KR101988055B1 - 저압 물리적 기상 증착(ｐｖｄ) 프로세스를 위한 개선된 플라즈마 점화 성능 - Google Patents

저압 물리적 기상 증착(ｐｖｄ) 프로세스를 위한 개선된 플라즈마 점화 성능 Download PDF

Info

Publication number
KR101988055B1
KR101988055B1 KR1020127007124A KR20127007124A KR101988055B1 KR 101988055 B1 KR101988055 B1 KR 101988055B1 KR 1020127007124 A KR1020127007124 A KR 1020127007124A KR 20127007124 A KR20127007124 A KR 20127007124A KR 101988055 B1 KR101988055 B1 KR 101988055B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
plasma ignition
plasma
supply
current
Prior art date
Application number
KR1020127007124A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120049344A (ko
Inventor
마틴 프리본
빈스 부르카르트
Original Assignee
노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 filed Critical 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
Publication of KR20120049344A publication Critical patent/KR20120049344A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101988055B1 publication Critical patent/KR101988055B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3444—Associated circuits

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

플라즈마 점화 시스템이 제공되며, 플라즈마 점화 시스템은 물리적 기상 증착(PVD) 시스템의 어댑터 링과 캐소드 타겟 양쪽에 걸쳐 플라즈마 점화 전압과 플라즈마 유지 전압을 선택적으로 공급하는 제 1 전압 서플라이를 포함한다. 제 2 전압 서플라이는 PVD 시스템의 어댑터 링과 애노드 링 양쪽에 걸쳐 제 2 전압을 선택적으로 공급한다. 플라즈마 점화 제어 모듈은 플라즈마 점화 전압과 보조 플라즈마 점화 전압을 사용하여 플라즈마를 점화시키고, 플라즈마가 점화된 이후, 플라즈마 유지 전압을 공급하며, 플라즈마 점화 전압과 보조 플라즈마 점화 전압의 공급을 정지시킨다.

