KR20200123364A - Removing remaining gas system including removing remaining gas apparatus and method for removing remaining gas thereof - Google Patents

Removing remaining gas system including removing remaining gas apparatus and method for removing remaining gas thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20200123364A
KR20200123364A KR1020190046386A KR20190046386A KR20200123364A KR 20200123364 A KR20200123364 A KR 20200123364A KR 1020190046386 A KR1020190046386 A KR 1020190046386A KR 20190046386 A KR20190046386 A KR 20190046386A KR 20200123364 A KR20200123364 A KR 20200123364A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
pipe
gas removal
unit
residual gas
Prior art date
Application number
KR1020190046386A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조수민
이일용
조주형
정문수
김인수
Original Assignee
주식회사 고도이엔지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 고도이엔지 filed Critical 주식회사 고도이엔지
Priority to KR1020190046386A priority Critical patent/KR20200123364A/en
Publication of KR20200123364A publication Critical patent/KR20200123364A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

An objective of the present invention is to provide a residual gas removal system capable of removing gases remaining in a pipe while operating a substrate processing part, and a residual gas removal method thereof. According to an embodiment of the present invention, the residual gas removal system comprises: a pipe selection part connected to a substrate processing part through a plurality of pipes and providing different types of gases stored in a gas storage part to the substrate processing part through each pipe; and a residual gas removal part connected to a pipe selected from the plurality of pipes in the pipe selection part to remove gases remaining in the connected pipe, wherein the residual gas removal part can be connected to the connected pipe in the pipe selection part through a connection line, inject a purge gas into the connected pipe, and exhaust gases in the connected pipe to the outside.

Description

잔류 가스 제거부를 포함하는 잔류 가스 제거 시스템 및 그것의 잔류 가스 제거 방법{REMOVING REMAINING GAS SYSTEM INCLUDING REMOVING REMAINING GAS APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING REMAINING GAS THEREOF}A residual gas removal system including a residual gas removal unit, and a residual gas removal method thereof {REMOVING REMAINING GAS APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING REMAINING GAS THEREOF}

본 발명은 진류 가스 제거 장치 및 방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 기판 처리 장치로 가스를 배분하는 밸브 매니폴드 박스(Valve Manifold Box: VMB)의 배관 내에 잔류하는 가스를 제거하는 잔류 가스 제거 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum gas removal apparatus and method, and more particularly, a residual gas removal system for removing gas remaining in a pipe of a valve manifold box (VMB) that distributes gas to a substrate processing apparatus. It is about.

도 1은 일반적인 가스 제거 장치(1)를 이용하여 밸브 매니폴드 박스(2)의 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스를 제거하는 모습을 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 등에 사용되는 기판을 처리하는 기판 처리 장치 중 화학기상증착(CVD) 장치 등의 기판 처리 장치(4)는 수행하는 공정의 종류에 따라 복수 종류의 가스를 이용하여 기판을 처리할 수 있다. 이러한 복수 종류의 가스는 일반적으로 밸브 매니폴드 박스(2)에 의해 종류별로 분배되어 기판 처리 장치(4)로 공급된다. 1 is a view showing a state in which gas remaining in pipes 3c and 3d of a valve manifold box 2 is removed by using a general gas removal device 1. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 4 such as a chemical vapor deposition (CVD) apparatus among substrate processing apparatuses for processing substrates used for semiconductor wafers, etc. uses a plurality of gases according to the type of the process being performed. Can handle. These plural types of gases are generally distributed by type by the valve manifold box 2 and supplied to the substrate processing apparatus 4.

밸브 매니폴드 박스(2)는 가스 공급을 위해 기판 처리 장치(4)와 연결된 복수개의 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)을 포함한다. 다른 종류의 가스는 서로 다른 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)을 통해 기판 처리 장치(4)로 공급된다. 또한, 일 종류의 가스 공급에 사용되던 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)은 그와는 다른 종류의 가스 공급에는 사용되지 않는다. 따라서, 공정의 개선 등에 의해 기판 처리 장치(4)에서 사용되는 가스의 종류가 변경되는 경우, 기존에 사용되던 배관 중 일부의 배관(3c, 3d)은 사용되지 않은 상태로 방치될 수 있다.The valve manifold box 2 includes a plurality of pipes 3a, 3b, 3c, 3d, 3e connected to the substrate processing apparatus 4 for gas supply. Different types of gases are supplied to the substrate processing apparatus 4 through different pipes 3a, 3b, 3c, 3d, 3e. In addition, the pipes 3a, 3b, 3c, 3d, and 3e used for supplying one type of gas are not used for supplying other types of gas. Accordingly, when the type of gas used in the substrate processing apparatus 4 is changed due to process improvement or the like, some of the pipes 3c and 3d that have been previously used may be left unused.

기판 처리 장치(4)에서 사용되는 일부 가스는 독성 또는 상온에서의 가연성을 가진다. 또한, 사용되지 않는 상태의 배관(3c, 3d) 내부에 잔류하는 가스의 종류는 확인이 쉽지 않다. 따라서, 이러한 사용되지 않는 상태의 배관(3c, 3d)을 철거하기 위해서는 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스의 제거가 요구된다.Some gases used in the substrate processing apparatus 4 are toxic or flammable at room temperature. In addition, it is difficult to confirm the type of gas remaining in the pipes 3c and 3d in an unused state. Therefore, in order to remove the pipes 3c and 3d in the unused state, it is required to remove the gas remaining in the pipes 3c and 3d.

일반적인 가스 제거 장치(1)는 기판 처리 장치(4) 내에서 공정에 사용된 가스를 배기하는 배기관(5)을 통해 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스를 제거한다. 이 경우, 기판 처리 장치(4)를 통해 배관(3c, 3d) 내의 잔류 가스를 배출시키므로 가스 제거 시 기판 처리 장치(4)의 공정을 중단해야 한다. A typical gas removal device 1 removes gas remaining in the pipes 3c and 3d through an exhaust pipe 5 that exhausts gas used in a process in the substrate processing device 4. In this case, since the residual gas in the pipes 3c and 3d is discharged through the substrate processing apparatus 4, the process of the substrate processing apparatus 4 must be stopped when the gas is removed.

일반적으로 기판의 처리 공정을 수행하기 위해서는 온도 등의 기판 처리 장치(4)의 환경적인 조건이 충족되어야 하므로 중단된 기판 처리 장치(4)를 재가동하기 위해서는 이러한 조건을 충족시키기 위한 적지 않은 시간이 요구된다. In general, in order to perform the substrate processing process, environmental conditions of the substrate processing apparatus 4 such as temperature must be satisfied, so a considerable amount of time is required to re-operate the suspended substrate processing apparatus 4 to meet these conditions. do.

