KR101983858B1 - 층 사이의 간격을 조절할 수 있는 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

제 1 기판, 상기 제 1 기판 상에 배치되는 표시소자층, 상기 표시소자층 상에 배치되는 제 2 기판 및 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 배치되는 스페이서층을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

층 사이의 간격을 조절할 수 있는 디스플레이 장치{GAP CONTROLLABLE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 전계 발광 표시장치(OLED) 및 액정 표시장치(LCD)에 관한 것으로 특히, 상기 디스플레이의 층 사이 간격을 조절할 수 있는 스페이서층을 구비한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 다양한 요구에 따른 평판 디스플레이 장치에 관한 연구가 점차 증가하고 있다. 최근에는 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting display) 디스플레이를 이용한 장치에 관한 연구가 많이 이루어지고 있다. 특히, OLED의 경우 경량, 박형 및 저전력의 장점으로 차세대 디스플레이로써 각광받고 있으며, LCD의 경우 대면적 및 장수명의 장점으로 현재 널리 사용되고 있다.
이러한 LCD 및 OLED를 이용한 디스플레이 장치에서는 상기 LCD 및 OLED에서 생성된 빛을 얼마나 많이 추출해내는가와 같은 광추출 효율에 관한 문제가 성능면에 있어서 중요한 문제가 된다. 따라서 상기 LCD 및 OLED 분야에서는 전력 소모를 줄이면서 광추출 효율을 극대화하는 방법들에 관한 연구가 많이 진행되고 있다.
LCD(Liquid Crystal Display)는 액정셀 양단에 전압을 인가하여 상기 액정 분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 소자로서, 구동방식에 따라 LCD 패널의 전면으로부터 입사시킨 빛을 패널 뒷면에 부착되어 있는 반사판에 반사시켜 상을 나타내는 반사형 LCD와 배면으로부터 주위광 또는 형광을 입사시켜 상을 나타내는 투과형 LCD가 있다.
배면 광원을 사용하는 투과형 LCD는 실내나 어두운 곳에서 높은 휘도와 명암 대비비를 가지는 반면 실외나 밝은 곳에서는 높은 휘도 및 명암 대비비를 보일 수 없다. 그에 반해 반사형 LCD는 주변광을 광원으로 사용하므로 실외 혹은 밝은 곳에서의 전기 광학 특성이 양호한 장점이 있지만 실내 및 어두운 곳에서의 사용이 제한된다.
최근에는 디스플레이의 이동성의 범위가 확대됨에 따라 실내외 모두에서 디스플레이 특성이 확보될 수 있는 반투과형 LCD가 각광받고 있는데, 이러한 반투과형 LCD의 경우 반사영역과 투과영역의 광경로 차이에 의한 특성의 차이를 보상하기 위하여 일정한 셀갭(cell gap)을 필요로 한다.
종래에는 LCD 상부기판과 하부기판 사이에 일정한 셀갭(cell gap)을 유지하기 위해서 마이크로 캡슐(capsule)형 스페이서(spacer) 또는 칼럼(column)형 스페이서(spacer)를 사용하여 일정한 셀갭(cell gap)을 유지하도록 하였다.
상기와 같은 방법을 사용하는 경우 LCD에서 최적의 광경로를 갖는 셀갭(cell gap)을 유지할 수는 있으나, 상기 스페이서로 인한 투과율이 저하되는 문제가 있다.
한편, OLED(Organic Light Emitting display)는 양극(anode)으로부터 공급된 홀(Hole)과 음극(cathode)으로부터 공급된 전자(electron)가 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기 발광층 내에서 결합하여 빛을 방출하는 소자이다.
상기 OLED의 유기 발광층으로부터 발생된 빛은 상기 OLED에 구비된 여러 기능층을 거쳐서 외부로 추출되는데, 이때 광경로 차이에 따른 스펙트럼의 변화로 인해 시야각 특성이 저하되는 문제가 있다.