Description

저압 물리적 기상 증착(ＰＶＤ) 프로세스를 위한 개선된 플라즈마 점화 성능{IMPROVED PLASMA IGNITION PERFORMANCE FOR LOW PRESSURE PHYSICAL VAPOR DEPOSITION (PVD) PROCESSES}
본 개시내용은 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)에 관한 것으로, 특히 PVD용 플라즈마 점화 시스템 및 방법에 관한 것이다.
본 명세서에서 제공되는 배경기술은 본 개시내용의 배경 상황을 전반적으로 설명하기 위한 것이다. 현재 본 발명의 발명자로 명명된 사람들이 행한 작업은, 이러한 작업이 본 배경기술 부분에서 설명되는 한, 뿐만 아니라 (만약 본 배경기술 부분에서 설명되지 않은 경우 본 출원의 출원시 종래 기술로서의 자격이 없는) 여러 양상의 설명으로 제공되는 한, 본 개시내용에 대한 종래 기술로서 명백하게 인정되는 것이 아니며 암시적으로 인정되는 것도 아니다.
이제 도 1을 참조하면, 예시적인 물리적 기상 증착(PVD) 시스템(10)이 도시된다. 단지 설명을 위한 것으로, 할로우 캐소드 마그네트론(Hollow Cathode Magnetron, HCM) 스퍼터링 시스템(HCM sputtering system)이 제시된다. PVD 시스템(10)은 캐소드 타겟 하우징(cathode target housing)(18) 및 캐소드 타겟(20)을 갖는 캐소드(16)를 포함한다. 애노드(anode)(24)는 애노드 링(anode ring)(28)을 포함하고, 애노드 링(28)은 캐소드 타겟(20)에 인접하게 정렬된다. 어댑터(adaptor)(34)는 애노드(24)에 인접하게 정렬됨과 아울러 어댑터 링(adaptor ring)(38)을 포함한다. 페디스털(pedestal)(42)이 챔버(chamber)(40) 내에 정렬된다. 직류(Direct Current, DC) 및/또는 무선 주파수(Radio Frequency, RF) 바이어스(bias)들이 페디스털(42)에 인가될 수 있다. 기판(44)(예를 들어, 웨이퍼)을 페디스털(42)의 캐소드를 향하고 있는 표면에 탈착가능하게 부착시키기 위해 정전하(ElectroStatic Charge, ESC)가 사용될 수 있다.
그 사용시, 비활성 가스(inert gas)가 캐소드 타겟(20)에 가깝게 챔버(40) 내에 공급된다. 단지 예시적인 것으로, 비활성 가스는 아르곤(Argon) 가스를 포함할 수 있다. 전형적으로는, 높은 전압 및 진공이 비활성 가스에 인가되어 이 가스를 이온화시키고, 이것은 플라즈마(plasma)를 생성하게 된다(이후 이것은 플라즈마 점화(plasma ignition)로 불림). 아래에서 설명되는 바와 같이, 자석 및/또는 전자석(50, 52, 54, 및/또는 56)이 플라즈마를 성형 및 집중시키기 위해 제공될 수 있다. 자석 및/또는 전자석(50)은 회전할 수 있다.
전압 서플라이(voltage supply)(V)가 캐소드 타겟(20)과 어댑터 링(38) 양쪽에 걸쳐 음의 DC 전압을 공급한다. 어댑터 링(38)과 챔버(chamber)(40)는 샤시 그라운드(chassis ground) 혹은 또 다른 기준 전위에 연결될 수 있다. 애노드 링(28)은 플로팅(floating) 상태에 있을 수 있다. 달리 말하면, 애노드 링(28)은 접지되지도 않고 바이어스 되지도 않는다.
도 1에 제시된 예에서, 캐소드 타겟(20)은 플라즈마의 집중을 돕기 위해 컵(cup) 모양과 같은 형상을 가질 수 있다. 캐소드 타겟(20)은 스퍼터링을 위해 금속 물질을 공급한다. 단지 예시적인 것으로, 캐소드 타겟(20)은 알루미늄, 탄탈륨, 혹은 다른 적절한 금속으로 만들어질 수 있으며, 이것은 기판(44) 상에 증착되게 된다.
자석 및/또는 전자석(50, 52 및/또는 54)에 의해 자기장이 발생될 수 있다. 추가적인 자석 또는 전자석(56)이 캐소드 타겟(20)의 다운스트림에서 애노드(24)에 가깝게 정렬될 수 있다. 자석 및/또는 전자석은 증착, 에칭율(etch rate), 및/또는 균일도(uniformity)를 제어하는데 사용될 수 있는 가변 이온 플럭스(ion flux)를 발생시킨다.
예를 들어, 캐소드 타겟(20)에 인접한 자석 및/또는 전자석은 캐소드 타겟(20)의 표면에 인접한 자기장 내에 자유 전자들을 트랩(trap)한다. 트랩된 전자들은 다이오드 스퍼터링(diode sputtering)에서와 동일한 정도로 캐소드 타겟(20)을 폭격(bombard)할 정도로 자유롭지 못하다. 자기장에 트랩되어 있는 경우 이러한 전자들이 지나가는 경로는 중성 가스 분자를 수 차수만큼 이온화시킬 확률을 증진시킨다. 이용가능한 이온들의 증가는, 타겟 물질이 침식되고 후속적으로 기판(44) 상에 증착되는 비율을 크게 증가시킨다.
전형적으로 플라즈마 플로팅 전위에서 유지되는 애노드(24)와 애노드 링(28)은 또한, 플라즈마 분포를 성형하기 위해 자석 및/또는 전자석과 함께 사용될 수 있다. 이온 에너지 및 에칭율은 페디스털(42)에 RF 바이어스를 인가함으로써 제어될 수 있다. 페디스털(42)의 추가적인 기능은 증착 및 스퍼터링 동안 웨이퍼 온도 제어를 포함할 수 있다.
