KR101974647B1 - Apparatus and method for removing gas - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus for removing gas, which removes gas from a pipe in which gas is transferred to a substrate processing apparatus of a valve manifold box distributing gas to the substrate processing apparatus. According to one embodiment of the present invention, the apparatus for removing gas includes: a connection line connected to an end portion of a the valve manifold box side of the pipe; a purge gas injection unit injecting purge gas into the pipe through the connection line; and an exhaust unit exhausting the gas in the pipe to the outside through the connection line.

Description

가스 제거 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING GAS}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING GAS [0002]

본 발명은 가스 제거 장치 및 방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 기판 처리 장치로 가스를 배분하는 밸브 매니폴드 박스(Valve Manifold Box: VMB)의 배관 내에 잔류하는 가스를 제거하는 가스 제거 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a gas removing apparatus and method, and more particularly, to a gas removing apparatus and method for removing a gas remaining in a pipe of a valve manifold box (VMB) .

도 1은 일반적인 가스 제거 장치(1)를 이용하여 밸브 매니폴드 박스(2)의 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스를 제거하는 모습을 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 등에 사용되는 기판을 처리하는 기판 처리 장치 중 화학기상증착(CVD) 장치 등의 기판 처리 장치(4)는 수행하는 공정의 종류에 따라 복수 종류의 가스를 이용하여 기판을 처리할 수 있다. 이러한 복수 종류의 가스는 일반적으로 밸브 매니폴드 박스(2)에 의해 종류별로 분배되어 기판 처리 장치(4)로 공급된다. Fig. 1 is a view showing a state where gas remaining in the piping 3c, 3d of the valve manifold box 2 is removed using a general gas removing apparatus 1. Fig. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 4 such as a chemical vapor deposition (CVD) apparatus among substrate processing apparatuses for processing substrates used for a semiconductor wafer, etc., Lt; / RTI > These plural types of gases are generally distributed by type by the valve manifold box 2 and supplied to the substrate processing apparatus 4. [

밸브 매니폴드 박스(2)는 가스 공급을 위해 기판 처리 장치(4)와 연결된 복수개의 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)을 포함한다. 다른 종류의 가스는 서로 다른 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)을 통해 기판 처리 장치(4)로 공급된다. 또한, 일 종류의 가스 공급에 사용되던 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)은 그와는 다른 종류의 가스 공급에는 사용되지 않는다. 따라서, 공정의 개선 등에 의해 기판 처리 장치(4)에서 사용되는 가스의 종류가 변경되는 경우, 기존에 사용되던 배관 중 일부의 배관(3c, 3d)은 사용되지 않은 상태로 방치될 수 있다.The valve manifold box 2 includes a plurality of pipes 3a, 3b, 3c, 3d, 3e connected to the substrate processing apparatus 4 for gas supply. Different kinds of gas are supplied to the substrate processing apparatus 4 through different pipes 3a, 3b, 3c, 3d, 3e. Further, the pipes 3a, 3b, 3c, 3d, and 3e used for supplying one kind of gas are not used for gas supply of a different kind. Therefore, when the kind of the gas used in the substrate processing apparatus 4 is changed due to the improvement of the process or the like, some of the pipes 3c and 3d used in the past can be left unused.

기판 처리 장치(4)에서 사용되는 일부 가스는 독성 또는 상온에서의 가연성을 가진다. 또한, 사용되지 않는 상태의 배관(3c, 3d) 내부에 잔류하는 가스의 종류는 확인이 쉽지 않다. 따라서, 이러한 사용되지 않는 상태의 배관(3c, 3d)을 철거하기 위해서는 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스의 제거가 요구된다.Some gases used in the substrate processing apparatus 4 have toxicity or flammability at room temperature. It is not easy to confirm the type of gas remaining in the pipes 3c and 3d that are not in use. Therefore, in order to dismantle such unused piping 3c, 3d, it is required to remove the gas remaining in the piping 3c, 3d.

일반적인 가스 제거 장치(1)는 기판 처리 장치(4) 내에서 공정에 사용된 가스를 배기하는 배기관(5)을 통해 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스를 제거한다. 이 경우, 기판 처리 장치(4)를 통해 배관(3c, 3d) 내의 잔류 가스를 배출시키므로 가스 제거 시 기판 처리 장치(4)의 공정을 중단해야 한다. The general gas removing apparatus 1 removes the gas remaining in the piping 3c, 3d through the exhaust pipe 5 for exhausting the gas used in the process in the substrate processing apparatus 4. [ In this case, since the residual gas in the pipes 3c and 3d is discharged through the substrate processing apparatus 4, the process of the substrate processing apparatus 4 must be stopped during gas removal.

일반적으로 기판의 처리 공정을 수행하기 위해서는 온도 등의 기판 처리 장치(4)의 환경적인 조건이 충족되어야 하므로 중단된 기판 처리 장치(4)를 재가동하기 위해서는 이러한 조건을 충족시키기 위한 적지 않은 시간이 요구된다. Generally, in order to perform the processing process of the substrate, the environmental conditions of the substrate processing apparatus 4 such as temperature must be satisfied. Therefore, in order to restart the interrupted substrate processing apparatus 4, do.

본 발명은 상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 것으로써, 본 발명의 목적은 기판 처리 장치 가동 중에 밸브 매니폴드 박스의 배관에 잔류하는 가스를 제거할 수 있는 가스 제거 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a gas removing apparatus and method capable of removing gas remaining in a pipe of a valve manifold box during operation of a substrate processing apparatus.

