전기적으로 절연되어 있다. 이러한 터치 스크린은 픽셀형 자기-정전용량 터치 스크린으로 지칭될 수 있지만, 일부 실시예들에서 터치 스크린 상의 터치 노드 전극들은 터치 스크린 상의 자기-정전용량 스캔 이외의 스캔을 수행하는 데 사용될 수 있는 것으로 이해된다(예컨대, 상호-정전용량 스캔). 동작 동안, 터치 노드 전극은 AC 파형으로 자극될 수 있고, 터치 노드 전극의 접지에 대한 자기-정전용량이 측정될 수 있다. 물체가 터치 노드 전극에 접근하면, 터치 노드 전극의 접지에 대한 자기-정전용량은 변화할 수 있다. 터치 노드 전극의 자기-정전용량에서의 이러한 변화는, 다수의 물체들이 터치 스크린을 터치하거나 그에 근접하는 경우에, 다수의 물체들의 위치들을 결정하기 위해 터치 감지 시스템에 의해 검출 및 측정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 자기-정전용량 기반 터치 시스템의 전극들은 전도성 재료의 행들 및 열들로 형성될 수 있으며, 위에서와 유사하게, 행들 및 열들의 접지에 대한 자기-정전용량에서의 변화들이 검출될 수 있다. 일부 실시예들에서, 터치 스크린은 멀티-터치, 단일 터치, 프로젝션 스캔, 풀-이미징(full-imaging) 멀티-터치, 정전용량성 터치 등일 수 있다.
일부 실시예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128 및 130)은 상호-정전용량에 기초할 수 있다. 상호-정전용량 기반 터치 시스템은 상이한 층들에서 서로 교차할 수 있거나 동일한 층에서 서로 인접할 수 있는 구동 및 감지 라인들을 포함할 수 있다. 교차하거나 인접하는 위치들은 터치 노드들로 지칭될 수 있다. 동작 동안, 구동 라인은 AC 파형으로 자극될 수 있고, 터치 노드의 상호-정전용량이 측정될 수 있다. 물체가 터치 노드에 접근하면 터치 노드의 상호-정전용량이 변경될 수 있다. 터치 노드의 자기-정전용량에서의 이러한 변화는, 다수의 물체들이 터치 스크린을 터치하거나 그에 근접하는 경우에, 다수의 물체들의 위치들을 결정하기 위해 터치 감지 시스템에 의해 검출 및 측정될 수 있다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 자기-정전용량 터치 스크린(220)의 하나의 구현예를 도시하는 예시적인 컴퓨팅 시스템(200)의 블록도이다. 컴퓨팅 시스템(200)은 그 대신 유사하게 상호-정전용량 터치 스크린을 포함할 수 있는 것으로 이해된다. 컴퓨팅 시스템(200)은 예를 들어, 모바일 전화기(136), 디지털 미디어 재생기(140), 개인용 컴퓨터(144), 태블릿 컴퓨터(148), 또는 터치 스크린을 포함하는 임의의 모바일 또는 비-모바일 컴퓨팅 디바이스(웨어러블 디바이스 포함)에 포함될 수 있다. 컴퓨팅 시스템(200)은 하나 이상의 터치 프로세서들(202), 주변장치들(204), 터치 제어기(206), 및 터치 감지 회로(아래에서 더 상세히 설명됨)를 포함하는 터치 감지 시스템을 포함할 수 있다. 주변장치들(204)은 랜덤 액세스 메모리(RAM) 또는 다른 유형들의 메모리 또는 저장장치, 감시 타이머(watchdog timer) 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 터치 제어기(206)는 하나 이상의 감지 채널들(208) 및 채널 스캔 로직(210)을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 채널 스캔 로직(210)은 RAM(212)에 액세스하고, 감지 채널들(208)로부터 데이터를 독자적으로 판독하고 감지 채널들에 제어를 제공할 수 있다. 또한, 채널 스캔 로직(210)은 아래에 더 상세히 설명된 바와 같이, 터치 스크린(220)의 터치 노드들에 선택적으로 인가될 수 있는 다양한 주파수들 및 위상들로 자극 신호들을 생성하도록 감지 채널들(208)을 제어할 수 있다. 일부 실시예들에서, 터치 제어기(206), 터치 프로세서(202) 및 주변장치들(204)은 단일 응용 주문형 집적 회로(ASIC) 내에 통합될 수 있고, 일부 실시예들에서, 그 자체가 터치 스크린(220)과 통합될 수 있다.
터치 스크린(220)은 복수의 전기적으로 절연된 터치 노드 전극들(222)을 갖는 정전용량성 감지 매체를 포함할 수 있는 터치 감지 회로를 포함할 수 있다(예컨대, 픽셀형 자기-정전용량 터치 스크린). 터치 노드 전극들(222)은 전술한 바와 같이, 터치 제어기(206)의 감지 채널들에 결합될 수 있고, 구동/감지 인터페이스(225)를 통한 감지 채널들로부터의 자극 신호들에 의해 구동될 수 있고, 또한 구동/감지 인터페이스를 통한 감지 채널들에 의해 감지될 수 있다. 터치를 검출하는 데 사용되는 전도성 플레이트들(즉, 터치 노드 전극들(222))을 "터치 노드" 전극들로서 라벨링하는 것은, 터치 스크린(220)이 터치의 "이미지"(예컨대, "터치 이미지")를 캡처하는 것으로서 보여지는 경우에 특히 유용할 수 있다. 달리 말하면, 터치 제어기(206)가 터치 스크린(220)에서의 각각의 터치 노드 전극(222)에서 검출되는 터치의 양을 결정한 후에, 터치가 발생한 터치 스크린에서의 터치 노드 전극들의 패턴은 터치 이미지(예컨대, 터치 스크린을 터치하는 손가락들의 패턴)로서 간주될 수 있다.
컴퓨팅 시스템(200)은 또한 터치 프로세서(202)로부터 출력들을 수신하고, 출력들에 기초하여 작동들을 수행하기 위한 호스트 프로세서(228)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 호스트 프로세서(228)는 프로그램 저장장치(232), 및 LCD 드라이버(234)와 같은 디스플레이 제어기에 연결될 수 있다. LCD 드라이버(234)는 선택(예컨대, 게이트) 라인들 상에서 전압들을 각각의 픽셀 트랜지스터로 제공할 수 있고, 이하에서 더 상세히 설명되는 바와 같이 픽셀 디스플레이 이미지를 제어하기 위해 이 동일한 트랜지스터들로 데이터 라인들을 따라 데이터 신호들을 제공할 수 있다. 호스트 프로세서(228)는 터치 스크린(220) 상에 사용자 인터페이스(UI)의 디스플레이 이미지와 같은 디스플레이 이미지를 생성하기 위해 LCD 드라이버(234)를 사용할 수 있고, 터치 스크린(220) 상에서 또는 그 가까이에서 터치를 검출하기 위해 터치 프로세서(202) 및 터치 제어기(206)를 사용할 수 있다. 터치 입력은 커서 또는 포인터와 같은 물체를 움직이는 것, 스크롤링 또는 패닝(panning)하는 것, 제어 설정들을 조정하는 것, 파일 또는 문서를 여는 것, 메뉴를 보는 것, 선택을 하는 것, 명령어들을 실행하는 것, 호스트 디바이스에 연결된 주변 디바이스를 동작시키는 것, 전화 통화를 받는 것, 전화 통화를 거는 것, 전화 통화를 종료하는 것, 볼륨 또는 오디오 설정들을 변경하는 것, 주소들, 자주 다이얼링되는 번호들, 수신된 통화들, 부재중 통화들과 같은 전화 통신들과 관련된 정보를 저장하는 것, 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크에 로그인하는 것, 허가된 개인들에게 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크의 제한된 영역들에의 액세스를 허용하는 것, 컴퓨터 데스크톱의 사용자의 선호하는 배열과 연관된 사용자 프로파일을 로딩하는 것, 웹 콘텐츠에의 액세스를 허용하는 것, 특정 프로그램을 론칭(launching)하는 것, 메시지를 암호화하거나 디코딩하는 것 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는 작업들을 수행하기 위해 프로그램 저장장치(232)에 저장된 컴퓨터 프로그램들에 의해 사용될 수 있다. 호스트 프로세서(228)는 또한 터치 프로세싱에 관련되지 않을 수도 있는 부가적인 기능들을 수행할 수 있다.
예를 들어, 스위치들의 구성을 포함하는 본 명세서에서 설명된 하나 이상의 기능들은 메모리(예컨대, 도 2의 주변장치들(204) 중 하나)에 저장되고 터치 프로세서(202)에 의해 실행되거나, 또는 프로그램 저장장치(232)에 저장되고 호스트 프로세서(228)에 의해 실행되는 펌웨어에 의해 수행될 수 있음을 유의한다. 펌웨어는 또한 명령어 실행 시스템, 장치 또는 디바이스로부터 명령어들을 페치하여 명령어들을 실행할 수 있는 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 포함 시스템, 또는 다른 시스템과 같은, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 임의의 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 내에서 저장 및/또는 전송될 수 있다. 본 명세서와 관련하여, "비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체"는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 프로그램을 포함하거나 저장할 수 있는 (신호를 제외한) 임의의 매체일 수 있다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 전자, 자기, 광학, 전자기, 적외선, 또는 반도체 시스템, 장치 또는 디바이스, 휴대용 컴퓨터 디스켓(자기), 랜덤 액세스 메모리(RAM)(자기), 판독 전용 메모리(ROM)(자기), 소거가능 프로그래머블 판독 전용 메모리(EPROM)(자기), CD, CD-R, CD-RW, DVD, DVD-R, 또는 DVD-RW와 같은 휴대용 광학 디스크, 또는 콤팩트 플래시 카드, 보안 디지털 카드, USB 메모리 디바이스, 메모리 스틱과 같은 플래시 메모리 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
펌웨어는 또한 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스로부터 명령어들을 페치하고 명령어들을 실행할 수 있는, 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 포함 시스템, 또는 다른 시스템과 같은, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 연결하여 사용하기 위한 임의의 전송 매체 내에서 전파될 수 있다. 본 문헌의 맥락에서, "전송 매체"는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해, 또는 그와 연결하여 이용하기 위한 프로그램을 전달, 전파, 또는 전송할 수 있는 임의의 매체일 수 있다. 전송 매체는 전자, 자기, 광학, 전자기, 또는 적외선형 유선 또는 무선 전파 매체를 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 3a은 본 개시의 실시예들에 따른 자기-정전용량 터치 노드 전극(302) 및 감지 회로(314)에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로(300)를 도시한다. 터치 노드 전극(302)은 터치 노드 전극(222)에 대응할 수 있다 터치 노드 전극(302)은 그와 연관된 접지에 대한 고유한 자기-정전용량을 가질 수 있고, 또한 손가락(305)과 같은 물체가 전극에 근접해 있거나 터치하는 경우에 형성되는 접지에 대한 부가적인 자기-정전용량을 가질 수 있다. 터치 노드 전극(302)의 접지에 대한 총 자기-정전용량은 정전용량(304)으로 도시될 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 감지 회로(314)에 결합될 수 있다. 감지 회로(314)는 연산 증폭기(308), 피드백 저항기(312) 및 피드백 커패시터(310)를 포함할 수 있지만, 다른 구성들이 채용될 수 있다. 예를 들어, 피드백 저항기(312)는 가변 피드백 저항기에 의해 야기될 수 있는 기생 정전용량 효과를 최소화하기 위해 스위칭된 커패시터 저항기(switched capacitor resistor)에 의해 대체될 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 연산 증폭기(308)의 반전 입력(-)에 결합될 수 있다. AC 전압원(306)(Vac)이 연산 증폭기(308)의 비-반전 입력(+)에 결합될 수 있다. 터치 센서 회로(300)는 터치 센서 패널을 터치하거나 그에 근접한 손가락 또는 물체에 의해 유도된 터치 노드 전극(302)의 총 자기-정전용량(304)에서의 변화들을 감지하도록 구성될 수 있다. 출력(320)은 근접 또는 터치 이벤트의 존재를 결정하기 위해 프로세서에 의해 사용될 수 있거나, 또는 출력은 근접 또는 터치 이벤트의 존재를 결정하기 위해 별개의 로직 네트워크 내에 입력될 수 있다.