본 발명은 상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 것으로써, 본 발명의 목적은 기판 처리부 가동 중에 배관에 잔류하는 가스를 제거할 수 있는 잔류 가스 제거 시스템 및 잔류 가스 제거 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a residual gas removal system and a residual gas removal method capable of removing gas remaining in a pipe during operation of a substrate processing unit.

본 발명의 실시 예에 따른 잔류 가스 제거 시스템은, 기판 처리부와 복수의 배관으로 연결되고, 가스 저장부에 저장된 서로 다른 종류의 가스를 각각의 배관을 통해 상기 기판 처리부로 제공하는 배관 선택부; 및 상기 배관 선택부에서 상기 복수의 배관 중에서 선택된 배관과 연결되고, 상기 연결된 배관에 잔류하는 가스를 제거하기 위한 잔류 가스 제거부를 포함하되, 상기 잔류 가스 제거부는, 상기 배관 선택부 내의 상기 연결된 배관과 연결 라인을 통해 연결되고, 상기 연결된 배관으로 퍼지 가스를 주입하고, 상기 연결된 배관 내의 가스를 외부로 배기할 수 있다.A system for removing residual gas according to an embodiment of the present invention includes: a pipe selection unit connected to a substrate processing unit through a plurality of pipes and providing different types of gases stored in the gas storage unit to the substrate processing unit through respective pipes; And a residual gas removal unit connected to a pipe selected from among the plurality of pipes by the pipe selection unit and configured to remove gas remaining in the connected pipe, wherein the residual gas removal unit comprises: the connected pipe in the pipe selection unit and It is connected through a connection line, a purge gas is injected into the connected pipe, and the gas in the connected pipe may be exhausted to the outside.

실시 예로서, 상기 잔류 가스 제거부는, 상기 연결된 배관 내의 가스를 흡입하는 흡입 펌프; 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스를 여과하는 여과 부재; 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 가스 농도 측정 부재; 및 알람을 발생시키는 알람 부재를 포함할 수 있다.In an embodiment, the residual gas removal unit may include: a suction pump that sucks gas in the connected pipe; A filtering member filtering the gas sucked by the suction pump; A gas concentration measuring member for measuring the concentration of the gas before the gas sucked by the suction pump is discharged to the outside; And an alarm member generating an alarm.

본 발명은 잔류 가스 제거 시스템의 잔류 가스 제거 방법에 관한 것이다. 상기 잔류 가스 제거 시스템은, 기판 처리부와 복수의 배관으로 연결되고, 가스 저장부에 저장된 서로 다른 종류의 가스를 각각의 배관을 통해 상기 기판 처리부로 제공하는 배관 선택부; 및 상기 배관 선택부에서 상기 복수의 배관 중에서 선택된 배관과 연결되고, 상기 연결된 배관에 잔류하는 가스를 제거하기 위한 잔류 가스 제거부를 포함할 수 있다. 상기 전류 가스 제거 시스템의 잔류 가스 제거 방법은, 상기 잔류 가스 제거부에서 상기 연결된 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 단계; 및 상기 연결된 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 단계를 포함할 수 있다.The present invention relates to a residual gas removal method in a residual gas removal system. The residual gas removal system may include: a pipe selection unit connected to a substrate processing unit through a plurality of pipes and providing different types of gases stored in the gas storage unit to the substrate processing unit through respective pipes; And a residual gas removal unit connected to a pipe selected from among the plurality of pipes by the pipe selection unit and configured to remove gas remaining in the connected pipe. The residual gas removal method of the current gas removal system includes: injecting a purge gas from the residual gas removal unit into the connected pipe; And exhausting the gas in the connected pipe to the outside.

실시 예로서, 상기 잔류 가스 제거 방법은, 상기 연결된 배관 내의 가스를 흡입하는 단계; 상기 흡입된 가스를 여과하는 단계; 상기 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 단계를 더 포함할 수 있다.As an embodiment, the residual gas removal method includes: sucking gas in the connected pipe; Filtering the sucked gas; The step of measuring the concentration of the gas before the sucked gas is discharged to the outside may be further included.

본 발명의 실시 예에 따르면, 잔류 가스 제거 시스템 및 잔류 가스 제거 방법은 기판 처리 장치 가동 중에 배관에 잔류하는 가스를 제거할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the residual gas removal system and the residual gas removal method may remove gas remaining in a pipe during operation of the substrate processing apparatus.

도 1은 일반적인 가스 제거 장치를 이용하여 밸브 매니폴드 박스의 배관 내에 잔류하는 가스를 제거하는 모습을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 가스 제거 장치를 사용하여 밸브 매니폴드 박스의 배관 내의 가스를 제거하는 모습을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 잔류 가스 제거 시스템을 나타낸 블록도이다.1 is a view showing a state in which gas remaining in a pipe of a valve manifold box is removed using a general gas removal device.
2 is a schematic view showing a gas removal apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a state in which gas in a pipe of a valve manifold box is removed using the gas removal device of FIG. 2.
4 is a flow chart showing a gas removal method according to an embodiment of the present invention.
5 is a block diagram showing a residual gas removal system according to an embodiment of the present invention.

이하에서, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로, 본 발명의 실시 예들이 명확하고 상세하게 기재될 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described clearly and in detail to the extent that a person having ordinary knowledge in the technical field of the present invention can easily implement the present invention.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 장치(10)를 개략적으로 보여주는 블록도이고, 도 3은 도 2의 가스 제거 장치(10)를 포함하는 가스 제거 시스템을 보여주는 블록도이다. 가스 제거 시스템은 가스 제거 장치(10)를 사용하여 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d) 내의 가스를 제거할 수 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 가스 제거 장치(10)는 밸브 매니폴드 박스(30)의 기판 처리 장치(20)로 가스가 이송되는 배관(31d) 내의 가스를 제거한다. 가스 제거 장치(10)는 연결 라인(100), 퍼지 가스 주입부(200), 배기부(300) 및 제어부(400)를 포함한다.FIG. 2 is a block diagram schematically illustrating a gas removal device 10 according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram illustrating a gas removal system including the gas removal device 10 of FIG. 2. The gas removal system can remove gas in the piping 31d of the valve manifold box 30 using the gas removal device 10. 2 and 3, the gas removal device 10 removes gas in the pipe 31d through which gas is transferred to the substrate processing device 20 of the valve manifold box 30. The gas removal device 10 includes a connection line 100, a purge gas injection unit 200, an exhaust unit 300, and a control unit 400.