본 발명은 기판 처리 장치로 가스를 분배하는 밸브 매니폴드 박스의 상기 기판 처리 장치로 가스가 이송되는 배관 내의 가스를 제거하는 가스 제거 장치를 제공한다. 일 실시 예에 따르면, 가스 제거 장치는, 상기 배관의 상기 밸브 매니폴드 박스 측 단부에 연결되는 연결 라인과; 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입부와; 상기 연결 라인을 통해 상기 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기부를 포함한다.The present invention provides a gas removing apparatus for removing gas in a piping to which a gas is delivered to the substrate processing apparatus of a valve manifold box for distributing gas to the substrate processing apparatus. According to one embodiment, the degassing device includes: a connection line connected to the valve manifold box side end of the pipe; A purge gas injection unit for injecting a purge gas into the pipe through the connection line; And an exhaust unit for exhausting the gas in the pipe to the outside via the connection line.

상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하는 제어부를 더 포함하되, 상기 제어부는 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입한 후 상기 배관 내의 가스를 배기하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어할 수 있다.The control unit controls the purge gas injection unit and the exhaust unit so that the purge gas is injected into the pipe through the connection line and then the purge gas injection unit and the exhaust unit are exhausted to exhaust the gas in the pipe. Can be controlled.

상기 배기부는, 상기 배관 내의 가스를 흡입하는 흡입 펌프와; 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스를 여과하는 여과 부재를 포함할 수 있다.The exhaust unit includes a suction pump for sucking gas in the pipe; And a filter member for filtering the gas sucked by the suction pump.

상기 배기부는, 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 가스 농도 측정 부재와; 알람을 발생시키는 알람 부재를 더 포함하되, 상기 제어부는 상기 가스 농도 측정 부재에 의해 측정된 상기 농도가 기 설정된 농도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 알람 부재를 제어할 수 있다.The exhaust unit includes a gas concentration measuring member for measuring a concentration of the gas before the gas sucked by the suction pump is exhausted to the outside; The control unit may control the alarm member to generate an alarm when the concentration measured by the gas concentration measuring member is equal to or greater than a predetermined concentration value.

상기 제어부는 상기 퍼지 가스 주입 및 상기 배기를 번갈아 복수회 반복하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어할 수 있다.The control unit may control the purge gas injection unit and the exhaust unit so that the purge gas injection and the exhaust are alternately repeated a plurality of times.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치로 가스를 분배하는 밸브 매니폴드 박스의 상기 기판 처리 장치로 가스가 이송되는 배관 내의 가스를 제거하는 가스 제거 방법을 제공한다. 일 실시 예에 따르면, 가스 제거 방법은, 상기 배관에 상기 배관의 상기 밸브 매니폴드 박스 측 단부를 통해 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입 단계와; 이 후, 상기 단부를 통해 상기 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기 단계를 포함한다.The present invention also provides a gas removal method for removing gas in a pipe to which a gas is delivered to the substrate processing apparatus of a valve manifold box for distributing the gas to the substrate processing apparatus. According to one embodiment, the degassing method includes: a purge gas injecting step of injecting a purge gas into the pipe through the valve manifold box side end of the pipe; And then discharging the gas in the pipe through the end portion to the outside.

상기 배기 단계는, 상기 배관 내의 가스를 흡입하는 흡기 단계와; 상기 흡기 단계에서 흡입된 가스를 여과하는 여과 단계를 포함할 수 있다.Wherein the evacuating step includes an intake step of sucking gas in the pipe; And a filtering step of filtering the gas sucked in the intake step.

본 발명의 실시 예에 따르면, 가스 제거 장치 및 방법은 기판 처리 장치 가동 중에 밸브 매니폴드 박스의 배관에 잔류하는 가스를 제거할 수 있다. According to the embodiment of the present invention, the gas removing apparatus and method can remove the gas remaining in the piping of the valve manifold box during operation of the substrate processing apparatus.

도 1은 일반적인 가스 제거 장치를 이용하여 밸브 매니폴드 박스의 배관 내에 잔류하는 가스를 제거하는 모습을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 가스 제거 장치를 사용하여 밸브 매니폴드 박스의 배관 내의 가스를 제거하는 모습을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 방법을 나타낸 순서도이다.1 is a view showing a state where a gas remaining in a pipe of a valve manifold box is removed using a general gas removing apparatus.
2 is a schematic view of a degassing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a state in which gas in a pipe of a valve manifold box is removed using the gas removing device of FIG.
4 is a flowchart illustrating a method of removing a gas according to an embodiment of the present invention.

이하에서, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로, 본 발명의 실시 예들이 명확하고 상세하게 기재될 것이다.In the following, embodiments of the present invention will be described in detail and in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 장치(10)를 개략적으로 보여주는 블록도이고, 도 3은 도 2의 가스 제거 장치(10)를 포함하는 가스 제거 시스템을 보여주는 블록도이다. 가스 제거 시스템은 가스 제거 장치(10)를 사용하여 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d) 내의 가스를 제거할 수 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 가스 제거 장치(10)는 밸브 매니폴드 박스(30)의 기판 처리 장치(20)로 가스가 이송되는 배관(31d) 내의 가스를 제거한다. 가스 제거 장치(10)는 연결 라인(100), 퍼지 가스 주입부(200), 배기부(300) 및 제어부(400)를 포함한다.FIG. 2 is a block diagram schematically showing a degassing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing a degassing system including the degassing apparatus 10 of FIG. The gas removal system can remove the gas in the piping 31d of the valve manifold box 30 using the gas removal device 10. [ 2 and 3, the gas removing apparatus 10 removes gas in the piping 31d to which the gas is delivered to the substrate processing apparatus 20 of the valve manifold box 30. The gas removal apparatus 10 includes a connection line 100, a purge gas injection unit 200, an exhaust unit 300, and a control unit 400.

기판 처리 장치(20)는 복수 종류의 가스를 이용하여, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 장치이다. 예를 들면, 기판 처리 장치(20)는 화학기상증착(CVD) 장치일 수 있다.The substrate processing apparatus 20 is an apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer using a plurality of kinds of gases. For example, the substrate processing apparatus 20 may be a chemical vapor deposition (CVD) apparatus.

