KR19980069172A - Residual gas exhaust method of gas supply system - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스 공급 시스템의 잔류 가스 배기 방법에 관한 것으로, 제 1 가스 배관에 설치되어 있는 제 2 에어 밸브와 제 2 가스 배관에 설치되어 있는 제 4 에어 밸브를 교대로 개폐하여 가스 배관 내에 잔류되어 있는 가연성 가스를 소량 진공 배기 장치로 배기시킴으로써 가연성 가스에 의해 진공 펌프가 오염되는 것과 중화 장치가 소손되는 것을 방지할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for exhausting residual gas in a gas supply system, and alternately opens and closes a second air valve provided in a first gas pipe and a fourth air valve provided in a second gas pipe, thereby remaining in the gas pipe. By exhausting the present combustible gas into a small amount of the vacuum exhaust device, it is possible to prevent the vacuum pump from being contaminated by the combustible gas and to burn out the neutralizing device.

Description

가스 공급 시스템의 잔류 가스 배기 방법Residual gas exhaust method of gas supply system

본 발명은 가스 공급 시스템의 잔류 가스 배기 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 가스 실린더를 교체할 경우 가스 배관 내에 잔존해 있는 가연성 가스를 순차적으로 나누어 배기시킴으로써 가스 공급 시스템의 주변설비를 보호하기 위한 가스 공급 시스템의 잔류 가스 배기 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of exhausting residual gas of a gas supply system, and more particularly, to replace a gas cylinder, a gas for protecting peripheral equipment of a gas supply system by sequentially exhausting combustible gas remaining in a gas pipe. A method for exhausting residual gas in a supply system.

일반적으로 반도체 소자를 제조하는 반도체 제조설비는 여러 종류의 반응가스가 사용되며, 이와 같은 반응 가스는 가스 실린더에 연결되어 있는 배관에 의해 반응로로 이송되고, 가스 실린더에 일정량 이하의 반응 가스가 남게 되면 가스 실린더를 교체하게 된다.Generally, various types of reaction gases are used in a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device. Such reaction gases are transferred to a reactor by a pipe connected to a gas cylinder, and a reaction gas of a certain amount or less remains in the gas cylinder. Will replace the gas cylinder.

이때, 가스 실린더의 교체에 따라서 가스 실린더의 교체 시간만큼은 반응로에 반응 가스를 공급할 수 없음으로 최근에는 도 1에 도시된 바와 같이 반응 가스의 공급이 중단되지 않고 가스 실린더를 교체할 수 있는 자동교체용 가스 케비넷이 개발되어 있다.At this time, according to the replacement of the gas cylinder, the reaction gas cannot be supplied to the reactor for the replacement time of the gas cylinder. As shown in FIG. 1, the automatic replacement that can replace the gas cylinder without stopping the supply of the reaction gas as shown in FIG. Gas cabinets have been developed.

도 1은 종래의 가스 공급 시스템의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing the structure of a conventional gas supply system.

도시된 바와 같이 반도체 제조 설비의 가스 공급 시스템(100)은 반응 가스가 고압으로 채워져 있는 가스 실린더(10)와, 반응 가스를 이용하여 공정을 진행하는 프로세서 챔버(20)와, 가스 실린더(10) 및 프로세스 챔버(20)가 공통적으로 연통되어 있는 가스 배관(30)과, 가스 실린더(10)를 교체시 가스 배관(30)에 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지 배관(40)과, 가스 교체시 가스 배관(30)에 잔존해 있는 가스를 배기하기 위한 벤트 배관(50)과, 벤트 배관(50)과 연통되어 가스를 외부로 배출하는 진공배기장치(50)로 구성되어 있다.As illustrated, the gas supply system 100 of the semiconductor manufacturing facility includes a gas cylinder 10 in which a reactive gas is filled with high pressure, a processor chamber 20 for performing a process using the reactive gas, and a gas cylinder 10. And a gas pipe 30 in which the process chamber 20 is in common communication, a purge pipe 40 for supplying purge gas to the gas pipe 30 when the gas cylinder 10 is replaced, and a gas when gas is replaced. The vent pipe 50 for exhausting the gas remaining in the pipe 30 and the vacuum exhaust device 50 which communicates with the vent pipe 50 and discharges the gas to the outside are comprised.