기판 처리 장치(20)는 복수 종류의 가스를 이용하여, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 장치이다. 예를 들면, 기판 처리 장치(20)는 화학기상증착(CVD) 장치일 수 있다.The substrate processing apparatus 20 is an apparatus that processes a substrate such as a semiconductor wafer using a plurality of types of gases. For example, the substrate processing apparatus 20 may be a chemical vapor deposition (CVD) apparatus.

밸브 매니폴드 박스(VMB: Valve Manifold Box, 30)는 기판 처리 장치(20)로 가스를 분배한다. 밸브 매니폴드 박스(30)는 기판 처리 장치(20)로 가스가 이송되는 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 포함한다. 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)은 복수개가 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e) 중 일부(31c, 31d)는 사용되지 않는다. 사용되는 배관(31a, 31b, 31e)의 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부에는 기판 처리 장치(20)에 공급되는 가스가 저장된 저장 용기(50)들이 연결될 수 있다.A valve manifold box (VMB) 30 distributes gas to the substrate processing apparatus 20. The valve manifold box 30 includes pipes 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e through which gas is transferred to the substrate processing apparatus 20. A plurality of pipes 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e may be provided. According to an embodiment, some of the pipes 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e are not used. Storage containers 50 in which gas supplied to the substrate processing apparatus 20 is stored may be connected to end portions of the pipes 31a, 31b, and 31e at the valve manifold box 30 side.

연결 라인(100)은 사용되지 않는 상태인 배관(31c, 31d) 중 내부 가스 제거가 요구되는 배관(31d)의 양 끝단 중 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부에 연결된다. 배관(31d)에는 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 개폐하는 제 1 단부 밸브(41)와 기판 처리 장치(20) 측 단부를 개폐하는 제 2 단부 밸브(42)가 제공될 수 있다.The connection line 100 is connected to an end of the valve manifold box 30 side of both ends of the pipe 31d requiring internal gas removal among the pipes 31c and 31d in an unused state. The pipe 31d may be provided with a first end valve 41 that opens and closes an end of the valve manifold box 30 and a second end valve 42 that opens and closes an end of the substrate processing apparatus 20.

퍼지 가스 주입부(200)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)으로 퍼지 가스를 주입한다. 퍼지 가스는 비활성 가스로 제공될 수 있다. 예를 들면, 퍼지 가스는 질소(N2) 가스로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입부(200)는 퍼지 가스 주입 라인(210) 및 퍼지 가스 주입 밸브(220)를 포함한다. The purge gas injection unit 200 injects the purge gas into the pipe 31d through the connection line 100. The purge gas may be provided as an inert gas. For example, the purge gas may be provided as nitrogen (N 2 ) gas. According to an embodiment, the purge gas injection unit 200 includes a purge gas injection line 210 and a purge gas injection valve 220.

일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 라인(210)은 고압의 질소가 저장된 질소 저장 용기(60) 및 연결 라인(100)에 연결된다. According to an embodiment, the purge gas injection line 210 is connected to the nitrogen storage container 60 and the connection line 100 in which high-pressure nitrogen is stored.

퍼지 가스 주입 밸브(220)는 퍼지 가스 주입 라인(210)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 밸브(220)는 제어부(400)의 제어에 의해 퍼지 가스 주입 라인(210)을 개폐한다. The purge gas injection valve 220 opens and closes the purge gas injection line 210. According to an embodiment, the purge gas injection valve 220 opens and closes the purge gas injection line 210 under the control of the controller 400.

배기부(300)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)내의 가스를 외부로 배기한다. 일 실시 예에 따르면, 배기부(300)는 흡입 펌프(310), 여과 부재(320), 가스 농도 측정 부재(330), 알람 부재(340), 제 1 희석부(350), 제 2 희석부(360) 및 보조 펌프(370)를 포함할 수 있다.The exhaust part 300 exhausts the gas in the pipe 31d to the outside through the connection line 100. According to an embodiment, the exhaust unit 300 includes a suction pump 310, a filtering member 320, a gas concentration measuring member 330, an alarm member 340, a first dilution unit 350, and a second dilution unit. It may include 360 and an auxiliary pump 370.

흡입 펌프(310)는 배관(31d) 내의 가스를 흡입한다. 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 여과 부재(320)로 이송된다. 일 실시 예에 따르면, 흡입 펌프(310)는 로타리 펌프(Rotary pump)로 제공될 수 있다. 흡입 펌프(310)는 흡입 라인(311)에 의해 연결 라인(100)과 연결될 수 있다. 흡입 라인(311)에는 흡입 라인(311)을 개폐하는 흡입 라인 밸브(312)가 제공될 수 있다. 흡입 라인 밸브(312)는 제어부(400)의 제어에 의해 흡입 라인(311)을 개폐할 수 있다.The suction pump 310 sucks gas in the pipe 31d. The gas sucked by the suction pump 310 is transferred to the filtering member 320. According to an embodiment, the suction pump 310 may be provided as a rotary pump. The suction pump 310 may be connected to the connection line 100 by a suction line 311. The suction line 311 may be provided with a suction line valve 312 that opens and closes the suction line 311. The suction line valve 312 may open and close the suction line 311 under the control of the controller 400.

여과 부재(320)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스를 여과한다. 일 실시 예에 따르면, 여과 부재(320)는 흡착제(322)가 제공되는 캐니스터(Canister, 321)를 포함 수 있다. 흡착제(322)는 흡입 펌프(310)에 흡입된 가스의 독성, 부식성 및/또는 가연성 성분을 흡착한다. 본 실시 예에 따르면, 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 캐니스터(321) 내부를 통과하며 흡착제(322)에 의해 여과된다. 캐니스터(321)에는 흡착제(322)의 온도를 측정하는 온도 감지 부재(323)가 제공될 수 있다. 온도 감지 부재(323)는 측정된 흡착제(322)의 온도를 제어부(400)로 전달한다. 여과 부재(320)에 의해 여과된 가스는 배출 라인(380)을 따라 외부로 배출된다. 여과 부재(320)는 탈착 가능하게 제공될 수 있다. 따라서, 수명이 다한 흡착제(322)의 교체가 용이하도록 제공될 수 있다.The filtering member 320 filters the gas sucked by the suction pump 310. According to an embodiment, the filtering member 320 may include a canister 321 provided with an adsorbent 322. The adsorbent 322 adsorbs toxic, corrosive and/or combustible components of the gas sucked into the suction pump 310. According to this embodiment, the gas sucked by the suction pump 310 passes through the canister 321 and is filtered by the adsorbent 322. The canister 321 may be provided with a temperature sensing member 323 that measures the temperature of the adsorbent 322. The temperature sensing member 323 transmits the measured temperature of the adsorbent 322 to the controller 400. The gas filtered by the filtering member 320 is discharged to the outside along the discharge line 380. The filtering member 320 may be provided detachably. Therefore, it may be provided to facilitate replacement of the adsorbent 322 has reached the end of its life.