밸브 매니폴드 박스(VMB: Valve Manifold Box, 30)는 기판 처리 장치(20)로 가스를 분배한다. 밸브 매니폴드 박스(30)는 기판 처리 장치(20)로 가스가 이송되는 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 포함한다. 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)은 복수개가 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e) 중 일부(31c, 31d)는 사용되지 않는다. 사용되는 배관(31a, 31b, 31e)의 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부에는 기판 처리 장치(20)에 공급되는 가스가 저장된 저장 용기(50)들이 연결될 수 있다.A valve manifold box (VMB) 30 distributes the gas to the substrate processing apparatus 20. The valve manifold box 30 includes piping 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e through which gas is delivered to the substrate processing apparatus 20. A plurality of piping 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e may be provided. According to one embodiment, portions 31c and 31d of the pipes 31a, 31b, 31c, 31d and 31e are not used. The storage vessels 50 in which the gas supplied to the substrate processing apparatus 20 is stored may be connected to the ends of the piping 31a, 31b, 31e used on the valve manifold box 30 side.

연결 라인(100)은 사용되지 않는 상태인 배관(31c, 31d) 중 내부 가스 제거가 요구되는 배관(31d)의 양 끝단 중 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부에 연결된다. 배관(31d)에는 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 개폐하는 제 1 단부 밸브(41)와 기판 처리 장치(20) 측 단부를 개폐하는 제 2 단부 밸브(42)가 제공될 수 있다.The connection line 100 is connected to the valve manifold box 30 side end of both ends of the pipe 31d in which the internal gas removal is required among the pipes 31c and 31d which are not in use. The piping 31d may be provided with a first end valve 41 for opening and closing the end of the valve manifold box 30 side and a second end valve 42 for opening and closing the end of the substrate processing apparatus 20 side.

퍼지 가스 주입부(200)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)으로 퍼지 가스를 주입한다. 퍼지 가스는 비활성 가스로 제공될 수 있다. 예를 들면, 퍼지 가스는 질소(N2) 가스로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입부(200)는 퍼지 가스 주입 라인(210) 및 퍼지 가스 주입 밸브(220)를 포함한다. The purge gas injection unit 200 injects the purge gas into the pipe 31d through the connection line 100. [ The purge gas may be provided as an inert gas. For example, the purge gas may be provided as nitrogen (N 2 ) gas. According to one embodiment, the purge gas injection portion 200 includes a purge gas injection line 210 and a purge gas injection valve 220.

일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 라인(210)은 고압의 질소가 저장된 질소 저장 용기(60) 및 연결 라인(100)에 연결된다. According to one embodiment, the purge gas injection line 210 is connected to the nitrogen storage vessel 60 and the connection line 100 where the high pressure nitrogen is stored.

퍼지 가스 주입 밸브(220)는 퍼지 가스 주입 라인(210)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 밸브(220)는 제어부(400)의 제어에 의해 퍼지 가스 주입 라인(210)을 개폐한다. The purge gas injection valve 220 opens and closes the purge gas injection line 210. According to one embodiment, the purge gas injection valve 220 opens and closes the purge gas injection line 210 under the control of the control unit 400.

배기부(300)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)내의 가스를 외부로 배기한다. 일 실시 예에 따르면, 배기부(300)는 흡입 펌프(310), 여과 부재(320), 가스 농도 측정 부재(330), 알람 부재(340), 제 1 희석부(350), 제 2 희석부(360) 및 보조 펌프(370)를 포함할 수 있다.The exhaust part 300 exhausts the gas in the pipe 31d through the connection line 100 to the outside. According to one embodiment, the exhaust unit 300 includes a suction pump 310, a filter member 320, a gas concentration measuring member 330, an alarm member 340, a first diluter 350, (360) and an auxiliary pump (370).

흡입 펌프(310)는 배관(31d) 내의 가스를 흡입한다. 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 여과 부재(320)로 이송된다. 일 실시 예에 따르면, 흡입 펌프(310)는 로타리 펌프(Rotary pump)로 제공될 수 있다. 흡입 펌프(310)는 흡입 라인(311)에 의해 연결 라인(100)과 연결될 수 있다. 흡입 라인(311)에는 흡입 라인(311)을 개폐하는 흡입 라인 밸브(312)가 제공될 수 있다. 흡입 라인 밸브(312)는 제어부(400)의 제어에 의해 흡입 라인(311)을 개폐할 수 있다.The suction pump 310 sucks the gas in the pipe 31d. The gas sucked by the suction pump 310 is conveyed to the filtration member 320. According to one embodiment, the suction pump 310 may be provided as a rotary pump. The suction pump 310 may be connected to the connection line 100 by a suction line 311. The suction line 311 may be provided with a suction line valve 312 for opening and closing the suction line 311. [ The suction line valve 312 can open and close the suction line 311 under the control of the control unit 400. [

