KR101979245B1 - 그래핀 기반의 테라헤르츠파 발생/검출기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 그래핀 기반의 테라헤르츠파 발생/검출기 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 발생/검출기는, 활성 영역과 및 송신 영역을 갖는 기판과, 상기 기판의 상기 활성 영역과 상기 송신 영역 상의 제 1 방향으로 연장되는 하부 금속 층과, 상기 활성 영역의 상기 하부 금속 층 상에 배치된 그래핀 층과, 상기 활성 영역의 상기 그래핀 층과 상기 송신 영역의 상기 기판 상에 상기 제 1 방향으로 연장되는 상부 금속 층들을 포함한다. 여기서, 상기 그래핀 층 및 하부 금속 층에 인가되는 비팅된 레이저 광에 의해 상기 그래핀 층과 상기 하부 금속 층 사이의 경계면에서 유도되는 표면 플라즈몬 플라리톤으로 테라헤르츠파가 생성 또는 증폭될 수 있다.
Description
본 발명은 광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로 보다 구체적으로 그래핀 기반의 테라헤르츠파 발생/검출기에 관한 것이다.
전자기파 스펙트럼 대역에서 0.1 ~ 10THz (1THz: 1012Hz) 주파수 영역을 테라헤르츠파로 정의하고 있다. 특히, 0.1 ~ 3THz 주파수 영역은 매우 다양한 분자들의 회전 공진주파수들이 존재하는 영역이다. 테라헤르츠파는 비파괴, 미개봉, 비접촉법으로 획득함으로써 의료, 의학, 농업식품, 환경계측, 바이오, 통신, 비파괴 조사, 첨단재료평가 등에서 지금까지 없었던 신개념의 미래 핵심 기술 제공할 수 있다. 최근, 테라헤르츠파 관련 기술 개발이 활발히 이루어지고 있다.
테라헤르츠 기술은 대역 전자기파의 에너지가 수 meV수준의 매우 낮은 에너지로 인체에 영향이 거의 없어 인간중심의 유비쿼터스 사회 실현의 핵심기술로 인식되어 수요가 급격히 증가할 것으로 예상된다. 많은 관련 연구결과들이 발표됨에도 불구하고 아직까지 수요기술의 핵심인 실시간, 포터블, 저가격, 광대역 등을 동시에 만족 시킬 수 있는 테라헤르츠 기술이 개발되지 못하였다. 지속적인 기술력 향상으로 테라헤르츠 분광 및 영상 분야 활용에 관한 주목할만한 결과들이 발표되고 있어 조만간 가시적인 시스템 제시가 이루어질 것으로 예상된다. 고출력의 파원 및 고감도 어레이형 검출기 활용이 필수적인 테라헤르츠 영상시스템과 달리 테라헤르츠 분광에서는 광대역의 테라헤르츠파원 활용이 필수적이다. 수 테라헤르츠 급의 광대역 특성 제공이 광 기반으로 비교적 쉽게 구현이 가능하여 지금까지 광 기술 기반으로 발전해 왔다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 그래핀 기반의 신개념 테라헤르츠파 발생/검출기를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는 그래핀을 형성하기 위한 촉매 층을 테라헤르츠파의 생성 및 전송 매개체로 사용할 수 있는 테라헤르츠파 발생/검출기를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 테라헤르츠파 발생/검출기는, 활성 영역 및 송신 영역을 갖는 기판; 상기 기판의 상기 활성 영역과 상기 송신 영역 상에 제 1 방향으로 연장되는 하부 금속 층; 상기 활성 영역의 상기 하부 금속 층 상에 배치된 그래핀 층; 및 상기 활성 영역의 상기 그래핀 층과, 상기 송신 영역의 상기 기판 상에 상기 제 1 방향으로 연장되는 상부 금속 층들을 포함한다. 여기서, 상기 그래핀 층 및 하부 금속 층에 인가되는 비팅된 레이저 광 혹은 초단 펄스레이저에 의해 상기 그래핀 층과 상기 하부 금속 층 사이의 경계면에서 유도되는 표면 플라즈몬 플라리톤으로 테라헤르츠파를 생성 또는 증폭할 수 있다.
상기 상부 금속 층들은 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 이격될 수 있다. 상기 상부 금속 층들 사이의 상기 그래핀 층 상에 배치된 유전 층을 포함할 수 있다.
상기 유전 층은 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 폴리머는 벤조사이클로부탄을 포함할 수 있다. 상기 폴리머는 표면플자즈몬 형성에 필요한 적절한 굴절률을 갖는 어떤 물질을 포함 할 수 도 있다.