가스 농도 측정 부재(330)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 가스의 농도를 측정한다. 가스 농도 측정 부재(330)에서 측정된 가스의 농도 값은 제어부(400)로 전달된다. 일 실시 예에 따르면, 가스 농도 측정 부재(330)는 선택적으로 여과 부재(320)에 유입되기 전의 가스의 농도를 측정하거나, 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정하도록 제공될 수 있다.The gas concentration measuring member 330 measures the concentration of the gas before the gas sucked by the suction pump 310 is discharged to the outside. The concentration value of the gas measured by the gas concentration measuring member 330 is transmitted to the controller 400. According to an embodiment, the gas concentration measuring member 330 may be provided to selectively measure the concentration of the gas before flowing into the filtering member 320 or to measure the concentration of the gas after being filtered by the filtering member 320. I can.

알람 부재(340)는 알람을 발생시킨다. 일 실시 예에 따르면, 알람 부재(340)는 제어부(400)의 제어에 의해 알람을 발생시킨다. 알람 부재(340)는 소리를 이용하여 작업자가 알람 상황을 인지할 수 있도록 제공될 수 있다. 이와 달리, 알람 부재(340)는 광을 발생시켜 작업자가 알람 상황을 인지할 수 있도록 제공될 수 있다.The alarm member 340 generates an alarm. According to an embodiment, the alarm member 340 generates an alarm under control of the controller 400. The alarm member 340 may be provided so that an operator can recognize an alarm situation using sound. Alternatively, the alarm member 340 may be provided so that the operator can recognize the alarm situation by generating light.

제 1 희석부(350)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스에 퍼지 가스를 공급하여 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스를 희석시킨다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석부(350)는 제 1 희석 라인(351) 및 제 1 희석 라인 밸브(352)를 포함한다. The first dilution unit 350 dilutes the gas sucked by the suction pump 310 by supplying a purge gas to the gas sucked by the suction pump 310. According to an embodiment, the first dilution unit 350 includes a first dilution line 351 and a first dilution line valve 352.

일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 라인(351)은 질소 저장 용기(60) 및 흡입 라인(311)에 연결된다. 제 1 희석 라인(351)은 흡입 라인(311)의 흡입 펌프(310) 및 흡입 라인 밸브(312)의 사이에 연결된다.According to an embodiment, the first dilution line 351 is connected to the nitrogen storage container 60 and the suction line 311. The first dilution line 351 is connected between the suction pump 310 of the suction line 311 and the suction line valve 312.

제 1 희석 라인 밸브(352)는 제 1 희석 라인(351)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 라인 밸브(352)는 제어부(400)의 제어에 의해 제 1 희석 라인(351)을 개폐할 수 있다.The first dilution line valve 352 opens and closes the first dilution line 351. According to an embodiment, the first dilution line valve 352 may open and close the first dilution line 351 under the control of the controller 400.

제 2 희석부(360)는 여과 부재(320)에 의해 여과된 가스에 퍼지 가스를 공급하여 희석시킨다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석부(360)는 제 2 희석 라인(361) 및 제 2 희석 라인 밸브(362)를 포함한다. 제 2 희석부(360)는 필요에 따라 선택적으로 제공된다. 예를 들면, 여과 부재(320)에서 충분한 여과가 수행되는 경우, 제 2 희석부(360)는 제공되지 않을 수 있다.The second dilution unit 360 supplies and dilutes the purge gas to the gas filtered by the filtering member 320. According to an embodiment, the second dilution unit 360 includes a second dilution line 361 and a second dilution line valve 362. The second dilution part 360 is selectively provided as needed. For example, when sufficient filtration is performed in the filtration member 320, the second dilution unit 360 may not be provided.

일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 라인(361)은 질소 저장 용기(60)와 배출 라인(380)에 연결된다. 제 2 희석 라인(361)은 배출 라인(380)의 보조 펌프(370) 및 여과 부재(320)의 사이에 연결된다.According to an embodiment, the second dilution line 361 is connected to the nitrogen storage container 60 and the discharge line 380. The second dilution line 361 is connected between the auxiliary pump 370 of the discharge line 380 and the filtering member 320.

제 2 희석 라인 밸브(362)는 제 2 희석 라인(361)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 라인 밸브(362)는 제어부(400)의 제어에 의해 제 2 희석 라인(361)을 개폐할 수 있다.The second dilution line valve 362 opens and closes the second dilution line 361. According to an embodiment, the second dilution line valve 362 may open and close the second dilution line 361 under control of the controller 400.

보조 펌프(370)는 배출 라인(380)을 통해 가스가 보다 용이하게 배출되도록 가스를 유동시키는 구동력을 제공한다. 보조 펌프(370)는 배출 라인(380)의 배출구에 인접한 영역에 제공될 수 있다. 보조 펌프(370)는 흡입 펌프(310)의 흡입 용량에 따라 선택적으로 제공되지 않을 수 있다. The auxiliary pump 370 provides a driving force to flow the gas so that the gas is more easily discharged through the discharge line 380. The auxiliary pump 370 may be provided in an area adjacent to the outlet of the discharge line 380. The auxiliary pump 370 may not be selectively provided according to the suction capacity of the suction pump 310.

제어부(400)는 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 제어부(400)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)으로 퍼지 가스를 주입한 후, 배관(31d) 내의 가스를 배기하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 및 배기를 번갈아 복수회 반복하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어할 수 있다. 이와 달리, 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 및 배기를 1회만 수행하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어할 수 있다.The control unit 400 controls the purge gas injection unit 200 and the exhaust unit 300. According to an embodiment, the controller 400 injects the purge gas into the pipe 31d through the connection line 100, and then the purge gas injection unit 200 and the exhaust unit 200 to exhaust the gas in the pipe 31d. 300). According to an embodiment, the controller 400 may control the purge gas injection unit 200 and the exhaust unit 300 to alternately repeat the injection and exhaust of the purge gas a plurality of times. Alternatively, the control unit 400 may control the purge gas injection unit 200 and the exhaust unit 300 to perform the purge gas injection and exhaust only once.