여과 부재(320)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스를 여과한다. 일 실시 예에 따르면, 여과 부재(320)는 흡착제(322)가 제공되는 캐니스터(Canister, 321)를 포함 수 있다. 흡착제(322)는 흡입 펌프(310)에 흡입된 가스의 독성, 부식성 및/또는 가연성 성분을 흡착한다. 본 실시 예에 따르면, 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 캐니스터(321) 내부를 통과하며 흡착제(322)에 의해 여과된다. 캐니스터(321)에는 흡착제(322)의 온도를 측정하는 온도 감지 부재(323)가 제공될 수 있다. 온도 감지 부재(323)는 측정된 흡착제(322)의 온도를 제어부(400)로 전달한다. 여과 부재(320)에 의해 여과된 가스는 배출 라인(380)을 따라 외부로 배출된다. 여과 부재(320)는 탈착 가능하게 제공될 수 있다. 따라서, 수명이 다한 흡착제(322)의 교체가 용이하도록 제공될 수 있다.The filter member (320) filters the gas sucked by the suction pump (310). According to one embodiment, the filter member 320 may include a canister 321 provided with an adsorbent 322. The adsorbent 322 adsorbs toxic, corrosive and / or combustible components of the gas aspirated into the suction pump 310. According to the present embodiment, the gas sucked by the suction pump 310 passes through the inside of the canister 321 and is filtered by the adsorbent 322. The canister 321 may be provided with a temperature sensing member 323 for measuring the temperature of the adsorbent 322. The temperature sensing member 323 transfers the temperature of the measured adsorbent 322 to the control unit 400. The gas filtered by the filter member 320 is discharged to the outside along the discharge line 380. The filter member 320 may be detachably provided. Therefore, the adsorbent 322 having a short life span can be easily replaced.

가스 농도 측정 부재(330)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 가스의 농도를 측정한다. 가스 농도 측정 부재(330)에서 측정된 가스의 농도 값은 제어부(400)로 전달된다. 일 실시 예에 따르면, 가스 농도 측정 부재(330)는 선택적으로 여과 부재(320)에 유입되기 전의 가스의 농도를 측정하거나, 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정하도록 제공될 수 있다.The gas concentration measuring member 330 measures the concentration of the gas before the gas sucked by the suction pump 310 is exhausted to the outside. The concentration value of the gas measured by the gas concentration measuring member 330 is transmitted to the control unit 400. According to one embodiment, the gas concentration measuring member 330 is provided to measure the concentration of the gas before it is selectively introduced into the filtration member 320, or to measure the concentration of the gas after being filtered by the filtration member 320 .

알람 부재(340)는 알람을 발생시킨다. 일 실시 예에 따르면, 알람 부재(340)는 제어부(400)의 제어에 의해 알람을 발생시킨다. 알람 부재(340)는 소리를 이용하여 작업자가 알람 상황을 인지할 수 있도록 제공될 수 있다. 이와 달리, 알람 부재(340)는 광을 발생시켜 작업자가 알람 상황을 인지할 수 있도록 제공될 수 있다.The alarm member 340 generates an alarm. According to one embodiment, the alarm member 340 generates an alarm under the control of the control unit 400. The alarm member 340 may be provided so that the operator can recognize the alarm condition using sound. Alternatively, the alarm member 340 may be provided to allow the operator to recognize the alarm condition by generating light.

제 1 희석부(350)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스에 퍼지 가스를 공급하여 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스를 희석시킨다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석부(350)는 제 1 희석 라인(351) 및 제 1 희석 라인 밸브(352)를 포함한다. The first diluter 350 supplies a purge gas to the gas sucked by the suction pump 310 to dilute the gas sucked by the suction pump 310. According to one embodiment, the first dilution part 350 includes a first dilution line 351 and a first dilution line valve 352.

일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 라인(351)은 질소 저장 용기(60) 및 흡입 라인(311)에 연결된다. 제 1 희석 라인(351)은 흡입 라인(311)의 흡입 펌프(310) 및 흡입 라인 밸브(312)의 사이에 연결된다.According to one embodiment, the first dilution line 351 is connected to the nitrogen storage vessel 60 and the suction line 311. The first dilution line 351 is connected between the suction pump 310 of the suction line 311 and the suction line valve 312.

제 1 희석 라인 밸브(352)는 제 1 희석 라인(351)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 라인 밸브(352)는 제어부(400)의 제어에 의해 제 1 희석 라인(351)을 개폐할 수 있다.The first dilution line valve 352 opens and closes the first dilution line 351. According to one embodiment, the first dilution line valve 352 may open / close the first dilution line 351 under the control of the control unit 400. [

제 2 희석부(360)는 여과 부재(320)에 의해 여과된 가스에 퍼지 가스를 공급하여 희석시킨다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석부(360)는 제 2 희석 라인(361) 및 제 2 희석 라인 밸브(362)를 포함한다. 제 2 희석부(360)는 필요에 따라 선택적으로 제공된다. 예를 들면, 여과 부재(320)에서 충분한 여과가 수행되는 경우, 제 2 희석부(360)는 제공되지 않을 수 있다.The second diluter 360 dilutes the gas filtered by the filter member 320 by supplying a purge gas. According to one embodiment, the second dilution portion 360 includes a second dilution line 361 and a second dilution line valve 362. [ The second diluter 360 is optionally provided as required. For example, if sufficient filtration is performed in the filtration member 320, the second dilution part 360 may not be provided.

일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 라인(361)은 질소 저장 용기(60)와 배출 라인(380)에 연결된다. 제 2 희석 라인(361)은 배출 라인(380)의 보조 펌프(370) 및 여과 부재(320)의 사이에 연결된다.According to one embodiment, the second dilution line 361 is connected to the nitrogen storage vessel 60 and the discharge line 380. The second dilution line 361 is connected between the auxiliary pump 370 and the filtration member 320 of the discharge line 380.

제 2 희석 라인 밸브(362)는 제 2 희석 라인(361)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 라인 밸브(362)는 제어부(400)의 제어에 의해 제 2 희석 라인(361)을 개폐할 수 있다.The second dilution line valve 362 opens and closes the second dilution line 361. According to one embodiment, the second dilution line valve 362 may open / close the second dilution line 361 under the control of the control unit 400. [

보조 펌프(370)는 배출 라인(380)을 통해 가스가 보다 용이하게 배출되도록 가스를 유동시키는 구동력을 제공한다. 보조 펌프(370)는 배출 라인(380)의 배출구에 인접한 영역에 제공될 수 있다. 보조 펌프(370)는 흡입 펌프(310)의 흡입 용량에 따라 선택적으로 제공되지 않을 수 있다. An auxiliary pump 370 provides a driving force to flow the gas through the discharge line 380 to allow the gas to be discharged more easily. An auxiliary pump 370 may be provided in an area adjacent to the outlet of the discharge line 380. The auxiliary pump 370 may not be selectively provided depending on the suction capacity of the suction pump 310.