일부 프로세스에 있어, 상대적으로 낮은 챔버 압력 및 플로우 레이트(flow rates)가 사용될 수 있다. 예를 들어, 일부 프로세스는 플로우 레이트가 2 SCCM(Standard Cubic Centimeters per Minute)인 아르곤 가스를 사용할 수 있고, 대략 2×10-4 토르(torr)의 챔버 압력을 사용할 수 있다. 이러한 낮은 압력 및 플로우 레이트에서 가동될 때, 플라즈마를 점화시키는 것은 어려울 수 있는바, 이는 시동하는 동안 타임아웃 에러(time-out error)를 일으킬 수 있다.
결과적으로, 이러한 낮은 압력 프로세스는 더 높은 압력 프로세스와 비교하여 플라즈마를 점화시키기 위해 훨씬 더 큰 바이어스 전압을 필요로 하는 경향이 있다. 보통, 플라즈마는, 상대적으로 큰 갭(gap)을 수반할 수 있는, 어댑터 링(38)과 캐소드 타겟(20) 사이에서 점화될 수 있다.
플라즈마 점화 시스템(plasma ignition system)이 제공되며, 플라즈마 점화 시스템은, 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 시스템의 어댑터 링(adapter ring)과 캐소드 타겟(cathode target) 양쪽에 걸쳐 플라즈마 점화 전압(plasma ignition voltage)과 플라즈마 유지 전압(plasma maintenance voltage)을 선택적으로 공급하는 제 1 전압 서플라이(voltage supply)를 포함한다. 제 2 전압 서플라이가 PVD 시스템의 어댑터 링과 애노드 링(anode ring) 양쪽에 걸쳐 제 2 전압을 선택적으로 공급한다. 플라즈마 점화 제어 모듈이, 플라즈마 점화 전압과 보조 플라즈마 점화 전압을 사용하여 플라즈마를 점화시키고, 플라즈마가 점화된 이후, 플라즈마 유지 전압을 공급하며, 플라즈마 점화 전압과 보조 플라즈마 점화 전압의 공급을 정지시킨다.
다른 특징에 있어서, 제 1 전압 서플라이는, 플라즈마가 점화되기 전에 플라즈마 점화 전압을 공급하는 플라즈마 점화 전압 서플라이와, 그리고 플라즈마가 점화된 이후 플라즈마 유지 전압을 공급하는 플라즈마 유지 전압 서플라이를 포함한다.
다른 특징에 있어서, 플라즈마 점화 제어 모듈은, 제 1 전압 서플라이에 의해 공급된 전압과 전류 중 적어도 하나를 전압 임계치와 전류 임계치 중 적어도 하나와 각각 비교하고, 그리고 이러한 비교에 근거하여 제 2 전압 서플라이를 사용하여 보조 플라즈마 점화 전압을 선택적으로 공급한다.
다른 특징에 있어서, 캐소드 타겟은 제 1 전압 서플라이의 음의 단자와 선택적으로 통신하고, 어댑터 링은 제 1 전압 서플라이의 양의 단자와 선택적으로 통신한다. 어댑터 링은 제 2 전압 서플라이의 음의 단자와 선택적으로 통신하고, 애노드 링은 제 2 전압 서플라이의 양의 단자와 통신한다. 플라즈마 점화 제어 모듈은, 측정된 전압이 전압 임계치보다 크고 측정된 전류가 전류 임계치보다 작을 때, 제 2 전압 서플라이로부터 보조 플라즈마 점화 전압을 공급한다. 플라즈마 점화 제어 모듈은, 측정된 전류가 전류 임계치보다 클 때 보조 플라즈마 점화 전압의 공급을 정지시킨다.
플라즈마 점화 시스템이 제공되며, 플라즈마 점화 시스템은, 물리적 기상 증착(PVD) 시스템의 캐소드 타겟과 어댑터 링 양쪽에 걸쳐 공급되는 제 1 전압을 전압 임계치와 비교하는 전압 비교 모듈을 포함한다. 전류 비교 모듈이 캐소드 타겟에 공급되는 전류를 전류 임계치와 비교한다. 이러한 비교에 근거하여, 전압 제어 모듈이 PVD 시스템의 어댑터 링과 애노드 링 양쪽에 걸쳐 제 2 전압을 선택적으로 공급한다.
다른 특징에 있어서, 전압 제어 모듈은, 측정된 전압이 전압 임계치보다 크고 측정된 전류가 전류 임계치보다 작을 때, 제 2 전압을 공급한다. 전압 제어 모듈은, 측정된 전류가 전류 임계치보다 클 때, 제 2 전압의 공급을 정지시킨다.
물리적 기상 증착(PVD) 시스템이 제공되며, 물리적 기상 증착(PVD) 시스템은 플라즈마 점화 시스템을 포함하고, 그리고 전압 제어 모듈과 통신하고 제 1 전압을 공급하는 제 1 전압 서플라이를 더 포함한다. 캐소드 타겟이 제 1 전압 서플라이의 음의 단자와 선택적으로 통신하고, 어댑터 링이 제 1 전압 서플라이의 양의 단자와 선택적으로 통신한다. 제 2 전압 서플라이는 전압 제어 모듈과 통신하고 제 2 전압을 공급한다. 어댑터 링이 제 2 전압 서플라이의 음의 단자와 선택적으로 통신하고, 그리고 애노드 링이 제 2 전압 서플라이의 양의 단자와 통신한다.
다른 특징에 있어서, PVD 시스템은 또한, 캐소드 타겟을 포함하는 캐소드와, 애노드 링을 포함하는 애노드와, 어댑터 링을 포함하는 어댑터와, 챔버와, 그리고 챔버 내에 정렬되며 기판을 지지하는 페디스털(pedestal)을 포함한다.
물리적 기상 증착(PVD) 시스템에서 플라즈마를 점화시키는 방법이 제공되며, 이 방법은, 물리적 기상 증착(PVD) 시스템의 어댑터 링과 캐소드 타겟 양쪽에 걸쳐 제 1 전압을 선택적으로 공급하는 단계와; PVD 시스템의 어댑터 링과 애노드 링 양쪽에 걸쳐 제 2 전압을 선택적으로 공급하는 단계와; 제 1 전압과 제 2 전압을 사용하여 플라즈마를 점화시키는 단계와; 그리고 플라즈마가 점화된 이후, 제 2 전압의 공급을 정지시키는 단계를 포함한다.