또한, 제어부(400)는 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 상기 농도가 기 설정된 농도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어할 수 있다. In addition, the control unit 400 may control the alarm member 340 to generate an alarm when the concentration measured by the gas concentration measuring member 330 is equal to or greater than a preset concentration value.

또한, 제어부(400)는 온도 감지 부재(323)에 의해 측정된 흡착제(322)의 온도가 기 설정된 온도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어할 수 있다.In addition, the controller 400 may control the alarm member 340 to generate an alarm when the temperature of the adsorbent 322 measured by the temperature sensing member 323 is equal to or higher than a preset temperature value.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 방법을 도 2의 가스 제거 장치(10)를 이용하여 설명한다. 이와 달리, 본 실시 예의 가스 제거 방법은 도 2의 가스 제거 장치(10)와 상이한 구성 및 구조를 가지는 가스 제거 장치(10)에 의해 수행될 수 있다. Hereinafter, a gas removal method according to an embodiment of the present invention will be described using the gas removal device 10 of FIG. 2. Alternatively, the gas removal method of the present embodiment may be performed by the gas removal device 10 having a different configuration and structure from the gas removal device 10 of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 방법을 나타낸 순서도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 가스 제거 방법은 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d) 내의 가스를 제거하는 방법이다. 일 실시 예에 따르면, 가스 제거 방법은 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)를 포함한다. 4 is a flow chart showing a gas removal method according to an embodiment of the present invention. 2 to 4, the gas removal method is a method of removing gas in the pipe 31d of the valve manifold box 30. According to an embodiment, the gas removal method includes a purge gas injection step (S10) and an exhaust step (S20).

퍼지 가스 주입 단계(S10)에서는 배관(31d)의 제 1 단부 밸브(41)는 열리고, 제 2 단부 밸브(42)는 닫힌 상태에서, 배관(31d)에 배관(31d)의 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 통해 퍼지 가스를 주입한다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 단계(S10)에서 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 라인(210)은 개방하고 흡입 라인(311)은 폐쇄하도록 퍼지 가스 주입 밸브(220) 및 흡입 라인 밸브(312)를 제어한다. 따라서, 질소 저장 용기(60)에 저장된 질소 가스는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)으로 주입되고, 질소 가스의 흡입 펌프(310)로의 유입은 차단된다. In the purge gas injection step S10, with the first end valve 41 of the pipe 31d open and the second end valve 42 closed, the valve manifold box of the pipe 31d in the pipe 31d ( 30) Purge gas is injected through the side end. According to an embodiment, in the purge gas injection step (S10), the control unit 400 opens the purge gas injection line 210 and closes the suction line 311. The purge gas injection valve 220 and the suction line valve 312 ) To control. Accordingly, the nitrogen gas stored in the nitrogen storage container 60 is injected into the pipe 31d through the connection line 100, and the introduction of the nitrogen gas into the suction pump 310 is blocked.

이후, 본 실시 예의 가스 제거 방법에 의한 가스 제거가 완료되기까지 제 1 단부 밸브(41)는 열린 상태를 유지하고, 제 2 단부 밸브(42)는 닫힌 상태를 유지한다. 퍼지 가스 주입 단계(S10)에서 배관(31d) 내부로 퍼지 가스를 주입함으로써 배기 단계(S20) 전에 가스의 농도를 낮춘다.Thereafter, the first end valve 41 is maintained in an open state and the second end valve 42 is maintained in a closed state until the gas removal by the gas removal method of the present embodiment is completed. By injecting a purge gas into the pipe 31d in the purge gas injection step S10, the concentration of the gas is lowered before the exhaust step S20.

배기 단계(S20)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 이후에 수행된다. 배기 단계(S20)에서는 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 통해 배관(31d) 내의 가스를 외부로 배기한다. 일 실시 예에 따르면, 배기 단계(S20)는 흡기 단계(S21), 제 1 희석 단계(S22), 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21) 및 배기 단계(S20)는 배관(31d) 내에 잔류하는 가스의 종류 및/또는 예상되는 농도 및 양에 따라 서로 번갈아 복수회 수행되거나 각각 1회 수행될 수 있다. The evacuation step (S20) is performed after the purge gas injection step (S10). In the exhaust step S20, the gas in the pipe 31d is exhausted to the outside through the end of the valve manifold box 30 side. According to an embodiment, the exhaust step S20 may include an intake step S21, a first dilution step S22, a filtration step S23, and a second dilution step S24. According to an embodiment, the intake step (S21) and the exhaust step (S20) may be alternately performed a plurality of times or each may be performed once according to the type and/or the expected concentration and amount of the gas remaining in the pipe 31d. have.

흡기 단계(S21)에서는 배관(31d) 내의 가스를 흡입한다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21)에서 제어부(400)는, 퍼지 가스 주입 라인(210)은 폐쇄하고 흡입 라인(311)은 개방되도록 퍼지 가스 주입 밸브(220) 및 흡입 라인 밸브(312)를 제어하고, 흡입 펌프(310)를 가동시켜 배관(31d) 내의 가스를 흡입한다. 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 흡입 라인(311)을 지나 여과 부재(320)로 이송된다. In the intake step S21, gas in the pipe 31d is sucked. According to an embodiment, in the intake step (S21), the control unit 400 includes the purge gas injection valve 220 and the suction line valve 312 so that the purge gas injection line 210 is closed and the suction line 311 is opened. Is controlled, and the suction pump 310 is operated to suck the gas in the pipe 31d. The gas sucked by the suction pump 310 passes through the suction line 311 and is transferred to the filtering member 320.

제 1 희석 단계(S22)에서는 흡기 단계(S21)에서 흡기된 가스를 희석한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 단계(S22)에서 제어부(400)는 제 1 희석 라인(351)을 개방하도록 제 1 희석 라인 밸브(352)를 제어함으로써 질소 저장 용기(60) 내의 질소 가스를 공급하여 흡기된 가스를 희석한다. 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 초기 일정 횟수까지의 수행시에는 그 이후의 수행시에 비해 흡기된 가스의 농도가 높을 수 있으므로 이를 희석하여 여과 부재(320)에 과부하가 걸리는 것을 방지하기 위해 수행된다. 따라서, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 복수회 수행되는 경우, 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 최초 수행시부터 일정 수행 횟수동안 수행되고, 이 후에는 수행되지 않을 수 있다. In the first dilution step (S22), the gas inhaled in the intake step (S21) is diluted. According to an embodiment, in the first dilution step (S22), the control unit 400 controls the first dilution line valve 352 to open the first dilution line 351, thereby reducing nitrogen gas in the nitrogen storage container 60. It is supplied to dilute the intake gas. In the first dilution step (S22), when the purge gas injection step (S10) and the exhaust step (S20) are performed up to an initial predetermined number of times, the concentration of the intake gas may be higher than that of the subsequent execution. This is done to prevent the member 320 from being overloaded. Therefore, when the purge gas injection step (S10) and the exhaust step (S20) are performed a plurality of times, the first dilution step (S22) is performed regularly from the initial execution of the purge gas injection step (S10) and the exhaust step (S20). Performed for a number of times, after which it may not be performed.