도 3b는 본 개시의 실시예들에 따른 상호-정전용량 구동(322) 및 감지(326) 라인들 및 감지 회로(314)에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로(350)를 도시한다. 구동 라인(322)은 자극 신호(306)(예컨대, AC 전압 신호)에 의해 자극될 수 있다. 자극 신호(306)는 구동 라인(322)과 감지 라인 사이의 상호-정전용량(324)을 통해 감지 라인(326)에 정전용량적으로 결합될 수 있다. 손가락 또는 물체(305)가 구동 라인(322)과 감지 라인(326)의 상호교차에 의해 생성되는 터치 노드에 접근하면, 상호-정전용량(324)이 변경될 수 있다. 상호-정전용량(324)의 이러한 변화는 이전에 그리고 아래에 설명되는 바와 같이, 터치 노드에서의 터치 또는 근접 이벤트를 나타내기 위해 검출될 수 있다. 감지 라인(326) 상에 결합되는 감지 신호는 감지 회로(314)에 의해 수신될 수 있다. 감지 회로(314)는 연산 증폭기(308) 및 피드백 저항기(312)와 피드백 커패시터(310) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도 3b는 저항성 및 정전용량성 피드백 요소들 모두가 활용되는 일반적인 경우를 도시한다. 감지 신호(Vin으로 지칭됨)는 연산 증폭기(308)의 반전 입력 내에 입력될 수 있고, 연산 증폭기의 비 반전 입력은 기준 전압(Vref)에 결합될 수 있다. 연산 증폭기(308)는 그의 출력을 전압(Vo)으로 구동하여 Vin을 Vref와 실질적으로 동일하게 유지할 수 있고, 따라서 Vin을 일정하게 유지하거나 사실상 접지된 것으로 유지할 수 있다. 당업자라면 이 문맥에서 동일하다는 것이 최대 15%의 편차를 포함할 수 있음을 이해할 것이다. 따라서, 감지 회로(314)의 이득은 대부분, 저항기(312) 및/또는 커패시터(310)로 구성되는 상호-정전용량(324)과 피드백 임피던스 비율의 함수일 수 있다. 감지 회로(314)의 출력(Vo)은 곱셈기(328) 내에 공급됨으로써 필터링되고 헤테로다인(heterodyne) 또는 호모다인(homodyne)될 수 있으며, Vo는 Vdetect를 생성하기 위해 국부 발진기(330)와 곱해질 수 있다. Vdetect는 필터(332) 내에 입력될 수 있다. 당업자는 필터(332)의 배치가 변경될 수 있다는 것을 인식할 것이다; 따라서, 필터는 도시된 바와 같이 곱셈기(328) 뒤에 배치될 수 있거나, 또는 2개의 필터들이 채용될 수 있고 하나는 곱셈기 앞에 다른 하나는 곱셈기 뒤에 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 필터가 전혀 없을 수 있다. Vdetect의 직류(DC) 부분은 터치 또는 근접 이벤트가 발생했는지 결정하는 데 사용될 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 일부 실시예들에서, 터치 스크린(220)은 터치 감지 시스템의 터치 감지 회로 요소들이 디스플레이의 디스플레이 픽셀 스택업들 내에 통합될 수 있는 통합형 터치 스크린일 수 있다. 터치 스크린(220)의 회로 요소들은 예를 들어, 하나 이상의 픽셀 트랜지스터들(예컨대, 박막 트랜지스터들(TFTs), 게이트 라인들, 데이터 라인들, 픽셀 전극들 및 공통 전극들과 같은, LCD 또는 다른 디스플레이들(예컨대, 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이들, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 디스플레이들, 전자발광 디스플레이들(ELD), 발광 다이오드(LED) 디스플레이들 등)에 존재할 수 있는 요소들을 포함할 수 있다. 주어진 디스플레이 픽셀에서, 픽셀 전극과 공통 전극 사이의 전압은 디스플레이 픽셀의 휘도(luminance)를 제어할 수 있다. 픽셀 전극상의 전압은 픽셀 트랜지스터를 통해 데이터 라인에 의해 공급될 수 있으며, 이는 게이트 라인에 의해 제어될 수 있다. 회로 요소들은 전체 커패시터, 전체 트랜지스터 등과 같은 전체 회로 컴포넌트들에 제한되지 않으며, 평행 플레이트 커패시터의 두 플레이트들 중 단지 하나와 같이 회로의 부분들을 포함할 수 있다는 것에 유의한다.
도 4는 공통 전극들(402)이 터치 감지 시스템의 터치 감지 회로의 부분들을 형성할 수 있는 예시적인 구성을 도시하며 - 이러한 개시의 일부 실시예들에서, 전술한 바와 같이, 공통 전극들은 터치 스크린(400) 상의 터치 이미지를 검출하는 데 사용되는 터치 노드 전극들을 형성할 수 있다. 각각의 공통 전극(402)은 복수의 디스플레이 픽셀들(401)을 포함할 수 있고, 각각의 디스플레이 픽셀(401)은 공통 전극(402)의 일부분을 포함할 수 있으며, 이는 일부 유형의 LCD들 또는 다른 디스플레이들(예컨대, 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이들, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 디스플레이들, 전자발광 디스플레이들(ELD), 발광 다이오드(LED) 디스플레이들 등)의 디스플레이 픽셀들의 디스플레이 픽셀 스택업(즉, 디스플레이 픽셀들을 구성하는 적층 물질 층들)에서의 디스플레이 시스템 회로의 회로 요소일 수 있으며 - 달리 말하면, 공통 전극들은 터치 스크린(400) 상에 디스플레이 이미지를 디스플레이하기 위해 디스플레이 시스템의 일부로서 동작할 수 있다. 도 4는 픽셀형 터치 스크린(400)(예컨대, 픽셀형 자기-정전용량 터치 스크린)을 도시하지만, 상호-정전용량 터치 스크린의 구동 및/또는 감지 전극들이 터치 스크린(400)의 공통 전극들(402)과 유사한 방식으로 통합된 터치 스크린의 공통 전극들로서 기능할 수 있는 것으로 이해된다.
도 4에 도시된 예에서, 각각의 공통 전극(402)은 터치 스크린(400)의 디스플레이 시스템의 디스플레이 회로로서 동작할 수 있고 터치 감지 시스템의 터치 감지 회로로서 또한 동작할 수 있는 다기능 회로 요소의 역할을 할 수 있다. 특히, 각각의 공통 전극(402)은 전술한 바와 같이(예컨대, 디스플레이 단계 동안) 터치 스크린(400)의 디스플레이 회로의 공통 전극으로서 동작할 수 있고, 또한 터치 스크린(예컨대, 터치 감지 단계 동안)의 터치 감지 회로의 터치 노드 전극으로서 동작할 수 있다. 터치 스크린(400)의 다른 회로 요소들 또한 터치 감지 회로의 일부를 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 일부 실시예들에서, 터치 감지 단계 동안, 게이트 라인은 공통 전극(402)에 포함되는 디스플레이 픽셀들의 TFT들을 "오프" 상태로 유지하기 위해 전압을 인가할 수 있는 전하 펌프와 같은 전원에 연결될 수 있다. 자극 신호들은 공통 전극(402)에 인가될 수 있다. 공통 전극(402)의 총 자기-정전용량의 변화들은 이전에 논의된 바와 같이, 하나 이상의 연산 증폭기들을 통해 감지될 수 있다. 공통 전극(402)의 총 자기-정전용량의 변화들은 공통 전극에 대한 손가락(305)과 같은 물체의 근접에 의존할 수 있다. 이러한 방식으로, 공통 전극(402)의 총 자기-정전용량의 측정된 변화들은 터치 스크린 상에 또는 그 가까이에 터치의 표시를 제공할 수 있다. 상호-정전용량 터치 스크린은 공통 전극들이 상호-정전용량 터치 스크린의 터치 감지 회로의 부분들을 형성할 수 있는 유사한 방식으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 공통 전극들은 전술한 바와 같이, 터치 스크린 상의 터치 이미지를 검출하는 데 사용되는 구동 또는 감지 라인들을 형성할 수 있다.
일반적으로, 터치 감지 회로 요소들 각각은, 터치 감지 회로의 일부를 형성할 수 있고 디스플레이 회로의 일부를 형성하는 것과 같은 하나 이상의 다른 기능들을 수행할 수 있는 다기능 회로 요소, 또는 터치 감지 회로로만 동작할 수 있는 단일-기능 회로 요소 중에 어느 하나일 수 있다. 유사하게, 디스플레이 회로 요소들 각각은 디스플레이 회로로서 동작할 수 있고 터치 감지 회로로서 동작하는 것과 같은 하나 이상의 다른 기능들을 수행할 수 있는 다기능 회로 요소, 또는 디스플레이 회로로만 동작할 수 있는 단일-기능 회로 요소 중에 어느 하나일 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 디스플레이 픽셀 스택업들 내의 회로 요소들 중 일부는 다기능 회로 요소들일 수 있고, 다른 회로 요소들은 단일-기능 회로 요소들일 수 있다. 다른 실시예들에서, 디스플레이 픽셀 스택업들의 모든 회로 요소들은 단일-기능 회로 요소들일 수 있다.
또한, 본 명세서의 실시예들이 디스플레이 회로를 디스플레이 단계 동안 동작하는 것으로 설명하고, 터치 감지 회로가 터치 감지 단계 동안 동작하는 것으로 설명할 수 있으나, 디스플레이 단계 및 터치 감지 단계는 동일한 시간 - 예컨대, 부분적으로 또는 완전히 중첩됨 - 에 동작될 수 있거나, 또는 디스플레이 단계 및 터치 감지 단계는 상이한 시간들에서 동작될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 명세서의 실시예들이, 소정 회로 요소들을 다기능인 것으로서 그리고 다른 회로 요소들을 단일-기능인 것으로서 설명하지만, 회로 요소들은 다른 실시예들에서 특정 기능에 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 달리 말하면, 본 명세서의 일 실시예에서 단일-기능 회로 요소로서 설명되는 회로 요소는 다른 실시예들에서 다기능 회로 요소로서 구성될 수 있거나, 그 반대일 수 있다.
도 4의 공통 전극들(402)(즉, 터치 노드 전극들) 및 디스플레이 픽셀들(401)은 터치 스크린(400) 상에 직사각형 또는 정사각형 영역들로서 도시된다. 그러나, 공통 전극들(402) 및 디스플레이 픽셀들(401)은 도시된 형상들, 배향들 및 위치들에 제한되지 않으며, 본 개시의 실시예들에 따른 임의의 적절한 구성들을 포함할 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 본 개시의 실시예들은 터치 스크린과 관련하여 제공될 것이지만, 본 개시의 실시예들은 터치 센서 패널과 관련하여 유사하게 구현될 수 있는 것으로 이해된다.
전술한 바와 같이, 일부 실시예들에서, 본 개시의 터치 스크린은 상호-정전용량 터치 스크린일 수 있다. 도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 상호-정전용량 터치 스크린(500) 구성을 도시한다. 터치 스크린(500)은 행 전극들(522) 및 행 전극들(522)과 상호교차하는 열 전극들(526)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 행 전극들(522)은 상호-정전용량 터치 스크린(500)의 구동 전극들(예컨대, 도 3b의 구동 라인들(322)에 대응)일 수 있고, 열 전극들(526)은 상호-정전용량 터치 스크린의 감지 전극들(500)(예컨대, 도 3b의 감지 라인들(326)에 대응)일 수 있으며 - 따라서, 행 전극들(522)은 구동 전극들로 지칭될 수 있고, 열 전극들(526)은 감지 전극들로 지칭될 수 있다. 구동 전극들(522)과 감지 전극들(526)의 상호교차들은 터치 노드들(502)을 형성할 수 있으며, 이들은 터치 스크린(500)에서의 "터치 이미지"를 캡처하기 위해 터치의 양이 감지될 수 있는, 터치 스크린(500) 상의 위치를 각각 나타낼 수 있다. 일부 실시예들에서, 본 개시의 앞에서 설명된 바와 같이, 구동 전극들(522)은 대응하는 구동 회로(506)("전송 채널들"이라고도 지칭되며, 도 3b의 자극 신호(306)에 대응함)에 의해 구동될 수 있고, 감지 전극들(526)은 대응하는 감지 회로(514)("수신 채널"이라고도 지칭되며, 도 3b의 감지 회로(314)에 대응함)에 의해 감지되어 터치 스크린에서의 "터치 이미지"를 캡처할 수 있다. 일부 실시예들에서, 구동 회로(506)는 연산 증폭기와 같은 자극 신호(예컨대, AC 전압)를 이용하여 구동 전극들(522)을 구동하기 위한 임의의 적절한 회로를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 본 개시의 터치 스크린들은 모바일 폰, 태블릿 컴퓨터 또는 웨어러블 디바이스와 같은 전자 디바이스에 포함될 수 있다. 전자 디바이스가 어웨이크 상태(예컨대, 그의 디스플레이 및/또는 다른 컴포넌트들이 턴온되는 상태)에 있는 경우에, 전자 디바이스는 전술한 방식들로 그의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지할 수 있다. 전자 디바이스가 슬립 상태(예컨대, 그의 디스플레이 및/또는 다른 컴포넌트들이 턴오프되는 저전력 상태)에 있는 경우에, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 그의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지하지 않을 수 있으며; 예를 들어, 전자 디바이스는 전력을 절약하기 위해 슬립 상태에 있는 동안 그의 구동 및/또는 감지 회로를 턴오프할 수 있다(예컨대, 도 3a 및 도 3b에 설명된 바와 같음). 그러나, 일부 실시예들에서, 슬립 상태에 있는 동안 전자 디바이스가 그의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지하되 어웨이크 상태에 있는 동안보다 터치 감지로 인한 전력 소비를 적게 하면서 전자 디바이스가 소정 터치 입력들에 응답하도록 허용하는 방식으로 하는 것이 유리할 수 있다. 예를 들어, 슬립 상태 동안 터치를 감지하는 것은 전자 디바이스로 하여금 슬립 상태에 있는 동안 그의 터치 스크린 상의 소정 터치 입력(예컨대, 탭 또는 다른 터치 입력)을 검출하는 것에 응답하여 웨이크할 수 있게 한다(예컨대, 슬립 상태로부터 어웨이크 상태로 전이). 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 슬립 상태 동안 소정 터치 입력들(예컨대, 탭)을 검출하는 것에만 응답하여 웨이크할 수 있으며, 슬립 상태 동안 다른 터치 입력들(예컨대, 스와이프 또는 긴 누르기)을 검출하는 것에 응답하여 웨이크하지 않을 수 있다. 본 개시의 실시예들은 전자 디바이스가 슬립 상태 동안 터치를 감지하는 다양한 방법들을 제공한다. 본 개시의 실시예들은 터치 스크린과 관련하여 제공될 것이지만, 본 개시의 실시예들은 터치 센서 패널과 관련하여 유사하게 구현될 수 있는 것으로 이해됨을 유의해야 한다.
본 개시의 실시예들이 전자 디바이스의 "슬립 상태"또는 "어웨이크 상태"동안 발생하는 것으로 설명되었지만, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 3개 이상의 동작 상태를 가질 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스는 활성 상태 및 복수의 저전력 상태들을 가질 수 있으며, 각각은 전자 디바이스에 대한 상이한 동작 방식에 대응하며 이를 정의한다. 활성 상태에서, 전자 디바이스의 디스플레이(예컨대, 전자 디바이스의 터치 스크린의 디스플레이 컴포넌트)는 활성화될 수 있고(예컨대, 하나 이상의 이미지를 디스플레이함), 전자 디바이스의 터치 스크린 상의 터치를 감지하는 것과 연관되는 프로세싱 회로는 주어진 준비된 상태에서 동작될 수 있다(예컨대, 터치 제어기(206) 및/또는 터치 프로세서(202)는 최대 전력 동작 상에서 전원이 인가될 수 있음). 일부 실시예들에서, 이러한 활성 상태는 본 개시에서 설명된 "어웨이크 상태"에 대응할 수 있다.
전자 디바이스의 제1 저전력 상태(또는 복수의 제1 저전력 상태들) 동안, 전자 디바이스의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지하는 것과 연관되는 프로세싱 회로 중 일부는 디스에이블되거나 감소된 액티비티/감소된 전력 상태에 있을 수 있는 한편(예컨대, 터치 제어기(206) 및/또는 터치 프로세서(202)는 디스에이블되거나 감소된 전력 동작에 있을 수 있음), 전자 디바이스의 디스플레이(예컨대, 전자 디바이스의 터치 스크린의 디스플레이 컴포넌트)는 활성 상태로 유지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 터치의 제1 임계량보다 적은 터치 스크린 상에서의 터치의 양을 제1 임계 시간보다 길게 검출하는 것에 응답하여 활성 상태로부터 제1 저전력 상태로 전이할 수 있다.
