KR101965610B1 - 고주파 노이즈 차폐 필름 및 이의 제조방법 - Google Patents

고주파 노이즈 차폐 필름 및 이의 제조방법 Download PDF

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노승훈
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율촌화학 주식회사
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Abstract

본 명세서에는 전자파 차폐 필름 및 이의 제조방법이 개시된다. 상기 전자파 차폐 필름은 Cu 금속층; Ag 금속층; 및 Ni과 Cu의 혼합 금속층이 순차적으로 형성된 차폐층을 포함하고, 전도성 접착층 조성물 전체 중량을 기준으로 1 내지 5 wt%의 킬레이트제 (Chelate agent)를 포함하여 고주파 사양의 회로에서도 우수한 차폐율을 나타내고 고온 내열성을 제공하는 효과가 있다.

Description

고주파 노이즈 차폐 필름 및 이의 제조방법{HIGH FREQUENCY NOISE SHIELDING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 명세서에는 고주파 사양의 회로에서도 우수한 차폐율을 나타내는 전자파 차폐 필름 및 이의 제조방법이 개시된다.
인쇄회로기판 (printed circuit board, PCB) 또는 연성회로기판 (flexible printed circuit board, FPCB)은 현재 휴대용 모바일폰, 노트북, 올인원 PC, 휴대용 단말기, OLED (유기 발광 소자), LCD (액정 디스플레이), PDP (플라즈마 디스플레이) 등의 다양한 전자기기에 활용되고 있으며, 제품의 소형화, 집적화 및 경박단소화의 흐름에 따라 회로 역시 점차 치밀해지고 있고, 고밀도의 배선을 요구하고 있으며, 전자기기의 고성능화에 대응하기 위해 연성회로기판에 요구되는 물성이 증대되고 있다.
한편, 이와 같이 협소한 공간 내에 전자 및 통신 기기들의 밀도가 증가함에 따라, 전자회로, 통신 안테나 및 디스플레이 모듈과 같은 부품들이 가까워지게 되고, 이들 전자기기에서 발생하는 전자파의 간섭으로 완제품의 성능이 저하될 수 있다. 뿐만 아니라, 전자기기의 고주파화에 따른 노이즈 (noise)의 발생으로 전자파 차폐재 개발에 대한 중요성은 더욱 요구되고 있다.
또한, 최근에는 전자파의 인체 유해성에 관한 연구 결과가 지속적으로 발표됨에 따라 전자기기에서 발생하는 전자파를 차단하기 위한 관심이 높아지고 있다. 이러한 이유로 전자파 장해에 대한 규제가 강화되고 있는 추세이다.
이에 따라, 이러한 전자파의 간섭을 효과적으로 차단하기 위해서 PCB, FPCB를 전기전도성이 우수한 금속막으로 막아, 회로기판에서 발생하는 전자파의 간섭을 금속막을 통해 차폐, 접지를 통해 감쇄시키는 전자파 차폐 필름에 대한 관심이 대두되고 있다.
한국 공개특허공보 제10-2017-0081466호
일 측면에서, 본 명세서는 고주파 사양의 회로에서도 우수한 차폐율을 나타내고 고온 내열성을 갖는 전자파 차폐 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
다른 측면에서, 본 명세서는 고주파 사양의 회로에서도 우수한 차폐율을 나타내고 고온 내열성을 갖는 전자파 차폐 필름의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 측면에서, 본 명세서에 개시된 기술은 전도성 접착층; 상기 전도성 접착층 상에 형성된 차폐층; 및 상기 차폐층 상에 형성된 절연층을 포함하고, 상기 차폐층은 전도성 접착층 상에 Cu 금속층; Ag 금속층; 및 Ni과 Cu의 혼합 금속층이 순차적으로 형성된 전자파 차폐 필름을 제공한다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 차폐층은 증착 방식으로 형성된 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 차폐층은 260 내지 520 nm의 두께를 갖는 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 Cu 금속층은 100 내지 200 nm의 두께를 갖는 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 Ag 금속층 150 내지 300 nm의 두께를 갖는 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 Ni과 Cu의 혼합 금속층은 10 내지 20 nm의 두께를 갖는 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 전도성 접착층은 전도성 접착층 조성물 전체 중량을 기준으로 1 내지 5 wt%의 킬레이트제 (Chelate agent)를 포함하는 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 전자파 차폐 필름은 10GHz에서 70dB 이상의 차폐율을 갖는 것일 수 있다.