예를 들면, 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 최초 수행 및 2회 수행시에는 수행되나 3회 수행시 이후에는 수행되지 않을 수 있다. 이와 달리, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 1회만 수행되는 경우, 제 1 희석 단계(S22)는 배관(31d)내에 잔류하는 가스의 종류 및/또는 예상되는 농도 및 양에 따라 선택적으로 수행 여부가 결정될 수 있다.For example, the first dilution step S22 may be performed when the purge gas injection step S10 and the exhaust step S20 are performed for the first time and twice, but may not be performed after performing three times. In contrast, when the purge gas injection step (S10) and the exhaust step (S20) are performed only once, the first dilution step (S22) is performed according to the type and/or the expected concentration and amount of the gas remaining in the pipe 31d. According to this, whether to perform selectively may be determined.

여과 단계(S23)에서는 흡기 단계(S21)에서 흡입된 가스를 여과한다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21)에서 흡기된 가스는 캐니스터(321)를 지나면서 흡착제(322)에 의해 여과된다. In the filtration step S23, the gas sucked in the intake step S21 is filtered. According to an embodiment, the gas inhaled in the intake step (S21) is filtered by the adsorbent 322 while passing through the canister 321.

일 실시 예에 따르면, 여과 단계(S23)에서 온도 감지 부재(323)는 흡착제(322)의 온도를 측정한다. 측정된 흡착제(322)의 온도가 일정 온도값 이상에 도달하는 경우, 제어부(400)는 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어하고, 모든 밸브를 폐쇄되도록 제어하고, 흡입 펌프(310) 및 보조 펌프(370)를 가동 중지 시킬 수 있다. 따라서, 작업자는 흡착제(322)의 과부하에 대해 인식할 수 있고, 흡착제(322)의 과부하에 의한 장치의 손상 및 완전히 여과되지 않은 가스가 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment, in the filtering step (S23), the temperature sensing member 323 measures the temperature of the adsorbent 322. When the measured temperature of the adsorbent 322 reaches a certain temperature value or more, the control unit 400 controls the alarm member 340 to generate an alarm, controls all valves to be closed, and the suction pump 310 And the auxiliary pump 370 can be stopped. Accordingly, the operator can recognize the overload of the adsorbent 322 and prevent damage to the device due to the overload of the adsorbent 322 and the gas that has not been completely filtered from being discharged to the outside.

또한, 일 실시 예에 따르면, 가스 농도 측정 부재(330)는 여과 부재(320)에 의해 여과되기 전의 가스의 농도 및/또는 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정할 수 있다. 예를 들면, 가스 농도 측정 부재(330)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 기설정된 수만큼 수행된 후, 여과 부재(320)에 의해 여과되기 전의 가스의 농도 및/또는 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정할 수 있다. 이 경우, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 해당 수행 횟수에서 예측되는 가스 농도에 비해 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 가스 농도가 일정값 이상 높게 측정되는 경우, 제어부(400)는 제어부(400)는 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어하고, 모든 밸브를 폐쇄되도록 제어하고, 흡입 펌프(310) 및 보조 펌프(370)를 가동 중지시킬 수 있다. In addition, according to an embodiment, the gas concentration measuring member 330 may measure the concentration of the gas before being filtered by the filtering member 320 and/or the concentration of the gas after being filtered by the filtering member 320. . For example, the gas concentration measuring member 330 may perform the purge gas injection step (S10) and the exhaust step (S20) by a predetermined number, and then the concentration of the gas before being filtered by the filtering member 320 and/or The concentration of the gas after filtering by the filtering member 320 can be measured. In this case, when the gas concentration measured by the gas concentration measuring member 330 is measured to be higher than a predetermined value compared to the gas concentration predicted from the corresponding execution number of the purge gas injection step (S10) and the exhaust step (S20), the controller The control unit 400 may control the alarm member 340 to generate an alarm, control all valves to be closed, and stop the suction pump 310 and the auxiliary pump 370.

따라서, 작업자는 흡착제(322)의 과부하에 대해 인식할 수 있고, 흡착제(322)의 과부하에 의한 장치의 손상 및 완전히 여과되지 않은 가스가 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, the operator can recognize the overload of the adsorbent 322 and prevent damage to the device due to the overload of the adsorbent 322 and the gas that has not been completely filtered from being discharged to the outside.

또한, 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 여과 부재(320)에 의해 여과 되기 전의 가스의 농도 및 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 비교하여 흡착제(322)의 성능을 모니터링하여 교체 여부를 판단할 수 있다. 이와 달리, 가스 제거 장치(10)의 외벽 및 캐니스터(321)의 흡착제(322)에 대응되는 일부 영역은 투명한 재질로 제공되어, 작업자는 흡착제(322)의 색을 시각적으로 관찰하여 흡착제(322)의 성능 및 교체 여부를 예측할 수 있다.In addition, the performance of the adsorbent 322 is compared by comparing the concentration of the gas before being filtered by the filtration member 320 measured by the gas concentration measuring member 330 and the concentration of the gas after filtration by the filtration member 320. It can be monitored to determine whether to replace it. In contrast, some areas corresponding to the outer wall of the gas removal device 10 and the adsorbent 322 of the canister 321 are made of a transparent material, so that the operator visually observes the color of the adsorbent 322 and the adsorbent 322 Can predict the performance and replacement of

제 2 희석 단계(S24)에서는 여과 단계(S23)에서 여과된 가스를 희석한다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 단계(S24)에서 제어부(400)는 제 2 희석 라인(361)을 개방하도록 제 2 희석 라인 밸브(362)를 제어함으로써 질소 저장 용기(60) 내의 질소 가스를 공급하여 여과된 가스를 희석한다. 제 2 희석 단계(S24)는 선택적으로 수행된다. 예를 들면, 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 여과 후의 가스의 농도가 일정 값 이하인 경우, 제어부(400)는 제 2 희석 단계(S24)가 수행되지 않도록 제 2 희석 라인 밸브(362)를 제어할 수 있다. In the second dilution step (S24), the gas filtered in the filtration step (S23) is diluted. According to an embodiment, in the second dilution step (S24), the control unit 400 controls the second dilution line valve 362 to open the second dilution line 361, thereby reducing nitrogen gas in the nitrogen storage container 60. Supply and dilute the filtered gas. The second dilution step S24 is selectively performed. For example, when the concentration of the gas after filtration measured by the gas concentration measuring member 330 is less than a certain value, the control unit 400 controls the second dilution line valve 362 so that the second dilution step S24 is not performed. Can be controlled.