상기 송신 영역 상의 상기 하부 금속 층과 상기 상부 금속 층 사이의 층간 절연 층을 더 포함할 수 있다. 상기 층간 절연 층은 상기 기판의 상기 활성 영역 상에서 상기 하부 금속 층을 둘러싸고, 상기 그래핀과 동일한 레벨을 가질 수 있다.
상기 그래핀 층은 상기 하부 금속 층보다 넓은 선폭을 가질 수 있다.
상기 하부 금속 층은 니켈, 구리, 또는 백금을 포함하는 그래핀 성장에 필요한 어떠한 금속 촉매층을 활용할 수 있다.
상기 송신 영역의 상기 하부 금속 층 및 상기 상부 금속 층들에 연결되는 송신 안테나를 더 포함할 수 있다. 상기 기판은 상기 송신 영역에 대향되는 상기 활성 영역 타측의 수신 영역을 가질 수 있다. 상기 하부 금속 층과 상기 상부 금속 층들은 상기 수신 영역으로 연장될 수 있다. 상기 수신 영역의 상기 하부 금속 층과 상기 상부 금속 층들에 연결되는 수신 안테나를 더 포함할 수 있다.
상기 하부 금속 층과 상기 상부 금속 층 사이에 배치되고, 상기 테라헤르츠 파의 생성 또는 증폭을 위해 바이어스 전압이 인가되는 바이어스 입력단을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법은, 기판의 활성 영역 및 송신 영역 상에 하부 금속 층을 형성하는 단계; 상기 활성 영역의 상기 하부 금속 층 상에 그래핀 층을 형성하는 단계; 상기 그래핀 층과 상기 하부 금속 층을 일정 선폭의 제 1 방향으로 형성하는 단계; 상기 활성 영역 상의 상기 그래핀 층의 주변과, 상기 송신 영역의 상기 하부 금속 층 상에 층간 절연 층을 형성하는 단계; 및 상기 그래핀 층과, 상기 송신 영역의 상기 층간 절연 층 상에서 상기 제 1 방향으로 연장되고, 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 이격되는 복수개의 상부 금속 층들을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 하부 금속 층을 상기 그래핀 층보다 작은 선폭으로 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 하부 금속 층의 식각은 습식식각방법을 포함할 수 있다. 상기 하부 금속 층의 상기 습식식각방법은 불산, 염산, 질산, 또는 황산의 식각 용액을 사용할 수 있다.
상기 그래핀 층 상의 상기 상부 금속 층들 사이에 유전체 층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 유전체 층은 리소그래피, 잉크 젯 인쇄 방법, 또는 스크린 인쇄 방법으로 형성된 폴리머를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 테라헤르츠파 발생/검출기는 하부 금속 층, 그래핀 층, 및 상부 금속 층들을 포함할 수 있다. 그래핀 층은 하부 금속 층과 상구 금속 층들 사이에 배치될 수 있다. 하부 금속 층은 그래핀 층의 형성하기 위한 촉매 층이 될 수 있다. 그래핀 층과 하부 금속 층에 비팅된 레이저 광이 조사되면, 그래핀 층과 하부 금속 층의 경계면에서 표면 플라즈몬 플라리톤이 생성될 수 있다. 그래핀 층은 표면 플라즈몬 플라리톤에 의해 활성화되어 테라헤르츠파를 생성할 수 있다. 하부 금속 층은 테라헤르츠파의 생성 및 전송 매개체로 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 발생/검출기는 그래핀 층을 활성 층으로 사용하여 테라헤르츠파를 생성, 증폭, 및 검출할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 테라헤르츠파 발생기를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 활성 영역에서의 단면도이다.
도 3 내지 도 10은 도 2를 근거로 하여 본 발명의 실시 예에 따른 테라헤르츠파 발생기의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 응용 예에 따른 테라헤르츠파 발생기를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 활성 영역에서의 단면도이다.
도 3 내지 도 10은 도 2를 근거로 하여 본 발명의 실시 예에 따른 테라헤르츠파 발생기의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 응용 예에 따른 테라헤르츠파 발생기를 나타내는 평면도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 및 청구범위 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 테라헤르츠파 발생기(100)를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 활성 영역에서의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 테라헤르츠파 발생기(100)는 기판(10), 하부 금속 층(20), 그래핀 층(30), 층간 절연 층(40), 상부 금속 층들(50), 유전체 층(60), 및 송신 안테나(70)을 포함할 수 있다.