제어부(400)는 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 제어부(400)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)으로 퍼지 가스를 주입한 후, 배관(31d) 내의 가스를 배기하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 및 배기를 번갈아 복수회 반복하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어할 수 있다. 이와 달리, 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 및 배기를 1회만 수행하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어할 수 있다.The control unit 400 controls the purge gas injection unit 200 and the exhaust unit 300. According to one embodiment, the control unit 400 injects the purge gas into the pipe 31d through the connection line 100 and then the purge gas injection unit 200 and the exhaust unit 300). According to an embodiment, the control unit 400 may control the purge gas injection unit 200 and the exhaust unit 300 so that the purge gas injection and the exhaust are alternately repeated a plurality of times. Alternatively, the control unit 400 may control the purge gas injection unit 200 and the exhaust unit 300 to perform purge gas injection and exhaust only once.

또한, 제어부(400)는 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 상기 농도가 기 설정된 농도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어할 수 있다. Further, the control unit 400 can control the alarm member 340 to generate an alarm when the concentration measured by the gas concentration measuring member 330 is equal to or higher than a predetermined concentration value.

또한, 제어부(400)는 온도 감지 부재(323)에 의해 측정된 흡착제(322)의 온도가 기 설정된 온도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어할 수 있다.In addition, the control unit 400 can control the alarm member 340 to generate an alarm when the temperature of the adsorbent 322 measured by the temperature sensing member 323 is equal to or higher than a predetermined temperature value.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 방법을 도 2의 가스 제거 장치(10)를 이용하여 설명한다. 이와 달리, 본 실시 예의 가스 제거 방법은 도 2의 가스 제거 장치(10)와 상이한 구성 및 구조를 가지는 가스 제거 장치(10)에 의해 수행될 수 있다. Hereinafter, the gas removing method according to the embodiment of the present invention will be described using the gas removing apparatus 10 of FIG. Alternatively, the gas removing method of this embodiment can be performed by the gas removing apparatus 10 having a configuration and structure different from the gas removing apparatus 10 of FIG.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 방법을 나타낸 순서도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 가스 제거 방법은 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d) 내의 가스를 제거하는 방법이다. 일 실시 예에 따르면, 가스 제거 방법은 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)를 포함한다. 4 is a flowchart illustrating a method of removing a gas according to an embodiment of the present invention. Referring to Figs. 2 to 4, the gas removing method is a method of removing gas in the pipe 31d of the valve manifold box 30. According to one embodiment, the degassing method includes a purge gas injection step (S10) and an evacuation step (S20).

퍼지 가스 주입 단계(S10)에서는 배관(31d)의 제 1 단부 밸브(41)는 열리고, 제 2 단부 밸브(42)는 닫힌 상태에서, 배관(31d)에 배관(31d)의 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 통해 퍼지 가스를 주입한다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 단계(S10)에서 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 라인(210)은 개방하고 흡입 라인(311)은 폐쇄하도록 퍼지 가스 주입 밸브(220) 및 흡입 라인 밸브(312)를 제어한다. 따라서, 질소 저장 용기(60)에 저장된 질소 가스는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)으로 주입되고, 질소 가스의 흡입 펌프(310)로의 유입은 차단된다. In the purge gas injection step S10, the first end valve 41 of the pipe 31d is opened and the second end valve 42 is closed in the valve manifold box of the pipe 31d 30) side end portion. According to one embodiment, in the purge gas injection step S10, the control unit 400 controls the purge gas injection valve 220 and the suction line valve 312 to open the purge gas injection line 210 and close the suction line 311 ). Therefore, the nitrogen gas stored in the nitrogen storage vessel 60 is injected into the pipe 31d through the connection line 100, and the flow of the nitrogen gas into the suction pump 310 is blocked.

이 후, 본 실시 예의 가스 제거 방법에 의한 가스 제거가 완료되기까지 제 1 단부 밸브(41)는 열린 상태를 유지하고, 제 2 단부 밸브(42)는 닫힌 상태를 유지한다. 퍼지 가스 주입 단계(S10)에서 배관(31d) 내부로 퍼지 가스를 주입함으로써 배기 단계(S20) 전에 가스의 농도를 낮춘다.Thereafter, the first end valve 41 is kept open and the second end valve 42 is kept closed until gas removal by the gas removing method of the present embodiment is completed. The purge gas is injected into the pipe 31d in the purge gas injection step S10 to lower the concentration of the gas before the exhaust step S20.

배기 단계(S20)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 이후에 수행된다. 배기 단계(S20)에서는 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 통해 배관(31d) 내의 가스를 외부로 배기한다. 일 실시 예에 따르면, 배기 단계(S20)는 흡기 단계(S21), 제 1 희석 단계(S22), 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21) 및 배기 단계(S20)는 배관(31d) 내에 잔류하는 가스의 종류 및/또는 예상되는 농도 및 양에 따라 서로 번갈아 복수회 수행되거나 각각 1회 수행될 수 있다. The venting step S20 is performed after the purge gas injection step S10. In the evacuation step S20, the gas in the pipe 31d is exhausted to the outside through the end portion of the valve manifold box 30 side. According to one embodiment, the venting step S20 may include an intake step S21, a first dilution step S22, a filtration step S23 and a second dilution step S24. According to one embodiment, the intake step S21 and the evacuation step S20 may be performed plural times alternately or one each time depending on the type and / or the expected concentration and amount of the gas remaining in the piping 31d have.