이에 본 발명에서는 디스플레이 장치에서 두께를 임의로 변화시킬 수 있는 재료를 사용하여 광경로를 조절함으로써, 디스플레이가 최적의 광경로를 갖을 수 있도록 한다.
또한, LCD의 경우 광 투과율을 개선하고, OLED의 경우 시야각 특성을 개선하고자 한다.
제 1 기판, 상기 제 1 기판 상에 배치되는 표시소자층, 상기 표시소자층 상에 배치되는 제 2 기판 및 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 배치되는 스페이서층을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
상기 스페이서층은 상기 제 1 기판 및 표시소자층 사이에 배치될 수 있다.
상기 스페이서층은 상기 표시소자층 및 제 2 기판 사이에 배치될 수 있다.
상기 스페이서층은 상기 표시소자층과 이격되어 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 배치될 수 있다.
상기 표시소자층은 제 1 전극, 상기 제 1 전극과 대향되어 배치되는 제 2 전극 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 배치되는 활성층을 포함할 수 있다.
상기 활성층은 유기 발광층으로 형성될 수 있다.
상기 활성층이 유기 발광층인 경우, 상기 표시소자층은 상기 제 1 전극 및 유기 발광층 사이에 정공주입층(HIL) 및 정공수송층(HTL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 활성층이 유기 발광층인 경우, 상기 표시소자층은 상기 제 2 전극 및 유기 발광층 사이에 전자주입층(EIL) 및 전자수송층(ETL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 활성층은 액정층으로 형성될 수 있다.
상기 스페이서층은 제 1 스페이서 전극, 상기 제 1 스페이서 전극과 대향되어 배치되는 제 2 스페이서 전극 및 상기 제 1 스페이서 전극 및 제 2 스페이서 전극 사이에 배치되는 전기 활성 고분자층을 포함할 수 있다.
상기 전기 활성 고분자층은 상기 제 1 스페이서 전극 및 제 2 스페이서 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 두께가 달라질 수 있다.
상기 전기 활성 고분자층은 광투과성 고분자를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 전기 활성 고분자층은 PVDF(Poly vinylidene fluoride), PDMS(Poly dimethyl siloxan) 및 PVFT(Poly vinylidene fluoride-co-triflurethylene) 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 제 1 스페이서 전극 및 제 2 스페이서 전극은 광투과성 재료를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 광투과성 재료는 투명 전도성 산화물(TCO: Transparent Conductive Oxide)을 포함할 수 있다.
상기 투명 전도성 산화물은ITO, IZO, ATO, AZO, ZnO 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
디스플레이 장치가 최적의 광경로를 가질 수 있도록 디스플레이의 두께를 조절할 수 있다.
또한, LCD의 경우 투과율을 개선하고, OLED의 경우 시야각 특성을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 스페이서층을 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전기 활성 고분자층에 전압을 인가하기 전(a) 및 전압을 인가한 후(b)를 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 전기 활성 고분자층에 인가되는 전압에 따른 두께 변화율을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 스페이서층을 구비한 유기 발광 디스플레이를 나타낸 도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 스페이서층을 구비한 유기 발광 디스플레이를 나타낸 도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 표시소자층을 나타낸 도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 스페이서층을 구비한 액정 디스플레이의 정면도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 스페이서층을 구비한 액정 디스플레이의 측면도이다.
이하, 구체적인 도면을 참조하여 본 발명의 예들을 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 범위가 하기 설명하는 실시예나 도면들로 한정되는 것은 아니다. 이하에서 설명되는 내용과 도면에 도시된 실시예들로부터 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.
참고로, 상기 도면에서는, 이해를 돕기 위하여 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하였다. 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
또한, 어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 또는 구성요소의 '상'에 있다 라고 기재되는 경우에는, 상기 어떤 층이나 구성요소가 상기 다른 층이나 구성요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 스페이서층(400)의 구성요소를 나타낸 도이다.