다른 측면에서, 본 명세서에 개시된 기술은 상기 전자파 차폐 필름을 제조하는 방법으로, 전도성 접착층을 형성하는 단계; 상기 전도성 접착층 상에 치폐층을 형성하는 단계; 및 상기 차폐층 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐 필름의 제조방법을 제공한다.
또 다른 측면에서, 본 명세서에 개시된 기술은 상기 전자파 차폐 필름을 제조하는 방법으로, 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 차폐층을 형성하는 단계 및 상기 차폐층 상에 전도성 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐 필름의 제조방법을 제공한다.
일 측면에서, 본 명세서에 개시된 기술은 고주파 사양의 회로에서도 우수한 차폐율을 나타내고 고온 내열성을 갖는 전자파 차폐 필름을 제공하는 효과가 있다.
다른 측면에서, 본 명세서에 개시된 기술은 고주파 사양의 회로에서도 우수한 차폐율을 나타내고 고온 내열성을 갖는 전자파 차폐 필름의 제조방법을 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 전자파 차폐 필름 구조를 나타낸 것이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
일 측면에서, 본 명세서에 개시된 기술은 전도성 접착층; 상기 전도성 접착층 상에 형성된 차폐층; 및 상기 차폐층 상에 형성된 절연층을 포함하고, 상기 차폐층은 전도성 접착층 상에 Cu 금속층; Ag 금속층; 및 Ni과 Cu의 혼합 금속층이 순차적으로 형성된 전자파 차폐 필름을 제공한다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 전자파 차폐 필름은 FPCB (flexible printed circuit board)용인 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 전도성 접착층은 차폐층과 접지부를 전기적으로 연결하는 역할을 수행하는 것으로, 고분자 수지와 금속 분말을 혼합하여 형성된 것일 수 있다. 상기 고분자 수지와 금속 분말은 1:1의 중량비로 혼합함으로써 금속 분말 함량이 낮아 전기전도도가 감소하거나 금속 분말 함량이 높아 상대적으로 고분자 수지 함량이 낮아져 접착력이 떨어질 수 있는 문제를 예방하는 효과가 있다. 한편, 금속 분말의 경우 전도성 접착층에 50 중량%를 초과하여 첨가하여도 전기전도도에 영향을 미치는 것은 아니어서 다량 첨가하는 것은 오히려 가격 경쟁력을 떨어트릴 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 전도성 접착층은 폴리에스테르 수지와 은 코팅 구리 금속 분말을 혼합하여 형성된 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 전도성 접착층은 킬레이트제 (Chelate agent)를 더 포함하는 것일 수 있다. 상기 킬레이트제는 킬레이트 본딩 (Chelate bonding)을 형성할 수 있는 것이라면 제한이 없이 사용 가능하다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 전도성 접착층은 전도성 접착층 조성물 전체 중량을 기준으로 1 내지 5 wt%의 킬레이트제 (Chelate agent)를 포함하는 것일 수 있다. 이에 따라, 킬레이트제 함량이 많을 경우 상대적으로 금속 분말, 예컨대 구리 분말 함량이 감소하여 전기전도도가 떨어지는 문제를 예방하는 효과가 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 킬레이트제는 금속 아세틸아세토네이트 (Metal AcetylAcetonate), 예컨대 티타늄 아세틸아세토네이트 (Titanium Acetylacetonate)를 포함하여 폴리에스테르 수지와의 상용성이 맞지 않아 수지의 점도가 급격히 올라가 코팅하기 어려운 문제를 예방하는 효과가 있다.