기판(10)은 활성 영역(12), 및 송신 영역(14)을 가질 수 있다. 활성 영역(12)의 기판(10) 상에 하부 금속 층(20), 그래핀 층(30), 층간 절연 층(40), 상부 금속 층들(50)이 배치될 수 있다. 기판(10)은 결정 실리콘을 포함할 수 있다. 결정 실리콘은 불순물로 도핑되어 고저항을 가질 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양한 재질의 기판(10)이 사용될 수 있다.
하부 금속 층(20)은 기판(10)의 활성 영역(12)에서 송신 영역(14)까지의 제 1 방향으로 연장될 수 있다. 하부 금속 층(20)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 또는 백금(Pt)을 포함할 수 있다.
그래핀 층(30)은 활성 영역(12)의 하부 금속 층(20) 상에 제 1 방향으로 배치될 수 있다. 하부 금속 층(20)은 그래핀 층(30)보다 작은 선폭을 가질 수 있다. 그래핀 층(30)과 하부 금속 층(20)의 단면은 버섯 모양을 가질 수 있다. 기판(10)의 활성 영역(12)은 실질적으로 그래핀 층(30)에 의해 정의될 수 있다.
층간 절연 층(40)은 하부 금속 층(20)과, 상부 금속 층들(50) 사이에 배치 수 있다. 층간 절연 층(40)은 송신 영역(14) 상의 하부 금속 층(20)을 덮는다. 그래핀 층(30)과 층간 절연 층(40)은 활성 영역(12) 상에서 동일한 레벨을 가질 수 있다. 그래핀 층(30) 및 층간 절연 층(40) 상에 상부 금속 층들(50)이 배치될 수 있다. 층간 절연 층(40)은 실리콘 산화막, 또는 실리콘 질화막을 포함할 수 있다.
상부 금속 층들(50)은 제 1 방향으로 연장될 수 있다. 상부 금속 층들(50)은 그래핀 층(30) 및 층간 절연 층(40) 상에서 제 2 방향으로 이격될 수 있다. 상부 금속 층들(50)은 티타늄, 금, 백금, 구리, 또는 알루미늄과 같은 금속을 포함할 수 있다.
상부 금속 층들(50) 사이에 유전체 층(60)이 배치될 수 있다. 유전체 층(60)은 벤조사이클로부탄(BCB)과 같은 폴리머를 포함할 수 있다. 벤조사이클로부탄은 저굴절률을 갖는다. 상부 금속 층들(50)과 하부 금속 층(20)은 기판(10)의 송신 영역(16) 상의 송신 안테나(70)에 연결될 수 있다.
한편, 비팅 광원(80)은 활성 영역(12) 상의 그래핀 층(30), 하부 금속 층(20), 및 상부 금속 층들(50) 각각의 측면으로 레이저 광(82)을 조사할 수 있다. 레이저 광(82)은 미소한 차이의 복수개의 파장을 가질 수 있다. 레이저 광(82)은 비팅될 수 있다. 여기서, 제 1 파장(λ1)과 제 2 파장(λ2)을 갖는 레이저 광(82)은 비팅된 것으로 정의될 수 있다. 비팅된 레이저 광(82)은 하부 금속 층(20)과 그래핀 층(30) 사이의 제 1 경계면 또는 그래핀 층(30)과 상부 금속 층들(50) 사이의 제 2 경계면에서 커플링되어 고밀도 전자의 진행파인 표면 플라즈몬 플라리톤을 발생시킬 수 있다. 표면 플라즈몬 플라리톤은 금속 표면의 자유전자들과 레이저 광(82)의 상호 작용에 의해 발생될 수 있다. 그래핀 층(30)은 레이저 광(82)의 비팅으로 마치 n 형 또는 p형의 반도체와 같은 역할을 한다. 그래핀 층(30)은 표면 플라즈몬 플라리톤에 의해 활성화되어 테라헤르츠파를 생성할 수 있다. 또한, 하부 금속 층(20)은 테라헤르츠파의 생성 및 전송 매개체로 사용될 수 있다. 테라헤르츠파는 하부 금속 층(20) 및 상부 금속 층들(50)을 따라 송신 안테나(70)까지 전송될 수 있다. 송신 안테나(70)는 테라헤르츠파를 외부로 송신할 수 있다. 도시되지 않았지만, 상부 금속 층(50) 및 하부 금속 층(20) 사이에 송신 안테나(70) 또는 바이어스 입력단(미도시)이 배치될 수 있다. 바이어스 입력단으로 입력된 전원 전압에 의해 그래핀 층(30)의 밴드갭이 조절되거나, 테라헤르츠파가 증폭될 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠파 발생기(100)의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 3 내지 도 10은 도 2를 근거로 하여 본 발명의 실시 예에 따른 테라헤르츠파 발생기(100)의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 기판(10) 상에 하부 금속 층(20)을 형성한다. 하부 금속 층(20)은 니켈, 구리, 또는 백금과 같은 금속을 포함할 수 있다. 금속은 스퍼터링 방법, 열 증착 방법 또는 화학기상증착 방법으로 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 하부 금속 층(20) 상에 그래핀 층(30)을 형성한다. 그래핀 층(30)은 화학기상증착방법으로 형성될 수 있다. 하부 금속 층(20)은 그래핀 층(30)의 성장 촉매층으로 사용될 수 있다.