도 1을 참조하면, 상기 스페이서층(400)은 제 1 스페이서 전극(410), 제 2 스페이서 전극(430) 및 상기 제 1 스페이서 전극(410)과 제 2 스페이서 전극(430) 사이에 배치되는 전기 활성 고분자(EAP: Electroactive Polymer)층(420)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 스페이서 전극(410) 및 제 2 스페이서 전극(430)은 상기 전기 활성 고분자층(420)에 전압을 인가하여 상기 전기 활성 고분자층(420)에 변형을 일으키는 역할을 한다.
상기 제 1 스페이서 전극(410) 및 제 2 스페이서 전극(430)은 도전성을 갖는 광투과성 재료를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 도전성을 갖는 광투과성 재료로는 투명 전도성 산화물(TCO:Transparent Conductive Oxide)을 포함할 수 있다. 상기 투명 전도성 산화물(TCO)은 ITO, IZO, ATO, AZO 및 ZnO 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 1 스페이서 전극(410) 및 제 2 스페이서 전극(430)은 상기 전기 활성 고분자층(420)의 변형에 따라 같이 변형되는 플렉서블(Flexible)한 재질로 형성될 수 있다.
상기 제 1 스페이서 전극(410) 및 제 2 스페이서 전극(430)은 통상의 반도체 소자에 전극 물질로 사용되는 금속 또는 전도성 금속 산화물이 포함되어 형성된 것일 수도 있다.
상기 스페이서층(400)은 상기 제 1 스페이서 전극(410) 및 제 2 스페이서 전극(430)에 전압차를 인가하기 위한 전압 인가 수단 및 상기 인가되는 전압 조절 수단을 포함할 수 있다.
상기 전압 인가 수단은 상기 제 1 스페이서 전극(410) 및 제 2 스페이서 전극(430) 사이에 전압차를 인가하는 역할을 한다. 상기 제 1 스페이서 전극(410) 및 제 2 스페이서 전극(430) 사이에 전압을 인가하면 상기 제 1 전극(410) 및 제 2 전극(420) 사이에 일정한 전기장(E)이 형성될 수 있다.
상기 전압 조절 수단은 상기 전압 인가 수단에 의해 인가되는 전압을 조절하는 역할을 한다. 상기 전압 조절 수단은 전압차를 조절하여 상기 제 1 스페이서 전극(410) 및 제 2 스페이서 전극(430) 사이에 형성되는 전기장(E)의 세기를 조절할 수 있다.
상기 전기 활성 고분자층(420)은 전압이 공급되면 이로 인한 변형(strain)이 발생하는 특징을 가진 층으로서, 인가되는 전압에 따라 상기 전기 활성 고분자층의 두께(d)가 조절될 수 있다.
상기 전기 활성 고분자층(420)를 구성하는 재료로는 PVDF(Poly vinylidene fluoride), PDMS(Poly dimethyl siloxan) 및 PVFT(Poly vinylidene fluoride-co-triflurethylene) 로 이루어진 군에서 하나 이상의 재료를 선택하여 형성될 수 있다.
도 2는 상기 전기 활성 고분자층(420)에 전압이 인가되기 전의 분자구조(a) 및 상기 전기 활성 고분자층(420)에 전압이 인가된 후(b)의 분자구조를 나타낸 도이다.
도 2는 상기 전기 활성 고분자층(420)을 구성하는 재료의 일례인 PVDF(Poly vinylidene fluoride)에 전압이 인가되기 전(a)의 분자 구조 및 전압이 인가된 후(b)의 분자 구조를 나타내고 있다.
상기 PVDF는 전압이 인가되기 전에도 일정한 분극(자발분극, Spontaneous polarization)을 가지는 재료로서, 이러한 PVDF에 전압이 인가되는 경우 발생하는 전기장에 의해 상기 분극의 방향이 바뀌게 되고, 이로 인해 상기 PVDF의 전체적인 형태의 변형이 발생할 수 있다.
상기 PVDF에 전압을 인가하기 전후의 PVDF의 두께는 4.96Å에서 4.91Å으로 0.05Å 가량 두께가 변화됨을 알 수 있다.