예시적인 일 구현예에서, 본 명세서에 따른 전자파 차폐 필름은 전도성 접착층에 Titanium Chelate agent를 1~5 wt% 첨가하여 Cu와의 Chelate bonding을 통한 밀착력 강화를 구현하는 효과가 있다. 나아가, 밀착력이 강화됨에 따라 고온 내열성 또한 향상되는 효과가 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 차폐층은 증착 방식으로 형성된 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 차폐층은 260 내지 520 nm의 두께를 갖는 것일 수 있다.
상기 Cu 금속층은 부 차폐층으로서, Ag만을 증착했을 경우에 비해 단가 경쟁력을 가질 수 있는 효과가 있다. 또한, Ag에 이온화 경향성이 좋은 Cu를 증착함으로써 Ag의 산화에 의한 급격한 차폐율 저하를 막을 수 있는 효과가 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 Cu 금속층은 100 내지 200 nm의 두께를 갖는 것일 수 있다. 이에 따라, Cu 금속층의 두께가 100 nm 미만일 경우 증착 표면이 고르지 못해 Ag 산화 방지 효과가 떨어져 성능 저하의 요인이 될 수 있는 문제를 예방하는 효과가 있다. 또한, Cu 금속층의 두께가 200 nm를 초과하더라도 산화 방지 효과에 차이가 없어 두껍게 증착하는 것에 의미가 없다.
다른 예시적인 일 구현예에서, 상기 Cu 금속층은 100 nm 이상, 110 nm 이상, 120 nm 이상, 130 nm 이상, 140 nm 이상, 150 nm 이상, 160 nm 이상, 170 nm 이상, 180 nm 이상 또는 190 nm 이상의 두께를 갖는 것일 수 있다.
또 다른 예시적인 일 구현예에서, 상기 Cu 금속층은 200 nm 이하, 190 nm 이하, 180 nm 이하, 170 nm 이하, 160 nm 이하, 150 nm 이하, 140 nm 이하, 130 nm 이하, 120 nm 이하 또는 110 nm 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다.
상기 Ag 금속층은 주요 차폐층으로 고주파 사양에서의 차폐율을 확보하는 역할을 수행한다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 Ag 금속층은 150 내지 300 nm의 두께를 갖는 것일 수 있다. 이에 따라, Ag 금속층의 두께가 150 nm 미만일 경우 차폐 성능이 구현되지 않을 수 있는 문제를 예방하는 효과가 있다. 또한, 두께가 두꺼울수록 차폐 성능은 높아지지만, 70dB 이상만 되면 고주파 사양에서의 사용이 가능하기 때문에 300 nm 이상으로 증착을 할 경우 재료 가격이 높기 때문에 가격 경쟁력이 떨어지므로 300 nm 이하의 두께로 Ag 금속층을 형성하는 것이 바람직할 수 있다.
다른 예시적인 일 구현예에서, 상기 Ag 금속층은 150 nm 이상, 200 nm 이상 또는 250 nm 이상의 두께를 갖는 것일 수 있다.
또 다른 예시적인 일 구현예에서, 상기 Ag 금속층은 300 nm 이하, 250 nm 이하 또는 200 nm 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 Cu 금속층의 두께와 Ag 금속층의 두께는 1 : 1.3 내지 2.8 또는 1 : 1.3 내지 2.5 또는 1 : 1.5 내지 2.5의 비율을 갖는 것이 고주파 차폐 효과에 있어서 바람직할 수 있다.
상기 Ni과 Cu의 혼합 금속층은 절연층, 예컨대 PI 필름과 Ag와의 밀착력 향상을 위한 전처리 역할을 수행한다. Ni/Cu가 Ag에 비해 고분자 필름과의 밀착력이 우수하기 때문에 먼저 Ni/Cu 증착층을 형성하여 Ag와 필름 간 밀착력을 높일 수 있는 효과가 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 Ni과 Cu의 혼합 금속층은 10 내지 20 nm의 두께를 갖는 것일 수 있다. 상기 혼합 금속층의 두께가 얇은 경우 Ag과의 밀착력이 떨어질 수 있고, 20 nm 이상에서는 밀착력에 영향을 주지 못하기 때문에 두껍게 증착하는 것에 이점이 없으므로, 상기 Ni과 Cu의 혼합 금속층은 10 내지 20 nm의 두께를 갖는 것이 바람직할 수 있다.