흡기 단계(S21)에서는 배관(31d) 내의 가스를 흡입한다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21)에서 제어부(400)는, 퍼지 가스 주입 라인(210)은 폐쇄하고 흡입 라인(311)은 개방되도록 퍼지 가스 주입 밸브(220) 및 흡입 라인 밸브(312)를 제어하고, 흡입 펌프(310)를 가동시켜 배관(31d) 내의 가스를 흡입한다. 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 흡입 라인(311)을 지나 여과 부재(320)로 이송된다. In the intake step S21, the gas in the pipe 31d is sucked. According to one embodiment, in the intake step S21, the control unit 400 controls the purge gas injection valve 220 and the suction line valve 312 so that the purge gas injection line 210 is closed and the suction line 311 is opened, And operates the suction pump 310 to suck the gas in the pipe 31d. The gas sucked by the suction pump 310 is conveyed to the filter member 320 through the suction line 311.

제 1 희석 단계(S22)에서는 흡기 단계(S21)에서 흡기된 가스를 희석한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 단계(S22)에서 제어부(400)는 제 1 희석 라인(351)을 개방하도록 제 1 희석 라인 밸브(352)를 제어함으로써 질소 저장 용기(60) 내의 질소 가스를 공급하여 흡기된 가스를 희석한다. 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 초기 일정 횟수까지의 수행시에는 그 이후의 수행시에 비해 흡기된 가스의 농도가 높을 수 있으므로 이를 희석하여 여과 부재(320)에 과부하가 걸리는 것을 방지하기 위해 수행된다. 따라서, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 복수회 수행되는 경우, 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 최초 수행시부터 일정 수행 횟수동안 수행되고, 이 후에는 수행되지 않을 수 있다. In the first dilution step (S22), the gas drawn in the intake step (S21) is diluted. According to one embodiment, in a first dilution step S22, the controller 400 controls the first dilution line valve 352 to open the first dilution line 351 to remove nitrogen gas in the nitrogen storage vessel 60 To dilute the intake gas. The first dilution step (S22) may dilute the intake gas concentration when the purge gas injection step (S10) and the exhaust step (S20) are performed up to a predetermined number of times, So as to prevent the member 320 from being overloaded. Therefore, when the purge gas injection step S10 and the exhaust step S20 are performed a plurality of times, the first dilution step S22 is performed from the first execution of the purge gas injection step S10 and the exhaust step S20 Times, and may not be performed thereafter.

예를 들면, 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 최초 수행 및 2회 수행시에는 수행되나 3회 수행시 이후에는 수행되지 않을 수 있다. 이와 달리, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 1회만 수행되는 경우, 제 1 희석 단계(S22)는 배관(31d)내에 잔류하는 가스의 종류 및/또는 예상되는 농도 및 양에 따라 선택적으로 수행 여부가 결정될 수 있다.For example, the first dilution step S22 may be performed during the first execution and the second execution of the purge gas injection step S10 and the exhaust step S20, but may not be performed after the third execution. Alternatively, when the purge gas injection step S10 and the exhaust step S20 are performed only once, the first dilution step S22 is carried out by changing the kind and / or the expected concentration and amount of the gas remaining in the pipe 31d It can be selectively determined whether to perform the operation.

여과 단계(S23)에서는 흡기 단계(S21)에서 흡입된 가스를 여과한다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21)에서 흡기된 가스는 캐니스터(321)를 지나면서 흡착제(322)에 의해 여과된다. In the filtering step S23, the gas sucked in the suction step S21 is filtered. According to one embodiment, the gas drawn in the intake stage S21 is filtered by the adsorbent 322 through the canister 321.

일 실시 예에 따르면, 여과 단계(S23)에서 온도 감지 부재(323)는 흡착제(322)의 온도를 측정한다. 측정된 흡착제(322)의 온도가 일정 온도값 이상에 도달하는 경우, 제어부(400)는 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어하고, 모든 밸브를 폐쇄되도록 제어하고, 흡입 펌프(310) 및 보조 펌프(370)를 가동 중지 시킬 수 있다. 따라서, 작업자는 흡착제(322)의 과부하에 대해 인식할 수 있고, 흡착제(322)의 과부하에 의한 장치의 손상 및 완전히 여과되지 않은 가스가 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다.According to one embodiment, the temperature sensing element 323 measures the temperature of the adsorbent 322 in the filtering step S23. When the temperature of the measured adsorbent 322 reaches a predetermined temperature value or higher, the control unit 400 controls the alarm member 340 to generate an alarm, controls all the valves to be closed, And the auxiliary pump 370 can be stopped. Therefore, the operator can recognize the overload of the adsorbent 322, and can prevent the damage of the apparatus due to the overload of the adsorbent 322 and the exhaustion of the gas that has not been completely filtered.

또한, 일 실시 예에 따르면, 가스 농도 측정 부재(330)는 여과 부재(320)에 의해 여과 되기 전의 가스의 농도 및/또는 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정할 수 있다. 예를 들면, 가스 농도 측정 부재(330)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 기 설정된 수만큼 수행된 후, 여과 부재(320)에 의해 여과 되기 전의 가스의 농도 및/또는 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정할 수 있다. 이 경우, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 해당 수행 횟수에서 예측되는 가스 농도에 비해 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 가스 농도가 일정값 이상 높게 측정되는 경우, 제어부(400)는 제어부(400)는 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어하고, 모든 밸브를 폐쇄되도록 제어하고, 흡입 펌프(310) 및 보조 펌프(370)를 가동 중지 시킬 수 있다. Further, according to one embodiment, the gas concentration measuring member 330 can measure the concentration of the gas before being filtered by the filtering member 320 and / or the concentration of the gas after being filtered by the filtering member 320 . For example, the gas concentration measuring member 330 may measure the concentration of the gas before being filtered by the filter member 320 and / or the concentration of the gas after the purge gas injection step (S10) and the exhaust step (S20) The concentration of the gas after being filtered by the filter member 320 can be measured. In this case, when the gas concentration measured by the gas concentration measuring member 330 is measured to be higher than a predicted gas concentration at the corresponding execution times of the purge gas injection step (S10) and the exhaust step (S20) The control unit 400 can control the alarm member 340 to generate an alarm and control all the valves to be closed and shut down the suction pump 310 and the auxiliary pump 370 to generate an alarm.