전자 디바이스의 제2 저전력 상태(또는 복수의 제2 저전력 상태들) 동안, 전자 디바이스의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지하는 것과 연관되는 프로세싱 회로 중 일부는 디스에이블되거나 감소된 액티비티/감소된 전력 상태에 있을 수 있고(예컨대, 터치 제어기(206) 및/또는 터치 프로세서(202)는 디스에이블되거나 감소된 전력 동작에 있을 수 있음), 전자 디바이스의 일부 부가적인 하드웨어는 부가적으로 디스에이블되거나 감소된 액티비티/감소된 전력 상태에 있을 수 있다(예컨대, 이 부가적인 하드웨어는 제1 저전력 상태 동안 인에이블되었거나, 정상적 액티비티/정상적 전원 상태에 있었을 수 있음). 제2 저전력 상태에서, 전자 디바이스의 디스플레이(예컨대, 전자 디바이스의 터치 스크린의 디스플레이 컴포넌트)는 디스에이블될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 터치의 제2 임계량보다 적은 터치 스크린 상에서의 터치의 양을 제2 임계 시간보다 길게 검출하는 것에 응답하여 제1 저전력 상태로부터 제2 저전력 상태로 전이할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 전자 디바이스는 시스템으로부터 또는 전자 디바이스의 사용자로부터 수신된 명령에 응답하여 (예컨대, 제1 저전력 상태 또는 활성 상태로부터) 제2 저전력 상태로 진입할 수 있다. 예를 들어, 사용자는 전자 디바이스 상의 특정 버튼을 누르거나, 전자 디바이스의 터치 스크린을 그들의 손으로 완전히 덮어 전자 디바이스를 제2 저전력 상태로 전이시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 이러한 제2 저전력 상태는 본 개시에서 설명된 "슬립 상태"에 대응할 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 제2 저전력 상태는 전자 디바이스의 소정 하드웨어 컴포넌트들이 동작 중인지 여부에 따라 복수의 서브-상태들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스가 스피커들을 통해 오디오를 재생하는 경우, 전자 디바이스는 제2 저전력 상태의 제1 서브-상태에 있을 수 있고, 전자 디바이스가 스피커들보다는 헤드폰/헤드폰 잭을 통해 오디오를 재생하는 경우 전자 디바이스는 제2 저전력 상태의 제2 서브-상태에 있을 수 있다. 전자 디바이스가 현재 동작중인 상태/서브-상태(예컨대, 활성 상태, 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 및/또는 제2 저전력 상태의 서브-상태)는 본 개시에서 설명될 바와 같이, 전자 디바이스에 의해 수행되는 터치 스캔의 다양한 양태에 영향을 줄 수 있다. 또한, 본 명세서에서 "슬립 상태" 동안 발생하는 것으로서 설명되는 본 개시의 실시예들 중 임의의 실시예는 전술한 하나 이상의 저전력 상태들(예컨대, 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태, 제2 저전력 상태의 특정 서브-상태들 등) 동안 발생할 수 있고, 본 명세서에서 "어웨이크 상태" 동안 발생하는 것으로서 설명되는 본 개시의 실시예들 중 임의의 실시에는 전술한 활성 상태 동안 발생할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 개시의 실시예들에 따른 전자 디바이스에서의 예시적인 터치 감지 액티비티를 도시한다. 도 6a에서, 슬립 상태(602) 동안, 전자 디바이스는 전술한 바와 같이 그의 터치 스크린에서의 임의의 터치 감지를 수행하지 않을 수 있다. 전자 디바이스가 어웨이크 상태(604)로 전이하는 경우에(예컨대, 전자 디바이스의 터치 스크린 상에서의 터치 입력을 제외한, 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 전자 디바이스에서의 일부 입력에 대응하는 전이(606)에서), 전자 디바이스는 터치 프레임들(TA)(608) 동안 그의 터치 스크린에서의 터치 감지를 수행할 수 있다. 터치 프레임들(TA)(608)은 전자 디바이스가, 전자 디바이스의 터치 스크린 상의 구동 전극들을 구동하는 것 및/또는 감지 전극들을 감지하는 것과 같은 하나 이상의 터치 감지 관련 기능들을 수행할 수 있는 기간에 대응할 수 있다.
도 6b에서, 전자 디바이스는 도 6a를 참조하여 설명한 바와 같이, 어웨이크 상태(604) 동안 그의 터치 스크린에서의 터치 감지를 수행할 수 있다. 그러나, 슬립 상태(602) 동안, 도 6a에서와 같이 터치 감지를 수행하지 않는 대신에, 전자 디바이스는 터치 프레임들(TS)(610) 동안 그의 터치 스크린에서의 터치 감지를 수행할 수 있다. 터치 프레임들(TS)(610)은 터치 프레임들(TA)(608)과 동일하거나 상이할 수 있다(예컨대, 전자 디바이스가 터치 프레임들(TS)(610) 동안 수행하는 터치 감지 관련 기능들은 전자 디바이스가 터치 프레임들(TA)(608) 동안 수행하는 터치 감지 관련 기능들과 동일하거나 상이할 수 있음). 도 6b의 전자 디바이스는 슬립 상태(602) 동안 터치 감지를 수행할 수 있기 때문에, 전자 디바이스는 슬립 상태(602) 동안 그의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지할 수 있고, 전이(606)는 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 전자 디바이스의 터치 스크린 상에서의 터치 입력(예컨대, 탭)에 대응할 수 있다. 본 개시는 터치 프레임들(TS)(610)의 다양한 예시적인 상세사항들 및/또는 어떻게 이들이 이하의 터치 프레임들(TA)(608)과 비교되어질 수 있는지를 제공한다. 본 개시의 실시예들은 터치 스크린과 관련하여 제공되었지만, 본 개시의 실시예들은 터치 센서 패널과 관련하여 유사하게 구현될 수 있는 것으로 이해됨을 유의해야 한다. 또한, 전술한 바와 같이, 전자 디바이스가 활성 상태 및 복수의 저전력 상태들을 갖는 상황들에서, 어웨이크 상태(604)는 전자 디바이스의 활성 상태에 대응할 수 있고, 슬립 상태(602)는 전자 디바이스의 제1 저전력 상태 또는 제2 저전력 상태에 대응할 수 있다.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른, 슬립 상태에 있는 전자 디바이스의 예시적인 터치 프레임(TS)(710)을 도시한다. 터치 프레임(TS)(710)은 도 6b의 터치 프레임들(TS)(610)에 대응할 수 있고, 복수의 서브 프레임들을 포함할 수 있다. 구체적으로, 터치 프레임(TS)(710)은 초기화 프레임(Tinit)(712)을 포함할 수 있으며, 초기화 프레임 동안 터치 스크린의 다양한 터치-관련 회로가 초기화되어 터치 스캔을 위해 준비될 수 있다. 예를 들어, 터치 프로세서 및/또는 제어기(예컨대, 도 2의 202 및 206), 구동 회로(예컨대, 도 3b의 306) 및/또는 감지 회로(예컨대, 도 3a 및 도 3b의 314)는 Tinit(712) 동안 초기화될 수 있다.
터치 프레임(TS)(710)은 또한 터치 측정 프레임(Tburst)(714)를 포함할 수 있으며, 터치 측정 프레임 동안 터치 스크린 상에서의 터치가 감지될 수 있다. 일부 실시예들에서, Tburst (714)는 Tinit(712) 직후에 이어질 수 있지만, 다른 구성들도 가능하다. Tburst(714) 동안, 전자 디바이스는 터치 데이터를 수집하기 위해 그의 터치 스크린의 활성 하드웨어 기반 스캔을 수행할 수 있다. 일부 실시예들에서, Tburst(714)는 다수의 스캔 스텝들을 포함할 수 있다. 예를 들어, Tburst(714)는 스펙트럼 분석 스캔 스텝(SPA)(720)을 포함할 수 있으며, SPA 동안 전자 디바이스는 터치 감지가 노이즈에 의해 가장 영향을 받지 않을 수 있는 하나 이상의 주파수들을 결정하기 위해, 상이한 주파수들을 갖는 상이한 터치 감지 신호들을 이용하여 그의 터치 스크린을 스캔할 수 있다. SPA(720)의 결과들에 기초하여, 전자 디바이스는 스캔 스텝들 (SS1(722A), SS2(722B), SS(N-1)(722(N-1)) 및 SSN(722N))(총괄하여 스캔 스텝들(722)로 지칭됨) 동안 그의 터치 스크린에서의 터치를 스캔할 수 있다. 스캔 스텝들(722) 동안, 전자 디바이스는 SPA(720) 동안 저-노이즈 주파수들로서 식별했던 하나 이상의 주파수들을 사용하여 터치에 대해 그의 터치 스크린을 스캔할 수 있다. 예를 들어, SS1(722A) 동안, 전자 디바이스는 도 5의 구동 회로(506)를 사용하여 자극 신호들의 제1 세트를 이용하여 구동 전극들(522)을 자극하면서, 감지 회로(514)를 사용하여 감지 전극들(526)을 감지할 수 있다. 유사하게, SS2(722B) 동안, 전자 디바이스는 도 5의 구동 회로(506)를 사용하여 자극 신호들의 제2 세트를 이용하여 구동 전극들(522)을 자극하면서, 감지 회로(514)를 사용하여 감지 전극들(526)을 감지할 수 있다. N번의 스캔 스텝들이 지나면, 전자 디바이스는 그의 터치 스크린 상에서의 터치 이미지를 결정하기에 충분한 터치 데이터를 (예컨대, 감지 회로(514)를 통해) 감지했을 수 있다. 일부 실시예들에서, 스캔 스텝들(722)의 수는 터치 스크린에 포함된 개별 구동 회로(또는 전송 채널들) 또는 구동 전극들(522)의 수에 대응할 수 있으며; 예를 들어, 도 5에서, 터치 스크린(500)은 10개의 전송 채널들(506)과 10개의 대응하는 구동 전극들(522)을 포함할 수 있고, TS(710)는 10개의 전송 채널들(506) 및 10개의 구동 전극들(522)에 대응하는 10개의 스캔 스텝들(722)을 각각 포함할 수 있다.
Tfp(716) 동안, 전자 디바이스는 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 특정 터치 입력이 터치 스크린 상에서 검출되었는지 여부를 결정하기 위해 스캔 스텝들(722) 동안 수집된 터치 데이터를 프로세싱할 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스는 터치 스크린 상에 탭이 검출되었는지를 결정할 수 있다. 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 특정 터치 입력이 터치 스크린 상에서 검출된 경우, 전자 디바이스는 어웨이크 상태로 전이할 수 있다(예컨대, 도 6b를 참조하여 설명된 바와 같음). 전자 디바이스를 웨이크하는 특정 터치 입력이 터치 스크린에서 감지되지 않은 경우(예컨대, 터치 스크린에서 터치 입력이 전혀 감지되지 않았거나 터치 스크린 상에서 감지된 터치 입력이 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 특정 터치 입력이지 않은 경우), 전자 디바이스는 슬립 상태로 유지될 수 있고, 터치 프레임(TS)(710)의 나머지는 슬립 프레임(Tsleep)(718)을 포함할 수 있으며, 슬립 프레임 동안에는 터치 스크린 상에서의 터치 감지가 수행되지 않을 수 있다. 전자 디바이스는 이어서 다음 터치 프레임(TS)이 실행될 때에 TS(710)에 따라 그의 터치 스크린에서의 터치를 감지할 수 있다.
일부 실시예들에서, 슬립 상태 동안 터치 프레임들(TS)(710)의 스캔 스텝들(722)의 길이(즉, "누적 시간(integration time)")는 어웨이크 상태에서 터치 프레임들(TA)(608)에 포함될 수 있는 대응하는 스캔 스텝들의 길이보다 짧을 수 있다. 구체적으로, 전자 디바이스의 슬립 상태 동안의 (예컨대, 탭과 같은 전자 디바이스를 웨이크하는 미리 결정된 제스처를 검출하기 위한) 터치 감지는 어웨이크 상태 동안의 터치 감지만큼 큰 정확성을 요구하지 않을 수 있고/있거나 노이즈에 의한 영향을 받지 않을 수 있다. 따라서, 슬립 상태에서의 스캔 스텝들은 만족스러운 터치 감지 성능을 유지하면서 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝들보다 짧을 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스의 어웨이크 상태에서의 터치 프레임들(TA)(608)은 터치 스크린 상에서의 터치를 감지하기 위한 스캔 스텝들을 전자 디바이스의 슬립 상태에서의 터치 프레임들(TS)(710)과 동일한 수로 포함할 수 있고, 슬립 상태에서와 마찬가지로 터치 스크린에 포함된 개별적 구동 회로(또는 전송 채널들) 및/또는 구동 전극들(522)의 수에 대응할 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 어웨이크 상태에서의 각각의 스캔 스텝은 슬립 상태에서의 대응하는 스캔 스텝을 가질 수 있고, 이들의 스캔 상세사항들은 동일할 수 있다(예컨대, 동일한 구동 회로가 동작되는 도중의 스캔 스텝들임). 그러나, 전술한 바와 같이, 일부 실시예들에서, 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝들의 길이는(예컨대, 150 μs) 슬립 상태에서의 터치 프레임들(TS)(710)의 스캔 스텝들(722)의 길이(예컨대, 20 μs, 50 μs)보다 길 수 있다. 이러한 방식으로, 슬립 상태 동안의 터치 감지에 대한 전력 소비는 감소되는 한편, 터치 스크린 상에서의 미리 결정된 제스처(예컨대, 탭)를 검출하여 전자 디바이스를 웨이크하는 능력이 유지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 슬립 상태에서의 각각의 스캔 스텝(710)의 길이는 어웨이크 상태에서의 각각의 스캔 스텝의 길이보다 짧을 수 있다. 일부 실시예들에서, 슬립 상태에서의 스캔 스텝들의 평균 길이는 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝들의 평균 길이보다 짧을 수 있다. 일부 실시예들에서, 슬립 상태에서의 주어진 스캔 스텝의 길이는 어웨이크 상태에서의 바로 그 동일한 대응하는 스캔 스텝의 길이보다 짧을 수 있다(예컨대, 슬립 상태에서의 제1 스캔 스텝은 어웨이크 상태에서의 제1 스캔 스텝보다 짧을 수 있고, 슬립 상태에서의 제2 스캔 스텝은 어웨이크 상태에서의 제2 스캔 스텝보다 짧을 수 있는 등). 전자 디바이스가 활성 상태 및 복수의 저전력 상태들을 갖는 실시예들에서, 전술한 바와 같이, 전술한 것과 유사하게, 제2 저전력 상태에서의 스캔 스텝들은 활성 상태에서의 스캔 스텝들보다 짧을 수 있는 제1 저전력 상태에서의 스캔 스텝들보다 짧을 수 있다.