여기서, 가스 배관(30)은 가스 실린더(10)와 연통되어 있는 제 1 가스 배관(31)과, 제 1 가스 배관(31)의 말단과 프로세서 챔버(20)에 상호 연통되어 프로세서 챔버(20)에 공정용 가스를 공급하는 제 2 가스 배관(32)과, 제 1 가스 배관(31) 소정영역에 일측 단부가 연통되고 제 2 가스 배관(32)의 말단이 연통되며 타측 단부가 벤트 배관(50)에 연통되어 있는 제 3 가스 배관(33)으로 구성되어 있다. 여기서, 제 1 가스 배관(31) 소정 영역에는 제 1 및 제 2 에어 밸브(34a)(34b)가 설치되어 있고, 제 1 및 제 2 에어 밸브(34a)(34b) 사이에는 가스 실린더(10)에서 공급되는 가스의 부유물을 제거하는 제 1 가스 필터(35)가 설치되어 있으며, 제 2 에어 밸브(34b) 상부에는 가스의 유량과 유압을 측정하기 위한 레귤레이터(36)가 설치되어 있다. 또한, 제 2 가스 배관(32)에는 제 1 가스 배관(31)이 연통된 부분을 기준으로 제 1 가스 배관(31) 상부쪽에는 제 3 에어 밸브(AV3)와 제 2 가스 필터(LF2)가 설치되어 있고, 제 1 가스 배관(31) 하부쪽에는 제 4 에어 밸브(34c)와 공급된 가스가 일방향으로만 흐르도록 제어하는 제 1 체크 밸브(37)가 설치되어 있다. 또한, 제 3 가스 배관(33)에는 제 2 가스 배관(32)을 기준으로 제 2 가스 배관(32) 우측에는 제 5 에어 밸브(AV5)와 제 2 체크 밸브(CV2)가 설치되어 있고, 제 2 가스 배관(32) 좌측에는 매뉴얼 밸브(38)가 설치되어 있다.Here, the gas pipe 30 communicates with the first gas pipe 31, which communicates with the gas cylinder 10, the end of the first gas pipe 31, and the processor chamber 20, and communicates with the processor chamber 20. One end of the second gas pipe 32 for supplying the process gas to the first gas pipe 31 and a predetermined region of the first gas pipe 31 communicates with each other, and an end of the second gas pipe 32 communicates with the other end of the vent pipe 50. It is comprised by the 3rd gas piping 33 connected to (). Here, the 1st and 2nd air valve 34a, 34b is provided in the 1st gas piping 31 predetermined area | region, and the gas cylinder 10 is provided between the 1st and 2nd air valve 34a, 34b. A first gas filter 35 is installed to remove the suspended matter of the gas supplied from the gas, and a regulator 36 for measuring the flow rate and oil pressure of the gas is provided above the second air valve 34b. In addition, a third air valve AV3 and a second gas filter LF2 are disposed on an upper side of the first gas pipe 31 based on a portion where the first gas pipe 31 communicates with the second gas pipe 32. In the lower part of the 1st gas piping 31, the 1st check valve 37 which controls so that the 4th air valve 34c and the supplied gas may flow only in one direction is provided. The third gas pipe 33 is provided with a fifth air valve AV5 and a second check valve CV2 on the right side of the second gas pipe 32 on the basis of the second gas pipe 32. 2 A manual valve 38 is provided on the left side of the gas pipe 32.

또한, 퍼지 배관(40)은 제 1 가스 배관(31)에 연통되어 있는 질소 퍼지 가스 배관(41)과, 질소 퍼지 가스 배관(41)의 일정영역에 연통되어 헬륨가스를 공급하는 헬륨 퍼지 가스 배관(43)으로 구성되어 있다. 여기서, 질소 퍼지 가스 배관(41) 및 헬륨 퍼지 가스 배관(43) 소정영역에는 에어 밸브(45)가 설치되어 있다.Further, the purge pipe 40 communicates with the nitrogen purge gas pipe 41 communicating with the first gas pipe 31, and the helium purge gas pipe communicating with a predetermined region of the nitrogen purge gas pipe 41 to supply helium gas. It consists of 43. Here, the air valve 45 is provided in predetermined region of the nitrogen purge gas pipe 41 and the helium purge gas pipe 43.