다른 특징에 있어서, 이 방법은, 측정된 전압이 전압 임계치보다 크고 측정된 전류가 전류 임계치보다 작을 때, 제 2 전압을 공급하는 단계를 포함한다. 이 방법은, 측정된 전류가 전류 임계치보다 클 때 제 2 전압의 공급을 정지시키는 단계를 포함한다.
다른 특징에 있어서, 이 방법은, 제 1 전압을 공급하는 제 1 전압 서플라이의 음의 단자를 캐소드 타겟과 연결시키는 단계와; 그리고 제 1 전압 서플라이의 양의 단자를 어댑터 링에 연결시키는 단계를 포함한다.
다른 특징에 있어서, 이 방법은, 제 2 전압 서플라이의 음의 단자를 어댑터 링과 연결시키는 단계와; 그리고 제 2 전압 서플라이의 양의 단자를 어댑터 링과 연결시키는 단계를 포함한다.
본 개시내용의 응용가능성의 또 다른 영역은 다음의 상세한 설명, 특허청구범위 및 도면으로부터 명백하게 될 것이다. 이러한 상세한 설명 및 특정 예들은 단지 예시적 목적으로 제공되는 것이지, 본 개시내용의 범위를 한정하려는 것이 아니다.
본 개시내용은 다음의 상세한 설명 및 첨부되는 도면으로부터 보다 더 완전히 이해될 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 물리적 기상 증착(PVD) 시스템의 단면도이다.
도 2는 본 개시내용에 따른 예시적 PVD 시스템의 단면도 및 기능 블록도이다.
도 3은 예시적인 플라즈마 점화 제어 모듈을 나타내는 기능적 블록도이다.
도 4는 대안적인 플라즈마 점화 제어 시스템의 기능적 블록도이다.
도 5는 본 개시내용에 따른 PVD 시스템에서 플라즈마를 점화하는 방법의 단계들을 나타낸다.
다음의 설명은 본질적으로 단지 예시적인 것이며, 본 개시내용, 그 응용, 혹은 용도를 한정하려하는 것이 아니다. 명료한 설명을 위해, 도면에서 유사한 요소를 식별하기 위해 동일한 참조 번호가 사용된다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, A, B, 및 C 중 적어도 하나라는 어구는, 비배타적 로직 연산자(OR)를 사용하여, 로직(A OR B OR C)을 의미하는 것으로 해석돼야 한다. 본 개시내용의 원리를 변경시킴 없이 본 명세서에서 설명되는 방법에서의 단계들은 서로 다른 순서로 실행될 수 있음을 이해해야 한다.
본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 모듈(module)이라는 용어는, 애플리케이션 특정 집적 회로(Application Specific Integrated Circuit, ASIC), 전자 회로, 하나 이상의 소프트웨어 또는 펌웨어 프로그램을 실행하는 (공유된 혹은 전용의 혹은 그룹) 프로세서 및/또는 (공유된 혹은 전용의 혹은 그룹) 메모리, 조합 로직 회로 그리고/또는 앞서 설명된 기능을 제공하는 다른 적절한 컴포넌트들을 말하거나, 그 일부이거나, 혹은 이러한 것들을 포함할 수 있다.
본 개시내용에서 설명되는 시스템 및 방법은 물리적 기상 증착(PVD) 시스템 및 방법에서 플라즈마 점화 신뢰도 및 속도를 향상시킨다. 선행하는 앞서의 설명이 마그네트론 및 할로우 캐소드 마그네트론(HCM) 타입 PVD 시스템 및 방법에 관한 세부사항을 제공하지만, 본 개시내용은 다른 타입의 PVD 시스템 및 방법에도 적용될 수 있다.
본 개시내용은 웨이퍼 오염 정도를 증가시킴 없이 스트라이크 신뢰도(strike reliability)를 증가시킨다. 본 개시내용은, 낮은 플로우 레이트, 저압 PVD 시스템 및 프로세스에 특히 적합하지만, 다른 PVD 시스템 및 방법에도 적용될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 저압 PVD 시스템은 플라즈마 점화 및 스퍼터링 동안 2×10-4 토르와 같거나 혹은 이보다 작은 챔버 압력을 사용한다. 낮은 플로우 레이트의 PVD 시스템은 플라즈마 점화 및 스퍼터링 동안 2 SCCM(standard cubic centimeters per minute)과 같거나 혹은 이보다 작은 플로우 레이트를 사용한다.
본 개시내용에 따르면, 애노드 링은 플라즈마 점화 동안 고전압 저전류 파워 서플라이에 의해 바이어스된다. 애노드 링 바이어스는 또한, 아래에서 더 설명되는 바와 같이, 캐소드 타겟 바이어스와 동기화된다.
전압, 압력 및 체적 모두가 가스를 이온화시키는 능력에 영향을 미친다. 점화 동안 애노드 링에 추가적인 전압을 인가함으로써, 플라즈마 스트라이크 신뢰도(plasma strike reliability)가 향상된다. 향상된 신뢰도는 더 짧아진 갭을 통한 전압 전위의 증가로 인한 것이다. 애노드 링에 양의 고전압을 인가함으로써, 캐소드 타겟과 애노드 링 사이에서 플라즈마가 점화된다. 플라즈마 스트라이킹 전압(plasma striking voltage)이 효과적으로 증가하게 되고, 플라즈마 스트라이킹 전압이 점프(jump)하는데 필요한 갭은 감소하게 된다. 단지 예시적인 것으로, 갭은 도 1의 시스템에서의 약 8 인치로부터 도 2의 시스템에서의 대략 0.5 인치보다 작은 수치까지 감소될 수 있다. 결과적으로, 플라즈마는 이러한 조건 하에서 점화될 확률이 훨씬 더 높다.