따라서, 작업자는 흡착제(322)의 과부하에 대해 인식할 수 있고, 흡착제(322)의 과부하에 의한 장치의 손상 및 완전히 여과되지 않은 가스가 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다. Therefore, the operator can recognize the overload of the adsorbent 322, and can prevent the damage of the apparatus due to the overload of the adsorbent 322 and the exhaustion of the gas that has not been completely filtered.

또한, 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 여과 부재(320)에 의해 여과 되기 전의 가스의 농도 및 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 비교하여 흡착제(322)의 성능을 모니터링하여 교체 여부를 판단할 수 있다. 이와 달리, 가스 제거 장치(10)의 외벽 및 캐니스터(321)의 흡착제(322)에 대응되는 일부 영역은 투명한 재질로 제공되어, 작업자는 흡착제(322)의 색을 시각적으로 관찰하여 흡착제(322)의 성능 및 교체 여부를 예측할 수 있다.The concentration of the gas before being filtered by the filter member 320 measured by the gas concentration measuring member 330 and the concentration of the gas after being filtered by the filter member 320 are compared to determine the performance of the adsorbent 322 It can be monitored and replaced. A portion of the outer wall of the degassing apparatus 10 and a portion of the canister 321 corresponding to the adsorbent 322 are provided in a transparent material so that the operator visually observes the color of the adsorbent 322, Can be predicted.

제 2 희석 단계(S24)에서는 여과 단계(S23)에서 여과된 가스를 희석한다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 단계(S24)에서 제어부(400)는 제 2 희석 라인(361)을 개방하도록 제 2 희석 라인 밸브(362)를 제어함으로써 질소 저장 용기(60) 내의 질소 가스를 공급하여 여과된 가스를 희석한다. 제 2 희석 단계(S24)는 선택적으로 수행된다. 예를 들면, 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 여과 후의 가스의 농도가 일정 값 이하인 경우, 제어부(400)는 제 2 희석 단계(S24)가 수행되지 않도록 제 2 희석 라인 밸브(362)를 제어할 수 있다. In the second dilution step (S24), the gas filtered in the filtration step (S23) is diluted. According to one embodiment, in the second dilution step S24, the controller 400 controls the second dilution line valve 362 to open the second dilution line 361 to remove nitrogen gas in the nitrogen storage vessel 60 To dilute the filtered gas. The second diluting step S24 is optionally performed. For example, when the concentration of the gas after filtration measured by the gas concentration measuring member 330 is equal to or lower than a predetermined value, the control unit 400 controls the second dilution line valve 362 so that the second dilution step S24 is not performed. Can be controlled.

여과 단계(S23)가 완료되거나, 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)가 완료된 가스는 배출 라인(380)을 통해 외부로 배출된다. 예를 들면, 배출 라인(380)은 기판 처리 장치(20) 내의 가스가 배기되는 덕트에 연결되고, 여과 단계(S23)가 완료되거나, 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)가 완료된 가스는 배출 라인(380)을 통해 상기 덕트로 배출될 수 있다. After the filtration step S23 is completed or the filtration step S23 and the second dilution step S24 are completed, the gas is discharged to the outside through the discharge line 380. [ For example, the discharge line 380 is connected to a duct in which gas is exhausted in the substrate processing apparatus 20, and the filtration step S23 is completed, or the filtration step S23 and the second dilution step S24 are completed The gas can be discharged to the duct through the exhaust line 380.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 장치 및 방법은 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d)의 기판 처리 장치(20) 측 단부가 아닌 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부로부터 가스를 제거함으로써 기판 처리 장치(20)의 가동 중에 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d)에 잔류하는 가스를 제거할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(20)의 가동 중단으로 인한 생산성 저하를 방지할 수 있고, 기판 처리 장치(20)의 재가동 준비를 위한 비용을 절감할 수 있다.As described above, the gas removing apparatus and method according to the embodiment of the present invention are arranged so that the gas is discharged from the end of the piping 31d of the valve manifold box 30 on the side of the valve manifold box 30 side Gas remaining in the piping 31d of the valve manifold box 30 can be removed during operation of the substrate processing apparatus 20 by removing the gas. Therefore, the productivity can be prevented from being lowered due to the interruption of the operation of the substrate processing apparatus 20, and the cost for preparing the substrate processing apparatus 20 for restarting can be reduced.

상술한 내용은 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 실시 예들이다. 본 발명은 상술한 실시 예들 이외에도, 단순하게 설계 변경되거나 용이하게 변경할 수 있는 실시 예들도 포함할 것이다. 또한, 본 발명은 실시 예들을 이용하여 용이하게 변형하여 실시할 수 있는 기술들도 포함될 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 실시 예들에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 할 것이다.The foregoing are specific embodiments for carrying out the present invention. The present invention may include, in addition to the above-described embodiments, embodiments that are simply designed or modified easily. In addition, the present invention will also include techniques that can be easily modified and implemented using the embodiments. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be determined by the claims equivalent to the claims of the present invention as well as the claims of the following.