또한, 벤트 배관(50)은 제 3 가스 배관(33) 말단과 진공배기장치(60) 사이에 연통되어 있으며, 진공배기장치(60)는 저압을 발생시키는 진공펌프(61), 진공펌프(61)를 통해 배출된 반응 가스를 중화시키는 산중화장치인 스크러버(scrubber)(63)와, 중화된 가스를 배기시키는 주 배기관(exhaust line)(65)으로 구성되어 있다.In addition, the vent pipe 50 is communicated between the end of the third gas pipe 33 and the vacuum exhaust device 60, the vacuum exhaust device 60 is a vacuum pump 61, a vacuum pump 61 for generating a low pressure And a scrubber 63, which is an acid neutralizer, which neutralizes the reaction gas discharged through the < RTI ID = 0.0 >), and < / RTI >

이와 같이 구성된 종래의 가스 공급 시스템의 잔류 가스 벤트 방법을 설명하면 다음과 같다.The residual gas venting method of the conventional gas supply system configured as described above is as follows.

가스 실린더(10)에 채워져 있던 실란 가스(SiH4)를 반도체 제조 공정에 전부 소비하였을 경우 빈 가스 실린더(10)를 실란 가스가 충전되어 있는 새로운 가스 실린더(10)로 교체하여야 한다.When the silane gas (SiH 4 ) filled in the gas cylinder 10 is consumed in the semiconductor manufacturing process, the empty gas cylinder 10 should be replaced with a new gas cylinder 10 filled with the silane gas.

가스 실린더(10)를 교체하기 위해서는 제 1 가스 배관(31)에 설치되어 있는 제 1 에어 밸브(34a)와 제 2 가스 배관(32)에 설치되어 있는 제 3 에어 밸브(AV3)를 폐쇄시키고 제 3 가스 배관(33)에 설치되어 있는 매뉴얼 밸브(38)를 개방한다. 이후, 질소 퍼지 가스 배관(41)과 헬륨 퍼지 가스 배관(43)에 설치되어 있는 에어 밸브(45)를 개방하여 제 1, 제 2 및 제 3 가스 배관(31)(32)(33)에 질소 및 헬륨 가스를 공급하면 가스 배관(30)에 잔존 있던 실란 가스가 진공 펌프(61)의 흡입에 의해서 벤트 배관(50)쪽으로 모두 배기한다.In order to replace the gas cylinder 10, the 1st air valve 34a provided in the 1st gas piping 31 and the 3rd air valve AV3 provided in the 2nd gas piping 32 are closed, 3 Open the manual valve 38 provided in the gas pipe 33. Thereafter, the air valve 45 provided in the nitrogen purge gas pipe 41 and the helium purge gas pipe 43 is opened to provide nitrogen to the first, second and third gas pipes 31, 32, 33. And when helium gas is supplied, all of the silane gas remaining in the gas pipe 30 is exhausted to the vent pipe 50 by suction of the vacuum pump 61.

이와 같이 진공 펌프(61)의 흡입에 의해서 벤트 배관(50)으로 배기된 실란 가스는 진공 펌프(61)와 스크러버(63) 및 주 배기관(65)을 거쳐 외부로 배기된다.Thus, the silane gas exhausted to the vent pipe 50 by the suction of the vacuum pump 61 is exhausted to the outside via the vacuum pump 61, the scrubber 63 and the main exhaust pipe (65).

그러나, 실란가스가 잔류되어 있는 제 1, 제 2 및 제 3 가스 배관에 퍼지가스인 질소가스와 헬륨가스가 공급되면 순간적으로 많은 양의 실란가스가 진공 배기 장치로 퍼지되어 가연성 가스인 실란가스에 의해서 진공 펌프가 오염되거나 중화장치가 소손되는 문제점이 있었다.However, when nitrogen gas and helium gas, which are purge gas, are supplied to the first, second, and third gas pipes in which the silane gas remains, a large amount of silane gas is momentarily purged by the vacuum exhaust device to the silane gas, which is combustible gas. There was a problem that the vacuum pump is contaminated or the neutralizer is burned out.