일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 슬립 상태 동안(그리고/또는 전술한 바와 같이, 전자 디바이스가 활성 상태 및 복수의 저전력 상태를 갖는 상황들에서, 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 등의 동안) 터치 프레임(TS) (710)의 스캔 스텝들(722)의 길이를 동적으로 변경할 수 있다. 예를 들어, 초기에, 전자 디바이스는 20 μs와 같은 초기의 짧은 길이(예컨대, 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝들의 길이보다 짧음)를 갖는 스캔 스텝들(722)을 활용할 수 있다. 초기의 짧은 길이를 갖는 이들 스캔 스텝들(722)을 사용하여, 전자 디바이스는 슬립 상태에서 그의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지할 수 있다. 일부 실시예들에서, 터치 액티비티가 터치 스크린 상에서 검출되면, 전자 디바이스는 터치 액티비티가 탭인지 또는 디바이스를 웨이크하기 위한 다른 입력인지를 결정하는 자신의 능력을 향상시키기 위해 초기의 짧은 길이보다 큰 값으로 스캔 스텝들(722)의 길이를 증가시킬 수 있다(예컨대, 20 μs에서 50 μs까지, 또는 20 μs에서 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝들의 길이 이상의 길이까지). 증가된 길이를 갖는 이들 스캔 스텝들(722)을 사용하여, 전자 디바이스는 터치 액티비티에 응답하여 어웨이크 상태로 전이할 것인지 결정할 때까지 그의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지할 수 있다.
일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 스캔 스텝들(722)의 길이를 증가시키기 전에 생성된 터치 데이터의 신호 대 잡음비를 평가할 수 있다. 구체적으로, 전술한 바와 같이, 전자 디바이스는 처음에는 20 μs와 같은 초기의 짧은 길이를 갖는 스캔 스텝들(722)을 활용할 수 있다(예컨대, 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝들의 길이보다 짧음). 터치 액티비티가 터치 스크린 상에서 검출되면, 전자 디바이스는 생성된 터치 데이터가 디바이스가 터치 액티비티를 식별할 수 있도록 충분히 높은 신호 대 잡음비를 갖는지를 결정할 수 있고, 그것이 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처인지를 결정할 수 있다. 전자 디바이스가 터치 액티비티를 식별할 수 있는 경우, 전자 디바이스는 스캔 스텝들(722)의 길이를 그대로 유지할 수 있다. 그러나, 생성된 터치 데이터가 불충분한 신호 대 잡음비를 가져서 전자 디바이스가 터치 액티비티를 식별할 수 없다면, 전자 디바이스는 생성된 터치 데이터가 디바이스가 터치 스크린 상의 터치 액티비티를 식별할 수 있도록 충분히 높은 신호 대 잡음비를 가질 때까지 스캔 스텝들(722)의 길이를 점진적으로 또는 증분적으로 증가시킬 수 있다(예컨대, 20 ㎲에서 30 ㎲까지, 30 ㎲에서 40 ㎲까지 등). 일부 실시예들에서, 스캔 스텝들(722)의 증가된 길이는 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝들의 길이보다 적게 유지될 수 있는 한편, 다른 실시예들에서, 스캔 스텝들(722)의 증가된 길이는 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝들의 길이와 일치하거나 초과할 수 있다. 일단 전자 디바이스가 터치 스크린 상의 터치 액티비티를 식별할 수 있으면, 그것은 적절한 동작을 취할 수 있고(예컨대, 터치 액티비티가 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처에 대응한다면 전자 디바이스를 웨이크하거나, 또는 터치 액티비티가 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처에 대응하지 않는다면 전자 디바이스를 슬립 상태로 유지할 수 있음), 슬립 상태 동안 다음 터치 프레임(TS)(710)에서, 전자 디바이스는 초기 짧은 길이, 예컨대 20 μs를 갖는 스캔 스텝들(722)을 활용하는 것으로 되돌아 갈 수 있다. 전자 디바이스는 이어서 후속 터치 액티비티가 터치 스크린 상에서 검출될 때 상기를 반복할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스가 전술한 바와 같이 활성 상태 및 복수의 저전력 상태를 갖는 상황들에서, 상술한 신호 대 잡음비 기반 스캔 길이 조정들이 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 등에서 발생할 수 있다.
일부 실시예들에서, 전술한 바와 같이, 터치 액티비티에 기초하여 스캔 스텝들(722)의 길이를 조정하는 것에 부가적으로 또는 대안적으로, 전자 디바이스는 SPA(720)의 결과에 기초하여 스캔 스텝들(722)의 길이를 조정할 수 있다. 예를 들어, 동작 시, 전자 디바이스는 터치 감지 주파수들의 주어진 세트(예컨대, 전자 디바이스가 선택할 수 있는 3, 5 또는 10개의 상이한 터치 감지 주파수들)에서 터치를 감지하는 능력을 가질 수 있다. SPA(720) 동안 터치 스크린의 스캔이 전자 디바이스의 다양한 터치 감지 주파수들에서의 노이즈가 노이즈 임계치를 초과 함을 나타내면, 전자 디바이스는 생성된 터치 데이터의 신호 대 잡음비를 개선하기 위해 스캔 스텝들(722)의 길이를 증가시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 생성된 터치 데이터가 디바이스가 터치 스크린 상의 터치 액티비티를 식별할 수 있도록 충분히 높은 신호 대 잡음비를 가질 때까지 스캔 스텝들(722)의 길이를 점진적으로 또는 증분적으로 증가시킬 수 있다(예컨대, 20 μs에서 30 μs까지, 30 μs에서 40 μs까지 등). 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 스캔 스텝들(722)의 길이를 SPA(720)의 결과에 기초하여 특정 양으로 직접 증가시킬 수 있다. 예를 들어, SPA(720) 스캔이 제1 양의 노이즈를 나타내는 경우, 전자 디바이스는 스캔 스텝들(722)의 길이를 제1 길이로 증가시킬 수 있고, SPA(720) 스캔이 제1 양보다 큰 제2 양의 노이즈를 나타내는 경우, 전자 디바이스는 스캔 스텝들(722)의 길이를 제1 길이보다 큰 제2 길이로 증가시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 스캔 스텝들(722)의 증가된 길이는 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝들의 길이보다 적게 유지될 수 있는 한편, 다른 실시예들에서, 스캔 스텝들(722)의 증가된 길이는 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝들의 길이와 일치하거나 초과할 수 있다. 일단 전자 디바이스가 터치 스크린 상의 터치 액티비티를 식별할 수 있으면, 그것은 적절한 동작을 취할 수 있고(예컨대, 터치 액티비티가 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처에 대응한다면 전자 디바이스를 웨이크하거나, 또는 터치 액티비티가 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처에 대응하지 않는다면 전자 디바이스를 슬립 상태로 유지할 수 있음), 슬립 상태 동안 다음 터치 프레임(TS)(710)에서, 전자 디바이스는 초기 짧은 길이, 예컨대 20 μs를 갖는 스캔 스텝들(722)을 활용하는 것으로 되돌아 갈 수 있다. 전자 디바이스는 후속 SPA(720) 스캔이 슬립 상태의 후속 터치 프레임들(TS)(710)에서 수행될 때 상기를 반복할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스가 전술한 바와 같이 활성 상태 및 복수의 저전력 상태를 갖는 상황들에서, 상술한 SPA(720) 기반 스캔 길이 조정들이 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 등에서 발생할 수 있다.
일부 실시예들에서, 전술한 바와 같이, 터치 액티비티 및/또는 SPA(720)의 결과에 기초하여 스캔 스텝들(722)의 길이를 조정하는 것에 부가적으로 또는 대안적으로, 전자 디바이스는 전력 고려 사항에 기초하여 스캔 스텝들(722)의 길이를 조정할 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스는 충분한 터치 감지 성능을 유지하면서(예컨대, 임계 비율보다 큰 신호 대 잡음비를 유지하고, 터치 신호값 임계치보다 큰 터치 신호값을 유지하는 등), (예컨대, 전력 소모를 줄이기 위해) 가능한 최단 길이의 스캔 스텝들(722)을 활용할 수 있다. 본 개시의 실시예들은 터치 스크린과 관련하여 제공되었지만, 본 개시의 실시예들은 터치 센서 패널과 관련하여 유사하게 구현될 수 있는 것으로 이해됨을 유의해야 한다. 또한, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 슬립 상태에서의 터치 프레임들(710)을 참조하여 위에 설명된 것과 유사한 방식으로 어웨이크 상태에서의 터치 프레임들(608)의 스캔 스텝들의 길이를 (예컨대, 터치 액티비티, SPA 스캔의 결과, 전력 고려 사항 등에 기초하여) 조정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스가 전술한 바와 같이 활성 상태 및 복수의 저전력 상태를 갖는 상황들에서, 상술한 전력 기반 스캔 길이 조정들이 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 등에서 발생할 수 있다.
전자 디바이스의 상이한 상태(예컨대, 슬립 상태, 어웨이크 상태, 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 등)에서 가능한 스캔 스텝의 길이("누적 시간")의 범위는 중첩되거나 중첩되지 않을 수 있음을 유의해야 한다. 이 논의의 맥락에서, 전자 디바이스의 주어진 동작 상태에 대한 스캔 스텝의 길이의 범위는 그 동작 상태에서의 최단 스캔 스텝의 길이로부터 그 동작 상태에서의 최장 스캔 스텝의 길이까지의 범위를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 어웨이크 상태에서 최단 스캔 스텝의 길이는 슬립 상태에서의 최장 스캔 스텝의 길이보다 길 수 있다. 전자 디바이스가 2개 이상의 저전력 상태를 갖는 실시예들에서(예컨대, "슬립 상태"는 다수의 저전력 상태에 대응함), 다수의 저전력 상태에서의 스캔 스텝의 길이의 범위는 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝의 길이의 범위와 중첩되지 않을 수 있지만, 다수의 저전력 상태에서의 스캔 스텝의 길이의 범위는 서로 중첩될 수 있다(예컨대, 제1 저전력 상태에서의 최단 스캔 스텝의 길이는 제2 저전력 상태에서의 최단 스캔 스텝의 길이보다 길고, 제2 저전력 상태에서의 최장 스캔 스텝의 길이보다 짧을 수 있음). 일부 실시예들에서, 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝의 길이의 범위는 제1 저전력 상태에서의 스캔 스텝의 길이의 범위와 부분적으로 중첩될 수 있지만, 제2 저전력 상태에서의 스캔 스텝의 길이의 범위는 제1 저전력 상태에서의 스캔 스텝의 길이의 범위 및/또는 어웨이크 상태에서의 스캔 스텝의 길이의 범위와 중첩되지 않을 수 있다 - 일부 실시예들에서, 제2 저전력 상태에서의 스캔 스텝의 길이의 범위는 제1 저전력 상태에서의 스캔 스텝의 길이와 중첩될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 서로 전혀 중첩되지 않는 스캔 스텝의 길이의 범위를 갖는 3개 이상의 동작 상태(예컨대, 어웨이크 상태, 제1 저전력 상태 및 제2 저전력 상태)를 가질 수 있다. 스캔 스텝의 길이의 다른 그러한 순열이 유사하게 고려된다.
일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 터치 스크린 상에서 검출된 터치 액티비티에 따라 스캔 스텝들(722) 동안 구동 라인(예컨대, 도 5의 구동 라인들(522)) 및/또는 감지 라인(예컨대, 도 5의 감지 라인들(526))을 동적으로 "병합(gang)"및 "병합 해제(ungang)"할 수 있다. 이러한 맥락에서, 2개 라인을 함께 "병합"하는 것은 2개 라인이 전기적으로 하나의 라인으로서 거동하도록 2개 라인을 함께 전기적으로 병렬로 연결하는 것을 지칭할 수 있다. 2개 라인을 "병합 해제"하는 것은 이전에 전기적으로 병렬로 연결된 2개 라인을 전기적으로 연결 해제하는 것을 지칭하며 2개 라인은 전기적으로 2개의 분리된 라인들로서 거동한다. 전자 디바이스는 위에 논의된 스캔 스텝(722)의 길이 조정 방식들 중 임의의 것과 조합하여 라인들의 이러한 동적인 병합을 수행할 수 있다. 추가의 예시적인 병합과 병합 해제에 대한 상세사항들이 아래에 제공될 것이다.
도 8a 및 도 8b는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 구동 및/또는 감지 라인 병합을 도시한다. 구체적으로, 도 8a는 어떠한 구동 라인(822) 또는 감지 라인(826)도 함께 병합되지 않은 터치 스크린(800)을 도시한다. 각각의 구동 회로(806)는 자신의 구동 라인(822)을 구동할 수 있고, 각각의 감지 회로(814)는 자신의 감지 라인(826)을 감지할 수 있다. 도 8b는 구동 라인들(822)이 함께 병합된 터치 스크린(800)을 도시한다. 예를 들어, 한 쌍의 구동 라인(822)이 구동 회로(806)의 출력에 전기적으로 병렬로 연결되어 있다. 이러한 방식으로, 단일 구동 회로(806)는 병렬로 연결된 2개의 구동 라인(822)을 구동할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 3개 이상의 구동 라인들(822)이 함께 병합되어 단일 구동 회로(806)에 의해 구동되도록 구동 라인(822)의 추가 병합이 수행될 수 있다. 부가적으로, 감지 라인들(826)이 유사하게 함께 병합되어 단일 감지 회로(814)가 다수의 감지 라인들(826)을 감지할 수 있다. 구동 라인들(822) 및/또는 감지 라인들(814)의 이러한 병합은 슬립 상태 동안의 전력 소비를 감소시킬 수 있는데, 왜냐하면 더 적은 구동 회로(806) 및/또는 감지 회로(814)가 터치 감지 중에 동작할 필요가 있을 수 있기 때문이다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 슬립 상태 동안(예컨대, 터치 프레임들(TS)(710) 동안) 단지 이러한 병합만을 수행할 수 있고, 어웨이크 상태 동안(예컨대, 터치 프레임들(TA)(610) 동안) 이러한 병합을 수행하지 않을 수 있다. 본 개시의 실시예들은 터치 스크린과 관련하여 제공되었지만, 본 개시의 실시예들은 터치 센서 패널과 관련하여 유사하게 구현될 수 있는 것으로 이해됨을 유의해야 한다.