도 3은 상기 전기 활성 고분자층(420)에 인가되는 전압에 따른 두께 변화를 나타낸 그래프이다.
상기 그래프의 x축은 상기 전기 활성 고분자층(420)에 인가되는 전기장의 크기(E)(V/μm)이고, 상기 그래프의 y축은 상기 전기 활성 고분자층(420)의 초기 두께 대비 변화율(%)을 나타내고 있다.
상기 전기장(E)의 크기가 0V/μm에서 13V/μm로 변화함에 따라 상기 전기 활성 고분자층(420)의 초기 두께 대비 변화율(%)은 0%에서 -2.5%로 변화하는 것을 알 수 있다.
예를 들어, 상기 전기 활성 고분자층(420)의 초기 두께를 2μm로 설정한다면, 상기 전기 활성 고분자층(420)은 40nm 범위에서 두께 조절이 가능하게 된다.
이러한 전기 활성 고분자층(420)을 디스플레이 장치 내에 포함함으로써 상기 디스플레이 장치의 두께를 조절할 수 있다. 그 일례로, 디스플레이 장치 공정상에서 발생할 수 있는 디스플레이 두께 오차를 조절할 수 있다.
예를 들면, 유기 발광 디스플레이의 경우 유기 발광층으로부터 발생된 빛은 상기 유기 발광 디스플레이에 구비된 여러 기능층을 거쳐서 외부로 추출된다. 이때 상기 여러 기능층들의 두께는 상기 유기 발광층으로부터 발생된 빛이 최대로 추출될 수 있도록 하는 것이 효율적이다.
공정 과정에서 최적의 광경로를 가질 수 있는 두께를 갖도록 유기 발광 디스플레이를 제조하게 되는데, 공정 과정 또는 공정 이후의 과정에서 상기 두께에 오차가 생길 수 있다. 이때 두께 조절이 가능한 스페이서층을 이용한다면 표시장치가 원하는 두께를 가질 수 있도록 할 수 있다.
이러한 두께 조절을 통하여 유기 발광 디스플레이의 경우 광추출 효율을 극대화할 수 있고, 광경로 차이에 따른 스펙트럼의 변화를 줄여 시야각 특성을 개선할 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 스페이서층(400)을 포함하는 디스플레이 장치를 나타낸 도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 스페이서를 포함하는 디스플레이 장치는 제 1 기판(100), 상기 제 1 기판(100) 상에 배치되는 표시소자층(200), 상기 표시소자층(200) 상에 배치되는 제 2 기판(300) 및 상기 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(300) 사이에 배치되는 스페이서층(400)을 포함할 수 있다.
상기 스페이서층(400)은 상기 제 1 기판(100) 및 상기 표시소자층(200) 사이 또는 상기 표시소자층(200) 및 제 2 기판(300) 사이에 배치될 수 있다.
상기 스페이서층(400)은 상기 표시소자층(200)과 이격되어 상기 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(300) 사이에 배치될 수도 있다.
상기 제 1 기판(100)은 상기 표시소자층(200) 또는 상기 스페이서층(400)에 전압을 인가하기 위한 박막 트랜지스터층을 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터층에는 화소 영역을 정의하기 위한 게이트 라인 및 데이터 라인이 서로 수직으로 교차되어 배치되고, 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 부분에 박막 트랜지스터가 형성될 수 있다.
상기 제 2 기판(300) 상에는 상기 제 1 기판(100) 상에 형성된 배선과 연결될 수 있는 공통전극을 포함할 수 있다.
상기 제 2 기판(300)은 상기 표시소자층(200)을 보호하기 위한 보호층을 포함할 수 있으며, 이러한 보호층은 유리 소재의 기판 또는 다층의 박막 구조로 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 상기 표시소자층(200)를 나타낸 도이다.