이제 도 2를 참조하면, 본 개시내용에 따른 PVD 시스템(100)이 제시된다. PVD 시스템 및 방법(100)은 도 1에 제시된 것과 유사한 구성요소들을 포함한다. 따라서, 동일한 참조 번호가 적절한 곳에 사용되었다.
PVD 시스템(100)은 또한, 플라즈마 점화 제어 모듈(102)을 포함하는바, 플라즈마 점화 제어 모듈(102)은, 플라즈마를 점화시키기 위해, 아래에서 설명되는 바와 같이, 전압 서플라이들(V1 및 V2)을 제어한다. 특히 플라즈마 점화 제어 모듈(102)은, 스퍼터링 프로세스가 인에이블될 때 제 1 전압 서플라이(V1)로부터 전압 및 전류를 전달하기 위해 제 1 전압 서플라이(V1)를 스위치온(switch on)시킨다. 예를 들어, 제 1 전압 서플라이(V1)는 플라즈마 점화 제어 모듈(102)에 의해 제어되는 스위치(S1)를 통해 전압을 공급할 수 있다. 제 1 전압 서플라이(V1)는 플라즈마를 점화시키는 동안은 플라즈마 점화 전압을 공급하고, 플라즈마가 점화된 이후에는 플라즈마 유지 전압을 공급한다.
스위치(S1)는 전압 서플라이를 캐소드 타겟(20)과 어댑터 링(38) 양쪽에 걸쳐 연결시킨다. 제 1 전압 서플라이(V1)의 음의 단자가 캐소드 타겟(20)에 연결될 수 있고, 양의 단자가 어댑터 링(38)에 연결될 수 있다. 어댑터 링(38)은 또한 샤시 그라운드 혹은 또 다른 기준 전위에 연결될 수 있다.
특히, 플라즈마 점화 제어 모듈(102)은, 스퍼터링 프로세스가 인에이블되고 어떤 다른 조건들이 충족되는 경우, 제 2 전압 서플라이(V2)로부터 전압 및 전류를 전달하기 위해 제 2 전압 서플라이(V2)를 스위치온시킨다. 예를 들어, 제 2 전압 서플라이(V2)는 플라즈마 점화 제어 모듈(102)에 의해 제어되는 제 2 스위치(S2)를 통해 전압을 공급할 수 있다. 제 2 스위치(S2)는 전압 서플라이(V2)를 애노드 링(28)과 어댑터 링(38) 양쪽에 걸쳐 연결시킨다. 제 2 전압 서플라이(V2)의 양의 단자가 애노드 링(28)에 연결될 수 있고, 음의 단자가 어댑터 링(38)에 연결될 수 있다.
플라즈마 점화 제어 모듈(102)은 또한 전류 센서(104)와 통신할 수 있고, 전류 센서(104)는 제 1 전압 서플라이(V1)에 의해 공급되는 전류를 모니터링한다. 플라즈마 점화 제어 모듈(102)은 또한 전압 센서(106)와 통신할 수 있고, 전압 센서(106)는 캐소드 타겟(20)과 어댑터 링(38) 양쪽에 걸친 전압을 모니터링한다. 플라즈마 점화 제어 모듈(102)은 측정된 전류 및 전압 중 적어도 하나를 전류 임계치 및 전압 임계치 중 적어도 하나와 각각 비교하고, 그리고 이러한 비교에 근거하여 스위치(S2)를 선택적으로 개방하거나 폐쇄한다.
플라즈마 챔버에서의 압력 및 플로우 레이트를 변경시킴 없이, 제 2 전압 서플라이(V2)가 애노드 링(28)에 전압을 공급하기 위해 부가되었다. 애노드 링(28)이 바이어싱된 상태에서 플라즈마의 점화 동안, 플라즈마는 캐소드 타겟(20)과 애노드 링(28) 사이에서 점화된다. 이것은 애노드 링(28)에 의해 보통 제공되는 갭을 제거한다.
애노드 링(28)이 항상 바이어싱된 상태는 웨이퍼 오염을 촉진시키는 경향이 있을 수 있다. 그러나, 이러한 경향은 애노드 링(28)의 바이어싱을 캐소드 타겟(20)의 바이어싱과 동기화시킴으로써 본 개시내용에 따라 완화된다. 만약 높은 전압이 애노드 링(28)을 계속 바이어싱한다면, 챔버(40)가 특정 압력에 도달할 때 기생 플라즈마가 애노드 링(28)과 어댑터 링(38)(이것은 접지되어 있음) 사이에서 점화하는 경향이 있을 수 있다. 기생 플라즈마는 잠재적으로 금속을 애노드 링(28)과 어댑터 링(38)(혹은 쉴드(shields))으로부터 기판(44) 상으로 스퍼터링할 수 있다.
따라서, 플라즈마 점화 제어 모듈(102)은 캐소드 타겟 전압을 모니터링한다. 플라즈마가 점화하려 할 때, 플라즈마 점화 제어 모듈(102)은 애노드 링(28)에 대한 제 2 전압 서플라이를 제어한다. 애노드 링(28)에 대한 전압 바이어스를 캐소드 타겟(20)에 대한 전압 바이어스와 동기화시키는 것은 또한, 플라즈마가, 애노드 링(28)과 어댑터 링(38) 사이 대신, 캐소드 타겟과 애노드 링 사이에서 점화하도록 한다. 이러한 것이 일어나는 이유는, 가스 압력 및 갭이 대략 동일한 상태에서, 애노드 링(28)과 어댑터 링(38) 간의 전압 전위(1500V+)와 비교하여 캐소드 타겟(20)과 애노드 링(28) 간의 전압 전위(2900V+)가 더 크기 때문이다.
이제 도 3을 참조하면, 도 2의 플라즈마 점화 제어 모듈(102)의 예시적 구현예가 더 상세히 제시된다. 플라즈마 점화 제어 모듈(102)은 전압 비교 모듈(150)을 포함한다. 전압 비교 모듈(150)은 전압 센서(106)로부터의 측정된 전압(VMeas)을 전압 임계치(VTHR)와 비교하여, 전압 비교 신호를 발생시킨다.
플라즈마 점화 제어 모듈(102)은 또한 전류 비교 모듈(154)을 포함한다. 전류 비교 모듈(154)은 전류 센서(104)로부터의 측정된 전류(IMeas)을 전류 임계치(ITHR)와 비교하여, 전류 비교 신호를 발생시킨다. 전압 제어 모듈(158)이 전압 비교 신호와 전류 비교 신호를 수신하고, 아래에서 설명되는 바와 같이 이 신호에 근거하여 스위치들(S1 및 S2)을 선택적으로 제어한다.