도 7을 다시 참조하면, 전술한 바와 같이, 전자 디바이스는 스캔 스텝들(722) 동안 터치 스크린 내의 구동 및/또는 감지 라인들을 동적으로 병합 또는 병합 해제할 수 있다. 구체적으로, 구동 및/또는 감지 라인들을 병합하는 것은 스캔 스텝들(722)로부터 생성된 터치 데이터의 공간적 터치 해상도를 감소시킬 수 있다. 따라서, 전자 디바이스는 다양한 구동 및/또는 감지 라인들이 병합된 상태에서 터치 스크린 상에서 검출된 터치 액티비티가 전자 디바이스를 웨이크하는 미리 결정된 제스처에 대응하는지 여부를 결정할 수 없을 수 있다. 그러나, 터치 감지로 인한 슬립 상태 동안의 전력 소모를 줄이기 위해 슬립 상태 동안 전자 디바이스가 병합된 구동 및/또는 감지 라인들을 가능한 한 많이 활용하는 것이 유리할 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 초기에 하나 이상의 구동 라인들 또는 감지 라인들이 함께 병합되는 스캔 스텝들(722)을 활용할 수 있다(예컨대, 도 8b에 도시된 바와 같음). 구동 및/또는 감지 라인들이 병합되는 이들 스캔 스텝들(722)을 사용하여, 전자 디바이스는 슬립 상태에서 그의 터치 스크린 상에서의 터치를 감지할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이러한 병합된 라인들을 이용하여 터치 액티비티가 터치 스크린 상에서 검출되면, 전자 디바이스는 후속 스캔 스텝들(722)에서 그의 구동 및/또는 감지 라인들의 병합을 감소시킬 수 있고(예컨대, 도 8a에 도시된 바와 같음), 터치 액티비티가 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처인지 여부를 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 구동 및/또는 감지 라인들의 병합을 감소시키는 것은 보다 많이 병합된 구성(예컨대, 3개의 함께 병합된 구동 라인들)에서 보다 적게 병합된 구성(예컨대, 2개의 함께 병합된 구동 라인들)으로 이동하는 것에 대응할 수 있고, 일부 실시예들에서, 구동 및/또는 감지 라인의 병합을 감소시키는 것은 병합된 구성(예컨대, 3개의 함께 병합된 구동 라인)에서 병합되지 않은 구성(예컨대, 병합된 구동 라인이 없음)으로 이동하는 것에 대응할 수 있다.
다른 실시예들에서, 터치 스크린 상의 터치 액티비티를 검출하는 것에 응답하여 그의 구동 및/또는 감지 라인들의 병합을 감소시키기 전에,
전자 디바이스는 병합된 스캔 스텝들(722)로부터 생성된 터치 데이터가 디바이스가 터치 액티비티를 식별할 수 있도록 충분히 높은 공간 해상도를 갖는지 여부를 먼저 결정할 수 있고, 그것이 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처인지 여부를 결정할 수 있다. 전자 디바이스가 터치 액티비티를 식별할 수 있고 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처인지 여부를 결정할 수 있는 경우, 전자 디바이스는 스캔 스텝들(722)에서 라인들의 병합을 그대로 유지할 수 있다. 그러나, 생성된 터치 데이터가 가진 공간 해상도가 불충분하여 전자 디바이스가 터치 액티비티를 식별할 수 없다면, 생성된 터치 데이터가 충분히 높은 공간 해상도를 가져 터치 스크린 상의 터치 액티비티를 식별하고 그것이 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처인지 여부를 결정할 수 있을 때까지, 전자 디바이스는 그의 구동 및/또는 감지 라인의 병합을 점진적으로 또는 증분적으로 감소시킬 수 있다(예컨대, 3개의 병합된 라인에서 2개의 병합된 라인으로, 그리고 2개의 병합된 라인에서 하나의 병합된 라인으로). 일단 전자 디바이스가 터치 스크린 상의 터치 액티비티를 식별할 수 있으면, 전자 디바이스는 적절한 동작을 취할 수 있고(예컨대, 터치 액티비티가 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처에 대응한다면 전자 디바이스를 웨이크하거나, 또는 터치 액티비티가 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 미리 결정된 제스처에 대응하지 않는다면 전자 디바이스를 슬립 상태로 유지할 수 있음), 슬립 상태 동안 다음 터치 프레임(TS)(710)에서, 전자 디바이스는 하나 이상의 구동 라인들 또는 감지 라인들이 함께 병합되는 스캔 스텝들(722)을 활용하는 것으로 되돌아 갈 수 있다. 전자 디바이스는 이어서 후속 터치 액티비티가 터치 스크린 상에서 검출될 때 상기를 반복할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스가 전술한 바와 같이 활성 상태 및 복수의 저전력 상태를 갖는 상황들에서, 상술한 구동/감지 라인 병합 조정들이 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 등에서 발생할 수 있다.
도 7의 터치 프레임(TS)(710)에서, 전자 디바이스는 전자 디바이스의 터치 스크린 상에서 터치 액티비티가 검출되지 않는 경우에도 각각의 터치 프레임(TS)(710) 동안 스캔 스텝들(722)을 수행할 수 있다. 슬립 상태 동안 전력 소모를 감소시키기 위해 터치 스크린 상에서 일부 터치 액티비티가 검출될 때만 스캔 스텝들(722)을 수행하는 것이 유리할 수 있다. 도 9는 본 개시의 실시예들에 따른, 스캔 스텝들(922)의 조건부 수행을 포함하는 슬립 상태에 있는(그리고/또는 전술한 바와 같이, 전자 디바이스가 활성 상태 및 복수의 저전력 상태들을 갖는 상황들에서, 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 등의 동안의) 전자 디바이스의 예시적인 터치 프레임(TS)(910)을 도시한다. 터치 프레임(TS)(910)은 달리 설명된 경우를 제외하고는 터치 프레임(TS)(710)과 유사한 구성을 가질 수 있다. 특히, 터치 프레임(TS)(910)은 프리 스캔 부분(930), 메인 스캔 부분(932) 및 슬립 부분(934)의 3개 부분들을 포함할 수 있다. 프리 스캔 부분(930) 동안, 전자 디바이스는 후술되는 바와 같이 메인 스캔 부분(932)이 수행되어야 하는지 여부를 결정할 수 있다. 그렇다면, 전자 디바이스는 메인 스캔 부분(932)을 수행한 후 슬립 부분(934)을 수행할 수 있다. 그렇지 않은 경우, 전자 디바이스는 메인 스캔 부분(932)을 스킵할 수 있고, 대신에 터치 프레임(TS)(910)의 슬립 부분(934)을 터치 프레임(TS)(910)의 프리 스캔 부분(930)의 끝까지 연장할 수 있고, 전자 디바이스는 슬립 부분(934)을 수행할 수 있다. 터치 프레임(TS)(910)의 슬립 부분(934)은 터치 스크린 상에서 아무런 터치 감지도 수행되지 않을 수 있는 슬립 프레임(Tsleep)(918)을 포함할 수 있으며, 그의 상세사항들은 도 7의 슬립 프레임(Tsleep)(718)에 대응할 수 있고 간결함을 위해 여기서는 반복되지 않을 것이다. 터치 프레임(TS)(910)의 프리 스캔 부분(930) 및 메인 스캔 부분(932)의 예시적인 상세사항들이 이제 설명될 것이다.
전술한 바와 같이, 프리 스캔 부분(930) 동안, 전자 디바이스는 메인 스캔 부분(932)이 수행되어야 하는지 여부; 구체적으로, 터치 스크린 상에서 임의의 터치 액티비티가 검출되는지 여부를 결정할 수 있다. 특히, 프리 스캔 부분(930)은 초기화 프레임(Tinit)(912)을 포함할 수 있으며, 초기화 프레임 동안 터치 스크린의 다양한 터치-관련 회로가 초기화되고 터치 스캔을 위해 준비될 수 있다. 예를 들어, 터치 프로세서 및/또는 제어기(예컨대, 도 2의 202 및 206), 구동 회로(예컨대, 도 3b의 306) 및/또는 감지 회로(예컨대, 도 3a 및 도 3b의 314)는 Tinit(912) 동안 초기화될 수 있다. 프리 스캔 부분(930)은 또한 공통 모드 스캔 프레임(TCM)(924)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, TCM(924)은 Tinit(912) 직후에 이어질 수 있지만, 다른 구성들도 가능하다. TCM(924) 동안, 전자 디바이스는 SPA 스캔(920)(예컨대, 도 7의 SPA 스캔(720)을 참조하여 설명된 바와 같음) 및 CM 스캔(928)을 수행할 수 있다. CM 스캔(928) 동안 전자 디바이스는, 동시에: 1) 동일한 자극 신호로 모든 구동 라인들을 자극하고; 2) 그의 모든 감지 라인들을 감지할 수 있다. 전자 디바이스가 CM 스캔 동안 그의 구동 라인들을 자극하는 주파수(928)는 SPA 스캔(920) 동안 전자 디바이스에 의해 검출된 저-노이즈 주파수들 중 하나일 수 있다. CM 스캔(928)의 목적은 터치 액티비티에 대한 임의의 특성을 결정할 필요없이, 터치 스크린 상에 임의의 터치 액티비티가 존재하는지 여부를 결정하는 것일 수 있다. 따라서, TCM(924)에 이어질 수 있는 터치 액티비티 결정 프레임(Tdet)(926) 동안, 전자 디바이스는 CM 스캔(928)으로부터 생성된 터치 데이터가 터치 스크린 상에 터치 액티비티가 존재하지 않는 경우의 터치 데이터에 대응할 수 있는, 베이스라인 터치 데이터로부터의 임계 값보다 큰 편차를 나타내는지를 결정할 수 있다. Tdet(926) 동안 수행된 이러한 결정은 원시(raw)이거나 최소로 프로세싱된 베이스라인 터치 데이터와 베이스라인 터치 데이터의 간단한 비교일 수 있다. CM 스캔(928)으로부터 생성된 터치 데이터의 베이스라인 터치 데이터로부터의 편차가 임계량보다 큰 경우, 전자 디바이스는 (예컨대, 이러한 편차는 터치 액티비티가 터치 스크린 상에 존재할 가능성이 있다고 나타낼 수 있기 때문에) 터치 프레임(TS)(910)의 메인 스캔 부분(932)을 수행할 수 있다. CM 스캔(928)으로부터 생성된 터치 데이터의 베이스라인 터치 데이터로부터의 편차가 임계량보다 크지 않은 경우, 전자 디바이스는 메인 스캔 부분(932)을 수행하는 것을 보류할 수 있고, 대신에 터치 프레임(TS)(910)의 슬립 부분(934)을 프리 스캔 부분(930)의 끝까지 연장하고, 슬립 부분(934)으로 직접 전이할 수 있다.
터치 프레임(TS)(910)의 메인 스캔 부분(932)은 터치 측정 프레임(Tburst)(914) 및 Tfp(916)를 포함할 수 있다. Tburst(914)는 터치 스크린 상에서 터치가 감지될 수 있는 기간이 될 수 있고, 도 7의 스캔 스텝들(722)에 대응할 수 있는 스캔 스텝들(922)을 포함할 수 있으며, 그 상세사항은 간결함을 위해 여기서 반복되지 않을 것이다. 또한, Tfp(916)는 전자 디바이스가 전자 디바이스를 웨이크하기 위한 특정 터치 입력이 터치 스크린 상에서 검출되었는지를 결정하기 위해 스캔 스텝들(922) 동안 수집된 터치 데이터를 프로세싱할 수 있는 기간일 수 있고, 도 7의 Tfp(716)에 대응할 수 있으며, 그 상세사항은 간결함을 위해 여기서 반복되지 않을 것이다.
전술한 바와 같이, 터치 프레임(TS)(910)은 프리 스캔 부분(930), 메인 스캔 부분(932) 및 슬립 부분(934)을 포함할 수 있기 때문에, 스캔 스텝들(922)이 모든 터치 프레임(TS)(910)에서 수행되지는 않을 수 있고, 터치 스크린 상에서 일부 터치 액티비티가 검출된 터치 프레임들(TS)(910)에서만 수행될 수 있다. 결과적으로, 전자 디바이스는 그것이 도 7의 터치 프레임(TS)(710)에 따라 동작한다면 소비했을 수 있는 것보다 슬립 상태에서 더 적은 전력을 소비할 수 있다. 또한, 전자 디바이스는 전자 디바이스의 슬립 상태 동안 전력 소비를 더 감소시키기 위해, 터치 프레임(TS)(910)에서 전술한 바와 같이, 짧은 스캔 스텝들(922)을 활용하고, 스캔 스텝들(922)의 길이를 동적으로 변경하고/하거나, CM 스캔(928) 및/또는 스캔 스텝들(922) 동안 구동 및/또는 감지 라인들을 병합할 수 있다.
전술한 바와 같이, 전자 디바이스는 (예컨대, 측정된 터치 데이터를 베이스라인 터치 데이터와 비교함으로써) 터치 스크린 상에 임의의 터치 액티비티가 발생할 가능성이 있는지 여부를 결정하기 위해 터치 프레임(TS)(910)의 프리 스캔 부분(930)의 베이스라인 터치 데이터를 활용할 수 있으며, 여기서 베이스라인 터치 데이터는 터치 스크린 상에 터치 액티비티가 없는 경우에 대응할 수 있다. 유사하게, 메인 스캔(932) 동안, 전자 디바이스가 프리 스캔 부분(930)에서보다 보다 큰 정밀도를 가지고 터치 스크린 상의 터치 액티비티를 식별하고 평가하는 경우에, 전자 디바이스는 터치 스크린 상에서의 터치의 위치(들) 및/또는 양(들)을 결정하기 위해 베이스라인 터치 데이터를 활용할 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 터치 프레임(TS)(910)에서 사용하기 위한 그러한 베이스라인 터치 데이터를 그의 메모리에 저장해 놓았을 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 그러한 베이스라인 터치 데이터를 자신이 수행하는 각각의 스캔 유형에 대해(예컨대, CM 스캔(928)에 대한 베이스라인 터치 데이터 및 스캔 스텝들(922)에서 수행되는 메인 스캔에 대한 베이스라인 터치 데이터), 그리고 이들 스캔 유형들의 각각에 대해 활용할 수 있는 각각의 주파수(예컨대, CM 스캔(928) 및 스캔 스텝들(922)을 수행하기 위한 저-노이즈 주파수를 식별하기 위해 SPA 스캔(920)이 평가할 수 있는 각각의 미리 결정된 수의 주파수들)에 대해 요구할 수 있다.