다른 예시적인 일 구현예에서, 상기 Ni과 Cu의 혼합 금속층은 10 nm 이상, 11 nm 이상, 12 nm 이상, 13 nm 이상, 14 nm 이상, 15 nm 이상, 16 nm 이상, 17 nm 이상, 18 nm 이상 또는 19 nm 이상의 두께를 갖는 것일 수 있다.
또 다른 예시적인 일 구현예에서, 상기 Ni과 Cu의 혼합 금속층은 20 nm 이하, 19 nm 이하, 18 nm 이하, 17 nm 이하, 16 nm 이하, 15 nm 이하, 14 nm 이하, 13 nm 이하, 12 nm 이하 또는 11 nm 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 Ni과 Cu의 혼합 금속층은 Ni과 Cu를 동시 증착하여 형성된 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 절연층은 폴리이미드 필름으로 형성된 것일 수 있다. 전자파 차폐 필름의 경우 FPCB에 부착되어 260 ℃ 이상의 고온 공정을 거쳐야 하기 때문에 열 안정성이 좋은 PI 필름을 적용하여 내열성을 확보할 수 있는 이점이 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 절연층은 15 ㎛ 이하 또는 13 ㎛ 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다.
예시적인 일 구현예에서, 상기 전자파 차폐 필름은 10GHz에서 70dB 이상의 차폐율을 갖는 것일 수 있다.
본 명세서에 따른 상기 전자파 차폐 필름은 금속층을 Ni/Cu, Ag, Cu의 다층 증착 방식으로 형성하여 박막에서도 70dB (@10GHz) 이상의 고 차폐율을 구현하고, 전자파 차폐 필름의 두께를 낮출 뿐만 아니라 증착 방식을 통해 균일한 박막을 형성하여 우수한 차폐율을 확보하는 효과가 있다
다른 측면에서, 본 명세서에 개시된 기술은 상기 전자파 차폐 필름을 제조하는 방법으로, 전도성 접착층을 형성하는 단계; 상기 전도성 접착층 상에 치폐층을 형성하는 단계; 및 상기 차폐층 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐 필름의 제조방법을 제공한다.
또 다른 측면에서, 본 명세서에 개시된 기술은 상기 전자파 차폐 필름을 제조하는 방법으로, 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 차폐층을 형성하는 단계 및 상기 차폐층 상에 전도성 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐 필름의 제조방법을 제공한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지 않는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
실시예 1.
상용제품인 12.5 ㎛ 두께의 PI (Poly imide/SKC-Kolon GV050) 필름으로 절연층을 형성하고, Ni/Cu, Ag, Cu를 각각 10 nm, 150 nm, 100 nm의 두께로 순차적으로 Sputtering 증착 장비로 금속 증착하여 차폐층을 형성하였다. 두께 12.5 ㎛ 이하의 PI 필름은 가격이 비싸고, 두께가 너무 두꺼우면 프레스 가공 시 충진성이 떨어질 수 있는 문제가 있다. 또한, 폴리에스테르 수지 (폴리에스테르계 변성우레탄 수지 나눅스 NPE-2100, 경화제로 에폭시 수지 나눅스 NH-E220 사용, 중량%로 100:5로 혼합)와 은 코팅 구리 금속 분말 (미쓰이금속 ACBY-2F)을 수지와 금속을 중량%로 50:50으로 혼합하여 전도성 접착층을 형성하였다. 전도성 접착층 조성물 전체 중량을 기준으로 1 wt%의 titanium Chelate agent (Borica TYTANTM TAA)를 첨가하였고, Paste Mixer를 사용하여 혼합하였다. 이후, 콤마 코팅으로 도 1에 표시된 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
실시예 2.