10: 가스 제거 장치
20: 기판 처리 장치
30: 밸브 매니폴드 박스
31a, 31b, 31c, 31d, 31e: 배관
100: 연결 라인
200: 퍼지 가스 주입부
300: 배기부
310: 흡입 펌프
320: 여과 부재
400: 제어부10: Gas removal device
20: substrate processing apparatus
30: Valve manifold box
31a, 31b, 31c, 31d, and 31e:
100: connection line
200: purge gas injection part
300:
310: Suction pump
320: filtration member
400:

Claims (7)

기판 처리 장치;
상기 기판 처리 장치에 공급되는 가스를 저장하기 위한 저장 용기;
상기 기판 처리 장치와 복수의 배관으로 연결되고, 상기 저장 용기에 저장된 서로 다른 종류의 가스를 각각의 배관을 통해 상기 기판 처리 장치로 분배하는 밸브 매니폴드 박스; 및
상기 밸브 매니폴드 박스 내의 배관 중에서 적어도 하나와 연결되고, 상기 연결된 배관에 잔류하는 가스를 제거하기 위한 가스 제거 장치를 포함하되,
상기 가스 제거 장치는
상기 밸브 매니폴드 박스 내의 상기 연결된 배관과 연결되는 연결 라인;
상기 연결 라인을 통해 상기 연결된 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입부;
상기 연결 라인을 통해 상기 연결된 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기부; 및
상기 연결 라인을 통해 상기 연결된 배관으로 퍼지 가스를 주입한 후 상기 연결된 배관 내의 가스를 배기하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하는 제어부를 포함하는 가스 제거 시스템.A substrate processing apparatus;
A storage container for storing gas supplied to the substrate processing apparatus;
A valve manifold box connected to the substrate processing apparatus by a plurality of pipes and distributing different types of gases stored in the storage container to the substrate processing apparatus through respective pipes; And
And a gas removing device connected to at least one of the pipes in the valve manifold box and removing gas remaining in the connected pipe,
The gas-
A connection line connected to the connected piping in the valve manifold box;
A purge gas injection unit for injecting a purge gas into the connected pipe through the connection line;
An exhaust unit for exhausting the gas in the connected pipe through the connection line to the outside; And
And a control unit for controlling the purge gas injection unit and the exhaust unit to exhaust gas in the connected pipe after injecting purge gas into the connected pipe through the connection line. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 배기부는,
상기 연결된 배관 내의 가스를 흡입하는 흡입 펌프; 및
상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스를 여과하는 여과 부재를 포함하는 가스 제거 시스템.The method according to claim 1,
The exhaust unit includes:
A suction pump for sucking gas in the connected piping; And
And a filter member for filtering the gas sucked by the suction pump. 제 3 항에 있어서,
상기 배기부는,
상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 가스 농도 측정 부재; 및
알람을 발생시키는 알람 부재를 더 포함하되,
상기 제어부는 상기 가스 농도 측정 부재에 의해 측정된 상기 농도가 기 설정된 농도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 상기 알람 부재를 제어하는 가스 제거 시스템.The method of claim 3,
The exhaust unit includes:
A gas concentration measuring member for measuring a concentration of the gas before the gas sucked by the suction pump is exhausted to the outside; And
Further comprising an alarm member for generating an alarm,
Wherein the control unit controls the alarm member to generate an alarm when the concentration measured by the gas concentration measuring member is equal to or greater than a predetermined concentration value. 제 1 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 퍼지 가스 주입 및 상기 배기를 번갈아 복수회 반복하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하는 가스 제거 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the control unit controls the purge gas injection unit and the exhaust unit so that the purge gas injection and the exhaust are alternately repeated a plurality of times. 저장 용기에 저장된 서로 다른 종류의 가스를 각각의 배관을 통해 분배하는 밸브 매니폴드 박스와 연결되고, 상기 밸브 매니폴드 박스와 연결된 배관에 잔류하는 가스를 제거하기 위한 가스 제거 장치에 있어서,
상기 밸브 매니폴드 박스 내의 상기 연결된 배관과 연결되는 연결 라인;
상기 연결 라인을 통해 상기 연결된 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입부;
상기 연결 라인을 통해 상기 연결된 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기부; 및
상기 연결 라인을 통해 상기 연결된 배관으로 퍼지 가스를 주입한 후 상기 연결된 배관 내의 가스를 배기하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하는 제어부를 포함하는 가스 제거 장치.A gas removing apparatus connected to a valve manifold box for distributing different kinds of gas stored in a storage container through respective pipes and for removing gas remaining in a pipe connected to the valve manifold box,
A connection line connected to the connected piping in the valve manifold box;
A purge gas injection unit for injecting a purge gas into the connected pipe through the connection line;
An exhaust unit for exhausting the gas in the connected pipe through the connection line to the outside; And
And a control unit for controlling the purge gas injection unit and the exhaust unit to inject the purge gas into the connected pipe through the connection line and exhaust the gas in the connected pipe. 제 6 항에 있어서,
상기 배기부는,
상기 연결된 배관 내의 가스를 흡입하는 흡입 펌프;
상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스를 여과하는 여과 부재;
상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 가스 농도 측정 부재; 및
알람을 발생시키는 알람 부재를 더 포함하되,
상기 제어부는 상기 가스 농도 측정 부재에 의해 측정된 상기 농도가 기 설정된 농도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 상기 알람 부재를 제어하는 가스 제거 장치.The method according to claim 6,
The exhaust unit includes:
A suction pump for sucking gas in the connected piping;
A filtering member for filtering the gas sucked by the suction pump;
A gas concentration measuring member for measuring a concentration of the gas before the gas sucked by the suction pump is exhausted to the outside; And
Further comprising an alarm member for generating an alarm,
Wherein the control unit controls the alarm member to generate an alarm when the concentration measured by the gas concentration measuring member is equal to or greater than a predetermined concentration value.
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