그러나, 터치 스크린 상에 터치 액티비티가 없을 때 터치 스크린 상에서 측정된 실제 터치 데이터는 온도, 습도 또는 전자 디바이스에서의 다른 환경 조건의 변화로 인해 시간에 따라 변할 수 있다. 따라서, 전자 디바이스는 그의 베이스라인 터치 데이터를 주기적으로 업데이트하는 것이 유리할 수 있다. 그러나, 전자 디바이스가 터치 프레임(TS)(910)에 따라 동작하는 경우, 터치 프레임(TS)(910)의 프리 스캔 부분(930)(예컨대, 제1 스캔 유형) 동안 터치 액티비티가 검출되지 않기 때문에, 메인 스캔 부분(932)(예컨대, 제2 스캔 유형)이 트리거링되지 않는 오랜 기간이 있을 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 - 프리 스캔 부분(930)(예컨대, 제1 스캔 유형)에서 전자 디바이스가 터치 액티비티를 검출하지 못함에도 불구하고 - 메인 스캔 부분(932)(예컨대, 제2 스캔 유형)을 주기적으로 의도적으로 트리거링할 수 있고, 이 동안에는 전자 디바이스는 스캔 스텝들(922)을 수행할 수 있고, 스캔 스텝들(922)에서 생성된 터치 데이터를 향후 스캔 스텝들(922)에 사용하기 위한 업데이트된 베이스라인 터치 데이터로서 저장할 수 있다. 전자 디바이스가 의도적으로 메인 스캔 부분(932)을 트리거링하는 터치 프레임들(TS)(910)에서, 전자 디바이스는 CM 스캔(928)으로부터 생성된 터치 데이터를 (향후 CM 스캔들(928)에서의 베이스라인 터치 데이터로 사용하기 위한) 베이스라인 터치 데이터로서 또한 저장할 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 프리 스캔 부분(930)이 터치 스크린 상에 터치 액티비티가 존재하지 않는다고 나타내면 베이스라인 터치 데이터는 노-터치(no-touch) 터치 데이터에 대응해야 하기 때문에, 전자 디바이스는 그러한 베이스라인 업데이트 메인 스캔 부분(932)만을 트리거링할 수 있다.
예를 들어, 도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 의도적인 메인 스캔 트리거링을 갖는 터치 프레임들의 예시적인 타임라인을 도시한다. 도 10의 실시예에서, TS,no(1010A) 터치 프레임은 프리 스캔 부분(930) 동안 터치 액티비티가 검출되지 않고, 메인 스캔 부분(932)이 트리거링되지 않는 터치 프레임에 대응할 수 있다. TS,BL(1010B) 터치 프레임은 프리 스캔 부분(930) 동안 터치 액티비티가 검출되지 않은 터치 프레임에 대응할 수 있지만, 그의 베이스라인 터치 데이터를 수집하고 업데이트하기 위해 메인 스캔 부분(932)이 전자 디바이스에 의해 트리거링되었다. 마지막으로, TS,yes(1010C) 터치 프레임은 프리 스캔 부분(930) 동안 터치 액티비티가 검출된 터치 프레임에 대응할 수 있고, 따라서 터치 스크린 상의 터치 액티비티를 식별 및 분석하기 위해 전자 디바이스에 의해 메인 스캔 부분(932)이 트리거링되었다. 또한, 도 10의 실시예에서, 3개 프레임마다 TS,BL(1010B) 터치 프레임이 트리거링될 수 있다.
예를 들어, 도 10에 도시된 첫 번째 3개의 터치 프레임들(TS,no)(1010A)에서는, 터치 프레임들의 프리 스캔 부분(930) 동안 터치 액티비티가 검출되지 않는다. 도 10의 첫 번째 3개의 터치 프레임들(TS,no)(1010A) 다음으로, 전자 디바이스는 그의 베이스라인 터치 데이터를 업데이트하기 위해 의도적으로 터치 프레임들(TS,BL)(1010B)을 트리거링한다. 다음 터치 프레임(TS,no)(1010A)에서는 터치 프레임의 프리 스캔 부분(930) 동안 터치 액티비티가 검출되지 않는다. 다음 터치 프레임에서, 터치 프레임의 프리 스캔 부분(930) 동안 터치 액티비티가 검출되고, 따라서 터치 프레임(TS,yes)(1010C)이 실행된다. 예를 들어 TS,yes(1010C)에 이어서 터치 프레임(TS,no)(1010A)의 프리 스캔 부분(930) 동안 터치가 감지되지 않는다. 터치 프레임(TS,no)(1010A) 이후,베이스라인 터치 데이터가 마지막으로 업데이트된 이후 3개의 터치 프레임들이 있었기 때문에, 전자 디바이스는 그의 기본 터치 데이터를 업데이트하기 위해 의도적으로 터치 프레임들(TS,BL)(1010B)을 트리거링했다. 이러한 주기적이고 의도적인 트리거링은 향후 터치 프레임들에서 계속될 수 있다. 3개의 터치 프레임들마다 베이스라인 터치 데이터를 업데이트하기 위해 터치 프레임을 트리거링하는 실시예는 단지 예로서 제공되고, 터치 프레임 트리거링의 다른 주파수가 구현될 수 있는 것으로 이해된다.
터치 액티비티가 전자 디바이스 상에서 감지되는 각각의 주파수는 그 자신의 베이스라인 터치 데이터(예컨대, 그 주파수에서 CM 스캔(928) 또는 스캔 스텝들(922) 동안 수집된 노-터치 터치 데이터)를 요구할 수 있기 때문에, 그리고 각각의 주파수에 대한 베이스라인 터치 데이터를 수집한다는 것은 그 주파수에 대해 구별되는 베이스라인 업데이트 터치 프레임이 트리거링되도록 요구할 수 있기 때문에, 슬립 상태 동안 터치 감지에 사용되는 주파수들의 수는 트리거링 될 필요가 있는 베이스라인 업데이트 터치 프레임들의 수와 직접적으로 관련될 수 있다. 그러나, 각각의 트리거링된 베이스라인 업데이트 터치 프레임은 메인 스캔 부분(932)이 트리거링되지 않는 터치 프레임보다 더 많은 전력을 소비할 수 있다. 따라서, 슬립 상태 동안(그리고/또는 전술한 바와 같이, 전자 디바이스가 활성 상태 및 복수의 저전력 상태를 갖는 상황들에서, 제 1 저전력 상태, 제 2 저전력 상태 등의 동안) 의도적으로 트리거링되는 베이스라인 업데이트 터치 프레임의 수를 감소시키는 것이 유리할 수 있다. 이를 위해, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 슬립 상태 동안(그리고/또는 전술한 바와 같이, 전자 디바이스가 활성 상태 및 복수의 저전력 상태를 갖는 상황들에서, 제 1 저전력 상태, 제 2 저전력 상태 등의 동안) 터치 스크린 상에서의 터치를 감지하기 위해, 어웨이크 상태 동안 더 적은 주파수들을 활용할 수 있다(예컨대, SPA 스캔(920)은 하나 이상의 저-노이즈 주파수들을 식별하기 위해 더 적은 주파수들을 스캔할 수 있고, 저-노이즈 주파수들 중 하나는 CM 스캔(928) 및 스캔 스텝들(922) 동안 사용될 수 있음). 따라서, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 슬립 상태 동안 터치 감지에 사용하기 위한 후보 터치 감지 주파수들의 제1 세트를 선택하고, 어웨이크 상태 동안 터치 감지에 사용하기 위한 후보 터치 감지 주파수들의 제2 세트를 선택할 수 있고, 여기서 후보 터치 감지 주파수들의 제1 세트는 후보 터치 감지 주파수들의 제2 세트보다 적은 후보 주파수들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 주어진 기간에 걸쳐(예컨대, 소정 수의 스캔 스텝들, 터치 프레임들, 슬립에서 어웨이크로의 전이 등에 걸쳐), 전자 디바이스는, 어웨이크 상태에서 그것이 사용했을 수 있는 것보다(예컨대, 슬립 상태에서보다 많을 수 있는, 어웨이크 상태에 대한 후보 터치 감지 주파수 모두를 사용함), 슬립 상태에서의 더 적은 터치 감지 주파수들을 사용하여(예컨대, 슬립 상태에 대한 후보 터치 감지 주파수 모두를 사용함) 터치에 대해 스캔을 했을 수 있다. 슬립 상태 동안 더 적은 터치 감지 주파수들을 이용하는 것은 만족스러운 터치 감지 성능을 제공할 수 있는데, 왜냐하면 슬립 상태 동안(예컨대, 디스플레이, 프로세서 등과 같은 전자 디바이스의 서브 시스템들 중 다수가 저전력 또는 오프 상태인 경우에), 어웨이크 상태보다 더 적은 노이즈 소스들이 존재하고, 따라서 더 적은 주파수들이 존재할 수 있기 때문이다. 슬립 상태 동안 더 적은 터치 감지 주파수들을 이용함에 따라, 전자 디바이스에 의해 추적되어야 할 필요가 있는 베이스라인 터치 데이터의 세트들이 더 적어질 수 있고, 슬립 상태 동안 트리거링될 필요가 있는 베이스라인 업데이트 터치 프레임들이 더 적어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 이러한 더 적은 주파수들은 어웨이크 상태 동안 터치 스크린에서 터치를 감지하는 데 사용되는 주파수들의 서브셋일 수 있는 한편, 다른 실시예들에서, 이러한 더 적은 주파수들은 어웨이크 상태에서 사용되고 사용되지 않는 주파수들 모두를 포함할 수 있고/있거나 어웨이크 상태에서 사용되지 않는 주파수들만을 포함할 수 있다(예컨대, 어웨이크 상태에서 사용되는 임의의 주파수에 비해 상이한 주파수들을 포함할 수 있음).
또한, 상기에 부가적으로 또는 대안적으로, 슬립 상태 동안 전자 디바이스는 특정 터치 입력(예컨대, 탭)만을 식별하려고 시도할 수 있고, 어웨이크 상태의 터치 검출 정밀도를 요구하지 않을 수 있기 때문에, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 어웨이크 상태에서보다 슬립 상태 동안 그의 베이스라인 터치 데이터를 덜 빈번하게 업데이트할 수 있다. 예를 들어, 어웨이크 상태에서, 전자 디바이스는 5분마다 한 번씩 그의 베이스라인 터치 데이터를 업데이트하기 위해 베이스라인 업데이트 터치 프레임을 트리거링할 수 있는 반면, 슬립 상태에서는 전자 디바이스가 매 시간마다 그의 베이스라인 터치 데이터를 업데이트하기 위해 베이스라인 업데이트 터치 프레임을 트리거링할 수 있다. 달리 말하면, 전자 디바이스는 베이스라인 터치 데이터가 마지막으로 업데이트된 이후로 시간 또는 프레임 임계량보다 오래되었는지 여부를 결정할 수 있으며 - 여기서 슬립 상태에서의 시간 또는 프레임 임계량은 어웨이크 상태에서의 시간 또는 프레임의 임계량보다 김 -; 베이스라인 터치 데이터의 최종 업데이트 이후 시간의 임계량보다 많은 시간이 경과했다면, 전자 디바이스는 베이스라인 터치 데이터를 업데이트할 수 있다. 이와 같이, 슬립 상태 동안의 전력 소비가 더 감소될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전술한 바와 같이 전자 디바이스가 활성 상태 및 복수의 저전력 상태를 갖는 상황들에서, 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 등에서 전술한 베이스라인 터치 데이터 추적 조정이 발생할 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스는 제1 저전력 상태 동안 터치 감지를 위해 제1 개수의 주파수들을 활용할 수 있고, 제1 속도로 이들 주파수들에 대한 그의 베이스라인 터치 데이터를 업데이트할 수 있고, 제2 저전력 상태 동안 터치 감지를 위해 제2 개수(예컨대, 제1 개수보다 적음)의 주파수들을 활용할 수 있으며, 제2 속도로(예컨대, 제1 속도보다 낮음) 이들 주파수들에 대한 그의 베이스라인 터치 데이터를 업데이트할 수 있다. 일부 실시예들에서, 터치 감지에 활용되는 주파수들의 수 및/또는 이들 주파수들에 대한 베이스라인 터치 데이터가 제1 및 제2 저전력 상태 동안 업데이트되는 속도는 터치 감지에 활용되는 주파수들의 수 및/또는 활성 상태 동안 이들 주파수들에 대한 베이스라인 터치 데이터가 업데이트되는 속도 미만일 수 있다.