이제 도 4를 참조하면, 대안적인 예시적 구현예가 제시된다. 전압 소스(V1)는 플라즈마 점화 전압 소스(170) 및 플라즈마 유지 전압 소스(174)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 스위치(S1) 및 전류 센서(104)는 또한, 전압 소스(V1)의 일부일 수 있다. 플라즈마 점화 전압 소스(170)는 점화 동안 높은 전압 및 낮은 전류를 제공한다. 플라즈마 점화가 일어난 이후, 플라즈마 유지 전압 소스(174)는 더 낮은 전압 및 더 높은 전류를 발생시킨다.
단지 예시적인 것으로, 플라즈마 점화 전압 소스(170)에 의해 발생된 전압은 대략 575V DC보다 더 클 수 있고, 전류는 0.75A보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 플라즈마 점화 전압 소스(170)는 대략 1400V DC를 발생시킬 수 있다. 플라즈마 유지 전압 소스(174)는 챔버의 임피던스 및 다른 요인들에 따라 대략 575V DC보다 작은 전압과, 그리고 0.75A보다 큰 전류를 발생시킬 수 있다.
플라즈마 점화 제어 모듈(178)은, 플라즈마 점화 동안 제 1 전압을 제공하기 위해 플라즈마 점화 전압 소스(170)를 제어하고, 플라즈마 점화 이후 제 1 전압을 제공하기 위해 플라즈마 유지 전압 소스(174)를 제어한다. 또는, 플라즈마 점화 제어 모듈(178)은 도 2 및 도 3에서의 플라즈마 점화 제어 모듈(102)과 유사한 방식으로 동작한다.
이제 도 5를 참조하면, 물리적 기상 증착 시스템에서 플라즈마를 점화시키는 방법(200)이 제시된다. 이 제어 방법은 단계(202)에서 시작한다. 단계(204)에서, 비활성 가스가 챔버 내에 공급된다. 단계(208)에서, 플라즈마 점화 신호가 거짓(false)으로 설정된다.
단계(212)에서, 캐소드 타겟(20)과 어댑터 링(38) 양쪽에 걸쳐 전압(V1)을 공급하기 위해 스위치(S1)가 폐쇄된다. 단계(214)에서는, 측정된 전압(VMEAS)이 전압 임계치(VTHR)와 비교된다. 단계(214)에서, 만약 측정된 전압(VMEAS)이 전압 임계치(VTHR)보다 작다면, 저전압 표시 신호가 단계(218)에서 발생되고, 단계(222)에서 이 제어 방법은 종료된다(혹은 단계(214)로 리턴한다).
단계(214)에서, 만약 측정된 전압(VMEAS)이 전압 임계치(VTHR)보다 크다면, 단계(224)에서, 전류 임계치(ITHR)와 측정된 전류(IMeas)가 비교된다. 단계(224)에서, 만약 측정된 전류(IMeas)가 전류 임계치(ITHR)보다 작다면, 캐소드 타겟(20)과 어댑터 링(38) 양쪽에 걸쳐 적절한 전압과 전류가 존재하는 것이고, 플라즈마는 점화될 수 있다. 플라즈마 점화 신호가 단계(228)에서 거짓으로 설정되고, 스위치(S2)는 단계(232)에서 폐쇄된다. 스위치(S2)를 폐쇄함으로써, 애노드 링(28)은 앞서 설명된 바와 같이 전압(V2)으로 바이어싱된다.
단계(238)에서, 이 제어 방법은 PVD 시스템이 인에이블된 상태에 있는지 여부를 결정한다. 달리 말하면, 만약 운영자(operator)가 PVD 시스템을 턴오프(turn off)시켰다면, 플라즈마를 점화시킬 이유가 없다. 만약 단계(238)가 참(true)이면, 이 제어 방법은 단계(214)로 리턴한다. 만약 PVD 시스템이 이제 더 이상 온(on) 상태가 아니라면, 이 제어 방법은 단계(222)로 진행하고, 여기서 제어 방법은 종료된다.
단계(224)에서, 만약 측정된 전류(IMeas)가 전류 임계치(ITHR)보다 크다면, 플라즈마는 점화된 것이고, 단계(240)에서, 스위치(S2)는 개방된다. 이것은 애노드 링(28)으로부터 바이어스를 제거하는데, 왜냐하면 플라즈마는 점화되었기 때문이다. 단계(244)에서, 플라즈마 점화 신호는 참(true)으로 설정되고, 이 제어 방법은 단계(238)에서 계속된다.
본 개시내용은 노벨러스 시스템사(Novellus Systems Inc.)로부터 입수가능한 Inova NExT PVD 챔버를 사용하여 구현될 수 있고, 하지만 다른 타입의 PVD 시스템도 사용될 수 있다. 32nm 용 저압 프로세스 윈도우는 아르곤 가스 플로우 레이트가 대략 2 SCCM이고 챔버 압력이 대략 2×10-4 토르이다. 전류 임계치는 0.75 암페어의 전류로 설정될 수 있고, 전압 임계치는 575V DC로 설정될 수 있으며, 하지만 다른 임계치들도 사용될 수 있다. 제 1 전압 서플라이는 1400V DC를 제공할 수 있고, 제 2 전압 서플라이는 1500V DC를 제공할 수 있다.
실험 데이터 결과는 플라즈마 점화 시간에서의 상당한 개선을 보여준다. 상당한 개수의 샘플들을 통해, 최대 플라즈마 점화 시간은 7초 이상에서 1초로 개선되었고, 평균 점화 시간은 1.5초에서 대략 0.2초로 개선되었다.
본 개시내용의 광범위한 설명은 다양한 형태로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시내용이 특정 예를 포함하지만 본 개시내용의 진정한 범위는 이러한 것에만 한정돼서는 안 되는데, 왜냐하면 본 개시내용의 도면, 상세한 설명 및 다음의 특허청구범위를 학습함으로 다른 수정들이 명백하게 가능하기 때문이다.