여과 단계(S23)가 완료되거나, 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)가 완료된 가스는 배출 라인(380)을 통해 외부로 배출된다. 예를 들면, 배출 라인(380)은 기판 처리 장치(20) 내의 가스가 배기되는 덕트에 연결되고, 여과 단계(S23)가 완료되거나, 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)가 완료된 가스는 배출 라인(380)을 통해 상기 덕트로 배출될 수 있다.The gas for which the filtration step S23 is completed or the filtration step S23 and the second dilution step S24 is completed is discharged to the outside through the discharge line 380. For example, the discharge line 380 is connected to a duct through which the gas in the substrate processing apparatus 20 is exhausted, and the filtration step (S23) is completed, or the filtration step (S23) and the second dilution step (S24) are completed. The gas may be discharged to the duct through the discharge line 380.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 장치 및 방법은 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d)의 기판 처리 장치(20) 측 단부가 아닌 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부로부터 가스를 제거함으로써 기판 처리 장치(20)의 가동 중에 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d)에 잔류하는 가스를 제거할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(20)의 가동 중단으로 인한 생산성 저하를 방지할 수 있고, 기판 처리 장치(20)의 재가동 준비를 위한 비용을 절감할 수 있다.As described above, the gas removal apparatus and method according to the embodiment of the present invention are not from the end of the pipe 31d of the valve manifold box 30 on the side of the substrate processing device 20, but from the end of the side of the valve manifold box 30. By removing the gas, it is possible to remove the gas remaining in the pipe 31d of the valve manifold box 30 during operation of the substrate processing apparatus 20. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in productivity due to an interruption in operation of the substrate processing apparatus 20, and reduce the cost for preparing the substrate processing apparatus 20 to be restarted.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 잔류 가스 제거 시스템을 나타낸 블록도이다. 잔류 가스 제거 시스템(1000)은 가스 저장부(1100), 배관 선택부(1200), 기판 처리부(1300), 그리고 잔류 가스 제거부(1400)를 포함한다. 5 is a block diagram showing a residual gas removal system according to an embodiment of the present invention. The residual gas removal system 1000 includes a gas storage unit 1100, a pipe selection unit 1200, a substrate processing unit 1300, and a residual gas removal unit 1400.

가스 저장부(1100)에는 기판 처리부(1300)로 제공될 가스가 저장되어 있다. 배관 선택부(1200)는 앞에서 설명한 밸브 매니폴드 박스(30)를 포함하며, 복수의 배관(1250) 중 적어도 하나의 배관을 선택하고, 선택한 배관을 잔류 가스 제거부(1400)에 연결할 수 있다. 기판 처리부(1300)는 앞에서 설명한 기판 처리 장치(20)에 해당한다. 그리고 잔류 가스 제거부(1400)는 배관 선택부(1200)에서 선택한 배관에 연결되어, 연결된 배관의 잔류 가스를 제거할 수 있다. 잔류 가스 제거부(1400)의 구성 및 동작 원리는 도 2 내지 도 4에서 설명한 바와 같다.Gas to be provided to the substrate processing unit 1300 is stored in the gas storage unit 1100. The pipe selection unit 1200 includes the valve manifold box 30 described above, selects at least one pipe from among the plurality of pipes 1250, and connects the selected pipe to the residual gas removal unit 1400. The substrate processing unit 1300 corresponds to the substrate processing apparatus 20 described above. In addition, the residual gas removal unit 1400 may be connected to a pipe selected by the pipe selection unit 1200 to remove residual gas from the connected pipe. The configuration and operation principle of the residual gas removal unit 1400 are the same as those described with reference to FIGS. 2 to 4.

배관 선택부(1200)가 잔류 가스 제거부(1400)의 연결 라인(도 3 참조, 100)과 기판 처리부(1300)에 연결된 배관(1250) 중에서 잔류 가스를 담고 있는 배관을 연결하는 방법은 여러 가지가 있을 수 있다. 실시 예로서, 배관 선택부(1200)는 도 3에 도시된 바와 같이 수동으로 제 1 단부 밸브(41)에 연결하는 방법이 있다. 또한, 배관 선택부(1200)는 버튼이나 스위치 등을 이용하여 자동으로 연결 라인과 배관을 연결할 수 있다. There are various methods of connecting the pipe containing the residual gas from among the connection line (see FIG. 3, 100) of the pipe selection unit 1200 of the residual gas removal unit 1400 and the pipe 1250 connected to the substrate processing unit 1300. There may be. As an embodiment, there is a method of manually connecting the pipe selection unit 1200 to the first end valve 41 as shown in FIG. 3. In addition, the pipe selection unit 1200 may automatically connect the connection line and the pipe using a button or a switch.

상술한 내용은 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 실시 예들이다. 본 발명은 상술한 실시 예들 이외에도, 단순하게 설계 변경되거나 용이하게 변경할 수 있는 실시 예들도 포함할 것이다. 또한, 본 발명은 실시 예들을 이용하여 용이하게 변형하여 실시할 수 있는 기술들도 포함될 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 실시 예들에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 할 것이다.The above description is a detailed example for carrying out the present invention. In addition to the above-described embodiments, the present invention will include simple design changes or embodiments that can be easily changed. In addition, the present invention will also include techniques that can be easily modified and implemented using the embodiments. Accordingly, the scope of the present invention is limited to the above-described embodiments and should not be defined, and should be defined by the claims and equivalents of the present invention as well as the claims to be described later.