상기 표시소자층(200)은 제 1 전극(210), 상기 제 1 전극(210)과 대향되어 배치되는 제 2 전극(230) 및 상기 제 1 전극(210)과 제 2 전극(230) 사이에 배치되는 활성층(220)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 전극(210) 및 제 2 전극(220)은 금속 또는 도전성 광투과성 재료를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 광투과성 재료로는 TCO(Transparent Conductive Oxide)을 포함할 수 있다. 상기 TCO는 ITO, IZO, ATO, AZO 및 ZnO 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 활성층(220)은 액정층 또는 유기 발광층이 될 수 있다.
상기 활성층(220)이 액정층인 경우 상기 표시소자층(200)은 액정 표시 소자이며, 상기 디스플레이 장치는 액정 디스플레이 장치이다.
상기 활성층(220)이 액정층인 경우, 상기 스페이서층(400)은 상기 활성층(220)과 제 2 기판(300) 사이의 셀갭(cell gpa)의 두께를 조절하여 상기 액정 디스플레이 장치가 최적의 광경로를 가질 수 있도록 한다.
상기 활성층(220)이 유기 발광층인 경우 상기 표시소자층(200)은 유기 발광 소자이며, 상기 디스플레이 장치는 유기 발광 디스플레이 장치이다.
상기 활성층(220)이 유기 발광층인 경우, 상기 스페이서층(400)은 상기 유기 발광층에서 발생된 빛이 상기 유기 발광층과 제 2 기판 사이에서 최적의 광경로를 가질 수 있도록 두께를 조절하는 역할을 한다.
상기 활성층(220)이 유기 발광층인 경우, 상기 제 1 전극(210) 및 상기 활성층(220) 사이에는 정공 수송층(HTL: Hole Transfer Layer) 및 정공 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있으며, 상기 활성층(220) 및 상기 제 2 전극(230) 사이에는 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 스페이서층을 포함하는 액정 디스플레이의 상면도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 스페이서층을 포함하는 액정 디스플레이의 측면도이다.
도 7 및 도 8에서는 상기 스페이서층을 포함하는 액정 디스플레이를 설명하기 위한 도면으로써 일부 구성요소는 간략하게 표현되거나 생략되었다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 액정 디스플레이는 크게 제 1 기판(510), 상기 제 1 기판에 대향되도록 배치되는 제 2 기판(520), 상기 제 1 기판(510)과 제 2 기판(520) 사이에 배치되는 액정층(530), 상기 제 1 기판(510)과 제 2 기판(520) 사이에 일정한 갭(gap)을 유기하기 위한 전기 활성 고분자층(540) 및 상기 전기 활성 고분자층(540)에 전압을 인가하기 위한 전극 배선(550)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 기판(510) 상에는 화소영역을 정의하기 위한 게이트 라인(511) 및 데이터 라인(512)이 서로 수직으로 교차하여 배열될 수 있다.
상기 제 1 기판(510) 상에는 상기 게이트 라인(511)으로부터 돌출된 게이트 전극(511a)과 상기 데이터 라인(512)으로부터 돌출된 소스 전극(512a), 상기 소스 전극(512a)로부터 소정 간격 이격된 드레인 전극(513a) 및 상기 게이트 전극(511a)을 덮는 형상의 반도체층(514a)이 형성될 수 있다. 이러한 게이트 전극(511a), 소스 전극(512a), 드레인 전극(513a) 및 반도체층(514a)를 통칭하여 박막 트랜지스터층이라고 한다.
상기 게이트 라인(511) 및 데이터 라인(512)이 교차되어 형성된 영역에는 화소전극(513)이 형성될 수 있다.
상기 하부기판(510)에 상기 데이터 라인(512)이 형성 시 상기 전극 배선(550)이 함께 형성될 수 있다.
상기 전극 배선(550)은 상기 데이터 라인(512)과 서로 평행하게 배치되어 형성될 수 있다.
상기 전극 배선(550)은 상기 게이트 라인(511)과 서로 평행하게 배치되어 형성될 수도 있다.
상기 전극 배선(550)은 상기 제 2 기판(520) 상에 형성될 수도 있다.
상기 전극 배선(550) 상에는 상기 전기 활성 고분자층(540)이 배치될 수 있다.