Claims (24)

  1. 플라즈마 점화 시스템(plasma ignition system)으로서,
    물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 시스템의 어댑터 링(adapter ring)과 캐소드 타겟(cathode target) 양쪽에 걸쳐 플라즈마 점화 전압(plasma ignition voltage)과 플라즈마 유지 전압(plasma maintenance voltage)을 선택적으로 공급하는 제 1 전압 서플라이(voltage supply)와;
    상기 PVD 시스템의 상기 어댑터 링과 애노드 링(anode ring) 양쪽에 걸쳐 보조 플라즈마 점화 전압(auxiliary plasma ignition voltage)을 선택적으로 공급하는 제 2 전압 서플라이와; 그리고
    상기 플라즈마 점화 전압과 상기 보조 플라즈마 점화 전압을 사용하여 플라즈마를 점화시키고, 상기 플라즈마가 상기 플라즈마 점화 전압 및 상기 보조 플라즈마 점화 전압을 이용하여 점화된 이후, 상기 플라즈마 유지 전압을 공급하며, 상기 플라즈마 점화 전압과 상기 보조 플라즈마 점화 전압의 공급을 정지시키는 플라즈마 점화 제어 모듈을 포함하는, 플라즈마 점화 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제 1 전압 서플라이는,
    상기 플라즈마가 점화되기 전에 상기 플라즈마 점화 전압을 공급하는 플라즈마 점화 전압 서플라이와; 그리고
    상기 플라즈마가 점화된 이후 상기 플라즈마 유지 전압을 공급하는 플라즈마 유지 전압 서플라이를 포함하는, 플라즈마 점화 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 점화 제어 모듈은, 상기 제 1 전압 서플라이에 의해 공급된 전압과 전류 중 적어도 하나를 전압 임계치와 전류 임계치 중 적어도 하나와 각각 비교하고, 그리고 상기 비교에 근거하여 상기 제 2 전압 서플라이를 사용하여 상기 보조 플라즈마 점화 전압을 선택적으로 공급하는, 플라즈마 점화 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 캐소드 타겟은 상기 제 1 전압 서플라이의 음의 단자와 선택적으로 통신하고, 상기 어댑터 링은 상기 제 1 전압 서플라이의 양의 단자와 선택적으로 통신하는, 플라즈마 점화 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 어댑터 링은 상기 제 2 전압 서플라이의 음의 단자와 선택적으로 통신하고, 상기 애노드 링은 상기 제 2 전압 서플라이의 양의 단자와 통신하는, 플라즈마 점화 시스템.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 플라즈마 점화 제어 모듈은, 상기 전압이 상기 전압 임계치보다 크고 상기 전류가 상기 전류 임계치보다 작을 때, 상기 제 2 전압 서플라이로부터 상기 보조 플라즈마 점화 전압을 공급하는, 플라즈마 점화 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 플라즈마 점화 제어 모듈은, 상기 전류가 상기 전류 임계치보다 클 때 상기 보조 플라즈마 점화 전압의 공급을 정지시키는, 플라즈마 점화 시스템.
  8. 제1항의 플라즈마 점화 시스템을 포함하는 물리적 기상 증착(PVD) 시스템으로서,
    상기 캐소드 타겟을 포함하는 캐소드와;
    상기 애노드 링을 포함하는 애노드와;
    상기 어댑터 링을 포함하는 어댑터와;
    챔버(chamber)와; 그리고
    상기 챔버 내에 정렬되며 기판을 지지하는 페디스털(pedestal)을 더 포함하는, 물리적 기상 증착 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 캐소드 타겟은 컵(cup) 형상인, 물리적 기상 증착 시스템.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 챔버의 압력은 플라즈마 점화 동안 2×10-4 토르(torr) 이하이고, 비활성 가스의 플로우 레이트는 플라즈마 점화 동안 2 SCCM(Standard Cubic Centimeters per Minute) 이하인, 물리적 기상 증착 시스템.
  11. 플라즈마 점화 시스템으로서,
    물리적 기상 증착(PVD) 시스템의 캐소드 타겟과 어댑터 링 양쪽에 걸쳐 공급되는 제 1 전압을 전압 임계치와 비교하는 전압 비교 모듈과;
    상기 캐소드 타겟에 공급되는 전류를 전류 임계치와 비교하는 전류 비교 모듈과; 그리고
    (i) 상기 전압 임계치에 대한 상기 제 1 전압의 비교 및 (ii) 상기 전류 임계치에 대한 상기 캐소드 타겟에 공급되는 전류의 비교 중 적어도 하나에 근거하여 상기 PVD 시스템의 상기 어댑터 링과 애노드 링 양쪽에 걸쳐 제 2 전압을 선택적으로 공급하는 전압 제어 모듈을 포함하는, 플라즈마 점화 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 전압 제어 모듈은, 상기 제 1 전압이 상기 전압 임계치보다 크고 상기 전류가 상기 전류 임계치보다 작을 때, 상기 제 2 전압을 공급하는, 플라즈마 점화 시스템.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 전압 제어 모듈은, 상기 전류가 상기 전류 임계치보다 클 때, 상기 제 2 전압의 공급을 정지시키는, 플라즈마 점화 시스템.
  14. 제11항의 플라즈마 점화 시스템을 포함하는 물리적 기상 증착(PVD) 시스템으로서,
    상기 전압 제어 모듈과 통신하고 상기 제 1 전압을 공급하는 제 1 전압 서플라이를 더 포함하며,
    상기 캐소드 타겟은 상기 제 1 전압 서플라이의 음의 단자와 선택적으로 통신하고, 상기 어댑터 링은 상기 제 1 전압 서플라이의 양의 단자와 선택적으로 통신하는, 물리적 기상 증착 시스템.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 전압 제어 모듈과 통신하고 상기 제 2 전압을 공급하는 제 2 전압 서플라이를 더 포함하며,
    상기 어댑터 링은 상기 제 2 전압 서플라이의 음의 단자와 선택적으로 통신하고, 그리고 상기 애노드 링은 상기 제 2 전압 서플라이의 양의 단자와 통신하는, 물리적 기상 증착 시스템.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 캐소드 타겟을 포함하는 캐소드와;
    상기 애노드 링을 포함하는 애노드와;
    상기 어댑터 링을 포함하는 어댑터와;
    챔버와; 그리고
    상기 챔버 내에 정렬되며 기판을 지지하는 페디스털을 더 포함하는, 물리적 기상 증착 시스템.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 캐소드 타겟은 컵 형상인, 물리적 기상 증착 시스템.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 챔버의 압력은 플라즈마 점화 동안 2×10-4 토르 이하이고, 비활성 가스의 플로우 레이트는 플라즈마 점화 동안 2 SCCM(Standard Cubic Centimeters per Minute) 이하인, 물리적 기상 증착 시스템.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 유지 전압, 상기 플라즈마 점화 전압 및 상기 보조 플라즈마 점화 전압은 DC 바이어스 전압들인, 플라즈마 점화 시스템.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 제 1 전압 및 상기 제 2 전압은 DC 바이어스 전압들인, 플라즈마 점화 시스템.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
KR1020127007124A 2009-08-31 2010-08-23 저압 물리적 기상 증착(ｐｖｄ) 프로세스를 위한 개선된 플라즈마 점화 성능 KR101988055B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/550,573 US9111733B2 (en) 2009-08-31 2009-08-31 Plasma ignition performance for low pressure physical vapor deposition (PVD) processes
US12/550,573 2009-08-31
PCT/US2010/046310 WO2011025729A2 (en) 2009-08-31 2010-08-23 Improved plasma ignition performance for low pressure physical vapor deposition (pvd) processes