10: 가스 제거 장치
20: 기판 처리 장치
30: 밸브 매니폴드 박스
31a, 31b, 31c, 31d, 31e: 배관
100: 연결 라인
200: 퍼지 가스 주입부
300: 배기부
310: 흡입 펌프
320: 여과 부재
400: 제어부10: degassing device
20: substrate processing apparatus
30: valve manifold box
31a, 31b, 31c, 31d, 31e: piping
100: connecting line
200: purge gas injection unit
300: exhaust
310: suction pump
320: filtering member
400: control unit

Claims (4)

기판 처리부와 복수의 배관으로 연결되고, 가스 저장부에 저장된 서로 다른 종류의 가스를 각각의 배관을 통해 상기 기판 처리부로 제공하는 배관 선택부; 및
상기 배관 선택부에서 상기 복수의 배관 중에서 선택된 배관과 연결되고, 상기 연결된 배관에 잔류하는 가스를 제거하기 위한 잔류 가스 제거부를 포함하되,
상기 잔류 가스 제거부는, 상기 배관 선택부 내의 상기 연결된 배관과 연결 라인을 통해 연결되고, 상기 연결된 배관으로 퍼지 가스를 주입하고, 상기 연결된 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 잔류 가스 제거 시스템.A pipe selection unit connected to the substrate processing unit by a plurality of pipes and providing different types of gases stored in the gas storage unit to the substrate processing unit through respective pipes; And
A residual gas removal unit connected to a pipe selected from the plurality of pipes by the pipe selection unit and configured to remove a gas remaining in the connected pipe,
The residual gas removal unit is connected to the connected pipe in the pipe selection unit through a connection line, injects a purge gas into the connected pipe, and exhausts the gas in the connected pipe to the outside. 제 1 항에 있어서,
상기 잔류 가스 제거부는,
상기 연결된 배관 내의 가스를 흡입하는 흡입 펌프;
상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스를 여과하는 여과 부재;
상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 가스 농도 측정 부재; 및
알람을 발생시키는 알람 부재를 포함하는 잔류 가스 제거 시스템.The method of claim 1,
The residual gas removal unit,
A suction pump that sucks gas in the connected pipe;
A filtering member for filtering the gas sucked by the suction pump;
A gas concentration measuring member for measuring the concentration of the gas before the gas sucked by the suction pump is discharged to the outside; And
A residual gas removal system including an alarm member for generating an alarm. 잔류 가스 제거 시스템의 잔류 가스 제거 방법에 있어서,
상기 잔류 가스 제거 시스템은,
기판 처리부와 복수의 배관으로 연결되고, 가스 저장부에 저장된 서로 다른 종류의 가스를 각각의 배관을 통해 상기 기판 처리부로 제공하는 배관 선택부; 및
상기 배관 선택부에서 상기 복수의 배관 중에서 선택된 배관과 연결되고, 상기 연결된 배관에 잔류하는 가스를 제거하기 위한 잔류 가스 제거부를 포함하고,
상기 전류 가스 제거 시스템의 잔류 가스 제거 방법은,
상기 잔류 가스 제거부에서 상기 연결된 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 단계; 및
상기 연결된 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 단계를 포함하는 잔류 가스 제거 시스템의 잔류 가스 제거 방법.In the residual gas removal method of the residual gas removal system,
The residual gas removal system,
A pipe selection unit connected to the substrate processing unit by a plurality of pipes and providing different types of gases stored in the gas storage unit to the substrate processing unit through respective pipes; And
A residual gas removal unit connected to a pipe selected from among the plurality of pipes by the pipe selection unit and configured to remove gas remaining in the connected pipe,
The residual gas removal method of the current gas removal system,
Injecting a purge gas from the residual gas removal unit into the connected pipe; And
The residual gas removal method of the residual gas removal system comprising the step of exhausting the gas in the connected pipe to the outside. 제 3 항에 있어서,
상기 연결된 배관 내의 가스를 흡입하는 단계;
상기 흡입된 가스를 여과하는 단계;
상기 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 단계를 더 포함하는 잔류 가스 제거 방법.The method of claim 3,
Sucking gas in the connected pipe;
Filtering the sucked gas;
The residual gas removal method further comprising the step of measuring the concentration of the gas before the sucked gas is discharged to the outside.
KR1020190046386A 2019-04-19 2019-04-19 Removing remaining gas system including removing remaining gas apparatus and method for removing remaining gas thereof KR20200123364A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190046386A KR20200123364A (en) 2019-04-19 2019-04-19 Removing remaining gas system including removing remaining gas apparatus and method for removing remaining gas thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190046386A KR20200123364A (en) 2019-04-19 2019-04-19 Removing remaining gas system including removing remaining gas apparatus and method for removing remaining gas thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200123364A true KR20200123364A (en) 2020-10-29

Family

ID=73129432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190046386A KR20200123364A (en) 2019-04-19 2019-04-19 Removing remaining gas system including removing remaining gas apparatus and method for removing remaining gas thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20200123364A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101974647B1 (en) Apparatus and method for removing gas
TWI596689B (en) Manufacturing method of substrate processing apparatus and semiconductor device and computer-readable recording medium recorded with flow rate monitoring program
KR101033408B1 (en) Contained object transfer system
JP5829248B2 (en) Substrate processing apparatus, recipe transition program, semiconductor device manufacturing method, and substrate processing apparatus recipe display method
KR102391794B1 (en) Substrate processing apparatus
JP2011181771A (en) Substrate processing device
JP4616798B2 (en) Substrate processing apparatus and display method of substrate processing apparatus
JP6115291B2 (en) Load port device and EFEM system
JP2010074141A (en) Substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
TWI618115B (en) Substrate processing apparatus and method of cleaning chamber
JP5570468B2 (en) Plasma processing apparatus and exhaust method of residual gas
KR20200123364A (en) Removing remaining gas system including removing remaining gas apparatus and method for removing remaining gas thereof
JP5275606B2 (en) Substrate processing apparatus, screen display program, and display method for substrate processing apparatus
KR20200123365A (en) Method for removing remaining gas of pipe connected to substrate process apparatus
KR20200085207A (en) Apparatus and method for removing gas
KR102343068B1 (en) Apparatus for exhausting gas
JP2009224588A (en) Substrate treatment apparatus
KR102325324B1 (en) Residual process gas exhaust apparatus and method for exhausting residual process gas using the same
KR20030021302A (en) Ventilation structure for semiconductor manufacturing equipment
JP2008311461A (en) Substrate processing apparatus
KR100857928B1 (en) Method and system for removal of gas, and plasma processing device
KR0134818Y1 (en) Apparatus for exhausting resident gas in gas supplying tube for atmospheric pressure chemical vapor depositing system
JP5295208B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and substrate processing apparatus operation method
JPH0587298A (en) Gas supplying method and gas supplying device
JP4931902B2 (en) Processing method and processing system