도 9를 다시 참조하면, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 전자 디바이스를 슬립 상태로부터 웨이크하기 위한 터치 입력이 터치 스크린의 특정 부분에서 검출될 것을 요구할 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스는 터치 스크린의 에지들 둘레가 아닌, 터치 스크린의 중앙 영역에서 검출되는 디바이스 웨이크 입력만을 수용할 수 있다(예컨대, 사용자가 디바이스를 잡고 있는 동안 디바이스의 에지들 둘레에 위치된 손가락들로 인해 의도치 않게 디바이스가 웨이크하는 것을 방지하기 위함). 따라서 일부 실시예들에서, 터치 프레임(TS)(910)의 CM 스캔 동안(928), 전자 디바이스는 터치 스크린의 미리 결정된 크기의 에지 영역들 내의 터치를 감지한 감지 회로(예컨대, 도 5의 최좌측 및 최우측 감지 회로(514), 또는 터치 스크린(500)의 좌측 및 우측에 대응하는 다른 결정된 수의 감지 회로(514))에 의해 수신된 터치 데이터를 무시할 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 에지 터치 데이터를 단순히 무시하는 것이 아니라, 전자 디바이스는 CM 스캔(928) 동안 터치 스크린의 에지 영역들에 대응하는 구동 회로 및/또는 감지 회로를 전력 차단할 수 있다. 도 11은 본 개시의 실시예들에 따른, 터치 스크린(1100)의 에지 영역들에 대응하는 구동 회로(1106) 및/또는 감지 회로(1114)가 전력 차단된 예시적인 터치 스크린(1100)을 도시한다. 특히, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 CM 스캔(928) 동안 터치 스크린(1100)의 상부 및 하부 에지들에 대응하는 구동 회로(1106A)를 전력 차단할 수 있어서, CM 스캔(928) 동안 이들 구동 회로(1106A)가 그들 각각의 구동 라인들(1122)을 자극하지 않는다. 터치 스크린(1100)의 중앙 영역에 대응하는 구동 회로(1106B)는 (예컨대, 본 개시에서 설명된 바와 같이) 통상적으로 전력 공급되고(powered-up) 동작될 수 있다. 유사하게, 구동 회로(1106A)를 전력 차단하는 것에 부가적으로 또는 대안적으로, 전자 디바이스는 CM 스캔(928) 동안 터치 스크린(1100)의 좌측 및 우측 에지들에 대응하는 감지 회로(1114A)를 전력 차단하여, 이들 감지 회로(1114A)는 CM 스캔(928) 동안 그들 각각의 감지 라인들(1126) 상에의 터치를 감지하지 않는다. 터치 스크린(1100)의 중앙 영역에 대응하는 감지 회로(1114B)는 (예컨대, 본 개시에서 설명된 바와 같이) 통상적으로 전력 공급되고 동작될 수 있다. 이러한 방식으로, 터치 스크린(1100)의 에지들에서의 터치 액티비티가 메인 스캔(932)을 트리거링하는 것 및/또는 전자 디바이스를 슬립 상태로부터 어웨이크 상태로 전이하게 하는 것을 방지할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전술한 바와 같이, 전자 디바이스가 활성 상태 및 복수의 저전력 상태를 갖는 상황들에서, 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 등에서 전술한 구동/감지 회로 비활성화가 발생할 수 있다.
본 개시에서 설명된 임의의 슬립 상태 터치 감지 스킴들은 서로 조합하여 사용될 수 있다. 또한, 이들 스킴들 중 어느 것이 함께 사용되는지 및/또는 사용된 스킴(들)의 파라미터들은 슬립 상태 동안 전자 디바이스의 어느 컴포넌트들이 전력 공급되거나 동작하는지(예컨대, 전술한 바와 같이, 전자 디바이스가 활성 상태 및 복수의 저전력 상태를 갖는 상황들에서, 전자 디바이스가 제2 저전력 상태 중 어느 서브-상태에 있는지)에 기초할 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스가 슬립 상태 동안 스피커를 통해 음악을 재생하는 경우, 스피커 드라이버 및/또는 스피커와 연관되는 다른 회로는 전자 디바이스의 터치 스크린 상에서의 터치 감지에 대해 노이즈의 근원이 될 수 있다. 따라서, 전자 디바이스가 슬립 상태 동안 그의 스피커를 통해 오디오를 재생하는 상황에서, 전자 디바이스는 생성되는 터치 신호의 신호 대 잡음비를 개선하기 위해 보다 높은 길이를 갖는 메인 스캔 스텝들(예컨대, 도 7의 스캔 스텝들(722) 및/또는 도 9의 스캔 스텝들(922))을 활용할 수 있고, 전자 디바이스가 슬립 상태 동안 그의 스피커를 통해 오디오를 재생하지 않는 상황에서, 전자 디바이스는 그러한 메인 스캔 스텝들에 의해 소비되는 전력을 감소시키기 위해 보다 짧은 길이를 갖는 메인 스캔 스텝들(예컨대, 도 7의 스캔 스텝들(722) 및/또는 도 9의 스캔 스텝들(922))을 활용할 수 있다. 슬립 상태 동안 터치 감지의 파라미터들이 전자 디바이스의 어떤 컴포넌트들(예컨대, Wi-Fi 또는 셀룰러 회로와 같은 무선 회로)이 슬립 상태 동안 전력 공급되거나 동작하는지, 또는 어떤 상태 또는 서브-상태로 전자 디바이스가 동작중인지에 기초하여 조정되는 다른 구현예들이 유사하게 고려된다. 예를 들어, 전자 디바이스가 하나의 상태(예컨대, 활성 상태)로부터 다른 상태(예컨대, 제1 저전력 상태, 제2 저전력 상태 등)로 전이함에 따라, 터치 감지의 주어진 파라미터(예컨대, 스캔 스텝의 길이, 전극 병합, 구동/감지 회로 비활성화 등과 같은 전술한 것들과 같은 것)가 변화될 수 있다.
따라서, 본 개시의 실시예들은 전자 디바이스의 슬립 상태 동안 터치를 감지하면서 슬립 상태 동안 낮은 전력 소모를 유지하는 다양한 방법들을 제공한다. 슬립 상태 동안 터치를 감지하는 것은 전자 디바이스의 터치 스크린 또는 터치 센서 패널 상에서, 전자 디바이스를 슬립 상태로부터 어웨이크 상태로 전이하기 위한 터치 입력을 검출하는 데 사용될 수 있다.
따라서, 상기에 따르면, 본 개시의 일부 실시예들은 터치 제어기에 관한 것으로, 터치 제어기는: 터치 센서 패널 상의 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하도록 구성되는 감지 회로; 및 터치 프로세서를 포함하며, 터치 프로세서는:
전자 디바이스가 제1 상태에 있는 동안 - 제1 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태에 있음 -, 감지 회로로 하여금 제1 길이를 갖는 하나 이상의 제1 터치 스캔 스텝들을 사용하여 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하게 하고; 전자 디바이스가 제1 상태와 상이한 제2 상태에 있는 동안 - 제2 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태와 상이한 제2 전력 상태에 있음 -, 감지 회로로 하여금 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 사용하여, 제2 상태로부터 제1 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하게 하도록 구성된다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제1 상태는 전자 디바이스의 어웨이크 상태를 포함하고, 제2 상태는 전자 디바이스의 슬립 상태를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 프로세서는 전자 디바이스가 제2 상태에 있는 동안 감지 회로로 하여금 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 사용하여 하나 이상의 터치 전극들에서 터치를 감지하게 하는 것에 응답하여, 감지 회로가 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지한다는 결정에 따라, 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하고; 터치 액티비티가 연장된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 제2 상태로부터 제1 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하고; 감지 회로가 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하지 않는다는 결정에 따라, 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들의 제2 길이를 유지하도록 더 구성된다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 것은 터치 프로세서가 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 식별할 수 있을 때까지 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 증분적으로 연장하는 것을 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예에서, 터치 프로세서는 전자 디바이스가 제2 상태에 있는 동안, 감지 회로가 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지한다는 결정에 따라, 하나 이상의 터치 전극들의 병합의 양을 감소시키도록 더 구성된다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 프로세서는 전자 디바이스가 제2 상태에 있는 동안, 터치 센서 패널에서의 터치 감지 노이즈의 양을 결정하고; 터치 감지 노이즈의 양이 노이즈 임계치보다 크다는 결정에 따라: 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하고; 연장된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 터치 액티비티가 제2 상태로부터 제1 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하며; 터치 감지 노이즈의 양이 노이즈 임계치보다 작다는 결정에 따라: 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들의 제2 길이를 유지하고; 유지된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 터치 액티비티가 제2 상태로부터 제1 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하도록 더 구성된다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 것은 터치 프로세서가 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 식별할 수 있을 때까지 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 증분적으로 연장하는 것을 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 제어기는 터치 스크린을 포함하는 전자 디바이스 내에 통합되고, 터치 스크린은 터치 센서 패널을 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 전자 디바이스의 디스플레이이고, 디스플레이의 제1 전력 상태는 디스플레이의 고전력 상태이며, 디스플레이의 제2 전력 상태는 디스플레이의 저전력 상태이다.
본 개시의 일부 실시예들은 터치 제어기에 관한 것으로, 터치 제어기는 터치 센서 패널 상의 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하도록 구성되는 감지 회로; 및 터치 프로세서를 포함하며, 터치 프로세서는: 전자 디바이스가 제1 상태에 있는 동안 - 제1 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태에 있음 -, 감지 회로로 하여금 제1 개수의 후보 터치 감지 주파수들로부터 선택된 제1 터치 감지 주파수를 사용하여 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하게 하고; 전자 디바이스가 제1 상태와 상이한 제2 상태에 있는 동안 - 제2 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태와 상이한 제2 전력 상태에 있음 -, 감지 회로로 하여금 제1 개수의 후보 터치 감지 주파수들보다 적은 제2 개수의 후보 터치 감지 주파수들로부터 선택된 제2 터치 감지 주파수를 사용하여, 제2 상태로부터 제1 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하게 하도록 구성된다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제1 상태는 전자 디바이스의 어웨이크 상태를 포함하고, 제2 상태는 전자 디바이스의 슬립 상태를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 프로세서는: 전자 디바이스가 제1 상태에 있는 동안, 제1 주기에서 제1 개수의 후보 터치 감지 주파수들의 각각에 대한 베이스라인 터치 데이터를 저장하고; 전자 디바이스가 제2 상태에 있는 동안, 제1 주기보다 적은 제2 주기에서 제2 개수의 후보 터치 감지 주파수들 각각에 대한 베이스라인 터치 데이터를 저장하도록 더 구성된다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제1 개수의 후보 터치 감지 주파수들 각각에 대한 베이스라인 터치 데이터 및 제2 개수의 후보 터치 감지 주파수들 각각에 대한 베이스라인 터치 데이터는 터치 액티비티가 없음을 나타내는 터치 데이터에 대응한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제2 개수의 후보 터치 감지 주파수들은 제1 개수의 후보 터치 감지 주파수들의 서브셋이다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 제어기는 터치 스크린을 포함하는 전자 디바이스 내에 통합되고, 터치 스크린은 터치 센서 패널을 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 전자 디바이스의 디스플레이이고, 디스플레이의 제1 전력 상태는 디스플레이의 고전력 상태이며, 디스플레이의 제2 전력 상태는 디스플레이의 저전력 상태이다.
본 개시의 일부 실시예들은 터치 제어기에 관한 것으로, 터치 제어기는: 터치 센서 패널 상의 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하도록 구성되는 감지 회로; 및 터치 프로세서를 포함하며, 터치 프로세서는, 전자 디바이스가 제1 상태에 있는 동안 - 제1 상태 동안 감지 회로는 제1 상태로부터 제2 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하고, 제1 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태에 있으며, 제2 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태와 상이한 제2 전력 상태에 있음 - : 감지 회로로 하여금 주기적으로 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔을 수행하게 하고; 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔 각각이 터치 센서 패널 상의 터치 액티비티를 나타낸다고 결정하는 것에 응답하여, 감지 회로로 하여금 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형에 비해 상이한 제2 스캔 유형의 스캔을 수행하여, 터치 액티비티가 제1 상태로부터 제2 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하게 하며; 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔 각각이 터치 센서 패널 상의 터치 액티비티를 나타내지 않는다고 결정하는 것에 응답하여: 제1 조건이 만족된다는 결정에 따라, 감지 회로로 하여금 터치 센서 패널의 제2 스캔 유형의 스캔을 수행하게 하는 것을 보류하고; 제1 조건이 만족되지 않는다는 결정에 따라, 감지 회로로 하여금 터치 센서 패널의 제2 스캔 유형의 스캔을 수행하여, 터치 센서 패널의 제2 스캔 유형의 스캔에 기초하여 베이스라인 터치 데이터를 업데이트하게 하도록 구성된다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제1 상태는 전자 디바이스의 어웨이크 상태를 포함하고, 제2 상태는 전자 디바이스의 슬립 상태를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔을 수행하는 것은 터치 센서 패널의 단일 스캔을 수행하는 것을 포함하고; 터치 센서 패널의 제2 스캔 유형의 스캔을 수행하는 것은 터치 센서 패널의 복수의 스캔들을 수행하는 것을 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 베이스라인 터치 데이터의 최종 업데이트 이후 시간이 임계량보다 큰 경우에, 제1 조건은 만족되지 않는다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 프로세서는, 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔 동안, 터치 센서 패널의 하나 이상의 에지들에서의 하나 이상의 터치 전극들에 대응하는 감지 회로에 의해 감지되는 터치 입력을 무시하도록 더 구성된다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 프로세서는, 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔 동안, 터치 센서 패널의 하나 이상의 에지들에서의 하나 이상의 터치 전극들에 대응하는 감지 회로를 전력 차단하도록 더 구성된다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 프로세서는, 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔 동안, 터치 센서 패널의 하나 이상의 에지들에서의 하나 이상의 터치 전극들에 대응하는 구동 회로를 전력 차단하도록 더 구성된다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 제어기는 터치 스크린을 포함하는 전자 디바이스 내에 통합되고, 터치 스크린은 터치 센서 패널을 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 전자 디바이스의 디스플레이이고, 디스플레이의 제1 전력 상태는 디스플레이의 고전력 상태이며, 디스플레이의 제2 전력 상태는 디스플레이의 저전력 상태이다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 프로세서는: 터치 액티비티가 제1 상태로부터 제2 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응한다고 결정하는 것에 응답하여, 제1 상태로부터 제2 상태로 전자 디바이스를 전이시키도록 더 구성된다.