도 5를 참조하면, 그래핀 층(30) 및 하부 금속 층(20)을 패터닝한다. 그래핀 층(30) 및 하부 금속 층(20)은 전자빔 리소그래피방법, 또는 포토리소그래피 방법으로 패터닝될 수 있다.
도 6을 참조하면, 하부 금속 층(20)의 선폭을 축소한다. 하부 금속 층(20)은 습식식각방법 및 건식식각방법으로 식각될 수 있다. 하부 금속 층(20)은 금속막의 잘 알려진 식각액을 활용하거나 염소와 같은 활성가스를 활용 식각시킬 수 있다. 그래핀 층(30)은 하부 금속 층(20)보다 큰 선폭을 가질 수 있다. 하부 금속 층(20)은 기판(10)과 그래핀 층(30) 사이에 잔존될 수 있다. 따라서, 그래핀 층(30)의 촉매 층으로 사용된 하부 금속 층(20)은 테라헤르츠파의 발생 또는 전송 매개체로 사용될 수 있다.
도 7을 참조하면, 기판(10)의 전면에 층간 절연 층(40)을 형성한다. 층간 절연층(40)은 화학기상증착 방법 또는 졸겔(sol-gel) 방법으로 형성된 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 층간 절연층(40)을 평탄하게 제거한다. 층간 절연 층(40)은 건식식각방법 또는 화학적기계적연마(CMP)방법에 의해 평탄화될 수 있다. 층간 절연층(40)은 그래핀 층(30)이 노출될 때까지 제거될 수 있다.
도 9를 참조하면, 그래핀 층(30) 상에 상부 금속 층들(50)을 형성한다. 상부 금속 층들(50)은 증착 공정 및 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있다. 증착 공정은 스퍼터링 방법, 열 증착 방법, 또는 화학기상증착 방법을 포함할 수 있다.
도 10을 참조하면, 상부 금속 층들(50) 사이에 유전체 층(60)을 형성한다. 유전체 층(60)은 잉크젯 인쇄(print)방법 또는 스크린 인쇄방법을 포함할 수 있다.
도 11은 본 발명의 응용 예에 따른 테라헤르츠파 발생기(200)를 나타내는 평면도이다.
도 2 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 응용 예에 따른 테라헤르츠파 검출기는 활성 영역(12) 양측의 송신 영역(14)과 수신 영역(16)에 각각 배치된 송신 안테나(70)와, 수신 안테나(72)를 포함할 수 있다. 수신 안테나(72)는 테라헤르츠파 소스(90)로부터 테라헤르츠파를 수신할 수 있다. 하부 전극 층(20) 및 복수개의 상부 전극 층(50)은 수신 영역(16)으로 연장될 수 있다. 수신 안테나(72)는 하부 전극 층(20) 및 상부 전극 층(50)에 연결될 수 있다. 테라헤르츠파는 수신 안테나(72)에서 하부 전극 층(20) 및 복수개의 상부 전극 층(50)에 전달될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 하부 전극 층(20) 및 상부 전극 층들(50)에 전기 라인들이 연결될 수 있다. 전기 라인들을 통해 하부 전극 층(20) 및 상부 전극 층들(50)에 외부의 전원 전압이 인가될 수 있다. 활성 영역(12) 상의 그래핀 층(30)은 마치 n 형 또는 p형의 반도체와 같은 역할을 할 수 있다. 하부 금속 층(20) 및 복수개의 상부 금속 층들(50)은 트랜지스터의 게이트, 소스, 및 드레인에 대응될 수 있다. 테라헤르츠파는 트랜지스터의 스위칭 동작에 의해 증폭 또는 검출될 수 있다. 증폭된 테라헤르츠파는 송신 영역(14)의 송신 안테나(70)을 통해 외부로 송신될 수 있다.