상기 전극 배선(550) 상에 형성되는 상기 전기 활성 고분자(540)는 상기 화소전극(513) 당 하나 이상으로 형성될 수 있다.
상기 전기 활성 고분자층(540)의 일면은 상기 전극 배선(550)과 연결되고 다른 일면은 제 2 기판(520)과 연결될 수 있다. 이러한 경우 상기 전극 배선(550)은 상기 도 1의 제 1 스페이서 전극(410)과 대응되며, 상기 제 2 기판(520)은 상기 도 1의 제 2 스페이서 전극(430)에 대응된다.
즉, 상기 전기 활성 고분자층(540)은 상기 전극 배선(550) 및 제 2 기판(520) 사이에 인가되는 전압에 의해 두께가 조절될 수 있다.
일반적인 액정 표시장치 제조과정에서 광추출 효율 증가를 위하여 셀갭(cell gap)을 조절할 수 있다. 여기서 셀갭(cell gap)이란 제 1 기판 및 제 2 기판 사이의 두께를 말한다.
이러한 두께 조절을 통하여 액정 표시 장치의 광추출 효율이 최대로 되도록 할 수 있을 것이다.
이상에서 설명된 전기 활성 고분자를 포함하는 디스플레이 장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.
100 : 제 1 기판 200 : 표시소자층
210 : 제 1 전극 220 : 활성층
230 : 제 2 전극 300 : 제 2 기판
400 : 스페이서층 410 : 제 1 스페이서 전극
420 : 전기 활성 고분자층 430 : 제 2 스페이서 전극

Claims (17)

  1. 박막 트랜지스터층을 포함하는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 상에 배치되는 표시소자층;
    상기 표시소자층 상에 배치되는 제 2 기판; 및
    상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 배치되는 스페이서층;을 포함하는 디스플레이 장치로서,
    상기 스페이서층은,
    상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 1 스페이서 전극;
    상기 제 2 기판 상에 상기 제 1 스페이서 전극과 대향되어 배치되는 제 2 스페이서 전극; 및
    상기 제 1 스페이서 전극 및 제 2 스페이서 전극 사이에 배치되는 전기 활성 고분자층;을 포함하고,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 거리는 상기 제 1 스페이서 전극 및 상기 제 2 스페이서 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 변하여, 상기 디스플레이 장치가 상기 제 1 스페이서 전극 및 상기 제 2 스페이서 전극 사이에 인가된 상기 전압에 따라 조절 가능한 두께를 갖도록 하는 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 스페이서층은 상기 제 1 기판 및 표시소자층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 스페이서층은 상기 표시소자층 및 제 2 기판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 스페이서층은 상기 표시소자층과 이격되어 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 표시소자층은,
    제 1 전극;
    상기 제 1 전극과 대향되어 배치되는 제 2 전극; 및
    상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 배치되는 활성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 활성층은 유기 발광층인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 표시소자층은 상기 제 1 전극 및 유기 발광층 사이에 정공주입층(HIL) 및 정공수송층(HTL) 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 표시소자층은 상기 제 2 전극 및 유기 발광층 사이에 전자주입층(EIL) 및 전자수송층(ETL) 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 활성층은 액정층인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  10. 삭제
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 전기 활성 고분자층은 상기 제 1 스페이서 전극 및 제 2 스페이서 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 두께가 달라지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 전기 활성 고분자층은 광투과성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 전기 활성 고분자층은 PVDF(Poly vinylidene fluoride), PDMS(Poly dimethyl siloxan) 및 PVFT(Poly vinylidene fluoride-co-triflurethylene) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 스페이서 전극 및 제 2 스페이서 전극은 광투과성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 광투과성 재료는 투명 전도성 산화물(TCO: Transparent Conductive Oxide) 인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물은ITO, IZO, ATO, AZO, ZnO 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  17. 제 1 항에 있어서, 상기 표시소자층으로부터의 광경로의 길이는 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이의 변한 상기 거리만큼 변하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
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