따라서, 본 발명은 벤트 배관쪽으로 배기되는 가연성 가스의 배기를 다단계로 나누어 진행하여 많은 양의 가연성 가스에 의해 진공 펌프가 오염되거나 스크러버가 소손되는 것을 방지하기 위한 가스 공급 시스템의 잔류 가스 배기 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention provides a method of exhausting residual gas of a gas supply system to prevent the vacuum pump from being contaminated or burned out by a large amount of combustible gas by dividing the exhaust of the combustible gas exhausted toward the vent pipe in multiple stages. It is.

도 1은 종래의 가스 공급 시스템의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing the structure of a conventional gas supply system.

이와 같은 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 가스 실린더를 기준으로 가스 배관 전단에 설치되어 있는 제 1 에어 밸브를 개방하고 상기 가스 배관 후단에 설치되는 제 2 에어 밸브를 폐쇄하여 상기 가스 배관에 잔류해 있는 잔류 가스를 퍼지하는 단계와, 상기 제 1 에어 밸브를 폐쇄하고 상기 제 2 에어 밸브를 개방하여 상기 퍼지된 잔류 가스를 벤트 배관으로 배출시키는 단계를 반복하여 상기 가스 배관에 상기 잔류된 가스를 완전히 배기하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention maintains the first air valve installed at the front end of the gas pipe on the basis of the gas cylinder, and closes the second air valve installed at the rear end of the gas pipe. Purging the residual gas, and closing the first air valve and opening the second air valve to discharge the purged residual gas into the vent pipe, thereby completely exhausting the remaining gas in the gas pipe. Characterized in that.

이하 본 발명에 의한 가연성 가스 배기 방법을 첨부된 도면 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서, 가스 공급 시스템의 구조는 도 1에 도시된 것과 동일하므로 본 발명에서는 가스 공급 시스템의 구조 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, a method of evacuating a combustible gas according to the present invention will be described with reference to FIG. 1. Here, since the structure of the gas supply system is the same as that shown in FIG. 1, the description of the structure of the gas supply system will be omitted.

본 발명에 의한 가스 배기 방법을 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The gas exhaust method according to the present invention will be described with reference to FIG. 1.

가스 실린더(10)에 채워져 있던 실란 가스를 반도체 제조 공정에 전부 소비하였을 경우 빈 가스 실린더(10)를 실란 가스가 충전되어 있는 새로운 가스 실린더(10)로 교체하여야 한다.When the silane gas filled in the gas cylinder 10 is consumed in the semiconductor manufacturing process, the empty gas cylinder 10 should be replaced with a new gas cylinder 10 filled with the silane gas.

가스 실린더(10)를 교체하기 위해서는 제 1 가스 배관(31)에 설치되어 있는 제 1 에어 밸브(34a)와 제 2 가스 배관(32)에 설치되어 있는 제 3 에어 밸브(AV3) 및 제 4 에어 밸브(34c)를 폐쇄시키고 제 3 가스 배관(33)에 설치되어 있는 매뉴얼 밸브(38)를 개방한다. 이후, 질소 퍼지 가스 배관(41)과 헬륨 퍼지 가스 배관(43)에 설치되어 있는 에어 밸브(45)를 개방하여 가스 배관(30)에 질소 및 헬륨 가스를 공급하면 제 2 에어 밸브(34b)가 개방되어 있고 제 4 에어 밸브(34c)는 폐쇄되어 있어 퍼지가스가 제 4 에어 밸브(34c) 전단까지만 공급된다. 이후, 제 2 에어 밸브(34b)를 폐쇄하고 제 4 에어 밸브(34c)를 개방하면 제 2 에어 밸브(34b)와 제 4 에어 밸브(34c) 사이에 잔류되어 있는 퍼지가스 및 실란가스가 진공 펌프(61)의 흡입력에 의해서 벤트 배관(50)쪽으로 배기된다.In order to replace the gas cylinder 10, the 1st air valve 34a provided in the 1st gas piping 31 and the 3rd air valve AV3 and 4th air provided in the 2nd gas piping 32 are shown. The valve 34c is closed and the manual valve 38 provided in the third gas pipe 33 is opened. Thereafter, when the air valve 45 provided in the nitrogen purge gas pipe 41 and the helium purge gas pipe 43 is opened to supply nitrogen and helium gas to the gas pipe 30, the second air valve 34b is It is open and the 4th air valve 34c is closed, and purge gas is supplied only to the front of 4th air valve 34c. Thereafter, when the second air valve 34b is closed and the fourth air valve 34c is opened, the purge gas and the silane gas remaining between the second air valve 34b and the fourth air valve 34c are vacuum pumped. By the suction force of 61, it is exhausted to the vent pipe 50 side.