상기 실시예 1의 방법에 따라 전자파 차폐 필름을 제조하되, 전도성 접착층 조성물 전체 중량을 기준으로 2 wt%의 titanium Chelate agent를 첨가하여 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
실시예 3.
상기 실시예 1의 방법에 따라 전자파 차폐 필름을 제조하되, 전도성 접착층 조성물 전체 중량을 기준으로 3 wt%의 titanium Chelate agent를 첨가하여 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
실시예 4.
상기 실시예 1의 방법에 따라 전자파 차폐 필름을 제조하되, 전도성 접착층 조성물 전체 중량을 기준으로 4 wt%의 titanium Chelate agent를 첨가하여 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
실시예 5.
상기 실시예 1의 방법에 따라 전자파 차폐 필름을 제조하되, 전도성 접착층 조성물 전체 중량을 기준으로 5 wt%의 titanium Chelate agent를 첨가하여 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
비교예 1.
상기 실시예 1의 방법에 따라 전자파 차폐 필름을 제조하되, Ag, Cu를 각각 100 nm, 100 nm의 두께로 순차적으로 금속 증착하여 차폐층을 형성하여 전자파 차폐 필름을 제조하였다. 또한, 전도성 접착층 조성물에 titanium Chelate agent를 첨가하지 않고 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
비교예 2.
상기 실시예 1의 방법에 따라 전자파 차폐 필름을 제조하되, Ag, Cu를 각각 150 nm, 50 nm의 두께로 순차적으로 금속 증착하여 차폐층을 형성하여 전자파 차폐 필름을 제조하였다. 또한, 전도성 접착층 조성물에 titanium Chelate agent를 첨가하지 않고 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
비교예 3.
상기 실시예 1의 방법에 따라 전자파 차폐 필름을 제조하되, Ag, Cu를 각각 0 nm, 250 nm의 두께로 금속 증착하여 차폐층을 형성하여 전자파 차폐 필름을 제조하였다. 또한, 전도성 접착층 조성물에 titanium Chelate agent를 첨가하지 않고 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
비교예 4.
상기 실시예 1의 방법에 따라 전자파 차폐 필름을 제조하되, 전도성 접착층 조성물에 titanium Chelate agent를 첨가하지 않고 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
실험예 1. 차폐층에 따른 차폐율 평가
상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 3에 따라 제조된 전자파 차폐 필름의 차폐율을 하기와 같이 실험하였다.
250mm×250mm (가로 및 세로 길이)인 PI (SKC Kolon PI, IF70, 50㎛, Poly imide) 필름을 준비하고, 상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 전자파 차폐 필름을 250mm×250mm (가로 및 세로 길이)로 잘라 상기 PI 필름에 가접하고, 150℃, 60분, 30kgf/cm2의 면압으로 고온 프레스로 접착, 경화시켜 차폐율 측정용 시료들을 제조하였다. 기준시료와 부하시료를 적정 치수로 제단하여 KEYSIGHT PNA Network Analyzer N5225A 모델에 85055AR03 Airline Type N 측정 치구를 연결하여 10GHz 영역대의 차폐율의 평균을 측정하였다.
그 결과, 하기 표 1에서 보는 바와 같이, 차폐층을 Ni/Cu, Ag, Cu 금속으로 증착시킨 필름의 경우 고주파 사양의 회로에도 적합하도록 우수한 차페율을 나타내고, 증착된 금속의 두께에 따라 차폐율이 크게 달라지는 것을 확인하였다.
차폐재료 두께(nm) 차폐율(dB/@10GHz)
실시예 1 Ag/Cu 150/100 74
비교예 1 Ag/Cu 100/100 65
비교예 2 Ag/Cu 150/50 68
비교예 3 Ag/Cu 0/250 50
실험예 2. 전도성 접착층에 따른 밀착력 및 내열성 평가
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 4에 따라 제조된 전자파 차폐 필름의 밀착력 및 내열성을 하기와 같이 실험하였다.