따라서, 본 발명의 응용예에 따른 테라헤르츠파 검출기(200)는 테라헤르츠파를 증폭 또는 검출할 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 기판 12: 활성 영역
14: 송신 영역 16: 수신 영역
20: 하부 금속 층 30: 그래핀 층
40: 층간 절연 층 50: 상부 금속 층들
60: 유전 층 70: 송신 안테나
72: 수신 안테나 80: 비팅 광원
90: 소스
14: 송신 영역 16: 수신 영역
20: 하부 금속 층 30: 그래핀 층
40: 층간 절연 층 50: 상부 금속 층들
60: 유전 층 70: 송신 안테나
72: 수신 안테나 80: 비팅 광원
90: 소스
Claims (20)
- 활성 영역과 및 송신 영역을 갖는 기판;
상기 기판의 상기 활성 영역과 상기 송신 영역 상에 제 1 방향으로 연장되는 하부 금속 층;
상기 활성 영역의 상기 하부 금속 층 상에 배치된 그래핀 층;
상기 활성 영역의 상기 그래핀 층과, 상기 송신 영역의 상기 기판 상에 상기 제 1 방향으로 연장되는 상부 금속 층들; 및
상기 상부 금속 층들 사이의 상기 그래핀 층 상에 배치된 유전 층을 포함하되,
상기 그래핀 층 및 상기 하부 금속 층은 외부로부터 인가되는 비팅된 레이저 광에 의해 상기 그래핀 층과 상기 하부 금속 층 사이의 경계면에서 유도되는 표면 플라즈몬 플라리톤으로 테라헤르츠파를 생성 또는 증폭하되,
상기 상부 금속 층들은 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 이격되는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 유전 층은 폴리머를 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 제 4 항에 있어서,
상기 폴리머는 벤조사이클로부탄을 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 제 1 항에 있어서,
상기 송신 영역 상의 상기 하부 금속 층과 상기 상부 금속 층 사이의 층간 절연 층을 더 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 제 6 항에 있어서,
상기 층간 절연 층은 상기 기판의 상기 활성 영역 상에서 상기 하부 금속 층을 둘러싸고, 상기 그래핀과 동일한 레벨을 갖는 테라헤르츠파 발생/검출기 - 제 1 항에 있어서,
상기 그래핀 층은 상기 하부 금속 층보다 넓은 선폭을 갖는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 제 1 항에 있어서,
상기 하부 금속 층은 니켈, 구리, 또는 백금을 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 제 1 항에 있어서,
상기 송신 영역의 상기 하부 금속 층 및 상기 상부 금속 층들에 연결되는 송신 안테나를 더 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 제 10 항에 있어서,
상기 기판은 상기 송신 영역에 대향되는 상기 활성 영역 타측의 수신 영역을 갖는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 제 11 항에 있어서,
상기 하부 금속 층과 상기 상부 금속 층들은 상기 수신 영역으로 연장되는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 제 12 항에 있어서,
상기 수신 영역의 상기 하부 금속 층과 상기 상부 금속 층들에 연결되는 수신 안테나를 더 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 제 1 항에 있어서,
상기 하부 금속 층과 상기 상부 금속 층 사이에 배치되고, 상기 테라헤르츠 파의 생성 또는 증폭을 위해 바이어스 전압이 인가되는 바이어스 입력단을 더 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기. - 기판의 활성 영역 및 송신 영역 상에 하부 금속 층을 형성하는 단계;
상기 활성 영역의 상기 하부 금속 층 상에 그래핀 층을 형성하는 단계;
상기 그래핀 층과 상기 하부 금속 층을 일정 선폭의 제 1 방향으로 형성하는 단계;
상기 활성 영역 상의 상기 그래핀 층의 주변과, 상기 송신 영역의 상기 하부 금속 층 상에 층간 절연 층을 형성하는 단계;
상기 그래핀 층과, 상기 송신 영역의 상기 층간 절연 층 상에서 상기 제 1 방향으로 연장되고, 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 이격되는 복수개의 상부 금속 층들을 형성하는 단계; 및
상기 그래핀 층 상의 상기 상부 금속 층들 사이에 유전체 층을 형성하는 단계를 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 하부 금속 층을 상기 그래핀 층보다 작은 선폭으로 식각하는 단계를 더 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 하부 금속 층의 식각은 습식식각방법을 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 하부 금속 층의 상기 습식식각방법은 불산, 질산, 또는 염산을 사용하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법. - 삭제
- 제 15 항에 있어서,
상기 유전체 층은 잉크 젯 인쇄 방법, 또는 스크린 인쇄 방법으로 형성된 폴리머를 포함하는 테라헤르츠파 발생/검출기의 제조방법.
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