이후, 제 2 에어 밸브(34b)와 제 4 에어 밸브(34c) 사이에 잔류되어 있던 가스들이 벤트 배관(50)쪽으로 배기되면, 다시 제 4 에어 밸브(34c)는 폐쇄시키고 제 2 에어 밸브(34b)를 개방하여 제 1 에어 밸브(34a)와 제 2 에어 밸브(34b) 사이에 잔류해 있는 가스를 제 4 에어 밸브(34c)쪽으로 퍼지시킨다. 이와 같은 방법으로 제 1, 제 2 및 제 3 가스 배관(31)(32)(33)에 잔류되어 있는 실란가스가 전부 배기될 때까지 제 2 에어 밸브(34b)와 제 4 에어 밸브(34c)를 교대로 개폐시킨다.Then, when the gas remaining between the second air valve 34b and the fourth air valve 34c is exhausted toward the vent pipe 50, the fourth air valve 34c is closed again and the second air valve 34b is closed. ) Is opened to purge the gas remaining between the first air valve 34a and the second air valve 34b toward the fourth air valve 34c. In this manner, the second air valve 34b and the fourth air valve 34c until all of the silane gas remaining in the first, second and third gas pipes 31, 32 and 33 are exhausted. Open and close alternately.

이와 같이, 제 2 에어 밸브(34b)와 제 4 에어 밸브(34c)를 교대로 개폐하여 가스 배관(30) 내에 잔류되어 있는 가스를 배기시면 소량의 실란 가스가 계속적으로 진공배기장치(60)로 배기된다.As described above, when the second air valve 34b and the fourth air valve 34c are alternately opened and closed to exhaust the gas remaining in the gas pipe 30, a small amount of silane gas is continuously transferred to the vacuum exhaust device 60. Exhausted.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 제 1 가스 배관에 설치되어 있는 제 2 에어 밸브와 제 2 가스 배관에 설치되어 있는 제 4 에어 밸브를 교대로 개폐하여 가스 배관 내에 잔류되어 있는 가연성 가스를 소량 진공 배기 장치로 배기시킴으로써 가연성 가스에 의해 진공 펌프가 오염되는 것과 중화 장치가 소손되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention alternately opens and closes the second air valve provided in the first gas pipe and the fourth air valve provided in the second gas pipe to evacuate a small amount of combustible gas remaining in the gas pipe. By evacuating to the apparatus, the vacuum pump is contaminated by the combustible gas and the neutralizing apparatus can be prevented from being burned out.

Claims (2)

가스 실린더를 교체할 경우 가스 배관 내부에 잔류된 가스를 외부로 배기하는 방법에 있어서,In the case of replacing the gas cylinder in the method of exhausting the gas remaining in the gas pipe to the outside, 상기 가스 실린더를 기준으로 상기 가스 배관 전단에 설치되어 있는 제 1 에어 밸브를 개방하고 상기 가스 배관 후단에 설치되는 제 2 에어 밸브를 폐쇄하여 상기 가스 배관에 잔류해 있는 잔류 가스를 퍼지하는 단계와;Opening the first air valve installed at the front end of the gas pipe on the basis of the gas cylinder and closing the second air valve installed at the rear end of the gas pipe to purge residual gas remaining in the gas pipe; 상기 제 1 에어 밸브를 폐쇄하고 상기 제 2 에어 밸브를 개방하여 상기 퍼지된 잔류 가스를 벤트 배관으로 배출시키는 단계를 반복하여 상기 가스 배관에 상기 잔류된 가스를 완전히 배기하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 시스템의 잔류가스 배기 방법.Closing the first air valve and opening the second air valve to discharge the purged residual gas into the vent pipe, thereby exhausting the remaining gas in the gas pipe completely. Method of exhausting residual gas. 제 1 항에 있어서, 상기 잔류 가스는 가연성 가스인 것을 특징으로 하는 가스 공급 시스템의 잔류 가스 배기 방법.The method of claim 1, wherein the residual gas is a combustible gas.
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