단면 CCL (동박 1/3oz / PI 필름 0.5mil)의 동박 표면에 커버레이 (PI 0.5mml / 접착층 25㎛)를 가접하고, 커버레이의 PI 필름 표면에 실시예 및 비교예에 따라 제조된 전자파 차폐 필름을 가접하여 150℃, 60분, 30kgf/cm2의 면압으로 고온 프레스로 경화시켜 접착강도 측정용 시편을 제조하였다. 이후 폭 10mm, 길이 100mm로 절단한 후, 인장강도 시험기로 전자파 차폐용 접착 필름을 180˚ 각도와 50mm/min의 속도로 박리시키면서 강도를 측정하여 접착 필름의 밀착력을 측정하였다.
폴리 이미드 (PI film, SKC Kolon PI, IF 70, 두께 50㎛) 필름 표면에 실시예 및 비교예에 따라 제조된 전자파 차폐 필름의 전기 전도성 접착층이 접하도록 하고 150℃, 60분, 30kgf/cm2의 면압으로 고온 프레스로 접착, 열경화시켜 시료를 제조하였다. 이후, 상기 시료들을 60mm×60mm (가로 및 세로) 크기로 절단하고 288℃의 납조에 10초간 담궈서 전자기파 접착 필름의 표면 상의 변형 및 기포생성, PI 필름과의 들뜸 여부를 기준으로 내열성을 평가하였다.
그 결과, 하기 표 2에서 보는 바와 같이, 전자파 차폐 필름의 전도성 접착층에 titanium Chelate agent를 1 내지 5 wt%로 첨가할 경우 밀착력과 함께 내열성 또한 향상되는 것을 확인하였다.
함량(wt%) 밀착력(kg/cm2) 내열성(288℃/10S)
실시예 1 1 1.2 Pass
실시예 2 2 1.5 pass
실시예 3 3 1.6 pass
실시예 4 4 1.6 pass
실시예 5 5 1.5 pass
비교예 4 0 0.5 Fail
이상, 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 실시 태양일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의해 정의된다고 할 것이다.

Claims (10)

  1. 전도성 접착층;
    상기 전도성 접착층 상에 형성된 차폐층; 및
    상기 차폐층 상에 형성된 절연층을 포함하고,
    상기 전도성 접착층은 티타늄 함유 킬레이트제 (Chelate agent)를 포함하고,
    상기 차폐층은 전도성 접착층 상에 Cu 금속층; Ag 금속층; 및 Ni과 Cu의 혼합 금속층이 순차적으로 형성된 전자파 차폐 필름.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 차폐층은 증착 방식으로 형성된 것인, 전자파 차폐 필름.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 차폐층은 260 내지 520 nm의 두께를 갖는 것인, 전자파 차폐 필름.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 Cu 금속층은 100 내지 200 nm의 두께를 갖는 것인, 전자파 차폐 필름.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 Ag 금속층 150 내지 300 nm의 두께를 갖는 것인, 전자파 차폐 필름.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 Ni과 Cu의 혼합 금속층은 10 내지 20 nm의 두께를 갖는 것인, 전자파 차폐 필름.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 전도성 접착층은 전도성 접착층 조성물 전체 중량을 기준으로 티타늄 함유 킬레이트제 (Chelate agent)를 1 내지 5 wt%로 포함하는 것인, 전자파 차폐 필름.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 전자파 차폐 필름은 10GHz에서 70dB 이상의 차폐율을 갖는 것인, 전자파 차폐 필름.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항의 전자파 차폐 필름을 제조하는 방법으로,
    전도성 접착층을 형성하는 단계;
    상기 전도성 접착층 상에 치폐층을 형성하는 단계; 및
    상기 차폐층 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐 필름의 제조방법.
  10. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항의 전자파 차폐 필름을 제조하는 방법으로,
    절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 차폐층을 형성하는 단계; 및
    상기 차폐층 상에 전도성 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐 필름의 제조방법.
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WO2023211099A1 (ko) * 2022-04-28 2023-11-02 성균관대학교산학협력단 멀티 레이어 구조를 갖는 전자파 차폐재 및 이를 포함하는 반도체 칩 장치

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