본 개시의 일부 실시예들은 터치 센서 패널 상의 터치 감지 방법에 관한 것으로, 방법은: 전자 디바이스가 제1 상태에 있는 동안 - 제1 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태에 있음 -, 제1 길이를 갖는 하나 이상의 제1 터치 스캔 스텝들을 사용하여 터치 센서 패널 상의 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하는 단계; 및 전자 디바이스가 제1 상태와 상이한 제2 상태에 있는 동안 - 제2 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태와 상이한 제2 전력 상태에 있음 -, 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 사용하여, 제2 상태로부터 제1 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하는 단계를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제1 상태는 전자 디바이스의 어웨이크 상태를 포함하고, 제2 상태는 전자 디바이스의 슬립 상태를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 방법은, 전자 디바이스가 제2 상태에 있는 동안: 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 사용하여 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하는 것에 응답하여: 감지하는 단계가 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지한다는 결정에 따라: 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 단계; 터치 액티비티가 연장된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 제2 상태로부터 제1 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하는 단계; 및 감지하는 단계가 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하지 않는다는 결정에 따라, 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들의 제2 길이를 유지하는 단계를 더 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 단계는 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티가 식별될 수 있을 때까지 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 증분적으로 연장하는 단계를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예에서, 방법은, 전자 디바이스가 제2 상태에 있는 동안: 감지 회로가 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지한다는 결정에 따라, 하나 이상의 터치 전극들의 병합의 양을 감소시키는 단계를 더 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 방법은, 전자 디바이스가 제2 상태에 있는 동안: 터치 센서 패널에서의 터치 감지 노이즈의 양을 결정하는 단계; 터치 감지 노이즈의 양이 노이즈 임계치보다 크다는 결정에 따라: 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 단계; 연장된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 터치 액티비티가 제2 상태로부터 제1 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하는 단계; 터치 감지 노이즈의 양이 노이즈 임계치보다 작다는 결정에 따라: 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들의 제2 길이를 유지하는 단계; 및 유지된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 터치 액티비티가 제2 상태로부터 제1 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하는 단계를 더 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 단계는 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티가 식별될 수 있을 때까지 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 증분적으로 연장하는 단계를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 터치 스크린을 포함하며, 터치 스크린은 터치 센서 패널을 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 전자 디바이스의 디스플레이이고, 디스플레이의 제1 전력 상태는 디스플레이의 고전력 상태이며, 디스플레이의 제2 전력 상태는 디스플레이의 저전력 상태이다.
본 개시의 일부 실시예들은 터치 센서 패널 상의 터치 감지 방법에 관한 것으로서, 방법은: 전자 디바이스가 제1 상태에 있는 동안 - 제1 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태에 있음 -, 제1 개수의 후보 터치 감지 주파수들로부터 선택된 제1 터치 감지 주파수를 사용하여 터치 센서 패널 상의 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하는 단계; 및 전자 디바이스가 제1 상태와 상이한 제2 상태에 있는 동안 - 제2 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태와 상이한 제2 전력 상태에 있음 -, 감지 회로로 하여금, 제1 개수의 후보 터치 감지 주파수들보다 적은 제2 개수의 후보 터치 감지 주파수들로부터 선택된 제2 터치 감지 주파수를 사용하여, 제2 상태로부터 제1 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치를 감지하게 하는 단계를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제1 상태는 전자 디바이스의 어웨이크 상태를 포함하고, 제2 상태는 전자 디바이스의 슬립 상태를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 방법은: 전자 디바이스가 제1 상태에 있는 동안, 제1 주기에서 제1 개수의 후보 터치 감지 주파수들의 각각에 대한 베이스라인 터치 데이터를 저장하는 단계; 및 전자 디바이스가 제2 상태에 있는 동안, 제1 주기보다 적은 제2 주기에서 제2 개수의 후보 터치 감지 주파수들 각각에 대한 베이스라인 터치 데이터를 저장하는 단계를 더 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제1 개수의 후보 터치 감지 주파수들 각각에 대한 베이스라인 터치 데이터 및 제2 개수의 후보 터치 감지 주파수들 각각에 대한 베이스라인 터치 데이터는 터치 액티비티가 없음을 나타내는 터치 데이터에 대응한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제2 개수의 후보 터치 감지 주파수들은 제1 개수의 후보 터치 감지 주파수들의 서브셋이다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 터치 스크린을 포함하며, 터치 스크린은 터치 센서 패널을 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 전자 디바이스의 디스플레이이고, 디스플레이의 제1 전력 상태는 디스플레이의 고전력 상태이며, 디스플레이의 제2 전력 상태는 디스플레이의 저전력 상태이다.
본 개시의 일부 실시예들은 터치 센서 패널 상의 터치 감지 방법에 관한 것으로서, 방법은: 전자 디바이스가 제1 상태에 있는 동안 - 제1 상태 동안 제1 상태로부터 제2 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치가 하나 이상의 터치 전극들에서 감지되고, 제1 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태에 있으며, 제2 상태 동안 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태와 상이한 제2 전력 상태에 있음 - : 주기적으로 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔을 수행하는 단계; 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔 각각이 터치 센서 패널 상의 터치 액티비티를 나타낸다고 결정하는 것에 응답하여, 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형에 비해 상이한 제2 스캔 유형의 스캔을 수행하여, 터치 액티비티가 제1 상태로부터 제2 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하는 단계; 및 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔 각각이 터치 센서 패널 상의 터치 액티비티를 나타내지 않는다고 결정하는 것에 응답하여: 제1 조건이 만족된다는 결정에 따라, 터치 센서 패널의 제2 스캔 유형의 스캔을 수행하는 단계를 보류하는 단계; 제1 조건이 만족되지 않는다는 결정에 따라, 터치 센서 패널의 제2 스캔 유형의 스캔을 수행하여, 터치 센서 패널의 제2 스캔 유형의 스캔에 기초하여 베이스라인 터치 데이터를 업데이트하는 단계를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제1 상태는 전자 디바이스의 어웨이크 상태를 포함하고, 제2 상태는 전자 디바이스의 슬립 상태를 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔을 수행하는 것은 터치 센서 패널의 단일 스캔을 수행하는 것을 포함하고; 터치 센서 패널의 제2 스캔 유형의 스캔을 수행하는 것은 터치 센서 패널의 복수의 스캔들을 수행하는 것을 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 베이스라인 터치 데이터의 최종 업데이트 이후 시간이 임계량보다 큰 경우에, 제1 조건은 만족되지 않는다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 방법은: 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔 동안, 터치 센서 패널의 하나 이상의 에지들에서의 하나 이상의 터치 전극들에 대응하는 감지 회로에 의해 감지되는 터치 입력을 무시하는 단계를 더 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 방법은: 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔 동안, 터치 센서 패널의 하나 이상의 에지들에서의 하나 이상의 터치 전극들에 대응하는 감지 회로를 전력 차단하는 단계를 더 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 방법은: 터치 센서 패널의 제1 스캔 유형의 스캔 동안, 터치 센서 패널의 하나 이상의 에지들에서의 하나 이상의 터치 전극들에 대응하는 구동 회로를 전력 차단하는 단계를 더 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스는 터치 스크린을 포함하며, 터치 스크린은 터치 센서 패널을 포함한다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 전자 디바이스의 디스플레이이고, 디스플레이의 제1 전력 상태는 디스플레이의 고전력 상태이며, 디스플레이의 제2 전력 상태는 디스플레이의 저전력 상태이다. 전술한 하나 이상의 실시예들에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에서, 방법은: 터치 액티비티가 제1 상태로부터 제2 상태로 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응한다고 결정하는 것에 응답하여, 제1 상태로부터 제2 상태로 전자 디바이스를 전이시키는 단계를 더 포함한다.
본 개시의 실시예들이 첨부의 도면들을 참조하여 충분히 설명되었지만, 다양한 변경들 및 수정들이 본 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백하게 될 것이라는 것에 주목하여야 한다. 이러한 변경 및 수정은 첨부된 청구 범위에 의해 정의된 본 개시의 실시예들의 범위 내에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (18)

  1. 터치 제어기로서,
    터치 센서 패널 상의 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하도록 구성되는 감지 회로; 및
    터치 프로세서를 포함하며, 상기 터치 프로세서는:
    전자 디바이스가 제1 상태에 있는 동안 - 상기 제1 상태 동안 상기 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태에 있음 -, 상기 감지 회로로 하여금 제1 길이를 갖는 하나 이상의 제1 터치 스캔 스텝들을 사용하여 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하게 하고;
    상기 전자 디바이스가 상기 제1 상태와 상이한 제2 상태에 있는 동안 - 상기 제2 상태 동안 상기 전자 디바이스의 상기 제1 컴포넌트는 상기 제1 전력 상태와 상이한 제2 전력 상태에 있음 -:
    상기 감지 회로로 하여금 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 사용하여, 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 상기 전자 디바이스를 전이시키기 위한 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하게 하고;
    상기 전자 디바이스가 상기 제2 상태에 있는 동안 상기 감지 회로가 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하지 않는다는 결정에 따라, 상기 터치 제어기에 대한 베이스라인 터치 데이터를 업데이트하기 위한 프로세스를 개시하게 하도록 구성되며,
    상기 베이스라인 터치 데이터는 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티가 없음을 나타내는 터치 데이터에 대응하는, 터치 제어기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 상태는 상기 전자 디바이스의 어웨이크 상태를 포함하고, 상기 제2 상태는 상기 전자 디바이스의 슬립 상태를 포함하는, 터치 제어기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 터치 프로세서는, 상기 전자 디바이스가 상기 제2 상태에 있는 동안:
    상기 감지 회로로 하여금 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 사용하여 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하게 하는 것에 응답하여:
    상기 감지 회로가 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지한다는 결정에 따라:
    상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하고;
    상기 연장된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 상기 터치 액티비티가 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 상기 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하며;
    상기 감지 회로가 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하지 않는다는 결정에 따라, 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들의 상기 제2 길이를 유지하도록 더 구성되는, 터치 제어기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 것은 상기 터치 프로세서가 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 상기 터치 액티비티를 식별할 수 있을 때까지 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 증분적으로 연장하는 것을 포함하는, 터치 제어기.
  5. 제3항에 있어서, 상기 터치 프로세서는, 상기 전자 디바이스가 상기 제2 상태에 있는 동안:
    상기 감지 회로가 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지한다는 상기 결정에 따라, 상기 하나 이상의 터치 전극들의 병합(ganging)의 양을 감소시키도록 더 구성되는, 터치 제어기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 터치 프로세서는, 상기 전자 디바이스가 상기 제2 상태에 있는 동안:
    상기 터치 센서 패널에서의 터치 감지 노이즈의 양을 결정하고;
    상기 터치 감지 노이즈의 양이 노이즈 임계치보다 크다는 결정에 따라:
    상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하고;
    상기 연장된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 상기 터치 액티비티가 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 상기 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하며;
    상기 터치 감지 노이즈의 양이 상기 노이즈 임계치보다 작다는 결정에 따라:
    상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들의 상기 제2 길이를 유지하고;
    상기 유지된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 상기 터치 액티비티가 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 상기 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하도록 더 구성되는, 터치 제어기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 것은 상기 터치 프로세서가 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 상기 터치 액티비티를 식별할 수 있을 때까지 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 증분적으로 연장하는 것을 포함하는, 터치 제어기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 터치 제어기는 터치 스크린을 포함하는 전자 디바이스 내에 통합되고, 상기 터치 스크린은 상기 터치 센서 패널을 포함하는, 터치 제어기.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전자 디바이스의 상기 제1 컴포넌트는 상기 전자 디바이스의 디스플레이이고,
    상기 디스플레이의 상기 제1 전력 상태는 상기 디스플레이의 고전력 상태이며,
    상기 디스플레이의 상기 제2 전력 상태는 상기 디스플레이의 저전력 상태인, 터치 제어기.
  10. 터치 센서 패널 상의 터치 감지 방법으로서,
    전자 디바이스가 제1 상태에 있는 동안 - 상기 제1 상태 동안 상기 전자 디바이스의 제1 컴포넌트는 제1 전력 상태에 있음 -, 제1 길이를 갖는 하나 이상의 제1 터치 스캔 스텝들을 사용하여 상기 터치 센서 패널 상의 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하는 단계;
    상기 전자 디바이스가 상기 제1 상태와 상이한 제2 상태에 있는 동안 - 상기 제2 상태 동안 상기 전자 디바이스의 상기 제1 컴포넌트는 상기 제1 전력 상태와 상이한 제2 전력 상태에 있음 -:
    상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 사용하여, 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 상기 전자 디바이스를 전이시키기 위한 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하는 단계; 및
    상기 전자 디바이스가 상기 제2 상태에 있는 동안 상기 감지 회로가 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하지 않는다는 결정에 따라, 상기 터치 제어기에 대한 베이스라인 터치 데이터를 업데이트하기 위한 프로세스를 개시하는 단계
    를 포함하고,
    상기 베이스라인 터치 데이터는 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티가 없음을 나타내는 터치 데이터에 대응하는, 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 상태는 상기 전자 디바이스의 어웨이크 상태를 포함하고, 상기 제2 상태는 상기 전자 디바이스의 슬립 상태를 포함하는, 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 전자 디바이스가 상기 제2 상태에 있는 동안:
    상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 사용하여 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하는 단계에 응답하여:
    상기 감지하는 단계가 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지한다는 결정에 따라:
    상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 단계; 및
    상기 연장된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 상기 터치 액티비티가 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 상기 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 감지하는 단계가 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지하지 않는다는 결정에 따라, 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들의 상기 제2 길이를 유지하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 단계는 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 상기 터치 액티비티가 식별될 수 있을 때까지 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 증분적으로 연장하는 단계를 포함하는, 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 전자 디바이스가 상기 제2 상태에 있는 동안:
    상기 감지하는 단계가 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 터치 액티비티를 감지한다는 결정에 따라, 상기 하나 이상의 터치 전극들의 병합의 양을 감소시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 전자 디바이스가 상기 제2 상태에 있는 동안:
    상기 터치 센서 패널에서의 터치 감지 노이즈의 양을 결정하는 단계;
    상기 터치 감지 노이즈의 양이 노이즈 임계치보다 크다는 결정에 따라:
    상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 단계; 및
    상기 연장된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 상기 터치 액티비티가 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 상기 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 터치 감지 노이즈의 양이 상기 노이즈 임계치보다 작다는 결정에 따라:
    상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들의 상기 제2 길이를 유지하는 단계; 및
    상기 유지된 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들에 기초하여 상기 터치 액티비티가 상기 제2 상태로부터 상기 제1 상태로 상기 전자 디바이스를 전이시키기 위한 터치 입력에 대응하는지 여부를 결정하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 연장하는 단계는 상기 하나 이상의 터치 전극들에서의 상기 터치 액티비티가 식별될 수 있을 때까지 상기 하나 이상의 제2 터치 스캔 스텝들을 증분적으로 연장하는 단계를 포함하는, 방법.
  17. 제10항에 있어서, 상기 전자 디바이스는 터치 스크린을 포함하고, 상기 터치 스크린은 상기 터치 센서 패널을 포함하는, 방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 전자 디바이스의 상기 제1 컴포넌트는 상기 전자 디바이스의 디스플레이이고,
    상기 디스플레이의 상기 제1 전력 상태는 상기 디스플레이의 고전력 상태이며,
    상기 디스플레이의 상기 제2 전력 상태는 상기 디스플레이의 저전력 상태인, 방법.
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