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177012488A Division KR20170067842A (ko) 2009-08-31 2010-08-23 저압 물리적 기상 증착(ｐｖｄ) 프로세스를 위한 개선된 플라즈마 점화 성능

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120049344A KR20120049344A (ko) 2012-05-16
KR101988055B1 true KR101988055B1 (ko) 2019-06-11

Family

ID=43623224

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127007124A KR101988055B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-23 저압 물리적 기상 증착(ｐｖｄ) 프로세스를 위한 개선된 플라즈마 점화 성능
KR1020177012488A KR20170067842A (ko) 2009-08-31 2010-08-23 저압 물리적 기상 증착(ｐｖｄ) 프로세스를 위한 개선된 플라즈마 점화 성능

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177012488A KR20170067842A (ko) 2009-08-31 2010-08-23 저압 물리적 기상 증착(ｐｖｄ) 프로세스를 위한 개선된 플라즈마 점화 성능

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9111733B2 (ko)
KR (2) KR101988055B1 (ko)
TW (1) TWI546399B (ko)
WO (1) WO2011025729A2 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9194045B2 (en) * 2012-04-03 2015-11-24 Novellus Systems, Inc. Continuous plasma and RF bias to regulate damage in a substrate processing system
US9145607B2 (en) 2013-10-22 2015-09-29 Lam Research Corporation Tandem source activation for cyclical deposition of films
JP5788616B1 (ja) * 2015-02-04 2015-10-07 株式会社京三製作所 高周波電源装置、及びデュアルカソード用電源
WO2019067451A1 (en) * 2017-09-26 2019-04-04 Advanced Energy Industries, Inc. SYSTEM AND METHOD FOR IGNITION OF PLASMA
US11803118B2 (en) 2021-04-12 2023-10-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for photomask processing
CN115856397B (zh) * 2022-12-09 2023-08-25 哈尔滨工程大学 一种等离子点火系统的放电电压测量辅助工具

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050006222A1 (en) * 1999-10-08 2005-01-13 Peijun Ding Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5468296A (en) 1993-12-17 1995-11-21 Lsi Logic Corporation Apparatus for igniting low pressure inductively coupled plasma
US6368469B1 (en) * 1996-05-09 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Coils for generating a plasma and for sputtering
JP2921493B2 (ja) 1996-07-02 1999-07-19 日本電気株式会社 プラズマ発生装置
JPH10340794A (ja) 1997-06-05 1998-12-22 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd プラズマ発生装置
US6447655B2 (en) * 2000-05-30 2002-09-10 Alexander D. Lantsman DC plasma power supply for a sputter deposition
US6642146B1 (en) * 2001-03-13 2003-11-04 Novellus Systems, Inc. Method of depositing copper seed on semiconductor substrates
US7851368B2 (en) 2005-06-28 2010-12-14 Lam Research Corporation Methods and apparatus for igniting a low pressure plasma

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050006222A1 (en) * 1999-10-08 2005-01-13 Peijun Ding Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering

Also Published As

Publication number Publication date
TW201129707A (en) 2011-09-01
TWI546399B (zh) 2016-08-21
KR20170067842A (ko) 2017-06-16
US9111733B2 (en) 2015-08-18
US20110048924A1 (en) 2011-03-03
KR20120049344A (ko) 2012-05-16
WO2011025729A2 (en) 2011-03-03
WO2011025729A3 (en) 2011-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5541677B2 (ja) 真空処理装置、バイアス電源および真空処理装置の操作方法
KR101988055B1 (ko) 저압 물리적 기상 증착(ｐｖｄ) 프로세스를 위한 개선된 플라즈마 점화 성능
EP0983394B1 (en) Method and apparatus for low pressure sputtering
US8435389B2 (en) RF substrate bias with high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS)
KR100372385B1 (ko) 박막형성방법 및 박막형성장치
US4874494A (en) Semiconductor manufacturing apparatus
US6620296B2 (en) Target sidewall design to reduce particle generation during magnetron sputtering
US5202008A (en) Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber
US7517437B2 (en) RF powered target for increasing deposition uniformity in sputtering systems
GB2437730A (en) HIPIMS with low magnetic field strength
Poolcharuansin et al. Plasma parameters in a pre-ionized HiPIMS discharge operating at low pressure
US5976334A (en) Reliable sustained self-sputtering
KR101593544B1 (ko) 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법
JP2003517517A (ja) 仮想シャッタを用いたスパッタリング方法
WO2015025823A1 (ja) スパッタリング成膜装置及びスパッタリング成膜方法
US6248220B1 (en) Radio frequency sputtering apparatus and film formation method using same
US20100230280A1 (en) Self-ionized sputtering apparatus
JPH08138595A (ja) イオン源
JP2006137966A (ja) スパッタリング装置およびスパッタリング方法
KR20200081844A (ko) 플라즈마소스의 전극판 에칭 억제 수단이 마련된 스퍼터

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2017101002249; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20170508

Effective date: 20190227

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant